JP2022073749A

JP2022073749A - Wafer processing method

Info

Publication number: JP2022073749A
Application number: JP2020183927A
Authority: JP
Inventors: 寛修小澤; Hironaga Ozawa
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-11-02
Filing date: 2020-11-02
Publication date: 2022-05-17

Abstract

To provide a wafer processing method capable of suppressing contamination attached to a device.SOLUTION: A wafer processing method includes a preparation step 1001 of preparing a wafer, a frame and a sheet formed of a thermoplastic resin, an integration step 1002 of making the wafer opposite to a surface side of the sheet and making the frame opposite to a rear face side of the sheet, heating the sheet and fixing the heated sheet to the wafer and the frame, and forming a frame unit in which the wafer is supported by the sheet in the opening of the frame, and a processing step 1003 of holding the wafer by a chuck table through the sheet of the frame unit, and processing the wafer while supplying a processing liquid to a surface to which the wafer is exposed, in which the processing step 1003 covers at least an inner peripheral edge of the frame with the sheet, and flows the processing liquid supplied to the wafer on the sheet covering the frame and discharges the processing liquid.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer.

半導体デバイスチップは、シリコン等の半導体ウェーハにデバイスを形成し、研削して薄化され、切削ブレードやレーザー光線で分割されて製造される。これらの加工時に、半導体ウェーハが破損しないよう、ウェーハの表面には保護部材として粘着テープが貼られる。特に、研削時には半導体ウェーハのデバイス面に貼られ、切削時には分割予定ラインを撮影するために半導体ウェーハの裏面に貼られる。 A semiconductor device chip is manufactured by forming a device on a semiconductor wafer such as silicon, grinding and thinning the device, and dividing the device by a cutting blade or a laser beam. Adhesive tape is attached to the surface of the wafer as a protective member so that the semiconductor wafer is not damaged during these processes. In particular, it is affixed to the device surface of the semiconductor wafer at the time of grinding, and is affixed to the back surface of the semiconductor wafer to photograph the scheduled division line at the time of cutting.

切削時にデバイスチップに分割された半導体ウェーハを搬送しやすくするために、切削時には、半導体ウェーハは粘着テープを介してフレームの開口に固定される（例えば、特許文献１参照）。このため、研削時と切削時では、粘着テープを表裏で張り替えることが一般的であるが、貼り替え工数を要する。 At the time of cutting, the semiconductor wafer is fixed to the opening of the frame via the adhesive tape in order to facilitate the transfer of the semiconductor wafer divided into the device chips at the time of cutting (see, for example, Patent Document 1). For this reason, it is common to reattach the adhesive tape on the front and back during grinding and cutting, but it requires man-hours for reattachment.

特開２００９－０１０１５０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-01150

粘着テープは糊層の粘着力によって半導体ウェーハに固定されるが、糊層が加工中に切削されて微細なコンタミとなり、半導体ウェーハに付着する事で、デバイスに悪影響を及ぼす事がある。さらには、半導体ウェーハ周囲の糊層に付着したコンタミが、製造工程中で飛散し、半導体ウェーハやデバイスに付着する恐れもある。このため、研削や切削時には、デバイスに付着するコンタミを抑制するために、破砕加工で発生したコンタミを滞留なく排出することが重要である。 The adhesive tape is fixed to the semiconductor wafer by the adhesive force of the glue layer, but the glue layer is cut during processing to form fine contamination, which may adhere to the semiconductor wafer and adversely affect the device. Furthermore, contamination adhering to the glue layer around the semiconductor wafer may be scattered during the manufacturing process and adhere to the semiconductor wafer or device. Therefore, during grinding and cutting, it is important to discharge the contamination generated in the crushing process without retention in order to suppress the contamination adhering to the device.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスに付着するコンタミを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for processing a wafer capable of suppressing contamination adhering to a device.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、分割予定ラインに区画された表面の各領域にデバイスが形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハと、ウェーハを収容する開口を有するフレームと、熱可塑性樹脂で形成され該フレームの該開口より大きいシートを準備する準備ステップと、該シートの表面側にウェーハを、該シートの裏面側に該フレームをそれぞれ対面させ、該シートを加熱して該ウェーハと該フレームに熱圧着して固定し、該フレームの該開口にウェーハが該シートで支持されたフレームユニットを形成する一体化ステップと、該フレームユニットの該シートを介して該ウェーハをチャックテーブルで保持し、該ウェーハの露出した面に加工液を供給しながら該ウェーハを加工する加工ステップと、を備え、該加工ステップでは、該フレームの少なくとも内周縁は該シートで覆われ、該ウェーハに供給された加工液は該フレームを覆う該シートの上を流れて排出されることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention is a wafer processing method for processing a wafer in which a device is formed in each region of a surface partitioned by a planned division line. A wafer, a frame having an opening for accommodating the wafer, a preparatory step for preparing a sheet made of thermoplastic resin and larger than the opening of the frame, and a wafer on the front side of the sheet and a back side of the sheet. The frame is faced to each other, the sheet is heated and fixed to the wafer by thermal pressure bonding to the frame, and the wafer is formed into a frame unit in which the wafer is supported by the sheet in the opening of the frame. A processing step of holding the wafer on a chuck table via the sheet of the frame unit and processing the wafer while supplying a processing liquid to the exposed surface of the wafer is provided, and the processing step includes the processing step. At least the inner peripheral edge of the frame is covered with the sheet, and the processing liquid supplied to the wafer flows over the sheet covering the frame and is discharged.

前記ウェーハの加工方法において、該加工ステップで該ウェーハは、研削砥石で研削、切削ブレードで切削または加工液で洗浄されても良い。 In the method of machining a wafer, the wafer may be ground with a grinding wheel, cut with a cutting blade, or washed with a machining fluid in the machining step.

前記ウェーハの加工方法において、該一体化ステップで、該ウェーハの表面が該シートの表面に固定され、該加工ステップでは、該ウェーハの表面を該シートを介してカメラで撮影し、取得した画像から該分割予定ラインを割り出し、割り出した該分割予定ラインに沿って切削ブレードでウェーハを裏面から切削しても良い。 In the method of processing a wafer, the surface of the wafer is fixed to the surface of the sheet in the integration step, and in the processing step, the surface of the wafer is photographed by a camera through the sheet and obtained from an image obtained. The scheduled division line may be indexed, and the wafer may be cut from the back surface with a cutting blade along the indexed scheduled division line.

