JP2022101869A - Amplifier circuit - Google Patents

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JP2022101869A JP2020216223A JP2020216223A JP2022101869A JP 2022101869 A JP2022101869 A JP 2022101869A JP 2020216223 A JP2020216223 A JP 2020216223A JP 2020216223 A JP2020216223 A JP 2020216223A JP 2022101869 A JP2022101869 A JP 2022101869A
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大介 渡邊
Daisuke Watanabe
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Abstract

To suppress deterioration of electrical characteristics.SOLUTION: An amplifier circuit 1 includes a first terminal 11 and a second terminal 12, an amplifier 30 provided on a first path 21 connecting the first terminal 11 and the second terminal 12, a switch 61 connected between the ground and a node 51 on a second path 22 that is branched from the first path 21, bypasses the amplifier 30, and is joined to the first path 21, a switch 62 connected between a node 52 which is closer to the second terminal 12 than the node 51 on the second path 22, and the ground, and a switch 71 or 72 arranged in series on the second path 22.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、増幅回路に関する。 The present invention relates to an amplifier circuit.

モバイル端末などの通信装置には、高周波信号を増幅する増幅回路が設けられている。増幅回路の一例として、特許文献1には、高周波信号を増幅する増幅器と、増幅器をバイパスするバイパス経路と、バイパス経路に設けられたスイッチ回路と、を備える増幅回路が開示されている。スイッチ回路は、バイパス経路上に直列に配置された直列接続スイッチと、バイパス経路とグランドとを接続する並列接続スイッチと、を含んでいる。 Communication devices such as mobile terminals are provided with an amplifier circuit that amplifies high-frequency signals. As an example of an amplifier circuit, Patent Document 1 discloses an amplifier circuit including an amplifier that amplifies a high-frequency signal, a bypass path that bypasses the amplifier, and a switch circuit provided in the bypass path. The switch circuit includes a series-connected switch arranged in series on the bypass path and a parallel-connected switch connecting the bypass path and ground.

国際公開第2019/098145号International Publication No. 2019/098145

増幅器の動作時には、バイパス経路上の直列接続スイッチが非導通状態になる。このとき、バイパス経路の一部であって、直列接続スイッチによって一端が開放された部分が、増幅器の電気特性を劣化させる場合がある。 When the amplifier is operating, the series connection switch on the bypass path becomes non-conducting. At this time, a portion of the bypass path whose one end is opened by the series connection switch may deteriorate the electrical characteristics of the amplifier.

そこで、本発明は、電気特性の劣化が抑制された増幅回路を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an amplifier circuit in which deterioration of electrical characteristics is suppressed.

本発明の一態様に係る増幅回路は、第1端子及び第2端子と、第1端子と第2端子とを結ぶ第1経路上に設けられた増幅器と、第1経路から分岐し、増幅器をバイパスして第1経路に合流する第2経路上の第1ノードとグランドとの間に接続された第1スイッチと、第2経路上の第1ノードより第2端子に近い第2ノードとグランドとの間に接続された第2スイッチと、第2経路上において、第1端子と第1ノードとの間に、又は、第2端子と第2ノードとの間に、直列に配置された第3スイッチと、を備える。 The amplifier circuit according to one aspect of the present invention has an amplifier provided on a first path connecting the first terminal and the second terminal, the first terminal and the second terminal, and an amplifier branched from the first path. The first switch connected between the first node on the second path and the ground that bypasses and joins the first path, and the second node and the ground that are closer to the second terminal than the first node on the second path. A second switch connected between the two and a second switch arranged in series between the first terminal and the first node or between the second terminal and the second node on the second path. It is equipped with 3 switches.

本発明に係る増幅回路によれば、電気特性の劣化を抑制することができる。 According to the amplifier circuit according to the present invention, deterioration of electrical characteristics can be suppressed.

図1は、実施の形態に係る増幅回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to an embodiment. 図2Aは、実施の形態に係る増幅回路の増幅モード時の回路図である。FIG. 2A is a circuit diagram of the amplifier circuit according to the embodiment in the amplification mode. 図2Bは、実施の形態に係る増幅回路のバイパスモード時の回路図である。FIG. 2B is a circuit diagram of the amplifier circuit according to the embodiment in the bypass mode. 図3は、比較例1に係る増幅回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to Comparative Example 1. 図4は、比較例2に係る増幅回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to Comparative Example 2.

以下では、本発明の実施の形態に係る増幅回路について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。 Hereinafter, the amplifier circuit according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, all of the embodiments described below show a specific example of the present invention. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, arrangement and connection forms of components, steps, order of steps, etc. shown in the following embodiments are examples, and are not intended to limit the present invention. Therefore, among the components in the following embodiments, the components not described in the independent claims are described as arbitrary components.

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。 Further, each figure is a schematic view and is not necessarily exactly illustrated. Therefore, for example, the scales and the like do not always match in each figure. Further, in each figure, substantially the same configuration is designated by the same reference numeral, and duplicate description will be omitted or simplified.

また、本明細書において、「接続される」とは、接続端子及び/又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「AとBとの間に接続される」とは、AとBとの間でA及びBの両方に接続されることを意味する。 Further, as used herein, the term "connected" includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via another circuit element. Further, "connected between A and B" means that both A and B are connected between A and B.

また、本明細書において、「第1」、「第2」などの序数詞は、特に断りの無い限り、構成要素の数又は順序を意味するものではなく、同種の構成要素の混同を避け、区別する目的で用いられている。 Further, in the present specification, ordinal numbers such as "first" and "second" do not mean the number or order of constituent elements unless otherwise specified, and avoid confusion of the same kind of constituent elements and distinguish them. It is used for the purpose of

(実施の形態)
[1.増幅回路の構成]
まず、実施の形態に係る増幅回路について、図1を用いて説明する。
(Embodiment)
[1. Amplifier circuit configuration]
First, the amplifier circuit according to the embodiment will be described with reference to FIG.

図1は、本実施の形態に係る増幅回路1の回路図である。図1に示される増幅回路1は、例えば、アンテナで受信された高周波受信信号(以下、単に高周波信号と記載する)を処理する受信回路に設けられる。高周波信号は、例えば、Wi-Fi(登録商標)、LTE(Long Term Evolution)又は5G(5th Generation)などの通信規格に準拠した信号である。例えば、高周波信号は、1GHz帯、2.4GHz帯又は5GHz帯の信号であるが、これらに限定されない。 FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit 1 according to the present embodiment. The amplifier circuit 1 shown in FIG. 1 is provided in, for example, a receiving circuit that processes a high-frequency receiving signal (hereinafter, simply referred to as a high-frequency signal) received by an antenna. The high frequency signal is a signal compliant with a communication standard such as Wi-Fi (registered trademark), LTE (Long Term Evolution) or 5G (5th Generation). For example, the high frequency signal is a signal in the 1 GHz band, 2.4 GHz band, or 5 GHz band, but is not limited thereto.

