JP2022082494A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】信頼性の改善した表示装置を提供すること。【解決手段】表示装置は、表示領域と、表示領域の一側に位置するパッド領域とを有する基板と、基板上のパッド領域に配置されるパッド電極と、基板及びパッド電極上に配置され、パッド電極の上面の少なくとも一部を露出させる保護絶縁層と、保護絶縁層上に配置される無機封止層と、パッド電極に隣接する無機封止層の端部と保護絶縁層の間のパッド領域に配置される導電層とを含む。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関する。より詳しくは、本発明は、パッド電極を含む表示装置及びその製造方法に関する。
平板表示装置は、軽量及び薄型などの特性から、陰極線管表示装置を代替する表示装置として使用されている。このような平板表示装置の代表例として、液晶表示装置と有機発光表示装置とがある。
表示装置は、画素構造物が配置される表示領域と、パッド電極が配置されるパッド領域とを含む。前記画素構造物上には、前記画素構造物を保護する封止層が配置される。前記パッド電極は、前記画素構造物に提供される画像信号を生成する外部装置と電気的に接続される。前記パッド電極と重ならないように前記封止層を蒸着するためには、マスク構造物を用いた蒸着工程が求められ、このため、工程コストが増加するという問題がある。
本発明の目的は、信頼性の改善した表示装置を提供することである。
本発明の他の目的は、工程コストを節減した表示装置の製造方法を提供することである。
しかし、本発明は、上述した目的により限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で様々に拡張されることができる。
上述した本発明の目的を達成するために、本発明の例示的な実施例による表示装置は、表示領域と、前記表示領域の一側に位置するパッド領域とを有する基板と、前記基板上の前記パッド領域に配置されるパッド電極と、前記基板及び前記パッド電極上に配置され、前記パッド電極の上面の少なくとも一部を露出させる保護絶縁層と、前記保護絶縁層上に配置される無機封止層と、前記パッド電極に隣接する前記無機封止層の端部と前記保護絶縁層の間の前記パッド領域に配置される導電層とを含む。
一実施例において、前記無機封止層及び前記導電層のそれぞれは、平面上において、前記パッド電極の少なくとも一部と離隔している。
一実施例において、前記導電層は、前記無機封止層の前記端部に対して、アンダーカット形状を有する。
一実施例において、前記導電層は、第１のエッチング工程に対して、第１のエッチング率を有する。前記無機封止層は、前記第１のエッチング工程に対して、前記第１のエッチング率よりも高い第２のエッチング率を有する。
一実施例において、前記第１のエッチング工程は、ドライエッチング工程である。
一実施例において、前記導電層は、第２のエッチング工程に対して、第３のエッチング率を有する。前記パッド電極は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第４のエッチング率を有する。
一実施例において、前記保護絶縁層は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第５のエッチング率を有する。前記無機封止層は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第６のエッチング率を有する。
一実施例において、前記第２のエッチング工程は、ウェットエッチング工程である。
一実施例において、前記表示装置は、更に、前記基板上の前記表示領域に配置されるトランジスタと、前記トランジスタ上に配置され、前記トランジスタと電気的に接続される画素電極とを含む。前記導電層は、前記画素電極と同一層に配置される。
上述した本発明の他の目的を達成するために、本発明の例示的な実施例による表示装置の製造方法は、表示領域と、前記表示領域の一側に位置するパッド領域とを有する基板を準備するステップと、前記基板上の前記パッド領域に、パッド電極を形成するステップと、前記基板及び前記パッド電極上に、保護絶縁層を形成するステップと、前記保護絶縁層に、前記パッド電極の上面の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、前記パッド電極と前記保護絶縁層上の前記パッド領域に、前記コンタクトホールを覆う導電層を形成するステップと、前記保護絶縁層及び前記導電層上に、無機封止層を形成するステップと、第１のエッチング工程により、前記パッド電極の少なくとも一部と重なる前記無機封止層の一部を除去するステップと、第２のエッチング工程により、前記パッド電極の少なくとも一部と重なる前記導電層の一部を除去するステップとを含む。
本発明の例示的な実施例による表示装置の製造方法において、パッド電極及び保護絶縁層上のパッド領域に導電層が形成される。そして、無機封止層がマスク構造物を使用することなく、表示領域及びパッド領域に全体として蒸着される。ついで、マスク構造物を使わない第１のエッチング工程により、前記パッド電極と重なっている前記無機封止層の一部が除去される。前記導電層は、前記第１のエッチング工程によりエッチングされず、前記第１のエッチング工程による前記パッド電極の損傷を防止することができる。そして、マスク構造物を使わない第２のエッチング工程により、前記パッド電極と重なっている前記導電層の一部が除去される。これにより、前記表示装置の製造工程に用いられるマスク構造物を減らして、工程コストを節減することができる。また、前記パッド電極の損傷を防止して、前記表示装置の信頼性を改善することができる。
但し、本発明の効果は上述した効果に限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、様々に拡張されることができる。
図１は、本発明の一実施例による表示装置を示す平面図である。 図２は、図１の表示装置と電気的に接続された外部装置を示すブロック図である。 図３は、図１の表示装置におけるＩ－Ｉ’線に沿う断面図である。 図４は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図５は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図６は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図７は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図８は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図９は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１０は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１１は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１２は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。 図１３は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例をより詳細に説明する。添付の図面上の同一の構成要素に対しては、同一又は類似の図面符号を付する。
