JP2022533338A - フィールドリミッティングリング構成を有するx線センサ - Google Patents
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Abstract
Description
・表面領域に隣接するガードリングを提供するステップS3と、
・ガードリングの外側にフィールドストップを提供するステップS4と、
・ガード5とフィールドストップ6との間に少なくとも2つのフィールドリミッティングリングFLR7を配置するステップS5であって、第1のFLR71は、間隔[4μm;12μm]から選択されたガード5からの距離Δ1に配置され、第2のFLR72は、間隔[6.5μm;15μm]から選択された第1のFLR71からの距離Δ2に配置される、ステップと
によって接合終端を構築することも備える。提案された技術によれば、距離Δ2は、距離Δ1よりも長くなるように選択される。
Claims (29)
- X線センサ(1)であって、前記X線センサ(1)は、前記X線センサ(1)の表面領域(3)に配置された複数の検出器ダイオード(2)を備える活性検出器領域を有し、前記X線センサ(1)は、前記複数の検出器ダイオード(2)を備える前記表面領域(3)を包囲する接合終端(4)をさらに備え、前記接合終端(4)は、前記表面領域(3)の端部に最も近く配置されたガード(5)と、前記ガード(5)の外側に配置されたフィールドストップ(6)と、前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に配置された少なくとも2つのフィールドリミッティングリングFLR(7)とを備え、第1のFLR(71)は、間隔[4μm;12μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は、間隔[6.5μm;15μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きい、X線センサ。
- 前記距離Δ1は10±0.5μmであり、前記距離Δ2は13±0.5μmである、請求項1に記載のX線センサ。
- 前記接合終端(4)は、少なくとも3つのFLRを備え、第1のFLR(71)は間隔[7μm;11μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は間隔[10μm;14μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、第3のFLR(73)は間隔[13μm;17μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に配置され、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きい、請求項1に記載のX線センサ。
- 前記距離Δ1は9±0.5μmであり、前記距離Δ2は12±0.5μmであり、前記距離Δ3は15±0.5μmである、請求項3に記載のX線センサ。
- 前記接合終端(4)は、少なくとも4つのFLRを備え、第1のFLR(71)は間隔[6μm;10μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は間隔[9μm;13μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、第3のFLR(73)は間隔[12μm;16μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に配置され、第4のFLR(74)は間隔[15μm;19μm]から選択された前記第3のFLR(73)からの距離Δ4に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きい、請求項1に記載のX線センサ。
- 前記距離Δ1は8±0.5μmであり、前記距離Δ2は11±0.5μmであり、前記距離Δ3は14±0.5μmであり、前記第4の距離Δ4は17±0.5μmである、請求項5に記載のX線センサ。
- 前記接合終端(4)は、少なくとも5つのFLRを備え、第1のFLR(71)は間隔[5μm;9μm]から選択された前記ガード(20)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は間隔[8μm;12μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、第3のFLR(73)は間隔[10.5μm;14.5μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に配置され、第4のFLR(74)は間隔[13.5μm;17.5μm]から選択された前記第3のFLR(73)からの距離Δ4に配置され、第5のFLR(75)は間隔[16μm;20μm]から選択された前記第4のFLR(74)からの距離Δ5に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きく、前記距離Δ5は前記距離Δ4よりも大きい、請求項1に記載のX線センサ。
- 前記距離Δ1は7±0.5μmであり、前記距離Δ2は10±0.5μm前記距離Δ3は12.5±0.5μmであり、前記第4の距離Δ4は15.5±0.5μmであり、前記距離Δ5は18±0.5である、請求項7に記載のX線センサ。