図1に示されるように、増幅回路1は、第1端子11及び第2端子12と、増幅器30と、複数のスイッチ61~63、71、72及び80と、を備える。また、増幅回路1は、第1経路21と、第2経路22と、を含む。 As shown in FIG. 1, the amplifier circuit 1 includes a first terminal 11 and a second terminal 12, an amplifier 30, and a plurality of switches 61 to 63, 71, 72 and 80. Further, the amplifier circuit 1 includes a first path 21 and a second path 22.

第1端子11は、増幅回路1の入力端子である。第1端子11には、高周波信号が入力される。 The first terminal 11 is an input terminal of the amplifier circuit 1. A high frequency signal is input to the first terminal 11.

第2端子12は、増幅回路1の出力端子である。第2端子12からは、第1端子11に入力された高周波信号が出力される。 The second terminal 12 is an output terminal of the amplifier circuit 1. The high frequency signal input to the first terminal 11 is output from the second terminal 12.

第1経路21は、第1端子11と第2端子12とを結ぶ経路である。 The first path 21 is a path connecting the first terminal 11 and the second terminal 12.

第2経路22は、第1経路21から分岐し、増幅器30をバイパスして第1経路21に合流する経路である。第2経路22の一端が分岐点41であり、第2経路22の他端が合流点42である。つまり、第2経路22は、分岐点41と合流点42とを結ぶ経路のうち、増幅器30を通過しない経路である。なお、分岐点41は、第1端子11と一致していてもよい。また、合流点42は、第2端子12と一致していてもよい。 The second path 22 is a path that branches from the first path 21, bypasses the amplifier 30, and joins the first path 21. One end of the second path 22 is a branch point 41, and the other end of the second path 22 is a confluence point 42. That is, the second path 22 is a path connecting the branch point 41 and the confluence point 42 that does not pass through the amplifier 30. The branch point 41 may coincide with the first terminal 11. Further, the confluence point 42 may coincide with the second terminal 12.

増幅器30は、第1経路21上に設けられている。増幅器30は、例えば、低雑音増幅器である。増幅器30の構成は、特に限定されない。例えば、増幅器30は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。 The amplifier 30 is provided on the first path 21. The amplifier 30 is, for example, a low noise amplifier. The configuration of the amplifier 30 is not particularly limited. For example, the amplifier 30 may have a single-stage configuration or a multi-stage configuration.

スイッチ61は、第2経路22上のノード51とグランドとの間に接続された第1スイッチの一例である。スイッチ62は、第2経路22上のノード52とグランドとの間に接続された第2スイッチの一例である。スイッチ63は、第2経路22上のノード53とグランドとの間に接続された第5スイッチの一例である。 The switch 61 is an example of a first switch connected between the node 51 on the second path 22 and the ground. The switch 62 is an example of a second switch connected between the node 52 on the second path 22 and the ground. The switch 63 is an example of a fifth switch connected between the node 53 on the second path 22 and the ground.

なお、ノード52は、ノード51より第2端子12(及び合流点42)に近いノードである。ノード53は、ノード52より第2端子12(及び合流点42)に近いノードである。つまり、ノード51~53及びこれらに接続されたスイッチ61~63はこの順で、分岐点41から合流点42までの間に並んでいる。 The node 52 is a node closer to the second terminal 12 (and the confluence point 42) than the node 51. The node 53 is a node closer to the second terminal 12 (and the confluence 42) than the node 52. That is, the nodes 51 to 53 and the switches 61 to 63 connected to them are arranged in this order between the branch point 41 and the confluence point 42.

スイッチ61~63はそれぞれ、導通状態(オン)及び非導通状態(オフ)が切り替え可能である。スイッチ61~63がそれぞれオンになった場合に、第2経路22上の対応するノード51~53がグランド電位(0V)に設定される。スイッチ61~63はそれぞれ、シャントスイッチとも呼称される。 The switches 61 to 63 can switch between a conductive state (on) and a non-conducting state (off), respectively. When the switches 61 to 63 are turned on, the corresponding nodes 51 to 53 on the second path 22 are set to the ground potential (0V). The switches 61 to 63 are also referred to as shunt switches, respectively.

スイッチ71は、第2経路22上に直列に配置された第3スイッチの一例である。具体的には、スイッチ71は、第1端子11(及び分岐点41)とノード51との間に配置されている。つまり、スイッチ71は、複数のスイッチ61~63のうち、最も分岐点41に近いスイッチ61よりも分岐点41に近い位置に設けられている。 The switch 71 is an example of a third switch arranged in series on the second path 22. Specifically, the switch 71 is arranged between the first terminal 11 (and the branch point 41) and the node 51. That is, the switch 71 is provided at a position closer to the branch point 41 than the switch 61 closest to the branch point 41 among the plurality of switches 61 to 63.

スイッチ72は、第2経路22上に直列に配置された第4スイッチの一例である。具体的には、スイッチ72は、第2端子12(及び合流点42)とノード52との間に配置されている。より具体的には、スイッチ72は、合流点42とノード53との間に配置されている。つまり、スイッチ72は、複数のスイッチ61~63のうち、最も合流点42に近いスイッチ63よりも合流点42に近い位置に設けられている。 The switch 72 is an example of a fourth switch arranged in series on the second path 22. Specifically, the switch 72 is arranged between the second terminal 12 (and the confluence 42) and the node 52. More specifically, the switch 72 is arranged between the confluence 42 and the node 53. That is, the switch 72 is provided at a position closer to the confluence 42 than the switch 63 closest to the confluence 42 among the plurality of switches 61 to 63.

スイッチ71及び72はそれぞれ、導通状態(オン)及び非導通状態(オフ)が切り替え可能である。スイッチ71及び72がオンになった場合に、第2経路22が導通状態、すなわち、分岐点41と合流点42とが第2経路22を介して電気的に接続される。スイッチ71及び72はそれぞれ、シリーズスイッチとも呼称される。 The switches 71 and 72 can switch between a conductive state (on) and a non-conducting state (off), respectively. When the switches 71 and 72 are turned on, the second path 22 is in a conductive state, that is, the branch point 41 and the confluence point 42 are electrically connected via the second path 22. The switches 71 and 72 are also referred to as series switches, respectively.

本実施の形態では、第2経路22は、スイッチ71及び72並びにノード51~53によって6つの部分に区分されている。このように、第2経路22の区分数が多くなることにより、各部分の配線長が短くなり、各部分の寄生インピーダンスを小さくすることができる。これにより、増幅器30の電気特性を向上させることができる。詳細については、後で説明する。 In this embodiment, the second path 22 is divided into six parts by switches 71 and 72 and nodes 51 to 53. As described above, by increasing the number of divisions of the second path 22, the wiring length of each portion can be shortened, and the parasitic impedance of each portion can be reduced. This makes it possible to improve the electrical characteristics of the amplifier 30. Details will be described later.

