JP2022178121A - Substrate processing system - Google Patents

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泰利 奥野
Yasutoshi Okuno
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知啓 榑林
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Abstract

To provide a substrate processing system that can appropriately supply a processing liquid heated with higher efficiency to a substrate processing device.SOLUTION: A substrate processing system 100 includes one or more substrate processing devices 10, a heat pump device 20, a heat circulation channel 30, a processing liquid supply channel 31, and a processing liquid replenishing channel 61. The substrate processing device 10 supplies the processing liquid to a substrate and processes the substrate. The heat pump device 20 heats the processing liquid. The heat circulation channel 30 returns the processing liquid from the heat pump device 20 to the heat pump device 20. The processing liquid supply channel 31 branches from the heat circulation channel 30 and supplies the processing liquid to the substrate processing device 10. The processing liquid replenishing channel 61 is connected to the heat circulation channel 30 and replenishes the processing liquid in the heat circulation channel 30.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、基板処理システムに関する。 The present disclosure relates to substrate processing systems.

従来から、工場内の多数の負荷を同時に温度調節するための温調装置が提供されている(例えば特許文献1)。この特許文献1では、温調装置は、負荷を経由する加熱側の循環配管と、負荷を経由する冷却側の循環配管と、ヒートポンプとを含む。ヒートポンプは発熱コア(熱交換器)と吸熱コア(熱交換器)とを含む。発熱コアは、加熱側の循環配管を流れる液体を加熱し、吸熱コアは、冷却側の循環配管を流れる液体を冷却する。 Conventionally, there has been provided a temperature control device for simultaneously controlling the temperature of a large number of loads in a factory (for example, Patent Document 1). In Patent Document 1, the temperature control device includes a heating-side circulation pipe that passes through a load, a cooling-side circulation pipe that passes through a load, and a heat pump. A heat pump includes a heat generating core (heat exchanger) and an endothermic core (heat exchanger). The heat-generating core heats the liquid flowing through the heating-side circulation pipe, and the heat-absorbing core cools the liquid flowing through the cooling-side circulation pipe.

発熱コアによって加熱された液体は加熱側の循環配管を流れて、負荷の加熱対象を加熱し、吸熱コアによって冷却された液体は冷却側の循環配管を流れて、負荷の冷却対象を冷却する。 The liquid heated by the heat-generating core flows through the heating-side circulation pipe to heat the load to be heated, and the liquid cooled by the heat-absorbing core flows through the cooling-side circulation pipe to cool the load to be cooled.

また、本開示に関連する技術として、特許文献2~5も掲示する。 In addition, Patent Documents 2 to 5 are also posted as technologies related to the present disclosure.

特開2009-287865号公報JP 2009-287865 A 特開2002-246359号公報JP-A-2002-246359 特開平11-87300号公報JP-A-11-87300 特開2021-9956号公報JP-A-2021-9956 特開2015-113523号公報JP 2015-113523 A

特許文献1では、発熱コアから液体への熱の移動および該液体から加熱対象への熱の移動によって、加熱対象が加熱される。よって、この加熱対象として、負荷において基板に供給する処理液を採用する場合、発熱コアから液体を経由して処理液(液体)に熱が伝達されるので、効率が悪い。 In Patent Literature 1, the object to be heated is heated by heat transfer from the heating core to the liquid and heat transfer from the liquid to the object to be heated. Therefore, when the processing liquid supplied to the substrate at the load is used as the object to be heated, heat is transferred from the heating core to the processing liquid (liquid) via the liquid, which is inefficient.

また、特許文献1では、液体が加熱側の循環配管を循環するので、循環配管中の液体の総量は一定である。もし仮に、循環配管中の液体の一部を負荷において基板に供給し、その後、外部に排出すると、基板に供給された量だけ循環配管中の液体の量が低下し、液体の不足を招き得る。この場合、いずれ、液体を適切に基板に供給できなくなる。 Further, in Patent Document 1, since the liquid circulates in the circulation pipe on the heating side, the total amount of liquid in the circulation pipe is constant. If part of the liquid in the circulation pipe is supplied to the substrate under load and then discharged to the outside, the amount of liquid in the circulation pipe will decrease by the amount supplied to the substrate, which may lead to a shortage of liquid. . In this case, eventually the liquid cannot be properly supplied to the substrate.

そこで、本開示は、より高い効率で加熱された処理液をより適切に基板処理装置に供給できる基板処理システムを提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide a substrate processing system capable of more appropriately supplying a processing liquid heated with higher efficiency to a substrate processing apparatus.

基板処理システムの第1の態様は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する1以上の基板処理装置と、前記処理液を加熱するヒートポンプ装置と、前記ヒートポンプ装置からの前記処理液を前記ヒートポンプ装置に戻す加熱循環路と、前記加熱循環路から分岐しており、前記基板処理装置に前記処理液を供給する処理液供給路と、前記加熱循環路に接続され、前記加熱循環路に前記処理液を補充する処理液補充路とを備える。 A first aspect of a substrate processing system includes one or more substrate processing apparatuses for supplying a processing liquid to a substrate to process the substrate, a heat pump device for heating the processing liquid, and the processing liquid from the heat pump device. a heating circuit returning to the heat pump device; a processing liquid supply channel branching from the heating circuit and supplying the processing liquid to the substrate processing apparatus; and a processing liquid replenishing path for replenishing the processing liquid.

基板処理システムの第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理システムであって、前記処理液供給路を流れる前記処理液を加熱するヒータをさらに備える。 A second aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the first aspect, further comprising a heater for heating the processing liquid flowing through the processing liquid supply path.

基板処理システムの第3の態様は、第2の態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒータはヒートポンプを含む。 A third aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the second aspect, wherein the heater includes a heat pump.

基板処理システムの第4の態様は、第2または第3の態様にかかる基板処理システムであって、前記基板についての情報を受けて、前記ヒータに加熱動作を開始させる制御部をさらに備える。 A fourth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the second or third aspect, further comprising a controller that receives information about the substrate and causes the heater to start a heating operation.

基板処理システムの第5の態様は、第1から第4のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒートポンプ装置は、前記加熱循環路に接続され、熱伝導性樹脂によって形成された熱交換器を含み、前記基板処理システムは、前記加熱循環路における冷媒の濃度を測定する冷媒濃度センサをさらに備える。 A fifth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to fourth aspects, wherein the heat pump device is connected to the heating circuit and formed of a thermally conductive resin. The substrate processing system further comprises a coolant concentration sensor for measuring the concentration of coolant in the heating circuit.

基板処理システムの第6の態様は、第1から第5のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、前記排出路から供給された前記排液で前記加熱循環路を保温する保温部とをさらに備える。 A sixth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to fifth aspects, comprising: a discharge path through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows; and a heat-retaining part for keeping the heating circuit warm with the waste liquid.

基板処理システムの第7の態様は、第1から第6のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒートポンプ装置によって冷却された冷却液を前記ヒートポンプ装置に戻す冷却循環路と、前記冷却循環路から分岐しており、前記冷却液を前記基板処理装置に供給する冷却液供給路と、前記冷却液供給路よりも上流側かつ前記ヒートポンプ装置よりも下流側において、前記冷却循環路を流れる前記冷却液を冷却する冷却部とをさらに備える。 A seventh aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to sixth aspects, comprising: a cooling circuit for returning cooling liquid cooled by the heat pump device to the heat pump device; a cooling liquid supply path branching from the cooling circuit and supplying the cooling liquid to the substrate processing apparatus; and a cooling circuit upstream of the cooling liquid supply path and downstream of the heat pump device. and a cooling unit for cooling the cooling liquid flowing through.

基板処理システムの第8の態様は、第7の態様にかかる基板処理システムであって、前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、前記冷却循環路または前記冷却循環路から分岐した分岐路で前記排液を冷却する排液冷却部とをさらに備える。 An eighth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the seventh aspect, comprising: a discharge passage through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows; and a waste liquid cooling unit for cooling the waste liquid in the channel.

基板処理システムの第1の態様によれば、ヒートポンプ装置が処理液を加熱するので、より高い効率で処理液を加熱することができ、その処理液を基板処理装置に供給することができる。しかも、加熱循環路には、処理液補充路が接続されるので、処理液の不足も抑制できる。以上のように、高い効率で加熱された処理液を適切に基板処理装置に供給できる。 According to the first aspect of the substrate processing system, since the heat pump device heats the processing liquid, the processing liquid can be heated with higher efficiency, and the processing liquid can be supplied to the substrate processing apparatus. Moreover, since the processing liquid replenishing path is connected to the heating circulation path, shortage of the processing liquid can be suppressed. As described above, the processing liquid heated with high efficiency can be appropriately supplied to the substrate processing apparatus.

基板処理システムの第2の態様によれば、ヒータはヒートポンプ装置よりも基板処理装置に近い位置で処理液を加熱できるので、より高い精度で温度が調整された処理液を基板処理装置に供給できる。 According to the second aspect of the substrate processing system, the heater can heat the processing liquid at a position closer to the substrate processing apparatus than the heat pump device, so that the processing liquid whose temperature is adjusted with higher accuracy can be supplied to the substrate processing apparatus. .

基板処理システムの第3の態様によれば、基板処理システムの効率をさらに向上させることができる。 According to the third aspect of the substrate processing system, the efficiency of the substrate processing system can be further improved.

基板処理システムの第4の態様によれば、処理液供給路を予熱することができる。 According to the fourth aspect of the substrate processing system, the processing liquid supply path can be preheated.

基板処理システムの第5の態様によれば、処理液中の冷媒濃度を監視することができる。 According to the fifth aspect of the substrate processing system, the coolant concentration in the processing liquid can be monitored.

基板処理システムの第6の態様によれば、排液の熱を有効に利用できるので、基板処理システムの効率をさらに向上させることができる。 According to the sixth aspect of the substrate processing system, the heat of the waste liquid can be effectively used, so the efficiency of the substrate processing system can be further improved.

基板処理システムの第7の態様によれば、ヒートポンプ装置のエネルギーを有効に利用して、基板処理装置へ供給される冷却液を冷却することができる。しかも、ヒートポンプ装置とは別の冷却部も設けられているので、ヒートポンプ装置と独立して、冷却液を冷却することができる。よって、冷却液の温度の調整範囲を広げることができる。 According to the seventh aspect of the substrate processing system, the energy of the heat pump device can be effectively used to cool the coolant supplied to the substrate processing device. Moreover, since a cooling unit separate from the heat pump device is also provided, the coolant can be cooled independently of the heat pump device. Therefore, it is possible to widen the adjustment range of the temperature of the coolant.

基板処理システムの第8の態様によれば、排液の温度を速やかに低下させることができる。 According to the eighth aspect of the substrate processing system, the temperature of the waste liquid can be quickly lowered.

第1の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。1 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment; FIG. 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of a substrate processing apparatus. 変形例にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning a modification. ヒータの開始制御の一例を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing an example of heater start control. 第2の実施の形態にかかるヒータの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the heater concerning 2nd Embodiment. 第2の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning 2nd Embodiment. 処理液中の冷媒濃度の監視制御の一例を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing an example of monitoring control of the refrigerant concentration in the treatment liquid; 第3の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning 3rd Embodiment. 基板処理装置および保温部の構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of a substrate processing apparatus and a heat retention part. 排液の排出制御の一例を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing an example of drainage control. 第4の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning 4th Embodiment. 排液冷却部の構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of a waste liquid cooling part. 排液冷却部の構成の他の一例を概略的に示す図である。FIG. 10 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the drained liquid cooling unit;

以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the components described in this embodiment are merely examples, and the scope of the present disclosure is not intended to be limited to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions or number of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」など)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」など)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「A,BおよびCの少なくともいずれか一つ」という表現は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A,BおよびCのうち任意の2つ、ならびに、A,BおよびCの全てを含む。 Expressions indicating relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction", "along one direction", "parallel", "perpendicular", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are used unless otherwise specified. Not only the positional relationship is strictly expressed, but also the relatively displaced state in terms of angle or distance within the range of tolerance or equivalent function. Expressions indicating equality (e.g., "same", "equal", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only express quantitatively strictly equality, but also tolerances or equivalent functions can be obtained It shall also represent the state in which there is a difference. Expressions indicating shapes (e.g., "square shape" or "cylindrical shape"), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also to the extent that the same effect can be obtained, such as Shapes having unevenness or chamfering are also represented. The terms "comprise", "comprise", "comprise", "include" or "have" an element are not exclusive expressions that exclude the presence of other elements. The phrase "at least one of A, B and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B and C, and all of A, B and C.

<第1の実施の形態>
<基板処理システムの構成>
図1は、基板処理システム100の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理システム100は1以上の基板処理装置10とヒートポンプ装置20と加熱循環路30と処理液供給路31と処理液補充部60とを含んでいる。
<First embodiment>
<Configuration of substrate processing system>
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system 100. As shown in FIG. The substrate processing system 100 includes at least one substrate processing apparatus 10 , a heat pump device 20 , a heating circuit 30 , a processing liquid supply line 31 and a processing liquid replenisher 60 .

