JP2022084389A - Substrate cleaning device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板洗浄装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate cleaning device.
特許文献１には、所定波長（紫外線光源として低圧水銀ランプを使用するときは１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、誘電体バリア放電ランプでは１７２ｎｍ）の紫外線を用いて酸素を励起させ、生成されるオゾンや発生期の酸素によって基板表面上の有機物を酸化・気化させ除去する装置が開示されている。
本開示は、エネルギー線照射による、有機物の除去効率を向上させるのに有効な装置を提供する。 The present disclosure provides an effective device for improving the efficiency of removing organic substances by irradiation with energy rays.
本開示の一側面に係る基板洗浄装置は、基板を収容可能な第１処理空間と、基板を収容可能な第２処理空間と、第１処理空間に不活性ガスを供給する第１ガス供給部と、第２処理空間に活性ガスを供給する第２ガス供給部と、第１処理空間内に収容された基板にエネルギー線を照射する第１照射部と、第２処理空間内に収容された基板にエネルギー線を照射する第２照射部と、第１処理空間内から第２処理空間内に基板を移動させる搬送部と、を備える。 The substrate cleaning apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a first processing space capable of accommodating a substrate, a second processing space accommodating a substrate, and a first gas supply unit for supplying an inert gas to the first processing space. A second gas supply unit that supplies the active gas to the second processing space, a first irradiation unit that irradiates the substrate accommodated in the first processing space with energy rays, and a second irradiation unit housed in the second processing space. It includes a second irradiation unit that irradiates the substrate with energy rays, and a transport unit that moves the substrate from the first processing space to the second processing space.
本開示によれば、エネルギー線照射による、有機物の除去効率を向上させるのに有効な装置を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide an apparatus effective for improving the efficiency of removing organic substances by irradiation with energy rays.
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.
〔基板洗浄装置〕
図１に示す基板洗浄装置１は、基板に対する処理に先立って、基板に付着した有機物をエネルギー線の照射により除去する乾式洗浄装置である。洗浄対象の基板は、例えば半導体ウェハである。洗浄後に基板に対して行われる処理の具体例としては、レジスト膜の形成、ハードマスクの形成、エッチング等が挙げられる。基板は半導体ウェハに限定されない。洗浄対象の基板は、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
[Board cleaning device]
The
基板洗浄装置１は、チャンバー１０と、第１ガス供給部１１０と、第１排気部１２０と、第１スピンチャック１３０と、第１照射部１４０と、第２ガス供給部２１０と、第２排気部２２０と、第２スピンチャック２３０と、第２照射部２４０と、搬送部３００と、制御装置４００とを備える。
The
チャンバー１０は、第１処理空間と、第２処理空間とを有する。チャンバー１０において、第１処理空間と、第２処理空間とは区画壁を介して隣接していてもよい。チャンバー１０は、第１処理空間及び第２処理空間と第２区画壁を介して隣接したランプ収容空間を更に備えてもよい。例えばチャンバー１０は、端壁１１，１２と、側壁１３，１４と、天板１５と、底板１６と、区画壁１７、１８とを有する。
The
端壁１１，１２は、チャンバー１０の両端部において、チャンバー１０の内外を仕切る。以下、便宜上、端壁１１から端壁１２へ向かう方向を「前進方向」とし、端壁１２から端壁１１へ向かう方向を「後退方向」とする。「上下左右」は、「前進方向」に向かった状態での上下左右を意味する。
The
図２に示すように、側壁１３は、チャンバー１０の左側部においてチャンバー１０の内外を仕切り、側壁１４は、チャンバー１０の右側部においてチャンバー１０の内外を仕切る。天板１５は、端壁１１、１２及び側壁１３，１４により囲まれるチャンバー１０の内部空間の上を覆う。底板１６は、端壁１１、１２及び側壁１３，１４により囲まれるチャンバー１０の内部空間の下を覆う。
As shown in FIG. 2, the
チャンバー１０の内部空間は、区画壁１７により上下に仕切られている。更に、区画壁１７の上の空間は、区画壁１８により前後に仕切られている。端壁１１と区画壁１８との間の空間は、基板Ｗを収容可能な第１処理空間２３である。端壁１１（第１端壁）は、第１処理空間２３を介して区画壁１８に対向する。区画壁１８と端壁１２との間の空間は、基板Ｗを収容可能な第２処理空間２４である。端壁１２（第２端壁）は、第２処理空間２４を介して区画壁１８に対向する。第１処理空間２３と、第２処理空間２４とは区画壁１８を介して隣接している。区画壁１７の下の空間は、ランプ収容空間２２である。ランプ収容空間２２は、区画壁１７（第２区画壁）を介して第１処理空間２３及び第２処理空間２４に隣接している。
The internal space of the
端壁１１のうち、第１処理空間２３にかかる部分は、基板Ｗが通過可能な受入開口２５を有する。受入開口２５は、チャンバー１０外から第１処理空間２３内への基板Ｗの搬入に用いられる。区画壁１８は、基板Ｗが通過可能な搬送開口２６を有する。搬送開口２６は、第１処理空間２３から第２処理空間２４への基板Ｗの搬送に用いられる。端壁１２のうち、第２処理空間２４にかかる部分は、基板Ｗが通過可能な送出開口２７を有する。送出開口２７は、第２処理空間２４内からチャンバー１０外への基板Ｗの搬出に用いられる。
The portion of the
基板洗浄装置１は、受入シャッター３１と、搬送シャッター３２と、送出シャッター３３とを更に備えていてもよい。受入シャッター３１は、電動モータ又は空気圧アクチュエータ等により、制御指令に応じて受入開口２５を開閉する。搬送シャッター３２は、電動モータ又は空気圧アクチュエータ等により、制御指令に応じて搬送開口２６を開閉する。送出シャッター３３は、電動モータ又は空気圧アクチュエータ等により、制御指令に応じて送出開口２７を開閉する。
The
搬送部３００は、第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させる。例えば搬送部３００は、搬送開口２６を経て第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させる。例えば搬送部３００は、第１処理空間２３、搬送開口２６及び第２処理空間２４を通る搬送平面Ｐ１に沿って基板Ｗを搬送する。一例として、搬送部３００は、基板Ｗを水平に保持し、水平な搬送平面Ｐ１に沿って、搬送開口２６を経て第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを搬送する。
The
例えば搬送部３００は、基板ホルダ３１０と、ホルダ駆動部３２０とを有する。基板ホルダ３１０は、基板Ｗを水平に保持する。例えば基板ホルダ３１０は、包囲部３１１と、複数の支持爪３１２とを有する。包囲部３１１は、搬送対象の基板Ｗを包囲する。複数の支持爪３１２のそれぞれは、包囲部３１１から包囲部３１１の中心に向かって突出し、搬送対象の基板Ｗを支持する。
For example, the
ホルダ駆動部３２０は、基板Ｗを保持した基板ホルダ３１０を、搬送平面Ｐ１に沿って前進方向に移動させる。ホルダ駆動部３２０は、基板ホルダ３１０を後退方向にも移動させるように構成されていてもよい。ホルダ駆動部３２０の具体例としては、ボールねじ式等の電動のリニアアクチュエータが挙げられる。
The
第１スピンチャック１３０は、受入開口２５を経て第１処理空間２３内に基板Ｗを搬入した搬送装置から、基板Ｗを受け取り、基板ホルダ３１０に引き渡す。また、第１スピンチャック１３０は、鉛直軸まわりに基板Ｗを回転させることで、鉛直軸まわりの基板Ｗの向きを変更する。
The
一例として、第１スピンチャック１３０は、保持部１３１と、回転駆動部１３２と、昇降駆動部１３３とを有する。保持部１３１は、水平に配置された基板Ｗの中心部分を支持し、負圧の付与等によって当該基板Ｗを吸着する。回転駆動部１３２は、例えば電動モータ等によって、鉛直内軸線まわりに保持部１３１を回転させる。昇降駆動部１３３は、例えば電動モータ又は空気圧アクチュエータ等により、保持部１３１を昇降させる。
As an example, the
第１スピンチャック１３０は、基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部１３１の上に配置した状態で、昇降駆動部１３３により保持部１３１を上昇させ、保持部１３１を基板ホルダ３１０よりも高い位置に配置する。チャンバー１０外の搬送装置は、保持部１３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置に配置された状態で、基板Ｗを第１処理空間２３に搬入し、保持部１３１の上に水平に配置する。保持部１３１の上に基板Ｗが配置された状態で、第１スピンチャック１３０は、昇降駆動部１３３により保持部１３１を下降させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部１３１を下降させることによって、保持部１３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが引き渡される。
