JP2022534647A - マルチステージパルス成形ネットワーク - Google Patents

Abstract

離散供給変調システムにおいて、回路は、電力管理回路（ＰＭＣ）から可変バイアス供給信号を受信するように構成される入力を有し、１つ以上の第２のＰＳＮステージに結合される出力を有し、１つ以上の第２のＰＳＮステージの各々は、１つ以上の無線周波数増幅器のそれぞれの供給（すなわちバイアス）端子に結合されるように構成される出力を有する第１のＰＳＮステージを有するマルチステージパルス成形ネットワーク（ＰＳＮ）を含む。そのような配列は、第５世代（５Ｇ）通信、および８０２．１１ａ／ｂ／ｇ／ｎ／ａｃ／ａｘ／ａｄ／ａｙ等の他のコネクティビティプロトコルに従って動作するモバイル携帯電話機内の伝送システムとの併用のために好適であり、マルチ入力／マルチ出力（ＭＩＭＯ）と、アップリンクキャリアアグリゲーション（ＵＬＣＡ）と、ビーム形成とを含む複数の同時伝送システムとの併用のために好適である。

Description

本明細書に開示される主題は、概して、無線周波数（ＲＦ）回路に関し、より具体的には、供給変調伝送機を動作させることにおける使用のためのデバイス、システム、および技法に関する。

当技術分野において公知であるように、無線周波数（ＲＦ）伝送機は、ＲＦ信号を生み出すデバイスである。ＲＦ伝送機は、例えば、電磁波（電波）を使用してある距離にわたって情報を伝送する無線通信システムの一部として含まれ得る。

また、公知であるように、（例えば、携帯電話等のモバイルデバイスにおける使用のために好適なもの等の）ＲＦ通信伝送機において、エネルギー効率と線形性との間でのトレードオフが、概して、行われなければならない。したがって、ユーザが高い効率と高い線形性との両方を伴うＲＦ信号を搬送するデータを伝送することを可能にするシステムおよび技法を提供することが、望ましくあり得る。

本明細書に説明される概念、システム、デバイス、および技法によると、供給変調システムにおいて、回路は、電力管理回路（ＰＭＣ）に結合されるように構成される入力を有し、出力を有する第１のＰＳＮステージ（例えば、いわゆる、ステージＡ）と、１つ以上の第２のＰＳＮステージ（例えば、１つ以上の、いわゆる、ステージＢ）とを有するマルチステージの第１のパルス成形ネットワーク（ＰＳＮ）を備え、１つ以上の第２のＰＳＮステージの各々は、第１のＰＳＮステージの出力に結合されるように構成される入力を有し、無線周波数（ＲＦ）増幅器の供給端子に結合されるように構成される出力を有する。

この特定の配列を用いると、線形性および効率を維持しながら、供給変調伝送機（すなわち、アナログ供給変調伝送機およびデジタル供給変調伝送機の両方）のための受信帯域雑音および帯域外放出を制御することが可能である回路が、提供される。さらに、本明細書において下記の説明から明白となるように、本明細書に説明される概念および技法により提供される回路はまた、コスト効率が良いモバイルデバイス形状因子にあるＰＭＣから離間される（例えば、それから物理的に遠い）多くのＲＦ増幅器（例えば、ＲＦ電力増幅器）を収容し得る。

実施形態では、第１のＰＳＮステージは、受動ＬＣフィルタを備える。実施形態では、第１のＰＳＮステージは、寄生要素を利用して実装される。例えば、第１のＰＳＮステージは、ＰＭＣ、および／または第１のＰＳＮステージと第２のＰＳＮステージとの間に電気接続を提供する電気信号経路回路（例えば、いわゆるＡステージと１つ以上のいわゆるＢステージとの間に電気接続を提供する信号経路）の寄生インダクタンスおよび／または容量性特性および／または抵抗特性を利用して、実装され得る。

本明細書に説明される概念、システム、デバイス、および技法のさらなる側面によると、供給変調システムにおいて、第１および第２の端子を有する再構成可能なフィルタ回路は、２つ以上の信号経路を含み、少なくとも２つ以上の信号経路の各々は、少なくとも１つのリアクタンス要素を備え、２つ以上の信号経路のうちの少なくとも１つは、基準電位と再構成可能なフィルタ回路の第１および第２の端子のうちの少なくとも一方との間の少なくとも１つのリアクタンス要素のうちの少なくとも１つを選択的に結合するように構成されるスイッチ要素を含む。

この特定の配列を用いると、ＲＦ増幅器の供給電圧端子（すなわち、バイアス端子）に複数のフィルタ特性を提供するように構成される再構成可能なフィルタ回路が、提供される。開放または閉鎖位置にある２つ以上の信号経路の各々の中にスイッチを設置することによって、所定のＲＦ周波数帯域にわたる複数の異なるフィルタリング特性のうちの１つが、提供され得る。スイッチは、所望のフィルタ特性を提供するように独立して動作され得る。例えば、Ｎ個の再構成可能な構成可能な信号経路（Ｎは、１を上回るか、または１に等しい再構成可能なフィルタ回路内のいくつかの切り替え可能な信号経路に対応する整数である）を用いると、再構成可能なフィルタ回路は、２^Ｎ個の異なるフィルタ特性を提供することが可能である。したがって、この配列は、所定のＲＦ周波数帯域にわたる複数の所望のフィルタリング特性のうちの１つの選択を可能にする。

実施形態では、再構成可能なフィルタ回路によって提供されるフィルタ特性が、ＲＦ増幅器のＲＦ出力ポートに結合される負荷のインピーダンスを、再構成可能なフィルタ回路が結合されるものに変更することに応答して、選択され得る。したがって、再構成可能なフィルタ回路は、所定のＲＦ周波数帯域にわたる複数の所望のフィルタリング特性のうちの１つの動的選択を可能にする。実施形態では、少なくとも２つ以上の信号経路のうちの少なくとも１つは、リアクタンス要素のうちの１つに結合される第１の端子と、基準電位に結合される第２の端子とを有するスイッチ要素を備える。

リアクタンス要素と、基準電位または再構成可能なフィルタ端子のうちの１つのいずれかとの間に結合されるスイッチ要素を提供することによって、リアクタンス要素の特性のインピーダンスが、フィルタ回路の中および外に切り替えられる（したがって、フィルタ回路を再構成可能にする）ことができる。一実施形態では、スイッチを第１のスイッチ位置（例えば、スイッチがリアクタンス要素と基準電位との間に低インピーダンス信号経路を提供するような閉鎖位置）に設置することによって、第１のフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供され、スイッチを第２の異なるスイッチ位置（例えば、スイッチがリアクタンス要素と基準電位との間に高インピーダンス信号経路を提供するような開放位置）に設置することによって、第２の異なるフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供される。

実施形態では、少なくとも２つ以上の信号経路のうちの少なくとも１つは、再構成可能なフィルタ回路の第１および第２の端子のうちの一方に結合される第１の端子と、リアクタンス要素のうちの１つの第１の端子に結合される第２の端子とを有するスイッチ要素を備える。

再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとリアクタンス要素との間に結合されるスイッチ要素を提供することによって、リアクタンス要素の特性のインピーダンスは、フィルタ回路の中および外に切り替えられる（したがって、フィルタ回路を再構成可能にする）ことができる。一実施形態では、スイッチを第１のスイッチ位置（例えば、スイッチがリアクタンス要素と再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとの間に低インピーダンス信号経路を提供するような閉鎖位置）に設置することによって、第１のフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供され、スイッチを第２の異なるスイッチ位置（例えば、スイッチがリアクタンス要素と再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとの間に高インピーダンス信号経路を提供するような開放位置）に設置することによって、第２の異なるフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供される。

実施形態では、リアクタンス要素のうちの１つの第２の端子が、基準電位（例えば、接地）に結合される。実施形態では、リアクタンス要素は、１つ以上の容量性要素および／または誘導性要素および／または抵抗要素を備え得る。実施形態では、スイッチ要素は、トランジスタ（例えば、電界効果トランジスタ）、ダイオード、または効果的に再構成可能なフィルタ回路に１つ以上のリアクタンス要素を電気的に接続する、またはそれから１つ以上のリアクタンス要素を電気的に接続解除する（もしくは別様に電気的に絶縁させる）ことが可能である任意の他の回路要素のうちの１つ以上を備え得る。実施形態では、リアクタンス要素は、所定の周波数範囲にわたる容量性インピーダンス特性を有する１つ以上の要素、および／または所定の周波数範囲にわたる誘導性インピーダンス特性を有する１つ以上の要素を備え得る。実施形態では、リアクタンス要素は、１つ以上のコンデンサおよび／またはインダクタを備え得る。実施形態では、再構成可能なフィルタ回路は、１つ以上の容量性要素および／または誘導性要素と直列または並列に結合される１つ以上の抵抗要素を備え得る。

供給変調システムは、任意のタイプ（アナログまたはデジタル）の供給変調に適用可能である。実施形態では、供給変調システムは、離散供給変調システムとして提供される。

前述の特徴は、以下の図面の説明からより完全に理解され得る。

図１は、単一の出力を有する電力管理回路（ＰＭＣ）と、マルチステージ（すなわち、分裂型）パルス成形ネットワーク（ＰＳＮ）とを含む無線周波数（ＲＦ）伝送機のある例証的実施形態のブロック図である。