- 前記接合終端(4)は6つのFLR(7)を備え、第1のFLR(71)は間隔[4μm;8μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は間隔[6.5μm;10.5μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、第3のFLR(73)は間隔[9μm;13μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に配置され、第4のFLR(74)は間隔[11.5μm;15.5μm]から選択された前記第3のFLR(73)からの距離Δ4に配置され、第5のFLR(75)は間隔[14μm;18μm]から選択された前記第4のFLR(74)からの距離Δ5に配置され、第6のFLR(76)は間隔[17μm;21μm]から選択された前記第5のFLR(75)からの距離Δ6に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きく、前記距離Δ5は前記距離Δ4よりも大きく、前記距離Δ6は前記距離Δ5よりも大きい、請求項1に記載のX線センサ。
- 前記距離Δ1は6±0.5μmであり、前記距離Δ2は8.5±0.5μmであり、前記距離Δ3は11±0.5μmであり、前記距離Δ4は13.5±0.5μmであり、前記距離Δ5は16±0.5μmであり、前記距離Δ6は19±0.5μmである、請求項9に記載のX線センサ(1)。
- 前記活性検出器領域は、1x1010cm-3から1x1012cm-3の間隔のドーピング濃度を有するドープ材料を備える、請求項1から10のいずれか一項に記載のX線センサ。
- 前記活性検出器領域は、前記フィールドリミッティングリングと反対のドーピングタイプを有するドープシリコンを備える、請求項1から11のいずれか一項に記載のX線センサ。
- 前記ガード(5)に最も近い前記検出器ダイオード(2)と前記ガード(5)との間の距離は、間隔[20μm;30μm]内になるように選択される、請求項1から12のいずれか一項に記載のX線センサ。
- 前記フィールドストップ(6)に最も近い前記FLR(7)と前記フィールドストップ(6)との間の距離は、間隔[20μm;50μm]から、好ましくは間隔[40μm;50μm]から選択される、請求項1から13のいずれか一項に記載のX線センサ。
- X線撮像システム(100)であって、
-X線を放出するように構成されたX線源(10)と、
-請求項1から14のいずれか一項に記載の少なくとも1つのX線センサ(1)を備えるX線検出器システム(20)と、
-画像処理装置(30)と
を備えるX線撮像システム。 - X線センサ(1)を構築する方法であって、前記方法は、
-材料基板の表面領域上に複数の検出器ダイオード(2)を提供するステップ(S1)と、
-前記材料基板に前記表面領域を包囲する接合終端を提供するステップ(S2)とを備え、前記接合終端は、
-前記表面領域に隣接するガード(5)を提供するステップ(S3)と、
-前記ガード(5)の外側にフィールドストップを提供するステップ(S4)と、
-前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に少なくとも2つのフィールドリミッティングリングFLR(7)を配置するステップ(S5)であって、第1のFLR(71)は、間隔[4μm;12μm]から選択されたガード(20)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は、間隔[6.5μm;15μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きい、ステップ(S5)と
によって構築される、方法。 - 前記少なくとも2つのFLRを配置するステップ(S5)は、10±0.5μmによって与えられる距離Δ1に前記第1のFLR(71)を配置するステップと、13±0.5μmによって与えられる前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に前記第2のFLR(72)を配置するステップとをさらに備える、請求項16に記載の方法。
- 前記少なくとも2つのFLRを配置するステップ(S5)は、少なくとも3つのFLRを配置することを備え、第1のFLR(71)は間隔[7μm;11μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1にあり、第2のFLR(72)は間隔[10μm;14μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2にあり、第3のFLR(73)は間隔[13μm;17μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3にあり、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きい、請求項16に記載の方法。
- 前記少なくとも3つのFLRを配置するステップ(S5)は、9±0.5μmによって与えられる距離Δ1に前記第1のFLR(71)を配置するステップと、12±0.5μmによって与えられる前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に前記第2のFLR(72)を配置するステップと、15±0.5μmによって与えられる前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に前記第3のFLR(71)を配置するステップとをさらに備える、請求項18に記載の方法。
