JP2022152153A - プロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】輝度むらを低減することができるプロジェクターを提供する。【解決手段】制御部は、画像情報に基づいて、画像の第１画素を投射面に表示させるための第１制御信号を生成する処理と、前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が第１発光素子で形成されるように、入射部を第１姿勢にする処理と、前記第１発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が第２発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理と、前記第２発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、を行い、前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子とで切り替えられて形成される、プロジェクター。【選択図】図１１

Description

本発明は、プロジェクターに関する。

家庭や職場で気軽に持ち運べ、明るいところでも使えるコンパクトなプロジェクターが待望されている。また、プロジェクターに利用されている水銀ランプは、次第に暗くなり突然切れるという寿命の問題や、水銀規制という環境問題があるため、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の固体光源に置き換えることが望まれている。こうした要求を満たすプロジェクター用の表示装置として、マイクロＬＥＤが注目されている。マイクロＬＥＤは、無機のＬＥＤを微細化して配列し、各ＬＥＤを独立して点滅させて表示を行う自発光型の表示装置である。

例えば特許文献１には、マイクロＬＥＤとして、複数のＬＥＤを、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に同じピッチでマトリックス状に配置させた発光装置が記載されている。ＬＥＤは、ｎ型半導体層、発光層、およびｐ型半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成させている。

特開２０１９－１９２８８９号公報

上記のような複数のＬＥＤは、結晶欠陥の数の差などにより、発光強度が互いに異なる場合がある。発光強度が異なるＬＥＤをプロジェクターの光源に用いると、輝度むらが発生する。

本発明に係るプロジェクターの一態様は、
第１発光素子および第２発光素子を含む複数の発光素子を有する光源と、
前記複数の発光素子からの光が入射する入射部を有する光学デバイスと、
前記光源からの光を投射面に投射する投射装置と、
前記光源を制御する制御部と、
を有し、
前記複数の発光素子の各々は、前記投射面に画像を表示させるための画像情報に応じて光を射出し、
前記制御部は、
前記画像情報を取得する処理と、
取得した前記画像情報に基づいて、前記画像の第１画素を前記投射面に表示させるための第１制御信号を生成する処理と、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第１発光素子で形成されるように、前記入射部を第１姿勢にする処理と、
前記第１発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第２発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理と、
前記第２発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
を行い、
前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子とで切り替えられて形成される。

本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。 本実施形態に係るプロジェクターの青色発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターの駆動回路基板の駆動回路を説明するための図。 本実施形態に係るプロジェクターの光学デバイスを模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターの光学デバイスを模式的に示す断面図。 スクリーンの投射面に表示される画像を説明するため図。 スクリーンの投射面に表示される画像を説明するため図。 スクリーンの投射面に表示される画像を説明するため図。 スクリーンの投射面に表示される画像を説明するため図。 本実施形態に係るプロジェクターの発光素子に入力される制御信号を説明するための図。 本実施形態に係るプロジェクターの制御部の処理を説明するためのフローチャート。 スクリーンの投射面に表示される画像を説明するため図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． プロジェクター
１．１． 全体の構成
本実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係るプロジェクター１００を模式的に示す図である。

プロジェクター１００は、図１に示すように、光源１０と、フィリップスプリズム１４と、光学デバイス１６と、投射装置２０と、制御部３０と、を有している。光源１０は、例えば、赤色発光装置１２Ｒと、緑色発光装置１２Ｇと、青色発光装置１２Ｂと、を有している。

赤色発光装置１２Ｒは、赤色光を射出する。緑色発光装置１２Ｇは、緑色光を射出する。青色発光装置１２Ｂは、青色光を射出する。発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、入力された画像情報に基づいて光を射出する自発光イメージャーである。そのため、プロジェクター１００は、別途、液晶ライトバルブやＤＭＤ（Digital Micromirror Device）などの光変調素子を有していない。これにより、プロジェクター１００の小型化を図ることができる。発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから射出される光は、映像光である。発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの詳細な構成については、後述する。

フィリップスプリズム１４には、発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから射出された光が入射する。フィリップスプリズム１４は、発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから光を合成し、合成された光を射出する。

光学デバイス１６には、フィリップスプリズム１４から射出された光が入射する。光学デバイス１６は、赤色発光装置１２Ｒと投射装置２０との間の光路、緑色発光装置１２Ｇと投射装置２０との間の光路、および青色発光装置１２Ｂと投射装置２０との間の光路に設けられている。図示の例では、光学デバイス１６は、フィリップスプリズム１４と投射装置２０との間の光路に設けられている。光学デバイス１６は、発光装置１２Ｒ，１２Ｂ，１２Ｇからの光の光路を変化させる。光学デバイス１６の詳細な構成については、後述する。

投射装置２０は、光源１０からの光をスクリーン４０の投射面４２に投射する。具体的には、投射装置２０は、光学デバイス１６から射出された光を、投射面４２に投射する。光源１０からの光で投射面４２には、画像が表示される。投射面４２は、例えば、平坦な面である。投射装置２０は、例えば、投射レンズである。

制御部３０は、例えば、プロセッサーと、主記憶装置と、外部との信号の入出力を行う入出力インターフェースと、を有するコンピューターによって構成されている。制御部３０は、例えば、主記憶装置に読み込んだプログラムをプロセッサーが実行することによって、種々の機能を発揮する。制御部３０は、発光装置１２Ｒ，１２Ｂ，１２Ｇおよび光学デバイス１６を制御する。制御部３０の具体的な処理は、後述する。なお、制御部３０は、コンピューターではなく、複数の回路の組み合わせによって構成されてもよい。

１．２． 発光装置
図２は、青色発光装置１２Ｂを模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図１では、発光装置１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを簡略化して図示している。

青色発光装置１２Ｂは、図２に示すように、例えば、基板１１０と、ヒートシンク１２０と、駆動回路基板１３０と、スペーサー１４０と、発光素子１５０と、絶縁層１６０と、コモン電極パッド１７０と、配線層１８０と、マイクロミラーアレイ１９０と、を有している。