図１は、本発明の一実施例による表示装置を示す平面図であり、図２は、図１の表示装置と電気的に接続された外部装置を示すブロック図である。
図１及び図２に示しているように、表示装置１０(例えば、図３の基板１１０)は、表示領域(ＤＡ)、及びパッド領域(ＰＡ)を含む。表示領域(ＤＡ)には、画素構造物(ＰＸ)が配置される。例えば、画素構造物(ＰＸ)は、第１の方向(Ｄ１)、及び第１の方向(Ｄ１)と直交する第２の方向(Ｄ２)に沿って、表示領域(ＤＡ)に全体として配列される。
画素構造物(ＰＸ)のそれぞれは、光を生成する発光素子、及び前記発光素子を駆動するトランジスタを含む。例えば、前記発光素子は、有機発光ダイオードを含む。また、前記発光素子は、ナノ発光ダイオードを含む。例えば、前記トランジスタは、薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ ＴＲａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ)である。前記発光素子及び前記トランジスタを含む画素構造物(ＰＸ)により、表示装置１０の表示領域(ＤＡ)に画像が表示される。
一実施例において、パッド領域(ＰＡ)は、表示領域(ＤＡ)の少なくとも一側に位置する。例えば、図１に示しているように、パッド領域(ＰＡ)は、表示領域(ＤＡ)の第１の方向(Ｄ１)に位置する。しかし、これは、例示に過ぎず、本発明の実施例は、これに限定されない。例えば、パッド領域(ＰＡ)は、表示領域(ＤＡ)の第１の方向(Ｄ１)及び第２の方向(Ｄ２)にそれぞれ位置することもできる。
パッド領域(ＰＡ)には、パッド電極(ＰＥ)が配置される。例えば、パッド電極(ＰＥ)は、第２の方向(Ｄ２)に沿って配列される。パッド電極(ＰＥ)は、外部装置２０と電気的に接続される。すなわち、パッド電極(ＰＥ)は、外部装置２０と画素構造物(ＰＸ)を電気的に接続させる。
外部装置２０は、表示装置１０とフレキシブルプリント回路基板又はプリント回路基板を介して、電気的に接続される。例えば、前記フレキシブルプリント回路基板の一側は、パッド電極(ＰＥ)と直接接触し、前記フレキシブルプリント回路基板の他側は、外部装置２０と直接接触することができる。外部装置２０は、データ信号、ゲート信号、発光制御信号、ゲート初期化信号、初期化電圧、電源電圧などを表示装置１０に提供する。また、前記フレキシブルプリント回路基板には、駆動集積回路が実装される。他の例示的な実施例において、前記駆動集積回路がパッド電極(ＰＥ)と隣接して、表示装置１０に実装されてもよい。
図１には、表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)のそれぞれが、方形の平面形状を有する例を示すが、本発明の実施例は、これに限定されない。例えば、表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)のそれぞれは、三角形、菱形、多角形、円形、又は楕円形の平面形状を有することができる。
また、図１には、パッド領域(ＰＡ)の第２の方向(Ｄ２)への幅が、表示領域(ＤＡ)の第２の方向(Ｄ２)への幅と同一なものとして示されているが、本発明の実施例は、これに限定されない。例えば、パッド領域(ＰＡ)の第２の方向(Ｄ２)への幅は、表示領域(ＤＡ)の第２の方向(Ｄ２)への幅よりも小さくてもよい。
図３は、図１の表示装置におけるＩ－Ｉ’線に沿う断面図である。
図３に示しているように、本発明の一実施例による表示装置１０は、基板１１０と、ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１３０と、トランジスタ(ＴＲ)と、パッド電極(ＰＥ)と、保護絶縁層１４０と、画素定義膜１５０と、発光素子１６０と、封止層１７０と、導電層１８０とを含む。トランジスタ(ＴＲ)は、活性層(ＡＬ)、ゲート電極(ＧＥ)、ソース電極(ＳＥ)、及びドレイン電極(ＤＥ)を含む。発光素子１６０は、画素電極１６１と、発光層１６２と、対向電極１６３とを含む。封止層１７０は、第１の無機封止層１７１と、有機封止層１７２と、第２の無機封止層１７３とを含む。
基板１１０は、表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)を有する。例えば、パッド領域(ＰＡ)は、表示領域(ＤＡ)の一側に位置する。一実施例において、基板１１０は、透明な絶縁性基板である。例えば、基板１１０は、ガラス、石英、プラスチックなどからなる。
活性層(ＡＬ)は、基板１１０上の表示領域(ＤＡ)に配置される。例えば、活性層(ＡＬ)は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体などを含む。活性層(ＡＬ)は、不純物がドープされたソース領域とドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に配置されるチャネル領域を含む。前記ソース領域及び前記ドレイン領域には、Ｐ型又はＮ型不純物がドープされ、前記チャネル領域には、前記ソース領域及び前記ドレイン領域にドープされた不純物と異なるタイプの不純物がドープされる。
一実施例において、図面に示されていないが、基板１１０と活性層(ＡＬ)の間には、バッファ層が配置される。すなわち、活性層(ＡＬ)は、前記バッファ層上の表示領域(ＤＡ)に配置される。前記バッファ層は、不純物が、基板１１０から活性層(ＡＬ)へ拡散することを防止することができる。また、前記バッファ層は、基板１１０の表面が均一でない場合、基板１１０の表面の平坦度を向上させる。前記バッファ層は、有機物質又は無機物質を含む。例えば、前記バッファ層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機絶縁物質を含む。
ゲート絶縁層１２０は、基板１１０上に配置される。例えば、ゲート絶縁層１２０は、基板１１０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に配置される。表示領域(ＤＡ)に配置されたゲート絶縁層１２０は、基板１１０上において活性層(ＡＬ)を覆う。例えば、ゲート絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機絶縁物質を含む。選択的に、ゲート絶縁層１２０は、互いに異なる物質からなる複数の絶縁層を含む多層構造を有することもできる。
ゲート電極(ＧＥ)は、ゲート絶縁層１２０上の表示領域(ＤＡ)に配置される。ゲート電極(ＧＥ)は、活性層(ＡＬ)の前記チャネル領域に重なっている。ゲート電極(ＧＥ)は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、ゲート電極(ＧＥ)は、モリブデン(Ｍｏ)、銅(Ｃｕ)などを含む。選択的に、ゲート電極(ＧＥ)は、複数の導電層を含む多層構造を有することもできる。
層間絶縁層１３０は、ゲート絶縁層１２０上に配置される。例えば、層間絶縁層１３０は、ゲート絶縁層１２０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に配置される。表示領域(ＤＡ)に配置された層間絶縁層１３０は、ゲート絶縁層１２０上においてゲート電極(ＧＥ)を覆う。例えば、層間絶縁層１３０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機絶縁物質を含む。選択的に、層間絶縁層１３０は、互いに異なる物質からなる複数の絶縁層を含む多層構造を有することもできる。
ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)は、層間絶縁層１３０上の表示領域(ＤＡ)に配置される。ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)は、活性層(ＡＬ)の前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれ接続される。ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)のそれぞれは、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)のそれぞれは、アルミニウム(ＡＬ)、チタン(Ｔｉ)、銅(Ｃｕ)などを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)のそれぞれは、複数の導電層を含む多層構造を有する。例えば、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)のそれぞれは、Ｔｉ、ＡＬ、Ｔｉが順次積層された多層構造を有する。活性層(ＡＬ)、ゲート電極(ＧＥ)、ソース電極(ＳＥ)、及びドレイン電極(ＤＥ)は、トランジスタ(ＴＲ)を形成する。
パッド電極(ＰＥ)は、層間絶縁層１３０上のパッド領域(ＰＡ)に配置される。すなわち、パッド電極(ＰＥ)は、基板１１０上のパッド領域(ＰＡ)に配置される。一実施例において、パッド電極(ＰＥ)は、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)と実質的に同一層に配置されることができる。すなわち、パッド電極(ＰＥ)は、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)と同一の物質を含み、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)と実質的に同時に形成されることができる。パッド電極(ＰＥ)は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、パッド電極(ＰＥ)は、ＡＬ、Ｔｉ、Ｃｕなどを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、パッド電極(ＰＥ)は、複数の導電層を含む多層構造を有することもできる。例えば、パッド電極(ＰＥ)は、Ｔｉ、ＡＬ、Ｔｉが順次積層された多層構造を有する。
保護絶縁層１４０は、層間絶縁層１３０上に配置される。 例えば、保護絶縁層１４０は、層間絶縁層１３０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に配置される。保護絶縁層１４０は、トランジスタ(ＴＲ)を保護し、トランジスタ(ＴＲ)の上部に平坦な面を提供することができる。保護絶縁層１４０は、有機物質又は無機物質を含む。例えば、保護絶縁層１４０は、ポリイミド(ＰＩ)などのような有機絶縁物質を含む。選択的に、保護絶縁層１４０は、互いに異なる物質からなる複数の絶縁層を含む多層構造を有することもできる。
例えば、表示領域(ＤＡ)に配置された保護絶縁層１４０は、ドレイン電極(ＤＥ)の上面の少なくとも一部を露出させる第１のコンタクトホール１４５を有する。第１のコンタクトホール１４５を介して、画素電極１６１がドレイン電極(ＤＥ)と電気的に接続される。例えば、パッド領域(ＰＡ)に配置された保護絶縁層１４０は、パッド電極(ＰＥ)の上面の少なくとも一部を露出させる第２のコンタクトホール１４７を有する。すなわち、基板１１０及びパッド電極(ＰＥ)上のパッド領域(ＰＡ)に配置された保護絶縁層１４０は、パッド電極(ＰＥ)の前記上面の少なくとも一部を露出させる。第２のコンタクトホール１４７を介して、外部装置２０がパッド電極(ＰＥ)と電気的に接続される。
画素電極１６１は、保護絶縁層１４０上の表示領域(ＤＡ)に配置される。画素電極１６１は、トランジスタ(ＴＲ)上に配置され、トランジスタ(ＴＲ)と電気的に接続される。例えば、画素電極１６１は、第１のコンタクトホール１４５を介して、ドレイン電極(ＤＥ)と電気的に接続される。画素電極１６１は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、画素電極１６１は、銀(Ａｇ)、インジウム錫酸化物(ＩＴＯ)などを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、画素電極１６１は、複数の導電層を含む多層構造を有することもできる。例えば、画素電極１６１は、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯが順次積層された多層構造を有することができる。
導電層１８０は、保護絶縁層１４０上のパッド領域(ＰＡ)に配置される。例示的な実施例において、図１０及び図１１に示しているように、表示装置１０の製造過程において、第１のエッチング工程(例えば、プラズマを用いたドライエッチング工程)により、パッド電極(ＰＥ)と重なっている第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の一部を除去する。前記第１のエッチング工程が行われると、導電層１８０は、第２のコンタクトホール１４７により露出したパッド電極(ＰＥ)の前記上面、及びパッド領域(ＰＡ)に位置する保護絶縁層１４０の一部を覆う。例えば、導電層１８０の前記第１のエッチング工程に対する第１のエッチング率は、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の前記第１のエッチング工程に対する第２のエッチング率よりも低い。すなわち、前記第１のエッチング工程において、導電層１８０よりも、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３が相対的に多くエッチングされる。そのため、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０が、前記第１のエッチング工程により損傷することを防止又は低減することができる。これに関する詳細は、後述する。
一実施例において、図３に示しているように、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)に隣接する封止層１７０の端部と保護絶縁層１４０の間のパッド領域(ＰＡ)に配置される。例えば、導電層１８０は、第１の無機封止層１７１の第１の方向(Ｄ１)の側端部と保護絶縁層１４０の間のパッド領域(ＰＡ)に配置される。例えば、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)と直接接触しない。例えば、導電層１８０は、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と離隔している。すなわち、導電層１８０は、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部を露出させる。換言すると、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部は、平面上において、導電層１８０と重なっていない。例示的な実施例において、図１２及び図１３に示しているように、表示装置１０の製造過程において、前記第１のエッチング工程が行われた後に、第２のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)と重なっている導電層１８０の一部を除去する。前記第２のエッチング工程により、導電層１８０は、第２のコンタクトホール１４７により露出したパッド電極(ＰＥ)の前記上面を露出させる。
