JP2022141037A - プリント基板及びプリント基板組立体 - Google Patents

Abstract

【課題】導電接合部分及びその周辺構造における信号波形の劣化をより効果的に抑制できるプリント基板を提供する。【解決手段】プリント基板は、第１端子、及び第１端子に接続された第１信号配線を有する第１配線層と、第１端子と対向する導電接合用の第２端子を有する第２配線層と、第１配線層と第２配線層との間に介在し、第１方向および厚み方向と交差する方向に延在する端縁を有する第１誘電体層と、第１端子と第２端子との間に第１方向に沿って設けられ、第１端子と第２端子とを電気的に接続する複数のビアと、を備える。複数の第１ビアは、端縁側の第１端子の一端に最も近い第１ビアと、端縁と反対側の第２端子の一端に最も近い第２ビアと、を含む。第１ビアは、第１ビアの内部が端縁において外部に露出するように設けられたハーフビアである。第２ビアと、第２端子の端縁と反対側の一端との距離は、信号波長の１／８以下である。【選択図】図３

Description

本開示は、プリント基板及びプリント基板組立体に関する。

特許文献１には、フレキシブル配線基板に関する技術が開示されている。このフレキシブル配線基板は、少なくとも一本の信号配線を含む第１配線層と、接地導体パターンを含む第２配線層と、信号配線と電気的に接続され、外部の導電要素との電気的接続を図るための端子とを備える。信号配線は、接地導体パターンに沿って配設された伝送線路部と、伝送線路部と端子とを相互に接続する配線部とを有する。

特開２０１０－２１２６１７号公報

例えばフレキシブル配線基板といったプリント基板の端子と、光通信モジュールのパッケージといった被接合体の端子とを相互に導電接合する構成が知られている。高周波信号を伝送するための信号配線をプリント基板及び被接合体が有する場合、それらの信号配線に接続された端子同士を導電接合することにより、それらの信号配線を相互に接続する。そして、導電接合部分及びその周辺構造においてインピーダンス整合を図ることにより、信号波形の劣化を抑制する。しかしながら、例えば３０ＧＨｚを超えるような極めて高い周波数の信号を伝送する場合、信号波形の劣化を抑制するために、インピーダンス整合のみでは不十分な場合がある。本開示は、導電接合部分及びその周辺構造における信号波形の劣化をより効果的に抑制できるプリント基板及びプリント基板組立体を提供することを目的とする。

本開示のプリント基板は、第１方向の端部に接続部を有し、高周波信号を伝送するためのプリント基板である。このプリント基板は、接続部に設けられた第１端子、及び第１端子に接続された第１信号配線を有する第１配線層と、第１方向と交差するプリント基板の厚み方向において第１端子と対向する導電接合用の第２端子を有する第２配線層と、第１配線層と第２配線層との間に介在し、端部において第１方向および厚み方向と交差する方向に延在する端縁を有する第１誘電体層と、第１端子と第２端子との間に第１方向に沿って設けられ、第１端子と第２端子とを電気的に接続する複数のビアと、を備える。複数のビアは、第１方向における第１端子の端縁側の一端に最も近い第１ビアと、第１方向における第２端子の端縁と反対側の一端に最も近い第２ビアと、を含む。第１ビアと、第１端子の端縁側の一端との距離は、第１端子における高周波信号の信号波長の１／８以下である。または、第１ビアは、第１ビアの内部が端縁において外部に露出するように設けられたハーフビアである。第２ビアと、第２端子の端縁と反対側の一端との距離は、第２端子における高周波信号の信号波長の１／８以下である。

本開示によれば、導電接合部分及びその周辺構造における信号波形の劣化をより効果的に抑制できるプリント基板及びプリント基板組立体を提供することが可能となる。

図１は、本開示の一実施形態に係るプリント基板としてのフレキシブル配線基板をおもて側から見た外観を示す平面図である。 図２は、フレキシブル配線基板を裏側から見た外観を示す底面図である。 図３は、フレキシブル配線基板の一部を拡大して示す切欠き斜視図である。 図４は、フレキシブル配線基板の接合対象である光モジュールの外観を示す斜視図である。 図５は、光モジュールの平面図である。 図６は、フレキシブル配線基板をパッケージに接合した状態を示す斜視図である。 図７は、同状態を示す側面図である。 図８は、図６の一部を拡大して示す斜視図である。 図９は、比較例として、図３及び図８に示された信号端子間の複数のビアのうち、誘電体基板の端縁から最も離れたビアを省いた構成を拡大して示す斜視図である。 図１０は、図８に示した一実施形態の構成と、図９に示した比較例の構成とにおける、信号周波数と差動透過特性Ｓｄｄ２１との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。 図１１は、シミュレーションを行ったモデルを示す図である。 図１２は、シミュレーションにおいて、誘電体基板の端縁から最も離れたビアと信号端子の一端とのＸ方向における距離が最も小さいモデルを示す斜視図である。 図１３は、シミュレーションにおいて、誘電体基板の端縁から最も離れたビアと信号端子の一端とのＸ方向における距離が最も大きいモデルを示す斜視図である。 図１４は、シミュレーションの結果を示すグラフである。 図１５は、シミュレーションに用いた回路モデルを示す図である。 図１６は、図１５の回路モデルによるシミュレーションの結果を示すグラフである。 図１７は、第１変形例に係るプリント基板組立体の構成を示す断面図である。 図１８は、第２変形例に係るプリント基板組立体の構成を示す断面図である。 図１９は、第３変形例に係るプリント基板組立体を部分的に拡大して示す斜視図である。 図２０は、第３変形例のプリント基板組立体の部分側面図である。 図２１は、第４変形例に係るフレキシブル配線基板を部分的に拡大して示す斜視図である。 図２２は、第５変形例に係るフレキシブル配線基板を部分的に拡大して示す斜視図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態を列記して説明する。一実施形態に係るプリント基板は、第１方向の端部に接続部を有し、高周波信号を伝送するためのプリント基板である。このプリント基板は、接続部に設けられた第１端子、及び第１端子に接続された第１信号配線を有する第１配線層と、第１方向と交差するプリント基板の厚み方向において第１端子と対向する導電接合用の第２端子を有する第２配線層と、第１配線層と第２配線層との間に介在し、端部において第１方向および厚み方向と交差する方向に延在する端縁を有する第１誘電体層と、第１端子と第２端子との間に第１方向に沿って設けられ、第１端子と第２端子とを電気的に接続する複数のビアと、を備える。複数のビアは、第１方向における第１端子の端縁側の一端に最も近い第１ビアと、第１方向における第２端子の端縁と反対側の一端に最も近い第２ビアと、を含む。第１ビアと、第１端子の端縁側の一端との距離は、第１端子における高周波信号の信号波長の１／８以下である。または、第１ビアは、第１ビアの内部が端縁において外部に露出するように設けられたハーフビアである。第２ビアと、第２端子の端縁と反対側の一端との距離は、第２端子における高周波信号の信号波長の１／８以下である。

