JP2022137929A - 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法 - Google Patents

撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022137929A
JP2022137929A JP2021037662A JP2021037662A JP2022137929A JP 2022137929 A JP2022137929 A JP 2022137929A JP 2021037662 A JP2021037662 A JP 2021037662A JP 2021037662 A JP2021037662 A JP 2021037662A JP 2022137929 A JP2022137929 A JP 2022137929A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
imaging device
imaging
image sensor
pixel substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021037662A
Other languages
English (en)
Inventor
泰三 高地
Taizo Takachi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2021037662A priority Critical patent/JP2022137929A/ja
Priority to US18/548,647 priority patent/US20240145510A1/en
Priority to PCT/JP2022/001700 priority patent/WO2022190653A1/ja
Priority to DE112022001388.5T priority patent/DE112022001388T5/de
Priority to CN202280010971.7A priority patent/CN116783710A/zh
Publication of JP2022137929A publication Critical patent/JP2022137929A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0055Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing a special optical element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0037Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/005Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration for correction of secondary colour or higher-order chromatic aberrations
    • G02B27/0056Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration for correction of secondary colour or higher-order chromatic aberrations by using a diffractive optical element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)

Abstract

【課題】小型の装置構成で高品質の画像を取得するのに有利な技術を提供する。【解決手段】撮像素子は、イメージセンサを具備する画素基板と、イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、カバー体からイメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、を備え、複数の突出レンズ部の相互間に空間が設けられている。【選択図】図4

Description

本開示は、撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法に関する。
一般的な撮像装置(カメラ)では、レンズの幾何光学屈折を利用して、撮影光がイメージセンサ(例えばCMOSイメージセンサ)上に集光される。
一方、近年の高解像度化及び小型化の要求の高まりを背景に、幾何光学屈折を利用するレンズ(以下「幾何光学レンズ」とも称する)だけではなく、他の光学特性を利用したレンズも提案されている。
例えば特許文献1は、光回折を利用した光学レンズを開示する。
特開2014-78015号公報
上述の幾何光学レンズ及び光回折を利用するレンズ(以下「回折レンズ」とも称する)を、高解像度且つ小型の撮像装置に応用する場合、小型のレンズ構成によって、光学特性上の不具合(例えば色収差)を抑える必要がある。
本開示は上述の事情に鑑みてなされたものであり、小型の装置構成で高品質の画像を取得するのに有利な技術を提供する。
本開示の一態様は、イメージセンサを具備する画素基板と、イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、カバー体からイメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、を備え、複数の突出レンズ部の相互間に空間が設けられている撮像素子に関する。
撮像素子は、イメージセンサと回折レンズとの間に位置し、複数の突出レンズ部に接触する光硬化樹脂膜を備えてもよい。
撮像素子は、イメージセンサと回折レンズとの間に位置し、複数の突出レンズ部に接触する無機膜を備えてもよい。
撮像素子は、お互いに重ねられる複数のレンズ構成層を備え、複数のレンズ構成層の各々は、カバー体及び回折レンズを含んでもよい。
回折レンズは、イメージセンサから60μm以下離れて位置してもよい。
複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが小さくなってもよい。
複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが大きくなってもよい。
撮像素子は、画素基板とカバー体との間に位置し、画素基板に対してカバー体を固定する固定部を備えてもよい。
イメージセンサと回折レンズとの間に空間が設けられていてもよい。
撮像素子は、画素基板を支持する支持体と、支持体とカバー基板との間に位置し、支持体に対してカバー体を固定する固定部と、を備えてもよい。
本開示の他の態様は、イメージセンサを具備する画素基板と、イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、カバー体からイメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、カバー体を介して画素基板とは反対側に位置する撮像レンズと、を備え、複数の突出レンズ部の相互間に空間が形成されている撮像装置に関する。
回折レンズは、撮像レンズの色収差を低減してもよい。
回折レンズは、撮像レンズから回折レンズに向かう光の主光線入射角度よりも小さい主光線入射角度で、光を出射してもよい。
本開示の他の態様は、イメージセンサを有する画素基板に対し、透光性のカバー体を固定する工程を含み、カバー体には、回折レンズを構成し且つ相互間に空間が設けられている複数の突出レンズ部が固定されており、複数の突出レンズ部がカバー体と画素基板との間に位置するように、カバー体は画素基板に対して固定される撮像素子の製造方法に関する。
撮像素子の製造方法は、画素基板上に、光硬化樹脂を付与する工程と、画素基板上の光硬化樹脂のうちイメージセンサを覆う部分を、光照射によって硬化させる工程と、を含み、画素基板上の光硬化樹脂のうち光照射によって硬化した部分に複数の突出レンズ部を対面させつつ、カバー体が画素基板に対して固定されてもよい。
撮像素子の製造方法は、画素基板上に、無機膜を付与する工程を含み、無機膜に複数の突出レンズ部を対面させつつ、カバー体が画素基板に対して固定されてもよい。
図1は、複数の幾何光学レンズを含むユニットを通過した短波長光及び長波長光の焦点を例示する図面である。 図2は、光回折を利用する回折レンズを通過した短波長光及び長波長光の焦点を例示する図面である。 図3は、幾何光学レンズ及び回折レンズを含む光学レンズ系を通過した短波長光及び長波長光の焦点を例示する図面である。 図4は、第1実施形態に係る撮像素子の一例を示す断面図である。 図5は、図4に示す撮像素子の一部分を拡大して示す断面図である。 図6は、下側基板及び上側基板の構造の一例を示す断面図であり、撮像素子の一部分が拡大して示されている。 図7は、幾何光学レンズ及び撮像素子を備える撮像装置の一例を示す断面図である。 図8は、図7に示す撮像素子の一部分を拡大して示す断面図である。 図9は、撮像素子の一部分を拡大して示す断面図であり、隣接するイメージセンサ間で混色が生じる場合を例示的に説明する図である。 図10は、撮像素子の一部分を拡大して示す断面図であり、回折レンズによって撮影光が適切なイメージセンサに向かって屈折し、混色が防がれる場合を例示的に説明する図である。 図11Aは、回折レンズの製造方法の一例を説明するための図である。 図11Bは、回折レンズの製造方法の一例を説明するための図である。 図11Cは、回折レンズの製造方法の一例を説明するための図である。 図11Dは、回折レンズの製造方法の一例を説明するための図である。 図11Eは、回折レンズの製造方法の一例を説明するための図である。 図12は、カバー体ウエハー上に形成された複数の回折レンズを示す斜視図である。 図13Aは、撮像素子の製造方法の一例を示す斜視図である。 図13Bは、撮像素子の製造方法の一例を示す斜視図である。 図13Cは、撮像素子の製造方法の一例を示す斜視図である。 図13Dは、撮像素子の製造方法の一例を示す斜視図である。 図14は、撮像素子の製造方法の一例を示す撮像素子の断面図である。 図15は、撮像素子の製造方法の一例を示す撮像素子の断面図である。 図16は、撮像素子の製造方法の一例を示す撮像素子の断面図である。 図17は、撮像素子の製造方法の他の例を示す断面図である。 図18は、図17に示す製造方法によって製造される撮像素子の一部分を拡大して示す断面図である。 図19は、第2実施形態に係る撮像装置の一例を示す断面図である。 図20は、第3実施形態に係る撮像装置の一例を示す断面図である。 図21は、第4実施形態に係る撮像装置の一例を示す断面図である。 図22は、第5実施形態に係る撮像装置の一例を示す断面図である。 図23は、第6実施形態に係る撮像装置の一例を示す断面図である。 図24は、回折レンズの構造例を示す斜視図である。 図25は、回折レンズの一例の概略を示す拡大平面図である。 図26Aは、回折レンズ(複数の突出レンズ部)の光回折の位相差を説明するための図である。 図26Bは、回折レンズ(複数の突出レンズ部)の光回折の屈折角を説明するための図である。 図26Cは、回折レンズ(複数の突出レンズ部)の光回折の屈折角及び焦点距離を説明するための図である。 図27は、1つの回折レンズを構成する複数の突出レンズ部の配置例を示す平面図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。
図1は、複数の幾何光学レンズを含むユニット(以下単に「幾何光学レンズ21」とも称する)を通過した短波長光L1及び長波長光L2の焦点を例示する図面である。
幾何光学屈折を利用する幾何光学レンズ21は、光の波長が長くなるほど小さな屈折率を示し、焦点距離が長くなる(図1に示す「長波長光L2」参照)。すなわち幾何光学レンズ21は、光の波長が短くなるほど大きな屈折率を示し、焦点距離が短くなる(図1に示す「短波長光L1」参照)。
上記特性を持つ幾何光学レンズ21によって撮影光をイメージセンサ上に集光する場合、色収差を抑えるために、複数のレンズを組み合わせる必要がある。