一実施例において、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)に隣接する封止層１７０の前記端部に対して、アンダーカット(ＵＣ)形状を有する。すなわち、導電層１８０は、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の第１の方向(Ｄ１)の側端部に対して、アンダーカット(ＵＣ)形状を有する。例えば、前記第２のエッチング工程は、エッチング液を用いたウェットエッチング工程である。また、導電層１８０の前記第２のエッチング工程に対する第３のエッチング率は、パッド電極(ＰＥ)の前記第２のエッチング工程に対する第４のエッチング率、保護絶縁層１４０の前記第２のエッチング工程に対する第５のエッチング率、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の前記第２のエッチング工程に対する第６のエッチング率よりも高い。そのため、前記第２のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)、保護絶縁層１４０、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれが殆どエッチングされない。また、導電層１８０は、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の第１の方向(Ｄ１)の側端部に対して、アンダーカット(ＵＣ)形状を有する。これに関する詳細は、後述する。
一実施例において、導電層１８０は、画素電極１６１と実質的に同一層に配置される。すなわち、導電層１８０は、画素電極１６１と同一の物質を含み、画素電極１６１と実質的に同時に形成される。導電層１８０は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、導電層１８０は、Ａｇ、ＩＴＯなどを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、導電層１８０は、複数のサブ層を含む多層構造を有することもできる。例えば、導電層１８０は、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯが順次積層された多層構造を有する。
画素定義膜１５０は、保護絶縁層１４０上の表示領域(ＤＡ)に配置される。画素定義膜１５０は、保護絶縁層１４０上において、画素電極１６１を部分的に覆うことができる。画素定義膜１５０は、画素電極１６１の少なくとも一部を露出させる画素開口を有する。例えば、前記画素開口は、画素電極１６１の中央部を露出させ、画素定義膜１５０は、画素電極１６１の周辺部を覆う。例えば、画素定義膜１５０は、ポリイミド(ＰＩ)などのような有機絶縁物質を含む。
発光層１６２は、画素定義膜１５０の前記画素開口により露出する画素電極１６１上に配置される。すなわち、発光層１６２は、前記画素開口内に配置される。発光層１６２は、有機発光物質及び量子ドットの少なくとも１つを含む。
対向電極１６３は、発光層１６２上に配置され、画素電極１６１に重なっている。一実施例において、対向電極１６３は、画素定義膜１５０上にも配置される。対向電極１６３は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを含む。例えば、対向電極１６３は、アルミニウム(ＡＬ)、白金(Ｐｔ)、銀(Ａｇ)、マグネシウム(Ｍｇ)、金(Ａｕ)、クロム(Ｃｒ)、タングステン(Ｗ)、及びチタン(Ｔｉ)などを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。画素電極１６１、発光層１６２、及び対向電極１６３は、発光素子１６０を形成する。
封止層１７０は、対向電極１６３上に配置され、発光素子１６０を覆う。封止層１７０は、表示領域(ＤＡ)を封止して、外部の不純物から発光素子１６０を保護することができる。
封止層１７０は、少なくとも１つの無機封止層、及び少なくとも１つの有機封止層を含む。例えば、図３に示しているように、封止層１７０は、第１の無機封止層１７１、第１の無機封止層１７１上に配置される第２の無機封止層１７３、及び第１の無機封止層１７１と第２の無機封止層１７３の間に配置される有機封止層１７２を含む。しかし、これは、例示であり、本発明の実施例はこれに限定されず、様々な組み合わせを有することができる。
第１の無機封止層１７１は、対向電極１６３上に配置される。例えば、第１の無機封止層１７１は、対向電極１６３のプロファイルにより、実質的に均一な厚さを有する。
有機封止層１７２は、第１の無機封止層１７１上に配置される。有機封止層１７２は、第１の無機封止層１７１の周囲に段差を生成することなく、実質的に平坦な上面を有する。
第２の無機封止層１７３は、有機封止層１７２上に配置される。すなわち、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、保護絶縁層１４０上に配置される。第２の無機封止層１７３は、実質的に均一な厚さを有し、実質的に平坦な上面を有する。
一実施例において、図３に示しているように、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の一部は、パッド領域(ＰＡ)へ延在する。すなわち、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれの第１の方向(Ｄ１)の側端部は、パッド領域(ＰＡ)に位置する。例えば、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、パッド電極(ＰＥ)と直接的に接触しない。例えば、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と離隔している。すなわち、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部を露出させる。換言すると、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部は、平面上において、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれと重なっていない。そのため、第２のコンタクトホール１４７により露出したパッド電極(ＰＥ)の前記上面に、導電性部材(例えば、異方性導電フィルムなど)が直接接触する。前記導電性部材により、パッド電極(ＰＥ)と外部装置２０が電気的に接続される。
図４～図１３は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
図４に示しているように、表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)を有する基板１１０を用意する。例えば、パッド領域(ＰＡ)は、表示領域(ＤＡ)の一側に位置する。一実施例において、基板１１０は、透明な絶縁性基板である。例えば、基板１１０は、ガラス、石英、プラスチックなどから形成される。
