JP2022184132A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】異常放電を回避するためのガス供給構造を有するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源と、内部にガス流通路を有する複数のガスノズルと、前記処理容器を画成する天壁及び/又は側壁と一体に形成され、前記天壁及び/又は側壁から突出する複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部のそれぞれは、先端にガス孔を有し、前記天壁及び/又は側壁は、前記複数の突出部のそれぞれが有する前記ガス孔に前記ガス流通路が連通するように前記複数のガスノズルのそれぞれが配置される凹部を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【選択図】図4
【解決手段】処理容器と、前記処理容器内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源と、内部にガス流通路を有する複数のガスノズルと、前記処理容器を画成する天壁及び/又は側壁と一体に形成され、前記天壁及び/又は側壁から突出する複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部のそれぞれは、先端にガス孔を有し、前記天壁及び/又は側壁は、前記複数の突出部のそれぞれが有する前記ガス孔に前記ガス流通路が連通するように前記複数のガスノズルのそれぞれが配置される凹部を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【選択図】図4
Description
本開示は、プラズマ処理装置に関する。
例えば、特許文献1は、マイクロ波により表面波プラズマを発生させるプラズマ処理装置において、処理容器に第1のガスと第2のガスを供給するシャワープレートを備えたプラズマ処理装置を開示する。シャワープレートには、処理容器内に第1のガスを供給する複数のガス孔と、当該複数のガス孔と異なる位置に、シャワープレートの下面から鉛直下方に突出し処理容器内に第2のガスを供給する複数の供給ノズルとが形成されている。
例えば、特許文献2は、処理容器と、処理容器を構成する天壁及び/又は側壁から突出し、処理容器内にガスを供給するガス供給孔を有する複数のガスノズルとを備えたプラズマ処理装置を開示する。複数のガスノズルは、複数のガスノズルのガス供給孔の先端にてガス供給孔の細孔から拡大し、処理空間に開口する拡径部を有する。
本開示は、異常放電を回避するためのガス供給構造を有するプラズマ処理装置を提供する。
本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源と、内部にガス流通路を有する複数のガスノズルと、前記処理容器を画成する天壁及び/又は側壁と一体に形成され、前記天壁及び/又は側壁から突出する複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部のそれぞれは、先端にガス孔を有し、前記天壁及び/又は側壁は、前記複数の突出部のそれぞれが有する前記ガス孔に前記ガス流通路が連通するように前記複数のガスノズルのそれぞれが配置される凹部を有する、プラズマ処理装置が提供される。
一の側面によれば、異常放電を回避するためのガス供給構造を有するプラズマ処理装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
[プラズマ処理装置]
図1を参照して、実施形態に係るプラズマ処理装置1の構成の一例について説明する。図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例を示す断面模式図である。実施形態に係るプラズマ処理装置1は、例えば半導体ウエハを一例とする基板Wに対して、成膜処理、拡散処理、エッチング処理、アッシング処理等の所定の処理を施す装置である。
図1を参照して、実施形態に係るプラズマ処理装置1の構成の一例について説明する。図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例を示す断面模式図である。実施形態に係るプラズマ処理装置1は、例えば半導体ウエハを一例とする基板Wに対して、成膜処理、拡散処理、エッチング処理、アッシング処理等の所定の処理を施す装置である。
プラズマ処理装置1は、処理容器2と載置台21とガス供給機構3と排気装置4とマイクロ波導入モジュール5と制御装置8とを有する。処理容器2は、被処理体である基板Wを収容する。載置台21は、処理容器2の内部に配置され、基板Wを載置する載置面21aを有する。ガス供給機構3は、処理容器2内にガスを供給する。排気装置4は、処理容器2内を減圧排気する。マイクロ波導入モジュール5は、処理容器2内にプラズマを生成させるためのマイクロ波を導入する。制御装置8は、プラズマ処理装置1の各部を制御する。