図２は、結合されるマルチステージ（すなわち、分裂型）ＰＳＮを有する単一出力ＰＭＣを含むＲＦ伝送機の別の例証的実施形態のブロック図である。

図３は、単一出力ＰＭＣと、複数のＲＦ増幅器に結合されるマルチステージＰＳＮのある代替実施形態とを有する例証的ＲＦ伝送機のブロック図である。

図４は、マルチ出力ＰＭＣと、複数のＲＦ増幅器に結合されるマルチステージＰＳＮのある代替実施形態とを有する例証的ＲＦ伝送機のブロック図である。

図５は、マルチステージＰＳＮの例証的実施形態のブロック図である。

図６は、マルチステージＰＳＮの代替実施形態のブロック図である。

図７は、マルチステージＰＳＮの代替実施形態のブロック図である。

図８は、フィルタ端子と基準電位との間の抵抗要素と直列に結合されるシャントコンデンサを伴う脚部を有するマルチステージＰＳＮとの併用のために好適な例証的フィルタ回路の概略図である。

図８Ａは、フィルタ端子と基準電位との間の誘導性要素と直列に結合されるシャントコンデンサを伴う脚部を有するマルチステージＰＳＮとの併用のために好適な例証的フィルタ回路の概略図である。

図８Ｂは、フィルタ端子間に結合される並列な誘導性経路と容量性経路とを有するマルチステージＰＳＮとの併用のために好適な例証的フィルタ回路の概略図である。

図８Ｃは、フィルタ端子と基準電位との間のスイッチと直列に結合されるシャントコンデンサを有するマルチステージＰＳＮとの併用のために好適な例証的フィルタ回路の概略図である。

図８Ｄは、フィルタ端子と基準電位との間のスイッチと直列に結合されるシャントコンデンサを有するマルチステージＰＳＮとの併用のために好適な例証的フィルタ回路の概略図である。

図８Ｅは、例証的ＰＳＮのブロック図である。

図９は、分裂型ＰＳＮを有する例証的集積回路（ＩＣ）のブロック図である。

図９Ａは、分裂型ＰＳＮを有する例証的ＩＣのブロック図である。

図１０は、マルチステージＰＳＮに結合されるＰＭＣを有する例証的ハイブリッド回路のブロック図である。

図１０Ａは、マルチステージＰＳＮに結合されるＰＭＣを有する代替の例証的ハイブリッド回路のブロック図である。

図１１は、ＰＭＣモジュールと、ＲＦ増幅器モジュールとを有し、モジュールのうちの少なくとも一方は、マルチステージＰＳＮの少なくとも一部を備える例証的な回路のブロック図である。

図１１Ａは、マルチステージＰＳＮの一部を備えるＲＦ増幅器モジュールの一部の概略図である。

ここで図１を参照すると、高い効率と高い線形性との両方を同時に達成することが可能である例証的な無線周波数（ＲＦ）伝送システム１０は、バイアス電圧信号を無線周波数増幅器２４のバイアス（すなわち、供給）端子２３に供給する離散供給変調システム１２を含む。

離散供給変調システム１２は、制御論理回路網１６（または、より単純には、制御論理１６）を備えるコントローラ１４を含む。制御論理１６は、無線チャネルの中に伝送されるべき伝送データを受信するか、または別に入手し得る。伝送データは、任意のフォーマット（例えば、バイナリビットストリーム、ＩおよびＱデータ等）にあり得る。制御論理１６は、次いで、このデータおよび他の可能性として考えられる要因を使用し、デジタル／ＲＦ変調器１８に信号を提供し得、デジタル／ＲＦ変調器１８は、それに提供される信号を受信し、伝送されるべき対応するＲＦ信号を発生させ得る。

いくつかの実施形態では、目標は、伝送データの正確な表現を含むＲＦ伝送信号を発生させることであり得る。いくつかの異なる変調および符号化のスキーム（ＭＣＳ）のうちのいずれかが、ＲＦ伝送信号内で伝送データを表すために使用され得る。ＭＣＳは、例えば、バイナリ位相偏移キーイング（ＢＰＳＫ）、４位相偏移キーイング（ＱＰＳＫ）、直交振幅変調（例えば、ＱＡＭ、１６ＱＡＭ、６４ＱＡＭ、１２８ＱＡＭ等）、直交周波数分割多重方式（ＯＦＤＭ）、および／または他のものを含み得る。これらのＭＣＳのうちのいくつかは、比較的高いピーク対平均電力比を有する。

高いピーク対平均電力比を有するＭＣＳは、典型的に、伝送データの正確な表現を提供するために、（例えば、図１の電力増幅器２４等のＲＦ電力増幅器を介した）非常に線形の電力増幅を要求する。本明細書に説明される種々の実施形態では、高いピーク対平均電力比を有しかつ／または厳しい誤差ベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）要件を有するＭＣＳをサポートするための十分な線形性を伴う効率的な電力増幅を提供することが可能である伝送システムおよび技法が、説明される。

図１に示されるように、制御論理１６は、伝送データ（例えば、ＲＦ伝送機１０から伝送されるべきデータのストリーム（すなわち、伝送データ）であり得るＩ、Ｑデータ）を入手し、そのデータを使用して、入力情報をデジタル／ＲＦ変調器１８に、および電力管理回路２０に提供する。１つの可能性として考えられるアプローチでは、制御論理１６が、別個のＩおよびＱデータをデジタル／ＲＦ変調器に提供し得る。デジタル／ＲＦ変調器は、次いで、Ｉ、Ｑ情報を使用して、ＲＦ搬送波を変調させ、その出力において対応するＲＦ信号を発生させ得る。周知であるように、ＩおよびＱデータは、概して、振幅および位相を表す。したがって、ＩおよびＱは、例えば、対応する振幅Ａと、位相θとを有し得る。

デジタル／ＲＦ変調器に提供されるデータ（例えば、ＩおよびＱデータ）に応答してデジタル／ＲＦ変調器によって出力されるＲＦ信号は、したがって、振幅Ａと位相θとを有するＲＦ信号であり得る。いくつかの実装では、デジタル／ＲＦ変調器に提供される入力情報は、ＩおよびＱ以外のフォーマットにあり得る。例えば、１つの可能性として考えられるアプローチでは、振幅および位相（Ａ、θ）情報が、コントローラ１４によってデジタル／ＲＦ変調器に送達され得る。上記に説明されるように、デジタル／ＲＦ変調器に適用される入力情報は、いくつかの実施形態では、サンプル毎に変化し得る。

デジタル／ＲＦ変調器１８がそれに提供されるデータを受信するフォーマットにかかわらず、デジタル／ＲＦ変調器１８は、ＲＦ増幅器２４の入力２４ａにＲＦ信号を提供する。当業者は、特定の用途のニーズに適するようなＲＦ増幅器２４の特性を選択する方法を理解するであろう。いくつかのアプリケーション（例えば、モバイル携帯電話機アプリケーション）では、ＲＦ増幅器２４は、ＲＦ電力増幅器を備える。ＲＦ増幅器２４は、それに提供されるＲＦ信号を受信し、ＲＦ信号の増幅されたバージョンをその出力において提供する。ＲＦ増幅器２４の出力は、例えば、別のＲＦ回路に、またはアンテナの入力に結合され得る。

上記に記載されるように、電力管理回路（ＰＭＣ）は、制御論理１６から電力管理回路に提供される情報（例えば、制御信号）を受信し、それに応答して、可変供給バイアス電圧（すなわち、バイアス電圧信号）をＲＦ増幅器２４（例えば、ＲＦ電力増幅器）に提供する。実施形態では、可変供給バイアス電圧は、各パルスが離散数の電圧レベルのうちの１つを有するパルスの形態で提供される。すなわち、ＰＭＣは、複数の離散バイアス電圧のうちの１つをＲＦ増幅器のバイアス端子に提供する。ＰＭＣによって提供されるそのような離散電圧供給レベルは、所定のものであってもよいし、または、要求される平均伝送出力レベルもしくは他の要因に基づいて経時的に適合されてもよい。

異なる電圧レベルのパルス間の遷移（すなわち、１つの電圧レベルから別のものへの遷移）は、変動する供給バイアス電圧信号Ｖ（ｔ）（すなわち、バイアス電圧信号）内に望ましくない周波数成分を生じさせ得る。そのような可変供給バイアス電圧が、マルチステージパルス成形ネットワーク（ＰＳＮ）２２を通して増幅器２４のバイアス（すなわち、供給）端子２３に提供される。マルチステージＰＳＮは、バイアス電圧信号内の望ましくない周波数成分をフィルタ除去するか、または別様に除去するように機能する。したがって、フィルタリングされたバイアス電圧信号が、ＲＦ増幅器２４の供給端子２５に提供される。

また、上記に記載されるように、ＰＭＣは、制御論理１６からの制御信号に基づいて、可変供給バイアス電圧Ｖ（ｔ）をＲＦ増幅器に提供する。ＰＭＣは、ＲＦ増幅器に複数の離散電圧のうちの１つを選択的に供給するように構成され得、ＰＳＮを介してＲＦ増幅器に離散電圧を供給し得る。

以下に提供される説明から明白となる理由のために、マルチステージＰＳＮは、例えば、インダクタとコンデンサとを含む無損失型フィルタ要素を備え得、さらに、抵抗器および磁気ビーズ等の損失型要素を含み得る、離間されたステージ（すなわち、物理的に離間されたステージ）を備える。マルチステージＰＳＮは、離散電圧レベル間の電圧遷移の成形および／または帯域幅限定を提供する役割を果たし、そうでなければ生じ得る発振の減衰を提供し得る。実施形態では、マルチステージＰＳＮは、望ましいフィルタ応答特性を提供するように選択され得る。

