JP2022156546A - Microlens forming composition, method for manufacturing microlens using composition, cured film, solid state image sensor and imaging device - Google Patents

Microlens forming composition, method for manufacturing microlens using composition, cured film, solid state image sensor and imaging device Download PDF

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Abstract

To provide a microlens forming composition that has few restrictions on the type of usable resins and causes few residues during image development.SOLUTION: A microlens forming composition contains (A) an unsaturated group-containing alkali-soluble resin, (B) a photopolymerizable monomer having at least one ethylenically unsaturated bond, (C) an epoxy compound having two or more epoxy groups, (D) a photopolymerization initiator, (E) an ultraviolet absorber, and (F) a solvent. The mass of the (F) ultraviolet absorber is 3 mass% or more and 20 mass% or less relative to the total mass of the solid content.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、マイクロレンズ形成用組成物、当該組成物を用いたマイクロレンズの製造方法、当該組成物を硬化してなる硬化膜、当該マイクロレンズを有する固体撮像素子、および撮像装置に関する。 The present invention relates to a composition for forming a microlens, a method for manufacturing a microlens using the composition, a cured film obtained by curing the composition, a solid-state imaging device having the microlens, and an imaging device.

デジタルカメラ、カメラ付きの携帯電話等の撮像装置には、CCD(charge coupled device)イメージセンサやCMOS(complementaly metal-oxide semiconductor)イメージセンサなどの固体撮像素子が搭載されている。上記イメージセンサは、集光率の向上を目的として、微細な集光レンズ(マイクロレンズ)を有する。近年では、上記イメージセンサの高画素化、高感度化、微細化が求められており、それらに対応し得るマイクロレンズ用の材料の開発が行われている。 Imaging devices such as digital cameras and camera-equipped mobile phones are equipped with solid-state imaging devices such as CCD (charge coupled device) image sensors and CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensors. The image sensor has fine condensing lenses (microlenses) for the purpose of improving the light condensing efficiency. In recent years, there has been a demand for higher pixel count, higher sensitivity, and miniaturization of the image sensor, and materials for microlenses that can meet these demands have been developed.

たとえば、特許文献1には、ガラス転移温度(Tg)が70℃以下であるアルカリ可溶性樹脂および感光剤を含む、マイクロレンズパターンの形成に用いられる樹脂組成物が開示されている。特許文献1によると、上記樹脂組成物は、低温(60~100℃)の熱フローによっても微細なドットパターンを形成することができるとされている。特許文献1には、上記樹脂組成物は、露光部を除去するポジ型のパターン形成により、マイクロレンズパターンを形成できると記載されている。 For example, Patent Document 1 discloses a resin composition used for forming a microlens pattern, containing an alkali-soluble resin having a glass transition temperature (Tg) of 70° C. or lower and a photosensitive agent. According to Patent Document 1, the above resin composition is said to be capable of forming a fine dot pattern even by heat flow at a low temperature (60 to 100° C.). Patent Literature 1 describes that the resin composition can form a microlens pattern by positive pattern formation in which the exposed portions are removed.

また、特許文献2には、シロキサン樹脂、金属含有粒子、およびエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物を含むシロキサン樹脂組成物が開示されている。特許文献2によると、上記シロキサン樹脂組成物は、金属含有粒子に含まれるTiとZrの比率を特定の範囲にすることにより、シロキサン樹脂組成物の硬化物の高屈折率を維持しつつ、耐光性をより高めることができるとされている。特許文献2には、上記シロキサン樹脂組成物は、未露光部を除去するネガ型のパターン形成により、マイクロレンズパターンを形成できると記載されている。 Further, Patent Document 2 discloses a siloxane resin composition containing a siloxane resin, metal-containing particles, and a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond. According to Patent Document 2, the siloxane resin composition maintains a high refractive index of the cured product of the siloxane resin composition by setting the ratio of Ti and Zr contained in the metal-containing particles to a specific range, while maintaining light resistance. It is said that it can improve the quality. Patent Document 2 describes that the siloxane resin composition can form a microlens pattern by negative pattern formation in which the unexposed areas are removed.

特開2020-100793号公報JP 2020-100793 A 特開2019-173016号公報JP 2019-173016 A

特許文献1および特許文献2に記載のように、マイクロレンズ形成用の樹脂組成物としては、ポジ型のパターン形成ができる樹脂組成物およびネガ型のパターン形成ができる樹脂組成物の両方が知られている。 As described in Patent Documents 1 and 2, both a resin composition capable of forming a positive pattern and a resin composition capable of forming a negative pattern are known as resin compositions for forming microlenses. ing.

しかしながら、本発明者らの知見によると、特許文献1や特許文献2などに記載の従来の樹脂組成物は、現像時に残渣が生じやすいという問題があった。また、レンズ間距離が狭いときには、この残渣によりマイクロレンズ同士が繋がってしまうこともあった。一方で、マイクロレンズ形成用の樹脂組成物には、形成したマイクロレンズパターンが基板への良好な密着性を有することも要求される。 However, according to the findings of the present inventors, the conventional resin compositions described in Patent Literature 1 and Patent Literature 2 have a problem that residues tend to be generated during development. Moreover, when the inter-lens distance is narrow, the microlenses may be connected to each other due to this residue. On the other hand, the resin composition for forming microlenses is also required to have good adhesion of the formed microlens pattern to the substrate.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、使用できる樹脂の限定が少なく、現像時に残渣が生じにくく、かつ基板への密着性が良好なマイクロレンズパターンを形成できるマイクロレンズ形成用組成物、当該組成物を用いたマイクロレンズの製造方法、当該組成物を硬化してなる硬化膜、当該マイクロレンズを有する固体撮像素子および当該固体撮像素子を有する撮像装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and a microlens-forming composition that can form a microlens pattern with less limitation on the resin that can be used, less residue during development, and good adhesion to a substrate. a microlens manufacturing method using the composition; a cured film obtained by curing the composition; a solid-state imaging device having the microlens; and an imaging device having the solid-state imaging device. .

本発明に係るマイクロレンズ形成用組成物は、マイクロレンズパターンを形成するためのマイクロレンズ形成用組成物であって、前記マイクロレンズ形成用組成物は、(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂と、(B)少なくとも1つ以上のエチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマーと、(C)2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物と(D)光重合開始剤と、(E)紫外線吸収剤と、(F)溶剤と、を含み、前記(E)紫外線吸収剤の含有量は、固形分の全質量に対して3質量%以上20質量%以下である。 A microlens-forming composition according to the present invention is a microlens-forming composition for forming a microlens pattern, wherein the microlens-forming composition comprises (A) an unsaturated group-containing alkali-soluble resin and , (B) a photopolymerizable monomer having at least one or more ethylenically unsaturated bonds, (C) an epoxy compound having two or more epoxy groups, (D) a photopolymerization initiator, and (E) ultraviolet absorption and (F) a solvent, and the content of the (E) ultraviolet absorber is 3% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total mass of the solid content.

本発明に係るマイクロレンズの製造方法は、上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜層形成工程と、前記塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、前記放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、前記現像後の露光部を熱フローして、前記露光部をマイクロレンズ形状に加工しつつ、加熱硬化する熱フロー工程と、を含む。 The method for producing a microlens according to the present invention comprises a coating film layer forming step of applying the microlens-forming composition and drying it to form a coating film of the microlens-forming composition; An exposure step of irradiating a portion with radiation through a photomask, a developing step of developing the irradiated coating film and removing an unexposed portion, and heat-flowing the exposed portion after the development, and exposing and a heat flow step of heating and curing the portion while processing the portion into a microlens shape.

本発明に係る別のマイクロレンズの製造方法は、上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、放射線を照射し、硬化させて、マイクロレンズ形成用組成物の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層の表面にエッチングレジスト層を形成する工程と、前記エッチングレジスト層の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、前記放射線を照射されたエッチングレジスト層を現像する現像工程と、前記現像後の露光部を熱フローして、前記露光部をマイクロレンズ形状に加工する熱フロー工程と、前記熱フロー後の前記露光部をマスク層として前記樹脂層をドライエッチングし、前記マスク層の形状を前記樹脂層に転写する転写工程と、を含む。 Another microlens manufacturing method according to the present invention includes a resin layer forming step of applying the microlens-forming composition, irradiating it with radiation, and curing it to form a resin layer of the microlens-forming composition. forming an etching resist layer on the surface of the resin layer; exposing a portion of the etching resist layer to radiation through a photomask; and developing the etching resist layer irradiated with the radiation. a heat flow step of heat-flowing the exposed portion after the development to process the exposed portion into a microlens shape; dry-etching the resin layer using the exposed portion after the heat flow as a mask layer; and a transfer step of transferring the shape of the mask layer to the resin layer.

本発明に係る別のマイクロレンズの製造方法は、レンズ材料層上に、上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、前記放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、前記現像後の塗膜を熱フローして、前記塗膜をマイクロレンズ形状に加工しつつ加熱硬化して、マイクロレンズパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記レンズ材料層および前記マスク層をドライエッチングして、前記マスク層の形状を前記レンズ材料層に転写する転写工程と、を含む。 Another microlens manufacturing method according to the present invention includes a coating film forming step of applying the microlens-forming composition onto a lens material layer and drying to form a coating film of the microlens-forming composition. And, an exposure step of irradiating a part of the coating film with radiation through a photomask, a developing step of developing the coating film irradiated with the radiation and removing an unexposed portion, and the coating film after the development A mask layer forming step of forming a mask layer having a microlens pattern by heat-flowing and heat curing the coating film while processing it into a microlens shape, and dry etching the lens material layer and the mask layer. and a transfer step of transferring the shape of the mask layer to the lens material layer.

本発明に係る硬化膜は、上記マイクロレンズ形成用組成物を硬化してなる。 The cured film according to the present invention is obtained by curing the microlens-forming composition.

本発明に係るマイクロレンズは、上記硬化膜からなる。 A microlens according to the present invention comprises the cured film.

本発明に係る固体撮像素子は、上記マイクロレンズを備える。 A solid-state imaging device according to the present invention includes the microlens described above.

本発明に係る撮像装置は、上記固体撮像素子を有する。 An imaging device according to the present invention has the above-described solid-state imaging device.

本発明によれば、使用できる樹脂の限定が少なく、かつ現像時に残渣が生じにくいマイクロレンズ形成用組成物、当該組成物を用いたマイクロレンズの製造方法、当該組成物を硬化してなる硬化膜、当該マイクロレンズを備えた固体撮像素子および当該固体撮像素子を有する撮像装置を提供することができる。 According to the present invention, a composition for forming a microlens that has few limitations on resins that can be used and that hardly leaves residue during development, a method for producing a microlens using the composition, and a cured film obtained by curing the composition. , a solid-state imaging device having the microlens, and an imaging apparatus having the solid-state imaging device.

以下、本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、本発明において、各成分の含有量について、小数第一位が0であるときは、小数点以下の表記を省略することがある。 Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, in this invention, when the first decimal place is 0 about content of each component, the notation after the decimal point may be abbreviate|omitted.

1.マイクロレンズ形成用組成物
本発明の一実施形態に係るマイクロレンズ形成用組成物は、(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂と、(B)少なくとも1つ以上のエチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマーと、(C)2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物と、(D)光重合開始剤と、(E)紫外線吸収剤と、(F)溶剤と、を含む。
1. Microlens-forming composition The microlens-forming composition according to one embodiment of the present invention comprises (A) an unsaturated group-containing alkali-soluble resin and (B) a light having at least one or more ethylenically unsaturated bonds. It contains a polymerizable monomer, (C) an epoxy compound having two or more epoxy groups, (D) a photopolymerization initiator, (E) an ultraviolet absorber, and (F) a solvent.

なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸とメタクリル酸の両方を意味し、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートの両方を意味し、「(メタ)アクリロイル」は、アクリロイルとメタクリロイルの両方を意味する。 In the following description, "(meth)acrylic acid" means both acrylic acid and methacrylic acid, "(meth)acrylate" means both acrylate and methacrylate, and "(meth)acryloyl" means both acryloyl and methacryloyl.

[(A)成分]
(A)成分は、不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂である。(A)成分を含むことにより、マイクロレンズ形成用組成物にアルカリ現像に対する可溶性を付与することができる。
[(A) component]
Component (A) is an unsaturated group-containing alkali-soluble resin. By including the component (A), the microlens-forming composition can be made soluble in alkali development.

(A)成分である不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂は、1分子中に重合性不飽和基と、アルカリ可溶性を発現するための酸性基を有していることが好ましく、重合性不飽和基とカルボキシ基との両方を有していることがより好ましい。上記樹脂であれば、特に限定されることなく、広く使用することができる。 The unsaturated group-containing alkali-soluble resin as component (A) preferably has a polymerizable unsaturated group and an acidic group for developing alkali solubility in one molecule. It is more preferable to have both a carboxy group and a carboxy group. Any of the above resins can be widely used without any particular limitation.

基材への密着性を高める観点から、上記(A)成分は、下記一般式(1)で表される不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(以下、単に、「一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂」ともいう)であることが好ましい。 From the viewpoint of enhancing the adhesion to the substrate, the component (A) is an unsaturated group-containing alkali-soluble resin represented by the following general formula (1) (hereinafter simply referred to as "general formula (1) Also referred to as "alkali-soluble resin").

Figure 2022156546000001
Figure 2022156546000001

式(1)中、Arは、それぞれ独立に炭素数が6~14の芳香族炭化水素基であり、結合している水素原子の一部分は炭素数が1~10の直鎖または分岐鎖のアルキル基、炭素数が6~10のアリール基またはアリールアルキル基、炭素数が3~10のシクロアルキル基またはシクロアルキルアルキル基、炭素数が1~5のアルコキシ基、およびハロゲン基からなる群から選択される基で置換されていてもよい。Rは、それぞれ独立に炭素数が2~4のアルキレン基であり、lは、それぞれ独立に0~3の数である。Gは、それぞれ独立に(メタ)アクリロイル基、下記一般式(2)または下記一般式(3)で表される置換基であり、Yは、4価のカルボン酸残基である。Zは、それぞれ独立に水素原子または下記一般式(4)で表される置換基であり、1個以上は下記一般式(4)で表される置換基である。nは平均値が1~20の数である。 In formula (1), Ar is each independently an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and part of the bonded hydrogen atoms are linear or branched alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms. aryl or arylalkyl groups having 6 to 10 carbon atoms, cycloalkyl or cycloalkylalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms, and halogen groups. may be substituted with a group. Each R 1 is independently an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, and each l is independently a number of 0 to 3. Each G is independently a (meth)acryloyl group or a substituent represented by the following general formula (2) or (3), and Y is a tetravalent carboxylic acid residue. Z is each independently a hydrogen atom or a substituent represented by the following general formula (4), and at least one is a substituent represented by the following general formula (4). n is a number with an average value of 1-20.

Figure 2022156546000002
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Figure 2022156546000003
Figure 2022156546000003

式(2)、(3)中、Rは水素原子またはメチル基であり、Rは炭素数が2~10の2価のアルキレン基またはアルキルアリーレン基であり、Rは炭素数が2~20の2価の飽和または不飽和の炭化水素基であり、pは0~10の数である。 In formulas (2) and (3), R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a divalent alkylene group or alkylarylene group having 2 to 10 carbon atoms, and R 4 has 2 carbon atoms. ∼20 divalent saturated or unsaturated hydrocarbon groups and p is a number from 0 to 10;

Figure 2022156546000004
Figure 2022156546000004

式(4)中、Wは2価または3価のカルボン酸残基であり、mは1または2の数である。 In formula (4), W is a divalent or trivalent carboxylic acid residue, and m is a number of 1 or 2.

次に、上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の製造方法について詳細に説明する。 Next, a method for producing the alkali-soluble resin represented by the general formula (1) will be described in detail.

先ず、下記一般式(5)で表される、1分子内にいくつかのオキシアルキレン基を有するビスアリールフルオレン骨格を有するエポキシ化合物(a)(以下、単に「一般式(5)で表されるエポキシ化合物(a)」ともいう)に、(メタ)アクリル酸、下記一般式(6)または下記一般式(7)で表される(メタ)アクリル酸誘導体のいずれか一方もしくは両方を反応させて、重合性不飽和基を含有するジオール化合物を得る。なお、上記ビスアリールフルオレン骨格は、ビスナフトールフルオレン骨格またはビスフェノールフルオレン骨格であることが好ましい。 First, an epoxy compound (a) having a bisarylfluorene skeleton having several oxyalkylene groups in one molecule, represented by the following general formula (5) (hereinafter simply referred to as "general formula (5) Epoxy compound (a)”) is reacted with either one or both of (meth)acrylic acid and a (meth)acrylic acid derivative represented by the following general formula (6) or the following general formula (7) , to obtain a diol compound containing a polymerizable unsaturated group. The bisarylfluorene skeleton is preferably a bisnaphtholfluorene skeleton or a bisphenolfluorene skeleton.

Figure 2022156546000005
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式(5)中、Arは、それぞれ独立に、炭素数が6~14の芳香族炭化水素基であり、結合している水素原子の一部分は炭素数が1~10のアルキル基、炭素数が6~10のアリール基またはアリールアルキル基、炭素数が3~10のシクロアルキル基またはシクロアルキルアルキル基、炭素数が1~5のアルコキシ基、およびハロゲン基からなる群から選択される基で置換されていてもよい。Rは、それぞれ独立に、炭素数が2~4のアルキレン基であり、lは、それぞれ独立に、0~3の数である。 In formula (5), Ar is each independently an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and part of the bonded hydrogen atoms are alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, and substituted with a group selected from the group consisting of 6 to 10 aryl or arylalkyl groups, 3 to 10 carbon cycloalkyl or cycloalkylalkyl groups, 1 to 5 carbon alkoxy groups, and halogen groups; may have been Each R 1 is independently an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, and each l is independently a number of 0 to 3.

