JP2022109746A - Wafer cutting method - Google Patents

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Kosei Shuku
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Abstract

To provide a wafer cutting method capable of reducing adhesion of cutting scraps accompanying drying in kerf check.SOLUTION: A wafer cutting method for cutting a wafer 100 having a device region 107 in which a plurality of devices 103 are formed and an outer peripheral surplus region 108 surrounding the device region 107 along a dividing line 102 dividing the plurality of devices 103 includes a holding step of holding the wafer 100 on a holding table 10, a cutting step of cutting the wafer 100 held by the holding table 10 along the dividing line 102 with a cutting blade 21 to form a cutting groove while supplying cutting water to a processing point, and a kerf check step of imaging the device region 107 to which the air is injected to check at least the position of the cutting groove after removing cutting water adhering to the surface 101 by injecting air into the device region 107 near the outer peripheral surplus region 108.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ウエーハの切削方法に関する。 The present invention relates to a wafer cutting method.

ウエーハを切削する切削方法において、切削溝の位置や品質を確認するために、切削中にカーフチェックと呼ばれる動作を行うことが知られている。カーフチェックは、切削溝を撮像して、チッピングを測定する、切削溝の幅を測定する、顕微鏡が認識する加工位置と実際に切削溝を形成した位置のずれ(カット位置ずれ)を測定し補正するヘアライン合わせ、などである(例えば、特許文献1、2参照)。 In a cutting method for cutting a wafer, it is known to perform an operation called a kerf check during cutting in order to confirm the position and quality of cut grooves. The kerf check captures an image of the cutting groove, measures chipping, measures the width of the cutting groove, measures and corrects the deviation (cutting position deviation) between the machining position recognized by the microscope and the position where the cutting groove is actually formed. hairline alignment, etc. (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2001-298000号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2001-298000 特開2008-258496号公報JP 2008-258496 A

カーフチェックを実施する際には、撮像するために撮像領域から水滴を除去する必要があり、撮像ユニットの下面に設置されたノズルからエアを噴射して水滴を除去してから撮像している。しかし、切削屑が付着した状態で乾かしてしまうと、その後洗浄しても除去されないという問題があった。 When performing a kerf check, it is necessary to remove water droplets from the imaging area in order to take an image. Air is jetted from a nozzle installed on the bottom surface of the imaging unit to remove the water droplets before imaging. However, there is a problem that if the cutting chips are dried with adhering chips, they cannot be removed even after washing.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、カーフチェックの際の乾燥に伴う切削屑の付着を低減できるウエーハの切削方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a wafer cutting method capable of reducing adhesion of chips due to drying during a kerf check.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの切削方法は、加工装置により、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを備えるウエーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、ウエーハを保持テーブルに保持する保持ステップと、加工点に切削水を供給しながら、該保持テーブルに保持されたウエーハを該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削し、切削溝を形成する切削ステップと、該外周余剰領域の近傍の該デバイス領域にエアを噴射して表面に付着する切削水を除去した後、該エアが噴射された該デバイス領域を撮像して少なくとも該切削溝の位置を確認するカーフチェックステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the wafer cutting method of the present invention uses a processing apparatus to cut a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. 1. A wafer cutting method for cutting along a dividing line that partitions the plurality of devices, comprising: a holding step of holding the wafer on a holding table; a cutting step of cutting the cut wafer along the dividing line with a cutting blade to form cutting grooves; and removing cutting water adhering to the surface by injecting air into the device region near the peripheral surplus region. and a kerf check step of confirming at least the position of the cutting groove by imaging the device region where the air is injected after the cutting.

該加工装置は、該保持テーブルと隣接して設置され、ダミーウエーハを保持する第2の保持テーブルを有し、該ウエーハの切削方法は、該ダミーウエーハに該切削ブレードで第2の切削溝を形成し、該切削ブレードの切削予定ラインであるヘアラインを有する撮像ユニットの該ヘアラインと、該第2の切削溝とのずれを測定し、該撮像ユニットと、該切削ブレードとの位置関係を補正するヘアライン合わせステップをさらに有し、該ヘアライン合わせステップの実施中は、該保持テーブルに保持された該ウエーハに洗浄水を供給し、該ウエーハの表面を洗浄する洗浄ステップをさらに実施し、該洗浄ステップの実施後に、該カーフチェックステップを実施してもよい。 The processing apparatus has a second holding table that is installed adjacent to the holding table and holds a dummy wafer, and the method for cutting the wafer comprises forming a second cutting groove in the dummy wafer with the cutting blade. An image pickup unit having a hairline which is a line to be cut by the cutting blade and a deviation between the hairline and the second cutting groove are measured to correct the positional relationship between the image pickup unit and the cutting blade. further comprising a hairline alignment step, during the hairline alignment step, further performing a cleaning step of supplying cleaning water to the wafer held on the holding table to clean the surface of the wafer; may be performed after performing the kerf check step.

該ウエーハの切削方法は、該デバイスの任意のパターンを、該分割予定ラインを検出するためのターゲットとして登録するターゲット登録ステップと、該ターゲットから該分割予定ラインまでの距離を測定し登録する距離登録ステップと、をさらに備え、該カーフチェックステップは、該切削溝から該距離を離れた位置にエアを噴射して表面に付着する切削水を除去した後、該エアが噴射された該位置を撮像し、撮像された画像に該ターゲットが存在しない場合、切削する位置がずれていると検出するターゲットチェックステップを有してもよい。 The wafer cutting method includes a target registration step of registering an arbitrary pattern of the device as a target for detecting the planned division line, and a distance registration step of measuring and registering the distance from the target to the planned division line. and the kerf check step ejects air to a position away from the cutting groove to remove cutting water adhering to the surface, and then images the position where the air is ejected. However, if the target does not exist in the captured image, there may be a target check step of detecting that the cutting position is misaligned.

本発明は、カーフチェックの際の乾燥に伴う切削屑の付着を低減できる。 The present invention can reduce adhesion of shavings due to drying during kerf check.

図1は、実施形態1に係るウエーハの切削方法を実施する加工装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a processing apparatus that implements a wafer cutting method according to a first embodiment. 図2は、図1の加工装置の加工ユニットを示す斜視図である。2 is a perspective view showing a processing unit of the processing apparatus of FIG. 1. FIG. 図3は、図1の加工装置の撮像ユニット及びエア噴射ユニットを示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing an imaging unit and an air injection unit of the processing apparatus of FIG. 1. FIG. 図4は、実施形態1に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the first embodiment. 図5は、実施形態1に係るウエーハの切削方法のチェック領域を説明する斜視図である。FIG. 5 is a perspective view for explaining check areas in the wafer cutting method according to the first embodiment. 図6は、実施形態2に係るウエーハの切削方法を実施する加工装置の要部を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a main part of a processing apparatus that implements the wafer cutting method according to the second embodiment. 図7は、実施形態2に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the second embodiment. 図8は、図7のヘアライン合わせステップを説明する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the hairline alignment step of FIG. 図9は、実施形態3に係るウエーハの切削方法を実施するウエーハの要部を示す上面図である。FIG. 9 is a top view showing a main part of a wafer for which the wafer cutting method according to the third embodiment is performed. 図10は、実施形態3に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the third embodiment.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 A form (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るウエーハの切削方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハの切削方法を実施する加工装置1の構成例を示す斜視図である。図2は、図1の加工装置1の加工ユニット20を示す斜視図である。図3は、図1の加工装置1の撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40を示す断面図である。加工装置1は、図1に示すように、保持テーブル10と、第2の保持テーブル15と、加工ユニット20と、撮像ユニット30と、エア噴射ユニット40と、X軸移動ユニット51と、Y軸移動ユニット52と、Z軸移動ユニット53と、制御ユニット60と、洗浄水供給ユニット70と、を備える。
[Embodiment 1]
A wafer cutting method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a processing apparatus 1 that implements a wafer cutting method according to a first embodiment. 2 is a perspective view showing the processing unit 20 of the processing apparatus 1 of FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the imaging unit 30 and the air injection unit 40 of the processing apparatus 1 of FIG. 1. As shown in FIG. As shown in FIG. 1, the processing apparatus 1 includes a holding table 10, a second holding table 15, a processing unit 20, an imaging unit 30, an air injection unit 40, an X-axis moving unit 51, a Y-axis A moving unit 52 , a Z-axis moving unit 53 , a control unit 60 and a washing water supply unit 70 are provided.