In the
鉛直軸まわりの基板Ｗの向きを変更する場合、第１スピンチャック１３０は、保持部１３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態にて、回転駆動部１３２により保持部１３１を回転させる。この場合、第１スピンチャック１３０は、少なくとも回転駆動部１３２により保持部１３１を回転させる期間において、保持部１３１により基板Ｗを吸着させてもよい。
When changing the orientation of the substrate W around the vertical axis, the
第２スピンチャック２３０は、基板ホルダ３１０から基板Ｗを受け取り、送出開口２７を経て第２処理空間２４内から基板Ｗを搬出する搬送装置に基板Ｗを引き渡す。また、第２スピンチャック２３０は、鉛直軸まわりに基板Ｗを回転させることで、鉛直軸まわりの基板Ｗの向きを変更する。
The
一例として、第２スピンチャック２３０は、保持部２３１と、回転駆動部２３２と、昇降駆動部２３３とを有する。保持部２３１は、水平に配置された基板Ｗの中心部分を支持し、負圧の付与等によって当該基板Ｗを吸着する。回転駆動部２３２は、例えば電動モータ等によって、鉛直内軸線まわりに回転駆動部２３２を回転させる。昇降駆動部２３３は、例えば電動モータ又は空気圧アクチュエータ等により、保持部２３１を昇降させる。
As an example, the
第２スピンチャック２３０は、基板を支持した基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部２３１の上に配置した状態で、昇降駆動部２３３により保持部２３１を上昇させる。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部２３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部２３１に基板Ｗが引き渡される。チャンバー１０外の搬送装置は、保持部２３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置にて基板Ｗを支持した状態で、基板Ｗを保持部２３１から受け取って第２処理空間２４から搬出する。
The
鉛直軸まわりの基板Ｗの向きを変更する場合、第２スピンチャック２３０は、保持部２３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態にて、回転駆動部２３２により保持部２３１を回転させる。この場合、第２スピンチャック２３０は、少なくとも回転駆動部２３２により保持部２３１を回転させる期間において、保持部２３１により基板Ｗを吸着させてもよい。
When changing the orientation of the substrate W around the vertical axis, the
第１照射部１４０は、第１処理空間２３内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射する。例えば第１照射部１４０は、第１スピンチャック１３０と区画壁１８との間に設けられており、第１処理空間２３内において基板ホルダ３１０に支持された基板Ｗの裏面Ｗｂ（下面）にエネルギー線を照射する。エネルギー線は、例えば波長が１００～４００ｎｍの紫外線である。一例として、第１照射部１４０は、第１光源１４１と、第１収容部１４２と、第１窓部１４３とを有する。
The
第１光源１４１は、ランプ収容空間２２内に設けられ、電力の供給に応じてエネルギー線を発生させる。例えば第１光源１４１は、左右方向に沿った棒状の１本以上のランプを有する。ランプの具体例としては、低圧水銀ランプ又は誘電体バリア放電ランプ等が挙げられる。低圧水銀ランプは、波長が１８５ｎｍ又は２５４ｎｍの紫外線を発生させる。誘電体バリア放電ランプは、波長が１７２ｎｍの紫外線を発生させる。
The first
第１収容部１４２は、ランプ収容空間２２内のうち、第１処理空間２３に隣接する位置において、第１光源１４１を収容する。第１収容部１４２内には、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスが封入されている。
The first
第１窓部１４３は区画壁１７に設けられ、第１収容部１４２内において第１光源１４１が出射したエネルギー線を第１処理空間２３に透過させる。例えば第１窓部１４３は、区画壁１７に形成された開口を石英ガラスなどの透明部材で塞ぐことにより構成されている。
The
第１照射部１４０は、区画壁１８から離れていてもよい。例えば、第１光源１４１、第１収容部１４２及び第１窓部１４３は、端壁１１に向かって区画壁１８から離れた位置に設けられていてもよい。
The
第１照射部１４０は、基板Ｗの裏面Ｗｂ（処理対象面）よりも狭い第１照射領域Ａ１にエネルギー線を照射し、搬送部３００は、裏面Ｗｂの全域が第１照射領域Ａ１に重なるように基板Ｗを搬送してもよい。
The
搬送部３００による基板Ｗの搬送方向における第１照射領域Ａ１の幅は、当該搬送方向における裏面Ｗｂの幅よりも小さい。一方、搬送部３００による基板Ｗの搬送方向に垂直な方向において、第１照射領域Ａ１は、裏面Ｗｂが通過する領域の全域にかかるように延びている。このため、搬送部３００が基板Ｗを搬送することによって、裏面Ｗｂの全域が第１照射領域Ａ１に重なることとなる。
The width of the first irradiation region A1 in the transport direction of the substrate W by the
第２照射部２４０は、第２処理空間２４内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射する。例えば第２照射部２４０は、区画壁１８と第２スピンチャック２３０との間に設けられており、第２処理空間２４内において基板ホルダ３１０に支持された基板Ｗの裏面Ｗｂ（下面）にエネルギー線を照射する。第２照射部２４０が照射するエネルギー線は、第１照射部１４０が照射するエネルギー線と同種である。一例として、第２照射部２４０は、第２光源２４１と、第２収容部２４２と、第２窓部２４３とを有する。
The
第２光源２４１は、ランプ収容空間２２内に設けられ、電力の供給に応じてエネルギー線を発生させる。例えば第２光源２４１は、第１光源１４１と同様に、左右方向に沿った棒状の１本以上のランプを有する。ランプの具体例としては、低圧水銀ランプ又は誘電体バリア放電ランプ等が挙げられる。
The second
第２収容部２４２は、ランプ収容空間２２内のうち、第２処理空間２４に隣接する位置において、第２光源２４１を収容する。第２収容部２４２内には、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスが封入されている。
The second
第２窓部２４３は区画壁１７に設けられ、第２収容部２４２内において第２光源２４１が出射したエネルギー線を第２処理空間２４に透過させる。例えば第２窓部２４３は、区画壁１７に形成された開口を石英ガラスなどの透明部材で塞ぐことにより構成されている。
The
第２照射部２４０は、区画壁１８から離れていてもよい。例えば、第２光源２４１、第２収容部２４２及び第２窓部２４３は、端壁１２に向かって区画壁１８から離れた位置に設けられていてもよい。
The
第２照射部２４０は、基板Ｗの裏面Ｗｂ（処理対象面）よりも狭い第２照射領域Ａ２にエネルギー線を照射し、搬送部３００は、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なるように基板Ｗを搬送してもよい。
The
搬送部３００による基板Ｗの搬送方向における第２照射領域Ａ２の幅は、当該搬送方向における裏面Ｗｂの幅よりも小さい。一方、搬送部３００による基板Ｗの搬送方向に垂直な方向において、第２照射領域Ａ２は、裏面Ｗｂが通過する領域の全域にかかるように延びている。このため、搬送部３００が基板Ｗを搬送することによって、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なることとなる。
The width of the second irradiation region A2 in the transport direction of the substrate W by the
第１ガス供給部１１０は、第１処理空間２３に不活性ガスを供給する。「不活性ガス」は、空気に比較して反応性の低いガスである。不活性ガスの具体例としては、窒素ガス又はアルゴンガス等が挙げられる。例えば第１ガス供給部１１０は、第１吹き込み口１１１と、第１送ガス部１１２とを有する。第１吹き込み口１１１は、上記搬送平面Ｐ１と第１照射部１４０との間に向かって開口する。例えば第１吹き込み口１１１は、端壁１１に設けられ、搬送平面Ｐ１と第１照射部１４０との間を経て区画壁１８に対向している。第１送ガス部１１２は、ガスタンク等の供給源に接続された管を有し、供給源から第１吹き込み口１１１に不活性ガスを送る。
The first
第２ガス供給部２１０は、第２処理空間２４に活性ガスを供給する。「活性ガス」は、反応性が空気と同等以上のガスであり、空気であってもよい。例えば第２ガス供給部２１０は、第２吹き込み口２１１と、第２送ガス部２１２とを有する。第２吹き込み口２１１は、上記搬送平面Ｐ１と第２照射部２４０との間に向かって開口する。例えば第２吹き込み口２１１は、端壁１２に設けられ、搬送平面Ｐ１と第２照射部２４０との間を経て区画壁１８に対向している。第２送ガス部２１２は、ブロワ等の供給源に接続された管を有し、供給源から第２吹き込み口２１１に活性ガスを送る。
The second
第１排気部１２０は、第１処理空間２３からガスを排出する。例えば第１排気部１２０は第１排気口１２１を有する。第１排気口１２１は、第１処理空間２３内に開口し、チャンバー１０外の第１排気ダクト１２２に接続されている。第１排気口１２１は、第１照射部１４０との間に搬送平面Ｐ１を挟む位置において第１処理空間２３内に開口していてもよい。一例として、第１排気口１２１は、天板１５に設けられ、下方に向かって開口している。第１排気口１２１は、端壁１１と区画壁１８との間において端壁１１寄りに位置してもよい。
The
第２排気部２２０は、第２処理空間２４からガスを排出する。例えば第２排気部２２０は第２排気口２２１を有する。第２排気口２２１は、第２処理空間２４内に開口し、チャンバー１０外の第２排気ダクト２２２に接続されている。第２排気口２２１は、第２照射部２４０との間に搬送平面Ｐ１を挟む位置において第２処理空間２４内に開口していてもよい。一例として、第２排気口２２１は、天板１５に設けられ、下方に向かって開口している。第２排気口２２１は、区画壁１８と端壁１２との間において区画壁１８寄りに位置してもよい。
