JP2022540339A - 基板処理装置のチャンバーのクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法は、薄膜蒸着工程が終わった基板をチャンバーから搬出し、前記チャンバーの内部を処理するチャンバー安定化工程を含み、前記チャンバー安定化工程は、前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射して、前記薄膜蒸着により生成された副産物をエッチングして洗浄する洗浄工程と、前記チャンバーの内部にアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくともいずれか一種を含むガスをコーティングガスとして噴射して、前記チャンバーの内壁及び前記チャンバーの内部に配設された構成品のうちの少なくともいずれか一つの表面に保護膜を生成するコーティング工程と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置のチャンバーのクリーニング方法に係り、さらに詳しくは、チャンバーの内部のダメージを防ぐための安定化工程を含むチャンバーのクリーニング方法に関する。

一般に、半導体素子は、基板の上にいろいろな物質を薄膜状に蒸着し、これをパターニングして製造される。このために、蒸着工程、エッチング工程、洗浄工程及び乾燥工程などといったいろいろな段階の互いに異なる工程が行われる。ここで、蒸着工程は、基板の上に半導体素子として求められる性質を有する薄膜を形成するためのものでる。しかしながら、薄膜の形成のための蒸着工程の最中には、基板上の所望の領域だけではなく、蒸着工程が行われるチャンバーの内部にも蒸着物を含む副産物が積もる。

そして、チャンバーの内部に積もる副産物は、その厚さが増えると剥離されてパーティクル（particle）の発生の原因となる。なお、パーティクルは、基板の上に形成される薄膜内に入り込んだり、薄膜の表面に付着したりして欠陥の原因として働いて製品の不良率を高める。したがって、これらの副産物が剥離される前に、チャンバーの内部に積もる副産物を取り除く必要がある。

チャンバーの内部に積もった副産物を取り除く洗浄工程においては、塩素（Ｃｌ）ガスと水素（Ｈ）ガスを用いる。すなわち、塩素（Ｃｌ）ガスと水素（Ｈ）ガスとの間の反応により生成された塩化水素（ＨＣｌ）ガスがチャンバーの内部に積もった副産物をエッチングすることにより、これらが取り除かれる。

一方、チャンバーの内部は、部分的にその温度が異なることがあるが、低い温度、例えば、１５０℃以下である部分においては、塩化水素（ＨＣｌ）と副産物との間のエッチング反応により生成され、塩素（Ｃｌ）を含む生成物が積もって残留する恐れがある。

また、蒸着装置の状態、工程条件及び外部の環境などの変化に伴い、チャンバーを開くことを余儀なくされるケースが生じることがある。チャンバーが開かれれば、チャンバーの内部が大気に晒されるが、このとき、洗浄時にまたは洗浄後にチャンバーの内部に積もった塩素（Ｃｌ）を含む堆積物が大気中の水分と反応し、その結果、塩化水素（ＨＣｌ）が生成される。この塩化水素（ＨＣｌ）は、チャンバーの内部、例えば、チャンバーの内壁、サセプター及びガス噴射部を腐食させてチャンバーにダメージを与える恐れがある。

大韓民国登録特許ＫＲ １０－１２３２９０４号

本発明は、チャンバーの内部のダメージを防ぐことのできるチャンバーのクリーニング方法を提供する。

本発明は、薄膜特性を向上させることのできるチャンバーのクリーニング方法を提供する。

本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法は、薄膜蒸着工程が終わった基板をチャンバーから搬出し、前記チャンバーの内部を処理するチャンバー安定化工程を含み、前記チャンバー安定化工程は、前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射して、前記薄膜蒸着により生成された副産物をエッチングして洗浄する洗浄工程と、前記チャンバーの内部にアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくともいずれか一種を含むガスをコーティングガスとして噴射して、前記チャンバーの内壁及び前記チャンバーの内部に配設された構成品のうちの少なくともいずれか一つの表面に保護膜を生成するコーティング工程と、を含む。

前記洗浄ガスは、塩素（Ｃｌ）、水素（Ｈ）のうちの少なくともいずれか一種を含む。

前記洗浄工程は、前記チャンバーの内部にプラズマを生成する工程を含む。

前記コーティング工程により形成された保護膜は、金属酸化物膜を備える。

前記保護膜は、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちの少なくともいずれか一種を含む。

前記保護膜は、１００Å以上の厚さに形成することが好ましい。

前記チャンバー安定化工程は、前記コーティング工程後に行われるシーズニング工程を含み、前記シーズニング工程は、蒸着工程において用いられる蒸着ガスを噴射する工程を含む。

前記シーズニング工程によりチャンバーの内部に蒸着されるシーズニング薄膜の厚さが１００Å以上になるようにすることが好ましい。

前記蒸着工程により前記基板の上に蒸着される薄膜は、金属酸化物膜であってもよい。

前記蒸着工程により前記基板の上に蒸着される金属酸化物膜は、薄膜トランジスターの活性層であってもよい。

前記蒸着工程において前記活性層を形成するに際して、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）のうちの少なくともいずれか一種をドープして形成してもよい。

本発明の実施形態に係るチャンバー安定化工程は、チャンバーの内部の洗浄工程が終わった後、保護膜コーティング工程をインサイチュ（in situ）にて行う。

保護膜コーティング工程は、腐食性のガスを用いるチャンバーの洗浄工程時に、または洗浄工程後にチャンバーの内部のパート及びチャンバーの内部の壁面にダメージが与えられる恐れがある。

このため、保護膜コーティング工程を行うことにより、洗浄工程後に腐食に曝露されたパートが水分と反応することを抑えることができる。したがって、腐食性の物質、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）の生成を防止または抑制することができて、チャンバーの内部が腐食、すなわち、損傷を被ることを抑えることができる。

そして、保護膜コーティング工程後にチャンバーの内部にシーズニング工程をインサイチュ（in situ）にてさらに行ってもよい。シーズニング工程を行う場合、チャンバーの内部が後続する薄膜蒸着工程時とほぼ同じ雰囲気に醸成されて、薄膜蒸着工程に際して不純物として働く要素を減らすことができて、保護膜コーティング工程とシーズニング工程が終わった後に生成された薄膜特性が向上するという効果がある。なお、素子、例えば、薄膜トランジスターの性能が向上し、性能のバラツキが減るという効果がある。

さらに、本発明の実施形態においては、蒸着工程とチャンバー安定化工程をインサイチュ（In situ）にて行うことにより、チャンバー内への不純物の流れ込みを有効に遮断することができ、これにより、チャンバー内の腐食をさらに有効に腐食または抑制することができる。