図2は、光回折を利用する回折レンズ22を通過した短波長光L1及び長波長光L2の焦点を例示する図面である。
回折レンズ22は、光の波長が長くなるほど大きな屈折率を示し、焦点距離が短くなる(図2に示す「長波長光L2」参照)。すなわち回折レンズ22は、光の波長が短くなるほど小さな屈折率を示し、焦点距離が長くなる(図2の「短波長光L1」参照)。
このように幾何光学レンズ21及び回折レンズ22は、入射光の波長に関し、お互いに逆の屈折特性を示す。そのため、幾何光学レンズ21及び回折レンズ22を組み合わせることで、光学レンズ系の光軸Axに沿う方向(以下「光軸方向」とも称する)のサイズの拡大を抑えつつ、色収差を効果的に低減することが可能である。
図3は、幾何光学レンズ21及び回折レンズ22を含む光学レンズ系を通過した短波長光L1及び長波長光L2の焦点を例示する図面である。図3に示す例では、幾何光学レンズ21のユニットのうち最も被写体側に位置するレンズの表面に回折レンズ22が取り付けられる。
このように幾何光学レンズ21及び回折レンズ22を組み合わせることによって、光軸方向の光学レンズ系の拡大を抑えつつ、短波長光L1の焦点及び長波長光L2の焦点をお互いに一致又は近接させることが可能である。
上述のように幾何光学レンズ21に回折レンズ22を組み合わせることによって光学レンズ系全体の光学特性を向上させることができるが、回折レンズ22の設置は必ずしも容易ではない。
すなわち、回折レンズ22によって所望の光学特性を実現するためには、回折レンズ22のレンズ片を所望位置に配置する必要がある。しかしながら、特有の形状を持つ微細構造の回折レンズ22を、レンズ曲面上の所望位置に精度良く配置及び固定することは容易ではない。特に、近年では、多画素化の進展に伴って、より高い分解能を持つ光学レンズ系が求められており、回折レンズ22のレンズ片は、より一層微細且つ複雑な形状を持つ傾向が強い。
高度なレンズ光学特性は、上述のように幾何光学レンズ21に含まれるレンズの数を増やすことでも、実現可能である。その一方で、スマートフォンなどの携帯端末に搭載される撮像装置では、モバイル性向上の観点から、光学レンズ系の小型化、薄型化及び軽量化が求められている。光学レンズ系の高性能化のためのレンズ数の増大と、モバイル性向上のための小型化等とは、お互いに相反する要求である。
また撮像装置の薄型化のために光学レンズ系を薄くする場合、イメージセンサへの光の入射角度(主光線入射角度:CRA)が大きくなる傾向があるが、主光線入射角度が大きくなるとセンサ感度が低下し、撮影画像の質が落ちる。なお、主光線入射角度が0°に近づくほど、イメージセンサに向かう光の進行方向は光軸方向に近づき、主光線入射角度が大きくなるほど、イメージセンサに向かう光の進行方向は光軸に垂直な方向に近づく。
以下では、小型の装置構成で高品質の画像を取得するのに有利な撮像素子及び撮像装置の例と、そのような撮像素子及び撮像装置を製造する方法の例とを説明する。
[第1実施形態]
図4は、第1実施形態に係る撮像素子11の一例を示す断面図である。図5は、図4に示す撮像素子11の一部分を拡大して示す断面図である。
図4及び図5に示される撮像素子11は、積層された下側基板31及び上側基板32を含む画素基板33がパッケージ化された半導体パッケージである。
撮像素子11は、図4の上から下に向かって進行する撮影光を受光し、当該撮影光を電気信号に変換し、当該電気信号(すなわち画像データ)を出力する。
下側基板31には、不図示の外部基板と電気的に接続するための裏面電極である複数のはんだボール34が形成されている。
上側基板32の上面には、R(赤)、G(緑)及びB(青)のカラーフィルタ35と、カラーフィルタ35を覆うオンチップレンズ36とが設けられている。
上側基板32には、シール樹脂37を介してカバー体38が固定されている。シール樹脂37は、上側基板32に対してカバー体38を接着する接着層として機能するとともに、カラーフィルタ35及びオンチップレンズ36を外側から遮断するシール層として機能する。
一例として、上側基板32には、2次元配列された複数のイメージセンサ(光電変換素子)を有する画素領域と、複数のイメージセンサを制御する制御回路とが形成される。一方、下側基板31には、複数のイメージセンサからの画素信号を処理する回路などのロジック回路が形成される。
他の例として、上側基板32には画素領域のみが形成され、制御回路及びロジック回路は下側基板31に形成されてもよい。
このように積層構造の下側基板31及び上側基板32に画素領域、制御回路及びロジック回路を形成することで、撮像素子11の平面方向への拡張を抑えて、撮像素子11の平面サイズの小型化を促すことができる。
図6は、下側基板31及び上側基板32の構造の一例を示す断面図であり、撮像素子11の一部分が拡大して示されている。
下側基板31には、例えばシリコン(Si)で構成された半導体基板81(以下「シリコン基板81」とも称する)の上側(上側基板32側)に、多層配線層82が形成されている。この多層配線層82により、例えば、上述の制御回路及びロジック回路が構成されている。
多層配線層82は、上側基板32に最も近い最上層の配線層83a、中間の配線層83b、及び、シリコン基板81に最も近い最下層の配線層83cなどからなる複数の配線層83と、各配線層83の間に形成された層間絶縁膜84とで構成される。
複数の配線層83は、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)などを用いて形成され、層間絶縁膜84は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などで形成される。複数の配線層83及び層間絶縁膜84のそれぞれは、全ての階層が同一の材料で形成されていてもよし、階層によって2つ以上の材料を使い分けてもよい。
シリコン基板81の所定の位置には、シリコン基板81を貫通するシリコン貫通孔85が形成される。シリコン貫通孔85の内壁に、絶縁膜86を介して接続導体87が埋め込まれることにより、シリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)88が形成される。絶縁膜86は、例えば、SiO膜やSiN膜などで形成することができる。
なお、図6に示されるシリコン貫通電極88では、内壁面に沿って絶縁膜86と接続導体87が成膜され、シリコン貫通孔85内部が空洞となっているが、内径によってはシリコン貫通孔85内部全体が接続導体87で埋め込まれることもある。換言すれば、貫通孔の内部が導体で埋め込まれていても、一部が空洞となっていてもどちらでもよい。このことは、後述するチップ貫通電極(TCV:Through Chip Via)105などについても同様である。
シリコン貫通電極88の接続導体87は、シリコン基板81の下面側に形成された再配線90と接続されており、再配線90は、はんだボール34と接続されている。接続導体87及び再配線90は、例えば、銅(Cu)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、チタンタングステン合金(TiW)、或いはポリシリコンなどで形成することができる。
また、シリコン基板81の下面側には、はんだボール34が形成されている領域を除いて、再配線90と絶縁膜86を覆うように、ソルダマスク(ソルダレジスト)91が形成されている。
一方、上側基板32には、シリコン(Si)で構成された半導体基板101(以下「シリコン基板101」とも称する)の下側(下側基板31側)に、多層配線層102が形成されている。この多層配線層102により、例えば、画素領域の画素回路が構成されている。
多層配線層102は、シリコン基板101に最も近い最上層の配線層103a、中間の配線層103b、及び、下側基板31に最も近い最下層の配線層103cなどからなる複数の配線層103と、各配線層103の間に形成された層間絶縁膜104とで構成される。
複数の配線層103及び層間絶縁膜104として使用される材料は、上述した配線層83及び層間絶縁膜84の材料と同種のものを採用することができる。また、複数の配線層103や層間絶縁膜104が、1または2つ以上の材料を使い分けて形成されてもよい点も、上述した配線層83及び層間絶縁膜84と同様である。
なお、図6の例では、上側基板32の多層配線層102は3層の配線層103で構成され、下側基板31の多層配線層82は4層の配線層83で構成されているが、配線層の総数はこれに限られず、任意の層数で形成することができる。
シリコン基板101内には、PN接合により形成されたフォトダイオードにより構成されるイメージセンサ40が、画素ごとに形成されている。
また、図示は省略されているが、多層配線層102とシリコン基板101には、第1転送トランジスタ52、第2転送トランジスタ54などの複数の画素トランジスタや、メモリ部(MEM)53なども形成されている。
カラーフィルタ35とオンチップレンズ36が形成されていないシリコン基板101の所定の位置には、上側基板32の配線層103aと接続されているシリコン貫通電極109と、下側基板31の配線層83aと接続されているチップ貫通電極105とが、形成されている。
チップ貫通電極105とシリコン貫通電極109は、シリコン基板101上面に形成された接続用配線106で接続されている。また、シリコン貫通電極109及びチップ貫通電極105のそれぞれとシリコン基板101との間には、絶縁膜107が形成されている。さらに、シリコン基板101の上面には、絶縁膜(平坦化膜)108を介して、カラーフィルタ35やオンチップレンズ36が形成されている。
以上のように、図1に示される固体撮像装置1の画素基板33は、下側基板31の多層配線層82側と、上側基板32の多層配線層102側とを貼り合わせた積層構造となっている。図6では、下側基板31の多層配線層82と、上側基板32の多層配線層102との貼り合わせ面が、破線で示されている。
また、固体撮像装置1の画素基板33では、上側基板32の配線層103と下側基板31の配線層83が、シリコン貫通電極109とチップ貫通電極105の2本の貫通電極により接続される。下側基板31の配線層83とはんだボール(裏面電極)14が、シリコン貫通電極88と再配線90により接続されている。これにより、固体撮像装置1の平面積を、極限まで小さくすることができる。
このように、図6に示される撮像素子11によれば、小型の半導体装置(半導体パッケージ)を実現することができる。
上述のように撮像素子11は、撮影光が入射するイメージセンサ40を具備する画素基板33と、イメージセンサ40に対面する透光性のカバー体38と、を備える。そして画素基板33とカバー体38との間に位置するシール樹脂37が、固定部として働き、画素基板33に対してカバー体38を固定する。これにより画素基板33及びカバー体38は一体化される。
さらに本実施形態の撮像素子11は、カバー体38に取り付けられる回折レンズ22を備える。
図4~図6に示されるカバー体38は、光軸方向に離れて位置する2つの平坦面(すなわち表面及び裏面)であって、光軸Axに垂直な方向に延在する平坦面を有する。回折レンズ22は、カバー体38のこれらの平坦面のうちの一方(すなわち画素基板33に向けられた裏面)に取り付けられる。
回折レンズ22は、カバー体38から画素基板33(特にイメージセンサ40)に向かって突出する複数の突出レンズ部23を有し、突出レンズ部23の相互間には空間(すなわちエアーギャップ24)が設けられる。
本実施形態では、隣り合う突出レンズ部23間に形成されるエアーギャップ24が、シール樹脂37等の部材によって充填されることなく、空間の状態を維持する。これにより回折レンズ22は、本来の微小凹凸形状を保持し、優れた光学特性を発揮及び維持することができる。
すなわち、突出レンズ部23間においてエアーギャップ24を適切に確保することにより、各突出レンズ部23の境界で大きな屈折率差を作り出すことができる。したがって本実施形態の回折レンズ22は、屈折に関して高いレンズ性能を本来的に持つことができ、高い屈折率を示すレンズとして構成することが可能である。