基板１１０は、例えば、シリコン基板である。基板１１０としてシリコン基板を用いることにより、サファイア基板を用いる場合に比べて、発光素子１５０の熱を効率よく放熱させることができる。

ヒートシンク１２０は、基板１１０の下に設けられている。ヒートシンク１２０の材質は、例えば、アルミニウム、銅などである。ヒートシンク１２０は、発光素子１５０の熱を放熱させることができる。

本明細書では、第１半導体層１５２と発光層１５３との積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、基板１１０を基準とした場合、基板１１０から発光素子１５０に向かう方向を「上」とし、基板１１０からヒートシンク１２０に向かう方向を「下」として説明する。

駆動回路基板１３０は、基板１１０上に設けられている。駆動回路基板１３０は、発光素子１５０を駆動させるための駆動回路を有している。駆動回路は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を含んで構成されている。駆動回路の詳細な構成については、後述する。

スペーサー１４０は、駆動回路基板１３０上に設けられている。スペーサー１４０は、基板１１０と発光素子１５０との間に設けられている。スペーサー１４０は、例えば、保護層１４２と、第１パッド１４４と、第２パッド１４６と、を有している。保護層１４２は、駆動回路基板１３０を保護している。保護層１４２は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層である。第１パッド１４４および第２パッド１４６は、保護層１４２に形成されたコンタクトホールに設けられている。第１パッド１４４は、複数の発光素子１５０に対応して複数設けられている。第２パッド１４６は、コモン電極パッド１７０に対応して設けられている。パッド１４４，１４６の材質は、例えば、チタンである。

発光素子１５０は、第１パッド１４４上に設けられている。発光素子１５０は、ＬＥＤである。発光素子１５０は、例えば、第１電極１５１と、第１半導体層１５２と、発光層１５３と、第２半導体層１５４と、第２電極１５５と、を有している。

第１電極１５１は、第１パッド１４４に接続されている。第１電極１５１は、第１半導体層１５２と電気的に接続されている。第１電極１５１は、第１パッド１４４側からチタン、アルミニウムを積層した積層体である。第１電極１５１と第１パッド１４４は、金属‐金属接合されていてもよい。第１電極１５１は、発光層１５３に電流を注入するための一方の電極である。

第１半導体層１５２は、第１電極１５１上に設けられている。第１半導体層１５２は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。第１半導体層１５２の厚さは、例えば、１５０ｎｍである。第１半導体層１５２は、第１電極１５１とオーミックコンタクトしていてもよい。

発光層１５３は、第１半導体層１５２上に設けられている。発光層１５３は、第１半導体層１５２と第２半導体層１５４との間に設けられている。発光層１５３は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層１５３は、例えば、ウェル層と、バリア層と、を有している。ウェル層およびバリア層は、不純物が意図的にドープされていないｉ型の半導体層である。ウェル層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。バリア層は、例えば、ＧａＮ層である。ウェル層の厚さは、例えば、２．５ｎｍである。バリア層の厚さは、例えば、１２ｎｍである。発光層１５３は、例えば、ウェル層とバリア層とを交互に５ペア積層させたＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造を有している。

なお、発光層１５３を構成するウェル層およびバリア層の数は、特に限定されない。例えば、ウェル層は、１層だけ設けられていてもよく、この場合、発光層１５３は、ＳＱＷ（Single Quantum Well）構造を有している。

第２半導体層１５４は、発光層１５３上に設けられている。第２半導体層１５４は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。第２半導体層１５４の厚さは、例えば、５μｍである。第２半導体層１５４は、第２電極１５５とオーミックコンタクトしていてもよい。

第２電極１５５は、第２半導体層１５４上に設けられている。第２電極１５５は、第２半導体層１５４と電気的に接続されている。第２電極１５５の材質は、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）である。第２電極１５５は、発光層１５３に電流を注入するための他方の電極である。

発光素子１５０では、ｐ型の第１半導体層１５２、ｉ型の発光層１５３、およびｎ型の第２半導体層１５４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光素子１５０では、第１電極１５１と第２電極１５５との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層１５３に電流が注入されて発光層１５３において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。

発光素子１５０は、複数設けられている。発光素子１５０は、例えば、第１方向と、第１方向と直交する第２方向と、にマトリックス状に配列されている。第１方向および第２方向は、積層方向と直交する方向である。発光素子１５０の数は、特に限定されないが、例えば、５４０×９６０個以上１０８０×１９２０個以下である。

発光素子１５０の積層方向からみた形状（平面形状）は、特に限定されないが、例えば、正方形である。発光素子１５０の平面形状の１辺の長さは、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下である。発光素子１５０のピッチは、特に限定されないが、例えば、７．５μｍ以上１５μｍ以下である。なお、発光素子１５０のピッチとは、積層方向からみて、隣り合う発光素子１５０の中心間の距離である。

絶縁層１６０は、スペーサー１４０および発光素子１５０を覆っている。絶縁層１６０は、第２電極１５５を覆っていない。絶縁層１６０は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、ポリイミド層である。

コモン電極パッド１７０は、第２パッド１４６に接続されている。コモン電極パッド１７０は、絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールに設けられている。コモン電極パッド１７０の材質は、例えば、第２電極１５５と同じである。コモン電極パッド１７０は、複数の発光素子１５０に対して共通の電極パッドである。

配線層１８０は、絶縁層１６０上に設けられている。配線層１８０は、コモン電極パッド１７０と、発光素子１５０の第２電極１５５と、を接続している。さらに、配線層１８０は、隣り合う発光素子１５０の第２電極１５５を接続している。配線層１８０の材質は、例えば、第２電極１５５と同じである。配線層１８０は、第２電極１５５と一体に設けられていてもよい。

ここで、図３は、駆動回路基板１３０の駆動回路を説明するための図である。駆動回路基板１３０の駆動回路は、図３に示すように、例えば、ゲート線１３１と、信号線１３２と、電源線１３３と、スイッチング用ＴＦＴ１３４と、駆動用ＴＦＴ１３５と、キャパシター１３６と、を有する。青色発光装置１２Ｂは、複数の発光素子１５０のうち目的の発光素子１５０を点灯させたり消したりすることができるアクティブマトリックス駆動方式を有する。