本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を行う基板処理装置を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を示す手順図である。 本発明の第２の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を示す手順図である。 薄膜トランジスターを示す図である。

以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明を説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。

図１は、本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を行う基板処理装置を示す図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を示す手順図である。図３は、本発明の第２の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を示す手順図である。図４は、薄膜トランジスターを示す図であって、本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を説明するための図である。

まず、図２及び図３に基づいて、実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法について簡略に説明する。

本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法は、基板の上に薄膜を蒸着する工程（以下、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）と称する。）、蒸着が終わった後、内部の副産物を取り除き、ダメージの防止のためにチャンバーの内部を洗浄及びコーティング処理する工程（以下、チャンバー安定化工程（Ｓ２００）と称する。）を含む。このとき、実施形態に係るチャンバー安定化工程方法は、一台の基板処理装置において薄膜蒸着工程（Ｓ１００）とチャンバー安定化工程（Ｓ２００）をインサイチュ（in situ）にて行う。

ここで、チャンバー安定化工程（Ｓ２００）は、第１の実施形態のように、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）が終わった後、チャンバーの内部の副産物を取り除くチャンバー洗浄工程（Ｓ２１０）及び洗浄が終わった後、チャンバーの内部に保護膜をコーティングする保護膜コーティング工程（Ｓ２２０）を含む。

また、チャンバー安定化工程（Ｓ２００）は、図３に示す第２の実施形態のように、保護膜コーティング工程（Ｓ２２０）が終わった後、チャンバーの内部を、後続して行われる蒸着工程の雰囲気とほぼ同じく調節するシーズニング工程（Ｓ２３０）をさらに含んでいてもよい。

ここで、薄膜蒸着は、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）と称されてもよい。そして、チャンバーの洗浄はチャンバー洗浄工程（Ｓ２１０）、保護膜のコーティングは保護膜コーティング工程（Ｓ２２０）、シーズニングはシーズニング工程（Ｓ２３０）と称されてもよい。

以下、図１に基づいて、本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法を行う基板処理装置について説明する。

基板処理装置は、上述したように、基板１０の上に薄膜を蒸着する蒸着工程（Ｓ１００）とチャンバー安定化工程（Ｓ２００）をインサイチュ（in situ）にて行うが、前記蒸着工程（Ｓ１００）は、金属酸化物膜を蒸着する工程であってもよい。

より具体例を挙げると、基板処理装置を用いた蒸着工程（Ｓ１００）は、薄膜トランジスターの活性層（active layer）の形成のために金属酸化物薄膜を形成する工程であってもよい。そして、蒸着工程（Ｓ１００）において形成する金属酸化物膜、すなわち、活性層は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）のうちの少なくともいずれか一種がドープされた薄膜であってもよい。すなわち、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）をドープしたＩＺＯ薄膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にガリウム（Ｇａ）をドープしたＧＺＯ薄膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）がドープされたＩＧＺＯ薄膜のうちのいずれか一種であってもよい。

図１を参照すると、本発明の実施形態に係る基板処理装置は、チャンバー１００、それぞれ異なる種類のガスを与える第１乃至第３のガス供給部２００、３００、４００、第１及び第３のガス供給部２００、４００から与えられたガスが移動する第１の経路５４１と、第２のガス供給部３００から与えられたガスが移動する第２の経路５４２と、を備え、チャンバー１００の内部に配設されてガスを噴射する噴射部５００、チャンバー１００の内部に配設されて噴射部５００と向かい合うように位置し、噴射部５００に面する一方の面に基板１０が載置されるサセプター６００を備える。

また、チャンバー１００の内部にプラズマを生成するための電源を供給するＲＦ電源部７００を備えていてもよい。

チャンバー１００は、内部に搬入された基板１０の上に薄膜が形成され得る工程空間を備えていてもよい。例えば、その断面の形状が四角形状、互角形状、六角形状などの形状であってもよい。いうまでもなく、チャンバー１００の内部の形状は多種多様に変形することができ、基板１０の形状と対応するように設けられることが好ましい。

噴射部５００は、チャンバー１００の内部においてサセプター６００と向かい合うように配置され、サセプター６００の延在方向に並べられて互いに離れるように配置された孔（以下、噴射孔５１１と称する。）が設けられた第１のプレート５１０及び複数本の噴射孔５１１のそれぞれに嵌着するように設けられた複数のノズル５２０を備える。

また、噴射部５００は、チャンバー１００の内部において前記チャンバー１００内の上部壁と第１のプレート５１０との間に位置するように配設された第２のプレート５３０及び第１のプレート５１０と第２のプレート５３０との間に位置している絶縁部５６０を備える。

ここで、第１のプレート５１０はＲＦ電源部７００と接続され、第２のプレート５３０は接地されてもよい。そして、絶縁部５６０は、第１のプレート５１０と第２のプレート５３０との間の電気的な接続を防ぐ役割を果たす。

第１のプレート５１０は、サセプター６００の延在方向に延設された板状であってもよい。そして、第１のプレート５１０には複数本の噴射孔５１１が設けられるが、複数本の噴射孔５１１のそれぞれは、第１のプレート５１０を上下方向に貫通するように設けられる。そして、複数本の噴射孔５１１は、第１のプレート５１０またはサセプター６００の延在方向に並設される。

複数のノズル５２０のそれぞれは、上下方向に延びた形状であってもよく、その内部には、ガスが通過可能な通路が設けられており、上端及び下端が開口されている。そして、複数のノズル５２０のそれぞれは、少なくともその下部が第１のプレート５１０に設けられた噴射孔５１１に嵌入され、上部は第２のプレート５３０と連結されるように配設される。このため、ノズル５２０は、第２のプレート５３０から下部に向かって突き出た形状であると説明することができる。

ノズル５２０の外径は、噴射孔５１１の内径に比べて小さく設けられ、ノズル５２０が噴射孔５１１の内部に嵌設されるに際して、ノズル５２０の外周面が噴射孔５１１の周壁、すなわち、第１のプレート５１０の内側壁から離れるように配設される。このため、噴射孔５１１の内部は、ノズル５２０の外側空間と、ノズル５２０の内側空間と、に仕切られる。

噴射孔５１１内におけるノズル５２０内の通路は、第１及び第３のガス供給部２００、４００から与えられたガスが移動、噴射される通路である。そして、噴射孔５１１内におけるノズル５２０の外側空間は、第２のガス供給部３００から与えられたガスが移動、噴射される通路である。