The
制御装置４００は、一連の基板洗浄手順を実行するように、上述のハードウェアを制御する。例えば制御装置４００は、機能上の構成（以下、「機能ブロック」という。）として、レシピ記憶部４１１と、受入制御部４１２と、搬送制御部４１３と、第１照射制御部４１４と、第２照射制御部４１５と、送出制御部４１６とを有する。
The
レシピ記憶部４１１は、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射量を第１目標照射量に合わせるための第１動作条件と、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射量を第２目標照射量に合わせるための第２動作条件と、を含む１以上の動作条件を記憶する。
The
受入制御部４１２は、基板Ｗを第１処理空間２３内に受け入れるように、受入シャッター３１及び第１スピンチャック１３０を制御する。例えば受入制御部４１２は、基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部１３１の上に配置した状態で、基板Ｗの搬入タイミング（チャンバー１０外の搬送装置が基板Ｗを第１処理空間２３に搬入するタイミング）の通知を待機する。
The
受入制御部４１２は、搬入タイミングの通知に基づいて、搬入タイミングの前に昇降駆動部１３３により保持部１３１を上昇させ、保持部１３１を基板ホルダ３１０よりも高い位置に配置させる。また、受入制御部４１２は、搬入タイミングの前に受入シャッター３１により受入開口２５を開かせる。
The
受入制御部４１２は、保持部１３１上に基板Ｗが配置された後に、受入シャッター３１により受入開口２５を閉じさせ、昇降駆動部１３３により保持部１３１を下降させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部１３１を下降させることによって、保持部１３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが引き渡される。
After the substrate W is arranged on the holding
搬送制御部４１３は、第１処理空間２３内において、裏面Ｗｂの全域が上記第１照射領域Ａ１に重なるように、搬送部３００により基板Ｗを前進させる。その後、搬送制御部４１３は、搬送部３００により、基板Ｗを第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に移動させる。搬送制御部４１３は、搬送部３００が第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させる前に、搬送シャッター３２により搬送開口２６を開かせてもよい。また、搬送制御部４１３は、搬送部３００が第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板を移動させた後に、搬送シャッター３２により搬送開口２６を閉じさせてもよい。第２処理空間２４内において、搬送制御部４１３は、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なるように、搬送部３００により基板Ｗを前進させる。
The
第１照射制御部４１４は、少なくとも、裏面Ｗｂの全域が第１照射領域Ａ１に重なるように搬送部３００が基板Ｗを前進させる期間において、第１光源１４１を点灯させる。以下、裏面Ｗｂの全域が第１照射領域Ａ１に重なるように搬送部３００が基板Ｗを前進させる期間を「第１走査期間」という。例えば第１照射制御部４１４は、第１走査期間の開始タイミングに合わせて第１光源１４１を点灯させる。開始タイミングに合わせて第１光源１４１を点灯させることは、開始タイミングの前に第１光源１４１を点灯させることを含む。また、第１照射制御部４１４は、第１走査期間の終了タイミングに合わせて第１光源１４１を消灯させる。終了タイミングに合わせて第１光源１４１を消灯させることは、終了タイミングの後に第１光源１４１を消灯させることを含む。
The first
第２照射制御部４１５は、少なくとも、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なるように搬送部３００が基板Ｗを前進させる期間において、第２光源２４１を点灯させる。以下、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なるように搬送部３００が基板Ｗを前進させる期間を「第２走査期間」という。例えば第２照射制御部４１５は、第２走査期間の開始タイミングに合わせて第２光源２４１を点灯させる。開始タイミングに合わせて第２光源２４１を点灯させることは、開始タイミングの前に第２光源２４１を点灯させることを含む。また、第２照射制御部４１５は、第２走査期間の終了タイミングに合わせて第２光源２４１を消灯させる。終了タイミングに合わせて第２光源２４１を消灯させることは、終了タイミングの後に第２光源２４１を消灯させることを含む。
The second
ここで、搬送制御部４１３は、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射量を第１目標照射量に合わせ、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射量を第２目標照射量に合わせるように、搬送部３００を制御してもよい。例えば搬送制御部４１３は、第１走査期間における基板Ｗの前進速度を、上記第１動作条件に基づく第１目標前進速度に合わせるように搬送部３００を制御する。また、搬送制御部４１３は、第２走査期間における基板Ｗの前進速度を、上記第２動作条件に基づく第２目標前進速度に合わせるように搬送部３００を制御する。
Here, the
送出制御部４１６は、基板Ｗを第２処理空間２４外に送り出すように、第２スピンチャック２３０及び送出シャッター３３を制御する。例えば送出制御部４１６は、基板Ｗを支持した基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部２３１の上に配置した状態で、昇降駆動部２３３により保持部２３１を上昇させる。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部２３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部２３１に基板Ｗが引き渡される。
The
保持部２３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態で、送出制御部４１６は、送出シャッター３３により送出開口２７を開かせる。送出制御部４１６は、第２処理空間２４から基板Ｗが搬出された後に、送出シャッター３３により送出開口２７を閉じさせ、昇降駆動部２３３により保持部２３１を下降させる。
In a state where the holding
保持部２３１が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで下降した後に、搬送制御部４１３は、基板ホルダ３１０を第２処理空間２４内から第１処理空間２３内に移動させ、保持部１３１の上方に配置するように搬送部３００を制御してもよい。この際に、搬送制御部４１３は、搬送部３００が基板ホルダ３１０を区画壁１８に接近させるのに応じて搬送シャッター３２により搬送開口２６を開かせてもよい。また、搬送制御部４１３は、搬送部３００が第２処理空間２４内から第１処理空間２３内に基板ホルダ３１０を移動させた後に、搬送シャッター３２により搬送開口２６を閉じさせてもよい。
After the holding
上述のハードウェアにおいては、基板Ｗが複数の支持爪３１２により支持される。このため、裏面Ｗｂのうち支持爪３１２に支持される部分には、エネルギー線を照射することができない。そこで、制御装置４００は、第１スピンチャック１３０により基板Ｗの向きを変更させながら搬送部３００に第１走査期間を複数回繰り返させるように構成されていてもよい。同様に、制御装置４００は、第２スピンチャック２３０により基板Ｗの向きを変更させながら搬送部３００に第２走査期間を複数回繰り返させるように構成されていてもよい。例えば制御装置４００は、第１持替制御部４１７と、第２持替制御部４１８とを更に有する。
In the above hardware, the substrate W is supported by a plurality of
第１持替制御部４１７は、第１スピンチャック１３０に基板Ｗの向きを変更させる。例えば第１持替制御部４１７は、基板Ｗを支持した基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部１３１の上に配置した状態で、昇降駆動部１３３により保持部１３１を上昇させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部１３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部１３１に基板Ｗが引き渡される。
The first
保持部１３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態で、第１持替制御部４１７は保持部１３１に基板Ｗを吸着させ、回転駆動部１３２により保持部１３１を回転させる。この際、第１持替制御部４１７は、隣り合う支持爪３１２間のいずれの角度ピッチとも異なる回転角度で保持部１３１を回転させる。なお、「角度ピッチ」は、隣り合う支持爪３１２の間隔を、包囲部３１１の中心まわりの角度で表した値である。
In a state where the holding
回転駆動部１３２が保持部１３１を回転させた後、第１持替制御部４１７は、保持部１３１による基板Ｗの吸着を解除させ、昇降駆動部１３３により保持部１３１を下降させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部１３１を下降させることによって、保持部１３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが戻される。
After the
以上の手順によって、基板ホルダ３１０が支持する基板Ｗの鉛直軸まわりの向きが変更され、変更前に支持爪３１２に支持されていた部分が下方に露出する。これにより、支持爪３１２に支持されていた部分にエネルギー線を照射することが可能となる。
By the above procedure, the orientation of the substrate W supported by the