ゲート線１３１に電圧パルスを印加すると、スイッチング用ＴＦＴ１３４がオンとなる。スイッチング用ＴＦＴ１３４がオンとなったタイミングで、信号線１３２にオン信号を供給すると、駆動用ＴＦＴ１３５がオンとなる。駆動用ＴＦＴ１３５がオンになると、電源線１３３から発光素子１５０に電流が注入される。スイッチング用ＴＦＴ１３４がオフになっても、キャパシター１３６によって駆動用ＴＦＴ１３５はオンのままで、引き続き発光素子１５０に電流が注入される。あるタイミングで、スイッチング用ＴＦＴ１３４をオンにして、信号線１３２からオフ信号を供給すると、駆動用ＴＦＴ１３５がオフになって、発光素子１５０への電流注入が停止される。

制御部３０は、画像情報に基づいて、発光素子１５０に供給される電気量（＝電流×時間）を制御し、パルス幅階調によって青色発光装置１２Ｂを駆動させている。電気量の単位は、クーロンである。複数の発光素子１５０に対応して、複数のスイッチング用ＴＦＴ１３４、複数の駆動用ＴＦＴ１３５、および複数のキャパシター１３６が設けられている。

マイクロミラーアレイ１９０は、図２に示すように、配線層１８０上に設けられている。マイクロミラーアレイ１９０は、例えば、支持部材１９２と、マイクロミラー１９４と、を有している。支持部材１９２は、複数の発光素子１５０に対応して、複数の開口部１９３が設けられている。発光素子１５０は、開口部１９３に設けられている。支持部材１９２の材質は、例えば、樹脂である。マイクロミラー１９４は、開口部１９３を規定する支持部材１９２の側面に設けられている。マイクロミラー１９４の材質は、アルミニウム系の合金、銀系の合金などである。マイクロミラー１９４は、発光素子１５０から射出された光の放射角を狭めることができる。

次に、青色発光装置１２Ｂの製造方法について説明する。

サファイア基板に、第２半導体層１５４、発光層１５３、第１半導体層１５２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。

次に、第１半導体層１５２に第１電極１５１を形成する。第１電極１５１は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。以上の工程により、第１電極１５１，第１半導体層１５２、発光層１５３、および第２半導体層１５４からなる積層体を形成することができる。

次に、基板１１０、ヒートシンク１２０、駆動回路基板１３０、およびスペーサー１４０からなる構造体を用意する。そして、第１電極１５１とスペーサー１４０とが向き合うように、積層体を構造体に実装する。例えば、スペーサー１４０の第１パッド１４４の表面と、第１電極１５１の表面と、を十分に平滑かつ清浄にして加圧および加熱することにより、第１パッド１４４と第１電極１５１とを、金属‐金属接合させることができる。

次に、積層体のサファイア基板を、例えば、研磨およびプラズマエッチングにより除去する。次に、第２半導体層１５４に第２電極１５５を形成する。第２電極１５５は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。

次に、積層体をパターニングして、複数の発光素子１５０を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングによって行われる。

次に、スペーサー１４０および発光素子１５０を覆うように、絶縁層１６０を形成する。絶縁層１６０は、例えば、ＣＶＤ法、スピンコート法によって形成される。

次に、コモン電極パッド１７０および配線層１８０を形成する。コモン電極パッド１７０および配線層１８０は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。

次に、配線層１８０にマイクロミラーアレイ１９０を配置する。

以上の工程により、青色発光装置１２Ｂを製造することができる。

なお、緑色発光装置１２Ｇおよび赤色発光装置１２Ｒは、基本的に、青色発光装置１２Ｂと同じ構造を有する。ただし、赤色発光装置１２Ｒは、青色発光装置１２ＢのようにＧａＮ系ではなく、ＧａＡｓ結晶上に成長させたＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰが適している。

また、図示はしないが、第１半導体層１５２、発光層１５３、および第２半導体層１５４は、複数のナノコラムを構成していてもよい。

また、上記では、基板１１０側にｐ型の第１半導体層１５２が設けられている例について説明したが、基板１１０側にｎ型の第２半導体層１５４が設けられていてもよい。

１．３． 光学デバイス
図４は、光学デバイス１６を模式的に示す平面図である。図５は、光学デバイス１６を模式的に示す図４のＶ－Ｖ線断面図である。なお、便宜上、図１では、光学デバイス１６を簡略化して図示している。

光学デバイス１６は、図４および図５に示すように、例えば、入射部２１０と、第１枠部２２０と、第２枠部２３０と、固定部２４０と、第１軸部２５０，２５２と、第２軸部２６０，２６２と、第１アクチュエーター２７０と、第２アクチュエーター２８０と、を有している。

入射部２１０には、光源１０からの光が入射する。具体的には、入射部２１０には、複数の発光素子１５０からの光が入射する。入射部２１０は、入射した光を透過させる。入射部２１０は、例えば、ガラス板である。図４に示す例では、入射部２１０に光が入射する方向Ｌ（以下、「入射方向Ｌ」といもいう）からみて、入射部２１０の形状は、正方形である。

第１枠部２２０は、入射部２１０を保持している。第１枠部２２０は、入射方向Ｌからみて、入射部２１０を囲んでいる。

第２枠部２３０は、第１枠部２２０と離間して設けられている。第２枠部２３０は、入射方向Ｌからみて、第１枠部２２０を囲んでいる。入射部２１０および第１枠部２２０は、入射方向Ｌからみて、第２枠部２３０の内側に設けられている。

固定部２４０は、第２枠部２３０と離間して設けられている。固定部２４０は、入射方向Ｌからみて、第２枠部２３０を囲んでいる。入射部２１０、第１枠部２２０、および第２枠部２３０は、入射方向Ｌからみて、固定部２４０の内側に設けられている。入射部２１０は、固定部２４０に対して可動する。図５に示す例では、固定部２４０は、アクチュエーター２７０，２８０が載置される載置部２４２を有している。載置部２４２は、入射方向Ｌからみて、枠部２２０，２３０と重なり、入射部２１０と重なっていない。