有意には、また、以下に提供される説明から明白であるように、マルチステージＰＳＮは、物理的に複数のステージに分割される。このアプローチは、マルチステージＰＳＮが、各々の付加的増幅器を伴う全てのＰＳＮセクションの構成要素を複製することなく、複数の増幅器に、適切にフィルタリングされたバイアス信号を提供することを可能にする。望ましい阻止帯域および除去帯域周波数特性ならびに望ましい通過帯域周波数および立ち上がり時間特性を有するマルチステージＰＳＮ２２が、提供される。

そのようなマルチステージＰＳＮ配列は、第５世代（５Ｇ）通信、および８０２．１１ａ／ｂ／ｇ／ｎ／ａｃ／ａｘ／ａｄ／ａｙ等の他のコネクティビティプロトコルに従って動作する、モバイル携帯電話機内の伝送システムとの併用のために好適である。そのようなマルチステージＰＳＮ配列はまた、５Ｇマルチ入力／マルチ出力（ＭＩＭＯ）、アップリンクキャリアアグリゲーション（ＵＬＣＡ）、およびビーム形成システムとの併用のためにも好適である。

ここで図２を参照すると、ＲＦ伝送回路３０は、（図１と併せて上記に説明されるＰＭＣ２０と同一であるか、またはそれと同様であり得る）ＰＭＣ２０’を含み、ＰＭＣ２０’は、（例えば、図１と併せて上記に説明されるコントローラ１４等のコントローラから）それに提供される情報（例えば、制御信号）を受信するように構成される入力を有し、それに応答して、可変供給バイアス電圧（例えば、特定の時点において複数の離散的な異なる電圧レベルのうちの１つを有するバイアス信号）を、ＲＦ入力２４ａ’とＲＦ出力２４ｂ’と供給端子２５’とを有するＲＦ増幅器２４’に提供する。

可変供給バイアス電圧が、図１と併せて上記に説明されるＰＳＮ２２と同一または同様であり得るマルチステージＰＳＮ２２’を通して増幅器２４’に提供される。この例証的実施形態では、マルチステージＰＳＮ２２’は、第１のＰＳＮステージ３２（図２で「ＰＳＮ－ステージＡ」として指定される）と、ＰＳＮステージＡから物理的に分離される第２のＰＳＮステージ３４（図２で「ＰＳＮ－ステージＢ」として指定される）とを含む。

物理的にＰＳＮ２２’を複数のステージに分割することによって、第２のＰＳＮステージ（すなわち、図２のステージＢ）内に第１のＰＳＮステージ（すなわち、図２のステージＡ）の構成要素を複製することは、必要ではない。このアプローチは、基板（例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ））上に、より大きい回路構造を収容することがより可能である基板の区域内に、比較的大きいＰＳＮ構成要素を設置するための柔軟性をもたらす。すなわち、マルチステージＰＳＮアプローチは、ＰＭＣを構成する他の構成要素の大部分によって要求される面積または体積より大きいある量の面積または体積（概して、空間もしくは領域と称される）を要求するＰＳＮ構成要素が、物理的に、そのような構成要素を収容し得るＰＣＢの区域内に位置することを可能にする。さらに、マルチステージＰＳＮアプローチは、回路構成要素のサイズの縮小（理想的には、その排除）を可能にする寄生要素（例えば、寄生インダクタンス）の使用を可能にする。これは、本明細書に説明されるマルチステージＰＳＮ技法に従って提供されるＰＳＮのための空間節約と、また、コスト低減とをもたらす。

このマルチステージＰＳＮアプローチを用いると、線形性および効率を維持しながら、また、コスト効率が良い態様でＩＣ上もしくはＰＣＢ上または任意のタイプの基板上のＰＭＣから物理的に遠い増幅器（例えば、ＲＦ ＰＡ）を収容しながら（これは、モバイルデバイス形状因子のために好適である）、離散供給変調伝送機のための受信基底帯域（ＲｘＢＮ）および帯域外放出を制御することが可能である。

いくつかの実施形態では、１つ以上のＲＦ増幅器が、ＲＦ伝送機内に伝送信号を発生させるために使用され得る。例えば、図３は、ある実施形態による複数の電力増幅器を含むＲＦ伝送機を図示するブロック図である。

ここで図３を参照すると、ＰＭＣ３６は、（例えば、図１と併せて上記に説明されるコントローラ１４等のコントローラから）ＰＭＣ３６に提供される情報（例えば、制御信号）を受信するように構成される入力を有し、それに応答して、コントローラからの制御信号に基づいて、可変供給バイアス電圧を複数のＲＦ増幅器４２ａ－４２ｎに提供する。実施形態では、ＲＦ増幅器４２のうちの１つまたは全てが、ＲＦ ＰＡに対応し得る。

可変供給バイアス電圧は、マルチステージＰＳＮ３０を通して増幅器４２ａ－４２Ｎに提供される。この例証的実施形態では、マルチステージＰＳＮ３０は、第１のＰＳＮステージ３８（図３で「ＰＳＮステージＡ」として指定される）と、複数の第２のＰＳＮステージ４０ａ－４０Ｎ（図３で「ＰＳＮステージＢ_ｉ」として指定される）とを含む。この例証的実施形態では、第２のＰＳＮステージ４０の数は、増幅器４２の数に合致する（すなわち、第２のＰＳＮステージの数と、ＰＳＮ３０を通して電圧供給信号を受信する増幅器の数との間に、１：１の対応が存在する）。

このアプローチを用いると、線形性および効率を維持しながら、また、コスト効率が良い態様でＰＭＣから物理的に遠い複数のＲＦ増幅器４２を収容しながら（これは、モバイルデバイス形状因子のために好適である）、離散供給変調伝送機のためのＲｘＢＮおよび帯域外放出を制御することが、可能である。

さらに、各第２のＰＳＮステージ４０の特性は、ＰＳＮが結合されるＲＦ増幅器の特性に合致し得る。当然ながら、他の実施形態では、単一の第２のＰＳＮステージが複数のＲＦ増幅器４０に結合され得ることを理解されたい。

物理的にマルチステージＰＳＮを分割することによって、増幅器毎に第１のＰＳＮステージ（すなわち、ステージＡ）の構成要素を複製することは、必要ではない。したがって、マルチステージＰＳＮは、複数の第２のステージのみを有しながら、複数の増幅器４２ａ－４２Ｎの役割を果たす。増幅器毎にＰＳＮ全体を繰り返すことは、必要ないため、このアプローチは、ＰＣＢ上の領域を節約する（または、同様に、ＰＭＣ、ＰＳＮ、および増幅器（ならびに関連する回路）を収容することが要求されるＰＣＢのサイズが、縮小され得る）。

したがって、このマルチステージＰＳＮアプローチを用いると、線形性および効率を維持しながら、また、コスト効率が良い態様でＰＭＣから物理的に遠い複数のＲＦ増幅器（例えば、ＲＦ Ｐａｓ）を収容しながら（これは、モバイルデバイス形状因子のために好適である）、離散供給変調伝送機のための受信基底帯域（ＲｘＢＮ）および帯域外放出を制御することが、可能である。

ここで図４を参照すると、伝送回路の一部は、（例えば、図１と併せて上記に説明される制御論理回路１６等の制御論理回路から）制御信号を受信するように構成される入力を有するＰＭＣ４４を含む。ＰＭＣ４４は、複数の出力を有する（すなわち、ＰＭＣ４４は、マルチ出力ＰＭＣである）。この例証的実施形態では、文章および図面の明確性を助長するために、ＰＭＣ４４は、二重出力ＰＭＣとして図示される。当業者は、当然ながら、ＰＭＣ４４が任意の数の出力を有し得ること、ならびにＰＭＣ４４を提供するための特定の数の出力が、限定ではないが、ＰＭＣ４４からの信号を受信する増幅器の数および特定の用途のニーズを含む種々の要因に従って選択されることを理解および認識するであろう。

この例証的実施形態では、ＰＭＣ４４の各出力４４ａ、４４ｂが、それぞれの第１のＰＳＮステージ４６ａ、４６ｂに結合される。各第１のＰＳＮステージ４６ａ、４６ｂの出力が、第２のＰＳＮステージ４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄの対応するものに結合される。第２のＰＳＮステージ４８ａ－４８ｄの出力は、それぞれ、ＲＦ増幅器５０ａ、５０ｂ、５２ａ、５２ｂのバイアス端子に結合される。

したがって、図４は、複数の、ここでは４つのＲＦ増幅器５０ａ、５０ｂ、５２ａ、５２ｂを備える伝送回路を図示し、ＰＭＣ４４を含み、ＰＭＣ４４は、可変供給バイアス電圧（例えば、供給変調の場合では、複数の供給バイアス電圧のうちの選択されるもの）を、一対のマルチステージＰＳＮ４５ａ、４５ｂのそれぞれを増幅器５０ａ、５０ｂ、５２ａ、５２ｂのバイアス端子に結合させるバイアス供給信号経路を介して、増幅器５０ａ、５０ｂ、５２ａ、５２ｂのバイアス端子に提供する。この例証的実施形態では、第１のＰＳＮ４５ａは、第１のＰＳＮステージ４６ａ（図４で「ＰＳＮステージＡ１として指定される）と、複数の第２のＰＳＮステージ４８ａ、４８ｂ（図４で「ＰＳＮステージＡ１Ｂ１」および「ＰＳＮステージＡ１Ｂ２」として指定される）とを備える。第２のＰＳＮ４５ｂは、第１のＰＳＮステージ４６ｂ（図４で「ＰＳＮステージＡ２」として指定される）と、複数の第２のＰＳＮステージ４８ｃ、４８ｄ（図４で「ＰＳＮステージＡ２Ｂ１」および「ＰＳＮステージＡ２Ｂ２」として指定される）とを備える。

