JP2022062985A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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聡 山本
Satoshi Yamamoto
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Abstract

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of appropriately determining presence or absence of leakage of processing liquid from a valve.SOLUTION: The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus 1. A substrate processing method includes a detection step, a leak determination step, and a constant pressure step CC. The detection step detects a position of a first piston 18. In the leak determination step, the method acquires change in a position of the first piston 18 in a determination period J based on a detection result obtained in the detection step. In the leak determination step, the method determines presence or absence of leakage of processing liquid from a first valve based on the change in the position of the first piston 18 in the determination period J. In the constant pressure step CC, the method closes the first valve. In the constant pressure step CC, the method adjusts the position of the first piston 18 so as to keep pressure in a first pump chamber at a target value. All of the determination period J is included in a period in which the constant pressure process CC is executed.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

特許文献1は、基板処理装置を備える。基板処理装置は、ポンプとノズルと配管を備える。配管は、ポンプとノズルを連通接続する。ポンプは、ノズルに処理液を送る。ノズルは、処理液を基板に吐出する。 Patent Document 1 includes a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a pump, nozzles, and piping. The piping connects the pump and the nozzle in communication. The pump sends the processing liquid to the nozzle. The nozzle discharges the processing liquid onto the substrate.

基板処理装置は、弁と流量計を備える。弁と流量計はそれぞれ、配管上に設けられる。弁は、配管内の流路を開閉する。流量計は、配管を流れる処理液の流量を検出する。 The substrate processing device includes a valve and a flow meter. The valve and flow meter are each installed on the pipe. The valve opens and closes the flow path in the pipe. The flow meter detects the flow rate of the processing liquid flowing through the pipe.

基板に処理液を供給する工程では、弁は開き、流量計は基板に供給する処理液の流量を検出する。弁からの処理液のリークを検知する工程では、弁は閉じ、流量計は弁からリークする処理液の流量を検出する。 In the process of supplying the processing liquid to the substrate, the valve opens and the flow meter detects the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate. In the step of detecting the leakage of the treatment liquid from the valve, the valve is closed and the flow meter detects the flow rate of the treatment liquid leaking from the valve.

特開2017-46017号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-46017

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。弁からの処理液のリークが発生している場合であっても、弁からリークされる処理液の量は極めて少ない。したがって、流量計の検出結果に基づいて、弁からの処理液のリークの有無を適切に判定し難い場合がある。 However, in the case of the conventional example having such a configuration, there are the following problems. Even when the treatment liquid leaks from the valve, the amount of the treatment liquid leaked from the valve is extremely small. Therefore, it may be difficult to appropriately determine the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the valve based on the detection result of the flow meter.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、弁からの処理液のリークの有無を適切に判定できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of appropriately determining the presence or absence of leakage of a treatment liquid from a valve.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理方法であって、第1ポンプ室に対して第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を減少させ、前記第1ポンプ室に連通される第1弁を開き、前記第1ポンプ室から前記第1弁を介してノズルに処理液を送り、前記ノズルから基板に処理液を吐出する供給工程と、前記第1ピストンの位置を検出する検出工程と、前記検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間における前記第1ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第1ピストンの位置の変化に基づいて前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定するリーク判定工程と、前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第1ピストンの位置を調整する定圧工程と、を備え、前記判定期間の全部は、前記定圧工程が実行される期間に含まれる基板処理方法である。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object. That is, the present invention is a substrate processing method, in which the volume of the first pump chamber is reduced by moving the first piston with respect to the first pump chamber, and the first pump chamber is communicated with the first pump chamber. A supply step of opening a valve, sending a treatment liquid from the first pump chamber to a nozzle via the first valve, and discharging the treatment liquid from the nozzle to a substrate, and a detection step of detecting the position of the first piston. , The change in the position of the first piston in the determination period is acquired based on the detection result obtained by the detection step, and the process from the first valve is based on the change in the position of the first piston in the determination period. A leak determination step for determining the presence or absence of a liquid leak and a constant pressure step for closing the first valve and adjusting the position of the first piston so as to keep the pressure in the first pump chamber at a target value are provided. The entire determination period is a substrate processing method included in the period during which the constant pressure step is executed.

基板処理方法は、供給工程を備える。供給工程は、第1弁を開く。供給工程は、第1ポンプ室に対して第1ピストンを移動させることにより第1ポンプ室の容積を減少させる。供給工程は、第1ポンプ室から第1弁を介してノズルに処理液を送る。供給工程は、ノズルから基板に処理液を吐出する。このため、供給工程は、基板を適切に処理できる。 The substrate processing method includes a supply process. The supply process opens the first valve. The supply step reduces the volume of the first pump chamber by moving the first piston relative to the first pump chamber. In the supply process, the processing liquid is sent from the first pump chamber to the nozzle via the first valve. In the supply process, the processing liquid is discharged from the nozzle to the substrate. Therefore, the supply process can appropriately process the substrate.

基板処理方法は、検出工程とリーク判定工程と定圧工程を備える。検出工程は、第1ピストンの位置を検出する。リーク判定工程は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間における第1ピストンの位置の変化を取得する。リーク判定工程は、判定期間における第1ピストンの位置の変化に基づいて第1弁からの処理液のリークの有無を判定する。以下では、第1弁からの処理液のリークを、単に「リーク」と呼ぶ。定圧工程は、第1弁を閉じる。定圧工程は、第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように第1ピストンの位置を調整する。このため、仮に定圧工程においてリークが発生する場合、定圧工程はリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間の全部は、定圧工程が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。 The substrate processing method includes a detection step, a leak determination step, and a constant pressure step. The detection step detects the position of the first piston. The leak determination step acquires a change in the position of the first piston during the determination period based on the detection result obtained by the detection step. The leak determination step determines whether or not there is a leak of the treatment liquid from the first valve based on the change in the position of the first piston during the determination period. Hereinafter, the leak of the treatment liquid from the first valve is simply referred to as “leak”. In the constant pressure step, the first valve is closed. In the constant pressure step, the position of the first piston is adjusted so as to keep the pressure in the first pump chamber at the target value. Therefore, if a leak occurs in the constant pressure process, the constant pressure process can continuously generate the leak. Here, the entire determination period is included in the period in which the constant pressure step is executed. Therefore, the leak determination step can suitably determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記第1弁は、前記第1ポンプ室に連通される入口ポートと、前記ノズルに連通される出口ポートと、を備え、前記定圧工程は、前記第1ポンプ室の圧力を、前記第1弁の前記入口ポートに付与することが好ましい。定圧工程は、第1弁の入口ポートが受ける圧力を、目標値に保つ。よって、仮に定圧工程において第1弁が処理液をリークする場合、定圧工程はリークの発生期間を好適に長くすることができる。 In the substrate processing method described above, the first valve includes an inlet port communicating with the first pump chamber and an outlet port communicating with the nozzle, and the constant pressure step is performed in the first pump chamber. It is preferable to apply pressure to the inlet port of the first valve. The constant pressure process keeps the pressure received by the inlet port of the first valve at the target value. Therefore, if the first valve leaks the treatment liquid in the constant pressure step, the constant pressure step can suitably lengthen the leak generation period.

上述の基板処理方法において、前記目標値は、大気圧よりも高いことが好ましい。定圧工程は、リークを好適に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, the target value is preferably higher than the atmospheric pressure. The constant pressure step can suitably reveal the leak. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be suitably determined.

上述の基板処理方法において、前記第1ポンプ室と前記第1弁との間の高低差、および、前記第1ポンプ室と前記ノズルとの間の高低差の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって前記目標値が高くなるように、前記目標値は設定されることが好ましい。例えば、第1ポンプ室と第1弁との間の高低差に関わらず、定圧工程は、リークを適切に顕在化させることができる。例えば、第1ポンプ室とノズルとの間の高低差に関わらず、定圧工程は、リークを適切に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, as at least one of the height difference between the first pump chamber and the first valve and the height difference between the first pump chamber and the nozzle becomes larger, the said It is preferable that the target value is set so that the target value becomes high. For example, regardless of the height difference between the first pump chamber and the first valve, the constant pressure step can appropriately reveal the leak. For example, the constant pressure step can appropriately reveal leaks regardless of the height difference between the first pump chamber and the nozzle. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be suitably determined.

上述の基板処理方法において、前記供給工程は、前記ノズルを処理位置に配置させ、前記定圧工程は、前記ノズルを待機位置に配置させることが好ましい。仮に定圧工程においてリークが発生する場合であっても、基板に対する処理の品質を好適に保つことができる。 In the substrate processing method described above, it is preferable that the nozzle is arranged at the processing position in the supply step and the nozzle is arranged at the standby position in the constant pressure step. Even if a leak occurs in the constant pressure process, the quality of processing on the substrate can be preferably maintained.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第1ポンプ室の容積を減少させる前記第1ピストンの位置の変化と、前記第1ポンプ室の容積を増大させる前記第1ピストンの位置の変化とを区別することが好ましい。リーク判定工程は、リークの向きを好適に特定できる。具体的には、第1弁が、第1ポンプ室からノズルに処理液をリークするのか、ノズルから第1ポンプ室に処理液をリークするのかを、リーク判定工程は好適に判別できる。 In the substrate processing method described above, in the leak determination step, the change in the position of the first piston that reduces the volume of the first pump chamber and the position of the first piston that increases the volume of the first pump chamber. It is preferable to distinguish it from changes. In the leak determination step, the direction of the leak can be suitably specified. Specifically, the leak determination step can suitably determine whether the first valve leaks the treatment liquid from the first pump chamber to the nozzle or leaks the treatment liquid from the nozzle to the first pump chamber.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第1ピストンの移動距離に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that the leak determination step determines the presence or absence of leakage of the processing liquid from the first valve based on the moving distance of the first piston during the determination period. The leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第1ピストンの平均速度に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 In the substrate processing method described above, it is preferable that the leak determination step determines the presence or absence of leakage of the processing liquid from the first valve based on the average speed of the first piston during the determination period. The leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記判定期間は、第1判定期間を含み、前記定圧工程が始まった後、前記第1ポンプ室の圧力が初めて前記目標値の許容範囲内になる第1時刻から、前記第1判定期間は始まることが好ましい。第1判定期間は、第1時刻の前の期間を含まない。第1時刻の前の期間では、定圧工程は、第1ポンプ室の圧力を目標値に近づけるために、第1ピストンを移動させる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を精度良く判定できる。第1判定期間は、第1時刻から始まる。すなわち、第1判定期間は、第1時刻の直後の期間を含む。リークは、第1時刻の直後の期間に、発生し易い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, the determination period includes the first determination period, and from the first time when the pressure in the first pump chamber becomes within the allowable range of the target value for the first time after the constant pressure step is started. It is preferable that the first determination period starts. The first determination period does not include the period before the first time. In the period before the first time, the constant pressure step moves the first piston in order to bring the pressure in the first pump chamber closer to the target value. Therefore, the leak determination step can accurately determine the presence or absence of a leak. The first determination period starts from the first time. That is, the first determination period includes the period immediately after the first time. Leaks are likely to occur in the period immediately following the first time. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately.

上述の基板処理方法において、前記第1判定期間の時間長は、8秒以下であることが好ましい。第1判定期間は、比較的に短い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を速やかに判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, the time length of the first determination period is preferably 8 seconds or less. The first determination period is relatively short. Therefore, the leak determination step can quickly determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第1判定期間を、複数の分割期間に区分し、各分割期間における前記第1ピストンの移動距離を算出し、前記第1ピストンの移動距離が第1閾値以上である前記分割期間を、変化期間として特定し、前記変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。変化期間の数を用いることにより、リーク判定工程は、第1ピストンの位置の変化が継続的に発生しているか否かを好適に判別できる。上述の通り、定圧工程は、リークの発生期間を長くすることができる。よって、定圧工程とリーク判定工程の組み合わせによって、リークの有無を精度良く判定できる。 In the substrate processing method described above, in the leak determination step, the first determination period is divided into a plurality of division periods, the movement distance of the first piston in each division period is calculated, and the movement distance of the first piston is calculated. It is preferable to specify the division period in which is equal to or greater than the first threshold value as the change period, and determine whether or not the treatment liquid leaks from the first valve based on the number of change periods. By using the number of change periods, the leak determination step can suitably determine whether or not the change in the position of the first piston is continuously occurring. As described above, the constant pressure step can prolong the leak generation period. Therefore, the presence or absence of a leak can be accurately determined by the combination of the constant pressure process and the leak determination process.

上述の基板処理方法において、前記分割期間の数は、8つ以下であることが好ましい。分割期間の数は、比較的に少ない。よって、リーク判定工程は、リークの有無を容易に判定できる。 In the above-mentioned substrate processing method, the number of the division periods is preferably 8 or less. The number of split periods is relatively small. Therefore, the leak determination step can easily determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記分割期間の数に対する前記変化期間の数の比に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 In the substrate processing method described above, it is preferable that the leak determination step determines the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve based on the ratio of the number of change periods to the number of division periods. The leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第1ピストンの移動距離が前記第1閾値よりも大きな第2閾値以上である前記変化期間を、異常期間として特定し、前記異常期間を除く前記変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。異常期間では、第1ピストンは過度に移動する。第1ピストンの過度の移動は、リークに起因しない可能性が高い。リーク判定工程は、変化期間の数から異常期間の数を除く。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。 In the substrate processing method described above, in the leak determination step, the change period in which the moving distance of the first piston is equal to or greater than the second threshold value larger than the first threshold value is specified as an abnormal period, and the abnormal period is excluded. It is preferable to determine the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve based on the number of change periods. During the abnormal period, the first piston moves excessively. Excessive movement of the first piston is unlikely to be due to a leak. The leak determination step removes the number of abnormal periods from the number of change periods. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately.

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記変化期間を、前記第1ピストンが前記第1ポンプ室の容積を減少させる正変化期間、および、前記第1ピストンが前記第1ポンプ室の容積を増大させる負変化期間のいずれかに分類し、前記正変化期間の数、および、前記負変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの向きを考慮して、第1弁からの処理液のリークの有無を判定する。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。 In the substrate processing method described above, in the leak determination step, the change period is a positive change period in which the first piston reduces the volume of the first pump chamber, and the first piston is in the first pump chamber. It can be classified into any of the negative change periods that increase the volume, and the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve can be determined based on the number of the positive change periods and the number of the negative change periods. preferable. In the leak determination step, the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve is determined in consideration of the direction of the leak. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately.