実施形態1に係るウエーハの切削方法における加工対象、すなわち加工装置1が加工する加工対象であるウエーハ100は、実施形態1では、例えば、シリコン、サファイア、シリコンカーバイド(SiC)、ガリウムヒ素、ガラスなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどである。ウエーハ100は、図1に示すように、平坦な表面101に、デバイス領域107と、外周余剰領域108とを備えている。デバイス領域107は、複数の分割予定ライン102によって格子状に区画された領域に複数のチップサイズのデバイス103が形成された領域である。外周余剰領域108は、デバイス領域107の全周にわたってデバイス領域107を囲繞しているとともに、デバイス103が形成されていない領域である。ウエーハ100は、実施形態1では、表面101の裏側の裏面104に粘着テープ105が貼着され、粘着テープ105の外縁部に環状フレーム106が装着されているが、本発明ではこれに限定されない。 The wafer 100 to be processed by the wafer cutting method according to the first embodiment, that is, the wafer 100 to be processed by the processing apparatus 1 is made of, for example, silicon, sapphire, silicon carbide (SiC), gallium arsenide, glass, or the like. disk-shaped semiconductor wafers, optical device wafers, and the like. As shown in FIG. 1, the wafer 100 has a flat surface 101, a device region 107, and a peripheral surplus region 108. As shown in FIG. The device region 107 is a region in which a plurality of chip-sized devices 103 are formed in a region partitioned by a plurality of planned dividing lines 102 in a grid pattern. The peripheral surplus region 108 surrounds the device region 107 over the entire periphery thereof and is a region in which the device 103 is not formed. In the first embodiment, the wafer 100 has an adhesive tape 105 adhered to the back surface 104 on the back side of the front surface 101, and an annular frame 106 is attached to the outer edge of the adhesive tape 105, but the present invention is not limited to this.

保持テーブル10は、凹部が形成された円盤状の枠体と、凹部内に嵌め込まれた円盤形状の吸着部と、を備える。保持テーブル10の吸着部は、多数のポーラス孔を備えたポーラスセラミック等から形成され、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。保持テーブル10の吸着部の上面は、ウエーハ100が載置されて、載置されたウエーハ100を吸引保持する保持面11である。保持面11は、実施形態1では、ウエーハ100が表面101を上方に向けて載置され、載置されたウエーハ100を裏面104側から粘着テープ105を介して吸引保持する。保持面11と保持テーブル10の枠体の上面とは、同一平面上に配置されており、水平面に平行なXY平面に沿って形成される。保持テーブル10は、図1に示すように、X軸移動ユニット51により、水平方向と平行なX軸方向に沿って移動自在に設けられる。保持テーブル10は、不図示の回転駆動源により鉛直方向に平行でかつXY平面に直交するZ軸回りに回転自在に設けられている。 The holding table 10 includes a disk-shaped frame body having a recess and a disk-shaped suction portion fitted in the recess. The suction portion of the holding table 10 is formed of porous ceramic or the like having a large number of porous holes, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown). The upper surface of the suction portion of the holding table 10 is a holding surface 11 on which the wafer 100 is placed and which sucks and holds the placed wafer 100 . In Embodiment 1, the wafer 100 is placed on the holding surface 11 with the surface 101 facing upward, and the holding surface 11 holds the placed wafer 100 by suction from the rear surface 104 side via the adhesive tape 105 . The holding surface 11 and the upper surface of the frame of the holding table 10 are arranged on the same plane and formed along the XY plane parallel to the horizontal plane. As shown in FIG. 1, the holding table 10 is provided movably along the X-axis direction parallel to the horizontal direction by the X-axis moving unit 51 . The holding table 10 is rotatable about a Z-axis parallel to the vertical direction and orthogonal to the XY plane by a rotation drive source (not shown).

加工ユニット20は、図2に示すように、切削ブレード21と、スピンドル22と、スピンドルハウジング23と、マウント24と、ブレードカバー25と、切削水供給部26と、切削水供給源27とを備える。加工ユニット20は、図1に示すように、Y軸移動ユニット52により、水平方向に平行でかつX軸方向に直交するY軸方向に沿って移動自在に設けられ、Z軸移動ユニット53により、Z軸方向に沿って移動自在に設けられる。 The processing unit 20 includes a cutting blade 21, a spindle 22, a spindle housing 23, a mount 24, a blade cover 25, a cutting water supply section 26, and a cutting water supply source 27, as shown in FIG. . As shown in FIG. 1, the processing unit 20 is provided movably along a Y-axis direction parallel to the horizontal direction and orthogonal to the X-axis direction by a Y-axis movement unit 52, and by a Z-axis movement unit 53, It is provided movably along the Z-axis direction.

切削ブレード21は、マウント24を介してスピンドル22の先端に固定され、スピンドル22の回転動作に伴い、Y軸方向と平行な軸心周りに回転する。スピンドル22は、スピンドルハウジング23から先端を外部に露出させた状態で、スピンドルハウジング23にY軸方向と平行な軸心回りに回転可能に支持されて、スピンドルハウジング23内に収容されている。ブレードカバー25は、スピンドルハウジング23の前方側に装着されており、切削ブレード21及びスピンドル22の前方側の少なくとも一部を覆う。ブレードカバー25は、内部に複数の水路が形成されている。 The cutting blade 21 is fixed to the tip of the spindle 22 via a mount 24, and rotates around an axis parallel to the Y-axis direction as the spindle 22 rotates. The spindle 22 is rotatably supported by the spindle housing 23 about an axis parallel to the Y-axis direction and housed in the spindle housing 23 with its tip exposed from the spindle housing 23 . The blade cover 25 is attached to the front side of the spindle housing 23 and covers at least part of the front side of the cutting blade 21 and the spindle 22 . The blade cover 25 has a plurality of water channels formed therein.

切削水供給部26は、ブレードカバー25の内部の水路の下端側に連通して設けられている。切削水供給源27は、ブレードカバー25の内部の水路の上端側に連通して設けられている。切削水供給部26は、ブレードカバー25の内部の水路を通じて切削水供給源27より供給された切削水29(図3参照)を加工点に供給する。ここで、加工点は、ウエーハ100において回転中の切削ブレード21により切削加工されている領域のことを指し、回転中の切削ブレード21とウエーハ100とが接触している領域である。切削水29は、実施形態1では、例えば純水である。 The cutting water supply part 26 is provided in communication with the lower end side of the water channel inside the blade cover 25 . The cutting water supply source 27 is provided in communication with the upper end side of the water channel inside the blade cover 25 . The cutting water supply unit 26 supplies the cutting water 29 (see FIG. 3) supplied from the cutting water supply source 27 through the water channel inside the blade cover 25 to the machining point. Here, the processing point refers to a region of the wafer 100 that is cut by the rotating cutting blade 21 , and is a region where the rotating cutting blade 21 and the wafer 100 are in contact. The cutting water 29 is, for example, pure water in the first embodiment.

撮像ユニット30は、加工前のウエーハ100の分割予定ライン202を含む表面201、及び、加工後のウエーハ100に形成された切削溝110を撮像する撮像素子を備えている。撮像素子は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)撮像素子である。撮像ユニット30は、実施形態1では、加工ユニット20と一体的に移動するように、スピンドルハウジング23の下方に固定されて設けられている。 The imaging unit 30 includes an imaging device that images the surface 201 including the dividing lines 202 of the wafer 100 before processing and the cutting grooves 110 formed in the wafer 100 after processing. The imaging device is, for example, a CCD (Charge-Coupled Device) imaging device or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) imaging device. In the first embodiment, the imaging unit 30 is fixed below the spindle housing 23 so as to move integrally with the processing unit 20 .

撮像ユニット30は、保持テーブル10に保持された加工前のウエーハ100を撮像して、ウエーハ100と加工ユニット20の切削ブレード21との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を得、得た画像を制御ユニット60に出力する。また、撮像ユニット30は、保持テーブル10に保持された加工中または加工後のウエーハ100を撮像して、切削溝110の品質を自動的に確認する所謂カーフチェックを遂行するための画像を得、得た画像を制御ユニット60に出力する。 The imaging unit 30 captures an image of the wafer 100 before processing held on the holding table 10, and obtains an image for performing alignment for aligning the wafer 100 and the cutting blade 21 of the processing unit 20. The image is output to control unit 60 . In addition, the imaging unit 30 captures an image of the wafer 100 during or after processing held on the holding table 10 to obtain an image for performing a so-called kerf check for automatically confirming the quality of the cut groove 110, The obtained image is output to the control unit 60 .

撮像ユニット30は、図3に示すように、対物レンズ31と、シャッタ32とを備える。対物レンズ31は、保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101側と対向し、ウエーハ100の表面101側からの光を集光する。シャッタ32は、対物レンズ31と保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101との間を選択的に開閉する。シャッタ32は、加工ユニット20による切削水29を供給しながらの切削加工中や、エア噴射ユニット40によるエア噴射中には、対物レンズ31と保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101との間を閉鎖して切削水29が対物レンズ31側に飛散することを防止し、撮像素子による撮像中には、対物レンズ31と保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101との間を開放する。 The imaging unit 30 includes an objective lens 31 and a shutter 32, as shown in FIG. The objective lens 31 faces the front surface 101 side of the wafer 100 held on the holding table 10 and collects the light from the front surface 101 side of the wafer 100 . The shutter 32 selectively opens and closes between the objective lens 31 and the surface 101 of the wafer 100 held on the holding table 10 . The shutter 32 prevents the objective lens 31 from contacting the surface 101 of the wafer 100 held on the holding table 10 during cutting by the processing unit 20 while cutting water 29 is being supplied or during air injection by the air injection unit 40 . The gap is closed to prevent the cutting water 29 from scattering toward the objective lens 31 side, and the gap between the objective lens 31 and the surface 101 of the wafer 100 held on the holding table 10 is opened during imaging by the imaging device. do.