スイッチ80は、第1経路21上のノード43とグランドとの間に接続された第6スイッチの一例である。ノード43は、分岐点41と増幅器30との間に位置している。 The switch 80 is an example of a sixth switch connected between the node 43 on the first path 21 and the ground. The node 43 is located between the branch point 41 and the amplifier 30.

スイッチ80は、導通状態(オン)及び非導通状態(オフ)が切り替え可能である。スイッチ80がオンになった場合に、ノード43がグランド電位(0V)に設定される。つまり、増幅器30の入力端子がグランド電位に設定される。スイッチ80は、シャントスイッチとも呼称される。 The switch 80 can switch between a conductive state (on) and a non-conducting state (off). When the switch 80 is turned on, the node 43 is set to the ground potential (0V). That is, the input terminal of the amplifier 30 is set to the ground potential. The switch 80 is also referred to as a shunt switch.

第1経路21及び第2経路22はそれぞれ、金属などの導電性を有する部材を用いて形成された配線、ビア、電極及び/又は端子などで構成された信号ラインである。また、第1端子11及び12は、当該信号ラインの端部に位置する端子又は電極などである。 Each of the first path 21 and the second path 22 is a signal line composed of wiring, vias, electrodes and / or terminals formed by using a conductive member such as metal. Further, the first terminals 11 and 12 are terminals or electrodes located at the end of the signal line.

増幅器30は、例えば、Si系、又は、GaAsを材料として用いて形成された電界効果トランジスタ(FET)、又は、ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)を含むバイポーラトランジスタなどで構成されている。スイッチ61~63、71、72及び80はそれぞれ、FET又はバイポーラトランジスタなどのスイッチング素子で実現される。 The amplifier 30 is composed of, for example, a Si system, a field effect transistor (FET) formed by using GaAs as a material, or a bipolar transistor including a heterobipolar transistor (HBT). The switches 61 to 63, 71, 72 and 80 are each realized by a switching element such as a FET or a bipolar transistor.

[2.増幅回路の動作]
続いて、増幅回路1の動作について説明する。増幅回路1は、増幅モードと、バイパスモードとの2つの動作モードを有する。
[2. Operation of amplifier circuit]
Subsequently, the operation of the amplifier circuit 1 will be described. The amplifier circuit 1 has two operation modes, an amplifier mode and a bypass mode.

増幅モードは、増幅器30が動作するモードである。増幅器30の動作時とは、増幅回路1が増幅モードで動作する期間を意味する。具体的には、増幅器30は、第1端子11に入力された高周波信号を増幅して第2端子12から出力する。この増幅モードでは、高周波信号は、第1経路21を伝搬される。 The amplification mode is a mode in which the amplifier 30 operates. The operating time of the amplifier 30 means a period during which the amplifier circuit 1 operates in the amplifier mode. Specifically, the amplifier 30 amplifies the high frequency signal input to the first terminal 11 and outputs it from the second terminal 12. In this amplification mode, the high frequency signal is propagated through the first path 21.

図2Aは、本実施の形態に係る増幅回路1の増幅モード時の回路図である。図2Aでは、高周波信号の流れを白抜きの矢印で表している。後述する図2Bにおいても同様である。 FIG. 2A is a circuit diagram of the amplifier circuit 1 according to the present embodiment in the amplification mode. In FIG. 2A, the flow of high frequency signals is represented by white arrows. The same applies to FIG. 2B, which will be described later.

図2Aに示されるように、増幅モードでは、スイッチ71、72及び80が非導通状態になる。スイッチ71及び72が非導通状態になることで、第2経路22が遮断される。スイッチ80が非導通状態になることで、第1端子11に入力された高周波信号を増幅器30に入力させることができる。 As shown in FIG. 2A, in amplification mode, switches 71, 72 and 80 are in a non-conducting state. When the switches 71 and 72 are in a non-conducting state, the second path 22 is cut off. When the switch 80 is in the non-conducting state, the high frequency signal input to the first terminal 11 can be input to the amplifier 30.

また、増幅モードでは、スイッチ61~63がいずれも導通状態になる。これにより、ノード51~53がいずれもグランド電位に設定される。つまり、第2経路22上の互いに異なる3ヶ所がグランド電位に設定される。 Further, in the amplification mode, all the switches 61 to 63 are in a conductive state. As a result, all the nodes 51 to 53 are set to the ground potential. That is, three different points on the second path 22 are set to the ground potential.

バイパスモードは、増幅器30を動作させないモードである。増幅器30の非動作時とは、増幅回路1がバイパスモードで動作する期間を意味する。バイパスモードでは、増幅器30の機能がオフされている。第1端子11に入力された高周波信号は、第2経路22を伝搬されて第2端子12から出力される。 The bypass mode is a mode in which the amplifier 30 is not operated. The non-operating state of the amplifier 30 means a period during which the amplifier circuit 1 operates in the bypass mode. In the bypass mode, the function of the amplifier 30 is turned off. The high frequency signal input to the first terminal 11 is propagated through the second path 22 and output from the second terminal 12.

図2Bは、本実施の形態に係る増幅回路1のバイパスモード時の回路図である。図2Bに示されるように、バイパスモードでは、スイッチ71、72及び80が導通状態になる。スイッチ71及び72が導通状態になることで、分岐点41と合流点42とが第2経路22を介して実質的に同電位で接続される。また、スイッチ80が導通状態になることで、高周波信号が増幅器30に入力されるのを抑制することができる。 FIG. 2B is a circuit diagram of the amplifier circuit 1 according to the present embodiment in the bypass mode. As shown in FIG. 2B, in bypass mode, switches 71, 72 and 80 are in a conductive state. When the switches 71 and 72 are in a conductive state, the branch point 41 and the confluence point 42 are connected to each other via the second path 22 at substantially the same potential. Further, when the switch 80 becomes conductive, it is possible to suppress the input of the high frequency signal to the amplifier 30.

また、バイパスモードでは、スイッチ61~63がいずれも非導通状態になる。これにより、分岐点41から合流点42までの第2経路22を高周波信号が伝搬されるのを妨げないようにすることができる。 Further, in the bypass mode, all the switches 61 to 63 are in a non-conducting state. As a result, it is possible to prevent the high frequency signal from being propagated through the second path 22 from the branch point 41 to the confluence point 42.