上述の基板処理方法において、前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室に連通される第2弁を開き、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を増大させ、前記第2弁を介して前記第1ポンプ室に処理液を充填する第1充填工程と、を備え、前記供給工程は、前記第2弁を閉じ、前記定圧工程は、前記第2弁を閉じ、前記供給工程は、前記第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させ、前記第1充填工程は、前記第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させ、前記判定期間は、第2判定期間を含み、前記第2判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、前記リーク判定工程は、前記定圧工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、前記供給工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、前記供給工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、前記第1充填工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、および、前記第1充填工程における前記第1ピストンの移動距離の少なくともいずれかに基づいて、前記第2判定期間における前記第1ピストンの移動距離を推定することが好ましい。 In the substrate processing method described above, the first pump is closed, the second valve communicated with the first pump chamber is opened, and the first piston is moved with respect to the first pump chamber. It comprises a first filling step of increasing the volume of the chamber and filling the first pump chamber with the treatment liquid via the second valve, the supply step closing the second valve and the constant pressure step. , The second valve is closed, the supply step moves the first piston by a predetermined first distance, and the first filling step moves the first piston to a predetermined first origin position. The determination period includes the second determination period, the second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed, and the leak determination step is the first when the constant pressure step is completed. The position of the piston, the position of the first piston when the supply process starts, the position of the first piston when the supply process ends, the position of the first piston when the first filling process starts, and the position of the first piston. It is preferable to estimate the moving distance of the first piston in the second determination period based on at least one of the moving distances of the first piston in the first filling step.

基板処理方法は、第1充填工程を備える。よって、第1ポンプ室に処理液を好適に充填できる。供給工程および定圧工程では、第2弁は閉じる。よって、供給工程は、処理液を基板に好適に供給できる。定圧工程は、第1ポンプ室の圧力を目標値に好適に保つことができる。供給工程は、第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させる。すなわち、供給工程における第1ピストンの移動距離は、既知である。第1充填工程は、第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させる。すなわち、第1充填工程が終了する時の第1ピストンの位置は、既知である。この条件のもとでは、以下の(a)-(e)はそれぞれ、定圧工程における第1ピストンの移動距離に応じて、変動する。第2判定期間は、定圧工程が実行される期間の全部である。よって、リーク判定工程は、(a)-(e)の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第2判定期間における第1ピストンの移動距離を好適に推定できる。
(a):定圧工程が終了する時の第1ピストンの位置
(b):供給工程が始まる時の第1ピストンの位置
(c):供給工程が終了する時の第1ピストンの位置
(d):第1充填工程が始まる時の第1ピストンの位置
(e):第1充填工程における第1ピストンの移動距離
The substrate processing method includes a first filling step. Therefore, the treatment liquid can be suitably filled in the first pump chamber. In the supply step and the constant pressure step, the second valve is closed. Therefore, in the supply step, the treatment liquid can be suitably supplied to the substrate. In the constant pressure step, the pressure in the first pump chamber can be kept suitable for the target value. The feeding process moves the first piston by a predetermined first distance. That is, the moving distance of the first piston in the supply process is known. The first filling step moves the first piston to a predetermined first origin position. That is, the position of the first piston at the end of the first filling step is known. Under this condition, each of the following (a)-(e) fluctuates according to the moving distance of the first piston in the constant pressure step. The second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed. Therefore, in the leak determination step, the moving distance of the first piston in the second determination period can be suitably estimated based on the detection result of at least one of (a) and (e).
(A): Position of the first piston when the constant pressure process ends (b): Position of the first piston when the supply process starts (c): Position of the first piston when the supply process ends (d) : Position of the first piston when the first filling step starts (e): Movement distance of the first piston in the first filling step

上述の基板処理方法において、第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを移動させることにより前記第2ポンプ室の容積を増大させ、前記第1ポンプ室および前記第2ポンプ室に連通される第2弁を閉じ、前記第1ポンプ室に連通されずに前記第2ポンプ室に連通される第3弁を開き、前記第3弁を介して前記第2ポンプ室に処理液を充填する第2充填工程と、を備え、前記第1充填工程は、前記第1弁を閉じ、前記第2弁を開き、前記第3弁を閉じ、前記第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを移動させることにより前記第2ポンプ室の容積を減少させ、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を増大させ、前記第2ポンプ室から前記第2弁を介して前記第1ポンプ室に処理液を送り、前記供給工程は、第2弁を閉じ、前記定圧工程は、第2弁を閉じることが好ましい。第1充填工程は、第2ポンプ室を用いて、第1ポンプ室に処理液を好適に充填できる。第2充填工程は、第2ポンプ室に処理液を好適に充填できる。供給工程および定圧工程では、第2弁は閉じる。よって、供給工程および定圧工程を適切に実行できる。 In the substrate processing method described above, the volume of the second pump chamber is increased by moving the second piston with respect to the second pump chamber, and the first pump chamber and the second pump chamber are communicated with each other. A second valve is closed, a third valve that is not communicated with the first pump chamber but is communicated with the second pump chamber is opened, and the second pump chamber is filled with the treatment liquid via the third valve. The first filling step comprises closing the first valve, opening the second valve, closing the third valve, and moving the second piston with respect to the second pump chamber. Thereby, the volume of the second pump chamber is reduced, the volume of the first pump chamber is increased by moving the first piston with respect to the first pump chamber, and the volume of the first pump chamber is increased from the second pump chamber to the second pump chamber. It is preferable that the treatment liquid is sent to the first pump chamber via a valve, the second valve is closed in the supply step, and the second valve is closed in the constant pressure step. In the first filling step, the treatment liquid can be suitably filled in the first pump chamber by using the second pump chamber. In the second filling step, the treatment liquid can be suitably filled in the second pump chamber. In the supply step and the constant pressure step, the second valve is closed. Therefore, the supply process and the constant pressure process can be appropriately executed.

上述の基板処理方法において、前記供給工程は、前記第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させ、前記第1充填工程は、前記第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させ、前記第1充填工程は、前記第1ピストンが前記第1原点位置に到達するまで、前記第2ピストンを移動させ、前記第2充填工程は、前記第2ピストンを、所定の第2原点位置まで移動させ、前記検出工程は、前記第2ピストンの位置を検出し、前記判定期間は、第2判定期間を含み、前記第2判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、前記リーク判定工程は、前記定圧工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、前記供給工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、前記供給工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、前記第1充填工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、前記第1充填工程における前記第1ピストンの移動距離、前記第1充填工程における前記第2ピストンの移動距離、前記第1充填工程が終了する時の前記第2ピストンの位置、前記第2充填工程が始まる時の前記第2ピストンの位置、および、前記第2充填工程における前記第2ピストンの移動距離、の少なくともいずれかに基づいて、前記第2判定期間における前記第1ピストンの移動距離を推定することが好ましい。供給工程は、第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させる。第1充填工程は、第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させる。第1充填工程は、第1ピストンが第1原点位置に到達するまで、第2ピストンを移動させる。第2充填工程は、第2ピストンを、所定の第2原点位置まで移動させる。すなわち、供給工程における第1ピストンの移動距離は、既知である。第1充填工程が終了する時の第1ピストンの位置は、既知である。第1充填工程における第2ピストンの移動距離は、第1充填工程における第1ピストンの移動距離によって決まる。第2充填工程が終了する時の第2ピストンの位置は、既知である。この条件のもとでは、上述した(a)-(e)はそれぞれ、定圧工程における第1ピストンの移動距離に応じて、変動する。さらに、以下の(f)-(i)もそれぞれ、定圧工程における第1ピストンの移動距離に応じて、変動する。第2判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部である。よって、リーク判定工程は、(a)-(i)の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第2判定期間における第1ピストンの移動距離を好適に推定できる。
(f):前記第1充填工程における前記第2ピストンの移動距離
(g):前記第1充填工程が終了する時の前記第2ピストンの位置
(h):前記第2充填工程が始まる時の前記第2ピストンの位置
(i):前記第2充填工程における前記第2ピストンの移動距離
In the substrate processing method described above, the supply step moves the first piston by a predetermined first distance, and the first filling step moves the first piston to a predetermined first origin position. The first filling step moves the second piston until the first piston reaches the first origin position, and the second filling step moves the second piston to a predetermined second origin position. The detection step detects the position of the second piston, the determination period includes the second determination period, and the second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed. The leak determination step includes the position of the first piston when the constant pressure step ends, the position of the first piston when the supply step starts, and the position of the first piston when the supply step ends. The position of the first piston at the start of the first filling step, the moving distance of the first piston in the first filling step, the moving distance of the second piston in the first filling step, and the first filling step are Based on at least one of the position of the second piston at the end, the position of the second piston at the start of the second filling step, and the moving distance of the second piston in the second filling step. , It is preferable to estimate the moving distance of the first piston in the second determination period. The feeding process moves the first piston by a predetermined first distance. The first filling step moves the first piston to a predetermined first origin position. In the first filling step, the second piston is moved until the first piston reaches the first origin position. The second filling step moves the second piston to a predetermined second origin position. That is, the moving distance of the first piston in the supply process is known. The position of the first piston at the end of the first filling step is known. The moving distance of the second piston in the first filling step is determined by the moving distance of the first piston in the first filling step. The position of the second piston at the end of the second filling step is known. Under this condition, each of the above-mentioned (a)-(e) fluctuates according to the moving distance of the first piston in the constant pressure step. Further, the following (f)-(i) also fluctuate according to the moving distance of the first piston in the constant pressure step. The second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed. Therefore, in the leak determination step, the moving distance of the first piston in the second determination period can be suitably estimated based on the detection result of at least one of (a) and (i).
(F): Movement distance of the second piston in the first filling step (g): Position of the second piston when the first filling step ends (h): When the second filling step starts Position of the second piston (i): Movement distance of the second piston in the second filling step

上述の基板処理方法において、前記第1弁を閉じ、前記第2弁を閉じ、前記第3弁を開き、前記第1ポンプ室と前記第2ポンプ室とに連通される第4弁を開き、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を減少させ、前記第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを静止させ、前記第1ポンプ室から前記第2ポンプ室に処理液を戻す戻し工程と、を備え、前記供給工程は、前記第4弁を閉じ、前記定圧工程は、前記第4弁を閉じ、前記第1充填工程は、前記第4弁を閉じ、前記第2充填工程は、前記第4弁を閉じ、前記戻し工程は、前記第1ピストンを、所定の第2距離だけ移動させることが好ましい。基板処理方法は、戻し工程を備える。戻し工程は、第1ポンプ室から第2ポンプ室に処理液を戻す。例えば、仮にエアが第1ポンプ室に混入した場合であっても、戻し工程は、第1ポンプ室から第2ポンプ室に処理液とともにエアを戻すことができる。このため、エアが混入した処理液を基板に供給することを、防止できる。よって、基板に対する処理の品質を好適に保つことができる。供給工程、定圧工程、第1充填工程、および、第2充填工程では、第4弁は閉じる。よって、供給工程、定圧工程、第1充填工程、および、第2充填工程を好適に実行できる。戻し工程は、第1ピストンを、所定の第2距離だけ移動させる。すなわち、戻し工程における第1ピストンの移動距離は、既知である。この条件のもとでは、依然として、上述した(a)-(i)はそれぞれ、定圧工程における第1ピストンの移動距離に応じて、変動する。この条件のもとでは、(a)-(i)の変動量と、定圧工程における第1ピストンの移動距離との関係は、維持される。よって、戻し工程が実行される場合であっても、リーク判定工程は、(a)-(i)の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第2判定期間における第1ピストンの移動距離を好適に推定できる。 In the substrate processing method described above, the first valve is closed, the second valve is closed, the third valve is opened, and the fourth valve communicating with the first pump chamber and the second pump chamber is opened. By moving the first piston with respect to the first pump chamber, the volume of the first pump chamber is reduced, the second piston is stopped with respect to the second pump chamber, and the first pump chamber is used. A return step of returning the processing liquid to the second pump chamber is provided, the supply step closes the fourth valve, the constant pressure step closes the fourth valve, and the first filling step is the first filling step. It is preferable that the four valves are closed, the second filling step closes the fourth valve, and the return step moves the first piston by a predetermined second distance. The substrate processing method includes a return step. In the return step, the processing liquid is returned from the first pump chamber to the second pump chamber. For example, even if air is mixed in the first pump chamber, the return step can return the air from the first pump chamber to the second pump chamber together with the processing liquid. Therefore, it is possible to prevent the treatment liquid mixed with air from being supplied to the substrate. Therefore, the quality of processing for the substrate can be preferably maintained. In the supply step, the constant pressure step, the first filling step, and the second filling step, the fourth valve is closed. Therefore, the supply step, the constant pressure step, the first filling step, and the second filling step can be suitably executed. The return step moves the first piston by a predetermined second distance. That is, the moving distance of the first piston in the return step is known. Under this condition, the above-mentioned (a)-(i) still fluctuate according to the moving distance of the first piston in the constant pressure step. Under this condition, the relationship between the fluctuation amount of (a)-(i) and the moving distance of the first piston in the constant pressure step is maintained. Therefore, even when the return step is executed, the leak determination step preferably determines the moving distance of the first piston in the second determination period based on the detection result of at least one of (a) and (i). Can be estimated to.