基板処理装置10は、後に詳述するように、基板Wに対する処理を行う装置である。基板Wは、例えば、半導体基板、ディスプレイ用の基板、フォトマスク用の基板、および、磁気ディスクまたは光ディスク用の基板などの種々の基板を含む。図1の例では、基板処理システム100には複数の基板処理装置10が設けられている。図1の例では、基板処理装置10の例として、基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bが示されている。基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bは、後述のように、基板Wに処理液を供給して、基板Wに対する処理を行う。 The substrate processing apparatus 10 is an apparatus that processes the substrate W, as will be described in detail later. Substrates W include various substrates such as, for example, semiconductor substrates, substrates for displays, substrates for photomasks, and substrates for magnetic or optical disks. In the example of FIG. 1, a substrate processing system 100 is provided with a plurality of substrate processing apparatuses 10 . In the example of FIG. 1, a substrate processing apparatus 10A and a substrate processing apparatus 10B are shown as examples of the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B supply processing liquid to the substrates W and process the substrates W as described later.

ヒートポンプ装置20は、加熱循環路30を流れる処理液を加熱する装置である。加熱循環路30は、ヒートポンプ装置20によって加熱された処理液が再びヒートポンプ装置20に向かって流れる流路である。つまり、加熱循環路30は、ヒートポンプ装置20からの処理液を再びヒートポンプ装置20に戻すための循環用の流路である。 The heat pump device 20 is a device that heats the processing liquid flowing through the heating circuit 30 . The heating circuit 30 is a flow path through which the processing liquid heated by the heat pump device 20 flows again toward the heat pump device 20 . That is, the heating circulation path 30 is a circulation path for returning the treatment liquid from the heat pump device 20 to the heat pump device 20 again.

ヒートポンプ装置20は冷媒循環路21と加熱用の熱交換器22と冷却用の熱交換器23と圧縮機24と膨張弁25とを含んでいる。冷媒循環路21は、主として配管によって構成された、冷媒を循環させる流路である。冷媒は例えば二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒である。冷媒循環路21には、熱交換器22、熱交換器23、圧縮機24および膨張弁25が設けられている。 The heat pump device 20 includes a refrigerant circuit 21 , a heat exchanger 22 for heating, a heat exchanger 23 for cooling, a compressor 24 and an expansion valve 25 . The coolant circulation path 21 is a channel for circulating coolant, which is mainly configured by piping. The refrigerant is for example a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant. A heat exchanger 22 , a heat exchanger 23 , a compressor 24 and an expansion valve 25 are provided in the refrigerant circuit 21 .

圧縮機24は吸引口および吐出口を含み、吸引口から吸引された低温低圧の冷媒を圧縮し、圧縮後の高温高圧の冷媒を吐出口から吐出する。圧縮機24からの高温高圧の冷媒は熱交換器22に向かって冷媒循環路21を流れ、熱交換器22に流入する。 The compressor 24 includes a suction port and a discharge port, compresses the low-temperature, low-pressure refrigerant sucked from the suction port, and discharges the compressed high-temperature, high-pressure refrigerant from the discharge port. High-temperature, high-pressure refrigerant from the compressor 24 flows through the refrigerant circuit 21 toward the heat exchanger 22 and enters the heat exchanger 22 .

熱交換器22は冷媒と処理液との間で熱交換を行う。具体的な構成として、熱交換器22内には、冷媒が流れる冷媒流路221と、処理液が流れる処理液流路222とが形成されている。処理液流路222の上流端は、加熱循環路30の下流端に接続され、処理液流路222の下流端は加熱循環路30の上流端に接続される。加熱循環路30は主として配管によって構成される。加熱循環路30には、不図示のポンプが設けられるとよい。ポンプは加熱循環路30において処理液を送液する。これにより、処理液が加熱循環路30および処理液流路222を流れて循環する。処理液は特に制限されないものの、例えば純水である。 A heat exchanger 22 exchanges heat between the refrigerant and the process liquid. Specifically, the heat exchanger 22 is formed with a refrigerant flow path 221 through which a refrigerant flows and a treatment liquid flow path 222 through which a treatment liquid flows. The upstream end of the processing liquid channel 222 is connected to the downstream end of the heating circuit 30 , and the downstream end of the processing liquid channel 222 is connected to the upstream end of the heating circuit 30 . The heating circuit 30 is mainly configured by piping. A pump (not shown) may be provided in the heating circuit 30 . A pump delivers the processing liquid in the heating circuit 30 . As a result, the processing liquid flows and circulates through the heating circulation path 30 and the processing liquid flow path 222 . Although the processing liquid is not particularly limited, it is, for example, pure water.

熱交換器22は、冷媒流路221を流れる冷媒と、処理液流路222を流れる処理液との間で熱交換を行う。具体的には、熱交換器22において、高温高圧の冷媒から処理液に熱が移動する。これにより、冷媒が冷却されて液化する一方で、処理液が加熱される。 The heat exchanger 22 exchanges heat between the refrigerant flowing through the refrigerant channel 221 and the processing liquid flowing through the processing liquid channel 222 . Specifically, in the heat exchanger 22, heat is transferred from the high-temperature, high-pressure refrigerant to the treatment liquid. As a result, the coolant is cooled and liquefied, while the treatment liquid is heated.

ヒートポンプ装置20によって加熱された処理液の一部は、後述のように、加熱循環路30から分岐した処理液供給路31を通じて、各基板処理装置10(具体的には、基板処理装置10Aおよび基板処理装置10B)に供給される。 A part of the processing liquid heated by the heat pump device 20 passes through the processing liquid supply path 31 branched from the heating circulation path 30 as described later, and flows into each substrate processing apparatus 10 (specifically, the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10A). It is supplied to the processing device 10B).

熱交換器22からの冷媒は膨張弁25に向かって冷媒循環路21を流れる。冷媒は膨張弁25において膨張する。膨張後の低温低圧の冷媒は熱交換器23に向かって冷媒循環路21を流れ、熱交換器23に流入する。 Refrigerant from heat exchanger 22 flows through refrigerant circuit 21 toward expansion valve 25 . The refrigerant expands in expansion valve 25 . The low-temperature, low-pressure refrigerant after expansion flows through the refrigerant circuit 21 toward the heat exchanger 23 and flows into the heat exchanger 23 .

熱交換器23内には、冷媒が流れる冷媒流路231が形成される。図1の例では、熱交換器23内には、冷却液が流れる冷却液流路232も形成される。図1の例では、冷却液流路232の上流端は冷却循環路40の下流端に接続されており、冷却液流路232の下流端は冷却循環路40の上流端に接続されている。冷却循環路40は、ヒートポンプ装置20によって冷却された冷却液が再びヒートポンプ装置20に向かって流れる流路である。つまり、冷却循環路40は、ヒートポンプ装置20からの冷却液を再びヒートポンプ装置20に戻すための循環用の流路である。冷却循環路40は主として配管によって構成される。冷却循環路40には、不図示のポンプが設けられるとよい。ポンプは冷却循環路40において冷却液を送液する。これにより、冷却液が冷却循環路40および冷却液流路232を流れて循環する。冷却液は特に制限されないものの、例えば純水である。 Inside the heat exchanger 23, a refrigerant channel 231 through which a refrigerant flows is formed. In the example of FIG. 1 , a cooling liquid flow path 232 through which cooling liquid flows is also formed in the heat exchanger 23 . In the example of FIG. 1 , the upstream end of the cooling fluid channel 232 is connected to the downstream end of the cooling circuit 40 , and the downstream end of the cooling fluid channel 232 is connected to the upstream end of the cooling circuit 40 . The cooling circuit 40 is a flow path through which the coolant cooled by the heat pump device 20 flows again toward the heat pump device 20 . That is, the cooling circuit 40 is a circulation channel for returning the coolant from the heat pump device 20 to the heat pump device 20 again. The cooling circuit 40 is mainly composed of piping. A pump (not shown) may be provided in the cooling circuit 40 . The pump delivers coolant in the cooling circuit 40 . As a result, the coolant flows and circulates through the cooling circuit 40 and the coolant channel 232 . Although the coolant is not particularly limited, it is, for example, pure water.

熱交換器23は、冷媒流路231を流れる冷媒と、冷却液流路232を流れる冷却液との間で熱交換を行う。具体的には、熱交換器23において、冷却液から冷媒に熱が移動する。これにより、冷媒が加熱されて気化する一方で、冷却液が冷却される。なお、熱交換器23において冷却液から冷媒に移動する熱量は、熱交換器22において冷媒から処理液に移動する熱量と理想的には等しい。 The heat exchanger 23 exchanges heat between the refrigerant flowing through the refrigerant channel 231 and the coolant flowing through the coolant channel 232 . Specifically, in the heat exchanger 23, heat is transferred from the coolant to the refrigerant. As a result, the refrigerant is heated and vaporized, while the coolant is cooled. The amount of heat transferred from the cooling liquid to the refrigerant in the heat exchanger 23 is ideally equal to the amount of heat transferred from the refrigerant to the treatment liquid in the heat exchanger 22 .

図1の例では、ヒートポンプ装置20によって冷却された冷却液の一部は、後述のように、冷却循環路40から分岐した冷却液供給路41を通じて、各基板処理装置(具体的には、後述の基板処理装置10Cおよび基板処理装置10D)に供給される。 In the example of FIG. 1 , part of the cooling liquid cooled by the heat pump device 20 passes through the cooling liquid supply path 41 branched from the cooling circuit 40 as will be described later. (substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10D).

熱交換器22および熱交換器23は例えば熱伝導性樹脂によって構成される。熱伝導性樹脂としては、例えば、ポリプロピレンもしくはポリエチレンなどの樹脂を採用することができる。熱交換器22および熱交換器23を構成する材料の熱伝導率は、例えば、冷媒循環路21、加熱循環路30、冷却循環路40、処理液供給路31、冷却液供給路41(後述)および冷却液復路42(後述)のいずれかを形成する配管の材料の熱伝導率よりも高いことが望ましい。 The heat exchangers 22 and 23 are made of, for example, thermally conductive resin. As the thermally conductive resin, for example, a resin such as polypropylene or polyethylene can be used. The thermal conductivity of the materials forming the heat exchangers 22 and 23 is, for example, the refrigerant circuit 21, the heating circuit 30, the cooling circuit 40, the processing liquid supply channel 31, and the cooling liquid supply channel 41 (described later). and a cooling liquid return path 42 (described later).

次に、基板処理装置10への処理液の供給側の配管系統について、より詳細に述べる。処理液供給路31は加熱循環路30から分岐した流路である。処理液は処理液供給路31を加熱循環路30から基板処理装置10に向かって流れる。つまり、処理液供給路31は基板処理装置10に処理液を供給するための流路である。処理液供給路31は主として配管によって構成され、加熱循環路30と基板処理装置10とを接続する。図1の例では、処理液の供給対象の複数の基板処理装置10に対して、一対一で処理液供給路31が設けられている。加熱循環路30内の処理液の一部は各処理液供給路31を通じて基板処理装置10に供給される。 Next, the piping system on the supply side of the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 will be described in more detail. The processing liquid supply channel 31 is a channel branched from the heating circulation channel 30 . The processing liquid flows through the processing liquid supply path 31 from the heating circulation path 30 toward the substrate processing apparatus 10 . In other words, the processing liquid supply path 31 is a flow path for supplying the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 . The processing liquid supply path 31 is mainly constituted by piping, and connects the heating circulation path 30 and the substrate processing apparatus 10 . In the example of FIG. 1, the processing liquid supply paths 31 are provided in a one-to-one correspondence with a plurality of substrate processing apparatuses 10 to which the processing liquid is to be supplied. A part of the processing liquid in the heating circulation path 30 is supplied to the substrate processing apparatus 10 through each processing liquid supply path 31 .

基板処理装置10に供給された処理液は、後に詳述するように、排出路118を通じて外部に排出される。このように、処理液は外部に排出されるので、加熱循環路30を流れる処理液の循環量は基板処理装置10に供給された分だけ低下する。そこで、本実施の形態では、処理液補充部60が設けられている。 The processing liquid supplied to the substrate processing apparatus 10 is discharged to the outside through a discharge path 118 as will be described in detail later. Since the processing liquid is discharged to the outside in this manner, the circulation amount of the processing liquid flowing through the heating circulation path 30 is reduced by the amount supplied to the substrate processing apparatus 10 . Therefore, in the present embodiment, the treatment liquid replenishing section 60 is provided.