Figure 2022156546000006
Figure 2022156546000006

Figure 2022156546000007
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式(6)、(7)中、Rは水素原子またはメチル基であり、Rは炭素数が2~10の2価のアルキレン基またはアルキルアリーレン基であり、Rは炭素数が2~20の2価の飽和または不飽和の炭化水素基であり、pは0~10の数である。 In formulas (6) and (7), R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a divalent alkylene group or alkylarylene group having 2 to 10 carbon atoms, and R 4 has 2 carbon atoms. ∼20 divalent saturated or unsaturated hydrocarbon groups and p is a number from 0 to 10;

上記一般式(5)で表されるエポキシ化合物(a)と上記(メタ)アクリル酸または(メタ)アクリル酸誘導体との反応は、公知の方法を使用することができる。たとえば、特開平4-355450号公報には、2つのエポキシ基を有するエポキシ化合物1モルに対し、約2モルの(メタ)アクリル酸を使用することにより、重合性不飽和基を含有するジオール化合物が得られることが記載されている。本発明において、上記反応で得られる化合物は、下記一般式(8)で表される重合性不飽和基を含有するジオール(d)(以下、単に「一般式(8)で表されるジオール(d)」ともいう)である。 A known method can be used for the reaction between the epoxy compound (a) represented by the general formula (5) and the (meth)acrylic acid or (meth)acrylic acid derivative. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-355450 discloses a diol compound containing a polymerizable unsaturated group by using about 2 mol of (meth)acrylic acid per 1 mol of an epoxy compound having two epoxy groups. is obtained. In the present invention, the compound obtained by the above reaction is a diol (d) containing a polymerizable unsaturated group represented by the following general formula (8) (hereinafter simply referred to as "diol represented by general formula (8) ( d)”).

Figure 2022156546000008
Figure 2022156546000008

式(8)中、Arは、それぞれ独立に、炭素数が6~14の芳香族炭化水素基であり、結合している水素原子の一部分は炭素数が1~10のアルキル基、炭素数が6~10のアリール基またはアリールアルキル基、炭素数が3~10のシクロアルキル基またはシクロアルキルアルキル基、炭素数が1~5のアルコキシ基、およびハロゲン基からなる群から選択される基で置換されていてもよい。Gは、それぞれ独立に、(メタ)アクリロイル基、下記一般式(2)または下記一般式(3)で表される置換基であり、Rは、それぞれ独立して、炭素数が2~4のアルキレン基であり、lは、それぞれ独立して、0~3の数である。 In formula (8), each Ar is independently an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and part of the bonded hydrogen atoms are alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, and substituted with a group selected from the group consisting of 6 to 10 aryl or arylalkyl groups, 3 to 10 carbon cycloalkyl or cycloalkylalkyl groups, 1 to 5 carbon alkoxy groups, and halogen groups; may have been Each G is independently a (meth)acryloyl group or a substituent represented by the following general formula (2) or (3), and each R 1 independently has 2 to 4 carbon atoms. and each l is independently a number from 0 to 3.

Figure 2022156546000009
Figure 2022156546000009

Figure 2022156546000010
Figure 2022156546000010

式(2)、(3)中、Rは水素原子またはメチル基であり、Rは炭素数が2~10の2価のアルキレン基またはアルキルアリーレン基であり、Rは炭素数が2~20の2価の飽和または不飽和の炭化水素基であり、pは0~10の数である。 In formulas (2) and (3), R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a divalent alkylene group or alkylarylene group having 2 to 10 carbon atoms, and R 4 has 2 carbon atoms. ∼20 divalent saturated or unsaturated hydrocarbon groups and p is a number from 0 to 10;

上記一般式(8)で表されるジオール(d)の合成、およびそれに続く多価カルボン酸またはその無水物を反応させての、上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の製造においては、通常、溶媒中で必要に応じて触媒を用いて反応を行う。 Synthesis of the diol (d) represented by the general formula (8), followed by reaction with a polyvalent carboxylic acid or its anhydride to produce an alkali-soluble resin represented by the general formula (1) is usually carried out in a solvent, optionally using a catalyst.

溶媒の例には、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、ジグライム、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の高沸点のエーテル系もしくはエステル系の溶媒、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトン等のケトン系溶媒等が含まれる。なお、使用する溶媒、触媒等の反応条件に関しては特に制限されないが、例えば、水酸基を持たず、反応温度より高い沸点を有する溶媒を反応溶媒として用いることが好ましい。 Examples of solvents include cellosolve solvents such as ethyl cellosolve acetate and butyl cellosolve acetate; high boiling point ether or ester solvents such as diglyme, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; Ketone solvents such as diisobutyl ketone and the like are included. Although there are no particular restrictions on the reaction conditions such as the solvent and catalyst used, it is preferable to use, as the reaction solvent, a solvent that does not have a hydroxyl group and has a boiling point higher than the reaction temperature.

また、エポキシ基とカルボキシ基またはヒドロキシ基との反応においては触媒を使用することが好ましい。たとえば、特開平9-325494号公報には、テトラエチルアンモニウムブロマイド、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド等のアンモニウム塩、トリフェニルホスフィン、トリス(2,6-ジメトキシフェニル)ホスフィン等のホスフィン類の触媒が記載されている。 Moreover, it is preferable to use a catalyst in the reaction between the epoxy group and the carboxy group or hydroxy group. For example, JP-A-9-325494 describes ammonium salts such as tetraethylammonium bromide and triethylbenzylammonium chloride, and phosphine catalysts such as triphenylphosphine and tris(2,6-dimethoxyphenyl)phosphine. .

次に、上記一般式(8)で表されるジオール(d)と、ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはその酸無水物(b)と、テトラカルボン酸またはその酸二無水物(c)とを反応させることにより、1分子中に重合性不飽和基とアルカリ可溶性を発現するための酸性基を有する、上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂を得ることができる。 Next, the diol (d) represented by the general formula (8), dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride (b), and tetracarboxylic acid or its acid dianhydride (c) are reacted. As a result, it is possible to obtain an alkali-soluble resin represented by the general formula (1), which has a polymerizable unsaturated group and an acidic group for exhibiting alkali-solubility in one molecule.

上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂を合成するために使用される酸成分は、上記一般式(8)で表されるジオール(d)分子中の水酸基と反応し得る多価の酸成分であり、ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはそれらの酸一無水物(b)とテトラカルボン酸またはその酸二無水物(c)とを併用することが必要である。上記酸成分のカルボン酸残基は、飽和炭化水素基または不飽和炭化水素基のいずれでもよい。また、これらのカルボン酸残基には-O-、-S-、カルボニル基等のヘテロ元素を含む結合を含んでいてもよい。 The acid component used for synthesizing the alkali-soluble resin represented by the above general formula (1) is a polyvalent diol (d) represented by the above general formula (8) capable of reacting with hydroxyl groups in the diol (d) molecule. As acid components, it is necessary to use a combination of dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or their acid unihydride (b) and tetracarboxylic acid or their acid dianhydride (c). The carboxylic acid residue of the acid component may be either a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group. In addition, these carboxylic acid residues may contain a bond containing a heteroatom such as —O—, —S—, or a carbonyl group.

上記ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはそれらの酸一無水物(b)の例には、鎖式炭化水素ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸、脂環式炭化水素ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸、芳香族ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸、またはそれらの酸一無水物等が含まれる。 Examples of the dicarboxylic or tricarboxylic acids or their monoanhydrides (b) include chain hydrocarbon dicarboxylic or tricarboxylic acids, alicyclic hydrocarbon dicarboxylic or tricarboxylic acids, aromatic dicarboxylic or tricarboxylic acids, Or their acid monoanhydrides and the like are included.

上記鎖式炭化水素ジカルボン酸またはトリカルボン酸の例には、コハク酸、アセチルコハク酸、マレイン酸、アジピン酸、イタコン酸、アゼライン酸、シトラリンゴ酸、マロン酸、グルタル酸、クエン酸、酒石酸、オキソグルタル酸、ピメリン酸、セバシン酸、スベリン酸、ジグリコール酸等、および任意の置換基が導入された上記鎖式炭化水素ジカルボン酸またはトリカルボン酸が含まれる。 Examples of said chain hydrocarbon dicarboxylic or tricarboxylic acids include succinic acid, acetylsuccinic acid, maleic acid, adipic acid, itaconic acid, azelaic acid, citralic acid, malonic acid, glutaric acid, citric acid, tartaric acid, oxoglutaric acid. , pimelic acid, sebacic acid, suberic acid, diglycolic acid, etc., and the above chain hydrocarbon dicarboxylic or tricarboxylic acids introduced with optional substituents.

また、上記脂環式炭化水素ジカルボン酸またはトリカルボン酸の例には、シクロブタンジカルボン酸、シクロペンタンジカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、ノルボルナンジカルボン酸、クロレンド酸、ヘキサヒドロトリメリット酸等、および任意の置換基が導入された上記脂環式炭化水素ジカルボン酸またはトリカルボン酸等が含まれる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon dicarboxylic acid or tricarboxylic acid include cyclobutanedicarboxylic acid, cyclopentanedicarboxylic acid, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, methylendomethylenetetrahydrophthalic acid, norbornane dicarboxylic acid. Acids, chlorendic acid, hexahydrotrimellitic acid, etc., and the above-mentioned alicyclic hydrocarbon dicarboxylic acids or tricarboxylic acids into which optional substituents are introduced are included.

また、上記芳香族ジカルボン酸またはトリカルボン酸の例には、フタル酸、イソフタル酸、トリメリット酸、1,8-ナフタレンジカルボン酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸等の酸一無水物、および任意の置換基が導入された上記芳香族ジカルボン酸またはトリカルボン酸が含まれる。 Examples of the aromatic dicarboxylic acid or tricarboxylic acid include acid monoanhydrides such as phthalic acid, isophthalic acid, trimellitic acid, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid and 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, and any Included are the above aromatic dicarboxylic acids or tricarboxylic acids into which substituents have been introduced.

上記ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはこれらの酸一無水物の中では、コハク酸、イタコン酸、フタル酸、トリメリット酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロトリメリット酸、1,8-ナフタレンジカルボン酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸が好ましく、テトラヒドロフタル酸、1,8-ナフタレンジカルボン酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸またはこれらの酸一無水物がより好ましい。 Among the above dicarboxylic acids or tricarboxylic acids or their dianhydrides, succinic acid, itaconic acid, phthalic acid, trimellitic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrotrimellitic acid, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid, 2, 3-naphthalenedicarboxylic acid is preferred, and tetrahydrophthalic acid, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid or their acid monoanhydrides are more preferred.

また、ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはその酸無水物(b)としては、酸一無水物を用いることが好ましい。上述したジカルボン酸またはトリカルボン酸の酸一無水物は、その1種のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 As the dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride (b), it is preferable to use an acid monoanhydride. The acid 1 anhydrides of dicarboxylic acids or tricarboxylic acids described above may be used alone or in combination of two or more thereof.

また、上記テトラカルボン酸またはその酸二無水物(c)の例には、鎖式炭化水素テトラカルボン酸、脂環式炭化水素テトラカルボン酸、芳香族テトラカルボン酸、またはそれらの酸二無水物等が含まれる。 Examples of the tetracarboxylic acid or its dianhydride (c) include chain hydrocarbon tetracarboxylic acids, alicyclic hydrocarbon tetracarboxylic acids, aromatic tetracarboxylic acids, or acid dianhydrides thereof. etc. are included.

上記鎖式炭化水素テトラカルボン酸の例には、ブタンテトラカルボン酸、ペンタンテトラカルボン酸、ヘキサンテトラカルボン酸、および脂環式炭化水素基、不飽和炭化水素基等の置換基が導入された上記鎖式炭化水素テトラカルボン酸等が含まれる。 Examples of the above-mentioned chain hydrocarbon tetracarboxylic acids include butanetetracarboxylic acid, pentanetetracarboxylic acid, hexanetetracarboxylic acid, and the above-mentioned compounds into which substituents such as alicyclic hydrocarbon groups and unsaturated hydrocarbon groups have been introduced. Chain hydrocarbon tetracarboxylic acids and the like are included.

また、上記脂環式炭化水素テトラカルボン酸の例には、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸、シクロへプタンテトラカルボン酸、ノルボルナンテトラカルボン酸、および鎖式炭化水素基、不飽和炭化水素基等の置換基が導入された上記脂環式テトラカルボン酸等が含まれる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon tetracarboxylic acids include cyclobutanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, cyclohexanetetracarboxylic acid, cycloheptanetetracarboxylic acid, norbornanetetracarboxylic acid, and chain hydrocarbon groups. , and the above alicyclic tetracarboxylic acids into which a substituent such as an unsaturated hydrocarbon group is introduced.

また、芳香族テトラカルボン酸の例には、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸等が含まれる。 Examples of aromatic tetracarboxylic acids include pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, diphenylethertetracarboxylic acid, diphenylsulfonetetracarboxylic acid, and naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid. , naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid and the like.

また、ビス無水トリメリット酸アリールエステル類を用いることもできる。ビス無水トリメリット酸アリールエステル類とは、例えば、国際公開第2010/074065号に記載された方法で製造される化合物群であり、構造的には芳香族ジオール(ナフタレンジオール、ビフェノール、ターフェニルジオール等)の2個のヒドロキシ基と2分子の無水トリメリット酸のカルボキシ基が反応してエステル結合した形の酸二無水物である。これらの化合物を以下、芳香族ジオールのビス無水トリメリット酸エステルと記載する。 Also, bis-trimellitic anhydride aryl esters can be used. The bis-trimellitic anhydride aryl esters are, for example, a group of compounds produced by the method described in International Publication No. 2010/074065, and are structurally aromatic diols (naphthalene diol, biphenol, terphenyl diol etc.) and two carboxyl groups of trimellitic anhydride are reacted to form an ester bond. These compounds are hereinafter referred to as bis-trimellitic anhydride esters of aromatic diols.

上記テトラカルボン酸またはその酸二無水物の中では、ビフェニルテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸が好ましく、ビフェニルテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸がより好ましい。また、テトラカルボン酸またはその酸二無水物(c)としては、酸二無水物を用いることが好ましい。さらに、ナフタレンジオールのビス無水トリメリット酸エステルも好ましく用いることができる。なお、上述したテトラカルボン酸またはその酸二無水物、および芳香族ジオールのビス無水トリメリット酸エステルは、その1種のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Among the above tetracarboxylic acids or their dianhydrides, biphenyltetracarboxylic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, diphenylethertetracarboxylic acid, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid, naphthalene-2,3,6 ,7-tetracarboxylic acid is preferred, and biphenyltetracarboxylic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid and naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid are more preferred. Moreover, it is preferable to use an acid dianhydride as a tetracarboxylic acid or its acid dianhydride (c). Furthermore, bis-trimellitic anhydride of naphthalene diol can also be preferably used. The tetracarboxylic acid or its acid dianhydride and the bis-trimellitic anhydride ester of the aromatic diol may be used singly or in combination of two or more thereof.

上記一般式(8)で表されるジオール(d)と酸成分(b)および(c)との反応方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法を採用することができる。たとえば、特開平9-325494号公報には、反応温度が90~140℃でエポキシ(メタ)アクリレートとテトラカルボン酸二無水物を反応させる方法が記載されている。 The method for reacting the diol (d) represented by the general formula (8) with the acid components (b) and (c) is not particularly limited, and known methods can be employed. For example, JP-A-9-325494 describes a method of reacting epoxy (meth)acrylate and tetracarboxylic dianhydride at a reaction temperature of 90 to 140°C.

ここで、化合物の末端がカルボキシ基となるように、重合性不飽和基を含有するジオール(d)、ジカルボン酸もしくはトリカルボン酸またはそれらの酸一無水物(b)、テトラカルボン酸二無水物(c)とのモル比が(d):(b):(c)=1.0:0.01~1.0:0.2~1.0となるように反応させることが好ましい。 Here, diol (d) containing a polymerizable unsaturated group, dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or their acid unihydride (b), tetracarboxylic dianhydride ( It is preferable to carry out the reaction so that the molar ratio with c) is (d):(b):(c)=1.0:0.01-1.0:0.2-1.0.

たとえば、酸一無水物(b)、酸二無水物(c)を用いる場合には、重合性不飽和基を含有するジオール(d)に対する酸成分の量〔(b)/2+(c)〕のモル比[(d)/〔(b)/2+(c)〕]が0.5~1.0となるように反応させることが好ましい。ここで、モル比が0.5以上の場合には、未反応の酸無水物の含有量が過剰になるのを抑制できることから、アルカリ可溶性樹脂組成物の経時安定性を高めることができる。また、モル比が1.0以下である場合には、未反応の重合性不飽和基を含有するジオールの含有量が過剰になるのを抑制できることから、アルカリ可溶性樹脂組成物の経時安定性を高めることができる。なお、一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の酸価、分子量を調整する目的で、(b)、(c)および(d)の各成分のモル比は、上述の範囲で任意に変更することができる。 For example, when using an acid dianhydride (b) or an acid dianhydride (c), the amount of acid component relative to the diol (d) containing a polymerizable unsaturated group [(b)/2+(c)] It is preferable to carry out the reaction so that the molar ratio of [(d)/[(b)/2+(c)]] is 0.5 to 1.0. Here, when the molar ratio is 0.5 or more, the content of the unreacted acid anhydride can be suppressed from becoming excessive, so the stability over time of the alkali-soluble resin composition can be enhanced. Further, when the molar ratio is 1.0 or less, it is possible to suppress the content of the diol containing an unreacted polymerizable unsaturated group from becoming excessive, so that the stability of the alkali-soluble resin composition over time can be improved. can be enhanced. In addition, for the purpose of adjusting the acid value and molecular weight of the alkali-soluble resin represented by the general formula (1), the molar ratio of each component (b), (c) and (d) is arbitrarily within the above range. can be changed.