基板１１０上の表示領域(ＤＡ)に、活性層(ＡＬ)を形成する。例えば、活性層(ＡＬ)は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体などを用いて形成される。活性層(ＡＬ)は、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記チャネル領域を含む。前記ソース領域及び前記ドレイン領域には、Ｐ型又はＮ型不純物がドープされ、前記チャネル領域には、前記ソース領域及び前記ドレイン領域にドープされた不純物と異なるタイプの不純物がドープされる。
基板１１０及び活性層(ＡＬ)上に、ゲート絶縁層１２０を形成する。例えば、ゲート絶縁層１２０は、基板１１０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に形成される。表示領域(ＤＡ)に形成されたゲート絶縁層１２０は、基板１１０上において、活性層(ＡＬ)を覆う。例えば、ゲート絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機絶縁物質を用いて形成される。
ゲート絶縁層１２０上の表示領域(ＤＡ)に、ゲート電極(ＧＥ)を形成する。ゲート電極(ＧＥ)は、活性層(ＡＬ)の前記チャネル領域に重なるように形成される。例えば、ゲート電極(ＧＥ)は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを用いて形成される。
ゲート絶縁層１２０及びゲート電極(ＧＥ)上に、層間絶縁層１３０を形成する。例えば、層間絶縁層１３０は、ゲート絶縁層１２０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に形成される。表示領域(ＤＡ)に形成された層間絶縁層１３０は、ゲート絶縁層１２０上において、ゲート電極(ＧＥ)を覆う。例えば、層間絶縁層１３０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機絶縁物質を用いて形成される。
図５に示しているように、活性層(ＡＬ)の前記ソース領域及び前記ドレイン領域のそれぞれに重なるように、ゲート絶縁層１２０及び層間絶縁層１３０に、コンタクトホールを形成する。また、前記コンタクトホールのそれぞれと重なるように、層間絶縁層１３０上に、ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)を形成する。ソース電極(ＳＥ)及びドレイン電極(ＤＥ)は、前記コンタクトホールのそれぞれを介して、活性層(ＡＬ)の前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれ接続される。活性層(ＡＬ)、ゲート電極(ＧＥ)、ソース電極(ＳＥ)、及びドレイン電極(ＤＥ)は、トランジスタ(ＴＲ)を形成する。
層間絶縁層１３０上のパッド領域(ＰＡ)に、パッド電極(ＰＥ)を形成する。すなわち、パッド電極(ＰＥ)は、基板１１０上のパッド領域(ＰＡ)に形成される。パッド電極(ＰＥ)は、前記第２のエッチング工程(例えば、エッチング液を用いたウェットエッチング工程)に対して、導電層１８０のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１２及び図１３に示している前記第２のエッチング工程において、パッド電極(ＰＥ)よりも導電層１８０が相対的に多くエッチングされる。例示的な実施例において、パッド電極(ＰＥ)は、複数の導電層を含む多層構造を有するように形成される。この場合、前記導電層のうちの最上層が、前記第２のエッチング工程に対して、導電層１８０のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。又は、前記導電層のそれぞれが、前記第２のエッチング工程に対して、導電層１８０のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成されてもよい。
一実施例において、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)のそれぞれは、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを用いて形成される。例えば、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)のそれぞれは、ＡＬ、Ｔｉ、Ｃｕなどを用いて形成される。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)のそれぞれは、複数の導電層を含む多層構造を有するように形成される。例えば、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)のそれぞれは、Ｔｉ、ＡＬ、Ｔｉが順次積層された多層構造を有することができる。
一実施例において、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)は、実質的に同時に形成されてもよい。例えば、層間絶縁層１３０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)の全体に亘って、第１の予備電極層が形成される。そして、前記第１の予備電極層を部分的にエッチングして、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)が同時に形成される。
図６に示しているように、層間絶縁層１３０、ソース電極(ＳＥ)、ドレイン電極(ＤＥ)、及びパッド電極(ＰＥ)上に、保護絶縁層１４０を形成する。すなわち、保護絶縁層１４０は、基板１１０及びパッド電極(ＰＥ)上に形成される。例えば、保護絶縁層１４０は、層間絶縁層１３０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に、全体的に形成される。保護絶縁層１４０は、前記第２のエッチング工程(例えば、エッチング液を用いたウェットエッチング工程)に対して、導電層１８０のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１２及び図１３に示している前記第２のエッチング工程において、保護絶縁層１４０よりも、導電層１８０が相対的に多くエッチングされる。例えば、保護絶縁層１４０は、ポリイミド(ＰＩ)などのような有機絶縁物質を用いて形成される。
保護絶縁層１４０に、第１のコンタクトホール１４５及び第２のコンタクトホール１４７を形成する。第１のコンタクトホール１４５は、ドレイン電極(ＤＥ)の上面の少なくとも一部を露出させる。第２のコンタクトホール１４７は、パッド電極(ＰＥ)の上面の少なくとも一部を露出させる。第１及び第２のコンタクトホール１４５、１４７は、実質的に同時に形成される。
図７に示しているように、保護絶縁層１４０上の表示領域(ＤＡ)に、画素電極１６１を形成する。画素電極１６１は、第１のコンタクトホール１４５を介して、ドレイン電極(ＤＥ)と電気的に接続される。
また、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０上のパッド領域(ＰＡ)に、第２のコンタクトホール１４７を覆う導電層１８０を形成する。例えば、図７に示しているように、導電層１８０は、第２のコンタクトホール１４７により露出したパッド電極(ＰＥ)の上面、及びパッド領域(ＰＡ)に位置する保護絶縁層１４０の一部を覆う。すなわち、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０上のパッド領域(ＰＡ)に、全体的に形成される。