処理容器2は、例えば略円筒形状を有する。処理容器2は、例えばアルミニウム及びその合金等の金属材料によって形成されている。マイクロ波導入モジュール5は、処理容器2の上部に配置され、処理容器2内に高周波又はマイクロ波(本実施形態ではマイクロ波)を導入し、プラズマを生成するプラズマ生成部として機能する。
処理容器2は、板状の天壁11と、底壁13と、天壁11と底壁13とを連結する側壁12とを有している。天壁11、側壁12、底壁13は、アルミニウム等の導電性部材により構成されている。天壁11及び/又は側壁12は、処理容器2を画成する天壁11及び/又は側壁12と一体に形成され、天壁11及び/又は側壁12から突出する複数の突出部11aを有する。本開示では、天壁11が複数の突出部11aを有し、複数のガスノズル16のそれぞれが配置される凹部11gを有する。複数の突出部11aは周方向に均等に例えば12個配置されている。ただし、複数の突出部11aの個数及び配置はこれに限らない。複数の突出部11aのそれぞれの先端には、ガス孔11bを有する。天壁11及び/又は側壁12は、複数のガスノズル16のそれぞれが配置される凹部11gを有する。複数のガスノズル16は、内部にガス流通路16aを有する(図4参照)。複数のガスノズル16は、複数の突出部11aのそれぞれが有する複数のガス孔11bにガス流通路16aが連通するように凹部11gに組み込まれるカートリッジ式のガス供給部品である。
複数の突出部11aの内周側には、天壁11及び/又は側壁12に形成された複数のガス孔11cを有する。複数のガス孔11cは周方向に均等に例えば12個形成されている。ただし、複数のガス孔11cの個数及び配置はこれに限らない。
天壁11及び/又は側壁12は、複数のガスノズル17のそれぞれが配置される凹部11hを有する。本開示では、天壁11が複数のガスノズル17のそれぞれが配置される凹部11hを有する。複数のガスノズル17は、内部にガス流通路17aを有する(図4参照)。複数のガスノズル17は、複数のガス孔11cにガス流通路17aが連通するように凹部11hに組み込まれるカートリッジ式のガス供給部品である。
複数の突出部11aは、天壁11から下向きに載置台21に向かって突出しているが、これに限らず、側壁12と一体に形成され、側壁12から処理容器2の内側に向かって突出してもよいし、天壁11と側壁12との両方から突出してもよい。また、本開示では、複数のガス孔11cは、天壁11から下向きに開口しているが、これに限らず、側壁12から処理容器2の内側に向かって開口してもよいし、天壁11と側壁12との両方に設けられてもよい。これにより、天壁11及び/又は側壁12の少なくともいずれかから下向き又は横向きにガスを供給することができる。
ガス供給機構3は、ガス供給源31を含むガス供給装置3aと、ガス供給源31と複数のガスノズル16とを接続する配管32aと、ガス供給源31と複数のガスノズル17とを接続する配管32bとを有する。なお、図1では、1つのガス供給源31を図示しているが、ガス供給装置3aは、使用されるガスの種類に応じて複数のガス供給源を含んでよい。
ガス供給装置3aは、更に、配管32a、32bの途中に設けられた図示しないマスフローコントローラおよび開閉バルブを含んでいる。処理容器2内に供給されるガスの種類やこれらのガスの流量等は、マスフローコントローラおよび開閉バルブによって制御される。
ガス供給源31は、例えば、プラズマ生成用の希ガスや、酸化処理、窒化処理、成膜処理、エッチング処理およびアッシング処理に使用されるガス等のガス供給源として用いられる。例えば、分解し難いガスは複数のガスノズル17から導入し、分解し易いガスは複数のガスノズル16から導入してもよい。例えばSiN膜を成膜する際に使用するN2ガスとシランガスのうち分解し難いN2ガスは複数のガスノズル17から導入し、分解し易いシランガスは複数のガスノズル16から導入してもよい。
側壁12は、処理容器2に隣接する図示しない搬送室との間で基板Wの搬入出を行うための搬入出口12aを有している。処理容器2と図示しない搬送室との間には、ゲートバルブGが配置されている。ゲートバルブGは、搬入出口12aを開閉する機能を有している。ゲートバルブGは、閉状態で処理容器2を気密にシールすると共に、開状態で処理容器2と図示しない搬送室との間で基板Wの移送を可能にする。
底壁13は、複数(図1では2つ)の排気口13aを有している。プラズマ処理装置1は、更に、排気口13aと排気装置4とを接続する排気管14を有する。排気装置4は、APCバルブと、処理容器2の内部空間を所定の真空度まで高速に減圧することが可能な高速真空ポンプとを有している。このような高速真空ポンプとしては、例えばターボ分子ポンプ等がある。排気装置4の高速真空ポンプを作動させることによって、処理容器2は、その内部空間が所定の真空度、例えば0.133Paまで減圧される。