エア噴射ユニット40は、図3に示すように、エア噴射ノズル41と、エア供給源42と、ノズル調整部43とを備える。エア噴射ユニット40は、撮像ユニット30の側方に固定されて設けられており、撮像ユニット30と同様に加工ユニット20と一体的に移動する。 The air injection unit 40 includes an air injection nozzle 41, an air supply source 42, and a nozzle adjuster 43, as shown in FIG. The air injection unit 40 is fixed to the side of the imaging unit 30 and moves integrally with the processing unit 20 in the same manner as the imaging unit 30 .

エア噴射ノズル41は、先端側が保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101側の撮像領域120に向けて設けられている。ここで、撮像領域120は、保持テーブル10に保持されたウエーハ100の表面101側において、撮像ユニット30の撮像素子によって撮像される領域である。エア供給源42は、エア噴射ノズル41の基端側に連通して設けられている。ノズル調整部43は、エア噴射ノズル41の側方に設けられ、エア噴射ノズル41をZ軸回りに回転させることにより、エア噴射ノズル41によるエア49の噴射方向を調整する。エア噴射ユニット40は、エア噴射ノズル41により、エア供給源42より供給されたエア49を撮像領域120に向けて噴射することにより、撮像領域120に付着する切削水29を除去する。エア供給源42より供給されてエア噴射ノズル41より噴射されるエア49は、実施形態1では、例えば圧縮空気である。 The air injection nozzle 41 is provided so that its tip end faces an imaging region 120 on the surface 101 side of the wafer 100 held on the holding table 10 . Here, the imaging area 120 is an area that is imaged by the imaging device of the imaging unit 30 on the surface 101 side of the wafer 100 held on the holding table 10 . The air supply source 42 is provided in communication with the base end side of the air injection nozzle 41 . The nozzle adjustment unit 43 is provided on the side of the air injection nozzle 41 and adjusts the injection direction of the air 49 by the air injection nozzle 41 by rotating the air injection nozzle 41 around the Z-axis. The air injection unit 40 removes the cutting water 29 adhering to the imaging area 120 by injecting the air 49 supplied from the air supply source 42 toward the imaging area 120 through the air injection nozzle 41 . The air 49 supplied from the air supply source 42 and injected from the air injection nozzle 41 is, for example, compressed air in the first embodiment.

制御ユニット60は、加工装置1の各構成要素の動作を制御して、ウエーハ100の切削加工処理を加工装置1に実施させる。制御ユニット60は、実施形態1では、コンピュータシステムを含む。制御ユニット60が含むコンピュータシステムは、CPU(Central Processing Unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(Read Only Memory)又はRAM(Random Access Memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット60の演算処理装置は、制御ユニット60の記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、加工装置1を制御するための制御信号を、制御ユニット60の入出力インターフェース装置を介して加工装置1の各構成要素に出力する。 The control unit 60 controls the operation of each component of the processing apparatus 1 to cause the processing apparatus 1 to perform cutting processing of the wafer 100 . The control unit 60 includes a computer system in the first embodiment. The computer system including the control unit 60 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (Central Processing Unit), a storage device having a memory such as ROM (Read Only Memory) or RAM (Random Access Memory), and an input/output interface device. The arithmetic processing device of the control unit 60 performs arithmetic processing according to a computer program stored in the storage device of the control unit 60, and outputs control signals for controlling the processing device 1 to the input/output interface device of the control unit 60. to each component of the processing apparatus 1 via the .

制御ユニット60は、切削溝110を撮像した画像に基づいて、カーフチェックを実施する。ここで、カーフチェックは、具体的には、切削溝110を撮像した画像に基づいて、切削溝110について、カット位置ずれ(オフセンター)、カーフ幅、カーフセンターからのチッピング幅、カーフ端からのMaxチッピング幅等の各チェック項目のいずれかを検出し、その検出値の合否判定をすることにより、切削溝110の品質を確認するものである。なお、カット位置ずれ(オフセンター)は、切削溝110の幅方向の中央の位置を表す中央線であるカーフセンターの、分割予定ライン102の中央線に対する幅方向のずれの値である。カーフ幅は、それぞれ、カーフチェックで確認する領域内における切削溝110の両端の間の距離(間隔)である。カーフセンターからのチッピング幅は、カーフチェックで確認する領域内において幅方向で最大のチッピングの端部と切削溝110の幅方向中央との間の距離である。カーフ端からのMaxチッピング幅は、カーフチェックで確認する領域内において幅方向で最大のチッピングの端部と切削溝110の端部との間の距離である。合否判定は、検出値が、チェック項目毎に予め設定された許容値の範囲内である場合には合格、許容値の範囲外である場合には不合格(結果エラー)とするものである。 The control unit 60 performs a kerf check based on the captured image of the cut groove 110 . Here, specifically, the kerf check is performed based on an image of the cut groove 110, for the cut groove 110, cut position deviation (off-center), kerf width, chipping width from the kerf center, width from the kerf edge The quality of the cutting groove 110 is confirmed by detecting one of the check items such as the Max chipping width and judging whether or not the detected value is acceptable. Note that the cut position deviation (off-center) is the value of the deviation in the width direction of the kerf center, which is the center line representing the center position of the cutting groove 110 in the width direction, with respect to the center line of the dividing line 102 . The kerf width is the distance (interval) between both ends of the cutting groove 110 in the area checked by the kerf check. The chipping width from the kerf center is the distance between the edge of the largest chipping in the width direction and the center of the cut groove 110 in the width direction in the area checked by the kerf check. The Max chipping width from the kerf edge is the distance between the edge of the maximum chipping in the width direction and the edge of the cutting groove 110 in the area checked by the kerf check. The pass/fail judgment is to pass if the detected value is within the range of allowable values preset for each check item, and to fail (result error) if it is outside the range of allowable values.

加工装置1は、図1に示すように、さらに、カセット載置台81と、洗浄ユニット82と、搬送ユニット83とを備える。カセット載置台81は、複数のウエーハ100を収容するための収容器であるカセット85を載置する載置台であり、載置されたカセット85をZ軸方向に昇降させる。洗浄ユニット82は、切削加工後のウエーハ100を洗浄し、ウエーハ100に付着した切削屑等の異物を除去する。搬送ユニット83は、保持テーブル10と、洗浄ユニット82と、カセット85とのそれぞれの間で、ウエーハ100を搬送する。 The processing apparatus 1 further includes a cassette mounting table 81, a cleaning unit 82, and a transport unit 83, as shown in FIG. The cassette mounting table 81 is a mounting table for mounting a cassette 85, which is a container for containing a plurality of wafers 100, and moves the mounted cassette 85 up and down in the Z-axis direction. The cleaning unit 82 cleans the wafer 100 after cutting and removes foreign matter such as shavings adhering to the wafer 100 . The transport unit 83 transports the wafer 100 between the holding table 10 , cleaning unit 82 and cassette 85 .

加工装置1は、さらに、不図示の表示ユニットを備えていてもよい。表示ユニットは、加工装置1の切削加工処理の条件の設定の画面や、アライメントを遂行するための画像、カーフチェックを遂行するための画像、カーフチェックによる切削溝110の検査結果等を表示する。表示ユニットは、液晶表示装置等により構成される。表示ユニットは、オペレータが加工装置1の切削条件に関する情報等を入力する際に使用する入力ユニットが設けられている。表示ユニットに設けられた入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。 The processing device 1 may further include a display unit (not shown). The display unit displays a screen for setting conditions for cutting processing of the processing apparatus 1, an image for performing alignment, an image for performing kerf check, inspection results of cut groove 110 by kerf check, and the like. The display unit is configured by a liquid crystal display device or the like. The display unit is provided with an input unit used when the operator inputs information about the cutting conditions of the processing apparatus 1 and the like. The input unit provided in the display unit is composed of at least one of a touch panel provided in the display unit and a keyboard or the like.

なお、第2の保持テーブル15及び洗浄水供給ユニット70は、図1に図示されているが、以下に説明する実施形態1に係るウエーハの切削方法の処理には関与しないので、後述する実施形態2においてその機能及び動作を説明する。 Although the second holding table 15 and the cleaning water supply unit 70 are shown in FIG. 1, they are not involved in the processing of the wafer cutting method according to the first embodiment described below. 2 describes its function and operation.

次に、本明細書は、実施形態1に係るウエーハの切削方法の処理を、図面を用いて説明する。図4は、実施形態1に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。図5は、実施形態1に係るウエーハの切削方法のチェック領域109を説明する斜視図である。実施形態1に係るウエーハの切削方法は、図4に示すように、保持ステップ1001と、切削ステップ1002と、カーフチェックステップ1003とを備える。 Next, in this specification, the processing of the wafer cutting method according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the first embodiment. FIG. 5 is a perspective view for explaining the check area 109 of the wafer cutting method according to the first embodiment. The wafer cutting method according to the first embodiment comprises a holding step 1001, a cutting step 1002, and a kerf check step 1003, as shown in FIG.