本発明において、(A)成分である一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の含有量は、固形分の全質量に対して10質量%以上90質量%以下であることが好ましく、30質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。(A)成分の含有量が、10質量%以上とすることにより、微細なパターンであっても、現像密着性に優れ、パターンの剥離が生じるのを抑制でき、90質量%以下とすることにより、良好な光硬化性を示し、現像時の露光部、未露光部のコントラストに優れ、十分なフォトリソグラフィ性を得ることができる。 In the present invention, the content of the alkali-soluble resin represented by the general formula (1), which is the component (A), is preferably 10% by mass or more and 90% by mass or less with respect to the total mass of the solid content. More preferably, the content is not less than 80% by mass and not more than 80% by mass. When the content of the component (A) is 10% by mass or more, even if the pattern is fine, the development adhesion is excellent and peeling of the pattern can be suppressed, and when the content is 90% by mass or less , exhibits good photocurability, is excellent in contrast between exposed and unexposed areas during development, and can provide sufficient photolithographic properties.

また、上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の酸価は、50mgKOH/g以上200mgKOH/gであることが好ましく、60mgKOH/g以上150mgKOH/g以下であることがより好ましい。酸価が50mgKOH/g以上である場合には、アルカリ現像時に残渣が残りにくくなり、200mgKOH/g以下である場合には、アルカリ現像液の浸透が早くなり過ぎないので、剥離現像を抑制することができる。なお、酸価は、例えば、電位差滴定装置「COM-1600」(平沼産業株式会社製)を用いて1/10N-KOH水溶液で滴定して求めることができる。 The acid value of the alkali-soluble resin represented by the general formula (1) is preferably 50 mgKOH/g or more and 200 mgKOH/g, more preferably 60 mgKOH/g or more and 150 mgKOH/g or less. When the acid value is 50 mgKOH/g or more, residues are less likely to remain during alkali development, and when it is 200 mgKOH/g or less, the penetration of the alkali developer does not become too fast, so peeling development can be suppressed. can be done. The acid value can be determined by titration with a 1/10 N-KOH aqueous solution using a potentiometric titrator "COM-1600" (manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.).

また、一般式(1)で表されるアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1000以上40000以下であることが好ましく、1500以上30000以下であることがより好ましく、2000以上15000以下であることがさらに好ましい。重量平均分子量(Mw)が1000以上の場合には、微細なパターンであっても、基板からパターン剥離が生じるのを抑制できる。また、重量平均分子量(Mw)が40000以下である場合には、未露光部のアルカリ現像液への溶解性が向上し、残渣の発生を抑制できる。なお、重量平均分子量(Mw)は、例えば、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(GPC)「HLC-8220GPC」(東ソー株式会社製)で求めることができる。 Further, the weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin represented by the general formula (1) is preferably 1000 or more and 40000 or less, more preferably 1500 or more and 30000 or less, and 2000 or more and 15000 or less. is more preferred. When the weight-average molecular weight (Mw) is 1000 or more, pattern peeling from the substrate can be suppressed even for fine patterns. Further, when the weight average molecular weight (Mw) is 40,000 or less, the solubility of the unexposed portion in an alkaline developer is improved, and the generation of residue can be suppressed. The weight average molecular weight (Mw) can be determined by, for example, gel permeation chromatography (GPC) "HLC-8220GPC" (manufactured by Tosoh Corporation).

また、(A)成分として好ましい樹脂の別の例には、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル等の共重合体であって、(メタ)アクリロイル基およびカルボキシ基を有する樹脂が含まれる。上記樹脂の例には、グリシジル(メタ)アクリレートを含む(メタ)アクリル酸エステル類を溶剤中で共重合させて得られた共重合体に、(メタ)アクリル酸を反応させ、最後にジカルボン酸またはトリカルボン酸の無水物を反応させて得られる不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂が含まれる。上記共重合体は、特開2014-111722号公報に示されている、両端の水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化されたジエステルグリセロールに由来する繰返し単位20~90モル%、およびこれと共重合可能な1種類以上の重合性不飽和化合物に由来する繰返し単位10~80モル%で構成され、数平均分子量(Mn)が2000~20000かつ酸価が35~120mgKOH/gである共重合体、および特開2018-141968号公報に示されている、(メタ)アクリル酸エステル化合物に由来するユニットと、(メタ)アクリロイル基およびジまたはトリカルボン酸残基を有するユニットと、を含む、重量平均分子量(Mw)が3000~50000、酸価が30~200mgKOH/gの重合体である不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂を参考にできる。 Further, another example of resins preferable as component (A) includes resins that are copolymers of (meth)acrylic acid, (meth)acrylic acid esters, etc., and have (meth)acryloyl groups and carboxy groups. be Examples of the resin include a copolymer obtained by copolymerizing (meth)acrylic acid esters containing glycidyl (meth)acrylate in a solvent, reacting (meth)acrylic acid, and finally dicarboxylic acid. Alternatively, an unsaturated group-containing alkali-soluble resin obtained by reacting an anhydride of tricarboxylic acid is included. The copolymer, shown in JP-A-2014-111722, hydroxyl groups at both ends derived from diester glycerol esterified with (meth) acrylic acid 20 to 90 mol% of repeating units, and together with this A copolymer composed of 10 to 80 mol% of repeating units derived from one or more polymerizable unsaturated compounds, having a number average molecular weight (Mn) of 2000 to 20000 and an acid value of 35 to 120 mgKOH/g. , And shown in JP 2018-141968, a unit derived from a (meth) acrylic acid ester compound, a unit having a (meth) acryloyl group and a di- or tricarboxylic acid residue, weight average An unsaturated group-containing alkali-soluble resin, which is a polymer having a molecular weight (Mw) of 3000 to 50000 and an acid value of 30 to 200 mgKOH/g, can be referred to.

なお、(A)成分の不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂については、1種類のみを単独で使用してもよく、2種類以上を併用してもよい。 In addition, about unsaturated group containing alkali-soluble resin of (A) component, you may use only 1 type individually, and may use 2 or more types together.

次に、本発明の一実施形態に係るマイクロレンズ形成用組成物に含まれる、上述の(B)~(G)成分について説明する。 Next, the components (B) to (G) contained in the microlens-forming composition according to one embodiment of the present invention will be described.

[(B)成分]
(B)成分は、少なくとも1個以上のエチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマーである。(B)成分を含むことにより、露光感度および現像性を良好なものとすることができる。
[(B) component]
Component (B) is a photopolymerizable monomer having at least one ethylenically unsaturated bond. By containing the component (B), the exposure sensitivity and developability can be improved.

(B)成分の例には、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレート、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、フォスファゼンのアルキレンオキサイド変性ヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類、デンドリマー型多官能アクリレートなどが含まれる。これらの光重合性モノマーは、その1種類のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of component (B) include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, Triethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, tetramethylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trimethylolethane tri(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate ) acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate Acrylate, glycerol di(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, sorbitol penta(meth)acrylate, sorbitol hexa(meth)acrylate, phosphazene alkylene oxide-modified hexa(meth)acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth) (Meth)acrylic acid esters such as acrylates, dendrimer-type polyfunctional acrylates, and the like are included. These photopolymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.

(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して1質量部以上200質量部以下が好ましく、4質量部以上100質量部以下がより好ましく、10質量部以上70質量部以下がさらに好ましい。(B)成分の含有量が(A)成分100質量部に対して1質量部以上である場合には、(B)成分による露光感度および現像性の向上効果が十分に奏される。また、(B)成分の含有量が(A)成分100質量部に対して200質量部以下である場合には、酸性官能基濃度が十分高く、露光部におけるアルカリ現像液に対する良好な溶解性が得られることから、所望するパターンを形成できる。 The content of component (B) is preferably 1 part by mass or more and 200 parts by mass or less, more preferably 4 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, and 10 parts by mass or more and 70 parts by mass or less per 100 parts by mass of component (A). is more preferred. When the content of component (B) is 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of component (A), the effect of improving exposure sensitivity and developability by component (B) is sufficiently exhibited. Further, when the content of component (B) is 200 parts by mass or less per 100 parts by mass of component (A), the concentration of acidic functional groups is sufficiently high, and good solubility in an alkaline developer in the exposed area is obtained. From what is obtained, a desired pattern can be formed.

[(C)成分]
(C)成分は、エポキシ基を2個以上有するエポキシ化合物である。(C)成分を含むことにより、十分な架橋構造を形成できるので、耐薬品性を向上させることができる。
[(C) component]
Component (C) is an epoxy compound having two or more epoxy groups. By including the component (C), a sufficient cross-linked structure can be formed, so that the chemical resistance can be improved.

(C)成分の例には、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールフルオレン型エポキシ化合物、ビスナフトールフルオレン型エポキシ化合物、ジフェニルフルオレン型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフタレン骨格を含むフェノールノボラック化合物(例えば、NC-7000L:日本化薬株式会社製)、ビフェニル型エポキシ化合物(例えば、jERYX4000:三菱ケミカル株式会社製、「jER」は同社の登録商標)、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、トリスフェノールメタン型エポキシ化合物(例えば、EPPN-501H:日本化薬株式会社製)、テトラキスフェノールエタン型エポキシ化合物、多価アルコールのグリシジルエーテル、多価カルボン酸のグリシジルエステル、メタクリル酸とメタクリル酸グリシジルの共重合体に代表される(メタ)アクリル酸グリシジルをユニットとして含む(メタ)アクリル基を有するモノマーの共重合体、3’,4’-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(例えば、セロキサイド2021P:株式会社ダイセル製、「セロキサイド」は同社の登録商標)、ブタンテトラカルボン酸テトラ(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)修飾ε-カプロラクトン(例えば、エポリードGT401:株式会社ダイセル製、「エポリード」は同社の登録商標)、エポキシシクロヘキシル基を有するエポキシ化合物(例えば、HiREM-1:四国化成工業株式会社製)、ジシクロペンタジエン骨格を有する多官能エポキシ化合物(例えば、HP7200シリーズ:DIC株式会社製)、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-(2-オキシラニル)シクロヘキサン付加物(例えば、EHPE3150:株式会社ダイセル製)、エポキシ化ポリブタジエン(例えば、NISSO-PBJP-100:日本曹達株式会社製、「NISSO-PB」は同社の登録商標)、シリコーン骨格を有するエポキシ化合物等が含まれる。なお、これらの化合物は、その1種類の化合物のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of component (C) include bisphenol A-type epoxy compounds, bisphenol F-type epoxy compounds, bisphenol fluorene-type epoxy compounds, bisnaphtholfluorene-type epoxy compounds, diphenylfluorene-type epoxy compounds, phenol novolac-type epoxy compounds, and cresol novolac-type epoxy compounds. compounds, phenol aralkyl-type epoxy compounds, phenol novolac compounds containing a naphthalene skeleton (for example, NC-7000L: manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), biphenyl-type epoxy compounds (for example, jERYX4000: manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER" is the same company registered trademark), naphthol aralkyl-type epoxy compound, trisphenolmethane-type epoxy compound (e.g., EPPN-501H: manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), tetrakisphenolethane-type epoxy compound, polyhydric alcohol glycidyl ether, polyhydric carboxylic acid a copolymer of a monomer having a (meth)acrylic group containing glycidyl (meth)acrylate as a unit, represented by a copolymer of methacrylic acid and glycidyl methacrylate, 3′,4′-epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexane carboxylate (e.g., Celoxide 2021P: manufactured by Daicel Corporation, "Celoxide" is a registered trademark of the same company), butanetetracarboxylic acid tetra(3,4-epoxycyclohexylmethyl)-modified ε-caprolactone (e.g., Epolead GT401: manufactured by Daicel Corporation, "Epolead" is a registered trademark of the same company), an epoxy compound having an epoxycyclohexyl group (e.g., HiREM-1: manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), a polyfunctional epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton (for example, HP7200 series: manufactured by DIC Corporation), 1,2-epoxy-4-(2-oxiranyl)cyclohexane adduct of 2,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol (for example, EHPE3150: Daicel Corporation) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), epoxidized polybutadiene (eg, NISSO-PBJP-100: manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., “NISSO-PB” is a registered trademark of the same company), epoxy compounds having a silicone skeleton, and the like. In addition, these compounds may use only the compound of 1 type, and may use 2 or more types together.

(C)成分の中では、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールフルオレン型エポキシ化合物、ビスナフトールフルオレン型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物であることが好ましく、ビフェニル型エポキシ化合物であることがより好ましい。ビフェニル型のエポキシ化合物を用いることにより、要求特性に合わせた硬化物の機械的強度や耐薬品性と、光硬化時のマイクロレンズ形成用組成物のパターニング性を両立することができるとともに、マイクロレンズ形成用組成物を設計する自由度を大きくできる。 Among the components (C), bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol fluorene type epoxy compounds, bisnaphtholfluorene type epoxy compounds, phenol novolac type epoxy compounds, cresol novolac type epoxy compounds, and biphenyl type epoxy compounds. is preferred, and a biphenyl-type epoxy compound is more preferred. By using a biphenyl-type epoxy compound, it is possible to achieve both the mechanical strength and chemical resistance of the cured product that meet the required properties and the patterning properties of the microlens-forming composition during photocuring. The degree of freedom in designing the forming composition can be increased.

(C)成分のエポキシ化合物のエポキシ当量は100g/eq以上300g/eq以下であることが好ましく、100g/eq以上250g/eq以下であることがより好ましい。また、(C)成分のエポキシ化合物の数平均分子量(Mn)は100以上5000以下であることが好ましい。上記エポキシ当量が100g/eq以上であり、上記エポキシ化合物の数平均分子量(Mn)が100以上であると、良好な耐溶剤性を有する硬化膜となり得、エポキシ当量が300g/eq以下であり、数平均分子量(Mn)が5000以下であると、後工程でアルカリ性の薬液を使う場合でも十分な耐アルカリ性を維持することができる。 The epoxy equivalent of the epoxy compound of component (C) is preferably 100 g/eq or more and 300 g/eq or less, more preferably 100 g/eq or more and 250 g/eq or less. Further, the number average molecular weight (Mn) of the (C) component epoxy compound is preferably 100 or more and 5,000 or less. When the epoxy equivalent is 100 g/eq or more and the number average molecular weight (Mn) of the epoxy compound is 100 or more, a cured film having good solvent resistance can be obtained, and the epoxy equivalent is 300 g/eq or less, When the number average molecular weight (Mn) is 5,000 or less, sufficient alkali resistance can be maintained even when an alkaline chemical solution is used in the post-process.

なお、(C)成分のエポキシ化合物のエポキシ当量は、電位差滴定装置「COM-1600」(平沼産業株式会社製)を用いて1/10N-過塩素酸溶液で滴定して求めることができる。また、上記エポキシ化合物の数平均分子量(Mn)は、例えば、上述のゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(GPC)「HLC-8220GPC」(東ソー株式会社製)で求めることができる。 The epoxy equivalent of the epoxy compound of component (C) can be determined by titration with a 1/10 N-perchloric acid solution using a potentiometric titrator "COM-1600" (manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.). Further, the number average molecular weight (Mn) of the epoxy compound can be determined by, for example, the above gel permeation chromatography (GPC) "HLC-8220GPC" (manufactured by Tosoh Corporation).

(C)成分の含有量は、固形分の全質量に対して1質量部以上30質量部以下であることが好ましく、3質量部以上20質量部以下であることがより好ましい。(C)成分のエポキシ化合物の含有量を1質量部以上とすることにより耐薬品性をより高めることができ、(C)成分のエポキシ化合物の含有量を30質量部以下とすることにより基板との密着性を十分に確保できる。 The content of component (C) is preferably 1 part by mass or more and 30 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, based on the total mass of the solid content. By setting the content of the epoxy compound as component (C) to 1 part by mass or more, the chemical resistance can be further enhanced. can sufficiently ensure the adhesion of the

[(D)成分]
(D)成分は、光重合開始剤である。(D)成分を含むことにより、光が照射された部分の反応が十分に進行し、現像時の硬化した部分の溶解性を低下させて所望する微細なパターンを形成することができる。
[(D) component]
(D) A component is a photoinitiator. By including the component (D), the reaction of the portion irradiated with light proceeds sufficiently, and the solubility of the cured portion during development is reduced to form a desired fine pattern.