本発明のウェーハの加工方法は、デバイスに付着するコンタミを抑制することができるという効果を奏する。 The wafer processing method of the present invention has the effect of suppressing contamination adhering to the device.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a flow of a wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の準備ステップを示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a preparation step of the wafer processing method shown in FIG. 図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップにおいてウェーハの裏面上にシートを重ねる状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a state in which a sheet is stacked on the back surface of the wafer in a partial cross-sectional view in the integration step of the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップにおいてウェーハの裏面上のシートにフレームを重ねる状態一部断面で示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a partial cross section of a state in which a frame is superposed on a sheet on the back surface of a wafer in the integration step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing a processing step of the wafer processing method shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図８は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図９は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の加工ステップにおいてウェーハを研削加工する研削装置を一部断面で示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing a partially cross-sectional view of a grinding device that grinds a wafer in the machining step of the wafer machining method according to the second embodiment. 図１０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の加工ステップにおいてウェーハを洗浄する洗浄装置を一部断面で示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a partially cross-sectional view of a cleaning device for cleaning a wafer in the processing step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１１は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method according to the third embodiment. 図１２は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。FIG. 12 is a side view showing a processing step of the wafer processing method according to the third embodiment in a partial cross section.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
The wafer processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing a flow of a wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示されたウェーハ１を加工する方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハ１は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板２とする円板状の半導体ウェーハ、又は光デバイスウェーハなどのウェーハである。 The wafer processing method according to the first embodiment is a method for processing the wafer 1 shown in FIG. The wafer 1 to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment has a disk shape having silicon (Si), sapphire (Al ₂ O ₃ ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), or the like as a substrate 2. A wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer.

ウェーハ１は、図１に示すように、互いに交差する複数の分割予定ライン３によって区画された基板２の表面４の各領域にデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、あるいはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等である。 As shown in FIG. 1, in the wafer 1, the device 5 is formed in each region of the surface 4 of the substrate 2 partitioned by a plurality of scheduled division lines 3 intersecting with each other. The device 5 is, for example, an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), and an LED (Light Emitting Diode). And so on.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図２に示すように、準備ステップ１００１と、一体化ステップ１００２と、加工ステップ１００３とを備える。 As shown in FIG. 2, the wafer processing method according to the first embodiment includes a preparation step 1001, an integration step 1002, and a processing step 1003.

（準備ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の準備ステップを示す斜視図である。準備ステップ１００１は、図３に示すように、ウェーハ１と、フレーム１０と、シート２０とを準備するステップである。 (Preparation step)
FIG. 3 is a perspective view showing a preparation step of the wafer processing method shown in FIG. The preparation step 1001 is a step of preparing the wafer 1, the frame 10, and the sheet 20 as shown in FIG.

フレーム１０は、内側の開口１１の内径がウェーハ１の外径よりも大きな環状に形成されている。フレーム１０は、平面視において、内側にウェーハ１を収容する開口１１を有するものである。実施形態１では、フレーム１０は、金属または硬質な樹脂により構成されている。 The frame 10 is formed in an annular shape in which the inner diameter of the inner opening 11 is larger than the outer diameter of the wafer 1. The frame 10 has an opening 11 for accommodating the wafer 1 inside in a plan view. In the first embodiment, the frame 10 is made of metal or a hard resin.

シート２０は、熱可塑性樹脂によりシート状に形成され、平面形状がフレーム１０の開口１１よりも大きい。実施形態１では、シート２０は、外径が開口１１の内径よりも大きな表面２１及び裏面２２が平坦な円板状に形成されている。シート２０は、柔軟性と非粘着性を有し、熱可塑性樹脂により構成され、粘着性を有する樹脂で構成された糊層を備えないものである。実施形態１では、シート２０は、可視光に対して透明または半透明な樹脂により構成されている。実施形態１では、シート２０は、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、熱可塑性樹脂として、ポリエチレン、ポリプロピレン、又はポリスチレン等により構成されている。 The sheet 20 is formed in a sheet shape by a thermoplastic resin, and its planar shape is larger than that of the opening 11 of the frame 10. In the first embodiment, the sheet 20 has a front surface 21 and a back surface 22 having an outer diameter larger than the inner diameter of the opening 11 formed into a flat disk shape. The sheet 20 has flexibility and non-adhesiveness, is made of a thermoplastic resin, and does not have a glue layer made of a sticky resin. In the first embodiment, the sheet 20 is made of a resin that is transparent or translucent with respect to visible light. In the first embodiment, the sheet 20 is a polymer sheet synthesized using an alkene as a monomer, and is made of, for example, polyethylene, polypropylene, polystyrene, or the like as a thermoplastic resin.

実施形態１において、準備ステップ１００１では、図３に示すように、前述した構成のウェーハ１、フレーム１０及びシート２０を準備する。 In the first embodiment, in the preparation step 1001, as shown in FIG. 3, the wafer 1, the frame 10 and the sheet 20 having the above-described configurations are prepared.

（一体化ステップ）
図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップにおいてウェーハの裏面上にシートを重ねる状態を一部断面で示す側面図である。図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップにおいてウェーハの裏面上のシートにフレームを重ねる状態一部断面で示す側面図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。 (Integration step)
FIG. 4 is a side view showing a state in which a sheet is stacked on the back surface of the wafer in a partial cross-sectional view in the integration step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 5 is a side view showing a partial cross section of a state in which a frame is superposed on a sheet on the back surface of a wafer in the integration step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 6 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method shown in FIG.

一体化ステップ１００２は、シート２０の表面２１側にウェーハ１を、シート２０の裏面２２側にフレーム１０をそれぞれ対面させ、シート２０を加熱してウェーハ１とフレーム１０に熱圧着して固定し、フレーム１０の開口１１にウェーハ１がシート２０で支持されたフレームユニット３０（図６に示す）を形成するステップである。 In the integration step 1002, the wafer 1 is faced to the front surface 21 side of the sheet 20 and the frame 10 is faced to the back surface 22 side of the sheet 20, the sheet 20 is heated and thermocompression bonded to the wafer 1 and the frame 10 to fix them. This is a step of forming a frame unit 30 (shown in FIG. 6) in which the wafer 1 is supported by the sheet 20 in the opening 11 of the frame 10.