例えば３０ＧＨｚといった高周波信号を伝送する場合、信号波長の１／４以下の長さのオープンスタブが信号伝送経路の途中に存在すると、そのオープンスタブが容量性に見え、そのオープンスタブにおける高周波信号の反射が増大するので、高周波信号の信号波形が劣化してしまう。上記のプリント基板においては、第１ビアの位置から第１誘電体層の端縁に向けて突出する第１端子の一端と、第２ビアの位置から該端縁の反対側に向けて突出する第２端子の一端とが、第１信号配線を伝搬する高周波信号に対してオープンスタブとして作用する。本発明者のシミュレーションによれば、このオープンスタブの長さが信号波長の１／８以下である場合、高周波信号の信号波形の劣化が効果的に抑制される。すなわち、上記のプリント基板のように、第１方向における第１端子の両端のうち第１誘電体層の端縁側の一端と第１ビアとの距離が信号波長の１／８以下であるか、または、第１ビアが第１誘電体層の端縁に設けられたハーフビアであることと、第１方向における第２端子の両端のうち第１誘電体層の端縁とは反対側の一端と第２ビアとの距離が信号波長の１／８以下であることとによって、高周波信号の信号波形の劣化が効果的に抑制される。

上記プリント基板において、第１端子における高周波信号の信号波長および第２端子における高周波信号の信号波長は、３０ＧＨｚ以上の周波数を有する高周波信号について定められてもよい。第１端子及び第２端子に供給される信号がこのような高周波信号である場合に、上記のプリント基板が特に有用である。

上記プリント基板において、第１ビアと第１端子の一端との距離は第１端子における高周波信号の信号波長の１／１６以下であってもよい。この場合、高周波信号の信号波形の劣化がより効果的に抑制される。

上記プリント基板において、第２ビアと第２端子の一端との距離は第２端子における高周波信号の信号波長の１／１６以下であってもよい。この場合、高周波信号の信号波形の劣化がより効果的に抑制される。

上記プリント基板において、第１誘電体層は可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

一実施形態に係るプリント基板組立体は、上記いずれかのプリント基板と、第２端子と導電接合される第３端子を含む第３配線層を有する被接合体と、を備える。第３端子が第２端子と導電接合されている状態において、第１方向における第３端子の両端のうち第１誘電体層の端縁とは反対側の一端と第２ビアとの距離は、第３端子における高周波信号の信号波長の１／８以下である。このプリント基板組立体によれば、上記いずれかのプリント基板を備えることにより、高周波信号の信号波形の劣化を抑制できる。加えて、第１誘電体層の端縁とは反対側の第３端子の一端と第２ビアとの距離が信号波長の１／８以下であることにより、第３端子により生じるオープンスタブを小さくして、高周波信号の信号波形の劣化を更に抑制できる。

上記プリント基板組立体において、第３端子における高周波信号の信号波長は、３０ＧＨｚ以上の周波数を有する高周波信号について定められてもよい。第３端子に供給される信号がこのような高周波信号である場合に、上記のプリント基板が特に有用である。

上記プリント基板組立体において、被接合体は、第１方向におけるプリント基板と被接合体との位置決めを行う位置決め部を更に備えてもよい。この場合、第２ビアと第３端子との第１方向における相対位置を精度よく位置決めできる。故に、組立誤差に起因して第３端子によるオープンスタブが大きくなることを抑制できる。

上記プリント基板組立体において、位置決め部は、端縁と当接してもよい。この場合、第１方向におけるプリント基板と被接合体との位置決めを、簡易な構成により容易に行うことができる。この場合、位置決め部が端縁と当接しているとき、第１方向において、第２端子の端縁と反対側の一端の位置は、第３端子の端縁と反対側の一端の位置に等しくてもよい。

上記プリント基板組立体において、被接合体は、受光素子及び発光素子のうち少なくとも一方の素子を備える光モジュールの、少なくとも一方の素子を収容するパッケージであってもよい。この場合、受光素子から出力される高周波信号、または発光素子に入力される高周波信号の、各信号波形の劣化を効果的に抑制可能な光モジュールを提供できる。

上記プリント基板組立体において、被接合体は、プリント基板の厚み方向において第３端子と対向する第２信号配線を含む第４配線層と、第３配線層と第４配線層との間に介在する第２誘電体層と、第３端子と第２信号配線との間に第１方向に沿って設けられ、第３端子と第２信号配線とを電気的に接続する複数の第３ビアと、を備えてもよい。そして、第１方向における第２信号配線のプリント基板側の一端と、第３端子と第２信号配線との間の複数の第３ビアのうち第２信号配線の一端に最も近い第３ビアとの距離が、第２信号配線における高周波信号の信号波長の１／８以下であってもよい。この場合、第２信号配線に生じるオープンスタブを小さくして、高周波信号の信号波形の劣化を更に抑制できる。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示のプリント基板及びプリント基板組立体の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。各図面には、説明のため必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。

図１は、本開示の一実施形態に係るプリント基板としてのフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）３Ａをおもて側から見た外観を示す平面図である。図２は、フレキシブル配線基板３Ａを裏側から見た外観を示す底面図である。図３は、フレキシブル配線基板３Ａの一部を拡大して示す切欠き斜視図である。本実施形態のフレキシブル配線基板３Ａは、Ｘ方向（第１方向）を長手方向とし、Ｘ方向と直交するＹ方向を短手方向とする薄板状の部材である。一例では、フレキシブル配線基板３Ａの平面形状は長方形である。フレキシブル配線基板３Ａは、Ｘ方向における端部に接続部３０を有する。接続部３０は、後述する被接合体とフレキシブル配線基板３Ａとを電気的に接合するための部分である。接続部３０は、フレキシブル配線基板３Ａの端部において、Ｙ方向におけるフレキシブル配線基板３Ａの一端から他端にわたって設けられている。なお、図にはフレキシブル配線基板３Ａの一方の端部に設けられた接続部３０を示しているが、フレキシブル配線基板３Ａの他方の端部にも、同様の構造を有する接続部が設けられてもよい。

フレキシブル配線基板３Ａは、誘電体層３１と、第１配線層３２及び保護膜３４（ともに図１を参照）と、第２配線層３５及び保護膜３６（ともに図２を参照）と、複数のビア（スルーホールまたはビアホールともいう）３３とを備えている。

誘電体層３１は、第１配線層３２と第２配線層３５との間に介在する。誘電体層３１は、ＸＹ平面に沿って延在しており、例えばポリイミド、液晶ポリマー（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）、フッ素系樹脂といった樹脂材料により構成され、可撓性を有する樹脂フィルムである。誘電体層３１のＺ方向における厚さは例えば０．０５ｍｍである。誘電体層３１は、平坦な第１面３１ａと、第１面３１ａとは反対を向く平坦な第２面３１ｂとを有する。第１面３１ａは、第２面３１ｂと平行である。誘電体層３１の平面形状はＸ方向を長手方向とする長方形であり、Ｘ方向における端縁３１ｃを有する。端縁３１ｃは、フレキシブル配線基板３Ａの端部（接続部３０）に含まれる。端縁３１ｃは、フレキシブル配線基板３Ａの長手方向であるＸ方向と交差する方向、例えばＹ方向に沿って延在している。

