JP2022134787A - 振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性を向上させることが可能な振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】振動デバイス１００は、ベース１０と、リッド２０と、振動素子５０と、を有する。ベース１０は、第１面１０ａ及び第１面１０ａと表裏関係にある第２面１０ｂ、を有する。リッド２０は、第１面１０ａの側に開口する第１凹部２１と、第１凹部２１の底面である第３面２０ａ及び第３面２０ａと表裏関係にある第４面２０ｂと、を有し、第１凹部２１の内側に振動素子５０を封止するように第１面１０ａに接合されている。リッド２０はまた、第３面２０ａの一部が第４面２０ｂの側に凹んだ第２凹部２２を有し、第２凹部２２の底面２２ａと第４面２０ｂとによって構成されたダイヤフラム６０を有する。【選択図】図２
Description
本発明は、振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法に関する。
例えば、特許文献１には、圧電振動子を加圧する前の発信周波数と、圧電振動子を加圧した後の発信周波数と、に基づいて、圧電振動子が封止された部分の気密性を検査する方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、加圧の前後で発信周波数を測定しなければならず、これにより、かかる工数が多くなり、製造コストがアップするという課題がある。
振動デバイスは、第１面、及び前記第１面と表裏関係にある第２面、を有するベースと、前記第１面に配置された振動素子と、前記第１面の側に開口する第１凹部と、前記第１凹部の底面である第３面、及び前記第３面と表裏関係にある第４面と、を有し、前記第１凹部の内側に前記振動素子を封止するように前記第１面に接合されたリッドと、を備え、前記リッドは、前記第３面の一部が前記第４面の側に凹んだ第２凹部を有し、前記第２凹部の底面と前記第４面とによって構成されたダイヤフラムを有する。
振動デバイスの製造方法は、ベースを準備する工程と、前記ベースに振動素子を搭載する工程と、リッドを準備する工程と、前記リッドに第１凹部を形成する工程と、前記第１凹部から更に凹んだ第２凹部を形成する工程と、前記リッドを、前記第１凹部の内部に前記振動素子を収容し、前記リッドと前記ベースとによって前記振動素子を封止するように、前記ベースに接合する工程と、前記リッドにおける前記第２凹部とは反対側の面を薄板化する工程と、を有する。
以下の各図においては、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸として説明する。Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」とし、矢印の方向が＋方向であり、＋方向と反対の方向を－方向とする。なお、＋Ｚ方向を「上」又は「上方」、－Ｚ方向を「下」又は「下方」ということもあり、＋Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的ともいう。また、Ｚ方向＋側の面を上面、これと反対側となるＺ方向－側の面を下面として説明する。
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
まず、図１～図３を参照しながら、第１実施形態の振動デバイス１００の構成について説明する。
図１に示すように、振動デバイス１００は、ベース１０と、ベース１０の上に配置されたリッド２０と、を備えている。ベース１０の上面には、後述する半導体基板４０（図２参照）が配置されている。ベース１０の下面には、外部と電気的な接続を行う外部端子３０が備えられている。ベース１０の上には、振動素子５０（図２参照）が配置されている。
図２に示すように、ベース１０は、リッド２０の側の第１面１０ａと、第１面１０ａと表裏関係にあり、外部端子３０が配置される第２面１０ｂと、を有する。ベース１０は、例えば、単結晶のシリコン基板で構成されている。
リッド２０は、ベース１０の第１面１０ａの側に開口する第１凹部２１と、第１凹部２１の底面である第３面２０ａ、及び第３面２０ａと表裏関係にある第４面２０ｂと、を有する。更に、リッド２０には、第３面２０ａの一部が第４面２０ｂの側に凹んだ第２凹部２２が設けられている。