回折レンズ22の実際の屈折率は、各突出レンズ部23の形状やサイズ等を適宜調整することで変えられる。したがって本実施形態の回折レンズ22は、幅広い屈折率範囲に対応可能であり、その屈折率範囲内の所望の屈折率を選択的に示すように設けられる。
このように本実施形態によれば、所望の光屈折特性を示す回折レンズ22を、高い自由度で設計することが可能である。
また本実施形態の回折レンズ22(特に複数の突出レンズ部23の先端部)は、シール樹脂37に接触し、シール樹脂37を介して画素基板33(すなわち下側基板31及び上側基板32)を支持する。
これにより、画素基板33(例えばイメージセンサ40を含む上側基板32)の変形が抑えられ、回折レンズ22とイメージセンサ40との間の距離を所望距離に安定的且つ均一に維持することができる。
例えば、突出レンズ部23とイメージセンサ40との間に空間が設けられるキャビティ構造を撮像素子11が有する場合(後述の図22参照)、各突出レンズ部23の境界において大きな屈折率差が存在するため、回折レンズ22は高い屈折性能を有する。
その一方で、突出レンズ部23とイメージセンサ40との間に空間が存在すると、画素基板33が撓みやすくなり、例えば画素基板33が回折レンズ22に向かって意図せずに反ってしまう可能性がある。画素基板33(特にイメージセンサ40)が撓むと、回折レンズ22による撮影光の集光位置とイメージセンサ40の入光面(すなわち撮像面)とがずれて、デフォーカス状態で撮影が行われ、撮影画像の質が低下する。
一方、図4~図6に示す本実施形態の撮像素子11によれば、回折レンズ22によって画素基板33が支持されるため、画素基板33の撓み(特に回折レンズ22に向かう反り)の発生を抑えることができる。これにより、回折レンズ22と画素基板33(特にイメージセンサ40)との間の距離を、撮像面全体にわたって一定に保ち、撮像素子11の集光性能を向上させることができる。
また、画素基板33がシール樹脂37を介して回折レンズ22により支持されることで、回折レンズ22と画素基板33との間の距離(すなわち光路長)の長大化を抑えつつ、画素基板33の意図しない撓みを抑制することができる。
例えば、画素基板33を介してカバー体38とは反対側に設けられる支持体により、画素基板33を支持する場合(後述の図23参照)、画素基板33の撓みを防ぐことはできるが、光路長が長大化する傾向がある。
すなわち、画素基板33を外側から支える支持体を設ける場合、画素基板33と外部基板(図示せず)とはワイヤーボンド(WB)等の配線を介して相互に接続される。そのような配線設置のために、光軸方向スペースを確保する必要があり、カバー体38の裏面に取り付けられる回折レンズ22と、画素基板33(特にイメージセンサ40)との間の距離が大きくなり、光路長が長大化する。その結果、回折レンズ22を介してイメージセンサ40上に集光する撮影光の色収差が大きくなり、また撮像素子11全体の光軸方向サイズ(厚み)が大きくなる。
一方、図4~図6に示す本実施形態の撮像素子11によれば、画素基板33を外側から支える支持体が不要である。そのため、撮像素子11と外部基板とをつなぐ配線としてはんだボール34を設けることができ、画素基板33と外部基板(図示せず)とをつなぐためのワイヤーボンド配線は不要である。したがって、回折レンズ22を画素基板33(特にイメージセンサ40)に近づけて設置することができ、光路長を短くすることができる。
その結果、本実施形態の撮像素子11は、色収差が抑えられた高品質の撮影画像を取得することができ、撮像素子11の光軸方向サイズを小さくすることも可能である。
図7は、幾何光学レンズ21及び撮像素子11を備える撮像装置10の一例を示す断面図である。図8は、図7に示す撮像素子11の一部分を拡大して示す断面図である。
図7に示す撮像装置10は、上述の図4に示す撮像素子11と、カバー体38を介して画素基板33とは反対側に位置する幾何光学レンズ21(撮像レンズ)と、を備える。上述のように、撮像素子11は回折レンズ22を含み、回折レンズ22は、カバー体38からイメージセンサ40に向かって突出する複数の突出レンズ部23を有し、複数の突出レンズ部23の相互間にはエアーギャップ24が形成されている。
被写体像の撮影光Lは、幾何光学レンズ21、カバー体38、回折レンズ22、オンチップレンズ36及びカラーフィルタ35を通って、画素基板33のイメージセンサ40(図6参照)に入射する。
この際、撮影光Lは、主に、幾何光学レンズ21、回折レンズ22及びオンチップレンズ36により屈折されて進行方向が調整され、イメージセンサ40に向けて誘導される。そのため、実際に使用する幾何光学レンズ21の光学特性(例えば屈折特性)に応じて、回折レンズ22の光学特性及び構成を決めることができる。或いは、実際に使用する回折レンズ22の光学特性(例えば屈折特性)に応じて、幾何光学レンズ21の光学特性及び構成を決めることができる。
典型的には、幾何光学レンズ21の色収差が回折レンズ22によって低減されるように、回折レンズ22の光学特性(特に屈折特性)及び構成が決められる。
また幾何光学レンズ21から回折レンズ22に向かう撮影光Lの主光線入射角度(CRA)よりも小さい主光線入射角度で、回折レンズ22が撮影光Lを出射するように、回折レンズ22の光学特性(特に屈折特性)及び構成が決められる。
このように回折レンズ22は、幾何光学レンズ21の色収差を補正するレンズとしてだけではなく、主光線入射角度を改善するレンズとしても機能することができ、光学レンズ系全体のシェーディング特性を改善することができる。
図9は、撮像素子11の一部分を拡大して示す断面図であり、隣接するイメージセンサ40間で混色が生じる場合を例示的に説明する図である。図10は、撮像素子11の一部分を拡大して示す断面図であり、回折レンズ22によって撮影光Lが適切なイメージセンサ40に向かって屈折し、混色が防がれる場合を例示的に説明する図である。
上述のように、本実施形態の撮像素子11によれば、撮影光Lの光路は、幾何光学レンズ21により変えられた後、回折レンズ22によっても変えられる。
ただし、回折レンズ22を通過した撮影光Lの進行方向は、必ずしも、イメージセンサ40の撮像面に対して垂直な方向(すなわち光軸方向)と完全には一致しない。回折レンズ22によって、撮影光Lの進行方向が光軸方向に近づくように変えられるが、撮影光Lには、光軸方向に対して斜めを成す方向に進行する光成分が含まれる。
回折レンズ22とイメージセンサ40の撮像面との間の距離が大きい場合(図9参照)、光軸方向に対して傾斜する方向に進行する撮影光Lは、対応のイメージセンサ40に隣接する他のイメージセンサ40に入射しやくなり、混色をもたらしうる。
一方、回折レンズ22とイメージセンサ40の撮像面との間の距離が小さい場合(図10参照)、撮影光Lは、光軸方向に対して傾斜する方向に進行しても、対応のイメージセンサ40に入射する確率が高くなり、混色をもたらしにくい。
本件発明者は、撮像素子11の構成を変えつつ、混色の発生に関する考察を実際に行ったところ、混色発生を防ぐ観点から、回折レンズ22は、イメージセンサ40(特に撮像面)から光軸方向に60μm以下離れて位置することが有効であるという知見を得た。回折レンズ22は、イメージセンサ40から光軸方向に50μm以下離れて位置することがより好ましく、40μm以下離れて位置することがより好ましく、30μm以下離れて位置することがより好ましい。
なお図9及び図10に示すようにオンチップレンズ36を用いる場合には、回折レンズ22とオンチップレンズ36(特に頂部)との間の光軸方向距離dを60μm以下にすることで、混色発生を有効に防ぎうるという知見を、本件発明者は得た。回折レンズ22とオンチップレンズ36との間の光軸方向距離dは、50μm以下であることがより好ましく、40μm以下であることがより好ましく、30μm以下であることがより好ましい。
次に、回折レンズ22の製造方法の例について説明する。
図11A~図11Eは、回折レンズ22の製造方法の一例を説明するための図である。図12は、カバー体ウエハー45上に形成された複数の回折レンズ22を示す斜視図である。
上述のように本実施形態の回折レンズ22は、カバー体38の平坦面上(特に裏面上)に形成される。
本例では、まず、複数のカバー体38を含むカバー体ウエハー45が準備される(図11A参照)。
カバー体ウエハー45は、お互いに反対側に位置する2つの平坦面を有する。カバー体ウエハー45のこれらの平坦面は、個々のカバー体38の表面及び裏面にそれぞれ対応する。カバー体ウエハー45(すなわちカバー体38)の構成材料は限定されず、例えばガラスによってカバー体ウエハー45が構成される。
そして、カバー体ウエハー45の一方の平坦面に、回折レンズ22の構成材料から成るレンズ基材膜41が付着される(図11B参照)。
レンズ基材膜41の構成材料は限定されない。典型的には、レンズ基材膜41は、高屈折率を示す無機材料(例えばSiN、ZrO、ZnSe、Zns、TiO或いはCeOなど)から成る透明な無機膜として設けられる。
カバー体ウエハー45に対するレンズ基材膜41の付着方法は限定されず、任意の手段(例えばスピンコータや吹きつけなど塗布)を用いて、レンズ基材膜41がカバー体ウエハー45に付着される。
カバー体ウエハー45上のレンズ基材膜41の厚みは限定されないが、回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)の厚みに応じて、カバー体ウエハー45上のレンズ基材膜41の厚みが決められる。典型的には、数十nm(ナノメートル)~数百nmの厚みを有するレンズ基材膜41が、カバー体ウエハー45上に形成される。
その後、レンズ基材膜41上にレジスト42が付着され、パターニングが行われる(図11C参照)。すなわち、回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)の形状及び配置に応じたパターン構成を有するレジスト42が、レンズ基材膜41を被覆する。
レジスト42の構成材料及びレンズ基材膜41に対するレジスト42の付着方法は、限定されない。
その後、レンズ基材膜41のエッチングが行われ、レンズ基材膜41のうちレジスト42により覆われていない箇所が、カバー体ウエハー45上から取り除かれる(図11D)。ここで行われるエッチングの具体的な方法は限定されず、典型的にはドライエッチングが行われる。
その後、レジスト42がレンズ基材膜41から取り除かれる(図11E)。レジスト42の除去方法は限定されない。典型的には、レンズ基材膜41及びレジスト42の材料に応じて選定された薬品を使って、レジスト42が除去される。
上述の一連の工程を行った結果、カバー体ウエハー45には、残存するレンズ基材膜41によって構成される複数の回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)が形成される(図12参照)。
上述の図11A~図11Eに示す製造方法によれば、曲面ではなく、平坦面上に回折レンズ22を形成することができる。
回折レンズ22は、回折を利用して撮影光Lを効率的に屈折させるために、撮影光Lの波長に対して十分に小さいスリット部を有する必要があり、個々の突出レンズ部23は数十nmレベルの微細構造を有することもある。リソグラフィ・エッチング技術を使ってレンズ表面などの曲面上に数十nmレベルの微細な突出レンズ部23を作る場合、突出レンズ部23の高さ方向位置の精緻な調整が必要とされる。そのような微細構造の回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)を曲面上に高精度に形成することは簡単ではなく、製造コストも高くなる。
一方、本実施形態のようにカバー体38(カバー体ウエハー45)上に回折レンズ22を形成する場合、カバー体38(カバー体ウエハー45)の平坦性が高い面上に複数の突出レンズ部23を作ることができる。そのため、数十nmレベルの微細構造の回折レンズ22を、リソグラフィ・エッチング技術によって、カバー体38(カバー体ウエハー45)の平坦面上に高精度に事前形成することができる。
また上述の図11A~図11Eに示す製造方法によれば、図12に示すように、複数のカバー体38を含む一体構成のカバー体ウエハー45上に、複数の回折レンズ22を形成することができる。すなわち、カバー体ウエハー45のうちそれぞれのカバー体38に対応する複数の箇所上に、複数の回折レンズ22を同時的に形成することができる。これにより、回折レンズ22が取り付けられたカバー体38を効率良く大量に作ることができ、製造コストを下げることも可能である。