搬送制御部４１３は、上記第１走査期間を複数回繰り返すように、第１処理空間２３内において、搬送部３００により基板ホルダ３１０の前進と後退を繰り返させる。第１持替制御部４１７は、第１走査期間と第１走査期間との間で、上述のように第１スピンチャック１３０により基板Ｗの向きを変更させる。
The
第２持替制御部４１８は、第２スピンチャック２３０に基板Ｗの向きを変更させる。例えば第２持替制御部４１８は、基板Ｗを支持した基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部２３１の上に配置した状態で、昇降駆動部２３３により保持部２３１を上昇させる。
昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部２３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部２３１に基板Ｗが引き渡される。
The second
The elevating
保持部２３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態で、第２持替制御部４１８は保持部２３１に基板Ｗを吸着させ、回転駆動部２３２により保持部２３１を回転させる。この際、第２持替制御部４１８は、隣り合う支持爪３１２間のいずれの角度ピッチとも異なる回転角度で保持部２３１を回転させる。
In a state where the holding
回転駆動部２３２が保持部２３１を回転させた後、第２持替制御部４１８は、保持部２３１による基板Ｗの吸着を解除させ、昇降駆動部２３３により保持部２３１を下降させる。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部２３１を下降させることによって、保持部２３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが戻される。
After the
以上の手順によって、基板ホルダ３１０が支持する基板Ｗの鉛直軸まわりの向きが変更され、変更前に支持爪３１２に支持されていた部分が下方に露出する。これにより、支持爪３１２に支持されていた部分にエネルギー線を照射することが可能となる。
By the above procedure, the orientation of the substrate W supported by the
搬送制御部４１３は、上記第２走査期間を複数回繰り返すように、第２処理空間２４内において、搬送部３００により基板ホルダ３１０の前進と後退を繰り返させる。第２持替制御部４１８は、第２走査期間と第２走査期間との間で、上述のように第２スピンチャック２３０により基板Ｗの向きを変更させる。
The
図３は、制御装置４００のハードウェア構成を例示するブロック図である。制御装置４００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。図３に示すように、制御装置４００は回路４９０を有する。回路４９０は、少なくとも一つのプロセッサ４９１と、メモリ４９２と、ストレージ４９３と、入出力ポート４９４とを含む。ストレージ４９３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。ストレージ４９３は、第１処理空間２３に不活性ガスを供給することと、第２処理空間２４に活性ガスを供給することと、第１処理空間２３内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射することと、第２処理空間２４内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射することと、第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させることと、を制御装置４００に実行させるためのプログラムを記憶している。ストレージ４９３は、上述した機能ブロックを制御装置４００に構成させるためのプログラムを記憶している。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a hardware configuration of the
メモリ４９２は、ストレージ４９３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ４９１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ４９１は、メモリ４９２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート４９４は、プロセッサ４９１からの指令に応じて、受入シャッター３１、搬送シャッター３２、送出シャッター３３、第１スピンチャック１３０、第１照射部１４０、第２スピンチャック２３０、第２照射部２４０及び搬送部３００との間で電気信号の入出力を行う。
The
なお、制御装置４００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置４００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
The hardware configuration of the
〔基板洗浄手順〕
続いて、基板洗浄方法の一例として、制御装置４００が実行する基板洗浄手順を例示する。図４に示す手順は、基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部１３１の上に配置した状態で開始される。
[Substrate cleaning procedure]
Subsequently, as an example of the substrate cleaning method, a substrate cleaning procedure executed by the
まず、制御装置４００は、ステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５，Ｓ０６，Ｓ０７，Ｓ０８，Ｓ０９，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９を実行する。ステップＳ０１では、受入制御部４１２が、基板Ｗの搬入タイミングの通知を待機する。ステップＳ０２では、受入制御部４１２が、搬入タイミングの通知に基づいて、搬入タイミングの前に昇降駆動部１３３により保持部１３１を上昇させ、基板ホルダ３１０よりも高い位置に保持部１３１を配置させる。ステップＳ０３では、受入制御部４１２が、受入シャッター３１により受入開口２５を開かせる（図６の（ａ）参照）。
First, the
ステップＳ０４では、チャンバー１０外の搬送装置が第１処理空間２３に基板Ｗを搬入し、保持部１３１上に配置するのを、受入制御部４１２が待機する。ステップＳ０５では、受入制御部４１２が、受入シャッター３１により受入開口２５を閉じさせる（図６の（ｂ）参照）。ステップＳ０６では、受入制御部４１２が、昇降駆動部１３３により保持部１３１を下降させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部１３１を下降させることによって、保持部１３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが引き渡される（図６の（ｃ）参照）。
In step S04, the
ステップＳ０７では、搬送制御部４１３及び第１照射制御部４１４が、搬送部３００により基板Ｗを前進させながら、第１照射部１４０により裏面Ｗｂにエネルギー線を照射させる（図７の（ａ）参照）。ステップＳ０７の具体的な内容については後述する。ステップＳ０８では、搬送制御部４１３が、搬送シャッター３２により搬送開口２６を開かせる（図７の（ｂ）参照）。
In step S07, the
ステップＳ０９では、搬送制御部４１３が、搬送部３００に基板Ｗの前進を開始させる。ステップＳ１１では、搬送制御部４１３が、搬送部３００が第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させるのを待機する。ステップＳ１２では、搬送制御部４１３が、搬送部３００に基板Ｗの前進を終了させる。
In step S09, the
ステップＳ１３では、搬送制御部４１３が、搬送シャッター３２により搬送開口２６を閉じさせる（図７の（ｃ）参照）。ステップＳ１４では、搬送制御部４１３及び第２照射制御部４１５が、搬送部３００により基板Ｗを前進させながら、第２照射部２４０により裏面Ｗｂにエネルギー線を照射させる（図８の（ａ）参照）。ステップＳ１４の具体的な内容については後述する。
In step S13, the
ステップＳ１５では、送出制御部４１６が、基板を支持した基板ホルダ３１０を搬送部３００が保持部２３１の上に配置した状態で、昇降駆動部２３３により保持部２３１を上昇させる（図８の（ｂ）参照）。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部２３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部２３１に基板Ｗが引き渡される。
In step S15, the
ステップＳ１６では、送出制御部４１６が、送出シャッター３３により送出開口２７を開かせる。ステップＳ１７では、チャンバー１０外の搬送装置が第２処理空間２４から基板Ｗを搬出するのを、送出制御部４１６が待機する。ステップＳ１８では、送出制御部４１６が、送出シャッター３３により送出開口２７を閉じさせる（図８の（ｃ）参照）。ステップＳ１９では、送出制御部４１６が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで、昇降駆動部２３３により保持部２３１を下降させる。
In step S16, the
次に、図５に示すように、制御装置４００は、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４，Ｓ２５，Ｓ２６，Ｓ２７を実行する。ステップＳ２１では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板ホルダ３１０の後退を開始させる。ステップＳ２２では、基板ホルダ３１０が所定レベルまで区画壁１８に接近するのを、搬送制御部４１３が待機する。ステップＳ２３では、搬送制御部４１３が、搬送シャッター３２により搬送開口２６を開かせる。ステップＳ２４では、基板ホルダ３１０が第２処理空間２４内から第１処理空間２３内に移動するのを、搬送制御部４１３が待機する。
Next, as shown in FIG. 5, the