処理液補充部60は加熱循環路30に処理液を供給する。これにより、加熱循環路30において処理液が補充される。図1の例では、処理液補充部60は処理液補充路61と補充タンク62とを含んでいる。処理液補充路61は主として配管によって構成され、その下流端は加熱循環路30に接続される。より具体的な一例として、処理液補充路61の下流端は、熱交換器22よりも上流側かつ処理液供給路31の全ての上流端よりも下流側において、加熱循環路30に接続される。処理液補充路61の上流端は補充タンク62に接続される。補充タンク62は処理液を貯留する。補充タンク62からの処理液は処理液補充路61を通じて加熱循環路30に供給される。 The processing liquid replenisher 60 supplies the processing liquid to the heating circuit 30 . Thereby, the processing liquid is replenished in the heating circuit 30 . In the example of FIG. 1, the processing liquid replenishment section 60 includes a processing liquid replenishment path 61 and a replenishment tank 62 . The processing liquid replenishing path 61 is mainly composed of a pipe, and its downstream end is connected to the heating circulation path 30 . As a more specific example, the downstream end of the processing liquid replenishing path 61 is connected to the heating circuit 30 upstream of the heat exchanger 22 and downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply path 31. . An upstream end of the processing liquid replenishment path 61 is connected to a replenishment tank 62 . A replenishment tank 62 stores the processing liquid. The processing liquid from the replenishment tank 62 is supplied to the heating circuit 30 through the processing liquid replenishment path 61 .

以上のように、処理液は熱交換器22において加熱される。熱交換器22の直後において、処理液の温度は例えば60℃から70℃程度である。そして、加熱後の処理液の一部が加熱循環路30から処理液供給路31に流入し、処理液供給路31を通じて各基板処理装置10に供給される。一方で、処理液の残りの一部は加熱循環路30をそのまま下流側に流れる。 As described above, the processing liquid is heated in the heat exchanger 22 . Immediately after the heat exchanger 22, the temperature of the processing liquid is, for example, about 60°C to 70°C. A portion of the processing liquid after heating flows from the heating circulation path 30 into the processing liquid supply path 31 and is supplied to each substrate processing apparatus 10 through the processing liquid supply path 31 . On the other hand, the remaining portion of the processing liquid flows downstream through the heating circuit 30 as it is.

処理液補充部60は例えば常温の処理液を加熱循環路30に供給する。よって、加熱循環路30と処理液補充路61との合流地点よりも下流側において処理液の温度は低下する。例えば、処理液の温度は30℃程度まで低下する。そして、この低温の処理液は熱交換器22に流入し、熱交換器22において再び60℃から70℃程度まで加熱される。 The processing liquid replenishing unit 60 supplies, for example, a room temperature processing liquid to the heating circuit 30 . Therefore, the temperature of the processing liquid is lowered on the downstream side of the confluence point of the heating circulation path 30 and the processing liquid replenishing path 61 . For example, the temperature of the treatment liquid is lowered to about 30.degree. Then, this low-temperature processing liquid flows into the heat exchanger 22, where it is heated again to about 60.degree. C. to 70.degree.

次に、基板処理装置10(具体的には、基板処理装置10Cおよび基板処理装置10D)への冷却液の供給側の配管系統について、より詳細に説明する。図1の例では、冷却循環路40と各基板処理装置10(具体的には、基板処理装置10Cおよび基板処理装置10D)との間には、冷却液供給路41および冷却液復路42が設けられている。冷却液供給路41は主として配管によって構成され、その上流端は冷却循環路40に接続され、冷却液供給路41の下流端は基板処理装置10に接続される。冷却液復路42は主として配管によって構成され、その下流端は冷却循環路40に接続され、冷却液復路42の上流端は基板処理装置10に接続される。図1の例では、冷却液供給路41および冷却液復路42の対が、冷却液の供給対象である基板処理装置10(例えば基板処理装置10Cおよび基板処理装置10D)にそれぞれ対応して設けられている。 Next, the piping system on the supply side of the coolant to the substrate processing apparatuses 10 (specifically, the substrate processing apparatuses 10C and 10D) will be described in more detail. In the example of FIG. 1, a cooling liquid supply path 41 and a cooling liquid return path 42 are provided between the cooling circulation path 40 and each substrate processing apparatus 10 (specifically, the substrate processing apparatus 10C and the substrate processing apparatus 10D). It is The coolant supply path 41 is mainly composed of a pipe, the upstream end of which is connected to the cooling circulation path 40 , and the downstream end of the coolant supply path 41 is connected to the substrate processing apparatus 10 . The cooling liquid return path 42 is mainly configured by piping, the downstream end of which is connected to the cooling circulation path 40 , and the upstream end of the cooling liquid return path 42 is connected to the substrate processing apparatus 10 . In the example of FIG. 1, a pair of cooling liquid supply path 41 and cooling liquid return path 42 is provided corresponding to each substrate processing apparatus 10 to which the cooling liquid is supplied (for example, substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10D). ing.

冷却循環路40内の冷却液の一部は冷却液供給路41を通じて基板処理装置10に供給される。この冷却液は、後述のように、基板処理装置10内の設備(構成要素)の冷却に利用される。つまり、冷却液が当該構成要素から熱を受け取ることで、当該構成要素を冷却する。当該構成要素を冷却した後の冷却液は冷却液復路42を通じて、再び冷却循環路40に戻る。 A part of the cooling liquid in the cooling circulation path 40 is supplied to the substrate processing apparatus 10 through the cooling liquid supply path 41 . This cooling liquid is used for cooling equipment (components) in the substrate processing apparatus 10 as described later. That is, the coolant receives heat from the component, thereby cooling the component. After cooling the component, the coolant returns to the cooling circuit 40 again through the coolant return path 42 .

図1の例では、冷却循環路40には冷却部48が設けられている。具体的には、冷却部48は、全ての冷却液供給路41の上流端よりも上流側かつ熱交換器23の下流側において、冷却循環路40に設けられている。冷却部48は、冷却循環路40を流れる冷却液を冷却する。冷却部48は例えば冷却水循環装置(いわゆるチラー)である。 In the example of FIG. 1, the cooling circuit 40 is provided with a cooling section 48 . Specifically, the cooling unit 48 is provided in the cooling circuit 40 upstream of the upstream ends of all the cooling liquid supply paths 41 and downstream of the heat exchanger 23 . The cooling unit 48 cools the coolant flowing through the cooling circuit 40 . The cooling unit 48 is, for example, a cooling water circulation device (so-called chiller).

以上のように、冷却液は熱交換器23において冷却される。熱交換器23の直後において、冷却液の温度は例えば20℃程度である。冷却液は熱交換器23からの冷却部48に向かって冷却循環路40を流れ、冷却部48に流入する。冷却部48は、冷却液の温度が基板処理装置10の設備の冷却に適した温度となるように、冷却液を冷却する。冷却部48によって冷却された冷却液は冷却循環路40から各冷却液供給路41を通じて各基板処理装置10に供給されて、各基板処理装置10の設備を冷却し、各冷却液復路42を通じて冷却循環路40に戻る。そして、冷却液は熱交換器23に向かって冷却循環路40を流れ、熱交換器23に流入する。熱交換器23の直前において、冷却液の温度は例えば30℃程度である。冷却液は熱交換器23おいて再び例えば20℃程度まで冷却される。 The coolant is cooled in the heat exchanger 23 as described above. Immediately after the heat exchanger 23, the temperature of the coolant is, for example, about 20.degree. The coolant flows through the cooling circuit 40 from the heat exchanger 23 towards the cooling section 48 and enters the cooling section 48 . The cooling unit 48 cools the coolant so that the temperature of the coolant reaches a temperature suitable for cooling the equipment of the substrate processing apparatus 10 . The cooling liquid cooled by the cooling unit 48 is supplied from the cooling circuit 40 to each substrate processing apparatus 10 through each cooling liquid supply path 41 to cool the equipment of each substrate processing apparatus 10 and then through each cooling liquid return path 42 . Return to circuit 40 . The coolant then flows through the cooling circuit 40 towards the heat exchanger 23 and into the heat exchanger 23 . Immediately before the heat exchanger 23, the temperature of the coolant is, for example, about 30.degree. The coolant is cooled again to, for example, about 20° C. in the heat exchanger 23 .

基板処理システム100は制御部90も含んでいる。制御部90は基板処理システム100の各種構成を制御する。例えば、制御部90は演算処理部91と記憶媒体92とを含む。演算処理部91は、各種演算処理を行うCPU(Central Processing Unit)などの処理部である。記憶媒体92は、例えば、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM(Read Only Memory)などの一時的な記憶媒体と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM(Random Access Memory)および制御用ソフトウェアまたはデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどである非一時的な記憶媒体とを含む。制御部90の演算処理部91が所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理システム100の各動作機構が制御部90によって制御され、基板処理システム100における処理が進行する。なお、制御部90はその機能の実現にソフトウェアが不要な専用のハードウェア回路によって実現されてもよい。 Substrate processing system 100 also includes controller 90 . The controller 90 controls various components of the substrate processing system 100 . For example, the control section 90 includes an arithmetic processing section 91 and a storage medium 92 . The arithmetic processing unit 91 is a processing unit such as a CPU (Central Processing Unit) that performs various kinds of arithmetic processing. The storage medium 92 includes, for example, a temporary storage medium such as a ROM (Read Only Memory) that is a read-only memory that stores basic programs, and a RAM (Random Access Memory) that is a readable and writable memory that stores various information. and a non-temporary storage medium such as a magnetic disk for storing control software or data. Operation mechanisms of the substrate processing system 100 are controlled by the control unit 90 by the arithmetic processing unit 91 of the control unit 90 executing a predetermined processing program, and processing in the substrate processing system 100 proceeds. Note that the control unit 90 may be implemented by a dedicated hardware circuit that does not require software to implement its functions.

また、図1の例では、単一の制御部90が示されているものの、各基板処理装置10およびヒートポンプ装置20などの諸構成にそれぞれ制御部90が設けられ、これらが互いに通信して基板処理システム100を制御してもよい。 In the example of FIG. 1, although a single control unit 90 is shown, each configuration of the substrate processing apparatus 10 and the heat pump apparatus 20 is provided with the control unit 90, and these communicate with each other to control the substrate. The processing system 100 may be controlled.

次に、基板処理装置10の内部構成の具体的な一例について説明する。図2は、基板処理装置10の構成の一例を概略的に示す図である。図2の例では、2種の基板処理装置10が示されている。具体的には、処理液の供給対象である基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bとして、基板Wに対して処理液を供給する処理装置が示されており、冷却液の供給対象である基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dとして、基板Wに対して熱処理を行う処理装置が示されている。 Next, a specific example of the internal configuration of the substrate processing apparatus 10 will be described. FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. In the example of FIG. 2, two types of substrate processing apparatuses 10 are shown. Specifically, the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B to which the processing liquid is supplied are the processing apparatuses that supply the processing liquid to the substrate W, and the substrate processing apparatus to which the cooling liquid is supplied. A processing apparatus for performing heat treatment on a substrate W is shown as an apparatus 10C and a substrate processing apparatus 10D.

基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bの各々は1以上の処理ユニット11を含み、図2の例では、複数の処理ユニット11が示されている。図2の例では、各処理ユニット11はチャンバ111と基板保持部112とノズル114とノズル115とガード116とを含む。 Each of substrate processing apparatus 10A and substrate processing apparatus 10B includes one or more processing units 11, and a plurality of processing units 11 are shown in the example of FIG. In the example of FIG. 2, each processing unit 11 includes a chamber 111, a substrate holder 112, a nozzle 114, a nozzle 115 and a guard .

基板保持部112はチャンバ111内に設けられ、基板Wを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Wの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。基板Wは不図示の基板搬送部によってチャンバ111内に搬送され、基板保持部112に渡される。図2の例では、基板保持部112は複数のチャックピン113を含んでいる。複数のチャックピン113の各々は、基板Wの周縁に接触するチャック位置と、基板Wの周縁から離れた解除位置との間で変位可能に設けられる。複数のチャックピン113がそれぞれのチャック位置に移動すると、複数のチャックピン113が基板Wを保持する。複数のチャックピン113がそれぞれの解除位置に移動すると、基板Wの保持が解除される。 The substrate holding part 112 is provided inside the chamber 111 and holds the substrate W in a horizontal posture. The horizontal posture referred to here is a posture in which the thickness direction of the substrate W is along the vertical direction. The substrate W is transferred into the chamber 111 by a substrate transfer section (not shown) and transferred to the substrate holding section 112 . In the example of FIG. 2, the substrate holder 112 includes multiple chuck pins 113 . Each of the plurality of chuck pins 113 is provided so as to be displaceable between a chuck position in contact with the peripheral edge of the substrate W and a release position away from the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG. The plurality of chuck pins 113 hold the substrate W when the plurality of chuck pins 113 move to their respective chuck positions. When the plurality of chuck pins 113 move to their release positions, the substrate W is released from being held.

また、基板保持部112は、回転軸線Q1のまわりで基板Wを回転させるモータ(不図示)を含む。回転軸線Q1は基板Wの中心部を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部112はスピンチャックとも呼ばれ得る。 The substrate holder 112 also includes a motor (not shown) that rotates the substrate W around the rotation axis Q1. The rotation axis Q1 is an axis that passes through the center of the substrate W and extends in the vertical direction. Such a substrate holder 112 can also be called a spin chuck.

