JP2022539994A - 光増幅キャビティと共に使用するための測定システム - Google Patents

光増幅キャビティと共に使用するための測定システム Download PDF

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Abstract

光増幅キャビティと共に使用するための測定システムは、入力光学素子、結像システム及びディテクタを備える。入力光学素子は、入力放射ビームを受け取るため、及び、入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って及び入力放射ビームの第２の部分を第２の光路に沿って（例えば、光増幅キャビティ内へ）誘導するため、のものである。結像システムは、第１の光路上に配置され、像面内に、入力放射ビームの第１の部分の第１及び第２の像を形成するように構成され、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものである。ディテクタは、像面内に配設され、第１及び第２の像を検出するように動作可能である。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年７月１１日出願の欧州出願第１９１８５７７９．６号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、光増幅キャビティと共に使用するための測定システムに関する。光増幅キャビティはレーザシステムの一部を形成し得、レーザシステムはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源の一部を形成し得る。ＬＰＰ放射源は、極端紫外（ＥＵＶ）線を生成し得、リソグラフィシステムの一部を形成し得る。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）でのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するのに使用することができる。
[0005] リソグラフィ装置のためのＥＵＶ線は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源によって生成され得る。ＬＰＰ放射源内では、ＥＵＶ線を放出するプラズマを生成するように、レーザビームを使用して燃料液滴が照射され得る。
[0006] 本発明の第１の態様に従い、光増幅キャビティと共に使用するための測定システムが提供され、測定システムは、入力放射ビームを受け取るため、及び、第１の光路に沿って入力放射ビームの第１の部分を第２の光路に沿って入力放射ビームの第２の部分を誘導するため、の入力光学素子と、第１の光路上に配置され入力放射ビームの第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成するように構成された結像システムであって、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものである、結像システムと、像面内に配設され、第１及び第２の像を検出するように動作可能なディテクタと、を備える。
[0007] 第２の光路は、光増幅キャビティにつながる（また、光増幅キャビティへの入力光路を形成し得る）。したがって、使用中、入力光学素子は入力放射ビームを受け取り、入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って誘導する間に、放射ビームの第２の部分もこうした光増幅キャビティへと誘導する。本発明の第１の態様に従った測定システムは、（光増幅キャビティに入力されるべき）入力放射ビームの位置及び方向を決定することができる。特に、下記で更に考察するように、こうした測定値を、光増幅キャビティを備える入力放射ビームを位置合わせするためのフィードバックアライメントプロセスの一部として使用できるようにする。
[0008] 入力放射ビームの第１の部分の位置及び／又は方向は、（光増幅キャビティへの入力であり得る）入力放射ビームの第２の部分の位置及び／又は方向を示すか、又はこれに関係することを理解されよう。例えば、入力光学素子はビームスプリッタであり得る。
[0009] 第１及び第２の像は各々、入力放射ビームの位置に関する情報を提供することができる。
[00010] ディテクタ上に結像される第１の光路に沿った２つの異なる面は、第１の光路上に軸方向に間隔を置いて配置され得ることを理解されよう。ここで軸方向とは、放射又は光が伝搬する際に沿う光路に沿った方向を意味するものと理解されたい。第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものであるため、第１及び第２の像を組み合わせることで、入力放射ビームの方向に関する情報を提供することができる。
[00011] 測定システムは更に、ステアリング光学系を備え得る。ステアリング光学系は、入力放射ビームを受け取るように、及び、入力放射ビームを入力光学素子へ誘導するように、配置され得る。ステアリング光学系は、入力光学素子における入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御するように動作可能な、調整機構を備え得る。
[00012] 有利には、こうした配置によって、光増幅キャビティに入力される放射ビームの位置及び／又は方向が最適化できるようになる。ステアリング光学系の調整機構を使用して、入力光学素子における入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御することができる。同時に、放射ビームの位置及び／又は方向は、ディテクタ上に形成される第１及び第２の像を使用して監視することができる。したがってユーザは、ステアリング光学系の調整機構を使用して、入力放射ビームと光増幅キャビティとを位置合わせすることができる。例えばユーザは、ステアリング光学系の調整機構を使用して、第１及び第２の像が所望の位置及び／又は形状を有するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御することができる。
[00013] ステアリング光学系は、入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御できる光学系の任意のシステムを備え得ることを理解されよう。一実施形態において、ステアリング光学系は、入力放射ビームを順次受け取るように配置された２つの可動ミラーを備え得る。例えば、可動ミラーの各々が回転可能及び／又は平行移動可能であり得る。一実施形態において、可動ミラーの各々が２つの相互に直交する軸を中心に回転可能であり得る。
[00014] 測定システムは更に、入力放射ビームの像を、第１の光路に沿った２つの異なる（軸方向に間隔を置いた）面内に表示するためのディスプレイを備え得る。これは、アライメントプロセスを実行するユーザに視覚ガイドを提供することができる。
[00015] 測定システムは更に、入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置に関する情報を記憶するように動作可能な、メモリを備え得る。
[00016] 例えばメモリは、入力放射ビームが公称方向を指し示しているとき、及び／又は公称位置にあるときに形成されることになる、第１及び第２の像に関する情報を記憶し得る。メモリは、入力放射ビームが公称方向を指し示しているとき、及び／又は公称位置にあるときに形成されることになる、第１及び第２の像を記憶し得る。追加又は代替として、メモリは、第１及び第２の像に関する情報、例えばそれらの中心位置などを、記憶し得る。
[00017] 測定システムは更に、入力放射ビームの位置及び／又は方向が、入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御するために、ステアリング光学系の調整機構を使用するように動作可能な、フィードバックループを備え得る。
[00018] こうした配置は、有利には、光増幅キャビティのためのアライメントプロセスを実質的に自動化することができる。
[00019] ディスプレイは更に、第１及び第２の像の各々について少なくとも１つの視覚マーカを表示するように動作可能であり、少なくとも１つの視覚マーカは、入力放射ビームの位置及び／又は方向が入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するとき、第１及び第２の像のうちの１つの位置及び／又は形状を示す。
[00020] 例えば、第１及び第２の像の各々の中心の所望の位置又は公称位置を示すために、ディスプレイ上にマーカ（例えば×印）が表示され得る。ユーザは、ステアリング光学系の調整機構を使用して、第１及び第２の像の各々の中心がマーカのうちの１つと一致するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御することができる。
