JP2022185403A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＶＨＲの低下を抑制し、かつ、応答速度を高めることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶組成物を含有する液晶層を備える液晶パネルと、上記液晶パネルに光を照射する光源と、を備え、上記液晶組成物は、フェニル基及び上記フェニル基と連続した共役系を形成する共役結合基を有する第一の液晶化合物、並びに、共役系を形成しないアルケニル基を有する第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有し、上記光源は、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光を発する液晶表示装置。【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板と対向基板との間に封入された液晶組成物に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶組成物中の液晶化合物の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を活かし、幅広い分野で用いられている。

液晶表示装置に関する技術として、例えば、特許文献１には、液晶化合物の安定剤に適した２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール化合物が開示されている。

特開平９－１２４５２９号公報

ところで、本発明者らの検討によれば、液晶表示装置の応答速度を高めるために、フェニル基及び上記フェニル基と連続した共役系を形成する共役結合基を有する液晶化合物（以下、第一の液晶化合物ともいう。）を液晶組成物に対してわずかに添加し、液晶組成物の粘性を低下させることができる。しかしながら、第一の液晶化合物の少なくとも一種を含む液晶組成物は、光照射によりＶＨＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｒａｔｉｏ、電圧保持率）が低下しやすい。

また、本発明者らの検討によれば、液晶組成物の低粘性化を目的として、共役系を形成しないアルケニル基を有する液晶化合物（以下、第二の液晶化合物ともいう。）を液晶組成物に添加することができる。しかしながら、第二の液晶化合物を含む液晶組成物についても光照射によりＶＨＲが低下しやすい。

そのため、第一の液晶化合物や第二の液晶化合物を液晶組成物に使用できない、又は、使用する濃度に制約があり、液晶表示装置の応答速度を充分に高めることができない。

本発明は上記現状に鑑みてなされたものであり、ＶＨＲの低下を抑制し、かつ、応答速度を高めることができる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

（１）本発明の一実施形態は、液晶組成物を含有する液晶層を備える液晶パネルと、上記液晶パネルに光を照射する光源と、を備え、上記液晶組成物は、フェニル基及び上記フェニル基と連続した共役系を形成する共役結合基を有する第一の液晶化合物、並びに、共役系を形成しないアルケニル基を有する第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有し、上記光源は、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光を発する、液晶表示装置。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記光源は、半値幅が４０ｎｍ以下の緑色光を発する、液晶表示装置。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（２）の構成に加え、上記光源は、半値幅が２５ｎｍ以下の緑色光を発する、液晶表示装置。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記光源は、青色光を出射する青色光源と、緑色光を発光する緑色量子ドットと、を備える、液晶表示装置。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記液晶組成物は、上記第一の液晶化合物を２重量％以上含有する、液晶表示装置。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（５）の構成に加え、上記液晶組成物は、上記第一の液晶化合物を２０重量％以上含有する、液晶表示装置。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）又は上記（６）の構成に加え、上記液晶組成物は、上記第二の液晶化合物を５１重量％以上含有する、液晶表示装置。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（７）の構成に加え、上記液晶組成物は、上記第二の液晶化合物を７０重量％以上含有する、液晶表示装置。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）又は上記（８）の構成に加え、上記第一の液晶化合物は、下記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）で表される部分構造のうち少なくとも一種の部分構造を有する、液晶表示装置。

（上記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、Ｘ^１１～Ｘ^１６、Ｘ^２１～Ｘ^２４、Ｘ^３１～Ｘ^３４、Ｘ^４１～Ｘ^４４、及び、Ｘ^５１～Ｘ^５３は、各々独立に、水素基又はハロゲン基を表し、＊は結合位置を表す。）

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）又は上記（９）の構成に加え、上記第二の液晶化合物は、下記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）で表される部分構造のうち少なくとも一種の部分構造を有する、液晶表示装置。

（上記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）中、Ｒ^１は、炭素数１～３のアルキル基を表し、＊は結合位置を表す。）

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）又は上記（１０）の構成に加え、上記液晶パネルは、青色カラーフィルタを備え、上記青色カラーフィルタは、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率が７５％以上である、液晶表示装置。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）又は上記（１０）の構成に加え、上記液晶パネルは、緑色カラーフィルタを備え、上記緑色カラーフィルタは、波長４５０ｎｍにおける透過率が５％以上である、液晶表示装置。

本発明によれば、ＶＨＲの低下を抑制し、かつ、応答速度を高めることができる液晶表示装置を提供することができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。 実施形態１に係る液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。 変形例１の液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。 変形例２の液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。 実施例１及び比較例１の液晶表示装置が備える光源の波長特性を示すグラフである。 実施例１及び比較例１の液晶表示装置のＶＨＲを示すグラフである。 実施例２及び比較例２の液晶表示装置が備える光源の波長特性を示すグラフである。 ＤＣＩ－Ｐ３カバー率の求め方について説明する図である。 実施例２及び比較例２の液晶表示装置のＶＨＲを示すグラフである。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

＜用語の定義＞
本明細書中、「観察面側」とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより近い側を意味し、「背面側」とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより遠い側を意味する。

＜実施形態１＞
図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、液晶パネル１０と、液晶パネル１０の背面側に配置されたバックライト２０と、を備える。液晶パネル１０は、背面側から観察面側に向かって順に、第一の偏光板４１０と、第一の基板１００と、第一の配向膜と、液晶層３００と、第二の配向膜と、第二の基板２００と、第二の偏光板４２０とを備える。バックライト２０は、光源２１を備える。

第一の基板１００は、支持基板１１０と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１２０と、画素電極１３０と、を備える。第二の基板２００は、支持基板２１０と、支持基板２１０の液晶層３００側に設けられたカラーフィルタ層２２０と、カラーフィルタ層２２０の液晶層３００側に設けられた共通電極２３０と、を備える。カラーフィルタ層２２０は、赤色カラーフィルタ２２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２２０Ｂを有する。

