JP2022516056A - 真空絶縁ガラス（ｖｉｇ）ユニット真空及び密封封止、一体型チューブを含むｖｉｇユニット、並びに関連方法 - Google Patents

Abstract

本発明の特定の例示的な実施形態は、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニット、及び／又はその作製方法に関する。断面において見たときに、第１のガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、一体型ポンプアウトチューブは、第１の基板内に形成される。縁部封止部は、第１の基板及び第２の基板を一緒に封止する。空洞は、第１の基板と第２の基板によって画定される。空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられたスペーサは、第１の基板及び第２の基板を互いに対して実質的に平行な離間した関係に維持することを補助する。空洞は、大気圧よりも低い圧力で真空にされる。第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分は優先的に加熱されて、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を覆うブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

Description

本発明の特定の例示的な実施形態は、真空絶縁ガラス（vacuum insulated glass、ＶＩＧ）ユニット、及び／又はその作製方法に関する。より具体的には、本発明の特定の例示的な実施形態は、ＶＩＧユニット真空及び密封封止のための一体型チューブ、一体型チューブを含むＶＩＧユニットサブアセンブリ、一体型チューブを使用して作製されたＶＩＧユニット、及び／又は関連方法に関する。

背景技術及び発明の概要

真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットは、典型的には、それらの間に真空又は低圧空間／空洞を囲む、少なくとも２つの離間したガラス基板を含む。基板は、周縁部封止部によって相互接続され、典型的には、ガラス基板間の間隔を維持し、かつ基板間に存在する低圧環境によって引き起こされ得るガラス基板の崩壊を回避するための、ガラス基板間のスペーサを含む。いくつかの例示的なＶＩＧ構成は、例えば、米国特許第５，６５７，６０７号、同第５，６６４，３９５号、同第５，９０２，６５２号、同第６，５０６，４７２号、及び同第６，３８３，５８０号に開示されており、これらの開示は、全て参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

図１～図２は、典型的なＶＩＧユニット１、及びＶＩＧユニット１を形成する要素を示す。例えば、ＶＩＧユニット１は、それらの間に真空にされた低圧空間／空洞６を取り囲む、２つの離間した実質的に平行なガラス基板２、３を含み得る。ガラスシート又は基板２、３は、例えば、融着されたはんだガラスで作製され得る周縁部封止部４によって相互接続される。支持ピラー／スペーサ５のアレイは、基板２、３間に存在する低圧空間／間隙６を考慮して、ＶＩＧユニット１の基板２、３の間隔を維持するために、ガラス基板２、３間に含まれ得る。

ポンプアウトチューブ８は、例えば、ガラス基板２の一方の内面から、ガラス基板２の外面の任意選択的な凹部１１の底部まで、又は任意選択的にガラス基板２の外面まで通る開口／孔１０まで、例えば、はんだガラス９によって密封封止され得る。真空をポンプアウトチューブ８に取り付けて、例えば、連続ポンプダウン動作を使用して、内部空洞６を低圧に真空にする。空洞６を真空にした後、チューブ８の一部分（例えば、先端）を溶融して低圧空洞／空間６内の真空を封止する。任意の凹部１１は、封止されたポンプアウトチューブ８を保持し得る。任意選択的に、化学的ゲッター１２は、ガラス基板、例えば、ガラス基板２のうちの１つの内面に配置された凹部１３内に含まれ得る。化学的ゲッター１２は、空洞６が真空にされ封止された後に残存し得る特定の残留不純物を吸収又は結合するために使用され得る。

融着されたはんだガラス周縁部封止部４を有するＶＩＧユニットは、典型的には、基板２（又は基板３上）の周囲に、ガラスフリットを溶液（例えば、フリットペースト）内に堆積させることによって製造される。このガラスフリットペーストは、最終的に、ガラスはんだ縁部封止部４を形成する。スペーサ／ピラー５及びガラスフリット溶液を２つの基板２、３間に挟むように、他の基板（例えば、３）を基板２上に引き下げる。次いで、ガラス基板２、３、スペーサ／ピラー５、及び封止部材料（例えば、溶液又はペースト中のガラスフリット）を含むアセンブリ全体を、少なくとも約５００℃の温度まで加熱し、この時点で、ガラスフリットは、溶融し、ガラス基板２、３の表面を濡らし、最終的には密封周／縁部封止部４を形成する。

基板間の縁部封止部４の形成の後、ポンプアウトチューブ８を介して、真空を引き、基板２、３間に低圧空間／空洞６を形成する。空間６内の圧力は、大気圧未満、例えば、約１０^-2Ｔｏｒｒ未満のレベルまで真空プロセスによって生成され得る。空間／空洞６内の低圧を維持するために、基板２、３は密封封止される。大気圧に対するほぼ平行な基板の分離を維持するために、小さい高強度のスペーサ／ピラー５が基板間に設けられている。上述したように、一旦基板２、３間の空間６が真空にされると、ポンプアウトチューブ８は、例えば、レーザなどを使用してその先端を溶融することによって封止され得る。

孔又は開口１０内にポンプアウトチューブ８を設置するための典型的なプロセスは、予め形成されたガラス製ポンプアウトチューブ８を、ガラス基板２のうちの１つに予め形成された（例えば、ドリル加工によって）開口／孔１０内に挿入することを含む。ポンプアウトチューブ８が開口／孔１０内に着座された後、接着フリットペーストが、典型的には、ガラス基板２の外面に近接する孔１０の開口部に近い領域において、ポンプアウトチューブ８に適用される。上述のように、ポンプアウトチューブは、ＶＩＧユニット空洞の真空又はパージ後に封止され得る。