[00021] 結像システムは、放射ビームを２つの部分に分割するように、及び、２つの部分から第１及び第２の像を形成するように動作可能な、光学系の任意のシステムを備え得ることを理解されよう。
[00022] 結像システムは、各々に反射コーティングが提供された２つの表面を有するレンズを備え得、２つの表面のうちの少なくとも１つは湾曲しており、入力放射ビームの第２の部分は第２のレンズ上にオフアクシスで入射し、第１及び第２の像は入力放射ビームの第２の部分の別々の部分から形成され、別々の部分は２つの表面からの異なる回数の反射を経験する。
[00023] レンズの軸はレンズの回転の軸であり得ることを理解されよう。放射ビームが第２のレンズ上にオフアクシスで入射するということは、放射ビームが第２のレンズの軸から非ゼロの距離にある位置上に入射することを意味するように意図されることを理解されよう。
[00024] こうした配置では、レンズ上に入射する放射の第１の透過部分が、レンズの第１及び第２の両方の表面で透過される。２つの表面上のコーティングの反射率がＲの場合、この第１の透過部分を形成する入射放射の部分は、（１－Ｒ）２によって与えられる。第１の透過部分は０次ビームと呼ばれ得る。
[00025] 更に、レンズ上に入射する放射の第２の透過部分が、第１の表面で透過され、第２の表面で内部に反射され、第１の表面で内部に反射され、またその後、第２の表面で透過される。この第２の透過部分を形成する入射放射の部分は、Ｒ２（１－Ｒ）２によって与えられる。第２の透過部分は１次ビームと呼ばれ得る。
[00026] 入力放射ビームの第２の部分はレンズ上にオフアクシスで（すなわち、レンズの軸から何らかの非ゼロの距離にある位置で）入射するため、第１及び第２の透過部分は空間的に分離され、したがってディテクタの異なる部分上に入射することになる。
[00027] 更に、第１及び第２の透過部分は、レンズ内の異なる経路を通過する。特に第２の透過部分は、レンズの２つの表面（そのうちの少なくとも１つは湾曲している）から追加の２つの反射を経験する。したがって、事実上、第１及び第２の透過部分は、異なる量の光パワーを経験する。同等に、第１及び第２の透過部分に対するレンズの焦点長さは異なる。結果として、ディテクタの平面内で、第１及び第２の透過部分は、第１の光路に沿った２つの異なる平面からの入力放射ビームの第１の部分の像である。
[00028] 第１の像は、レンズの第１及び第２の両方の表面で透過される、レンズ上に入射する放射の第１の透過部分から形成され得る。第２の像は、第１の表面で透過され、第２の表面で内部に反射され、第１の表面で内部に反射され、またその後、第２の表面で透過される、レンズ上に入射する放射の第２の透過部分から形成され得る。
[00029] 第１及び第２の表面の湾曲の半径は、像面内の第１の像の直径が像面内の第２の像の直径より大きいようであり得る。
[00030] 第１の透過部分（第１の像が形成される）は、第２の透過部分（第２の像が形成される）よりも少ない反射を受けるため、第１の像の強度は第２の像の強度よりも大きくなる。しかしながら、像面内の第１の像の直径が像面内の第２の像の直径よりも大きい場合、２つの像の強度密度は一致したままであり得る（また、どちらもディテクタのダイナミックレンジとも一致し得る）。
[00031] 第１及び第２の表面はＲの反射率を有し得、第１及び第２の表面の湾曲の半径は、像面内の第１の像の直径が像面内の第２の像の直径のＲ倍大きいようであり得る。
[00032] レンズの第１及び第２の表面上の反射コーティングの反射率、及びレンズの第１及び第２の表面の湾曲の半径は、２つの像の強度密度が実質的に一致するようであり得る。
[00033] 測定システムは更に、第１の光路上に配置され、入力放射ビームを少なくとも２つの波長コンポーネントに分割するように、及び少なくとも２つのコンポーネントをディテクタの異なる部分に誘導するように構成された、色光学系を備え得る。
[00034] 例えば、入力放射ビームは放射の２つの異なる波長を備え得る。この放射の２つの異なる波長は、どちらも光増幅キャビティ内に誘導され得る。
[00035] 少なくとも２つの波長コンポーネントの各々には、前述のタイプの（及び、入力放射ビームの少なくとも２つの波長コンポーネントの各々の方向及び／又は位置を制御するように動作可能な別々の調整機構を備える）、別々のステアリング光学系が提供され得ることを理解されよう。
[00036] 少なくとも２つの波長コンポーネントの各々には、別々のディテクタ及び／又はディスプレイが提供され得る。代替として、少なくとも２つの波長コンポーネントの各々は、単一のディテクタ（の異なる部分）によって検出され得る、及び／又は、単一ディスプレイ上に表示され得る。
[00037] 第１及び第２の空間的に分離された像は、結像システムによって形成される。加えて、色光学系は、これらの各々を（異なる波長を有する）２つの部分に更に分割するように配置される。色光学系は、結像システムによって実行される分割に対して異なる（例えば、直交）方向に放射を分割し得ることを理解されよう。結果として、ディテクタ上に４つの像が、すなわち、第１の波長についての第１及び第２の像、並びに第２の波長についての第１及び第２の像が形成される。
[00038] 色光学系は、第１及び第２の対向表面を備える光学素子を備え得、第１及び第２の対向表面は、互いに非ゼロの角度で配置され得る。第１の表面には、放射の第１の波長について反射性であり、放射の第２の波長について透過性である、コーティングが提供され得る。第２の表面は、放射の第２の波長について反射性であり得る。
[00039] こうした光学素子は、第１の波長及び第２の波長の混合（例えば、非ゼロの入射角で第１の表面上に入射する）を含む入力放射ビームを受け取ること、並びに、第１及び第２の波長コンポーネントを別々のロケーションに誘導することが可能である。
[00040] こうした光学素子は、複数の機能を実行し、したがって空間を節約することが可能であるため、特に有利である。代替の色光学系は、例えば、２つの波長コンポーネントが等しい光路長を進むことを保証するために、２つのダイクロイックミラー、ビームスプリッタ、及び光学コンポーネントを備え得る。
[00041] 光学素子の第２の表面には、放射の第２の波長について反射性であるコーティングが提供され得る。光学素子の第２の表面上のコーティングは、放射の第１の波長について透過性でもあり得る。
[00042] 本発明の第２の態様に従い、増幅キャビティと、既に述べたいずれかの請求項の測定システムと、を備えるシステムが提供され、増幅キャビティは第２の光路に沿って配置される。
[00043] こうした配置では、（入力光学素子によって第２の光路に沿って誘導される）入力放射ビームの第２の部分は、増幅キャビティによって受け取られる。増幅キャビティは、入力放射ビームの第２の部分を増幅するように配置される。
[00044] いくつかの実施形態において、システムは、本発明の第１の態様に従い、例えば増幅キャビティの各端部に１つ、２つの測定システムを備え得る。増幅キャビティは、放射が２つの入力光学素子の各々から放射を受け取ることができるように、本発明の第１の態様に従い、２つの測定システムの各々の第２の光路に沿って配置され得る。
[00045] 増幅キャビティは、２つの同軸の概して円筒形の電極と、２つの同軸の概して円筒形の電極間に画定される概して管形状のキャビティ内に提供される利得媒体と、キャビティの各端部に配設される概して環状のミラーとを、備え得る。
[00046] ミラーの各々には、レーザビームがキャビティの中及び外へ入出できるようにするためのアパーチャが提供され得る。概して環状である（また、したがって２つの同軸の概して円筒形の電極間に画定される、概して管形状のキャビティを概して閉じる）が、２つのミラーの形状（及び、第２の光路に沿って伝搬する入力レーザビームの初期の位置及び方向）は、レーザビームが２つのミラーの間を行き来する際、その軌道も増幅キャビティの軸を中心に方位角によって処理するように配置される。例えば、ミラーのうちの１つは、概して円錐形状であり得、他方のミラーは概してらせん形であり得る。
[00047] システムは更に、シードレーザビームを出力するように動作可能なシードレーザを備え得、入力光学素子は、入力放射ビームとしてシードレーザビームを受け取るように配置される。
[00048] いくつかの実施形態において、システムは、各々がシードレーザビームを出力するように動作可能な２つのシードレーザを備え得る。本発明の第１の態様に従い、少なくとも１つの測定システムの入力光学素子は、２つのシードレーザの各々のシードレーザビームを入力放射ビームとして受け取るように配置され得る。
[00049] 本発明の第３の態様に従い、本発明の第２の態様に従ったシステムを備えるレーザシステムが提供される。
[00050] レーザシステムは更に、増幅チェーンを備え得る。増幅チェーンは共振器のチェーンを備え得る。レーザシステムは、レーザ生成プラズマ放射源の一部を形成し得る。