なお複数の回折レンズ22が取り付けられている上述のカバー体ウエハー45は、一体構造のウエハーの状態のまま撮像素子11の製造に用いられてもよいし、切断されて個々のカバー体38に分離されてもよい。
次に、撮像素子11の製造方法の例について説明する。
撮像素子11の製造方法の典型例は、上述のようにして作られたカバー体38を画素基板33に対して固定する工程を含む。当該工程において、カバー体38に取り付けられている回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)が、カバー体38と画素基板33との間に位置するように、カバー体38は画素基板33に対して固定される。
一般に、カバー体38が取り付けられる直前の画素基板33は、カラーフィルタ35及びオンチップレンズ36が既に取り付けられていることが多く、カラーフィルタ35及びオンチップレンズ36は有機材料で構成されることが多い。そのため、カバー体38が取り付けられる直前の画素基板33は、耐熱性に関して厳しい制約を受ける。
したがって、カバー体38が取り付けられる直前の画素基板33上に回折レンズ22を形成することは、そのような耐熱性の制約範囲内でのみ可能であり、必ずしも容易ではない。
一方、上述のように画素基板33から分離したカバー体38上に回折レンズ22を形成する場合、耐熱性に関する制約が緩く、平坦性が高いカバー体38の面上に回折レンズ22を形成することができる。そのため、リソグラフィ・エッチング技術を使って、ナノレベル構造の回折レンズ22を、カバー体38上に容易に精度良く形成することができる。
なお、本実施形態の撮像素子11では、上述のように突出レンズ部23間にエアーギャップ24が確保された状態で、カバー体38は画素基板33に対して固定される。
そのようなエアーギャップ24を確実に作り出すため、撮像素子11の製造方法は、例えば以下に示す工程を含んでもよい。
図13A~図13Dは、撮像素子11の製造方法の一例を示す斜視図である。
図14~図16は、撮像素子11の製造方法の一例を示す撮像素子11の断面図である。理解を容易にするため、図14~図16は1つの画素基板33に注目しているが、本例の製造方法では、複数の画素基板33を含む基板ウエハー46単位で、図14~図16に示す製造プロセスが行われる。
本例の製造方法によって作られる撮像素子11では、画素基板33(特にイメージセンサ40)と回折レンズ22との間に位置するシール樹脂37が光硬化樹脂膜により構成され、複数の突出レンズ部23の先端部が硬化状態の光硬化樹脂膜に接触する。
すなわち、まず、複数の画素基板33を含む一体構成の基板ウエハー46が準備される(図13A参照)。この基板ウエハー46には、各画素基板33に対応する箇所においてカラーフィルタ35及びオンチップレンズ36が既に取り付けられている。
そして、基板ウエハー46(すなわち複数の画素基板33)の一方の面上に、シール樹脂37を構成する光硬化樹脂が未硬化状態で付与される(図13B参照)。光硬化樹脂は、各画素基板33のうちカラーフィルタ35及びオンチップレンズ36が設けられる側の面を覆うように、基板ウエハー46に付与される。
その後、基板ウエハー46上の光硬化樹脂(シール樹脂37)に光が照射される(図13C参照)。これにより、基板ウエハー46上の光硬化樹脂のうち各画素基板33のイメージセンサ40を覆う部分が、光照射によって硬化される(図13Cに示す「樹脂硬化部37a」参照)。
本工程において、基板ウエハー46上の光硬化樹脂のうち各画素基板33のイメージセンサ40よりも外側の部分は、光が照射されず、未硬化状態のままである。
典型的には、図14に示すように、露光装置49から発せられる光が、マスク48を介して各画素基板33上の光硬化樹脂(シール樹脂37)に照射される。
その後、回折レンズ22が取り付けられたカバー体ウエハー45(図12参照)が、光硬化樹脂(シール樹脂37)を介して基板ウエハー46に接着される(図13D参照)。
すなわち、光硬化樹脂(シール樹脂37)のうちイメージセンサ40の外側に位置する未硬化部分(すなわち未露光部分)が、接着剤として働き、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46を接着する。
本工程では、基板ウエハー46の各画素基板33上の光硬化樹脂のうち光照射によって硬化した部分に、回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)を対面させつつ、カバー体ウエハー45の各カバー体38が対応の画素基板33に対して固定される。
カバー体ウエハー45を基板ウエハー46に対して押しつけることによって、光硬化樹脂のうちの未硬化部分が、イメージセンサ40の外側で、オンチップレンズ36よりも盛り上がる。このようにして各画素基板33の周辺部分で盛り上がった未硬化状態の光硬化樹脂に、カバー体38の裏面のうち回折レンズ22よりも外側の部分を接触させることで、各画素基板33が対応のカバー体38に対して接着される(図15参照)。
本工程では、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46に接触する光硬化樹脂(シール樹脂37)の未硬化部分に光が照射され、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46に対して光硬化樹脂(シール樹脂37)が固着される。
その後、はんだボール34、TSV及び裏面配線などの構成要素が、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46を含む一体構成のウエハー構造体に形成される(図16参照)。
その後、ウエハー構造体が切断され、個々の撮像素子11に分離される。
本例の製造方法によれば、シール樹脂37のうち回折レンズ22(すなわち複数の突出レンズ部23)に対面する部分が硬化した状態で、複数の突出レンズ部23がシール樹脂37に接触させられる。
そのため、突出レンズ部23間のエアーギャップ24へのシール樹脂37の進入を防ぎつつ、回折レンズ22が取り付けられたカバー体38を、シール樹脂37を介して画素基板33に押しつけて固定することができる。
したがって、各エアーギャップ24は、シール樹脂37によって充填されることなく、空間の状態を維持することができ、回折レンズ22は所望の光学特性を保持することができる。
図17は、撮像素子11の製造方法の他の例を示す断面図である。図18は、図17に示す製造方法によって製造される撮像素子11の一部分を拡大して示す断面図である。
本例の製造方法によって作られる撮像素子11では、画素基板33(特にイメージセンサ40)と回折レンズ22との間に位置する無機膜50に、複数の突出レンズ部23の先端部が接触する。
すなわち、まず、カラーフィルタ35及びオンチップレンズ36が既に取り付けられている基板ウエハー46が準備される。
そして、基板ウエハー46(すなわち複数の画素基板33)の一方の面上に、シール樹脂37を構成する材料膜が付与される。シール樹脂37の具体的な材料は限定されず、光硬化樹脂であってもよいし、熱硬化樹脂であってもよい。
そして、基板ウエハー46上のシール樹脂37が半硬化される。シール樹脂37を半硬化させる方法は限定されず、例えば光照射や加熱等の適切な手段によって、シール樹脂37は半硬化される。
その後、基板ウエハー46(すなわち複数の画素基板33)上の半硬化状態のシール樹脂37上に、透光性の無機膜50が付与される。これにより、基板ウエハー46の各画素基板33のイメージセンサ40が、硬化状態の無機膜50により覆われる。
なお、基板ウエハー46上のシール樹脂37のうち各画素基板33のイメージセンサ40よりも外側の部分は、無機膜50により覆われることなく、半硬化状態で露出されたままである。
無機膜50の具体的な材料は限定されず、例えば二酸化ケイ素(SiO)によって無機膜50を構成してもよい。
シール樹脂37に対する無機膜50の付与方法は限定されず、例えばスパッタリングによって無機膜50をシール樹脂37に付着させることができる。一例として、図17に示すように、画素基板33上のシール樹脂37と、成膜装置51との間にマスク48を介在させ、シール樹脂37のうち無機膜50が形成される範囲を成膜装置51に対して露出させた状態で、成膜装置51は無機膜50の成膜処理を行う。
その後、回折レンズ22が取り付けられたカバー体ウエハー45(図12参照)が、シール樹脂37を介して基板ウエハー46に接着される。本工程では、無機膜50に複数の突出レンズ部23を対面させつつ、カバー体38が画素基板33に対して固定される。
カバー体ウエハー45を基板ウエハー46に対して押しつけることによって、シール樹脂37のうちの未硬化部分が、イメージセンサ40の外側で、オンチップレンズ36よりも盛り上がる。このようにして周辺部分で盛り上がった未硬化状態のシール樹脂37に、カバー体38の裏面のうち回折レンズ22よりも外側の部分を接触させることで、各画素基板33が対応のカバー体38に対して接着される(図18参照)。
本工程では、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46に接触するシール樹脂37の未硬化部分が硬化され、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46に対してシール樹脂37が固着される。
その後、はんだボール34、TSV及び裏面配線などの構成要素が、カバー体ウエハー45及び基板ウエハー46を含む一体構成のウエハー構造体に形成される。
その後、ウエハー構造体が切断され、個々の撮像素子11に分離される。
本例の製造方法によれば、カバー体38を画素基板33に対して固定する際、硬化状態の無機膜50に対して複数の突出レンズ部23が接触させられる。
そのため、突出レンズ部23間のエアーギャップ24へのシール樹脂37の進入が無機膜50によりブロックされた状態で、回折レンズ22が取り付けられたカバー体38を、シール樹脂37を介して画素基板33に押しつけて固定することができる。
したがって、各エアーギャップ24は、シール樹脂37によって充填されることなく、空間の状態を維持することができ、回折レンズ22は所望の光学特性を保持することができる。
上述のいずれの製造方法においても、回折レンズ22の複数の突出レンズ部23が硬化部材(すなわちシール樹脂37(光硬化樹脂)又は無機膜50)に対面した状態で、カバー体38がシール樹脂37を介して画素基板33に対して押しつけられる。これにより、突出レンズ部23間のエアーギャップ24へのシール樹脂37の進入を確実に防ぎ、回折レンズ22は、微小凹凸形状を保持して、本来の光学特性を発揮することができる。
[第2実施形態]
本実施形態において、上述の第1実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図19は、第2実施形態に係る撮像装置10の一例を示す断面図である。
図19に示す撮像装置10は、複数のレンズ構成層55を含む回折レンズユニット56を備える。
複数のレンズ構成層55は、光軸方向にお互いに重ねられる。各レンズ構成層55は、カバー体38と、カバー体38の裏面に取り付けられる回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)と、を含む。
図19に示す回折レンズユニット56は3つのレンズ構成層55を含むが、回折レンズユニット56に含まれるレンズ構成層55の数は限定されない。
隣り合うレンズ構成層55は接着層57を介して相互に接着される。すなわち、隣り合うレンズ構成層55のうちの一方のレンズ構成層55(図19の上側のレンズ構成層55)の回折レンズ22と、他方のレンズ構成層55(図19の下側のレンズ構成層55)のカバー体38(特に表面)とが、同じ接着層57に固着される。
最も画素基板33側(図19の下側)に位置するレンズ構成層55の回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)のうちイメージセンサ40と対面しない部分が、シール樹脂37を介して画素基板33に接着される。