ステップＳ２５では、搬送制御部４１３が、搬送シャッター３２により搬送開口２６を閉じさせる。ステップＳ２６では、基板ホルダ３１０が保持部１３１の上方に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。ステップＳ２７では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板ホルダ３１０の後退を終了させる。その後、制御装置４００は処理をステップＳ０１に戻す。制御装置４００は以上の手順を繰り返す。
In step S25, the
図９は、ステップＳ０７におけるエネルギー線の照射手順を例示するフローチャートである。図９に示すように、制御装置４００は、ステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３，Ｓ３４，Ｓ３５，Ｓ３６，Ｓ３７，Ｓ３８，Ｓ３９，Ｓ４１，Ｓ４２，Ｓ４３，Ｓ４４，Ｓ４５，Ｓ４６，Ｓ４７を実行する。ステップＳ３１では、第１照射制御部４１４が、第１光源１４１を点灯させる。ステップＳ３２では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を開始させる。ステップＳ３３では、基板Ｗが、照射完了位置に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。照射完了位置は、例えば上記第１走査期間が完了する際の基板Ｗの位置である。
FIG. 9 is a flowchart illustrating the procedure for irradiating the energy rays in step S07. As shown in FIG. 9, the
ステップＳ３４では、第１照射制御部４１４が、第１光源１４１を消灯させる。ステップＳ３５では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を終了させる。ステップＳ３６では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの後退を開始させる。ステップＳ３７では、基板ホルダ３１０が保持部１３１の上方に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。
In step S34, the first
ステップＳ３８では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの後退を終了させる。ステップＳ３９では、第１持替制御部４１７が、昇降駆動部１３３により保持部１３１を上昇させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部１３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部１３１に基板Ｗが引き渡される。
In step S38, the
ステップＳ４１では、保持部１３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態で、第１持替制御部４１７が保持部１３１により基板Ｗを吸着させ、回転駆動部１３２により保持部１３１を回転させる。ステップＳ４２では、第１持替制御部４１７が、保持部１３１による基板Ｗの吸着を解除させ、昇降駆動部１３３により保持部１３１を下降させる。昇降駆動部１３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部１３１を下降させることによって、保持部１３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが戻される。
In step S41, with the holding
ステップＳ４３では、第１照射制御部４１４が、第１光源１４１を点灯させる。ステップＳ４４では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を開始させる。ステップＳ４５では、基板Ｗが、上記照射完了位置に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。ステップＳ４６では、第１照射制御部４１４が、第１光源１４１を消灯させる。ステップＳ４７では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を終了させる。以上で第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射手順が完了する。
In step S43, the first
図１０は、ステップＳ１４におけるエネルギー線の照射手順を例示するフローチャートである。図１０に示すように、制御装置４００は、ステップＳ５１，Ｓ５２，Ｓ５３，Ｓ５４，Ｓ５５，Ｓ５６，Ｓ５７，Ｓ５８，Ｓ５９，Ｓ６１，Ｓ６２，Ｓ６３，Ｓ６４，Ｓ６５，Ｓ６６，Ｓ６７を実行する。ステップＳ５１では、第２照射制御部４１５が、第２光源２４１を点灯させる。ステップＳ５２では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を開始させる。ステップＳ５３では、基板ホルダ３１０が保持部２３１の上方に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。ステップＳ５４では、第２照射制御部４１５が、第２光源２４１を消灯させる。ステップＳ５５では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を終了させる。
FIG. 10 is a flowchart illustrating the procedure for irradiating the energy rays in step S14. As shown in FIG. 10, the
ステップＳ５６では、第２持替制御部４１８が、昇降駆動部２３３により保持部２３１を上昇させる。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも高い位置まで保持部２３１を上昇させることによって、基板ホルダ３１０から保持部２３１に基板Ｗが引き渡される。ステップＳ５７では、保持部２３１が基板ホルダ３１０よりも高い位置で基板Ｗを支持した状態で、第２持替制御部４１８が保持部２３１により基板Ｗを吸着させ、回転駆動部２３２により保持部２３１を回転させる。
In step S56, the second
ステップＳ５８では、第２持替制御部４１８が、保持部２３１による基板Ｗの吸着を解除させ、昇降駆動部２３３により保持部２３１を下降させる。昇降駆動部２３３が、基板ホルダ３１０よりも低い位置まで保持部２３１を下降させることによって、保持部２３１から基板ホルダ３１０に基板Ｗが戻される。ステップＳ５９では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの後退を開始させる。ステップＳ６１では、基板Ｗが照射開始位置に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。照射開始位置は、例えば第２走査期間が開始する際の基板Ｗの位置である。
In step S58, the second
ステップＳ６２では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの後退を終了させる。ステップＳ６３では、第２照射制御部４１５が、第２光源２４１を点灯させる。ステップＳ６４では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を開始させる。ステップＳ６５では、基板ホルダ３１０が保持部２３１の上方に到達するのを、搬送制御部４１３が待機する。ステップＳ６６では、第２照射制御部４１５が、第２光源２４１を消灯させる。ステップＳ６７では、搬送制御部４１３が、搬送部３００により基板Ｗの前進を終了させる。以上で第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射手順が完了する。
In step S62, the
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、基板洗浄装置１は、基板Ｗを収容可能な第１処理空間２３と、基板Ｗを収容可能な第２処理空間２４と、第１処理空間２３に不活性ガスを供給する第１ガス供給部１１０と、第２処理空間２４に活性ガスを供給する第２ガス供給部２１０と、第１処理空間２３内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射する第１照射部１４０と、第２処理空間２４内に収容された基板Ｗにエネルギー線を照射する第２照射部２４０と、第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させる搬送部３００と、を備える。
[Effect of this embodiment]
As described above, the
基板にエネルギー線を照射する装置によれば、基板に付着した有機物を除去することができる。基板に付着した有機物は、エネルギー線の照射によって次のように除去される。基板の処理対象面にエネルギー線が照射されると、処理対象面に付着した有機物が分解される。基板が配置された処理空間内の酸素含有ガスにエネルギー線が作用してオゾンガスが発生する。処理対象面に付着した状態で分解された有機物は、オゾンガスによって処理対象面から除去される。 According to a device that irradiates the substrate with energy rays, organic substances adhering to the substrate can be removed. The organic matter adhering to the substrate is removed by irradiation with energy rays as follows. When the surface to be processed of the substrate is irradiated with energy rays, the organic matter adhering to the surface to be processed is decomposed. Energy rays act on the oxygen-containing gas in the processing space in which the substrate is arranged to generate ozone gas. The organic matter decomposed while adhering to the surface to be treated is removed from the surface to be treated by ozone gas.