空洞を大気圧未満の圧力に真空にした後、ポンプアウトチューブの封止は、空洞を真空にするか又はパージするために使用されるポンプアウトチューブの端部を加熱して開口部を溶融させ、したがって、ＶＩＧユニットの空洞を封止することによって達成され得る。例えば、限定するものではないが、この加熱及び溶融は、ポンプアウトチューブの先端部のレーザ照射によって達成され得る。

時には、ポンプアウトチューブがガラス基板内に形成された孔に適切に着座しない場合があるかもしれない。その結果、ポンプアウトチューブは、一方の側に傾くか又は傾斜し得、したがって、孔が形成されるガラス基板の表面に対して実質的に垂直ではない。その結果、ポンプアウトチューブが不適切に着座し、ガラス基板の表面に対して望ましくない角度である状況では、レーザが、例えば、傾斜したポンプアウトチューブ頂部の様々な部分とレーザ源との間の距離の差のために、ポンプアウトチューブの先端を一貫して溶融することができないため、ポンプアウトチューブを適切に封止することは困難になり得る。ポンプアウトチューブの頂部の一貫した融解は、不完全な封止、ひいては空気漏れをもたらし得るが、これは、封止部の品質に応じて、経時的に急速に又はよりゆっくりと生じ得る。加えて、チューブの傾斜又は傾きの程度に基づいて、レーザが、頂部の代わりにチューブ壁に当たる可能性がある。レーザがチューブ壁に当たると、レーザは、チューブを潜在的に迂回し、フリットに当たる可能性があり、それにより、フリットを損傷し、空洞内への望ましくない脱ガスを引き起こし得る。

ポンプアウトチューブを孔内に着座させて、チューブの傾斜量を許容範囲内に低減する方法を提供することが望ましいように思えるだろう。この点に関して、真空及び／又はチップオフプロセスを改善する試みがなされてきた。例えば、米国特許第９，３７１，６８３号及び同第８，８３３，１０５号、並びに米国特許出願公開第２０１３／０３０６２２２号を参照されたい。これらの内容の全体は、参照により本明細書に組み込まれる。このような技法は、従来のアプローチと比較して有利である。更に、本出願の発明者らは、更なる改善が依然として可能であることを認識している。

例えば、ポンプアウトチューブは、基板に対して適切に配向されている場合であっても、依然としてＶＩＧユニットの最も外側の表面から外向きに突出する。封止されたチューブが押されるか、叩かれて緩まるか、又は全体的に若しくは部分的に破断される場合、ＶＩＧユニットは、そうでなければ望ましいであろうものよりも速く真空を失い得る。キャップは、破損などを引き起こす可能性がある衝撃に対して保護することを補助するために、突出封止されたチューブの上方に時には設けられるが、そのようなキャップは、重い機械力に対して限定された有効性を有し、追加の処理工程及び材料をＶＩＧユニット製造プロセスに加える。

したがって、ＶＩＧユニットの最も外側の表面から外向きに突出するポンプアウトチューブを含む、別個のポンプアウトチューブの必要性を完全に排除することが望ましいであろうことが理解されるであろう。

特定の例示的な実施形態の一態様は、ＶＩＧユニットを備える基板のうちの１つからの、及びそれと一体化した、ポンプアウトチューブの形成に関する。特定の例示的な実施形態では、ＶＩＧユニットサブアセンブリに挿入される別個のポンプアウトチューブの必要性が存在しない。特定の例示的実例におけるこの構成は、例えば、別個の適切に位置合わせされたチューブを提供及び封止する必要性を除去することによって、製造プロセスを単純化する。

特定の例示的な実施形態の別の態様は、封止されたチューブが、ＶＩＧユニットの最外表面を越えて突出しない（例えば、同一平面であるか、又は下方にある）ように、一体化ポンプアウトチューブの封止に関する。この構成は、特定の例示的実例において有利であるが、これは、チューブの上方に置かれた別個の突出保護キャップの必要性を低減することができ、時には排除することができるためである。保護キャップの取り外しは、次に、審美的観点から有利となることができる。その上、保護キャップの取り外しは、ＶＩＧユニットへの損傷の可能性を低減し、かつ輸送をより容易にするという観点から有利となることができる。前者に関しては、上記に触れたように、キャップをバンピングすることは、力を封止チューブに並進させることができ、これによって、キャップが移動及び／又は破断する原因となり、ＶＩＧの真空の品質を損なうことができる。後者に関しては、キャップが欠けているため、そのようなキャップを収容する特別な輸送及び／又は包装材料を使用する必要を回避することが可能であり得る。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットを作製する方法が提供される。第１のガラス基板及び第２のガラス基板が設けられる。断面において見たときに、第１のガラス基板は、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、一体型ポンプアウトチューブは、第１の基板内に形成される。第１の基板及び第２の基板は、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止され、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助する。空洞は、大気圧よりも低い圧力に真空にされる。第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分は優先的に加熱されて、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を覆うブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットの製造方法が提供される。本方法は、第１のガラス基板及び第２のガラス基板を有することを含み、第１の基板が、内部に一体型ポンプアウトチューブを含み、第１の基板が、断面において見たときに、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含む。第１の基板及び第２の基板は、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止され、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助する。空洞は、大気圧よりも低い圧力に真空にされる。第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分は加熱されて、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を覆うブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットサブアセンブリを作製する方法が提供される。第１のガラス基板が設けられる。断面において見たときに、第１のガラス基板は、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、一体型ポンプアウトチューブは、第１の基板内に形成される。一体型ポンプアウトチューブの形成に続いて、第１の基板は、別の相手方に転送され、それによって、第１の基板及び第２の基板を、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止し、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助し、空洞を大気圧よりも低い圧力に真空にし、第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分を加熱して、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を被覆するブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