本実施の形態では、増幅回路1、又は、増幅回路1を備える通信装置は、増幅回路1の動作を制御する制御回路(図示せず)を備える。例えば、制御回路は、増幅モードとバイパスモードとを、入力される高周波信号の信号電力の大きさに基づいて切り替える。制御回路は、高周波信号の信号電力が閾値より大きい場合、増幅回路1をバイパスモードで動作させ、高周波信号の信号電力が閾値より小さい場合、増幅回路1を増幅モードで動作させる。制御回路は、増幅器30のオンオフ、並びに、スイッチ61~63、71、72及び80の各々のオンオフを制御する。なお、増幅回路1の動作モードの切り替え条件は、一例に過ぎず、特に限定されない。 In the present embodiment, the amplifier circuit 1 or the communication device including the amplifier circuit 1 includes a control circuit (not shown) that controls the operation of the amplifier circuit 1. For example, the control circuit switches between amplification mode and bypass mode based on the magnitude of the signal power of the input high frequency signal. The control circuit operates the amplifier circuit 1 in the bypass mode when the signal power of the high frequency signal is larger than the threshold value, and operates the amplifier circuit 1 in the amplification mode when the signal power of the high frequency signal is smaller than the threshold value. The control circuit controls the on / off of the amplifier 30 and the on / off of each of the switches 61 to 63, 71, 72 and 80. The conditions for switching the operation mode of the amplifier circuit 1 are merely examples, and are not particularly limited.

[3.配線経路の影響]
続いて、増幅回路1の第1経路21及び第2経路22が増幅器30の電気特性に及ぼす影響について説明する。
[3. Effect of wiring route]
Subsequently, the influence of the first path 21 and the second path 22 of the amplifier circuit 1 on the electrical characteristics of the amplifier 30 will be described.

第1経路21は、増幅器30の入力側の部分と出力側の部分とが接近しすぎないように所定距離離して設けられる。これにより、増幅器30の入出力間のアイソレーションを高めることができる。仮に、増幅器30によって増幅された高周波信号が電磁界結合によって増幅器30の入力に回り込んだ場合、増幅器30が発振する恐れがある。増幅器30の入出力間のアイソレーションを高めることにより、増幅器30の発振を抑制することができる。 The first path 21 is provided at a predetermined distance so that the input side portion and the output side portion of the amplifier 30 do not come too close to each other. This makes it possible to increase the isolation between the input and output of the amplifier 30. If the high frequency signal amplified by the amplifier 30 wraps around to the input of the amplifier 30 due to electromagnetic field coupling, the amplifier 30 may oscillate. By increasing the isolation between the input and output of the amplifier 30, the oscillation of the amplifier 30 can be suppressed.

この場合、第1経路21の入力側に位置する分岐点41と、出力側に位置する合流点42とが、所定距離離れて設けられる。このため、第2経路22は、一定以上の配線長を有する配線で構成される。第2経路22の配線長が長くなった場合、スイッチの配置位置に応じて、第2経路22の配線の寄生インピーダンス成分が増幅器30の電気特性に影響を及ぼしうる。以下では、この影響について、図3及び図4を用いて具体的に説明する。 In this case, the branch point 41 located on the input side of the first path 21 and the confluence point 42 located on the output side are provided at a predetermined distance from each other. Therefore, the second path 22 is composed of wiring having a wiring length of a certain value or more. When the wiring length of the second path 22 becomes long, the parasitic impedance component of the wiring of the second path 22 may affect the electrical characteristics of the amplifier 30 depending on the position of the switch. Hereinafter, this effect will be specifically described with reference to FIGS. 3 and 4.

図3は、比較例1に係る増幅回路1xの回路図である。比較例1に係る増幅回路1xでは、第2経路22上にT型のスイッチ回路が配置されている。具体的には、スイッチ71及び72が第2経路22上に直列に配置され、スイッチ61がノード51とグランドとに接続されている。つまり、増幅回路1xは、図1に示される増幅回路1から2つのスイッチ62及び63を除いた構成を有する。 FIG. 3 is a circuit diagram of the amplifier circuit 1x according to Comparative Example 1. In the amplifier circuit 1x according to Comparative Example 1, a T-shaped switch circuit is arranged on the second path 22. Specifically, switches 71 and 72 are arranged in series on the second path 22, and the switch 61 is connected to the node 51 and the ground. That is, the amplifier circuit 1x has a configuration in which the two switches 62 and 63 are removed from the amplifier circuit 1 shown in FIG.

増幅回路1xでは、スイッチ61、71及び72がノード51に接続されており、ノード51とスイッチ61、71及び72の各々との間の配線長は十分に短い。その一方で、分岐点41とスイッチ71との間には、所定の配線長の配線23が存在し、スイッチ72と合流点42との間には、所定の配線長の配線24が存在する。 In the amplifier circuit 1x, the switches 61, 71 and 72 are connected to the node 51, and the wiring length between the node 51 and each of the switches 61, 71 and 72 is sufficiently short. On the other hand, a wiring 23 having a predetermined wiring length exists between the branch point 41 and the switch 71, and a wiring 24 having a predetermined wiring length exists between the switch 72 and the confluence point 42.

増幅回路1xが増幅モードで動作する場合、スイッチ71は非導通状態になり、スイッチ61は導通状態になる。この場合、配線23は、オープンスタブとして機能する。具体的には、第1端子11から見たときの増幅器30の入力インピーダンスが配線23によって変化するので、インピーダンス整合が取れなくなり、損失が大きくなる。 When the amplifier circuit 1x operates in the amplification mode, the switch 71 is in the non-conducting state, and the switch 61 is in the conducting state. In this case, the wiring 23 functions as an open stub. Specifically, since the input impedance of the amplifier 30 when viewed from the first terminal 11 changes depending on the wiring 23, impedance matching cannot be achieved and the loss becomes large.

このように、分岐点41とスイッチ71とを結ぶ配線23の配線長が長い場合、増幅器30の増幅特性が劣化する。なお、図3では、分岐点41側の配線23について説明したが、合流点42側の配線24についても同様である。配線24によって、増幅器30の出力インピーダンスが変化し、インピーダンス整合が取れなくなり、損失が大きくなる。 As described above, when the wiring length of the wiring 23 connecting the branch point 41 and the switch 71 is long, the amplification characteristic of the amplifier 30 deteriorates. Although the wiring 23 on the branch point 41 side has been described in FIG. 3, the same applies to the wiring 24 on the confluence point 42 side. The wiring 24 changes the output impedance of the amplifier 30, impedance matching cannot be achieved, and the loss becomes large.

図4は、比較例2に係る増幅回路1yの回路図である。比較例2に係る増幅回路1yでは、比較例1に係る増幅回路1xと比較して、分岐点41とスイッチ71との間の配線長が十分に短いのに対して、スイッチ71とノード51との間に配線長が長い配線23が存在する。 FIG. 4 is a circuit diagram of the amplifier circuit 1y according to Comparative Example 2. In the amplifier circuit 1y according to Comparative Example 2, the wiring length between the branch point 41 and the switch 71 is sufficiently shorter than that of the amplifier circuit 1x according to Comparative Example 1, whereas the switch 71 and the node 51 There is a wiring 23 having a long wiring length between the two.

