JP2022085857A - 酸化珪素膜用研磨液組成物 - Google Patents
酸化珪素膜用研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022085857A JP2022085857A JP2021173999A JP2021173999A JP2022085857A JP 2022085857 A JP2022085857 A JP 2022085857A JP 2021173999 A JP2021173999 A JP 2021173999A JP 2021173999 A JP2021173999 A JP 2021173999A JP 2022085857 A JP2022085857 A JP 2022085857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- component
- silicon oxide
- oxide film
- liquid composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】一態様において、酸化珪素膜研磨における研磨選択性を向上可能な酸化珪素膜用研磨液組成物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
【解決手段】本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
Description
本開示は、酸化セリウム粒子を含有する酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び基板の研磨方法に関する。
ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）技術とは、加工しようとする被研磨基板の表面と研磨パッドとを接触させた状態で研磨液をこれらの接触部位に供給しつつ被研磨基板及び研磨パッドを相対的に移動させることにより、被研磨基板の表面凹凸部分を化学的に反応させると共に機械的に除去して平坦化させる技術である。
現在では、半導体素子の製造工程における、層間絶縁膜の平坦化、シャロートレンチ素子分離構造（以下「素子分離構造」ともいう）の形成、プラグ及び埋め込み金属配線の形成等を行う際には、このＣＭＰ技術が必須の技術である。近年、半導体素子の多層化、高精細化が飛躍的に進み、より平坦性が良好でありながら、高速で研磨できることが望まれる。例えば、シャロートレンチ素子分離構造の形成工程では、高研磨速度と共に、被研磨膜（例えば、酸化珪素膜）に対する研磨ストッパ膜（例えば、窒化珪素膜）の研磨選択性（換言すると、研磨ストッパ膜の方が被研磨膜よりも研磨されにくいという研磨の選択性）の向上が望まれている。
特許文献１には、シャロートレンチアイソレーションにて使用する半導体装置研磨用研磨材組成物であって、水、酸化セリウム微粉末、並びに、－ＣＯＯＨ基、－ＣＯＯＭＸ基、－ＳＯ3Ｈ基及び－ＳＯ3ＭＹ基の少なくとも１つを有する水溶性有機化合物を１種又は２種以上含有する研磨用研磨材組成物が開示される。
特許文献２には、フェノール骨格を有するモノマーの水溶性共縮合物を磁気ディスク基板の研磨に用いることが開示される。同文献の実施例１１には、４－ヒドロキシ安息香酸の比率が２０％のものが開示される。
特許文献２には、フェノール骨格を有するモノマーの水溶性共縮合物を磁気ディスク基板の研磨に用いることが開示される。同文献の実施例１１には、４－ヒドロキシ安息香酸の比率が２０％のものが開示される。
近年の半導体分野においては高集積化が進んでおり、配線の複雑化や微細化が求められている。そのため、ＣＭＰ研磨では、研磨速度を確保しつつ研磨選択性を向上させることが要求されている。
また、研磨後の基板表面の平坦性の悪化も問題になっている。研磨がストッパ膜（窒化珪素膜）まで達した後、ストッパ膜の研磨の抑制が不十分で、ディッシングが発生することが原因の１つと考えられる。
また、研磨後の基板表面の平坦性の悪化も問題になっている。研磨がストッパ膜（窒化珪素膜）まで達した後、ストッパ膜の研磨の抑制が不十分で、ディッシングが発生することが原因の１つと考えられる。
そこで、本開示は、酸化珪素膜研磨における研磨選択性を向上可能な酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び研磨方法を提供する。
本開示は、また、その他の態様において、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、かつ、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できる酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び研磨方法を提供する。
本開示は、また、その他の態様において、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、かつ、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できる酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び研磨方法を提供する。
本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、
成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、
成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が、３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ2を示し、Ｍ1及びＭ2は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4
+）又は水素原子を示す。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ3を示し、Ｘは、－ＳＯ3Ｍ4又は－ＰＯ3Ｍ5Ｍ6を示し、Ｍ3、Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。
成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、
成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が、３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ3を示し、Ｘは、－ＳＯ3Ｍ4又は－ＰＯ3Ｍ5Ｍ6を示し、Ｍ3、Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法に関する。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法に関する。
本開示によれば、一態様において、酸化珪素膜研磨における研磨選択性を向上可能な酸化珪素膜用研磨液組成物を提供できる。
本開示によれば、一態様において、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、かつ、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できる酸化珪素膜用研磨液組成物を提供できる。
本開示によれば、一態様において、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、かつ、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できる酸化珪素膜用研磨液組成物を提供できる。
本発明者らが鋭意検討した結果、酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子を砥粒として用いる研磨液組成物に、特定のアニオン性縮合物を含有させることで、酸化珪素膜研磨における研磨選択性を向上できるという知見に基づく。
また、本開示は、セリア砥粒を含有する研磨液組成物に、当該アニオン性縮合物を含有させることで、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できるという知見に基づく。
また、本開示は、セリア砥粒を含有する研磨液組成物に、当該アニオン性縮合物を含有させることで、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できるという知見に基づく。
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
研磨選択性を向上させるためには、研磨対象物に対する研磨速度を大きく損なうことなく、研磨ストッパ膜の研磨速度を抑制することが必要となる。成分Ｂは、縮合物自体の剛直な構造で保護膜を効率よく形成することができる。また、成分Ｂは、カルボン酸基、及び、水溶性を担保するためにスルホン酸基若しくはホスホン酸基を有し、かつ、カルボン酸基が所定量を超えて存在することにより、研磨液組成物中で酸化珪素膜よりも窒化珪素膜に選択的に強く結合できる。つまり、成分Ｂは、窒化珪素膜に選択的に結合して効率よく強固な保護膜を形成でき、これにより、窒化珪素膜の研磨速度を低減し、研磨選択性を向上するとともに、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できると考えられる。成分Ｃは成分Ｂと相互作用することで、成分Ｂが窒化珪素膜に形成する保護膜の強度を向上し、研磨選択性をさらに向上するとともに、ディッシングをさらに抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
研磨選択性を向上させるためには、研磨対象物に対する研磨速度を大きく損なうことなく、研磨ストッパ膜の研磨速度を抑制することが必要となる。成分Ｂは、縮合物自体の剛直な構造で保護膜を効率よく形成することができる。また、成分Ｂは、カルボン酸基、及び、水溶性を担保するためにスルホン酸基若しくはホスホン酸基を有し、かつ、カルボン酸基が所定量を超えて存在することにより、研磨液組成物中で酸化珪素膜よりも窒化珪素膜に選択的に強く結合できる。つまり、成分Ｂは、窒化珪素膜に選択的に結合して効率よく強固な保護膜を形成でき、これにより、窒化珪素膜の研磨速度を低減し、研磨選択性を向上するとともに、ディッシングを抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できると考えられる。成分Ｃは成分Ｂと相互作用することで、成分Ｂが窒化珪素膜に形成する保護膜の強度を向上し、研磨選択性をさらに向上するとともに、ディッシングをさらに抑制して研磨後の基板表面の平坦性を向上できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示は、一又は複数の実施形態において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ｂが、式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
本開示において「研磨選択性」は、研磨ストッパ膜（例えば、窒化珪素膜）の研磨速度に対する被研磨膜（例えば、酸化珪素膜）の研磨速度の比（被研磨膜の研磨速度／研磨ストッパ膜の研磨速度）と同義であり、「研磨選択性」が高いと、前記研磨速度比が大きいことを意味する。