特定の例示的な実施形態では、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）ユニットにおいて使用するための基板は、断面において見たときに、第１のガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、基板内の一体型ポンプアウトチューブ、を含む。

特定の例示的な実施形態では、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）ユニットは、密封縁部封止部を介して互いに実質的に平行に離間した関係で維持された第１のガラス基板及び第２のガラス基板と、第１のガラス基板と第２のガラス基板との間に画定された空洞内に配置された複数のスペーサと、を備え、空洞は、プラグレス型ポンプアウトポートを取り囲む第１のガラス基板の一部分から溶融したガラスブリッジで密封封止されたプラグレス型ポンプアウトポートを使用して、大気よりも低い圧力に真空にされる。

本明細書に記載の特徴、態様、利点、及び例示的実施形態は、更なる実施形態を実現するために組み合わされてよい。

これら及び他の特徴及び利点は、図面と併せて、例示的な実施形態の以下の詳細な説明を参照することによって、より良好かつより完全に理解され得る。

従来の真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットの断面概略図である。

従来のＶＩＧユニットの頂面図である。

特定の例示的な実施形態による、第１の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板の頂面図である。

特定の例示的な実施形態による、第２の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板の頂面図である。

特定の例示的な実施形態による、第３の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板の頂面図である。

特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブとして使用され得る第１の例示的なプロファイルを組み込んだ基板の断面図である。

特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブとして使用され得る第２の例示的なプロファイルを組み込んだ基板の断面図である。

特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブとして使用され得る第３の例示的なプロファイルを組み込んだ基板の断面図である。

特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブを封止する際に選択的に加熱される、図４の例示的なプロファイルの連続的段階を概略的に示す。 特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブを封止する際に選択的に加熱される、図４の例示的なプロファイルの連続的段階を概略的に示す。 特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブを封止する際に選択的に加熱される、図４の例示的なプロファイルの連続的段階を概略的に示す。

特定の例示的な実施形態による、封止された一体型チューブを組み込んだ基板の断面図である。

特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブに関連してＶＩＧユニットを作製するための例示的なプロセスを示すフローチャートである。

特定の例示的な実施形態に従って作製された、組み立てられたＶＩＧユニットである。

特定の例示的な実施形態は、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットを真空にするための改善された技術に関する。より具体的には、本発明の特定の例示的な実施形態は、ＶＩＧユニット真空及び密封封止のための一体型チューブ、一体型チューブを含むＶＩＧユニットサブアセンブリ、一体型チューブを使用して作製されたＶＩＧユニット、及び／又は関連方法に関する。ＶＩＧユニットを真空にし、その後封止するとき、真空経路を可能にするためにポンプアウトポートが使用される。従来、このポートは、多くの場合、フリットが上に加えられたチューブを、ガラス内にドリル加工された孔に挿入し、フリットを孔の周りに発射し、フリットを定位置に封止し、それをレーザ又は同様の集束エネルギー源で溶融することによってチューブを封止し、それによってＶＩＧユニットを密封封止することによって、封止される。特定の例示的な実施形態は、例えば、ドリル加工などによって、ポンプアウトチューブ特徴をガラス自体に形成することによって、この手法を改善する。基板と一体化したチューブは、レーザ又は他の集束エネルギー源を使用して溶融される。有利には、特定の例示的な実施形態では、追加のチューブ及び追加のフリットは、使用されない。サブアセンブリが所望の程度に既に密封であるため、追加のチューブを追加し、かつフリットを使用してそれを封止する必要なく、製品収率を改善することができる。この手法は、ＶＩＧプロセスを簡略化し、組み立て工程及び封止工程を排除する一方で、完成したＶＩＧユニットの複雑性も低減する。

特定の例示的な実施形態では、封止された一体型チューブは、ＶＩＧのガラスの外面と同一平面であるか、又はそれに対して凹んでいる。その結果、保護キャップはその上方に適用される必要はない。このことは、次に、特に積層、ハイブリッドＶＩＧ製造などの二次プロセスのために、より容易な処理をもたらすことができる。加えて、基板から外向きに突出する外側チューブの排除は、例えば、余分な突出を考慮するためにＶＩＧユニットを適切に離間させるための追加のパッキングダンネージが、設けられる必要がない場合、輸送手法において実現される改善を可能にし得る。標準的な、又はより標準的な包装などが、特定の例示的な実施形態で使用され得る。

異なる例示的な実施形態に関連して使用され得る複数の一体型チューブ設計が存在する。プロファイルは、貫通孔と、貫通孔の周りのチャネル又は溝とを作製することによって形成され得る。貫通孔とチャネルとの間に残されるガラスは、貫通孔のための１つ以上の側壁及び／又はＶＩＧユニット自体のための１つ以上の封止アームを形成する。これらの特徴は、例えば、基板にドリル加工することによって、任意の好適な様式で形成され得る。

例えば、ここでより詳細に図面を参照すると、図３Ａは、特定の例示的な実施形態による、第１の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板３２の頂面図である。一体型ポンプアウトチューブは、貫通孔３０と、貫通孔３０の周りに形成された溝、チャネル、又は凹部２２によって少なくとも部分的に画定される。図３Ａの実施例では、封止アーム２０は、実質的に円形であり、内壁面２２ａ及び外壁面２２ｂによって画定される厚さを有する。封止アーム２０の厚さは、例えば、貫通孔３０の寸法に対する溝、チャネル、又は凹部２２の寸法に基づいて変動する。溝、チャネル、又は凹部２２の異なる構成は、以下でより詳細に考察される。最終的に、封止アーム２０は、貫通孔３０の上方で崩壊するように溶融され、ＶＩＧユニットを密封封止する「プラグレス」ブリッジを形成する。