保持ステップ1001は、ウエーハ100を保持テーブル10に保持するステップである。保持ステップ1001では、制御ユニット60は、保持テーブル10により、表面101を上方に向けて保持面11上に載置されたウエーハ100を、裏面104側から粘着テープ105を介して、保持面11で吸引保持する。保持ステップ1001の実施後に、制御ユニット60は、撮像ユニット30により撮像した画像を用いてアライメントを実施して、保持テーブル10の保持面11上のウエーハ100と加工ユニット20の切削ブレード21との位置合わせを行う。 A holding step 1001 is a step of holding the wafer 100 on the holding table 10 . In a holding step 1001 , the control unit 60 causes the holding table 10 to hold the wafer 100 placed on the holding surface 11 with the front surface 101 facing upward, from the rear surface 104 side through the adhesive tape 105 , on the holding surface 11 . Hold suction. After carrying out the holding step 1001 , the control unit 60 carries out alignment using the image captured by the imaging unit 30 to determine the positions of the wafer 100 on the holding surface 11 of the holding table 10 and the cutting blade 21 of the processing unit 20 . Align.

切削ステップ1002は、加工点に切削水29を供給しながら、保持テーブル10に保持されたウエーハ100を分割予定ライン102に沿って切削ブレード21で切削し、切削溝110を形成するステップである。切削ステップ1002では、制御ユニット60が、加工ユニット20を制御して、切削水供給部26により加工点に切削水29を供給し、なおかつ、スピンドル22により切削ブレード21を回転させながら、X軸移動ユニット51、Y軸移動ユニット52及びZ軸移動ユニット53により、回転中の切削ブレード21を、保持テーブル10上のウエーハ100に切り込ませて、ウエーハ100に対して相対的に分割予定ライン102に沿って移動させることにより、回転中の切削ブレード21でウエーハ100を分割予定ライン102に沿って切削加工して、分割予定ライン102に沿って切削溝110を形成する。 The cutting step 1002 is a step of cutting the wafer 100 held on the holding table 10 with the cutting blade 21 along the dividing line 102 to form the cutting groove 110 while supplying the cutting water 29 to the processing point. In the cutting step 1002, the control unit 60 controls the processing unit 20 to supply the cutting water 29 to the processing point from the cutting water supply unit 26, and rotate the cutting blade 21 by the spindle 22 while moving the cutting blade 21 along the X axis. The rotating cutting blade 21 is caused to cut into the wafer 100 on the holding table 10 by the unit 51 , the Y-axis moving unit 52 and the Z-axis moving unit 53 , so that the wafer 100 is relatively cut along the dividing line 102 . By moving along the cutting blade 21 during rotation, the wafer 100 is cut along the dividing line 102 to form a cutting groove 110 along the dividing line 102 .

カーフチェックステップ1003は、外周余剰領域108の近傍のデバイス領域107にエア49を噴射して表面101に付着する切削水29を除去した後、エア49が噴射されたデバイス領域107を撮像して少なくとも切削溝110の位置を確認するステップである。カーフチェックステップ1003は、切削ステップ1002により少なくとも1本の切削溝110が形成された後に実施する。カーフチェックステップ1003は、実施形態1では、切削ステップ1002により一部の分割予定ライン102に沿って切削溝110が形成された後に実施してもよく、切削ステップ1002により全部の分割予定ライン102に沿って切削溝110が形成された後に実施してもよい。 In the kerf check step 1003, after the air 49 is jetted to the device region 107 near the outer peripheral surplus region 108 to remove the cutting water 29 adhering to the surface 101, the device region 107 to which the air 49 is jetted is imaged to at least This is the step of confirming the position of the cut groove 110 . A kerf check step 1003 is performed after at least one cut groove 110 is formed by the cutting step 1002 . In the first embodiment, the kerf check step 1003 may be performed after the cut grooves 110 are formed along some of the planned division lines 102 by the cutting step 1002, and all of the planned division lines 102 are cut by the cutting step 1002. It may be performed after the cut groove 110 is formed along.

カーフチェックステップ1003で切削水29の除去及び撮像をする対象となる、外周余剰領域108の近傍のデバイス領域107内の領域は、外周余剰領域108と隣接するデバイス103の表面101の一部を含み、撮像領域120と同等の面積の領域であり、実施形態1では、例えば、図5に示すように、切削溝110を跨いで設定されたチェック領域109である。そこで、カーフチェックステップ1003では、まず、制御ユニット60が、Y軸移動ユニット52及びZ軸移動ユニット53により、撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40を移動させることにより、撮像ユニット30の撮像領域120をチェック領域109に移動させる。 The region within the device region 107 near the outer peripheral surplus region 108 that is the subject of cutting water 29 removal and imaging in the kerf check step 1003 includes a portion of the surface 101 of the device 103 adjacent to the outer peripheral surplus region 108. , is a region having an area equivalent to that of the imaging region 120. In the first embodiment, for example, as shown in FIG. Therefore, in the kerf check step 1003 , first, the control unit 60 moves the imaging unit 30 and the air injection unit 40 using the Y-axis moving unit 52 and the Z-axis moving unit 53 to move the imaging area 120 of the imaging unit 30 . Move to check area 109 .

カーフチェックステップ1003では、撮像ユニット30の撮像領域120をチェック領域109に移動させた後、図4に示すように、乾燥ステップ1011と、撮像ステップ1012と、検査ステップ1013とを順次実施する。乾燥ステップ1011では、制御ユニット60は、エア噴射ユニット40を制御して、エア噴射ノズル41により、エア供給源42より供給されたエア49をチェック領域109に向けて噴射することにより、チェック領域109に付着する切削水29を除去する。撮像ステップ1012では、制御ユニット60が、撮像ユニット30により、乾燥ステップ1011でエア49を噴射して切削水29が除去されたチェック領域109を撮像する。検査ステップ1013では、制御ユニット60が、撮像ステップ1012で撮像したチェック領域109の画像に基づいて、チェック領域109内の分割予定ライン102に沿って形成された切削溝110についてカーフチェックを実施して、切削溝110の位置を確認するとともに、切削溝110の切削溝110の品質を確認する。 In kerf check step 1003, after moving imaging area 120 of imaging unit 30 to check area 109, drying step 1011, imaging step 1012, and inspection step 1013 are sequentially performed as shown in FIG. In the drying step 1011 , the control unit 60 controls the air injection unit 40 so that the air injection nozzle 41 injects the air 49 supplied from the air supply source 42 toward the check area 109 . remove the cutting water 29 adhering to the In the image capturing step 1012 , the control unit 60 uses the image capturing unit 30 to image the check area 109 from which the cutting water 29 has been removed by jetting the air 49 in the drying step 1011 . In the inspection step 1013, the control unit 60 performs a kerf check on the cutting grooves 110 formed along the planned division lines 102 in the check area 109 based on the image of the check area 109 captured in the image capturing step 1012. , to check the position of the cutting groove 110 and to check the quality of the cutting groove 110 of the cutting groove 110;

実施形態1に係るウエーハの切削方法では、制御ユニット60は、検査ステップ1013の検査結果に基づいて、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であるか否かを判定する(図4のステップ1004)。ステップ1004では、制御ユニット60は、検査ステップ1013の検査結果の全てが合格である場合には、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であると判定し(ステップ1004でYes)、処理を図4のステップ1005に進める。ステップ1004では、制御ユニット60は、検査ステップ1013の検査結果に1つでも不合格がある場合には、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であると判定し(ステップ1004でNo)、加工装置1による切削加工処理を中止する。 In the wafer cutting method according to the first embodiment, the control unit 60 determines whether or not it is possible to continue the cutting processing by the processing apparatus 1 based on the inspection result of the inspection step 1013 (step 1004). In step 1004, when all the inspection results of inspection step 1013 are acceptable, the control unit 60 determines that the cutting process by the processing apparatus 1 can be continued (Yes in step 1004), and the process is started. Proceed to step 1005 in FIG. In step 1004, if even one of the inspection results in inspection step 1013 fails, the control unit 60 determines that the cutting process by the processing apparatus 1 can be continued (No in step 1004), The cutting processing by the processing device 1 is stopped.

実施形態1に係るウエーハの切削方法では、制御ユニット60は、ステップ1004でYesの場合、切削加工処理をする予定の全ての分割予定ライン102に沿って切削加工処理が終了しているか否かを判定する(図4のステップ1005)。ステップ1005では、制御ユニット60は、予定の全ての切削加工処理が終了していない場合には(図4のステップ1005でNo)、加工装置1によるウエーハ100の切削加工を続きから再開して、再び切削ステップ1002とカーフチェックステップ1003との各処理を実施する。ステップ1005では、制御ユニット60は、予定の全ての切削加工処理が終了している場合には(図4のステップ1005でYes)、処理を終了する。 In the wafer cutting method according to the first embodiment, if Yes in step 1004, the control unit 60 determines whether or not the cutting process has been completed along all the planned division lines 102 on which the cutting process is to be performed. Determine (step 1005 in FIG. 4). In step 1005, if all the scheduled cutting processes have not been completed (No in step 1005 in FIG. 4), the control unit 60 restarts the cutting of the wafer 100 by the processing apparatus 1 from the continuation. The cutting step 1002 and kerf check step 1003 are performed again. At step 1005, the control unit 60 terminates the process when all scheduled cutting processes have been completed (Yes at step 1005 in FIG. 4).