導電層１８０は、前記第１のエッチング工程(例えば、プラズマを用いたドライエッチング工程)に対して、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１０及び図１１に示している前記第１のエッチング工程において、導電層１８０よりも、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３が相対的に多くエッチングされる。例示的な実施例において、導電層１８０は、複数のサブ層を含む多層構造を有するように形成される。この場合、前記サブ層のうちの最上層が、前記第１のエッチング工程に対して、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。又は、前記サブ層のそれぞれが、前記第１のエッチング工程に対して、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成されてもよい。
導電層１８０は、前記第２のエッチング工程(例えば、エッチング液を用いたウェットエッチング工程)に対して、パッド電極(ＰＥ)のエッチング率、保護絶縁層１４０のエッチング率、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のエッチング率よりも高いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１２及び図１３に示している前記第２のエッチング工程において、パッド電極(ＰＥ)、保護絶縁層１４０、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３よりも、導電層１８０が相対的に多くエッチングされる。例示的な実施例において、導電層１８０は、複数のサブ層を含む多層構造を有するように形成される。この場合、前記サブ層のそれぞれが前記第２のエッチング工程に対して、パッド電極(ＰＥ)のエッチング率、保護絶縁層１４０のエッチング率、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のエッチング率よりも高いエッチング率を有する物質を用いて形成される。
画素電極１６１及び導電層１８０のそれぞれは、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを用いて形成される。例えば、画素電極１６１及び導電層１８０のそれぞれは、銀(Ａｇ)、インジウム錫酸化物(ＩＴＯ)などを含む。これらは、単独又は互いに組み合わせて使用可能である。選択的に、画素電極１６１及び導電層１８０のそれぞれは、複数の導電層を含む多層構造を有することもできる。例えば、画素電極１６１及び導電層１８０それぞれは、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯが順次積層された多層構造を有する。
一実施例において、画素電極１６１及び導電層１８０は、実質的に同時に形成されてもよい。例えば、保護絶縁層１４０及びパッド電極(ＰＥ)上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)の全体に亘って、第２の予備電極層が形成される。そして、前記第２の予備電極層を部分的にエッチングして、画素電極１６１及び導電層１８０が同時に形成される。
図８に示しているように、保護絶縁層１４０上の表示領域(ＤＡ)に、画素定義膜１５０を形成する。画素定義膜１５０は、保護絶縁層１４０上において、画素電極１６１を部分的に覆う。画素定義膜１５０には、画素電極１６１の少なくとも一部を露出させる前記画素開口が形成される。例えば、画素定義膜１５０は、ポリイミド(ＰＩ)などのような有機絶縁物質を用いて形成される。
画素電極１６１上の表示領域(ＤＡ)に、発光層１６２を形成することができる。例えば、発光層１６２は、画素定義膜１５０の前記画素開口により露出する画素電極１６１上に形成される。発光層１６２は、有機発光物質及び量子ドットの少なくとも１つを用いて形成される。
発光層１６２上の表示領域(ＤＡ)に、対向電極１６３を形成する。例えば、対向電極１６３は、画素定義膜１５０上の表示領域(ＤＡ)にも形成される。対向電極１６３は、金属、合金、導電性金属酸化物、導電性金属窒化物、透明導電性物質などを用いて形成される。画素電極１６１、発光層１６２、及び対向電極１６３は、発光素子１６０を形成する。
図９に示しているように、対向電極１６３上に、封止層１７０を形成する。例えば、第１の無機封止層１７１、有機封止層１７２、及び第２の無機封止層１７３が順次形成される。
第１の無機封止層１７１は、対向電極１６３及び導電層１８０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に、全体的に形成される。有機封止層１７２は、第１の無機封止層１７１上の表示領域(ＤＡ)に形成される。第２の無機封止層１７３は、第１の無機封止層１７１及び有機封止層１７２上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に、全体的に形成される。すなわち、導電層１８０上のパッド領域(ＰＡ)には、第１の無機封止層１７１及び第２の無機封止層１７３が順次形成される。有機封止層１７２は、対向電極１６３上の表示領域(ＤＡ)に形成される。
第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、保護絶縁層１４０及び導電層１８０上の表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に、全体的に形成される。例えば、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、マスク構造物を使用することなく、基板１１０上に全体的に蒸着される。
第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記第１のエッチング工程(例えば、プラズマを用いたドライエッチング工程)に対して、導電層１８０のエッチング率よりも高いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１０及び図１１に示されている前記第１のエッチング工程において、導電層１８０よりも、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３が相対的に多くエッチングされる。
第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記第２のエッチング工程に対して、導電層１８０のエッチング率よりも低いエッチング率を有する物質を用いて形成される。すなわち、図１２及び図１３に示されている前記第２のエッチング工程において、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３よりも、導電層１８０が相対的に多くエッチングされる。例えば、前記第２のエッチング工程は、エッチング液を用いたウェットエッチング工程である。そのため、前記第２のエッチング工程により、導電層１８０は、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の第１の方向(Ｄ１)の側端部に対して、アンダーカット(ＵＣ)形状を有することができる。