［酸化セリウム粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨砥粒として酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子（以下、単に「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａとしては、正帯電セリア又は負帯電セリアを用いることができる。成分Ａの帯電性は、例えば、電気音響法（ＥＳＡ法：Electorokinetic Sonic Amplitude）により求められる砥粒粒子表面における電位（表面電位）を測定することにより確認できる。表面電位は、例えば、「ゼータプローブ」（協和界面化学社製）を用いて測定でき、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。成分Ａは、１種類でもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨砥粒として酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子（以下、単に「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａとしては、正帯電セリア又は負帯電セリアを用いることができる。成分Ａの帯電性は、例えば、電気音響法（ＥＳＡ法：Electorokinetic Sonic Amplitude）により求められる砥粒粒子表面における電位（表面電位）を測定することにより確認できる。表面電位は、例えば、「ゼータプローブ」（協和界面化学社製）を用いて測定でき、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。成分Ａは、１種類でもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
成分Ａの製造方法、形状、及び表面状態については特に限定されなくてもよい。成分Ａとしては、例えば、コロイダルセリア、不定形セリア、セリアコートシリカ等が挙げられる。
コロイダルセリアは、例えば、特表２０１０－５０５７３５号公報の実施例１～４に記載の方法で、ビルドアッププロセスにより得ることができる。
不定形セリアとしては、例えば、粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアの一実施形態としては、例えば、炭酸セリウムや硝酸セリウムなどのセリウム化合物を焼成、粉砕して得られる焼成粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアのその他の実施形態としては、例えば、無機酸や有機酸の存在下でセリア粒子を湿式粉砕することにより得られる単結晶粉砕セリアが挙げられる。湿式粉砕時に使用される無機酸としては、例えば硝酸が挙げられ、有機酸としては、例えば、カルボキシル基を有する有機酸が挙げられ、具体的には、ポリアクリル酸アンモニウム等のポリカルボン酸塩、ピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ－ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。例えば、湿式粉砕時にピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ-ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種を使用した場合、正帯電セリアを得ることができ、湿式粉砕時にポリアクリル酸アンモニウム等のポリカルボン酸塩を使用した場合、負帯電セリアを得ることができる。湿式粉砕方法としては、例えば、遊星ビーズミル等による湿式粉砕が挙げられる。
セリアコートシリカとしては、例えば、特開２０１５－６３４５１号公報の実施例１～１４もしくは特開２０１３－１１９１３１号公報の実施例１～４に記載の方法で、シリカ粒子表面の少なくとも一部が粒状セリアで被覆された構造を有する複合粒子が挙げられ、該複合粒子は、例えば、シリカ粒子にセリアを沈着させることで得ることができる。
コロイダルセリアは、例えば、特表２０１０－５０５７３５号公報の実施例１～４に記載の方法で、ビルドアッププロセスにより得ることができる。
不定形セリアとしては、例えば、粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアの一実施形態としては、例えば、炭酸セリウムや硝酸セリウムなどのセリウム化合物を焼成、粉砕して得られる焼成粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアのその他の実施形態としては、例えば、無機酸や有機酸の存在下でセリア粒子を湿式粉砕することにより得られる単結晶粉砕セリアが挙げられる。湿式粉砕時に使用される無機酸としては、例えば硝酸が挙げられ、有機酸としては、例えば、カルボキシル基を有する有機酸が挙げられ、具体的には、ポリアクリル酸アンモニウム等のポリカルボン酸塩、ピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ－ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。例えば、湿式粉砕時にピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ-ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種を使用した場合、正帯電セリアを得ることができ、湿式粉砕時にポリアクリル酸アンモニウム等のポリカルボン酸塩を使用した場合、負帯電セリアを得ることができる。湿式粉砕方法としては、例えば、遊星ビーズミル等による湿式粉砕が挙げられる。
セリアコートシリカとしては、例えば、特開２０１５－６３４５１号公報の実施例１～１４もしくは特開２０１３－１１９１３１号公報の実施例１～４に記載の方法で、シリカ粒子表面の少なくとも一部が粒状セリアで被覆された構造を有する複合粒子が挙げられ、該複合粒子は、例えば、シリカ粒子にセリアを沈着させることで得ることができる。
成分Ａの形状としては、例えば、略球状、多面体状、ラズベリー状が挙げられる。
成分Ａの平均一次粒子径は、研磨速度及び平坦性向上の観点から、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、３０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、研磨傷発生の抑制の観点から、３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１５０ｎｍ以下が更に好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましく、８０ｎｍ以下が更に好ましく、６０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において成分Ａの平均一次粒子径は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出されるＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。ＢＥＴ比表面積は、実施例に記載の方法により測定できる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度及び平坦性向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましく、０．１質量％以上が更により好ましく、０．１５質量％以上が更により好ましく、そして、研磨傷発生抑制の観点から、６質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．７質量％以下が更により好ましい。より具体的には、成分Ａの含有量は、０．００１質量％以上６質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上６質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上３質量％以下が更に好ましく、０．１質量％以上１質量％以下が更により好ましく、０．１５質量％以上０．７質量％以下が更により好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計の含有量をいう。
［水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物は、水溶性アニオン性縮合物（以下、単に「成分Ｂ」ともいう）を含有する。成分Ｂは、１種であってもよいし、２種以上の組合せであってもよい。本開示において、「水溶性」とは、本開示の研磨液組成物中に溶解することをいい、水（２０℃）に対して好ましくは０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、さらに好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
本開示の研磨液組成物は、水溶性アニオン性縮合物（以下、単に「成分Ｂ」ともいう）を含有する。成分Ｂは、１種であってもよいし、２種以上の組合せであってもよい。本開示において、「水溶性」とは、本開示の研磨液組成物中に溶解することをいい、水（２０℃）に対して好ましくは０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、さらに好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、窒化珪素膜の研磨速度を抑制でき、研磨選択性及びを向上できると考えられる。さらに一又は複数の実施形態において、成分Ｂは、過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度及びディッシング速度を抑制でき、研磨後の基板表面の平坦性を向上できると考えられる。なお、ディッシングとは、凹部が過剰に研磨されることにより生じる皿状の窪みをいう。
成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物である。成分Ｂは、芳香環を主鎖に含むアニオン性縮合物ということもできる。
（構成モノマーｂ１）
構成モノマーｂ１は、式（Ｉ）で表されるモノマーである。
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ2を示す。Ｒ1及びＲ2は、一又は複数の実施形態において、重合反応性の観点から、少なくとも一方が－ＯＭ2であることが好ましく、－ＯＨであることがより好ましい。Ｒ1及びＲ2は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。
Ｍ1及びＭ2は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ1は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
Ｍ2は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
構成モノマーｂ１は、式（Ｉ）で表されるモノマーである。
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ2を示す。Ｒ1及びＲ2は、一又は複数の実施形態において、重合反応性の観点から、少なくとも一方が－ＯＭ2であることが好ましく、－ＯＨであることがより好ましい。Ｒ1及びＲ2は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。
Ｍ1及びＭ2は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ1は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
Ｍ2は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
構成モノマーｂ１としては、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、ヒドロキシ安息香酸（ＨＢＡ）、ジヒドロキシ安息香酸(ＤＨＢＡ)が好ましく、４－ヒドロキシ安息香酸（４－ＨＢＡ）、２－ヒドロキシ安息香酸（２－ＨＢＡ）、２，４－ジヒドロキシ安息香酸（２，４－ＨＢＡ）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸（２，６－ＨＢＡ）がより好ましく、４－ヒドロキシ安息香酸（４－ＨＢＡ）が更に好ましい。