図19に示す例では、各カバー体38の裏面の全体にわたって回折レンズ22が取り付けられているが、上述の第1実施形態の例(図4参照)のように、各カバー体38の裏面の一部にのみ回折レンズ22が取り付けられてもよい。この場合、接着層57及びシール樹脂37は、カバー体38の裏面のうち回折レンズ22が取り付けられていない周辺領域に付着し、カバー体38の裏面のうち回折レンズ22が取り付けられている中央領域には付着しないように、設けられうる。
図19に示す撮像装置10の他の構成は、上述の第1実施形態に係る撮像装置10の構成と同様である。
本実施形態の撮像装置10及び撮像素子11によれば、積層構造を有する複数の回折レンズ22によって、撮影光Lの光路を調整し、色収差等の光学特性上の不具合を改善することが可能である。
その結果、例えば、より高度な光学特性を有する撮像装置10及び撮像素子11を実現したり、より簡素な及び/又はより安価な幾何光学レンズ21を用いたりすることが可能である。特に、幾何光学レンズ21のレンズ枚数や各レンズの厚みを薄くすることで、光学レンズ系全体の光軸方向サイズを小さくし、撮像装置10全体の薄型化を促すことができる。
また、それぞれのレンズ構成層55において様々な光学特性を有する回折レンズ22を用いることで、光学レンズ系全体として多様な光学特性を発揮することが可能である。
[第3実施形態]
本実施形態において、上述の第1実施形態及び第2実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図20は、第3実施形態に係る撮像装置10の一例を示す断面図である。
図20に示す撮像装置10は、複数のレンズ構成層55を含む回折レンズユニット56を備えるが、幾何光学レンズを具備しない。すなわち本実施形態の光学レンズ系は、複数の回折レンズ22のみを含み、幾何光学レンズを含まない。図20に示す回折レンズユニット56は、6つのレンズ構成層55を含む。
隣り合うレンズ構成層55間の接着構成、及び、最も画素基板33側に位置するレンズ構成層55と画素基板33との間の接着構成は、上述の第2実施形態の例(図19参照)と同様である。
図20に示す撮像装置10の他の構成は、上述の第2実施形態に係る撮像装置10の構成と同様である。
本実施形態の撮像装置10及び撮像素子11によれば、幾何光学レンズが不要である。そのため、装置構成を簡素化することが可能であり、撮像装置10全体の光軸方向サイズを小さくすることが可能である。
また、それぞれのレンズ構成層55において様々な光学特性を有する回折レンズ22を用いることで、光学レンズ系全体として多様な光学特性を発揮することが可能である。
[第4実施形態]
本実施形態において、上述の第1実施形態~第3実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図21は、第4実施形態に係る撮像装置10の一例を示す断面図である。
図21に示す撮像素子11では、回折レンズ22を構成する突出レンズ部23間のエアーギャップ24に、シール樹脂37が充填されている。
本実施形態の回折レンズ22は、上述の第1実施形態と同様に、カバー体38の裏面のうち光軸方向にイメージセンサ40と対面する範囲にわたって存在するが、カバー体38の裏面のうちイメージセンサ40と対面しない周辺範囲の一部又は全部には存在しない。
本例の撮像装置10の他の構成は、上述の第1実施形態に係る撮像装置10の構成と同様である。
本実施形態の撮像装置10及び撮像素子11においても、回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)はカバー体38の平坦面に取り付けられる。そのため、所望形状の回折レンズ22を、カバー体38上の所望位置に精度良く設けることができる。
[第5実施形態]
本実施形態において、上述の第1実施形態~第4実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図22は、第5実施形態に係る撮像装置10の一例を示す断面図である。
図22に示す撮像素子11では、イメージセンサ40と回折レンズ22との間に空間が設けられる。より具体的には、光軸方向において、オンチップレンズ36と回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)との間は、シール樹脂37が存在せず、空間が存在する。
すなわち、画素基板33の周辺領域に対応する範囲には、上述の第1実施形態と同様に、カバー体38を画素基板33に対して接着固定するシール樹脂37が存在する。一方、画素基板33の中央領域(特にイメージセンサ40が存在する領域)に対応する範囲には、シール樹脂37が存在しない。
そのため本例の撮像素子11は、カバー体38、シール樹脂37及び画素基板33によって囲まれる空間を持つキャビティ構造を有し、当該空間にカラーフィルタ35、オンチップレンズ36及び回折レンズ22が位置する。
図22に示す撮像装置10の他の構成は、上述の第1実施形態に係る撮像装置10の構成と同様である。
本実施形態の撮像装置10及び撮像素子11によれば、回折レンズ22と、当該回折レンズ22に隣接する空間との間で大きな屈折率差があるので、回折レンズ22の回折性能(すなわち屈折性能)を向上させることができる。これにより、幾何光学レンズ21及び回折レンズ22の設計上の制約を緩和することが可能である。
[第6実施形態]
本実施形態において、上述の第1実施形態~第5実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図23は、第6実施形態に係る撮像装置10の一例を示す断面図である。
図23に示す撮像素子11は、画素基板33を外側から支持する支持体60と、支持体60とカバー体38との間に位置する接着層61と、を備える。
支持体60は、内側に空間を有する中空構造を有し、光軸Axと垂直な方向に延びる支持底部と、支持底部から光軸方向に延びる支持周縁部と、を具備する。
画素基板33、カラーフィルタ35及びオンチップレンズ36は、支持底部に対して固定され、全体が支持体60の内側空間に配置される。
カバー体38の裏面に取り付けられる回折レンズ22は、支持体60、接着層61及びカバー体38により包囲される空間に、全体が配置される。
接着層61は、支持体60の支持周縁部の端面と、カバー体38の周縁部(特に回折レンズ22より外側に位置する部分)の裏面と、の間に位置し、支持体60に対してカバー体38を固定する固定部として働く。
したがって本実施形態の撮像素子11では、上述の第1実施形態~第4実施形態の撮像素子11では設けられていたシール樹脂37が不要である。そのため、オンチップレンズ36と回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)との間は、全体にわたって空間が存在する。
画素基板33は、ワイヤーボンド配線62を介して外部基板(図示せず)に接続される。ワイヤーボンド配線62の全体と、外部基板のうちワイヤーボンド配線62が接続される部分とは、支持体60の内側空間に位置する。
図23に示す撮像装置10の他の構成は、上述の第1実施形態に係る撮像装置10の構成と同様である。
本実施形態の撮像装置10及び撮像素子11によれば、回折レンズ22と、当該回折レンズ22に隣接する空間との間で大きな屈折率差があるため、回折レンズ22の回折性能(すなわち屈折性能)を向上させることができる。
また画素基板33は支持体60によって外側から支持されているので、画素基板33の撓み及び反りの発生を防ぐことができる。
[回折レンズの構造例]
次に、回折レンズ22の構造例について説明する。
以下で例示的に説明される回折レンズ22を適用可能な撮像装置10及び撮像素子11は、限定されない。したがって以下で説明する回折レンズ22は、上述の各実施形態に係る撮像装置10及び撮像素子11に対して適用されてもよいし、他の撮像装置10及び撮像素子11に対して適用されてもよい。
図24は、回折レンズ22の構造例を示す斜視図である。理解を容易にするため、図24には、直方体状のカバー体38の上面において、相互に垂直を成す縦方向及び横方向に沿って複数の突出レンズ部23が規則的に並べられている状態が示されている。実際のカバー体38及び回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)の状態は、図24に示す状態とは異なりうる。
回折レンズ22の構造は、主として、各突出レンズ部23の光軸方向サイズ(高さh)、隣り合う突出レンズ部23間の距離(ピッチP)、及び光軸Axと垂直を成す方向のサイズ(縦幅D及び横幅W)に応じて定まる。
回折レンズ22は、撮影光Lを適切に屈折させるために、撮影光Lの波長に対して十分に小さいスリットを有する必要がある。
一般的な撮像装置10(カメラ)での使用を想定した場合、各突出レンズ部23は、200~1000nm程度の高さh、100~800nm程度の縦幅D及び横幅W、及び300~800nm程度のピッチPを有する。
図25は、回折レンズ22の一例の概略を示す拡大平面図である。図26A~図26Cは、回折レンズ22(複数の突出レンズ部23)の光回折の位相差s、屈折角θ及び焦点距離fを説明するための図である。
図25に示す例では、突出レンズ部23のピッチPが一定に維持された状態で、突出レンズ部23の平面サイズ(例えば横幅W及び縦幅D)が、中央から外側に向かうに従って小さくなる。この場合、回折レンズ22により回折された撮影光Lには位相差sが生じ(図26A参照)、突出レンズ部23から出射する撮影光Lは屈折する(図26B参照)。
回折レンズ22全体を凸レンズとして機能させる場合、回折レンズ22は、光軸Axから離れた位置ほど、大きな屈折角θで撮影光Lを屈折させる必要があり、図26Cに示すような焦点距離fを有する。
一方、突出レンズ部23によりもたらされる撮影光Lの位相差s(図26A参照)は、中央から外側に向かって並べられる突出レンズ部23の数に応じて少しずつ変わり、中央からある距離離れた位置で360°の位相差sが生じる。
したがって、そのような位相差sの変化を、中央(光軸Ax)から外側に向かって連続的に生じさせることで、回折レンズ22全体を凸レンズとして構成することが可能である。
図27は、1つの回折レンズ22を構成する複数の突出レンズ部23の配置例を示す平面図である。
図27に示すように、突出レンズ部23の平面サイズ(例えば横幅W及び縦幅D)の変化を、中心(すなわち光軸Ax)から外側に向かって周期的に生じさせることで、回折レンズ22全体を凸レンズとして機能させることが可能である。
図27に示す回折レンズ22では、第1周期S1、第2周期S2及び第3周期S3の突出レンズ部23を含む。第1周期S1は、光軸Axを含む範囲である。第2周期S2は、第1周期S1の次に光軸Axに近い範囲であり、第1周期S1に隣り合って位置する。第3周期S3は、第2周期S2の次に光軸Axに近い範囲であり、第2周期S2に隣り合って位置する。
第1周期S1、第2周期S2及び第3周期S3の各々に含まれる複数の突出レンズ部23は、光回折に関し、0°~360°の範囲の位相差を示す。
ここで、図27に示す例において、中心(光軸Ax)から右横方向に延びる仮想線上に位置する複数の突出レンズ部23に注目する。
この場合、第1周期S1に含まれる各突出レンズ部23の横幅W1、第2周期S2に含まれる各突出レンズ部23の横幅W2、及び第3周期S3に含まれる各突出レンズ部23の横幅W3は、「W1>W2>W3」の関係を有する。すなわち、各周期における位置に関して周期間で相互に対応する突出レンズ部23の横幅Wは、「W1>W2>W3」の関係を満たす。
例えば第1周期S1の最も光軸Ax側に位置する突出レンズ部23の横幅W1、第2周期S2の最も光軸Ax側に位置する突出レンズ部23の横幅W2、及び第3周期S3の最も光軸Ax側に位置する突出レンズ部23の横幅W3は、「W1>W2>W3」を満たす。
なお上述の「W1>W2>W3」は、各突出レンズ部23の横幅Wの方向に並べられる複数の突出レンズ部23に注目した場合に満たされる関係である。