なお、図示はしないが、載置部２４２は、固定部２４０の一部ではなく、固定部２４０とは別の部材であってもよい。また、便宜上、図４では、載置部２４２の図示を省略している。

第１軸部２５０，２５２は、第１枠部２２０と第２枠部２３０とを接続している。第１軸部２５０，２５２間に、入射部２１０が設けられている。第１軸部２５０，２５２は、第１揺動軸Ｊ１上に設けられている。第１軸部２５０，２５２は、第２枠部２３０に対して、第１枠部２２０を第１揺動軸Ｊ１回りに揺動可能に支持している。

第２軸部２６０，２６２は、第２枠部２３０と固定部２４０とを接続している。第２軸部２６０，２６２間に、入射部２１０が設けられている。第２軸部２６０，２６２は、第２揺動軸Ｊ２上に設けられている。第２揺動軸Ｊ２は、第１揺動軸Ｊ１と直交する軸である。入射方向Ｌは、例えば、第１揺動軸Ｊ１および第２揺動軸Ｊ２と直交する方向である。第２軸部２６０，２６２は、固定部２４０に対して、第２枠部２３０を第２揺動軸Ｊ２回りに揺動可能に支持している。

第１アクチュエーター２７０は、第１軸部２５０，２５２を変形させることにより、第１枠部２２０を第１揺動軸Ｊ１回りに揺動させる。これにより、入射方向Ｌに対する入射部２１０の入射面の垂線Ｎの傾きが変化し、入射部２１０に入射する光の光路を変化させることができる。第１アクチュエーター２７０は、例えば、互いに対向する第１コイル２７２および第１永久磁石２７４によって構成されている。第１コイル２７２は、例えば、固定部２４０の載置部２４２に設けられている。第１永久磁石２７４は、例えば、第１枠部２２０に設けられている。

第２アクチュエーター２８０は、第２軸部２６０，２６２を変形させることにより、第２枠部２３０を第２揺動軸Ｊ２回りに揺動させる。これにより、入射方向Ｌに対する垂線Ｎの傾きが変化し、入射部２１０に入射する光の光路を変化させることができる。第２アクチュエーター２８０は、例えば、互いに対向する第２コイルおよび第２永久磁石によって構成されている。第２コイルは、例えば、固定部２４０の載置部２４２に設けられている。第２永久磁石は、例えば、第２枠部２３０に設けられている。

光学デバイス１６は、アクチュエーター２７０，２８０によって、入射部２１０の姿勢を変化させる。言い換えると、光学デバイス１６は、アクチュエーター２７０，２８０によって、入射部２１０の入射面の垂線Ｎの方向を変化させる。これによって、光学デバイス１６は、複数の発光素子１５０から出射される光の光路を変化させる。入射部２１０は、例えば、アクチュエーター２７０，２８０によって、第１姿勢と、第２姿勢と、第３姿勢と、第４姿勢と、をとる。第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢、および第４姿勢は、互いに異なる姿勢である。すなわち、第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢、および第４姿勢において、垂線Ｎの方向は、互いに異なる。入射部２１０が４つの姿勢をとることにより、発光素子１５０からの光路を４つに変化させることができる。

なお、上記では、１つの光学デバイス１６の入射部２１０が４つの姿勢をとることにより、発光素子１５０からの光路を４つに変化させることができる例に付いて説明したが、入射部が２つの姿勢をとることができる光学デバイスを入射方向Ｌに沿って並べて配置させることにより、発光素子１５０からの光路を４つに変化させてもよい。

１．４． 投射面に表示される画像
図６～図９は、スクリーン４０の投射面４２に表示される画像Ｇを説明するため図である。図６は、入射部２１０が第１姿勢の状態を示している。図７は、入射部２１０が第２姿勢の状態を示している。図８は、入射部２１０が第３姿勢の状態を示している。図９は、入射部２１０が第４姿勢の状態を示している。なお、図６～図９では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。図５に示す入射方向Ｌは、例えば、Ｚ軸方向である。

図６～図９に示すように、投射面４２には、画像Ｇが表示される。画像Ｇは、複数の画素Ｐによって構成されている。複数の画素Ｐは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って、マトリックス状に配列されている。図示の例では、２４個の画素Ｐが表示されているが、その数は、特に限定されない。複数の画素Ｐの数は、例えば、複数の発光素子１５０の数と同じである。数の発光素子１５０の各々は、投射面４２に画像Ｇを表示させるための画像情報に応じて光を射出する。図示の例では、画素Ｐの形状は、正方形である。複数の画素Ｐの大きさは、互いに等しい。

図６～図９では、複数の画素Ｐのうちの第１画素をＰ１、第２画素をＰ２、第３画素をＰ３、第４画素をＰ４、第５画素をＰ５として示している。第１画素Ｐ１は、投射面４２の第１領域４２ａに形成される画素である。第２画素Ｐ２は、投射面４２の第２領域４２ｂに形成される画素である。第３画素Ｐ３は、投射面４２の第３領域４２ｃに形成される画素である。第４画素Ｐ４は、投射面４２の第４領域４２ｄに形成される画素である。第５画素Ｐ５は、投射面４２の第５領域４２ｅに形成される画素である。

第２画素Ｐ２は、第１画素Ｐ１よりも、画素Ｐの１つ分＋Ｘ軸方向であって、画素Ｐの１つ分＋Ｙ軸方向の画素である。第３画素Ｐ３は、第１画素Ｐ１よりも、画素Ｐの１つ分－Ｘ軸方向であって、画素Ｐの１つ分－Ｙ軸方向の画素である。第４画素Ｐ４は、第１画素Ｐ１よりも、画素Ｐの１つ分－Ｘ軸方向の画素である。第５画素Ｐ５は、第１画素Ｐ１よりも、画素Ｐの１つ分－Ｙ軸方向の画素である。