図３Ｂは、特定の例示的な実施形態による、第２の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板３２の頂面図である。図３Ｂの構成は、図３Ａの構成と同様である。しかしながら、図３Ｂの実施例では、貫通孔３０及び溝、チャネル、又は凹部２２’は両方とも、頂面図から見たときに略矩形状である。その結果、内壁面及び外壁面２２ａ’、２２ｂ’によって画定される側壁２２’はまた、頂面図から見たときに略矩形状である。

図３Ｃは、特定の例示的な実施形態による、第３の例示的な一体型ポンプアウトチューブを組み込んだ基板の頂面図である。図３Ｃは、略矩形状の貫通孔３０を含むという点で、図３Ｂと幾分類似している。しかしながら、少なくとも第１及び第２の側壁又は封止アーム２０ａ、２０ｂは、貫通孔３０の両側に設けられている。これらの側壁は、第１及び第２の溝、チャネル、又は凹部２２ａ、２２ｂと関連して形成される。図３Ｃの実施例では、封止アーム２０ａ、２０ｂは、貫通孔３０の高さと同じ又は同様ではあるが、第１及び第２の溝、チャネル、又は凹部２２ａ、２２ｂの高さよりも低い高さを有するが、他の構成が異なる例示的な実施形態で使用され得る。例えば、貫通孔、封止アーム、及び凹部の高さの一部又は全ては、例示的な実施形態に応じて、同じ又は異なってもよい。２つの封止アーム２０ａ、２０ｂ及び２つの凹部２２ａ、２２ｂが図３Ｃに示されているが、異なる例示的な実施形態では、より多い又はより少ない封止アーム及び／又は凹部が使用され得ることが理解されるであろう。

略円形の特徴が図３Ａにおける平面図に示されているが、略矩形形状の特徴が図３Ｂの平面図に示されているが、異なる例示的な実施形態が、そのような特徴のための他の形状を使用し得ることが理解されるであろう。例えば、平面視から見たとき、略正方形、卵形、及び／又は他の構成が、異なる例示的な実施形態で使用され得る。また、異なる形状の特徴が単一の実施形態に関連して使用され得ることも理解されるであろう。例えば、平面視から見た場合、例示的な実施形態は、略円形の貫通孔と、その外側の範囲において略正方形、矩形などである溝、チャネル、又は凹部と、を含み得る。同様に、平面視から見た場合、例示的な実施形態は、略矩形又は正方形の貫通孔と、その外側の範囲において略円形、楕円形などである溝、チャネル、又は凹部と、を含む。同様の観察は、図３Ｃの例示的な平面図に関して適用される。例えば、異なる形状は、（少なくとも平面視から見たときに）異なる特徴に使用され得、これによって、例えば、略矩形のサイドアームは、略卵形の貫通孔及び／又は略卵形の凹部、チャネル、又は溝などと関連して使用され得る。

図４～図６は、特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブとして使用され得る例示的な断面／プロファイルを組み込んだ基板の断面図である。図４～図６は、所与の厚さのガラスが、例えばレーザなどの集束エネルギー源で溶融されたときにそれ自体を適切に封止することができるような、ある範囲のチューブ寸法を包含することが理解されよう。図４～図６に関連して示され、説明される例示的な断面／プロファイルが、複数の肩部分、複数の上方に延在するアーム、複数の低減された厚さ部分、及び複数の凹部を含むものとして説明されることが理解されるであろう。それらの部分が、個別の構造（例えば、図３Ｃの例示的平面図などによる）、又は異なる対応する一体化構造の異なる部分であり得る（例えば、図３Ａ及び図３Ｂの例示的な平面図などによる）ことが理解されるであろう。

図４は、第１の例示的な断面図を示す。図４では、一体型ポンプアウトチューブ３０は、基板３２内の貫通孔である。断面において見たときに、基板３２は、肩部分３４ａ、３４ｂを含み、肩部分は、基板３２の全厚と一致する厚さを有する。低減した厚さ領域３６ａ、３６ｂは、ポンプアウトチューブ３０を取り囲む。上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、ポンプアウトチューブ３０の深さを画定することを補助する。断面において見られるように、肩部分３４ａ、３４ｂは、低減した厚さ領域３６ａ、３６ｂ、及び上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、Ｕ字型凹部４０ａ、４０ｂを画定する。Ｕ字型凹部４０ａ、４０ｂは、ドリル加工又は他の好適な手段によって形成され得、上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂを、チューブ３０に近接させたままにし、かつ少なくとも部分的にチューブ３０を画定する。上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、以下でより詳細に説明するように、チューブ３０を封止し、かつブリッジ部分を形成するために、レーザ又は他の直接エネルギー源を介して崩壊することになる。したがって、上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、加熱されたときに互いに向かって湾曲又は垂れ下がり、かつ孔３０の上方にカバーを形成するために接続するために十分な厚さを有する。このカバーの厚さは、ＶＩＧユニットを密封封止し、かつ真空の重量下での崩壊を回避するために十分な厚さである。

特定の例示的な実施形態では、単一の溝、チャネル、又は凹部が図４の貫通孔３０の周囲に設けられ得、複数の区分（区分４０ａ、４０ｂを含む）を含み得ることに留意されたい。同様に、図４の実施形態は、１つ以上の側壁／１つ以上の封止アームを有し得る。したがって、図４に示す上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、異なる例示的な実施形態では、単に、単一の側壁又は封止アームの異なる部分、２つ以上の異なる側壁（複数可）／封止アーム（複数可）の異なる部分であり得る。図４から理解されるように、断面において見たとき、図４の実施例は、１つ以上の実質的にＵ字型溝、チャネル、又は凹部を含む。