[00051] 本発明の第４の態様に従い、プラズマ形成領域において燃料ターゲットを生成するように動作可能な燃料放出器と、プラズマを生成するようにプラズマ形成領域において燃料ターゲットを照射するように配置された本発明の第３の態様に従ったレーザシステムと、を備えるレーザ生成プラズマ放射源が提供される。
[00052] 本発明の第５の態様に従い、本発明の第４の態様に従ったレーザ生成プラズマ放射源と、リソグラフィ装置と、を備えるリソグラフィシステムが提供される。
[00053] 本発明の第６の態様に従い、入力放射ビームを増幅キャビティと位置合わせするための方法が提供され、方法は、入力放射ビームを受け取ることと、入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って誘導すること及び増幅キャビティによる受け取りのために入力放射ビームの第２の部分を第２の光路に沿って誘導することと、入力放射ビームの第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成することであって、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものであることと、像面内の第１及び第２の像を検出することと、を含む。
[00054] 本発明の第６の態様に従った方法は、本発明の第１の態様に従ったシステムを使用して実施され得る。
[00055] 方法は更に、入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御することを含む。
[00056] 例えば、第１及び第２の像を使用して放射ビームの位置及び／又は方向を監視することが可能であると同時に、入力放射ビームの方向及び／又は位置が制御可能である。
[00057] 方法は更に、第１及び第２の像の各々の少なくとも１つの特徴を、少なくとも１つの特徴の公称値と比較することであって、公称値は入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置を示す、比較することを含み得る。
[00058] 方法は更に、第１及び第２の像の各々の少なくとも１つの特徴が少なくとも１つの特徴の公称値と実質的に一致するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御することを含み得る。
[00059] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
リソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。 図１に示されるレーザシステムの一部を形成し得るシードモジュールを概略的に示す図である。 図２に示されるシードモジュールの一部を形成し得る増幅キャビティ、第１の測定システム、及び第２の測定システムを備える、システムを示す図である。 図３に示された第１の測定システムのディテクタが配設される像面内に形成される、第１及び第２の像の一例を示す図である。 図３に示された第２の測定システムのディテクタが配設される像面内に形成される、４つの像の一例を示す図である。 図３に示される第１の測定システム及び第２の測定システムの一部を形成する、第２のレンズ及びディテクタを示す図である。 図３に示されるシステムの第１の測定システム及び増幅キャビティを示す図である（理解しやすくするために、第１の測定システムのいくつかの部分は示されていない）。 図３に示されるシステムの第２の測定システムの一部を形成する、ダイクロイックウェッジを示す図である。 図６のダイクロイックウェッジと交換可能であり、２つの波長コンポーネントが等しい光路長を進むことを保証するように配置された、２つのダイクロイックミラー、ビームスプリッタ、及び光学コンポーネントを備える、代替の色光学系を示す図である。
[00060] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを発生させるように、及び、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように、構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。
[00061] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡ上に入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。それに加えて、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状及び所望の強度分布を伴うＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はそれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことができる。
[00062] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果として、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が発生する。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。そのために、投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成された、複数のミラー１３、１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用することが可能であり、したがって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを伴うイメージを形成する。例えば、４又は８の縮小係数が適用可能である。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは異なる数のミラー（例えば、６つ又は８つのミラー）を含むことができる。
[00063] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成されたイメージを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。
[00064] 相対的真空、すなわち、大気圧をはるかに下回る圧力での少量のガス（例えば水素）を、放射源ＳＯ内、照明システムＩＬ内、及び／又は投影システムＰＳ内に提供することが可能である。
[00065] 図１に示される放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれることのあるタイプである。例えばＣＯ２レーザを含むことが可能なレーザシステム１は、例えば燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料内に、レーザビーム２を介してエネルギーを堆積させるように配置される。下記の記述ではスズに言及しているが、任意の適切な燃料が使用可能である。燃料は、例えば液体の形であってよいが、例えば金属又は合金とすることができる。燃料放出器３は、プラズマ形成領域４に向けた軌道に沿って、例えば液滴の形でスズを誘導するように構成された、ノズルを備えることができる。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズ上に入射する。レーザエネルギーのスズ内への蓄積は、プラズマ形成領域４においてスズプラズマ７を作成する。ＥＵＶ放射を含む放射は、電子の脱励起及びプラズマイオンとの再結合の間に、プラズマ７から放出される。
[00066] プラズマ形成領域４においてスズ上に入射するレーザビーム２は、パルスレーザビームであり得る。プラズマ形成領域４においてスズ上に入射するレーザビーム２は、メインレーザビームと呼ばれ得、このレーザビーム２の個々のパルスはメインパルスと呼ばれ得る。
[00067] メインレーザビーム２がプラズマ形成領域４においてスズ上に入射する前に、別のプレパルスレーザビームがスズ上に入射し得る。プレパルスレーザビームは、メインパルスが（実質的に）スズ上に入射するとき変換効率を増加させるように、スズの形状を変化させるために作用し得る。
[00068] プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集及び合焦される。コレクタ５は、例えば近法線入射放射コレクタ５（時折、より一般的には、法線入射放射コレクタと呼ばれる）を備える。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された、多層ミラー構造を有することができる。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円構成を有することができる。下記で考察するように、焦点のうちの第１はプラズマ形成領域４にあり、焦点のうちの第２は中間焦点６にあるものとすることができる。