オゾンガスを発生させる観点では、処理空間内のガスの酸素濃度が高い方が有利である。一方、処理空間内のガスの酸素濃度が高いと、ガスを通過する際のエネルギー線の減衰が大きいので、エネルギー線が処理対象面に付着した有機物に作用し難くなる。そこで、基板から有機物を除去する処理を、有機物を分解する第１段階と、分解した有機物を除去する第２段階とに分け、第１段階における処理空間内の酸素濃度に比較して、第２段階における処理空間内の酸素濃度を高くすることが考えられる。 From the viewpoint of generating ozone gas, it is advantageous that the oxygen concentration of the gas in the treatment space is high. On the other hand, when the oxygen concentration of the gas in the processing space is high, the energy rays are greatly attenuated when passing through the gas, so that the energy rays are less likely to act on the organic matter adhering to the surface to be processed. Therefore, the process of removing the organic substance from the substrate is divided into a first step of decomposing the organic substance and a second step of removing the decomposed organic substance, and the second step is compared with the oxygen concentration in the treatment space in the first step. It is conceivable to increase the oxygen concentration in the treatment space at the stage.
しかしながら、同じ処理空間内を、第１段階用の酸素濃度から第２段階用の酸素濃度まで変化させるのには時間がかかる。また、酸素濃度を大きく変更する過程で、処理空間内の位置によって酸素濃度の斑が生じ、この斑に起因して洗浄効果の均一性が低下するおそれもある。 However, it takes time to change the oxygen concentration for the first stage to the oxygen concentration for the second stage in the same processing space. In addition, in the process of significantly changing the oxygen concentration, spots in the oxygen concentration may occur depending on the position in the treatment space, and the uniformity of the cleaning effect may decrease due to these spots.
これに対し、上述した基板洗浄装置１によれば、まず、第１段階用の酸素濃度に調節された第１処理空間２３内において第１照射部１４０により基板Ｗにエネルギー線を照射させる。その後、その基板Ｗを第２段階用の酸素濃度に調節された第２処理空間２４内に移動させ、第２処理空間２４内において第２照射部２４０によりその基板Ｗにエネルギー線を照射させる。これにより、第１段階から第２段階への移行をスムーズに行うことができる。また、第１段階から第２段階への移行のために同一の処理空間内の酸素濃度を大きく変更する必要がないので、酸素濃度の斑に起因する洗浄効果の均一性低下も生じ難い。従って、有機物の除去効率を向上させるのに有効である。
On the other hand, according to the
第１処理空間２３と、第２処理空間２４とは区画壁１８を介して隣接しており、区画壁１８は、基板Ｗが通過可能な搬送開口２６を有し、搬送部３００は、搬送開口２６を経て第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させてもよい。この場合、区画壁１８を通過させるだけで、基板Ｗを第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に移すことができるので、第１段階から第２段階への移行をよりスムーズに行うことができる。また、搬送部３００を簡素化することもできる。
The
基板洗浄装置１は、第１処理空間２３及び第２処理空間２４と区画壁１７を介して隣接したランプ収容空間２２を更に備え、第１照射部１４０は、ランプ収容空間２２内に設けられたエネルギー線の第１光源１４１と、第１光源１４１が出射したエネルギー線を第１処理空間２３に透過させる第１窓部１４３と、を有し、第２照射部２４０は、ランプ収容空間２２内に設けられたエネルギー線の第２光源２４１と、第２光源２４１が出射したエネルギー線を第２処理空間２４に透過させる第２窓部２４３と、を有していてもよい。この場合、第１窓部１４３及び第２窓部２４３によって、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射領域と、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射領域とを適切に調節することができる。
The
基板洗浄装置１は、搬送開口２６を開閉する搬送シャッター３２を更に備えていてもよい。この場合、搬送開口２６を経たガス移動による搬送開口２６近傍の酸素濃度の乱れを抑制することができる。
The
搬送シャッター３２は、搬送部３００が第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させる前に搬送開口２６を開き、搬送部３００が第１処理空間２３内から第２処理空間２４内に基板Ｗを移動させた後に搬送開口２６を閉じてもよい。この場合、搬送開口２６を経たガス移動に伴う搬送開口２６近傍の酸素濃度の乱れをより確実に抑制することができる。
The
第１照射部１４０及び第２照射部２４０は、区画壁１８から離れていてもよい。この場合、搬送開口２６近傍の酸素濃度の乱れが、第１段階及び第２段階のそれぞれに及ぼす影響を抑制することができる。
The
第１照射部１４０は、基板Ｗの裏面Ｗｂ（処理対象面）よりも狭い第１照射領域Ａ１にエネルギー線を照射し、搬送部３００は、裏面Ｗｂの全域が第１照射領域Ａ１に重なるように基板Ｗを搬送してもよい。この場合、搬送部３００を、第１照射領域Ａ１の走査にも有効活用することができる。また、第１照射領域Ａ１を、酸素濃度が安定した領域に限ることによって、第１段階の処理の安定性を更に向上させることもできる。
The
第２照射部２４０は、裏面Ｗｂよりも狭い第２照射領域Ａ２にエネルギー線を照射し、搬送部３００は、裏面Ｗｂの全域が第２照射領域Ａ２に重なるように基板Ｗを搬送してもよい。この場合、搬送部３００を、第２照射領域Ａ２の走査にも有効活用することができる。また、第２照射領域Ａ２を、酸素濃度が安定した領域に限ることによって、第２段階の処理の安定性を更に向上させることもできる。
The
基板洗浄装置１は、第１処理空間２３からガスを排出する第１排気部１２０と、第２処理空間２４からガスを排出する第２排気部２２０と、を更に備えていてもよい。この場合、第１処理空間２３及び第２処理空間２４のそれぞれから古いガスを排出することによって、第１処理空間２３内及び第２処理空間２４内のそれぞれの酸素濃度の安定性を更に向上させることができる。
The