図５は、略矩形状の肩部分３４ａ、３４ｂ及び低減された厚さ領域３６ａ’、３６ｂ’を含むという点で、図４と幾分類似している。しかしながら、アーム３８ａ’、３８ｂ’は、実質的に台形の形状であり、低減された厚さ領域３６ａ’、３６ｂ’を本質的に短くする。アーム３８ａ’、３８ｂ’の実質的に台形の形状は、その高さが貫通孔３０において一体型ポンプアウトチューブを画定することを補助し、基部は、ＶＩＧユニットの内部に向かってより広く、ＶＩＧユニットの外部に向かってより短いように形成される。この形状はまた、略台形の凹部４０ａ’、４０ｂ’を画定することを補助する。

図５の例示的な配置は、（例えば、図４の例示的配置と比較して）一体型チューブを封止する際に使用するためにアーム３８ａ’、３８ｂ’内により多くの材料が存在するため、特定の例示的な実施形態では有利であり得る。特定の例示的な実施形態では、例えば、異なるサイズの孔／孔カッターを有する一連のドリルを使用して、例えば、プロファイルのためのより階段のある又は階段状のパターンを形成するために、実質的に台形のプロファイルは、近似され得る。例えば、より小さい直径の孔は、基板の内面により近く使用され得、孔サイズは、基板の外面に向かって外向きに移動することを漸進的に増加し得る。

図４と同様に、特定の例示的な実施形態では、単一の溝、チャネル、又は凹部が図５の貫通孔３０の周囲に設けられ得、複数の区分（区分４０ａ、４０ｂを含む）を含み得ることに留意されたい。同様に、図５の実施形態は、１つ以上の側壁／１つ以上の封止アームを有し得る。したがって、図５に示す上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、異なる例示的な実施形態では、単に、単一の側壁又は封止アームの異なる部分、２つ以上の異なる側壁（複数可）／封止アーム（複数可）の異なる部分であり得る。図５から理解されるように、断面において見たとき、図５の実施例は、１つ以上の実質的に台形の溝、チャネル、又は凹部を含む。

図６は、特定の例示的な実施形態に関連して使用され得る別の例示的な断面図である。図６に示されるように、ポンプアウトチューブ３０を取り囲む凹部４０ａ’’、４０ｂ’’は、より湾曲しており（例えば、半円形）、これにより、肩部分３４ａ’’、３４ｂ’’、低減された厚さ部分３６ａ’’、３６ｂ’’、及びアーム３８ａ’’、３８ｂ’’の形状の変化を引き起こす。湾曲凹部４０ａ’’、４０ｂ’’は、特定の例示的な実施形態では、実質的にＵ字型であり得る。Ｕ字型は、例えば、場合によっては、一方の側に歪められ得る。例えば、図６では、図５に示されるように、いくつかの例では、より多くの歪みが使用され得るが、傾斜がチューブ３０に向かってより急になるように、Ｕ字型は歪められる。

図４～図５と同様に、特定の例示的な実施形態では、単一の溝、チャネル、又は凹部が図６の貫通孔３０の周囲に設けられ得、複数の区分（区分４０ａ、４０ｂを含む）を含み得ることに留意されたい。同様に、図６の実施形態は、１つ以上の側壁／１つ以上の封止アームを有し得る。したがって、図６に示す上方に延在するアーム３８ａ、３８ｂは、異なる例示的な実施形態では、単に、単一の側壁又は封止アームの異なる部分、２つ以上の異なる側壁（複数可）／封止アーム（複数可）の異なる部分であり得る。図６から理解されるように、断面において見たとき、図６の実施例は、１つ以上の実質的に台形の溝、チャネル、又は凹部を含む。

上述したように、図４～図６は、断面図である。したがって、一体型ポンプアウトチューブは、任意の好適なサイズ、形状、又は構成であり得ることが理解されるであろう。上記図３Ａ～図３Ｃの考察と一致して、例えば、平面視から、一体型ポンプアウトチューブは、実質的に円形、卵形、矩形、及び／又は同様のものであり得る。同様に、上記図３Ａ～図３Ｃの考察と一致して、適切なチューブ寸法を提供するために好適な複数のプロファイル／断面が存在し、異なる例示的な実施形態では、異なるプロファイルが使用され得ることが理解されるであろう。

図７Ａ～図７Ｃは、特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブを封止する際に選択的に加熱される、図４の例示的なプロファイルの連続的段階を概略的に示す。加熱をどのように達成することができるかに関する例示的な詳細は、図９に関連して以下に提供される。レーザ又は他のエネルギー源への曝露を介して、アーム（複数可）は、互いに向かって内向きに崩壊又は垂れ下がるように引き起こされる。したがって、先端部分６１ａ、６１ｂは、図７Ａにおけるチューブ３０ａを閉鎖し始める。熱への継続的な曝露は、チューブ３０ｂを更に閉鎖し、図７Ｂでは先端部６１ａ’、６１ｂ’を更により接近させる。図７Ｃでは、先端部分６１ａ’’、６１ｂ’’が互いに向かって更に近くに垂れ下がるにつれて、チューブ３０Ｃは、ほぼ完全に閉鎖される。