実施形態１において、一体化ステップ１００２では、図４に示すように、支持台４０の平坦な上面４１の中央にウェーハ１の表面４側を載置し、ウェーハ１の表面４の裏側の基板２の裏面６側にシート２０の一方の面である表面２１側の中央部を重ねる。なお、実施形態１において、一体化ステップ１００２では、円柱状でかつウェーハ１の裏面６に沿って移動するローラ４２で、シート２０の一端側から他端側に向けて順に支持台４０の上面４１及びウェーハ１の裏面６に重ねる。実施形態１において、一体化ステップ１００２では、シート２０の表面２１の外縁部を支持台４０の上面４１上に載置するとともに、シート２０の表面２１の中央部をウェーハ１の裏面６上に載置する。 In the first embodiment, in the integration step 1002, as shown in FIG. 4, the surface 4 side of the wafer 1 is placed in the center of the flat upper surface 41 of the support base 40, and the substrate 2 on the back side of the surface 4 of the wafer 1 is placed. The central portion on the front surface 21 side, which is one surface of the sheet 20, is overlapped on the back surface 6 side of the sheet 20. In the first embodiment, in the integration step 1002, the roller 42 is cylindrical and moves along the back surface 6 of the wafer 1, and the upper surface 41 of the support base 40 is sequentially directed from one end side to the other end side of the sheet 20. And overlap with the back surface 6 of the wafer 1. In the first embodiment, in the integration step 1002, the outer edge portion of the surface 21 of the sheet 20 is placed on the upper surface 41 of the support base 40, and the central portion of the front surface 21 of the sheet 20 is placed on the back surface 6 of the wafer 1. Place.

実施形態１において、一体化ステップ１００２では、こうして、シート２０の表面２１の中央部をウェーハ１の裏面６に載置して、シート２０の表面２１側の中央部にウェーハ１を対面させる。その後、実施形態１において、一体化ステップ１００２では、図５に示すように、シート２０の表面２１の裏側の他方の面である裏面２２の外縁部上にフレーム１０を載置して、シート２０の裏面２２側の外縁部にフレーム１０を対面させる。実施形態１において、一体化ステップ１００２では、シート２０と、ウェーハ１及びフレーム１０が互いに同軸となる位置に配置する。 In the first embodiment, in the integration step 1002, the central portion of the front surface 21 of the sheet 20 is placed on the back surface 6 of the wafer 1 so that the wafer 1 faces the central portion of the sheet 20 on the front surface 21 side. Then, in the first embodiment, in the integration step 1002, as shown in FIG. 5, the frame 10 is placed on the outer edge portion of the back surface 22 which is the other surface of the back surface of the front surface 21 of the sheet 20 and the sheet 20 is placed. The frame 10 is made to face the outer edge portion on the back surface 22 side of the above. In the first embodiment, in the integration step 1002, the sheet 20, the wafer 1 and the frame 10 are arranged at positions coaxial with each other.

一体化ステップ１００２では、シート２０の表面２１とウェーハ１とが密着し、シート２０の裏面２２とフレーム１０とを密着させて、シート２０の融点近傍の温度まで加熱する。一体化ステップ１００２では、シート２０を部分的に溶融して、シート２０の表面２１とウェーハ１とを接着し、シート２０の裏面２２とフレーム１０とを接着する。 In the integration step 1002, the front surface 21 of the sheet 20 and the wafer 1 are brought into close contact with each other, the back surface 22 of the sheet 20 and the frame 10 are brought into close contact with each other, and the sheet 20 is heated to a temperature near the melting point. In the integration step 1002, the sheet 20 is partially melted to bond the front surface 21 of the sheet 20 and the wafer 1, and the back surface 22 of the sheet 20 and the frame 10.

具体的には、実施形態１において、一体化ステップ１００２では、ローラ４２をウェーハ１の裏面６に沿って移動させながらフレーム１０及びシート２０の２２上に転動させて、フレーム１０をシート２０に向かって押圧するとともにシート２０をウェーハ１に向かって押圧して、シート２０の表面２１とウェーハ１とを密着させ、シート２０の裏面２２とフレーム１０とを密着させる。実施形態１において、一体化ステップ１００２では、フレーム１０をシート２０に向かって押圧しかつシート２０をウェーハ１に向かって押圧しながら支持台４０内等に設置された図示しないヒータにより所定時間シート２０の融点近傍の温度まで加熱する。 Specifically, in the first embodiment, in the integration step 1002, the roller 42 is rolled on the frame 10 and the sheet 20 22 while moving along the back surface 6 of the wafer 1, and the frame 10 is made into the sheet 20. The sheet 20 is pressed toward the wafer 1 and the front surface 21 of the sheet 20 and the wafer 1 are brought into close contact with each other, and the back surface 22 of the sheet 20 and the frame 10 are brought into close contact with each other. In the first embodiment, in the integration step 1002, the sheet 20 is pressed toward the sheet 20 and the sheet 20 is pressed toward the wafer 1 by a heater (not shown) installed in the support base 40 or the like for a predetermined time. Heat to a temperature near the melting point of.

実施形態１において、一体化ステップ１００２では、シート２０の表面２１とウェーハ１とを接着し、シート２０の裏面２２とフレーム１０とを接着して、シート２０をウェーハ１とフレーム１０に熱圧着して固定し、図６に示すフレームユニット３０を形成する。なお、フレームユニット３０では、平面視において、フレーム１０の開口１１の内周側にウェーハ１がシート２０で支持されている。また、フレームユニット３０では、シート２０の裏面２２にフレーム１０が接着されて、シート２０の表面２１側にはフレーム１０の内周縁１２がシート２０からシート２０の厚み方向に突出していない（非突出となっている）。 In the first embodiment, in the integration step 1002, the front surface 21 of the sheet 20 and the wafer 1 are bonded, the back surface 22 of the sheet 20 and the frame 10 are bonded, and the sheet 20 is thermocompression bonded to the wafer 1 and the frame 10. And fixed to form the frame unit 30 shown in FIG. In the frame unit 30, the wafer 1 is supported by the sheet 20 on the inner peripheral side of the opening 11 of the frame 10 in a plan view. Further, in the frame unit 30, the frame 10 is adhered to the back surface 22 of the sheet 20, and the inner peripheral edge 12 of the frame 10 does not project from the sheet 20 in the thickness direction of the sheet 20 on the front surface 21 side of the sheet 20 (non-projection). It has become).