第２凹部２２の底面２２ａと、第４面２０ｂと、によって構成された部分がダイヤフラム６０となる。ダイヤフラム６０は、図１に示すように、平面視において（第１面１０ａに直交する方向から見て）、例えば、円形状である。このように、ダイヤフラム６０の形状が円形状であるので、内圧の変化によってダイヤフラム６０が同心円状に撓むことが可能となり、ダイヤフラム６０の形状の変化を確認しやすい。
また、リッド２０は、例えば、単結晶のシリコン基板で構成されている。このように、ベース１０及びリッド２０が、同一の単結晶のシリコン基板で構成されているので、温度変化による熱応力が発生しにくく、温度変化によるダイヤフラム６０の変形を抑えることができる。よって、封止部としての空間Ｓの内圧の変化によるダイヤフラム６０の変形を精度よく確認することができる。
振動素子５０は、ベース１０の第１面１０ａに、片持ち梁の状態で実装されている。振動素子５０は、図示しないが、振動基板と、振動基板の上面に配置された励振電極と、振動基板の下面に配置された励振電極と、を備えている。振動素子５０は、励振電極と接続された導電性接合部材５１及びマウント電極５２を介して、半導体基板４０の集積回路４１と電気的に接続されている。
また、振動素子５０は、ベース１０とリッド２０とが接合されることにより、ベース１０とリッド２０とによって真空封止された状態となる。これにより、振動デバイス１００の内部には、真空封止された空間Ｓが形成される。
ダイヤフラム６０は、空間Ｓが真空状態であり、大気である外部との間で気密性が保たれている場合、図３に示すように、空間Ｓ側（振動素子５０側）に撓む。言い換えれば、振動デバイス１００の内部に向かって凹む。空間Ｓの気密性が保たれていない場合、つまり、リークした状態である場合、空間Ｓと外部との圧力差がなくなるため、ダイヤフラム６０は平らな状態（変形しない状態）となる。
ベース１０には、上記したように、第１面１０ａ側又は第２面１０ｂ側の少なくとも一方に、集積回路４１を有する半導体基板４０が配置されている。リッド２０（具体的には、リッド２０における開口していない部分）は、図２に示すように、集積回路４１の少なくとも一部と重なって配置されている。言い換えれば、リッド２０は、集積回路４１を有する半導体基板４０の少なくとも一部と重なって配置されている。集積回路４１は、トランジスターなどの能動素子を有する回路である。
このように、集積回路４１を有する半導体基板４０とリッド２０とが重なって配置されているので、集積回路４１とリッド２０とが重ならないように配置する場合と比較して、振動デバイス１００を小型化することができる。
外部端子３０は、ベース１０の第２面１０ｂに形成されている。外部端子３０は、ベース１０を貫通して設けられた貫通電極３１を介して、半導体基板４０の集積回路４１と電気的に接続されている。外部端子３０とベース１０との間には、絶縁層３２が形成されている。この絶縁層３２は、貫通電極３１とベース１０との間にも形成されている。
次に、図４～図１１を参照しながら、振動デバイス１００の製造方法について説明する。なお、振動デバイス１００の製造方法は、主に、ベース１０の形成工程、振動素子５０の形成工程、リッド２０の形成工程、接合及び検査工程、を有する。
まず、ベース１０の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、シリコンウエハを準備し、ベース１０となる部分に貫通電極３１を形成するための貫通孔を形成する。具体的には、ベース１０に、ドライエッチング処理を施して貫通孔を形成する。次に、貫通孔の内壁、及びベース１０の第２面１０ｂに熱酸化膜を形成し、絶縁層３２が形成された貫通孔を完成させる。
ステップＳ１２では、貫通電極３１及び外部端子３０を形成する。具体的には、例えば、ポリシリコンを貫通孔の中に埋め込むと共に、ベース１０の第２面１０ｂにポリシリコンをパターニングすることにより、貫通電極３１及び外部端子３０を形成する。なお、貫通電極３１の形成は、半導体基板４０を形成した後に行ってもよい。ただし、貫通電極３１を先に形成した方が、多層化する半導体基板４０の欠陥を少なくし、高品質のベース１０を形成することができる。
ステップＳ１３では、集積回路４１を有する半導体基板４０を形成する。ステップＳ１４では、半導体基板４０の上にマウント電極５２を形成する。ステップＳ１５では、バンプ７０を形成する。具体的には、公知の製造方法を用いて、集積回路４１と電気的に接続される図示しない電極を形成し、電極の上にマウント電極５２及び導電性接合部材５１を形成する。一方、ベース１０の第２面１０ｂ側には、外部端子３０と接続されるバンプ７０を形成する。