(D)成分の例には、2-[4-(メチルチオ)ベンゾイル]-2-(4-モルホリニル)プロパン、2-(o-クロロフェニル)-4,5-フェニルビイミダゾール、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジ(m-メトキシフェニル)ビイミダゾール、2-(o-フルオロフェニル)-4,5-ジフェニルビイミダゾール、2-(o-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルビイミダゾール、2、4,5-トリアリールビイミダゾール、2,2’-ビス(2-クロロフェニル)-4,4’,5,5’-テトラフェニル-1,2-ビイミダゾール等のビイミダゾール系化合物類;2-トリクロロメチル-5-スチリル-1,3,4-オキサジアゾ-ル、2-トリクロロメチル-5-(p-シアノスチリル)-1,3,4-オキサジアゾール、2-トリクロロメチル-5-(p-メトキシスチリル)-1,3,4-オキサジアゾール等のハロメチルチアゾール化合物類;2,4,6-トリス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-メチル-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-フェニル-4、6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-クロロフェニル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メトキシフェニル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メトキシナフチル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メトキシスチリル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(3,4,5-トリメトキシスチリル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-メチルチオスチリル)-4,6-ビス(トリクロロメチル)-1,3,5-トリアジン等のハロメチル-s-トリアジン系化合物類;1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)フェニル]-,2-(O-ベンゾイルオキシム)(イルガキュアOXE01、BASFジャパン社製、「イルガキュア」は同社の登録商標)、1-(4-フェニルスルファニルフェニル)ブタン-1,2-ジオン-2-オキシム-O-ベンゾア-ト、1-(4-メチルスルファニルフェニル)ブタン-1,2-ジオン-2-オキシム-O-アセタート、1-(4-メチルスルファニルフェニル)ブタン-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-ビシクロヘプチル-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-アダマンチルメタン-1-オンオキシム-O-ベンゾアート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-アダマンチルメタン-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-テトラヒドロフラニルメタン-1-オンオキシム-O-ベンゾアート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-テトラヒドロフラニルメタン-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-チオフェニルメタン-1-オンオキシム-O-ベンゾアート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-チオフェニルメタン-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-モロフォニルメタン-1-オンオキシム-O-ベンゾアート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-モロフォニルメタン-1-オンオキシム-O-アセタート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-エタン-1-オンオキシム-O-ビシクロヘプタンカルボキシレート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-エタン-1-オンオキシム-O-トリシクロデカンカルボシキレート、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-エタン-1-オンオキシム-O-アダマンタンカルボシキレート、1-[4-(フェニルスルファニル)フェニル]オクタン-1,2-ジオン=2-O-ベンゾイルオキシム、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)カルバゾール-3-イル]エタノン-O-アセチルオキシム、(2-メチルフェニル)(7-ニトロ-9,9-ジプロピル-9H-フルオレン-2-イル)-アセチルオキシム、エタノン,1-[7-(2-メチルベンゾイル)-9,9-ジプロピル-9H-フルオレン-2-イル]-1-(o-アセチルオキシム)、エタノン,1-(-9,9-ジブチル-7-ニトロ-9H-フルオレン-2-イル)-1-O-アセチルオキシム、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)(イルガキュアOXE02)等のO-アシルオキシム系化合物類;ベンジルジメチルケタール;2-エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、2,3-ジフェニルアントラキノン等のアントラキノン類;アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキサイド、クメンパーオキシド等の有機過酸化物などが含まれる。なお、これら光重合開始剤は、その1種のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of component (D) include 2-[4-(methylthio)benzoyl]-2-(4-morpholinyl)propane, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-phenylbiimidazole, 2-(o- chlorophenyl)-4,5-di(m-methoxyphenyl)biimidazole, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylbiimidazole, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenylbiimidazole , 2,4,5-triarylbiimidazole, 2,2′-bis(2-chlorophenyl)-4,4′,5,5′-tetraphenyl-1,2-biimidazole and other biimidazole compounds ; 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5-(p-cyanostyryl)-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5 Halomethylthiazole compounds such as -(p-methoxystyryl)-1,3,4-oxadiazole; 2,4,6-tris(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-methyl-4 ,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-chlorophenyl)-4,6 -bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-methoxynaphthyl) -4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(3 ,4,5-trimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-methylthiostyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3 Halomethyl-s-triazine compounds such as ,5-triazine; 1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)phenyl]-,2-(O-benzoyloxime) (Irgacure OXE01, manufactured by BASF Japan) , “Irgacure” is a registered trademark of the same company), 1-(4-phenylsulfanylphenyl)butane-1,2-dione-2-oxime-O-benzoate, 1-(4-methylsulfanylphenyl)butane-1 , 2-dione-2-oxime-O-acetate, 1-(4-methylsulfanylphenyl)butan-1-one oxime- O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-bicycloheptyl-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-( 2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-adamantylmethan-1-one oxime-O-benzoate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl ]-adamantylmethan-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-tetrahydrofuranylmethan-1-one oxime-O-benzoate , 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-tetrahydrofuranylmethan-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2- methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-thiophenylmethan-1-one oxime-O-benzoate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl] -thiophenylmethan-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-morphonylmethan-1-one oxime-O-benzo Art, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-morphonylmethan-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-( 2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-ethane-1-one oxime-O-bicycloheptanecarboxylate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole-3- yl]-ethane-1-one oxime-O-tricyclodecanecarboxylate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-ethane-1-one oxime-O -adamantanecarboxylate, 1-[4-(phenylsulfanyl)phenyl]octane-1,2-dione 2-O-benzoyloxime, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazole-3 -yl]ethanone-O-acetyloxime, (2-methylphenyl)(7-nitro-9,9-dipropyl-9H-fluoren-2-yl)-acetyloxime, ethanone, 1-[7-(2 -methylbenzoyl)-9,9-dipropyl-9H-fluoren-2-yl]-1-(o-acetyloxime), ethanone, 1-(-9,9-dibutyl-7-nitro-9H-fluorene-2 -yl)-1-O-acetyloxime, ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime) (Irgacure OXE02 ) and other O-acyloxime compounds; benzyl dimethyl ketal; anthraquinones such as 2-ethylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, and 2,3-diphenylanthraquinone; azobisisobutyronitrile, benzoyl Organic peroxides such as peroxides and cumene peroxide are included. In addition, these photoinitiators may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

(D)成分の含有量は、(A)成分と(B)成分との合計量100質量部に対して0.1質量部以上30質量部以下であることが好ましく、0.3質量部以上20質量部以下であることがより好ましい。(D)成分の含有量が0.1重量部以上の場合には、特に組成物の上面(放射線の照射側)において光重合をより十分に進行させることができる。また、(D)成分の含有量が30重量部以下の場合には、塗膜深部まで硬化反応が進行しにくくなり、熱フローによりレンズ形状を形成することが容易となる。 The content of component (D) is preferably 0.1 parts by mass or more and 30 parts by mass or less, and 0.3 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the total amount of components (A) and (B). It is more preferably 20 parts by mass or less. When the content of the component (D) is 0.1 parts by weight or more, the photopolymerization can be sufficiently progressed particularly on the upper surface of the composition (the radiation irradiation side). Further, when the content of the component (D) is 30 parts by weight or less, the curing reaction hardly progresses to the deep part of the coating film, and it becomes easy to form a lens shape by heat flow.

[(E)成分]
(E)成分は、紫外線吸収剤である。ネガ型のパターン形成時には、基材界面に到達した後、界面に沿って広がった放射線により、放射線を照射していない部位においても、基材との界面で組成物が硬化してしまうことがある。これにより、基材界面に沿って硬化した樹脂が広がってしまい、この広がった樹脂が残差となってしまうと考えられる。これに対し、紫外線吸収剤は、照射された放射線を吸収して、余剰の放射線の基材界面に沿っての広がりを抑制する。そのため、マイクロレンズ形成用組成物が紫外線吸収剤を含むことにより、ネガ型のパターン形成時に特有の残渣の発生を抑制できると考えられる。また、残渣の抑制により、レンズ間距離が狭いときに生じるマイクロレンズ同士の繋がりも抑制できると考えられる。
[(E) component]
(E) Component is an ultraviolet absorber. When forming a negative pattern, the composition may be cured at the interface with the substrate even in areas not irradiated with radiation due to the radiation spreading along the interface after reaching the substrate interface. . As a result, it is thought that the cured resin spreads along the substrate interface, and this spread resin becomes a residual. On the other hand, the ultraviolet absorber absorbs the irradiated radiation and suppresses the spread of excess radiation along the substrate interface. Therefore, it is considered that the microlens-forming composition containing an ultraviolet absorber can suppress the generation of a residue that is peculiar to negative pattern formation. In addition, it is thought that by suppressing the residue, it is possible to suppress the connection between the microlenses that occurs when the inter-lens distance is small.

紫外線吸収剤は、250~400nmの波長の間に吸収ピークを有する化合物であることが好ましく、365nmの波長の光を効率的に吸収する化合物であることがより好ましい。 The ultraviolet absorber is preferably a compound having an absorption peak in the wavelength range of 250 to 400 nm, more preferably a compound that efficiently absorbs light with a wavelength of 365 nm.

(E)成分の例には、ベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、トリアジン化合物、サリチル酸化合物、ベンゾエート化合物、桂皮酸誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ジナフタレン化合物、フェナントロリン化合物などが含まれる。なお、これらの紫外線吸収剤は、その1種のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of component (E) include benzotriazole compounds, benzophenone compounds, triazine compounds, salicylic acid compounds, benzoate compounds, cinnamic acid derivatives, naphthalene derivatives, anthracene and its derivatives, dinaphthalene compounds, phenanthroline compounds, and the like. In addition, these ultraviolet absorbers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明において、上記紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物およびトリアジン化合物からなる群から選ばれることが好ましい。これらの紫外線吸収剤は、放射線(例えば紫外線)のエネルギーを効率的に吸収し、余剰の放射線の基材界面に沿っての広がりを抑制して、現像後にパターン端部の残渣が生じるのを低減できる。 In the present invention, the ultraviolet absorber is preferably selected from the group consisting of benzotriazole compounds, benzophenone compounds and triazine compounds. These UV absorbers efficiently absorb the energy of radiation (e.g., UV rays), suppress the spread of excess radiation along the interface of the substrate, and reduce the formation of residue at pattern edges after development. can.

ベンゾトリアゾール化合物の例には、2-(2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-t-ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’-t-ブチル-5’-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-ブチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-4’-オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-3’-(3’’,4’’,5’’,6’’-テトラヒドロフタルイミドメチル)-5’-メチルフェニル}ベンゾトリアゾール、C7-C9-アルキル-3-[3-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-5-(1,1-ジメチルエチル)-4-ヒドロキシフェニル]プロピオンエーテルなどが含まれる。 Examples of benzotriazole compounds include 2-(2′-hydroxy-5′-methylphenyl)benzotriazole, 2-(2′-hydroxy-5′-t-butylphenyl)benzotriazole, 2-(2′- Hydroxy-3′,5′-di-t-butylphenyl)benzotriazole, 2-(2′-hydroxy-3′-t-butyl-5′-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2 '-hydroxy-3',5'-di-t-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-t-amylphenyl)benzotriazole, 2- (2′-Hydroxy-4′-octoxyphenyl)benzotriazole, 2-{2′-hydroxy-3′-(3″,4″,5″,6″-tetrahydrophthalimidomethyl)-5 '-methylphenyl}benzotriazole, C7-C9-alkyl-3-[3-(2H-benzotriazol-2-yl)-5-(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxyphenyl]propion ether, etc. included.

ベンゾフェノン化合物の例には、4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン、2,2’-ジヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシ-2’-カルボキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシ-5-スルホベンゾフェノントリヒドレート、2,2’-ジヒドロキシ-4,4’-ジメトキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-オクチルオキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-オクタデシロキシベンゾフェノン、ナトリウム2,2’-ジヒドロキシ-4,4’-ジメトキシ-5-スルホベンゾフェノン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、4-ドデシロキシ-2-ヒドロキシベンゾフェノン、5-クロロ-2-ヒドロキシベンゾフェノン、ヒドロキシドデシルベンゾフェノンなどが含まれる。 Examples of benzophenone compounds include 4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-2'-carboxybenzophenone, 2-hydroxy -4-methoxy-5-sulfobenzophenone trihydrate, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octyloxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octadecyloxybenzophenone, sodium 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxy-5-sulfobenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 4-dodecyloxy-2-hydroxybenzophenone, 5-chloro-2-hydroxybenzophenone , hydroxide dodecyl benzophenone, and the like.

トリアジン化合物の例には、2,4-ビス(2,4-ジメチルフェニル)-6-(2-ヒドロキシ-4-イソオクチルオキシフェニル)-1,3,5-トリアジンン、2-[4((2-ヒドロキシ-3-ドデシルオキシプロピル)-オキシ)-2-ヒドロキシフェニル]-4,6-ビス(2,4-ジメチルフェニル)-1,3,5-トリアジンン、2-[4-((2-ヒドロキシ-3-トリデシルオキシプロピル)-オキシ)-2-ヒドロキシフェニル]-4,6-ビス(2,4-ジメチルフェニル)-1,3,5-トリアジンン、2-(2,4-ジヒドロキシフェニル)-4,6-ビス(2,4-ジメチルフェニル)-1,3,5-トリアジンなどが含まれる。 Examples of triazine compounds include 2,4-bis(2,4-dimethylphenyl)-6-(2-hydroxy-4-isooctyloxyphenyl)-1,3,5-triazine, 2-[4( (2-hydroxy-3-dodecyloxypropyl)-oxy)-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine, 2-[4-( (2-hydroxy-3-tridecyloxypropyl)-oxy)-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine, 2-(2, 4-dihydroxyphenyl)-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine and the like.

また、上記紫外線吸収剤としては、市販品を使用してもよい。市販品の例には、TinuvinPS、99-2、326、384-2、900、928、1130(BASF社製「Tinuvin」は同社の登録商標)、アデカスタブLA-24、29、31G、32、36(株式会社ADEKA製、「アデカスタブ」は同社の登録商標)などのベンゾトリアゾール化合物、UVINUL3049、3050(BASF社製、「UVINUL」は同社の登録商標)、アデカスタブ1413などのベンゾフェノン化合物、Tinuvin400、405、460、アデカスタブLA-46、F70などのトリアジン化合物が含まれる。 Moreover, you may use a commercial item as said ultraviolet absorber. Examples of commercial products include Tinuvin PS, 99-2, 326, 384-2, 900, 928, 1130 ("Tinuvin" manufactured by BASF is a registered trademark of the same company), Adekastab LA-24, 29, 31G, 32, 36 (manufactured by ADEKA Co., Ltd., "ADEKA STAB" is a registered trademark of the same company) and other benzotriazole compounds, UVINUL3049 and 3050 (manufactured by BASF, "UVINUL" is a registered trademark of the same company), benzophenone compounds such as ADEKA STAB 1413, Tinuvin400, 405, 460, Adekastab LA-46, and triazine compounds such as F70.

また、本発明において、(E)成分である紫外線吸収剤は、感光性官能基を有する化合物であることが好ましく、を有するベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、トリアジン化合物であることがより好ましい。上記感光性官能基は、(A)成分および(B)成分との反応性を高める観点から、エチレン性不飽和基であることが好ましい。上記エチレン性不飽和基の例には、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、スチレニル基などが含まれる。これらの中では、(A)成分および(B)成分との反応性が高いアクリロイル基およびメタクリロイル基が好ましい。エチレン性不飽和基を有する紫外線吸収剤を用いることにより、紫外線吸収剤の感光性反応基と、不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂もしくは光重合性モノマーとが反応して、紫外線吸収剤を樹脂中に取り込むことができる。これにより、基材への熱ダメージ低減の観点から、例えば、140℃のような低温で組成物を硬化させた場合であっても、紫外線吸収剤の溶剤への染み出しを抑制して、硬化物の耐薬品性を高めることができる。また、紫外線吸収剤の析出による着色や、ベーク時の昇華なども抑制することができる。 In the present invention, the UV absorber as the component (E) is preferably a compound having a photosensitive functional group, more preferably a benzotriazole compound, a benzophenone compound, or a triazine compound. From the viewpoint of enhancing the reactivity with the components (A) and (B), the photosensitive functional group is preferably an ethylenically unsaturated group. Examples of the ethylenically unsaturated groups include acryloyl groups, methacryloyl groups, vinyl groups, allyl groups, styrenyl groups, and the like. Among these, an acryloyl group and a methacryloyl group, which are highly reactive with components (A) and (B), are preferred. By using an ultraviolet absorber having an ethylenically unsaturated group, the photosensitive reactive group of the ultraviolet absorber reacts with the unsaturated group-containing alkali-soluble resin or photopolymerizable monomer, and the ultraviolet absorber is incorporated into the resin. can be taken in. As a result, from the viewpoint of reducing thermal damage to the substrate, for example, even when the composition is cured at a low temperature such as 140 ° C., the UV absorber is suppressed from exuding into the solvent and cured. It can improve the chemical resistance of the object. In addition, it is possible to suppress coloration due to deposition of the ultraviolet absorber, sublimation during baking, and the like.

エチレン性不飽和基を有するベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物およびトリアジン化合物の例には、2-[2-ヒドロキシ-5-(メタクリロイルオキシエチル)フェニル]-2H-ベンゾトリアゾールなどが含まれる。 Examples of benzotriazole, benzophenone and triazine compounds having ethylenically unsaturated groups include 2-[2-hydroxy-5-(methacryloyloxyethyl)phenyl]-2H-benzotriazole and the like.

また、上記紫外線吸収剤の市販品の例には、RUVA-93(大塚化学株式会社製)などが含まれる。 Examples of commercially available UV absorbers include RUVA-93 (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.).