増幅回路1yが増幅モードで動作する場合、スイッチ71は非導通状態になり、スイッチ61は導通状態になる。この場合、配線23は、ショートスタブ又はモノポールアンテナとして機能する。配線23がショートスタブとして機能した場合、配線23のインダクタ成分とスイッチ71のキャパシタ成分とによるLC共振が発生する。共振回路が形成されることによって、増幅器30の入力インピーダンスが変化するので、インピーダンス整合が取れなくなり、損失が大きくなる。 When the amplifier circuit 1y operates in the amplification mode, the switch 71 is in the non-conducting state, and the switch 61 is in the conducting state. In this case, the wiring 23 functions as a short stub or a monopole antenna. When the wiring 23 functions as a short stub, LC resonance occurs between the inductor component of the wiring 23 and the capacitor component of the switch 71. Since the input impedance of the amplifier 30 changes due to the formation of the resonance circuit, impedance matching cannot be achieved and the loss becomes large.

また、配線23がモノポールアンテナとして機能した場合、配線23が外部から信号を受信し、受信した信号がノイズとなって増幅器30の増幅特性を劣化させる。また、配線23を介して増幅器30の出力側及び入力側との電磁界結合を発生させる恐れがあり、増幅器30の入出力のアイソレーションが劣化する。 Further, when the wiring 23 functions as a monopole antenna, the wiring 23 receives a signal from the outside, and the received signal becomes noise and deteriorates the amplification characteristic of the amplifier 30. In addition, electromagnetic field coupling with the output side and the input side of the amplifier 30 may occur via the wiring 23, and the isolation of the input and output of the amplifier 30 deteriorates.

このように、分岐点41とスイッチ71とを結ぶ配線を短くしたとしても、スイッチ71とノード51との間の配線23の配線長が長くなるので、増幅器30の増幅特性が劣化する。なお、図4では、分岐点41側の配線23について説明したが、合流点42側の配線24についても同様である。配線24によって、増幅器30の出力インピーダンスが変化し、インピーダンス整合が取れなくなり、損失が大きくなる。 In this way, even if the wiring connecting the branch point 41 and the switch 71 is shortened, the wiring length of the wiring 23 between the switch 71 and the node 51 becomes long, so that the amplification characteristic of the amplifier 30 deteriorates. Although the wiring 23 on the branch point 41 side has been described in FIG. 4, the same applies to the wiring 24 on the confluence point 42 side. The wiring 24 changes the output impedance of the amplifier 30, impedance matching cannot be achieved, and the loss becomes large.

これに対して、本実施の形態に係る増幅回路1では、第2経路22が複数のノードによって複数の部分に区分されている。具体的には、図1に示したように、第2経路22は、2つのスイッチ71及び72と3つのノード51~53とによって6つの部分に区分されている。本実施の形態では、第2経路22の大部分がノード51とノード53との間に位置する配線23及び24で構成されるように、ノード51~53並びにスイッチ71及び72が配置されている。 On the other hand, in the amplifier circuit 1 according to the present embodiment, the second path 22 is divided into a plurality of portions by a plurality of nodes. Specifically, as shown in FIG. 1, the second path 22 is divided into six parts by two switches 71 and 72 and three nodes 51 to 53. In this embodiment, the nodes 51 to 53 and the switches 71 and 72 are arranged so that most of the second path 22 is composed of the wirings 23 and 24 located between the node 51 and the node 53. ..

具体的には、スイッチ71は、分岐点41及びノード51の各々との間の配線長が十分に短くなるように配置されている。例えば、スイッチ71と分岐点41との間の配線長、及び、スイッチ71とノード51との間の配線長はいずれも、配線23及び24の各々の配線長より短い。例えば、スイッチ71の一端は、分岐点41に直に接続されており、実質的に配線長が0とみなすことができてもよい。同様に、スイッチ71の他端は、ノード51に直に接続されており、実質的に配線長が0とみなすことができてもよい。 Specifically, the switch 71 is arranged so that the wiring length between each of the branch point 41 and the node 51 is sufficiently short. For example, the wiring length between the switch 71 and the branch point 41 and the wiring length between the switch 71 and the node 51 are both shorter than the wiring lengths of the wirings 23 and 24, respectively. For example, one end of the switch 71 may be directly connected to the branch point 41, and the wiring length may be considered to be substantially zero. Similarly, the other end of the switch 71 is directly connected to the node 51, and the wiring length may be considered to be substantially zero.

スイッチ72は、ノード53及び合流点42の各々との間の配線長が十分に短くなるように配置されている。例えば、スイッチ72と合流点42との間の配線長、及び、スイッチ72とノード53との間の配線長はいずれも、配線23及び24の各々の配線長より短い。例えば、スイッチ72の一端は、合流点42に直に接続されており、実質的に配線長が0とみなすことができてもよい。同様に、スイッチ72の他端は、ノード53に直に接続されており、実質的に配線長が0とみなすことができてもよい。 The switch 72 is arranged so that the wiring length between each of the node 53 and the confluence 42 is sufficiently short. For example, the wiring length between the switch 72 and the confluence 42 and the wiring length between the switch 72 and the node 53 are both shorter than the wiring lengths of the wirings 23 and 24, respectively. For example, one end of the switch 72 may be directly connected to the confluence 42, and the wiring length may be considered to be substantially zero. Similarly, the other end of the switch 72 is directly connected to the node 53, and the wiring length may be considered to be substantially zero.

このように、スイッチ71及びノード51(スイッチ61)を分岐点41の近くに配置し、かつ、スイッチ72及びノード53(スイッチ63)を合流点42の近くに配置する。分岐点41とスイッチ71との間の配線長が短くなることで、当該配線部分が、図3に示したようなオープンスタブとして振る舞うことが抑制される。よって、増幅器30の入力インピーダンスの変化が抑制され、インピーダンス整合が取りやすくなり、信号電力の損失が抑制される。同様に、スイッチ72と合流点42との間の配線長が短くなることで、当該配線部分がオープンスタブとして振る舞うことが抑制される。よって、増幅器30の出力インピーダンスの変化が抑制され、インピーダンス整合が取りやすくなり、信号電力の損失が抑制される。 In this way, the switch 71 and the node 51 (switch 61) are arranged near the branch point 41, and the switch 72 and the node 53 (switch 63) are arranged near the confluence point 42. By shortening the wiring length between the branch point 41 and the switch 71, it is possible to prevent the wiring portion from behaving as an open stub as shown in FIG. Therefore, the change in the input impedance of the amplifier 30 is suppressed, impedance matching is facilitated, and the loss of signal power is suppressed. Similarly, by shortening the wiring length between the switch 72 and the confluence 42, it is possible to prevent the wiring portion from behaving as an open stub. Therefore, the change in the output impedance of the amplifier 30 is suppressed, impedance matching is facilitated, and the loss of signal power is suppressed.

また、スイッチ71及び72をそれぞれ分岐点41又は合流点42の近くに配置することにより、第2経路22の大部分は、配線23及び24で構成される。配線23と配線24とは、ノード52によって区分されている。 Further, by arranging the switches 71 and 72 near the branch point 41 or the confluence point 42, respectively, most of the second path 22 is composed of the wirings 23 and 24. The wiring 23 and the wiring 24 are separated by the node 52.