プラズマ処理装置1は、更に、処理容器2内において載置台21を支持する支持部材22と、支持部材22と底壁13との間に設けられた絶縁部材23とを有する。載置台21は、基板Wを水平に載置するためのものである。支持部材22は、底壁13の中央から処理容器2の内部空間に向かって延びる略円筒形状を有している。載置台21および支持部材22は、例えば表面にアルマイト処理(陽極酸化処理)が施されたアルミニウム等によって形成されている。
プラズマ処理装置1は、載置台21に高周波電力を供給する高周波バイアス電源25と、載置台21と高周波バイアス電源25との間に設けられた整合器24とを有する。高周波バイアス電源25は、基板Wにイオンを引き込むために、載置台21に高周波電力を供給する。整合器24は、高周波バイアス電源25の出力インピーダンスと負荷側(載置台21側)のインピーダンスを整合させるための回路を有する。
プラズマ処理装置1は、更に、載置台21を加熱または冷却する、図示しない温度制御機構を有してもよい。温度制御機構は、例えば、基板Wの温度を、25℃(室温)~900℃の範囲内で制御する。
プラズマ処理装置1の各構成部は、それぞれ制御装置8に接続されて、制御装置8によって制御される。制御装置8は、典型的にはコンピュータである。図1に示した例では、制御装置8は、CPUを備えたプロセスコントローラ87、プロセスコントローラ87に接続されたユーザーインタフェース88及びメモリ89を有する。
プロセスコントローラ87は、プラズマ処理装置1において、例えば温度、圧力、ガス流量、バイアス印加用の高周波電力、マイクロ波出力等のプロセス条件に関係する各構成部を制御する。例えばプロセスコントローラ87は、高周波バイアス電源25、ガス供給装置3a、排気装置4、マイクロ波導入モジュール5を制御する。
ユーザーインタフェース88は、管理者がプラズマ処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、プラズマ処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。
メモリ89には、プラズマ処理装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ87の制御によって実現するための制御プログラムや、処理条件データ等が記録されたレシピ等が保存されている。プロセスコントローラ87は、ユーザーインタフェース88からの指示等、必要に応じて任意の制御プログラムやレシピをメモリ89から呼び出して実行する。これにより、プロセスコントローラ87による制御下で、プラズマ処理装置1の処理容器2内において所望の処理が行われる。
上記の制御プログラムおよびレシピは、例えば、フラッシュメモリ、DVD、ブルーレイディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。
次に、マイクロ波導入モジュールの構成の一例について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1に示すように、マイクロ波導入モジュール5は、天壁11の上部に設けられ、処理容器2内にマイクロ波を導入する。マイクロ波導入モジュール5は、マイクロ波出力部50とアンテナユニット60とを有する。マイクロ波出力部50は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力する。アンテナユニット60は、マイクロ波出力部50から出力されたマイクロ波を処理容器2に導入する。マイクロ波出力部50は、処理容器2内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源の一例である。本開示ではマイクロ波を出力するが、マイクロ波帯に替えてVHF帯又はUHF帯を含む帯域の高周波の電力を供給してもよい。
図2に示すようにマイクロ波出力部50は、電源部51と、マイクロ波発振器52と、マイクロ波発振器52によって発振されたマイクロ波を増幅するアンプ53と、アンプ53によって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配する分配器54とを有している。マイクロ波発振器52は、所定の周波数(例えば、2.45GHz)でマイクロ波を発振させる。なお、マイクロ波の周波数は、2.45GHzに限らず、8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等であってもよい。また、このようなマイクロ波出力部50は、マイクロ波の周波数を例えば860MHz等、800MHzから1GHzの範囲内とする場合にも適用することが可能である。分配器54は、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。