液晶層３００は、フェニル基及び上記フェニル基と連続した共役系を形成する共役結合基を有する第一の液晶化合物、並びに、共役系を形成しないアルケニル基を有する第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有する。このような態様とすることにより、液晶層３００の粘性を低下させることが可能となり、液晶表示装置１の応答速度を高めることができる。

図２は、実施形態１に係る液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。図２に示すように、バックライト２０は、光源２１、導光板２２及び反射板２３を備える。

光源２１は、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する。ここで、液晶層に第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の少なくとも一方が含まれる場合、青色光の波長以下の光に起因して、当該液晶化合物のラジカル化及びイオン化が起こり、液晶表示装置のＶＨＲが低下してしまう。しかしながら、本実施形態では、光源２１が、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発することにより、カラーフィルタ層２２０の透過率等を調整すれば、青色光ＬＢの強度を削減しても色域を維持することが可能となるため、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度を抑えることができる。その結果、液晶層３００に含まれる液晶化合物のラジカル化及びイオン化を抑制することが可能となり、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制することができる。なお、半値幅とは、半値全幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）を意味する。

このように、本実施形態では、ＶＨＲ低下の原因となる青色光ＬＢの強度そのものを、色域を維持しながら削減し、ＶＨＲの低下を抑制することができる。その結果、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物のような耐光性に課題のある化合物を使用することができる、または、これらの液晶化合物の液晶組成物中での濃度を上げることが可能となるため、液晶表示装置１の応答速度を改善することができる。

また、液晶層３００に第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の少なくとも一方が含まれる場合、青色光ＬＢの波長以下の光に起因して、液晶層３００の透明点が低下してしまう。しかしながら、本実施形態では、光源２１が、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発することにより、カラーフィルタ層２２０の透過率等を調整すれば、青色光ＬＢの強度を削減しても色域を維持することが可能となるため、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度を抑えることができる。その結果、液晶層３００に含まれる液晶化合物のラジカル化及びイオン化を抑制することが可能となり、液晶層３００の透明点の低下を抑制することができる。ここで、透明点とは、液晶相が等方性液体へ変化する温度である。

上記特許文献１の安定剤を用いる場合、アルケニル化合物の濃度とディスプレイの用途によっては、光に対する信頼性が問題となり、例えば、ＶＨＲが低下する場合がある。特許文献１は材料の耐光性を高めることを目的としているが、液晶表示装置のＶＨＲの低下を抑制することについては検討されていない。

以下、本実施形態の液晶表示装置の各構成要素について説明する。

図１に示すように、第一の基板１００は、支持基板１１０上に、互いに平行に延設された複数のゲート線と、ゲート絶縁膜を介して各ゲート線と交差する方向に互いに平行に延設され複数のソース線と、を備える。複数のゲート線及び複数のソース線は、各画素を区画するように全体として格子状に形成されている。各ゲート線と各ソース線との交点にはＴＦＴ１２０が配置されている。

各ＴＦＴ１２０は、複数のゲート線及び複数のソース線のうちの対応するゲート線及びソース線に接続され、対応するゲート線から突出した（ゲート線の一部である）ゲート電極、対応するソース線から突出した（ソース線の一部である）ソース電極、複数の画素電極１３０のうちの対応する画素電極１３０と接続されたドレイン電極、及び、薄膜半導体層を有する三端子スイッチである。ソース電極及びドレイン電極は、ソース線と同じソース配線層に設けられる電極であり、ゲート電極はゲート線と同じゲート配線層に設けられる電極である。

各ＴＦＴ１２０の薄膜半導体層は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン等からなる高抵抗半導体層と、アモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とによって構成される。また、薄膜半導体層として、酸化亜鉛等の酸化物半導体層を用いてもよい。

支持基板１１０、２１０は、透明基板であることが好ましく、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。

ゲート絶縁膜は、例えば、無機絶縁膜である。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、それらの積層膜を用いることができる。

ゲート配線層及びソース配線層は、例えば、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金の、単層又は複数層である。ゲート線、ソース線及びＴＦＴ１２０を構成する各種配線及び電極は、スパッタリング法等により、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。これら各種配線及び電極は、同じ層に形成されるものについては、それぞれ同じ材料を用いることで製造が効率化される。

画素電極１３０は、互いに隣接する２本のゲート線と互いに隣接する２本のソース線とに囲まれた各領域（画素領域）に配置された電極である。各画素電極１３０は、対応する画素領域と重畳するように配置されている。画素電極１３０は、ＴＦＴ１２０が備える薄膜半導体層を介して対応するソース線と電気的に接続されている。画素電極１３０は、対応するＴＦＴ１２０を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定される。

画素電極１３０の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。

カラーフィルタ層２２０は、赤色カラーフィルタ２２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２２０Ｂが面内に並べられた構成を有する。赤色カラーフィルタ２２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２２０Ｂは、例えば、顔料を含有する透明樹脂で構成されている。通常、すべての画素に赤色カラーフィルタ２２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２２０Ｂの組み合わせが配置され、赤色カラーフィルタ２２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２２０Ｂを透過する色光の量を制御しつつ混色させることで各画素において所望の色が得られる。

例えば、ＣＩＥ１９３１の色空間に対して、光源２１から出射される緑色光の半値幅が広ければ、青色カラーフィルタを高透過率化した場合に青色カラーフィルタを透過する緑色光成分も増加するため色域を維持することができない。一方、光源２１から出射される緑色光ＬＧの半値幅を５０ｎｍ未満に狭半値幅化した本実施形態では、青色カラーフィルタ２２０Ｂを高透過率化しても青色カラーフィルタ２２０Ｂを透過する緑色光成分の増加を抑えることができ、色域を維持することができる。このように、光源２１から出射される緑色光ＬＧの半値幅を５０ｎｍ未満に狭半値幅化した本実施形態では、青色カラーフィルタ２２０Ｂを高透過率化しても色域を維持することができるため、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度を抑えることが可能になる。その結果、液晶層３００に含まれる第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物のラジカル化及びイオン化を抑制することが可能となり、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制することができる。