したがって、以下では、ノズル５２０内の通路を第１の経路５４１、噴射孔５１１の内部におけるノズル５２０の外側空間を第２の経路５４２と称する。

第２のプレート５３０は、その上部面がチャンバー１００内の上部壁から離れ、下部面が第１のプレート５１０から離れるように配設される。このため、第２のプレート５３０と第１のプレート５１０との間及び第２のプレート５３０とチャンバー１００の上部壁との間のそれぞれに空き空間が設けられる。

ここで、第２のプレート５３０の上側空間は、後述する第１及び第３のガス供給部２００、４００から与えられたガスが広がって移動する空間（以下、ガス拡散空間５５０と称する。）であって、複数のノズル５２０の上側開口と連通される。とりもなおさず、ガス拡散空間５５０は、複数の第１の経路５４１と連通された空間である。このため、第１及び第３のガス供給部２００、４００から与えられてガス拡散空間５５０に供給されたガスは、複数の第１の経路５４１に供給されて噴射される。

また、第２のプレート５３０の内部には、ガスが移動する通路であるガンドリル（図示せず）が設けられており、前記ガンドリルは、後述する第２のガス供給部３００の第２の搬送管３２０と連結され、第２の経路５４２と連通されるように設けられる。したがって、第２のガス供給部３００から与えられたガスは、第２のプレート５３０のガンドリル、第２の経路５４２を経て基板１０に噴射されることが可能になる。

第１乃至第３のガス供給部２００、３００、４００は、互いに異なる種類のガスをチャンバーの工程空間に供給してもよい。以下では、説明のしやすさのために、第１のガス供給部２００から与えられるガスを第１のガス、第２のガス供給部３００から与えられるガスを第２のガス、第３のガス供給部４００から与えられるガスを第３のガスと称する。

そして、実施形態に係る基板処理装置を用いたチャンバーのクリーニング方法を行ってもよく、蒸着工程及びチャンバー安定化工程を行い、蒸着工程及びチャンバー安定化工程のそれぞれは、第１のガスと第２のガスとの間の反応物により行われてもよい。

このため、第１及び第２のガス供給部２００、３００のそれぞれは、蒸着工程及びチャンバーの内部を処理する安定化工程のためのガスを与えるように設けられる。このとき、第２のガス供給部３００から与えられる第２のガスは、第１のガス供給部２００から与えられた第１のガスと反応するガスである。そして、第３のガス供給部４００は、チャンバーの処理工程の際にパージのためのガスを与える。

これを他の言葉で言い換えれば、第１のガス供給部２００から与えられる第１のガス及び第２のガス供給部３００から与えられる第２のガスのそれぞれは、蒸着のためのガス及びチャンバーの処理のための洗浄ガスを含む。すなわち、第１のガス及び第２のガスのそれぞれは、蒸着、洗浄及び保護膜コーティングのためのガスを含んでいてもよい。そして、第３のガス供給部４００から与えられる第３のガスは、チャンバー処理工程のうち、保護膜のコーティングに際してパージのためのパージガスを含む。

以下、第１乃至第３のガス供給部２００、３００、４００について説明する。

第１のガス供給部２００は、第１のガスが貯留された第１の貯留部２１０及び一方の端が第１の貯留部２１０に連結され、他方の端がガス拡散空間５５０と連結され、内部に第１のガスが移動する通路が設けられた第１の搬送管２２０を備える。このため、第１の貯留部２１０から与えられた第１のガスは、ガス拡散空間５５０、複数のノズル５２０、すなわち、複数の第１の経路５４１を通過するように移動して噴射されることが可能になる。

第１の貯留部２１０は、蒸着のためのガス第１の蒸着ガスが貯留された第１の蒸着ガス貯留部２１１、洗浄のためのガス第１の洗浄ガスが貯留された第１の洗浄ガス貯留部２１２及び保護膜コーティングのためのガス第１のコーティングガスが貯留された第１のコーティングガス貯留部２１３を備えていてもよい。

第１の蒸着ガス貯留部２１１に貯留された第１の蒸着ガスは、薄膜蒸着のためのソース原料ガスであって、第１の蒸着ガス貯留部２１１には、それぞれのソースガスのキャニスター（図示せず）に亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス、ガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスがそれぞれ貯留されてチャンバー１００に供給されてもよい。すなわち、第１の搬送管２２０を介してチャンバー１００に供給される第１の蒸着ガスは、亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス、ガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスを含んでいてもよい。

このとき、一つの第１の蒸着ガス貯留部２１１に亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス、ガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスが貯留されてもよく、第１の蒸着ガス貯留部２１１が３つの貯留部に画成されて、それぞれに亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス、ガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスがそれぞれ貯留されてもよい。

ここで、亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガスとしてジエチルジンク（Diethyl Zinc；Ｚｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）（ＤＥＺ）及びジメチルジンク（Dimethyl Zinc；Ｚｎ（ＣＨ₃）₂）（ＤＭＺ）のうちの少なくともいずれか一種を用いることができ、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガスとしてトリメチルインジウム（Trimethyl Indium；Ｉｎ（ＣＨ₃）₃）（ＴＭＩｎ）及びジエチルアミノプロピルジメチルインジウム（Diethylamino Propyl Dimethyl Indium）（ＤＡＤＩ）のうちの少なくともいずれか一種を用いることができ、ガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスとしてトリメチルガリウム（Ｔrimethyl Gallium；Ｇａ（ＣＨ₃）₃）（ＴＭＧａ）などを用いることができる。

第１の洗浄ガス貯留部２１２に貯留された第１の洗浄ガスは、チャンバー１００の内部の副産物を取り除くためのソース原料ガスであって、第１の洗浄ガス貯留部２１２には、例えば、塩素（Ｃｌ）を含む原料ガスが貯留されてもよい。すなわち、第１の洗浄ガスは、塩素（Ｃｌ）を含む原料ガスを含んでいてもよい。ここで、塩素（Ｃｌ）を含む原料ガスとしては、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃及びＣｌＦ₃のうちの少なくともいずれか一種を用いることができる。

第１のコーティングガス貯留部２１３に貯留された第１のコーティングガスは、洗浄工程が終わったチャンバー１００の内部に保護膜をコーティングするためのソース原料ガスである。

実施形態においては、洗浄工程が終わったチャンバー１００の内部に保護膜をコーティングするが、保護膜は、金属酸化物膜から形成されてもよい。より具体的に、保護膜は、Ａｌ₂Ｏ₃などのアルミニウム酸化物、ＺｒＯ₂などのジルコニウム酸化物及びＨＦＯ₂などのハフニウム酸化物のうちのいずれか一種から形成されてもよい。

