JP2022519117A

JP2022519117A - 光学近接センサシステム

Info

Publication number: JP2022519117A
Application number: JP2021544858A
Authority: JP
Inventors: リウ，ジエン; シュミデッグ，クラウス; エルナンデス，ホイットニー; タイラー，ヘルムート; クリーベルネッグ，ヨーゼフ; ケリー，ジョージ・リチャード; クローズ，マット
Original assignee: Ams International AG
Current assignee: Ams International AG
Priority date: 2019-01-31
Filing date: 2020-01-30
Publication date: 2022-03-18
Also published as: CN113424448A; DE112020000680T5; WO2020157230A1; EP3918714A1; US20220109442A1; KR20210122290A

Abstract

機器は、ディスプレイスクリーンと、ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールとを含む。光学近接センサモジュールは、対象物体に向けてディスプレイスクリーンを透過する波長を有する光を産出するように動作可能な発光体と、対象物体によって反射されるとともに上記波長を有する光を感知するように動作可能な光センサとを含む。光学近接センサモジュールは、発光体によって産出される光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段を含んでもよい。光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段は、発光体によって産出された光ビームを横切るように発光体とディスプレイスクリーンとの間に設けられる。いくつかの場合においては、ディスプレイスクリーン上の目に見えるスポットを産出せずに、近接感知のために十分な光学エネルギを提供するように集合的に動作可能な多数の発光体がある。これらのおよび他の技術は、発光体からのエネルギによって生じるディスプレイスクリーン歪みを低減するまたはなくすのに役立ち得る。

Description

本開示の分野
この開示は、光学近接感知システムに関する。

背景
スマートフォン工業設計における近年のトレンドは、ベゼル幅を減らし、光学センサのための開口ならびにマイク、スピーカおよび／または指紋リーダ装置のための他の穴を減らすことにより残りのベゼル領域を片付けることによって、スクリーン領域を最大化することである。一方で、追加の機能のために光学センサの数は増える傾向にもある。たとえば、ある場合においては、使用者がスマートフォンを耳に近づけるときに、ディスプレイスクリーンの明るさの調節を容易にし、ディスプレイ全体のエネルギ消費を減らすために、光学近接センサがスマートフォンに統合される。光学近接感知は、典型的には、赤外（ＩＲ）光または近赤外（ＮＩＲ）光を放出し、検知対象となる物体から反射される光エネルギを測定することに依存する。

スマートフォン市場におけるさらなるトレンドは、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ：organic light emitting display）の採用である。このトレンドは、近接センサをスマートフォンのベゼルからＯＬＥＤの下の位置まで移動させる機会を作り出す。結果として、近接センサはＯＬＥＤの裏側に埋め込まれ、これはＩＲおよびＮＩＲ放射を含む光を通過させることを可能にする。しかしながら、ＩＲ光またはＮＩＲ光のエネルギは、スクリーンが黒色画面を表示するときであっても、スクリーン歪み（たとえば、ある条件下で見られ得るＯＬＥＤスクリーン上の明るい点）を生じさせることがある。

概要
本開示は、近接センサモジュールにおける発光体からのエネルギによって生じるディスプレイスクリーン歪みを低減するまたはなくすのに役立つ技術について説明する。

たとえば、１つの局面において、本開示は、ディスプレイスクリーンと、ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールとを含む機器について説明する。光学近接センサモジュールは、対象物体に向けてディスプレイスクリーンを透過する波長を有する光を産出するように動作可能な発光体と、対象物体によって反射されるとともに上記波長を有する光を感知するように動作可能な光センサとを含む。光学近接センサモジュールは、また、発光体によって産出される光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段を含む。光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段は、発光体によって産出された光ビームを横切るように発光体とディスプレイスクリーンとの間に設けられる。

いくつかの実施は、以下の構成のうちの１つ以上を含む。たとえば、いくつかの例において、ディスプレイスクリーンは、ＯＬＥＤディスプレイスクリーンである。光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段は、たとえば、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ、および／または光学ディフューザを含んでもよい。光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段は、ＯＬＥＤスクリーンに入射する光ビームの最大エネルギ密度を低減するように、光ビームを放射状に広げるように動作し得る。いくつかの実施において、光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段から出る光ビームは、発光体によって放出された光ビームよりも大きいハーフビーム・半値幅を有する。いくつかの例において、発光体は、赤外光または近赤外光を産出するように動作可能である。