本発明は、基板処理装置であって、第1ポンプ室と、前記第1ポンプ室に対して移動し、前記第1ポンプ室の容積を変える第1ピストンと、前記第1ピストンの位置を検出する第1位置センサと、前記第1ポンプ室の圧力を検出する第1圧力センサと、前記第1ポンプ室に連通される第1弁と、前記第1弁に連通されるノズルと、前記第1位置センサの検出結果および前記第1圧力センサの検出結果を取得し、前記第1ピストンを移動させ、前記第1弁を開閉させる制御部と、を備え、制御部は、リーク判定処理と、定圧制御とを行い、前記リーク判定処理では、前記制御部は、前記第1位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における前記第1ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第1ピストンの位置の変化に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定し、前記定圧制御では、前記制御部は、前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第1圧力センサの検出結果に基づいて前記第1ピストンの位置を調整し、前記判定期間の全部は、前記定圧制御が実行される期間に含まれる基板処理装置である。 The present invention is a substrate processing apparatus, and detects the positions of a first pump chamber, a first piston that moves with respect to the first pump chamber and changes the volume of the first pump chamber, and the first piston. A first position sensor, a first pressure sensor for detecting the pressure in the first pump chamber, a first valve communicating with the first pump chamber, a nozzle communicating with the first valve, and the first valve. It includes a control unit that acquires the detection result of the 1-position sensor and the detection result of the first pressure sensor, moves the first piston, and opens and closes the first valve. In the leak determination process, the control unit acquires a change in the position of the first piston during the determination period based on the detection result of the first position sensor, and performs the constant pressure control, and the first position in the determination period. The presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve is determined based on the change in the position of one piston, and in the constant pressure control, the control unit closes the first valve and the pressure in the first pump chamber. The position of the first piston is adjusted based on the detection result of the first pressure sensor so as to keep the target value, and the entire determination period is performed by the substrate processing apparatus included in the period during which the constant pressure control is executed. be.

制御部は、リーク判定処理と定圧制御を行う。リーク判定処理では、制御部は、第1位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における第1ピストンの位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部は、判定期間における第1ピストンの位置の変化に基づいて、第1弁からの処理液のリークの有無を判定する。定圧制御では、制御部は、第1弁を閉じる。定圧制御では、制御部は、第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように、第1圧力センサの検出結果に基づいて第1ピストンの位置を調整する。このため、仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークの発生期間を長くすることができる。ここで、判定期間の全部は、定圧制御が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定処理は、リークの有無を好適に判定できる。 The control unit performs leak determination processing and constant pressure control. In the leak determination process, the control unit acquires the change in the position of the first piston during the determination period based on the detection result of the first position sensor. In the leak determination process, the control unit determines whether or not there is a leak of the processing liquid from the first valve based on the change in the position of the first piston during the determination period. In constant pressure control, the control unit closes the first valve. In the constant pressure control, the control unit adjusts the position of the first piston based on the detection result of the first pressure sensor so as to keep the pressure in the first pump chamber at the target value. Therefore, if a leak occurs when the constant pressure control is executed, the constant pressure control can prolong the leak generation period. Here, the entire determination period is included in the period during which the constant pressure control is executed. Therefore, the leak determination process can suitably determine the presence or absence of a leak.

本発明によれば、第1弁からの処理液のリークの有無を適切に判定できる。 According to the present invention, the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve can be appropriately determined.

第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 基板処理装置の動作の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation procedure of the board processing apparatus. 第1充填工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in the 1st filling process. 定圧工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in a constant pressure process. 供給工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in a supply process. 第1ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of the position of the 1st piston. 図7(a)、7(b)、7(c)はそれぞれ、定圧工程における第1ピストンの位置の変化を模式的に示す図である。7 (a), 7 (b), and 7 (c) are diagrams schematically showing changes in the position of the first piston in the constant pressure process, respectively. 定圧工程における第1ポンプ室の圧力の時間的な変化を例示するグラフである。It is a graph which illustrates the time change of the pressure of the 1st pump chamber in a constant pressure process. 第1判定期間における第1位置センサの検出結果の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the detection result of the 1st position sensor in the 1st determination period. 図10(a)、10(b)はそれぞれ、分割期間における第1ピストンの移動距離の例である。10 (a) and 10 (b) are examples of the moving distance of the first piston during the division period, respectively. 第2実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 基板処理装置の動作の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation procedure of the board processing apparatus. 第1充填工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in the 1st filling process. 戻し工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in the return process. 定圧工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in a constant pressure process. 供給工程における基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus in a supply process. 図17(a)は、第1ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフであり、図17(b)は、第2ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフである。FIG. 17A is a graph showing a time change in the position of the first piston, and FIG. 17B is a graph showing a time change in the position of the second piston. 変形実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on a modification embodiment.

第1実施形態
以下、図面を参照して本発明の第1実施形態を説明する。図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。第1実施形態に係る基板処理装置1は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wに処理を行う装置である。
First Embodiment Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is an apparatus that processes a substrate (for example, a semiconductor wafer) W.

基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、または、太陽電池用基板である。 The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, an organic EL (Electroluminescence) substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, an optical disk substrate, or a magneto-optical disk substrate. , A substrate for a photomask, or a substrate for a solar cell.

1.基板処理装置1の概要
基板処理装置1は、処理ユニット3を備える。処理ユニット3は、基板Wを処理する。
1. 1. Outline of the board processing device 1 The board processing device 1 includes a processing unit 3. The processing unit 3 processes the substrate W.

処理ユニット3は、基板保持部5と回転駆動部6を備える。基板保持部5は基板Wを保持する。具体的には、基板保持部5は基板Wを略水平姿勢で保持する。基板保持部5は、例えば、基板Wの裏面(下面)を吸着保持する。回転駆動部6は、基板保持部5に連結する。回転駆動部6は、基板保持部5を回転させる。これにより、基板保持部5に保持された基板Wは、鉛直方向Zと平行な軸線回りに回転する。 The processing unit 3 includes a substrate holding unit 5 and a rotation driving unit 6. The substrate holding portion 5 holds the substrate W. Specifically, the substrate holding portion 5 holds the substrate W in a substantially horizontal posture. The substrate holding portion 5 sucks and holds, for example, the back surface (lower surface) of the substrate W. The rotation drive unit 6 is connected to the substrate holding unit 5. The rotation drive unit 6 rotates the substrate holding unit 5. As a result, the substrate W held by the substrate holding portion 5 rotates about an axis parallel to the vertical direction Z.

処理ユニット3は、カップ7を備える。カップ7は、基板保持部5の側方を囲むように配置される。カップ7は、基板Wから飛散した処理液を受けとめて回収する。 The processing unit 3 includes a cup 7. The cup 7 is arranged so as to surround the side of the substrate holding portion 5. The cup 7 receives and collects the processing liquid scattered from the substrate W.

基板処理装置1は処理液供給源9を備える。処理液供給源9は、処理液を貯留する。処理液は、例えば、基板Wに塗膜を形成するための塗膜材料である。塗膜材料は、例えば、レジスト膜材料である。塗膜は、例えば、レジスト膜である。 The substrate processing apparatus 1 includes a processing liquid supply source 9. The treatment liquid supply source 9 stores the treatment liquid. The treatment liquid is, for example, a coating material for forming a coating film on the substrate W. The coating film material is, for example, a resist film material. The coating film is, for example, a resist film.

処理ユニット3は、処理液供給装置10を備える。処理液供給装置10は、処理液供給源9に連通接続される。処理液供給装置10は、基板保持部5に支持される基板Wに処理液を供給する。処理液供給装置10は、例えば、基板Wの上面に処理液を供給する。 The processing unit 3 includes a processing liquid supply device 10. The treatment liquid supply device 10 is connected to the treatment liquid supply source 9 in communication. The processing liquid supply device 10 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the substrate holding portion 5. The treatment liquid supply device 10 supplies the treatment liquid to, for example, the upper surface of the substrate W.

2.処理液供給装置10の構成
処理液供給装置10は、第1ポンプ11とノズル41を備える。第1ポンプ11は、ノズル41に処理液を送る。ノズル41は、基板保持部5に保持される基板Wに処理液を吐出する。
2. 2. Configuration of the processing liquid supply device 10 The treatment liquid supply device 10 includes a first pump 11 and a nozzle 41. The first pump 11 sends the processing liquid to the nozzle 41. The nozzle 41 discharges the processing liquid to the substrate W held by the substrate holding portion 5.

第1ポンプ11は、第1ポンプ室12を備える。第1ポンプ室12は空間である。第1ポンプ室12は処理液を収容する。第1ポンプ室12は処理液で満たされる。第1ポンプ室12の容積は可変である。 The first pump 11 includes a first pump chamber 12. The first pump chamber 12 is a space. The first pump chamber 12 accommodates the treatment liquid. The first pump chamber 12 is filled with the treatment liquid. The volume of the first pump chamber 12 is variable.

第1ポンプ11は、筐体13とダイヤフラム14を備える。筐体13とダイヤフラム14は、第1ポンプ室12を区画する。筐体13は、例えば、円筒形状を呈する。筐体13は、筐体13の内部に形成される内部空間を有する。筐体13は、開放されている一端部を有する。ダイヤフラム14は、筐体13の一端部に取り付けられる。ダイヤフラム14は、筐体13の内部空間を閉塞する。第1ポンプ室12は、ダイヤフラム14によって閉塞された筐体13の内部空間に相当する。ダイヤフラム14は、可撓性を有する。ダイヤフラム14は、例えば、ローリングダイヤフラムである。ダイヤフラム14の材質は、例えば合成樹脂である。 The first pump 11 includes a housing 13 and a diaphragm 14. The housing 13 and the diaphragm 14 partition the first pump chamber 12. The housing 13 has, for example, a cylindrical shape. The housing 13 has an internal space formed inside the housing 13. The housing 13 has an open end. The diaphragm 14 is attached to one end of the housing 13. The diaphragm 14 closes the internal space of the housing 13. The first pump chamber 12 corresponds to the internal space of the housing 13 closed by the diaphragm 14. The diaphragm 14 has flexibility. The diaphragm 14 is, for example, a rolling diaphragm. The material of the diaphragm 14 is, for example, a synthetic resin.

第1ポンプ11は、開口15、16を有する。開口15、16はそれぞれ、筐体13に形成される。開口15、16はそれぞれ、第1ポンプ室12に連通する。 The first pump 11 has openings 15 and 16. The openings 15 and 16 are formed in the housing 13, respectively. The openings 15 and 16 communicate with the first pump chamber 12, respectively.

第1ポンプ11は第1ピストン18を備える。第1ピストン18は、第1ポンプ室12に対して移動する。 The first pump 11 includes a first piston 18. The first piston 18 moves with respect to the first pump chamber 12.

第1ピストン18は、第1端を有する。第1ピストン18の第1端は、ダイヤフラム14に取り付けられる。第1ピストン18が第1ポンプ室12に対して移動するとき、ダイヤフラム14は変形し、第1ポンプ室12の容積は変わる。 The first piston 18 has a first end. The first end of the first piston 18 is attached to the diaphragm 14. When the first piston 18 moves with respect to the first pump chamber 12, the diaphragm 14 is deformed and the volume of the first pump chamber 12 changes.

第1ポンプ11は第1駆動部19を備える。第1駆動部19は、第1ピストン18に連結される。第1駆動部19は、第1ピストン18を移動させる。第1駆動部19は、例えば、電動モータである。第1駆動部19は、例えば、ステッピングモータである。 The first pump 11 includes a first drive unit 19. The first drive unit 19 is connected to the first piston 18. The first drive unit 19 moves the first piston 18. The first drive unit 19 is, for example, an electric motor. The first drive unit 19 is, for example, a stepping motor.

第1ピストン18は、第2端を有する。第1ピストン18の第2端は、第1駆動部19に連結される。より詳しくは、第1駆動部19は、回転動力を出力する。第1ピストン18と第1駆動部19は、第1駆動部19の回転動力を第1ピストン18の直線運動に変換する不図示の機構を介して連結される。 The first piston 18 has a second end. The second end of the first piston 18 is connected to the first drive unit 19. More specifically, the first drive unit 19 outputs rotational power. The first piston 18 and the first drive unit 19 are connected via a mechanism (not shown) that converts the rotational power of the first drive unit 19 into a linear motion of the first piston 18.

第1ピストン18は、往復直線移動する。図1は、正方向E1pおよび負方向E1nを示す。負方向E1nは、正方向E1pの反対方向である。例えば、第1駆動部19が正回転するとき、第1ピストン18は正方向E1pに移動する。第1ピストン18が正方向E1pに移動するとき、第1ピストン18は第1ポンプ室12に近づく。第1ピストン18が正方向E1pに移動するとき、第1ポンプ室12の容積は減少する。例えば、第1駆動部19が逆回転するとき、第1ピストン18は負方向E1nに移動する。第1ピストン18が負方向E1nに移動するとき、第1ピストン18は第1ポンプ室12から遠ざかる。第1ピストン18が負方向E1nに移動するとき、第1ポンプ室12の容積は増大する。 The first piston 18 reciprocates linearly. FIG. 1 shows a positive direction E1p and a negative direction E1n. The negative direction E1n is the opposite direction of the positive direction E1p. For example, when the first drive unit 19 rotates in the forward direction, the first piston 18 moves in the positive direction E1p. When the first piston 18 moves in the positive direction E1p, the first piston 18 approaches the first pump chamber 12. When the first piston 18 moves in the positive direction E1p, the volume of the first pump chamber 12 decreases. For example, when the first drive unit 19 rotates in the reverse direction, the first piston 18 moves in the negative direction E1n. When the first piston 18 moves in the negative direction E1n, the first piston 18 moves away from the first pump chamber 12. When the first piston 18 moves in the negative direction E1n, the volume of the first pump chamber 12 increases.

処理液供給装置10は、第1圧力センサ21を備える。第1圧力センサ21は、第1ポンプ室12の圧力を検出する。第1圧力センサ21は、例えば、筐体13に取り付けられる。 The processing liquid supply device 10 includes a first pressure sensor 21. The first pressure sensor 21 detects the pressure in the first pump chamber 12. The first pressure sensor 21 is attached to, for example, the housing 13.

処理液供給装置10は、第1位置センサ22を備える。第1位置センサ22は、第1ピストン18の位置を検出する。第1位置センサ22は、例えば、第1駆動部19に取り付けられる。 The processing liquid supply device 10 includes a first position sensor 22. The first position sensor 22 detects the position of the first piston 18. The first position sensor 22 is attached to, for example, the first drive unit 19.

第1位置センサ22は、例えば、エンコーダである。エンコーダは、第1駆動部19の回転角度を検出する。エンコーダは、第1駆動部19の回転角度を示すパルス(電気パルス信号)を出力する。ここで、第1駆動部19の回転角度は、第1ピストン18の位置に相当する。第1駆動部19の回転量は、第1ピストン18の移動距離に比例する。 The first position sensor 22 is, for example, an encoder. The encoder detects the rotation angle of the first drive unit 19. The encoder outputs a pulse (electric pulse signal) indicating the rotation angle of the first drive unit 19. Here, the rotation angle of the first drive unit 19 corresponds to the position of the first piston 18. The amount of rotation of the first drive unit 19 is proportional to the moving distance of the first piston 18.