図１０及び図１１に示しているように、前記第１のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と重なる第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の一部を除去する。前記第１のエッチング工程により、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と離隔している。すなわち、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれは、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部を露出させる。換言すると、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部は、平面上において、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３のそれぞれと重なっていない。
一実施例において、前記第１のエッチング工程は、マスク構造物を使用することなく、行われることができる。例えば、前記第１のエッチング工程は、大気圧プラズマを用いたドライエッチング工程である。大気圧プラズマを用いたドライエッチング工程は、基板上の一部領域に選択的にエッチングガスを提供することができる。そのため、一般のドライエッチング工程と比較して、大気圧プラズマを用いたドライエッチング工程は、マスク構造物を使用しなくても、基板上の一部領域を選択的にエッチングすることができる。具体例として、前記第１のエッチング工程は、基板１１０上の第１の方向(Ｄ１)の側端から第１の方向(Ｄ１)とは反対の方向に沿って、エッチングガスを提供する方式で行われる。すなわち、基板１１０上の第１の方向(Ｄ１)の側端からパッド電極(ＰＥ)と重なる領域(例えば、図１０の矢印で示す領域)までのみ、前記エッチングガスが提供される。これにより、マスク構造物を使用することなく、前記第１のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)と重なる第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の一部が除去される。
導電層１８０は、前記第１のエッチング工程に対して、第１のエッチング率を有する。第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記第１のエッチング工程に対して、前記第１のエッチング率よりも高い第２のエッチング率を有する。例えば、前記エッチングガスは、フッ素を含むフルオロ化合物を含む。例えば、導電層１８０は、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯが順次積層された多層構造を有することができる。導電層１８０の最上層に含まれたＩＴＯは、フルオロ化合物に対して相対的に低いエッチング率を有するため、導電層１８０は、前記第１のエッチング工程により殆どエッチングされない。これによって、前記第１のエッチング工程により、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の前記一部が除去されると、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０が前記エッチングガスに露出しないように、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０を覆う。そのため、前記第１のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０が損傷することを防止又は低減することができる。
図１２及び図１３に示しているように、前記第２のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と重なる導電層１８０の一部を除去する。例えば、前記第２のエッチング工程により、導電層１８０は、パッド電極(ＰＥ)と直接接触しない。例えば、前記第２のエッチング工程により、導電層１８０は、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の少なくとも一部と離隔している。すなわち、導電層１８０は、平面上において、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部を露出させる。換言すると、パッド電極(ＰＥ)の全部又は一部は、平面上において、導電層１８０と重なっていない。
例えば、前記第２のエッチング工程は、エッチング液を用いたウェットエッチング工程である。例えば、前記第２のエッチング工程は、マスク構造物を使用しなくても行うことができる。導電層１８０は、前記第２のエッチング工程に対して、第３のエッチング率を有する。パッド電極(ＰＥ)は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第４のエッチング率を有する。保護絶縁層１４０は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第５のエッチング率を有する。第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第６のエッチング率を有する。例えば、導電層１８０は、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯが順次積層された多層構造を有することができる。パッド電極(ＰＥ)は、ＴＩ、ＡＬ、Ｔｉが順次積層された多層構造を有することができる。パッド電極(ＰＥ)の最上層に含まれたＴｉ及び保護絶縁層１４０は、前記エッチング液に対して、ＩＴＯ、Ａｇよりも相対的に低いエッチング率を有する。そのため、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０は、前記第２のエッチング工程により、殆どエッチングされない。また、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記エッチング液に対して、ＩＴＯ、Ａｇよりも相対的に低いエッチング率を有する。そのため、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３は、前記第２のエッチング工程により殆どエッチングされない。これによって、導電層１８０は、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の第１の方向(Ｄ１)の側端部に対して、アンダーカット(ＵＣ)形状を有することができる。
従来の表示装置の製造方法において、パッド電極と重ならないように無機封止層を蒸着するためには、マスク構造物を用いた蒸着工程が求められるので、コストが増えるという問題があった。一方、マスク構造物を使用することなく、前記無機封止層を表示領域及びパッド領域に全体的に蒸着し、マスク構造物を使用しないドライエッチング工程により、前記パッド電極と重なる前記無機封止層の一部を除去することができる。例えば、基板上の一部領域(例えば、前記パッド電極と重なる領域)にのみ、エッチングガスを提供して、前記無機封止層の前記一部をエッチングすることができる。しかし、前記無機封止層の前記一部をエッチングすると、前記エッチングガスにより、前記パッド電極、及び前記パッド電極の周辺に位置する保護絶縁層が損傷することがある。そのため、前記パッド電極と外部装置が電気的に接続しない接触不良が生じることがある。