このため、第１のコーティングガス貯留部２１３には、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちのいずれか一つを形成するためのソース原料ガスが貯留され、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む原料ガス、ジルコニウム（Ｚｒ）を含む原料ガス及びハフニウム（Ｈｆ）を含む原料ガスのうちの少なくともいずれか一種が貯留されてもよい。すなわち、第１のコーティングガスは、アルミニウム（Ａｌ）を含む原料ガス、ジルコニウム（Ｚｒ）を含む原料ガス及びハフニウム（Ｈｆ）を含む原料ガスのうちの少なくともいずれか一種を含んでいてもよい。

ここで、アルミニウム（Ａｌ）を含む原料ガスとしてＴＭＡ（trimethylaluminum；ＡＣ（Ｈ₃）₃）を用いることができ、ジルコニウム（Ｚｒ）を含む原料ガスとしては、ＴＥＭＡＺｒ（Tetrakis(ethylmethylamino)Ｚｒ）を用いることができ、ハフニウム（Ｈｆ）を含む原料ガスとして、ＴＥＭＡＨ（tetrakis-ethyl methyl amino hafnium；Ｈｆ［ＮＣ₂Ｈ₅ＣＨ₃］₄）、ＴＤＥＡＨ（tetrakis-diethyl amino hafnium；Ｈｆ［ＮＣ₂Ｈ₅₂］₄）、ＴＤＭＡＨ（tetrakis-dimethyl amino hafnium；Ｈｆ［ＮＣＨ₃₂］₄）、Ｈｆ［ＮＣ₃Ｈ₇₂］₄、Ｈｆ［ＮＣ₄Ｈ₉₂］₄のうちの少なくともいずれか一種を用いることができる。

第１の搬送管２２０は、第１の貯留部２１０から与えられた第１のガスを第１の経路５４１に移動させる手段である。すなわち、蒸着工程に際して第１の蒸着ガス貯留部２１１から与えられた第１の蒸着ガスが第１の搬送管２２０及びガス拡散空間５５０を経て複数のノズル５２０に移動する。また、洗浄工程に際して第１の洗浄ガス貯留部２１２から与えられた第１の洗浄ガスが第１の搬送管２２０及びガス拡散空間５５０を通過して複数のノズル５２０に移動する。なお、コーティング工程に際して第１のコーティングガス貯留部２１３から与えられた第１のコーティングガスが第１の搬送管２２０及びガス拡散空間５５０を通過して複数のノズル５２０に移動する。

このような第１の搬送管２２０は、内部にガスが移動可能な通路が設けられたパイプ（pipe）の形状であってもよい。そして、第１の蒸着ガス貯留部２１１、第１の洗浄ガス貯留部２１２及び第１のコーティングガス貯留部２１３のそれぞれと第１の搬送管２２０との間の連通を制御し、ガスの搬送量を調節する弁２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃが配設されてもよい。

第２のガス供給部３００は、第２のガスが貯留された第２の貯留部３１０及び一方の端が第２の貯留部３１０に連結され、他方の端が第２のプレート５３０の内部に設けられたガンドリルと連結され、内部に第２のガスが移動する通路が設けられた第２の搬送管３２０を備える。このため、第２の貯留部３１０から与えられた第２のガスは、第２の搬送管３２０、第２のプレート５３０のガンドリルを通過した後、第１のプレート５１０の内部に設けられた第２の経路５４２を介して噴射されることが可能になる。

第２の貯留部３１０は、蒸着のためのガス第２の蒸着ガスが貯留された第２の蒸着ガス貯留部３１１、洗浄のためのガス第２の洗浄ガスが貯留された第２の洗浄ガス貯留部３１２及び保護膜コーティングのためのガス第２のコーティングガスが貯留された第２のコーティングガス貯留部３１３を備える。

第２の蒸着ガス貯留部３１１に貯留された第２の蒸着ガスは、第１の蒸着ガスと反応して薄膜蒸着のための反応物を生成する反応原料ガスであってもよい。すなわち、第２の蒸着ガスは、第１の蒸着ガスとは異なるガスであり、かつ、前記第１の蒸着ガスと反応可能な反応原料ガスであってもよく、例えば、第２の蒸着ガスは、酸素（Ｏ）を含む原料ガスであってもよい。ここで、酸素（Ｏ）を含む原料ガス、すなわち、第２の蒸着ガスとして、純粋な酸素（Ｏ₂）、二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）及びオゾン（Ｏ₃）のうちの少なくともいずれか一種を用いることができる。

第２の洗浄ガス貯留部３１２に貯留された第２の洗浄ガスは、第１の洗浄ガスと反応して副産物を取り除くための反応物を生成する反応原料ガスであってもよい。すなわち、第２の洗浄ガスは、第１の洗浄ガスとは異なるガスであり、かつ、第１の洗浄ガスと反応可能な反応原料ガスであってもよく、例えば、第２の洗浄ガスは、水素（Ｈ）を含む原料ガスであってもよい。ここで、水素（Ｈ）を含む原料ガス、すなわち、第２の洗浄ガスとして、Ｈ₂、ＣＨ₄及びＨ₂Ｏのうちの少なくともいずれか一種を用いることができる。

第２のコーティングガス貯留部３１３に貯留された第２のコーティングガスは、第１のコーティングガスと反応して保護膜コーティングのための反応物を生成する反応原料ガスであってもよい。すなわち、第２のコーティングガスは、第１のコーティングガスとは異なるガスであり、かつ、第１のコーティングガスと反応可能な反応原料ガスであってもよい。上述したように、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちのいずれか一つから保護膜を形成し、第１のコーティングガスがアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちのいずれか一つを含む原料ガスであるとき、第２のコーティングガスは、酸素（Ｏ）を含むガスであってもよい。ここで、酸素（Ｏ）を含むガス、すなわち、第２のコーティングガスとして、純粋な酸素（Ｏ₂）、二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）及びオゾン（Ｏ₃）のうちの少なくともいずれか一種を用いることができる。

第２の搬送管３２０は、第２の貯留部３１０から与えられた第２のガスを第２の経路５４２に移動させる手段であってもよい。すなわち、蒸着工程に際して第２の蒸着ガス貯留部３１１から与えられた第２の蒸着ガスが第２の搬送管３２０及び第２のプレート５３０に設けられたガンドリルを通過して第２の経路５４２に移動し、洗浄工程に際して第２の洗浄ガス貯留部３１２から与えられた第２の洗浄ガスが第２の搬送管３２０及び第２のプレート５３０に設けられたガンドリルを通過して第２の経路５４２に移動し、コーティング工程に際して第２のコーティングガスが第２のコーティングガス貯留部３１３から与えられた第２のコーティングガスが第２の搬送管３２０及び第２のプレート５３０に設けられたガンドリルを通過して第２の経路５４２に移動する。そして、第２の蒸着ガス、第２の洗浄ガス及び第２のコーティングガスのそれぞれは、第２の経路５４２を介して基板に噴射されてもよい。