（構成モノマーｂ２）
構成モノマーｂ２は、式（ＩＩ）で表されるモノマーである。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ3を示す。Ｒ3及びＲ4は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が－ＯＭ3であることが好ましく、－ＯＨであることがより好ましい。Ｒ3及びＲ4は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。
Ｘは、－ＳＯ3Ｍ4又は－ＰＯ3Ｍ5Ｍ6を示す。Ｘは、一又は複数の実施形態において、溶解安定性の観点から、－ＳＯ3Ｍ4が好ましい。
Ｍ3、Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ3は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
構成モノマーｂ２は、式（ＩＩ）で表されるモノマーである。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ3を示す。Ｒ3及びＲ4は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が－ＯＭ3であることが好ましく、－ＯＨであることがより好ましい。Ｒ3及びＲ4は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。
Ｘは、－ＳＯ3Ｍ4又は－ＰＯ3Ｍ5Ｍ6を示す。Ｘは、一又は複数の実施形態において、溶解安定性の観点から、－ＳＯ3Ｍ4が好ましい。
Ｍ3、Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ3は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
構成モノマーｂ２としては、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上の観点から、フェノールスルホン酸（ＰｈＳ）、ヒドロキシフェニルホスホン酸が好ましく、ｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）、（４－ヒドロキシフェニル）ホスホン酸がより好ましく、ｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）が更に好ましい。
成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）は、研磨選択性向上の観点から、３０％を超え、３５％以上が好ましく、４０％以上がより好ましく、４０％超えが更に好ましく、４２％以上が更により好ましく、４３％以上が更により好ましく、４４％以上が更により好ましく、４５％以上が更により好ましく、４６％以上が更により好ましく、４８％以上が更により好ましい。
成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、下記式（ＩＩＩ）で表される構造を含むアニオン性縮合物であることが好ましい。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ5及びＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ8を示す。Ｒ5及びＲ6は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、水素原子、又は、炭素数１以上４以下の炭化水素基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
Ｍ7及びＭ8は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ7は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
Ｘは、－ＳＯ3Ｍ9又は－ＰＯ3Ｍ10Ｍ11を示す。Ｘは、一又は複数の実施形態において、溶解安定性の観点から、－ＳＯ3Ｍ9が好ましい。
Ｍ9、Ｍ10及びＭ11は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ7及びＭ8は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
Ｍ7は、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、アルカリ金属イオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）及び水素原子から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
Ｘは、－ＳＯ3Ｍ9又は－ＰＯ3Ｍ10Ｍ11を示す。Ｘは、一又は複数の実施形態において、溶解安定性の観点から、－ＳＯ3Ｍ9が好ましい。
Ｍ9、Ｍ10及びＭ11は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。有機カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、有機アンモニウムが挙げられ、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等のアルキルアンモニウムが挙げられる。
式（ＩＩＩ）中、ｍ、ｎは、ｍ＋ｎ＝１とした場合のモル分率であり、ｍは、一又は複数の実施形態において、研磨選択性向上の観点から、０．３を超え、０．３５以上が好ましく、０．４以上がより好ましく、０．４超えが更に好ましく、０．４２以上が更により好ましく、０．４３以上が更により好ましく、０．４４以上が更により好ましく、０．４５以上が更により好ましく、０．４６以上が更により好ましく、０．４８以上が更により好ましい。ｍは、一又は複数の実施形態において、０．８以下、０．７５以下、０．７以下、又は、０．６５以下である。
成分Ｂは、例えば、構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２を有するモノマーを、ホルムアルデヒド存在下で付加縮合法等の公知の手段により重合することにより製造することができる。耐加水分解性の向上及び酸性研磨液中での保存安定性の向上の観点から、付加縮合法により製造されることが好ましい。
本開示において、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本開示において、成分Ｂが２種以上の構成単位を含む場合、２つの構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２つの構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。
成分Ｂは、構成モノマーｂ１由来の構成単位及び構成モノマーｂ２由来の構成単位、あるいは、式（ＩＩＩ）で表される構成に含まれないその他の構成単位を有していてもよい。
成分Ｂを構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、５００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、３，０００以上が更に好ましく、５，０００以上が更に好ましく、８，０００以上が更に好ましく、１０，０００以上が更に好ましく、１５，０００以上が更に好ましく、２０，０００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１，０００，０００以下が好ましく、７５０,０００以下がより好ましく、５００,０００以下が更に好ましく、２５０,０００以下が更に好ましく、１００，０００以下が更に好ましく、７５，０００以下が更に好ましく、５０，０００以下が更に好ましく、３０，０００以下が更に好ましく，２５，０００以下が更に好ましい。さらに、同様の観点から、成分Ｂの重量平均分子量は、５００以上１，０００，０００以下が好ましく、１,０００以上７５０,０００以下がより好ましく、１，５００以上５００，０００以下又は１，５００以上１００，０００以下が更に好ましく、３，０００以上２５０，０００以下が更に好ましく、５，０００以上１００，０００以下が更に好ましく，８，０００以上７５，０００以下が更に好ましく、１０，０００以上５０，０００以下が更に好ましく、１５，０００以上３０，０００以下が更に好ましく、２０，０００以上２５，０００以下が更に好ましい。本開示において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定される値とする。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００３質量％以上がより好ましく、０．００６質量％以上が更に好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０１５質量％以上が更に好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨選択性向上の観点から、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が更に好ましく、０．３質量％以下が更に好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。さらに、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．００３質量％以上１５質量％以下がより好ましく、０．００６質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．００６質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０１５質量％以上０．３質量％以下が更に好ましく、０．０２質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量に対する成分Ｂの含有量の質量比Ｂ／Ａは、研磨選択性向上の観点から、０．０１以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０３以上が更に好ましく、０．０４以上が更に好ましく、０．０５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以下が好ましく、０．３以下がより好ましく、０．１５以下が更に好ましく、０．１以下が更に好ましく、０．０７以下が更に好ましい。さらに、同様の観点から、質量比Ｂ／Ａは、０．０１以上０．５以下が好ましく、０．０２以上０．３以下がより好ましく、０．０３以上０．１５以下が好ましく、０．０４以上０．１以下が更に好ましく、０．０５以上０．０７以下が更に好ましい。
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、水が好ましく、イオン交換水及び超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、水が好ましく、イオン交換水及び超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