青色カラーフィルタ２２０Ｂの、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、７５％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることが更に好ましい。このような態様とすることにより、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度をより抑えることが可能となり、液晶表示装置１のＶＨＲの低下をより抑制することができる。

青色カラーフィルタ２２０Ｂの、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、例えば、１００％以下である。

共通電極２３０は、画素の境界に関わらず、特定部分を除いて、ほぼ一面に形成された電極である。共通電極２３０に対しては一定値に保たれた共通信号が供給され、共通電極２３０は一定の電位に保たれる。

共通電極２３０の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。

液晶層３００は、液晶組成物を含んでおり、液晶層３００に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶組成物中の液晶化合物の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。液晶層３００は、電圧無印加状態において第一の基板１００及び第二の基板２００に対して垂直方向に配向する液晶化合物を含有する。

液晶化合物は、下記式（Ｌ）で定義される誘電率異方性（Δε）が正の値を有するものであってもよく、負の値を有するものであってもよい。なお、正の誘電率異方性を有する液晶化合物はポジ型液晶ともいい、負の誘電率異方性を有する液晶化合物はネガ型液晶ともいう。なお、液晶化合物の長軸方向が遅相軸の方向となる。また、液晶化合物は、電圧が印加されていない状態（電圧無印加状態）で、ホモジニアス配向するものであり、電圧無印加状態における液晶化合物の長軸の方向は、液晶化合物の初期配向の方向ともいう。
Δε＝（液晶分子の長軸方向の誘電率）－（液晶分子の短軸方向の誘電率） （Ｌ）

液晶組成物は、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有する。ここで、液晶化合物とは、低温（例えば、７０°Ｃ）にすると、例えばネマチック相やスメクチック相といった液晶相が出現する化合物である。液晶化合物は、液晶性を発現するような剛直な部位（メソゲン基）を有する。

第一の液晶化合物は、液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）を高める観点、誘電率異方性を高める観点、ネマチック相温度範囲を拡大させる観点、及び、粘度を低下させる観点から有用であるものの、青色光に対する安定性が特に悪く、高いＶＨＲを求められる、ＴＦＴを用いた液晶表示装置への使用がされていないか、極めて限定的であった。本発明者らは、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いることにより、特に、ＣＩＥ１９３１色空間（ＣＩＥ１９３１（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系）及びＣＩＥ１９７６色空間（ＣＩＥ１９７６（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系）において色域を落とさず、青色光ＬＢを削減できることを見出した。そして、この青色光削減効果により、第一の液晶化合物を用いた液晶組成物のＶＨＲが改善することを見出した。ここで、本明細書に記載の実施形態はいずれの色空間に対しても適用可能であるが、本実施形態は、ＣＩＥ１９３１色空間に対して特に好ましい態様であり、後述する実施形態２は、ＣＩＥ１９７６色空間に対して特に好ましい態様である。ＣＩＥ１９７６色空間は、カラーフィルタが通常使用しない青色光ＬＢをある程度透過する特性を有するため、青色光削減効果をより効果的に得ることができる。

また、第二の液晶化合物には、液晶組成物の粘度を低減させる効果があるため、既に多くの液晶表示装置に使用されている。しかしながら、第二の液晶化合物の含有率が多すぎると、液晶組成物の青色光によるＶＨＲの低下度合いが大きくなり、ＴＦＴを用いた液晶表示装置への使用が困難となる。したがって、第二の液晶化合物をより多く含有させるには、上述の通り、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する光源２１を使用することが有効である。

第一の液晶化合物は、例えば、フェニル基及びフェニル基と連続した共役二重結合基や共役三重結合基を有する液晶化合物である。第一の液晶化合物は、液晶層３００の屈折率異方性を高めることができる。

第一の液晶化合物は、具体的には、下記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）で表される部分構造の少なくとも一種を有していてもよい。第一の液晶化合物は、１種の化合物中に下記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）で表される部分構造を２種以上含んでいてもよく、また、下記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）で表される部分構造の少なくとも一種を有する化合物を２種以上含んでいてもよい。

（上記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、Ｘ^１１～Ｘ^１６、Ｘ^２１～Ｘ^２４、Ｘ^３１～Ｘ^３４、Ｘ^４１～Ｘ^４４、及び、Ｘ^５１～Ｘ^５３、は、各々独立に、水素基又はハロゲン基を表し、＊は結合位置を表す。）

上記一般式（Ｌ１）で表される部分構造を有する第一の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ１－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ１－１）中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立に、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ１－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

上記一般式（Ｌ２）で表される部分構造を有する第一の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ２－１）～（Ｌ２－３）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ２－１）～（Ｌ２－３）中、Ｒ^２１～Ｒ^２５は、各々独立に、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ２－１）～（Ｌ２－３）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

上記一般式（Ｌ３）で表される部分構造を有する第一の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ３－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ３－１）中、Ｒ^３１は、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ３－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

上記一般式（Ｌ４）で表される部分構造を有する第一の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ４－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ４－１）中、Ｒ^４１は、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ４－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数３のアルキル基であることが更に好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

上記一般式（Ｌ５）で表される部分構造を有する第一の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ５－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ５－１）中、Ｒ^５１及びＲ^５２は、各々独立に、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ５－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数３のアルキル基であることが更に好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

第二の液晶化合物は、具体的には、下記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）で表される部分構造のうち少なくとも一種の部分構造を有していてもよい。第二の液晶化合物は、１種の化合物中に下記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）で表される部分構造を２種含んでいてもよく、また、下記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）で表される部分構造の少なくとも一種を有する化合物を２種以上含んでいてもよい。

（上記一般式（Ｌ７）中、Ｒ^１は、炭素数１～３のアルキル基を表し、＊は結合位置を表す。）

一般式（Ｌ７）における炭素数１～３のアルキル基は、少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。炭素数１～３のアルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であってもよい。

上記一般式（Ｌ６）で表される部分構造を有する第二の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ６－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ６－１）中、Ｒ^６１は、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表す。）

一般式（Ｌ６－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数３のアルキル基であることが更に好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