（加工ステップ）
図７は、図２に示されたウェーハの加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。加工ステップ１００３は、フレームユニット３０のシート２０を介してウェーハ１をチャックテーブル５１で保持し、ウェーハ１の露出した面である表面４に加工液１００を供給しながらウェーハ１を切削加工（加工に相当）するステップである。 (Processing step)
FIG. 7 is a side view showing a processing step of the wafer processing method shown in FIG. 2 in a partial cross section. In the processing step 1003, the wafer 1 is held by the chuck table 51 via the sheet 20 of the frame unit 30, and the wafer 1 is machined (for processing) while supplying the processing liquid 100 to the surface 4 which is the exposed surface of the wafer 1. It is a step to be done.

実施形態１において、加工ステップ１００３では、加工装置である切削装置５０がチャックテーブル５１の保持面５２にウェーハ１の裏面６をシート２０を介して吸引保持し、チャックテーブル５１の周囲に２つ以上設けられたクランプ部５３でフレーム１０を部分的にクランプする。このとき、加工ステップ１００３では、クランプ部５３は、シート２０の外縁部を中央部よりも下方に固定する。 In the first embodiment, in the machining step 1003, the cutting device 50, which is a machining device, sucks and holds the back surface 6 of the wafer 1 on the holding surface 52 of the chuck table 51 via the sheet 20, and two or more around the chuck table 51. The frame 10 is partially clamped by the provided clamp portion 53. At this time, in the processing step 1003, the clamp portion 53 fixes the outer edge portion of the sheet 20 below the central portion.

また、フレームユニット３０では、シート２０の表面２１にウェーハ１が接着され、シート２０の裏面２２にフレーム１０が接着されているので、フレーム１０の少なくとも内周縁１２はシート２０で覆われている。加工ステップ１００３では、切削装置５０が図示しないカメラでウェーハ１の表面４を撮影し、カメラが撮影して取得した画像から分割予定ライン３を割り出し、分割予定ライン３と切削ブレード５４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 Further, in the frame unit 30, since the wafer 1 is adhered to the front surface 21 of the sheet 20 and the frame 10 is adhered to the back surface 22 of the sheet 20, at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10 is covered with the sheet 20. In the machining step 1003, the surface 4 of the wafer 1 is photographed by a camera (not shown) by the cutting apparatus 50, the scheduled division line 3 is determined from the image captured and acquired by the camera, and the planned division line 3 and the cutting blade 54 are aligned. Perform alignment.

加工ステップ１００３では、切削装置５０がスピンドル５６により切削ブレード５４を回転させるとともに、加工液供給ノズル５５からウェーハ１の表面４側に加工液１００を供給しながら、切削ブレード５４とウェーハ１とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させて切削ブレード５４を各分割予定ライン３に切り込ませる。加工ステップ１００３では、図７に示すように、切削装置５０が切削ブレード５４を各分割予定ライン３に沿ってシート２０まで切り込ませて、ウェーハ１を表面４から切削して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。こうして、実施形態１では、加工ステップ１００３で、ウェーハ１は、切削ブレード５４で切削される。 In the machining step 1003, the cutting device 50 rotates the cutting blade 54 by the spindle 56, and the cutting blade 54 and the wafer 1 are separated while the machining fluid 100 is supplied from the machining liquid supply nozzle 55 to the surface 4 side of the wafer 1. The cutting blade 54 is cut into each division scheduled line 3 by relatively moving along the scheduled line 3. In the machining step 1003, as shown in FIG. 7, the cutting device 50 cuts the cutting blade 54 along each scheduled division line 3 to the sheet 20, cuts the wafer 1 from the surface 4, and individually cuts the wafer 1. Divide into device 5 of. Thus, in the first embodiment, in the machining step 1003, the wafer 1 is cut by the cutting blade 54.

また、実施形態１において、加工ステップ１００３では、加工液１００として純水を用いている。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の表面４側に供給された加工液１００は、図７中の矢印で示すように、ウェーハ１の表面４上を流れた後、フレーム１０の内周縁１２を覆うシート２０の表面２１上を流れて、フレーム１０の内周縁１２に衝突することなく、フレーム１０の外周側に排出される。実施形態１において、加工ステップ１００３では、切削装置５０がウェーハ１の全ての分割予定ライン３を切削すると、実施形態１に係るウェーハの加工方法を終了する。なお、分割されたデバイス５は、加工ステップ１００３後、ピックアップされるが、その際には、シート２０の固定力を弱めるために、シート２０を再加熱してからピックアップされる。 Further, in the first embodiment, in the processing step 1003, pure water is used as the processing liquid 100. In the processing step 1003, the processing liquid 100 supplied to the surface 4 side of the wafer 1 flows on the surface 4 of the wafer 1 and then covers the inner peripheral edge 12 of the frame 10, as shown by the arrows in FIG. It flows on the surface 21 of 20 and is discharged to the outer peripheral side of the frame 10 without colliding with the inner peripheral edge 12 of the frame 10. In the first embodiment, in the machining step 1003, when the cutting device 50 cuts all the scheduled division lines 3 of the wafer 1, the wafer machining method according to the first embodiment is completed. The divided device 5 is picked up after the machining step 1003. At that time, the seat 20 is reheated and then picked up in order to weaken the fixing force of the seat 20.

以上説明した実施形態１に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、糊層の無い熱可塑性樹脂で形成されたシート２０の表面２１にウェーハ１、裏面２２にフレーム１０を接着して所謂フレームユニット３０を形成する。このために、ウェーハの加工方法は、糊層の無いシート２０を使うため、従来の保護テープの糊層に起因するフレームユニット３０のウェーハ１の周囲の糊層へのコンタミの付着を防ぐことができる。 In the method of processing a wafer according to the first embodiment described above, in the integration step 1002, the wafer 1 is bonded to the front surface 21 of the sheet 20 made of a thermoplastic resin without a glue layer, and the frame 10 is bonded to the back surface 22. The frame unit 30 is formed. For this reason, since the wafer processing method uses the sheet 20 without a glue layer, it is possible to prevent contamination from adhering to the glue layer around the wafer 1 of the frame unit 30 due to the glue layer of the conventional protective tape. can.