(E)成分の含有量は、固形分の全質量に対して3質量%以上20質量%以下であり、4質量%以上20質量%以下であることが好ましく、6質量部以上18質量部以下であることがより好ましい。(E)成分の含有量を、3質量%以上とすることにより、基材界面に沿って広がる放射線の量を低減して、現像後にパターン端部の残渣が生じるのを低減することができる。(E)成分の含有量を、20質量%以下とすることにより、放射線が照射された部分の反応を十分に進行させることができるので、マイクロレンズ形成用組成物を十分に硬化させることができる。 The content of component (E) is 3% by mass or more and 20% by mass or less, preferably 4% by mass or more and 20% by mass or less, and 6% by mass or more and 18% by mass or less based on the total mass of the solid content. is more preferable. By setting the content of component (E) to 3% by mass or more, it is possible to reduce the amount of radiation that spreads along the interface between the substrates and reduce the generation of residues at pattern edges after development. By setting the content of the component (E) to 20% by mass or less, the reaction in the portion irradiated with the radiation can proceed sufficiently, so that the microlens-forming composition can be sufficiently cured. .

[(F)成分]
(F)成分は、溶剤である。(F)成分を含むことにより、上述の(A)~(E)、(G)成分を含む液体状のマイクロレンズ形成用組成物を得ることができる。
[(F) component]
(F) Component is a solvent. By including component (F), it is possible to obtain a liquid microlens-forming composition containing components (A) to (E) and (G) described above.

溶剤の例には、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、3-メトキシ-1-ブタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、3-ヒドロキシ-2-ブタノン、ジアセトンアルコール等のアルコール類、α-もしくはβ-テルピネオール等のテルペン類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、N-メチル-2-ピロリドン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メトキシ-3-ブチルアセテート、3-メトキシ-3-メチル-1-ブチルアセテート、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類等が含まれる。 Examples of solvents include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethylene glycol, propylene glycol, 3-methoxy-1-butanol, ethylene glycol monobutyl ether, 3-hydroxy-2-butanone, diacetone alcohol. , α- or β-terpineol and other terpenes, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone and other ketones, toluene, xylene, tetramethylbenzene and other aromatic hydrocarbons, methyl cellosolve, ethyl cellosolve , methyl carbitol, ethyl carbitol, butyl carbitol, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol ethers such as glycol monoethyl ether, ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methoxy-3-butyl acetate, 3-methoxy-3-methyl-1-butyl acetate, cellosolve acetate, Esters such as ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and the like are included.

(F)成分の含有量は、マイクロレンズ形成用組成物の全質量に対して40質量%以上80質量%以下であることが好ましい。(F)成分の含有量が、40質量%以上であると、基板上にマイクロレンズ形成用組成物を塗布しやすい粘度とすることができ、80質量%以下であると、膜厚均一性に優れた塗膜を得ることができる。 The content of component (F) is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less with respect to the total mass of the microlens-forming composition. When the content of the component (F) is 40% by mass or more, the viscosity of the microlens-forming composition can be easily applied onto the substrate. An excellent coating film can be obtained.

[(G)成分]
(G)成分は、増感剤である。(G)成分を含むことにより、(D)光重合開始剤による硬化反応をより精度良く制御できる。
[(G) component]
The (G) component is a sensitizer. By including the component (G), the curing reaction by the photopolymerization initiator (D) can be controlled with higher accuracy.

(G)成分の例には、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ベンゾフェノン、4,4’-ビスジメチルアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、4-フェニルベンゾフェノン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類;アセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、p-ジメチルアセトフェノン、p-ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p-tert-ブチルアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール等のアセトフェノン類;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル類、2-ジメチルアミノエチル安息香酸、4-ジメチルアミノ安息香酸エチル、4-ジメチルアミノ安息香酸(n-ブトキシ)エチル、4-ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、4-ジメチルアミノ安息香酸2-エチルヘキシル、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、4-ベンゾイル-4’-メチル-ジフェニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、4-イソプロピルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントン、1-クロロ-4-プロポキシチオキサントン等のチオキサントン系、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン系、10-ブチル-2-クロロアクリドン、2-エチルアンスラキノン、9,10-フェナンスレンキノン、カンファーキノン等が含まれる。なお、これら増感剤は、その1種のみを単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of component (G) include triethanolamine, triisopropanolamine, benzophenone, 4,4′-bisdimethylaminobenzophenone (Michler ketone), 4-phenylbenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, hydroxybenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, Benzophenones such as 4′-diethylaminobenzophenone; acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p-dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone, p-tert-butylacetophenone, benzyldimethylketal, etc. acetophenones; benzoin ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, 2-dimethylaminoethyl benzoic acid, 4-dimethylamino ethyl benzoate, 4-dimethylamino benzoic acid (n-butoxy) ethyl, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenylsulfide, acrylated benzophenone, Benzophenones such as 3,3′,4,4′-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2 - Thioxanthone series such as isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, 4,4'-bisdiethylamino Aminobenzophenone series such as benzophenone, 10-butyl-2-chloroacridone, 2-ethylanthraquinone, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone and the like are included. In addition, these sensitizers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

また、(G)成分の含有量は、(D)成分の合計100質量部に対して、0.5質量部以上200質量部以下が好ましく、1質量部以上100質量部以下がより好ましい。(G)成分の含有量が、0.5質量部以上とすることにより、光照射によって十分に光重合開始剤を活性化させることができ、200質量部以下とすることにより、光重合開始剤による硬化反応をより精度良く制御できる。 The content of component (G) is preferably 0.5 parts by mass or more and 200 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of component (D). When the content of component (G) is 0.5 parts by mass or more, the photopolymerization initiator can be sufficiently activated by light irradiation, and when it is 200 parts by mass or less, the photopolymerization initiator It is possible to control the curing reaction by more accurately.

[その他の成分]
本発明のマイクロレンズ形成用組成物には、必要に応じて硬化剤、硬化促進剤、熱重合禁止剤および酸化防止剤、連鎖移動剤、可塑剤、充填剤、レベリング剤、消泡剤、界面活性剤、カップリング剤、粘度調整剤等の添加剤を配合することができる。
[Other ingredients]
The microlens-forming composition of the present invention may optionally contain a curing agent, a curing accelerator, a thermal polymerization inhibitor, an antioxidant, a chain transfer agent, a plasticizer, a filler, a leveling agent, an antifoaming agent, and an interface. Additives such as activators, coupling agents, and viscosity modifiers can be added.

硬化剤の例には、エポキシ樹脂の硬化に寄与するアミン系化合物、多価カルボン酸系化合物、フェノール樹脂、アミノ樹脂、ジシアンジアミド、ルイス酸錯化合物等が含まれる。 Examples of curing agents include amine-based compounds, polycarboxylic acid-based compounds, phenolic resins, amino resins, dicyandiamide, Lewis acid complex compounds, and the like, which contribute to curing of epoxy resins.

硬化促進剤の例には、エポキシ樹脂の硬化促進に寄与する三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフィン、四級ホスホニウム塩、ホウ酸エステル、ルイス酸、有機金属化合物、イミダゾール類等が含まれる。 Examples of curing accelerators include tertiary amines, quaternary ammonium salts, tertiary phosphines, quaternary phosphonium salts, borate esters, Lewis acids, organometallic compounds, imidazoles, etc., which contribute to accelerating the curing of epoxy resins. be

熱重合禁止剤および酸化防止剤の例には、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、tert-ブチルカテコール、フェノチアジン、ヒンダードフェノール系化合物等が含まれる。 Examples of thermal polymerization inhibitors and antioxidants include hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogallol, tert-butylcatechol, phenothiazine, hindered phenolic compounds and the like.

連鎖移動剤の例には、2-メルカプトベンゾイミダゾール、2-メルカプトベンゾオキサゾール、2-メルカプトベンゾチアゾール、β-メルカプトプロピオン酸、2-エチルヘキシル-3-メルカプトプロピオネート、n-オクチル-3-メルカプトプロピオネート、メトキシブチル-3-メルカプトプロピオネート、ステアリル-3-メルカプトプロピオネート、トリメチロールプロパントリス(3-メルカプトプロピオネート)、トリス-[(3-メルカプトプロピオニルオキシ)-エチル]-イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトブチレート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトプロピオネート)、テトラエチレングリコールビス(3-メルカプトプロピオネート)、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3-メルカプトプロピオネート)、3,3’-チオジプロピオン酸、ジチオジプロピオン酸、ラウリルチオプロピオン酸等のチオール化合物などが含まれる。 Examples of chain transfer agents include 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole, β-mercaptopropionic acid, 2-ethylhexyl-3-mercaptopropionate, n-octyl-3-mercapto propionate, methoxybutyl-3-mercaptopropionate, stearyl-3-mercaptopropionate, trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate), tris-[(3-mercaptopropionyloxy)-ethyl]- isocyanurate, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) acid), 3,3′-thiodipropionic acid, dithiodipropionic acid, thiol compounds such as laurylthiopropionic acid, and the like.

可塑剤の例には、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、リン酸トリクレジル等が含まれる。充填剤の例には、ガラスファイバー、シリカ、マイカ、アルミナ等が含まれる。 Examples of plasticizers include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, tricresyl phosphate, and the like. Examples of fillers include glass fibers, silica, mica, alumina, and the like.

消泡剤やレベリング剤の例には、シリコーン系、フッ素系、アクリル系の化合物が含まれる。 Examples of antifoaming agents and leveling agents include silicone-based, fluorine-based, and acrylic-based compounds.

界面活性剤の例には、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などが含まれる。 Examples of surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and the like.

カップリング剤の例には、3-(グリシジルオキシ)プロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が含まれる。 Examples of coupling agents include 3-(glycidyloxy)propyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, and the like.

本発明のマイクロレンズ形成用組成物は、上述の(A)~(G)成分、および任意のその他の成分を、混合して加熱することにより得ることができる。 The microlens-forming composition of the present invention can be obtained by mixing the components (A) to (G) and optional other components and heating the mixture.

2.マイクロレンズ用組成物の製造方法
マイクロレンズ用組成物の製造方法(1)~(3)について、以下に説明する。
2. Method for Producing Composition for Microlenses The methods (1) to (3) for producing the composition for microlenses are described below.

[マイクロレンズの製造方法(1)]
本発明の一実施形態に係るマイクロレンズ用組成物の製造方法は、(i)上述のマイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜層形成工程と、(ii)塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、(iii)放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、(iv)現像後の露光部を熱フローして、上記露光部をマイクロレンズ形状に加工しつつ、加熱硬化する熱フロー工程と、を含む。以下、各工程について説明する。
[Microlens manufacturing method (1)]
A method for producing a microlens composition according to an embodiment of the present invention includes (i) applying the microlens-forming composition described above and drying to form a coating film of the microlens-forming composition. (ii) an exposure step of irradiating a portion of the coating film with radiation through a photomask; and (iii) a developing step of developing the irradiated coating film and removing the unexposed portion. and (iv) heat-flowing the exposed portion after development to heat-cure the exposed portion while processing the exposed portion into a microlens shape. Each step will be described below.

[塗膜層形成工程]
塗膜層形成工程は、上述のマイクロレンズ形成用組成物を基材上に塗布し、乾燥させて、塗膜層を形成する工程である。
[Coating film layer forming step]
The coating film layer forming step is a step of applying the microlens-forming composition described above onto a substrate and drying it to form a coating film layer.

上記基材は、公知のものを用いることができる。基材の例には、ガラス基板、シリコンウエハ、プラスチック基板、およびこれらの表面に着色レジスト、オーバーコート、反射防止膜、各種金属薄膜が形成された基板などが含まれる。プラスチック基板の例には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド等のプラスチックからなる樹脂基板などが含まれる。基板には、フォトダイオードなどの受光素子、有機発光素子などの発光素子、カラーフィルターなどの色素含有素子などが設けられていてもよい。 A well-known thing can be used for the said base material. Examples of substrates include glass substrates, silicon wafers, plastic substrates, and substrates having colored resists, overcoats, antireflection films, and various metal thin films formed thereon. Examples of plastic substrates include resin substrates made of plastics such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, and polyimide. The substrate may be provided with a light-receiving element such as a photodiode, a light-emitting element such as an organic light-emitting element, a dye-containing element such as a color filter, and the like.

マイクロレンズ形成用組成物の塗布方法は、公知の塗布方法を用いることができる。上記塗布方法の例には、公知の溶液浸漬法、スプレー法、ローラーコーター機、ランドコーター機、スリットコート機やスピナー機を用いる方法などが含まれる。これらの方法によって、マイクロレンズ形成用組成物を所望の厚さに塗布することができる。 A known coating method can be used as a coating method for the microlens-forming composition. Examples of the coating method include a method using a known solution dipping method, a spray method, a roller coater, a land coater, a slit coater or a spinner. By these methods, the microlens-forming composition can be applied to a desired thickness.

上述の方法で塗布されたマイクロレンズ形成用組成物の乾燥方法は、公知の乾燥方法を用いることができる。上記乾燥方法は、オーブン、熱風送風機、ホットプレート、赤外線ヒータ等による加熱、真空乾燥またはこれらの組み合わせることによって行うことができる。上記樹脂膜の加熱温度および加熱時間は使用する溶剤に応じて適宜選択することができる。上記加熱温度および加熱時間は、例えば、80~120℃で、1~10分間行われることが好ましい。 A known drying method can be used for drying the microlens-forming composition applied by the above-described method. The drying method can be carried out by heating with an oven, a hot air blower, a hot plate, an infrared heater, etc., vacuum drying, or a combination thereof. The heating temperature and heating time for the resin film can be appropriately selected according to the solvent to be used. The heating temperature and heating time are preferably 80 to 120° C. and 1 to 10 minutes, for example.

[露光工程]
露光工程は、上述の塗膜層の一部にフォトマスクを介して放射線を照射し、上記塗膜(マイクロレンズ形成用組成物)の一部を光硬化させる工程である。
[Exposure process]
The exposure step is a step of irradiating a portion of the coating film layer with radiation through a photomask to photocure a portion of the coating film (microlens-forming composition).

上記フォトマスクは公知のものを用いることができる。フォトマスクの例には、ハーフトーンマス、グレートーンマスク等の多階調マスクが含まれる。グレートーンマスクは、透光性を有する基板上に、遮光部および回折格子が形成される。回折格子はスリット、ドット、メッシュ等の光透過領域の間隔が、露光に用いる光の解像度限界以下の間隔であり、当該構成により、光の透過率を制御する。ハーフトーンマスクは、透光性を有する基板上に、遮光部および半透過部が形成される。半透過部により露光に用いる光の透過率を制御する。 A known photomask can be used as the photomask. Examples of photomasks include multi-tone masks such as halftone masks and graytone masks. A gray-tone mask has a light-shielding portion and a diffraction grating formed on a translucent substrate. In the diffraction grating, the intervals between light transmission regions such as slits, dots, and meshes are intervals equal to or less than the resolution limit of light used for exposure, and this configuration controls the transmittance of light. A halftone mask has a light-shielding portion and a semi-transmissive portion formed on a light-transmitting substrate. Transmittance of light used for exposure is controlled by the semi-transmissive portion.

照射される放射線の例には、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線およびX線などが含まれる。上記放射線の中では、紫外線であることが好ましい。また、放射線を照射する装置には、公知の露光装置(超高圧水銀灯、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、遠紫外線灯等)を用いることができる。また、照射する放射線の波長は250nm以上400nm以下であることが好ましい。放射線の露光量は、25mJ/cm以上3000mJ/cm以下であることが好ましく、50mJ/cm以上2000mJ/cm以下であることがより好ましい。 Examples of irradiated radiation include visible light, ultraviolet light, deep ultraviolet light, electron beams, X-rays, and the like. Among the above radiations, ultraviolet rays are preferred. Moreover, a known exposure device (ultra-high pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, metal halide lamp, far ultraviolet lamp, etc.) can be used as a device for irradiating radiation. Moreover, the wavelength of the radiation to be irradiated is preferably 250 nm or more and 400 nm or less. The exposure dose of radiation is preferably 25 mJ/cm 2 or more and 3000 mJ/cm 2 or less, more preferably 50 mJ/cm 2 or more and 2000 mJ/cm 2 or less.

[現像工程]
現像工程は、放射線が照射された塗膜をアルカリ現像し、未露光部の塗膜を除去する工程である。
[Development process]
The development step is a step of alkali-developing the coating film irradiated with radiation to remove the coating film in the unexposed areas.

塗膜の現像方法の例には、シャワー現像法、スプレー現像法、ディップ(浸漬)現像法、およびパドル(液盛り)現像法などが含まれる。なお、上記現像方法は、市販の現像機や超音波洗浄機等を用いて行うことができる。 Examples of coating film development methods include shower development, spray development, dip development, and puddle development. The above developing method can be carried out using a commercially available developing machine, an ultrasonic cleaning machine, or the like.

また、現像に適した現像液の例には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8-ジアザビシクロ〔5.4.0〕-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ〔4.3.0〕-5-ノナンなどのアルカリ(塩基性化合物)の水溶液などが含まれる。現像条件は、マイクロレンズ形成用組成物により異なるが、20~30℃の温度で、10~120秒行うことが好ましい。 Examples of developers suitable for development include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylamino ethanol, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]- Examples include aqueous solutions of alkalis (basic compounds) such as 7-undecene and 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonane. The development conditions vary depending on the microlens-forming composition, but are preferably carried out at a temperature of 20 to 30° C. for 10 to 120 seconds.

[熱フロー工程]
熱フロー工程は、現像後の露光部(塗膜)を熱フローし、メルトフローさせて、上記露光部をマイクロレンズ形状に加工しつつ、加熱硬化する工程である。
[Heat flow process]
The heat flow step is a step of heat-curing the exposed portion (coating film) after development by heat-flowing and melt-flowing the exposed portion while processing the exposed portion into a microlens shape.