上記一般式（Ｌ７）で表される部分構造を有する第二の液晶化合物の具体例としては、下記一般式（Ｌ７－１）で表される構造を有する液晶化合物が挙げられる。

（上記一般式（Ｌ７－１）中、Ｒ^７１は、水素基、水酸基、又は一価の有機基を表し、Ｒ^１は、炭素数１～３のアルキル基を表す。）

一般式（Ｌ７－１）における一価の有機基は、炭素数１～１２の一価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数３のアルキル基であることが更に好ましい。上記一価の有機基は、炭素原子及び水素原子を含んでいればよく、その他の原子（例えば、酸素原子、ハロゲン原子等）を含んでいてもよい。上記アルキル基は、１個の－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が－ＣＨ＝ＣＨ－に置き換わってもよく、また、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい。上記アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても、これらの組み合わせであってもよい。

一般式（Ｌ７－１）におけるＲ^１は、一般式（Ｌ７）におけるＲ^１と同様である。

液晶組成物は、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有していればよく、第一の液晶化合物のみを含有していても、第二の液晶化合物のみを含有していても、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の両者を含有していてもよい。また、液晶組成物は、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物以外の液晶化合物を含有していてもよい。

液晶組成物が第一の液晶化合物を含有する場合、液晶層３００に含まれる第一の液晶化合物は、一種であっても、二種以上であってもよい。同様に、液晶層３００が第二の液晶化合物を含有する場合、液晶層３００に含まれる第二の液晶化合物は、一種であっても、二種以上であってもよい。

液晶組成物は、第一の液晶化合物を２重量％以上含有することが好ましく、２０重量％以上含有することがより好ましく、３０重量％以上含有することが更に好ましい。このような態様とすることにより、液晶表示装置の応答速度をより高めることができる。また、液晶組成物に含有される第一の液晶化合物は、７０重量％以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、ＶＨＲの低下を効果的に抑制することができる。

液晶組成物は、第二の液晶化合物を５１重量％以上含有することが好ましく、６０重量％以上含有することがより好ましく、７０重量％以上含有することが更に好ましい。このような態様とすることにより、液晶表示装置の応答速度をより高めることができる。また、液晶組成物に含有される第二の液晶化合物は、９０重量％以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、ＶＨＲの低下を効果的に抑制することができる。

液晶組成物は、第一の液晶化合物を含有することが好ましい。このような態様とすることにより、ＶＨＲの低下を効果的に抑制することができる。

液晶層３００は、高分子ネットワークを含んでいてもよい。このような態様とすることにより、ＶＨＲ悪化の原因とされるイオンが高分子ネットワークによって遮蔽され、電極へ到達しにくくなり、ＶＨＲが向上し得る。

第一の配向膜及び第二の配向膜は、液晶層３００に含まれる液晶化合物の配向を制御する機能を有する。第一の配向膜及び第二の配向膜は、それぞれ、液晶層３００への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のとき、画素領域において、液晶層３００中の液晶化合物を第一の基板１００及び第二の基板２００の主面に対して垂直方向に配向するよう制御する垂直配向膜である。ここで、液晶化合物が基板の主面に対して垂直方向に配向するとは、液晶化合物のプレチルト角が、基板の主面に対して８６°～９０°であることを意味し、好ましくは８７°～８９°、より好ましくは８７．５°～８９°であることを意味する。液晶化合物のプレチルト角は、液晶層３００への電圧無印加時に、液晶化合物の長軸が各基板の主面に対して傾斜する角度を意味する。

第一の配向膜及び第二の配向膜は、液晶化合物の配向を制御するための配向処理がなされた層であり、ポリイミド等の液晶表示装置の分野で一般的な配向膜を用いることができる。第一の配向膜及び第二の配向膜の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリシロキサン等の主鎖を有するポリマーが挙げられ、主鎖又は側鎖に光反応部位（官能基）を有する光配向膜材料が好適に用いられる。

また、第一の配向膜及び第二の配向膜は、脂肪族系の配向膜であってもよい。すなわち、第一の配向膜及び第二の配向膜は、脂肪族基を有する配向膜であってもよい。このような態様とすることにより、配向膜からのエネルギー移動や配向膜のラジカル化が抑制され、液晶化合物のラジカル化やイオン化を防ぐことができるため、ＶＨＲが向上し得る。

第一の偏光板４１０及び第二の偏光板４２０は、吸収型直線偏光板である。第一の偏光板４１０及び第二の偏光板４２０としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素錯体（又は染料）等の異方性材料を、染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光子（吸収型偏光板）等を用いることができる。なお、通常は、機械強度や耐湿熱性を確保するために、ＰＶＡフィルムの両側にトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム等の保護フィルムをラミネートして実用に供される。

第一の偏光板４１０の吸収軸と第二の偏光板４２０の吸収軸とは、直交することが好ましい。このような構成によれば、第一の偏光板４１０と第二の偏光板４２０とがクロスニコルに配置されるため、電圧無印加状態において、良好な黒表示状態を実現することができる。

本明細書中、２つの軸（方向）が直交するとは、両者のなす角度（絶対値）が９０±３°の範囲内であることを指し、好ましくは９０±１°の範囲内であり、より好ましくは９０±０．５°の範囲内であり、特に好ましくは９０°（完全に直交）である。

液晶表示装置１は、ソース線に電気的に接続されたソースドライバ、及び、ゲート線に電気的に接続されたゲートドライバ、及び、コントローラを更に備える。ゲートドライバは、コントローラによる制御に基づいて、ゲート線に走査信号を順次供給する。ソースドライバは、ＴＦＴ１２０が走査信号によって電圧印加状態となるタイミングで、コントローラによる制御に基づいてソース線にデータ信号を供給する。画素電極１３０は各々、対応するＴＦＴ１２０を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、画素電極１３０と共通電極２３０との間で縦電界が発生し、液晶層３００中の液晶化合物の配向が制御される。そして、液晶表示装置１では、各画素において、液晶層３００に印加する電圧の大きさによって液晶化合物の配向状態を変えることにより、液晶層３００での光透過率を調整して画像が表示される。