ノズル114はチャンバ111内に設けられ、基板Wの上面への処理液の供給に用いられる。ノズル115はチャンバ111内に設けられ、基板Wの下面への処理液の供給に用いられる。ノズル114は基板Wの上面よりも鉛直上方に設けられ、ノズル115は基板Wの下面よりも鉛直下方に設けられる。ノズル114は基板Wの上面に向けて処理液を吐出し、ノズル115は基板Wの下面に向けて処理液を吐出する。 A nozzle 114 is provided in the chamber 111 and used to supply the upper surface of the substrate W with the processing liquid. A nozzle 115 is provided in the chamber 111 and used to supply the processing liquid to the lower surface of the substrate W. FIG. The nozzle 114 is provided vertically above the upper surface of the substrate W, and the nozzle 115 is provided below the lower surface of the substrate W vertically. The nozzle 114 discharges the processing liquid toward the upper surface of the substrate W, and the nozzle 115 discharges the processing liquid toward the lower surface of the substrate W. FIG.

ノズル114およびノズル115は処理液供給路31に接続されている。処理液供給路31は供給路31aと供給路31bと供給路31cと供給路31dとを含む。供給路31aの上流端は処理液供給路31の上流端に相当し、加熱循環路30に接続される。供給路31aは、複数の処理ユニット11にそれぞれ対応して設けられた複数の供給路31bの上流端に接続される。各供給路31bの下流端は供給路31cおよび供給路31dの上流端に接続される。供給路31cの下流端はノズル114に接続され、供給路31dの下流端はノズル115に接続される。 The nozzles 114 and 115 are connected to the processing liquid supply path 31 . The processing liquid supply path 31 includes a supply path 31a, a supply path 31b, a supply path 31c, and a supply path 31d. The upstream end of the supply channel 31 a corresponds to the upstream end of the processing liquid supply channel 31 and is connected to the heating circulation channel 30 . The supply path 31a is connected to upstream ends of a plurality of supply paths 31b provided corresponding to the plurality of processing units 11, respectively. The downstream end of each supply channel 31b is connected to the upstream ends of the supply channels 31c and 31d. The downstream end of supply path 31 c is connected to nozzle 114 , and the downstream end of supply path 31 d is connected to nozzle 115 .

供給路31cにはバルブ32が設けられている。バルブ32が開くことにより、加熱循環路30から供給路31a、供給路31bおよび供給路31cを通じてノズル114に処理液が供給され、ノズル114から基板Wの上面に処理液が吐出される。バルブ32が閉じることにより、ノズル114からの処理液の吐出が停止する。 A valve 32 is provided in the supply path 31c. By opening the valve 32 , the processing liquid is supplied from the heating circulation path 30 to the nozzle 114 through the supply paths 31 a , 31 b , and 31 c , and discharged onto the upper surface of the substrate W from the nozzle 114 . By closing the valve 32, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 114 is stopped.

供給路31dにはバルブ33が設けられている。バルブ33が開くことにより、加熱循環路30から供給路31a、供給路31bおよび供給路31dを通じてノズル115に処理液が供給され、ノズル115から基板Wの下面に処理液が吐出される。バルブ33が閉じることにより、ノズル115からの処理液の吐出が停止する。 A valve 33 is provided in the supply path 31d. By opening the valve 33 , the processing liquid is supplied from the heating circulation path 30 to the nozzle 115 through the supply paths 31 a , 31 b , and 31 d , and is discharged onto the lower surface of the substrate W from the nozzle 115 . By closing the valve 33, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 115 is stopped.

図2の例では、供給路31bにはヒータ34が設けられている。ヒータ34は、処理液供給路31(具体的には供給路31b)を流れる処理液を加熱する。ヒータ34は、基板Wに着液する処理液の温度が所定のプロセス温度を含む所定の温度範囲内となるように、処理液を加熱する。ヒータ34は種々の方式のヒータであってよく、例えば電気抵抗式のヒータである。ヒータ34は処理液の温度を例えば10℃以上かつ20℃以下の値だけ上昇させて、処理液の温度をプロセス温度に調整する。 In the example of FIG. 2, a heater 34 is provided in the supply path 31b. The heater 34 heats the processing liquid flowing through the processing liquid supply path 31 (specifically, the supply path 31b). The heater 34 heats the processing liquid so that the temperature of the processing liquid that lands on the substrate W is within a predetermined temperature range including a predetermined process temperature. The heater 34 may be of various types, such as an electrical resistance heater. The heater 34 raises the temperature of the processing liquid by, for example, a value greater than or equal to 10° C. and less than or equal to 20° C. to adjust the temperature of the processing liquid to the process temperature.

基板保持部112が基板Wを回転軸線Q1のまわりで回転させた状態で、バルブ32が開くことにより、ノズル114から回転中の基板Wの上面に高温の処理液が吐出される。基板Wの上面に着液した処理液は回転に伴う遠心力を受けて基板Wの上面を広がり、基板Wの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Wの上面を処理できる。 With the substrate holder 112 rotating the substrate W around the rotation axis Q1, the valve 32 is opened to discharge the high-temperature processing liquid from the nozzle 114 onto the upper surface of the substrate W during rotation. The processing liquid that has landed on the upper surface of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation, spreads over the upper surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. Thereby, the upper surface of the substrate W can be processed.

また、基板保持部112が基板Wを回転軸線Q1のまわりで回転させながら、バルブ33が開くことにより、ノズル115から回転中の基板Wの下面に高温の処理液が吐出される。基板Wの下面に着液した処理液は回転に伴う遠心力を受けて基板Wの下面を広がり、基板Wの周縁から外側に飛散する。これにより、処理液で基板Wの下面を処理できる。 Further, the valve 33 is opened while the substrate holder 112 rotates the substrate W around the rotation axis Q1. The processing liquid that has landed on the bottom surface of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation, spreads over the bottom surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. Thereby, the lower surface of the substrate W can be processed with the processing liquid.

ガード116は、基板保持部112を囲む筒状の形状を有しており、基板Wの周縁から飛散した処理液を受け止める。ガード116の内周面で受け止められた処理液は当該内周面に沿って流下し、カップ117で受け止められる。カップ117には、排出路118の上流端が接続されており、排出路118を通じて処理液が外部に排出される。排出路118は主として配管によって構成される。 The guard 116 has a tubular shape surrounding the substrate holding part 112 and receives the processing liquid scattered from the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG. The processing liquid received by the inner peripheral surface of the guard 116 flows down along the inner peripheral surface and is received by the cup 117 . An upstream end of a discharge path 118 is connected to the cup 117 , and the treatment liquid is discharged to the outside through the discharge path 118 . The discharge path 118 is mainly configured by piping.

図2の例では、基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dは熱処理ユニット12を含む。図2の例では、熱処理ユニット12はチャンバ121と基板保持部122とヒータ123とを含んでいる。基板保持部122はチャンバ121内に設けられ、基板Wを水平姿勢で保持する。基板保持部122は例えば基板Wの下面の周縁部を支持する支持台を含む。基板Wは不図示の基板搬送部によってチャンバ121内に搬送され、基板保持部122に渡される。ヒータ123はチャンバ121内に設けられ、基板保持部122によって保持された基板Wを加熱する。これにより、基板Wに対して熱処理を行うことができる。また、この熱処理により、副次的にチャンバ121の温度も上昇する。 In the example of FIG. 2, substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10D include thermal processing units 12 . In the example of FIG. 2, the thermal processing unit 12 includes a chamber 121, a substrate holder 122, and a heater 123. In FIG. The substrate holding part 122 is provided inside the chamber 121 and holds the substrate W in a horizontal posture. The substrate holding part 122 includes a support base that supports the peripheral edge of the lower surface of the substrate W, for example. The substrate W is transferred into the chamber 121 by a substrate transfer section (not shown) and transferred to the substrate holding section 122 . A heater 123 is provided in the chamber 121 and heats the substrate W held by the substrate holding part 122 . Thereby, the substrate W can be heat-treated. Moreover, the temperature of the chamber 121 also rises secondarily due to this heat treatment.

図2の例では、冷却液供給路41の下流端は冷却路43の上流端に接続され、冷却路43の下流端は冷却液復路42の上流端に接続される。冷却路43は主として配管により構成され、チャンバ121を囲むように配策される。具体的な一例として、冷却路43はチャンバ121の外壁に沿って設けられる。なお、冷却路43は、チャンバ121の側壁に埋設されてもよく、チャンバ121の内壁に沿って設けられてもよい。 In the example of FIG. 2 , the downstream end of the coolant supply path 41 is connected to the upstream end of the cooling path 43 , and the downstream end of the cooling path 43 is connected to the upstream end of the coolant return path 42 . The cooling path 43 is mainly composed of piping and arranged so as to surround the chamber 121 . As a specific example, the cooling path 43 is provided along the outer wall of the chamber 121 . Note that the cooling path 43 may be embedded in the side wall of the chamber 121 or may be provided along the inner wall of the chamber 121 .

冷却循環路40からの処理液は、冷却液供給路41、冷却路43および冷却液復路42をこの順で流れ、再び冷却循環路40に戻る。これによれば、冷却路43において、高温のチャンバ121から低温の冷却液に熱が移動するので、チャンバ121を冷却することができる。よって、チャンバ121の材料として、耐熱性の低い材料を採用することができる。言い換えれば、耐熱性の高い材料を採用する必要がなく、チャンバ121の材料選択性を向上させることができる。 The processing liquid from the cooling circuit 40 flows through the cooling liquid supply path 41, the cooling path 43, and the cooling liquid return path 42 in this order, and returns to the cooling circuit 40 again. According to this, heat is transferred from the high-temperature chamber 121 to the low-temperature cooling liquid in the cooling path 43, so that the chamber 121 can be cooled. Therefore, a material with low heat resistance can be used as the material of the chamber 121 . In other words, it is not necessary to employ a material with high heat resistance, and the material selectivity of the chamber 121 can be improved.

なお、図2の例では、冷却対象としてチャンバ121が示されているものの、必ずしもこれに限らない。基板処理装置10を構成する任意の構成要素を冷却対象として採用することができる。 Although the chamber 121 is shown as the object to be cooled in the example of FIG. 2, it is not necessarily limited to this. Any component that constitutes the substrate processing apparatus 10 can be employed as a cooling target.

<実施の形態にかかる効果>
以上のように、基板処理システム100によれば、ヒートポンプ装置20が処理液を加熱する。ヒートポンプ装置20は高い熱効率で処理液を加熱することができるので、基板処理システム100の効率を向上させることができる。
<Effects of Embodiment>
As described above, according to the substrate processing system 100, the heat pump device 20 heats the processing liquid. Since the heat pump device 20 can heat the processing liquid with high thermal efficiency, the efficiency of the substrate processing system 100 can be improved.

また、基板処理システム100によれば、加熱循環路30が設けられている。これによれば、熱交換器22によって加熱された処理液の一部を再び熱交換器22に流入させることができるので、加熱循環路30を流れる処理液の温度をより高い精度で調整することができる。 Further, according to the substrate processing system 100, the heating circuit 30 is provided. According to this, part of the processing liquid heated by the heat exchanger 22 can flow into the heat exchanger 22 again, so that the temperature of the processing liquid flowing through the heating circuit 30 can be adjusted with higher accuracy. can be done.

また、上述の例では、基板処理装置10に供給された処理液は加熱循環路30に戻ることなく、排出路118を通じて外部に排出されるものの、処理液補充部60が加熱循環路30に処理液を供給する。よって、基板処理装置10への処理液の供給に伴う加熱循環路30内の処理液の循環量の低下を補うことができる。したがって、基板処理装置10に対して適切に処理液を供給し続けることができる。 In the above example, the processing liquid supplied to the substrate processing apparatus 10 does not return to the heating circuit 30 and is discharged to the outside through the discharge path 118 . Supply liquid. Therefore, it is possible to compensate for a decrease in the circulation amount of the processing liquid in the heating circulation path 30 due to the supply of the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 . Therefore, it is possible to continue to appropriately supply the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 .

また、上述の例では、基板処理装置10の処理ユニット11の個々に対応して、ヒータ34が設けられている。つまり、ヒータ34はヒートポンプ装置20よりも各基板処理装置10のノズル114およびノズル115に近い位置に設けられる。したがって、ノズル114またはノズル115から吐出される処理液の温度を、ヒータ34によってより高い精度でプロセス温度に調整することができる。したがって、基板Wに対する処理をより適切に行うことができる。 Further, in the above example, the heaters 34 are provided corresponding to the individual processing units 11 of the substrate processing apparatus 10 . That is, the heater 34 is provided at a position closer to the nozzles 114 and 115 of each substrate processing apparatus 10 than the heat pump device 20 is. Therefore, the temperature of the processing liquid discharged from the nozzles 114 or 115 can be adjusted to the process temperature with higher accuracy by the heater 34 . Therefore, the substrate W can be processed more appropriately.