別の局面によれば、本開示は、ディスプレイスクリーンと、ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールとを含む機器について説明する。光学近接センサモジュールは、対象物体に向けてディスプレイスクリーンを透過する赤外光または近赤外光を産出するように動作可能な多数の発光体と、対象物体によって反射された赤外光または近赤外光を感知するように動作可能な光センサとを含む。発光体は、集合的に、近接感知のために十分な光学エネルギを提供するように動作可能である。特に、発光体は、近接感知のために光学エネルギを広げ、これによりディスプレイスクリーンの歪みを低減する。

いくつかの例において、発光体の各々は、ディスプレイスクリーンの裏側に入射する光の最大エネルギ密度が低減される一方、総エネルギは近接感知の実行を容易にするために維持されるように、エネルギ密度を産出するように動作可能である。ディスプレイスクリーンは、たとえば、ＯＬＥＤディスプレイスクリーンであり得る。

本開示は、また、ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールにおける複数のＶＣＳＥＬの各々に、対象物体に向けてディスプレイスクリーンを透過する赤外光または近赤外光を産出させることを含む方法について説明する。ＶＣＳＥＬの各々は、２．０ｍＷの最大エネルギレベル、好ましくは１．５ｍＷの最大エネルギレベルを産出する。上記方法は、対象物体によって反射された赤外光または近赤外光を感知することと、近接感知のために感知された赤外光または近赤外光に対応する信号を処理することとをさらに含む。いくつかの実施において、上記方法は、複数のＶＣＳＥＬの各々に２～３ｍＡの範囲の駆動電流を印加することを含む。このような方法は、ある場合において、スクリーン歪みをなくすまたは低減するのに役立ち得る。

他の局面、構成および利点が、以下の詳細な説明、添付の図面および請求項から容易に明らかになるであろう。

ディスプレイスクリーンの裏側の光学近接センサモジュールを含むホスト装置の様々な構成を示す図である。第１の実施に係る光学近接センサモジュールの詳細を示す図である。いくつかの実施に係る図２の近接センサのさらなる詳細を示す図である。図３Ａの上面図である。図３Ｂの線Ａ－Ａを通る断面図である。マイクロレンズアレイの第１の例を示す図である。マイクロレンズアレイの第２の例を示す図である。第２の実施に係る光学近接センサモジュールの詳細を示す図である。第３の実施に係る光学近接センサモジュールの詳細を示す図である。

詳細な説明
図１に示されるように、携帯用コンピューティング装置（たとえば、スマートフォン、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤＡ：personal digital assistant）、ラップトップまたはウェアラブル）などのホスト装置１０は、フロントガラス２０の直下に設けられ得る、ＯＬＥＤタイプまたは他のディスプレイスクリーン１２を含む。光学近接センサモジュール１４は、ディスプレイスクリーン１２の一部の直下に設けられ、ホスト装置１０の外側の対象物体に向けて光（たとえば、赤外放射または近赤外放射）を放出するとともに、センサモジュール１４に戻るように対象物体によって反射された光を感知するように動作可能である。

電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）１６は、近接センサモジュール１４からの信号を受信、処理および分析し、それに応じて、たとえば検知された光の量に応じて指定された作用を実行するように動作可能である。ある場合においては、たとえば、ＥＣＵ１６は、ディスプレイスクリーン１２の明るさを調節させ得る。いくつかの例においては、検知／解放イベントは、割込み駆動され、近接結果が上側および／または下側閾値設定を超えるときに起こる。ＥＣＵ１６は、たとえば、センサハブのためのプロセッサまたは携帯コンピューティング装置１０における何らかの他のプロセッサであり得る。ＯＬＥＤの全体の明るさは、たとえば、直列のトランジスタを用いて各画素のＰＷＭ変調をその画素で適用することによって、または各画素を駆動し得る電流の全体範囲を調節することによって制御され得る。