搬送部３００は、第１処理空間２３及び第２処理空間２４を通る搬送平面Ｐ１に沿って基板Ｗを搬送し、第１ガス供給部１１０は、搬送平面Ｐ１と第１照射部１４０との間に向かって開口する第１吹き込み口１１１と、第１吹き込み口１１１に不活性ガスを送る第１送ガス部１１２と、を有し、第２ガス供給部２１０は、搬送平面Ｐ１と第２照射部２４０との間に向かって開口する第２吹き込み口２１１と、第２吹き込み口２１１に活性ガスを送る第２送ガス部２１２と、を有していてもよい。この場合、第１段階では、基板Ｗと第１照射部１４０との間における酸素濃度の安定性を向上させ、第２段階では、基板Ｗと第２照射部２４０との間における酸素濃度の安定性を向上させることができる。
The
第１吹き込み口１１１は、搬送平面Ｐ１と第１照射部１４０との間を経て区画壁１８に対向し、第２吹き込み口２１１は、搬送平面Ｐ１と第２照射部２４０との間を経て区画壁１８に対向していてもよい。この場合、第１段階においては、搬送開口２６から基板Ｗと第１照射部１４０との間に向かう気流を抑制し、第２段階においては、搬送開口２６から基板Ｗと第２照射部２４０との間に向かう気流を抑制することができる。
The
第１排気部１２０は、第１照射部１４０との間に搬送平面Ｐ１を挟む位置において第１処理空間２３内に開口する第１排気口１２１を有し、第２排気部２２０は、第２照射部２４０との間に搬送平面Ｐ１を挟む位置において第２処理空間２４内に開口する第２排気口２２１を有していてもよい。この場合、第１段階においては、搬送開口２６から基板Ｗと第１照射部１４０との間に向かう気流を更に抑制し、第２段階においては、搬送開口２６から基板Ｗと第２照射部２４０との間に向かう気流を更に抑制することができる。
The
基板洗浄装置１は、第１処理空間２３を介して区画壁１８に対向する端壁１１と、第２処理空間２４を介して区画壁１８に対向する端壁１２と、を更に備え、第１排気口１２１は、端壁１１と区画壁１８との間において端壁１１寄りに位置し、第２排気口２２１は、区画壁１８と端壁１２との間において区画壁１８寄りに位置していてもよい。この場合、第１段階においては、搬送開口２６から基板Ｗと第１照射部１４０との間に向かう気流を更に抑制することができる。
The
基板洗浄装置１は、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射量を第１目標照射量に合わせ、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射量を第２目標照射量に合わせるように、搬送部３００を制御する搬送制御部４１３を更に備えていてもよい。この場合、搬送部３００を、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射量の調節と、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射量の調節とに有効活用することができる。
The
なお、以上に例示した制御手順においては、第１走査期間を２回繰り返す制御手順を例示したが、第１スピンチャック１３０により基板Ｗの向きを変更しながら、第１走査期間を３回以上繰り返してもよい。同様に、第２スピンチャック２３０により基板Ｗの向きを変更しながら、第２走査期間を３回以上繰り返してもよい。これにより、洗浄斑を更に抑制することができる。
In the control procedure exemplified above, the control procedure in which the first scanning period is repeated twice is illustrated, but the first scanning period is repeated three times or more while changing the orientation of the substrate W by the
搬送部３００は、第１走査期間及び第２走査期間において、鉛直軸周りに基板ホルダ３１０を揺動させるように構成されていてもよい。この場合、第１照射部１４０及び第２照射部２４０による照射斑に起因する洗浄斑を更に抑制することができる。
The
支持爪３１２に支持されている部分にエネルギー線を照射できないことが問題とならない（当該部分に付着した有機物は問題とならない）ことも考えられる。この場合、第１走査期間を１回にし、第１スピンチャック１３０により基板Ｗの向きを変える手順を省略してもよい。同様に、第２走査期間を１回にし、第２スピンチャック２３０により基板Ｗの向きを変える手順を省略してもよい。この場合、第１スピンチャック１３０及び第２スピンチャック２３０を、複数ピン（例えば３ピン）で基板Ｗを支持して昇降させる昇降装置に置き換えてもよい。
It is also conceivable that the inability to irradiate the portion supported by the
第１照射部１４０及び第２照射部２４０は必ずしも区画壁１８から離れていなくてよい。例えば図１１に示すように、区画壁１８に対応する位置を含むチャンバー１０の中央部分において、第１照射部１４０と第２照射部２４０とが一体的に構成されていてもよい。
The
送出開口２７及び送出シャッター３３を省略し、受入開口２５から基板Ｗを搬出させてもよい。この場合、装置構成の簡素化を図ることができる。受入開口２５から基板Ｗを搬出させる場合、第２処理空間２４内におけるエネルギー線の照射が完了した後、基板Ｗを保持した基板ホルダ３１０を第１処理空間２３内に戻すことが必要となる。
The sending
送出開口２７及び送出シャッター３３を省略し、且つ第２スピンチャック２３０により基板Ｗの向きを変える必要が無い場合、第２スピンチャック２３０を省略することも可能となる。
When the
受入開口２５及び受入シャッター３１を省略し、送出開口２７から基板Ｗを搬入させてもよい。この場合、装置構成の簡素化を図ることができる。送出開口２７から基板Ｗを搬出させる場合、第１処理空間２３内におけるエネルギー線の照射を開始する前に、基板Ｗを保持した基板ホルダ３１０を第１処理空間２３内に移動させることが必要となる。
The receiving
受入開口２５及び受入シャッター３１を省略し、且つ第１スピンチャック１３０により基板Ｗの向きを変える必要が無い場合、第１スピンチャック１３０を省略することも可能となる。
When the receiving
以上においては、基板Ｗの裏面Ｗｂにエネルギー線を照射する形態を例示したが、これに限られない。基板洗浄装置１は、基板Ｗの表面Ｗａ（上面）に上方からエネルギー線を照射するように構成されていてもよい。図１２は、基板Ｗの表面Ｗａにエネルギー線を照射する構成を例示する模式図である。
In the above, the form of irradiating the back surface Wb of the substrate W with energy rays has been illustrated, but the present invention is not limited to this. The
図１２の構成は、概ね、図１の構成の上下を反転させた構成となっている。基板Ｗの表面Ｗａに上方からエネルギー線を照射する場合、支持爪３１２に遮られてエネルギー線が照射されない部分が生じない。このため、図１２の構成においては、第１スピンチャック１３０が３ピンで基板Ｗを昇降させる昇降部１３０Ａに置き換えられている。また、第２スピンチャック２３０も、３ピンで基板Ｗを昇降させる昇降部２３０Ａに置き換えられている。
The configuration of FIG. 12 is generally a configuration in which the configuration of FIG. 1 is turned upside down. When the surface Wa of the substrate W is irradiated with energy rays from above, there is no portion blocked by the
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。 Although the embodiments have been described above, the present disclosure is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the gist thereof.