以上のような構成を有する実施形態1に係るウエーハの切削方法は、カーフチェックステップ1003において、エア49の噴射による切削水29の除去及び撮像を、外周余剰領域108の近傍のデバイス領域107内の領域で実施するので、ウエーハ100の中心で実施するよりも当該領域をエア49の噴射により乾燥させる際に乾燥してしまうデバイス領域107の面積を狭く留めることができる。これにより、実施形態1に係るウエーハの切削方法は、カーフチェックの際の乾燥に伴う切削屑の付着を低減できるという作用効果を奏する。 In the wafer cutting method according to the first embodiment having the configuration described above, in the kerf check step 1003, the cutting water 29 is removed by jetting the air 49 and the image is captured in the device region 107 near the outer peripheral surplus region 108. Since the drying is performed in the area, the area of the device area 107 that is dried when the area is dried by jetting the air 49 can be kept smaller than when the drying is performed in the center of the wafer 100 . As a result, the wafer cutting method according to the first embodiment has the effect of being able to reduce the adherence of cutting debris that accompanies drying during the kerf check.

〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るウエーハの切削方法を図面に基づいて説明する。図6は、実施形態2に係るウエーハの切削方法を実施する加工装置1の要部を示す上面図である。図7は、実施形態2に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。図8は、図7のヘアライン合わせステップ1021を説明する図である。図6、図7及び図8は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
A wafer cutting method according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a top view showing a main part of the processing apparatus 1 that implements the wafer cutting method according to the second embodiment. FIG. 7 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the second embodiment. FIG. 8 is a diagram for explaining the hairline alignment step 1021 in FIG. In FIGS. 6, 7 and 8, the same reference numerals are given to the same parts as in the first embodiment, and the description thereof is omitted.

第2の保持テーブル15は、図6に示すように、保持テーブル10のX軸方向に沿った移動経路から外れて、加工ユニット20のスピンドル22のY軸方向に沿った移動経路の直下に設けられている。第2の保持テーブル15は、保持テーブル10と同様の構成を有し、保持面16の面積が保持テーブル10の保持面11よりも小さい。第2の保持テーブル15の保持面16は、図6に示すように、ダミーウエーハ150が載置されて、載置されたダミーウエーハ150を吸引保持する。 As shown in FIG. 6, the second holding table 15 is provided off the moving path of the holding table 10 along the X-axis direction and directly below the moving path of the spindle 22 of the processing unit 20 along the Y-axis direction. It is The second holding table 15 has a configuration similar to that of the holding table 10 , and the area of the holding surface 16 is smaller than that of the holding surface 11 of the holding table 10 . As shown in FIG. 6, the holding surface 16 of the second holding table 15, on which the dummy wafer 150 is placed, holds the placed dummy wafer 150 by suction.

ダミーウエーハ150は、ウエーハ100と同質の材料により、厚み方向に直交する面積がウエーハ100よりも小さい板状に形成され、分割予定ライン102やデバイス103が形成されていないものである。ダミーウエーハ150は、例えば、シリコンの小片である。ダミーウエーハ150は、切削ブレード21により切削されることで、第2の切削溝160(図8参照)が形成される。 The dummy wafer 150 is made of the same material as the wafer 100 and formed in a plate shape having a smaller area perpendicular to the thickness direction than the wafer 100, and the planned dividing line 102 and the device 103 are not formed. Dummy wafer 150 is, for example, a small piece of silicon. The dummy wafer 150 is cut by the cutting blade 21 to form the second cut grooves 160 (see FIG. 8).

加工装置1は、Y軸移動ユニット52により加工ユニット20をY軸方向に沿って移動させることで、切削ブレード21を第2の保持テーブル15の保持面16上のダミーウエーハ150の直上に移動させることができ、さらに、切削ブレード21を回転させながら、Z軸移動ユニット53により加工ユニット20をZ軸方向に沿って下方に移動させることにより、切削ブレード21で第2の保持テーブル15上のダミーウエーハ150を切削して第2の切削溝160を形成することができる。 The processing apparatus 1 moves the cutting blade 21 directly above the dummy wafer 150 on the holding surface 16 of the second holding table 15 by moving the processing unit 20 along the Y-axis direction using the Y-axis moving unit 52. Furthermore, while rotating the cutting blade 21, the Z-axis movement unit 53 moves the machining unit 20 downward along the Z-axis direction, thereby allowing the cutting blade 21 to move the dummy on the second holding table 15. Wafer 150 may be cut to form a second cut groove 160 .

加工装置1では、撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40は、加工ユニット20と一体的に移動するようにスピンドルハウジング23の下方に固定されて設けられている。このため、加工装置1は、Y軸移動ユニット52及びZ軸移動ユニット53により、撮像ユニット30により撮像し、なおかつ、エア噴射ユニット40によりエア49を噴射する撮像領域120を、ダミーウエーハ150に形成された第2の切削溝160を含む領域に移動させることができる。 In the processing apparatus 1 , the imaging unit 30 and the air injection unit 40 are fixed below the spindle housing 23 so as to move integrally with the processing unit 20 . Therefore, the processing apparatus 1 uses the Y-axis moving unit 52 and the Z-axis moving unit 53 to form an imaging area 120 on the dummy wafer 150, which is imaged by the imaging unit 30 and ejects the air 49 by the air ejection unit 40. can be moved to a region including the second cutting groove 160 that has been cut.

または、第2の保持テーブル15がX軸方向に移動する駆動機構をもっており、撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40は、加工ユニット20とX軸方向に隣接して設置されていても良い。または、第2の保持テーブル15が保持テーブル10に固定され、保持テーブル10をX軸方向に駆動させる事で、ダミーウエーハ150に第2の切削溝160を形成し、撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40は、加工ユニット20とX方向に隣接して設置されていても良い。 Alternatively, the second holding table 15 may have a drive mechanism that moves in the X-axis direction, and the imaging unit 30 and the air injection unit 40 may be installed adjacent to the processing unit 20 in the X-axis direction. Alternatively, the second holding table 15 is fixed to the holding table 10, and by driving the holding table 10 in the X-axis direction, the second cutting groove 160 is formed in the dummy wafer 150, and the imaging unit 30 and the air injection unit are formed. 40 may be installed adjacent to the processing unit 20 in the X direction.

洗浄水供給ユニット70は、図6に示すように、保持テーブル10のX軸方向に沿った移動経路の上方を跨ぐようにY軸方向に沿って設けられている。洗浄水供給ユニット70は、洗浄水供給部71と、洗浄水供給源72とを備える。洗浄水供給源72は、洗浄水供給部71に連通して設けられている。洗浄水供給ユニット70は、Y軸方向に延在する洗浄水供給部71の下方を移動中の保持テーブル10に保持されたウエーハ100に、洗浄水供給源72より供給された洗浄水を洗浄水供給部71により供給して、ウエーハ100の表面101を洗浄する。洗浄水供給源72より供給されて洗浄水供給部71により供給される洗浄水は、実施形態1では、例えば純水である。 As shown in FIG. 6, the cleaning water supply unit 70 is provided along the Y-axis direction so as to straddle above the moving path of the holding table 10 along the X-axis direction. The cleaning water supply unit 70 includes a cleaning water supply section 71 and a cleaning water supply source 72 . The cleaning water supply source 72 is provided in communication with the cleaning water supply section 71 . The cleaning water supply unit 70 supplies cleaning water supplied from a cleaning water supply source 72 to the wafer 100 held by the holding table 10 that is moving under the cleaning water supply unit 71 extending in the Y-axis direction. The surface 101 of the wafer 100 is cleaned by being supplied by the supply unit 71 . The cleaning water supplied from the cleaning water supply source 72 and supplied from the cleaning water supply unit 71 is, for example, pure water in the first embodiment.

次に、本明細書は、実施形態2に係るウエーハの切削方法の処理を、図面を用いて説明する。実施形態2に係るウエーハの切削方法は、図7に示すように、実施形態1において、ヘアライン合わせステップ1021をさらに有し、ヘアライン合わせステップ1021の実施中は洗浄ステップ1022をさらに実施し、洗浄ステップ1022の実施後にカーフチェックステップ1003を実施するように変更したものである。 Next, in this specification, the processing of the wafer cutting method according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 7, the wafer cutting method according to the second embodiment further includes a hairline alignment step 1021 in the first embodiment, further performs a cleaning step 1022 during the hairline alignment step 1021, and performs a cleaning step 1022. It is modified so that the kerf check step 1003 is performed after the step 1022 is performed.

ヘアライン合わせステップ1021は、ダミーウエーハ150に切削ブレード21で第2の切削溝160を形成し、撮像画面200(図8参照)内に切削ブレード21の切削予定ラインであるヘアライン210(図8参照)を有する撮像ユニット30のヘアライン210と、第2の切削溝160とのずれを測定し、撮像ユニット30と、切削ブレード21との位置関係を補正するステップである。 In the hairline aligning step 1021, the second cutting groove 160 is formed in the dummy wafer 150 by the cutting blade 21, and the hairline 210 (see FIG. 8), which is the scheduled cutting line of the cutting blade 21, is formed in the imaging screen 200 (see FIG. 8). and the second cutting groove 160 to correct the positional relationship between the imaging unit 30 and the cutting blade 21 .