現像後の露光部を熱フローする方法は、公知の方法(オーブン、熱風送風機、ホットプレート、赤外線ヒータ等による加熱、真空乾燥またはこれらの組み合わせ)よって行うことができる。熱フローの温度は、塗膜がメルトフローする温度であれば特に制限されない。熱フローの温度は、140~250℃の温度で10~120分間行われることが好ましく、180~230℃の温度で30~90分間行われることがより好ましい。 The method of heat-flowing the exposed area after development can be carried out by a known method (heating with an oven, hot air blower, hot plate, infrared heater, etc., vacuum drying, or a combination thereof). The heat flow temperature is not particularly limited as long as it is a temperature at which the coating film melts and flows. The temperature of the heat flow is preferably 140-250° C. for 10-120 minutes, more preferably 180-230° C. for 30-90 minutes.

本発明のマイクロレンズ形成用組成物を用いることにより、製造方法(1)のようなネガ型のフォトリソグラフィ法によるマイクロレンズのパターン形成を行っても、基材界面に沿った放射線の広がりが抑制されて、現像後にパターン端部の残渣が低減するので、マイクロレンズ同士が繋がるのが抑制され、より良好か形状のマイクロレンズのパターンを形成することができる。 By using the microlens-forming composition of the present invention, even if microlens pattern formation is performed by a negative photolithography method such as the production method (1), the spread of radiation along the substrate interface is suppressed. As a result, the residue at the end of the pattern after development is reduced, so that the microlenses are prevented from being connected to each other, and a better shaped microlens pattern can be formed.

[マイクロレンズの製造方法(2)]
本発明のマイクロレンズ形成用組成物は、上記製造方法(1)において残渣の抑制効果を十分に発揮できるが、以下の製造方法(2)や製造方法(3)によるマイクロレンズの形成にも好適に使用し得る。
[Microlens manufacturing method (2)]
The microlens-forming composition of the present invention can sufficiently exhibit the effect of suppressing the formation of residues in the above production method (1), but is also suitable for forming microlenses by the following production methods (2) and (3). can be used for

本発明の一実施形態に係るマイクロレンズ用組成物の製造方法は、(i)上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、放射線を照射し、および硬化させて、マイクロレンズ形成用組成物の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、(ii)樹脂層の表面にエッチングレジスト層を形成する工程と、(iii)エッチングレジスト層の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、(iv)放射線を照射されたエッチングレジスト層を現像する現像工程と、(v)現像後の露光部を熱フローして、露光部をマイクロレンズ形状に加工する熱フロー工程と、(vi)熱フロー後の露光部をマスク層として樹脂層をドライエッチングし、上記マスク層の形状を上記樹脂層に転写する転写工程と、を含む。 A method for producing a microlens composition according to an embodiment of the present invention includes (i) applying the microlens-forming composition, irradiating it with radiation, and curing it to obtain a resin of the microlens-forming composition. (ii) forming an etching resist layer on the surface of the resin layer; (iii) exposing a portion of the etching resist layer to radiation through a photomask; (iv) a development step of developing the etching resist layer irradiated with radiation; (v) a heat flow step of processing the exposed portion into a microlens shape by heat-flowing the exposed portion after development; a transfer step of dry-etching the resin layer using the exposed portion after the flow as a mask layer and transferring the shape of the mask layer to the resin layer.

[樹脂層形成工程]
樹脂層形成工程は、基材表面に上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、放射線を照射し、および乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の樹脂層を形成する工程である。上記工程では、マイクロレンズ形成用組成物を塗布する前に、基材表面の凹凸を、透明樹脂をスピンコートで塗布して埋め込み、平坦化する。そして、平坦化した基材の表面にマイクロレンズ形成用組成物を塗布した後、放射線(例えば紫外線)を照射し、熱硬化させて樹脂層を形成する。なお、マイクロレンズ形成用組成物を塗布する方法、塗布したマイクロレンズ形成用組成物に、および放射線を照射する方法は、上述の製造方法(1)で用いた方法と同様の方法で行うことができる。上記熱硬化は、アルカリ可溶性樹脂およびエポキシ樹脂を含む組成物を熱硬化(ポストベーク)する通常の方法で行えばよい。
[Resin layer forming step]
The resin layer forming step is a step of applying the microlens-forming composition to the substrate surface, irradiating radiation, and drying to form a resin layer of the microlens-forming composition. In the above process, before the microlens-forming composition is applied, the unevenness of the base material surface is filled by applying a transparent resin by spin coating and flattened. Then, after the microlens-forming composition is applied to the flattened surface of the substrate, it is irradiated with radiation (for example, ultraviolet rays) and thermally cured to form a resin layer. The method of applying the composition for forming a microlens, the method of irradiating the applied composition for forming a microlens, and the method of irradiating the composition can be performed in the same manner as the method used in the production method (1) described above. can. The heat curing may be performed by a normal method for heat curing (post-baking) a composition containing an alkali-soluble resin and an epoxy resin.

[エッチングレジスト層を形成する工程]
エッチングレジスト層を形成する工程は、上記樹脂層の表面にエッチングレジスト層を形成する工程である。
[Step of forming an etching resist layer]
The step of forming an etching resist layer is a step of forming an etching resist layer on the surface of the resin layer.

エッチングレジストの成分は、後述する転写工程においてマスク層として樹脂層にその形状を転写することができれば、特に制限されない。エッチングレジストは、ポジ型のレジストでもよいし、ネガ型のレジストでもよい。また、樹脂層の表面にエッチングレジスト層を形成する方法は、公知の方法を用いることができる。 The components of the etching resist are not particularly limited as long as the shape can be transferred to the resin layer as a mask layer in the transfer step described later. The etching resist may be a positive resist or a negative resist. Moreover, a well-known method can be used for the method of forming an etching resist layer on the surface of a resin layer.

[露光工程]
露光工程は、エッチングレジスト層の一部にフォトマスクを介して放射線を照射し、上記エッチングレジスト層の一部を光硬化させる工程である。なお、エッチングレジスト層を露光する方法は、上述の製造方法(1)で用いた方法と同様の方法で、適宜温度等の条件をエッチングレジストの種類にあわせて変更して行うことができる。
[Exposure process]
The exposure step is a step of irradiating a portion of the etching resist layer with radiation through a photomask and photocuring a portion of the etching resist layer. The method of exposing the etching resist layer is the same as the method used in the manufacturing method (1) described above, and conditions such as temperature can be appropriately changed according to the type of etching resist.

[現像工程]
現像工程は、放射線が照射されたエッチングレジスト層をアルカリ現像する工程である。エッチングレジストがポジ型であるときは露光部を除去し、エッチングレジストがネガ型であるときは露光部を除去する。アルカリ現像の方法は、エッチングレジストの種類にあわせて公知の方法から適宜選択すればよい。
[Development process]
The developing step is a step of alkali developing the etching resist layer irradiated with radiation. The exposed portion is removed when the etching resist is of a positive type, and the exposed portion is removed when the etching resist is of a negative type. The method of alkali development may be appropriately selected from known methods according to the type of etching resist.

[熱フロー工程]
熱フロー工程は、現像後のエッチングレジスト層の露光部を熱フローして、メルトフローさせて、エッチングレジスト層の露光部をマイクロレンズ形状に加工する工程である。なお、熱フロー工程は、上述の製造方法(1)で用いた方法と同様の方法で、適宜温度等の条件をエッチングレジストの種類にあわせて変更して行うことができる。
[Heat flow process]
The heat flow step is a step of heat-flowing the exposed portions of the etching resist layer after development to melt flow the exposed portions of the etching resist layer into a microlens shape. The heat flow process can be performed by the same method as used in the above-described manufacturing method (1), with conditions such as temperature appropriately changed in accordance with the type of etching resist.

[転写工程]
転写工程は、熱フロー後のエッチングレジスト層の露光部をマスク層として上記樹脂層をドライエッチングし、上記マスク層の形状を上記樹脂層に転写する工程である。
[Transfer process]
The transfer step is a step of dry-etching the resin layer using the exposed portion of the etching resist layer after heat flow as a mask layer to transfer the shape of the mask layer to the resin layer.

上記ドライエッチングは、公知の方法を用いることができる。ドライエッチング方法の例には、プラズマエッチング、イオンエッチング、反応性イオンエッチング、スパッタエッチングなどが含まれる。また、ドライエッチングには、公知の装置を用いることができる。ドライエッチングに用いることができるガスの例には、CHF、CF、C、C、SF等のフッ素系ガス、Cl、BCl等の塩素系ガス、O、O等の酸素系ガス、H、NH、CO、CO、CH、C、C、C、C、C、C、HF、HI、HBr、HCl、NO、NH、BCl等の還元性ガス、He、N、Arなどの不活性ガス等が含まれる。これらのガスは混合して用いることができる。 A known method can be used for the dry etching. Examples of dry etching methods include plasma etching, ion etching, reactive ion etching, sputter etching, and the like. A known device can be used for dry etching. Examples of gases that can be used for dry etching include fluorine-based gases such as CHF 3 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 and SF 6 , chlorine-based gases such as Cl 2 and BCl 3 , and O 2 . , O 3 and other oxygen-based gases, H 2 , NH 3 , CO, CO 2 , CH 4 , C 2 H 2 , C 2 H 4 , C 2 H 6 , C 3 H 4 , C 3 H 6 , C 3 Reducing gases such as H 8 , HF, HI, HBr, HCl, NO, NH 3 and BCl 3 and inert gases such as He, N 2 and Ar are included. These gases can be mixed and used.

[マイクロレンズの製造方法(3)]
本発明の一実施形態に係るマイクロレンズ用組成物の製造方法は、(i)レンズ材料層上に上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜形成工程と、(ii)塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、(iii)放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、(iv)上記現像後の塗膜を熱フローして、上記塗膜をマイクロレンズ形状に加工しつつ加熱硬化して、マイクロレンズパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、(v)レンズ材料層および前記マスク層をドライエッチングし、上記塗膜層の形状を上記レンズ材料層に転写する転写工程と、を含む。
[Microlens manufacturing method (3)]
A method for producing a microlens composition according to an embodiment of the present invention includes (i) applying the microlens-forming composition onto a lens material layer and drying to form a coating film of the microlens-forming composition. (ii) an exposure step of irradiating a portion of the coating film with radiation through a photomask; and (iii) developing the irradiated coating film to remove the unexposed portion. and (iv) a mask layer forming step of forming a mask layer having a microlens pattern by heat-flowing the developed coating film and heating and curing the coating film while processing the coating film into a microlens shape. and (v) dry etching the lens material layer and the mask layer to transfer the shape of the coating layer to the lens material layer.

[塗膜形成工程]
塗膜形成工程は、レンズ材料層上に上記マイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する工程である。このとき、レンズ材料層の表面は、マイクロレンズの製造方法(2)で記載した方法と同じ方法で平坦化されている。なお、マイクロレンズ形成用組成物を塗布する方法、塗布したマイクロレンズ形成用組成物を乾燥させる方法は、上述の製造方法(1)で用いた方法と同様の方法で行うことができる。
[Coating film forming process]
The coating film forming step is a step of applying the microlens-forming composition onto the lens material layer and drying to form a coating film of the microlens-forming composition. At this time, the surface of the lens material layer is flattened by the same method as described in the microlens manufacturing method (2). The method of applying the microlens-forming composition and the method of drying the applied microlens-forming composition can be performed in the same manner as the method used in the production method (1) described above.

レンズ材料層は、公知のレンズ材料による層であればよい。 The lens material layer may be a layer made of a known lens material.

[露光工程および現像工程]
上記(ii)露光工程および(iii)現像工程は、マイクロレンズの製造方法(1)で記載した方法と同じ方法で行うことができる。
[Exposure process and development process]
The above (ii) exposure step and (iii) development step can be performed by the same method as described in the microlens manufacturing method (1).

[マスク層形成工程]
マスク層形成工程は、現像後の塗膜を熱フローし、メルトフローさせて、上記塗膜をマイクロレンズ形状に加工しつつ加熱硬化して、マイクロレンズパターンを有するマスク層を形成する工程である。上記塗膜の熱フローは、上述の製造方法(1)で用いた方法と同様の方法で行うことができる。
[Mask layer forming step]
The mask layer forming step is a step of heat-flowing and melt-flowing the coating film after development, heating and curing the coating film while processing the coating film into a microlens shape, and forming a mask layer having a microlens pattern. . The heat flow of the coating film can be performed by a method similar to that used in the production method (1) described above.

[転写工程]
転写工程は、上述の製造方法(2)で用いた方法と同様のドライエッチング方法で行うことができる。
[Transfer process]
The transfer step can be performed by a dry etching method similar to that used in the manufacturing method (2) described above.

本発明のマイクロレンズ形成用組成物を用いることにより、製造方法(3)のように、マイクロレンズ形成用組成物をレジスト材料とする方法であっても、レンズ層とエッチングレジスト層との界面に沿った放射線の広がりが抑制されて、レジストパターンの端部における残渣の発生を抑制することができる。そのため、本発明のマイクロレンズ形成用組成物の硬化物をマスクとして使用すれば、精度よくレンズ層をエッチングすることができ、より良好な形状のマイクロレンズのパターンを形成することができる。 By using the composition for forming a microlens of the present invention, even in a method using the composition for forming a microlens as a resist material like the production method (3), the interface between the lens layer and the etching resist layer Spreading of radiation along the edge of the resist pattern is suppressed, and generation of residue at the edge of the resist pattern can be suppressed. Therefore, by using the cured product of the microlens-forming composition of the present invention as a mask, the lens layer can be etched with high precision, and a microlens pattern with a better shape can be formed.

3.固体撮像素子
本発明の固体撮像素子は、上述のマイクロレンズを有する。本発明の固体撮像素子は、上述のマイクロレンズを有するための、高画素化および高感度化が可能となる。
3. Solid-State Imaging Device The solid-state imaging device of the present invention has the microlenses described above. Since the solid-state imaging device of the present invention has the above-described microlenses, it is possible to increase the number of pixels and increase the sensitivity.

4.撮像装置
本発明の撮像装置は、上述の固体撮像素子を有する。本発明の撮像装置は、上述の固体撮像素子を有するための、高画質の画像を得ることができる。
4. Imaging Device The imaging device of the present invention has the solid-state imaging device described above. Since the imaging apparatus of the present invention has the solid-state imaging device described above, it is possible to obtain high-quality images.

以下、実施例および比較例に基づいて、本発明の実施形態を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these.

まず、(A)成分である不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂の合成例から説明するが、これらの合成例における樹脂の評価は、断りのない限り以下の通りに行った。 First, synthesis examples of the unsaturated group-containing alkali-soluble resin as the component (A) will be described. Unless otherwise specified, the resins in these synthesis examples were evaluated as follows.

なお、各種測定機器について、同一の機種を使用した場合には、2か所目から機器メーカー名を省略している。また、実施例で使用しているガラス基板は、全て同じ処理を施して使用している。また、各成分の含有量について、小数第一位が0であるときは、小数点以下の表記を省略することがある。 Note that when the same model of measuring equipment is used, the name of the equipment manufacturer is omitted from the second position. Further, the glass substrates used in the examples are all subjected to the same treatment. Moreover, when the first decimal place of the content of each component is 0, the notation after the decimal point may be omitted.

[固形分濃度]
固形分濃度は、合成例中で得られた樹脂溶液1gをガラスフィルター〔重量:W(g)〕に含浸させた重量〔W(g)〕、および160℃にて2時間加熱した後の重量〔W(g)〕を用いて次式により求めた。
固形分濃度(重量%)=100×(W-W)/(W-W
[Solid content concentration]
The solid content concentration is the weight [W 1 (g)] obtained by impregnating a glass filter [weight: W 0 (g)] with 1 g of the resin solution obtained in Synthesis Example, and after heating at 160 ° C. for 2 hours. It was determined by the following formula using the weight [W 2 (g)] of .
Solid content concentration (% by weight) = 100 × (W 2 - W 0 )/(W 1 - W 0 )

[エポキシ当量]
樹脂溶液をジオキサンに溶解させた後に臭化テトラエチルアンモニウムの酢酸溶液を加え、電位差滴定装置「COM-1600」(平沼産業株式会社製)を用いて1/10N-過塩素酸溶液で滴定して求めた。
[Epoxy equivalent]
After dissolving the resin solution in dioxane, add an acetic acid solution of tetraethylammonium bromide, and titrate with a 1/10 N-perchloric acid solution using a potentiometric titrator "COM-1600" (manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.). rice field.

[酸価]
酸価は、樹脂溶液をジオキサンに溶解させ、電位差滴定装置「COM-1600」(平沼産業株式会社製)を用いて1/10N-KOH水溶液で滴定して求めた。
[Acid value]
The acid value was obtained by dissolving the resin solution in dioxane and titrating it with a 1/10 N-KOH aqueous solution using a potentiometric titrator "COM-1600" (manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.).

[分子量]
分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(GPC)「HLC-8220GPC」(東ソー株式会社製、溶媒:テトラヒドロフラン、カラム:TSKgelSuper H-2000(2本)+TSKgelSuper H-3000(1本)+TSKgelSuper H-4000(1本)+TSKgelSuper H-5000(1本)(東ソー株式会社製)、温度:40℃、速度:0.6ml/min)にて測定し、標準ポリスチレン(東ソー株式会社製、PS-オリゴマーキット)換算値として重量平均分子量(Mw)を求めた。
[Molecular weight]
The molecular weight is determined by gel permeation chromatography (GPC) "HLC-8220GPC" (manufactured by Tosoh Corporation, solvent: tetrahydrofuran, column: TSKgelSuper H-2000 (2) + TSKgelSuper H-3000 (1) + TSKgelSuper H-4000 ( 1 piece) + TSKgelSuper H-5000 (1 piece) (manufactured by Tosoh Corporation), temperature: 40 ° C., speed: 0.6 ml / min), standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation, PS-oligomer kit) conversion A weight average molecular weight (Mw) was obtained as a value.