処理液供給装置10は、配管31を備える。配管31は、第1ポンプ室12とノズル41とを連通接続する。配管31は、第1端と第2端を有する。配管31の第1端は、開口15に接続される。配管31の第2端は、ノズル41に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 31. The pipe 31 communicates and connects the first pump chamber 12 and the nozzle 41. The pipe 31 has a first end and a second end. The first end of the pipe 31 is connected to the opening 15. The second end of the pipe 31 is connected to the nozzle 41.

処理液供給装置10は、第1弁32を備える。第1弁32は、配管31に設けられる。第1弁32は、配管31内における流路を開閉する。配管31内における流路は、第1ポンプ室12とノズル41との間の流路に相当する。第1弁32は、第1ポンプ室12およびノズル41に連通される。 The treatment liquid supply device 10 includes a first valve 32. The first valve 32 is provided in the pipe 31. The first valve 32 opens and closes the flow path in the pipe 31. The flow path in the pipe 31 corresponds to the flow path between the first pump chamber 12 and the nozzle 41. The first valve 32 communicates with the first pump chamber 12 and the nozzle 41.

第1弁32は、弁本体33と入口ポート34と出口ポート35を備える。弁本体33は、流路を開閉する。入口ポート34は、弁本体33の一次側に連通する。出口ポート35は、弁本体33の二次側に連通する。入口ポート34および出口ポート35は、配管31と接続する。入口ポート34は、第1ポンプ室12に連通される。出口ポート35は、ノズル41に連通される。 The first valve 32 includes a valve body 33, an inlet port 34, and an outlet port 35. The valve body 33 opens and closes the flow path. The inlet port 34 communicates with the primary side of the valve body 33. The outlet port 35 communicates with the secondary side of the valve body 33. The inlet port 34 and the outlet port 35 are connected to the pipe 31. The inlet port 34 communicates with the first pump chamber 12. The exit port 35 communicates with the nozzle 41.

処理液供給装置10は、配管36を備える。配管36は、処理液供給源9と第1ポンプ室12とを連通接続する。配管36は、第1端と第2端を有する。配管36の第1端は、処理液供給源9に接続される。配管36の第2端は、開口16に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 36. The pipe 36 communicates and connects the treatment liquid supply source 9 and the first pump chamber 12. The pipe 36 has a first end and a second end. The first end of the pipe 36 is connected to the processing liquid supply source 9. The second end of the pipe 36 is connected to the opening 16.

処理液供給装置10は、第2弁37を備える。第2弁37は、配管36に設けられる。第2弁37は、配管36内における流路を開閉する。配管36内における流路は、第1ポンプ室12と処理液供給源9との間の流路に相当する。第2弁37は、第1ポンプ室12に連通される。第2弁37は、ノズル41に連通されない。 The treatment liquid supply device 10 includes a second valve 37. The second valve 37 is provided in the pipe 36. The second valve 37 opens and closes the flow path in the pipe 36. The flow path in the pipe 36 corresponds to the flow path between the first pump chamber 12 and the processing liquid supply source 9. The second valve 37 communicates with the first pump chamber 12. The second valve 37 does not communicate with the nozzle 41.

処理液供給装置10は、ノズル移動機構42を備える。ノズル移動機構42は、ノズル41を移動させる。ノズル移動機構42は、ノズル41を処理位置と待機位置に移動させる。図1は、処理位置に配置されるノズル41を破線で示す。図1は、待機位置に配置されるノズル41を実線で示す。 The processing liquid supply device 10 includes a nozzle moving mechanism 42. The nozzle moving mechanism 42 moves the nozzle 41. The nozzle moving mechanism 42 moves the nozzle 41 to the processing position and the standby position. In FIG. 1, the nozzle 41 arranged at the processing position is shown by a broken line. In FIG. 1, the nozzle 41 arranged in the standby position is shown by a solid line.

ノズル41が処理位置に位置するとき、ノズル41は、基板Wを狙う。例えば、ノズル41が処理位置に位置するとき、ノズル41は、基板保持部5の上方に位置する。例えば、ノズル41が処理位置に位置するとき、ノズル41は、平面視において、基板保持部5に保持される基板Wと重なる。ノズル41が待機位置に位置するとき、ノズル41は、基板Wを狙わない。例えば、ノズル41が待機位置に位置するとき、ノズル41は、平面視において、基板保持部5に保持される基板Wと重ならない。例えば、ノズル41が待機位置に位置するとき、ノズル41は、カップ7の外方に配置される。 When the nozzle 41 is located at the processing position, the nozzle 41 aims at the substrate W. For example, when the nozzle 41 is located at the processing position, the nozzle 41 is located above the substrate holding portion 5. For example, when the nozzle 41 is located at the processing position, the nozzle 41 overlaps with the substrate W held by the substrate holding portion 5 in a plan view. When the nozzle 41 is located in the standby position, the nozzle 41 does not aim at the substrate W. For example, when the nozzle 41 is located in the standby position, the nozzle 41 does not overlap with the substrate W held by the substrate holding portion 5 in a plan view. For example, when the nozzle 41 is located in the standby position, the nozzle 41 is arranged outside the cup 7.

処理液供給装置10は、ノズル待機部43を備える。ノズル待機部43は、例えば、待機ポットである。ノズル待機部43は、ノズル41の待機位置に配置される。ノズル待機部43は、カップ7の外方に配置される。ノズル41は、ノズル待機部43において待機する。ノズル待機部43は、例えば、ノズル41の少なくとも一部を収容する。ノズル待機部43は、例えば、ノズル41から吐出された処理液を受ける。ノズル41がノズル待機部43に配置されるとき、ノズル41はダミーディスペンスを行うことが可能である。 The processing liquid supply device 10 includes a nozzle standby unit 43. The nozzle standby unit 43 is, for example, a standby pot. The nozzle standby unit 43 is arranged at the standby position of the nozzle 41. The nozzle standby portion 43 is arranged outside the cup 7. The nozzle 41 stands by at the nozzle standby unit 43. The nozzle standby unit 43 accommodates, for example, at least a part of the nozzle 41. The nozzle standby unit 43 receives, for example, the processing liquid discharged from the nozzle 41. When the nozzle 41 is arranged in the nozzle standby portion 43, the nozzle 41 can perform dummy dispense.

ここで、第1弁32は、例えば、第1ポンプ室12よりも高い位置に配置される。図1は、第1ポンプ室12と第1弁32との間の高低差H1を示す。高低差H1は、鉛直方向Zにおける第1ポンプ室12と第1弁32との間の距離である。 Here, the first valve 32 is arranged at a position higher than, for example, the first pump chamber 12. FIG. 1 shows the height difference H1 between the first pump chamber 12 and the first valve 32. The height difference H1 is the distance between the first pump chamber 12 and the first valve 32 in the vertical direction Z.

ノズル41は、例えば、第1ポンプ室12よりも高い位置に配置される。図1は、第1ポンプ室12とノズル41との間の高低差H2を示す。高低差H2は、鉛直方向Zにおける第1ポンプ室12とノズル41との間の距離である。 The nozzle 41 is arranged at a position higher than, for example, the first pump chamber 12. FIG. 1 shows the height difference H2 between the first pump chamber 12 and the nozzle 41. The height difference H2 is the distance between the first pump chamber 12 and the nozzle 41 in the vertical direction Z.

処理液供給装置10は、制御部45を備える。制御部45は、回転駆動部6、第1駆動部19、第1圧力センサ21、第1位置センサ22、第1弁32、第2弁37、および、ノズル移動機構42と、通信可能に接続される。制御部45は、第1圧力センサ21および第1位置センサ22によって検出された検出結果を取得する。制御部45は、回転駆動部6、第1駆動部19、および、ノズル移動機構42を作動させる。制御部45は、第1弁32および第2弁37を開閉する。 The treatment liquid supply device 10 includes a control unit 45. The control unit 45 is communicably connected to the rotation drive unit 6, the first drive unit 19, the first pressure sensor 21, the first position sensor 22, the first valve 32, the second valve 37, and the nozzle movement mechanism 42. Will be done. The control unit 45 acquires the detection result detected by the first pressure sensor 21 and the first position sensor 22. The control unit 45 operates the rotation drive unit 6, the first drive unit 19, and the nozzle movement mechanism 42. The control unit 45 opens and closes the first valve 32 and the second valve 37.

処理液供給装置10は、記憶部47を備える。記憶部47は、各種の情報を記憶する。記憶部47は、制御部45に通信可能に接続される。制御部45は、記憶部47に記憶される情報を参照する。 The processing liquid supply device 10 includes a storage unit 47. The storage unit 47 stores various types of information. The storage unit 47 is communicably connected to the control unit 45. The control unit 45 refers to the information stored in the storage unit 47.

制御部45は、例えば、各種処理を実行するプロセッサ(例えば、中央演算処理装置(CPU))、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)と、各種情報を記憶する半導体メモリを備える。記憶部47は、半導体メモリおよびハードディスクの少なくともいずれかを備える。 The control unit 45 includes, for example, a processor that executes various processes (for example, a central processing unit (CPU)), a RAM (Random-Access Memory) that is a work area for arithmetic processing, and a semiconductor memory that stores various information. .. The storage unit 47 includes at least one of a semiconductor memory and a hard disk.

3.動作
第1実施形態の基板処理装置1の基本的な動作例を説明する。図2は、基板処理装置1の動作の手順を示すフローチャートである。
3. 3. Operation A basic operation example of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart showing the operation procedure of the substrate processing apparatus 1.

基板処理装置1は、サイクル動作Cを繰り返し行う。各サイクル動作Cは、第1充填工程CAと定圧工程CCと供給工程CSを含む。第1充填工程CAと定圧工程CCと供給工程CSは、この順に実行される。 The substrate processing apparatus 1 repeatedly performs the cycle operation C. Each cycle operation C includes a first filling step CA, a constant pressure step CC, and a supply step CS. The first filling step CA, the constant pressure step CC, and the supply step CS are executed in this order.

[ステップS1:第1充填工程CA]
図3は、第1充填工程CAにおける基板処理装置1を示す図である。図3は、便宜上、基板処理装置1を簡略に示す。第1充填工程CAは、第1ポンプ室12に処理液を充填する。
[Step S1: First filling step CA]
FIG. 3 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1 in the first filling step CA. FIG. 3 briefly shows the substrate processing apparatus 1 for convenience. In the first filling step CA, the first pump chamber 12 is filled with the treatment liquid.

制御部45は、ノズル移動機構42によってノズル41を待機位置に配置させる。ノズル41は、ノズル待機部43に配置される。 The control unit 45 arranges the nozzle 41 in the standby position by the nozzle moving mechanism 42. The nozzle 41 is arranged in the nozzle standby unit 43.

制御部45は、第1弁32を閉じる。制御部45は、第2弁37を開く。制御部45は、第1ピストン18を負方向E1nに移動させる。第1ポンプ室12の容積は増大する。処理液は、処理液供給源9から、配管36および第2弁37を通じて、第1ポンプ室12に流れる。第1ポンプ室12は、開口16を通じて、処理液を吸い込む。 The control unit 45 closes the first valve 32. The control unit 45 opens the second valve 37. The control unit 45 moves the first piston 18 in the negative direction E1n. The volume of the first pump chamber 12 increases. The treatment liquid flows from the treatment liquid supply source 9 to the first pump chamber 12 through the pipe 36 and the second valve 37. The first pump chamber 12 sucks the treatment liquid through the opening 16.

図3は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18を実線で示す。図3は、第1充填工程CAが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18の位置を、位置PAsと呼ぶ。第1充填工程CAが終了する時の第1ピストン18の位置を、位置PAeと呼ぶ。第1充填工程CAにおける第1ピストン18の移動距離を、移動距離LAと呼ぶ。移動距離LAは、位置PAsと位置PAeとの差である。移動距離LAは、絶対値である。 FIG. 3 shows a solid line of the first piston 18 when the first filling step CA starts. FIG. 3 shows the first piston 18 at the end of the first filling step CA with a broken line. The position of the first piston 18 when the first filling step CA starts is called the position PAs. The position of the first piston 18 when the first filling step CA is completed is called the position PAe. The moving distance of the first piston 18 in the first filling step CA is referred to as a moving distance LA. The moving distance LA is the difference between the position PAs and the position PAe. The travel distance LA is an absolute value.

[ステップS2:定圧工程CC]
図4は、定圧工程CCにおける基板処理装置1を示す図である。定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を一定に保つ。
[Step S2: Constant pressure process CC]
FIG. 4 is a diagram showing a substrate processing device 1 in the constant pressure process CC. The constant pressure step CC keeps the pressure of the first pump chamber 12 constant.

定圧工程CCにおいても、ノズル41は待機位置に配置される。 Also in the constant pressure step CC, the nozzle 41 is arranged in the standby position.

定圧工程CCでは、制御部45は、定圧制御を行う。定圧制御では、制御部45は、第1弁32と第2弁37を閉じる。第1ポンプ室12は閉塞される。定圧制御では、制御部45は、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに保つように、第1ピストン18の位置を調整する。定圧制御では、制御部45は、第1圧力センサ21の検出結果に基づいて、第1ピストン18の位置を調整する。定圧工程CCでは、第1ポンプ室12の圧力は、第1弁32の入口ポート34に付与される。 In the constant pressure step CC, the control unit 45 performs constant pressure control. In constant pressure control, the control unit 45 closes the first valve 32 and the second valve 37. The first pump chamber 12 is closed. In the constant pressure control, the control unit 45 adjusts the position of the first piston 18 so as to keep the pressure of the first pump chamber 12 at the target value F. In the constant pressure control, the control unit 45 adjusts the position of the first piston 18 based on the detection result of the first pressure sensor 21. In the constant pressure step CC, the pressure of the first pump chamber 12 is applied to the inlet port 34 of the first valve 32.