次に、ステップＳ２１では、公知の製造方法を用いて、振動素子５０を形成する。ステップＳ２２では、図８に示すように、ベース１０に振動素子５０を搭載する。具体的には、導電性接合部材５１を介して、振動素子５０の図示しない端子とマウント電極５２とを電気的に接続させる。これにより、ベース１０の第１面１０ａに振動素子５０が搭載される。
次に、リッド２０の製造方法を説明する。なお、図５～図７は、図２に示す振動デバイス１００の配置方向に合わせている。ステップＳ３１では、図５に示すように、リッド２０となるシリコンウエハ２０ｘを準備して、洗浄する。
ステップＳ３２では、シリコンウエハ２０ｘに第１凹部２１を形成する。具体的には、図６に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３面２０ａを底部とする第１凹部２１を形成する。
ステップＳ３３では、第１凹部２１の底部の一部に第２凹部２２を形成する。具体的には、第１凹部２１の形成と同様、図７に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、底面２２ａを有する第２凹部２２を形成する。底面２２ａと第４面２０ｂとの部分が、後にダイヤフラム６０として機能する部分である。
次に、接合工程及び検査工程を説明する。ステップＳ４１では、ベース１０とリッド２０との位置を、接合する位置に合わせる。なお、事前に、ベース１０における接合部１１（図９参照）に相当する部分に接合するための金属層を形成し、リッド２０における接合部１１に相当する部分に接合するための金属層を形成しておく。
ステップＳ４２では、ベース１０及びリッド２０の金属層の表面を活性化させる。ステップＳ４３では、ベース１０とリッド２０とを活性化接合する。
具体的には、中性アルゴンイオンビームなどを各金属層に照射することにより、金属層の表面を活性化させる。その後、図９に示すように、ベース１０にリッド２０を載置して、各金属層を接触させる。即ち、ベース１０側のシリコンウエハと、リッド２０側のシリコンウエハ２０ｘと、を貼り合わせる。
活性化接合により、各金属層が接合され、接合部１１が形成される。このようにして、ベース１０側のシリコンウエハと、リッド２０側のシリコンウエハ２０ｘと、が貼り合わされて、複数の振動デバイス１００が一体的に形成された状態のシリコンウエハが得られる。
ステップＳ４４では、図１０に示すように、シリコンウエハを研磨、研削することにより薄板化し、振動デバイス１００を薄型化する。これにより、リッド２０の第４面２０ｂが研磨され、第２凹部２２の底面２２ａと第４面２０ｂとによって構成された、所定の厚みのダイヤフラム６０が完成する。
ステップＳ４５では、振動デバイス１００の接合検査を行う。具体的には、図１１に示すように、リッド２０に設けられたダイヤフラム６０の変形量から、気密性検査（言い換えれば、リーク検査）を行う。ダイヤフラム６０の変形量の測定方法としては、例えば、顕微鏡、三次元測定機、レーザー変位計などが挙げられる。なお、視覚的に確認するようにしてもよい。
ベース１０とリッド２０とによって封止された空間Ｓの圧力は、真空圧である。振動デバイス１００の周囲は、大気圧である。よって、圧力差から、ダイヤフラム６０は、空間Ｓ側に凹む。接合によって気密封止されている場合、言い換えれば、リークしていない場合は、ダイヤフラム６０は、このように変形する。しかし、気密封止されていない場合、言い換えれば、リークしている場合は、振動デバイス１００の周囲と空間Ｓとが同じ大気状態となるので、ダイヤフラム６０は変形せず、平らな状態となる。
例えば、ダイヤフラム６０の直径が２００μｍであり、厚みが１０μｍ程度である場合を想定する。空間Ｓが真空圧である場合、ダイヤフラム６０は、１５ｎｍ程度凹む。このことから、ダイヤフラム６０の変形量を測定することにより、リーク検査をすることが可能となる。
ステップＳ４６では、シリコンウエハから各振動デバイス１００をダイシングなどの切断方法を用いて個片化する。以上の製造工程により、振動デバイス１００を製造することができる。
以上述べたように、本実施形態の振動デバイス１００は、第１面１０ａ、及び第１面１０ａと表裏関係にある第２面１０ｂ、を有するベース１０と、第１面１０ａに配置された振動素子５０と、第１面１０ａの側に開口する第１凹部２１と、第１凹部２１の底面である第３面２０ａ、及び第３面２０ａと表裏関係にある第４面２０ｂと、を有し、第１凹部２１の内側に振動素子５０を封止するように第１面１０ａに接合されたリッド２０と、を備え、リッド２０は、第３面２０ａの一部が第４面２０ｂの側に凹んだ第２凹部２２を有し、第２凹部２２の底面２２ａと第４面２０ｂとによって構成されたダイヤフラム６０を有する。