図６に示すように、入射部２１０が第１姿勢の状態では、第１画素Ｐ１は、第１発光素子で形成される。光源１０は、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子、第５発光素子を含む複数の発光素子１５０を有している。以下では、第１発光素子、第２発光素子、第３発光素子、第４発光素子、第５発光素子を、それぞれ、ＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３、ＬＥＤ４、ＬＥＤ５ともいう。ＬＥＤ１～ＬＥＤ５からの光は、入射部２１０に入射する。

入射部２１０が第１姿勢の状態では、第２画素Ｐ２は、ＬＥＤ５で形成される。第３画素Ｐ３は、ＬＥＤ２で形成される。第４画素Ｐ４は、ＬＥＤ３で形成される。第５画素Ｐ５は、ＬＥＤ４で形成される。画素Ｐ１～Ｐ５以外の画素Ｐは、所定のＬＥＤ（発光素子１５０）によって形成される。なお、便宜上、図６～図９では、画素Ｐを示す四角の内側に、当該画素Ｐを形成するＬＥＤ名を記載している。

ここで、図１０は、ＬＥＤ１～ＬＥＤ５に入力される制御信号を説明するための図である。

図１０に示すように、ＬＥＤ１には第１制御信号Ｑ１が入力され、入射部２１０が第１姿勢の状態で、ＬＥＤ１は、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成する。ＬＥＤ５には第２制御信号Ｑ２が入力され、ＬＥＤ５は、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成する。ＬＥＤ２には第３制御信号Ｑ３が入力され、ＬＥＤ２は、投射面４２に第３画素Ｐ３を形成する。ＬＥＤ３には第４制御信号Ｑ４が入力され、ＬＥＤ３は、投射面４２に第４画素Ｐ４を形成する。ＬＥＤ４には第５制御信号Ｑ５が入力され、ＬＥＤ４は、投射面４２に第５画素Ｐ５を形成する。制御信号Ｑ１～Ｑ５は、取得した画像情報に基づく階調信号であり、ＬＥＤ１～ＬＥＤ５に、所定の電気量を供給するための信号である。

図７に示すように、入射部２１０が第２姿勢の状態では、画像Ｇは、第１姿勢の状態よりも、画素Ｐの１つ分＋Ｘ軸方向であって、画素Ｐの１つ分＋Ｙ軸方向に移動する。図７では、第１姿勢の状態の画像Ｇを破線で示している。入射部２１０が第２姿勢の状態では、第１画素Ｐ１は、ＬＥＤ２によって形成される。第２画素Ｐ２は、ＬＥＤ１によって形成される。画素Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５および他の画素Ｐは、所定のＬＥＤによって形成される。

図１０に示すように、ＬＥＤ１には第２制御信号Ｑ２が入力され、入射部２１０が第２姿勢の状態で、ＬＥＤ１は、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成する。ＬＥＤ２には第１制御信号Ｑ１が入力され、ＬＥＤ２は、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成する。

第２姿勢の状態で第２画素Ｐ２を形成するための第２制御信号Ｑ２によってＬＥＤ１に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第２画素Ｐ２を形成するための第２制御信号Ｑ２によってＬＥＤ５に供給される電気量と同じである。第２姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ２に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ１に供給される電気量と同じである。ＬＥＤ３，４，５および他のＬＥＤには、画像情報に基づいて所定の制御信号が入力される。

図８に示すように、入射部２１０が第３姿勢の状態では、画像Ｇは、第２姿勢の状態よりも、画素Ｐの１つ分－Ｙ軸方向に移動する。図８では、第２姿勢の状態の画像Ｇを破線で示している。入射部２１０が第３姿勢の状態では、第１画素Ｐ１は、ＬＥＤ３で形成される。第５画素Ｐ５は、ＬＥＤ２で形成される。画素Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４およびその他の画素Ｐは、所定のＬＥＤによって形成される。

図１０に示すように、ＬＥＤ２には第５制御信号Ｑ５が入力され、入射部２１０が第３姿勢の状態で、ＬＥＤ２は、投射面４２に第５画素Ｐ５を形成する。ＬＥＤ３には第１制御信号Ｑ１が入力され、ＬＥＤ３は、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成する。

第３姿勢の状態で第５画素Ｐ５を形成するための第５制御信号Ｑ５によってＬＥＤ２に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第５画素Ｐ５を形成するための第５制御信号Ｑ５によってＬＥＤ４に供給される電気量と同じである。第３姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ３に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ１に供給される電気量と同じである。

図９に示すように、入射部２１０が第４姿勢の状態では、画像Ｇは、第３姿勢の状態よりも、画素Ｐの１つ分－Ｘ軸方向であって、画素Ｐの１つ分＋Ｙ軸方向に移動する。図９では、第３姿勢の状態の画像Ｇを破線で示している。入射部２１０が第４姿勢の状態では、第１画素Ｐ１は、ＬＥＤ４で形成される。第４画素Ｐ４は、ＬＥＤ２で形成される。

図１０に示すように、ＬＥＤ２には第４制御信号Ｑ４が入力され、入射部２１０が第４姿勢の状態で、ＬＥＤ２は、投射面４２に第４画素Ｐ４を形成する。ＬＥＤ４には第１制御信号Ｑ１が入力され、ＬＥＤ４は、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成する。

第４姿勢の状態で第４画素Ｐ４を形成するための第４制御信号Ｑ４によってＬＥＤ２に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第４画素Ｐ４を形成するための第４制御信号Ｑ４によってＬＥＤ３に供給される電気量と同じである。第４姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ４に供給される電気量は、第１姿勢の状態で第１画素Ｐ１を形成するための第１制御信号Ｑ１によってＬＥＤ１に供給される電気量と同じである。

以上のように、プロジェクター１００では、光学デバイス１６入射部２１０の姿勢を変えることにより、例えば、各姿勢における複数のＬＥＤからの光を重ね合わせることによって、複数の画素Ｐを形成する。