第２のＰＳＮステージ４８ａ、４８ｂの電気特性が、第１のＰＳＮステージ４６ａの電気特性、および第２のステージが結合されるそれぞれのＲＦ増幅器の電気特性を伴って動作するように選択または構成される一方、第２のＰＳＮステージ４８ｃ、４８ｄの電気特性が、第１のＰＳＮステージ４６ｂの電気属性、および第２のステージが結合されるそれぞれのＲＦ増幅器の電気特性を伴って動作するように選択または構成されることを理解されたい。したがって、第１のＰＳＮステージＡ１、Ａ２の特性が、異なり得、第２の第１のＰＳＮステージＡ１Ｂ１、Ａ１Ｂ２、Ａ２Ｂ１、Ａ２Ｂ２の特性が、異なり得るが、第１および第２のステージは、増幅器５０ａ、５０ｂ、５２ａ、５２ｂに提供される可変供給バイアス電圧に適切であり所望されるフィルタリングを提供するように協働する。

概して、以下の品質／特性、すなわち、受信帯域における所望の量の信号減衰（すなわち、所望のオフセット周波数における入力から出力までの望ましい量の減衰を取得すること）、所望の無負荷電圧ステップ応答（すなわち、入力における電圧ステップに応答して、ＰＳＮが無負荷である（すなわち、ＰＡが、バイアスされない）と想定する所望のピーク出力電圧を取得すること）、所望の負荷電圧ステップ応答（すなわち、入力における電圧ステップに応答して、ＰＳＮが負荷状態である（すなわち、ＰＡが、バイアスされている）と想定する所望のピーク出力電圧を取得すること）、所望のＡＣ出力インピーダンス（すなわち、固定入力電圧に関して、所望の周波数における種々の可変ＡＣ負荷電流に応答して、所望の出力電圧変動を取得すること）、所望のＤＣ出力インピーダンス（すなわち、固定入力電圧に関して、ＤＣ負荷電流に応答して、所望の出力電圧変動を取得すること）、および所望の最大流入電流（すなわち、ＰＭＩＣが電圧ステップの間にＰＳＮに調達しなければならない所望のピーク電流を取得すること）のうちの少なくとも１つ、または理想的には全てを有するＰＳＮを提供することが、望ましい。他の品質／特性を有するＰＳＮもまた、望ましくあり得る。

この例証的実施形態では、２つの第１のステージおよび４つの第２のステージのみが、示されているが、他の実施形態では、ＰＭＣが、２つを上回る第１のステージに結合され得、各々の第１のステージが、２つを上回る第２のステージに結合され得ることを理解されたい。概して、Ｎ個の出力を有するＰＭＣが提供され得（Ｎは、１を上回るか、または１に等しい整数である）、したがって、ＰＭＣは、少なくとも、Ｎ個ほどの第１のＰＳＮステージに結合され得、Ｎ個の第１のＰＳＮステージの各々が、Ｍ個ほどの第２のステージに結合され得る（Ｍは、１を上回るか、または１に等しい整数である）。さらに、第２のＰＳＮステージの各々が、Ｐ個の増幅器（Ｐは、１を上回るか、または１に等しい整数である）に結合され得る。

図４に説明される例証的実施形態では、第２のＰＳＮステージ４８の数は、いくつかの実施形態では、増幅器５０の数に合致する（すなわち、第２のＰＳＮステージの数とＰＳＮ３０を通して電圧供給信号を受信する増幅器の数との間に、１：１の対応が、存在する）が、第２のＰＳＮステージのうちの１つ以上が、１つを上回るＲＦ増幅器に結合され得る。

ここで図５を参照すると、融合されたマルチステージＰＳＮ６０が、融合されたステージＡおよびステージＢを含む。ステージは、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、ならびに／または、磁気および／もしくはフェライトビーズを使用して形成される直列インピーダンスと、シャントインピーダンスとから構成される。システム制約に応じて、いくつかの異なるタイプのステージが、個々に、またはともに階段状に使用され、要件を充足させることができる。

ここで図６を参照すると、マルチステージＰＳＮ６４は、第１のＰＳＮステージ６６（図６で「ＰＳＮステージＡ」として指定される）と、複数の類似の第２のＰＳＮステージ６８ａ、６８ｂ（両方のステージは、図６で「ＰＳＮステージＢ」として指定される）とを含む。この例証的実施形態では、第２のＰＳＮステージ６８ａ、６８ｂは、同一または同様の電気特性を有し、類似の電気特性を有するＲＦ増幅器に結合されるように構成される。当然ながら、ＲＦ増幅器が良好に整合されていない（例えば、ＲＦ増幅器５０ａ、５０ｂの電気特性が、相互に異なる）実施形態では、第２のＰＳＮステージ（例えば、ＰＳＮステージ６８ａ、６８ｂ）の電気特性もまた、それに結合されるそれぞれのＲＦ増幅器（例えば、図４のＲＦ増幅器５０ａ、５０ｂ）の所望のパフォーマンスをもたらす方法において、相互に異なる。

故に、実施形態では、ＰＳＮステージを提供するための電気特性（したがって、構成要素）の選択は、第２のＰＳＮステージが結合されるＰＡの電気特性、またはＰＡが動作する周波数帯域の要件について依存する。

ＰＭＣおよび第１のＰＳＮステージ（例えば、ＰＳＮステージＡ）が、第２のＰＳＮステージ（例えば、ＰＳＮステージＢ）から、および可変供給バイアス電圧を受け取るＲＦ増幅器（例えば、ＰＡ）から、有意な距離を空けて位置し得ることを理解されたい。

ここで図７を参照すると、伝送回路７０の一部は、第１の回路を含み、第１の回路は、その一部として提供されるマルチステージＰＳＮの第１のステージの少なくとも一部を有する集積回路（ＰＭＩＣ）として提供される電力管理回路７２に対応する（すなわち、第１のＰＳＮステージの少なくとも一部が、例えば、ＰＭＣ、および／または第２のＰＳＮステージをＰＭＣに結合する信号経路のいずれかと関連付けられる寄生要素を使用することによって、ＰＭＣ回路に融合される）。したがって、マルチステージＰＳＮの第１のステージの少なくとも一部（理想的には、マルチステージＰＳＮの第１のステージ全体）が、ＰＭＣの少なくとも一部と融合させられる（または統合される）。

回路部分７０はさらに、統合されたマルチステージＰＳＮの第２のステージの少なくとも一部を有するＲＦ増幅器（例えば、ＲＦ電力増幅器であり得る）に対応する一対の第２の回路７４ａ、７４ｂを含む（すなわち、第２のＰＳＮステージの少なくとも一部が、各ＲＦ増幅器に融合される）。図７に図示されるように、マルチステージＰＳＮの第２のステージの各々は、（例えば、ＲＦ増幅器、および／または第２のＰＳＮステージをＲＦ増幅器に結合する信号経路のいずれかと関連付けられる寄生要素を使用することによって）１つ以上のＲＦ増幅器のそれぞれのものの少なくとも一部と統合される。

２つのみのＲＦ増幅器が、図７の例証的実施形態に示されているが、任意の数のＲＦ増幅器が使用され得ることに留意されたい。また、統合されたＰＭＣおよびＰＳＮステージＡが、統合されたＰＳＮステージＢおよびＲＦ増幅器から有意な距離を空けて位置し得ることにも留意されたい。したがって、図示および説明されるように、ステージＡとステージＢとの間の相互接続構造（ならびにＰＭＣおよびＲＦ増幅器内の構造）から結果として生じる誘導性ならびに静電容量の寄生特性（時として、寄生要素と称される）が、ＰＳＮの全体的インピーダンス特性および／または応答特性に設計されることができる。

図７に示される例証的実施形態では、ＰＳＮの第１および第２のステージは、（例えば、寄生インダクタンスならびに静電容量の使用を介して）それぞれのＰＭＣおよびＲＦ増幅器回路網の中に吸収される（故に、ＰＳＮによって実施されるフィルタリング特性／機能も同様に、対応するＰＭＣおよびＲＦ増幅器回路網の中に吸収される）。故に、本明細書に説明されるマルチステージＰＳＮアプローチは、ＰＳＮステージを組み込み、それによって、ＩＣとしてＲＦ伝送回路を製作するために要求される材料をさらに低減させることができるＰＭＣおよびＰＡの両方のためのモジュールソリューションにつながる。

ここで図８－図８Ｅを参照すると、マルチステージＰＳＮのステージにおける使用のために好適な一連のフィルタ回路が、示される。図８Ｃ、図８Ｄ、および図８Ｅと併せて下記に説明されるように、ＰＳＮステージが、異なる使用事例のためにフィルタの電気特性を調節するためのスイッチを用いて再構成可能に作製されることができる。

ここで図８を参照すると、第１の端子８０ａおよび第２の端子８０ｂを有する受動フィルタ回路８０は、直列に結合されるインダクタＬを含む（すなわち、インダクタＬは、フィルタ回路８０の端子８０ａと端子８０ｂとの間に直列に結合される）。コンデンサＣの第１の端子が、インダクタＬの第１および第２の端子のうちの第１のものに結合され、コンデンサＣの第２の端子が、抵抗器Ｒの第１の端子に結合される。抵抗器Ｒの第２の端子が、基準電位に結合される（ここでは、接地として図示される）。本明細書に提供される開示を読んだ後、当業者は、基準電位Ｖ_ＲＥＦが、接地または最上位のある正もしくは負の電位（例えば、任意の正または負の電圧）に対応し得ることも理解するであろう。使用するための特定の基準電位Ｖ_ＲＥＦが、特定の用途のニーズに適するように選択される。