第１配線層３２は、誘電体層３１の第１面３１ａ上に設けられた導電膜を含む配線層である。第１配線層３２は、導電膜である信号端子３２ａ，３２ｂと、導電膜である接地端子３２ｃと、導電膜である信号配線３２ｄ，３２ｅとを有する。これらの導電膜は、例えば銅メッキといった金属膜である。信号端子３２ａ，３２ｂは、本開示における第１端子に対応する。信号端子３２ａ，３２ｂの平面形状は、Ｘ方向を長手方向とする長方形である。信号配線３２ｄ，３２ｅは、本開示における第１信号配線に対応する。

信号端子３２ａ，３２ｂ及び接地端子３２ｃは、接続部３０内においてＹ方向に並んで配置されている。具体的には、複数の接地端子３２ｃがＹ方向に並んで配置されている。そして、これらの接地端子３２ｃの間に、Ｙ方向に隣り合って配置された信号端子３２ａ，３２ｂからなる組が配置されている。言い換えると、接地端子３２ｃと、信号端子３２ａ，３２ｂの組とがＹ方向に沿って交互に配置されている。また、信号配線３２ｄ，３２ｅは、フレキシブル配線基板３Ａの一方の端部から他方の端部までＸ方向に沿って延在している。信号配線３２ｄの一端は信号端子３２ａに接続され、信号配線３２ｅの一端は信号端子３２ｂに接続されている。Ｘ方向における信号配線３２ｄ，３２ｅの長さは、同方向における信号端子３２ａ，３２ｂの長さよりも大きい。Ｙ方向における信号配線３２ｄ，３２ｅの幅は、同方向における信号端子３２ａ，３２ｂの幅よりも小さい。

信号配線３２ｄ，３２ｅには、高周波の差動信号が供給される。信号配線３２ｄ，３２ｅに供給される信号の周波数は例えば３０ＧＨｚ以上、或いは５０ＧＨｚ以上である。信号配線３２ｄ，３２ｅは、後述する接地配線３５ｄとともにマイクロストリップラインを構成する。信号配線３２ｄ，３２ｅは、保護膜３４によって覆われている。保護膜３４は、接続部３０を除く第１面３１ａの全面にわたって設けられた絶縁膜である。保護膜３４は、例えばソルダーレジストやカバーレイといった樹脂材料を主に含む。

第２配線層３５は、誘電体層３１の第２面３１ｂ上に設けられた導電膜を含む配線層である。第２配線層３５は、導電膜である信号端子３５ａ，３５ｂと、導電膜である接地端子３５ｃと、導電膜である接地配線３５ｄとを有する。これらの導電膜は、例えば銅メッキといった金属膜である。信号端子３５ａ，３５ｂは、後述する被接合体との導電接合用の端子であって、本開示における第２端子に対応する。信号端子３５ａ，３５ｂの平面形状は、Ｘ方向を長手方向とする長方形である。

信号端子３５ａ，３５ｂ及び接地端子３５ｃは、接続部３０内においてＹ方向に並んで配置されている。具体的な態様は、第１配線層３２の信号端子３２ａ，３２ｂ及び接地端子３２ｃと同様である。信号端子３５ａ，３５ｂは、フレキシブル配線基板３Ａの厚み方向（Ｚ方向）において、誘電体層３１を挟んで信号端子３２ａ，３２ｂとそれぞれ対向する。接地端子３５ｃは、誘電体層３１を挟んで接地端子３２ｃと対向する位置に配置されている。接地配線３５ｄは、接続部３０を除いて、フレキシブル配線基板３Ａの一方の端部から他方の端部までＸ方向に沿って延在している。接地配線３５ｄの一端は接地端子３５ｃに接続されている。Ｙ方向における接地配線３５ｄの幅は、同方向における誘電体層３１の幅とほぼ等しい。

接地配線３５ｄは、保護膜３６によって覆われている。保護膜３６は、接続部３０を除く第２面３１ｂの全面にわたって設けられた絶縁膜である。保護膜３６の構成材料としては、例えば保護膜３４の構成材料として例示されたものが用いられる。

複数のビア３３は、誘電体層３１を第１面３１ａから第２面３１ｂまで延びる導電性の配線である。一部のビア３３は、信号端子３２ａと信号端子３５ａとの間に設けられ、信号端子３２ａと信号端子３５ａとを電気的に接続する。各信号端子３２ａと各信号端子３５ａとの間には、少なくとも２つのビア３３がＸ方向に並んで設けられる。他の一部のビア３３は、信号端子３２ｂと信号端子３５ｂとの間に設けられ、信号端子３２ｂと信号端子３５ｂとを電気的に接続する。各信号端子３２ｂと各信号端子３５ｂとの間には、少なくとも２つのビア３３がＸ方向に並んで設けられる。残りのビア３３は、接地端子３２ｃと接地端子３５ｃとの間に設けられ、接地端子３２ｃと接地端子３５ｃとを電気的に接続する。各接地端子３２ｃと各接地端子３５ｃとの間には、少なくとも１つのビア３３が設けられる。

複数のビア３３は、複数のビア３３ａと、複数のハーフビア３３ｂとを含む。ビア３３ａは、誘電体層３１の端縁３１ｃからＸ方向に離れて配置されている。ビア３３ａは、誘電体層３１を第１面３１ａから第２面３１ｂまで貫通する孔内に形成された金属膜である。ハーフビア３３ｂは、誘電体層３１の端縁３１ｃに設けられている。ハーフビア３３ｂは、端縁３１ｃに形成された溝内に形成された金属膜である。ハーフビア３３ｂは、各信号端子３２ａ（３２ｂ）と各信号端子３５ａ（３５ｂ）との間の複数のビア３３のうち端縁３１ｃに最も近いビアであり、本開示における第１ビアに対応する。

図示例では、信号端子３２ａと信号端子３５ａとの間には、２つのビア３３ａと、１つのハーフビア３３ｂとが、Ｘ方向に並んで配置されている。同様に、信号端子３２ｂと信号端子３５ｂとの間には、２つのビア３３ａと、１つのハーフビア３３ｂとが、Ｘ方向に並んで配置されている。接地端子３２ｃと接地端子３５ｃとの間には、３つのビア３３ａと、１つのハーフビア３３ｂとが、Ｘ方向に並んで配置されている。このように、接地端子３２ｃと接地端子３５ｃの間のビア３３の数は、信号端子３２ａと信号端子３５ａとの間、および信号端子３２ｂと信号端子３５ｂとの間のビア３３の数より多くてもよい。