光学デバイス１６の入射部２１０は、１／６０秒以下の周期で、第１姿勢、第２姿勢、第３姿勢、および第４姿勢を繰り返す。１／６０秒以下の周期であれば、入射部２１０の各姿勢の切り替えは、人間の目では認識されない。第１画素Ｐ１は、１／６０秒以下の周期で、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とＬＥＤ４とで切り替えられて形成される。第１画素Ｐ１は、例えば、１／２４０秒以上の周期で、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とＬＥＤ４とで切り替えられて形成される。図１０に示す例では、光学デバイス１６の入射部２１０第１姿勢から第４姿勢までの一連の動作にかかる時間は、１／６０秒である。第１姿勢から第４姿勢までの各姿勢は、１／２４０秒間保たれる。

１．５． 制御部
図１１は、制御部３０の処理を説明するためのフローチャートである。ユーザーは、例えば、図示せぬ操作部を操作して、制御部３０に処理を開始するための処理開始信号を出力する。操作部は、例えば、マウス、キーボード、タッチパネルなどによって実現される。制御部３０は、処理開始信号を受けると処理を開始する。

まず、制御部３０は、図１１に示すように、光源１０からの光で投射面４２に画像Ｇを表示させるための画像情報を取得する処理を行う（ステップＳ１）。画像情報は、例えば、処理開始信号に含まれている。

次に、制御部３０は、取得した画像情報に基づいて、画像Ｇを投射面４２に表示させるための制御信号を生成する処理を行う（ステップＳ２）。

具体的には、制御部３０は、画像Ｇを構成する複数の画素Ｐに応じて、複数の制御信号を生成する。複数の制御信号のうちの第１制御信号Ｑ１は、第１画素Ｐ１を投射面４２に表示させるための信号である。複数の制御信号のうちの第２制御信号Ｑ２は、第２画素Ｐ２を投射面４２に表示させるための信号である。複数の制御信号のうちの第３制御信号Ｑ３は、第３画素Ｐ３を投射面４２に表示させるための信号である。複数の制御信号のうちの第４制御信号Ｑ４は、第４画素Ｐ４を投射面４２に表示させるための信号である。複数の制御信号のうちの第５制御信号Ｑ５は、第５画素Ｐ５を投射面４２に表示させるための信号である。

次に、制御部３０は、光学デバイス１６に第１姿勢信号を入力して、入射部２１０を第１姿勢にする処理を行う（ステップＳ３）。

具体的には、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ１で形成され、第２画素Ｐ２がＬＥＤ５で形成され、第３画素Ｐ３がＬＥＤ２で形成され、第４画素Ｐ４がＬＥＤ３で形成され、第５画素Ｐ５がＬＥＤ４で形成されるように、制御部３０は、入射部２１０を第１姿勢にする。第１姿勢は、投射面４２に表示された画像Ｇの第２画素Ｐ２がＬＥＤ５で形成される姿勢である。

次に、制御部３０は、複数の発光素子１５０（ＬＥＤ）に所定の制御信号を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に複数の画素Ｐを形成させる処理を行う（ステップＳ４）。

具体的には、制御部３０は、ＬＥＤ１に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ５に第２制御信号Ｑ２を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ２に第３制御信号Ｑ３を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第３画素Ｐ３を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ３に第４制御信号Ｑ４を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第４画素Ｐ４を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ４に第５制御信号Ｑ５を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第５画素Ｐ５を形成させる。

なお、入射部２１０が第１姿勢の状態で投射面４２に複数の画素Ｐを形成させることができれば、ステップＳ３における光学デバイス１６への姿勢信号の入力と、ステップＳ４におけるＬＥＤへの制御信号の入力と、の順番は、特に限定されない。光学デバイス１６への姿勢信号の入力と、ＬＥＤへの制御信号の入力とは、同期して行われてもよい。

このことは、後述するステップＳ５における光学デバイス１６への姿勢信号の入力と、ステップＳ６におけるＬＥＤへの制御信号の入力と、において同様である。さらに、ステップＳ７における光学デバイス１６への姿勢信号の入力と、ステップＳ８におけるＬＥＤへの制御信号の入力と、において同様である。さらに、ステップＳ９における光学デバイス１６への姿勢信号の入力と、ステップＳ１０におけるＬＥＤへの制御信号の入力と、において同様である。

次に、制御部３０は、光学デバイス１６に第２姿勢信号を入力して、入射部２１０を第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理を行う（ステップＳ５）。

具体的には、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ２で形成され、画像Ｇの第２画素Ｐ２がＬＥＤ１で形成されるように、制御部３０は、入射部２１０を第１姿勢から第２姿勢に切り替える。第２姿勢は、投射面４２に表示された画像Ｇの第２画素Ｐ２がＬＥＤ１で形成される姿勢である。

次に、制御部３０は、複数のＬＥＤに所定の制御信号を入力して、入射部２１０が第２姿勢の状態で、投射面４２に複数の画素Ｐを形成させる処理を行う（ステップＳ６）。

具体的には、制御部３０は、ＬＥＤ１に第２制御信号Ｑ２を入力して、入射部２１０が第２姿勢の状態で、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ２に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第３姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる。

次に、制御部３０は、光学デバイス１６に第３姿勢信号を入力して、入射部２１０を第２姿勢から第３姿勢に切り替える処理を行う（ステップＳ７）。

具体的には、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ３で形成され、画像Ｇの第５画素Ｐ５がＬＥＤ２で形成されるように、制御部３０は、入射部２１０を第２姿勢から第３姿勢に切り替える。

次に、制御部３０は、複数のＬＥＤに所定の制御信号を入力して、入射部２１０が第３姿勢の状態で、投射面４２に複数の画素Ｐを形成させる処理を行う（ステップＳ８）。

具体的には、制御部３０は、ＬＥＤ２に第５制御信号Ｑ５を入力して、入射部２１０が第３姿勢の状態で、投射面４２に第５画素Ｐ５を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ３に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第３姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる。

次に、制御部３０は、光学デバイス１６に第４姿勢信号を入力して、入射部２１０を第３姿勢から第４姿勢に切り替える処理を行う（ステップＳ９）。

具体的には、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ４で形成され、画像Ｇの第４画素Ｐ４がＬＥＤ２で形成されるように、制御部３０は、入射部２１０を第３姿勢から第４姿勢に切り替える。