この構成によれば、リッド２０にダイヤフラム６０を有しているので、ダイヤフラム６０の変位を基にして、振動素子５０が搭載されたベース１０にリッド２０が接合された封止部としての空間Ｓの気密検査（即ち、リーク検査）することができる。よって、複数の検査に基づいてリーク検査する方法と比較して、かかる工数を減らすことが可能となり、製造コストを抑えることができる。更に、リーク検査を簡便に行うことができる。また、リッド２０の外側（即ち、リッド２０における振動素子５０が配置された側と反対側）の表面（即ち、第４面２０ｂ）に段差がなく平滑であるため、リッド２０が破損しにくい。更に、ダイヤフラム６０の変位を検査する際、リッド２０の外側の表面を基準にすることが可能となり、検査がしやすい。
また、ダイヤフラム６０は、第１面１０ａに直交する方向からの平面視において、円形状であることが好ましい。この構成によれば、ダイヤフラム６０は円形状であり、内圧の変化によってダイヤフラム６０が同心円状に撓むので、ダイヤフラム６０の形状変化を確認しやすく、更に計測もしやすい。
また、ベース１０及びリッド２０は、単結晶のシリコン基板であることが好ましい。この構成によれば、ベース１０及びリッド２０が、同一の単結晶のシリコン基板で構成されているので、温度変化による熱応力が発生しにくく、温度変化によるダイヤフラム６０の変形を抑えることができる。よって、封止部としての空間Ｓの内圧の変化によるダイヤフラム６０の変形を精度よく検査することができる。
また、ベース１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂの少なくとも一方に集積回路４１を有する半導体基板４０が配置されていることが好ましい。この構成によれば、ベース１０の第１面１０ａや第２面１０ｂに半導体基板４０が配置されているので、半導体基板４０を別体にして構成する場合と比較して、振動デバイス１００を小型化することができる。
また、半導体基板４０は、第１面１０ａの側に配置されており、第２面１０ｂには、外部端子３０が配置されており、外部端子３０と集積回路４１とは、ベース１０に配置された貫通電極３１を介して電気的に接続されていることが好ましい。この構成によれば、集積回路４１と電気的に接続された外部端子３０を第２面１０ｂに配置するので、例えば、シリコンウエハの状態で外部端子３０を用いて電気的な特性を確認することができる。
また、本実施形態の振動デバイス１００の製造方法は、ベース１０を準備する工程と、ベース１０に振動素子５０を搭載する工程と、リッド２０を準備する工程と、リッド２０に第１凹部２１を形成する工程と、第１凹部２１から更に凹んだ第２凹部２２を形成する工程と、リッド２０を、第１凹部２１の内部に振動素子５０を収容し、リッド２０とベース１０とによって振動素子５０を封止するように、ベース１０に接合する工程と、リッド２０における第２凹部２２とは反対側の面を薄板化する工程と、を有する。
この方法によれば、リッド２０の同一面側から第１凹部２１及び第２凹部２２を形成するので、連続して凹部を形成することが可能となり、比較的容易にダイヤフラム６０を形成することができる。更に、リッド２０の内側が第１凹部２１及び第２凹部２２となっているので、薄板化する工程において、リッド２０の外側に凹部が形成されている場合と比較して、リッド２０が割れるようなことを抑えることができる。また、リッド２０の外側（即ち、振動素子５０が配置された側と反対側）に第２凹部２２を形成しないので、多くの量をエッチングしなくても形成することができる。つまり、エッチング量が多いことに起因する、エッチング深さのばらつきを抑えることが可能となり、ダイヤフラム６０の厚みがばらつくことを抑えることができる。
また、振動素子５０が封止された封止部としての空間Ｓの気密状態を検査する工程を含み、検査する工程は、第２凹部２２の底面２２ａと、第２凹部２２とは反対側の面（即ち、第４面２０ｂ）と、によって構成されるダイヤフラム６０の変位状態を測定することが好ましい。この方法によれば、リッド２０の内側（即ち、振動素子５０側）に第２凹部２２が形成されているので、リッド２０の外側の面（即ち、第４面２０ｂ）を平坦にすることができる。よって、平坦の面を基準にダイヤフラム６０の変形量を検査しやすくすることができる。