例えば、制御部45は、第1圧力センサ21の検出結果に基づいて、第1ピストン18の位置をフィードバック制御する。第1圧力センサ21の検出結果が目標値Fよりも低いとき、制御部45は、第1ピストン18を正方向E1pに移動させ、第1ポンプ室12の圧力を上げる。第1圧力センサ21の検出結果が目標値Fよりも高いとき、制御部45は、第1ピストン18を負方向E1nに移動させ、第1ポンプ室12の圧力を下げる。 For example, the control unit 45 feedback-controls the position of the first piston 18 based on the detection result of the first pressure sensor 21. When the detection result of the first pressure sensor 21 is lower than the target value F, the control unit 45 moves the first piston 18 in the positive direction E1p and raises the pressure of the first pump chamber 12. When the detection result of the first pressure sensor 21 is higher than the target value F, the control unit 45 moves the first piston 18 in the negative direction E1n and lowers the pressure in the first pump chamber 12.

目標値Fは、大気圧よりも高いことが好ましい。目標値Fは、例えば、5kPa以上であることが好ましい。目標値Fは、例えば、7kPa以上であることが好ましい。目標値Fは、例えば、10kPa以上であることが好ましい。本明細書では、圧力を、大気圧を基準としたゲージ圧で表記する。 The target value F is preferably higher than the atmospheric pressure. The target value F is preferably, for example, 5 kPa or more. The target value F is preferably, for example, 7 kPa or more. The target value F is preferably, for example, 10 kPa or more. In the present specification, the pressure is expressed as a gauge pressure with respect to atmospheric pressure.

目標値Fは、高低差H1および高低差H2の少なくともいずれかに基づいて、設定されることが好ましい。例えば、高低差H1が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fが設定される。例えば、高低差H2が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fが設定される。 The target value F is preferably set based on at least one of the height difference H1 and the height difference H2. For example, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H1 increases. For example, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H2 increases.

図4は、定圧工程CCが始まる時の第1ピストン18を実線で示す。図4は、定圧工程CCが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。定圧工程CCが始まる時の第1ピストン18の位置を、位置PCsと呼ぶ。定圧工程CCが終了する時の第1ピストン18の位置を、位置PCeと呼ぶ。定圧工程CCにおける第1ピストン18の移動距離を、移動距離LCと呼ぶ。移動距離LCは、位置PCsと位置PCeの差である。移動距離LCは、絶対値である。 FIG. 4 shows a solid line of the first piston 18 when the constant pressure process CC starts. FIG. 4 shows the first piston 18 at the end of the constant pressure step CC by a broken line. The position of the first piston 18 when the constant pressure process CC starts is called the position PCs. The position of the first piston 18 when the constant pressure step CC is completed is called the position PCe. The moving distance of the first piston 18 in the constant pressure step CC is called a moving distance LC. The moving distance LC is the difference between the position PCs and the position PCe. The travel distance LC is an absolute value.

[ステップS3:供給工程CS]
図5は、供給工程CSにおける基板処理装置1を示す図である。供給工程CSは、基板Wに処理液を供給し、基板Wに処理を行う。
[Step S3: Supply process CS]
FIG. 5 is a diagram showing a substrate processing device 1 in the supply process CS. The supply process CS supplies the processing liquid to the substrate W and processes the substrate W.

制御部45は、ノズル41を処理位置に配置させる。ノズル41は、待機位置から処理位置に移動する。基板保持部5は、基板Wを保持する。制御部45は、回転駆動部6によって基板保持部5を回転させる。これにより、基板保持部5に保持される基板Wは、回転する。 The control unit 45 arranges the nozzle 41 at the processing position. The nozzle 41 moves from the standby position to the processing position. The substrate holding portion 5 holds the substrate W. The control unit 45 rotates the substrate holding unit 5 by the rotation drive unit 6. As a result, the substrate W held by the substrate holding portion 5 rotates.

制御部45は、第1弁32を開く。制御部45は、第2弁37を閉じる。制御部45は、第1ピストン18を正方向E1pに移動させる。第1ポンプ室12の容積は、減少する。第1ポンプ室12は、開口15を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、配管31および第1弁32を介して、ノズル41に流れる。ノズル41は、処理液を基板Wに吐出する。カップ7は、基板Wから飛散された処理液を受ける。 The control unit 45 opens the first valve 32. The control unit 45 closes the second valve 37. The control unit 45 moves the first piston 18 in the positive direction E1p. The volume of the first pump chamber 12 is reduced. The first pump chamber 12 discharges the treatment liquid through the opening 15. The treatment liquid flows to the nozzle 41 via the pipe 31 and the first valve 32. The nozzle 41 discharges the processing liquid onto the substrate W. The cup 7 receives the processing liquid scattered from the substrate W.

図5は、供給工程CSが始まる時の第1ピストン18を実線で示す。図5は、供給工程CSが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。供給工程CSが始まる時の第1ピストン18の位置を、位置PSsと呼ぶ。供給工程CSが終了する時の第1ピストン18の位置を、位置PSeと呼ぶ。供給工程CSにおける第1ピストン18の移動距離を、移動距離LSと呼ぶ。移動距離LSは、位置PSsと位置PSeの差である。移動距離LSは、絶対値である。 FIG. 5 shows the first piston 18 at the start of the supply process CS with a solid line. FIG. 5 shows the first piston 18 at the end of the supply process CS with a broken line. The position of the first piston 18 when the supply process CS starts is called the position PSs. The position of the first piston 18 when the supply process CS is completed is called the position PSe. The moving distance of the first piston 18 in the supply process CS is referred to as a moving distance LS. The moving distance LS is the difference between the position PSs and the position PSe. The travel distance LS is an absolute value.

供給工程CSが終了することによって、1つのサイクル動作Cが終了する。1つのサイクル動作Cが終了した後、新たなサイクル動作Cが始まる。すなわち、第1充填工程CAが始まる。 When the supply process CS is completed, one cycle operation C is completed. After the end of one cycle operation C, a new cycle operation C starts. That is, the first filling step CA starts.

図6は、第1ピストン18の位置の時間的な変化を示すグラフである。定圧工程CCが始まる時は、例えば、第1充填工程CAが終了する時と同時である。供給工程CSが始まる時は、例えば、定圧工程CCが終了する時と同時である。第1充填工程CAが始まる時は、例えば、供給工程CSが終了する時と同時である。 FIG. 6 is a graph showing the temporal change of the position of the first piston 18. The time when the constant pressure step CC starts is, for example, the same as when the first filling step CA ends. The time when the supply process CS starts is, for example, the same as the time when the constant pressure process CC ends. The time when the first filling step CA starts is, for example, the same as when the supply step CS ends.

第1充填工程CAでは、制御部45は、第1ピストン18を、第1原点位置P0まで移動させる。すなわち、位置PAeは、常に、第1原点位置P0である。 In the first filling step CA, the control unit 45 moves the first piston 18 to the first origin position P0. That is, the position PAe is always the first origin position P0.

定圧工程CCでは、位置PCsは、位置PAeと実質的に等しい。このため、位置PCsは、第1原点位置P0と実質的に等しい。 In the constant pressure step CC, the position PCs are substantially equal to the position PAe. Therefore, the position PCs are substantially equal to the first origin position P0.

定圧工程CCでは、第1ピストン18は、静止することもあり、正方向E1pに移動することもあり、負方向E1nに移動することもある。移動距離LCは、複数のサイクル動作Cの間で、ばらつくことがある。移動距離LCがばらつく原因の1つは、第1弁32からの処理液のリークである。第1弁32からの処理液のリークは、第1弁32が閉じているときに、第1弁32が処理液をリークすることである。言い換えれば、第1弁32からの処理液のリークは、第1弁32が閉じているときに、処理液が弁本体33を通じて流れることである。以下では、第1弁32からの処理液のリークを、適宜に「リーク」と呼ぶ。 In the constant pressure step CC, the first piston 18 may be stationary, may move in the positive direction E1p, or may move in the negative direction E1n. The travel distance LC may vary among the plurality of cycle operations C. One of the causes of the variation in the moving distance LC is the leakage of the treatment liquid from the first valve 32. The leak of the treatment liquid from the first valve 32 is that the first valve 32 leaks the treatment liquid when the first valve 32 is closed. In other words, the leak of the treatment liquid from the first valve 32 is that the treatment liquid flows through the valve body 33 when the first valve 32 is closed. Hereinafter, the leak of the treatment liquid from the first valve 32 is appropriately referred to as “leak”.

図7(a)、7(b)、7(c)はそれぞれ、定圧工程CCにおける第1ピストン18の位置の変化を模式的に示す図である。 7 (a), 7 (b), and 7 (c) are diagrams schematically showing changes in the position of the first piston 18 in the constant pressure step CC, respectively.

図7(a)では、リークが生じていない。このため、第1ポンプ室12とノズル41との間において、処理液は流れない。処理液は、ノズル41から垂れない。処理液のしずくは、ノズル41から落ちない。処理液は、ノズル41内の流路の全部を実質的に満たす。ノズル41内の処理液の液位は、ノズル41の吐出口と略同じ高さ位置に保たれる。ノズル41内の処理液の液位は、例えば、ノズル41内の処理液の下面である。 In FIG. 7A, no leak has occurred. Therefore, the treatment liquid does not flow between the first pump chamber 12 and the nozzle 41. The treatment liquid does not drip from the nozzle 41. Drops of the treatment liquid do not fall from the nozzle 41. The treatment liquid substantially fills the entire flow path in the nozzle 41. The liquid level of the processing liquid in the nozzle 41 is maintained at substantially the same height as the discharge port of the nozzle 41. The liquid level of the treatment liquid in the nozzle 41 is, for example, the lower surface of the treatment liquid in the nozzle 41.

第1弁32からの処理液のリークが生じていないので、処理液はノズル41から第1ポンプ室12に流入せず、かつ、処理液は第1ポンプ室12からノズル41に流出しない。このため、第1ポンプ室12の圧力の変動は、比較的に小さい。よって、第1ピストン18の位置の変化は比較的に小さい。 Since the treatment liquid does not leak from the first valve 32, the treatment liquid does not flow into the first pump chamber 12 from the nozzle 41, and the treatment liquid does not flow out from the first pump chamber 12 to the nozzle 41. Therefore, the fluctuation of the pressure in the first pump chamber 12 is relatively small. Therefore, the change in the position of the first piston 18 is relatively small.

図7(b)では、リークが生じている。具体的には、第1弁32は、弁本体33を通じて、処理液をリークする。リークの向きは、入口ポート34から出口ポート35に向かう方向である。処理液は、第1弁32を通じて、第1ポンプ室12からノズル41に流れる。ここで、処理液が第1弁32を通じて第1ポンプ室12からノズル41に流れるリークを、順方向リークと呼ぶ。順方向リークが生じているので、処理液は、ノズル41から垂れる。例えば、処理液のしずくは、ノズル41から落ちる。ノズル待機部43は、ノズル41から垂れた処理液を受ける。 In FIG. 7B, a leak has occurred. Specifically, the first valve 32 leaks the treatment liquid through the valve body 33. The direction of the leak is from the inlet port 34 to the exit port 35. The treatment liquid flows from the first pump chamber 12 to the nozzle 41 through the first valve 32. Here, the leak in which the treatment liquid flows from the first pump chamber 12 to the nozzle 41 through the first valve 32 is called a forward leak. Since a forward leak has occurred, the treatment liquid drips from the nozzle 41. For example, drops of the treatment liquid fall from the nozzle 41. The nozzle standby unit 43 receives the processing liquid dripping from the nozzle 41.

順方向リークが生じた時、処理液は、第1ポンプ室12からノズル41に流出する。第1ポンプ室12から流出する処理液によって、第1ポンプ室12の圧力は低下する。制御部45は、第1ピストン18を正方向E1pに移動させ、第1ポンプ室12の容積を減少させる。これにより、第1ポンプ室12の圧力は高くなる。第1ポンプ室12の圧力は、順方向リークが生じた時の圧力に戻る。 When a forward leak occurs, the treatment liquid flows out from the first pump chamber 12 to the nozzle 41. The pressure in the first pump chamber 12 is reduced by the treatment liquid flowing out of the first pump chamber 12. The control unit 45 moves the first piston 18 in the positive direction E1p and reduces the volume of the first pump chamber 12. As a result, the pressure in the first pump chamber 12 becomes high. The pressure in the first pump chamber 12 returns to the pressure at which the forward leak occurred.

このため、順方向リークは、継続して発生し易い。順方向リークの発生期間は、長くなり易い。順方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり易い。よって、第1ピストン18の位置の変化は大きくなり易い。 Therefore, forward leaks are likely to occur continuously. The period of occurrence of forward leaks tends to be long. The amount of treatment liquid flowing due to forward leakage tends to be large. Therefore, the change in the position of the first piston 18 tends to be large.

仮に、制御部45が定圧制御を行わない場合、順方向リークが生じた後の第1ポンプ室12の圧力は、順方向リークが生じる前の第1ポンプ室12の圧力よりも、低くなる。第1ポンプ室12の圧力が低いほど、処理液は第1ポンプ室12から流出し難い。よって、順方向リークは、継続して発生し難い。順方向リークの発生期間は、長くなり難い。順方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり難い。よって、第1ピストン18の位置の変化は大きくなり難い。 If the control unit 45 does not perform constant pressure control, the pressure in the first pump chamber 12 after the forward leak occurs is lower than the pressure in the first pump chamber 12 before the forward leak occurs. The lower the pressure in the first pump chamber 12, the more difficult it is for the treatment liquid to flow out of the first pump chamber 12. Therefore, forward leaks are unlikely to occur continuously. The period of occurrence of forward leaks is unlikely to be long. The amount of treatment liquid that flows due to forward leakage is unlikely to increase. Therefore, the change in the position of the first piston 18 is unlikely to be large.

図7(c)では、リークが生じている。図7(c)に示すリークは、図7(b)に示すリークと、リークの向きが異なる。具体的には、第1弁32は、弁本体33を通じて、出口ポート35から入口ポート34に処理液をリークする。処理液は、第1弁32を通じて、ノズル41から第1ポンプ室12に流れる。ここで、処理液が第1弁32を通じてノズル41から第1ポンプ室12に流れるリークを、逆方向リークと呼ぶ。処理液は、ノズル41内の流路の全部を満たさなくなる。例えば、ノズル41内の処理液の液位は、ノズル41の吐出口から上昇する。 In FIG. 7 (c), a leak has occurred. The leak shown in FIG. 7 (c) has a different direction from the leak shown in FIG. 7 (b). Specifically, the first valve 32 leaks the processing liquid from the outlet port 35 to the inlet port 34 through the valve body 33. The treatment liquid flows from the nozzle 41 to the first pump chamber 12 through the first valve 32. Here, the leak in which the treatment liquid flows from the nozzle 41 to the first pump chamber 12 through the first valve 32 is called a reverse leak. The treatment liquid does not fill the entire flow path in the nozzle 41. For example, the liquid level of the processing liquid in the nozzle 41 rises from the discharge port of the nozzle 41.