次に、制御部３０は、複数のＬＥＤに所定の制御信号を入力して、入射部２１０が第４姿勢の状態で、投射面４２に複数の画素Ｐを形成させる処理を行う（ステップＳ１０）。

具体的には、制御部３０は、ＬＥＤ２に第４制御信号Ｑ４を入力して、入射部２１０が第４姿勢の状態で投射面４２に第４画素Ｐ４を形成させる。さらに、制御部３０は、ＬＥＤ４に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第４姿勢の状態で投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる。

制御部３０は、例えば、ステップＳ１からステップＳ１０までの処理を、１／６０秒以下の時間で行う。その後、制御部３０は、画像Ｇを投射面４２に表示させるための処理を終了する。

画像Ｇに続いて他の画像を表示させる場合には、制御部３０は、例えば、ステップＳ１からステップＳ１０までの処理と、基本的に同様な処理を行い、他の画像を投射面４２に表示させる。そして、制御部３０は、例えば、表示させる画像がなくなったと判定するまで、同様の処理を送り返す。制御部３０は、例えば、表示させる画像がなくなったと判定した場合、処理を終了する。

１．６． 作用効果
プロジェクター１００では、画像情報を取得する処理と、取得した画像情報に基づいて、画像Ｇの第１画素Ｐ１を投射面４２に表示させるための第１制御信号Ｑ１を生成する処理と、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ１で形成されるように、入射部２１０を第１姿勢にする処理と、ＬＥＤ１に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる処理と、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ２で形成されるように、入射部２１０を第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理と、ＬＥＤ２に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第２姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる処理とを行う。第１画素Ｐ１は、１／６０秒以下の周期で、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とで切り替えられて形成される。

そのため、プロジェクター１００では、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とで発光強度が異なる場合でも、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とで発光強度を平均化して第１画素Ｐ１を形成することができる。これにより、第１画素Ｐ１がＬＥＤ１またはＬＥＤ２の一方のみによって形成される場合に比べて、輝度むらを低減することができる。

プロジェクター１００では、制御部３０は、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ３で形成されるように、入射部２１０を第２姿勢から第３姿勢に切り替える処理と、ＬＥＤ３に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第３姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる処理と、を行う。第１画素Ｐ１は、１／６０秒以下の周期で、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とで切り替えられて形成される。

そのため、プロジェクター１００では、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とで発光強度を平均化して第１画素Ｐ１を形成することができる。これにより、より輝度むらを低減することができる。

プロジェクター１００では、制御部３０は、投射面４２に表示された画像Ｇの第１画素Ｐ１がＬＥＤ４で形成されるように、入射部２１０を第３姿勢から第４姿勢に切り替える処理と、ＬＥＤ４に第１制御信号Ｑ１を入力して、入射部２１０が第４姿勢の状態で、投射面４２に第１画素Ｐ１を形成させる処理と、を行う。第１画素Ｐ１は、１／６０秒以下の周期で、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とＬＥＤ４とで切り替えられて形成される。

そのため、プロジェクター１００では、ＬＥＤ１とＬＥＤ２とＬＥＤ３とＬＥＤ４とで発光強度を平均化して第１画素Ｐ１を形成することができる。これにより、よりいっそう輝度むらを低減することができる。

プロジェクター１００では、第１姿勢は、投射面４２に表示された画像Ｇの第２画素Ｐ２がＬＥＤ５で形成される姿勢であり、第２姿勢は、投射面４２に表示された画像Ｇの第２画素Ｐ２がＬＥＤ１で形成される姿勢である。制御部３０は、取得した画像情報に基づいて、画像Ｇの第２画素Ｐ２を投射面４２に表示させるための第２制御信号Ｑ２を生成する処理と、ＬＥＤ５に第２制御信号Ｑ２を入力して、入射部２１０が第１姿勢の状態で、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成させる処理と、ＬＥＤ１に第２制御信号Ｑ２を入力して、入射部２１０が第２姿勢の状態で、投射面４２に第２画素Ｐ２を形成させる処理と、を行う。

そのため、プロジェクター１００では、ＬＥＤ１とＬＥＤ５とで発光強度が異なる場合でも、ＬＥＤ１とＬＥＤ５とで発光強度を平均化して第２画素Ｐ２を形成することができる。これにより、第２画素Ｐ２がＬＥＤ１またはＬＥＤ５の一方のみによって形成される場合に比べて、輝度むらを低減することができる。

ここで、図１２は、スクリーン４０の投射面４２に表示される画像Ｇを説明するため図であって、第１姿勢で表示される画像Ｇの複数の画素Ｐ、第２姿勢で表示される画像Ｇの複数の画素Ｐ、第３姿勢で表示される画像Ｇの複数の画素Ｐ、および第４姿勢で表示される画像Ｇの複数の画素Ｐを重ねて示したものである。

図１２に示す複数の画素Ｐのうち最外周に位置する２０個の画素Ｐは、入射部２１０の姿勢を４つの状態に変えても、画素Ｐの重なりは４回に到達しない。そのため、ＬＥＤが図１２に示す最外周に位置する画素Ｐを形成する場合には、当該ＬＥＤを点灯しないようにして、最外周に位置する画素Ｐを背景として用いてもよい。これにより、より輝度むらを低減することができる。なお、図１２に示す例では、最外周に位置する２０個の画素Ｐの内側に位置する１５個の画素Ｐを破線で囲んでいる。

なお、上記では、入射部２１０の姿勢を４つの状態に変える例について説明したが、入射部２１０の姿勢が２つ以上であれば、その数は、特に限定されない。

本発明に係るプロジェクターは、ＨＭＤ（Head Mounted Display）やＨＵＤ（Head Up Display）といったプロジェクターを応用した装置にも応用することができる。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。

プロジェクターの一態様は、
第１発光素子および第２発光素子を含む複数の発光素子を有する光源と、
前記複数の発光素子からの光が入射する入射部を有する光学デバイスと、
前記光源からの光を投射面に投射する投射装置と、
前記光源を制御する制御部と、
を有し、
前記複数の発光素子の各々は、前記投射面に画像を表示させるための画像情報に応じて光を射出し、
前記制御部は、
前記画像情報を取得する処理と、
取得した前記画像情報に基づいて、前記画像の第１画素を前記投射面に表示させるための第１制御信号を生成する処理と、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第１発光素子で形成されるように、前記入射部を第１姿勢にする処理と、
前記第１発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第２発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理と、
前記第２発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
を行い、
前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子とで切り替えられて形成される。