- 前記少なくとも2つのFLRを配置するステップ(S5)は、前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に少なくとも4つのFLRを配置することを備え、第1のFLR(71)は間隔[6μm;10μm]から選択された前記ガード(20)からの距離Δ1にあり、第2のFLR(72)は間隔[9μm;13μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2にあり、第3のFLR(73)は間隔[12μm;16μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3にあり、第4のFLR(74)は間隔[15μm;19μm]から選択された前記第3のFLR(73)からの距離Δ4にあり、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きい、請求項16に記載の方法。
- 前記距離Δ1は8±0.5μmであり、前記距離Δ2は11±0.5μmであり、前記距離Δ3は14±0.5μmであり、前記距離Δ4は17±0.5μmである、請求項20に記載の方法。
- 前記少なくとも2つのFLRを配置するステップ(S5)は、前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に少なくとも5つのFLRを配置することを備え、第1のFLR(71)は間隔[5μm;9μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1にあり、第2のFLR(72)は間隔[8μm;12μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2にあり、第3のFLR(73)は間隔[10.5μm;14.5μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3にあり、第4のFLR(74)は間隔[13.5μm;17.5μm]から選択された前記第3のFLR(73)からの距離Δ4にあり、第5のFLR(75)は間隔[16μm;20μm]から選択された前記第4のFLR74からの距離Δ5にあり、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きく、前記距離Δ5は前記距離Δ4よりも大きい、請求項16に記載の方法。
- 前記距離Δ1は7±0.5μmであり、前記距離Δ2は10±0.5μmであり、前記距離Δ3は12.5±0.5μmであり、前記第4の距離Δ4は15.5±0.5μmであり、前記距離Δ5は18±0.5である、請求項22に記載の方法。
- 前記少なくとも2つのFLRを配置するステップ(S5)は、前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に6つのFLRを配置することを備え、第1のFLR(71)は間隔[4μm;8μm]から選択された前記ガード(5)からの距離Δ1に配置され、第2のFLR(72)は間隔[6.5μm;10.5μm]から選択された前記第1のFLR(71)からの距離Δ2に配置され、第3のFLR(73)は間隔[9μm;13μm]から選択された前記第2のFLR(72)からの距離Δ3に配置され、第4のFLR(73)は間隔[11.5μm;15.5μm]から選択された前記第3のFLR(72)からの距離Δ4に配置され、第5のFLR(75)は間隔[14μm;18μm]から選択された前記第4のFLR(74)からの距離Δ5に配置され、第6のFLR(76)は間隔[17μm;21μm]から選択された前記第5のFLR(75)からの距離Δ6に配置され、前記距離Δ2は前記距離Δ1よりも大きく、前記距離Δ3は前記距離Δ2よりも大きく、前記距離Δ4は前記距離Δ3よりも大きく、前記距離Δ5は前記距離Δ4よりも大きく、前記距離Δ6は前記距離Δ5よりも大きい、請求項16に記載の方法。
- 前記距離Δ1は6±0.5μmであり、前記距離Δ2は8.5±0.5μmであり、前記距離Δ3は11±0.5μmであり、前記距離Δ4は13.5±0.5μmであり、前記距離Δ5は16±0.5μmであり、前記距離Δ6は19±0.5μmである、請求項24に記載の方法。
- 材料基板の表面領域上に複数の検出器ダイオードを提供するステップ(S1)は、1x1010cm-3から1x1012cm-3の間隔のドーピング濃度を有するドープ材料を備える前記基板の表面領域上に複数の検出器ダイオードを提供することを備える、請求項16から25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記表面領域は、前記フィールドリミッティングリングと反対のドーピングタイプを有するドープシリコンを備える、請求項26に記載の方法。
- 前記表面領域に隣接するガード(5)を提供するステップ(S3)は、前記ガード(5)に最も近い前記検出器ダイオード(2)からの間隔[20μm;30μm]から選択された距離に前記ガードを配置することを備える、請求項16から27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガード(5)と前記フィールドストップ(6)との間に少なくとも2つのフィールドリミッティングリングFLR(7)を配置(S5)するステップ(S5)は、前記フィールドストップからの間隔[20μm;50μm]から、好ましくは間隔[40μm;50μm]から選択された距離に、前記フィールドストップ(6)に最も近い前記FLR(7)を配置することを備える、請求項16から28のいずれか一項に記載の方法。
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