アンテナユニット60は、複数のアンテナモジュール61を含んでいる。複数のアンテナモジュール61は、それぞれ、分配器54によって分配されたマイクロ波を処理容器2内に導入する。本実施形態では、複数のアンテナモジュール61の構成は全て同一である。各アンテナモジュール61は、分配されたマイクロ波を主に増幅して出力するアンプ部62と、アンプ部62から出力されたマイクロ波を処理容器2内に導入するマイクロ波導入機構63とを有している。
アンプ部62は、位相器62Aと可変ゲインアンプ62Bとメインアンプ62Cとアイソレータ62Dとを有する。位相器62Aは、マイクロ波の位相を変化させる。可変ゲインアンプ62Bは、メインアンプ62Cに入力されるマイクロ波の電力レベルを調整する。メインアンプ62Cは、ソリッドステートアンプとして構成される。アイソレータ62Dは、マイクロ波導入機構63のアンテナ部で反射されてメインアンプ62Cに向かう反射マイクロ波を分離する。
位相器62Aは、マイクロ波の位相を変化させて、マイクロ波の放射特性を変化させる。位相器62Aは、例えば、アンテナモジュール61毎にマイクロ波の位相を調整することによって、マイクロ波の指向性を制御してプラズマの分布を変化させることに用いられる。なお、このような放射特性の調整を行わない場合には、位相器62Aを設けなくてもよい。
可変ゲインアンプ62Bは、個々のアンテナモジュール61のばらつきの調整や、プラズマ強度の調整のために用いられる。例えば、可変ゲインアンプ62Bをアンテナモジュール61毎に変化させることによって、処理容器2内全体のプラズマの分布を調整することができる。
メインアンプ62Cは、例えば、図示しない入力整合回路、半導体増幅素子、出力整合回路および高Q共振回路を含んでいる。半導体増幅素子としては、例えば、E級動作が可能なGaAsHEMT、GaNHEMT、LD(Laterally Diffused)-MOSが用いられる。
アイソレータ62Dは、サーキュレータとダミーロード(同軸終端器)とを有している。サーキュレータは、マイクロ波導入機構63のアンテナ部で反射された反射マイクロ波をダミーロードへ導くものである。ダミーロードは、サーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換するものである。なお、前述のように、本実施形態では、複数のアンテナモジュール61が設けられており、複数のアンテナモジュール61の各々のマイクロ波導入機構63によって処理容器2内に導入された複数のマイクロ波は、処理容器2内において合成される。そのため、個々のアイソレータ62Dは小型のものでもよく、アイソレータ62Dをメインアンプ62Cに隣接して設けることができる。
図1に示したように、複数のマイクロ波導入機構63は、天壁11に組み込まれる。マイクロ波導入機構63を構成する本体容器67の内側面67aと内側導体68の外側面68aとの間の空間は、マイクロ波伝送路を形成する。マイクロ波伝送路を通ったマイクロ波は、スロットを通り、誘電体73を透過し、処理容器2内に供給される。
[ガス供給構造]
図1に示すように、プラズマ処理装置1は、天壁11に複数のガスノズル16と複数のガスノズル17とを有する。ただし、プラズマ処理装置1は、天壁11及び/又は側壁12に複数のガスノズル16と複数のガスノズル17とのいずれかを有していればよい。
図1に示すように、プラズマ処理装置1は、天壁11に複数のガスノズル16と複数のガスノズル17とを有する。ただし、プラズマ処理装置1は、天壁11及び/又は側壁12に複数のガスノズル16と複数のガスノズル17とのいずれかを有していればよい。
次に、図3に示す参考例に係るガスノズルの構成の一例を説明した後、図4に示す本実施形態に係るガスノズル16とガスノズル17を有するガス供給構造の一例について説明する。
参考例では、天壁11と一体に形成され、天壁11から突出する複数の突出部の内部にガス流通路109aが形成されている。また、ガス流通路109aの先端には、ボルト108により天壁11と一体化した突出部の先端に先端ノズル107が固定されている。先端ノズル107はアルミニウムから形成されている。これにより、ガス流通路109aと、先端ノズル107に設けられたガス孔107aとがボルト108の穴108aを介して連通する。先端ノズル107のガス孔107aは直径が約1mmであり細い。このため、ガス流通路109aから処理容器2内にガスを供給する際に詰まり易い。よって、先端ノズル107はガス孔107aの詰まりに対応するために交換が容易なように構成される。
突出部の下面と先端ノズル107の上面との間にはOリング106が設けられている。Oリング106は、ガス流通路109aからボルト108の穴108aを通りガス孔107aから処理容器2内に供給されるガスが、突出部の下面と先端ノズル107の上面の間の隙間から外周側に漏れることを回避する。