［式（ＩＶ）で表される基を有する化合物（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保及び研磨選択性のさらなる向上の観点から、下記式（ＩＶ）で表される基を有するリン含有化合物（以下、単に「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することができる。本開示の研磨液組成物が成分Ｃをさらに含む場合、成分Ｂは成分Ｃと結合することで、研磨ストッパ膜上に形成される保護膜の強度及び厚みを改善し、研磨ストッパ膜の研磨速度をより抑制できると考えられる。成分Ｃは、１種であってもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ｃは、水溶性であることが好ましく、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することが好ましい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保及び研磨選択性のさらなる向上の観点から、下記式（ＩＶ）で表される基を有するリン含有化合物（以下、単に「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することができる。本開示の研磨液組成物が成分Ｃをさらに含む場合、成分Ｂは成分Ｃと結合することで、研磨ストッパ膜上に形成される保護膜の強度及び厚みを改善し、研磨ストッパ膜の研磨速度をより抑制できると考えられる。成分Ｃは、１種であってもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ｃは、水溶性であることが好ましく、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することが好ましい。
前記式（ＩＶ）中、Ｒ12及びＲ13は同一又は異なって、ヒドロキシル基又はその塩を示し、Ｒ14は、Ｈ、－ＮＨ2、－ＮＨＣＨ3、－Ｎ（ＣＨ3）2、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、グアニジノ基又はアルキルグアニジノ基を示し、Ｙは、結合手又は炭素数１以上１２以下のアルキレン基を示し、ｑは０又は１を示す。
式（ＩＶ）において、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ、水系媒体への溶解性向上、安定性向上の観点から、ヒドロキシル基が好ましい。
Ｒ14は、酸化珪素膜の研磨速度低下抑制の観点から、Ｈ、－ＮＨ2、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、グアニジノ基又はアルキルグアニジノ基が好ましく、アルキル基、フェニル基又はアルキルグアニジノ基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。アルキル基としては、研磨選択性向上、平坦性向上の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、炭素数２以上６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基（ブチル基）が更に好ましい。アルキルグアニジノ基としては、酸化珪素膜の研磨速度低下抑制、水系媒体への溶解性向上の観点から、炭素数２以上１２以下のアルキルグアニジノ基が好ましく、炭素数２以上４以下のアルキルグアニジノ基が更に好ましく、メチルグアニジノ基が更に好ましく、１－メチルグアニジノ基が更に好ましい。
Ｙは、水系媒体への溶解性向上の観点から、結合手又は炭素数１以上１２以下のアルキレン基が好ましく、結合手又は炭素数１以上１０以下のアルキレン基がより好ましく、結合手又は炭素数１以上８以下のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数１以上６以下のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数１以上４以下のアルキレン基が好ましく、結合手又は炭素数２又は３のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数２のアルキレン基（エチレン基）が更に好ましく、結合手が更に好ましい。
ｑは、安定性向上の観点から、０が好ましい。
Ｒ14は、酸化珪素膜の研磨速度低下抑制の観点から、Ｈ、－ＮＨ2、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、グアニジノ基又はアルキルグアニジノ基が好ましく、アルキル基、フェニル基又はアルキルグアニジノ基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。アルキル基としては、研磨選択性向上、平坦性向上の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、炭素数２以上６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基（ブチル基）が更に好ましい。アルキルグアニジノ基としては、酸化珪素膜の研磨速度低下抑制、水系媒体への溶解性向上の観点から、炭素数２以上１２以下のアルキルグアニジノ基が好ましく、炭素数２以上４以下のアルキルグアニジノ基が更に好ましく、メチルグアニジノ基が更に好ましく、１－メチルグアニジノ基が更に好ましい。
Ｙは、水系媒体への溶解性向上の観点から、結合手又は炭素数１以上１２以下のアルキレン基が好ましく、結合手又は炭素数１以上１０以下のアルキレン基がより好ましく、結合手又は炭素数１以上８以下のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数１以上６以下のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数１以上４以下のアルキレン基が好ましく、結合手又は炭素数２又は３のアルキレン基が更に好ましく、結合手又は炭素数２のアルキレン基（エチレン基）が更に好ましく、結合手が更に好ましい。
ｑは、安定性向上の観点から、０が好ましい。
成分Ｃとしては、例えば、フェニルホスホン酸又はその塩、クレアチノールホスファート又はその塩、Ｏ－ホスホリルエタノールアミン又はその塩、ホスホコリンクロリド又はその塩、メチルホスホン酸、ブチルホスホン酸等のアルキルホスホン酸又はその塩の塩、メチルアシッドホスフェート、ブチルアシッドホスフェート等のアルキルリン酸エステル及びその塩等が挙げられる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨選択性向上及び平坦性向上の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２５質量％以上が更に好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上の観点から、０．５質量％以下が好ましく、０．３質量％以下がより好ましく、０．１５質量％以下が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．００５質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．０２５質量％以上０．３質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以上０．１５質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計の含有量をいう。
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、ｐＨ調整剤、成分Ｂ以外の高分子、界面活性剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、防腐剤、塩基性物質等のその他の成分をさらに含有することができる。
本開示の研磨液組成物は、ｐＨ調整剤、成分Ｂ以外の高分子、界面活性剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、防腐剤、塩基性物質等のその他の成分をさらに含有することができる。
［研磨液組成物］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体、並びに、所望により上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体を配合してなるものとすることができる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体、並びに必要に応じて上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体、並びに、所望により上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体を配合してなるものとすることができる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体、並びに必要に応じて上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物の実施形態は、全ての成分が予め混合された状態で市場に供給される、いわゆる１液型であってもよいし、使用時に混合される、いわゆる２液型であってもよい。例えば、２液型の研磨液組成物の一実施形態としては、成分Ａを含む第１液と、成分Ｂを含む第２液とから構成され、使用時に第１液と第２液とが混合されるものが挙げられる。第１液と第２液との混合は、研磨対象の表面への供給前に行われてもよいし、これらは別々に供給されて被研磨基板の表面上で混合されてもよい。第１液及び第２液はそれぞれ必要に応じて上述した任意成分を含有することができる。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上の観点から、３．５以上が好ましく、４以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、そして、９以下が好ましく、８．５以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。より具体的には、ｐＨは、３．５以上９以下が好ましく、４以上８．５以下がより好ましく、５以上８以下が更に好ましい。本開示において、研磨液組成物のｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点での前記各成分の含有量をいう。本開示の研磨液組成物は、その安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造・輸送コストを低くできる点で好ましい。そしてこの濃縮液は、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して研磨工程で使用することができる。希釈割合としては５～１００倍が好ましい。
［被研磨膜］
本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨膜としては、例えば、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜が挙げられる。したがって、本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜の研磨を必要とする工程に使用できる。一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物は、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、層間絶縁膜を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、埋め込み金属配線を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、又は、埋め込みキャパシタを形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨に好適に使用できる。その他の一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物は、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の３次元半導体装置の製造に好適に使用できる。