このような第２の搬送管３２０は、内部にガスが移動可能な通路が設けられたパイプ（pipe）の形状であってもよく、チャンバー１００の第２のプレート５３０に一直線の長い孔を穿孔してガスを流動させるガンドリル（図示せず）の形状であってもよい。

そして、第２の蒸着ガス貯留部３１１、第２の洗浄ガス貯留部３１２及び第２のコーティングガス貯留部３１３のそれぞれと第２の搬送管３２０との間の連通を制御し、ガスの搬送量を調節する弁３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃが配設されてもよい。

上述したように、第２の蒸着ガス及び第２のコーティングガスは、両方とも酸素（Ｏ）を含むガスであってもよく、同じガスを用いてもよい。このように、薄膜の蒸着のための第２の蒸着ガスと保護膜コーティングのための第２のコーティングガスとして同じガスを用いる場合、第２の貯留部３１０は、第２の蒸着ガス貯留部３１１及び第２のコーティングガス貯留部３１３のうちのどちらか一方を備えるように設けられてもよい。

いうまでもなく、第２の蒸着ガスと第２のコーティングガスとして互いに異なるガスを用いてもよい。このような場合、第２の貯留部３１０は、互いに異なるガスをそれぞれ貯留する第２の蒸着ガス貯留部３１１と第２のコーティングガス貯留部３１３がそれぞれ別々に設けられてもよい。

第３のガス供給部４００は、第３のガスが貯留された第３の貯留部４１０及び一方の端が第３の貯留部４１０に連結され、他方の端がガス拡散空間５５０と連結され、内部に第３のガスが移動する通路が設けられた第３の搬送管４２０を備える。このため、第３の貯留部４１０から与えられた第３のガスは、ガス拡散空間５５０、複数のノズル５２０、すなわち、複数の第１の経路５４１を通過するように移動して噴射されることが可能になる。

第３の貯留部４１０は、保護膜の形成に際してパージのためのガス（以下、パージガスと称する。）が貯留される。第３の貯留部４１０に貯留されたパージガスは、不活性ガス、例えば、窒素ガスであってもよい。

第３の搬送管４２０は、第３の貯留部４１０から与えられた第３のガス、すなわち、パージガスを噴射部５００に移動させる手段である。すなわち、保護膜のコーティング工程に際して第３の貯留部４１０から与えられた第３の蒸着ガスが第３の搬送管４２０及びガス拡散空間５５０を通過した後、複数のノズル５２０に移動する。

このような第３の搬送管４２０は、内部にガスが移動可能な通路が設けられたパイプ（pipe）の形状であってもよい。そして、第３の貯留部４１０と第３の搬送管４２０との間の連通を制御し、ガスの搬送量を調節する弁４３０が配設されてもよい。

サセプター６００は、チャンバー１００の内部において噴射部５００と向かい合うようにまたは対向するように配置される。このとき、サセプター６００は、例えば、チャンバー１００の内部において噴射部５００の下側に位置してもよい。このようなサセプター６００は、基板１０の形状と対応する形状に設けられ、例えば、四角形、円形であってもよい。そして、サセプター６００の面積は、基板１０に比べて大きく設けられることが好ましい。なお、サセプター６００は、ヒーター（図示せず）及び冷却手段（図示せず）が組み込まれた構成要素であってもよく、ヒーター及び冷却手段のうちの少なくともどちらか一方を動作させてサセプター６００及び基板１０を目標温度に調節してもよい。

上述したャンバー１００、噴射部５００、サセプター６００は、金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む材料から形成されてもよい。

ＲＦ電源部７００は、チャンバー１００の内部にプラズマを生成する電源を供給する手段である。より具体的に、ＲＦ電源部７００は、プラズマの発生のためのＲＦ電源を供給する手段であって、噴射部５００の第１のプレート５１０に連結されてもよい。また、ＲＦ電源部７００は、プラズマの発生のための電源の負荷インピーダンスとソースインピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路を備えていてもよい。インピーダンスマッチング回路は、可変キャパシター及び可変インダクターのうちの少なくともどちらか一方から構成される２つのインピーダンス素子を備えてなることが好ましい。

そして、噴射部５００と対向するように配置されたサセプター６００及び第２のプレート５３０のそれぞれは、接地されるものから構成されてもよい。

したがって、ＲＦ電源部７００は、第１のプレート５１０にＲＦ電源を供給し、サセプター６００及び第２のプレート５３０を接地・連結すれば、噴射部５００内の第２の経路５４２及び第１のプレート５１０とサセプター６００との間の空間にプラズマ（plasma）が生成されることが可能になる。

ここで、第１のプレート５１０とサセプター６００との間の空間にプラズマ（plasma）が生成されるに際して、サセプター６００に比べて噴射部に近いようにプラズマが生成される。より具体的に、噴射部５００のすぐ下側にプラズマが生成されてもよい。

以下、図１及び図２と、図４に基づいて、本発明の第１の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法について説明する。

図２を参照すると、チャンバーのクリーニング方法は、基板１０の上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着工程（Ｓ１００）、薄膜蒸着が終わった後、蒸着工程に際して発生した副産物によるパーティクルを取り除き、チャンバー１００の内部のダメージを防ぐためにチャンバー１００の内部を処理するチャンバー安定化工程（Ｓ２００）を含む。ここで、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）とチャンバー安定化工程（Ｓ２００）は、インサイチュ（in situ）にて行われる。

まず、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）のために、基板１０をチャンバー１００の内部に搬入してサセプター６００の上に載置する。

ここで、薄膜蒸着工程（Ｓ１００）において蒸着しようとする薄膜は、薄膜トランジスターの活性層４０であり、活性層４０は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）がドープされたＩＧＺＯ膜である場合を例にとって説明する。このため、サセプター６００の上に載置される基板１０は、図４に示すように、その上部にゲート電極２０とゲート絶縁膜３０が積層された基板１０であってもよい。

活性層４０の薄膜の蒸着のために、噴射部５００の第１の経路５４１に活性層の蒸着のためのソース原料ガスである第１の蒸着ガス、第２の経路５４２に活性層の蒸着のための反応原料ガスである第２の蒸着ガスを噴射する。