突出部を含む天壁11と先端ノズル107の表面には、マイクロ波が伝搬し、プラズマに曝される。よって、突出部を含む天壁11と先端ノズル107の表面は、プラズマの影響を受け難いようにイットリア(Y2O3)膜で被膜されている。マイクロ波が、天壁11の突出部と先端ノズル107との繋ぎ目105を伝搬する際、繋ぎ目105の隙間にマイクロ波の電界が集中することにより異常放電が生じる場合がある。異常放電が生じると、繋ぎ目105付近のイットリア膜(溶射膜)が剥がれ、パーティクルとなって基板Wの成膜プロセスに影響を与える。
そこで、実施形態に係るプラズマ処理装置1は異常放電を回避するためのガス供給構造を有する。以下、実施形態のガス供給構造について、図4及び図5を参照しながら説明する。図4は、実施形態に係るプラズマ処理装置1が有するガス供給構造の構成を示す。図5(a)及び(b)は、図4のガスノズル17,16を天壁11から取り出したときの斜視図である。
突出部11aは天壁11を削り出して、天壁11の下面から下向きに突出する略円筒形状をなす。突出部11aは天壁11と一体であり、アルミニウム等の導電性材料から構成される。突出部11aを含む天壁11の表面は、プラズマの影響を受け難いようにイットリア(Y2O3)膜で被膜されている。突出部11aの先端は丸みを有し、突出部11aを含む天壁11の表面に角部や隙間はない。このため、マイクロ波が突出部11aを含む天壁11の表面を伝搬する際にマイクロ波の集中が生じず、これにより異常放電の発生を回避できる。
複数の突出部11aの形状及び長さは同一である。突出部11aの先端には、ガスノズル16の先端からの長さHが5mm以上であり、直径が3mm以上のガス孔11bが形成され、ガス孔11bの先端は処理容器2内の処理空間に開口する開口部11eとなっている。
ガスノズル16はカートリッジ式であり、処理容器2内に組み込む構造である。ガスノズル16は、天壁11の凹部11gに挿入して天壁11へ装着することができ、かつ、天壁11からの取り出しが可能である。ガスノズル16内のガス流通路16aは、ガスノズル16の出口側で細孔16cにつながっている。細孔16cの直径はガス流通路16aの直径よりも小さい。ガス孔11bの直径は、ガス流通路16aの出口側の細孔16cの直径よりも大きい。細孔16cとガス孔11bとの組み合わせによりガス供給構造の先端構造はディンプル形状になっている。ガス孔11b及びその開口部11eの直径は、例えば4mmであってよく、細孔16cの直径は1mm又は1mmよりも小さくてよい。係る細孔16cは直径が1mm程度と小さく詰まり易い。ガスノズル16は、ガス流通路16aの内面に取り出し用の溝16bが形成され、溝16bに後述する取り出し治具の先端部を勘合し、取り出し治具によりガスノズル16を引っ張り上げることで、細孔16cが詰まったとき等のガスノズル16の交換を容易にする。また、ガスノズル16を交換可能なカートリッジ方式とすることで、各ガスノズル16の流量を計測して、ガスノズル16から処理容器2内に供給されるガスの分布が均等になるように、ガスノズル16の配置を並び替えることが可能となる。
ガスノズル16は、アルミニウム等の導電性材料により形成されている。ガスノズル16が天壁11に設けられた突出部11a及び/又は側壁12に設けられた突出部に取り付けられる場合、ガスノズル16の長さ(図4のh2の寸法)は、天壁11及び/又は側壁12の厚さ(図4のh1の寸法)よりも長い。なお、図4では、便宜上Oリング18の厚み分もガスノズル16の長さに含めている。
ガスノズル16の外側面には、長手方向に伸びるガス抜き用の溝16eが周方向に均等な位置に4本形成されている。ガス抜き用の溝16eは、ガスノズル16の外側面から先端面まで延在する溝である。ガス抜き用の溝16eの先端を先端溝16e1とする。また、図4及び図5(b)に示すように、4つの溝16eは、ガスノズル16の入口側にて周方向に設けられた溝16dにより連通する。
図4のA-A断面を示す図5(c)を参照すると、ガス抜き用の溝16eがガスノズル16の外側面に周方向に等間隔に設けられ、突出部11aの内側面とガスノズル16の外側面の隙間にガスが滞留しないように設けられている。つまり、ガスノズル16は、排気装置4によって処理容器2内を排気する間に溝16eを通して複数のガスノズル16の周りのガスを排出するように構成される。
図4のB-B断面を示す図5(d)を参照する。ガス抜き用の溝16eがガスノズル16の外側面から先端面まで延在し、ガスノズル16の先端面に形成された先端溝16e1は、天壁11の凹部11gの底面とガスノズル16の先端面の隙間にガスが滞留しないように設けられている。先端溝16e1の先端16e2は、ガス孔11bの開口よりも内側に位置し、ガス孔11bと連通する。