他の直線方向に並ぶ複数の突出レンズ部23の関係については、当該方向に沿った第1周期S1の各突出レンズ部23のサイズJ1、第2周期S2の各突出レンズ部23のサイズJ2、及び第3周期S3の各突出レンズ部23のJ3が「J1>J2>J3」を満たす。すなわち、各周期における位置に関して周期間で相互に対応する突出レンズ部23のサイズが「J1>J2>J3」の関係を満たす。
したがって、各突出レンズ部23の縦幅Dの方向に並べられる複数の突出レンズ部23に注目した場合、第1周期S1~第3周期S3の対応の突出レンズ部23間で「D1>D2>D3」の関係が満たされる。すなわち第1周期S1の最も光軸Ax側の突出レンズ部23の縦幅D1、第2周期S2の最も光軸Ax側の突出レンズ部23の第2周期S2、及び第3周期S3の最も光軸Ax側の突出レンズ部23の縦幅D3は、「D1>D2>D3」の関係を満たす。
一方、各周期における複数の突出レンズ部23は、同じピッチPで設けられる。
ただし、第1周期S1に含まれる突出レンズ部23のピッチP1、第2周期S2に含まれる突出レンズ部23のピッチP2、及び第3周期S3に含まれる突出レンズ部23のピッチP3は、「P1>P2>P3」の関係を有する。
上述の「W1>W2>W3」、「D1>D2>D3」、「J1>J2>J3」及び「P1>P2>P3」を満たす回折レンズ22は、全体として凸レンズを構成する。
一方、「W1<W2<W3」、「D1<D2<D3」、「J1<J2<J3」及び「P1<P2<P3」を満たす回折レンズ22は、全体として凹レンズを構成する。
以上説明したように、凸レンズを構成する回折レンズ22の複数の突出レンズ部23の平面サイズ(すなわち光軸Axと垂直を成す平面上のサイズ)は、光軸Axからの距離を基準に周期的に変化する。複数の突出レンズ部23の平面サイズの変化の周期は、複数の突出レンズ部23の光回折の360°の位相差に基づく。そして、凸レンズを成す回折レンズ22では、各周期において、光軸Axから離れるに従って突出レンズ部23の平面サイズは小さくなる。
同様に、凹レンズを構成する回折レンズ22の複数の突出レンズ部23の平面サイズは、光軸Axからの距離を基準に周期的に変化し、複数の突出レンズ部23の平面サイズの変化の周期は、複数の突出レンズ部23の光回折の360°の位相差に基づいている。ただし、凹レンズを成す回折レンズ22では、各周期において、光軸Axから離れるに従って突出レンズ部23の平面サイズは大きくなる。
[応用例]
以下に、上述の撮像装置10、撮像素子11、及び撮像装置10及び撮像素子11の製造方法を応用可能な電子機器の例について説明する。なお、上述の撮像装置10、撮像素子11、及び撮像装置10及び撮像素子11の製造方法は、下述の電子機器以外の任意のシステム、装置及び方法等に対しても応用可能である。
<移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図28は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図28に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(Interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12030に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図28の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図29は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図29では、撮像部12031として、撮像部12101、12102、12103、12104、12105を有する。
撮像部12101、12102、12103、12104、12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102、12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図29には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば撮像部12031、12101、12102、12103、12104、12105及び運転者状態検出部12041が含むカメラに適用されうる。これらの場合にも、小型の装置構成で高品質の画像を取得するのに有利である。
<内視鏡手術システムへの応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図30は、本開示に係る技術(本技術)が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図30では、術者(医師)11131が、内視鏡手術システム11000を用いて、患者ベッド11133上の患者11132に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム11000は、内視鏡11100と、気腹チューブ11111やエネルギー処置具11112等の、その他の術具11110と、内視鏡11100を支持する支持アーム装置11120と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート11200と、から構成される。
内視鏡11100は、先端から所定の長さの領域が患者11132の体腔内に挿入される鏡筒11101と、鏡筒11101の基端に接続されるカメラヘッド11102と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒11101を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡11100を図示しているが、内視鏡11100は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒11101の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡11100には光源装置11203が接続されており、当該光源装置11203によって生成された光が、鏡筒11101の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者11132の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡11100は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド11102の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光(観察光)は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、RAWデータとしてカメラコントロールユニット(CCU: Camera Control Unit)11201に送信される。
CCU11201は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等によって構成され、内視鏡11100及び表示装置11202の動作を統括的に制御する。さらに、CCU11201は、カメラヘッド11102から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理(デモザイク処理)等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置11202は、CCU11201からの制御により、当該CCU11201によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置11203は、例えばLED(light emitting diode)等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡11100に供給する。
入力装置11204は、内視鏡手術システム11000に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置11204を介して、内視鏡手術システム11000に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡11100による撮像条件(照射光の種類、倍率及び焦点距離等)を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置11205は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具11112の駆動を制御する。気腹装置11206は、内視鏡11100による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者11132の体腔を膨らめるために、気腹チューブ11111を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ11207は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ11208は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡11100に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置11203は、例えばLED、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。RGBレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色(各波長)の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置11203において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、RGBレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御することにより、RGBそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置11203は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド11102の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置11203は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光(すなわち、白色光)に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察(Narrow Band Imaging)が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること(自家蛍光観察)、又はインドシアニングリーン(ICG)等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置11203は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び/又は励起光を供給可能に構成され得る。