次に、図１２～図１５を参照しながら、第２実施形態の振動デバイス１００の構成、及び製造方法について説明する。
図１２に示すように、第２実施形態の振動デバイス１００Ａは、リッド２０ＡにＳＯＩ基板（Silicon On Insulator）２０Ａ１を用いてダイヤフラム６０Ａを構成する部分が、第１実施形態の振動デバイス１００と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
第２実施形態の振動デバイス１００Ａは、上記したように、リッド２０ＡにＳＯＩ基板２０Ａ１が用いられている。ＳＯＩ基板２０Ａ１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）基板上に、ＳｉＯ2（酸化シリコン）層が配置され、ＳｉＯ2層の上にＳｉ（シリコン）層が配置された基板である。
図１２に示すように、第２実施形態のリッド２０Ａは、第４面２０ｂの側から、シリコン基板２０ｃ、酸化シリコン層２０ｄ、シリコン層２０ｅが、順に配置されている。シリコン層２０ｅには、第１凹部２１と、ダイヤフラム６０Ａとなる部分の第２凹部２２とが、形成されている。第２凹部２２の底面２２ａは、酸化シリコン層２０ｄの表面が露出している。第２凹部２２の底面２２ａと第４面２０ｂとによって、第２実施形態のダイヤフラム６０Ａが構成される。
次に、第２実施形態の振動デバイス１００Ａの製造方法について説明する。なお、第１実施形態と異なる部分である、リッド２０Ａの製造方法のみを説明する。
まず、図１３に示すように、ＳＯＩ基板２０Ａ１を準備する。ＳＯＩ基板２０Ａ１は、第４面２０ｂ側から、シリコン基板２０ｃ１、酸化シリコン層２０ｄ、シリコン層２０ｅ１の順に積層されている。
次に、図１４に示すように、シリコン層２０ｅ１に、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３面２０ａを底部とする第１凹部２１を形成する。第１凹部２１の大きさは、第１実施形態と同じである。
次に、図１５に示すように、第１凹部２１の底部の一部に第２凹部２２を形成する。具体的には、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第３面２０ａの一部に、シリコン層２０ｅ１を貫通する貫通孔２２ｂを形成する。なお、酸化シリコン層２０ｄをエッチングストッパー層として用いて形成する。これにより、貫通孔２２ｂの中に酸化シリコン層２０ｄの表面が露出した状態の第２凹部２２が形成される。酸化シリコン層２０ｄの表面が露出した底面２２ａと第４面２０ｂとによって構成される部分が、後にダイヤフラム６０Ａとして機能する部分である。
このように、酸化シリコン層２０ｄをエッチングストッパー層として用いることにより、酸化シリコン層２０ｄとシリコン基板２０ｃとによって構成されるダイヤフラム６０Ａの厚みを高い精度で形成することができる。また、チップ間での厚みのばらつきも抑えることが可能となり、ダイヤフラム６０Ａの変形量のばらつきも抑えることができる。その結果、リーク検査の精度を向上させることができる。
その後、シリコン基板２０ｃ１の第４面２０ｂを薄板化することにより、ダイヤフラム６０Ａが完成する。また、第２実施形態のリッド２０Ａが完成する。
以上述べたように、第２実施形態の振動デバイス１００Ａ、及び振動デバイス１００Ａの製造方法において、リッド２０Ａは、酸化シリコン層２０ｄを有するＳＯＩ基板２０Ａ１であり、ダイヤフラム６０Ａの第３面２０ａは、酸化シリコン層２０ｄが露出している。
これによれば、ＳＯＩ基板２０Ａ１を用いるので、ダイヤフラム６０Ａをエッチング処理で形成する場合、酸化シリコン層２０ｄをエッチングストッパー層として用いることが可能となり、厚みの精度が高いダイヤフラム６０Ａを比較的容易に形成することができる。その結果、小型のチップであっても高精度なリーク検査が可能となる。
以下、上記した実施形態の変形例を説明する。
上記したように、ダイヤフラム６０，６０Ａの形状は、円形状であることに限定されず、四角形状やその他の形状であってもよい。
また、ダイヤフラム６０，６０Ａのリーク検査は、ヘリウム（Ｈｅ）などで加圧した容器内に振動デバイス１００，１００Ａを長時間放置した後、振動デバイス１００，１００Ａを大気圧中に取り出し、ダイヤフラム６０，６０Ａの変形量を測定しても良い。振動デバイス１００，１００Ａにリークがある場合は、ヘリウムで加圧することよって振動デバイス１００，１００Ａ内も加圧される。振動デバイス１００，１００Ａを大気圧中に取り出した際にダイヤフラム６０，６０Ａは凸状に変形するため、この変形量を計測すれば簡便にリークチェックができる。