図２の例に示されるように、近接センサモジュール１４は、（たとえば、９４０ｎｍの波長における）ＩＲ放射またはＮＩＲ放射を放出するように動作可能な、発光ダイオード（ＬＥＤ：light emitting diode）または垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：vertical cavity surface emitting laser）などの放射体２２と、工場校正されたＬＥＤドライバとを含む。近接センサモジュール１４は、放射体２２によって放出された同じ波長の光を感知するように動作可能なフォトダイオード受信機などの光センサ２４も含む。フォトダイオード受信機は、フォトダイオードからの信号を処理するように動作可能な関連回路を含んでもよい。発光体２２およびフォトダイオード受信機２４の各々は、たとえば、それぞれのダイ（すなわち、半導体チップ）として実施されてもよく、プリント回路基板または他の基板３４上に設置されてもよい。

ある発光体は、そのエネルギ密度が実質的にベルカーブのような形状である、すなわち、そのエネルギ密度が放射体の中心光学軸においてまたは付近において最大値を有するとともに中心光学軸からの距離に伴って減少する、光ビームを産出する。放射体２２によって産出される最大エネルギ密度は、ＬＥＤスクリーン１２上に歪みを起こすほど十分高いものであり得るが、これはこのような歪みを防ぐためのステップが行われない場合である。

図２の例にさらに示されるように、近接センサモジュール１４は、発光体２２によって産出されてＯＬＥＤスクリーン１２に入射する最大エネルギ密度を低減するための手段を含む。したがって、いくつかの実施において、近接センサモジュール１４は、放射体２２によって放出されたビーム２８の経路に設けられるマイクロレンズまたはマイクロレンズアレイ２６を含む。マイクロレンズまたはマイクロレンズアレイ２６は、ＯＬＥＤスクリーン１２の裏側に入射する前にビーム２８を横切り、ビーム２８を放射状にいくらか広げ、これによりＯＬＥＤスクリーンに入射するビーム３０の最大エネルギ密度を低減する。よって、一般に、マイクロレンズまたはマイクロレンズアレイ２６は、放射体２２単独で産出されたビーム２８よりも幅広いビーム３０（たとえば、より大きいハーフビーム・半値幅を有するビーム）を産出する。ＯＬＥＤスクリーン１２に入射するビーム３０の最大エネルギ密度を低減することは、スクリーン歪み（または少なくもこのような歪みの使用者の知覚）を低減するまたはなくすことを可能にする。さらに、いくつかの例において、マイクロレンズアレイ２６は、より均一なビーム３０を提供するように実施されてもよい。いくつかの例においては、マイクロレンズまたはマイクロレンズアレイ２６は、マイクロレンズまたはマイクロレンズアレイを離れる光ビーム３０がＯＬＥＤディスプレイの表面に実質的に垂直になるように動作可能である。この構成は、光センサ２４上に衝突するＯＬＥＤスクリーン１２によって反射され得る光の量を低減するのに役立ち、これにより光学クロストークを低減する。

図３Ａから図３Ｃは、いくつかの実施に係る近接センサモジュール１４のさらなる詳細を示す。マイクロレンズアレイ２６は、ある場合において、放射体２２の真上の約４８０μｍ^２の領域をカバーする。他の実施については、マイクロレンズアレイ２６の異なる領域が適当であり得る。図４は、ピッチｄ１で配置される環状マイクロレンズ２６Ａを含むマイクロレンズアレイ２６の特定的な例を示す。他の実施については異なる値が適当であり得るが、いくつかの例において、ピッチｄ１は９５μｍに等しい。図５は、ピッチｄ２で配置される六角形マイクロレンズ２６Ｂを含むマイクロレンズアレイ２６の別の例を示す。他の実施については異なる値が適当であり得るが、いくつかの例において、ピッチｄ２は９５μｍに等しい。

いくつかの実施において、最大エネルギ密度を低減するための手段は、マイクロレンズもしくはマイクロレンズアレイの代わりに、またはマイクロレンズもしくはマイクロレンズアレイに加えて、光学ディフューザを含む。