特定の例示的な実施形態では、加熱することは、封止壁を実質的に溶融するための第１又はコア加熱段階と、続いて、第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分を一緒に垂れ下がり、ブリッジを形成させる第２の段階と、を含む、優先的加熱であり得る。これらの段階の一方又は両方は、ＶＩＧユニットサブアセンブリの残りの部分に対して封止壁を優先的に加熱し得る。レーザ加熱は、異なる例示的な実施形態において、いずれか又は両方の段階に使用され得る。レーザ加熱が本明細書で言及されているが、赤外線（ＩＲ）加熱は、本明細書に記載される任意の加熱手順に関連して使用され得ることが理解されるであろう。

図８は、特定の例示的な実施形態による、封止された一体型チューブを組み込んだ基板の断面図である。図８に見られるように、チューブは封止される。したがって、ポケット７１の上方にブリッジ又はカバー７３が存在する。ポケット７１は、ＶＩＧユニットの内部にあり、真空で保持される。特定の例示的な実施形態では、カバー７３は、図８から理解され得るように、基板の肩部分と同一平面又は実質的に同一平面である。特定の例示的な実施形態では、カバー７３は、基板の外面と同一平面ではなく、それを超えて突出しない。特定の例示的な実施形態では、構造的又は非構造的シーラント材料は、例えば、基板の外側表面に対して任意の凹入領域を「充填する」ように、カバー７３の周囲に設けられ得る。

一体化チューブが設けられる特定の例示的な実施形態では、貫通孔は、直径又は主距離が０．５～５ｍｍ、より好ましくは、直径又は主距離が１．５～４ｍｍ、及び更により好ましくは、直径又は主距離が２～３．５ｍｍであり得る。特定の例示的な実施形態では、チューブ側壁の厚さは、厚さ０．２～０．５ｍｍ、より好ましくは厚さ０．２５～０．４５ｍｍであり得る。

米国特許第９，３７１，６８３号（その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる）の技法は、例えば、側壁（複数可）／封止アーム（複数可）の対向する周縁部を互いに向かって垂れ下げ、ブリッジを形成するように（例えば、図８に示すように）、側壁（複数可）／封止アーム（複数可）に近接するチューブの周りにますます小さい円又は他の接続したパターンを追跡することによって、一体型チューブを封止するために使用され得る。複数の別個の側壁／封止アームが設けられる場合、より狭い幅の漸進的走査が同様の効果に使用され得る。例えば、１つ以上のレーザを使用して、第１及び第２の上方に突出する封止アームに沿って走査して、それらを互いに向かって垂れ下がらせ得る。レーザ（複数可）は、例えば、垂れ下がりがブリッジの形成において発生し続けるときに、互いにますます近い走査線又は走査領域に沿って集束され得る。

図９は、特定の例示的な実施形態による、一体型ポンプアウトチューブに関連してＶＩＧユニットを作製するための例示的なプロセスを示すフローチャートである。工程Ｓ８１では、一体型ポンプアウトチューブプロファイルは、例えば、１つ以上のドリル加工操作などを介して、第１の基板に形成される。工程Ｓ８３では、スペーサ又はピラーが、第２の基板上に置かれる。工程Ｓ８５では、フリット材料が、第２の基板の周縁部に適用される。第１及び第２の基板は、空洞がその間に形成されるように工程Ｓ８７で一緒に記録され、密封縁部封止部は、工程Ｓ８９において（例えば、レーザ加熱、炉内での加熱、赤外線ヒータの使用、及び／又は同様のものを介して）形成される。空洞は、工程Ｓ９１で大気圧よりも低い圧力に真空にされる。一体型チューブは、任意選択的に、例えば、真空を維持しながら、工程Ｓ９３で予熱される。これは、レーザなどを介して、赤外線ヒータを使用して、オーブンを使用して達成され得る。コア加熱は、工程Ｓ９５で実行され、チェイス加熱は、封止されるまで（例えば、工程Ｓ９９で示されるように）、工程Ｓ９７で繰り返し実行される。工程Ｓ９５のコア加熱プロセスは、溶融プロセスのバルクを提供する一方で、工程Ｓ９７のチェイス加熱は、例えば、側壁（複数可）／封止アーム（複数可）、貫通孔、生じている垂れ下がりなどの構成に応じて、漸進的により小さい円周、面積、及び／又は同様のものにおいて提供される。一旦封止されると、工程Ｓ１０１で更に処理するために、ユニットは移動され得る。

図９の工程、及び例示的なプロセスは、異なる相手方によって任意の好適な順序で実行され得、及び／又は、異なる例示的な実施形態では更なる工程が設けられ得ることが理解されるであろう。例えば、異なる相手方は、ＶＩＧ及び／又はポートを封止する相手方と比較して、孔を形成し得る。特定の例示的な実施形態では、チューブプロファイルは、第１の基板内に形成されることになり、第１及び／又は第２の基板は強化され得、フリットは、第１及び／又は第２の基板の周縁部に適用され得、スペーサは配置され得、次いで、他の動作は実行され得る（例えば、図９に示すように）。

図１０は、特定の例示的な実施形態に従って作製された、組み立てられたＶＩＧユニットである。第１の基板３２’は、上述のように、一体型ポンプアウトチューブから得られるカバー又はブリッジ７３を含む。第１の基板及び第２の基板３２’、２は、フリットベースの縁部封止部４を介して一緒に密封封止され、間隙又は空洞６がそれらの間に画定されるように、ピラー５を介して実質的に平行な離間した関係で保持される。

本明細書に開示される技法が、例えば、ＶＩＧウィンドウ用途、マーチャンダイザー、積層製品、ハイブリッドＶＩＧユニット（例えば、基板がスペーサーシステムを介してＶＩＧユニットから離間されているユニット）などを含む多種多様な用途で使用され得ることが理解されるであろう。