本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨膜としては、例えば、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜が挙げられる。したがって、本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜の研磨を必要とする工程に使用できる。一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物は、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、層間絶縁膜を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、埋め込み金属配線を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、又は、埋め込みキャパシタを形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨に好適に使用できる。その他の一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物は、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の３次元半導体装置の製造に好適に使用できる。
［研磨液キット］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を調製するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む砥粒分散液（第１液）と、成分Ｂを含む添加剤水溶液（第２液）と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記砥粒分散液（第１液）に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液（第２液）には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記砥粒分散液（第１液）及び前記添加剤水溶液（第２液）にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分が含まれていてもよい。前記砥粒分散液（第１液）と前記添加剤水溶液（第２液）との混合は、研磨対象の表面への供給前に行われてもよいし、これらは別々に供給されて被研磨基板の表面上で混合されてもよい。本開示の研磨液キットによれば、酸化珪素膜の研磨速度を向上可能な研磨液組成物が得られうる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を調製するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む砥粒分散液（第１液）と、成分Ｂを含む添加剤水溶液（第２液）と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記砥粒分散液（第１液）に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液（第２液）には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記砥粒分散液（第１液）及び前記添加剤水溶液（第２液）にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分が含まれていてもよい。前記砥粒分散液（第１液）と前記添加剤水溶液（第２液）との混合は、研磨対象の表面への供給前に行われてもよいし、これらは別々に供給されて被研磨基板の表面上で混合されてもよい。本開示の研磨液キットによれば、酸化珪素膜の研磨速度を向上可能な研磨液組成物が得られうる。
［研磨方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法（以下、本開示の研磨方法ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、酸化珪素膜の研磨速度向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板の生産性を向上できるという効果が奏されうる。具体的な研磨の方法及び条件は、後述する本開示の半導体基板の製造方法と同じようにすることができる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法（以下、本開示の研磨方法ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、酸化珪素膜の研磨速度向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板の生産性を向上できるという効果が奏されうる。具体的な研磨の方法及び条件は、後述する本開示の半導体基板の製造方法と同じようにすることができる。
［半導体基板の製造方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板の製造方法」ともいう。）に関する。本開示の半導体基板の製造方法は、例えば、本開示の研磨液組成物を用いて、酸化珪素膜の窒化珪素膜と接する面の反対面、例えば、酸化珪素膜の凹凸段差面を研磨する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。本開示の半導体装置の製造方法によれば、酸化珪素膜の高速研磨が可能であるので、半導体装置を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板の製造方法」ともいう。）に関する。本開示の半導体基板の製造方法は、例えば、本開示の研磨液組成物を用いて、酸化珪素膜の窒化珪素膜と接する面の反対面、例えば、酸化珪素膜の凹凸段差面を研磨する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。本開示の半導体装置の製造方法によれば、酸化珪素膜の高速研磨が可能であるので、半導体装置を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
酸化珪素膜の凹凸段差面は、例えば、酸化珪素膜を化学気相成長法等の方法で形成した際に酸化珪素膜の下層の凹凸段差に対応して自然に形成されものであってもよいし、リソグラフィー法等を用いて凹凸パターンを形成することにより得られたものであってもよい。
本開示の半導体基板の製造方法の具体例としては、まず、シリコン基板を酸化炉内で酸素に晒すことよりその表面に二酸化シリコン層を成長させ、次いで、当該二酸化シリコン層上に窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）膜又はポリシリコン膜等の研磨ストッパ膜を、例えばＣＶＤ法（化学気相成長法）にて形成する。次に、シリコン基板と前記シリコン基板の一方の主面側に配置された研磨ストッパ膜とを含む基板、例えば、シリコン基板の二酸化シリコン層上に研磨ストッパ膜が形成された基板に、フォトリソグラフィー技術を用いてトレンチを形成する。次いで、例えば、シランガスと酸素ガスを用いたＣＶＤ法により、トレンチ埋め込み用の被研磨膜である酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を形成し、研磨ストッパ膜が被研磨膜（酸化珪素膜）で覆われた被研磨基板を得る。酸化珪素膜の形成により、前記トレンチは酸化珪素膜の酸化珪素で満たされ、研磨ストッパ膜の前記シリコン基板側の面の反対面は酸化珪素膜によって被覆される。このようにして形成された酸化珪素膜のシリコン基板側の面の反対面は、下層の凸凹に対応して形成された段差を有する。次いで、ＣＭＰ法により、酸化珪素膜を、少なくとも研磨ストッパ膜のシリコン基板側の面の反対面が露出するまで研磨し、より好ましくは、酸化珪素膜の表面と研磨ストッパ膜の表面とが面一になるまで酸化珪素膜を研磨する。本開示の研磨液組成物は、このＣＭＰ法による研磨を行う工程に用いることができる。酸化珪素膜の下層の凹凸に対応して形成された凸部の幅は、例えば、０．５μｍ以上５０００μｍ以下であり、凹部の幅は、例えば、０．５μｍ以上５０００μｍ以下である。
ＣＭＰ法による研磨では、被研磨基板の表面と研磨パッドとを接触させた状態で、本開示の研磨液組成物をこれらの接触部位に供給しつつ被研磨基板及び研磨パッドを相対的に移動させることにより、被研磨基板の表面の凹凸部分を平坦化させる。
なお、本開示の半導体基板の製造方法において、シリコン基板の二酸化シリコン層と研磨ストッパ膜との間に他の絶縁膜が形成されていてもよいし、被研磨膜（例えば、酸化珪素膜）と研磨ストッパ膜（例えば、窒化珪素膜、ポリシリコン膜）との間に他の絶縁膜が形成されていてもよい。
なお、本開示の半導体基板の製造方法において、シリコン基板の二酸化シリコン層と研磨ストッパ膜との間に他の絶縁膜が形成されていてもよいし、被研磨膜（例えば、酸化珪素膜）と研磨ストッパ膜（例えば、窒化珪素膜、ポリシリコン膜）との間に他の絶縁膜が形成されていてもよい。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程において、研磨パッドの回転数は、例えば、３０～２００ｒｐｍ／分、被研磨基板の回転数は、例えば、３０～２００ｒｐｍ／分、研磨パッドを備えた研磨装置に設定される研磨荷重は、例えば、２０～５００ｇ重／ｃｍ2、研磨液組成物の供給速度は、例えば、１０～５００ｍＬ/分以下に設定できる。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程において、用いられる研磨パッドの材質等については、従来公知のものが使用できる。研磨パッドの材質としては、例えば、硬質発泡ポリウレタン等の有機高分子発泡体や無発泡体等が挙げられるが、なかでも、硬質発泡ポリウレタンが好ましい。
以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．研磨液組成物の調製
（実施例１～２５、比較例１～１３）
酸化セリウム粒子（成分Ａ）であるＡ１及びＡ２と、アニオン性縮合物（成分Ｂ）であるＢ１～Ｂ６、Ｂ１１～Ｂ１３又は非成分ＢであるＢ７～Ｂ１０と、リン含有化合物（成分Ｃ）であるＣ１～Ｃ３と、水とを混合し、実施例１～２５及び比較例１～１３の研磨液組成物を得た。研磨液組成物中の各成分の含有量（質量％）は、表１～３に示すとおりであり、水の含有量は、成分Ａと成分Ｂ又は非成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。ｐＨ調整はアンモニアもしくは硝酸を用いて実施した。
（実施例１～２５、比較例１～１３）
酸化セリウム粒子（成分Ａ）であるＡ１及びＡ２と、アニオン性縮合物（成分Ｂ）であるＢ１～Ｂ６、Ｂ１１～Ｂ１３又は非成分ＢであるＢ７～Ｂ１０と、リン含有化合物（成分Ｃ）であるＣ１～Ｃ３と、水とを混合し、実施例１～２５及び比較例１～１３の研磨液組成物を得た。研磨液組成物中の各成分の含有量（質量％）は、表１～３に示すとおりであり、水の含有量は、成分Ａと成分Ｂ又は非成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。ｐＨ調整はアンモニアもしくは硝酸を用いて実施した。
酸化セリウム粒子（成分Ａ）
Ａ１：負帯電セリア［粉砕セリア、平均一次粒子径：４９．５ｎｍ、ＢＥＴ比表面積１６．８ｍ2／ｇ、表面電位：－５０ｍＶ］
Ａ２：正帯電セリア［粉砕セリア、平均一次粒子径：３８．３ｎｍ、ＢＥＴ比表面積２１．７ｍ2／ｇ、表面電位：８０ｍＶ］
Ａ１：負帯電セリア［粉砕セリア、平均一次粒子径：４９．５ｎｍ、ＢＥＴ比表面積１６．８ｍ2／ｇ、表面電位：－５０ｍＶ］
Ａ２：正帯電セリア［粉砕セリア、平均一次粒子径：３８．３ｎｍ、ＢＥＴ比表面積２１．７ｍ2／ｇ、表面電位：８０ｍＶ］
アニオン性縮合物（成分Ｂ）又は非成分Ｂ