ヘアライン合わせステップ1021では、まず、制御ユニット60は、第2の保持テーブル15上のダミーウエーハ150に対する所定の位置(例えば、ダミーウエーハ150の中央)に合わせた切削ブレード21を回転させながら、切削ブレード21をダミーウエーハ150に対して相対的に切り込み送り方向に沿って移動させ、切削ブレード21でダミーウエーハ150を所定量だけ切り込んでダミーウエーハ150を切削加工して第2の切削溝160を形成し、その後切削ブレード21を上昇させてダミーウエーハ150から退避させるという、いわゆるチョッパーカットを実施する。ヘアライン合わせステップ1021では、次に、制御ユニット60は、予め設定された撮像ユニット30と切削ブレード21との位置関係に基づいて、切削ブレード21が第2の切削溝160を形成した位置に対応する位置に撮像ユニット30を移動させて、移動させた撮像ユニット30によりダミーウエーハ150を撮像して撮像画面200を得る。 In the hairline alignment step 1021 , first, the control unit 60 rotates the cutting blade 21 aligned with the dummy wafer 150 on the second holding table 15 (for example, the center of the dummy wafer 150 ). 21 is moved relative to the dummy wafer 150 along the cutting feed direction, and the cutting blade 21 cuts the dummy wafer 150 by a predetermined amount to cut the dummy wafer 150 to form the second cutting grooves 160. , and then the cutting blade 21 is lifted and retracted from the dummy wafer 150 to perform so-called chopper cutting. In the hairline alignment step 1021, the control unit 60 next determines the position where the cutting blade 21 forms the second cutting groove 160 based on the preset positional relationship between the imaging unit 30 and the cutting blade 21. The imaging unit 30 is moved to a position, and the imaging screen 200 is obtained by imaging the dummy wafer 150 with the moved imaging unit 30 .

ヘアライン合わせステップ1021では、次に、図8に示すように、撮像画面200内に予め設定された切削ブレード21の切削予定ラインであるヘアライン210と、撮像画面200内に撮像された第2の切削溝160のカーフセンターとの間のずれであるヘアラインずれ170を測定する。ヘアライン合わせステップ1021では、測定したヘアラインずれ170に基づいて、ヘアラインずれ170を解消する方向に、撮像ユニット30と、切削ブレード21との位置関係を補正する。第2の保持テーブル15がX軸方向に移動する場合、ヘアライン合わせステップ1021は、ダミーウエーハ150を完全に切断しない深さまで切削ブレード21を降下させた状態で、第2の保持テーブル15をX軸方向に移動させ、ダミーウエーハ150の一端から他端まで第2の切削溝160を形成しても良い。 In the hairline matching step 1021, next, as shown in FIG. A hairline shift 170, which is the shift between the groove 160 and the kerf center, is measured. In the hairline alignment step 1021 , based on the measured hairline deviation 170 , the positional relationship between the imaging unit 30 and the cutting blade 21 is corrected in the direction of eliminating the hairline deviation 170 . When the second holding table 15 moves in the X-axis direction, the hairline alignment step 1021 moves the second holding table 15 along the X-axis while the cutting blade 21 is lowered to a depth at which the dummy wafer 150 is not completely cut. The second cutting groove 160 may be formed from one end to the other end of the dummy wafer 150 by moving in the direction.

洗浄ステップ1022は、保持テーブル10に保持されたウエーハ100に洗浄水を供給し、ウエーハ100の表面101を洗浄するステップである。洗浄ステップ1022では、制御ユニット60は、X軸移動ユニット51により保持テーブル10を移動させてY軸方向に延在する洗浄水供給部71の下方をくぐらせることにより、保持テーブル10に保持されたウエーハ100に洗浄水を供給して、ウエーハ100の表面101を洗浄する。または、洗浄水供給部71がX軸方向に移動し、ウエーハ100の表面101を洗浄しても良い。 The cleaning step 1022 is a step of supplying cleaning water to the wafer 100 held on the holding table 10 to clean the surface 101 of the wafer 100 . In the cleaning step 1022, the control unit 60 causes the holding table 10 to move by the X-axis moving unit 51 to pass under the cleaning water supply section 71 extending in the Y-axis direction. Cleaning water is supplied to the wafer 100 to clean the surface 101 of the wafer 100 . Alternatively, the cleaning water supply unit 71 may move in the X-axis direction to clean the surface 101 of the wafer 100 .

切削加工時に発生する熱により切削ブレード21が装着されるスピンドル22が膨張したり、切削負荷により切削ブレード21が倒れたりすると、撮像ユニット30が認識する切削予定ラインであるヘアライン210と、切削予定ラインに基づき実際に切削ブレード21が切削する位置との間にずれ(ヘアラインずれ170)が発生するので、実施形態2に係るウエーハの切削方法は、実施形態1に加えて、このヘアラインずれ170を補正するためのヘアライン合わせをさらに実施する。実施形態2に係るウエーハの切削方法は、第2の保持テーブル15に保持されたダミーウエーハ150上に第2の切削溝160を形成することによりヘアライン合わせを実施し、ヘアライン合わせを実施中に洗浄水供給ユニット70により保持テーブル10に保持されたウエーハ100に洗浄水を供給して洗浄する。このため、実施形態2に係るウエーハの切削方法は、実施形態1の作用効果に加えて、ヘアライン合わせを実施中にウエーハ100上が乾燥してしまうことに伴う切削屑の付着を低減できるという作用効果を奏する。また、実施形態2に係るウエーハの切削方法は、ヘアライン合わせを実施中にウエーハ100を洗浄することにより、切削屑を除去することができるので、より切削屑のウエーハ100への付着を防止することができる。また、実施形態2に係るウエーハの切削方法は、さらに、洗浄ステップ1022の後にカーフチェックステップ1003を実施する場合も、切削溝110またはターゲット180(実施形態3の図9参照)の撮像時にウエーハ100の表面101を乾燥させても切削屑が洗浄ステップ1022によって除去されているので異物が付着しにくくなる。 When the spindle 22 on which the cutting blade 21 is mounted expands due to the heat generated during cutting, or the cutting blade 21 falls down due to the cutting load, the imaging unit 30 recognizes a hairline 210, which is a scheduled cutting line, and the scheduled cutting line. Therefore, the wafer cutting method according to the second embodiment corrects the hairline deviation 170 in addition to the first embodiment. Further perform hairline alignment for In the wafer cutting method according to the second embodiment, hairline alignment is performed by forming second cutting grooves 160 on the dummy wafer 150 held on the second holding table 15, and cleaning is performed during the hairline alignment. The water supply unit 70 supplies washing water to the wafer 100 held on the holding table 10 to wash it. For this reason, the wafer cutting method according to the second embodiment has, in addition to the effects of the first embodiment, the effect of reducing the adhesion of cutting debris caused by drying on the wafer 100 during hairline alignment. Effective. In addition, in the wafer cutting method according to the second embodiment, by cleaning the wafer 100 during hairline alignment, cutting waste can be removed, so that the adhesion of cutting waste to the wafer 100 can be further prevented. can be done. In addition, in the wafer cutting method according to the second embodiment, even when the kerf check step 1003 is performed after the cleaning step 1022, the wafer 100 is cut when the cutting groove 110 or the target 180 (see FIG. 9 of the third embodiment) is imaged. Even if the surface 101 of is dried, foreign matter is less likely to adhere because cutting waste has been removed by the cleaning step 1022 .

〔実施形態3〕
本発明の実施形態3に係るウエーハの切削方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態3に係るウエーハの切削方法を実施するウエーハ100の要部を示す上面図である。図10は、実施形態3に係るウエーハの切削方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。図9及び図10は、実施形態1及び実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 3]
A wafer cutting method according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a top view showing a main part of a wafer 100 for carrying out the wafer cutting method according to the third embodiment. FIG. 10 is a flow chart showing an example of the processing procedure of the wafer cutting method according to the third embodiment. In FIGS. 9 and 10, the same parts as in Embodiments 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

ウエーハ100の各デバイス103は、実施形態3では、図9に示すように、ターゲット180が形成されている。ターゲット180は、特徴的な形状を有し、撮像ユニット30で撮像した画像で検出することができる平面形及び色のキーパターンとなるものである。ターゲット180は、当該ターゲット180が形成されたデバイス103を囲む各分割予定ライン102からそれぞれ所定の距離だけ離れた位置に形成されており、分割予定ライン102を検出する目印となる。ターゲット180は、図9に示す例では、X軸方向に沿った分割予定ライン102から+Y方向に距離181だけ離れた位置に、なおかつ、Y軸方向に沿った分割予定ライン102から+X方向に距離182だけ離れた位置に、形成されている。ウエーハ100に形成されるデバイス103は、実施形態3では、例えば、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD、又はCMOS等のイメージセンサである。 Each device 103 of the wafer 100 is formed with a target 180 as shown in FIG. 9 in the third embodiment. The target 180 has a characteristic shape and serves as a key pattern of planar shape and color that can be detected in the image captured by the imaging unit 30 . The target 180 is formed at a predetermined distance from each planned division line 102 surrounding the device 103 on which the target 180 is formed, and serves as a mark for detecting the planned division line 102 . In the example shown in FIG. 9, the target 180 is located at a position separated by a distance 181 in the +Y direction from the planned division line 102 along the X-axis direction and at a distance in the +X direction from the planned division line 102 along the Y-axis direction. It is formed at a position separated by 182. In the third embodiment, the device 103 formed on the wafer 100 is, for example, an integrated circuit such as IC (Integrated Circuit) or LSI (Large Scale Integration), or an image sensor such as CCD or CMOS.