これにより、排気装置4は、ガス孔11b及び先端溝16e1を通して溝16eから複数のガスノズル16とガスノズル16のそれぞれが配置される凹部11gの隙間のガスを排出するように構成される。これにより、ガスノズル16と天壁11との隙間にてガスが滞留することを防止できる。
天壁11に突出部11aがない場合のガス供給構造について図4及び図5を参照しながら説明する。天壁11は、ガスノズル17を装着するための凹部11hを有する。凹部11hの先端にはガスノズル17の先端からの長さが5mm以上であり直径が3mm以上のガス孔11cが形成され、ガス孔11cの先端は処理容器2に開口する開口部11dとなっている。
ガスノズル17はカートリッジ式であり、処理容器2内に組み込む構造である。ガスノズル17は、天壁11の凹部11hに挿入して天壁11へ装着することができ、かつ、天壁11からの取り出しが可能である。ガスノズル17内のガス流通路17aは、ガスノズル17の出口側で細孔17cにつながっている。細孔17cの直径はガス流通路17aの直径よりも小さい。ガス孔11cの直径は、ガス流通路17aの出口側の細孔17cの直径よりも大きい。細孔17cとガス孔11cとの組み合わせによりガス供給構造の先端構造はディンプル形状になっている。ガス孔11c及びその開口部11dの直径は、例えば4mmであってもよく、細孔17cの直径は1mm又は1mmよりも小さくてよい。係る細孔17cは直径が1mm程度と小さく詰まり易い。ガスノズル17は、ガス流通路17aの内面に取り出し用の溝17bが形成され、溝17bに後述する取り出し治具の先端部を勘合し、取り出し治具によりガスノズル17を引っ張り上げることで、細孔17cが詰まったときのガスノズル17の交換を容易にする。
ガスノズル17は、アルミニウム等の導電性材料により形成されている。ガスノズル17が天壁11及び/又は側壁12に取り付けられている場合、ガスノズル17の長さ(図4のh3の寸法)は、天壁11及び/又は側壁12の厚さ(図4のh1の寸法)よりも短い。なお、図4では、便宜上Oリング18の厚み分もガスノズル17の長さに含めている。
ガスノズル17の外側面には、長手方向に伸びるガス抜き用の溝17eが周方向に均等な位置に4本形成されている。ガス抜き用の溝17eは、ガスノズル17の外側面から先端面まで延在する溝である。ガス抜き用の溝17eの先端を先端溝17e1とする。また、図4及び図5(a)に示すように、4つの溝17eは、ガスノズル17の入口側にて周方向に設けられた溝17dにより連通する。
これにより、排気装置4は、ガス孔11c及び先端溝17e1を通して溝17eから複数のガスノズル17とガスノズル17のそれぞれが配置される凹部11hの隙間のガスを排出するように構成される。これにより、ガスノズル17と天壁11との隙間にてガスが滞留することを防止できる。
以上により、ガス抜き用の溝16e、17eを真空引きラインとして機能させ、ガスノズル16、17と天壁11との間の隙間からガスを排気し、真空空間にすることができる。なお、ガス抜き用の溝16e、17eは、凹部11g、11hの内面及び/又は複数のガスノズル16、17の外面に形成されたガス抜き用の第1溝の一例である。また、溝16e、17eの数及び形状はこれに限らない。なお、本開示では、ガス抜き用の溝16e、17eは、複数のガスノズル16、17の外面(外側面及び先端面)に形成されたが、これに限られず、凹部11g、11hの内面(内側面及び底面)に形成されてもよいし、その両側に形成されてもよい。
また、ガスノズル16、17の入口側にてガス流通路16a、17aの内面に周方向に形成された溝16b、17bは、複数のガスノズル16、17のガス流通路16a、17aの内面に形成されたガスノズル取り出し用の第2溝の一例である。
図4に示すように、天壁11上にはガスプレート15が設けられている。Oリング18は、ガスノズル16、17のそれぞれの上面とガスプレート15の間に設けられている。Oリング18は、ガスプレート15の貫通孔15a、15bに取り付けられた図示しないガスラインから流入するガスがガスノズル16、17のそれぞれの上面とガスプレート15の間から外側へ漏れることを封止している。Oリング19は、Oリング18及びガスノズル16、17の外周側に設けられ、処理容器2内の真空領域を処理容器2外の大気領域から封止している。
図6は、横軸に実施形態に係るガスノズル16,17の先端面(出口側)からのディンプル深さHを示し、縦軸に電界強度を示し、ディンプル深さHと電界強度の相関関係を示すグラフである。ディンプル深さHは、図4に示すガス孔11bの長さHを一例として、その長さを変化させたときのガスノズル16の先端における電界強度を解析したシミュレーション結果の一例である。