[00069] レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離することができる。このような場合、レーザビーム２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備える、ビームデリバリシステム（図示せず）の助けによって、レーザシステム１から放射源ＳＯへと渡すことができる。レーザシステム１、放射源ＳＯ、及びビームデリバリシステムは、共に、放射システムであるとみなすことができる。
[00070] コレクタ５によって反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６においてイメージを形成するために、中間焦点６において合焦される。中間焦点６におけるイメージは、照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９内の開口８に、又は開口８の近くに位置するように配置される。
[00071] 図１は、放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として示しているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）などの任意の適切な放射源を使用してＥＵＶ放射を発生させることができる。
[00072] レーザシステム１は、シードモジュール（高パワーシードモジュールと呼ばれ得る）、及び増幅チェーンを備え得る。シードモジュールは、プレパルスレーザビーム及びメインパルスレーザビームを生成するように動作可能であり得る。増幅チェーンは、プレパルスレーザビーム及びメインパルスレーザビームをシードモジュールから受け取るように、及び、プレパルスレーザビーム及びメインパルスレーザビームの各々のパワーと増加させるように、動作可能であり得る。増幅チェーンは、共振器のチェーンを備え得る。
[00073] シードモジュールは、プレパルスシードレーザ及びメインパルスシードレーザの、２つのシードレーザを備え得る。シードモジュールは、プレパルスレーザビーム及びメインパルスレーザビームの各々を増幅するように配置された、増幅キャビティを更に備え得る。
[00074] 図２は、図１に示されたレーザシステム１の一部を形成し得る、シードモジュール１００を概略的に示す。第２のモジュールは、メインパルスシードレーザ１０２、プレパルスシードレーザ１０４、及び増幅キャビティ１０６を備える。
[00075] 増幅キャビティ１０６は、メインパルスシードレーザ１０２及びプレパルスシードレーザ１０４の各々の出力を増幅するように配置される。図示された例において、メインパルスシードレーザ１０２の出力は増幅キャビティ１０６を２回通過し、１回は一方向に、またその後、反射に続いて、メインパルスレーザビーム１１０として出力される前に、反対方向に通過する。プレパルスシードレーザ１０４の出力は、プレパルスレーザビーム１１２として出力される前に１回、増幅キャビティ１０６を通過する。
[00076] 増幅キャビティ１０６を介して伝搬するレーザビームは、空間的に分離して示されているが、これは単にそれらを明確に区別するためであることに留意されたい。下記で更に説明するように、実際にレーザビームの各々は、増幅キャビティ１０６を介して実質的に同じ軌道をたどる。
[00077] シードモジュール１００は更に、後方反射がメインパルスシードレーザ１０２又はプレパルスシードレーザ１０４のうちのいずれか上に入射するのを防ぐか又は少なくとも実質的に減少させるように配置される、光ダイオードシステム１０８を備える。メインパルスシードレーザ１０２又はプレパルスシードレーザ１０４のうちのいずれか上に入射するこうした後方反射は、それらの出力の安定性に悪影響を与えることになる。
[00078] 増幅キャビティ１０６は、２つの同軸の概して円筒形の電極を備えるタイプである。２つの電極間に、概して管形状キャビティ内に利得媒体（例えばＣＯ２）が提供される。キャビティの各端部に、２つの概して環状のミラーが提供される。ミラーの各々には、レーザビームがキャビティの中及び外へ入出できるようにするためのアパーチャが提供される。
[00079] 入力レーザビームは、増幅キャビティ１０６の第１の端部におけるミラー内のアパーチャを通過する。次いでレーザビームは、概して管形状のキャビティを介して行き来するように伝搬し、２つのミラーによって反射される。ミラーの形状並びに入力レーザビームの初期の位置及び方向は、レーザビームが２つのミラーの間を行き来する際、その軌道も増幅キャビティ１０６の軸を中心に方位角によって処理するように配置される。例えば、ミラーのうちの１つは、概して円錐形状であり得、他方のミラーは概してらせん形であり得る。最終的に、レーザビームは増幅キャビティ１０６の第２の端部におけるミラー内のアパーチャと（方位角によって）位置合わせされ、（増幅された）レーザビームは増幅キャビティ１０６を出る。
[00080] こうした増幅キャビティ１０６は、特に高パワー応用例に適している。しかしながら、こうした増幅キャビティ１０６からの出力レーザビームの品質は、入力レーザビームの初期の入力軌道（位置及び方向の両方）に強く依存する。したがって、設置の時点で、又は保守の後、メインパルスシードレーザ１０２及びプレパルスシードレーザ１０４は、増幅キャビティ１０６と位置合わせされるか、又は再位置合わせされることが重要である。
[00081] 本発明のいくつかの実施形態は、シードレーザ（例えば、メインパルスシードレーザ１０２又はプレパルスシードレーザ１０４）と増幅キャビティ１０６との正確な位置合わせを達成するために、新規の測定システムを提供する。
[00082] 一般に、新規の測定システムは増幅キャビティ１０６の一方の端部に提供され得、入力シードレーザビームと増幅キャビティ１０６のその端部との正確な位置合わせを可能にし得る。増幅キャビティ１０６が反対方向に伝搬するシードレーザビームを受け取る配置の場合、増幅キャビティ１０６の各端部に１つずつ、２つの新規の測定システムが提供され得る。
[00083] 図３は、増幅キャビティ１０６、第１の測定システム１２２、及び第２の測定システム１２４を備える、システム１２０を示す。
[00084] 第１の測定システム１２２は、メインパルスシードレーザ１０２の出力を受け取る、増幅キャビティ１０６の一端部に提供される（この端部は、図２では右側にあるが、図３では左側にあることに留意されたい）。
[00085] 第１の測定システム１２２はビームスプリッタ１２６を備える。ビームスプリッタ１２６は、入力放射ビーム１２７を受け取るため、及び、入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って誘導し、入力放射ビームの第２の部分を第２の光路に沿って誘導するための、入力光学素子であると見なされ得る。特に、ビームスプリッタ１２６は、メインパルスシードレーザ１０２の出力を受け取るように、及び、入力放射ビーム１２７の第１の部分１２８を第１の光路に沿って誘導し、入力放射ビーム１２７の第２の部分１３０を第２の光路に沿って（増幅キャビティ１０６内へ）誘導するように、配置される。
[00086] 第１の測定システム１２２は更に、第１のレンズ１３２、第２のレンズ１３４、及びディテクタ１３６を備える。第１のレンズ１３２及び第２のレンズ１３４は、結像システムを形成する。特に、下記で（図４を参照しながら）更に説明するように、第１のレンズ１３２及び第２のレンズ１３４は、ディテクタ１３６の面内に、入力放射ビーム１２７の第１の部分１２８の第１及び第２の像を形成するように構成され、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものである、結像システムを形成する。
[00087] 任意選択として、２つのミラー１３８、１４０及び透明ウィンドウ１４２が、第２のレンズ１３４とディテクタ１４０との間に提供される。
[00088] ディテクタ１３６は、カメラの形であり得、センシング要素の２次元アレイを備え得る。各センシング要素は、像の異なるピクセルを検出するように動作可能であり得る。
[00089] 任意選択として、第１の測定システム１２２は更に、ポラライザ１４４（例えば、１つ以上の薄膜ポラライザを含む）を備える。ポラライザ１４４は、メインパルスシードレーザ１０２の出力の第１の部分１２８を透過させるように配置され得、メインパルスレーザビーム１１０及びプレパルスレーザビーム１１２の任意の後方反射された部分を遮断するように配置され得る。
[00090] 図４に示されるように、第２のレンズ１３４は、第１の凹形表面１４６及び第２の凸形表面１４８の２つの湾曲面を備え、どちらも反射コーティングが提供される。反射コーティングは、プレパルス及びメインパルスのレーザビームの放射について、Ｒの反射率を有する。更に、入力放射ビーム１２７の第２の部分１２８は、第２のレンズ１３４上にオフアクシスで（すなわち、第２のレンズ１３４の軸から何らかの非ゼロの距離にある位置で）入射する。