ここで図８Ａを参照すると、第１の端子８２ａおよび第２の端子８２ｂを有する受動フィルタ回路８２は、直列に結合されるインダクタＬ１を含む（すなわち、インダクタＬ１は、フィルタ回路８２の端子８２ａと端子８２ｂとの間に直列に結合される）。コンデンサＣ１の第１の端子が、インダクタＬ１の第１および第２の端子のうちの第１のものに結合され、コンデンサＣ１の第２の端子が、第２のインダクタＬ２の第１の端子に結合される。インダクタＬ２の第２の端子が、基準電位Ｖ_ＲＥＦに結合される。

ここで図８Ｂを参照すると、受動フィルタ回路８４は、第１のフィルタ端子８４ａと第２のフィルタ端子８４ｂとの間に並列に結合された一対の信号経路を含む。並列信号経路のうちの第１のものは、第１のフィルタ端子８４ａに結合される第１の端子と、第２のフィルタ端子８４ｂに結合される第２の端子とを有するインダクタＬ３を含む。並列信号経路のうちの第２のものは、第１のフィルタ端子８４ａに結合される第１の端子と、抵抗器Ｒ１の第１の端子に結合される第２の端子とを有するコンデンサＣ２を含む。抵抗器Ｒ１の第２の端子が、第２のフィルタ端子８４ｂに結合される。

ここで図８Ｃを参照すると、第１の端子８９ａおよび第２の端子８９ｂを有する再構成可能なフィルタ回路８９は、直列に結合されるインダクタＬ５（すなわち、インダクタＬ５は、フィルタ回路８９の端子８９ａと端子８９ｂとの間に直列に結合される）と、シャント結合されるコンデンサＣ６とを含む。コンデンサＣ６の第１の端子は、インダクタＬ５の第１の端子または第２の端子のいずれかに結合され得る。コンデンサＣ６の第２の端子が、スイッチＳ３を通して基準電位Ｖ_ＲＥＦに結合される。再構成可能なフィルタ回路８９は、したがって、少なくとも１つの切り替え可能な信号経路を備える（すなわち、信号経路は、切替要素Ｓ３を備える）。図８Ｄの例証的実施形態では、再構成可能なフィルタ回路８９は、コンデンサＣ６の端子と基準電位Ｖ_ＲＥＦとの間に結合される単一のスイッチを備える。当業者は、当然ながら、コンデンサＣ６およびスイッチＳ３の位置が逆にされ得る（すなわち、スイッチＳ３の第１の端子が、インダクタＬ５の第１の端子または第２の端子のいずれかに結合され得、スイッチＳ３の第２の端子が、コンデンサＣ６の第１の端子に結合され得る一方、コンデンサＣ６の第２の端子が、基準電位Ｖ_ＲＥＦに結合される）ことを理解するであろう。本明細書に提供される開示を読んだ後、当業者は、基準電位Ｖ_ＲＥＦが接地またはある正もしくは負の電位（例えば、任意の正または負の電圧）に対応し得ることも理解するであろう。使用するための特定の基準電位Ｖ_ＲＥＦが、特定の用途のニーズに適するように選択される。

実践的システムでは、スイッチは、ある時間周期にわたって得られるＲＦ増幅器の負荷インピーダンス特性および／もしくはパフォーマンス特性の決定、ならびに／またはＲＦ伝送システムのパフォーマンス特性の決定を行うために要求される時間に一貫するタイムスケール（したがって、これは、スイッチの切替速度と比較して、比較的緩慢なタイムスケールと見なされ得る）に基づいて、スイッチの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る。実施形態では、スイッチは、（１）ＲＦ増幅器の負荷インピーダンス特性および／もしくは（２）ＲＦ増幅器のパフォーマンス特性、ならびに／または（３）ＲＦ伝送システムのパフォーマンス特性のうちのいずれかまたは全ての平均特性に応答して、それらの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る。いくつかの実施形態では、スイッチは、実質的に瞬間的なインピーダンス変化に応答して、それらの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る（すなわち、スイッチ状態は、平均特性等に応答してより緩慢な（すなわち、瞬間的なタイムスケールに対してより緩慢な）タイムスケールに基づいてではなく、インピーダンス変化が識別され得るのと同程度に迅速に変化させられ得る）。

ここで図８Ｄを参照すると、第１の端子８６ａおよび第２の端子８６ｂを有する再構成可能なフィルタ回路８６は、直列に結合されるインダクタＬ４を含む（すなわち、インダクタＬ４は、フィルタ回路８６の端子８６ａと端子８６ｂと間に直列に結合される）。抵抗器Ｒ２の第１の端子が、インダクタＬ４の第１および第２の端子のうちの第１のものに結合される。抵抗器Ｒ２の第２の端子が、可変静電容量を提供することが可能な可変容量性ネットワーク８８に結合される。可変静電容量ネットワーク８８は、少なくとも１つの切り替え可能な信号経路を備える（すなわち、切替経路は、切替要素を備える）。図８Ｃの例証的実施形態では、可変静電容量ネットワークは、３つの信号経路を備え、そのうちの２つが切り替え可能な信号経路である。切り替え可能な信号経路（例えば、切り替え可能な要素Ｓ１、Ｓ２）は、図８Ｃと併せて上記に説明される技法のうちのいずれかに従って切り替えられ得る。

特に、ネットワーク８８は、抵抗器と基準電位（ここでは、接地に対応する基準電位）との間に結合される（この例証的実施形態に示されている３つのコンデンサを伴う）１つ以上のコンデンサを含む。ネットワーク８８内の少なくとも１つのコンデンサが、スイッチに結合される。スイッチは、スイッチが抵抗器とコンデンサとの間またはコンデンサと基準電位Ｖ_ＲＥＦとの間のいずれかで導電をなし、または断絶させるように動作するように、配列（すなわち、コンデンサのいずれかの側に配置）され得る。

この例証的実施形態では、一対のスイッチＳ１、Ｓ２が、コンデンサＣ３、Ｃ５のそれぞれと基準電位との間に直列に結合される。スイッチが、コンデンサと基準電位との間に低インピーダンス信号経路を提供することに応答して（すなわち、スイッチが「閉鎖」されることに応答して）、再構成可能なフィルタ回路８６は、第１のフィルタ特性を有する。スイッチがコンデンサと基準電位との間に高インピーダンス信号経路を提供することに応答して（すなわち、スイッチが「開放」されることに応答して）、再構成可能なフィルタ回路８６は、第２の異なるフィルタ特性を有する。

概して、２つの状態（すなわち、オンおよびオフ）を伴う各々の切り替え可能な信号経路は、２つの異なるフィルタ特性を提供する。概して、各々が２つの状態を有するＮ個の切り替え可能な信号経路に関して、２^Ｎ個の異なるフィルタ特性が、可能性として考えられる。

ＲＦ増幅器（例えば、図１と併せて上記に説明されるＲＦ増幅器２４）の出力に結合されるＲＦ負荷のインピーダンスが、変化するか、または絶えず変動している場合、ＲＦ増幅器の動作特性もまた、変化する（すなわち、変動する負荷インピーダンスが、ＲＦ増幅器の動作、したがって、パフォーマンスに影響を及ぼす）。再構成可能なフィルタ回路を使用することによって、再構成可能なフィルタ回路のフィルタおよび／またはインピーダンス特性が、（例えば、変動するＲＦ負荷特性に応答して）ＲＦ増幅器によって所望のパフォーマンスを達成もしくは維持するように変化されることができる。

図８Ｃと併せて上記に記載されるように、実用的なシステムでは、スイッチは、ある期間にわたって得られるＲＦ増幅器の負荷インピーダンス特性および／もしくはパフォーマンス特性の決定、ならびに／またはＲＦ伝送システムのパフォーマンス特性の決定を行うために要求される時間に一貫するタイムスケール（したがって、これは、スイッチの切替速度と比較して、比較的緩慢なタイムスケールと見なされ得る）に基づいて、それらの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る。実施形態では、スイッチは、（１）ＲＦ増幅器の負荷インピーダンス特性および／もしくは（２）パフォーマンス特性、ならびに／または（３）ＲＦ伝送システムのパフォーマンス特性のうちのいずれかまたは全ての平均特性に応答して、それらの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る。いくつかの実施形態では、スイッチは、実質的に瞬間的なインピーダンス変化に応答して、それらの「オン」状態と「オフ」状態との間で切り替えられ得る（すなわち、スイッチ状態は、平均特性等に応答してより緩慢な（すなわち、瞬間的なタイムスケールに対してより緩慢な）タイムスケールに基づいてではなく、インピーダンス変化が識別され得るのと同程度に迅速に変化させられ得る）。

図８Ｄの例証的実施形態では、ネットワーク８８は、１つのコンデンサが基準電位（ここでは、接地として図示される）に直接結合され、２つのコンデンサがスイッチを通して基準電位（ここでは、接地として図示される）に結合される３つの並列に結合されるコンデンサを含むが、当業者は、再構成可能なフィルタ回路８６が、広い範囲の他の回路実装から提供され得ることを理解するであろう。

例えば、ここで図８Ｅを参照すると、第１の端子９０ａおよび第２の端子９０ｂを有する再構成可能なフィルタ回路９０は、複数のインピーダンス要素９２、９４を含み、複数のインピーダンス要素９２、９４は、それに結合される複数の切り替えられるインピーダンス要素９５ａ－９５ｎを有する。切り替えられるインピーダンス要素９５ａ－９５ｎの各々は、少なくとも１つのインピーダンス要素９８、１００、１０４を含み、少なくとも１つのインピーダンス要素９８、１００、１０４は、例えば、インダクタとコンデンサとを含む無損失型要素を備え得、さらに抵抗器および磁気ビーズ等の損失型要素を含み得る。切り替えられるインピーダンス要素９５ａ－９５ｎはまた、再構成可能なフィルタ回路９０が一部であるＰＳＮステージによって提示されるインピーダンスを変化させる態様で、少なくともインピーダンス要素９６、１００、１０４のそれぞれを切り替えることが可能な１つのスイッチ要素９８、１０２、１０６も含む。