本実施形態の液晶表示装置１は、縦電界モードであるＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置であるが、本実施形態の特徴は他のモードにおいても有効であり、例えば、その他の縦電界モードであるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、並びに、横電界モードであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード及びＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の液晶表示装置にも適用することができる。

液晶表示装置１が横電界モードである場合、液晶層３００は、電圧無印加状態において第一の基板１００及び第二の基板２００に対して水平方向に配向する液晶化合物を含有する。

液晶表示装置１が横電界モードである場合、第一の配向膜及び第二の配向膜は、それぞれ、液晶層３００への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のとき、画素領域において、液晶層３００中の液晶化合物を第一の基板１００及び第二の基板２００の主面に対して水平方向に配向するよう制御する水平配向膜である。ここで、液晶化合物が基板の主面に対して水平方向に配向するとは、液晶化合物のプレチルト角が、基板の主面に対して０°～５°であることを意味し、好ましくは０°～２°、より好ましくは０°～１°であることを意味する。

バックライト２０は、液晶パネル１０に対して光を照射するものであれば特に限定されず、直下型やエッジ型やその他のどの方式でもよい。本実施形態のバックライト２０は、図２に示すように、光源２１、導光板２２及び反射板２３を備える。

光源２１は、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する。このように、狭半値幅の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いることにより、色域を悪化させずに青色光ＬＢの強度を削減することが可能となり、液晶層３００に含まれる液晶化合物（第一の液晶化合物及び／又は第二の液晶化合物）のラジカル化及び／又はイオン化を抑制することができる。その結果、液晶表示装置のＶＨＲの低下を抑制することができる。

このため、液晶層３００中に含まれる第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の上限濃度を高めることが可能となり、液晶表示装置１の応答速度を改善することができ、また、液晶組成物の屈折率異方性を高めることができる。

また、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いることにより、液晶層３００の透明点の低下を抑制することができる。例えば、上記一般式（Ｌ１－１）で表される構造を有する液晶化合物は、青色光により引き起こされるラジカル化及びイオン化により、トランス二重結合からシス二重結合への異性化反応が起こり、透明点が低下すると考えられる。しかしながら、本実施形態では、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いることにより、青色光ＬＢの強度を削減することが可能となり、液晶層３００に含まれる液晶化合物のラジカル化及び／又はイオン化を抑制することができる。その結果、液晶表示装置の透明点の低下を抑制することができる。

光源２１が発する緑色光ＬＧは、半値幅が４０ｎｍ以下であることが好ましく、半値幅が２５ｎｍ以下であることがより好ましい。このような態様とすることにより、液晶表示装置１のＶＨＲの低下をより抑制することができる。

光源２１が発する緑色光ＬＧは、半値幅が５ｎｍ以上であることが好ましい。このような態様とすることにより、例えば、緑色光ＬＧを発する量子ドットを用いる場合、当該量子ドットを安定的に製造することができる。

光源２１としては、青色光ＬＢを出射する青色光源２１Ｂと、青色光ＬＢを励起光として緑色光ＬＧを発光する緑色量子ドット２１ＧＱＤと、青色光ＬＢを励起光として赤色光ＬＲを発光する赤色量子ドット２１ＲＱＤと、を有するものを用いることができる。ここで、量子ドットはＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）ともいう。

光源２１は、青色光源２１Ｂから発せられる青色光ＬＢと、青色光ＬＢが緑色量子ドット２１ＧＱＤを通過することにより発せられる緑色光ＬＧと、青色光ＬＢが赤色量子ドット２１ＲＱＤを通過することにより発せられる赤色光ＬＲと、を含む白色光を、導光板２２へと出射する。これにより、導光板２２から観察面側に向けて白色光が出射される。

青色光源２１Ｂは、導光板２２の側面に配置され、かつ、緑色量子ドット２１ＧＱＤ及び赤色量子ドット２１ＲＱＤは、青色光源２１Ｂの導光板２２側の側面に配置されたＱＤシート（量子ドットシート）２１Ｑに含まれる。本実施形態のバックライト２０は、光を出射する光源（青色光源２１Ｂ）が導光板２２の側面に配置されたエッジ型のバックライトである。

青色光源２１Ｂは、青色光ＬＢを出射する機能を有する。青色光ＬＢのピーク波長は、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満である。青色光源２１Ｂは、具体的には、青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）から構成される。

青色光ＬＢのピーク波長は、４５３ｎｍ以上、４８０ｎｍ未満であることが好ましい。このような態様とすることにより、青色光ＬＢを長波長化することが可能となり、青色光ＬＢにより液晶化合物のラジカル化及びイオン化を抑制することができる。その結果、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制することが可能となる。そのため、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物の液晶組成物中の濃度を高めることも可能となる。

緑色量子ドット２１ＧＱＤは、青色光源２１Ｂから出射された青色光ＬＢを励起光として緑色光ＬＧを発光する機能を有する。緑色光ＬＧのピーク波長は、５００ｎｍ以上、６００ｎｍ未満である。緑色量子ドット２１ＧＱＤは、青色光源２１Ｂである青色ＬＥＤのチップ上に設けられたＱＤシート２１Ｑ内に含有されている。

緑色光ＬＧの半値幅は、例えば、緑色量子ドット２１ＧＱＤのサイズばらつきを変更することにより調整することができる。

赤色量子ドット２１ＲＱＤは、青色光源２１Ｂから発せられた青色光ＬＢを励起光として赤色光ＬＲを発光する機能を有する。赤色光ＬＲのピーク波長は、６００ｎｍ以上、７００ｎｍ未満である。赤色量子ドット２１ＲＱＤは、青色光源２１Ｂである青色ＬＥＤのチップ上に設けられたＱＤシート２１Ｑ内に含有されている。

導光板２２は、端面より入射した光を均一に面発光させる機能を有していればよく、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。反射板２３は、光源２１から出射された光を、液晶層３００側に反射する機能を有していればよく、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。