[00091] 入射放射１２８の第１の透過部分１５０は、第１の凹形表面１４６及び第２の凸形表面１４８の両方で透過される。この第１の透過部分１５０を形成する入射放射１２８の部分は、（１－Ｒ）２によって与えられる。第１の透過部分１５０は、０次ビームと呼ばれ得る。
[00092] 入射放射１２８の第２の透過部分１５２は、第１の凹形表面１４６で透過され、第２の凸形表面１４８で反射され、第１の凹形表面１４６で反射され、次いで第２の凸形表面１４８で透過される。この第２の透過部分１５２を形成する入射放射１２８の部分は、Ｒ２（１－Ｒ）２によって与えられる。第２の透過部分１５２は１次ビームと呼ばれ得る。
[00093] 入力放射ビーム１２７の第２の部分１２８は、第２のレンズ１３４上にオフアクシスで（すなわち、第２のレンズ１３４の軸から何らかの非ゼロの距離にある位置で）入射するため、第１及び第２の透過部分１５０、１５２は空間的に分離され、したがってディテクタ１３６の異なる部分上に入射することになる。第１及び第２の透過部分１５０、１５２は、図４でｙ方向として示される（また図３の平面内に入る）方向に空間的に分離される。
[00094] 更に、第１及び第２の透過部分１５０、１５２は第２のレンズ１３４内の異なる経路を通過する。特に、第２の透過部分１５２は、第２のレンズ１３４の２つの湾曲表面１４６、１４８からの追加の２つの反射を経験する。事実上、第１及び第２の透過部分１５０、１５２は異なる量の光パワーを経験する。同等に、第２のレンズ１３４の焦点長さは、第１及び第２の透過部分１５０、１５２について異なる。結果として、ディテクタ１３６の面内で、第１及び第２の透過部分１５０、１５２は、第１の光路に沿った２つの異なる面からの入力放射ビーム１２７の第１の部分１２８の像である。
[00095] 図３Ａは、第１の測定システム１２２のディテクタ１３６が配設される像面１８４内に形成された第１及び第２の像１８０、１８２の一例を示す。第１の像１８０は、第１の測定システム１２２の第２のレンズ１３４の第１の透過部分１５０から形成される。第２の像１８２は、第１の測定システム１２２の第２のレンズ１３４の第２の透過部分１５２から形成される。第１及び第２の像１８０、１８２は、ｙ方向に空間的に分離される。
[00096] ディテクタ１３６上に結像される第１の光路に沿った２つの異なる面は、第１の光路上で軸方向に間隔を置いて配置されることを理解されよう。ここで、軸方向とは、放射又は光が伝搬するときに沿う、光路に沿った方向を意味するものと理解されたい。第１及び第２の像１８０、１８２は、第１の光路に沿った２つの異なる面のものであり、第１及び第２の像１８０、１８２の組み合わせは、入力放射ビーム１２７の方向に関する情報を提供することができる。
[00097] 第１の測定システム１２２は、入力放射ビーム１２７（その一部は、増幅キャビティ１０６への入力のはずである）の位置及び方向を決定できるため有利である。入力放射ビーム１２７の第１の部分１２８の位置及び／又は方向は、（増幅キャビティ１０６への入力である）入力放射ビーム１２７の第２の部分１３０の位置及び／又は方向を示すか、又はこれに関係することを理解されよう。
[00098] 第１の測定システム１２２は、次に図５を参照しながら考察するように、入力放射ビーム１２７と増幅キャビティ１０６とを位置合わせするために、入力放射ビーム１２７の位置及び方向の測定値をフィードバック位置合わせプロセスの一部として使用できるようにする。図５は、第１の測定システム１２２及び増幅キャビティ１０６を示す（理解しやすくするために、第１の測定システム１２２のいくつかの部分は図示されていない）。
[00099] 第１の測定システム１２２は、入力放射ビーム１２７を順次受け取るように配置された、２つの可動ミラー１５４、１５６も備える。本実施形態において、可動ミラーの各々は２つの相互に直交する軸を中心として回転可能である。２つの可動ミラー１５４、１５６は、ステアリング光学系を提供するものと見なされ、ステアリング光学系は、入力放射ビーム１２７を受け取るように、及び入力放射ビーム１２７をビームスプリッタ１２６に誘導するように、配置される。２つの可動ミラー１５４、１５６の各々は、２つの相互に直交する軸を中心として回転可能であるため、ステアリング光学系は、ビームスプリッタ１２６における入力放射ビーム１２７の方向及び／又は位置を制御するように動作可能な調整機構を備えるものと見なされ得る。ステアリング光学系は、入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御することが可能な任意の光学系のシステムを備え得ることを理解されよう。
[000100] 有利には、こうした配置は、光増幅キャビティ内にインプットされる入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向を最適化することができる。ステアリング光学系の調整機構を使用して（例えば、２つの可動ミラー１５４、１５６のうちの一方又は両方を回転させることによって）、ビームスプリッタ１２６における入力放射ビーム１２７の方向及び／又は位置を制御することができる。同時に、ディテクタ１３６上に形成される第１及び第２の像１８０、１８２を使用して、放射ビーム１２７の位置及び／又は方向を監視することができる。したがってユーザは、入力放射ビーム１２７を増幅キャビティ１０６と位置合わせするために、ステアリング光学系の調整機構を使用することができる（すなわち、２つの可動ミラー１５４、１５６のうちの一方又は両方を回転させることができる）。例えば、ユーザは、第１及び第２の像１８０、１８２が所望の位置及び／又は形状を有するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御するように、２つの可動ミラー１５４、１５６のうちの一方又は両方を回転させ得る。
[000101] いくつかの実施形態において、第１の測定システム１２２は、（第１の光路に沿った２つの異なる軸方向に間隔を置いた面内の入力放射ビーム１２７の）ディテクタ１３６上に形成される像を表示するためのディスプレイ（例えば、スクリーン又はモニタなど）を、更に備え得る。これは、アライメントプロセスを実行するユーザに有用な視覚ガイドを与え得る。
[000102] いくつかの実施形態において、第１の測定システム１２２は、入力放射ビーム１２７の公称方向及び／又は公称位置に関する情報を記憶するように動作可能なメモリを、更に備え得る。例えばメモリは、入力放射ビーム１２７が公称方向を指し示しているとき、及び／又は、公称位置にあるときに形成されることになる、第１及び第２の像に関する情報を記憶し得る。メモリは、入力放射ビーム１２７が公称方向を指し示しているとき、及び／又は、公称位置にあるときに形成されることになる、第１及び第２の像を記憶し得る。追加又は代替として、メモリは、これらの第１及び第２の像に関する情報、例えばそれらの中心位置などを、記憶し得る。
[000103] いくつかの実施形態において、第１の測定システム１２２は、入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向が、入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するまで、入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向を制御するために、ステアリング光学系の調整機構（すなわち、２つの可動ミラー１５４、１５６の位置）を使用するように動作可能な、フィードバックループを更に備え得る。こうした配置は、有利には、光増幅キャビティのためのアライメントプロセスを実質的に自動化することができる。
[000104] ディスプレイは、第１及び第２の像１８０、１８２の各々について、少なくとも１つの視覚マーカを表示するように動作可能であり得る。少なくとも１つの視覚マーカは、入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向が、入力放射ビーム１２７の公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するとき、第１及び第２の像１８０、１８２のうちの１つの位置及び／又は形状を示し得る。例えば、第１及び第２の像１８０、１８２の各々の中心の所望又は公称の位置を示すために、ディスプレイ上にマーカ（例えば×印）を表示し得る。ユーザは、第１及び第２の像１８０、１８２の各々の中心がマーカのうちの１つと一致するまで、入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向を制御するために、ステアリング光学系の調整機構を使用することが可能である（すなわち、２つの可動ミラー１５４、１５６の向きを制御することが可能である）。代替として、第１及び第２の像１８０、１８２の各々の縁部の所望又は公称位置を示すために、マーカ（例えば円）を、ディスプレイ上に表示し得る。ユーザは、第１及び第２の像１８０、１８２の各々の縁部がマーカのうちの１つと一致するまで、入力放射ビーム１２７の位置及び／又は方向を制御するために、ステアリング光学系の調整機構を使用することが可能である（すなわち、２つの可動ミラー１５４、１５６の向きを制御することが可能である）。