これによれば、ディンプル深さHを深くするほど、つまり、ガス孔11bの長さを長くするほど、ガスノズル16の先端の電界強度が弱くなる。その理由は、ガス孔11bの長さを長くするほど、ガスノズル16と天壁11との繋ぎ目が天壁11の内側に入り込み、マイクロ波の伝搬領域である突出部11aの表面から繋ぎ目部分を遠ざけることができるため、ガスノズル16の先端の電界強度が弱まると考えられる。
よって、ガス孔11bの長さを長くするほど(ディンプル深さHを深くするほど)異常放電の発生をより防止できる。ただし、ガス孔11bの長さHは、異常放電の防止の観点から5mm以上であれば問題無いことが確認されている。
上記シミュレーション結果は、ガスノズル17の構造においても同じように異常放電の防止に利用できる。つまり、ガス孔11cの長さを長くするほど、ガスノズル17と天壁11との繋ぎ目が天壁11の内側に入り、マイクロ波の伝搬領域である天壁11の表面から繋ぎ目部分を遠ざけることができるため、ガスノズル17の先端の電界強度が弱まる。よって、ガス孔11cの長さを長くするほど(ディンプル深さを深くするほど)異常放電の発生をより防止できる。ただし、ガス孔11cの長さは、異常放電の防止の観点から5mm以上であれば問題無いことが確認されている。
以上に説明したように、本開示のガス供給構造を有するプラズマ処理装置1によれば、ガスノズル16、17の出口側の天壁11にガス孔11b、11cを設ける構造(ディンプル構造)により、ガスノズル16、17にマイクロ波が回り込まないようにする。これにより、ガスノズル16、17と天壁11との繋ぎ目をマイクロ波の伝搬経路である天壁11の表面から遠ざけることによって異常放電の発生を防止することができる。
以上の結果から、本開示のガス供給構造では、ガスノズル16、17をカートリッジ式にして天壁11の凹部11g、11h内に組み込む構造とする。この構造によりガスノズル16、17と天壁11の繋ぎ目をマイクロ波伝搬領域から遠ざけることができる。これにより、ガスノズル16ノズルの長さが長い場合のみならず、ガスノズル17のようにノズルの長さが短くても上記ディンプル構造により異常放電の発生を防止できる。
また、少なくともガスノズル16、17の外側面及び/又は天壁11の凹部11g、11hの内側面にガス抜き用の溝16e、17eを設ける構造を有する。これにより、ガスノズル16、17の外側面と天壁11の凹部11g、11hの内側面の間の隙間でガスが滞留することを抑制できる。
[取り出し治具]
実施形態に係るガスノズルの取り出し治具について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、実施形態に係るガスノズルの組み込みを説明するための図である。図8は、実施形態に係るガスノズルの取り出し治具及び取り出しを説明するための図である。ここでは、ガスノズル16の取り出し方法について説明するが、ガスノズル17の取り出し方法についても同様である。
実施形態に係るガスノズルの取り出し治具について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、実施形態に係るガスノズルの組み込みを説明するための図である。図8は、実施形態に係るガスノズルの取り出し治具及び取り出しを説明するための図である。ここでは、ガスノズル16の取り出し方法について説明するが、ガスノズル17の取り出し方法についても同様である。
図7は、天壁11の上部からガスノズル16を挿入し、組み込む状態を示す。図7に示すように、ガスノズル16は、天壁11に設けられた凹部11gに挿入される。挿入後、Oリング18をガスノズル16の上面に配置する。他のガスノズル16についても同様にして天壁11に組み込む。天壁11の上面には、凹部11gの開口の外周にOリング19が配置される。ガスノズル16を凹部11gに挿入し、Oリング18をガスノズル16の上面に配置した後、天壁11の上部にガスプレート15を配置する。
このようにして組み込んだガスノズル16を天壁11から取り出す場合、図8に示す取り出し用治具80が用いられる。図8(c)に示すように、取り出し用治具80は、スリーブ81とピン82とを有する。図8(a)にスリーブ81のみを示す。スリーブ81はプラスチック(樹脂)により形成され、上部に突出した部分を有する円筒形状である。スリーブ81は、中央を貫通する穴部81aを有し、その側部には下端に向かって開口するスリット81bが対向する位置に2つ形成されている。スリーブ81の先端は細くなっている。図8(b)にスリーブ81の先端を拡大して示す。スリーブ81の先端は、ガスノズル16のガス流通路16aの直径と略同一の直径を有する筒状の縮小部81cを有する。縮小部81cには穴部81aが貫通する。縮小部81cの先端は、縮小部81cよりも外側に出っ張った出っ張り部81dを有する。出っ張り部81dの形状は、ガスノズル16のガス流通路16aに設けられた溝16bとほぼ同一の形状(幅と高さ)を有する。つまり、取り出し用治具80は、先端の縮小部81cがガス流通路16aに挿入可能であり、先端の出っ張り部81dが溝16bに嵌め込まれるように構成されている。