また、上述の例では、熱交換器22の材料として、ポリプロピレンおよびポリエチレンなどの熱伝導性樹脂を採用している。このような樹脂は高純度に形成されるので、熱交換器22の処理液流路222を処理液が通過しても、熱交換器22から不純物が処理液にほとんど溶出しない。よって、基板処理装置10は清浄な処理液で基板Wを処理することができる。 Further, in the above example, heat conductive resin such as polypropylene and polyethylene is used as the material of the heat exchanger 22 . Since such a resin is formed with high purity, even if the processing liquid passes through the processing liquid flow path 222 of the heat exchanger 22, almost no impurities are eluted from the heat exchanger 22 into the processing liquid. Therefore, the substrate processing apparatus 10 can process the substrate W with a clean processing liquid.

なお、必ずしも、熱交換器22の全てが当該樹脂によって構成される必要はなく、処理液流路222を構成する部分のみが当該樹脂によって構成されてもよい。 It should be noted that the entire heat exchanger 22 does not necessarily have to be made of the resin, and only the portion forming the treatment liquid flow path 222 may be made of the resin.

その一方で、このような樹脂の密度は比較的に小さいので、熱交換器22内において、冷媒が冷媒流路221から処理液流路222に混入し得る。しかるに、上述の例では、冷媒として二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒を採用している。二酸化炭素またはアンモニアが処理液に混入しても、これらは基板Wの処理に影響を与えにくい。よって、たとえ処理液に冷媒が混入しても、他の冷媒に比べて、基板Wに対する処理をより適切に行うことができる。 On the other hand, since the density of such resin is relatively low, the refrigerant can enter the treated liquid flow path 222 from the refrigerant flow path 221 in the heat exchanger 22 . However, in the above example, a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant is adopted as the refrigerant. Even if carbon dioxide or ammonia is mixed into the processing liquid, they hardly affect the processing of the substrate W. FIG. Therefore, even if the processing liquid contains the coolant, the substrate W can be processed more appropriately than other coolants.

また、上述の例では、ヒートポンプ装置20の冷却対象である冷却液が基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dの設備の冷却に利用される。これによれば、ヒートポンプ装置20の冷却側のエネルギーも利用することができるので、基板処理システム100の効率をさらに向上させることができる。 Further, in the above example, the coolant, which is the cooling object of the heat pump device 20, is used to cool the facilities of the substrate processing apparatuses 10C and 10D. According to this, the energy on the cooling side of the heat pump device 20 can also be used, so the efficiency of the substrate processing system 100 can be further improved.

ところで、ヒートポンプ装置20では、冷媒から処理液に移動する熱量と、冷却液から冷媒に移動する熱量とが互いにほぼ等しい。しかるに、上述の例では、冷却部48も設けられている。よって、この冷却部48により、冷却液の温度を、熱交換器22の直後の処理液の温度とは独立して調整することができる。よって、基板処理装置10へ供給する冷却液の温度の調整範囲を広げることができる。 By the way, in the heat pump device 20, the amount of heat transferred from the refrigerant to the treatment liquid is substantially equal to the amount of heat transferred from the cooling liquid to the refrigerant. However, in the example described above, a cooling section 48 is also provided. Therefore, the cooling unit 48 can adjust the temperature of the cooling liquid independently of the temperature of the processing liquid immediately after the heat exchanger 22 . Therefore, the adjustment range of the temperature of the coolant supplied to the substrate processing apparatus 10 can be widened.

また、上述の例では、冷却部48は冷却循環路40に設けられている。この冷却部48によって冷却された冷却液は、それぞれの冷却液供給路41を通じて基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dに供給される。冷却液供給路41の長さは基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dにおいて互いに相違し得るので、冷却液の温度は基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dにおいてばらつき得る。よって、冷却対象(例えばチャンバ121)の温度は基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dごとにばらつき得る。しかしながら、冷却対象の温度は、処理液の温度に比べて、基板Wに対する処理にほとんど影響を及ぼさない。よって、冷却液の温度にばらつきが生じても、基板Wの処理には問題が生じない。 Further, in the above example, the cooling section 48 is provided in the cooling circuit 40 . The coolant cooled by the cooling unit 48 is supplied to the substrate processing apparatuses 10C and 10D through the respective coolant supply paths 41 . Since the length of the cooling liquid supply path 41 can be different between the substrate processing apparatuses 10C and 10D, the temperature of the cooling liquid can vary between the substrate processing apparatuses 10C and 10D. Therefore, the temperature of the object to be cooled (for example, the chamber 121) may vary between the substrate processing apparatuses 10C and 10D. However, the temperature of the object to be cooled has little effect on the processing of the substrate W compared to the temperature of the processing liquid. Therefore, even if the temperature of the cooling liquid varies, there is no problem in processing the substrate W. FIG.

上述の例では、冷却循環路40に冷却部48が設けられるので、基板処理装置10Cおよび基板処理装置10Dに対応して個別に冷却部48が設けられる場合に比べて、基板処理システム100の構成を簡易化でき、また、製造コストを低減させることができる。 In the above-described example, the cooling unit 48 is provided in the cooling circuit 40. Therefore, the configuration of the substrate processing system 100 is reduced compared to the case where the cooling unit 48 is provided individually corresponding to the substrate processing apparatus 10C and the substrate processing apparatus 10D. can be simplified, and manufacturing costs can be reduced.

<変形例>
図1の例では、冷却液は、高温の処理液が供給される基板処理装置10(基板処理装置10Aおよび基板処理装置10B)とは別の基板処理装置10(基板処理装置10Cおよび基板処理装置10D)に供給される。しかしながら、必ずしもこれに限らない。例えば、基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bにおいて冷却を要する設備が設けられる場合には、冷却液が基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bに供給されてもよい。この場合、基板処理装置10Aおよび基板処理装置10Bにおいて、適宜に、冷却路43が冷却対象の設備に沿って配策されればよい。
<Modification>
In the example of FIG. 1, the cooling liquid is supplied to substrate processing apparatuses 10 (substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10B) different from the substrate processing apparatuses 10 (substrate processing apparatus 10A and substrate processing apparatus 10B) to which the high-temperature processing liquid is supplied. 10D). However, it is not necessarily limited to this. For example, when the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B are provided with equipment that requires cooling, cooling liquid may be supplied to the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B. In this case, in the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B, the cooling path 43 may be routed appropriately along the equipment to be cooled.

また、上述の例では、冷却液は基板処理装置10の設備を冷却したが、冷却液が基板Wに供給されてもよい。この場合、冷却液は処理液に相当する。図3は、基板処理システム100の構成の一部の一例を概略的に示す図である。図3の例では、冷却循環路40には、冷却液供給路44の上流端が接続されている。冷却液供給路44も主として配管によって構成される。冷却液は冷却液供給路44を通じて、基板処理装置10に供給される。図3の例では、基板処理装置10はノズル1141をさらに含んでいる。ノズル1141は冷却液を基板Wの上面に吐出する。冷却液は例えば純水である。 Further, although the cooling liquid cools the equipment of the substrate processing apparatus 10 in the above example, the cooling liquid may be supplied to the substrate W as well. In this case, the cooling liquid corresponds to the processing liquid. FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of part of the configuration of the substrate processing system 100. As shown in FIG. In the example of FIG. 3 , the cooling circuit 40 is connected to the upstream end of a coolant supply path 44 . The coolant supply path 44 is also mainly configured by piping. The cooling liquid is supplied to the substrate processing apparatus 10 through the cooling liquid supply path 44 . In the example of FIG. 3, substrate processing apparatus 10 further includes nozzle 1141 . The nozzle 1141 discharges the cooling liquid onto the upper surface of the substrate W. FIG. The coolant is, for example, pure water.

図3に示すように、ノズル1141は冷却液供給路44に接続されている。冷却液供給路44は供給路44aと供給路44bと供給路44cと供給路44dとを含む。供給路44aの上流端は冷却液供給路44の上流端に相当し、冷却循環路40に接続される。供給路44aは、複数の処理ユニット11に対応して設けられた複数の供給路44bの上流端に接続される。各供給路44bの下流端は供給路44cおよび供給路44dの上流端に接続される。供給路44cの下流端はノズル1141に接続され、供給路44dの下流端はノズル115に接続される。 As shown in FIG. 3, nozzle 1141 is connected to coolant supply path 44 . The coolant supply path 44 includes a supply path 44a, a supply path 44b, a supply path 44c, and a supply path 44d. The upstream end of the supply path 44 a corresponds to the upstream end of the coolant supply path 44 and is connected to the cooling circuit 40 . The supply path 44 a is connected to upstream ends of a plurality of supply paths 44 b provided corresponding to the plurality of processing units 11 . The downstream end of each supply channel 44b is connected to the upstream ends of the supply channels 44c and 44d. The downstream end of the supply channel 44c is connected to the nozzle 1141, and the downstream end of the supply channel 44d is connected to the nozzle 115. As shown in FIG.

供給路44cにはバルブ45が設けられている。バルブ45が開くことにより、冷却循環路40から供給路44a、供給路44bおよび供給路44cを通じてノズル1141に冷却液が供給され、ノズル1141から基板Wの上面に吐出される。バルブ45が閉じることにより、ノズル1141からの冷却液の吐出が停止する。 A valve 45 is provided in the supply path 44c. By opening the valve 45 , the cooling liquid is supplied from the cooling circuit 40 to the nozzle 1141 through the supply paths 44 a , 44 b and 44 c , and discharged onto the upper surface of the substrate W from the nozzle 1141 . Closing the valve 45 stops the discharge of the coolant from the nozzle 1141 .

供給路44dにはバルブ46が設けられている。バルブ46が開くことにより、冷却循環路40から供給路44a、供給路44bおよび供給路44dを通じてノズル115に冷却液が供給され、ノズル115から基板Wの下面に冷却液が吐出される。バルブ46が閉じることにより、ノズル115からの処理液の吐出が停止する。 A valve 46 is provided in the supply path 44d. When the valve 46 is opened, the cooling liquid is supplied from the cooling circuit 40 to the nozzle 115 through the supply paths 44a, 44b, and 44d, and the cooling liquid is discharged from the nozzle 115 onto the lower surface of the substrate W. FIG. By closing the valve 46, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 115 is stopped.

冷却液は基板Wの周縁から外側に飛散され、ガード116、カップ117および排出路118を通じて外部に排出される。この場合、冷却循環路40を流れる冷却液の循環量が低下し得る。そこで、図3の例では、基板処理システム100に冷却液補充部65が設けられている。冷却液補充部65は冷却循環路40に冷却液を供給する。図3の例では、冷却液補充部65は冷却液補充路66と補充タンク67とを含む。冷却液補充路66は主として配管によって構成され、その下流端は冷却循環路40に接続される。具体的な一例として、冷却液補充路66の下流端は、熱交換器23よりも上流側かつ全ての冷却液供給路44よりも下流側において、冷却循環路40に接続される。冷却液補充路66の上流端は補充タンク67に接続される。補充タンク67は冷却液を貯留する。補充タンク67からの冷却液は冷却液補充路66を通じて冷却循環路40に供給される。これにより、冷却循環路40において冷却液が補充される。なお、冷却液が処理液と同じ種類の液体である場合には、補充タンク67は補充タンク62と同じタンクであってもよい。 The cooling liquid is splashed outward from the periphery of the substrate W and discharged to the outside through the guard 116 , the cup 117 and the discharge path 118 . In this case, the amount of coolant flowing through the cooling circuit 40 may decrease. Therefore, in the example of FIG. 3, the substrate processing system 100 is provided with the cooling liquid replenishment unit 65 . The coolant replenisher 65 supplies the coolant to the cooling circuit 40 . In the example of FIG. 3 , the coolant replenishment section 65 includes a coolant replenishment path 66 and a replenishment tank 67 . The coolant replenishing path 66 is mainly composed of piping, and its downstream end is connected to the cooling circuit 40 . As a specific example, the downstream end of the coolant supply path 66 is connected to the cooling circuit 40 upstream of the heat exchanger 23 and downstream of all the coolant supply paths 44 . The upstream end of the coolant replenishment path 66 is connected to a replenishment tank 67 . A replenishment tank 67 stores the coolant. The coolant from the replenishment tank 67 is supplied to the cooling circuit 40 through the coolant replenishment path 66 . Thereby, the coolant is replenished in the cooling circuit 40 . Note that the replenishment tank 67 may be the same tank as the replenishment tank 62 when the cooling liquid is the same type of liquid as the processing liquid.

<ヒータ34の制御>
各処理ユニット11は、搬入された基板Wに対して処理液を供給して処理を行う。初期的には、処理液供給路31の温度は高くない。このように、低温の処理液供給路31を高温の処理液が流れると、処理液から処理液供給路31に熱が移動し、処理液の温度が低下し得る。よって、初期的には、ヒータ34の加熱動作によっても、処理液の温度をプロセス温度まで上昇できない場合もある。
<Control of heater 34>
Each processing unit 11 performs processing by supplying a processing liquid to the loaded substrate W. As shown in FIG. Initially, the temperature of the processing liquid supply path 31 is not high. Thus, when the high-temperature processing liquid flows through the low-temperature processing liquid supply path 31, heat is transferred from the processing liquid to the processing liquid supply path 31, and the temperature of the processing liquid can be lowered. Therefore, initially, the temperature of the processing liquid may not be raised to the process temperature even by the heating operation of the heater 34 .

