JP2022511904A - メンブレンアセンブリを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本願は、2018年12月20日出願の欧州出願第18214904.7号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[条項1]
EUVリソグラフィのためのメンブレンアセンブリを製造する方法であって、ペリクルメンブレンを保持するペリクル境界を画定する、1つ以上のエッチングステップの後、前記ペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する層が提供される、メンブレンアセンブリを製造する方法。
[条項2]
前記方法は、前面及び背面を有するスタックを提供することを含む、条項1に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項3]
前記方法は、前記スタックの前記前面上に保護層を提供することを含む、条項2に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項4]
前記方法は、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去することを含む、条項2又は3に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項5]
前記方法は、前記スタックの前記前面から前記保護層の少なくとも一部を除去することを含む、条項3又は4に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項6]
前記方法は、前記スタックの前記前面上にペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する前記層を提供することを含む、条項2から5のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項7]
前記方法は、ペリクルアセンブリを形成するために、前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去することを含み、前記ペリクルアセンブリは、前記少なくとも1つのメンブレン層を備えるペリクルメンブレン、及び、前記メンブレンを保持するペリクル境界を備える、条項2から6のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項8]
前記方法は、好ましくは前記少なくとも1つのメンブレン層が提供された後、前記ペリクルアセンブリが、前記少なくとも1つのメンブレン層及び前記少なくとも1つの放出層を備えるメンブレンを備えるように、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つの放出層を提供することを更に含む、条項2から7のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項9]
前記方法は、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つのキャッピング層を提供することを更に含み、前記キャッピング層は、好ましくは酸化ケイ素、及び/又は二酸化ケイ素、及び/又は窒化ケイ素を含む、条項2から8のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
[条項10]
前記方法は、前記スタック上にレジストを提供すること、及び、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去することに先立って、前記レジストをパターニングすることを更に含む、条項2から9のいずれかに記載の方法。
[条項11]
前記方法は、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去するステップ、及び/又は、ペリクルアセンブリを形成するために前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去するステップの間に、前記スタックの少なくとも一部をエッチングすることを更に含む、条項10に記載の方法。
[条項12]
前記エッチャントはリン酸及び/又はフッ化水素酸を含む、条項11に記載の方法。
[条項13]
前記スタックは、平面基板、及び好ましくは少なくとも1つの犠牲層を備える、条項2から12のいずれかに記載の方法。
[条項14]
前記平面基板はウェーハ、任意選択としてシリコンウェーハである、条項13に記載の方法。
[条項15]
前記少なくとも1つの犠牲層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)、化学酸化ケイ素、又は熱酸化ケイ素を含む、条項13又は14に記載の方法。
[条項16]
前記少なくとも1つのメンブレン層は、好ましくは少なくとも1つの非晶質シリコン層を結晶化することによって形成される少なくとも1つのシリコン層、又はMoSiNx層を備え、及び/又は、前記少なくとも1つの保護層は、架橋ポリマ、好ましくはポリ(pキシリレン)ポリマ、好ましくはParylene又はProTEK(登録商標)タイプの材料、又はKMPR(商標)などのレジストを含む、条項1から15のいずれかに記載の方法。
[条項17]
前記少なくとも1つのメンブレン層は、前記少なくとも1つの放出層と前記スタックの面との間に配設されるように提供され、また好ましくは、前記少なくとも1つの放出層は金属である、条項8から16のいずれかに記載の方法。
[条項18]
前記少なくとも1つの放出層は、ホウ素、Zr、Mo、及び/又は、Ruを含む、条項8から17のいずれかに記載の方法。
[条項19]
前記少なくとも1つの放出層は複数の放出サブ層を備え、好ましくは、前記放出サブ層は金属である、条項8から18のいずれかに記載の方法。
[条項20]
前記放出層は、2つのホウ素含有層の間に配設されたジルコニウム含有層を含む、条項19に記載の方法。
[条項21]
前記少なくとも1つのキャッピング層はキャッピング層厚みを有し、前記少なくとも1つのメンブレン層はメンブレン層厚みを有し、前記キャッピング層厚みは前記メンブレン層厚みよりも少ない、条項9から20のいずれかに記載の方法。
[条項22]
前記方法は、ペリクルアセンブリを形成するために、前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去した後、前記少なくとも1つのキャッピング層の少なくとも一部の前記選択的除去を更に含む、条項9から21のいずれかに記載の方法。
[条項23]
前記少なくとも1つのメンブレン層及び/又は少なくとも1つのキャッピング層及び/又は少なくとも1つの放出層は、少なくとも1つの犠牲層を更に備える、条項1から22のいずれかに記載の方法。
[条項24]
ペリクル基板であって、前記基板は、
前面及び背面を有するスタックを備え、
ペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する前記層が提供される前に、前記ペリクルメンブレンを保持するためのペリクル境界領域を画定するために、前記スタックの前記背面上の1つ以上の層が選択的に除去される、
ペリクル基板。
[条項25]
前記ペリクル基板は、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つの保護層を更に備え、好ましくは、前記少なくとも1つの保護層は、架橋ポリマ、好ましくはポリ(pキシリレン)ポリマ、好ましくはParylene又はProTEK(登録商標)タイプの材料、又はKMPR(商標)などのレジストを含む、条項24に記載のペリクル基板。
[条項26]
前記スタックは、平面基板、及び好ましくは少なくとも1つの犠牲層を備え、好ましくは、前記平面基板はウェーハ、任意選択としてシリコンウェーハ又はSOIウェーハであり、また好ましくは、前記少なくとも1つの犠牲層は窒化ケイ素を含む、条項24又は25に記載のペリクル基板。
[条項27]
条項1から23のいずれか一項に記載の方法に従って製造されたペリクルアセンブリを備える、リソグラフィ装置。
[条項28]
エッチング後、結果として生じる前記ペリクルメンブレンが、更なる機能キャップ層を持たないMoSiNxコア層、又は自然酸化物層でカバーされた少なくとも1つの表面を有するMoSiNxコア層を備える、条項11又は12に記載の方法。
[条項29]
エッチング及び金属堆積後、前記スタックは、前記前面上のSiN/Ox、pSiペリクルコア層、低ストレス窒化物(LSN)層、及び前記スタックの前記背面上に堆積されるMo上のRuのキャップ層によって形成される、条項11又は12に記載の方法。
[条項30]
pSi、SiC、MoSi2、又はMoSiNxなどのシリコンベース材料、あるいは、グラフェン膜又はカーボンナノチューブの膜などのカーボンベース材料から選択された、ペリクルコア層を備える、条項24に記載のペリクル基板。
[条項31]
前記スタックは、SiO/MoSiNx/MoSi2の2つ以上の層を備えるか、又はSiON/MoSiNx/SiONの2つ以上の層を備える、条項24に記載のペリクル基板。
Claims (31)
- EUVリソグラフィのためのメンブレンアセンブリを製造する方法であって、ペリクルメンブレンを保持するペリクル境界を画定する、1つ以上のエッチングステップの後、前記ペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する層が提供される、メンブレンアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前面及び背面を有するスタックを提供することを含む、請求項1に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記前面上に保護層を提供することを含む、請求項2に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去することを含む、請求項2又は3に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記前面から前記保護層の少なくとも一部を除去することを含む、請求項3又は4に記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記前面上にペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する前記層を提供することを含む、請求項2から5のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、ペリクルアセンブリを形成するために、前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去することを含み、前記ペリクルアセンブリは、前記少なくとも1つのメンブレン層を備えるペリクルメンブレン、及び、前記メンブレンを保持するペリクル境界を備える、請求項2から6のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、好ましくは前記少なくとも1つのメンブレン層が提供された後、前記ペリクルアセンブリが、前記少なくとも1つのメンブレン層及び前記少なくとも1つの放出層を備えるメンブレンを備えるように、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つの放出層を提供することを更に含む、請求項2から7のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つのキャッピング層を提供することを更に含み、前記キャッピング層は、好ましくは酸化ケイ素、及び/又は二酸化ケイ素、及び/又は窒化ケイ素を含む、請求項2から8のいずれかに記載のペリクルアセンブリを製造する方法。
- 前記方法は、前記スタック上にレジストを提供すること、及び、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去することに先立って、前記レジストをパターニングすることを更に含む、請求項2から9のいずれかに記載の方法。
- 前記方法は、前記スタックの前記背面から1つ以上の部分を選択的に除去するステップ、及び/又は、ペリクルアセンブリを形成するために前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去するステップの間に、前記スタックの少なくとも一部をエッチングすることを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記エッチャントはリン酸及び/又はフッ化水素酸を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記スタックは、平面基板、及び好ましくは少なくとも1つの犠牲層を備える、請求項2から12のいずれかに記載の方法。
- 前記平面基板はウェーハ、任意選択としてシリコンウェーハである、請求項13に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの犠牲層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)、化学酸化ケイ素、又は熱酸化ケイ素を含む、請求項13又は14に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのメンブレン層は、好ましくは少なくとも1つの非晶質シリコン層を結晶化することによって形成される少なくとも1つのシリコン層、又はMoSiNx層を備え、及び/又は、前記少なくとも1つの保護層は、架橋ポリマ、好ましくはポリ(pキシリレン)ポリマ、好ましくはParylene又はProTEK(登録商標)タイプの材料、又はKMPR(商標)などのレジストを含む、請求項1から15のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つのメンブレン層は、前記少なくとも1つの放出層と前記スタックの面との間に配設されるように提供され、また好ましくは、前記少なくとも1つの放出層は金属である、請求項8から16のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つの放出層は、ホウ素、Zr、Mo、及び/又は、Ruを含む、請求項8から17のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つの放出層は複数の放出サブ層を備え、好ましくは、前記放出サブ層は金属である、請求項8から18のいずれかに記載の方法。
- 前記放出層は、2つのホウ素含有層の間に配設されたジルコニウム含有層を含む、請求項19に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのキャッピング層はキャッピング層厚みを有し、前記少なくとも1つのメンブレン層はメンブレン層厚みを有し、前記キャッピング層厚みは前記メンブレン層厚みよりも少ない、請求項9から20のいずれかに記載の方法。
- 前記方法は、ペリクルアセンブリを形成するために、前記スタックの1つ以上の部分を選択的に除去した後、前記少なくとも1つのキャッピング層の少なくとも一部の前記選択的除去を更に含む、請求項9から21のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つのメンブレン層及び/又は少なくとも1つのキャッピング層及び/又は少なくとも1つの放出層は、少なくとも1つの犠牲層を更に備える、請求項1から22のいずれかに記載の方法。
- ペリクル基板であって、前記基板は、
前面及び背面を有するスタックを備え、
ペリクルメンブレンの少なくとも一部を形成する前記層が提供される前に、前記ペリクルメンブレンを保持するためのペリクル境界領域を画定するために、前記スタックの前記背面上の1つ以上の層が選択的に除去される、
ペリクル基板。 - 前記ペリクル基板は、前記スタックの前記前面上に少なくとも1つの保護層を更に備え、好ましくは、前記少なくとも1つの保護層は、架橋ポリマ、好ましくはポリ(pキシリレン)ポリマ、好ましくはParylene又はProTEK(登録商標)タイプの材料、又はKMPR(商標)などのレジストを含む、請求項24に記載のペリクル基板。
- 前記スタックは、平面基板、及び好ましくは少なくとも1つの犠牲層を備え、好ましくは、前記平面基板はウェーハ、任意選択としてシリコンウェーハ又はSOIウェーハであり、また好ましくは、前記少なくとも1つの犠牲層は窒化ケイ素を含む、請求項24又は25に記載のペリクル基板。
- 請求項1から23のいずれか一項に記載の方法に従って製造されたペリクルアセンブリを備える、リソグラフィ装置。
- エッチング後、結果として生じる前記ペリクルメンブレンが、更なる機能キャップ層を持たないMoSiNxコア層、又は自然酸化物層でカバーされた少なくとも1つの表面を有するMoSiNxコア層を備える、請求項11又は12に記載の方法。
- エッチング及び金属堆積後、前記スタックは、前記前面上のSiN/Ox、pSiペリクルコア層、低ストレス窒化物(LSN)層、及び前記スタックの前記背面上に堆積されるMo上のRuのキャップ層によって形成される、請求項11又は12に記載の方法。
- pSi、SiC、MoSi2、又はMoSiNxなどのシリコンベース材料、あるいは、グラフェン膜又はカーボンナノチューブの膜などのカーボンベース材料から選択された、ペリクルコア層を備える、請求項24に記載のペリクル基板。
- 前記スタックは、SiO/MoSiNx/MoSi2の2つ以上の層を備えるか、又はSiON/MoSiNx/SiONの2つ以上の層を備える、請求項24に記載のペリクル基板。
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