合成例で記載する略号は次のとおりである。
BPFE :ビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂(一般式(1)に示されるArがベンゼン環であり、lが0であるエポキシ樹脂、エポキシ当量256g/eq)
BNFE :ビスナフトールフルオレン型エポキシ樹脂(一般式(1)に示されるArがナフタレン環であり、lが0であるエポキシ樹脂、エポキシ当量281g/eq)
BPDA :3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
THPA :1,2,3,6-テトラヒドロフタル酸無水物
TPP :トリフェニルホスフィン
AA :アクリル酸
PGMEA :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
DCPMA :ジシクロペンタニルメタクリレート
GMA :グリシジルメタクリレート
St :スチレン
AIBN :アゾビスイソブチロニトリル
TDMAMP:トリスジメチルアミノメチルフェノール
HQ :ハイドロキノン
SA :無水コハク酸
TEA :トリエチルアミン
The abbreviations used in Synthesis Examples are as follows.
BPFE: bisphenol fluorene type epoxy resin (an epoxy resin in which Ar represented by the general formula (1) is a benzene ring and l is 0, epoxy equivalent 256 g/eq)
BNFE: bisnaphtholfluorene type epoxy resin (an epoxy resin in which Ar represented by the general formula (1) is a naphthalene ring and l is 0, epoxy equivalent 281 g/eq)
BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride THPA: 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride TPP: triphenylphosphine AA: acrylic acid PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate DCPMA: Dicyclopentanyl methacrylate GMA: Glycidyl methacrylate St: Styrene AIBN: Azobisisobutyronitrile TDMAMP: Trisdimethylaminomethylphenol HQ: Hydroquinone SA: Succinic anhydride TEA: Triethylamine

[合成例1]
還流冷却機付き250mLの四つ口フラスコ中に、BPFE(50.00g、0.10mol)、AA(14.07g、0.20mol)、TPP(0.26g)、およびPGMEA(40.00g)を仕込み、100~105℃で12時間攪拌して、反応生成物を得た。その後、上記反応生成物にPGMEA(25.00g)を加え、固形分が50質量%となるように調整した。
[Synthesis Example 1]
BPFE (50.00 g, 0.10 mol), AA (14.07 g, 0.20 mol), TPP (0.26 g), and PGMEA (40.00 g) were placed in a 250 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser. The mixture was charged and stirred at 100-105° C. for 12 hours to obtain a reaction product. After that, PGMEA (25.00 g) was added to the reaction product to adjust the solid content to 50% by mass.

次いで、得られた反応生成物にBPDA(14.37g、0.05mol)およびTHPA(7.43g、0.05mol)を仕込み、115~120℃で6時間攪拌し、不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(A)-1の樹脂溶液を得た。樹脂溶液の固形分濃度は57.0質量%であり、酸価(固形分換算)は96mgKOH/gであり、GPC分析によるMwは3600であった。 Next, BPDA (14.37 g, 0.05 mol) and THPA (7.43 g, 0.05 mol) were added to the resulting reaction product and stirred at 115 to 120° C. for 6 hours to obtain an unsaturated group-containing alkali-soluble resin. A resin solution of (A)-1 was obtained. The resin solution had a solid content concentration of 57.0% by mass, an acid value (in terms of solid content) of 96 mgKOH/g, and an Mw of 3,600 by GPC analysis.

[合成例2]
還流冷却機付き250mLの四つ口フラスコ中に、BPFE(50.00g、0.10mol)、AA(14.07g、0.20mol)、TPP(0.26g)、およびPGMEA(40.00g)を仕込み、100~105℃で12時間攪拌して、反応生成物を得た。その後、上記反応生成物にPGMEA(25.00g)を加え、固形分が50質量%となるように調整した。
[Synthesis Example 2]
BPFE (50.00 g, 0.10 mol), AA (14.07 g, 0.20 mol), TPP (0.26 g), and PGMEA (40.00 g) were placed in a 250 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser. The mixture was charged and stirred at 100-105° C. for 12 hours to obtain a reaction product. After that, PGMEA (25.00 g) was added to the reaction product to adjust the solid content to 50% by mass.

次いで、得られた反応生成物にBPDA(10.06g、0.03mol)およびTHPA(11.89g、0.08mol)を仕込み、115~120℃で6時間攪拌し、重合性不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(A)-2の樹脂溶液を得た。樹脂溶液の固形分濃度は57.0質量%であり、酸価(固形分換算)は98mgKOH/gであり、GPC分析によるMwは2300であった。 Next, BPDA (10.06 g, 0.03 mol) and THPA (11.89 g, 0.08 mol) were added to the resulting reaction product, stirred at 115 to 120° C. for 6 hours, and the polymerizable unsaturated group-containing alkali A resin solution of soluble resin (A)-2 was obtained. The resin solution had a solid content concentration of 57.0% by mass, an acid value (in terms of solid content) of 98 mgKOH/g, and an Mw of 2,300 by GPC analysis.

[合成例3]
還流冷却機付き250mLの四つ口フラスコ中に、BPFE(50.00g、0.10mol)、AA(14.07g、0.20mol)、TPP(0.26g)、およびPGMEA(40.00g)を仕込み、100~105℃で12時間攪拌して、反応生成物を得た。その後、上記反応生成物にPGMEA(25.00g)を加え固形分が50質量%となるように調整した。
[Synthesis Example 3]
BPFE (50.00 g, 0.10 mol), AA (14.07 g, 0.20 mol), TPP (0.26 g), and PGMEA (40.00 g) were placed in a 250 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser. The mixture was charged and stirred at 100-105° C. for 12 hours to obtain a reaction product. After that, PGMEA (25.00 g) was added to the reaction product to adjust the solid content to 50% by mass.

次いで、得られた反応生成物にBPDA(19.25g、0.07mol)およびTHPA(0.30g、0.002mol)を仕込み、115~120℃で6時間攪拌し、重合性不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(A)-3の樹脂溶液を得た。樹脂溶液の固形分濃度は56.3質量%であり、酸価(固形分換算)は97mgKOH/gであり、GPC分析によるMwは4700であった。 Next, BPDA (19.25 g, 0.07 mol) and THPA (0.30 g, 0.002 mol) were added to the resulting reaction product, stirred at 115 to 120° C. for 6 hours, and the polymerizable unsaturated group-containing alkali A resin solution of soluble resin (A)-3 was obtained. The solid content concentration of the resin solution was 56.3% by mass, the acid value (in terms of solid content) was 97 mgKOH/g, and the Mw by GPC analysis was 4,700.

[合成例4]
還流冷却機付き250mLの四つ口フラスコ中に、BNFE(50.00g、0.09mol)、AA(12.82g、0.20mol)、TPP(0.23g)、およびPGMEA(40.00g)を仕込み、100~105℃で12時間攪拌して、反応生成物を得た。その後、上記反応生成物にPGMEA(25.00g)を加え、固形分が50質量%となるように調整した。
[Synthesis Example 4]
BNFE (50.00 g, 0.09 mol), AA (12.82 g, 0.20 mol), TPP (0.23 g), and PGMEA (40.00 g) were placed in a 250 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser. The mixture was charged and stirred at 100-105° C. for 12 hours to obtain a reaction product. After that, PGMEA (25.00 g) was added to the reaction product to adjust the solid content to 50% by mass.

次いで、得られた反応生成物にBPDA(13.09g、0.04mol)およびTHPA(6.77g、0.04mol)を仕込み、115~120℃で6時間攪拌し、不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂(A)-4の樹脂溶液を得た。樹脂溶液の固形分濃度は56.1質量%であり、酸価(固形分換算)は91mgKOH/gであり、GPC分析によるMwは3500であった。 Next, BPDA (13.09 g, 0.04 mol) and THPA (6.77 g, 0.04 mol) were added to the resulting reaction product and stirred at 115 to 120° C. for 6 hours to obtain an unsaturated group-containing alkali-soluble resin. A resin solution of (A)-4 was obtained. The solid content concentration of the resin solution was 56.1% by mass, the acid value (in terms of solid content) was 91 mgKOH/g, and the Mw by GPC analysis was 3,500.

[合成例5]
還流冷却機付き1Lの四つ口フラスコ中に、PGMEA(300g)を入れ、フラスコ系内を窒素置換した後120℃に昇温した。フラスコ内にモノマー混合物(DCPMA(77.1g、0.35mol)、GMA(49.8g、0.35mol)、およびSt(31.2g、0.30mol)にAIBN(10g)を溶解した混合物を滴下ロートから2時間かけて滴下し、さらに120℃で2時間攪拌し、共重合体溶液を得た。
[Synthesis Example 5]
PGMEA (300 g) was placed in a 1 L four-necked flask equipped with a reflux condenser, and the inside of the flask system was replaced with nitrogen, and then the temperature was raised to 120°C. A mixture of AIBN (10 g) dissolved in a monomer mixture (DCPMA (77.1 g, 0.35 mol), GMA (49.8 g, 0.35 mol), and St (31.2 g, 0.30 mol)) was dropped into the flask. It was added dropwise from the funnel over 2 hours and further stirred at 120° C. for 2 hours to obtain a copolymer solution.

次いで、フラスコ系内を空気に置換した後、得られた共重合体溶液にAA(24.0g、グリシジル基の95%)、TDMAMP(0.8g)およびHQ(0.15g)を添加し、120℃で6時間攪拌し、重合性不飽和基含有共重合体溶液を得た。得られた重合性不飽和基含有共重合体溶液にSA(30.0g、AA添加モル数の90%)、TEA(0.5g)を加え、120℃で4時間反応させ、重合性不飽和基含有アルカリ可溶性共重合体樹脂溶液(A)-5の樹脂溶液を得た。樹脂溶液の固形分濃度は46.0質量%であり、酸価(固形分換算)は76mgKOH/gであり、GPC分析によるMwは5300であった。 Then, after replacing the inside of the flask system with air, AA (24.0 g, 95% of glycidyl groups), TDMAMP (0.8 g) and HQ (0.15 g) were added to the obtained copolymer solution, The mixture was stirred at 120° C. for 6 hours to obtain a polymerizable unsaturated group-containing copolymer solution. SA (30.0 g, 90% of the number of moles of AA added) and TEA (0.5 g) were added to the obtained polymerizable unsaturated group-containing copolymer solution and reacted at 120 ° C. for 4 hours to obtain a polymerizable unsaturated group. A resin solution of group-containing alkali-soluble copolymer resin solution (A)-5 was obtained. The solid content concentration of the resin solution was 46.0% by mass, the acid value (in terms of solid content) was 76 mgKOH/g, and the Mw by GPC analysis was 5,300.

表1に記載の配合量(単位は質量%)で実施例1~11、比較例1~3のマイクロレンズ形成用組成物を調製した。表1、2中で使用した配合成分は以下のとおりである。 Microlens-forming compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared in the amounts shown in Table 1 (unit: % by mass). The ingredients used in Tables 1 and 2 are as follows.

(不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂)
(A)-1:合成例1で得られた樹脂溶液(固形分濃度57.0質量%)
(A)-2:合成例2で得られた樹脂溶液(固形分濃度57.0質量%)
(A)-3:合成例3で得られた樹脂溶液(固形分濃度56.3質量%)
(A)-4:合成例4で得られた樹脂溶液(固形分濃度56.1質量%)
(A)-5:合成例5で得られた樹脂溶液(固形分濃度46.0質量%)
(Unsaturated group-containing alkali-soluble resin)
(A)-1: Resin solution obtained in Synthesis Example 1 (solid content concentration 57.0% by mass)
(A)-2: Resin solution obtained in Synthesis Example 2 (solid content concentration 57.0% by mass)
(A)-3: Resin solution obtained in Synthesis Example 3 (solid content concentration 56.3% by mass)
(A)-4: Resin solution obtained in Synthesis Example 4 (solid content concentration 56.1% by mass)
(A)-5: Resin solution obtained in Synthesis Example 5 (solid content concentration 46.0% by mass)

(光重合性モノマー)
(B):ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサアクリレート混合物(KAYARAD DPHA、日本化薬株式会社製、「KAYARAD」は同社の登録商標)
(Photopolymerizable monomer)
(B): Dipentaerythritol penta/hexaacrylate mixture (KAYARAD DPHA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., "KAYARAD" is a registered trademark of the company)

(エポキシ化合物)
(C):ビフェニル型エポキシ樹脂(jER YX4000、三菱ケミカル株式会社製、「jER」は同社の登録商標、エポキシ当量180~192g/eq)
(epoxy compound)
(C): Biphenyl-type epoxy resin (jER YX4000, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "jER" is a registered trademark of the same company, epoxy equivalent 180 to 192 g/eq)

(光重合開始剤)
(D)-1:Omnirad907(IGM Resins、B.V.社製、「Omnirad」は同社の登録商標)
(D)-2:Irgacure OXE-01(BASF社製、「Irgacure」は同社の登録商標)
(Photoinitiator)
(D)-1: Omnirad 907 (manufactured by IGM Resins, B.V., "Omnirad" is a registered trademark of the company)
(D)-2: Irgacure OXE-01 (manufactured by BASF, "Irgacure" is a registered trademark of the company)

(紫外線吸収剤)
(E)-1:Tinuvin384-2(BASFジャパン社製、固形分濃度95質量%、「Tinuvin」は同社の登録商標)
(E)-2:Tinuvin400(固形分濃度85質量%)
(E)-3:アデカスタブ1413(株式会社ADEKA製、「アデカスタブ」は同社の登録商標)
(E)-4:RUVA-93(大塚化学株式会社製)
(Ultraviolet absorber)
(E)-1: Tinuvin 384-2 (manufactured by BASF Japan, solid content concentration 95% by mass, "Tinuvin" is a registered trademark of the company)
(E)-2: Tinuvin 400 (solid content concentration 85% by mass)
(E)-3: Adekastab 1413 (manufactured by ADEKA Co., Ltd., "Adekastab" is a registered trademark of the company)
(E)-4: RUVA-93 (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.)

(溶剤)
(F):プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
(solvent)
(F): Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA)

(増感剤)
(G):ミヒラーケトン
(sensitizer)
(G): Michler Ketone

Figure 2022156546000011
Figure 2022156546000011

Figure 2022156546000012
Figure 2022156546000012

[評価]
表1、2に示される実施例1~11、比較例1~3のマイクロレンズ形成用組成物を硬化してなる硬化膜について、以下の評価を行った。
[evaluation]
The cured films obtained by curing the microlens-forming compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Tables 1 and 2 were evaluated as follows.

(屈折率測定用の硬化膜付き基板の作製)
表1、2に示したマイクロレンズ形成用組成物を、5inchの基板(シリコンウエハー)上に、加熱硬化後の膜厚が1.0μmとなるようにスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートを用いて100℃で5分間プリベークをして乾燥膜を作製した。次いで、上記乾燥膜に、超高圧水銀ランプ(波長365nm、照度30mW/cm)で500mJ/cmの紫外線を照射して光硬化反応(露光)を行った後、熱風乾燥機を用いて230℃で30分間、本硬化(ポストベーク)し、屈折率測定用の硬化膜付き基板を得た。
(Preparation of substrate with cured film for refractive index measurement)
The microlens-forming composition shown in Tables 1 and 2 was applied to a 5-inch substrate (silicon wafer) using a spin coater so that the film thickness after heat curing was 1.0 μm, and then a hot plate was applied. A dried film was prepared by pre-baking at 100° C. for 5 minutes. Next, the dried film was irradiated with ultraviolet rays of 500 mJ/cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength 365 nm, illuminance 30 mW/cm 2 ) to perform a photocuring reaction (exposure). C. for 30 minutes for main curing (post-baking) to obtain a substrate with a cured film for refractive index measurement.

[屈折率評価]
エリプソメーター(J.A.Woollam社製)を用いて、本硬化後の上記硬化膜付き基板の波長633nmにおける屈折率を測定した。
[Refractive index evaluation]
Using an ellipsometer (manufactured by JA Woollam), the refractive index at a wavelength of 633 nm of the substrate with the cured film after the main curing was measured.

(透過率測定用の硬化膜付き基板の作製)
表1、2に示したマイクロレンズ形成用組成物を、125mm×125mmのガラス基板「#1737」(コーニング社製)(以下「ガラス基板」という)上に、加熱硬化後の膜厚が1.0μmとなるようにスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートを用いて100℃で5分間プリベークをして乾燥膜を作製した。次いで、上記乾燥膜に、超高圧水銀ランプ(波長365nm、照度30mW/cm)で300mJ/cmの紫外線を照射して光硬化反応(露光)を行った後、熱風乾燥機を用いて230℃で30分間、本硬化(ポストベーク)することにより、透過率測定用の硬化膜付き基板を得た。
(Preparation of substrate with cured film for transmittance measurement)
The microlens-forming composition shown in Tables 1 and 2 was applied to a 125 mm×125 mm glass substrate “#1737” (manufactured by Corning Incorporated) (hereinafter referred to as “glass substrate”) so that the film thickness after heat curing was 1.5 mm. It was coated using a spin coater so as to have a thickness of 0 μm, and prebaked at 100° C. for 5 minutes using a hot plate to prepare a dry film. Next, the dried film was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ/cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength 365 nm, illuminance 30 mW/cm 2 ) to perform a photocuring reaction (exposure). C. for 30 minutes to obtain a cured film-attached substrate for transmittance measurement.