また、リーク検査は、ステップＳ４５の接合検査で行うことに限定されず、例えば、個片化されたステップＳ４６の後に行うようにしてもよい。
また、リッド２０の形成は、第１凹部２１を形成した後に第２凹部２２を形成したが、この順に限定されず、第２凹部２２を形成した後に第１凹部２１を形成するようにしてもよい。
なお、上述した振動デバイス１００，１００Ａは、発振器や、加速度センサーや角速度センサーなどの慣性センサーとして好適に用いることができる。
１０…ベース、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、１１…接合部、２０，２０Ａ…リッド、２０ａ…第３面、２０Ａ１…ＳＯＩ基板、２０ｂ…第４面、２０ｃ…シリコン基板、２０ｄ…酸化シリコン層、２０ｅ…シリコン層、２０ｘ…シリコンウエハ、２１…第１凹部、２２…第２凹部、２２ａ…底面、２２ｂ…貫通孔、３０…外部端子、３１…貫通電極、３２…絶縁層、４０…半導体基板、４１…集積回路、５０…振動素子、５１…導電性接合部材、５２…マウント電極、６０，６０Ａ…ダイヤフラム、７０…バンプ、１００，１００Ａ…振動デバイス。
Claims (8)
- 第１面、及び前記第１面と表裏関係にある第２面、を有するベースと、
前記第１面に配置された振動素子と、
前記第１面の側に開口する第１凹部と、前記第１凹部の底面である第３面、及び前記第３面と表裏関係にある第４面と、を有し、前記第１凹部の内側に前記振動素子を封止するように前記第１面に接合されたリッドと、
を備え、
前記リッドは、前記第３面の一部が前記第４面の側に凹んだ第２凹部を有し、前記第２凹部の底面と前記第４面とによって構成されたダイヤフラムを有することを特徴とする振動デバイス。 - 請求項１に記載の振動デバイスであって、
前記ダイヤフラムは、前記第１面に直交する方向からの平面視において、円形状であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項１又は請求項２に記載の振動デバイスであって、
前記ベース及び前記リッドは、単結晶のシリコン基板であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記リッドは、ＳｉＯ2層を有するＳＯＩ基板であり、
前記ダイヤフラムの前記第３面は、前記ＳｉＯ2層が露出していることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記ベースは、前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に集積回路を有する半導体基板が配置されていることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項５に記載の振動デバイスであって、
前記半導体基板は、前記第１面の側に配置されており、
前記第２面には、外部端子が配置されており、
前記外部端子と前記集積回路とは、前記ベースに配置された貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする振動デバイス。 - ベースを準備する工程と、
前記ベースに振動素子を搭載する工程と、
リッドを準備する工程と、
前記リッドに第１凹部を形成する工程と、
前記第１凹部から更に凹んだ第２凹部を形成する工程と、
前記リッドを、前記第１凹部の内部に前記振動素子を収容し、前記リッドと前記ベースとによって前記振動素子を封止するように、前記ベースに接合する工程と、
前記リッドにおける前記第２凹部とは反対側の面を薄板化する工程と、
を有することを特徴とする振動デバイスの製造方法。 - 請求項７に記載の振動デバイスの製造方法であって、
前記振動素子が封止された封止部の気密状態を検査する工程を含み、
前記検査する工程は、前記第２凹部の底面と、前記第２凹部とは反対側の面と、によって構成されるダイヤフラムの変位状態を測定することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
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2021
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