１…基板洗浄装置、１１…端壁（第１端壁）、１２…端壁（第２端壁）、１７…区画壁（第２区画壁）、１８…区画壁、２２…ランプ収容空間、２３…第１処理空間、２４…第２処理空間、２６…搬送開口、３２…搬送シャッター（シャッター）、１１０…第１ガス供給部、１１１…第１吹き込み口、１１２…第１送ガス部、１２０…第１排気部、１２１…第１排気口、１４０…第１照射部、１４１…第１光源、１４３…第１窓部、２１０…第２ガス供給部、２１１…第２吹き込み口、２１２…第２送ガス部、２２０…第２排気部、２２１…第２排気口、２４０…第２照射部、２４１…第２光源、２４３…第２窓部、３００…搬送部、４１３…搬送制御部、Ａ１…第１照射領域、Ａ２…第２照射領域、Ｐ１…搬送平面、Ｗ…基板、Ｗｂ…裏面（処理対象面）。 1 ... substrate cleaning device, 11 ... end wall (first end wall), 12 ... end wall (second end wall), 17 ... partition wall (second partition wall), 18 ... partition wall, 22 ... lamp accommodation space, 23 ... 1st processing space, 24 ... 2nd processing space, 26 ... transfer opening, 32 ... transfer shutter (shutter), 110 ... first gas supply unit, 111 ... first blow port, 112 ... first gas transmission unit, 120 ... 1st exhaust unit, 121 ... 1st exhaust port, 140 ... 1st irradiation unit, 141 ... 1st light source, 143 ... 1st window unit, 210 ... 2nd gas supply unit, 211 ... 2nd blow port, 212 ... 2nd gas sending unit, 220 ... 2nd exhaust unit, 221 ... 2nd exhaust port, 240 ... 2nd irradiation unit, 241 ... 2nd light source, 243 ... 2nd window unit, 300 ... transport unit, 413 ... transport control Part, A1 ... 1st irradiation region, A2 ... 2nd irradiation region, P1 ... Conveying plane, W ... Substrate, Wb ... Back surface (processed surface).
Claims (14)
前記基板を収容可能な第２処理空間と、
前記第１処理空間に不活性ガスを供給する第１ガス供給部と、
前記第２処理空間に活性ガスを供給する第２ガス供給部と、
前記第１処理空間内に収容された前記基板にエネルギー線を照射する第１照射部と、
前記第２処理空間内に収容された前記基板にエネルギー線を照射する第２照射部と、
前記第１処理空間内から前記第２処理空間内に前記基板を移動させる搬送部と、を備える基板洗浄装置。 The first processing space that can accommodate the substrate and
A second processing space that can accommodate the substrate and
The first gas supply unit that supplies the inert gas to the first treatment space,
A second gas supply unit that supplies an active gas to the second treatment space,
A first irradiation unit that irradiates the substrate housed in the first processing space with energy rays, and a first irradiation unit.
A second irradiation unit that irradiates the substrate housed in the second processing space with energy rays, and a second irradiation unit.
A substrate cleaning device including a transport unit for moving the substrate from the first processing space to the second processing space.
前記区画壁は、前記基板が通過可能な搬送開口を有し、
前記搬送部は、前記搬送開口を経て前記第１処理空間内から前記第２処理空間内に前記基板を移動させる、請求項１記載の基板洗浄装置。 The first processing space and the second processing space are adjacent to each other via a partition wall.
The partition wall has a transport opening through which the substrate can pass.
The substrate cleaning device according to claim 1, wherein the transport unit moves the substrate from the first processing space to the second processing space through the transport opening.
前記第１照射部は、
前記ランプ収容空間内に設けられたエネルギー線の第１光源と、
前記第１光源が出射したエネルギー線を前記第１処理空間に透過させる第１窓部と、を有し、
前記第２照射部は、
前記ランプ収容空間内に設けられたエネルギー線の第２光源と、
前記第２光源が出射したエネルギー線を前記第２処理空間に透過させる第２窓部と、を有する、請求項２記載の基板洗浄装置。 Further provided with the lamp accommodating space adjacent to the first processing space and the second processing space via the second partition wall.
The first irradiation unit is
The first light source of the energy ray provided in the lamp accommodation space and
It has a first window portion that allows the energy rays emitted by the first light source to pass through the first processing space.
The second irradiation unit is
A second light source of energy rays provided in the lamp accommodation space,
The substrate cleaning apparatus according to claim 2, further comprising a second window portion that allows energy rays emitted by the second light source to pass through the second processing space.
前記搬送部は、前記処理対象面の全域が前記第１照射領域に重なるように前記基板を搬送する、請求項２～６のいずれか一項記載の基板洗浄装置。 The first irradiation unit irradiates the first irradiation region narrower than the processing target surface of the substrate with energy rays.
The substrate cleaning device according to any one of claims 2 to 6, wherein the transport unit transports the substrate so that the entire area to be processed overlaps with the first irradiation region.
前記搬送部は、前記処理対象面の全域が前記第２照射領域に重なるように前記基板を搬送する、請求項７記載の基板洗浄装置。 The second irradiation unit irradiates the second irradiation region narrower than the surface to be processed with energy rays.
The substrate cleaning device according to claim 7, wherein the transport unit transports the substrate so that the entire area to be processed overlaps with the second irradiation region.
前記第２処理空間からガスを排出する第２排気部と、を更に備える、請求項２～８のいずれか一項記載の基板洗浄装置。 A first exhaust unit that discharges gas from the first processing space,
The substrate cleaning device according to any one of claims 2 to 8, further comprising a second exhaust unit for discharging gas from the second processing space.
前記第１ガス供給部は、
前記搬送平面と前記第１照射部との間に向かって開口する第１吹き込み口と、
前記第１吹き込み口に不活性ガスを送る第１送ガス部と、を有し、
前記第２ガス供給部は、
前記搬送平面と前記第２照射部との間に向かって開口する第２吹き込み口と、
前記第２吹き込み口に活性ガスを送る第２送ガス部と、を有する、請求項９記載の基板洗浄装置。 The transport unit transports the substrate along a transport plane passing through the first processing space and the second processing space.
The first gas supply unit is
A first blowing port that opens toward between the transport plane and the first irradiation unit,
It has a first gas feeding unit that sends an inert gas to the first blowing port, and has.
The second gas supply unit is
A second blowing port that opens toward the transport plane and the second irradiation portion,
The substrate cleaning device according to claim 9, further comprising a second gas sending unit that sends an active gas to the second blowing port.
前記第２吹き込み口は、前記搬送平面と前記第２照射部との間を経て前記区画壁に対向する、請求項１０記載の基板洗浄装置。 The first blowing port faces the partition wall via the transport plane and the first irradiation portion.
The substrate cleaning device according to claim 10, wherein the second blowing port faces the partition wall through between the transport plane and the second irradiation unit.
前記第２排気部は、前記第２照射部との間に前記搬送平面を挟む位置において前記第２処理空間内に開口する第２排気口を有する、請求項１０又は１１記載の基板洗浄装置。 The first exhaust unit has a first exhaust port that opens into the first processing space at a position where the transport plane is sandwiched between the first exhaust unit and the first irradiation unit.
The substrate cleaning device according to claim 10 or 11, wherein the second exhaust unit has a second exhaust port that opens into the second processing space at a position where the transport plane is sandwiched between the second exhaust unit and the second irradiation unit.
前記第２処理空間を介して前記区画壁に対向する第２端壁と、を更に備え、
前記第１排気口は、前記第１端壁と区画壁との間において前記第１端壁寄りに位置し、
前記第２排気口は、前記区画壁と前記第２端壁との間において前記区画壁寄りに位置する、請求項１２記載の基板洗浄装置。 A first end wall facing the partition wall via the first processing space,
A second end wall facing the partition wall via the second processing space is further provided.
The first exhaust port is located near the first end wall between the first end wall and the partition wall.
The substrate cleaning device according to claim 12, wherein the second exhaust port is located near the partition wall between the partition wall and the second end wall.
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