増幅モードでは、配線23及び24の各々の端部であるノード51~53がそれぞれ、グランド電位(0V)に設定される。つまり、配線23の両端及び配線24の両端がいずれもグランド電位に設定される。これにより、配線23及び24が、図4に示したショートスタブ又はモノポールアンテナとして振る舞うことを抑制することができる。よって、信号電力の損失及びノイズの発生を抑制し、かつ、増幅器30の入出力間のアイソレーションを向上させることができる。 In the amplification mode, the nodes 51 to 53, which are the ends of the wirings 23 and 24, are set to the ground potential (0V), respectively. That is, both ends of the wiring 23 and both ends of the wiring 24 are set to the ground potential. As a result, it is possible to prevent the wirings 23 and 24 from behaving as the short stub or monopole antenna shown in FIG. Therefore, it is possible to suppress the loss of signal power and the generation of noise, and improve the isolation between the input and output of the amplifier 30.

なお、ノード52は、例えば、ノード51とノード53とを結ぶ配線経路の中点に位置する。これにより、配線23の配線長と配線24の配線長とを等しくすることができる。本実施の形態では、配線23及び24の各々の配線長は、λ/4未満である。 The node 52 is located, for example, at the midpoint of the wiring path connecting the node 51 and the node 53. As a result, the wiring length of the wiring 23 and the wiring length of the wiring 24 can be made equal. In this embodiment, the wiring lengths of the wirings 23 and 24 are less than λ / 4.

λは、増幅器30の動作保証の最大周波数に対応する波長である。増幅器30の動作保証の最大周波数は、予め定められた設計値である。例えば、増幅器30の動作保証の最大周波数は仕様書などに記載された値である。λは、最大周波数をfとし、光の速度をcとした場合、λ=c/fで表される。 λ is a wavelength corresponding to the maximum frequency of the operation guarantee of the amplifier 30. The maximum frequency for guaranteeing the operation of the amplifier 30 is a predetermined design value. For example, the maximum frequency for guaranteeing the operation of the amplifier 30 is a value described in a specification or the like. λ is represented by λ = c / f, where f is the maximum frequency and c is the speed of light.

特に、配線23又は24の配線長がλ/4以上である場合、配線23又は24のインピーダンス成分が大きくなり、増幅器30の電気特性を劣化させやすくなる。具体的には、配線23又は24が、図4に示したショートスタブ又はモノポールアンテナとして振る舞い、信号電力の損失及びノイズの発生、並びに、増幅器30の入出力間のアイソレーションの低下を引き起こしやすくなる。これに対して、本実施の形態では、配線23及び24のいずれの配線長もλ/4未満であるので、信号電力の損失及びノイズの発生を抑制し、かつ、増幅器30の入出力間のアイソレーションを向上させることができる。 In particular, when the wiring length of the wiring 23 or 24 is λ / 4 or more, the impedance component of the wiring 23 or 24 becomes large, and the electrical characteristics of the amplifier 30 are likely to be deteriorated. Specifically, the wiring 23 or 24 behaves as a short stub or a monopole antenna shown in FIG. 4, and tends to cause a loss of signal power and noise, and a decrease in isolation between the input and output of the amplifier 30. Become. On the other hand, in the present embodiment, since the wiring lengths of the wirings 23 and 24 are less than λ / 4, the loss of signal power and the generation of noise are suppressed, and the wiring between the input and output of the amplifier 30 is suppressed. Isolation can be improved.

なお、第2経路22の配線長が長く、配線23の配線長と配線24の配線長との合計がλ/2以上になる場合、配線23及び24の少なくとも一方の配線長をλ/4未満にすることができなくなる。この場合、増幅回路1は、第2経路22とグランドとの間に接続された新たなスイッチ(シャントスイッチ)を備えてもよい。つまり、増幅回路1が備えるシャントスイッチの個数、及び、シャントスイッチが接続されるノードの個数は、4以上であってもよい。4以上のノードが等間隔で配置されることにより、隣り合うノード間の配線の長さをλ/4未満にすることができる。なお、ノードの間隔は、等間隔でなくてもよい。 When the wiring length of the second path 22 is long and the total of the wiring length of the wiring 23 and the wiring length of the wiring 24 is λ / 2 or more, the wiring length of at least one of the wirings 23 and 24 is less than λ / 4. Can no longer be. In this case, the amplifier circuit 1 may include a new switch (shunt switch) connected between the second path 22 and the ground. That is, the number of shunt switches included in the amplifier circuit 1 and the number of nodes to which the shunt switches are connected may be 4 or more. By arranging four or more nodes at equal intervals, the length of wiring between adjacent nodes can be made less than λ / 4. The intervals between the nodes do not have to be equal.

逆に、第2経路22の配線長が短い場合、増幅回路1は、スイッチ63を備えなくてもよい。つまり、増幅回路1が備えるシャントスイッチの個数、及び、シャントスイッチが接続されるノードの個数は2であってもよい。ノード53及びスイッチ63を設けずに、配線24の配線長を実質的に0とみなすことができる。 On the contrary, when the wiring length of the second path 22 is short, the amplifier circuit 1 may not include the switch 63. That is, the number of shunt switches included in the amplifier circuit 1 and the number of nodes to which the shunt switches are connected may be 2. The wiring length of the wiring 24 can be regarded as substantially 0 without providing the node 53 and the switch 63.

なお、スイッチ61とノード51との間の配線長、及び、スイッチ61とグランドとの間の配線長も同様に、配線23及び24の各々の配線長より短くてもよい。これにより、不要なインピーダンス成分が増幅器30の電気特性を劣化させるのを抑制することができる。スイッチ62とノード52及びグランドの各々との間の配線長、及び、スイッチ63とノード53及びグランドの各々との間の配線長も同様であってもよい。 Similarly, the wiring length between the switch 61 and the node 51 and the wiring length between the switch 61 and the ground may be shorter than the wiring lengths of the wirings 23 and 24, respectively. As a result, it is possible to prevent an unnecessary impedance component from deteriorating the electrical characteristics of the amplifier 30. The wiring length between the switch 62 and each of the node 52 and the ground, and the wiring length between the switch 63 and each of the node 53 and the ground may be the same.