このプロジェクターによれば、輝度むらを低減することができる。

プロジェクターの一態様において、
前記光源は、第３発光素子を有し、
前記入射部には、前記第３発光素子からの光が入射し、
前記制御部は、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第３発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第２姿勢から第３姿勢に切り替える処理と、
前記第３発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第３姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
を行い、
前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とで切り替えられて形成されてもよい。

このプロジェクターによれば、より輝度むらを低減することができる。

プロジェクターの一態様において、
前記光源は、第４発光素子を有し、
前記入射部には、前記第４発光素子からの光が入射し、
前記制御部は、
前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第４発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第３姿勢から第４姿勢に切り替える処理と、
前記第４発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第４姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
を行い、
前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子と前記第４発光素子とで切り替えられて形成されてもよい。

このプロジェクターによれば、よりいっそう輝度むらを低減することができる。

プロジェクターの一態様において、
前記光源は、第５発光素子を有し、
前記入射部には、前記第５発光素子からの光が入射し、
前記第１姿勢は、前記投射面に表示された前記画像の第２画素が前記第５発光素子で形成される姿勢であり、
前記第２姿勢は、前記投射面に表示された前記画像の前記第２画素が前記第１発光素子で形成される姿勢であり、
前記制御部は、
取得した前記画像情報に基づいて、前記画像の前記第２画素を前記投射面に表示させるための第２制御信号を生成する処理と、
前記第５発光素子に前記第２制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第２画素を形成させる処理と、
前記第１発光素子に前記第２制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第２画素を形成させる処理と、
を行ってもよい。

このプロジェクターによれば、輝度むらを低減することができる。

１０…光源、１２Ｒ…赤色発光装置、１２Ｇ…緑色発光装置、１２Ｂ…青色発光装置、１４…フィリップスプリズム、１６…光学デバイス、２０…投射装置、３０…制御部、４０…スクリーン、４２…投射面、４２ａ…第１領域、４２ｂ…第２領域、４２ｃ…第３領域、４２ｄ…第４領域、４２ｅ…第５領域、１００…プロジェクター、１１０…基板、１２０…ヒートシンク、１３０…駆動回路基板、１３１…ゲート線、１３２…信号線、１３３…電源線、１３４…スイッチング用ＴＦＴ、１３５…駆動用ＴＦＴ、１３６…キャパシター、１４０…スペーサー、１４２…保護層、１４４…第１パッド、１４６…第２パッド、１５０…発光素子、１５１…第１電極、１５２…第１半導体層、１５３…発光層、１５４…第２半導体層、１５５…第２電極、１６０…絶縁層、１７０…コモン電極パッド、１８０…配線層、１９０…マイクロミラーアレイ、１９２…支持部材、１９３…開口部、１９４…マイクロミラー、２１０…入射部、２２０…第１枠部、２３０…第２枠部、２４０…固定部、２４２…載置部、２５０，２５２…第１軸部、２６０，２６２…第２軸部、２７０…第１アクチュエーター、２７２…第１コイル、２７４…第１永久磁石、２８０…第２アクチュエーター

Claims (4)

1. 第１発光素子および第２発光素子を含む複数の発光素子を有する光源と、
   前記複数の発光素子からの光が入射する入射部を有する光学デバイスと、
   前記光源からの光を投射面に投射する投射装置と、
   前記光源を制御する制御部と、
   を有し、
   前記複数の発光素子の各々は、前記投射面に画像を表示させるための画像情報に応じて光を射出し、
   前記制御部は、
   前記画像情報を取得する処理と、
   取得した前記画像情報に基づいて、前記画像の第１画素を前記投射面に表示させるための第１制御信号を生成する処理と、
   前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第１発光素子で形成されるように、前記入射部を第１姿勢にする処理と、
   前記第１発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
   前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第２発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第１姿勢から第２姿勢に切り替える処理と、
   前記第２発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
   を行い、
   前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子とで切り替えられて形成される、プロジェクター。
2. 請求項１において、
   前記光源は、第３発光素子を有し、
   前記入射部には、前記第３発光素子からの光が入射し、
   前記制御部は、
   前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第３発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第２姿勢から第３姿勢に切り替える処理と、
   前記第３発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第３姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
   を行い、
   前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とで切り替えられて形成される、プロジェクター。
3. 請求項２において、
   前記光源は、第４発光素子を有し、
   前記入射部には、前記第４発光素子からの光が入射し、
   前記制御部は、
   前記投射面に表示された前記画像の前記第１画素が前記第４発光素子で形成されるように、前記入射部を前記第３姿勢から第４姿勢に切り替える処理と、
   前記第４発光素子に前記第１制御信号を入力して、前記入射部が前記第４姿勢の状態で、前記投射面に前記第１画素を形成させる処理と、
   を行い、
   前記第１画素は、１／６０秒以下の周期で、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子と前記第４発光素子とで切り替えられて形成される、プロジェクター。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
   前記光源は、第５発光素子を有し、
   前記入射部には、前記第５発光素子からの光が入射し、
   前記第１姿勢は、前記投射面に表示された前記画像の第２画素が前記第５発光素子で形成される姿勢であり、
   前記第２姿勢は、前記投射面に表示された前記画像の前記第２画素が前記第１発光素子で形成される姿勢であり、
   前記制御部は、
   取得した前記画像情報に基づいて、前記画像の前記第２画素を前記投射面に表示させるための第２制御信号を生成する処理と、
   前記第５発光素子に前記第２制御信号を入力して、前記入射部が前記第１姿勢の状態で、前記投射面に前記第２画素を形成させる処理と、
   前記第１発光素子に前記第２制御信号を入力して、前記入射部が前記第２姿勢の状態で、前記投射面に前記第２画素を形成させる処理と、
   を行う、プロジェクター。
   

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