次に、本明細書は、実施形態3に係るウエーハの切削方法の処理を、図面を用いて説明する。実施形態3に係るウエーハの切削方法は、図10に示すように、実施形態1において、ターゲット登録ステップ1031と、距離登録ステップ1032とをさらに備え、カーフチェックステップ1003をターゲットチェックステップ1033に変更したものである。 Next, in this specification, the processing of the wafer cutting method according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 10, the wafer cutting method according to Embodiment 3 further includes target registration step 1031 and distance registration step 1032 in Embodiment 1, and kerf check step 1003 is changed to target check step 1033. It is.

ターゲット登録ステップ1031は、デバイス103の任意のパターンを、分割予定ライン102を検出するためのターゲット180として登録するステップである。ターゲット登録ステップ1031では、制御ユニット60は、撮像ユニット30の撮像領域120をターゲット180が含まれる領域に合わせて撮像してターゲット180を含む画像を取得し、この画像におけるターゲット180の平面形及び色を、制御ユニット60の記憶装置に登録する。 The target registration step 1031 is a step of registering an arbitrary pattern of the device 103 as the target 180 for detecting the planned division line 102 . In the target registration step 1031, the control unit 60 captures an image including the target 180 by matching the imaging area 120 of the imaging unit 30 with the area including the target 180, and determines the planar shape and color of the target 180 in this image. is registered in the storage device of the control unit 60 .

距離登録ステップ1032は、ターゲット登録ステップ1031で登録したターゲット180から、当該ターゲット180が形成されたデバイス103を囲む分割予定ライン102までの距離181,182を測定し登録するステップである。距離登録ステップ1032では、制御ユニット60は、まず、撮像ユニット30により、ターゲット登録ステップ1031で登録したターゲット180が形成されたデバイス103を囲む分割予定ライン102を撮像してこの分割予定ライン102を含む画像を取得する。距離登録ステップ1032では、制御ユニット60は、次に、ターゲット登録ステップ1031で撮像したターゲット180を含む画像内のターゲット180の位置と、分割予定ライン102を含む画像内の分割予定ライン102の中央線の位置と、ターゲット180を含む画像を撮像した時と分割予定ライン102を含む画像を撮像した時との撮像ユニット30の位置の差分とに基づいて、ターゲット登録ステップ1031で登録したターゲット180から、当該ターゲット180が形成されたデバイス103を囲む分割予定ライン102までの距離181,182を測定する。距離登録ステップ1032では、制御ユニット60は、この測定した距離181,182を、制御ユニット60の記憶装置に登録する。 Distance registration step 1032 is a step of measuring and registering distances 181 and 182 from target 180 registered in target registration step 1031 to dividing line 102 surrounding device 103 on which target 180 is formed. In the distance registration step 1032 , the control unit 60 first captures the planned division line 102 surrounding the device 103 on which the target 180 registered in the target registration step 1031 is formed by the imaging unit 30 , and includes the planned division line 102 . Get an image. In the distance registration step 1032, the control unit 60 next determines the position of the target 180 in the image containing the target 180 captured in the target registration step 1031 and the center line of the division line 102 in the image containing the division line 102. and the difference in the position of the imaging unit 30 between when the image including the target 180 was captured and when the image including the dividing line 102 was captured, from the target 180 registered in the target registration step 1031, Distances 181 and 182 to the dividing line 102 surrounding the device 103 on which the target 180 is formed are measured. At the distance registration step 1032 , the control unit 60 registers the measured distances 181 and 182 in the storage device of the control unit 60 .

なお、ターゲット登録ステップ1031及び距離登録ステップ1032は、同じ種類のウエーハ100を連続加工する場合、1枚目のウエーハ100の保持ステップ1001の後に実施されるため、2枚目以降のウエーハ100の切削加工については、図10に示すように、保持ステップ1001よりも前に実施されることとなる。 Note that the target registration step 1031 and the distance registration step 1032 are performed after the holding step 1001 of the first wafer 100 when the wafers 100 of the same type are continuously processed. Processing is performed before the holding step 1001 as shown in FIG.

ターゲットチェックステップ1033は、切削溝110から距離181を離れた位置にエア49を噴射して表面101に付着する切削水29を除去した後、エア49が噴射された位置を撮像し、撮像された画像にターゲット180が存在しない場合、切削する位置がずれていると検出するステップである。ターゲットチェックステップ1033は、カーフチェックステップ1003と同様に、切削ステップ1002により少なくとも1本の切削溝110が形成された後に実施する。 In the target check step 1033, after removing the cutting water 29 adhering to the surface 101 by injecting the air 49 to a position away from the cutting groove 110 by the distance 181, the position where the air 49 is injected is imaged. In this step, if the target 180 does not exist in the image, it is detected that the cutting position is misaligned. Like the kerf check step 1003, the target check step 1033 is performed after at least one cut groove 110 is formed by the cutting step 1002. FIG.

ターゲットチェックステップ1033で切削水29の除去及び撮像をする対象となるターゲットチェック領域は、具体的には、X軸方向に平行な分割予定ライン102に沿って切削溝110が形成された後、なおかつ、Y軸方向に平行な分割予定ライン102に沿って切削溝110が形成される前では、X軸方向に沿って形成された切削溝110から+Y方向に距離181を離れた位置、なおかつ、Y軸方向に沿った分割予定ライン102から+X方向に距離182を離れた位置を含む領域である。ターゲットチェック領域は、X軸方向及びY軸方向に平行な双方の分割予定ライン102に沿って切削溝110が形成された後では、X軸方向に沿って形成された切削溝110から+Y方向に距離181を離れた位置、なおかつ、Y軸方向に沿って形成された切削溝110から+X方向に距離182を離れた位置を含む領域である。なお、実施形態3では、距離181,182が撮像ユニット30の撮像領域120の各辺よりも十分に長いので、ターゲットチェック領域は、分割予定ライン102や切削溝110を跨がない。そこで、ターゲットチェックステップ1033では、まず、制御ユニット60が、距離登録ステップ1032で登録した距離181,182を参照して、Y軸移動ユニット52及びZ軸移動ユニット53により、撮像ユニット30及びエア噴射ユニット40を移動させることにより、撮像ユニット30の撮像領域120をターゲットチェック領域に移動させる。 Specifically, the target check area to be removed of the cutting water 29 and imaged in the target check step 1033 is formed after the cutting grooves 110 are formed along the planned division lines 102 parallel to the X-axis direction, and , and before the cutting grooves 110 are formed along the planned dividing line 102 parallel to the Y-axis direction, a position apart from the cutting grooves 110 formed along the X-axis direction by a distance 181 in the +Y direction, and This area includes a position separated by a distance 182 in the +X direction from the planned division line 102 along the axial direction. After the cutting grooves 110 are formed along both the planned division lines 102 parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction, the target check area extends from the cutting grooves 110 formed along the X-axis direction to the +Y direction. This area includes a position separated by a distance 181 and a position separated by a distance 182 in the +X direction from the cutting groove 110 formed along the Y-axis direction. In the third embodiment, the distances 181 and 182 are sufficiently longer than each side of the imaging area 120 of the imaging unit 30, so the target check area does not straddle the division line 102 or the cutting groove 110. FIG. Therefore, in the target check step 1033, first, the control unit 60 refers to the distances 181 and 182 registered in the distance registration step 1032, and moves the imaging unit 30 and the air injection unit 52 and the Z-axis movement unit 53. By moving the unit 40, the imaging area 120 of the imaging unit 30 is moved to the target check area.

ターゲットチェックステップ1033では、撮像ユニット30の撮像領域120をターゲットチェック領域に移動させた後、図4に示すように、乾燥ステップ1041と、撮像ステップ1042と、検査ステップ1043とを順次実施する。乾燥ステップ1041及び撮像ステップ1042は、それぞれ、実施形態1の乾燥ステップ1011及び撮像ステップ1012において、エア噴射ユニット40によりエア49を噴射して切削水29を除去する領域及び撮像ユニット30により撮像する領域を、いずれもターゲットチェック領域に変更したものである。検査ステップ1043では、制御ユニット60が、撮像ステップ1042で撮像したターゲットチェック領域の画像にターゲット180が存在するか否かを判定し、ターゲット180が存在すると判定した場合、切削する位置がずれていないと判定し、ターゲット180が存在しないと判定した場合、切削する位置がずれていると判定し、これにより、切削溝110の位置を確認する。検査ステップ1043では、制御ユニット60は、ターゲットチェック領域の画像にターゲット180が存在するか否かの判定を、ターゲットチェック領域の画像と、ターゲット登録ステップ1031で登録したターゲット180の平面形及び色とをパターンマッチングをすることにより実施する。 In target check step 1033, after moving imaging area 120 of imaging unit 30 to the target check area, drying step 1041, imaging step 1042, and inspection step 1043 are sequentially performed as shown in FIG. The drying step 1041 and the imaging step 1042 are respectively the area in which the cutting water 29 is removed by injecting the air 49 from the air injection unit 40 and the area to be imaged by the imaging unit 30 in the drying step 1011 and the imaging step 1012 of the first embodiment. are changed to the target check area. In the inspection step 1043, the control unit 60 determines whether or not the target 180 exists in the image of the target check area captured in the imaging step 1042. If it is determined that the target 180 exists, the cutting position is not deviated. If it is determined that the target 180 does not exist, it is determined that the cutting position is misaligned, and the position of the cut groove 110 is confirmed. In the inspection step 1043, the control unit 60 determines whether or not the target 180 exists in the image of the target check area based on the image of the target check area and the planar shape and color of the target 180 registered in the target registration step 1031. is performed by pattern matching.