概して、少なくとも１つのスイッチ要素が、再構成可能なフィルタ回路の基準電位と、第１および第２の端子のうちの少なくとも一方との間に少なくとも１つのリアクタンス要素を選択的に結合するように構成されることを理解されたい。例えば、実施形態では、リアクタンス要素およびスイッチ要素（例えば、図８Ｄの要素９６、９８）の位置は、スイッチ要素（例えば、スイッチ要素９８）が、第１の端子を第１および第２のフィルタ端子のうちの一方に結合させ、第２の端子をリアクタンス要素（例えば、リアクタンス要素９６）の第１の端子に結合させるように、逆にされ得る。リアクタンス要素（例えば、リアクタンス要素９６）の第２の端子が、基準電位に結合される。そのような構成のある例が、図１０および図１０Ａに示される。

さらに、２つ以上の信号経路の各々の中にスイッチを設置することによって、所定のＲＦ周波数帯域にわたる複数の異なるフィルタリング特性のうちの１つが提供され得ることも理解されたい。スイッチは、所望のフィルタ特性を提供するように独立して動作させられ得る。例えば、Ｎ個の切り替え可能な信号経路を用いると（Ｎは、１を上回るか、または１に等しい整数である）、再構成可能なフィルタ回路は、最大２^Ｎ個の異なるフィルタ特性を提供することが可能である。

実施形態では、少なくとも２つ以上の信号経路のうちの少なくとも１つは、再構成可能なフィルタ回路の第１の端子および第２の端子のうちの一方に結合される第１の端子と、リアクタンス要素のうちの１つの第１の端子に結合される第２の端子とを有するスイッチ要素を備える。

再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとリアクタンス要素との間に結合されるスイッチ要素を提供することによって、リアクタンス要素の特性のインピーダンスは、フィルタ回路の中および外に切り替えられる（したがって、フィルタ回路を再構成可能にする）ことができる。一実施形態では、スイッチを第１のスイッチ位置（例えば、スイッチがリアクタンス要素と再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとの間に低インピーダンス信号経路を提供するような閉鎖位置）に設置することによって、第１のフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供され、スイッチを第２の異なるスイッチ位置（例えば、スイッチが、リアクタンス要素と再構成可能なフィルタ回路端子のうちの１つとの間に高インピーダンス信号経路を提供するような開放位置）に設置することによって、所望の周波数帯域内の第２の異なるフィルタ特性を有する再構成可能なフィルタ回路が提供される。

実施形態では、リアクタンス要素のうちの１つの第２の端子が、基準電位Ｖ_ＲＥＦ（例えば、接地であり得る）に結合される。

ここで図９を参照すると、集積回路（すなわち、モノリシック集積回路）１１０として実装されるマルチ入力／マルチ出力（ＭＩＭＯ）伝送回路は、ＲＦ信号が信号経路１１２ａ、１１２ｂを通して提供されるＲＦ入力を有する一対のＲＦ電力増幅器１１４ａ、１１４ｂを含む。伝送回路１１０はさらに、（例えば、図１と併せて上記に説明されるコントローラ１４等のコントローラから）入力に提供される情報（例えば、制御信号）を受信するように構成される入力を有する（上記に説明されるＰＭＣのうちのいずれかと機能的に同一または同様であり得る）ＰＭＣ１１６を含む。そのような制御信号に応答して、ＰＭＣは、ＰＳＮの第１のステージ１１８を通して可変供給バイアス電圧信号を提供するように構成される。第１のＰＳＮステージ１１８は、（例えば、フィルタリングまたは部分的フィルタリング動作を介して）信号を適切に処理し、適切に処理された供給バイアス電圧信号を信号経路１２０ａ、１２０ｂに沿って第２のＰＳＮステージ１２２ａ、１２２ｂのそれぞれに提供する。第２のＰＳＮステージ１２２ａ、１２２ｂはさらに、（例えば、フィルタリングまたは部分的フィルタリング動作を介して）第２のＰＳＮステージに提供される信号を処理し、適切に処理された（例えば、適切にフィルタリングされた）供給バイアス電圧信号をＲＦ増幅器１１４ａ、１１４ｂのそれぞれの供給端子に提供する。

上記に記載されるように、それぞれのＲＦ増幅器１１４ａ、１１４ｂは、それぞれのＲＦ信号経路１１２ａ、１１２ｂに沿ってＲＦ信号を受信し、信号を増幅させ、増幅させられたＲＦ信号を、ＲＦ伝送信号が放出されるアンテナ１１５ａ、１１５ｂのそれぞれに提供する。

ＰＭＣ１１６およびＰＳＮステージＡ１１８が、ＰＳＮステージＢ１２２ａ、１２２ｂおよび関連付けられるＰＡ１１４ａ、１１４ｂから有意な距離を空けて位置することに留意されたい。図９の例証的実施形態では、ＰＭＣ１１６およびステージＡ１１８が、ＩＣ１１０の一端に位置する一方、ステージＢ１２２ａ、１２２ｂおよび関連付けられるＰＡ１１４ａ、１１４ｂが、ＩＣ１１０の実質的に反対の端部に位置する。

上記に記載されるように、物理的にＰＳＮを複数のステージ（ここでは、第１のステージ１１８と、第２のステージ１２２ａ、１２２ｂとから構成される２つのステージ）に分割することによって、第１のＰＳＮステージ（すなわち、ステージＡ）の構成要素を複製することが必要ではない。このアプローチは、集積回路（ＩＣ）上でＰＳＮを収容するために要求される面積の量を低減させ、より大きい回路構造物を収容することがより可能であるＩＣの区域内に、比較的大きいＰＳＮ構成要素（すなわち、ＩＣ上の比較的大きい量の領域を要求するＰＳＮ構成要素）を設置するための柔軟性をもたらす。

さらに、このマルチステージＰＳＮアプローチを用いると、線形性および効率を維持しながら、また、コスト効率が良い態様でＩＣ上のＰＭＣから物理的に遠い複数のＲＦ増幅器（例えば、複数のＲＦ ＰＡ）を収容しながら（これは、モバイルデバイス形状因子のために好適である）、離散供給変調伝送機のための受信基底帯域（ＲｘＢＮ）および帯域外放出を制御することが可能である。

図９の実施形態は、ここでは集積回路として図示されているが、離散回路要素と集積回路との混合物（すなわち、それらの組み合わせ）を使用する回路もまた、実装され得ることを理解されたい。そのような実施形態の例が、図１０－図１１と併せて以下に説明される。

ここで、同様の参照記号を有する図９の同様の要素が提供される図９Ａを参照すると、集積回路１１０’として実装された伝送回路が、湾曲した信号経路１２０ａ’、１２０ｂ’を含む。いくつかの実施形態では、（例えば、回路レイアウト制約または他の要因に起因して）曲線もしくは他の非直線の形状を有する比較的長い信号経路を含むことが望ましいか、または必要でさえあり得る。寄生インダクタンスおよび／または静電容量および／または抵抗（時として、単純に「寄生成分」と称される）を生じさせる長さを有する信号経路が、時として、「長い」信号経路と称される。曲線または他の形状を有する長い信号経路は、特に、寄生インダクタンスおよび／または静電容量および／または抵抗を生じさせ得る。そのような寄生成分の影響はさらに、長い信号経路が存在するときに増大または強化され、長い湾曲した信号経路が存在するときにさらに増大され得る。

上記に記載されるように、ＰＭＣ１１６およびステージＡ１１８は、ステージＢ１２２ａ’、１２２ｂ’および関連付けられるＰＡ１１４ａ、１１４ｂから有意な距離を空けて位置する。図９Ａの例証的実施形態では、ＰＭＣ１１６およびステージＡ１１８がＩＣ１１０’の一端に位置する一方、ステージＢ１２２ａ’、１２２ｂ’および関連付けられるＰＡ１１４ａ’、１１４ｂ’が、ＩＣ１１０の実質的に反対の端部に位置する。したがって、信号経路１２２ａ’、１２２ｂ’の長さは、有意であり、寄生成分が、第１のＰＳＮステージと第２のＰＳＮステージとの間の信号経路の形状および／または物理的長さに起因して、生じ得る。上記に記載されるように、そのような寄生インダクタンスおよび／または静電容量が、第１および／または第２のＰＳＮステージ等のＰＳＮステージの設計において使用され得る。

したがって、この実施形態では、第１のＰＳＮステージ１１８および／または第２のＰＳＮステージ１２２ａ’、１２２ｂ’のインピーダンス特性は、信号経路１２２ａ’、１２２ｂ’の一方または両方に起因して生じる寄生成分を組み込み得る。

ここで図１０を参照すると、基板１３０は、前述に説明されるＰＭＣのうちのいずれかと同一または同様であり得るＰＭＣ１３２をその上に配置している。実施形態では、基板は、任意の好適な単層または多層の誘電材料（例えば、中に、または暴露表面上に伝導層を提供されるガラス繊維強化エポキシ樹脂系材料または低温もしくは低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）材料）から提供されるプリント回路基板（ＰＣＢ）として提供され得る。