ホルムアルデヒド（共）縮合物は、モノマーの総量１モルに対して、ホルムアルデヒドとして０．９３～０．９９モルとなるようにホルマリンを８５～１０５℃で、３～６時間かけて滴下し、滴下後９５～１０５℃で４～９時間かけて縮合反応を行うことで合成した。共重合体における構成モノマーの比率は、モノマーの配合量（モル比）で調整した。
成分Ｂ１～Ｂ６、Ｂ１１～Ｂ１３及び非成分Ｂ７～Ｂ１０は、いずれも、研磨液組成物中に完全に溶解していることを目視で確認した。
（成分Ｂ）
Ｂ１：４－ヒドロキシ安息香酸（４－ＨＢＡ）とｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）とのホルムアルデヒド共縮合物（以下、「ＨＢＡ／ＰｈＳ」と表す）（構成モノマーモル比ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量２１０００
Ｂ２：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量６，９００
Ｂ３：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量１３，５００
Ｂ４：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量１８，０００
Ｂ５：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５５：４５）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ６：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝６０：４０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１１：２，６－ジヒドロキシ安息香酸（２，６－ＨＢＡ）とｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）とのホルムアルデヒド共縮合物（以下、「ＤＨＢＡ／ＰｈＳ」と表す）ＤＨＢＡ／ＰｈＳ（ＤＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１２：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝４０：６０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１３：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝３５：６５）、重量平均分子量２１，０００
（非成分Ｂ）
Ｂ７：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝２０：８０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ８：ポリアクリル酸、重量平均分子量２４，０００（花王株式会社製）
Ｂ９：ナフタレンスルホン酸のホルムアルデヒド共縮合物、重量平均分子量８，０００
Ｂ１０：ポリスチレンスルホン酸、重量平均分子量２０，０００（東ソー有機化学社製）
ホルムアルデヒド（共）縮合物は、モノマーの総量１モルに対して、ホルムアルデヒドとして０．９３～０．９９モルとなるようにホルマリンを８５～１０５℃で、３～６時間かけて滴下し、滴下後９５～１０５℃で４～９時間かけて縮合反応を行うことで合成した。共重合体における構成モノマーの比率は、モノマーの配合量（モル比）で調整した。
成分Ｂ１～Ｂ６、Ｂ１１～Ｂ１３及び非成分Ｂ７～Ｂ１０は、いずれも、研磨液組成物中に完全に溶解していることを目視で確認した。
（成分Ｂ）
Ｂ１：４－ヒドロキシ安息香酸（４－ＨＢＡ）とｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）とのホルムアルデヒド共縮合物（以下、「ＨＢＡ／ＰｈＳ」と表す）（構成モノマーモル比ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量２１０００
Ｂ２：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量６，９００
Ｂ３：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量１３，５００
Ｂ４：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量１８，０００
Ｂ５：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝５５：４５）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ６：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝６０：４０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１１：２，６－ジヒドロキシ安息香酸（２，６－ＨＢＡ）とｐ－フェノールスルホン酸（ｐＰｈＳ）とのホルムアルデヒド共縮合物（以下、「ＤＨＢＡ／ＰｈＳ」と表す）ＤＨＢＡ／ＰｈＳ（ＤＨＢＡ：ＰｈＳ＝５０：５０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１２：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝４０：６０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ１３：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝３５：６５）、重量平均分子量２１，０００
（非成分Ｂ）
Ｂ７：ＨＢＡ／ＰｈＳ（ＨＢＡ：ＰｈＳ＝２０：８０）、重量平均分子量２１，０００
Ｂ８：ポリアクリル酸、重量平均分子量２４，０００（花王株式会社製）
Ｂ９：ナフタレンスルホン酸のホルムアルデヒド共縮合物、重量平均分子量８，０００
Ｂ１０：ポリスチレンスルホン酸、重量平均分子量２０，０００（東ソー有機化学社製）
リン含有化合物（成分Ｃ）
Ｃ１：フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：フェニル基、Ｙ：結合手、ｑ：０である。］
Ｃ２：クレアチノールホスファート（東京化成工業社製［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：１-メチルグアニジノ基、Ｙ：エチレン基、ｑ：１である。］
Ｃ３：ブチルホスホン酸（東京化成工業社製［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：ブチル基、Ｙ：結合手、ｑ：０である。］
Ｃ１：フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：フェニル基、Ｙ：結合手、ｑ：０である。］
Ｃ２：クレアチノールホスファート（東京化成工業社製［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：１-メチルグアニジノ基、Ｙ：エチレン基、ｑ：１である。］
Ｃ３：ブチルホスホン酸（東京化成工業社製［式（ＩＶ）中、Ｒ12：ＯＨ、Ｒ13：ＯＨ、Ｒ14：ブチル基、Ｙ：結合手、ｑ：０である。］
２．各パラメータの測定方法
（１）研磨液組成物のｐＨ
研磨液組成物の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製、「ＨＷ－４１Ｋ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値である。
（１）研磨液組成物のｐＨ
研磨液組成物の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製、「ＨＷ－４１Ｋ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値である。
（２）酸化セリウム粒子（セリア、成分Ａ）の平均一次粒径
酸化セリウム粒子（成分Ａ）の平均一次粒径（ｎｍ）は、下記ＢＥＴ（窒素吸着）法によって得られる比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用い、酸化セリウム粒子の真密度を７．２ｇ／ｃｍ3として算出した。
酸化セリウム粒子（成分Ａ）の平均一次粒径（ｎｍ）は、下記ＢＥＴ（窒素吸着）法によって得られる比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用い、酸化セリウム粒子の真密度を７．２ｇ／ｃｍ3として算出した。
（３）酸化セリウム粒子（成分Ａ）のＢＥＴ比表面積
比表面積は、酸化セリウム粒子分散液を１２０℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に１２０℃の雰囲気下で１５分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
比表面積は、酸化セリウム粒子分散液を１２０℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に１２０℃の雰囲気下で１５分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
（４）酸化セリウム粒子（成分Ａ）の表面電位
酸化セリウム粒子の表面電位（ｍＶ）は、表面電位測定装置（協和界面化学社製「ゼータプローブ」）にて測定した。超純水を用い、酸化セリウム濃度０．１５％に調整し、表面電位測定装置に投入し、粒子密度７．１３ｇ／ｍｌ、粒子誘電率７の条件にて表面電位を測定した。測定回数は３回行い、それらの平均値を測定結果とした。
酸化セリウム粒子の表面電位（ｍＶ）は、表面電位測定装置（協和界面化学社製「ゼータプローブ」）にて測定した。超純水を用い、酸化セリウム濃度０．１５％に調整し、表面電位測定装置に投入し、粒子密度７．１３ｇ／ｍｌ、粒子誘電率７の条件にて表面電位を測定した。測定回数は３回行い、それらの平均値を測定結果とした。
（５）アニオン性縮合物（成分Ｂ及び非成分Ｂ）の重量平均分子量
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。
＜測定条件＞
カラム：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２０００ＳＷＸＬ（東ソー）
溶離液：３０ｍＭ ＣＨ3ＣＯＯＮａ／ＣＨ3ＣＮ＝６／４
流量：０．７ｍｌ／ｍｉｎ
検出：ＵＶ２８０ｎｍ
サンプルサイズ：０．２ｍｇ／ｍｌ
標準物質：西尾工業（株）製 ポリスチレンスルホン酸ソーダ換算（単分散ポリスチレンスルホン酸ナトリウム：分子量、２０６、１，８００、４，０００、８，０００、１８，０００、３５，０００、８８，０００、７８０，０００）
検出器：東ソー株式会社 ＵＶ－８０２０
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。
＜測定条件＞
カラム：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２０００ＳＷＸＬ（東ソー）
溶離液：３０ｍＭ ＣＨ3ＣＯＯＮａ／ＣＨ3ＣＮ＝６／４
流量：０．７ｍｌ／ｍｉｎ
検出：ＵＶ２８０ｎｍ
サンプルサイズ：０．２ｍｇ／ｍｌ
標準物質：西尾工業（株）製 ポリスチレンスルホン酸ソーダ換算（単分散ポリスチレンスルホン酸ナトリウム：分子量、２０６、１，８００、４，０００、８，０００、１８，０００、３５，０００、８８，０００、７８０，０００）
検出器：東ソー株式会社 ＵＶ－８０２０
３．研磨液組成物の選択比評価（実施例１～１１、１７～２５、比較例１～６）
（１）試験片（ブランケット基板）の作製
シリコンウェーハの片面に、ＴＥＯＳ－プラズマＣＶＤ法で厚さ２０００ｎｍの酸化珪素膜（ブランケット膜）を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片（ブランケット基板）を得た。