このために、第１のガス供給部２００は第１の経路５４１に、第２のガス供給部３００は第２の経路５４２に活性層４０の蒸着のための第１及び第２の蒸着ガスを供給する。すなわち、第１の蒸着ガス貯留部２１１から亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス及びガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスを含む第１の蒸着ガスを第１の搬送管２２０に与える。このため、第１の蒸着ガスは、第１の搬送管２２０を介してガス拡散空間５５０に移動した後、複数の第１のノズル、すなわち、複数の第１の経路５４１に供給されて噴射される。また、第２の蒸着ガス貯留部３１１から酸素を含む第２の蒸着ガスを第２の搬送管３２０に供給する。このため、第２の蒸着ガスは、第２の搬送管３２０を介して移動して第２のプレート５３０の内部のガンドリル流路（図示せず）を介して第１のプレート５１０内の第２の経路５４２に供給され、次いで、第２の経路５４２から工程空間へと噴射されてもよい。

第１及び第２の蒸着ガスが噴射されるとき、ＲＦ電源部７００は、第１のプレート５１０にＲＦ電源を供給してもよい。第１のプレート５１０にＲＦ電源が供給されれば、噴射部５００内の第２の経路５４２及び第１のプレート５１０とサセプター６００との間の空間にプラズマ（plasma）が生成されることが可能になる。このとき、第１の経路５４１及び第２の経路５４２を通過または噴射される第１の蒸着ガスと第２の蒸着ガスとの間の反応が起きて、ゲート絶縁膜３０の上にＩＧＺＯ膜、すなわち、活性層４０が形成されることが可能になる。

上述した例においては、活性層４０の形成のための蒸着工程においてＲＦ電源部７００を動作させてプラズマを形成することについて説明した。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、プラズマを形成することなく、第１の蒸着ガスと第２の蒸着ガスを噴射し、チャンバー１００の温度を高温に上げて反応させて薄膜、すなわち、活性層４０、ゲート絶縁膜３０などが形成されてもよい。活性層４０の蒸着工程が終わると、基板１０をチャンバー１００の外部に搬出してもよい。

次いで、チャンバー１００を処理するチャンバー安定化工程（Ｓ２００）が行われてもよい。

一方、活性層４０の蒸着工程に際してチャンバー１００の内部に副産物が積もってもよい。より具体的に、チャンバー１００の内壁、第１のプレート５１０の表面及びノズル５２０の表面、第２のプレート５３０の下部面に副産物が積もってもよい。そして、第１のプレート５１０と第２のプレート５３０との間の空間が狭く、この空間においてプラズマが生成されるため、チャンバー１００の内壁に比べて、第１のプレート５１０の表面及びノズル５２０の表面、第２のプレート５３０の下部面にさらに多くの副産物が積もってもよい。

チャンバー安定化工程（Ｓ２００）を行うに際して、まず、活性層４０の蒸着工程に際してチャンバー１００の内部に積もった副産物を取り除くチャンバーの洗浄を行う（Ｓ２１０）。

このために、第１及び第２のガス供給部２００、３００のそれぞれからチャンバーの洗浄のためのガスが噴射部５００に供給される。すなわち、第１の洗浄ガス貯留部２１２から塩素（Ｃｌ）を含む第１の洗浄ガスを第１の搬送管２２０に与える。このため、第１の洗浄ガスは、第１の搬送管２２０を経て噴射部５００の第１の経路５４１に供給され、次いで、第１の経路５４１から噴射される。また、第２の洗浄ガス貯留部３１２から水素（Ｈ）を含む第２の洗浄ガスを第２の搬送管３２０に供給すれば、第２の洗浄ガスが第２の搬送管３２０を介して移動して噴射部５００の第２の経路５４２に供給され、次いで、第２の経路５４２から噴射される。

噴射部５００を介して第１及び第２の洗浄ガスが噴射される間に、ＲＦ電源部７００は、第１のプレート５１０にＲＦ電源を供給してもよい。このため、噴射部５００内の第２の経路５４２及び第１のプレート５１０とサセプター６００との間の空間にプラズマ（plasma）が生成されることが可能になる。

したがって、第１の洗浄ガスと第２の洗浄ガスとの間の反応が起きて、塩化水素（ＨＣｌ）ガスが生成される。生成された塩化水素（ＨＣｌ）ガスは、薄膜の蒸着工程に際してチャンバーの内部に積もり、亜鉛酸化物などの金属酸化物を含む副産物とエッチング反応する（反応式１を参照されたい）。一方、副産物は、チャンバー１００の内壁だけではなく、チャンバー１００の内部空間に晒される様々な構成品、例えば、サセプター６００、ノズル５２０、噴射部５００などに積もる。

このため、生成された塩化水素（ＨＣｌ）ガスは、チャンバー１００の内部に積もった副産物、すなわち、チャンバー１００の内壁、サセプター６００及びノズル５２０、噴射部５００などの表面に積もっている副産物と反応してこれらをエッチングして取り除く。

反応式１）
Ｉｎ₂Ｇａ₂Ｚｎ₁Ｏ₇＋７Ｈ₂＋４Ｃｌ₂＝２ＩｎＣｌ₃＋ＺｎＣｌ₂＋７Ｈ₂Ｏ

一方、チャンバー１００の内部において温度が低い、より具体的に、１５０℃以下である部分においては、塩化水素（ＨＣｌ）と副産物との間のエッチング反応による生成物、例えば、２ＩｎＣｌ₃、ＺｎＣｌ₂などが積もって残留してもよい。

そして、チャンバー１００の洗浄が終わった後、蒸着装置の状態、工程条件及び外部の環境などの変化に伴い、チャンバー１００を開くことを余儀なくされるケースが生じることがある。チャンバー１００が開かれれば、チャンバー１００の内部が大気に晒されるが、このとき、チャンバー１００の内部に塩素（Ｃｌ）を含む残留物、すなわち、２ＩｎＣｌ₃、ＺｎＣｌ₂などが大気中の水分と反応し、このため、塩化水素（ＨＣｌ）が生成される（反応式２から４を参照されたい）。この塩化水素（ＨＣｌ）は、チャンバー１００の内部、例えば、チャンバー１００の内壁、噴射部５００及びサセプター６００を腐食させてダメージを与える恐れがある。

反応式２）
ＩｎＣｌ₃＋Ｈ₂Ｏ＝ＩｎＯＣｌ＋ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ

反応式３）
ＺｎＣｌ₂＋２Ｈ₂Ｏ＝ＺｎＣｌ（ＯＨ）＋ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ

反応式４）
Ａｌ（Ｈ₂Ｏ）６Ｃｌ₃＝ＡｌＯＨ）₃＋３ＨＣｌ＋３Ｈ₂Ｏ

したがって、本発明の実施形態においては、チャンバーの洗浄工程の残留物によるチャンバー１００の内部の腐食を防止または抑制するために、チャンバーの洗浄が終わった後、チャンバー１００の内部に保護膜をコーティングする（Ｓ２２０）。このとき、チャンバーの洗浄工程と保護膜のコーティング工程をインサイチュ（in situ）にて行う。