図31は、図30に示すカメラヘッド11102及びCCU11201の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド11102は、レンズユニット11401と、撮像部11402と、駆動部11403と、通信部11404と、カメラヘッド制御部11405と、を有する。CCU11201は、通信部11411と、画像処理部11412と、制御部11413と、を有する。カメラヘッド11102とCCU11201とは、伝送ケーブル11400によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット11401は、鏡筒11101との接続部に設けられる光学系である。鏡筒11101の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド11102まで導光され、当該レンズユニット11401に入射する。レンズユニット11401は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部11402を構成する撮像素子は、1つ(いわゆる単板式)であってもよいし、複数(いわゆる多板式)であってもよい。撮像部11402が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってRGBそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部11402は、3D(dimensional)表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための1対の撮像素子を有するように構成されてもよい。3D表示が行われることにより、術者11131は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部11402が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット11401も複数系統設けられ得る。
また、撮像部11402は、必ずしもカメラヘッド11102に設けられなくてもよい。例えば、撮像部11402は、鏡筒11101の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部11403は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部11405からの制御により、レンズユニット11401のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部11402による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部11404は、CCU11201との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11404は、撮像部11402から得た画像信号をRAWデータとして伝送ケーブル11400を介してCCU11201に送信する。
また、通信部11404は、CCU11201から、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部11405に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに/又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてCCU11201の制御部11413によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるAE(Auto Exposure)機能、AF(Auto Focus)機能及びAWB(Auto White Balance)機能が内視鏡11100に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部11405は、通信部11404を介して受信したCCU11201からの制御信号に基づいて、カメラヘッド11102の駆動を制御する。
通信部11411は、カメラヘッド11102との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部11411は、カメラヘッド11102から、伝送ケーブル11400を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部11411は、カメラヘッド11102に対して、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部11412は、カメラヘッド11102から送信されたRAWデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部11413は、内視鏡11100による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部11413は、カメラヘッド11102の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部11413は、画像処理部11412によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置11202に表示させる。この際、制御部11413は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部11413は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具11112の使用時のミスト等を認識することができる。制御部11413は、表示装置11202に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者11131に提示されることにより、術者11131の負担を軽減することや、術者11131が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド11102及びCCU11201を接続する伝送ケーブル11400は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル11400を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド11102とCCU11201との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えばカメラヘッド11102に適用されうる。この場合にも、小型の装置構成で高品質の画像を取得するのに有利である。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
本明細書で開示されている実施形態及び変形例はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が全体的に又は部分的に組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。また、本明細書に記載された本開示の効果は例示に過ぎず、その他の効果がもたらされてもよい。
上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の装置を製造する方法或いは使用する方法に含まれる1又は複数の手順(ステップ)をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的(non-transitory)な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。
[付記]
本開示は以下の構成を取ることもできる。
[項目1]
撮影光が入射するイメージセンサを具備する画素基板と、
前記イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、
前記カバー体から前記イメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、を備え、
前記複数の突出レンズ部の相互間に空間が設けられている
撮像素子。
[項目2]
前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に位置し、前記複数の突出レンズ部に接触する光硬化樹脂膜を備える
項目1に記載の撮像素子。
[項目3]
前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に位置し、前記複数の突出レンズ部に接触する無機膜を備える
項目1又は2に記載の撮像素子。
[項目4]
お互いに重ねられる複数のレンズ構成層を備え、
前記複数のレンズ構成層の各々は、前記カバー体及び前記回折レンズを含む
項目1~3のいずれに記載の撮像素子。
[項目5]
前記回折レンズは、前記イメージセンサから60μm以下離れて位置する
項目1~4のいずれに記載の撮像素子。
[項目6]
前記複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、
前記複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、前記複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、
各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが小さくなる
項目1~5のいずれに記載の撮像素子。
[項目7]
前記複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、
前記複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、前記複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、
各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが大きくなる
項目1~6のいずれに記載の撮像素子。
[項目8]
前記画素基板と前記カバー体との間に位置し、前記画素基板に対して前記カバー体を固定する固定部を備える
項目1~7のいずれに記載の撮像素子。
[項目9]
前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に空間が設けられている項目1~8のいずれに記載の撮像素子。
[項目10]
前記画素基板を支持する支持体と、
前記支持体とカバー基板との間に位置し、前記支持体に対して前記カバー体を固定する固定部と、を備える
項目1~9のいずれに記載の撮像素子。
[項目11]
撮影光が入射するイメージセンサを具備する画素基板と、
前記イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、
前記カバー体から前記イメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、
前記カバー体を介して前記画素基板とは反対側に位置する撮像レンズと、を備え、
前記複数の突出レンズ部の相互間に空間が形成されている
撮像装置。
[項目12]
前記回折レンズは、前記撮像レンズの色収差を低減する
項目11に記載の撮像装置。
[項目13]
前記回折レンズは、前記撮像レンズから前記回折レンズに向かう前記撮影光の主光線入射角度よりも小さい主光線入射角度で、前記撮影光を出射する
項目11又は12に記載の撮像装置。
[項目14]
イメージセンサを有する画素基板に対し、透光性のカバー体を固定する工程を含み、
前記カバー体には、回折レンズを構成し且つ相互間に空間が設けられている複数の突出レンズ部が固定されており、
前記複数の突出レンズ部が前記カバー体と前記画素基板との間に位置するように、前記カバー体は前記画素基板に対して固定される
撮像素子の製造方法。
[項目15]
前記画素基板上に、光硬化樹脂を付与する工程と、
前記画素基板上の前記光硬化樹脂のうち前記イメージセンサを覆う部分を、光照射によって硬化させる工程と、を含み、
前記画素基板上の前記光硬化樹脂のうち前記光照射によって硬化した部分に前記複数の突出レンズ部を対面させつつ、前記カバー体が前記画素基板に対して固定される
項目14に記載の撮像素子の製造方法。
[項目16]
前記画素基板上に、無機膜を付与する工程を含み、
前記無機膜に前記複数の突出レンズ部を対面させつつ、前記カバー体が前記画素基板に対して固定される
項目14又は15に記載の撮像素子の製造方法。
10 撮像装置
11 撮像素子
21 幾何光学レンズ
22 回折レンズ
23 突出レンズ部
24 エアーギャップ
31 下側基板
32 上側基板
33 画素基板
34 はんだボール
35 カラーフィルタ