[4.効果など]
以上のように、本実施の形態に係る増幅回路1は、第1端子11及び第2端子12と、第1端子11と第2端子12とを結ぶ第1経路21上に設けられた増幅器30と、第1経路21から分岐し、増幅器30をバイパスして第1経路21に合流する第2経路22上のノード51とグランドとの間に接続されたスイッチ61と、第2経路22上のノード51より第2端子12に近いノード52とグランドとの間に接続されたスイッチ62と、第2経路22上に直列に配置されたスイッチ71と、を備える。また、例えば、増幅回路1は、第2経路22上のノード52より第2端子12に近いノード53とグランドとの間に接続されたスイッチ63を備える。
[4. Effect etc.]
As described above, the amplifier circuit 1 according to the present embodiment is the amplifier 30 provided on the first path 21 connecting the first terminal 11 and the second terminal 12 and the first terminal 11 and the second terminal 12. And the switch 61 connected between the node 51 on the second path 22 that branches from the first path 21 and joins the first path 21 by bypassing the amplifier 30, and the switch 61 on the second path 22. A switch 62 connected between the node 52 closer to the second terminal 12 than the node 51 and the ground, and a switch 71 arranged in series on the second path 22 are provided. Further, for example, the amplifier circuit 1 includes a switch 63 connected between the node 53 and the ground, which are closer to the second terminal 12 than the node 52 on the second path 22.

このように、第2経路22の複数の地点(具体的には、ノード51及び52)をグランド電位に設定可能であるので、第2経路22に配線長が長い部分が生じることを抑制することができる。よって、第2経路22の一部がオープンスタブ、ショートスタブ又はモノポールアンテナとして機能するのを抑制することができる。これにより、ノイズの発生及びアイソレーションの劣化を抑制することができるので、増幅回路1の電気特性の劣化を抑制することができる。 In this way, since the plurality of points (specifically, the nodes 51 and 52) of the second path 22 can be set to the ground potential, it is possible to suppress the occurrence of a portion having a long wiring length in the second path 22. Can be done. Therefore, it is possible to suppress a part of the second path 22 from functioning as an open stub, a short stub, or a monopole antenna. As a result, it is possible to suppress the generation of noise and the deterioration of isolation, so that the deterioration of the electrical characteristics of the amplifier circuit 1 can be suppressed.

また、例えば、スイッチ71は、第1端子11とノード51との間に配置されている。また、例えば、増幅回路1は、第2経路22上に直列に配置されたスイッチ72を備える。スイッチ72は、第2端子12とノード52との間に配置されている。 Further, for example, the switch 71 is arranged between the first terminal 11 and the node 51. Further, for example, the amplifier circuit 1 includes a switch 72 arranged in series on the second path 22. The switch 72 is arranged between the second terminal 12 and the node 52.

これにより、第2経路22の区分数を増やすことができるので、第2経路22に配線長が長い部分が生じることをより抑制することができる。よって、ノイズの発生及びアイソレーションの劣化をより強く抑制することができる。 As a result, the number of divisions of the second path 22 can be increased, so that it is possible to further suppress the occurrence of a portion having a long wiring length in the second path 22. Therefore, it is possible to more strongly suppress the generation of noise and the deterioration of isolation.

また、例えば、ノード51とノード52との間の配線23の配線長は、増幅器30の動作保証の最大周波数に対応する波長をλとした場合に、λ/4未満である。また、例えば、ノード52とノード53との間の配線24の配線長は、λ/4未満である。 Further, for example, the wiring length of the wiring 23 between the node 51 and the node 52 is less than λ / 4 when the wavelength corresponding to the maximum frequency of the operation guarantee of the amplifier 30 is λ. Further, for example, the wiring length of the wiring 24 between the node 52 and the node 53 is less than λ / 4.

これにより、配線23及び24の各々の配線長を短くすることができるので、ノイズの発生及びアイソレーションの劣化をより強く抑制することができる。 As a result, the wiring lengths of the wirings 23 and 24 can be shortened, so that the generation of noise and the deterioration of isolation can be suppressed more strongly.

また、例えば、スイッチ61及び62は、増幅器30の動作時に導通状態になり、増幅器30の非動作時に非導通状態になる。また、例えば、スイッチ63は、増幅器30の動作時に導通状態になり、増幅器30の非動作時に非導通状態になる。 Further, for example, the switches 61 and 62 are in a conductive state when the amplifier 30 is operating, and are in a non-conducting state when the amplifier 30 is not operating. Further, for example, the switch 63 is in a conductive state when the amplifier 30 is operating, and is in a non-conducting state when the amplifier 30 is not operating.

これにより、増幅モード時に第2経路22の複数の地点をグランド電位に設定するので、第2経路22の一部がオープンスタブ、ショートスタブ又はモノポールアンテナとして機能するのを抑制することができる。これにより、ノイズの発生及びアイソレーションの劣化を抑制することができる。 As a result, since a plurality of points of the second path 22 are set to the ground potential in the amplification mode, it is possible to suppress a part of the second path 22 from functioning as an open stub, a short stub, or a monopole antenna. This makes it possible to suppress the generation of noise and the deterioration of isolation.

また、例えば、スイッチ71は、増幅器30の動作時に非導通状態になり、増幅器30の非動作時に導通状態になる。また、例えば、スイッチ72は、増幅器30の動作時に非導通状態になり、増幅器30の非動作時に導通状態になる。 Further, for example, the switch 71 goes into a non-conducting state when the amplifier 30 operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier 30 does not operate. Further, for example, the switch 72 goes into a non-conducting state when the amplifier 30 operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier 30 does not operate.

これにより、増幅モードとバイパスモードとの切り替えを行うことができる。 This makes it possible to switch between the amplification mode and the bypass mode.

また、例えば、増幅回路1は、第1経路21上のノード43とグランドとの間に接続されたスイッチ80を備える。ノード43は、第1経路21と第2経路22との分岐点41と、増幅器30との間に位置している。また、例えば、スイッチ80は、増幅器30の動作時に非導通状態になり、増幅器30の非動作時に導通状態になる。 Further, for example, the amplifier circuit 1 includes a switch 80 connected between the node 43 on the first path 21 and the ground. The node 43 is located between the branch point 41 between the first path 21 and the second path 22 and the amplifier 30. Further, for example, the switch 80 goes into a non-conducting state when the amplifier 30 operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier 30 does not operate.

これにより、バイパスモード時に高周波信号が増幅器30に入力されるのを抑制することができる。 As a result, it is possible to suppress the input of the high frequency signal to the amplifier 30 in the bypass mode.

また、例えば、増幅器30は、高周波受信信号を増幅する低雑音増幅器である。 Further, for example, the amplifier 30 is a low noise amplifier that amplifies a high frequency received signal.

これにより、高周波受信信号のノイズを十分に抑制することができるので、増幅回路1を受信回路などに有効に利用することができる。 As a result, the noise of the high frequency reception signal can be sufficiently suppressed, so that the amplifier circuit 1 can be effectively used for the reception circuit and the like.

(その他)
以上、本発明に係る増幅回路について、上記の実施の形態などに基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
(others)
Although the amplifier circuit according to the present invention has been described above based on the above-described embodiment and the like, the present invention is not limited to the above-described embodiment.

例えば、増幅回路1は、スイッチ80を備えなくてもよい。また、増幅回路1は、スイッチ71及び72の一方を備えなくてもよい。また、増幅回路1は、スイッチ61~63のうちのいずれか1つを備えなくてもよい。 For example, the amplifier circuit 1 does not have to include the switch 80. Further, the amplifier circuit 1 does not have to include one of the switches 71 and 72. Further, the amplifier circuit 1 does not have to include any one of the switches 61 to 63.