バックライト２０は、更に、拡散板、プリズムシート等の光学シートを適宜用いることができる。

本実施形態の液晶表示装置１は、液晶パネル１０及びバックライト２０の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

＜実施形態２＞
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。上記実施形態では、光源２１が、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発することにより、例えば、青色カラーフィルタ２２０Ｂの透過率が高い場合に青色光ＬＢの強度を抑制可能であることについて説明したが、光源２１が、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発することにより、例えば、緑色光ＬＧのピーク波長が短波長化され、かつ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇの透過率が高い場合にも青色光ＬＢの強度を抑えることができる。

具体的には、光源２１から発せられる緑色光ＬＧを短波長化し、かつ、緑色カラーフィルタ２２０Ｇの透過率を高めることにより、緑色画素において青色光成分の透過率が上がり、青色光漏れを発生させることができる。当該青色光漏れが発生した液晶表示装置のホワイトポイントをリファレンスの液晶表示装置に合わせる場合、青色光ＬＢの強度は小さくて済むため、光源２１から発せられる青色光ＬＢの強度を削減することができる。しかしながら、緑色カラーフィルタ２２０Ｇの透過率を高めることにより、緑色画素における青色光漏れ及び赤色光漏れと、緑色光の緑色カラーフィルタ２２０Ｇ透過後の半値幅増大とにより、色域の悪化を引き起こしてしまう。本実施形態では、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いることにより、当該色域の悪化を抑制することができる。以上のように、本実施形態においても、色域を維持しながら光源２１から発せられる青色光ＬＢの強度を削減することが可能であるため、液晶表示装置のＶＨＲの低下を抑制することができる。その結果、第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物のような耐光性に課題のある化合物を使用することができる、または、これらの液晶化合物の液晶組成物中での濃度を上げることが可能となるため、液晶表示装置１の応答速度を改善することができる。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、波長４５０ｎｍにおける透過率は、５％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることが更に好ましい。このような態様とすることにより、より効果的に青色光漏れを発生させることが可能となる。その結果、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度を効果的に抑えることが可能となり、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を効果的に抑制することができる。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、波長４５０ｎｍにおける透過率は、６０％以下であることが好ましく、５５％以下であることがより好ましく、５０％以下であることが更に好ましい。このような態様とすることにより、色域を悪化させ過ぎることを抑制することができる。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、５００ｎｍ以上、６００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。このような態様とすることにより、液晶表示装置の輝度を高くすることができる。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、５００ｎｍ以上、６００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、例えば、１００％以下である。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、波長６５０ｎｍにおける透過率は、例えば、０％以上である。

緑色カラーフィルタ２２０Ｇの、波長６５０ｎｍにおける透過率は、４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。このような態様とすることにより、色域を維持し易くなる。

このように、本実施形態では、緑色カラーフィルタ２２０Ｇの透過率を高めるため、白輝度を向上させることができる。

緑色光ＬＧのピーク波長は、５１０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下であること好ましく、５２０ｎｍ以上、５４０ｎｍ以下であることがより好ましい。このような態様とすることにより、より効果的に青色光漏れを発生させることが可能となる。その結果、光源２１から照射される青色光ＬＢの強度を効果的に抑えることが可能となり、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を効果的に抑制することができる。

ＣＩＥ１９７６色空間における緑の面積は、ＣＩＥ１９３１色空間における緑の面積より狭いため、ＣＩＥ１９７６色空間での色域は、相対的に緑の色度変化に対して鈍感である。そのため、ＣＩＥ１９７６色空間では、緑色画素の青色光漏れの色域に対するインパクトは小さいため、半値幅が５０ｎｍ未満である狭半値幅の緑色光ＬＧを発する光源２１を用いれば、緑色カラーフィルタ２２０Ｇを高透過率化しても色域を維持することができる。

＜変形例１＞
図３は、変形例１の液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。上記実施形態では、赤色量子ドット２１ＲＱＤ及び緑色量子ドット２１ＧＱＤを含むＱＤシート２１Ｑが青色光源２１Ｂである青色ＬＥＤのチップ上に設けられる態様について説明したが、ＱＤシート２１Ｑは、図３に示すように導光板２２のエッジ部に接するように設けられてもよい。

＜変形例２＞
図４は、変形例２の液晶表示装置が備えるバックライトの断面模式図である。上記実施形態では、ＱＤシート２１Ｑが青色光源２１Ｂである青色ＬＥＤのチップ上に設けられる態様について説明したが、ＱＤシート２１Ｑは、図４に示すように導光板２２の観察面側の面に設けられてもよい。この場合、導光板２２から観察面側に向けて青色光ＬＢが出射される。更に、導光板２２から観察面側に出射された青色光ＬＢを励起光として、導光板２２の観察面側の面に設けられた赤色量子ドット２１ＲＱＤが赤色光ＬＲを発光し、赤色光ＬＲが観察面側へ出射される。また、導光板２２から観察面側に出射された青色光ＬＢを励起光として、導光板２２の観察面側の面に設けられた緑色量子ドット２１ＧＱＤが緑色光ＬＧを発光し、緑色光ＬＧが観察面側へ出射される。このようにして、導光板２２から観察面側へ向かって、青色光ＬＢ、赤色光ＬＲ及び緑色光ＬＧを含む白色光が出射される。

＜変形例３＞
上記実施形態では、カラーフィルタ層２２０が第二の基板２００に設けられる態様について説明したが、カラーフィルタ層２２０は第一の基板１００に設けられていてもよい。このように、カラーフィルタ層２２０が光源２１と液晶層３００との間に配置される態様によっても、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制し、かつ、応答速度を高めることができる。

＜変形例４＞
上記実施形態では、背面側に第一の基板１００が設けられ、観察面側に第二の基板２００が設けられる態様について説明したが、第一の基板１００が観察面側に配置され、第二の基板２００が背面側に配置されてもよい。このように、カラーフィルタ層２２０が光源２１と液晶層３００との間に配置される態様によっても、液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制し、かつ、応答速度を高めることができる。