また、従来は、加工中に発生するコンタミを含んだ加工液１００が、粘着テープとフレーム１０の内周縁１２との間の段差に滞留して粘着テープにコンタミが付着しやすかったが、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３では、シート２０がフレーム１０の少なくとも内周縁１２を覆って固定されているので、段差が無くなり、加工液１００の滞留が抑制され、外側へ流れ出やすくなり、シート２０へのコンタミ付着を抑制することができる。 Further, conventionally, the processing liquid 100 containing contamination generated during processing stays at the step between the adhesive tape and the inner peripheral edge 12 of the frame 10, and the contamination tends to adhere to the adhesive tape. In the processing method of the wafer according to 1, in the processing step 1003, since the sheet 20 covers at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10 and is fixed, there is no step, the retention of the processing liquid 100 is suppressed, and the sheet 20 easily flows out. Therefore, it is possible to suppress the adhesion of contamination to the sheet 20.

また、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３では、シート２０がフレーム１０の少なくとも内周縁１２を覆って固定されているので、フレーム１０にコンタミが付着する事も抑制できる。 Further, in the wafer processing method according to the first embodiment, in the processing step 1003, the sheet 20 is fixed so as to cover at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10, so that contamination can be suppressed from adhering to the frame 10.

その結果、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、デバイス５に付着するコンタミを抑制することができるという効果を奏する。 As a result, the wafer processing method according to the first embodiment has an effect that contamination adhering to the device 5 can be suppressed.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図８は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。図９は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の加工ステップにおいてウェーハを研削加工する研削装置を一部断面で示す側面図である。図１０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の加工ステップにおいてウェーハを洗浄する洗浄装置を一部断面で示す側面図である。なお、図８、図９及び図１０は、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
The wafer processing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method according to the second embodiment. FIG. 9 is a side view showing a partially cross-sectional view of a grinding device that grinds a wafer in the machining step of the wafer machining method according to the second embodiment. FIG. 10 is a side view showing a partially cross-sectional view of a cleaning device for cleaning a wafer in the processing step of the wafer processing method according to the second embodiment. In FIGS. 8, 9, and 10, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、図８に示すように、ウェーハ１の表面４をシート２０の表面２１の中央に接着することと、加工ステップ１００３が異なること以外、実施形態１と同じである。 The method for processing the wafer according to the second embodiment is different from that in the integration step 1002, the surface 4 of the wafer 1 is bonded to the center of the surface 21 of the sheet 20 and the processing step 1003 is different, as shown in FIG. , The same as the first embodiment.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、ウェーハ１の表面４をシート２０の表面２１の中央に接着し、シート２０の裏面２２の外縁部にフレーム１０を接着して、図８に示すフレームユニット３０－２を形成する。なお、実施形態２の一体化ステップ１００２において、シート２０にウェーハ１及びフレーム１０を接着する際には、実施形態１と同様に熱圧着する。 In the wafer processing method according to the second embodiment, in the integration step 1002, the surface 4 of the wafer 1 is adhered to the center of the surface 21 of the sheet 20, and the frame 10 is adhered to the outer edge of the back surface 22 of the sheet 20. The frame unit 30-2 shown in FIG. 8 is formed. In the integration step 1002 of the second embodiment, when the wafer 1 and the frame 10 are bonded to the sheet 20, thermocompression bonding is performed in the same manner as in the first embodiment.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３において、加工装置である研削装置６０がフレームユニット３０のシート２０を介してウェーハ１をチャックテーブル６１で保持し、ウェーハ１の露出した面である裏面６に加工液１００を供給しながらウェーハ１を研削加工（加工に相当）し、加工装置である洗浄装置７０がフレームユニット３０のシート２０を介してウェーハ１をチャックテーブル７１で保持し、ウェーハ１の露出した面である裏面６に加工液１００を供給しながらウェーハ１を洗浄（加工に相当）する。 In the wafer processing method according to the second embodiment, in the processing step 1003, the grinding device 60, which is a processing device, holds the wafer 1 on the chuck table 61 via the sheet 20 of the frame unit 30, and the exposed surface of the wafer 1. The wafer 1 is ground (corresponding to processing) while supplying the processing liquid 100 to a certain back surface 6, and the cleaning device 70, which is a processing device, holds the wafer 1 on the chuck table 71 via the sheet 20 of the frame unit 30. The wafer 1 is cleaned (corresponding to processing) while supplying the processing liquid 100 to the back surface 6 which is the exposed surface of the wafer 1.

具体的には、実施形態２において、加工ステップ１００３では、まず、研削装置６０がチャックテーブル６１の保持面６２にウェーハ１の表面４をシート２０を介して吸引保持し、チャックテーブル６１の周囲に２つ以上設けられたクランプ部６３でフレーム１０を部分的にクランプする。このとき、クランプ部６３は、シート２０の外縁部を中央部よりも下方に固定する。また、実施形態１と同様に、フレーム１０の少なくとも内周縁１２はシート２０で覆われる。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の裏面６に加工液供給ノズル６５から加工液１００を供給しながらスピンドル６６により研削ホイール６７を軸心回りに回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転させる。 Specifically, in the second embodiment, in the machining step 1003, the grinding apparatus 60 first sucks and holds the surface 4 of the wafer 1 on the holding surface 62 of the chuck table 61 via the sheet 20 and around the chuck table 61. The frame 10 is partially clamped by two or more clamp portions 63. At this time, the clamp portion 63 fixes the outer edge portion of the seat 20 below the central portion. Further, as in the first embodiment, at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10 is covered with the sheet 20. In the machining step 1003, the grinding wheel 67 is rotated around the axis by the spindle 66 and the chuck table 61 is rotated around the axis while the machining fluid 100 is supplied from the machining fluid supply nozzle 65 to the back surface 6 of the wafer 1.

実施形態２において、加工ステップ１００３では、研削装置６０が、研削ホイール６７の研削砥石６８をウェーハ１の裏面６に当接させて図示しない研削送りユニットで研削ホイール６７をチャックテーブル６１に所定の研削送り速度で近づけて、研削ホイール６７の研削砥石６８によりチャックテーブル６１の保持面６２に吸引保持したウェーハ１の裏面６を研削して、ウェーハ１を所定の仕上げ厚みまで薄化する。 In the second embodiment, in the machining step 1003, the grinding device 60 brings the grinding wheel 68 of the grinding wheel 67 into contact with the back surface 6 of the wafer 1 and grinds the grinding wheel 67 on the chuck table 61 with a grinding feed unit (not shown). The back surface 6 of the wafer 1 sucked and held on the holding surface 62 of the chuck table 61 is ground by the grinding wheel 68 of the grinding wheel 67 at a feeding speed to thin the wafer 1 to a predetermined finishing thickness.