取り出し用治具80を用いたガスノズル16の取り出しは、(1)~(4)の順で行う。取り出し用治具80は、ガスノズル16を天壁11の上部から引き抜くときに簡単に取り出せるようにする。(1)スリーブ81の側面を操作者の指で挟んでスリーブ81の先端の側面にある2カ所のスリット81bを閉じる。(2)スリット81bを閉じたまま、スリーブ81を先端からガスノズル16のガス流通路16aに挿入する。なお、Oリング18はガスノズル16の上に載せたままでもよい。(3)ピン82をスリーブ81の穴に挿入し、スリット81bが閉じないようにする(図8(c))。(4)ピン82とともにスリーブ81を持ち上げて、ガスノズル16を引き抜く。
例えば、複数のガスノズル16から処理容器2内に均一にガスを供給できるように、直径の異なる細孔16cを有するガスノズル16を複数の天壁の凹部11gに配置し直す際、取り出し用治具80を用いることが好適である。各ガスノズル16から供給されるガスの流量を計測して、流量が均等になるように取り出し用治具80によりガスノズル16を並び替える際の作業を容易にすることができる。
以上に説明したように、本実施形態によれば、異常放電を回避するためのガス供給構造を有するプラズマ処理装置を提供できる。
今回開示された実施形態に係るプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
1 プラズマ処理装置
2 処理容器
3 ガス供給機構
4 排気装置
5 マイクロ波導入モジュール
8 制御装置
11 天壁
11b、11c ガス孔
12 側壁
16、17 ガスノズル
16a、17a ガス流通路
21 載置台
80 取り出し用治具
2 処理容器
3 ガス供給機構
4 排気装置
5 マイクロ波導入モジュール
8 制御装置
11 天壁
11b、11c ガス孔
12 側壁
16、17 ガスノズル
16a、17a ガス流通路
21 載置台
80 取り出し用治具
Claims (9)
- 処理容器と、
前記処理容器内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源と、
内部にガス流通路を有する複数のガスノズルと、
前記処理容器を画成する天壁及び/又は側壁と一体に形成され、前記天壁及び/又は側壁から突出する複数の突出部と、を有し、
前記複数の突出部のそれぞれは、先端にガス孔を有し、
前記天壁及び/又は側壁は、前記複数の突出部のそれぞれが有する前記ガス孔に前記ガス流通路が連通するように前記複数のガスノズルのそれぞれが配置される凹部を有する、プラズマ処理装置。 - 前記複数のガスノズルの長さは、前記複数のガスノズルが配置される前記天壁及び/又は側壁の厚さよりも長い、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 処理容器と、
前記処理容器内においてプラズマを生成するための高周波又はマイクロ波の電力を供給する電源と、
内部にガス流通路を有する複数のガスノズルと、
前記処理容器を画成する天壁及び/又は側壁に形成された複数のガス孔と、を有し、
前記天壁及び/又は側壁は、複数の前記ガス孔のそれぞれに前記ガス流通路が連通するように前記複数のガスノズルのそれぞれが配置される凹部を有する、プラズマ処理装置。 - 前記複数のガス孔の直径は、前記複数のガス孔のそれぞれに連通する前記ガス流通路の出口側の直径よりも大きい、
請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のガス孔の長さは5mm以上である、
請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記凹部の内面及び/又は前記複数のガスノズルの外面にはガス抜き用の第1溝が形成される、
請求項1~5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1溝は、前記凹部の内側面から底面まで延在する先端溝及び/又は前記複数のガスノズルの外側面から先端面まで延在する先端溝を有する、
請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のガスノズルの先端面に形成されている前記先端溝は、前記複数のガスノズルのそれぞれに連通する前記ガス孔の開口よりも内側まで延在する、
請求項7に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のガスノズルのガス流通路の内面には、取り出し用の第2溝が形成される、
請求項1~8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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