また、例えば、増幅回路1は、アンテナから送信される高周波送信信号を処理する送信回路に設けられてもよい。増幅器30は、高周波送信信号を増幅する電力増幅器であってもよい。 Further, for example, the amplifier circuit 1 may be provided in a transmission circuit that processes a high-frequency transmission signal transmitted from the antenna. The amplifier 30 may be a power amplifier that amplifies a high frequency transmission signal.

また、例えば、本発明は、増幅回路1を備える受信回路、送信回路若しくは送受信回路、又は、当該受信回路、当該送信回路若しくは当該送受信回路を備えるフロントエンドモジュール又は通信装置などとして実現されてもよい。 Further, for example, the present invention may be realized as a receiving circuit, a transmitting circuit or a transmitting / receiving circuit including an amplifier circuit 1, or a front-end module or a communication device including the receiving circuit, the transmitting circuit or the transmitting / receiving circuit. ..

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。 In addition, it can be realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment within the range obtained by applying various modifications to each embodiment and the purpose of the present invention. Forms are also included in the present invention.

本発明は、電気特性の劣化が抑制された増幅回路として利用でき、例えば、携帯電話などの通信端末などに利用することができる。 The present invention can be used as an amplifier circuit in which deterioration of electrical characteristics is suppressed, and can be used, for example, in a communication terminal such as a mobile phone.

1 増幅回路
11 第1端子
12 第2端子
21 第1経路
22 第2経路
23、24 配線
30 増幅器
41 分岐点
42 合流点
43、51、52、53 ノード
61、62、63、71、72、80 スイッチ
1 Amplifier circuit 11 1st terminal 12 2nd terminal 21 1st path 22 2nd path 23, 24 Wiring 30 Amplifier 41 Branch point 42 Confluence point 43, 51, 52, 53 Node 61, 62, 63, 71, 72, 80 switch

Claims (13)

第1端子及び第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子とを結ぶ第1経路上に設けられた増幅器と、
前記第1経路から分岐し、前記増幅器をバイパスして前記第1経路に合流する第2経路上の第1ノードとグランドとの間に接続された第1スイッチと、
前記第2経路上の前記第1ノードより前記第2端子に近い第2ノードとグランドとの間に接続された第2スイッチと、
前記第2経路上において、前記第1端子と前記第1ノードとの間に、又は、前記第2端子と前記第2ノードとの間に、直列に配置された第3スイッチと、を備える、
増幅回路。
1st terminal and 2nd terminal,
An amplifier provided on the first path connecting the first terminal and the second terminal,
A first switch connected between the first node on the second path, which branches from the first path, bypasses the amplifier, and joins the first path, and ground.
A second switch connected between the second node and the ground, which are closer to the second terminal than the first node on the second path,
A third switch arranged in series between the first terminal and the first node or between the second terminal and the second node on the second path is provided.
Amplifier circuit.
前記第3スイッチは、前記第1端子と前記第1ノードとの間に配置されている、
請求項1に記載の増幅回路。
The third switch is arranged between the first terminal and the first node.
The amplifier circuit according to claim 1.
前記第1ノードと前記第2ノードとの間の前記第2経路の配線長は、前記増幅器の動作保証の最大周波数に対応する波長をλとした場合に、λ/4未満である、
請求項1又は2に記載の増幅回路。
The wiring length of the second path between the first node and the second node is less than λ / 4 when the wavelength corresponding to the maximum frequency of the operation guarantee of the amplifier is λ.
The amplifier circuit according to claim 1 or 2.
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチは、前記増幅器の動作時に導通状態になり、前記増幅器の非動作時に非導通状態になる、
請求項1~3のいずれか1項に記載の増幅回路。
The first switch and the second switch are in a conductive state when the amplifier is operating, and are in a non-conducting state when the amplifier is not operating.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 3.
前記第3スイッチは、前記増幅器の動作時に非導通状態になり、前記増幅器の非動作時に導通状態になる、
請求項1~4のいずれか1項に記載の増幅回路。
The third switch goes into a non-conducting state when the amplifier operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier does not operate.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 4.
さらに、前記第2経路上に直列に配置された第4スイッチを備え、
前記第4スイッチは、前記第2端子と前記第2ノードとの間に配置されている、
請求項1~4のいずれか1項に記載の増幅回路。
Further, a fourth switch arranged in series on the second path is provided.
The fourth switch is arranged between the second terminal and the second node.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 4.
前記第4スイッチは、前記増幅器の動作時に非導通状態になり、前記増幅器の非動作時に導通状態になる、
請求項6に記載の増幅回路。
The fourth switch goes into a non-conducting state when the amplifier operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier does not operate.
The amplifier circuit according to claim 6.
さらに、前記第2経路上の前記第2ノードより前記第2端子に近い第3ノードとグランドとの間に接続された第5スイッチを備える、
請求項1~7のいずれか1項に記載の増幅回路。
Further, a fifth switch connected between the third node and the ground, which are closer to the second terminal than the second node on the second path, is provided.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 7.
前記第2ノードと前記第3ノードとの間の前記第2経路の配線長は、前記増幅器の動作保証の最大周波数に対応する波長をλとした場合に、λ/4未満である、
請求項8に記載の増幅回路。
The wiring length of the second path between the second node and the third node is less than λ / 4 when the wavelength corresponding to the maximum frequency of the operation guarantee of the amplifier is λ.
The amplifier circuit according to claim 8.
前記第5スイッチは、前記増幅器の動作時に導通状態になり、前記増幅器の非動作時に非導通状態になる、
請求項8又は9に記載の増幅回路。
The fifth switch is in a conductive state when the amplifier is operating, and is in a non-conducting state when the amplifier is not operating.
The amplifier circuit according to claim 8 or 9.
さらに、前記第1経路上の第4ノードとグランドとの間に接続された第6スイッチを備え、
前記第4ノードは、前記第1経路と前記第2経路との分岐点と、前記増幅器との間に位置している、
請求項1~10のいずれか1項に記載の増幅回路。
Further, a sixth switch connected between the fourth node on the first path and the ground is provided.
The fourth node is located between the branch point between the first path and the second path and the amplifier.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 10.
前記第6スイッチは、前記増幅器の動作時に非導通状態になり、前記増幅器の非動作時に導通状態になる、
請求項11に記載の増幅回路。
The sixth switch goes into a non-conducting state when the amplifier operates, and goes into a non-conducting state when the amplifier does not operate.
The amplifier circuit according to claim 11.
前記増幅器は、高周波受信信号を増幅する低雑音増幅器である、
請求項1~12のいずれか1項に記載の増幅回路。
The amplifier is a low noise amplifier that amplifies a high frequency received signal.
The amplifier circuit according to any one of claims 1 to 12.
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