なお、実施形態２において、加工ステップ１００３では、研削装置６０が加工液１００として純水を用いている。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の裏面６側に供給された加工液１００は、図９中の矢印で示すように、ウェーハ１の裏面６上を流れた後、フレーム１０の内周縁１２を覆うシート２０の表面２１上を流れて、フレーム１０の内周縁１２に衝突することなく、フレーム１０の外周側に排出される。こうして、実施形態２では、加工ステップ１００３で、ウェーハ１は、研削砥石６８で研削される。 In the second embodiment, in the machining step 1003, the grinding device 60 uses pure water as the machining liquid 100. In the processing step 1003, the processing liquid 100 supplied to the back surface 6 side of the wafer 1 flows on the back surface 6 of the wafer 1 and then covers the inner peripheral edge 12 of the frame 10, as shown by the arrow in FIG. It flows on the surface 21 of 20 and is discharged to the outer peripheral side of the frame 10 without colliding with the inner peripheral edge 12 of the frame 10. Thus, in the second embodiment, in the machining step 1003, the wafer 1 is ground by the grinding wheel 68.

また、実施形態２において、加工ステップ１００３では、ウェーハ１を研削して仕上げ厚みまで薄化した後、洗浄装置７０がチャックテーブル７１の保持面７２にウェーハ１の表面４をシート２０を介して吸引保持し、チャックテーブル７１の周囲に２つ以上設けられたクランプ部７３でフレーム１０を部分的にクランプする。このとき、クランプ部７３は、シート２０の外縁部を中央部よりも下方に固定する。また、実施形態１と同様に、フレーム１０の少なくとも内周縁１２はシート２０で覆われる。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の裏面６に加工液供給ノズル７５から加工液１００を供給し、加工液供給ノズル７５をウェーハ１の裏面６に沿って移動させながらチャックテーブル７１を軸心回りに回転させて、加工液１００でウェーハ１を洗浄する。 Further, in the second embodiment, in the processing step 1003, after the wafer 1 is ground to be thinned to the finished thickness, the cleaning device 70 sucks the surface 4 of the wafer 1 onto the holding surface 72 of the chuck table 71 via the sheet 20. It is held and the frame 10 is partially clamped by two or more clamp portions 73 provided around the chuck table 71. At this time, the clamp portion 73 fixes the outer edge portion of the seat 20 below the central portion. Further, as in the first embodiment, at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10 is covered with the sheet 20. In the machining step 1003, the machining fluid 100 is supplied from the machining fluid supply nozzle 75 to the back surface 6 of the wafer 1, and the chuck table 71 is rotated about the axis while moving the machining fluid supply nozzle 75 along the back surface 6 of the wafer 1. Then, the wafer 1 is washed with the processing liquid 100.

なお、実施形態２において、加工ステップ１００３では、洗浄装置７０が加工液１００として純水を用いているが、本発明では、薬液を用いても良い。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の裏面６側に供給された加工液１００は、図１０中の矢印で示すように、ウェーハ１の裏面６上を流れた後、フレーム１０の内周縁１２を覆うシート２０の表面２１上を流れて、フレーム１０の内周縁１２に衝突することなく、フレーム１０の外周側に排出される。こうして、実施形態２では、加工ステップ１００３で、ウェーハ１は、加工液１００で洗浄される。実施形態２において、加工ステップ１００３では、洗浄装置７０がウェーハ１を所定時間洗浄すると、実施形態２に係るウェーハの加工方法を終了する。 In the second embodiment, in the processing step 1003, the cleaning device 70 uses pure water as the processing liquid 100, but in the present invention, a chemical liquid may be used. In the processing step 1003, the processing liquid 100 supplied to the back surface 6 side of the wafer 1 flows on the back surface 6 of the wafer 1 and then covers the inner peripheral edge 12 of the frame 10, as shown by the arrows in FIG. It flows on the surface 21 of 20 and is discharged to the outer peripheral side of the frame 10 without colliding with the inner peripheral edge 12 of the frame 10. Thus, in the second embodiment, in the machining step 1003, the wafer 1 is washed with the machining liquid 100. In the second embodiment, in the machining step 1003, when the cleaning device 70 cleans the wafer 1 for a predetermined time, the wafer machining method according to the second embodiment is completed.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、糊層の無い熱可塑性樹脂で形成されたシート２０の表面２１にウェーハ１、裏面２２にフレーム１０を接着して所謂フレームユニット３０－２を形成する。その結果、ウェーハの加工方法は、フレームユニット３０のウェーハ１の周囲の糊層へのコンタミの付着を抑制することができ、実施形態１と同様に、デバイス５に付着するコンタミを抑制することができるという効果を奏する。 In the method of processing a wafer according to the second embodiment, in the integration step 1002, the wafer 1 is bonded to the front surface 21 of the sheet 20 made of a thermoplastic resin without a glue layer, and the frame 10 is bonded to the back surface 22 to bond the so-called frame unit 30. Form -2. As a result, the wafer processing method can suppress the adhesion of contamination to the glue layer around the wafer 1 of the frame unit 30, and can suppress the contamination adhering to the device 5 as in the first embodiment. It has the effect of being able to do it.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３において、洗浄装置７０がウェーハ１を洗浄する際に加工液１００として薬液を用いる場合、シート２０によってフレーム１０の少なくとも内周縁１２が覆われるため、フレーム１０を薬液から保護出来る。実施形態２に係るウェーハの加工方法は、特に、フレーム１０が樹脂により構成される場合に有効である。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, when the cleaning device 70 uses a chemical solution as the processing liquid 100 when cleaning the wafer 1 in the processing step 1003, the sheet 20 covers at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10. Therefore, the frame 10 can be protected from the chemical solution. The wafer processing method according to the second embodiment is particularly effective when the frame 10 is made of a resin.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１をフレーム１０で固定された状態でウェーハ１を研削するため、裏面６に金属膜が形成されている場合や表面４のデバイス５を構成する各膜の影響等で反ったウェーハ１を固定しやすい。また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、研削によって反りが発生しても、ウェーハ１をフレーム１０で固定された状態でウェーハ１を研削するため、チャックテーブル６１による固定が維持される。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, since the wafer 1 is ground in a state where the wafer 1 is fixed by the frame 10, a metal film is formed on the back surface 6 or the device 5 on the front surface 4 is configured. It is easy to fix the warped wafer 1 due to the influence of each film. Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, even if warpage occurs due to grinding, the wafer 1 is ground in a state where the wafer 1 is fixed by the frame 10, so that the fixing by the chuck table 61 is maintained.