本明細書で使用するとき、「熱処理」及び「熱処理する」という用語は、ガラス含有物品の、熱焼き戻し及び／又は熱強化を達成するために十分な温度まで物品を加熱することを意味する。この定義は、例えば、オーブン又は加熱炉内でコーティングされた物品を、少なくとも約５５０℃、より好ましくは少なくとも約５８０℃、より好ましくは少なくとも約６００℃、より好ましくは少なくとも約６２０℃、最も好ましくは少なくとも約６５０℃の温度で十分な期間にわたって加熱して、焼き戻し及び／又は熱強化を可能にすることを含む。これは、特定の実施形態において、少なくとも約２分、又は最大約１０分であってよい。これらのプロセスは、異なる時間及び／又は温度を伴うように適合されてもよい。

本明細書で使用するとき、「～上」及び「～によって支持されている」などの用語は、明示的に記載されない限り、２つの要素が互いに直接隣接していることを意味するものと解釈されるべきではない。換言すれば、第１の層は、第２の層との間に１つ以上の層が存在する場合であっても、第２の層「上」又は「によって支持されている」とされ得る。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットの製造方法が提供される。第１のガラス基板及び第２のガラス基板が設けられる。断面において見たときに、第１のガラス基板は、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、一体型ポンプアウトチューブは、第１の基板内に形成される。第１の基板及び第２の基板は、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止され、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助する。空洞は、大気圧よりも低い圧力に真空にされる。第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分は優先的に加熱されて、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を覆うブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

前の段落の特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成され得、及び／又は封止壁部分は、貫通孔を取り囲む単一の封止壁の部分であるように形成される。

前の２つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、断面において見たときに、少なくとも最初は実質的にＵ字型、実質的に半円形、実質的に台形、及び／又は同様のものであり得る。

前の３つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、ドリル加工を介して形成され得る。

前述の４つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、優先的加熱は、封止壁部分を実質的に溶融するためのコア加熱段階と、続いて、第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分を一緒に垂れ下げて、ブリッジを形成させるレーザ加熱と、を含み得る。

５つの前の段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、優先的加熱は、レーザ加熱であり得、例えば、これによって、レーザ加熱が、ブリッジを形成するときに、互いに向かって垂れ下がる際、封止壁部分を追跡することを含むように、実行され得る。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットの製造方法が提供される。本方法は、第１のガラス基板及び第２のガラス基板を有することを含み、第１の基板が、内部に一体型ポンプアウトチューブを含み、第１の基板が、断面において見たときに、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含む。第１の基板及び第２の基板は、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止され、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助する。空洞は、大気圧よりも低い圧力に真空にされる。第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分は加熱されて、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を覆うブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

前の段落の特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成され得、及び／又は封止壁部分は、貫通孔を取り囲む単一の封止壁の部分であるように形成され得る。

前の２つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、ドリル加工を介して形成され得る。

前の３つの前の段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、加熱することは、封止壁部分を実質的に溶融するための第１の加熱段階と、続いて、第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分を一緒に垂れ下げて、ブリッジを形成させる第２の加熱段階と、を含み得る。例えば、第２の加熱段階は、レーザを使用して実施され得、ブリッジを形成するときに、互いに向かって垂れ下がる際、封止壁部分を追跡することを任意選択的に伴い得る。

前の４つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、加熱はレーザ加熱である。

特定の例示的な実施形態では、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットサブアセンブリを作製する方法が提供される。第１のガラス基板が設けられる。断面において見たときに、第１のガラス基板は、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、一体型ポンプアウトチューブは、第１の基板内に形成される。一体型ポンプアウトチューブの形成に続いて、第１の基板は、別の相手方に転送され、それによって、第１の基板及び第２の基板を、第１の基板及び／又は第２の基板の周縁部の周囲に設けられた縁部封止部に関連して、一緒に封止し、空洞は、第１の基板及び第２の基板によって画定され、空洞内の第１の基板と第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で第１の基板及び第２の基板を維持することを補助し、空洞を大気圧よりも低い圧力に真空にし、第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分を加熱して、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を被覆するブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止する。

前の段落の特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、ドリル加工を介して形成され得る。

前の２つの段落のいずれかの特徴に加えて、特定の例示的な実施形態では、チャネル部分は、貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成され得、及び／又は封止壁部分は、貫通孔を取り囲む単一の封止壁の部分であるように形成され得る。

特定の例示的な実施形態は、前の１４の段落のいずれかの方法によって作製された真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットに関する。同様に、特定の例示的な実施形態は、前の１４の段落のいずれかに従って設けられた第１の基板に関する。

特定の例示的な実施形態では、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）ユニットにおいて使用するための基板は、断面において見たときに、第１のガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、基板内の一体型ポンプアウトチューブ、を含む。

特定の例示的な実施形態では、真空断熱ガラス（ＶＩＧ）ユニットは、密封縁部封止部を介して互いに実質的に平行に離間した関係で維持された第１のガラス基板及び第２のガラス基板と、第１のガラス基板と第２のガラス基板との間に画定された空洞内に配置された複数のスペーサと、を備え、空洞は、プラグレス型ポンプアウトポートを取り囲む第１のガラス基板の一部分から溶融したガラスブリッジで密封封止されたプラグレス型ポンプアウトポートを使用して、大気よりも低い圧力に真空にされる。

本発明は、現在実用的で好ましい実施形態と考えられるものと関連して説明されたが、本発明は、開示される実施形態に限定されるものではなく、寧ろ、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内に含まれる様々な修正及び同等の構成を網羅することを意図するものであることを理解されたい。

Claims (22)