図３に示すように、Ｘ方向における信号端子３５ａの両端のうち端縁３１ｃとは反対側の一端３５ａａと、各信号端子３２ａと各信号端子３５ａとの間の複数のビア３３のうち信号端子３５ａの該一端３５ａａに最も近いビア３３ａ（第２ビア）とは、距離Ｄａ１だけ離れている。一端３５ａａは、信号端子３５ａにおいて端縁３１ｃからＸ方向に最も離れた端である。一例では、一端３５ａａは、ビア３３ａを形成する上で必要となる孔周りの円環状のランドパターンの、Ｘ方向における一端である。また、ビア３３ａと一端３５ａａとの距離とは、具体的にはビア３３ａのうち一端３５ａａに最も近い部分と一端３５ａａとの距離を指す。距離Ｄａ１の大きさは、信号端子３５ａを伝搬する高周波信号の信号波長の１／８以下であり、より好適には１／１６以下である。信号端子３５ｂは、信号端子３５ａの上記の構成と同様の構成を有する。

図４は、フレキシブル配線基板３Ａの接合対象である光モジュール１Ａの外観を示す斜視図である。図５は、光モジュール１Ａの平面図である。光モジュール１Ａは、光通信のための受光素子及び発光素子のうち少なくとも一方の素子を備える。受光素子は、例えばフォトダイオードであり、外部から入力された高周波の光信号を電気的な受信信号に変換して出力する。発光素子は、例えばレーザダイオードであり、外部から入力された高周波の電気的な送信信号を光信号に変換して出力する。光モジュール１Ａが受光素子を備える場合、光モジュール１Ａは光受信モジュールとして用いられる。光モジュール１Ａが発光素子を備える場合、光モジュール１Ａは光送信モジュールとして用いられる。光モジュール１Ａが受光素子および発光素子の双方を備える場合、光モジュール１Ａは光送受信モジュールとして用いられる。

光モジュール１Ａは、フレキシブル配線基板３Ａと接合される被接合体としてのパッケージ１０Ａを有する。パッケージ１０Ａは、光モジュール１Ａが備える受光素子及び発光素子と、受光素子及び発光素子に接続される電子回路とを収容する。パッケージ１０Ａは、直方体状の外形を有しており、底板１１と、底板１１上に設けられた矩形枠状の側壁１２と、側壁１２上に設けられた天板１３とを含む。底板１１、側壁１２及び天板１３は、パッケージ１０Ａの内部空間を形成する。側壁１２は、Ｘ方向において互いに対向し、Ｘ方向と交差する平面に沿ってそれぞれ延在する前面１２ａ及び背面１２ｂと、Ｙ方向において互いに対向し、Ｙ方向と交差する平面に沿ってそれぞれ延在する側面１２ｃ及び１２ｄとを有する。側面１２ｃは、Ｙ方向における一方側において前面１２ａと背面１２ｂとを繋ぐ。側面１２ｄは、Ｙ方向における他方側において前面１２ａと背面１２ｂとを繋ぐ。

パッケージ１０Ａは、更に、フィードスルー２０を有する。フィードスルー２０は、パッケージ１０ＡのＸ方向における前端部に設けられた板状の部材である。フィードスルー２０は、側壁１２に設けられた開口を塞ぐように配置され、パッケージ１０Ａの内側空間と外側空間との間を貫通している。フィードスルー２０は、板状の誘電体部材２２と、配線層２７とを含む。誘電体部材２２は、例えば、主にアルミナといった誘電体からなる。誘電体部材２２の立体形状はＹ方向を長手方向とする直方体である。誘電体部材２２は、Ｚ方向上方を向く主面２１と、Ｙ方向の一端及び他端にそれぞれ位置する側面２３ａ，２３ｂと、Ｘ方向前方を向く端面２４と、を有する。

配線層２７は、誘電体部材２２の主面２１上に設けられた導電膜を含む層であり、本開示における第３配線層に対応する。導電膜は、例えばＡｕ膜といった金属膜である。配線層２７は、信号端子２５ａ，２５ｂと、接地端子２６とを含む。信号端子２５ａ，２５ｂは、本開示における第３端子に対応する。信号端子２５ａ，２５ｂ及び接地端子２６の平面形状は、Ｘ方向を長手方向とする長方形である。

信号端子２５ａ，２５ｂ及び接地端子２６は、主面２１上においてＹ方向に並んで配置されている。具体的には、複数の接地端子２６がＹ方向に並んで配置されている。そして、これらの接地端子２６の間に、Ｙ方向に隣り合って配置された信号端子２５ａ，２５ｂからなる組が配置されている。言い換えると、接地端子２６と、信号端子２５ａ，２５ｂの組とがＹ方向に沿って交互に配置されている。信号端子２５ａ，２５ｂは、フィードスルー２０に設けられた配線を介して、パッケージ１０Ａ内部の電子回路と電気的に接続されている。接地端子２６は、フィードスルー２０に設けられた配線を介して、パッケージ１０Ａ内部の接地電位パターンと電気的に接続されている。信号端子２５ａ，２５ｂ及び接地端子２６の配列ピッチは、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３２ａ，３２ｂ及び接地端子３２ｃの配列ピッチと等しい。

図６は、フレキシブル配線基板３Ａをパッケージ１０Ａに接合した状態を示す斜視図であり、図７は、同状態を示す側面図である。図８は、図６の一部を拡大して示す斜視図である。これらの図に示すように、フレキシブル配線基板３Ａとパッケージ１０Ａとは、互いに接合されてプリント基板組立体５Ａを構成する。

このプリント基板組立体５Ａにおいて、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ａ，３５ｂ、及び接地端子３５ｃそれぞれは、パッケージ１０Ａの信号端子２５ａ，２５ｂ、及び接地端子２６それぞれと、はんだ等により導電接合される。図８に示すように、信号端子２５ａが信号端子３５ａと導電接合されている状態において、Ｘ方向における信号端子２５ａの両端のうち端縁３１ｃとは反対側（すなわち端面２４側）の一端２５ａａと、各信号端子３２ａと各信号端子３５ａとの間の複数のビア３３のうち、一端２５ａａに最も近いビア３３ａ（第２ビア）とは、距離Ｄｂ１だけ離れている。一端２５ａａは、信号端子２５ａにおける前端である。一例では、Ｘ方向における一端２５ａａの位置は、同方向における一端３５ａａ（図３を参照）の位置と一致する。また、ビア３３ａと一端２５ａａとの距離とは、具体的にはビア３３ａのうち一端２５ａａに最も近い部分と一端２５ａａとの距離を指す。信号端子２５ｂは、信号端子２５ａの上記の構成と同様の構成を有する。

距離Ｄａ１の大きさは、信号端子３２ａを伝搬する高周波信号の信号波長の１／８以下であり、より好適には１／１６以下である。距離Ｄｂ１の大きさは、信号端子３５ａ、２５ａを伝搬する高周波信号の信号波長の１／８以下であり、より好適には１／１６以下である。