実施形態3のステップ1004では、制御ユニット60は、ターゲットチェックステップ1033の判定結果に基づいて、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であるか否かを判定する。ステップ1004では、制御ユニット60は、ターゲットチェックステップ1033で切削する位置がずれていないと判定した場合には、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であると判定し(ステップ1004でYes)、処理を図4のステップ1005に進める。ステップ1004では、制御ユニット60は、ターゲットチェックステップ1033で切削する位置がずれていると判定した場合には、加工装置1による切削加工処理の継続が可能であると判定し(ステップ1004でNo)、加工装置1による切削加工処理を中止する。 In step 1004 of the third embodiment, the control unit 60 determines whether or not it is possible to continue the cutting processing by the processing device 1 based on the determination result of the target check step 1033 . In step 1004, when the control unit 60 determines that the cutting position is not deviated in the target check step 1033, it determines that the cutting processing by the processing apparatus 1 can be continued (Yes in step 1004). , the process proceeds to step 1005 in FIG. In step 1004, when the control unit 60 determines that the cutting position is shifted in the target check step 1033, it determines that the cutting processing by the processing apparatus 1 can be continued (No in step 1004). , the cutting process by the processing device 1 is stopped.

以上のような構成を有する実施形態3に係るウエーハの切削方法は、実施形態1において、さらに、各デバイス103に形成されたターゲット180及びターゲット180から分割予定ライン102までの距離181,182を登録し、カーフチェックの代わりに切削溝110から距離181を離れた位置にターゲット180が存在するか否かを確認するように変更したものである。このため、実施形態3に係るウエーハの切削方法は、エア49の噴射による切削水29の除去及び撮像を、ターゲット180を含むターゲットチェック領域で実施するので、切削溝110において切削水29の除去及び撮像をする必要が無く、また、ターゲット180が存在するか否かの確認に要する時間はカーフチェックに要する時間よりも短く済むので、乾燥に伴う切削屑の付着をさらに低減できるという作用効果を奏する。 In the wafer cutting method according to the third embodiment having the above configuration, the target 180 formed on each device 103 and the distances 181 and 182 from the target 180 to the dividing line 102 are further registered in the first embodiment. However, instead of the kerf check, it is confirmed whether or not the target 180 exists at a position separated from the cut groove 110 by a distance 181 . Therefore, in the wafer cutting method according to the third embodiment, the cutting water 29 is removed by jetting the air 49 and the image is captured in the target check area including the target 180 . There is no need to take an image, and the time required to confirm whether or not the target 180 exists is shorter than the time required for the kerf check. .

また、実施形態3に係るウエーハの切削方法は、ターゲット180の確認を行うため、反りのあるウエーハ100の反りが開放されてチップサイズのデバイス103が動く・加工予定位置の設定ミス等の原因で、加工予定ラインを切削したものの実際のウエーハ100上の分割予定ライン102の中心を加工できていない場合や、大幅に加工位置がずれデバイス領域107に切り込んでしまうというカーフチェックでは気付けない問題に気付くことができるという作用効果を奏する。 Further, in the wafer cutting method according to the third embodiment, since the target 180 is checked, the warp of the warped wafer 100 is released and the chip size device 103 moves. 2, when the line to be processed is cut but the center of the line to be divided 102 on the actual wafer 100 cannot be processed, or the processing position is greatly shifted and the device region 107 is cut into, which cannot be detected by the kerf check. There is an effect that it can be done.

また、実施形態3に係るウエーハの切削方法は、ウエーハ100に形成されるデバイス103が、チッピングが少なく、チッピングの検査を必要としないイメージセンサである場合、カーフチェックに要する時間を低減できることが特に有効である。 In addition, the wafer cutting method according to the third embodiment can reduce the time required for the kerf check especially when the device 103 formed on the wafer 100 is an image sensor that causes little chipping and does not require chipping inspection. It is valid.

なお、実施形態3に係るウエーハの切削方法は、実施形態2と同様に、このヘアラインずれ170を補正するためのヘアライン合わせをさらに実施してもよく、この場合、実施形態2と同様の作用効果をさらに奏するものとなる。 It should be noted that the wafer cutting method according to the third embodiment may further perform hairline alignment for correcting this hairline deviation 170, as in the second embodiment. will further play.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

1 加工装置
10 保持テーブル
15 第2の保持テーブル
20 加工ユニット
21 切削ブレード
29 切削水
30 撮像ユニット
49 エア
100 ウエーハ
101 表面
102 分割予定ライン
107 デバイス領域
108 外周余剰領域
110 切削溝
180 ターゲット
181,182 距離
210 ヘアライン
1 processing device 10 holding table 15 second holding table 20 processing unit 21 cutting blade 29 cutting water 30 imaging unit 49 air 100 wafer 101 surface 102 scheduled division line 107 device region 108 outer peripheral surplus region 110 cutting groove 180 target 181, 182 distance 210 Hairline

Claims (3)

加工装置により、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを備えるウエーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、
ウエーハを保持テーブルに保持する保持ステップと、
加工点に切削水を供給しながら、該保持テーブルに保持されたウエーハを該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削し、切削溝を形成する切削ステップと、
該外周余剰領域の近傍の該デバイス領域にエアを噴射して表面に付着する切削水を除去した後、該エアが噴射された該デバイス領域を撮像して少なくとも該切削溝の位置を確認するカーフチェックステップと、
を備えることを特徴とするウエーハの切削方法。
A wafer cutting method for cutting a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region along a dividing line dividing the plurality of devices by a processing apparatus, the method comprising: ,
a holding step for holding the wafer on a holding table;
a cutting step of cutting the wafer held on the holding table with a cutting blade along the dividing lines to form cutting grooves while supplying cutting water to the processing point;
A kerf for confirming at least the position of the cutting groove by injecting air into the device region near the outer peripheral surplus region to remove cutting water adhering to the surface, and then imaging the device region where the air is jetted. a checking step;
A wafer cutting method comprising:
該加工装置は、該保持テーブルと隣接して設置され、ダミーウエーハを保持する第2の保持テーブルを有し、
該ウエーハの切削方法は、
該ダミーウエーハに該切削ブレードで第2の切削溝を形成し、該切削ブレードの切削予定ラインであるヘアラインを有する撮像ユニットの該ヘアラインと、該第2の切削溝とのずれを測定し、該撮像ユニットと、該切削ブレードとの位置関係を補正するヘアライン合わせステップをさらに有し、
該ヘアライン合わせステップの実施中は、該保持テーブルに保持された該ウエーハに洗浄水を供給し、該ウエーハの表面を洗浄する洗浄ステップをさらに実施し、
該洗浄ステップの実施後に、該カーフチェックステップを実施することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの切削方法。
The processing apparatus has a second holding table installed adjacent to the holding table and holding a dummy wafer,
The method for cutting the wafer is
A second cutting groove is formed in the dummy wafer with the cutting blade, and a deviation between the second cutting groove and the hairline of an imaging unit having a hairline, which is a line to be cut by the cutting blade, is measured. further comprising a hairline alignment step of correcting the positional relationship between the imaging unit and the cutting blade;
during the hairline alignment step, further performing a cleaning step of supplying cleaning water to the wafer held on the holding table to clean the surface of the wafer;
2. The wafer cutting method according to claim 1, wherein said kerf check step is performed after said cleaning step is performed.
該ウエーハの切削方法は、
該デバイスの任意のパターンを、該分割予定ラインを検出するためのターゲットとして登録するターゲット登録ステップと、
該ターゲットから該分割予定ラインまでの距離を測定し登録する距離登録ステップと、
をさらに備え、
該カーフチェックステップは、
該切削溝から該距離を離れた位置にエアを噴射して表面に付着する切削水を除去した後、該エアが噴射された該位置を撮像し、撮像された画像に該ターゲットが存在しない場合、切削する位置がずれていると検出するターゲットチェックステップを有することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの切削方法。
The method for cutting the wafer is
a target registration step of registering an arbitrary pattern of the device as a target for detecting the line to be divided;
a distance registration step of measuring and registering the distance from the target to the planned division line;
further comprising
The kerf check step includes:
When air is jetted to a position distant from the cutting groove to remove cutting water adhering to the surface, the position where the air is jetted is photographed, and the target does not exist in the photographed image. 2. The method of cutting a wafer according to claim 1, further comprising a target check step of detecting deviation of the cutting position.
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