同様に、シリコンウェーハの片面に、ＣＶＤ法で厚さ７０ｎｍの窒化珪素膜（ブランケット膜）を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、窒化珪素膜試験片（ブランケット基板）を得た。
（１）試験片（ブランケット基板）の作製
シリコンウェーハの片面に、ＴＥＯＳ－プラズマＣＶＤ法で厚さ２０００ｎｍの酸化珪素膜（ブランケット膜）を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片（ブランケット基板）を得た。
同様に、シリコンウェーハの片面に、ＣＶＤ法で厚さ７０ｎｍの窒化珪素膜（ブランケット膜）を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、窒化珪素膜試験片（ブランケット基板）を得た。
（２）酸化珪素膜及び窒化珪素膜の研磨速度
実施例１～１１、１７～２５及び比較例１～６の各研磨液組成物を用いて、下記研磨条件で上記試験片（酸化珪素膜及び窒化珪素膜のブランケット基板）を研磨した。
＜研磨条件＞
研磨装置：片面研磨機［Ｂｒｕｋｅｒ社製、ＴｒｉｂｏＬａｂ ＣＭＰ］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」[ニッタ・ハース社製]
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：３００ｇ重／ｃｍ2
研磨液供給量：５０ｍＬ／分
研磨時間：１分間
研磨前及び研磨後において、光干渉式膜厚測定装置（ＳＣＲＥＥＮセミコンダクターソリューションズ社製「ＶＭ－１２３０」）を用いて、酸化珪素膜又は窒化珪素膜の膜厚を測定した。
酸化珪素膜（被研磨膜）の研磨速度は下記式により算出した。
酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）
＝［研磨前の酸化珪素膜厚さ（Å）－研磨後の酸化珪素膜厚さ（Å）］／研磨時間（分）
窒化珪素膜（研磨ストッパ膜）の研磨速度は下記式により算出した。
窒化珪素膜の研磨速度（Å／分）
＝［研磨前の窒化珪素膜厚さ（Å）－研磨後の窒化珪素膜厚さ（Å）］／研磨時間（分）
実施例１～１１、１７～２５及び比較例１～６の各研磨液組成物を用いて、下記研磨条件で上記試験片（酸化珪素膜及び窒化珪素膜のブランケット基板）を研磨した。
＜研磨条件＞
研磨装置：片面研磨機［Ｂｒｕｋｅｒ社製、ＴｒｉｂｏＬａｂ ＣＭＰ］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」[ニッタ・ハース社製]
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：３００ｇ重／ｃｍ2
研磨液供給量：５０ｍＬ／分
研磨時間：１分間
研磨前及び研磨後において、光干渉式膜厚測定装置（ＳＣＲＥＥＮセミコンダクターソリューションズ社製「ＶＭ－１２３０」）を用いて、酸化珪素膜又は窒化珪素膜の膜厚を測定した。
酸化珪素膜（被研磨膜）の研磨速度は下記式により算出した。
酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）
＝［研磨前の酸化珪素膜厚さ（Å）－研磨後の酸化珪素膜厚さ（Å）］／研磨時間（分）
窒化珪素膜（研磨ストッパ膜）の研磨速度は下記式により算出した。
窒化珪素膜の研磨速度（Å／分）
＝［研磨前の窒化珪素膜厚さ（Å）－研磨後の窒化珪素膜厚さ（Å）］／研磨時間（分）
（３）研磨選択性（研磨速度比）
窒化珪素膜の研磨速度に対する酸化珪素膜の研磨速度の比を研磨速度比とし、下記式により算出した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が高いことを示す。
研磨速度比＝酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）／窒化珪素膜の研磨速度（Å／分）
以上の結果を表１に示す。
窒化珪素膜の研磨速度に対する酸化珪素膜の研磨速度の比を研磨速度比とし、下記式により算出した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が高いことを示す。
研磨速度比＝酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）／窒化珪素膜の研磨速度（Å／分）
以上の結果を表１に示す。
表１に示されるように、実施例１～１１、１７～１９では、成分Ｂを含まない比較例１～６に比べ、酸化珪素膜の研磨速度が大きく損なわれることなく、かつ、窒化珪素膜の研磨速度が大きく抑制され、その結果、研磨選択性が向上していた。さらに成分Ｃを含む実施例２０～２５は、成分Ｃを含まない実施例１と比較して、酸化珪素膜の研磨速度が大きく損なわれることなく、かつ、さらに窒化珪素膜の研磨速度が大きく抑制され、その結果、さらに研磨選択性が向上していた。
４．研磨液組成物のディッシング評価（実施例１２～１３、比較例７～１０）
実施例１２～１３及び比較例７～１０の研磨液組成物を用いて、過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度及びディッシング速度を評価した。評価方法を以下に示す。
実施例１２～１３及び比較例７～１０の研磨液組成物を用いて、過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度及びディッシング速度を評価した。評価方法を以下に示す。
（１）試験片（パターン基板）
評価用パターン基板として市販のＣＭＰ特性評価用ウエハ（Ａｄｖａｎｔｅｃ社製の「Ｐ－ＴＥＯＳ ＭＩＴ８６４ ＰＴウエハ」、直径３００ｍｍ）を用いた。この評価用パターン基板は、１層目として膜厚１５０ｎｍの窒化珪素膜と２層目として膜厚４５０ｎｍの酸化珪素膜が凸部として配置されており、凹部も同様に膜厚４５０ｎｍの酸化珪素膜が配置され、凸部と凹部の段差が３５０ｎｍになるよう、エッチングにより線状凹凸パターンが形成されている。酸化珪素膜はＰ－ＴＥＯＳにより形成されており、凸部及び凹部の線幅がそれぞれ１００μｍのものを測定対象として使用した。
評価用パターン基板として市販のＣＭＰ特性評価用ウエハ（Ａｄｖａｎｔｅｃ社製の「Ｐ－ＴＥＯＳ ＭＩＴ８６４ ＰＴウエハ」、直径３００ｍｍ）を用いた。この評価用パターン基板は、１層目として膜厚１５０ｎｍの窒化珪素膜と２層目として膜厚４５０ｎｍの酸化珪素膜が凸部として配置されており、凹部も同様に膜厚４５０ｎｍの酸化珪素膜が配置され、凸部と凹部の段差が３５０ｎｍになるよう、エッチングにより線状凹凸パターンが形成されている。酸化珪素膜はＰ－ＴＥＯＳにより形成されており、凸部及び凹部の線幅がそれぞれ１００μｍのものを測定対象として使用した。
（２）研磨
実施例１２～１３及び比較例７～１０の研磨液組成物を用いて、上記３（１）ブランケット基板（酸化珪素膜、窒化珪素膜）と上記（１）のパターン基板を、下記研磨条件で研磨した。
＜研磨条件＞
研磨装置：片面研磨機［荏原製作所製、Ｆ ＲＥＸ－３００］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」［ニッタ・ハース社製］
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：３００ｇ重／ｃｍ2
研磨液供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：１分間（酸化珪素膜基板、窒化珪素膜基板）、平坦化時間＋過剰研磨時間（パターン基板）
実施例１２～１３及び比較例７～１０の研磨液組成物を用いて、上記３（１）ブランケット基板（酸化珪素膜、窒化珪素膜）と上記（１）のパターン基板を、下記研磨条件で研磨した。
＜研磨条件＞
研磨装置：片面研磨機［荏原製作所製、Ｆ ＲＥＸ－３００］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」［ニッタ・ハース社製］
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：３００ｇ重／ｃｍ2
研磨液供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：１分間（酸化珪素膜基板、窒化珪素膜基板）、平坦化時間＋過剰研磨時間（パターン基板）
（３）研磨選択性
ブランケット基板を使用した研磨速度及び研磨選択性は、上記３（２）及び（３）と同様の計算により算出した。
ブランケット基板を使用した研磨速度及び研磨選択性は、上記３（２）及び（３）と同様の計算により算出した。
（４）平坦化時間
試験片（パターン基板）の凸部の酸化珪素膜を平坦化するまでに要した時間（秒）を測定し平坦化時間とした
試験片（パターン基板）の凸部の酸化珪素膜を平坦化するまでに要した時間（秒）を測定し平坦化時間とした
（５）過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度
凸部の酸化珪素膜が平坦化され窒化珪素膜が露出した後、凸部の酸化珪素膜が平坦化されるのに要した時間（平坦化時間）の２０％の時間を過剰に研磨し、過剰研磨前後での窒化珪素膜の膜厚をＳｐｅｃｔｒａ ＦＸ２００（ＫＬＡテンコール社製）を用いて測定した。過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度は下記式により算出した。
窒化膜が露出してからの窒化珪素膜の研磨速度（Å／秒）
＝［窒化膜露出時の窒化珪素膜の膜厚（Å）－研磨終了時の窒化珪素膜の膜厚（Å）］／過研磨時間（秒）
凸部の酸化珪素膜が平坦化され窒化珪素膜が露出した後、凸部の酸化珪素膜が平坦化されるのに要した時間（平坦化時間）の２０％の時間を過剰に研磨し、過剰研磨前後での窒化珪素膜の膜厚をＳｐｅｃｔｒａ ＦＸ２００（ＫＬＡテンコール社製）を用いて測定した。過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度は下記式により算出した。
窒化膜が露出してからの窒化珪素膜の研磨速度（Å／秒）
＝［窒化膜露出時の窒化珪素膜の膜厚（Å）－研磨終了時の窒化珪素膜の膜厚（Å）］／過研磨時間（秒）
（６）過研磨時のディッシング速度
凸部の酸化珪素膜が平坦化され窒化珪素膜が露出した後、凸部の酸化珪素膜が平坦化されるのに要した時間（平坦化時間）の２０％の時間を過剰に研磨し、過剰研磨前後での凹部での酸化珪素膜の膜厚をＳｐｅｃｔｒａ ＦＸ２００（ＫＬＡテンコール社製）を用いて測定した。過研磨時のディッシング速度は下記式により算出した。
窒化膜が露出してからの凹部の研磨速度（Å／秒）
＝［窒化膜露出時の凹部の膜厚（Å）－研磨終了時の凹部の膜厚（Å）］／過研磨時間（秒）
以上の結果を表２に示す。
凸部の酸化珪素膜が平坦化され窒化珪素膜が露出した後、凸部の酸化珪素膜が平坦化されるのに要した時間（平坦化時間）の２０％の時間を過剰に研磨し、過剰研磨前後での凹部での酸化珪素膜の膜厚をＳｐｅｃｔｒａ ＦＸ２００（ＫＬＡテンコール社製）を用いて測定した。過研磨時のディッシング速度は下記式により算出した。
窒化膜が露出してからの凹部の研磨速度（Å／秒）
＝［窒化膜露出時の凹部の膜厚（Å）－研磨終了時の凹部の膜厚（Å）］／過研磨時間（秒）
以上の結果を表２に示す。
表２に示されるように、実施例１２～１３の研磨液組成物は、成分Ｂを含まない比較例７～１０に比べて、酸化珪素膜の研磨速度を確保しつつ研磨選択性が向上していた。さらに、実施例１２～１３の研磨液組成物は、比較例７～１０に比べて、過研磨時の窒化珪素膜の研磨速度及びディッシング速度が抑制されていることがわかった。さらに成分Ｃを含む実施例１３は、成分Ｃを含まない実施例１２と比較して、研磨選択性がさらに向上し、過研磨時の窒化珪素膜及びディッシング速度がさらに抑制されていた。
５．研磨液組成物（実施例１４～１６、比較例１１～１３）の評価
（１）試験片の作製