そこで、基板処理装置10の制御部90は、バルブ32およびバルブ33を開く前にヒータ34に加熱動作を開始させてもよい。図4は、ヒータの開始制御の一例を示すフローチャートである。制御部90は、基板Wに関する情報(以下、稼働前情報と呼ぶ)を受け取ったか否かを判断する(ステップS1)。稼働前情報は、例えば、基板処理装置10に搬入される基板Wの枚数、および、基板Wに対する処理の手順を示すレシピなどの諸情報を含む。稼働前情報は、例えば、ホストコンピュータ、あるいは、基板処理装置10よりも上流側の装置から制御部90に送信され、あるいは、不図示のユーザインターフェースを介して作業員によって制御部90に入力される。 Therefore, the controller 90 of the substrate processing apparatus 10 may cause the heater 34 to start the heating operation before the valves 32 and 33 are opened. FIG. 4 is a flowchart showing an example of heater start control. The control unit 90 determines whether information on the substrate W (hereinafter referred to as pre-operation information) has been received (step S1). The pre-operation information includes, for example, the number of substrates W to be carried into the substrate processing apparatus 10 and various information such as a recipe indicating the procedure for processing the substrates W. FIG. The pre-operation information is transmitted to the control unit 90 from, for example, a host computer or an apparatus upstream of the substrate processing apparatus 10, or input to the control unit 90 by an operator via a user interface (not shown). .

制御部90が未だ稼働前情報を受け取っていない場合には、基板処理装置10は未だ基板Wを処理する予定がないので、再びステップS1を実行する。一方で、制御部90が稼働前情報を受け取ったときには、制御部90は基板処理装置10に属するヒータ34に加熱動作を開始させる(ステップS2)。 If the control unit 90 has not yet received the pre-operation information, the substrate processing apparatus 10 is not scheduled to process the substrates W yet, so step S1 is executed again. On the other hand, when the control unit 90 receives the pre-operation information, the control unit 90 causes the heater 34 belonging to the substrate processing apparatus 10 to start heating operation (step S2).

以上のように、制御部90は稼働前情報の受信に応答してヒータ34の加熱動作を開始する。これによれば、ヒータ34は、基板Wに対して処理液を供給する前、より具体的には、各処理ユニット11に基板Wが搬入される前から加熱動作を開始する。よって、ヒータ34は処理液供給路31を予熱することができる。したがって、基板Wへの処理液の供給開始時においても、ヒータ34は処理液を高い精度でプロセス温度に調整することができ、処理ユニット11は基板Wに対してより適切に処理を行うことができる。 As described above, the control unit 90 starts the heating operation of the heater 34 in response to receiving the pre-operation information. According to this, the heater 34 starts the heating operation before the processing liquid is supplied to the substrate W, more specifically, before the substrate W is loaded into each processing unit 11 . Therefore, the heater 34 can preheat the processing liquid supply path 31 . Therefore, even when the supply of the processing liquid to the substrate W is started, the heater 34 can adjust the processing liquid to the process temperature with high accuracy, and the processing unit 11 can process the substrate W more appropriately. can.

<第2の実施の形態>
第2の実施の形態にかかる基板処理システム100の構成は第1の実施の形態と同様である。第2の実施の形態では、ヒータ34の内部構成の一例について説明する。
<Second Embodiment>
The configuration of the substrate processing system 100 according to the second embodiment is similar to that of the first embodiment. In the second embodiment, an example of the internal configuration of the heater 34 will be described.

図5は、第2の実施の形態にかかるヒータ34の構成の一例を概略的に示す図である。図5の例では、ヒータ34はヒートポンプである。具体的には、ヒータ34は冷媒循環路341と加熱用の熱交換器342と冷却用の熱交換器343と圧縮機344と膨張弁345とを含む。冷媒循環路341は主として配管によって構成される。冷媒循環路341には、冷媒が流れる。冷媒は二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒である。冷媒循環路341には、熱交換器342、熱交換器343、圧縮機344および膨張弁345が設けられている。これらはヒートポンプ装置20と同様であるので、ここでは繰り返しの説明を避ける。なお、熱交換器343は、冷媒と冷却液との間で熱交換を行う熱交換器であってもよく、あるいは、冷媒と外気との間で熱交換を行う熱交換器であってもよい。 FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the heater 34 according to the second embodiment. In the example of FIG. 5, heater 34 is a heat pump. Specifically, the heater 34 includes a refrigerant circuit 341 , a heat exchanger 342 for heating, a heat exchanger 343 for cooling, a compressor 344 and an expansion valve 345 . The refrigerant circuit 341 is mainly configured by piping. A coolant flows through the coolant circulation path 341 . The refrigerant is a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant. A heat exchanger 342 , a heat exchanger 343 , a compressor 344 and an expansion valve 345 are provided in the refrigerant circuit 341 . Since these are similar to the heat pump device 20, repeated descriptions are avoided here. The heat exchanger 343 may be a heat exchanger that exchanges heat between the refrigerant and the cooling liquid, or may be a heat exchanger that exchanges heat between the refrigerant and the outside air. .

第2の実施の形態では、ヒータ34はヒートポンプであるので、高い熱効率で処理液を加熱することができる。よって、基板処理システム100の効率をさらに向上させることができる。 In the second embodiment, since the heater 34 is a heat pump, it can heat the treatment liquid with high thermal efficiency. Therefore, the efficiency of the substrate processing system 100 can be further improved.

<第3の実施の形態>
第1および第2の実施の形態では、冷媒として二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒を採用した。これらの冷媒が処理液に混入しても、基板Wの処理に影響を与えにくい。しかしながら、処理液中の冷媒の濃度が非常に高くなると、基板Wの処理に悪影響を与えるおそれもある。また、冷媒として二酸化炭素冷媒でもなくアンモニア冷媒でもない冷媒を採用する場合には、処理液への少しの冷媒の混入でも基板Wの処理に悪影響を与えるおそれもある。
<Third Embodiment>
In the first and second embodiments, carbon dioxide refrigerant or ammonia refrigerant is used as the refrigerant. Even if these coolants are mixed into the processing liquid, the processing of the substrate W is unlikely to be affected. However, if the concentration of the coolant in the processing liquid becomes extremely high, the processing of the substrate W may be adversely affected. Further, if a refrigerant other than the carbon dioxide refrigerant and the ammonia refrigerant is used as the refrigerant, even a small amount of the refrigerant mixed into the processing liquid may adversely affect the processing of the substrate W. FIG.

そこで、第3の実施の形態では、処理液中の冷媒の濃度を監視できる技術を提供することを企図する。 Therefore, in the third embodiment, it is intended to provide a technology capable of monitoring the concentration of the refrigerant in the treatment liquid.

図6は、第3の実施の形態にかかる基板処理システム100Aの構成の一部の一例を概略的に示す図である。なお、図6の例では、図面の煩雑を避けるために、ヒートポンプ装置20よりも冷却対象側の構成の図示を省略している。 FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of part of the configuration of a substrate processing system 100A according to the third embodiment. In addition, in the example of FIG. 6, illustration of the configuration on the cooling target side of the heat pump device 20 is omitted in order to avoid complication of the drawing.

基板処理システム100Aは冷媒濃度センサ70の有無という点で基板処理システム100と相違する。冷媒濃度センサ70は、加熱循環路30を流れる処理液中の冷媒濃度を測定し、その測定結果を示す測定結果信号を制御部90に出力する。冷媒として二酸化炭素冷媒を採用する場合、冷媒濃度センサ70は、処理液に溶存する二酸化炭素の濃度を測定する。また、冷媒としてアンモニアを採用する場合、冷媒濃度センサ70は、処理液に溶存するアンモニアの濃度を測定する。図6の例では、冷媒濃度センサ70は、処理液供給路31の全ての上流端よりも下流側かつ処理液補充路61の下流端よりも上流側において、加熱循環路30に設けられている。 The substrate processing system 100A differs from the substrate processing system 100 in the presence or absence of the refrigerant concentration sensor 70. FIG. The refrigerant concentration sensor 70 measures the refrigerant concentration in the treatment liquid flowing through the heating circuit 30 and outputs a measurement result signal indicating the measurement result to the controller 90 . When a carbon dioxide refrigerant is used as the refrigerant, the refrigerant concentration sensor 70 measures the concentration of carbon dioxide dissolved in the treatment liquid. Also, when ammonia is employed as the refrigerant, the refrigerant concentration sensor 70 measures the concentration of ammonia dissolved in the treatment liquid. In the example of FIG. 6, the refrigerant concentration sensor 70 is provided in the heating circuit 30 downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply channel 31 and upstream of the downstream end of the processing liquid replenishment channel 61. .

また、図6の例では、基板処理システム100Aには報知部93が設けられている。報知部93は作業員に種々の情報を報知する。例えば、報知部93は、液晶表示ディスプレイなどのディスプレイ、および、スピーカの少なくともいずれか一つを含む。ディスプレイは種々の情報を表示し、スピーカは種々の情報を音声で出力する。 Further, in the example of FIG. 6, a notification unit 93 is provided in the substrate processing system 100A. The notification unit 93 notifies the worker of various information. For example, the notification unit 93 includes at least one of a display such as a liquid crystal display and a speaker. The display displays various information, and the speaker outputs various information by voice.

制御部90は冷媒濃度センサ70の測定結果に基づいて、処理液中の冷媒濃度の監視制御を行う。図7は、監視制御の一例を示すフローチャートである。まず、冷媒濃度センサ70が処理液中の冷媒濃度を測定する(ステップS11)。冷媒濃度センサ70は、測定した冷媒濃度を示す測定結果信号を制御部90に出力する。 The control unit 90 monitors and controls the refrigerant concentration in the treatment liquid based on the measurement result of the refrigerant concentration sensor 70 . FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of monitor control. First, the refrigerant concentration sensor 70 measures the refrigerant concentration in the treatment liquid (step S11). The refrigerant concentration sensor 70 outputs a measurement result signal indicating the measured refrigerant concentration to the controller 90 .

次に、制御部90は、冷媒濃度センサ70によって測定された冷媒の濃度が予め規定された冷媒基準値以上であるか否かを判断する(ステップS12)。冷媒基準値は、例えば、基板Wへの処理の悪影響の程度が許容量となるときの冷媒濃度以下の値である。冷媒の濃度が冷媒基準値未満であるときには、再びステップS11を実行する。 Next, the control unit 90 determines whether or not the concentration of the refrigerant measured by the refrigerant concentration sensor 70 is equal to or higher than a predetermined refrigerant reference value (step S12). The coolant reference value is, for example, a value that is equal to or less than the coolant concentration when the degree of adverse effect of the processing on the substrate W becomes the allowable amount. When the refrigerant concentration is less than the refrigerant reference value, step S11 is executed again.

冷媒の濃度が冷媒基準値以上であるときには、制御部90は報知制御および停止制御の少なくともいずれか一方を実行する。停止制御は、基板処理システム100Aを停止させる制御である。これにより、処理液への冷媒の混入に起因して基板Wの処理に不具合が生じることを回避することができる。 When the refrigerant concentration is equal to or higher than the refrigerant reference value, the control unit 90 executes at least one of notification control and stop control. Stop control is control for stopping the substrate processing system 100A. As a result, it is possible to avoid problems in the processing of the substrates W due to the mixture of the coolant into the processing liquid.

報知制御は、制御部90が報知部93に報知を行わせる制御である。報知部93がディスプレイを含む場合には、ディスプレイは冷媒の濃度が冷媒基準値以上であることを示す情報を表示し、報知部93がスピーカを含む場合には、冷媒の濃度が冷媒基準値以上であることを示す情報を音声で出力する。 Notification control is control by which the control unit 90 causes the notification unit 93 to perform notification. When the notification unit 93 includes a display, the display displays information indicating that the concentration of the refrigerant is equal to or higher than the refrigerant standard value, and when the notification unit 93 includes a speaker, the concentration of the refrigerant is equal to or higher than the refrigerant reference value. Information indicating that is output by voice.

作業員は当該報知に基づいて、処理液の冷媒濃度が高くなっていることを認識することができ、例えば熱交換器22の交換などの諸対応を適切に行うことができる。 Based on the notification, the operator can recognize that the refrigerant concentration in the treatment liquid is high, and can appropriately take various measures such as replacing the heat exchanger 22 .

<第4の実施の形態>
図8は、第4の実施の形態にかかる基板処理システム100Bの構成の一例を示す図である。基板処理システム100Bは、保温部50の有無という点で、基板処理システム100と相違する。
<Fourth Embodiment>
FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing system 100B according to the fourth embodiment. The substrate processing system 100</b>B differs from the substrate processing system 100 in the presence or absence of the heat retaining section 50 .