[000105] ただし、２つの異なる面内に入力放射ビーム１２７の２つの像１８０、１８２を形成する光学システムは、前述の第１及び第２のレンズ１３２、１３４を備える。代替実施形態において、この結像システムは、放射ビームを２つの部分に分割し、この２つの部分から第１及び第２の像１８０、１８２を形成するように動作可能な、任意の光学系のシステムを備え得ることを理解されよう。しかしながら、第２のレンズ１３４の使用は特に、次に考察するように、いくつかの理由で有利な配置を提供する。
[000106] 第１に、第２のレンズ１３４は、（ａ）入射放射を２つの部分（第１及び第２の透過部分１５０、１５２）に分割すること、及び（ｂ）これらの部分を（２つの異なる像１８０、１８２を結像するように）異なる焦点長さで合焦することの、両方を実行するように動作可能な、単一コンポーネントである。
[000107] 前述のように、第１及び第２の表面１４６、１４８上の反射コーティングの反射率Ｒは、第１及び第２の透過部分１５０、１５２の相対強度を決定する。更に、第１及び第２の表面１４６、１４８の湾曲の半径は（第１のレンズ１３２の焦点長さと共に）第１及び第２の透過部分１５０、１５２によって経験される結像システムの焦点長さを決定する。同等に、第１及び第２の表面１４６、１４８の湾曲の半径は（第１のレンズ１３２の焦点長さと共に）、ディテクタ１３６上に形成される２つの像１８０、１８２のサイズを決定する。第１のレンズ１３２の焦点長さは、第１及び第２の透過部分１５０、１５２の両方について同じであることに留意されたい。これに対して、第２のレンズ１３４の焦点長さは、第１及び第２の透過部分１５０、１５２について異なる。
[000108] いくつかの実施形態において、第１及び第２の表面１４６、１４８上の反射コーティングの反射率Ｒ及び、第１及び第２の表面１４６、１４８の湾曲の半径は、２つの像１８０、１８２の強度密度が実質的に一致することを保証するように選択される。例えば、第１の透過部分１５０の強度は（１－Ｒ）２に比例し、第２の透過部分１５２の強度はＲ２（１－Ｒ）２に比例するため、第１の透過部分１５０に対する第２の透過部分１５２の強度の比はＲ２となる。Ｒ＝１／３の場合、第２の透過部分１５２の強度は、第１の透過部分１５０の強度の９分の１となる。したがって、第１及び第２の表面１４６、１４８の湾曲の半径は、第１の像１８０の領域が第２の像１８２の領域の９倍であるように選択され得る。同等に、第１及び第２の表面１４６、１４８の湾曲の半径は、第１の像１８０の直径が第２の像１８２の直径の３倍であるように選択され得る。一般に、第１の像１８０の直径に対する第２の像１８２の直径の比がＲであることを保証することが望ましい場合がある。このようにすることによって、第１及び第２の像１８０、１８２の両方がディテクタ１３６のダイナミックレンジと一致することを保証することができる。
[000109] 次に、図３の第２の測定システム１２４を説明する。第２の測定システム１２４は、前述の第１の測定システム１２２と共通のいくつかの特徴を共有する。特徴が概して等価である場合、共通の参照番号を共有する。第２の測定システム１２４と第１の測定システム１２２との間の相違点のみを、下記で詳細に説明する。
[000110] 第２の測定システム１２４は、プレパルスシードレーザ１０４の出力及びメインパルスシードレーザ１０２の出力の第２のパスを受け取る、増幅キャビティ１０６の端部に提供される。
[000111] 第２の測定システム１２４は、第１の測定システム１２２の任意選択のポラライザ１４４を有さない。代わりに、第２の測定システム１２４はダイクロイックミラー１５８を備える。ダイクロイックミラーは、メインパルスシードレーザ１０２の出力及びプレパルスシードレーザ１０４の出力について、より低い透過率を有するように配置される。特に、ダイクロイックミラー１５８は、メインパルスビームの強度がプレパルスビームの強度と同様のレベルまで減少するように、メインパルスビームを少なくとも部分的に減衰させるように配置され得る。ダイクロイックミラー１５８はメインパルスビームを部分的に減衰させ得るが、ダイクロイックミラー１５８によるプレパルスビームの著しい減衰は存在しない可能性があることに留意されたい。このようにして、プレパルスビーム及びメインパルスビームの両方の像が、ディテクタ１３６のダイナミックレンジと一致可能であることを保証することができる。
[000112] 加えて、第１の測定システム１２２内の第２のレンズ１３４のダウンストリームにある第１のミラー１３８は、新規のダイクロイックウェッジ１６０に置き換えられている。次に、図６を参照しながらダイクロイックウェッジ１６０を説明する。
[000113] ダイクロイックウェッジ１６０は、第１及び第２の対向表面１６２、１６４を備える光学素子である。第１及び第２の対向表面１６２、１６４は、互いに非ゼロの角度で配置される。第１の表面１６２には、放射（例えば、メインパルスレーザ）の第１の波長に対して反射性であり、放射（例えば、プレパルスレーザ）の第２の波長に対して透過性である、コーティングが提供される。第２の表面１６４は、放射（例えば、プレパルスレーザ）の第２の波長に対して反射性である。例えばこの反射は、ダイクロイックウェッジ１６０の第２の表面１６４と周辺媒体との間のインターフェースにおける反射の結果であり得る。任意選択として、第２の表面１６４には、放射（例えば、プレパルスレーザ）の第２の波長に対して反射性のコーティングが提供され得る。任意選択として、第２の表面１６４上に提供されるコーティングは、放射（例えば、メインパルスレーザ）の第１の波長について透過性でもあり得る。
[000114] 使用中、ダイクロイックウェッジ１６０は、第１の波長及び第２の波長の混合（例えば、プレパルス及びメインパルス放射の混合）を含む、入力放射ビームを（第２のレンズ１３４から）受け取るように、配設される。この混合は、一般に、非ゼロの入射角度で第１の表面１６２上に入射する。第１及び第２の対向表面１６２、１６４は互いに非ゼロの角度で配置されるため、また、第１及び第２の対向表面１６２、１６４は２つの波長コンポーネントを異なって反射及び透過するため、ダイクロイックウェッジ１６０は、第１及び第２の波長コンポーネントを別々のロケーションに誘導するように動作可能である。
[000115] 特に、第１の表面１６２上への入射時に、放射（例えば、メインパルスレーザ）の第１の波長は、第１の出力ビーム１６６を形成するように反射される。放射（例えば、プレパルスレーザ）の第２の波長は透過され、ダイクロイックウェッジ１６０を介して伝搬する。次いで放射の第２の波長は、第２の表面１６４上に入射し、第１の表面１６２によって透過される、第２の出力ビーム１６８を形成するように反射される。第１の表面１６２によって透過される放射の第１の波長の任意の部分は、第２の表面１６４によって透過され、したがって第２の出力ビーム１６８の一部が形成されない傾向があることに留意されたい。更に第１の表面１６２によって透過され、次いで第２の表面１６４によって反射される、放射の第１の波長の任意の部分は、第１の表面１６２によって（ダイクロイックウェッジ１６０内へと後方に）反射され、また、第２の出力ビーム１６８の一部が形成されない傾向もある。第１及び第２の対向表面１６２、１６４は互いに非ゼロの角度θで配置されるため、第１及び第２の出力ビーム１６６、１６８は発散し、また遠視野で、互いに空間的に分離されることになる。
[000116] ダイクロイックウェッジは、入力放射ビームを少なくとも２つの波長コンポーネントに分割し、少なくとも２つのコンポーネントを、ディテクタ１３６の異なる部分に誘導するように構成される。例えば入力放射ビームは、放射の２つの異なる波長を含み得る。放射の２つの異なる波長は、どちらも増幅キャビティ１０６内へと誘導され得る。
[000117] 少なくとも２つの波長コンポーネントの各々には、前述のタイプの（及び、入力放射ビームの少なくとも２つの波長コンポーネントの各々の方向及び／又は位置を制御するように動作可能な別々の調整機構を備える）別々のステアリング光学系が提供され得ることを理解されよう。
[000118] 図３Ｂは、第２の測定システム１２４のディテクタ１３６が配設される像面１９４内に形成される４つの像１８６、１８８、１９０、１９２の一例を示す。
[000119] 上記で説明したように、第２のレンズ１３４は、入来する放射ビームをディテクタ１３６の２つの空間的に分離された部分（第１の透過部分１５０及び第２の透過部分１５２）に分割する働きをする。ダイクロイックウェッジ１６０は、これらの各々を更に２つの部分（プレパルス部分及びメインパルス部分）に分割する。ダイクロイックウェッジ１６０は、第２のレンズ１３４によって実行される分割に対して異なる（例えば、直交）方向に放射を分割することを理解されよう。上記で説明したように、第２のレンズ１３４は、入来放射ビームを、ｙ方向に空間的に分離された２つの部分（第１の透過部分１５０及び第２の透過部分１５２）に分割する。ダイクロイックウェッジ１６０は、これらの各々を、ｘ方向に空間的に分離された２つの部分（プレパルス部分及びメインパルス部分）に更に分割する。