図１０の例証的実施形態では、ＰＭＣは、ＩＣパッケージ内に配置される集積回路として実装され、ＩＣパッケージは、例えば、リードフレームパッケージ、基板パッケージ、ウエハレベルパッケージ、または当業者に公知である任意の他のタイプのＩＣパッケージであり得る。

ＰＭＣは、ＰＣＢ上に提供される入力信号経路１３４に結合される入力１３２ａを含む（例えば、信号経路は、概して公知であるような加算的または減算的プロセスを使用して、ＰＣＢの一部としてエッチングされ、または別様に提供される）。ＰＭＣ入力１３２ａは、（本明細書において、図１と併せて上記に説明されるコントローラ１４等の）コントローラから制御信号を受信するように構成される。ＰＭＣ１３２はまた、供給バイアス電圧信号経路１３６に結合される出力１３２ｂも含む。信号経路１３６は、当業者に公知である任意の加算的または減算的プロセスを使用して、ＰＣＢの一部としてエッチンされ、または別様に提供され得る。供給バイアス電圧が、前述に議論されるように、ＰＭＣ出力１３２ｂにおいて提供される。

ＰＳＮ１３８の第１のステージ１３８ａが、供給電圧信号経路に結合される。第１のＰＳＮステージは、相互におよび供給電圧信号経路に電気的に結合される離散要素を使用して、実装され得る。ＰＳＮの第２のステージが、供給電圧信号経路に結合される。第２のＰＳＮステージは、相互におよび供給電圧信号経路に電気的に結合される離散要素を使用して、実装され得る。したがって、図１０の回路は、集積回路（例えば、ＰＭＣおよびＲＦ増幅器）および離散要素（例えば、第１および第２のＰＳＮステージ）の両方を含み得るハイブリッド回路実装を表す。

実施形態では、第１のＰＳＮステージは、ＰＭＣに物理的に近接している。実施形態では（および図１１と併せて示され、説明されるように）、第１のＰＳＮステージは、ＰＭＣモジュールの一部として含まれ得る（例えば、ＰＭＣまたは第１のＰＳＮステージのいずれかが実装される態様にかかわらず、ＰＭＣと第１のステージＰＳＮとを含む単一のパッケージ）。この例証的実施形態では、第１のＰＳＮステージ１３８ａは、図８Ｃと併せて上記に説明される再構成可能なフィルタ回路８８と同様の態様で機能する再構成可能なフィルタ回路１３９を備える。

実施形態では、第２のＰＳＮステージは、増幅器バイアス端子に物理的に近接している。実施形態では（および図１１に説明されるように）、第２のＰＳＮステージは、増幅器モジュールの一部として含まれ得る（例えば、ＲＦ増幅器と第２のステージＰＳＮとを含む単一のパッケージ）。第１のＰＳＮステージ１３８ａは、能動構成要素（すなわち、スイッチ）を備えるが、第２のＰＳＮステージは、受動構成要素のみを備え、図８と併せて上記に説明される回路８０として実装される。

供給電圧信号経路１３６は、ＰＣＢ上に配置されるＲＦ増幅器１４０の供給端子１４０ａ（すなわち、バイアス端子）に結合される。したがって、供給電圧信号が、供給電圧信号経路１３６を通して、ＰＭＣからＲＦ増幅器バイアス端子に提供される。

ＲＦ増幅器は、ＰＣＢ上に提供されるＲＦ入力信号経路１４２に結合されるＲＦ入力１４１ａと、ＰＣＢ上に提供されるＲＦ出力信号経路１４４に結合されるＲＦ出力とを有する。ＲＦ増幅器は、本明細書において上記に説明されるＲＦ増幅器のうちのいずれかと同一または同様であり得る。

ここで、同様の参照記号を有する図１０の同様の要素が提供される図１０Ａを参照すると、この例証的実施形態では、第１のＰＳＮステージ１３８ａ’は、全て受動的構成要素を備える一方、第２のＰＳＮステージ１３８ｂ’は、能動構成要素（すなわち、スイッチ）を備える。

さらに、いくつかの用途では、全て受動構成要素を有する第１および第２のＰＳＮステージの両方を提供することが望ましくあり得ることを理解されたい。さらなる他の用途では、少なくとも１つの能動構成要素（例えば、トランジスタまたはダイオードを備えるスイッチ等、少なくとも１つの切り替え可能な要素）を有する第１および第２のＰＳＮステージの両方を提供することが、望ましくあり得る。

ここで図１１を参照すると、（図９－図１０Ａと併せて上記に説明されるタイプのうちのいずれかであり得る）基板１５０が、ＰＭＣモジュール１５２をその上に配置している。ＰＭＣモジュール１５２は、ＰＭＣと、第１のＰＳＮステージとを備える（すなわち、ＰＭＣモジュールは、ＰＭＣまたは第１のＰＳＮステージのいずれかが実装される態様にかかわらず、ＰＭＣと第１のＰＳＮステージの少なくとも一部とを含む単一のパッケージである）。実施形態では、ＰＭＣおよび第１のＰＳＮステージのうちの一方もしくは両方またはいずれかの一部が、集積回路として実装されることもあるし、または離散要素（すなわち、離散回路構成要素）を使用して実装されることもある。

ＰＭＣモジュール１５２は、入力１５２ａを含み、入力１５２ａは、ＰＣＢ上に提供される入力信号経路１５４に結合され（例えば、信号経路は、概して公知であるように、加算的または減算的プロセスを使用して、ＰＣＢの一部としてエッチングされ、または別様に提供される）、（本明細書において図１と併せて上記に説明されるコントローラ１４等の）コントローラから制御信号を受信するように構成される。ＰＭＣモジュールはまた、出力１５２ｂも含み、出力１５２ｂは、供給電圧信号経路１５６に結合され（例えば、信号経路は、概して公知であるように、加算的または減算的プロセスを使用して、ＰＣＢの一部としてエッチングされ、または別様に提供される）、供給バイアス電圧が、前述に議論されるように提供される。

また、基板上に配置されるものは、ＲＦ増幅器と第２のＰＳＮステージの一部とを備えるＲＦ増幅器モジュール１５８である（すなわち、ＲＦ増幅器または第２のＰＳＮステージのいずれかが実装される態様にかかわらず、ＲＦ増幅器と第２のＰＳＮステージの少なくとも一部とを含む単一のパッケージ）。

図１１の例証的実施形態では、第２のＰＳＮステージの第１の部分１５９は、供給電圧信号経路１５６と基準電位（ここでは、接地として図示される）との間に直列に結合されるコンデンサ１６０とインダクタ１６１とを備え、第２のＰＳＮステージ部分１５９は、ＲＦ増幅器モジュール１５８のバイアス端子１５８ａに近接して結合される。第２のＰＳＮステージの第２の部分が、ＲＦ増幅器モジュールの一部として提供され、したがって、図１１では可視ではない。

実施形態では、第２のＰＳＮステージ全体がスイッチモジュールの一部として提供され得ることを理解されたい。実施形態では、ＲＦ増幅器および（第２のＰＳＮステージの全てまたは一部を含め）第２のＰＳＮステージのうちの一方もしくは両方が、集積回路として実装されることもあるし、または離散要素（すなわち、離散回路構成要素）を使用して実装されることもある。

図１１Ａからより明確に理解され得るように、実施形態では、ＲＦ増幅器モジュール１５８’は、コンデンサ１６５および抵抗器１６７とともに、第２のＰＳＮステージ１５９’の切り替え可能な信号経路部分を形成するスイッチを含む。したがって、この実施形態では、第２のＰＳＮステージ１５９’は、コンデンサ１６０’、ならびにコンデンサ１６５と抵抗器１６７とスイッチ１６３とを備える切り替え可能な信号経路部分を備え、第２のＰＳＮステージの一部が、スイッチモジュールとして実現される（すなわち、その一部として実装される）。

したがって、また、同様のアプローチが、第１のＰＳＮステージと併用され得ることも理解されたい。すなわち、第１のＰＳＮステージがスイッチを備える実施形態では、１つ以上のスイッチのうちの全てまたはいくつかが、ＰＭＣモジュールとして実現（すなわち、その一部として実装）され得る。

また、供給電圧信号経路（例えば、図１０、１０Ａの経路１３６または図１１の経路１５６）が、インダクタのインピーダンス特性を有し得る（すなわち、供給電圧信号経路が、分散型の誘導性要素として電気的に出現し得る）ことも理解されたい。したがって、供給電圧信号経路の任意の誘導特性が、第１および第２のＰＳＮステージのための構成要素選択において吸収されるか、または少なくとも考慮され得る。

上記の説明では、種々の概念、回路、および技法が、無線媒体を介して信号を伝送するために動作可能であるＲＦ伝送機との併用のための離散供給変調システムの文脈において議論される。本明細書に説明される概念、回路、および技法は、５Ｇ通信プロトコルおよび８０２．１１ａ／ｂ／ｇ／ｎ／ａｃ／ａｘ／ａｄ／ａｙ等の他のコネクティビティプロトコルに従って動作する携帯電話機（例えば、モバイル携帯電話機）内での使用のために適切であり、また、限定ではないが、ＭＩＭＯ、アップリンクキャリアアグリゲーション（ＵＬＣＡ）、およびビーム形成用途を含むマルチ伝送機用途における使用のためにも適切である。これらの概念、回路、および技法がまた、他の文脈における用途も有することを理解されたい。例えば、いくつかの実装では、本明細書に説明される特徴は、有線通信における使用のための伝送機または駆動部内で実装され得る。いくつかの他の実装では、本明細書に説明される特徴は、データ搬送信号のために非常に効率的かつ非常に線形の電力増幅を要求する他のタイプのシステム内でも実装され得る。