保温部50には、高温の処理液が基板処理装置10から排出路118を通じて供給される。以下では、基板処理装置10から排出路118へ流入する処理液を排液とも呼ぶ。保温部50は高温の排液の熱を用いて加熱循環路30を保温する。つまり、保温部50は加熱循環路30から外部への熱拡散を抑制する。 A high-temperature processing liquid is supplied from the substrate processing apparatus 10 to the heat retaining unit 50 through the discharge path 118 . Hereinafter, the processing liquid flowing into the discharge path 118 from the substrate processing apparatus 10 is also referred to as waste liquid. The heat retaining part 50 keeps the heating circuit 30 warm by using the heat of the high-temperature waste liquid. That is, the heat retaining part 50 suppresses heat diffusion from the heating circuit 30 to the outside.

図9は、基板処理装置10および保温部50の具体的な構成の一例を示す図である。図9の例では、基板処理装置10はノズル1142をさらに含んでいる。ノズル1142は基板Wの上面に高温の処理液を供給する。ノズル1142は処理液供給路311の下流端に接続される。処理液供給路311の上流端は不図示の処理液供給源に接続される。処理液供給路311も主として配管によって構成される。処理液供給源は高温の処理液を処理液供給路311に供給する。処理液は、例えば、100℃から120℃程度のSPM(硫酸過酸化水素水)、75℃から85℃程度のSC-1(アンモニア過酸化水素水)、および、75℃から85℃程度のSC-2(塩酸過酸化水素水)の少なくともいずれかを含む。 FIG. 9 is a diagram showing an example of specific configurations of the substrate processing apparatus 10 and the heat retaining section 50. As shown in FIG. In the example of FIG. 9, substrate processing apparatus 10 further includes nozzle 1142 . The nozzle 1142 supplies the upper surface of the substrate W with a high-temperature processing liquid. The nozzle 1142 is connected to the downstream end of the processing liquid supply channel 311 . An upstream end of the processing liquid supply path 311 is connected to a processing liquid supply source (not shown). The processing liquid supply path 311 is also mainly composed of piping. The processing liquid supply source supplies hot processing liquid to the processing liquid supply path 311 . The treatment liquid is, for example, SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide solution) at about 100°C to 120°C, SC-1 (ammonia hydrogen peroxide solution) at about 75°C to 85°C, and SC at about 75°C to 85°C. -2 (hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution).

図9の例では、複数のガード116、複数のカップ117および複数の排出路118が設けられている。各ガード116は同軸状の筒状形状を有しており、各ガード116が昇降可能に設けられる。カップ117は複数のガード116に対応して設けられており、対応するガード116から流下する処理液を受け止める。排出路118は複数のカップ117に対応して設けられており、対応するカップ117によって受け止められた処理液を排出する。 In the example of FIG. 9, multiple guards 116, multiple cups 117 and multiple discharge channels 118 are provided. Each guard 116 has a coaxial tubular shape, and each guard 116 is provided so as to be able to move up and down. Cups 117 are provided corresponding to a plurality of guards 116 and receive the processing liquid flowing down from the corresponding guards 116 . The discharge paths 118 are provided corresponding to the plurality of cups 117 and discharge the processing liquid received by the corresponding cups 117 .

処理液の種類に応じたガード116が上昇した状態で、その種類の処理液が基板Wに供給されると、該処理液は基板Wの周縁から飛散してガード116で受け止められ、対応するカップ117および排出路118を通じて排出される。これにより、種類ごとに処理液を分類して排出することができる。 When the type of processing liquid is supplied to the substrate W while the guard 116 corresponding to the type of processing liquid is raised, the processing liquid scatters from the peripheral edge of the substrate W and is received by the guard 116, and the corresponding cup is discharged. 117 and discharge channel 118 . As a result, the processing liquid can be classified and discharged according to type.

ここでは、ノズル1142から吐出された処理液が、当該処理液に対応するガード116、カップ117および排出路118を通じて、保温部50に供給される。なお、保温部50に供給される排液は、ノズル1142から吐出された高温の処理液に限らず、ノズル114あるいはノズル115から吐出された高温の処理液であってもよい。 Here, the processing liquid discharged from the nozzle 1142 is supplied to the heat retaining section 50 through the guard 116, the cup 117 and the discharge path 118 corresponding to the processing liquid. The waste liquid supplied to the heat retaining unit 50 is not limited to the high-temperature processing liquid discharged from the nozzle 1142 , and may be the high-temperature processing liquid discharged from the nozzle 114 or nozzle 115 .

図9の例では、保温部50はタンク51を含んでいる。タンク51には排出路118から高温の排液が供給される。これにより、タンク51内に排液が貯留される。 In the example of FIG. 9 , the heat retaining section 50 includes a tank 51 . The tank 51 is supplied with high-temperature waste liquid from a discharge passage 118 . As a result, the waste liquid is stored in the tank 51 .

図9の例では、タンク51内の排液には、加熱循環路30の一部が浸漬している。加熱循環路30の当該一部は、例えば、加熱循環路30のうち、処理液供給路31の全ての上流端よりも下流側かつ熱交換器22よりも上流側の部分の少なくとも一部である。図9の例では、加熱循環路30の当該一部はU字形状を有しており、タンク51内の排液に浸漬する。加熱循環路30の他の部分はタンク51の上部開口を通じてタンク51の外側に延在する。 In the example of FIG. 9, part of the heating circuit 30 is immersed in the waste liquid in the tank 51 . The part of the heating circuit 30 is, for example, at least part of the part of the heating circuit 30 downstream of all the upstream ends of the treatment liquid supply channel 31 and upstream of the heat exchanger 22 . . In the example of FIG. 9 , this part of the heating circuit 30 has a U-shape and is immersed in the waste liquid in the tank 51 . Another part of the heating circuit 30 extends outside the tank 51 through the top opening of the tank 51 .

このように加熱循環路30の一部が高温の排液に浸漬するので、高温の排液から加熱循環路30の一部に熱が移動する。つまり、加熱循環路30の一部の温度を上昇させることができる。 Since part of the heating circuit 30 is thus immersed in the high-temperature waste liquid, heat is transferred from the high-temperature waste liquid to the part of the heating circuit 30 . That is, the temperature of part of the heating circuit 30 can be raised.

以上のように、第4の実施の形態では、排出路118を通じて外部に排出される高温の排液の熱を利用して、加熱循環路30を保温する。よって、排液の熱を有効に利用することができ、基板処理システム100Bの効率をさらに向上させることができる。 As described above, in the fourth embodiment, the heating circulation path 30 is kept warm by utilizing the heat of the high-temperature waste liquid discharged to the outside through the discharge path 118 . Therefore, the heat of the waste liquid can be effectively used, and the efficiency of the substrate processing system 100B can be further improved.

なお、図8の例では、処理液補充部60の処理液補充路61の下流端は熱交換器22と保温部50との間において加熱循環路30に接続されている。しかしながら、必ずしもこれに限らない。処理液補充路61の下流端は、保温部50よりも上流側かつ処理液供給路31の全ての上流端よりも下流側において、加熱循環路30に接続されてもよい。図8の例では、この処理液補充路61を二点鎖線で示している。この場合、タンク51に浸漬された加熱循環路30の一部には、より低温の処理液が流れる。なぜなら、処理液補充部60から加熱循環路30への処理液の合流により、処理液の温度が低下よって、タンク51内において排液から加熱循環路30に伝達される熱量が大きくなる。したがって、排液の熱量をさらに有効に活用することができ、基板処理システム100の効率を向上させることができる。 In the example of FIG. 8, the downstream end of the processing liquid replenishing path 61 of the processing liquid replenishing section 60 is connected to the heating circulation path 30 between the heat exchanger 22 and the heat retaining section 50 . However, it is not necessarily limited to this. The downstream end of the processing liquid replenishment path 61 may be connected to the heating circulation path 30 upstream of the heat retaining section 50 and downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply path 31 . In the example of FIG. 8, this processing liquid replenishing path 61 is indicated by a chain double-dashed line. In this case, a part of the heating circuit 30 immersed in the tank 51 is supplied with a lower temperature processing liquid. This is because the confluence of the processing liquid from the processing liquid replenishing unit 60 to the heating circulation path 30 lowers the temperature of the processing liquid, thereby increasing the amount of heat transferred from the waste liquid in the tank 51 to the heating circulation path 30 . Therefore, the heat quantity of the waste liquid can be used more effectively, and the efficiency of the substrate processing system 100 can be improved.

次に、タンク51内の排液の排出について説明する。図9の例では、タンク51には排出路52の上流端が接続される。排出路52は主として配管によって構成される。排出路52にはバルブ53が設けられており、バルブ53が開くことにより、タンク51内の排液が排出路52を通じて外部に排出される。バルブ53が閉じることにより、排液の排出が停止する。 Next, the discharge of the waste liquid in the tank 51 will be described. In the example of FIG. 9, the tank 51 is connected to the upstream end of the discharge passage 52 . The discharge path 52 is mainly configured by piping. A valve 53 is provided in the discharge path 52 , and when the valve 53 is opened, the liquid in the tank 51 is discharged to the outside through the discharge path 52 . Closing the valve 53 stops the drainage.

図9の例では、加熱循環路30には保温部50と熱交換器22との間において温度センサ54が設けられている。温度センサ54は加熱循環路30を流れる処理液の温度を検出し、その測定結果を示す測定結果信号を制御部90に出力する。 In the example of FIG. 9 , a temperature sensor 54 is provided between the heat retaining section 50 and the heat exchanger 22 in the heating circuit 30 . The temperature sensor 54 detects the temperature of the processing liquid flowing through the heating circuit 30 and outputs a measurement result signal indicating the measurement result to the control section 90 .

ここでは、制御部90は、温度センサ54によって測定された温度に基づいて、タンク51からの排液の排出制御を行う。図10は、排出制御の一例を示すフローチャートである。まず、温度センサ54が加熱循環路30内の処理液の温度を測定する(ステップS21)。温度センサ54は、測定した温度を示す測定結果信号を制御部90に出力する。 Here, the control unit 90 controls discharge of the waste liquid from the tank 51 based on the temperature measured by the temperature sensor 54 . FIG. 10 is a flow chart showing an example of emission control. First, the temperature sensor 54 measures the temperature of the treatment liquid in the heating circuit 30 (step S21). The temperature sensor 54 outputs a measurement result signal indicating the measured temperature to the control section 90 .

次に、制御部90は、温度センサ54によって測定された温度が予め規定された温度基準値以上であるか否かを判断する(ステップS22)。温度が温度基準値よりも低いときには、再びステップS21を実行する。 Next, the control unit 90 determines whether or not the temperature measured by the temperature sensor 54 is equal to or higher than a predetermined temperature reference value (step S22). When the temperature is lower than the temperature reference value, step S21 is executed again.

温度が温度基準値以上であるときには、制御部90はバルブ53を開く(ステップS23)。これにより、タンク51内の排液が排出路52を通じて外部に排出される。よって、タンク51内の排液の貯留量が時間の経過とともに低下する。したがって、保温部50において加熱循環路30に与えられる熱量は小さくなり、加熱循環路30の熱交換器22に流入する処理液の温度が低下する。 When the temperature is equal to or higher than the temperature reference value, the controller 90 opens the valve 53 (step S23). As a result, the liquid in the tank 51 is discharged outside through the discharge path 52 . Therefore, the amount of waste liquid stored in the tank 51 decreases over time. Therefore, the amount of heat given to the heating circuit 30 in the heat retaining part 50 is reduced, and the temperature of the processing liquid flowing into the heat exchanger 22 of the heating circuit 30 is lowered.

以上のように、本排出制御によれば、熱交換器22に流入する処理液の温度の過剰な上昇を回避することができる。これによれば、ヒートポンプ装置20の利用率の低下を抑制することができる。 As described above, according to this discharge control, an excessive rise in the temperature of the treatment liquid flowing into the heat exchanger 22 can be avoided. According to this, it is possible to suppress a decrease in the utilization rate of the heat pump device 20 .

<第5の実施の形態>
図11は、第5の実施の形態にかかる基板処理システム100Cの構成の一例を示す図である。基板処理システム100Cは排液冷却部55の有無という点で基板処理システム100Bと相違する。
<Fifth Embodiment>
FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing system 100C according to the fifth embodiment. The substrate processing system 100C differs from the substrate processing system 100B in the presence or absence of the waste liquid cooling unit 55. FIG.

排液冷却部55には基板処理装置10からの高温の排液が供給される。排液冷却部55は当該排液を低温の冷却循環路40で冷却する。図11の例では、排液冷却部55は、排液の流れにおいて、保温部50よりも下流側に設けられている。つまり、保温部50の排出路52の下流端は排液冷却部55に接続されており、排液は保温部50から排出路52を通じて排液冷却部55に供給される。 A high-temperature waste liquid from the substrate processing apparatus 10 is supplied to the waste liquid cooling unit 55 . The waste liquid cooling unit 55 cools the waste liquid in the low-temperature cooling circuit 40 . In the example of FIG. 11, the waste liquid cooling section 55 is provided downstream of the heat retaining section 50 in the flow of the waste liquid. That is, the downstream end of the discharge path 52 of the heat retaining section 50 is connected to the waste liquid cooling section 55 , and the waste liquid is supplied from the heat retaining section 50 to the waste liquid cooling section 55 through the discharge path 52 .