逆方向リークが生じた時、処理液は、ノズル41から第1ポンプ室12に流入する。第1ポンプ室12に流入する処理液によって、第1ポンプ室12の圧力は高くなる。制御部45は、第1ピストン18を負方向E1nに移動させ、第1ポンプ室12の容積を増大させる。これにより、第1ポンプ室12の圧力は低くなる。第1ポンプ室12の圧力は、逆方向リークが生じた時の圧力に戻る。このため、逆方向リークは、継続して発生し易い。逆方向リークの発生期間は、長くなり易い。逆方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり易い。よって、第1ピストン18の位置の変化は大きくなり易い。 When a reverse leak occurs, the treatment liquid flows from the nozzle 41 into the first pump chamber 12. The pressure in the first pump chamber 12 increases due to the treatment liquid flowing into the first pump chamber 12. The control unit 45 moves the first piston 18 in the negative direction E1n to increase the volume of the first pump chamber 12. As a result, the pressure in the first pump chamber 12 becomes low. The pressure in the first pump chamber 12 returns to the pressure at which the reverse leak occurred. Therefore, reverse leakage is likely to occur continuously. The period of occurrence of reverse leak tends to be long. The amount of treatment liquid flowing due to the reverse leak tends to be large. Therefore, the change in the position of the first piston 18 tends to be large.

仮に、制御部45が定圧制御を行わない場合、逆方向リークが生じた後の第1ポンプ室12の圧力は、逆方向リークが生じる前の第1ポンプ室12の圧力よりも、高くなる。よって、逆方向リークは、継続して発生し難い。逆方向リークの発生期間は、長くなり難い。逆方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり難い。よって、第1ピストン18の位置の変化は大きくなり難い。 If the control unit 45 does not perform constant pressure control, the pressure in the first pump chamber 12 after the reverse leak occurs is higher than the pressure in the first pump chamber 12 before the reverse leak occurs. Therefore, reverse leakage is unlikely to occur continuously. The period of occurrence of reverse leak is unlikely to be long. The amount of treatment liquid flowing due to the reverse leak is unlikely to increase. Therefore, the change in the position of the first piston 18 is unlikely to be large.

リークが生じる場合、基板Wに対する処理の品質を好適に保つことができない。例えば、順方向リークが生じる場合、供給工程CSにおいて、第1弁32を閉じた後に、ノズル41は不必要な処理液を基板Wに滴下するおそれがある。その結果、基板W上に塗布欠陥やパーティクルが発生するおそれがある。例えば、逆方向リークが生じる場合、第1ポンプ室12とノズル41との間の流路に空気が入る。その結果、レジストの一部が乾燥し、固化し、パーティクルとなるおそれがある。さらに、供給工程CSにおいて、ノズル41は、空気が混入された処理液を基板Wに吐出するおそれがある。さらに、ノズル41が基板Wに供給する処理液の量を、適切に管理できなくなるおそれがある。 When a leak occurs, the quality of processing for the substrate W cannot be kept suitable. For example, when a forward leak occurs, the nozzle 41 may drop an unnecessary treatment liquid onto the substrate W after closing the first valve 32 in the supply process CS. As a result, coating defects and particles may occur on the substrate W. For example, when a reverse leak occurs, air enters the flow path between the first pump chamber 12 and the nozzle 41. As a result, a part of the resist may be dried and solidified to become particles. Further, in the supply process CS, the nozzle 41 may discharge the processing liquid mixed with air to the substrate W. Further, the amount of the processing liquid supplied by the nozzle 41 to the substrate W may not be properly controlled.

図6を参照する。位置PCeは、移動距離LCに応じて変動する。位置PCeは、第1原点位置P0を、定圧工程CCにおける第1ピストンの移動方向に、移動距離LCだけ、シフトした位置に相当する。 See FIG. The position PCe varies depending on the moving distance LC. The position PCe corresponds to a position where the first origin position P0 is shifted in the moving direction of the first piston in the constant pressure step CC by the moving distance LC.

供給工程CSでは、位置PSsは、位置PCeと実質的に等しい。このため、位置PSsは、移動距離LCに応じて変動する。供給工程CSでは、制御部45は、第1ピストン18を、第1距離L1だけ、移動させる。すなわち、距離LSは、常に、第1距離L1である。位置PSeは、正方向E1pに第1距離L1だけ、位置PSsをシフトした位置である。位置PSeは、移動距離LCに応じて変動する。 In the supply process CS, the position PSs are substantially equal to the position PCe. Therefore, the position PSs fluctuates according to the moving distance LC. In the supply process CS, the control unit 45 moves the first piston 18 by the first distance L1. That is, the distance LS is always the first distance L1. The position PSe is a position where the position PSs is shifted in the positive direction E1p by the first distance L1. The position PSe varies depending on the travel distance LC.

位置PAsは、位置PSeと実質的に等しい。このため、位置PAsは、移動距離LCに応じて変動する。上述の通り、位置PAeは、第1原点位置P0である。このため、移動距離LAも、移動距離LCに応じて変動する。 Position PAs are substantially equal to position PSe. Therefore, the position PAs fluctuate according to the moving distance LC. As described above, the position PAe is the first origin position P0. Therefore, the moving distance LA also fluctuates according to the moving distance LC.

上述した目標値F、第1原点位置P0および第1距離L1は、予め設定されている。具体的には、基板処理装置1が上述した動作する前に、目標値F、第1原点位置P0および第1距離L1は設定されている。目標値F、第1原点位置P0および第1距離L1は、例えば、記憶部47に記憶されている。第1原点位置P0および第1距離L1はそれぞれ、既知である。 The target value F, the first origin position P0, and the first distance L1 described above are set in advance. Specifically, the target value F, the first origin position P0, and the first distance L1 are set before the substrate processing apparatus 1 operates as described above. The target value F, the first origin position P0, and the first distance L1 are stored in, for example, the storage unit 47. The first origin position P0 and the first distance L1 are known, respectively.

[ステップS4:検出工程]
図2を参照する。基板処理装置1は、サイクル動作Cと並行して、検出工程を行う。検出工程は、例えば、第1充填工程CA、定圧工程CCおよび供給工程CSが実行される期間に、実行される。検出工程では、第1圧力センサ21は、第1ポンプ室12の圧力を検出する。第1圧力センサ21は、第1圧力センサ21の検出結果を、制御部45に出力する。検出工程では、第1位置センサ22は、第1ピストン18の位置を検出する。第1位置センサ22は、第1位置センサ22の検出結果を、制御部45に出力する。
[Step S4: Detection step]
See FIG. The substrate processing apparatus 1 performs a detection step in parallel with the cycle operation C. The detection step is executed, for example, during the period when the first filling step CA, the constant pressure step CC, and the supply step CS are executed. In the detection step, the first pressure sensor 21 detects the pressure in the first pump chamber 12. The first pressure sensor 21 outputs the detection result of the first pressure sensor 21 to the control unit 45. In the detection step, the first position sensor 22 detects the position of the first piston 18. The first position sensor 22 outputs the detection result of the first position sensor 22 to the control unit 45.

[ステップS5:リーク判定工程]
基板処理装置1は、サイクル動作Cおよび検出工程と並行して、リーク判定工程を行う。リーク判定工程では、制御部45は、リーク判定処理を行う。リーク判定処理では、制御部45は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部45は、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化に基づいて、第1弁32からの処理液のリークの有無を判定する。
[Step S5: Leak determination step]
The substrate processing apparatus 1 performs a leak determination step in parallel with the cycle operation C and the detection step. In the leak determination step, the control unit 45 performs a leak determination process. In the leak determination process, the control unit 45 acquires the change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on the detection result obtained by the detection step. In the leak determination process, the control unit 45 determines whether or not there is a leak of the processing liquid from the first valve 32 based on the change in the position of the first piston 18 in the determination period J.

図6は、判定期間Jを例示する。判定期間Jの全部は、定圧工程CCが実行される期間に含まれる。すなわち、判定期間Jは、定圧工程CCが実行されない期間を含まない。判定期間Jは、定圧工程CCが実行される期間の少なくとも一部である。判定期間Jは、例えば、定圧工程CCが実行される期間の全部であってもよい。ここで、定圧工程CCが実行される期間は、定圧制御が実行される期間に相当する。 FIG. 6 illustrates the determination period J. The entire determination period J is included in the period during which the constant pressure step CC is executed. That is, the determination period J does not include the period during which the constant pressure step CC is not executed. The determination period J is at least a part of the period during which the constant pressure step CC is executed. The determination period J may be, for example, the entire period during which the constant pressure step CC is executed. Here, the period during which the constant pressure step CC is executed corresponds to the period during which the constant pressure control is executed.

制御部45が取得する第1ピストン18の位置の変化は、第1ピストン18の移動距離、および、第1ピストン18の平均速度の少なくともいずれかを含む。 The change in the position of the first piston 18 acquired by the control unit 45 includes at least one of the moving distance of the first piston 18 and the average speed of the first piston 18.

判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得するとは、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を算出すること、および、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を推定することの少なくともいずれかを含む。判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を算出するとは、判定期間Jにおける第1ピストン18の2つ以上の位置の検出結果に基づいて、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得することである。判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を推定するとは、判定期間Jにおける第1ピストン18の1つのみの位置の検出結果、および、判定期間J以外の期間における第1ピストン18の1つ以上の位置の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得することである。 Acquiring the change in the position of the first piston 18 in the determination period J means calculating the change in the position of the first piston 18 in the determination period J and estimating the change in the position of the first piston 18 in the determination period J. Includes at least one of the things to do. To calculate the change in the position of the first piston 18 in the determination period J is to calculate the change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on the detection result of two or more positions of the first piston 18 in the determination period J. Is to get. Estimating the change in the position of the first piston 18 in the determination period J means that the detection result of only one position of the first piston 18 in the determination period J and 1 of the first piston 18 in a period other than the determination period J. It is to acquire the change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on at least one of the detection results of one or more positions.

4.判定期間J
図8は、定圧工程CCにおける第1ポンプ室12の圧力の時間的な変化を例示するグラフである。時刻TCsは、定圧工程CCが開始する時刻である。時刻TCeは、定圧工程CCが終了する時刻である。
4. Judgment period J
FIG. 8 is a graph illustrating the temporal change of the pressure of the first pump chamber 12 in the constant pressure step CC. The time TCs are the times when the constant pressure process CC starts. The time TCe is the time when the constant pressure process CC ends.

判定期間Jは、第1判定期間J1と第2判定期間J2の少なくともいずれかを含む。 The determination period J includes at least one of the first determination period J1 and the second determination period J2.

第1判定期間J1は、例えば、定圧工程CCが実行される期間の一部である。第1判定期間J1は、第1時刻TJsから始まる。制御部45は、第1圧力センサ21の検出結果に基づいて、第1時刻TJsを特定する。第1時刻TJsは、定圧工程CCが始まった後、第1ポンプ室12の圧力が初めて目標値Fの許容範囲G内になる時刻である。ここで、許容範囲Gは、目標値Fを含む。例えば、許容範囲Gは、目標値Fの±2kPaの範囲である。例えば、許容範囲Gは、目標値Fの±20%の範囲である。 The first determination period J1 is, for example, a part of the period during which the constant pressure step CC is executed. The first determination period J1 starts from the first time TJs. The control unit 45 identifies the first time TJs based on the detection result of the first pressure sensor 21. The first time TJs is the time when the pressure in the first pump chamber 12 falls within the allowable range G of the target value F for the first time after the constant pressure step CC starts. Here, the allowable range G includes the target value F. For example, the permissible range G is a range of ± 2 kPa of the target value F. For example, the permissible range G is in the range of ± 20% of the target value F.

第1判定期間J1の時間の長さを、時間長U1と呼ぶ。時間長U1は、例えば、4秒以上である。時間長U1は、例えば、8秒以下である。 The time length of the first determination period J1 is referred to as a time length U1. The time length U1 is, for example, 4 seconds or more. The time length U1 is, for example, 8 seconds or less.

時間長U1は、時刻TJeを規定する。時刻TJeは、第1時刻TJsから時間長U1が経過する時刻である。第1判定期間J1は、時刻TJeに終了する。但し、時刻TJeが時刻TCeよりも後になる場合、第1判定期間J1は時刻TCeに終了する。 The time length U1 defines the time TJe. The time TJe is a time when the time length U1 elapses from the first time TJs. The first determination period J1 ends at the time TJe. However, when the time TJe is later than the time TCe, the first determination period J1 ends at the time TCe.

第2判定期間J2は、定圧工程CCが実行される期間の全部である。すなわち、第2判定期間J2は、時刻TCsから時刻TCeまでの期間である。第2判定期間J2の時間の長さを、時間長U2と呼ぶ。時間長U2は、定圧工程CCが実行される期間の時間長に相当する。時間長U2は、時刻TCsから時刻TCeまでの時間の長さに相当する。 The second determination period J2 is the entire period during which the constant pressure step CC is executed. That is, the second determination period J2 is a period from the time TCs to the time TCe. The length of time of the second determination period J2 is called the time length U2. The time length U2 corresponds to the time length of the period during which the constant pressure step CC is executed. The time length U2 corresponds to the length of time from the time TCs to the time TCe.

上述した許容範囲Gおよび時間長U1、U2は、予め設定されている。許容範囲Gおよび時間長U1、U2は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned allowable range G and the time lengths U1 and U2 are preset. The permissible range G and the time lengths U1 and U2 are stored in, for example, the storage unit 47.