＜変形例５＞
バックライト２０は、光の射出方向を制御して指向性を持たせたバックライト、いわゆる指向性バックライトであってもよい。このような態様とすることにより、液晶表示装置１の輝度を向上させることができる。指向性バックライトは、導光板２２内に形成する反射パターンの形状や配置等を最適化することで実現できる。

＜変形例６＞
液晶表示装置１は、更に、第一の配向膜及び第二の配向膜の液晶層３００側の表面に配向制御層を備えてもよい。配向制御層は、電圧無印加状態において液晶化合物にチルト角度を付与する機能を有する層である。配向制御層を設けて液晶組成物に事前傾斜角（プレチルト）を持たせるＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術では、配向膜を形成した第一の基板１００と第二の基板２００との間に液晶化合物、重合性化合物等を含む液晶組成物を充填した液晶セルを作製し、所定電圧を印加した状態で光照射を行い、液晶組成物中の重合性化合物を重合させることにより、配向膜上に配向制御層を形成し、電圧無印加状態において液晶化合物にチルト角を付与することができる。

ＰＳＡ技術ではＶＨＲの低下が発生し易い。ＰＳＡ技術においては配向制御層形成のために光照射を行うが、液晶化合物の中には紫外光に対する耐性が低く、光曝露により開裂等の劣化を起こすものが存在するためと考えられている。しかしながら、光源２１が、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光ＬＧを発することにより液晶表示装置１のＶＨＲの低下を抑制することができるため、液晶表示装置１に配向制御層を形成することができる。液晶表示装置１に配向制御層を形成することにより、液晶表示装置１の応答速度を高めることができる。

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
図５は、実施例１及び比較例１の液晶表示装置が備える光源の波長特性を示すグラフである。実施形態１の液晶表示装置１と同様の構成を有する実施例１の液晶表示装置を作製した。

実施例１の液晶組成物は、第二の液晶化合物（ネガ型液晶、上記一般式（Ｌ６－１）におけるＲ^６１がノルマルプロピル基である液晶化合物）を５１重量％含有していた。青色カラーフィルタの、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、９２％であった。光源には、５４０ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が２４ｎｍである緑色光を発するＱＤシートを用いた。光源は、図５の実施例１の波長特性を有していた。

バックライトの輝度は１０，０００ｃｄ／ｍ^２に設定した。液晶パネルは配向膜付き液晶セルと偏光板とを有していた。実施例１の液晶表示装置では、ＣＩＥ１９３１色空間をターゲットの色域とした。

（比較例１）
図５の比較例１の波長特性を有する光源、及び、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率が７３％である青色カラーフィルタを使用したこと以外は、実施例１と同様にして比較例１の液晶表示装置を作製した。比較例１の光源には、５４０ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が５４ｎｍである緑色光を発するβサイアロン蛍光体を用いた。

（実施例１及び比較例１の評価）
実施例１の液晶表示装置では、緑色光の狭半値幅化により、青色カラーフィルタの透過率を高くしても色域維持が可能となり、下記表１に示すように、比較例１の液晶表示装置に対して青色光の強度を１７％削減することができた。これにより、液晶組成物のＶＨＲの悪化が抑制されるため、液晶組成物の成分として、青色光照射によりＶＨＲが悪化し易いが、高速応答化及び高Δｎ化を実現することができる第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物を液晶組成物中に導入することができた。

図６は、実施例１及び比較例１の液晶表示装置のＶＨＲを示すグラフである。実施例１及び比較例１の液晶表示装置を常温、１Ｖ、３０Ｈｚで駆動させ、エージング時間に対するＶＨＲを測定した。結果を図６に示す。

実施例１の液晶表示装置は、図６に示すように、比較例１に比べて、エージング１０００時間後のＶＨＲが１．０％改善された。実施例１より、半値幅が２４ｎｍである緑色光を発する光源を用いることにより、ＮＴＳＣ面積比を同じにしても、液晶表示装置の１０００時間後のＶＨＲを比較例１に対して１．０％改善することができることが確認された。

（実施例２）
図７は、実施例２及び比較例２の液晶表示装置が備える光源の波長特性を示すグラフである。実施例２の液晶表示装置は、実施形態２の液晶表示装置１と同様の構成を有する液晶表示装置であり、光源及びカラーフィルタ層の波長特性が異なること以外は、実施例１と同様にして実施例２の液晶表示装置を作製した。

実施例２で用いた緑色カラーフィルタの波長４５０ｎｍにおける透過率は３１％であり、５００ｎｍ以上、６００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は９６％であり、波長６５０ｎｍにおける透過率は２９％であった。青色カラーフィルタの、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、７２％であった。光源には、５２８ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が２４ｎｍである緑色光を発するＱＤシートを用いた。光源は、図７の実施例２の波長特性を有していた。

バックライトの輝度は１０，０００ｃｄ／ｍ^２に設定した。液晶パネルは配向膜付き液晶セルと偏光板とを有していた。実施例２の液晶表示装置では、ターゲットの色域をＣＩＥ１９７６色空間に変更した。

（比較例２）
図７の比較例２の波長特性を有する光源を用い、かつ、青色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを変更したこと以外は、実施例２と同様にして比較例２の液晶表示装置を作製した。

比較例２で用いた緑色カラーフィルタの波長４５０ｎｍにおける透過率は３．６％であり、５００ｎｍ以上、６００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は９１％であり、波長６５０ｎｍにおける透過率は２．７％であった。青色カラーフィルタの、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率は、７８％であった。光源には、５４０ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が５４ｎｍである緑色光を発するβサイアロン蛍光体を用いた。

（実施例２及び比較例２の評価）
実施例２の液晶表示装置では、緑色光を狭半値幅化及び短波長化し、かつ、緑色カラーフィルタの透過率を高くした。これにより、緑色画素において青色光漏れが発生した。上記青色光漏れにより、実施例２のホワイトポイントを比較例２に合わせる場合に実施例２の光源から出射される青色光の強度は小さくて済むため、下記表２に示すように、実施例２では、比較例２の液晶表示装置に対して青色光の強度を２２％削減することができた。一方で、ＣＩＥ１９７６色空間の場合、緑色画素の青色光漏れの色域に対するインパクトが小さいため、狭半値幅の緑色光を用いれば、緑色カラーフィルタの透過率を高めても色域を維持することが可能であった。