以上に説明した、本実施形態のフレキシブル配線基板３Ａ及びプリント基板組立体５Ａによって得られる効果について説明する。例えば３０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合、信号波長の１／４以下の長さのオープンスタブが信号伝送経路の途中に存在すると、そのオープンスタブが容量性に見える。特に信号波長の１／４に近くなると、そのオープンスタブにおける高周波信号の反射が増大するので、高周波信号の信号波形が劣化してしまう。特に、フレキシブル配線基板３Ａの誘電体層３１の材料（例えばポリイミド）の比誘電率と比較して、フィードスルー２０の誘電体部材２２（例えばアルミナ）の比誘電率が大きい場合、容量性のオープンスタブの実効的な比誘電率がフレキシブル配線基板３Ａ単体のときよりも大きくなる。したがって、高周波信号の信号波形の劣化が顕著となる。図３には、高周波信号Ｓｇの伝搬経路が矢印により示されている。図３から明らかなように、本実施形態のフレキシブル配線基板３Ａにおいては、ビア３３ａの位置から端縁３１ｃとは反対側に向けて突出する信号端子３５ａ，３５ｂの一端（信号端子３５ａの場合、一端３５ａａ）が、信号配線３２ｄ，３２ｅを伝搬する高周波信号に対してオープンスタブとして作用する。オープンスタブの長さを短くすると、オープンスタブの容量性による影響が大きくなる周波数を高くすることができる。

ここで、図９は、比較例として、図３及び図８に示された信号端子３２ａと信号端子３５ａとの間の２つのビア３３ａのうち、信号端子３５ａの一端３５ａａに最も近いビア３３ａを省いた構成を拡大して示す斜視図である。この場合、信号端子３５ａの一端３５ａａに最も近いビア３３ａと信号端子３５ａの一端３５ａａとの距離Ｄａ１は、図３に示された距離Ｄａ１よりも大きくなる。また、信号端子２５ａの一端２５ａａに最も近いビア３３ａと、信号端子２５ａの一端２５ａａとの距離Ｄｂ１は、図８に示された距離Ｄｂ１よりも大きくなる。

図１０は、図８に示した本実施形態の構成と、図９に示した比較例の構成とにおける、信号周波数と差動透過特性Ｓｄｄ２１との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。図１０において、縦軸は差動透過特性Ｓｄｄ２１（単位：ｄＢ）を表し、横軸は信号周波数（単位：ＧＨｚ）を表す。また、グラフＧ１１は図８に示した本実施形態の構成（距離Ｄｂ１＝６０μｍ）の特性を示し、グラフＧ１２は図９に示した比較例の構成（距離Ｄｂ１＝２７５μｍ）の特性を示す。図１０を参照すると、本実施形態の構成では、信号周波数が増大するにつれて差動透過特性Ｓｄｄ２１が緩やかに低下しているが、比較例の構成では、３０ＧＨｚ以上の帯域において差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下度合いが増し、更に５０ＧＨｚ以上の帯域において差動透過特性Ｓｄｄ２１が急激に低下している。この結果から、３０ＧＨｚ以上の帯域においては、一端３５ａａに最も近いビア３３ａと一端３５ａａとの距離Ｄａ１が、信号通過特性に大きく影響することがわかる。

本発明者は、更に、一端３５ａａに最も近いビア３３ａと一端３５ａａとの距離Ｄａ１による信号通過特性の傾向を把握するために、図１１に示すモデルを用いてシミュレーションを行った。このモデルでは、フレキシブル配線基板３Ｄと被接合体５とを相互に接続した。フレキシブル配線基板３Ｄは、１本の信号配線３２ｄ及び１つの信号端子３２ａを誘電体層３１の一方の面上に有し、１つの信号端子３５ａを誘電体層３１の他方の面上に有し、信号端子３２ａと信号端子３５ａとを、１つのビア３３ａ及び１つのハーフビア３３ｂによって接続したものである。また、被接合体５は、誘電体基板５０の一方の面上に、Ｘ方向に延在する配線５２が設けられたものである。配線５２は、信号端子３５ａと導電接合される。なお、Ｘ方向における信号端子３５ａの一端３５ａａの位置は、同方向における配線５２の一端の位置と揃っている。

図１２は、このシミュレーションにおいて、ビア３３ａと一端３５ａａとのＸ方向における距離Ｄａ１が最も小さいモデルを示している。この場合、一端３５ａａは、ビア３３ａ周りの円環状のランドパターンの、Ｘ方向における一端である。また、図１３は、このシミュレーションにおいて、距離Ｄａ１が最も大きいモデルを示している。本シミュレーションでは、距離Ｄａ１を、６０μｍ、１６０μｍ、２６０μｍ、３６０μｍ、４６０μｍ、及び５６０μｍに設定した。誘電体層３１の比誘電率を３．２（すなわちポリイミドの比誘電率）とし、誘電体基板５０の比誘電率を９．０（すなわちアルミナの比誘電率）として計算した。なお、距離Ｄａ１が６０μｍの場合が、一端３５ａａがビア３３ａ周りの円環状のランドパターンの、Ｘ方向における一端である場合である。

本シミュレーションを用いた検討では、誘電体層３１の比誘電率を３．２、誘電体基板５０の比誘電率を９．０として、信号端子３２ａおよび信号端子３５ａ、すなわち、接続部３０、における実効比誘電率が６．１であるとして計算を行う。

なお、信号端子３２ａおよび信号端子３５ａ、すなわち、接続部３０、における実効比誘電率は、誘電体層３１の比誘電率及び誘電体基板５０のそれぞれの比誘電率に基づいて計算してもよい。例えば、信号端子３２ａおよび信号端子３５ａ、すなわち、接続部３０、における実効比誘電率を、誘電体層３１の比誘電率と誘電体基板５０の比誘電率との平均により求めてもよい。更に、誘電体層３１の比誘電率及び誘電体基板５０の比誘電率に加えて、信号端子３２ａ、信号端子３５ａ、誘電体層３１及び誘電体基板５０の形状を考慮して、接続部３０の実効比誘電率を求めてもよい。

また、信号端子３２ａと信号端子３５ａは、誘電体基板５０に接続された状態では、それぞれの伝搬特性は等しいと考えられることから、信号端子３２ａを伝搬する高周波信号の信号波長は、信号端子３５ａを伝搬する高周波信号の信号波長と略等しい。すなわち、信号端子３２ａにおける高周波信号の信号波長は、信号端子３５ａにおける信号波長と略等しい。

例えば、信号端子３２ａおよび信号端子３５ａを伝搬する高周波信号の周波数が５０ＧＨｚであれば、距離Ｄａ１は３０４μｍ以下、より好適には１５２μｍ以下であることが好ましい。なお、３０４μｍは、信号端子３２ａ、３５ａにおける周波数５０ＧＨｚの高周波信号の信号波長の１／８の距離に相当する。また、１５２μｍは、信号端子３２ａ、３５ａにおける周波数５０ＧＨｚの高周波信号の信号波長の１／１６の距離に相当する。

また、信号端子３２ａおよび信号端子３５ａを伝搬する高周波信号の周波数が７０ＧＨｚであれば、距離Ｄａ１は２１６μｍ、より好適には１０８μｍ以下であることが好ましい。なお、２２１μｍは、信号端子３２ａ、３５ａにおける周波数７０ＧＨｚの高周波信号の信号波長の１／８の距離に相当する。また、１１０μｍは、信号端子３２ａ、３５ａにおける７０ＧＨｚの高周波信号の信号波長の１／１６の距離に相当する。