5.リーク判定工程(リーク判定処理)の詳細
リーク判定処理には、多様な手順がある。以下では、第1-第6のリーク判定処理を例示する。制御部51は、第1-第6のリーク判定処理の少なくとも1つを実行する。例えば、制御部51は、第1-第6のリーク判定処理の2つを並行して実行してもよい。
5. Details of the leak determination process (leak determination process) There are various procedures for the leak determination process. Hereinafter, the first to sixth leak determination processes will be illustrated. The control unit 51 executes at least one of the first to sixth leak determination processes. For example, the control unit 51 may execute the first to sixth leak determination processes in parallel.

5-1.第1のリーク判定処理
第1のリーク判定処理は、第1判定期間J1において第1ピストン18の位置が継続的に変化するか否かを判別する。
5-1. First leak determination process The first leak determination process determines whether or not the position of the first piston 18 continuously changes in the first determination period J1.

図8を参照する。制御部45は、第1判定期間J1を、複数の分割期間Dに区分する。分割期間Dの数NDは、例えば、8つ以下である。分割期間Dの数NDは、例えば、4つ以上である。各分割期間Dの時間長は、例えば、互いに等しい。各分割期間Dの時間長は、例えば、1秒である。 See FIG. The control unit 45 divides the first determination period J1 into a plurality of division periods D. The number ND of the division period D is, for example, 8 or less. The number ND of the division period D is, for example, four or more. The time lengths of each division period D are, for example, equal to each other. The time length of each division period D is, for example, 1 second.

制御部45は、第1判定期間J1における第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、各分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDを算出する。移動距離LDは、分割期間Dが開始する時の第1ピストン18の位置と分割期間Dが終了する時の第1ピストン18の位置との差である。移動距離LDは、絶対値である。 The control unit 45 calculates the moving distance LD of the first piston 18 in each division period D based on the detection result of the position of the first piston 18 in the first determination period J1. The moving distance LD is the difference between the position of the first piston 18 when the division period D starts and the position of the first piston 18 when the division period D ends. The travel distance LD is an absolute value.

制御部45は、各移動距離LDを第1閾値K1と比較する。制御部45は、第1閾値K1以上の移動距離LDを含む分割期間Dを、変化期間DCとして特定する。制御部45は、第1閾値K1未満の移動距離LDを含む分割期間Dを、変化期間DCとして特定しない。 The control unit 45 compares each movement distance LD with the first threshold value K1. The control unit 45 specifies the division period D including the movement distance LD of the first threshold value K1 or more as the change period DC. The control unit 45 does not specify the division period D including the movement distance LD less than the first threshold value K1 as the change period DC.

制御部45は、変化期間DCの数NCを計数する。数NCは、数ND以下である。数NCが大きくなるほど、第1ピストン18の位置が、継続的に、有意に変化すると言える。言い換えれば、数NCが大きくなるほど、第1ピストン18の位置が有意に変化する期間が長いと言える。 The control unit 45 counts the number NC of the change period DC. The number NC is less than or equal to the number ND. It can be said that the position of the first piston 18 changes significantly continuously as the number NC increases. In other words, it can be said that the larger the number NC, the longer the period during which the position of the first piston 18 changes significantly.

制御部45は、数NCに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the number NC.

例えば、制御部45は、数NCを、第1基準値R1と比較する。数NCが第1基準値R1以上である場合、制御部45は、リークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the number NC with the first reference value R1. When the number NC is equal to or greater than the first reference value R1, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

例えば、制御部45は、数NDに対する数NCの比Aを算出する。制御部45は、比Aを第2基準値R2と比較する。比Aが第2基準値R2以上である場合、制御部45は、リークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 calculates the ratio A of the number NC to the number ND. The control unit 45 compares the ratio A with the second reference value R2. When the ratio A is equal to or greater than the second reference value R2, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

第1のリーク判定処理の具体例を説明する。 A specific example of the first leak determination process will be described.

図9は、第1判定期間J1における第1位置センサ22の検出結果の一例を示すグラフである。図9では、第1ピストン18の位置を、パルス数[pls]によって示す。第1ピストン18が正方向E1pに移動するとき、パルス数は増加するものとする。第1ピストン18が負方向E1nに移動するとき、パルス数は減少するものとする。 FIG. 9 is a graph showing an example of the detection result of the first position sensor 22 in the first determination period J1. In FIG. 9, the position of the first piston 18 is shown by the number of pulses [pls]. It is assumed that the number of pulses increases when the first piston 18 moves in the positive direction E1p. It is assumed that the number of pulses decreases when the first piston 18 moves in the negative direction E1n.

図9に示す例は、第1判定期間J1における第1ピストン18の6個の位置の検出結果を含む。具体的には、位置PJs、PJ1-PJ4、PJeはそれぞれ、第1時刻TJsおよび時刻t2-t4、TJeにおける第1ピストン18の位置の検出結果である。 The example shown in FIG. 9 includes the detection results of the six positions of the first piston 18 in the first determination period J1. Specifically, the positions PJs, PJ1-PJ4, and PJe are the detection results of the positions of the first piston 18 at the first time TJs and the times t2-t4 and TJe, respectively.

制御部45は、第1時刻TJsおよび時刻t2-t4、TJeによって、第1判定期間J1を、分割期間D1-D5に区分する。例えば、分割期間D1は、第1時刻TJsから時刻t1までの期間である。分割期間Dの数NDは、例えば、5である。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5 according to the first time TJs and the times t2-t4 and TJe. For example, the division period D1 is a period from the first time TJs to the time t1. The number ND of the division period D is, for example, 5.

図10(a)は、分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDの第1例である。制御部45は、図9に示す検出結果の例に基づいて、図10(a)に示す移動距離LDを算出する。ここで、各分割期間D1―D5における第1ピストン18の移動距離LDをそれぞれ、移動距離LD1-LD5と呼ぶ。例えば、制御部45は、位置PJsと位置PJ1との差を、移動距離LD1として算出する。同様に、制御部45は、移動距離LD2-LD5を算出する。 FIG. 10A is a first example of the movement distance LD of the first piston 18 in the division period D. The control unit 45 calculates the movement distance LD shown in FIG. 10A based on the example of the detection result shown in FIG. Here, the moving distance LD of the first piston 18 in each division period D1-D5 is referred to as a moving distance LD1-LD5, respectively. For example, the control unit 45 calculates the difference between the position PJs and the position PJ1 as the moving distance LD1. Similarly, the control unit 45 calculates the moving distance LD2-LD5.

さらに、制御部45は、図9に示す検出結果の例に基づいて、各分割期間D1-D5における第1ピストン18の移動方向を、特定する。例えば、分割期間D2では、第1ピストン18の位置(パルス数)は減少する。このため、制御部45は、分割期間D2における第1ピストン18の移動方向を負方向E1nとして特定する。 Further, the control unit 45 specifies the moving direction of the first piston 18 in each division period D1-D5 based on the example of the detection result shown in FIG. For example, in the division period D2, the position (number of pulses) of the first piston 18 decreases. Therefore, the control unit 45 specifies the moving direction of the first piston 18 in the division period D2 as the negative direction E1n.

ここで、第1閾値K1が50[pls]であるとする。図10(a)に示す第1例では、移動距離LD1は第1閾値K1未満である。よって、制御部45は、移動距離LD1を含む分割期間D1を、変化期間DCと特定しない。移動距離LD2は、第1閾値K1以上である。よって、制御部45は、移動距離LD2を含む分割期間D2を、変化期間DCと特定する。同様に、移動距離LD3-LD5はそれぞれ、第1閾値K1以上である。よって、制御部45は、分割期間D3-D5をそれぞれ、変化期間DCと特定する。その結果、変化期間の数NCは、4である。数NDに対する数NCの比Aは、80%である。 Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls]. In the first example shown in FIG. 10A, the moving distance LD1 is less than the first threshold value K1. Therefore, the control unit 45 does not specify the division period D1 including the movement distance LD1 as the change period DC. The moving distance LD2 is equal to or higher than the first threshold value K1. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D2 including the movement distance LD2 as the change period DC. Similarly, the travel distances LD3-LD5 are each equal to or higher than the first threshold value K1. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D3-D5 as the change period DC, respectively. As a result, the number NC of the change period is 4. The ratio A of the number NC to the number ND is 80%.

ここで、第1基準値R1が2であるとする。第1例では、数NCは、第1基準値R1以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Here, it is assumed that the first reference value R1 is 2. In the first example, the number NC is equal to or greater than the first reference value R1. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

あるいは、第2基準値R2が50%であるとする。第1例では、比Aは、第2基準値R2以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Alternatively, it is assumed that the second reference value R2 is 50%. In the first example, the ratio A is equal to or greater than the second reference value R2. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

図10(b)は、分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDの第2例である。なお、図10(b)に示す第2例は、図9に示す検出結果の例と無関係である。 FIG. 10B is a second example of the movement distance LD of the first piston 18 in the division period D. The second example shown in FIG. 10B is irrelevant to the example of the detection result shown in FIG.

制御部45は、第1判定期間J1を分割期間D1-D5に区分する。制御部45は、図9に示す検出結果の例とは異なる検出結果に基づいて、図10(b)に示す移動距離LD1-LD5を算出する。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5. The control unit 45 calculates the moving distance LD1-LD5 shown in FIG. 10B based on the detection result different from the example of the detection result shown in FIG.

ここで、第1閾値K1が50[pls]であるとする。図10(b)に示す第2例では、移動距離LD1-LD3はそれぞれ、第1閾値K1以上である。よって、制御部45は、分割期間D1―D3を、変化期間DCと特定する。移動距離LD4-LD5はそれぞれ、第1閾値K1未満である。よって、制御部45は、分割期間D4―D5を、変化期間DCと特定しない。その結果、変化期間の数NCは、3である。数NDに対する数NCの比Aは、60%である。 Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls]. In the second example shown in FIG. 10B, the moving distances LD1-LD3 are each equal to or greater than the first threshold value K1. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D1-D3 as the change period DC. The travel distances LD4-LD5 are each less than the first threshold value K1. Therefore, the control unit 45 does not specify the division period D4-D5 as the change period DC. As a result, the number NC of the change period is 3. The ratio A of the number NC to the number ND is 60%.

ここで、第1基準値R1が2であるとする。第2例では、数NCは、第1基準値R1以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Here, it is assumed that the first reference value R1 is 2. In the second example, the number NC is equal to or greater than the first reference value R1. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

あるいは、第2基準値R2が50%であるとする。第1例では、比Aは、第2基準値R2以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Alternatively, it is assumed that the second reference value R2 is 50%. In the first example, the ratio A is equal to or greater than the second reference value R2. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

上述した第1閾値K1、第1基準値R1および第2基準値R2は、予め設定されている。第1閾値K1、第1基準値R1および第2基準値R2は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The first threshold value K1, the first reference value R1 and the second reference value R2 described above are set in advance. The first threshold value K1, the first reference value R1 and the second reference value R2 are stored in, for example, the storage unit 47.

5-2.第2のリーク判定処理
第2のリーク判定処理は、第1ポンプ室12の容積を減少させる第1ピストン18の位置の変化と、第1ポンプ室12の容積を増大させる第1ピストン18の位置の変化とを区別する。これにより、第2のリーク判定処理は、リークの有無の判定に加え、リークの向きを特定する。なお、第1のリーク判定処理と同様の処理については、適宜に簡略に説明する。
5-2. Second leak determination process In the second leak determination process, the change in the position of the first piston 18 that reduces the volume of the first pump chamber 12 and the position of the first piston 18 that increases the volume of the first pump chamber 12 Distinguish from changes in. As a result, the second leak determination process specifies the direction of the leak in addition to the determination of the presence or absence of the leak. The same process as the first leak determination process will be briefly described as appropriate.

制御部45は、第1判定期間J1を、複数の分割期間Dに区分する。制御部45は、第1判定期間J1における第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、各分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDを算出する。制御部45は、移動距離LDが第1閾値K1以上である分割期間Dを、変化期間DCとして特定する。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into a plurality of division periods D. The control unit 45 calculates the moving distance LD of the first piston 18 in each division period D based on the detection result of the position of the first piston 18 in the first determination period J1. The control unit 45 specifies the division period D in which the movement distance LD is equal to or greater than the first threshold value K1 as the change period DC.

さらに、制御部45は、変化期間DCを、正変化期間DCpと負変化期間DCnに分類する。正変化期間DCpは、第1ピストン18が正方向E1pに移動する変化期間DCである。すなわち、正変化期間DCpは、第1ピストン18が第1ポンプ室12の容積を減少させる変化期間DCである。負変化期間DCnは、第1ピストン18が負方向E1nに移動する変化期間DCである。すなわち、負変化期間DCnは、第1ピストン18が第1ポンプ室12の容積を増大させる変化期間DCである。 Further, the control unit 45 classifies the change period DC into a positive change period DCp and a negative change period DCn. The positive change period DCp is a change period DC in which the first piston 18 moves in the positive direction E1p. That is, the positive change period DCp is the change period DC in which the first piston 18 reduces the volume of the first pump chamber 12. The negative change period DCn is a change period DC in which the first piston 18 moves in the negative direction E1n. That is, the negative change period DCn is a change period DC in which the first piston 18 increases the volume of the first pump chamber 12.

制御部45は、正変化期間DCpの数NCpを計数する。制御部45は、負変化期間DCnの数NCnを計数する。数NCpと数NCnの合計は、数NCと等しい。 The control unit 45 counts the number NCp of the positive change period DCp. The control unit 45 counts the number NCn of the negative change period DCn. The sum of the number NCp and the number NCn is equal to the number NC.

制御部45は、数NCpと数NCnとに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the number NCp and the number NCn.

例えば、制御部45は、数NCpを、第3基準値R3と比較する。数NCpが第3基準値R3以上である場合、制御部45は、リークが生じており、かつ、第1弁32は第1ポンプ室12からノズル41に処理液をリークすると判定する。すなわち、数NCpが第3基準値R3以上である場合、制御部45は、順方向リークが生じていると判定する。制御部45は、数NCnを、第4基準値R4と比較する。数NCnが第4基準値R4以上である場合、制御部45は、リークが生じており、かつ、第1弁32はノズル41から第1ポンプ室12に処理液をリークすると判定する。すなわち、数NCnが第4基準値R4以上である場合、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the number NCp with the third reference value R3. When the number NCp is equal to or greater than the third reference value R3, the control unit 45 determines that a leak has occurred and that the first valve 32 leaks the processing liquid from the first pump chamber 12 to the nozzle 41. That is, when the number NCp is equal to or greater than the third reference value R3, the control unit 45 determines that a forward leak has occurred. The control unit 45 compares the number NCn with the fourth reference value R4. When the number NCn is 4th reference value R4 or more, the control unit 45 determines that a leak has occurred and that the first valve 32 leaks the processing liquid from the nozzle 41 to the first pump chamber 12. That is, when the number NCn is equal to or greater than the fourth reference value R4, the control unit 45 determines that a reverse leakage has occurred.