チャンバー１００の内部にチャンバー保護膜をコーティングするに際して、「ソースガス、パージガス、反応ガス、パージガス」の順に噴射して行う原子層蒸着（ＡＬＤ）法により形成してもよい。とりもなおさず、「第１のガス、パージガス、第２のガス、パージガス」の順に噴射し、この噴射サイクルを複数回繰り返し行って保護膜をコーティングする。また、「第１のコーティングガス、パージガス、第２のコーティングガス、パージガス」であると説明することもできる
より具体的に説明すれば、まず、第１のコーティングガス貯留部２１３からアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくともいずれか一種の原料ガスを含む第１のコーティングガスを第１の搬送管２２０に与える。このため、第１のコーティングガスは、第１の搬送管２２０を経て噴射部５００の第１の経路５４１に供給されてチャンバー１００内の工程空間に噴射されることが可能になる。

次いで、第３のガスをパージする。すなわち、第３の貯留部４１０からパージ原料である第３のガス、例えば、窒素ガスを第１の搬送管２２０に与えると、パージガスは、第１の搬送管２２０を経て噴射部５００の第１の経路５４１に供給された後、噴射されてパージされる。

次いで、噴射部５００に第１のコーティングガスと反応する第２のコーティングガスを供給する。すなわち、第２のコーティングガス貯留部３１３から酸素（Ｏ）を含む第２のコーティングガスを第２の搬送管３２０に供給すれば、第２のコーティングガスが第２の搬送管３２０を介して移動して第２のプレート５３０のガンドリル流路（図示せず）に移動した後、第２の経路５４２に供給されてチャンバー１００内の工程空間に噴射される。

酸素（Ｏ）を含む第２のコーティングガスが噴射されれば、前記第２のコーティングガスが第１のコーティングガスと反応し、このため、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちの少なくともいずれか一種の反応物が生成される。そして、反応物、すなわち、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちの少なくともいずれか一つの膜がチャンバー１００の内部、例えば、チャンバー１００の内壁、サセプター６００及び噴射部５００の表面に蒸着またはコーティングされる。そして、噴射部５００の中でも、ノズル５２０の外周面、第１の経路５４１を仕切る第１のプレート５１０の内側の表面、第１のプレート５１０の外側の表面、第２のプレート５３０の下部面に蒸着されてもよい。このように、第１のコーティングガスと第２のコーティングガスとの反応によりコーティングされる膜が保護膜である。

次いで、第３のガス供給部４００を介してパージガスを噴射すれば、第１のコーティングガスと第２のコーティングガスとの間の反応副産物がパージされ得る。

以上においては、「ソースガス、パージガス、反応ガス、パージガス」のサイクルにて行われる原子層蒸着法（ＡＬＤ）により保護膜を形成することについて説明した。

しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、ソースガス、パージガス、反応ガスをこの順に噴射した後、ＲＦ電源部７００を動作させてプラズマを生成させる方法により保護膜を形成してもよい。

これを他の言葉で言い換えれば、第１のコーティングガス、第３のガスであるパージガス、第２のコーティングガスをこの順に噴射した後、ＲＦ電源部７００を動作させてプラズマを生成する方法により保護膜を形成してもよい。

他の方法によれば、ソースガス及びパージガスをこの順に噴射した後、パージガスの噴射が終わらないうちに反応ガスを噴射しはじめ、反応ガスの噴射が終わった後にＲＦ電源部７００を動作させてプラズマを生成する方法により保護膜を形成してもよい。

これを他の言葉で言い換えれば、第１のコーティングガス及び第３のガスであるパージガスをこの順に噴射した後、パージガスの噴射が終わらないうちに第２のコーティングガスを噴射しはじめ、第２のコーティングガスの噴射が終わった後にＲＦ電源部７００を動作させてプラズマを生成する方法により保護膜を形成してもよい。

このような保護膜のコーティング工程により、チャンバーの洗浄工程後に残留した塩素（Ｃｌ）を含む残留物が、それ以降に形成される保護膜によりコーティングされる。したがって、基板処理装置の状態、工程条件及び外部の環境などの変化に伴ってチャンバー１００を開いてチャンバー１００の内部が大気に晒されるとしても、チャンバー１００の内部に積もっている残留物が大気中に晒されることを防止または遮断することができる。

したがって、洗浄工程の最中に生じた堆積物のうち、塩素（Ｃｌ）との数分間の反応が防がれる。これにより、塩素（Ｃｌ）と水分との間の反応による塩化水素（ＨＣｌ）といった腐食性ガスの発生が防がれて、チャンバー１００の内部が腐食、すなわち、ダメージを被ることを防ぐことができる。

このように、保護膜は、洗浄工程の最中にチャンバー１００内に積もった堆積膜と水分とが反応することを遮断するため、保護膜は、水分透湿防止膜と称されてもよい。

このような保護膜は、１００Å以上の厚さに形成されることが好ましい。これは、洗浄工程の最中に生じた堆積物が晒されることを防ぐためである。

一方、保護膜の厚さが１００Å未満である場合、表面粗さが良好ではなく、このため、部分的に保護膜がコーティングされないか、あるいは、その厚さが薄いことがある。このような場合、チャンバーを開くときに洗浄工程の最中に生じた堆積物が大気中の水分と反応することが懸念され、これにより、塩化水素（ＨＣｌ）などの腐食性ガスが生じてチャンバー１００の内部が腐食される恐れがある。

したがって、本発明の実施形態においては、１００Å以上の厚さに保護膜を形成する。

そして、保護膜の厚さの上限は、特に限定されないが、基板処理装置の稼働効率、生産性の向上のために１０００Å以下にすることが好ましいことがある。

また、実施形態においては、保護膜のコーティング工程を１０分以下で行う。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、保護膜を１００Å以上の目標厚さに形成できる限り、その時間は限定されない。

保護膜のコーティングが終わると、次いで、蒸着被処理物である基板１０をチャンバー１００内に装入して、上述したような蒸着工程、例えば、ＩＧＺＯ活性層の蒸着を行ってもよい。

上述した第１の実施形態においては、チャンバー安定化工程（Ｓ２００）がチャンバー洗浄工程（Ｓ２１０）及び保護膜コーティング工程（Ｓ２２０）を含むと説明した。

しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、図３に示す第２の実施形態のように、チャンバー安定化工程（Ｓ２００）が保護膜コーティング工程（Ｓ２２０）後に行われるシーズニング（seasoning）工程（Ｓ２３０）をさらに含んでいてもよい。