図１４は、このシミュレーションの結果を示すグラフである。図１４において、縦軸は差動透過特性Ｓｄｄ２１（単位：ｄＢ）を表し、横軸は信号周波数（単位：ＧＨｚ）を表す。また、グラフＧ２１からＧ２６は、それぞれ、距離Ｄａ１が６０μｍ、１６０μｍ、２６０μｍ、３６０μｍ、４６０μｍ、及び５６０μｍである各場合を示す。

図１４を参照すると、距離Ｄａ１すなわちオープンスタブの長さが小さいほど、信号周波数３０ＧＨｚ以上の帯域において差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下が抑制され、信号通過特性が良好になることがわかる。

例えば、周波数５０ＧＨｚにおいて、距離Ｄａ１が信号波長の１／８である３０３μｍより小さいグラフＧ２１、Ｇ２２及びＧ２３は、グラフＧ２４、Ｇ２５及びＧ２６に対して差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下が顕著に抑制されている。また、周波数７０ＧＨｚにおいて、距離Ｄａ１が信号波長の１／８である２１６μｍより小さいグラフＧ２１及びＧ２２は、グラフＧ２３、Ｇ２４、Ｇ２５及びＧ２６に対して差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下が顕著に抑制されている。

このように、特に、距離Ｄａ１が信号波長の１／８以下であると、距離Ｄａ１が信号波長の１／８より大きい場合と比較して、差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下が顕著に抑制されている。また、距離Ｄａ１が小さくなるとより差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下が抑制されることから、距離Ｄａ１が信号波長の１／１６以下であると、距離Ｄａ１が信号波長の１／１６より大きい場合と比較して、差動透過特性Ｓｄｄ２１の低下がより顕著に抑制される。

また、距離Ｄａ１と信号波長との関係を調べるために、図１５の回路モデルについてシミュレーションを行い、透過特性Ｓ２１を調べた。図１５の回路モデルは、二つの理想伝送線路６１，６２の間に、所定の長さのスタブ６３を備える。理想伝送線路６１，６２の長さは信号波長に対して十分短い値（例えば、１００μｍ等）とし、理想伝送線路６１，６２の長さが通過特性に影響を及ぼさないものとした。

図１６は、図１５の回路モデルのシミュレーションの結果を示すグラフである。図１６において、縦軸は透過特性Ｓ２１（単位：ｄＢ）を表し、横軸はスタブ６３の長さを信号波長で割った値（単位：無次元）を表す。また、グラフは、スタブ６３の長さが３００μｍである場合を示す。

図１６の結果から、スタブ６３の長さが信号波長の１／８以下の場合は、損失が－０．５ｄＢ以下となる。また、スタブ６３の長さが信号波長の１／１６以下の場合は、損失が－０．１ｄＢ以下となる。したがって、本実施形態において、距離Ｄａ１（図３を参照）が信号波長の１／８以下である場合、スタブによる損失が抑制される。また、距離Ｄａ１（図３を参照）が信号波長の１／１６以下である場合、スタブによる損失がより抑制される。

このことから、本実施形態において、距離Ｄａ１（図３を参照）が信号波長の１／８以下である場合に、高周波信号の信号波形の劣化が効果的に抑制されることが理解される。また、距離Ｄａ１が信号波長の１／１６以下である場合に、高周波信号の信号波形の劣化がより効果的に抑制されることが理解される。

なお、本実施形態の信号端子３２ａに関しては、端縁３１ｃに最も近いビア３３がハーフビア３３ｂであることから、Ｘ方向における信号端子３２ａの両端のうち端縁３１ｃに最も近い他端と、該他端に最も近いビア３３との距離はゼロといえる。この場合、図３に示された高周波信号の伝搬経路から明らかなように、信号端子３２ａにはオープンスタブは生じない。したがって、オープンスタブによる高周波信号の信号波形の劣化は、信号端子３２ａにおいては生じない。

上述したように、信号配線３２ｄ，３２ｅに供給される信号の周波数は３０ＧＨｚ以上であってもよく、５０ＧＨｚ以上であってもよい。信号配線３２ｄ，３２ｅに供給される信号がこのような高周波信号である場合に、本実施形態のフレキシブル配線基板３Ａが特に有用である。

上述したように、信号端子２５ａが信号端子３５ａと導電接合されている状態において、Ｘ方向における信号端子２５ａの両端のうち誘電体層３１の端縁３１ｃとは反対側の一端２５ａａと、一端２５ａａに最も近いビア３３ａとの距離Ｄｂ１は、信号波長の１／８以下であってもよい。信号端子２５ａは信号端子３５ａと対向して導電接合されるので、信号端子２５ａのうちビア３３ａから突出した部分もまた、高周波信号に対しオープンスタブとして作用する。したがって、距離Ｄｂ１が信号波長の１／８以下であることにより、信号端子２５ａにより生じるオープンスタブを小さくして、高周波信号の信号波形の劣化を更に抑制できる。

上述したように、フレキシブル配線基板３Ａと接合される被接合体は、受光素子及び発光素子のうち少なくとも一方の素子を備える光モジュール１Ａの、少なくとも一方の素子を収容するパッケージ１０Ａであってもよい。この場合、受光素子から出力される高周波信号、または発光素子に入力される高周波信号の、各信号波形の劣化を効果的に抑制可能な光モジュール１Ａを提供できる。

（第１変形例）
図１７は、上記実施形態の第１変形例に係るプリント基板組立体５Ｂの構成を示す断面図である。本変形例のプリント基板組立体５Ｂは、上記実施形態の光モジュール１Ａに代えて、被接合体としてのプリント基板４Ａを備える。プリント基板４Ａは、誘電体基板４０と、配線層４１とを有する。誘電体基板４０は、主面４０ａ及び裏面４０ｂを有する板状の部材であり、例えばエポキシ樹脂等の誘電体を主に含む。誘電体基板４０の厚さ方向は、Ｚ方向と一致する。配線層４１は、主面４０ａ上に設けられた金属膜を含む層である。配線層４１は、本開示における第３配線層に対応する。

配線層４１は、信号端子４１ａと、信号配線４１ｂとを含む。信号端子４１ａは、誘電体基板４０のＸ方向における端部付近においてＸ方向に沿って延在している。信号端子４１ａは、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ａと対向し、信号端子３５ａとはんだ等により導電接合される。信号配線４１ｂは、信号端子４１ａと接続され、主面４０ａ上を延在している。なお、配線層４１は、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ｂと対向し、信号端子３５ｂとはんだ等により導電接合される図示しない信号端子と、該信号端子に接続された信号配線とを更に含む。また、配線層４１は、フレキシブル配線基板３Ａの接地端子３５ｃと対向し、接地端子３５ｃとはんだ等により導電接合される図示しない接地端子と、該接地端子に接続された接地配線とを更に含む。信号端子４１ａを含むこれらの端子の配置及び形状は、上記実施形態における信号端子２５ａ，２５ｂ及び接地端子２６の配置及び形状と同様であってもよい。