図12は、排液冷却部55の構成の一例を概略的に示す図である。図12の例では、排液冷却部55はタンク56を含む。タンク56には排液が供給される。これにより、タンク56は排液を貯留する。図12の例では、保温部50から排出路52を通じてタンク56に排液が供給されている。保温部50では既述のように、排液から加熱循環路30に熱が移動するので、排液の温度も低下する。よって、排液冷却部55には、少し降温した排液が供給される。 FIG. 12 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the drainage cooling unit 55. As shown in FIG. In the example of FIG. 12 , the drain cooling section 55 includes a tank 56 . A tank 56 is supplied with the effluent. As a result, the tank 56 stores the waste liquid. In the example of FIG. 12, the waste liquid is supplied from the heat retaining part 50 to the tank 56 through the discharge path 52 . As described above, in the heat retaining section 50, heat is transferred from the waste liquid to the heating circuit 30, so the temperature of the waste liquid is also lowered. Therefore, the waste liquid whose temperature is slightly lowered is supplied to the waste liquid cooling unit 55 .

タンク56内の排液には、冷却循環路40の一部が浸漬する。冷却循環路40の当該一部は、例えば、冷却循環路40のうち、冷却液供給路41および冷却液復路42の全てのよりも下流側かつ熱交換器23よりも上流側の部分の少なくとも一部である。なお、冷却循環路40に冷却液供給路44が接続される場合には、排液に浸漬する冷却循環路40の当該一部は、例えば、冷却液供給路41、冷却液復路42および冷却液供給路44の全てよりも下流側かつ熱交換器23よりも上流側の部分の少なくとも一部である。図12の例では、冷却循環路40の当該一部はU字形状を有しており、タンク56内の排液に浸漬する。冷却循環路40の他の部分はタンク56の上部開口を通じてタンク56の外側に延在する。 A portion of the cooling circuit 40 is submerged in the drained liquid in the tank 56 . The part of the cooling circuit 40 is, for example, at least one part of the cooling circuit 40 downstream of all of the coolant supply channel 41 and the coolant return channel 42 and upstream of the heat exchanger 23 . Department. In addition, when the cooling liquid supply path 44 is connected to the cooling circuit 40, the part of the cooling circuit 40 immersed in the waste liquid is, for example, the cooling liquid supply path 41, the cooling liquid return path 42, and the cooling liquid. It is at least part of the portion downstream of all of the supply passage 44 and upstream of the heat exchanger 23 . In the example of FIG. 12, that portion of the cooling circuit 40 has a U-shape and is immersed in the effluent in the tank 56 . Another portion of cooling circuit 40 extends outside tank 56 through a top opening in tank 56 .

このように冷却循環路40の当該一部がタンク56内の高温の排液に浸漬するので、排液から冷却循環路40の当該一部に熱が移動する。これにより、排液が冷却され、排液の温度がさらに低下する。 Because that portion of the cooling circuit 40 is thus immersed in the hot effluent in the tank 56, heat is transferred to that portion of the cooling circuit 40 from the effluent. This cools the effluent, further reducing the temperature of the effluent.

タンク56には排出路57の上流端が接続されている。排出路57は主として配管によって構成される。排出路57にはバルブ58が設けられており、バルブ58が開くことにより、タンク56内の排液が排出路57を通じて外部に排出される。バルブ58が閉じることにより、排液の排出が停止する。 An upstream end of a discharge passage 57 is connected to the tank 56 . The discharge path 57 is mainly configured by piping. A valve 58 is provided in the discharge path 57 , and when the valve 58 is opened, the liquid in the tank 56 is discharged to the outside through the discharge path 57 . Closing the valve 58 stops the drainage.

排液冷却部55は冷却循環路40を用いて排液を冷却するので、より速やかに排液の温度を低下させることができる。よって、より低温の排液を、排出路57を通じて外部に排出することができる。例えば制御部90は、タンク56内の排液の温度が許容温度以下となったときに、バルブ58を開くとよい。 Since the waste liquid cooling unit 55 cools the waste liquid using the cooling circuit 40, the temperature of the waste liquid can be lowered more quickly. Therefore, the lower temperature waste liquid can be discharged to the outside through the discharge path 57 . For example, the control unit 90 may open the valve 58 when the temperature of the waste liquid in the tank 56 is below the allowable temperature.

図13は、基板処理システム100Cの構成の他の一例を概略的に示す図である。図13の例では、排液冷却部55は、冷却循環路40から分岐した分岐路47で排液を冷却する。分岐路47は主として配管によって構成され、その上流端は冷却循環路40に接続される。具体的な一例として、分岐路47の上流端は、冷却液供給路41および冷却液復路42の全ての上流端よりも下流側かつ熱交換器23よりも上流側において、冷却循環路40に接続される。なお、冷却循環路40に冷却液供給路44が接続される場合には、分岐路47の上流端は、例えば、冷却液供給路41、冷却液復路42および冷却液供給路44の全てよりも下流側かつ熱交換器23よりも上流側において、冷却循環路40に接続される。 FIG. 13 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the substrate processing system 100C. In the example of FIG. 13 , the waste liquid cooling unit 55 cools the waste liquid in the branch passage 47 branched from the cooling circuit 40 . The branch passage 47 is mainly constituted by piping, and its upstream end is connected to the cooling circuit 40 . As a specific example, the upstream end of the branch channel 47 is connected to the cooling circuit 40 downstream of all the upstream ends of the coolant supply channel 41 and the coolant return channel 42 and upstream of the heat exchanger 23 . be done. When the coolant supply path 44 is connected to the cooling circuit 40 , the upstream end of the branch path 47 is, for example, higher than all of the coolant supply path 41 , the coolant return path 42 and the coolant supply path 44 . It is connected to a cooling circuit 40 on the downstream side and upstream side of the heat exchanger 23 .

図13の例では、分岐路47の一部はタンク56内の排液に浸漬している。図13の例では、分岐路47の当該一部はU字形状を有しており、タンク56内の排液に浸漬する。分岐路47の他の部分はタンク56の上部開口を通じてタンク56の外側に延在する。 In the example of FIG. 13, part of the branched channel 47 is immersed in the waste liquid in the tank 56 . In the example of FIG. 13, the part of the branch channel 47 has a U-shape and is immersed in the waste liquid in the tank 56 . The other portion of branch 47 extends outside tank 56 through the upper opening of tank 56 .

分岐路47には、バルブ471が設けられる。バルブ471が開くことにより、冷却液の一部が冷却循環路40から分岐路47を流れて、外部に排出される。分岐路47には、低温の冷却液が流れるので、タンク56内の排液を冷却することができる。 A valve 471 is provided in the branch passage 47 . By opening the valve 471, part of the coolant flows from the cooling circuit 40 through the branch 47 and is discharged to the outside. Since a low-temperature cooling liquid flows through the branch passage 47, the waste liquid in the tank 56 can be cooled.

なお、冷却液が分岐路47を通じて排出されると、冷却循環路40を循環する冷却液の循環量が低下するので、図3の冷却液補充部65が設けられるとよい。これにより、循環量の低下を抑制することができる。 When the cooling liquid is discharged through the branch passage 47, the amount of cooling liquid circulating through the cooling circuit 40 is reduced. Thereby, a decrease in the circulation amount can be suppressed.

また、図11の例では、保温部50および排液冷却部55の両方が設けられているものの、保温部50が設けられていなくてもよい。 In the example of FIG. 11, both the heat retaining part 50 and the drain cooling part 55 are provided, but the heat retaining part 50 may not be provided.

以上のように、基板処理システム100,100A~100Cは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理システム100,100A~100Cがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the substrate processing systems 100, 100A-100C have been described in detail as above, the above description is illustrative in all aspects, and the substrate processing systems 100, 100A-100C are limited thereto. not a thing It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

10,10A~10D 基板処理装置
100,100A~100C 基板処理システム
118 排出路
20 ヒートポンプ装置
22 熱交換器
30 加熱循環路
31 処理液供給路
34 ヒータ
40 冷却循環路
41,44 冷却液供給路
47 分岐路
48 冷却部
50 保温部
55 排液冷却部
61 処理液補充路
70 冷媒濃度センサ
90 制御部
W 基板
10, 10A to 10D substrate processing apparatus 100, 100A to 100C substrate processing system 118 exhaust path 20 heat pump device 22 heat exchanger 30 heating circuit 31 processing liquid supply path 34 heater 40 cooling circuit 41, 44 cooling liquid supply path 47 branch Path 48 Cooling Part 50 Heat Insulation Part 55 Waste Liquid Cooling Part 61 Processing Liquid Replenishing Path 70 Refrigerant Concentration Sensor 90 Controller W Substrate

Claims (8)

処理液を基板に供給して前記基板を処理する1以上の基板処理装置と、
前記処理液を加熱するヒートポンプ装置と、
前記ヒートポンプ装置からの前記処理液を前記ヒートポンプ装置に戻す加熱循環路と、
前記加熱循環路から分岐しており、前記基板処理装置に前記処理液を供給する処理液供給路と、
前記加熱循環路に接続され、前記加熱循環路に前記処理液を補充する処理液補充路と
を備える、基板処理システム。
one or more substrate processing apparatuses for supplying a processing liquid to a substrate to process the substrate;
a heat pump device for heating the treatment liquid;
a heating circuit returning the treatment liquid from the heat pump device to the heat pump device;
a processing liquid supply path branching from the heating circulation path and supplying the processing liquid to the substrate processing apparatus;
and a processing liquid replenishment path connected to the heating circulation path for replenishing the processing liquid to the heating circulation path.
請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記処理液供給路を流れる前記処理液を加熱するヒータをさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to claim 1,
A substrate processing system further comprising a heater that heats the processing liquid flowing through the processing liquid supply path.
請求項2に記載の基板処理システムであって、
前記ヒータはヒートポンプを含む、基板処理システム。
The substrate processing system according to claim 2,
The substrate processing system, wherein the heater includes a heat pump.
請求項2または請求項3に記載の基板処理システムであって、
前記基板についての情報を受けて、前記ヒータに加熱動作を開始させる制御部をさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to claim 2 or 3,
A substrate processing system, further comprising a control unit that receives information about the substrate and causes the heater to start a heating operation.
請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
前記ヒートポンプ装置は、前記加熱循環路に接続され、熱伝導性樹脂によって形成された熱交換器を含み、
前記基板処理システムは、
前記加熱循環路における冷媒の濃度を測定する冷媒濃度センサをさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 4,
The heat pump device includes a heat exchanger connected to the heating circuit and made of a thermally conductive resin,
The substrate processing system includes
A substrate processing system further comprising a coolant concentration sensor that measures the concentration of coolant in the heating circuit.
請求項1から請求項5のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、
前記排出路から供給された前記排液で前記加熱循環路を保温する保温部と
をさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 5,
a discharge path through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows;
A substrate processing system, further comprising a heat retaining unit that heats the heating circuit with the waste liquid supplied from the discharge path.
請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
前記ヒートポンプ装置によって冷却された冷却液を前記ヒートポンプ装置に戻す冷却循環路と、
前記冷却循環路から分岐しており、前記冷却液を前記基板処理装置に供給する冷却液供給路と、
前記冷却液供給路よりも上流側かつ前記ヒートポンプ装置よりも下流側において、前記冷却循環路を流れる前記冷却液を冷却する冷却部と
をさらに備える、基板処理システム。
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 6,
a cooling circuit returning coolant cooled by the heat pump device to the heat pump device;
a cooling liquid supply path branched from the cooling circulation path and supplying the cooling liquid to the substrate processing apparatus;
A substrate processing system, further comprising: a cooling unit that cools the cooling liquid flowing through the cooling circuit on the upstream side of the cooling liquid supply path and the downstream side of the heat pump device.
請求項7に記載の基板処理システムであって、
前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、
前記冷却循環路または前記冷却循環路から分岐した分岐路で前記排液を冷却する排液冷却部と
をさらに備える、基板処理システム。
A substrate processing system according to claim 7,
a discharge path through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows;
The substrate processing system, further comprising: a waste liquid cooling unit that cools the waste liquid in the cooling circuit or a branch path branched from the cooling circuit.
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JP2006066727A (en) * 2004-08-27 2006-03-09 Toshiba Corp Semiconductor manufacturing device and chemical exchanging method
JP5223091B2 (en) * 2006-03-20 2013-06-26 高橋金属株式会社 Cleaning device using aqueous cleaning solution
JP5191806B2 (en) * 2008-05-30 2013-05-08 株式会社ユリカイ Multi-load temperature controller in factory
JP6118719B2 (en) * 2013-12-16 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium recording substrate processing program
KR20180079046A (en) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Substrate treatment system

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