[000120] 結果として、ディテクタ１３６の像面１９４内に、プレパルス放射について第１及び第２の像１８６、１８８、並びにメインパルス放射について第１及び第２の像１９０、１９２の、４つの像１８６、１８８、１９０、１９２が形成される。
[000121] ダイクロイックウェッジ１６０は、複数の機能を実行すること、したがって空間を節約することが可能であるため、特に有利である。図７に示されるように、代替の色光学系１７０は、（メインパルス放射及びプレパルス放射について、同じ２つの面が結像されるように）２つの波長コンポーネントが等しい光路長を進むことを保証するために、例えば２つのダイクロイックミラー１７２、１７４、ビームスプリッタ１７６、及び光学コンポーネント１７８を備え得る。ダイクロイックウェッジ１６０は、これら複数の機能を実行すること、したがって空間を節約することが可能である。
[000122] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
[000123] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
[000124] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
[000125] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
[000125] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、以下の条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
１．光増幅キャビティと共に使用するための測定システムであって、
入力放射ビームを受け取るため、及び、第１の光路に沿って入力放射ビームの第１の部分を第２の光路に沿って入力放射ビームの第２の部分を誘導するための入力光学素子と、
第１の光路上に配置され、入力放射ビームの第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成するように構成された結像システムであって、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものである、結像システムと、
像面内に配設され、第１及び第２の像を検出するように動作可能なディテクタと、
を備える、測定システム。
２．更にステアリング光学系を備え、
ステアリング光学系は、入力放射ビームを受け取るように及び入力放射ビームを入力光学素子へ誘導するように配置され、
ステアリング光学系は、入力光学素子における入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御するように動作可能な調整機構を備える、条項１に記載の測定システム。
３．入力放射ビームの像を、第１の光路に沿った２つの異なる面内に表示するためのディスプレイを更に備える、条項１又は２に記載の測定システム。
４．入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置に関する情報を記憶するように動作可能なメモリを更に備える、条項１から３の何れか一項に記載の測定システム。
５．入力放射ビームの位置及び／又は方向が、入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御するために、ステアリング光学系の調整機構を使用するように動作可能な、フィードバックループを備える、条項２に従属する場合の条項４に記載の測定システム。
６．ディスプレイは更に、第１及び第２の像の各々について少なくとも１つの視覚マーカを表示するように動作可能であり、
少なくとも１つの視覚マーカは、入力放射ビームの位置及び／又は方向が入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するとき、第１及び第２の像のうちの１つの位置及び／又は形状を示す、条項３に従属する場合の条項４又は５に記載の測定システム。
７．結像システムは、各々に反射コーティングが提供された２つの表面を有するレンズを備え、
２つの表面のうちの少なくとも１つは、湾曲しており、
入力放射ビームの第２の部分は、第２のレンズ上にオフアクシスで入射し、
第１及び第２の像は、入力放射ビームの第２の部分の別々の部分から形成され、
別々の部分は、２つの表面からの異なる回数の反射を経験する、条項１から６の何れか一項に記載の測定システム。
８．第１の像は、レンズの第１及び第２の両方の表面で透過される、レンズ上に入射する放射の第１の透過部分から形成され、
第２の像は、第１の表面で透過され、第２の表面で内部に反射され、第１の表面で内部に反射され、その後、第２の表面で透過される、レンズ上に入射する放射の第２の透過部分から形成される、条項７に記載の測定システム。
９．第１及び第２の表面の湾曲の半径は、像面内の第１の像の直径が像面内の第２の像の直径より大きいようである、条項８に記載の測定システム。
１０．第１及び第２の表面は、Ｒの反射率を有し、
第１及び第２の表面の湾曲の半径は、像面内の第１の像の直径が像面内の第２の像の直径のＲ倍大きいようである、条項９に記載の測定システム。
１１．レンズの第１及び第２の表面上の反射コーティングの反射率、及びレンズの第１及び第２の表面の湾曲の半径は、２つの像の強度密度が実質的に一致するようである、条項７から９の何れか一項に記載の測定システム。
１２．第１の光路上に配置され、入力放射ビームを少なくとも２つの波長コンポーネントに分割するように、及び、少なくとも２つのコンポーネントをディテクタの異なる部分に誘導するように、構成された色光学系を更に備える、条項１から１１の何れか一項に記載の測定システム。
１３．色光学系は、第１及び第２の対向表面を備える光学素子を備え、
第１及び第２の対向表面は、互いに非ゼロの角度で配置され、
第１の表面には、放射の第１の波長について反射性であり放射の第２の波長について透過性であるコーティングが提供され、
第２の表面は、放射の第２の波長について反射性である、条項１２に記載の測定システム。
１４．光学素子の第２の表面には、放射の第２の波長について反射性であるコーティングが提供される、条項１３に記載の測定システム。
１５．増幅キャビティと、
条項１から１４の何れか一項に記載の測定システムであって、増幅キャビティは第２の光路に沿って配置される、測定システムと、
を備える、システム。
１６．増幅キャビティは、
２つの同軸の概して円筒形の電極と、
２つの同軸の概して円筒形の電極間に画定される、概して管形状のキャビティ内に提供される利得媒体と、
キャビティの各端部に配設される概して環状のミラーと、
を備える、条項１５に記載のシステム。
１７．システムは更に、シードレーザビームを出力するように動作可能なシードレーザを備え、
入力光学素子は、入力放射ビームとしてシードレーザビームを受け取るように配置される、条項１５又は１６に記載のシステム。
１８．条項１５から１７の何れか一項に記載のシステムを備える、レーザシステム。
１９．プラズマ形成領域において燃料ターゲットを生成するように動作可能な燃料放出器と、
プラズマを生成するように、プラズマ形成領域において燃料ターゲットを照射するように配置された、条項１８に記載のレーザシステムと、
を備える、レーザ生成プラズマ放射源。
２０．条項１９に記載のレーザ生成プラズマ放射源と、
リソグラフィ装置と、
を備える、リソグラフィシステム。
２１．入力放射ビームを増幅キャビティと位置合わせするための方法であって、
入力放射ビームを受け取ることと、
入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って誘導すること、及び、増幅キャビティによる受け取りのために入力放射ビームの第２の部分を第２の光路に沿って誘導することと、
入力放射ビームの第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成することであって、第１及び第２の像は第１の光路に沿った２つの異なる面のものであることと、
像面内の第１及び第２の像を検出することと、
を含む、方法。
２２．入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御することを更に含む、条項２１に記載の方法。
２３．第１及び第２の像の各々の少なくとも１つの特徴を、少なくとも１つの特徴の公称値と比較することであって、公称値は入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置を示すことを更に含む、条項２１又は２２に記載の方法。