本変形例において、フレキシブル配線基板３Ａ側の信号端子４１ａの一端４１ａａと、一端４１ａａに最も近いビア３３ａとのＸ方向における距離Ｄｂ１は、信号波長の１／８以下であり、より好ましくは信号波長の１／１６以下である。この場合、信号端子４１ａにより生じるオープンスタブを小さくし、信号通過特性を良好にして、高周波信号の信号波形の劣化を抑制できる。

（第２変形例）
図１８は、上記実施形態の第２変形例に係るプリント基板組立体５Ｃの構成を示す断面図である。本変形例のプリント基板組立体５Ｃは、上記実施形態の光モジュール１Ａに代えて、被接合体としてのプリント基板４Ｂを備える。プリント基板４Ｂは、誘電体基板４０と、配線層４１と、配線層４２とを有する。誘電体基板４０は、主面４０ａ及び裏面４０ｂを有する板状の部材であり、例えばエポキシ樹脂等の誘電体を主に含む。誘電体基板４０の厚さ方向は、Ｚ方向と一致する。配線層４１は、主面４０ａ上に設けられた金属膜を含む層である。配線層４２は、誘電体基板４０の内部すなわち主面４０ａと裏面４０ｂとの間に設けられた金属膜を含む層である。配線層４２は、この形態に限られず、裏面４０ｂ上に設けられてもよい。誘電体基板４０は、配線層４１と配線層４２との間に介在している。配線層４１は、本開示における第３配線層に対応する。配線層４２は、本開示における第４配線層に対応する。誘電体基板４０のうち配線層４１と配線層４２との間に位置する部分は、本開示における第２誘電体層に対応する。

配線層４１は、信号端子４１ａを含む。信号端子４１ａは、誘電体基板４０のＸ方向における端部付近においてＸ方向に沿って延在している。信号端子４１ａは、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ａと対向し、信号端子３５ａとはんだ等により導電接合される。信号端子４１ａは、本開示における第３信号端子に対応する。なお、配線層４１は、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ｂと対向し、信号端子３５ｂとはんだ等により導電接合される図示しない信号端子を更に含む。また、配線層４１は、フレキシブル配線基板３Ａの接地端子３５ｃと対向し、接地端子３５ｃとはんだ等により導電接合される図示しない接地端子を更に含む。

配線層４２は、信号配線４２ａを含む。信号配線４２ａは、誘電体基板４０の内部において、主面４０ａに沿った面内を延在している。信号配線４２ａの端部は、誘電体基板４０の一部を挟んで信号端子４１ａとＺ方向に対向している。信号配線４２ａは、本開示における第２信号配線に対応する。なお、配線層４２は、フレキシブル配線基板３Ａの信号端子３５ｂと接続される配線層４１の信号端子と対向する図示しない信号配線と、フレキシブル配線基板３Ａの接地端子３５ｃと接続される配線層４１の接地端子と対向する図示しない接地配線とを更に含む。

プリント基板４Ｂは、更に、複数のビア４３を備える。複数のビア４３は、Ｚ方向に延在する導電性の内部配線であって、信号端子４１ａと信号配線４２ａとの間においてＸ方向に並んで配置され、信号端子４１ａと信号配線４２ａとを電気的に接続する。そして、Ｘ方向における信号配線４２ａのフレキシブル配線基板３Ａ側の一端４２ａａと、信号端子４１ａと信号配線４２ａとの間の複数のビア４３のうち信号配線４２ａの一端４２ａａに最も近いビア４３（第３ビア）との距離Ｄｃ１は、信号波長の１／８以下である。この場合、信号配線４２ａに生じるオープンスタブを小さくして、高周波信号の信号波形の劣化を更に抑制できる。なお、信号端子３５ｂと接続される配線層４１の信号端子と、該信号端子と対向する配線層４２の信号端子との間にも、同様に複数のビアが設けられている。また、接地端子３５ｃと接続される配線層４１の接地端子と、該接地端子と対向する配線層４２の接地端子との間にも、同様に複数のビアが設けられている。

（第３変形例）
図１９は、上記実施形態の第３変形例に係るプリント基板組立体５Ｄを部分的に拡大して示す斜視図である。図２０は、本変形例のプリント基板組立体５Ｄの部分側面図である。本変形例のプリント基板組立体５Ｄは、上記実施形態のパッケージ１０Ａに代えて、被接合体としてのパッケージ１０Ｂを備える。パッケージ１０Ｂは、上記実施形態のパッケージ１０Ａの構成に加えて、一対の突起１４を更に有する。一対の突起１４は、Ｙ方向における前面１２ａの両端に設けられた凸部であり、フィードスルー２０の主面２１から天板１３までＺ方向に延在している。そして、一対の突起１４は、Ｘ方向前方に向けて（すなわちフレキシブル配線基板３Ａに向けて）前面１２ａから突出している。

一対の突起１４の頂面は、フレキシブル配線基板３Ａの端縁３１ｃと当接する。これにより、フレキシブル配線基板３Ａとパッケージ１０ＢとがＸ方向において相対的に位置決めされる。一対の突起１４は、本開示における位置決め部に対応する部分である。本変形例によれば、信号端子３５ａの一端３５ａａに最も近いビア３３ａと、信号端子２５ａの一端２５ａａとのＸ方向における相対位置を精度よく位置決めできる。故に、組立誤差に起因して信号端子２５ａによるオープンスタブが大きくなることを抑制できる。

また、本変形例のように、位置決め部は、被接合体としてのパッケージ１０Ｂに設けられた、端縁３１ｃと当接する部分であってもよい。この場合、Ｘ方向におけるフレキシブル配線基板３Ａとパッケージ１０Ｂとの位置決めを、簡易な構成により容易に行うことができる。

（第４変形例）
図２１は、上記実施形態の第４変形例に係るフレキシブル配線基板３Ｂを部分的に拡大して示す斜視図である。本変形例のフレキシブル配線基板３Ｂでは、信号端子３５ａの一端３５ａａのＸ方向における位置が、一端３５ａａに最も近いビア３３ａの縁と一致している。すなわち、一端３５ａａに最も近いビア３３ａと一端３５ａａとの距離がゼロである。信号端子３５ｂもまた、信号端子３５ａと同様の構成を有する。このような場合、信号端子３５ａ，３５ｂに生じるオープンスタブを無くして、高周波信号の信号波形の劣化を顕著に抑制できる。

（第５変形例）
図２２は、上記実施形態の第５変形例に係るフレキシブル配線基板３Ｃを部分的に拡大して示す斜視図である。このフレキシブル配線基板３Ｃは、ハーフビア３３ｂを備えていない点において上記実施形態のフレキシブル配線基板３Ａと異なる。そして、Ｘ方向における信号端子３２ａの両端のうち端縁３１ｃ側の一端３２ａａと、信号端子３２ａと信号端子３５ａとの間の複数のビア３３ａのうち信号端子３２ａの一端３２ａａに最も近いビア３３ａ（第１ビア）との距離Ｄｄ１は、信号配線３２ｄを伝搬する信号波長の１／８以下、より好ましくは１／１６以下、である。信号端子３２ｂもまた、信号端子３２ａの上記の構成と同様の構成を有する。