本発明の例示的な実施例による表示装置１０の製造方法において、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０上のパッド領域(ＰＡ)に、導電層１８０が形成される。導電層１８０は、第２のコンタクトホール１４７により露出したパッド電極(ＰＥ)の上面、及びパッド領域(ＰＡ)に位置する保護絶縁層１４０の一部を覆う。また、導電層１８０は、保護絶縁層１４０上の表示領域(ＤＡ)に形成される画素電極１６１と同時に形成されてもよい。そして、第１及び第２の無機封止層１７１、１７３がマスク構造物を使用することなく、表示領域(ＤＡ)及びパッド領域(ＰＡ)に全体的に蒸着されてもよい。ついで、第１のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)と重なる第１及び第２の無機封止層１７１、１７３の一部が除去される。例えば、前記第１のエッチング工程は、マスク構造物を使用することなく、基板１１０上の一部領域(例えば、図１０の矢印領域)にのみエッチングガスを提供して、行うことができる。導電層１８０は、前記第１のエッチング工程に対して、相対的に低いエッチング率を有するので、前記第１のエッチング工程により、ほとんどエッチングされない。そのため、導電層１８０は、前記第１のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０が損傷することを防止することができる。前記第１のエッチング工程が行われた後に、第２のエッチング工程により、パッド電極(ＰＥ)と重なる導電層１８０の一部が除去される。パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０は、前記第２のエッチング工程に対して、相対的に低いエッチング率を有する。そのため、パッド電極(ＰＥ)及び保護絶縁層１４０は、前記第２のエッチング工程により、殆どエッチングされず、且つ、パッド電極(ＰＥ)と重なる導電層１８０の前記一部がエッチングされる。これによって、表示装置１０の製造工程で用いられるマスク構造物を減らして、製造コストを節減することができる。また、表示装置１０のパッド電極(ＰＥ)と外部装置２０が電気的に接続しない接触不良を防止して、表示装置１０の信頼性を改善することができる。
以上、本発明の例示的な実施例を参照して説明したが、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を様々に修正及び変更できることを理解するだろう。
本発明は、様々な表示装置に適用可能である。例えば、本発明は、車両用、船舶用、及び航空機用のディスプレイ装置、携帯用通信装置、展示用又は情報伝達用のディスプレイ装置、医療用ディスプレイ装置などのような様々なディスプレイ機器に適用可能である。
１０: 表示装置
１１０: 基板
ＡＬ: 活性層
１２０: ゲート絶縁層
ＧＥ: ゲート電極
１３０: 層間絶縁層
ＳＥ: ソース電極
ＤＥ: ドレイン電極
ＴＲ: トランジスタ
ＰＥ: パッド電極
１４０: 保護絶縁層
１６０: 発光素子
１６１: 画素電極
１６２: 発光層
１６３: 対向電極
１７０: 封止層
１７１、１７３: 第１及び第２の無機封止層
１７２: 有機封止層
１８０: 導電層

Claims (10)

  1. 表示領域と、前記表示領域の一側に位置するパッド領域とを有する基板と、
    前記基板上の前記パッド領域に配置されるパッド電極と、
    前記基板及び前記パッド電極上に配置され、前記パッド電極の上面の少なくとも一部を露出させる保護絶縁層と、
    前記保護絶縁層上に配置される無機封止層と、
    前記パッド電極に隣接する前記無機封止層の端部と前記保護絶縁層の間の前記パッド領域に配置される導電層とを含むことを特徴とする表示装置。
  2. 前記無機封止層及び前記導電層のそれぞれは、平面上において、前記パッド電極の少なくとも一部と離隔していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記導電層は、前記無機封止層の前記端部に対して、アンダーカット形状を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
  4. 前記導電層は、第１のエッチング工程に対して、第１のエッチング率を有し、
    前記無機封止層は、前記第１のエッチング工程に対して、前記第１のエッチング率よりも高い第２のエッチング率を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
  5. 前記第１のエッチング工程は、ドライエッチング工程であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記導電層は、第２のエッチング工程に対して、第３のエッチング率を有し、
    前記パッド電極は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第４のエッチング率を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
  7. 前記保護絶縁層は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第５のエッチング率を有し、
    前記無機封止層は、前記第２のエッチング工程に対して、前記第３のエッチング率よりも低い第６のエッチング率を有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
  8. 前記第２のエッチング工程は、ウェットエッチング工程であることを特徴とする請求項６又は７に記載の表示装置。
  9. 更に、前記基板上の前記表示領域に配置されるトランジスタと、
    前記トランジスタ上に配置され、前記トランジスタと電気的に接続される画素電極とを含み、
    前記導電層は、前記画素電極と同一層に配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
  10. 表示領域と、前記表示領域の一側に位置するパッド領域とを有する基板を準備し、
    前記基板上の前記パッド領域に、パッド電極を形成し、
    前記基板及び前記パッド電極上に、保護絶縁層を形成し、
    前記保護絶縁層に、前記パッド電極の上面の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成し、
    前記パッド電極と前記保護絶縁層上の前記パッド領域に、前記コンタクトホールを覆う導電層を形成し、
    前記保護絶縁層及び前記導電層上に、無機封止層を形成し、
    第１のエッチング工程により、前記パッド電極の少なくとも一部と重なる前記無機封止層の一部を除去し、
    第２のエッチング工程により、前記パッド電極の少なくとも一部と重なる前記導電層の一部を除去することを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
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