シリコンウェーハの片面に、ＴＥＯＳ－プラズマＣＶＤ法で厚さ２０００ｎｍの酸化珪素膜を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片を得た。同様に、シリコンウェーハの片面に、まず熱酸化膜を１００ｎｍ形成させたのち、ＣＶＤ法で厚さ５００ｎｍのポリシリコン膜を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、ポリシリコン膜試験片を得た。
（１）試験片の作製
シリコンウェーハの片面に、ＴＥＯＳ－プラズマＣＶＤ法で厚さ２０００ｎｍの酸化珪素膜を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片を得た。同様に、シリコンウェーハの片面に、まず熱酸化膜を１００ｎｍ形成させたのち、ＣＶＤ法で厚さ５００ｎｍのポリシリコン膜を形成したものから、４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形片を切り出し、ポリシリコン膜試験片を得た。
（２）酸化珪素膜の研磨速度の測定
実施例１４～１６及び比較例１１～１３の研磨液組成物を用いた酸化珪素膜の研磨速度は、実施例１～１１及び比較例１～６の研磨液組成物を用いた前記酸化珪素膜及び窒化珪素膜の研磨速度の測定と同様にして算出した。
実施例１４～１６及び比較例１１～１３の研磨液組成物を用いた酸化珪素膜の研磨速度は、実施例１～１１及び比較例１～６の研磨液組成物を用いた前記酸化珪素膜及び窒化珪素膜の研磨速度の測定と同様にして算出した。
（３）ポリシリコン膜の研磨速度の測定
試験片として酸化珪素膜試験片の代わりにポリシリコン膜試験片を用いること以外は、前記酸化珪素膜の研磨速度の測定と同様に、ポリシリコン膜の研磨、膜厚の測定及び研磨速度の算出を行った。
試験片として酸化珪素膜試験片の代わりにポリシリコン膜試験片を用いること以外は、前記酸化珪素膜の研磨速度の測定と同様に、ポリシリコン膜の研磨、膜厚の測定及び研磨速度の算出を行った。
（４）研磨選択性（研磨速度比）
酸化珪素膜の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比（ＳｉＯ2膜／ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜）を研磨速度比とし、下記式により算出した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が良好であるため、段差解消に対する能力が高い。
研磨速度比＝酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）／ポリシリコン膜の研磨速度（Å／分）
以上の結果を表３に示す。
酸化珪素膜の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比（ＳｉＯ2膜／ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜）を研磨速度比とし、下記式により算出した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が良好であるため、段差解消に対する能力が高い。
研磨速度比＝酸化珪素膜の研磨速度（Å／分）／ポリシリコン膜の研磨速度（Å／分）
以上の結果を表３に示す。
表３に示されるように、実施例１４～１６では、成分Ｂを含まない比較例１１～１３に比べ、酸化珪素膜の研磨速度が大きく損なわれることなく、かつ、ポリシリコン膜の研磨速度が大きく抑制され、その結果、研磨選択性が向上していた。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、高密度化又は高集積化用の半導体基板の製造方法において有用である。
Claims (11)
- 酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、水溶性アニオン性縮合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、
成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ１）及び下記式（ＩＩ）で表されるモノマー（構成モノマーｂ２）を含むモノマーの共縮合物であり、
成分Ｂにおける構成モノマーｂ１と構成モノマーｂ２の合計に対する構成モノマーｂ１のモル比（％）が、３０％を超える、酸化珪素膜用研磨液組成物。
式（ＩＩ）中、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ3を示し、Ｘは、－ＳＯ3Ｍ4又は－ＰＯ3Ｍ5Ｍ6を示し、Ｍ3、Ｍ4、Ｍ5及びＭ6は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示す。 - 成分Ｂは、下記式（ＩＩＩ）で表される構造を含むアニオン性縮合物であり、
式（ＩＩＩ）中、Ｒ5及びＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１以上４以下の炭化水素基、又は、－ＯＭ8を示し、Ｘは、－ＳＯ3Ｍ9又は－ＰＯ3Ｍ10Ｍ11を示し、Ｍ7、Ｍ8、Ｍ9、Ｍ10及びＭ11は同一又は異なって、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、アンモニウム（ＮＨ4 +）又は水素原子を示し、ｍ及びｎは、ｍ＋ｎ＝１とした場合のモル分率であって、ｍは０．３を超える、請求項１記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 式（ＩＩＩ）中のｍが０．４５以上である、請求項２に記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 成分Ｂの重量平均分子量が、１，５００以上１０万以下である、請求項１から３のいずれかに記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 組成物中の成分Ｂの含有量が、０．００６質量％以上０．５質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 組成物中の成分Ａの含有量が、０．００１質量％以上６質量％以下である、請求項１から５のいずれかに記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 下記式（ＩＶ）で表されるリン含有化合物（成分Ｃ）をさらに含有する請求項１から６のいずれかに記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 成分Ｃは、フェニルホスホン酸又はその塩である、請求項７に記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 成分Ｃの含有量が、０．００５質量％以上０．５質量％以下である、請求項７又は８に記載の酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 請求項１から９のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 請求項１から９のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202180079804.3A CN116507688A (zh) | 2020-11-27 | 2021-11-12 | 氧化硅膜用研磨液组合物 |
| US18/039,111 US20230420260A1 (en) | 2020-11-27 | 2021-11-12 | Polishing liquid composition for silicon oxide film |
| KR1020237018083A KR20230109650A (ko) | 2020-11-27 | 2021-11-12 | 산화규소막용 연마액 조성물 |
| PCT/JP2021/041685 WO2022113775A1 (ja) | 2020-11-27 | 2021-11-12 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
| TW110144180A TW202231829A (zh) | 2020-11-27 | 2021-11-26 | 氧化矽膜用研磨液組合物 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020197119 | 2020-11-27 | ||
| JP2020197119 | 2020-11-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022085857A true JP2022085857A (ja) | 2022-06-08 |
Family
ID=81892290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021173999A Pending JP2022085857A (ja) | 2020-11-27 | 2021-10-25 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022085857A (ja) |
-
2021
- 2021-10-25 JP JP2021173999A patent/JP2022085857A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9238753B2 (en) | CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| US8906252B1 (en) | CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| US9422455B2 (en) | CMP compositions exhibiting reduced dishing in STI wafer polishing | |
| US9165489B2 (en) | CMP compositions selective for oxide over polysilicon and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| EP3149101B1 (en) | Cmp compositions selective for oxide over polysilicon and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| EP3400266B1 (en) | Method of polishing a low-k substrate | |
| US10640679B2 (en) | CMP compositions selective for oxide and nitride with improved dishing and pattern selectivity | |
| JP7041714B2 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP2023142077A (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| WO2022113775A1 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP2022085857A (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP2023082545A (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP7045171B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| CN116507688A (zh) | 氧化硅膜用研磨液组合物 | |
| WO2023127898A1 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |