JP2022126905A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】搭載部の半導体チップに対する位置の変動の抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第2部品92は、半導体チップ30Hと、半導体チップの設けられる第2対向面50aを備える搭載部であるアーム側第2ヒートシンク50Hと、第2対向面に一体的に連結される継手内面72aを備え、なおかつ、継手内面に沿う方向に延びる第2継手部72と、第2継手部の継手内面側に設けられる第1継手部71と、を有する。第2継手部は、第1継手部と並ぶ第2延長部75と、第2延長部75と搭載部の間に位置し、なおかつ、第2延長部と搭載部を連結する第2延長部75よりも変形しやすい第1延長部74と、を有する。
【選択図】図5
【解決手段】半導体装置において、第2部品92は、半導体チップ30Hと、半導体チップの設けられる第2対向面50aを備える搭載部であるアーム側第2ヒートシンク50Hと、第2対向面に一体的に連結される継手内面72aを備え、なおかつ、継手内面に沿う方向に延びる第2継手部72と、第2継手部の継手内面側に設けられる第1継手部71と、を有する。第2継手部は、第1継手部と並ぶ第2延長部75と、第2延長部75と搭載部の間に位置し、なおかつ、第2延長部と搭載部を連結する第2延長部75よりも変形しやすい第1延長部74と、を有する。
【選択図】図5
Description
本明細書に記載の開示は半導体装置に関するものである。
特許文献1には、半導体チップ、第1ヒートシンク、および、第2ヒートシンクを備える半導体装置が記載されている。
第2ヒートシンクは本体部と本体部から延設した延設部を有している。第1ヒートシンクは延設部に接続される継手部を有している。本体部に半導体チップが設けられている。
継手部が延設部を過度に押し込むと、本体部が半導体チップ側に浮き上がる虞がある。本体部(搭載部)の半導体チップに対する位置が変動する虞がある。
そこで本開示の目的は、搭載部の半導体チップに対する位置の変動の抑制された半導体装置を提供することである。
本開示の一態様による半導体装置は、
半導体チップ(30H)と、
半導体チップの設けられる第1上面(50a)を備える搭載部(50H)と、
第1上面に連結される第2上面(72a)を備える第1中継部(72)と、
第1中継部の第2上面側に設けられる第2中継部(71)と、を有し、
第1中継部が、第2中継部と並ぶ並行部(75)と、並行部と搭載部を連結する並行部よりも変形しやすい連結部(74)と、を有する。
半導体チップ(30H)と、
半導体チップの設けられる第1上面(50a)を備える搭載部(50H)と、
第1上面に連結される第2上面(72a)を備える第1中継部(72)と、
第1中継部の第2上面側に設けられる第2中継部(71)と、を有し、
第1中継部が、第2中継部と並ぶ並行部(75)と、並行部と搭載部を連結する並行部よりも変形しやすい連結部(74)と、を有する。
これによれば、第2中継部(71)が第1中継部(72)を過度に押し込んだとしても、搭載部(50H)が半導体チップ(30H)側に浮き上がりにくくなっている。そのために、搭載部(50H)の半導体チップ(30H)に対する位置の変動が抑制されやすくなっている。
なお、上記の括弧内の参照番号は、後述の実施形態に記載の構成との対応関係を示すものに過ぎず、技術的範囲を何ら制限するものではない。
以下、図面を参照しながら本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。
また、各実施形態で組み合わせが可能であることを明示している部分同士の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても実施形態同士、実施形態と変形例、および、変形例同士を部分的に組み合せることも可能である。
(第1実施形態)
先ず、図1に基づき、車両の駆動システム1の概略構成について説明する。
先ず、図1に基づき、車両の駆動システム1の概略構成について説明する。
<車両の駆動システム>
図1に示すように、車両の駆動システム1は、直流電源2と、モータジェネレータ3と、電力変換装置4を備えている。
図1に示すように、車両の駆動システム1は、直流電源2と、モータジェネレータ3と、電力変換装置4を備えている。
直流電源2は、充放電可能な二次電池で構成された直流電圧源である。二次電池は、たとえばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池である。モータジェネレータ3は、三相交流方式の回転電機である。モータジェネレータ3は、車両の走行駆動源、すなわち電動機として機能する。モータジェネレータ3は、回生時に発電機として機能する。電力変換装置4は、直流電源2とモータジェネレータ3との間で電力変換を行う。
<電力変換装置>
次に、図1に基づき、電力変換装置4の回路構成について説明する。電力変換装置4は、平滑コンデンサ5とインバータ6を備えている。
次に、図1に基づき、電力変換装置4の回路構成について説明する。電力変換装置4は、平滑コンデンサ5とインバータ6を備えている。
平滑コンデンサ5は、主として、直流電源2から供給される直流電圧を平滑化する。平滑コンデンサ5の備える一方の電極は、直流電源2の正極とインバータ6それぞれにPバスバ7を介して接続されている。平滑コンデンサ5の備える他方の電極は、直流電源2の負極とインバータ6それぞれにNバスバ8を介して接続されている。直流電源2と平滑コンデンサ5とインバータ6がPバスバ7とNバスバ8の間で並列接続されている。
インバータ6は、DC-AC変換回路である。インバータ6は、基板16に搭載された制御回路によるスイッチング制御によって、直流電流を交流電流に変換する。そしてインバータ6は変換された交流電流をモータジェネレータ3へ出力する。これによって、モータジェネレータ3が駆動する。
またインバータ6は、車両の回生制動時、車輪からの回転力を受けてモータジェネレータ3が発電した三相交流電流を、制御回路によるスイッチング制御にしたがって直流電流に変換し、Pバスバ7へ出力する。このように、インバータ6は、直流電源2とモータジェネレータ3との間で双方向の電力変換を行う。
インバータ6は、三相分の上下アーム回路9を備えて構成されている。上下アーム回路9は、レグと称されることがある。上下アーム回路9は、三相の上アーム9Hと、三相の下アーム9Lを有している。三相の上アーム9HそれぞれはPバスバ7に接続されている。三相の下アーム9LそれぞれはNバスバ8に接続されている。インバータ6は、6つのアームを有している。
また上アーム9Hと下アーム9LがPバスバ7とNバスバ8の間で直列接続されている。上アーム9Hと下アーム9Lとの接続点が、出力バスバ10を介して、モータジェネレータ3の対応する相の巻線3aに接続されている。
本実施形態では、各アームを構成するスイッチング素子として、nチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ11を採用している。なお、以下においてはnチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ11をIGBT11と示す。IGBT11のそれぞれには、還流用のダイオード12が逆並接続されている。なお、以下においては還流用のダイオード12をFWD12と示す。
図1に示すように上アーム9Hにおいて、IGBT11のコレクタが、Pバスバ7に接続されている。下アーム9Lにおいて、IGBT11のエミッタが、Nバスバ8に接続されている。そして、上アーム9HにおけるIGBT11のエミッタと、下アーム9LにおけるIGBT11のコレクタが接続されている。FWD12のアノードは対応するIGBT11のエミッタに接続され、カソードはコレクタに接続されている。
基板16はインバータ6などを構成するスイッチング素子の制御回路と駆動回路を備えている。制御回路は、IGBT11を動作させるための駆動指令を生成し、駆動回路に出力する。駆動回路は、制御回路の駆動指令に基づいて、対応するアームのIGBT11のゲートに駆動電圧を供給する。
制御回路は、上位ECUから入力されるトルク要求、各種センサにて検出された信号に基づいて、駆動指令を生成する。
制御回路は、駆動指令として、たとえばPWM信号を出力する。制御回路は、たとえばマイクロコンピュータを備えて構成されている。PWMは、Pulse Width Modulationの略称である。ECUは、Electronic Control Unitの略称である。
駆動回路は、駆動電圧の印加により、対応するIGBT11を駆動、すなわちオン駆動、オフ駆動させる。駆動回路は、ドライバと称されることがある。
なお、電力変換装置4は、電力変換回路として、コンバータをさらに備えてもよい。コンバータは、直流電圧を異なる値の直流電圧に変換するDC-DC変換回路である。コンバータは、直流電源2と平滑コンデンサ5との間に設けられる。コンバータは、たとえばリアクトルと、上記した上下アーム回路9を備えて構成される。電力変換装置4は、直流電源2からの電源ノイズを除去するフィルタコンデンサを備えてもよい。フィルタコンデンサは、直流電源2とコンバータとの間に設けられる。
<パワーカードと基板の機械的構成>
以下においては互いに直交の関係にある3方向をx方向、y方向、および、z方向とする。なお、図面においては「方向」の記載を省略している。
以下においては互いに直交の関係にある3方向をx方向、y方向、および、z方向とする。なお、図面においては「方向」の記載を省略している。
図1に示すようにインバータ6は3つの上下アームから構成されている。3つの上下アームのうちの1つが図2に示すパワーカード15に備えられている。なお、パワーカード15は半導体装置に相当する。
次に、パワーカード15の機械的構成について説明する。なお、パワーカード15を構成する要素の一部について、符号末尾に上アーム9H側を示す「H」を付与し、下アーム9L側を示す「L」を付与する。要素の他の一部について、便宜上、上アーム9Hと下アーム9Lとで共通の符号を付与する。
パワーカード15は一相分の上下アーム回路9を構成している。パワーカード15は、被覆樹脂20、2つの半導体チップ30、2つの第1ヒートシンク40、2つの第2ヒートシンク50、2つのターミナル60、継手部70、主端子80、はんだ90、および、複数の信号端子100を備えている。
2つの半導体チップ30とは上アーム側半導体チップ30Hと下アーム側半導体チップ30Lのことである。2つの第1ヒートシンク40とは上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lのことである。2つの第2ヒートシンク50とは上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lのことである。2つのターミナル60とは上アーム側ターミナル60Hと下アーム側ターミナル60Lのことである。複数の信号端子100とは複数の上アーム側信号端子100Hと複数の下アーム側信号端子100Lのことである。
なお、上アーム側第2ヒートシンク50Hは搭載部に相当する。以下適宜、必要に応じてパワーカード15の構成要素を具体的に示す。
図3に示すように継手部70は第1継手部71と第2継手部72と第3継手部73を有している。第1継手部71は下アーム側第1ヒートシンク40Lに一体的に連結されている。第2継手部72は上アーム側第2ヒートシンク50Hに一体的に連結されている。第3継手部73は下アーム側第2ヒートシンク50Lに一体的に連結されている。なお、第1継手部71は第2中継部に相当する。第2継手部72は第1中継部に相当する。
主端子80は正極端子80Pと負極端子80Nと出力端子80Sを有している。正極端子80Pは上アーム側第1ヒートシンク40Hに一体的に連結されている。出力端子80Sは下アーム側第1ヒートシンク40Lに一体的に連結されている。負極端子80Nは第3継手部73にはんだ90を介して電気的および機械的に接続されている。
なお、これまでに説明した2つの第1ヒートシンク40、継手部70、主端子80、および、複数の信号端子100は製造時においてリードフレームの一部として構成されている。
リードフレームは上記した2つの第1ヒートシンク40、継手部70、主端子80、および、複数の信号端子100の他に、これらに一体的に連結されるタイバーを有している。タイバーは被覆樹脂20の成形後に除去される。これによって2つの第1ヒートシンク40、継手部70、主端子80、および、複数の信号端子100それぞれが形作られる。
<被覆樹脂>
図2および図4に示すように被覆樹脂20はパワーカード15を構成する構成要素の一部を封止している。被覆樹脂20は2つの半導体チップ30、2つの第1ヒートシンク40の一部、2つの第2ヒートシンク50の一部、2つのターミナル60、継手部70、複数の主端子80の一部、複数の信号端子100の一部それぞれを封止している。なお、被覆樹脂20には上記した構成要素の他に後述の複数のワイヤ65も被覆されている。
図2および図4に示すように被覆樹脂20はパワーカード15を構成する構成要素の一部を封止している。被覆樹脂20は2つの半導体チップ30、2つの第1ヒートシンク40の一部、2つの第2ヒートシンク50の一部、2つのターミナル60、継手部70、複数の主端子80の一部、複数の信号端子100の一部それぞれを封止している。なお、被覆樹脂20には上記した構成要素の他に後述の複数のワイヤ65も被覆されている。
被覆樹脂20からパワーカード15を構成する構成要素の残りの部位が露出されている。具体的に言えば、被覆樹脂20から後述の第1裏面40bと後述の第2裏面50bと主端子80の一部と、複数の信号端子100の一部それぞれが露出されている。
被覆樹脂20は、たとえばエポキシ系樹脂を材料とする。被覆樹脂20は、たとえばトランスファモールド法により成形されている。図2および図4に示すように、被覆樹脂20は略矩形状を成している。被覆樹脂20は、y方向に並ぶ第1主面20aと、第1主面20aの裏側の第2主面20bと、第1主面20aと第2主面20bを連結する複数の連結面を有している。
<半導体チップ>
半導体チップ30は、シリコン、シリコンよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体などを材料とする半導体基板31に、縦型素子が形成されて成る。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばシリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ダイヤモンドがある。半導体基板31はy方向に厚さの薄い扁平形状を成している。縦型素子はy方向に主電流が流れるように構成されている。本実施形態の縦型素子は1つのアームを構成するIGBT11およびFWD12である。また、縦型素子としてはMOSFETを使用しても良い。
半導体チップ30は、シリコン、シリコンよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体などを材料とする半導体基板31に、縦型素子が形成されて成る。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばシリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ダイヤモンドがある。半導体基板31はy方向に厚さの薄い扁平形状を成している。縦型素子はy方向に主電流が流れるように構成されている。本実施形態の縦型素子は1つのアームを構成するIGBT11およびFWD12である。また、縦型素子としてはMOSFETを使用しても良い。
図4に示すように半導体基板31は第1主面20a側に位置する第1基板面31aと第2主面20b側に位置する第2基板面31bを有する。
半導体基板31の第1基板面31aには、コレクタ電極31Cが設けられている。コレクタ電極31Cは、第1基板面31aのほぼ全面に設けられている。なお、コレクタ電極31Cは、ダイオード12のカソード電極を兼ねている。
また半導体基板31の第2基板面31bには、ゲート電極とエミッタ電極31Eが設けられている。エミッタ電極31Eは第2基板面31bの一部に設けられている。エミッタ電極31Eは、ダイオード12のアノード電極を兼ねている
なお、本実施形態ではコレクタ電極31Cとエミッタ電極31Eと半導体基板31を併せて半導体チップ30と示す。
また第2基板面31bには上記したゲート電極とエミッタ電極31Eの他に、複数のパッド32Pが設けられている。複数のパッド32Pはエミッタ電極31Eとz方向で並ぶ態様で第2基板面31bに設けられている。パッド32Pは、信号用の電極である。パッド32Pは、エミッタ電極31Eと電気的に分離されている。
パッド32Pは、ゲート電極用のパッド32Pと、感温ダイオード用のパッド32Pを少なくとも含む。本実施形態の半導体チップ30は、5つのパッド32Pを有している。具体的には、ゲート電極用、エミッタ電極31Eの電位を検出するケルビンエミッタ用、電流センス用、半導体チップ30の温度を検出する感温ダイオードのアノード電位用、同じくカソード電位用を有している。5つのパッド32Pは第2基板面31bのz方向の端側にまとめて形成されるとともに、x方向に離間して並ぶように形成されている。
上アーム側半導体チップ30Hと下アーム側半導体チップ30Lそれぞれは互いに同様の構成を成している。図4に示すように上アーム側半導体チップ30Hと下アーム側半導体チップ30Lは、x方向に離間して並んでいる。上アーム側半導体チップ30Hと下アーム側半導体チップ30Lはy方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。
<第1ヒートシンク>
図4に示すように第1ヒートシンク40はy方向において半導体チップ30のコレクタ電極31Cに対向配置されている。第1ヒートシンク40は、はんだ90を介して、コレクタ電極31Cに電気的および機械的に接続されている。第1ヒートシンク40は、半導体チップ30側の面である第1対向面40aと、第1対向面40aとの裏側の第1裏面40bを有している。
図4に示すように第1ヒートシンク40はy方向において半導体チップ30のコレクタ電極31Cに対向配置されている。第1ヒートシンク40は、はんだ90を介して、コレクタ電極31Cに電気的および機械的に接続されている。第1ヒートシンク40は、半導体チップ30側の面である第1対向面40aと、第1対向面40aとの裏側の第1裏面40bを有している。
第1ヒートシンク40は、半導体チップ30の熱を外部に放熱する。第1ヒートシンク40としては、たとえばCu、Cu合金などを材料とする金属板などを採用することができる。なお、第1ヒートシンク40は、表面に、NiやAuなどのめっき膜を備えてもよい。
図4に示すように、上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lは、略矩形状をなしている。上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lはx方向に離間して並んでいる。上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lは互いにほぼ同じ厚みを有し、y方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。
上アーム側第1ヒートシンク40Hの第1対向面40aと上アーム側半導体チップ30Hのコレクタ電極31Cとの間は、はんだ90によって接合されている。下アーム側第1ヒートシンク40Lの第1対向面40aと下アーム側半導体チップ30Lのコレクタ電極31Cとの間は、はんだ90によって接合されている。
上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lそれぞれは、y方向からの平面視において、対応する半導体チップ30を内包している。
また上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lそれぞれの第1裏面40bが被覆樹脂20から露出している。第1裏面40bは、放熱面と称されることがある。第1裏面40bは、被覆樹脂20の第1主面20aと略面一である。上アーム側第1ヒートシンク40Hの第1裏面40bと下アーム側第1ヒートシンク40Lの第1裏面40bとがx方向に離間して並んでいる。
<第2ヒートシンク>
図4に示すように第2ヒートシンク50ははんだ90を介して、ターミナル60に電気的および機械的に接続されている。なお、ターミナル60については後で詳説する。
図4に示すように第2ヒートシンク50ははんだ90を介して、ターミナル60に電気的および機械的に接続されている。なお、ターミナル60については後で詳説する。
第2ヒートシンク50は、半導体チップ30側の面である第2対向面50aと、第2対向面50aとの裏側の第2裏面50bを有している。第2ヒートシンク50は、半導体チップ30の熱を外部に放熱する。第2ヒートシンク50としては、たとえばCu、Cu合金などを材料とする金属板などを採用することができる。なお、第2ヒートシンク50は、表面に、NiやAuなどのめっき膜を備えてもよい。なお、第2対向面50aは第1上面に相当する。
図4に示すように、上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lは、略矩形状をなしている。上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lはx方向に離間して並んでいる。
上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lは互いにほぼ同じ厚みを有し、y方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。上アーム側第2ヒートシンク50Hの第2対向面50aと上アーム側ターミナル60Hの第2対向面50a側の面との間とが、はんだ90によって接合されている。下アーム側第2ヒートシンク50Lの第2対向面50aと下アーム側ターミナル60Lの第2対向面50a側の面とが、はんだ90によって接合されている。
上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lそれぞれは、z方向からの平面視において、対応する半導体チップ30を内包している。
図4に示すように、上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lそれぞれの第2裏面50bが被覆樹脂20から露出している。第2裏面50bは、放熱面と称されることがある。第2裏面50bは、被覆樹脂20の第2主面20bと略面一である。上アーム側第2ヒートシンク50Hの第2裏面50bと下アーム側第2ヒートシンク50Lの第2裏面50bは、x方向に離間して並んでいる。
<ターミナル>
ターミナル60は、y方向において半導体チップ30と第2ヒートシンク50との間に介在し、エミッタ電極31Eと第2ヒートシンク50とを電気的に中継している。ターミナル60は、エミッタ電極31Eと第2ヒートシンク50との電気伝導、熱伝導経路の途中に位置する。ターミナル60は、Cu、Cu合金などの金属材料を用いて形成された柱状体である。ターミナル60は、表面に、めっき膜を備えてもよい。ターミナル60は、金属ブロック体、中継部材と称されることがある。
ターミナル60は、y方向において半導体チップ30と第2ヒートシンク50との間に介在し、エミッタ電極31Eと第2ヒートシンク50とを電気的に中継している。ターミナル60は、エミッタ電極31Eと第2ヒートシンク50との電気伝導、熱伝導経路の途中に位置する。ターミナル60は、Cu、Cu合金などの金属材料を用いて形成された柱状体である。ターミナル60は、表面に、めっき膜を備えてもよい。ターミナル60は、金属ブロック体、中継部材と称されることがある。
上記したように、上アーム側ターミナル60Hの第2対向面50a側の面と上アーム側第2ヒートシンク50Hの第2対向面50aの間とが、はんだ90によって接合されている。上アーム側ターミナル60Hの上アーム側半導体チップ30H側の面と上アーム側半導体チップ30Hの第2基板面31bに設けられたエミッタ電極31Eとが、はんだ90によって接合されている。
また上記したように、下アーム側ターミナル60Lの第2対向面50a側の面と、下アーム側第2ヒートシンク50Lの第2対向面50aとがはんだ90によって接合されている。下アーム側ターミナル60Lの下アーム側半導体チップ30L側の面と下アーム側半導体チップ30Lの第2基板面31bに設けられたエミッタ電極31Eとが、はんだ90によって接合されている。
<継手部>
上記したように第1継手部71は下アーム側第1ヒートシンク40Lに一体的に連結されている。図5に示すように、第1継手部71は第1対向面40aからz方向に離間する態様で延びる第1伸長部71aと、第1伸長部71aに連結されx方向に下アーム側第1ヒートシンク40Lから離間する態様で延びる第2伸長部71bを有している。
上記したように第1継手部71は下アーム側第1ヒートシンク40Lに一体的に連結されている。図5に示すように、第1継手部71は第1対向面40aからz方向に離間する態様で延びる第1伸長部71aと、第1伸長部71aに連結されx方向に下アーム側第1ヒートシンク40Lから離間する態様で延びる第2伸長部71bを有している。
上記したように第2継手部72は上アーム側第2ヒートシンク50Hに一体的に連結されている。図5に示すように、第2継手部72は上アーム側第2ヒートシンク50Hのx方向の一端に接続される第1延長部74と、第1延長部74の上アーム側第2ヒートシンク50Hからx方向に離間した側の他端に接続される第2延長部75を有している。なお、第1延長部74は連結部に相当する。第2延長部75は並行部に相当する。
言い換えれば第1延長部74はx方向で第2延長部75と上アーム側第2ヒートシンク50Hの間に位置している。別の言い方をすれば、第1延長部74はx方向で第2延長部75よりも上アーム側第2ヒートシンク50H側に位置している。
第1延長部74と第2延長部75それぞれはz方向に並ぶ継手内面72aと継手外面72bを有している。図5に示すように継手内面72aと第2対向面50aとが一体的に連結されている。継手外面72bと第2裏面50bとが一体的に連結されている。なお、継手内面72aは第2上面に相当する。
継手内面72aについて詳しく言えば、第1延長部74の継手内面72aと第2延長部75の継手内面72aがx方向とz方向で面一になっている。
継手外面72bについて詳しく言えば、第1延長部74の継手外面72bが第2延長部75の継手外面72bよりもy方向で第2伸長部71b側に設けられている。
第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が、第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積よりも小さくなっている。
また第2延長部75は継手内面72a側において第1継手部71の第2伸長部71bとz方向で対向する態様で並んでいる。第2延長部75と第2伸長部71bとの間にははんだ90が介在されている。これによって第2延長部75と第2伸長部71bが電気的および機械的に接続されている。
第1継手部71と第2継手部72は上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eと下アーム側半導体チップ30Lのコレクタ電極31Cとを電気的に接続する役割を担っている。
上記したように第3継手部73は下アーム側第2ヒートシンク50Lに一体的に連結されている。第3継手部73はx方向に上アーム側第2ヒートシンク50Hから離間する態様で延びている。
第3継手部73と負極端子80Nとがはんだ90によって接合されている。図4に示すように下アーム側半導体チップ30Lのエミッタ電極31Eと負極端子80Nとを電気的に接続する役割を担っている。
<主端子>
上記したように主端子80は、正極端子80Pと、負極端子80Nと、出力端子80Sそれぞれを有する。
上記したように主端子80は、正極端子80Pと、負極端子80Nと、出力端子80Sそれぞれを有する。
正極端子80Pは、直流電源2の高電位側と上アーム側半導体チップ30Hのコレクタ電極31Cに電気的に接続されている。正極端子80PはP端子、高電位電源端子と称されることがある。
負極端子80Nは、直流電源2の低電位側と下アーム側半導体チップ30Lのエミッタ電極31Eに電気的に接続されている。負極端子80Nは、N端子、低電位電源端子と称されることがある。
出力端子80Sは、上アーム9Hと下アーム9Lとの接続点に接続されている。より具体的に言えば、80Sは上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eおよび下アーム側半導体チップ30Lのコレクタ電極31Cに電気的に接続されている。
また、出力端子80Sは上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eおよび下アーム側半導体チップ30Lのコレクタ電極31Cの他に、モータジェネレータ3に電気的に接続されている。出力端子80Sは、O端子、交流端子と称されることがある。
正極端子80Pは、上アーム側第1ヒートシンク40Hのパッド32Pが設けられた側の端とは反対側の端からz方向に延接されることで形成されている。出力端子80Sは、下アーム側第1ヒートシンク40Lのパッド32Pが設けられた側の端とは反対側の端からz方向に延接されることで形成されている。負極端子80Nはx方向において正極端子80Pと出力端子80Sの間に設けられる。負極端子80Nは第3継手部73にはんだ90などを介して接合されている。
これら正極端子80P、負極端子80N、出力端子80Sはx方向に離間して順に配置されている。正極端子80P、負極端子80N、出力端子80Sの一部が被覆樹脂20によって封止されている。正極端子80P、負極端子80N、出力端子80Sの残りの部位が被覆樹脂20から露出されている。
<信号端子>
上記したように複数の信号端子100は上アーム側半導体チップ30Hに接続される複数の上アーム側信号端子100Hと、下アーム側半導体チップ30Lに接続される複数の下アーム側信号端子100Lを有する。複数の上アーム側信号端子100Hと下アーム側信号端子100Lそれぞれが基板16に電気的および機械的に接続される。
上記したように複数の信号端子100は上アーム側半導体チップ30Hに接続される複数の上アーム側信号端子100Hと、下アーム側半導体チップ30Lに接続される複数の下アーム側信号端子100Lを有する。複数の上アーム側信号端子100Hと下アーム側信号端子100Lそれぞれが基板16に電気的および機械的に接続される。
図2および図3に示すように複数の上アーム側信号端子100Hがx方向に離間して並んでいる。複数の上アーム側信号端子100Hは、上アーム側半導体チップ30Hに電気的に接続されるパッド32Pに電気的に接続されている。具体的に言えば、上アーム側信号端子100Hが、上アーム側ワイヤ65Hを介して、上アーム側半導体チップ30Hに電気的に接続されるパッド32Pに電気的に接続されている。
同様に複数の下アーム側信号端子100Lがx方向に離間して並んでいる。複数の下アーム側信号端子100Lは下アーム側半導体チップ30Lに電気的に接続されるパッド32Pに電気的に接続されている。具体的に言えば、下アーム側信号端子100Lが、下アーム側ワイヤ65Lを介して、下アーム側半導体チップ30Lに電気的に接続されるパッド32Pに電気的に接続されている。
<パワーカードの製造方法>
以下にパワーカード15の製造方法について説明する。
以下にパワーカード15の製造方法について説明する。
先ず筐体を成す第1治具150を準備する。次に第1治具150の空間にリードフレームを搭載する。次に下アーム側第1ヒートシンク40Lの第1対向面40aに板状のはんだ90を搭載する。この板状のはんだ90に下アーム側半導体チップ30Lを搭載する。この下アーム側半導体チップ30Lに板状のはんだ90を搭載する。この板状のはんだ90に下アーム側ターミナル60Lを搭載する。下アーム側ターミナル60Lに板状のはんだ90を搭載する。第1継手部71の第1対向面40a側の面に板状のはんだ90を搭載する。
同様に上アーム側第1ヒートシンク40Hの第1対向面40aに板状のはんだ90を搭載する。この板状のはんだ90に上アーム側半導体チップ30Hを搭載する。この上アーム側半導体チップ30Hに板状のはんだ90を搭載する。この板状のはんだ90に上アーム側ターミナル60Hを搭載する。上アーム側ターミナル60Hに板状のはんだ90を搭載する。以下、説明を簡便とするために第1治具150に設けられた上記したパワーカード15の構成要素をまとめて第1部品91と示す。
次に第1部品91を図示しない炉に入れ、加熱する。その際、板状のはんだ90が溶融して液体状になる。液体状のはんだ90はその後冷却され、固化する。この固化したはんだ90によってパワーカード15を構成する部品同士が接合されるようになっている。
例えば固化したはんだ90によって下アーム側第1ヒートシンク40Lと下アーム側半導体チップ30Lが接合する。固化したはんだ90によって下アーム側半導体チップ30Lと下アーム側ターミナル60Lが接合する。固化したはんだ90によって上アーム側第1ヒートシンク40Hと上アーム側半導体チップ30Hが接合する。固化したはんだ90によって上アーム側半導体チップ30Hと上アーム側ターミナル60Hが接合する。
また下アーム側ターミナル60Lの設けられた板状のはんだ90と第1継手部71に設けられた板状のはんだ90と上アーム側ターミナル60Hに設けられた板状のはんだ90それぞれは表面張力によって半球状に固化する。なお、図6においては、炉で加熱された後、さらに冷却された状態の第1部品91を示している。
次に図7に示すように筐体を成す第2治具200を準備する。第2治具200は底部210と底部210の周りを環状に囲む態様でz方向に起立する側部220を有する。また底部210には底部210からz方向に離間する態様で側部220の延びる方向に延びる突起部230が形成されている。
底部210と側部220の間の空間に上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lそれぞれを搭載する。突起部230に第2継手部72を搭載する。突起部230と第2継手部72との間にはわずかに空隙が存在している。
次に、図8に示すように、上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lそれぞれの第2対向面50a側に第1部品91を搭載する。以下、説明を簡便とするために、上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lに第1部品91の搭載されたパワーカード15を構成する構成要素をまとめて第2部品92と示す。
次に、第2治具200に設けられた状態の第2部品92を炉に入れる。図8に示すように炉にはy方向に伸縮可能なバネ体300が設けられている。上アーム側第1ヒートシンク40Hと下アーム側第1ヒートシンク40Lがバネ体300とy方向で接触するように、第2部品92を炉に入れる。
その際、バネ体300から第2部品92にy方向の不勢力が加わる。この状態で第2部品92を炉で加熱する。
第2部品92が加熱されるとはんだ90が溶融して液体状になる。すると図9に示すように上アーム側ターミナル60Hと上アーム側第2ヒートシンク50Hの間のはんだ90のy方向の厚さが薄くなる。第1継手部71と第2継手部72の間のはんだ90のy方向の厚さが薄くなる。下アーム側ターミナル60Lと下アーム側第2ヒートシンク50Lの間のはんだ90のy方向の厚さが薄くなる。そのために第2継手部72に第1継手部71からy方向に荷重がかかりやすくなっている。
図8に示すように、第2継手部72と突起部230との間にはy方向にわずかな隙間がある。バネ体300によって第2部品92にy方向の不勢力が加えられた状態で、はんだ90が溶融すると、第2継手部72に第1継手部71からy方向に荷重がかかる。これによって、第2継手部72が突起部230側に押されるように変動する。
第2継手部72が突起部230に接触する程度に変動すると、それに伴って上アーム側第2ヒートシンク50Hの突起部230からx方向に離間した側の端が底部210から上アーム側ターミナル60H側に浮き上がる。その際、上アーム側半導体チップ30Hと上アーム側ターミナル60Hの間に設けられたはんだ90が上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eの設けられた領域の周辺に拡がる虞がある。
上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eの周囲には複数のパッド32Pが設けられている。はんだ90が複数のパッド32Pに接触し、その結果短絡する虞がある。
<作用効果>
本実施形態においては、これまでに説明したように第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が、第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積よりも小さくなっている。そのために第2継手部72にy方向の荷重が加わった際に、第2延長部75よりも第1延長部74が積極的に変形しやすくなっている。
本実施形態においては、これまでに説明したように第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が、第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積よりも小さくなっている。そのために第2継手部72にy方向の荷重が加わった際に、第2延長部75よりも第1延長部74が積極的に変形しやすくなっている。
これによって上アーム側第2ヒートシンク50Hの上アーム側半導体チップ30Hに対する位置の変動が抑制されやすくなっている。より具体的に言えば、上アーム側第2ヒートシンク50Hの突起部230からx方向に離間した側の端が底部210から上アーム側ターミナル60H側に浮き上がりにくくなっている。上アーム側ターミナル60Hが上アーム側半導体チップ30Hに押し当てられにくくなっている。
それに伴い、上アーム側半導体チップ30Hと上アーム側ターミナル60Hの間に設けられたはんだ90が、上アーム側半導体チップ30Hのエミッタ電極31Eの設けられた領域の周辺に拡がりにくくなっている。はんだ90が複数のパッド32Pに接触しにくくなっている。短絡が抑制されやすくなっている。
またこれまでに説明したように、第1延長部74の継手内面72aと第2延長部75の継手外面72bがx方向とz方向で面一になっている。第1延長部74の継手外面72bが第2延長部75の継手外面72bよりもy方向で第2伸長部71b側に設けられている。
そのために、第1延長部74の継手外面72b側の第2延長部75との継ぎ目と、第1延長部74の継手外面72b側の上アーム側第2ヒートシンク50Hとの継ぎ目それぞれに応力集中することが抑制されやすくなっている。第1延長部74の継手外面72b側の第2延長部75との継ぎ目と、第1延長部74の継手外面72b側の上アーム側第2ヒートシンク50Hとの継ぎ目それぞれが損傷しにくくなっている。
(第1変形例)
図10に示すように、第1延長部74の継手外面72bと第2延長部75の継手外面72bがx方向とz方向で面一になっていてもよい。第1延長部74の継手内面72aが、第2延長部75の継手内面72aと上アーム側第2ヒートシンク50Hの第2対向面50aそれぞれよりもy方向で第2伸長部71b側に設けられていても良い。
図10に示すように、第1延長部74の継手外面72bと第2延長部75の継手外面72bがx方向とz方向で面一になっていてもよい。第1延長部74の継手内面72aが、第2延長部75の継手内面72aと上アーム側第2ヒートシンク50Hの第2対向面50aそれぞれよりもy方向で第2伸長部71b側に設けられていても良い。
その場合、第2伸長部71bと第2延長部75の間のはんだ90が溶融し、拡がったとしても、はんだ90が第1延長部74の継手内面72a側の第2延長部75と上アーム側第2ヒートシンク50Hの間の空間に捉えられやすくなっている。
(第2変形例)
図11に示すように、第1延長部74の継手外面72bが第2延長部75の継手外面72bよりもy方向で第2伸長部71b側に位置していてもよい。第2延長部75の継手内面72aが第1延長部74の継手内面72aよりもy方向で第2伸長部71b側に位置していてもよい。
図11に示すように、第1延長部74の継手外面72bが第2延長部75の継手外面72bよりもy方向で第2伸長部71b側に位置していてもよい。第2延長部75の継手内面72aが第1延長部74の継手内面72aよりもy方向で第2伸長部71b側に位置していてもよい。
(第3変形例)
図12に示すように、第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積と、第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が等しくなっていてもよい。
図12に示すように、第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積と、第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が等しくなっていてもよい。
その場合、第1延長部74の形成材料に第2延長部75の形成材料とは異なる異材料が含まれていてもよい。例えば第2延長部75の部材がCuで、第1延長部74の部材がCuよりも変形しやすいAlなどが含まれていてもよい。なお、第1延長部74と第2延長部75の部材の全てが異なっていても良い。第1延長部74に第2延長部75と異なる異材料が含まれていればよい。
また、以下説明を簡便とするために第1延長部74の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積を単に第1延長部74の断面積と示す。第2延長部75の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積を単に第2延長部75の断面積と示す。
(第4変形例)