２４．第１及び第２の像の各々の少なくとも１つの特徴が少なくとも１つの特徴の公称値と実質的に一致するまで、入力放射ビームの位置及び／又は方向を制御することを更に含む、条項２２に従属する場合の条項２３に記載の方法。

Claims (24)

  1. 光増幅キャビティと共に使用するための測定システムであって、
    入力放射ビームを受け取るため、及び、第１の光路に沿って前記入力放射ビームの第１の部分を第２の光路に沿って前記入力放射ビームの第２の部分を誘導するための入力光学素子と、
    前記第１の光路上に配置され、前記入力放射ビームの前記第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成するように構成された結像システムであって、前記第１及び第２の像は前記第１の光路に沿った２つの異なる面のものである、結像システムと、
    前記像面内に配設され、前記第１及び第２の像を検出するように動作可能なディテクタと、
    を備える、測定システム。
  2. 更にステアリング光学系を備え、
    前記ステアリング光学系は、前記入力放射ビームを受け取るように及び前記入力放射ビームを前記入力光学素子へ誘導するように配置され、
    前記ステアリング光学系は、前記入力光学素子における前記入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御するように動作可能な調整機構を備える、請求項１に記載の測定システム。
  3. 前記入力放射ビームの前記像を、前記第１の光路に沿った２つの異なる面内に表示するためのディスプレイを更に備える、請求項１又は２に記載の測定システム。
  4. 入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置に関する情報を記憶するように動作可能なメモリを更に備える、請求項１から３の何れか一項に記載の測定システム。
  5. 前記入力放射ビームの前記位置及び／又は方向が、入力放射ビームの前記公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するまで、前記入力放射ビームの前記位置及び／又は方向を制御するために、前記ステアリング光学系の前記調整機構を使用するように動作可能な、フィードバックループを備える、請求項２に従属する場合の請求項４に記載の測定システム。
  6. 前記ディスプレイは更に、前記第１及び第２の像の各々について少なくとも１つの視覚マーカを表示するように動作可能であり、
    前記少なくとも１つの視覚マーカは、前記入力放射ビームの前記位置及び／又は方向が入力放射ビームの前記公称方向及び／又は公称位置と実質的に一致するとき、前記第１及び第２の像のうちの１つの位置及び／又は形状を示す、請求項３に従属する場合の請求項４又は５に記載の測定システム。
  7. 前記結像システムは、各々に反射コーティングが提供された２つの表面を有するレンズを備え、
    前記２つの表面のうちの少なくとも１つは、湾曲しており、
    前記入力放射ビームの前記第２の部分は、前記第２のレンズ上にオフアクシスで入射し、
    前記第１及び第２の像は、前記入力放射ビームの前記第２の部分の別々の部分から形成され、
    前記別々の部分は、前記２つの表面からの異なる回数の反射を経験する、請求項１から６の何れか一項に記載の測定システム。
  8. 前記第１の像は、前記レンズの前記第１及び前記第２の両方の表面で透過される、前記レンズ上に入射する前記放射の第１の透過部分から形成され、
    前記第２の像は、前記第１の表面で透過され、前記第２の表面で内部に反射され、前記第１の表面で内部に反射され、その後、前記第２の表面で透過される、前記レンズ上に入射する前記放射の第２の透過部分から形成される、請求項７に記載の測定システム。
  9. 前記第１及び第２の表面の前記湾曲の半径は、前記像面内の前記第１の像の直径が前記像面内の前記第２の像の直径より大きいようである、請求項８に記載の測定システム。
  10. 前記第１及び第２の表面は、Ｒの反射率を有し、
    前記第１及び第２の表面の前記湾曲の半径は、前記像面内の前記第１の像の前記直径が前記像面内の前記第２の像の前記直径のＲ倍大きいようである、請求項９に記載の測定システム。
  11. 前記レンズの前記第１及び第２の表面上の前記反射コーティングの前記反射率、及び前記レンズの前記第１及び第２の表面の前記湾曲の半径は、前記２つの像の前記強度密度が実質的に一致するようである、請求項７から９の何れか一項に記載の測定システム。
  12. 前記第１の光路上に配置され、前記入力放射ビームを少なくとも２つの波長コンポーネントに分割するように、及び、前記少なくとも２つのコンポーネントを前記ディテクタの異なる部分に誘導するように、構成された色光学系を更に備える、請求項１から１１の何れか一項に記載の測定システム。
  13. 前記色光学系は、第１及び第２の対向表面を備える光学素子を備え、
    前記第１及び第２の対向表面は、互いに非ゼロの角度で配置され、
    前記第１の表面には、放射の第１の波長について反射性であり放射の第２の波長について透過性であるコーティングが提供され、
    前記、第２の表面は、前記放射の第２の波長について反射性である、請求項１２に記載の測定システム。
  14. 前記光学素子の前記第２の表面には、前記放射の第２の波長について反射性であるコーティングが提供される、請求項１３に記載の測定システム。
  15. 増幅キャビティと、
    請求項１から１４の何れか一項に記載の測定システムであって、前記増幅キャビティは前記第２の光路に沿って配置される、測定システムと、
    を備える、システム。
  16. 前記増幅キャビティは、
    ２つの同軸の概して円筒形の電極と、
    前記２つの同軸の概して円筒形の電極間に画定される、概して管形状のキャビティ内に提供される利得媒体と、
    前記キャビティの各端部に配設される概して環状のミラーと、
    を備える、請求項１５に記載のシステム。
  17. 前記システムは更に、シードレーザビームを出力するように動作可能なシードレーザを備え、
    前記入力光学素子は、前記入力放射ビームとして前記シードレーザビームを受け取るように配置される、請求項１５又は１６に記載のシステム。
  18. 請求項１５から１７の何れか一項に記載のシステムを備える、レーザシステム。
  19. プラズマ形成領域において燃料ターゲットを生成するように動作可能な燃料放出器と、
    前記プラズマを生成するように、前記プラズマ形成領域において前記燃料ターゲットを照射するように配置された、請求項１８に記載の前記レーザシステムと、
    を備える、レーザ生成プラズマ放射源。
  20. 請求項１９に記載の前記レーザ生成プラズマ放射源と、
    リソグラフィ装置と、
    を備える、リソグラフィシステム。
  21. 入力放射ビームを増幅キャビティと位置合わせするための方法であって、
    前記入力放射ビームを受け取ることと、
    前記入力放射ビームの第１の部分を第１の光路に沿って誘導すること、及び、前記増幅キャビティによる受け取りのために前記入力放射ビームの第２の部分を第２の光路に沿って誘導することと、
    前記入力放射ビームの前記第１の部分の第１及び第２の像を像面内に形成することであって、前記第１及び第２の像は前記第１の光路に沿った２つの異なる面のものであることと、
    前記像面内の前記第１及び第２の像を検出することと、
    を含む、方法。
  22. 前記入力放射ビームの方向及び／又は位置を制御することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
  23. 前記第１及び第２の像の各々の少なくとも１つの特徴を、前記少なくとも１つの特徴の公称値と比較することであって、前記公称値は前記入力放射ビームの公称方向及び／又は公称位置を示すことを更に含む、請求項２１又は２２に記載の方法。
  24. 前記第１及び第２の像の各々の前記少なくとも１つの特徴が前記少なくとも１つの特徴の公称値と実質的に一致するまで、前記入力放射ビームの前記位置及び／又は方向を制御することを更に含む、請求項２２に従属する場合の請求項２３に記載の方法。
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IL89781A0 (en) * 1989-03-28 1989-09-28 Optomic Techn Corp Ltd Laser system
WO2002031467A1 (en) * 2000-10-12 2002-04-18 Amnis Corporation Multipass cavity for illumination and excitation of moving objects
US8654438B2 (en) * 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
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