図２および図３Ａ～３Ｃにさらに示されるように、モジュール１４は、光センサ２４の上方にあって、センサ２４の光感知素子に向けて入ってくる光（たとえば、対象物体によって反射される光）を方向付けるように動作可能な、レンズなどの光学素子３２を含んでもよい。このような光学素子３２を設けることは、感度およびノイズ除去を改善するのに役立ち得る。

いくつかの実施において、図６の例に示されるように、多数の発光体２２が、近接センサモジュール１１４に設けられ、ＯＬＥＤスクリーン１２に入射する、結果として生じる光点を広げるように、互いに対して配置される。この場合、放射体２２の各々は、より低い最大エネルギ密度を産出するように動作可能であるため、ＯＬＥＤスクリーン１２の裏側に入射するＩＲ光またはＮＩＲ光の密度は低減される一方、総エネルギは近接感知のために満足のいく実行を達成するように維持される。たとえば、いくつかの例においては、各ＶＣＳＥＬ発光体２２に１５ｍＡの電流を印加する代わりに、５ｍＡの電流が印加される。他の実施については、異なる電流値が適当であり得る。いくつかの例においては、３ｍＷ／ｍｍ^２の最大光学エネルギ密度がＯＬＥＤスクリーン１２の裏側に入射する。いくつかの場合において、各ＶＣＳＥＬは、約２．０ｍＷの最大エネルギレベル、好ましくは約１．５ｍＷの最大エネルギレベル（いくつかのＶＣＳＥＬについて約２～３ｍＡの駆動電流に対応する）を産出するように動作されて、スクリーン歪みを防止する。さらに、図６の例は３つの放射体２２を示すが、他の実施が２つのみの放射体を用いてもよく、または３つよりも多い放射体を用いてもよい。任意の場合において、同じ領域に光エネルギを集中させてＯＬＥＤスクリーン画素が悪影響を及ぼされることなく近接感知のために十分な光学エネルギを提供するために（たとえば、裸眼の人間の目に見えるＯＬＥＤスクリーン上の点を産出することを回避するように、またはその他の方法で生じる歪みを低減するように）、多数の放射体２２が用いられる。

図７は、図２および図３の技術を組み合わせる例を示す。したがって、近接センサモジュール１１４は、図２～５に関連して記載されたような、最大エネルギ密度を低減するための手段２６（たとえば、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイまたはディフューザ）と、図６に関連して記載されたような、多数の発光体２２とを含む。

この開示において参照されるスマートフォンおよび他のホストコンピューティング装置の設計は、１つ以上のプロセッサと、１つ以上のメモリ（たとえば、ＲＡＭ）と、保存装置（たとえば、ディスクまたはフラッシュメモリ）と、ユーザインターフェース（たとえば、キーパッド、ＴＦＴＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイスクリーン、タッチまたは他のジェスチャセンサ、カメラまたは他の光学センサ、コンパスセンサ、３Ｄ磁力計、３軸加速度計、３軸ジャイロスコープ、１つ以上のマイクなどを、グラフィカルユーザインターフェースを提供するためのソフトウェア命令とともに含み得る）と、これらの要素間の相互接続（たとえば、バス）と、他の装置との通信のためのインターフェース（ＧＳＭ、３Ｇ、４Ｇ、ＣＤＭＡ、ＷｉＦｉ、ＷｉＭａｘ、Ｚｉｇｂｅｅもしくはブルートゥース（登録商標）（Bluetooth（登録商標））などの無線および／またはイーサネット（Ethernet）ローカルエリアネットワーク、Ｔ－１インターネットコネクションによるものなどの有線であり得る）とを含み得る。