これにより、液晶組成物のＶＨＲの悪化が抑制されるため、液晶組成物の成分として、青色光照射によりＶＨＲが悪化し易いが、高速応答化及び高Δｎ化を実現することができる第一の液晶化合物及び第二の液晶化合物を液晶組成物中に導入することができた。

図８は、ＤＣＩ－Ｐ３カバー率の求め方について説明する図である。下記表における「ＤＣＩ－Ｐ３カバー率（ｕ’ｖ’）（％）」は次のようにして求めた。ＣＩＥ１９７６表色系において、ＤＣＩ－Ｐ３は図８における白線三角形で表される。液晶表示装置の色を測定し、図８の座標中にＲＧＢそれぞれ３点をプロットした。この３点を結んだ黒線三角形の面積のうち、ＤＣＩ－Ｐ３の白線三角形に包含される面積を算出した（この面積をＡとする）。更に、ＤＣＩ－Ｐ３の白線三角形の面積をＢとし、面積Ａを面積Ｂで除して、ＤＣＩ－Ｐ３カバー率（ｕ’ｖ’）（％）を求めた。

図９は、実施例２及び比較例２の液晶表示装置のＶＨＲを示すグラフである。実施例１と同様にして実施例２及び比較例２の液晶表示装置のＶＨＲを測定した。結果を図９に示す。

実施例２の液晶表示装置では、図９に示すように、比較例２に比べて、エージング１０００時間後のＶＨＲが１．５％改善された。実施例２より、半値幅が２４ｎｍである緑色光を発する光源を用いることにより、ＮＴＳＣ面積比を同じにしても、液晶表示装置の１０００時間後のＶＨＲを比較例２に対して１．５％改善することができることが確認された。

（実施例３）
５２８ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が３０ｎｍである緑色光を発するＱＤシートを用いること以外は、実施例２と同様にして実施例３の液晶表示装置を作製した。なお、色域が実施例２と同じになるように、また、青色光強度の削減率がなるべく高くなるように実施例３のカラーフィルタ層の膜厚を調整した。

（実施例４）
５２８ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が４０ｎｍである緑色光を発するＱＤシートを用いること以外は、実施例２と同様にして実施例４の液晶表示装置を作製した。なお、色域が実施例２と同じになるように、また、青色光強度の削減率がなるべく高くなるように実施例４のカラーフィルタ層の膜厚を調整した。

（比較例３）
５２８ｎｍにピーク波長を有し、半値幅が５１ｎｍである緑色光を発するＱＤシートを用いること以外は、実施例２と同様にして比較例３の液晶表示装置を作製した。

（実施例２～４、比較例２～３の評価）
下記表３に示すように、半値幅が４０ｎｍ以下の緑色光を発する光源を用いることにより、より大きな青色光強度削減率を実現できることが確認された。

１：液晶表示装置
１０：液晶パネル
２０：バックライト
２１：光源
２１Ｂ：青色光源
２１ＧＱＤ：緑色量子ドット
２１Ｑ：ＱＤシート（量子ドットシート）
２１ＲＱＤ：赤色量子ドット
２２：導光板
２３：反射板
１００：第一の基板
１１０、２１０：支持基板
１２０：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１３０：画素電極
２００：第二の基板
２２０：カラーフィルタ層
２２０Ｂ：青色カラーフィルタ
２２０Ｇ：緑色カラーフィルタ
２２０Ｒ：赤色カラーフィルタ
２３０：共通電極
３００：液晶層
４１０：第一の偏光板
４２０：第二の偏光板
ＬＢ：青色光
ＬＧ：緑色光
ＬＲ：赤色光

Claims (12)

1. 液晶組成物を含有する液晶層を備える液晶パネルと、
   前記液晶パネルに光を照射する光源と、を備え、
   前記液晶組成物は、フェニル基及び前記フェニル基と連続した共役系を形成する共役結合基を有する第一の液晶化合物、並びに、共役系を形成しないアルケニル基を有する第二の液晶化合物の少なくとも一方の液晶化合物を含有し、
   前記光源は、半値幅が５０ｎｍ未満の緑色光を発することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記光源は、半値幅が４０ｎｍ以下の緑色光を発することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記光源は、半値幅が２５ｎｍ以下の緑色光を発することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記光源は、青色光を出射する青色光源と、緑色光を発光する緑色量子ドットと、を備えることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記液晶組成物は、前記第一の液晶化合物を２重量％以上含有することを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記液晶組成物は、前記第一の液晶化合物を２０重量％以上含有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記液晶組成物は、前記第二の液晶化合物を５１重量％以上含有することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記液晶組成物は、前記第二の液晶化合物を７０重量％以上含有することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第一の液晶化合物は、下記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）で表される部分構造のうち少なくとも一種の部分構造を有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
   

   

   （上記一般式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、Ｘ^１１～Ｘ^１６、Ｘ^２１～Ｘ^２４、Ｘ^３１～Ｘ^３４、Ｘ^４１～Ｘ^４４、及び、Ｘ^５１～Ｘ^５３は、各々独立に、水素基又はハロゲン基を表し、＊は結合位置を表す。）
10. 前記第二の液晶化合物は、下記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）で表される部分構造のうち少なくとも一種の部分構造を有することを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の液晶表示装置。
    

    

    （上記一般式（Ｌ６）及び（Ｌ７）中、Ｒ^１は、炭素数１～３のアルキル基を表し、＊は結合位置を表す。）
11. 前記液晶パネルは、青色カラーフィルタを備え、
    前記青色カラーフィルタは、４００ｎｍ以上、５００ｎｍ未満の波長帯域における最大透過率が７５％以上であることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記液晶パネルは、緑色カラーフィルタを備え、
    前記緑色カラーフィルタは、波長４５０ｎｍにおける透過率が５％以上であることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。

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