これまでに第1延長部74の断面積と第2延長部75の断面積が異なる場合と、第1延長部74に第2延長部75とは異なる異材料が含まれている場合それぞれについて説明した。しかしながら図13に示すように第1延長部74の断面積と第2延長部75の断面積が異なり、さらに第1延長部74に第2延長部75とは異なる異材料が含まれていてもよい。
これまでに第1延長部74の断面積と第2延長部75の断面積が異なる場合と、第1延長部74に第2延長部75とは異なる異材料が含まれている場合それぞれについて説明した。しかしながら図13に示すように第1延長部74の断面積と第2延長部75の断面積が異なり、さらに第1延長部74に第2延長部75とは異なる異材料が含まれていてもよい。
(第5変形例)
図14に示すように第2延長部75に継手内面72aから継手外面72b側に凹む半球状の凹部76が形成されていてもよい。凹部76の曲率半径は、第1継手部71に設けられた半球状に固化したはんだ90の曲率半径よりも小さくなっている。なお凹部76は半球形状に限定されていなくてもよい。
図14に示すように第2延長部75に継手内面72aから継手外面72b側に凹む半球状の凹部76が形成されていてもよい。凹部76の曲率半径は、第1継手部71に設けられた半球状に固化したはんだ90の曲率半径よりも小さくなっている。なお凹部76は半球形状に限定されていなくてもよい。
その場合、図15に示すように第2部品92を炉で加熱する際、第1継手部71に設けられた半球状に固化したはんだ90が溶融して、その一部が凹部76に入り込む。残りのはんだ90によって第1継手部71と第2継手部72とが接合されるようになる。図16に示すように第1継手部71と第2継手部72の間のはんだ90のy方向の厚さが薄くなる。
それに伴って、第1継手部71から第2継手部72にかかる荷重が小さくなりやすくなる。そのために上アーム側第2ヒートシンク50Hの突起部230からx方向に離間した側の端が底部210から上アーム側ターミナル60H側に浮き上がりにくくなっている。
(第6変形例)
図17に示すように第1部品91を第1治具150に設け、炉で加熱する際に、第1部品91のターミナル60側にはんだ90に不濡れの蓋状の第3治具400を適用してもよい。
図17に示すように第1部品91を第1治具150に設け、炉で加熱する際に、第1部品91のターミナル60側にはんだ90に不濡れの蓋状の第3治具400を適用してもよい。
第1部品91に第3治具400を適用した状態で第1部品91を炉で加熱することで、下アーム側ターミナル60Lと上アーム側ターミナル60Hと第1継手部71の第2伸長部71bそれぞれに設けられたはんだ90が半球状になりにくくなる。これらはんだ90のy方向の厚みが抑制されやすくなっている。
そのために、図18に示すように第1部品91を第2ヒートシンク50に設ける際に、側部220と上アーム側第1ヒートシンク40Hおよび側部220と下アーム側第1ヒートシンク40Lの間のy方向の空隙が狭まりやすくなっている。
そのために炉で加熱してはんだ90が溶融した際に第1部品91の上アーム側第2ヒートシンク50Hと下アーム側第2ヒートシンク50Lに向かう移動量が抑制されやすくなっている。上アーム側第2ヒートシンク50Hと上アーム側ターミナル60Hの間のはんだ90が拡がりにくくなっている。下アーム側第2ヒートシンク50Lと下アーム側ターミナル60Lの間のはんだ90が拡がりにくくなっている。
30H…上アーム側半導体チップ、50a…第2対向面、50b…第2裏面、50H…上アーム側第2ヒートシンク、60H…上アーム側ターミナル、71…第1継手部、72…第2継手部、72a…継手内面、74…第1延長部、75…第2延長部、76…凹部、90…はんだ
Claims (4)
- 半導体チップ(30H)と、
前記半導体チップの設けられる第1上面(50a)を備える搭載部(50H)と、
前記第1上面に連結される第2上面(72a)を備える第1中継部(72)と、
前記第1中継部の前記第2上面側に設けられる第2中継部(71)と、を有し、
前記第1中継部が、前記第2中継部と並ぶ並行部(75)と、前記並行部と前記搭載部を連結する前記並行部よりも変形しやすい連結部(74)と、を有する半導体装置。 - 前記連結部の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積が、前記並行部の延びる延長方向に直交する方向に沿う平面で切断した断面積よりも小さくなっている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記連結部の形成材料には、前記並行部の形成材料とは異なる異材料が含まれている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記並行部と前記第2中継部を接合するはんだ(90)を有し、
前記並行部の一部に前記第1上面から前記第1上面の裏側に向かって凹む凹部(76)が形成され、
前記はんだの一部が前記凹部に設けられ、
前記並行部と前記第2中継部とが前記はんだを介して接合されている請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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JP2021024745A JP2022126905A (ja) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 半導体装置 |
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ID=83060126
Family Applications (1)
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2021
- 2021-02-19 JP JP2021024745A patent/JP2022126905A/ja active Pending
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