主題の様々な局面およびこの明細書に記載された機能的な動作は、デジタル電子回路において、またはこの明細書に開示された構造およびそれらの構造的等価物を含む、コンピュータソフトウェア、ファームウェアもしくはハードウェアにおいて、またはそれらの１つ以上の組み合わせにおいて実施され得る。したがって、この明細書に記載された主題の局面は、１つ以上のコンピュータプログラム製品、すなわちデータ処理機器による実行のための、またはデータ処理機器の動作を制御するためのコンピュータ読取可能媒体上にエンコードされたコンピュータプログラム命令の１つ以上のモジュールとして実施されてもよい。コンピュータ読取可能媒体は、機械読取可能保存装置、機械読取可能保存基板、メモリ装置、機械読取可能伝播信号に影響する物の合成物、またはそれらの１つ以上の組み合わせであってもよい。機器は、ハードウェアに加えて、当該のコンピュータプログラムのための実行環境を形成するコード、たとえばプロセッサファームウェアを構成するコードを含んでもよい。

コンピュータプログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、スクリプト、またはコードとしても知られる）は、編集言語または通訳言語を含む任意のプログラム言語の形態で書かれてもよく、スタンドアローンプログラムとして、またはモジュール、コンポーネント、サブルーチンもしくはコンピューティング環境において用いられるのに適した他のユニットとして、任意の形態で展開されてよい。コンピュータプログラムは、ファイルシステムにおけるファイルと必ずしも対応している必要はない。プログラムは、他のプログラムまたはデータ（たとえば、マークアップ言語ドキュメントに保存される１つ以上のスクリプト）を保持するファイルの一部内に、当該のプログラム専用の単一のファイル内に、または多数の同格ファイル（たとえば、１つ以上のモジュール、サブプログラム、もしくはコードの一部を保存するファイル）内に保存されてもよい。コンピュータプログラムは、１つの場所に位置する、または多数の場所にまたがって分配されて通信ネットワークによって相互接続される、１つのコンピュータ上または多数のコンピュータ上において実行されるように展開されてもよい。

この明細書に記載されるプロセスおよびロジックフローは、インプットデータ上で動作しアウトプットを生じさせることによって機能を実行するために、１つ以上のコンピュータプログラムを実行させる１つ以上のプログラム可能プロセッサによって実行されてもよい。プロセスおよびロジックフローは、専用論理回路、たとえばＦＰＧＡ（フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ：field programmable gate array）またはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路：application specific integrated circuit）として実行されてもよく、機器は、専用論理回路、たとえばＦＰＧＡまたはＡＳＩＣとして実行されてもよい。

コンピュータプログラムの実行に好適なプロセッサは、たとえば、汎用マイクロプロセッサおよび専用マイクロプロセッサの両者、ならびに任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサを含む。一般的に、プロセッサは、メモリもしくはランダムアクセスメモリのみ、または両方の読取りから命令およびデータを受信し得る。コンピュータの必要不可欠な要素は、命令を実行するためのプロセッサ、ならびに命令およびデータを保存するための１つ以上のメモリ装置である。コンピュータプログラム命令およびデータを保存するのに好適なコンピュータ読取可能媒体は、例として、たとえばＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ装置などの半導体メモリ装置を含む不揮発性メモリ、メディアおよびメモリ装置；たとえば内部ハードディスクまたはリムーバブルディスクなどの磁気ディスク；光磁気ディスク；ならびにＣＤＲＯＭおよびＤＶＤ－ＲＯＭディスクのすべての形態を含む。プロセッサおよびメモリは、専用論理回路によって補完されてもよく、専用論理回路に組み込まれてもよい。

この明細書は多くの具体例を含むが、これらは本発明または請求項に記載され得るものの範囲における限定として解釈されるべきではなく、むしろ本発明の特定的な実施形態への特定の構成の説明として解釈されるべきである。別個の実施形態の文脈においてこの明細書に記載されているある構成は、単一の実施形態において組み合わせて実施されてもよい。逆に、単一の実施形態の文脈において記載されている様々な構成が、多数の実施形態において別個に、または任意の好適なサブコンビネーションにおいて実施されてもよい。さらに、構成が、ある組み合わせで作用するように上記に記載され、初めにこのように請求項に記載されていたとしても、請求項に記載された組み合わせからの１つ以上の構成が、ある場合において、その組み合わせから切り取られることがあり、請求項に記載された組み合わせはサブコンビネーションまたはサブコンビネーションの変形に係るものとなり得る。