なお、実施形態２では、ウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３において、研削装置６０がウェーハ１を研削した後、洗浄装置７０がウェーハ１を洗浄したが、本発明では、これに限定されることなく、加工ステップ１００３において、研削装置６０による研削と、洗浄装置７０による洗浄とのいずれか一方を実施すればよい。 In the second embodiment, the wafer processing method is limited to the method of processing the wafer 1 in the processing step 1003, in which the grinding device 60 grinds the wafer 1 and then the cleaning device 70 cleans the wafer 1. Instead, in the machining step 1003, either grinding by the grinding device 60 or cleaning by the cleaning device 70 may be performed.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の一体化ステップで形成されたフレームユニットを示す斜視図である。図１２は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の加工ステップを一部断面で示す側面図である。なお、図１１及び図１２は、実施形態１及び実施形態２と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
The wafer processing method according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 11 is a perspective view showing a frame unit formed in the integration step of the wafer processing method according to the third embodiment. FIG. 12 is a side view showing a processing step of the wafer processing method according to the third embodiment in a partial cross section. In FIGS. 11 and 12, the same parts as those in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、実施形態２と同様にウェーハ１の表面４をシート２０の表面２１の中央に接着することと、加工ステップ１００３が異なること以外、実施形態１と同じである。なお、実施形態３において、ウェーハ１は、図１１に示すように、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を基板２とし、基板２の裏面６に金属で構成された金属膜７が形成されている。実施形態３では、金属膜７は、基板２の裏面６全体に積層されている。 The wafer processing method according to the third embodiment is different from that in the integration step 1002, except that the surface 4 of the wafer 1 is bonded to the center of the surface 21 of the sheet 20 and the processing step 1003 is different, as in the second embodiment. It is the same as the first embodiment. In the third embodiment, as shown in FIG. 11, the wafer 1 uses silicon carbide (SiC) as the substrate 2, and a metal film 7 made of metal is formed on the back surface 6 of the substrate 2. In the third embodiment, the metal film 7 is laminated on the entire back surface 6 of the substrate 2.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、実施形態２と同様に、ウェーハ１の表面４をシート２０の表面２１の中央に接着し、シート２０の裏面２２の外縁部にフレーム１０を接着して、図１１に示すフレームユニット３０－３を形成する。こうして、実施形態３において、一体化ステップ１００２で、ウェーハ１の表面４がシート２０の表面２１に固定（接着）される。 In the wafer processing method according to the third embodiment, in the integration step 1002, the surface 4 of the wafer 1 is adhered to the center of the front surface 21 of the sheet 20 and the outer edge portion of the back surface 22 of the sheet 20 is bonded. The frames 10 are bonded to form the frame unit 30-3 shown in FIG. Thus, in the third embodiment, the surface 4 of the wafer 1 is fixed (bonded) to the surface 21 of the sheet 20 in the integration step 1002.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、加工ステップ１００３では、加工装置である切削装置５０がチャックテーブル５１の保持面５２にウェーハ１の表面４をシート２０を介して吸引保持し、チャックテーブル５１の周囲に２つ以上設けられたクランプ部５３でフレーム１０を部分的にクランプする。このとき、クランプ部５３は、シート２０の外縁部を中央部よりも下方に固定する。また、実施形態１と同様に、フレーム１０の少なくとも内周縁１２はシート２０で覆われる。なお、実施形態３では、切削装置５０のチャックテーブル５１の少なくとも保持面５２は、ガラス等の透明な材料で構成されている。 In the wafer machining method according to the third embodiment, in the machining step 1003, the cutting device 50, which is a machining device, sucks and holds the surface 4 of the wafer 1 on the holding surface 52 of the chuck table 51 via the sheet 20 and holds the chuck table 51. The frame 10 is partially clamped by two or more clamp portions 53 provided around the frame 10. At this time, the clamp portion 53 fixes the outer edge portion of the seat 20 below the central portion. Further, as in the first embodiment, at least the inner peripheral edge 12 of the frame 10 is covered with the sheet 20. In the third embodiment, at least the holding surface 52 of the chuck table 51 of the cutting device 50 is made of a transparent material such as glass.

実施形態３において、加工ステップ１００３では、切削装置５０が、ウェーハ１の表面４をシート２０及びチャックテーブル５１を介して、チャックテーブル５１の下方に配置されたカメラ５７で撮影し、カメラ５７が撮影して取得した画像から分割予定ライン３を割り出し、分割予定ライン３と切削ブレード５４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。実施形態３において、加工ステップ１００３では、切削装置５０がスピンドル５６により切削ブレード５４を回転させるとともに、加工液供給ノズル５５からウェーハ１の露出した面である裏面６上の金属膜７側に加工液１００を供給しながら、切削ブレード５４とウェーハ１とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させて、実施形態１と同様に、切削ブレード５４を各分割予定ライン３に切り込ませる。 In the third embodiment, in the machining step 1003, the cutting apparatus 50 photographs the surface 4 of the wafer 1 with the camera 57 arranged below the chuck table 51 via the sheet 20 and the chuck table 51, and the camera 57 photographs the surface 4. The scheduled division line 3 is determined from the image acquired in the above process, and the alignment for aligning the scheduled division line 3 with the cutting blade 54 is performed. In the third embodiment, in the machining step 1003, the cutting device 50 rotates the cutting blade 54 by the spindle 56, and the machining liquid is transferred from the machining liquid supply nozzle 55 to the metal film 7 side on the back surface 6 which is the exposed surface of the wafer 1. While supplying 100, the cutting blade 54 and the wafer 1 are relatively moved along the scheduled division line 3, and the cutting blade 54 is cut into each scheduled division line 3 in the same manner as in the first embodiment.

実施形態３において、加工ステップ１００３では、図１２に示すように、切削装置５０が切削ブレード５４を各分割予定ライン３に沿ってシート２０まで切り込ませて、割り出した分割予定ライン３に沿って切削ブレード５４でウェーハ１を裏面６から切削して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。こうして、実施形態３では、加工ステップ１００３で、ウェーハ１は、切削ブレード５４で切削される。 In the third embodiment, in the machining step 1003, as shown in FIG. 12, the cutting device 50 cuts the cutting blade 54 along each scheduled division line 3 to the sheet 20 and along the indexed scheduled division line 3. The wafer 1 is cut from the back surface 6 by the cutting blade 54, and the wafer 1 is divided into individual devices 5. Thus, in the third embodiment, in the machining step 1003, the wafer 1 is cut by the cutting blade 54.

また、実施形態３において、加工ステップ１００３では、加工液１００として純水を用いている。加工ステップ１００３では、ウェーハ１の裏面６側に供給された加工液１００は、図１２中の矢印で示すように、ウェーハ１の裏面６側の金属膜７上を流れた後、フレーム１０の内周縁１２を覆うシート２０の表面２１上を流れて、フレーム１０の内周縁１２に衝突することなく、フレーム１０の外周側に排出される。実施形態３において、加工ステップ１００３では、ウェーハ１の全ての分割予定ライン３を切削すると、実施形態３に係るウェーハの加工方法を終了する。 Further, in the third embodiment, in the processing step 1003, pure water is used as the processing liquid 100. In the processing step 1003, the processing liquid 100 supplied to the back surface 6 side of the wafer 1 flows on the metal film 7 on the back surface 6 side of the wafer 1 as shown by the arrow in FIG. 12, and then in the frame 10. It flows on the surface 21 of the sheet 20 covering the peripheral edge 12 and is discharged to the outer peripheral side of the frame 10 without colliding with the inner peripheral edge 12 of the frame 10. In the third embodiment, in the machining step 1003, when all the scheduled division lines 3 of the wafer 1 are cut, the wafer machining method according to the third embodiment is completed.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、一体化ステップ１００２において、糊層の無い熱可塑性樹脂で形成されたシート２０の表面２１にウェーハ１、裏面２２にフレーム１０を接着して所謂フレームユニット３０－３を形成する。その結果、ウェーハの加工方法は、フレームユニット３０－３のウェーハ１の周囲の糊層へのコンタミの付着を抑制することができ、実施形態１と同様に、デバイス５に付着するコンタミを抑制することができるという効果を奏する。 In the method of processing a wafer according to the third embodiment, in the integration step 1002, the wafer 1 is bonded to the front surface 21 of the sheet 20 made of a thermoplastic resin without a glue layer, and the frame 10 is bonded to the back surface 22 to bond the so-called frame unit 30. Form -3. As a result, the wafer processing method can suppress the adhesion of contamination to the glue layer around the wafer 1 of the frame unit 30-3, and suppresses the contamination adhering to the device 5 as in the first embodiment. It has the effect of being able to do it.

また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、表面２１にウェーハ１を接着するシート２０が糊層を有していないために、糊層を有する保護テープよりも透明である。その結果、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、シート２０越しにウェーハ１の表面４を札撮影した画像から分割予定ライン３を正確に割り出すことができる。 Further, the wafer processing method according to the third embodiment is more transparent than the protective tape having the glue layer because the sheet 20 for adhering the wafer 1 to the surface 21 does not have the glue layer. As a result, in the wafer processing method according to the third embodiment, the scheduled division line 3 can be accurately determined from the image of the surface 4 of the wafer 1 taken through the sheet 20.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明は、一体化ステップ１００２の前に、ウェーハ１の表面４の周縁部をハーフカット又はフルカットするエッジトリミングを実施しても良い。また、実施形態は、加工ステップ１００３では、フレーム１０をクランプして固定するので、シート２０がフレーム１０から剥がれにくくなる。また、本発明は、加工ステップ１００３では、シート２０側をバキュームや磁力で引いて固定しても良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention. For example, in the present invention, before the integration step 1002, edge trimming may be performed in which the peripheral edge portion of the surface 4 of the wafer 1 is half-cut or fully cut. Further, in the embodiment, since the frame 10 is clamped and fixed in the processing step 1003, the sheet 20 is less likely to be peeled off from the frame 10. Further, in the present invention, in the processing step 1003, the sheet 20 side may be pulled and fixed by vacuum or magnetic force.

１ウェーハ
３分割予定ライン
４表面（露出した面）
５デバイス
６裏面（露出した面）
１０フレーム
１１開口
１２内周縁
２０シート
２１表面
２２裏面
３０，３０－２，３０－３フレームユニット
５１，６１，７１チャックテーブル
５４切削ブレード
５７カメラ
６８研削砥石
１００加工液
１００１準備ステップ
１００２一体化ステップ
１００３加工ステップ 1 Wafer 3 Scheduled division line 4 Surface (exposed surface)
5 Device 6 Back side (exposed side)
10 Frame 11 Opening 12 Inner peripheral edge 20 Sheet 21 Front surface 22 Back surface 30, 30-2, 30-3 Frame unit 51, 61, 71 Chuck table 54 Cutting blade 57 Camera 68 Grinding wheel 100 Machining liquid 1001 Preparation step 1002 Integration step 1003 Machining step

Claims

A wafer processing method for processing wafers in which devices are formed in each area of the surface partitioned by the planned division line.
A preparation step of preparing a wafer, a frame having an opening for accommodating the wafer, and a sheet formed of a thermoplastic resin and larger than the opening of the frame.
A wafer is faced on the front surface side of the sheet, and the frame is faced on the back surface side of the sheet. The sheet is heated and thermocompression bonded to the wafer and the frame to fix the wafer, and the wafer is placed in the opening of the frame. An integrated step that forms a frame unit supported by a seat,
A processing step of holding the wafer on a chuck table via the sheet of the frame unit and processing the wafer while supplying a processing liquid to the exposed surface of the wafer is provided.
In the processing step, at least the inner peripheral edge of the frame is covered with the sheet, and the processing liquid supplied to the wafer flows over the sheet covering the frame and is discharged. ..

The method for processing a wafer according to claim 1, wherein in the processing step, the wafer is ground with a grinding wheel, cut with a cutting blade, or washed with a processing liquid.

In the integration step, the surface of the wafer is fixed to the surface of the sheet, and in the processing step, the surface of the wafer is photographed by a camera through the sheet, and the planned division line is determined from the acquired image. The wafer processing method according to claim 1 or 2, wherein the wafer is cut from the back surface by a cutting blade along the indexed scheduled division line.