本変形例のフレキシブル配線基板３Ｃにおいては、ビア３３ａの位置から端縁３１ｃに向けて突出する信号端子３２ａ，３２ｂの一端（信号端子３２ａの場合、一端３２ａａ）が、信号配線３２ｄ，３２ｅを伝搬する高周波信号に対してオープンスタブとして作用する。したがって、距離Ｄｄ１が信号波長の１／８以下（より好ましくは１／１６以下）であることによって、信号端子３２ａ，３２ｂに生じるオープンスタブを小さくし、信号通過特性を良好にして、高周波信号の信号波形の劣化を抑制できる。

本開示によるプリント基板及びプリント基板組立体は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び各変形例では被接合体として光モジュールのパッケージ１０Ａ，１０Ｂ及びプリント基板４Ａ，４Ｂを例示したが、本開示における被接合体はこれらに限られず、信号端子３５ａまたは４１ａと同様の信号端子を有する様々な装置を被接合体とすることができる。

また、上記実施形態及び各変形例では本開示のプリント基板として可撓性のフレキシブル配線基板を例示したが、本開示のプリント基板は、誘電体層が可撓性を有しない、いわゆるリジッド基板であってもよい。

１Ａ…光モジュール
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…フレキシブル配線基板
４Ａ，４Ｂ…プリント基板
５…被接合体
５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ…プリント基板組立体
１０Ａ，１０Ｂ…パッケージ
１１…底板
１２…側壁
１２ａ…前面
１２ｂ…背面
１２ｃ，１２ｄ…側面
１３…天板
１４…突起
２０…フィードスルー
２１…主面
２２…誘電体部材
２３ａ，２３ｂ…側面
２４…端面
２５ａ，２５ｂ…信号端子
２５ａａ…一端
２６…接地端子
２７…配線層
３０…接続部
３１…誘電体層
３１ａ…第１面
３１ｂ…第２面
３１ｃ…端縁
３２…第１配線層
３２ａ…信号端子
３２ａａ…一端
３２ｂ…信号端子
３２ｃ…接地端子
３２ｄ，３２ｅ…信号配線
３３，３３ａ…ビア
３３ｂ…ハーフビア
３４…保護膜
３５…第２配線層
３５ａ，３５ｂ…信号端子
３５ａａ…一端
３５ｃ…接地端子
３５ｄ…接地配線
３６…保護膜
４０…誘電体基板
４０ａ…主面
４０ｂ…裏面
４１…配線層
４１ａ…信号端子
４１ａａ…一端
４１ｂ…信号配線
４２…配線層
４２ａ…信号配線
４２ａａ…一端
４３…ビア
６１，６２…理想伝送線路
６３…スタブ
Ｄａ１，Ｄｂ１，Ｄｃ１，Ｄｄ１…距離
Ｓｇ…高周波信号

Claims (12)

1. 第１方向の端部に接続部を有し、高周波信号を伝送するためのプリント基板であって、
   前記接続部に設けられた第１端子、及び前記第１端子に接続された第１信号配線を有する第１配線層と、
   前記第１方向と交差する前記プリント基板の厚み方向において前記第１端子と対向する導電接合用の第２端子を有する第２配線層と、
   前記第１配線層と前記第２配線層との間に介在し、前記端部において前記第１方向および前記厚み方向と交差する方向に延在する端縁を有する第１誘電体層と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に前記第１方向に沿って設けられ、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する複数のビアと、
   を備え、
   前記複数のビアは、前記第１方向における前記第１端子の前記端縁側の一端に最も近い第１ビアと、前記第１方向における前記第２端子の前記端縁と反対側の一端に最も近い第２ビアと、を含み、
   前記第１ビアと、前記第１端子の前記端縁側の一端との距離が、前記第１端子における前記高周波信号の信号波長の１／８以下であるか、または、前記第１ビアは、前記第１ビアの内部が前記端縁において外部に露出するように設けられたハーフビアであり、
   前記第２ビアと、前記第２端子の前記端縁と反対側の一端との距離が、前記第２端子における前記高周波信号の信号波長の１／８以下である、プリント基板。
2. 前記第１端子における前記高周波信号の信号波長および前記第２端子における前記高周波信号の信号波長は、３０ＧＨｚ以上の周波数を有する前記高周波信号について定められる、請求項１に記載のプリント基板。
3. 前記第１ビアと前記第１端子の前記一端との距離が前記第１端子における前記高周波信号の信号波長の１／１６以下である、請求項１または請求項２に記載のプリント基板。
4. 前記第２ビアと前記第２端子の前記一端との距離が前記第２端子における前記高周波信号の信号波長の１／１６以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプリント基板。
5. 前記第１誘電体層は可撓性を有する樹脂フィルムである、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント基板。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント基板と、
   前記第２端子と導電接合される第３端子を含む第３配線層を有する被接合体と、
   を備え、
   前記第３端子が前記第２端子と導電接合されている状態において、前記第１方向における前記第３端子の両端のうち前記端縁と反対側の一端と前記第２ビアとの距離が、前記第３端子における前記高周波信号の信号波長の１／８以下である、プリント基板組立体。
7. 前記第３端子における前記高周波信号の信号波長は、３０ＧＨｚ以上の周波数を有する前記高周波信号について定められる、請求項６に記載のプリント基板組立体。
8. 前記被接合体は、前記第１方向における前記プリント基板と前記被接合体との位置決めを行う位置決め部を更に備える、請求項６または請求項７に記載のプリント基板組立体。
9. 前記位置決め部は、前記端縁と当接する、請求項８に記載のプリント基板組立体。
10. 前記位置決め部が前記端縁と当接しているとき、前記第１方向において、前記第２端子の前記端縁と反対側の一端の位置は、前記第３端子の前記端縁と反対側の一端の位置に等しい、請求項９に記載のプリント基板組立体。
11. 前記被接合体は、受光素子及び発光素子のうち少なくとも一方の素子を備える光モジュールの、前記少なくとも一方の素子を収容するパッケージである、請求項６から請求項１０のいずれか１項に記載のプリント基板組立体。
12. 前記被接合体は、
    前記プリント基板の厚み方向において前記第３端子と対向する第２信号配線を含む第４配線層と、
    前記第３配線層と前記第４配線層との間に介在する第２誘電体層と、
    前記第３端子と前記第２信号配線との間に前記第１方向に沿って設けられ、前記第３端子と前記第２信号配線とを電気的に接続する複数の第３ビアと、
    を備え、
    前記第１方向における前記第２信号配線の前記プリント基板側の一端と、前記第３端子と前記第２信号配線との間の前記複数の第３ビアのうち前記第２信号配線の前記一端に最も近い第３ビアとの距離が、前記第２信号配線における前記高周波信号の信号波長の１／８以下である、請求項６から請求項１１のいずれか１項に記載のプリント基板組立体。
    
    

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