[透過率評価]
紫外可視赤外分光光度計「UH4150」(株式会社日立ハイテクサイエンス製)を用いて、本硬化後の上記硬化膜付き基板の波長400nmにおける透過率を測定した。
[Transmittance evaluation]
Using an ultraviolet-visible-infrared spectrophotometer "UH4150" (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.), the transmittance at a wavelength of 400 nm of the substrate with the cured film after the main curing was measured.

(パターン密着性およびパターン端部残渣評価用の硬化膜付き基板の作製)
表1、2に示したマイクロレンズ形成用組成物を、125mm×125mmのガラス基板上に、加熱硬化処理後の膜厚が2.0μmとなるようにスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートを用いて100℃で5分間プリベークをして乾燥膜を作製した。次いで、上記乾燥膜に、超高圧水銀ランプ(波長365nm、照度30mW/cm)で300mJ/cmの紫外線を照射して、光硬化反応(露光)を行った。
(Preparation of substrate with cured film for pattern adhesion and pattern edge residue evaluation)
The microlens-forming compositions shown in Tables 1 and 2 were applied onto a glass substrate of 125 mm×125 mm using a spin coater so that the film thickness after heat curing treatment would be 2.0 μm, and a hot plate was applied. A dried film was prepared by pre-baking at 100° C. for 5 minutes. Next, the dried film was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ/cm 2 from an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength 365 nm, illuminance 30 mW/cm 2 ) for photocuring reaction (exposure).

次いで、上記露光された乾燥膜(露光膜)を23℃の0.8%TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)現像液により1kgf/cmのシャワー圧にて、パターンが現れ始める現像時間(ブレイクタイム=BT)から10秒の現像処理を行った後、5kgf/cmのスプレー水洗を行い、上記露光膜の未露光部分を除去することによりガラス基板上に5μm径のドットパターンを得た。最後に、得られたドットパターンを、熱風乾燥機を用いて230℃で30分間、本硬化(ポストベーク)することにより、パターン密着性およびパターン端部残渣評価用の硬化膜付き基板を得た。 Next, the exposed dry film (exposed film) was developed with a 0.8% TMAH (tetramethylammonium hydroxide) developer at 23° C. at a shower pressure of 1 kgf/cm 2 for a development time (break time) at which the pattern begins to appear. = BT), followed by washing with water spray of 5 kgf/cm 2 to remove the unexposed portions of the exposed film, thereby obtaining a dot pattern of 5 µm in diameter on the glass substrate. Finally, the obtained dot pattern was subjected to main curing (post-baking) at 230° C. for 30 minutes using a hot air dryer to obtain a substrate with a cured film for pattern adhesion and pattern edge residue evaluation. .

[パターン密着性評価]
(評価方法)
上記基板上の5μm径のドットパターン(硬化膜)を、光学顕微鏡を用いて、ドットパターンの剥がれの有無を観察した。なお、△以上を合格とした。
[Evaluation of pattern adhesion]
(Evaluation method)
The dot pattern (cured film) with a diameter of 5 μm on the substrate was observed with an optical microscope for the presence or absence of peeling of the dot pattern. In addition, △ or more was taken as the pass.

(評価基準)
○:ドットパターンに剥がれは確認されない
△:ドットパターンの一部に剥がれが確認される
×:ドットパターンの全てが剥離している
(Evaluation criteria)
○: Peeling is not confirmed in the dot pattern △: Peeling is confirmed in part of the dot pattern ×: All of the dot pattern is peeled off

[パターン端部の残渣評価]
(評価方法)
上記基板上の5μm径のドットパターン(硬化膜)を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、ドットパターン端部の残渣の有無を観察した。なお、△以上を合格とした。
[Residue Evaluation at Pattern Edge]
(Evaluation method)
The dot pattern (cured film) with a diameter of 5 μm on the substrate was observed with a scanning electron microscope (SEM) for the presence or absence of residues at the edges of the dot pattern. In addition, △ or more was taken as the pass.

(評価基準)
○:パターン端部に残渣は確認されない
△:パターン端部の一部に残渣が確認される
×:パターン端部の残渣が顕著である
(Evaluation criteria)
○: Residue is not observed at the edge of the pattern △: Residue is observed at part of the edge of the pattern ×: Residue at the edge of the pattern is conspicuous

(耐薬品性評価用の硬化膜付き基板の作製)
表1、2に示したマイクロレンズ形成用組成物を、ガラス基板上に、加熱硬化後の膜厚が2.0μmとなるようにスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレートを用いて100℃で5分間プリベークをして乾燥膜を作製した。次いで、上記乾燥膜に、超高圧水銀ランプ(波長365nm、照度30mW/cm)で300mJ/cmの紫外線を照射して光硬化反応(露光)を行った後、熱風乾燥機を用いて180℃で1時間、もしくは230℃で30分間本硬化(ポストベーク)し、耐薬品性評価用の硬化膜付き基板を得た。
(Preparation of substrate with cured film for chemical resistance evaluation)
Each of the microlens-forming compositions shown in Tables 1 and 2 was applied onto a glass substrate using a spin coater so that the film thickness after heat curing was 2.0 μm, and heated at 100° C. using a hot plate. A dry film was produced by pre-baking for 5 minutes. Next, the dried film was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ/cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp (wavelength 365 nm, illuminance 30 mW/cm 2 ) to perform a photo-curing reaction (exposure). C. for 1 hour or 230.degree. C. for 30 minutes to obtain a substrate with a cured film for chemical resistance evaluation.

[耐溶剤性評価]
(評価方法)
本硬化(ポストベーク)後の硬化膜の膜厚(L1)、およびアセトンに10分間浸漬した後、洗浄し、乾燥させた後の上記硬化膜の膜厚(L2)を、それぞれ触針式段差形状測定装置「P-17」(ケーエルエー・テンコール株式会社製)を用いて測定し、下記式から残膜率(%)を算出した。なお、△以上を合格とした。
残膜率(%)=L2/L1×100
[Solvent resistance evaluation]
(Evaluation method)
The film thickness (L1) of the cured film after main curing (post-baking) and the film thickness (L2) of the cured film after immersion in acetone for 10 minutes, washing, and drying were measured using a stylus method. It was measured using a shape measuring device "P-17" (manufactured by KLA-Tencor Co., Ltd.), and the residual film ratio (%) was calculated from the following formula. In addition, △ or more was taken as the pass.
Remaining film rate (%) = L2/L1 x 100

(評価基準)
○:残膜率が90%以上である
△:残膜率が80%以上90%未満である
×:残膜率が80%未満である
(Evaluation criteria)
○: Remaining film rate is 90% or more △: Remaining film rate is 80% or more and less than 90% ×: Remaining film rate is less than 80%

上記評価結果を表3、4に示す。 The above evaluation results are shown in Tables 3 and 4.

Figure 2022156546000013
Figure 2022156546000013

Figure 2022156546000014
Figure 2022156546000014

実施例1~11に示されるように、本発明のマイクロレンズ形成用樹脂組成物を用いることにより、高い屈折率および高い透過率を有する硬化膜を形成できることがわかった。 As shown in Examples 1 to 11, it was found that a cured film having a high refractive index and a high transmittance can be formed by using the microlens-forming resin composition of the present invention.

実施例1~11で示されるように、紫外線吸収剤を含む樹脂組成物を用いることにより、ネガ型のパターン形成時に特有の残渣の発生を抑制できることがわかった。これは、紫外線吸収剤が、照射された放射線を吸収して、余剰の放射線が基材界面に沿って広がるのを抑制し、放射線が照射されていない部位において、基材との界面で組成物が硬化してしまうのを抑制するためであると考えられる。 As shown in Examples 1 to 11, it was found that by using a resin composition containing an ultraviolet absorber, it was possible to suppress the generation of residue peculiar to negative pattern formation. This is because the ultraviolet absorber absorbs the irradiated radiation and suppresses the spread of excess radiation along the substrate interface, and the composition at the interface with the substrate at the site where the radiation is not irradiated. It is thought that this is for suppressing the hardening of .

また、実施例4~11で示されるように、エチレン性不飽和基を有する紫外線吸収剤を用いることにより、紫外線吸収剤の溶剤への染み出しを抑制して、硬化物の耐薬品性を高めることができることがわかった。これは、紫外線吸収剤の感光性反応基と、不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂もしくは光重合性モノマーとが反応して、紫外線吸収剤を樹脂中に取り込むことができるためであると考えられる。 Further, as shown in Examples 4 to 11, by using an ultraviolet absorber having an ethylenically unsaturated group, the exudation of the ultraviolet absorber into the solvent is suppressed, and the chemical resistance of the cured product is increased. I found that it can be done. It is believed that this is because the photosensitive reactive group of the UV absorber reacts with the unsaturated group-containing alkali-soluble resin or the photopolymerizable monomer to incorporate the UV absorber into the resin.

本発明のマイクロレンズ形成用樹脂組成物によれば、高画素化および高感度化を要する固体撮像素子に用いることができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The microlens-forming resin composition of the present invention can be used for solid-state imaging devices that require high pixel count and high sensitivity.

Claims (13)

マイクロレンズパターンを形成するためのマイクロレンズ形成用組成物であって、
(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂と、
(B)少なくとも1つ以上のエチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマーと、
(C)2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物と、
(D)光重合開始剤と、
(E)紫外線吸収剤と、
(F)溶剤と、
を含み、
前記(E)紫外線吸収剤の含有量は、固形分の全質量に対して3質量%以上20質量%以下である、マイクロレンズ形成用組成物。
A microlens-forming composition for forming a microlens pattern,
(A) an unsaturated group-containing alkali-soluble resin;
(B) a photopolymerizable monomer having at least one or more ethylenically unsaturated bonds;
(C) an epoxy compound having two or more epoxy groups;
(D) a photoinitiator;
(E) an ultraviolet absorber;
(F) a solvent;
including
A composition for forming a microlens, wherein the content of the ultraviolet absorber (E) is 3% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total mass of the solid content.
前記(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂は、下記一般式(1)で表される樹脂である、請求項1に記載のマイクロレンズ形成用組成物。
Figure 2022156546000015
(式(1)中、Arは、それぞれ独立に炭素数が6~14の芳香族炭化水素基であり、結合している水素原子の一部分は炭素数が1~10の直鎖または分岐鎖のアルキル基、炭素数が6~10のアリール基またはアリールアルキル基、炭素数が3~10のシクロアルキル基またはシクロアルキルアルキル基、炭素数が1~5のアルコキシ基、およびハロゲン基からなる群から選択される基で置換されていてもよい。Rは、それぞれ独立に炭素数が2~4のアルキレン基であり、lは、それぞれ独立に0~3の数である。Gは、それぞれ独立に(メタ)アクリロイル基、下記一般式(2)または下記一般式(3)で表される置換基であり、Yは、4価のカルボン酸残基である。Zは、それぞれ独立に水素原子または下記一般式(4)で表される置換基であり、1個以上は下記一般式(4)で表される置換基である。nは平均値が1~20の数である。)
Figure 2022156546000016
Figure 2022156546000017
(式(2)、(3)中、Rは水素原子またはメチル基であり、Rは炭素数が2~10の2価のアルキレン基またはアルキルアリーレン基であり、Rは炭素数が2~20の2価の飽和または不飽和の炭化水素基であり、pは0~10の数である。)
Figure 2022156546000018
(式(4)中、Wは2価または3価のカルボン酸残基であり、mは1または2の数である。)
2. The microlens-forming composition according to claim 1, wherein (A) the unsaturated group-containing alkali-soluble resin is a resin represented by the following general formula (1).
Figure 2022156546000015
(In formula (1), Ar is each independently an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and some of the bonded hydrogen atoms are linear or branched chains having 1 to 10 carbon atoms. from the group consisting of an alkyl group, an aryl or arylalkyl group having 6 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl or cycloalkylalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and a halogen group; may be substituted with selected groups, each R 1 is independently an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms, each l is independently a number of 0 to 3, and each G is independently is a (meth)acryloyl group, a substituent represented by the following general formula (2) or the following general formula (3), Y is a tetravalent carboxylic acid residue, Z is each independently a hydrogen atom or a substituent represented by the following general formula (4), one or more of which is a substituent represented by the following general formula (4). n is a number with an average value of 1 to 20.)
Figure 2022156546000016
Figure 2022156546000017
(In formulas (2) and (3), R 2 is a hydrogen atom or a methyl group, R 3 is a divalent alkylene group or alkylarylene group having 2 to 10 carbon atoms, and R 4 is a 2 to 20 divalent saturated or unsaturated hydrocarbon groups, and p is a number from 0 to 10.)
Figure 2022156546000018
(In formula (4), W is a divalent or trivalent carboxylic acid residue, and m is a number of 1 or 2.)
前記(E)紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物およびトリアジン化合物からなる群から選ばれる、請求項1または請求項2に記載のマイクロレンズ形成用組成物。 3. The microlens-forming composition according to claim 1, wherein the (E) ultraviolet absorber is selected from the group consisting of benzotriazole compounds, benzophenone compounds and triazine compounds. 前記(E)紫外線吸収剤は、エチレン性不飽和基を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物。 4. The microlens-forming composition according to claim 1, wherein the (E) ultraviolet absorber has an ethylenically unsaturated group. 前記(A)不飽和基含有アルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量が1000以上40000以下であり、酸価が50mgKOH/g以上200mgKOH/g以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物。 The unsaturated group-containing alkali-soluble resin (A) has a weight average molecular weight of 1000 or more and 40000 or less and an acid value of 50 mgKOH/g or more and 200 mgKOH/g or less, according to any one of claims 1 to 4. Microlens-forming composition. (G)成分として増感剤を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物。 6. The microlens-forming composition according to any one of claims 1 to 5, comprising a sensitizer as component (G). 請求項1~6のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜層形成工程と、
前記塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、
前記放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、
前記現像後の露光部を熱フローして、前記露光部をマイクロレンズ形状に加工しつつ、加熱硬化する熱フロー工程と、
を含む、マイクロレンズの製造方法。
a coating film layer forming step of applying the microlens-forming composition according to any one of claims 1 to 6 and drying to form a coating film of the microlens-forming composition;
An exposure step of irradiating a part of the coating film with radiation through a photomask;
A developing step of developing the coating film irradiated with the radiation and removing an unexposed portion;
A heat flow step of heat-curing the exposed portion after the development by heat-flowing the exposed portion while processing the exposed portion into a microlens shape;
A method of manufacturing a microlens, comprising:
請求項1~6のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物を塗布し、放射線を照射し、硬化させて、マイクロレンズ形成用組成物の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層の表面にエッチングレジスト層を形成する工程と、
前記エッチングレジスト層の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、
前記放射線を照射されたエッチングレジスト層を現像する現像工程と、
前記現像後の露光部を熱フローして、前記露光部をマイクロレンズ形状に加工する熱フロー工程と、
前記熱フロー後の前記露光部をマスク層として前記樹脂層をドライエッチングし、前記マスク層の形状を前記樹脂層に転写する転写工程と、
を含む、マイクロレンズの製造方法。
a resin layer forming step of applying the microlens-forming composition according to any one of claims 1 to 6, irradiating it with radiation, and curing it to form a resin layer of the microlens-forming composition;
forming an etching resist layer on the surface of the resin layer;
an exposure step of irradiating a portion of the etching resist layer with radiation through a photomask;
a developing step of developing the etching resist layer irradiated with the radiation;
a heat flow step of heat-flowing the exposed portion after the development to process the exposed portion into a microlens shape;
a transfer step of dry-etching the resin layer using the exposed portion after the heat flow as a mask layer to transfer the shape of the mask layer to the resin layer;
A method of manufacturing a microlens, comprising:
レンズ材料層上に、請求項1~6のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物を塗布し、乾燥させて、マイクロレンズ形成用組成物の塗膜を形成する塗膜形成工程と、
前記塗膜の一部にフォトマスクを介して放射線を照射する露光工程と、
前記放射線を照射された塗膜を現像し未露光部を除去する現像工程と、
前記現像後の塗膜を熱フローして、前記塗膜をマイクロレンズ形状に加工しつつ加熱硬化して、マイクロレンズパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記レンズ材料層および前記マスク層をドライエッチングして、前記マスク層の形状を前記レンズ材料層に転写する転写工程と、
を含む、マイクロレンズの製造方法。
a coating film forming step of applying the microlens-forming composition according to any one of claims 1 to 6 onto the lens material layer and drying to form a coating film of the microlens-forming composition; ,
An exposure step of irradiating a part of the coating film with radiation through a photomask;
A developing step of developing the coating film irradiated with the radiation and removing an unexposed portion;
a mask layer forming step of forming a mask layer having a microlens pattern by heat-flowing the developed coating film and heating and curing the coating film while processing the coating film into a microlens shape;
a transfer step of dry-etching the lens material layer and the mask layer to transfer the shape of the mask layer to the lens material layer;
A method of manufacturing a microlens, comprising:
請求項1~6のいずれか一項に記載のマイクロレンズ形成用組成物を硬化してなる硬化膜。 A cured film obtained by curing the microlens-forming composition according to any one of claims 1 to 6. 請求項10に記載の硬化膜からなるマイクロレンズ。 A microlens comprising the cured film according to claim 10 . 請求項11に記載のマイクロレンズを有する固体撮像素子。 A solid-state imaging device comprising the microlens according to claim 11 . 請求項12に記載の固体撮像素子を有する撮像装置。 An imaging device comprising the solid-state imaging device according to claim 12 .
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