説明される概念の例示的実施形態を説明したが、それらの概念を組み込む他の実施形態も使用され得ることが、ここで、当業者に明白な状態となるであろう。本明細書に含有される実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではなく、むしろ、添付の請求項の精神および範囲のみによって限定されるべきである。本明細書に引用される全ての公報および参照物は、参照することによってその全体として本明細書に明白に援用される。

Claims (22)

1. 離散供給変調システムにおける、無線周波数（ＲＦ）増幅器のバイアス端子に結合されるように構成されるマルチステージパルス成形ネットワークであって、
   （ａ）電力管理回路（ＰＭＣ）に結合されるように構成される入力を有し、出力を有する第１のパルス成形ネットワーク（ＰＳＮ）ステージと、
   （ｂ）１つ以上の第２のＰＳＮステージであって、前記１つ以上の第２のＰＳＮステージの各々は、物理的に前記第１のＰＳＮステージから離間され、前記第１のＰＳＮステージから遠く、前記第２のＰＳＮステージの各々は、前記第１のＰＳＮステージの出力に結合されるように構成される入力を有し、ＲＦ増幅器のバイアス端子に結合されるように構成される出力を有する、１つ以上の第２のＰＳＮステージと、
   （ｃ）前記第１のＰＳＮステージの前記出力に結合される第１の端部を有し、前記第２のＰＳＮステージの前記入力に結合される第２の端部を有する信号経路と
   を備える、マルチステージパルス成形ネットワーク。
2. 前記第１のＰＳＮステージは、受動ＬＣフィルタを備える、請求項１に記載の回路。
3. 前記第１のＰＳＮステージは、
   （ａ）前記ＰＭＣ、または
   （ｂ）前記第１のＰＳＮステージの前記出力と前記第２のＰＳＮステージの前記入力との間に結合される前記信号経路
   のうちの少なくとも一方の寄生インダクタンスおよび／または容量特性および／または抵抗特性を利用して実装される、請求項１に記載の回路。
4. 前記第１のＰＳＮステージは、少なくとも、
   （ａ）前記ＰＭＣと、
   （ｂ）前記第１のＰＳＮステージの前記出力と前記第２のＰＳＮステージの前記入力との間に結合される前記信号経路と、
   （ｃ）ＲＦ増幅器と、
   （ｄ）前記ＰＳＮを構成する受動構成要素と
   の寄生インダクタンスおよび／または容量特性および／または抵抗特性を利用して実装される、請求項１に記載の回路。
5. 前記第１のＰＳＮステージおよび前記第２のＰＳＮステージのうちの少なくとも一方は、再構成可能なフィルタ回路を備える、請求項１に記載の回路。
6. 前記再構成可能なフィルタ回路は、リアクタンス要素の特性のインピーダンスが、前記フィルタ回路の中および外に切り替えられることができるように、前記リアクタンス要素と基準電位との間に結合されるスイッチ要素を備える、請求項５に記載の回路。
7. 前記再構成可能なフィルタ回路は、
   前記スイッチが第１のスイッチ状態にあることに応答して、第１のフィルタ特性を有する前記再構成可能なフィルタ回路が提供されるように、前記スイッチが、リアクタンス要素と基準電位との間に低インピーダンス信号経路を提供し、
   前記スイッチが第２の異なるスイッチ状態にあることに応答して、所望の周波数帯域内の第２の異なるフィルタ特性を有する前記再構成可能なフィルタ回路が提供されるように、前記スイッチが、前記リアクタンス要素と前記基準電位との間に高インピーダンス信号経路を提供する
   ように、前記リアクタンス要素と前記基準電位との間に結合されるスイッチ要素を備える、請求項５に記載の回路。
8. 前記リアクタンス要素は、１つ以上の容量性要素および／または誘導性要素を備える、請求項６に記載の回路。
9. 前記再構成可能なフィルタ回路は、１つ以上の容量性要素および／または誘導性要素および／または抵抗要素と直列または並列に結合される１つ以上の抵抗要素を備える、請求項６に記載の回路。
10. 前記ＰＳＮは、複数の第２のＰＳＮステージを備え、前記第２のＰＳＮステージの各々は、前記第１のＰＳＮステージから離間され、前記第１のＰＳＮステージから遠く、前記第２のＰＳＮステージの各々は、前記第１のＰＳＮステージの前記出力に結合されるように構成される入力を有し、複数のＲＦ増幅器のうちの対応するものの供給端子に結合されるように構成される出力を有する、請求項１に記載の回路。
11. 少なくとも１つのＰＳＮステージは、物理的に、ＰＭＣに近接して位置し、少なくとも１つのＰＳＮステージは、物理的に、ＲＦ増幅器に近接して位置する、請求項１に記載の回路。
12. 少なくとも１つのＰＳＮステージが、（１）ＰＭＣからの寄生成分と、（２）前記第１のステージを前記第２のステージに電気的に結合する前記信号経路からの寄生成分と、（３）少なくとも１つのステージをＲＦ増幅器に電気的に結合する信号経路からの寄生成分と、（４）ＲＦ増幅器からの寄生成分とのうちの１つからの寄生成分から完全に提供される、請求項１に記載の回路。
13. 少なくとも１つのＰＳＮステージは、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、磁気、および／またはフェライトビーズのうちの２つ以上を使用して形成される直列インピーダンスとシャントインピーダンスとを備える、請求項１に記載の回路。
14. 前記第１のＰＳＮステージは、複数の第１のＰＳＮステージのうちの第１のものであり、前記回路はさらに、複数の第２のＰＳＮステージを備え、前記第２のＰＳＮステージの各々は、１つ以上の第１のＰＳＮステージに結合される、請求項１に記載の回路。
15. 前記第１および第２のＰＳＮステージのうちの少なくとも一方は、前記ＰＳＮステージの電気特性を調節するための少なくとも１つのスイッチを備える、請求項１４に記載の回路。
16. 前記第１のＰＳＮステージは、複数の第１のＰＳＮステージのうちの第１のものであり、前記回路はさらに、複数の第２のＰＳＮステージを備え、前記第１のＰＳＮステージの各々は、２つ以上の第２のＰＳＮステージに結合される、請求項１に記載の回路。
17. 前記第１および第２の複数のＰＳＮステージのうちの少なくとも一方は、前記ＰＳＮステージの電気特性を調節するための少なくとも１つのスイッチを備える、請求項１６に記載の回路。
18. 無線周波数（ＲＦ）増幅器の供給端子に変動する供給バイアス電圧を提供するための離散供給変調システムであって、
    入力と出力とを有する電力管理回路（ＰＭＣ）と、
    ＲＦ入力とＲＦ出力と供給端子とを有する無線周波数（ＲＦ）増幅器と、
    前記ＰＭＣに結合される入力を有し、前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に結合される出力を有する単一のステージパルス成形ネットワークと、
    前記単一のステージＰＳＮの前記入力を前記ＰＭＣの前記出力に電気的に結合し、前記ＰＳＮの前記出力を前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に電気的に結合する信号経路であって、前記単一のステージＰＳＮは、（１）前記ＰＭＣと、（２）前記単一のステージＰＳＮを前記ＲＦ増幅器に電気的に結合する前記信号経路と、（３）前記ＲＦ増幅器とのうちの少なくとも１つからの少なくともいくつかの寄生インピーダンス要素を組み込む、信号経路と、
    を備える、離散供給変調システム。
19. 前記単一のステージＰＳＮはさらに、再構成可能なフィルタを備える、離散供給変調システム。
20. 無線周波数（ＲＦ）伝送システムであって、
    ＲＦ入力と、ＲＦ出力と、供給バイアス電圧信号を受け入れるように構成される供給端子とを有するＲＦ増幅器と、
    入力電圧を受け取るように構成される入力を有し、前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に結合される出力を有する離散供給変調システムであって、前記離散供給変調システム出力は、供給バイアス電圧信号を前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に提供するように構成される、離散供給変調システムと
    を備え、
    離散供給変調システムは、
    電力管理回路（ＰＭＣ）と、
    前記ＰＭＣに結合される入力を有し、前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に結合される出力を有する単一のステージパルス成形ネットワークと、
    前記ＰＭＣの前記出力を前記単一のステージＰＳＮの入力に電気的に結合する第１の信号経路と、
    前記ＰＳＮの前記出力を前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に電気的に結合する第２の信号経路であって、前記単一のステージＰＳＮは、
    （１）前記ＰＭＣからの１つ以上の寄生要素と、
    （２）前記ＰＭＣの前記出力を前記単一のステージＰＳＮの前記入力に電気的に結合する前記第１の信号経路からの１つ以上の寄生要素と、
    （３）前記ＰＳＮの前記出力を前記ＲＦ増幅器の前記供給端子に電気的に結合する前記第２の信号経路からの１つ以上の寄生要素と、
    （４）前記ＲＦ増幅器からの１つ以上の寄生要素と
    のうちの１つ以上を提供される寄生要素を備える、第２の信号経路と
    を備える、無線周波数（ＲＦ）伝送システム。
21. 前記単一のステージＰＳＮは、
    （１）前記ＰＭＣからの１つ以上の寄生要素と、
    （２）前記第１の信号経路からの１つ以上の寄生要素と、
    （３）前記第２の信号経路からの１つ以上の寄生要素と、
    （４）前記ＲＦ増幅器からの１つ以上の寄生要素と
    のうちの１つ以上から提供される寄生要素から完全に提供される、請求項２０に記載の無線周波数伝送システム。
22. 前記ＲＦ供給端子は、ＡＣ供給バイアス電圧およびＤＣ供給バイアス電圧のうちの一方を受け入れるように構成される、請求項２０に記載の無線周波数伝送システム。

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