36 オンチップレンズ
37 シール樹脂
38 カバー体
40 イメージセンサ
41 レンズ基材膜
42 レジスト
45 カバー体ウエハー
46 基板ウエハー
48 マスク
49 露光装置
50 無機膜
51 成膜装置
55 レンズ構成層
56 回折レンズユニット
57 接着層
60 支持体
61 接着層
62 ワイヤーボンド配線
Ax 光軸
D 縦幅
L 撮影光
L1 短波長光
L2 長波長光
P ピッチ
S1 第1周期
S2 第2周期
S3 第3周期
s 位相差
W 横幅
θ 屈折角

Claims (16)

  1. イメージセンサを具備する画素基板と、
    前記イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、
    前記カバー体から前記イメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、を備え、
    前記複数の突出レンズ部の相互間に空間が設けられている
    撮像素子。
  2. 前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に位置し、前記複数の突出レンズ部に接触する光硬化樹脂膜を備える
    請求項1に記載の撮像素子。
  3. 前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に位置し、前記複数の突出レンズ部に接触する無機膜を備える
    請求項1に記載の撮像素子。
  4. お互いに重ねられる複数のレンズ構成層を備え、
    前記複数のレンズ構成層の各々は、前記カバー体及び前記回折レンズを含む
    請求項1に記載の撮像素子。
  5. 前記回折レンズは、前記イメージセンサから60μm以下離れて位置する
    請求項1に記載の撮像素子。
  6. 前記複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、
    前記複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、前記複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、
    各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが小さくなる
    請求項1に記載の撮像素子。
  7. 前記複数の突出レンズ部の平面サイズは、光軸からの距離を基準に、周期的に変化し、
    前記複数の突出レンズ部の平面サイズの変化の周期は、前記複数の突出レンズ部の光回折の360°の位相差に基づいており、
    各周期において、光軸から離れるに従って突出レンズ部の平面サイズが大きくなる
    請求項1に記載の撮像素子。
  8. 前記画素基板と前記カバー体との間に位置し、前記画素基板に対して前記カバー体を固定する固定部を備える
    請求項1に記載の撮像素子。
  9. 前記イメージセンサと前記回折レンズとの間に空間が設けられている請求項1に記載の撮像素子。
  10. 前記画素基板を支持する支持体と、
    前記支持体とカバー基板との間に位置し、前記支持体に対して前記カバー体を固定する固定部と、を備える
    請求項1に記載の撮像素子。
  11. イメージセンサを具備する画素基板と、
    前記イメージセンサに対面する透光性のカバー体と、
    前記カバー体から前記イメージセンサに向かって突出する複数の突出レンズ部を有する回折レンズと、
    前記カバー体を介して前記画素基板とは反対側に位置する撮像レンズと、を備え、
    前記複数の突出レンズ部の相互間に空間が形成されている
    撮像装置。
  12. 前記回折レンズは、前記撮像レンズの色収差を低減する
    請求項11に記載の撮像装置。
  13. 前記回折レンズは、前記撮像レンズから前記回折レンズに向かう光の主光線入射角度よりも小さい主光線入射角度で、光を出射する
    請求項11に記載の撮像装置。
  14. イメージセンサを有する画素基板に対し、透光性のカバー体を固定する工程を含み、
    前記カバー体には、回折レンズを構成し且つ相互間に空間が設けられている複数の突出レンズ部が固定されており、
    前記複数の突出レンズ部が前記カバー体と前記画素基板との間に位置するように、前記カバー体は前記画素基板に対して固定される
    撮像素子の製造方法。
  15. 前記画素基板上に、光硬化樹脂を付与する工程と、
    前記画素基板上の前記光硬化樹脂のうち前記イメージセンサを覆う部分を、光照射によって硬化させる工程と、を含み、
    前記画素基板上の前記光硬化樹脂のうち前記光照射によって硬化した部分に前記複数の突出レンズ部を対面させつつ、前記カバー体が前記画素基板に対して固定される
    請求項14に記載の撮像素子の製造方法。
  16. 前記画素基板上に、無機膜を付与する工程を含み、
    前記無機膜に前記複数の突出レンズ部を対面させつつ、前記カバー体が前記画素基板に対して固定される
    請求項14に記載の撮像素子の製造方法。
JP2021037662A 2021-03-09 2021-03-09 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法 Pending JP2022137929A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021037662A JP2022137929A (ja) 2021-03-09 2021-03-09 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法
US18/548,647 US20240145510A1 (en) 2021-03-09 2022-01-19 Imaging element, imaging device, and method for manufacturing imaging element
PCT/JP2022/001700 WO2022190653A1 (ja) 2021-03-09 2022-01-19 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法
DE112022001388.5T DE112022001388T5 (de) 2021-03-09 2022-01-19 Bildgebungselement, bildgebungsvorrichtung und verfahren zum herstellen eines bildgebungselements
CN202280010971.7A CN116783710A (zh) 2021-03-09 2022-01-19 摄像元件、摄像装置和摄像元件的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021037662A JP2022137929A (ja) 2021-03-09 2021-03-09 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022137929A true JP2022137929A (ja) 2022-09-22

Family

ID=83226587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021037662A Pending JP2022137929A (ja) 2021-03-09 2021-03-09 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240145510A1 (ja)
JP (1) JP2022137929A (ja)
CN (1) CN116783710A (ja)
DE (1) DE112022001388T5 (ja)
WO (1) WO2022190653A1 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009145809A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Fujinon Corp 撮像レンズおよび撮像装置
JP5329903B2 (ja) * 2008-10-15 2013-10-30 オリンパス株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法
JP2013038164A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20240145510A1 (en) 2024-05-02
DE112022001388T5 (de) 2023-12-28
WO2022190653A1 (ja) 2022-09-15
CN116783710A (zh) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017159174A1 (ja) 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法
US20220115427A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US20220068991A1 (en) Imaging element and manufacturing method of imaging element
WO2020137203A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
WO2019220696A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
US20220231062A1 (en) Imaging device, method of producing imaging device, imaging apparatus, and electronic apparatus
WO2021193266A1 (ja) 固体撮像装置
WO2019065295A1 (ja) 撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
WO2020246323A1 (ja) 撮像装置
WO2023013444A1 (ja) 撮像装置
US20230411430A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2022190653A1 (ja) 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の製造方法
WO2022009674A1 (ja) 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
WO2020246293A1 (ja) 撮像装置
WO2021049302A1 (ja) 撮像装置、電子機器、製造方法
WO2019097909A1 (ja) 半導体素子、半導体装置および半導体素子の製造方法
WO2020080154A1 (ja) センサモジュールおよび電子機器
TWI826558B (zh) 攝像元件及攝像元件之製造方法
WO2021140936A1 (ja) 受光装置
US20230299110A1 (en) Sensor device and electronic apparatus
US20230343803A1 (en) Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus
WO2023112479A1 (ja) 受光装置および電子機器
WO2020100709A1 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
WO2020158216A1 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
JP2024059430A (ja) 光検出装置