1. 真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットを作製する方法であって、
   第１のガラス基板及び第２のガラス基板を設けることと、
   断面において見たときに、前記第１のガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、前記第１の基板内に一体型ポンプアウトチューブを形成することと、
   前記第１の基板及び／又は前記第２の基板の周縁部に近接して設けられた縁部封止部、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間の空洞に関連して、前記第１の基板及び前記第２の基板を一緒に封止することであって、複数のスペーサが、前記空洞内の少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で前記第１の基板及び前記第２の基板を維持することを補助する、封止することと、
   前記空洞を大気圧よりも低い圧力に真空にすることと、
   前記第１の封止壁部分及び前記第２の封止壁部分を優先的に加熱して、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、ＶＩＧユニットを密封封止するために前記貫通孔を覆うブリッジを形成することと、を含む、方法。
2. 前記チャネル部分が、前記貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成される、請求項１に記載の方法。
3. 前記封止壁部分が、前記貫通孔を取り囲む単一の封止壁部の部分であるように形成される、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記チャネル部分が、断面において見たとき、少なくとも最初は実質的にＵ字形であるように形成される、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記チャネル部分が、断面において見たとき、少なくとも最初は実質的に半円形であるように形成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記封止壁部分が、断面において見たとき、実質的に台形であるように形成される、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記チャネル部分が、ドリル加工を介して形成される、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記優先的加熱が、前記封止壁部分を実質的に溶融するためのコア加熱段階と、続いて、前記第１の封止壁部分及び前記第２の封止壁部分を一緒に垂れ下げて、ブリッジを形成させるレーザ加熱と、を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記優先的加熱が、レーザ加熱を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記レーザ加熱が、前記ブリッジを形成するときに、互いに向かって垂れ下がる際、前記封止壁部分を追跡することを含む、請求項９に記載の方法。
11. 真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ウィンドウユニットを作製する方法であって、
    第１のガラス基板及び第２のガラス基板を有することであって、前記第１の基板が、内部に一体型ポンプアウトチューブを含み、前記第１の基板が、断面において見たときに、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含む、有することと、
    前記第１の基板及び／又は前記第２の基板の周縁部に近接して設けられた縁部封止部、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間の空洞に関連して、前記第１の基板及び前記第２の基板を一緒に封止することであって、複数のスペーサが、前記空洞内の少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で前記第１の基板及び前記第２の基板を維持することを補助する、封止することと、
    前記空洞を大気圧よりも低い圧力に真空にすることと、
    前記第１の封止壁部分及び前記第２の封止壁部分を加熱して、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、貫通孔を被覆するブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止することと、を含む、方法。
12. 前記チャネル部分が、前記貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成され、及び／又は前記封止壁部分が、前記貫通孔を取り囲む単一の封止壁の部分であるように形成される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記チャネル部分が、ドリル加工を介して形成される、請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 前記加熱することが、前記封止壁部分を実質的に溶融するための第１の加熱段階、続いて、前記第１の封止壁部分及び前記第２の封止壁部分を一緒に垂れ下げて、ブリッジを形成させる第２の加熱段階を含む、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記第２の加熱段階が、レーザを使用して実施され、前記ブリッジを形成するときに、互いに向かって垂れ下がる際、前記封止壁部分を追跡することを含む、請求項１４に記載の方法。
16. 前記加熱することが、レーザ加熱を含む、請求項１１～１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットサブアセンブリを作製する方法であって、
    第１のガラス基板を設けることと、
    断面において見たときに、前記第１のガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、前記第１の基板内に一体型ポンプアウトチューブを形成することと、
    前記一体型ポンプアウトチューブの形成に続いて、前記第１の基板を、
    前記第１の基板及び／又は前記第２の基板の周縁部に近接して設けられた縁部封止部、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間の空洞に関連して、前記第１の基板及び前記第２の基板を一緒に封止することであって、複数のスペーサが、前記空洞内の少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、互いに実質的に平行な離間した関係で前記第１の基板及び前記第２の基板を維持することを補助する、封止することと、
    前記空洞を大気圧よりも低い圧力に真空にすることと、
    前記第１の封止壁部分及び前記第２の封止壁部分を加熱して、それらを一緒に垂れ下げさせることにより、前記貫通孔を被覆するブリッジを形成し、ＶＩＧユニットを密封封止することと、のために別の相手方に転送することと、を含む、方法。
18. 前記チャネル部分が、ドリル加工を介して形成される、請求項１７に記載の方法。
19. 前記チャネル部分が、前記貫通孔を取り囲む単一のチャネルの部分であるように形成され、及び／又は前記封止壁部分が、前記貫通孔を取り囲む単一の封止壁の部分であるように形成される、請求項１７又は１８に記載の方法。
20. 真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）窓ユニットにおいて使用するためのガラス基板であって、
    断面において見たときに、前記ガラス基板が、（ａ）貫通孔の両側に隣接して設けられた第１のチャネル部分及び第２のチャネル部分と、（ｂ）それらの間に画定された第１の封止壁部分及び第２の封止壁部分と、を含むように、前記基板内に設けられた、一体型ポンプアウトチューブを備える、ガラス基板。
21. 真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニットであって、
    密封縁部封止部を介して互いに実質的に平行に離間した関係で維持された第１のガラス基板及び第２のガラス基板と、少なくとも前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板との間に画定された空洞内に配置された複数のスペーサと、を備え、前記空洞が、プラグレス型ポンプアウトポートを取り囲む前記第１のガラス基板の一部分から溶融したガラスブリッジで密封封止された前記プラグレス型ポンプアウトポートを使用して、大気圧よりも低い圧力に真空にされる、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニット。
22. 請求項１に記載の方法によって作製された、真空絶縁ガラス（ＶＩＧ）ユニット。

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