同様に、動作が特定の順序で図面に記載されているが、これは、望ましい結果を達成するために、このような動作が示された特定の順序においてもしくは一連の順序において実行されること、またはすべての図示された動作が実行されることを要求するものであると理解されるべきではない。ある状況においては、同時平行処理が有利であり得る。

多数の実施が開示された。それでも、さまざま変形が本発明の精神および範囲から逸脱せずになされ得る。したがって、他の実施が請求項の範囲内にある。

Claims

ディスプレイスクリーンと、
前記ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールと、を備え、前記光学近接センサモジュールは、
対象物体に向けて前記ディスプレイスクリーンを透過する波長を有する光を産出するように動作可能な発光体と、
前記対象物体によって反射されるとともに前記波長を有する光を感知するように動作可能な光センサと、
前記発光体によって産出される光ビームの最大エネルギ密度を低減するための手段と、を備え、前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段は、前記発光体によって産出された前記光ビームを横切るように前記発光体と前記ディスプレイスクリーンとの間に設けられる、機器。
前記ディスプレイスクリーンは、ＯＬＥＤディスプレイスクリーンである、請求項１に記載の機器。
前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段は、マイクロレンズを含む、請求項１または２に記載の機器。
前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段は、マイクロレンズアレイを含む、先行する請求項のいずれか一項に記載の機器。
前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段は、光学ディフューザである、先行する請求項のいずれか一項に記載の機器。
前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段は、前記ＯＬＥＤスクリーンに入射する前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するように、前記光ビームを放射状に広げるように動作可能である、先行する請求項のいずれか一項に記載の機器。
前記光ビームの前記最大エネルギ密度を低減するための前記手段から出る光ビームは、前記発光体によって放出された前記光ビームよりも大きいハーフビーム・半値幅を有する、先行する請求項のいずれか一項に記載の機器。
前記発光体は、赤外光または近赤外光を産出するように動作可能である、先行する請求項のいずれか一項に記載の機器。
ディスプレイスクリーンと、
前記ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールと、を備え、前記光学近接センサモジュールは、
対象物体に向けて前記ディスプレイスクリーンを透過する赤外光または近赤外光を産出するように動作可能な複数の発光体と、
前記対象物体によって反射された赤外光または近赤外光を感知するように動作可能な光センサと、を含み、
前記複数の発光体は、集合的に、近接感知のために十分な光学エネルギを提供するように動作可能であり、前記発光体は、前記近接感知のために前記光学エネルギを広げ、これにより前記ディスプレイスクリーンの歪みを低減する、機器。
前記発光体の各々は、前記ディスプレイスクリーンの裏側に入射する光の最大エネルギ密度が低減される一方、総エネルギは近接感知の実行を容易にするために維持されるように、エネルギ密度を産出するように動作可能である、請求項９に記載の機器。
前記ディスプレイスクリーンは、ＯＬＥＤディスプレイスクリーンである、請求項９または１０に記載の機器。
前記複数の発光体は、各々が２．０ｍＷの最大エネルギレベルを産出するように動作される、複数のＶＣＳＥＬを含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載の機器。
前記複数の発光体は、各々が１．５ｍＷの最大エネルギレベルを産出するように動作される、複数のＶＣＳＥＬを含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載の機器。
方法であって、
ディスプレイスクリーンの裏側に設けられる光学近接センサモジュールにおける複数のＶＣＳＥＬの各々に、対象物体に向けて前記ディスプレイスクリーンを透過する赤外光または近赤外光を産出させることを含み、前記ＶＣＳＥＬの各々は、２．０ｍＷの最大エネルギレベルを産出し、前記方法はさらに、
前記対象物体によって反射された赤外光または近赤外光を感知することと、
近接感知のために感知された前記赤外光または近赤外光に対応する信号を処理することと、を含む、方法。
前記ＶＣＳＥＬの各々は、１．５ｍＷの最大エネルギレベルを産出する、請求項１４に記載の方法。
前記複数のＶＣＳＥＬの各々に２～３ｍＡの範囲の駆動電流を印加することを含む、請求項１４または１５に記載の方法。