シーズニング工程（Ｓ２３０）は、チャンバー１００の内部を後続する蒸着工程時の環境とほぼ同様に処理する工程である。すなわち、シーズニングは、チャンバー１００の内部に基板１０がない状態で、第１及び第２のガス供給部２００、３００のそれぞれから蒸着工程の際に用いられるガス、すなわち、第１及び第２の蒸着ガスを噴射部５００に供給する工程であってもよい。

例えば、第１のガス供給部２００から亜鉛（Ｚｎ）を含む原料ガス、インジウム（Ｉｎ）を含む原料ガス及びガリウム（Ｇａ）を含む原料ガスを含む第１の蒸着ガスを噴射部に供給し、第２のガス供給部３００から酸素を含む第２の蒸着ガスを噴射部に供給すれば、第１及び第２の蒸着ガスが噴射部５００を介して噴射される。

このとき、第１の蒸着ガスと第２の蒸着ガスとの間の反応が起こり、これにより、チャンバー１００の内部、すなわち、チャンバー１００の内壁、サセプター６００及び噴射部５００の表面にシーズニング薄膜、すなわち、ＩＧＺＯが蒸着されることが可能になる。

また、第１の蒸着ガスと第２の蒸着ガスを噴射するとき、ＲＦ電源部７００を動作させて噴射部５００にＲＦ電源を供給して、チャンバー１００の内部にプラズマを形成してもよい。

いうまでもなく、第１の蒸着ガスと第２の蒸着ガスを噴射するとき、プラズマを形成せずにシーズニングを行ってもよい。

このように、チャンバー１００の内部に保護膜をコーティングした後、後続する蒸着工程の前に前記チャンバー１００の内部にシーズニングを行うと、保護膜を形成する金属原料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくともいずれか一種が後続する蒸着工程に際して蒸着される蒸着膜、例えば、ＩＧＺＯ薄膜に不純物として働くことを防止または抑制することができる。これにより、薄膜トランジスターの性能が向上し、性能のバラツキが減るという効果が奏される。

シーズニング薄膜の厚さは、１００Å以上であることが好ましく、これは、１００Å以上であるとき、保護膜が後続する蒸着工程において蒸着される薄膜、例えば、活性層用のＩＧＺＯ薄膜の性能の低下を有効に抑えるためである。

そして、シーズニング薄膜の厚さの上限は、特に限定されないが、基板処理装置の稼働効率、生産性の向上のために１０００Å以下にすることが好ましい。

シーズニング工程が終わると、次いで、蒸着被処理物である基板１０をチャンバー１００内に装入して、上述したような蒸着工程を行ってもよい。

活性層４０の形成工程が終わると、その基板を後続する工程のための装置に移動させて、保護膜６０と、ソース及びドレイン電極５０ａ、５０ｂを形成し、これにより、薄膜トランジスターが製造される。

このように、本発明の実施形態に係るチャンバーのクリーニング方法によれば、チャンバー１００の内部の洗浄工程が終わった後、保護膜のコーティング工程を行う。すなわち、洗浄工程時または洗浄工程後にチャンバー１００の内部につもった塩素（Ｃｌ）を含む堆積膜を保護膜でコーティングして、堆積膜と水分との間の反応を防ぐ。このため、腐食性物質である塩化水素（ＨＣｌ）の生成を防ぐことができて、チャンバー１００の内部が腐食、すなわち、ダメージを被ることを防ぐことができる。

そして、保護膜のコーティング後に、チャンバー１００の内部にシーズニング工程をさらに行ってもよい。シーズニング工程を行う場合、チャンバー１００の内部が後続する蒸着工程時とほぼ同じ雰囲気に醸成されて、蒸着工程に際して不純物として働く要素を減らすことができ、薄膜特性が向上するという効果が奏される。なお、素子、例えば、薄膜トランジスターの性能が向上し、性能のバラツキの発生が減るという効果が奏される。

本発明の実施形態によれば、洗浄工程後に腐食に晒されたパートが水分と反応することを抑えることができる。したがって、腐食性物質、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）の生成を防止または抑制することができて、チャンバーの内部が腐食、すなわち、ダメージを被ることを抑えることができる。

Claims (11)

1. 薄膜蒸着工程が終わった基板をチャンバーから搬出し、前記チャンバーの内部を処理するチャンバー安定化工程を含み、
   前記チャンバー安定化工程は、
   前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射して、前記薄膜蒸着工程により生成された副産物をエッチングして洗浄する洗浄工程と、
   前記チャンバーの内部にアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくともいずれか一種を含むガスをコーティングガスとして噴射して、前記チャンバーの内壁及び前記チャンバーの内部に配設された構成品のうちの少なくともいずれか一つの表面に保護膜を生成するコーティング工程と、
   を含む、チャンバーのクリーニング方法。
2. 前記洗浄ガスは、塩素（Ｃｌ）、水素（Ｈ）のうちの少なくともいずれか一種を含む、請求項１に記載のチャンバーのクリーニング方法。
3. 前記洗浄工程は、前記チャンバーの内部にプラズマを生成する工程を含む、請求項１に記載のチャンバーのクリーニング方法。
4. 前記コーティング工程により形成された保護膜は、金属酸化物膜を備える、請求項１に記載のチャンバーのクリーニング方法。
5. 前記保護膜は、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物及びハフニウム酸化物のうちの少なくともいずれか一種を含む、請求項４に記載のチャンバーのクリーニング方法。
6. 前記保護膜は、１００Å以上の厚さに形成する、請求項４に記載のチャンバーのクリーニング方法。
7. 前記チャンバー安定化工程は、前記コーティング工程よりも後に行われるシーズニング工程を含み、
   前記シーズニング工程は、蒸着工程において用いられる蒸着ガスを噴射する工程を含む、請求項１に記載のチャンバーのクリーニング方法。
8. 前記シーズニング工程によりチャンバーの内部に蒸着されるシーズニング薄膜の厚さが１００Å以上になるようにする、請求項７に記載のチャンバーのクリーニング方法。
9. 前記蒸着工程により前記基板の上に蒸着される薄膜は、金属酸化物膜である、請求項７に記載のチャンバーのクリーニング方法。
10. 前記蒸着工程により前記基板の上に蒸着される金属酸化物膜は、薄膜トランジスターの活性層である、請求項９に記載のチャンバーのクリーニング方法。
11. 前記蒸着工程において前記活性層を形成するに際して、
    酸化亜鉛（ＺｎＯ）にインジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）のうちの少なくともいずれか一種をドープして形成する、請求項１０に記載のチャンバーのクリーニング方法。
    

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