例えば、制御部45は、数NDに対する数NCpの比Apを算出する。制御部45は、比Apを、第5基準値R5と比較する。比Apが第5基準値R5以上である場合、制御部45は、順方向リークが生じていると判定する。例えば、制御部45は、数NDに対する数NCnの比Anを算出する。制御部45は、比Anを、第6基準値R6と比較する。比Anが第6基準値R6以上である場合、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 calculates the ratio Ap of the number NCp to the number ND. The control unit 45 compares the ratio Ap with the fifth reference value R5. When the ratio Ap is equal to or greater than the fifth reference value R5, the control unit 45 determines that a forward leak has occurred. For example, the control unit 45 calculates the ratio An of the number NCn to the number ND. The control unit 45 compares the ratio An with the sixth reference value R6. When the ratio An is equal to or greater than the sixth reference value R6, the control unit 45 determines that a reverse leak has occurred.

第2のリーク判定処理を、図10(a)に示す第1例に適用する場合を説明する。 A case where the second leak determination process is applied to the first example shown in FIG. 10A will be described.

制御部45は、第1判定期間J1を分割期間D1-D5に区分する。分割期間Dの数NDは、5である。制御部45は、移動距離LD1-LD5を算出する。ここで、第1閾値K1が50[pls]であるとする。制御部45は、分割期間D2-D5をそれぞれ、変化期間DCと特定する。変化期間DCの数NDは、4である。分割期間D2、D4では、第1ピストン18は負方向E1nに移動する。よって、制御部45は、分割期間D2、D4を負変化期間DCnと特定する。分割期間D3、D5では、第1ピストン18は正方向E1pに移動する。よって、制御部45は、分割期間D3、D5を正変化期間DCpと特定する。その結果、正変化期間DCpの数NCpは、2つである。数NDに対する数NCpの比Apは、40%である。負変化期間DCnの数NCnは、2である。数NDに対する数NCnの比Anは、40%である。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5. The number ND of the division period D is 5. The control unit 45 calculates the moving distance LD1-LD5. Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls]. The control unit 45 specifies the division period D2-D5 as the change period DC, respectively. The number ND of the change period DC is 4. In the division periods D2 and D4, the first piston 18 moves in the negative direction E1n. Therefore, the control unit 45 specifies the division periods D2 and D4 as the negative change period DCn. In the division periods D3 and D5, the first piston 18 moves in the positive direction E1p. Therefore, the control unit 45 specifies the division periods D3 and D5 as the positive change period DCp. As a result, the number NCp of the positive change period DCp is two. The ratio Ap of the number NCp to the number ND is 40%. The number NCn of the negative change period DCn is 2. The ratio An of the number NCn to the number ND is 40%.

ここで、第3基準値R3および第4基準値R4がそれぞれ、2であるとする。第1例では、数NCpは第3基準値R3以上である。よって、制御部45は、順方向リークが生じていると判定する。数NCnは第4基準値R4以上である。よって、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定する。 Here, it is assumed that the third reference value R3 and the fourth reference value R4 are 2, respectively. In the first example, the number NCp is equal to or greater than the third reference value R3. Therefore, the control unit 45 determines that a forward leak has occurred. The number NCn is equal to or greater than the fourth reference value R4. Therefore, the control unit 45 determines that a reverse leak has occurred.

あるいは、第5基準値R5および第6基準値R6がそれぞれ、50%であるとする。第1例では、比Apは、第5基準値R5未満である。よって、制御部45は、順方向リークが生じていると判定しない。比Anは第6基準値R6未満である。よって、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定しない。 Alternatively, it is assumed that the fifth reference value R5 and the sixth reference value R6 are 50%, respectively. In the first example, the ratio Ap is less than the fifth reference value R5. Therefore, the control unit 45 does not determine that a forward leak has occurred. The ratio An is less than the sixth reference value R6. Therefore, the control unit 45 does not determine that a reverse leak has occurred.

第2のリーク判定処理を、図10(b)に示す第2例に適用する場合を説明する。 A case where the second leak determination process is applied to the second example shown in FIG. 10B will be described.

制御部45は、第1判定期間J1を分割期間D1-D5に区分する。分割期間Dの数NDは、5である。制御部45は、移動距離LD1-LD5を算出する。ここで、第1閾値K1が50[pls]であるとする。制御部45は、分割期間D1-D3をそれぞれ、変化期間DCと特定する。変化期間DCの数NDは、3つである。分割期間D1-D2では、第1ピストン18は正方向E1pに移動する。よって、制御部45は、分割期間D1-D2を正変化期間DCpと特定する。分割期間D3では、第1ピストン18は負方向E1nに移動する。よって、制御部45は、分割期間D3を負変化期間DCnと特定する。その結果、正変化期間DCpの数NCpは、2である。数NDに対する数NCpの比Apは、40%である。負変化期間DCnの数NCnは、1である。数NDに対する数NCpの比Apは、20%である。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5. The number ND of the division period D is 5. The control unit 45 calculates the moving distance LD1-LD5. Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls]. The control unit 45 specifies the division periods D1-D3 as the change period DC, respectively. The number ND of the change period DC is three. In the division period D1-D2, the first piston 18 moves in the positive direction E1p. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D1-D2 as the positive change period DCp. In the division period D3, the first piston 18 moves in the negative direction E1n. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D3 as the negative change period DCn. As a result, the number NCp of the positive change period DCp is 2. The ratio Ap of the number NCp to the number ND is 40%. The number NCn of the negative change period DCn is 1. The ratio Ap of the number NCp to the number ND is 20%.

ここで、第3基準値R3および第4基準値R4がそれぞれ、2であるとする。第2例では、数NCpは第3基準値R3以上である。よって、制御部45は、順方向リークが生じていると判定する。数NCnは第4基準値R4未満である。よって、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定しない。 Here, it is assumed that the third reference value R3 and the fourth reference value R4 are 2, respectively. In the second example, the number NCp is equal to or greater than the third reference value R3. Therefore, the control unit 45 determines that a forward leak has occurred. The number NCn is less than the fourth reference value R4. Therefore, the control unit 45 does not determine that a reverse leak has occurred.

あるいは、第5基準値R5および第6基準値R6がそれぞれ、50%であるとする。第1例では、比Apは、第5基準値R5未満である。よって、制御部45は、順方向リークが生じていると判定しない。比Anは第6基準値R6未満である。よって、制御部45は、逆方向リークが生じていると判定しない。 Alternatively, it is assumed that the fifth reference value R5 and the sixth reference value R6 are 50%, respectively. In the first example, the ratio Ap is less than the fifth reference value R5. Therefore, the control unit 45 does not determine that a forward leak has occurred. The ratio An is less than the sixth reference value R6. Therefore, the control unit 45 does not determine that a reverse leak has occurred.

上述した第3-第6基準値R3-R6は、予め設定されている。第3-第6基準値R3-R6は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned third to sixth reference values R3-R6 are set in advance. The third to sixth reference values R3-R6 are stored in, for example, the storage unit 47.

5-3.第3のリーク判定処理
第3のリーク判定処理は、第1判定期間J1における第1ピストン18の過度な位置の変化を排除する。なお、第1のリーク判定処理と同様の処理については、適宜に簡略に説明する。
5-3. Third leak determination process The third leak determination process eliminates an excessive change in the position of the first piston 18 in the first determination period J1. The same process as the first leak determination process will be briefly described as appropriate.

制御部45は、第1判定期間J1を、複数の分割期間Dに区分する。制御部45は、第1判定期間J1における第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、各分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDを算出する。制御部45は、移動距離LDが第1閾値K1以上である分割期間Dを、変化期間DCとして特定する。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into a plurality of division periods D. The control unit 45 calculates the moving distance LD of the first piston 18 in each division period D based on the detection result of the position of the first piston 18 in the first determination period J1. The control unit 45 specifies the division period D in which the movement distance LD is equal to or greater than the first threshold value K1 as the change period DC.

さらに、制御部45は、変化期間DCにおける移動距離LDを、第2閾値K2と比較する。第2閾値K2は、第1閾値K1よりも大きい。制御部45は、第2閾値K2以上の移動距離LDを含む変化期間DCを、異常期間DAとして特定する。制御部45は、第2閾値K2未満の移動距離LDを含む変化期間DCを、異常期間DAとして特定しない。 Further, the control unit 45 compares the moving distance LD in the change period DC with the second threshold value K2. The second threshold value K2 is larger than the first threshold value K1. The control unit 45 specifies the change period DC including the movement distance LD of the second threshold value K2 or more as the abnormal period DA. The control unit 45 does not specify the change period DC including the movement distance LD less than the second threshold value K2 as the abnormal period DA.

制御部45は、異常期間DAの数NAを計数する。数NAは、数NC以下である。制御部45は、異常期間DAを除く分割期間Dの数NDaを計数する。制御部45は、異常期間DAを除く変化期間DCの数NCaを計数する。 The control unit 45 counts the number NA of the abnormal period DA. The number NA is a number NC or less. The control unit 45 counts the number NDa of the division period D excluding the abnormal period DA. The control unit 45 counts the number NCa of the change period DC excluding the abnormal period DA.

制御部45は、数NCaに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the number NCa.

例えば、制御部45は、数NCaが第1基準値R1以上である場合、制御部45は、リークが生じていると判定する。 For example, when the number NCa is equal to or greater than the first reference value R1, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

例えば、制御部45は、数NDaに対する数NCaの比Aaを算出する。比Aaが第2基準値R2以上である場合、制御部45は、リークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 calculates the ratio Aa of the number NCa to the number NDa. When the ratio Aa is equal to or greater than the second reference value R2, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

第3のリーク判定処理を、図10(a)に示す第1例に適用する場合を説明する。 A case where the third leak determination process is applied to the first example shown in FIG. 10A will be described.

制御部45は、第1判定期間J1を分割期間D1-D5に区分する。分割期間Dの数NDは、5である。制御部45は、移動距離LD1-LD5を算出する。ここで、第1閾値K1が50[pls]であり、第2閾値K2が500[pls]であるとする。制御部45は、分割期間D2-D5をそれぞれ、変化期間DCと特定する。変化期間DCの数NDは、4である。移動距離LD2は、第2閾値K2未満である。よって、制御部45は、移動距離LD2を含む分割期間D2を、異常期間DAと特定しない。同様に、移動距離LD3-LD5はそれぞれ、第2閾値K2未満である。よって、制御部45は、分割期間D3―D5を、異常期間DAと特定しない。異常期間DAの数NAは、零である。異常期間DAを除く分割期間Dの数NDaは、5である。異常期間DAを除く変化期間DCの数NCaは、4である。数NDaに対する数NCaの比Aaは、80%である。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5. The number ND of the division period D is 5. The control unit 45 calculates the moving distance LD1-LD5. Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls] and the second threshold value K2 is 500 [pls]. The control unit 45 specifies the division period D2-D5 as the change period DC, respectively. The number ND of the change period DC is 4. The moving distance LD2 is less than the second threshold value K2. Therefore, the control unit 45 does not specify the division period D2 including the movement distance LD2 as the abnormal period DA. Similarly, the travel distances LD3-LD5 are each less than the second threshold value K2. Therefore, the control unit 45 does not specify the division period D3-D5 as the abnormal period DA. The number NA of the abnormal period DA is zero. The number NDa of the division period D excluding the abnormal period DA is 5. The number NCa of the change period DC excluding the abnormal period DA is 4. The ratio Aa of the number NCa to the number NDa is 80%.

ここで、第1基準値R1が2であるとする。第1例では、数NCaは第1基準値R1以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Here, it is assumed that the first reference value R1 is 2. In the first example, the number NCa is equal to or greater than the first reference value R1. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

あるいは、第2基準値R2が50%であるとする。第1例では、比Aaは、第2基準値R2以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Alternatively, it is assumed that the second reference value R2 is 50%. In the first example, the ratio Aa is equal to or greater than the second reference value R2. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

第3のリーク判定処理を、図10(b)に示す第2例に適用する場合を説明する。 A case where the third leak determination process is applied to the second example shown in FIG. 10B will be described.

制御部45は、第1判定期間J1を分割期間D1-D5に区分する。分割期間Dの数NDは、5である。制御部45は、移動距離LD1-LD5を算出する。ここで、第1閾値K1が50[pls]であり、第2閾値K2が500[pls]であるとする。制御部45は、分割期間D1-D3をそれぞれ、変化期間DCと特定する。変化期間DCの数NDは、3つである。移動距離LD1は、第2閾値K2以上である。よって、制御部45は、移動距離LD1を含む分割期間D1を、異常期間DAと特定する。移動距離LD2-LD3はそれぞれ、第2閾値K2未満である。よって、制御部45は、分割期間D2―D3を、異常期間DAと特定しない。異常期間DAの数NAは、1つである。異常期間DAを除く分割期間Dの数NDaは、4つである。異常期間DAを除く変化期間DCの数NCaは、2つである。数NDaに対する数NCaの比Aaは、50%である。 The control unit 45 divides the first determination period J1 into the division periods D1-D5. The number ND of the division period D is 5. The control unit 45 calculates the moving distance LD1-LD5. Here, it is assumed that the first threshold value K1 is 50 [pls] and the second threshold value K2 is 500 [pls]. The control unit 45 specifies the division periods D1-D3 as the change period DC, respectively. The number ND of the change period DC is three. The moving distance LD1 is equal to or greater than the second threshold value K2. Therefore, the control unit 45 specifies the division period D1 including the movement distance LD1 as the abnormal period DA. The travel distances LD2-LD3 are each less than the second threshold value K2. Therefore, the control unit 45 does not specify the division period D2-D3 as the abnormal period DA. The number NA of the abnormal period DA is one. The number NDa of the division period D excluding the abnormal period DA is four. The number NCa of the change period DC excluding the abnormal period DA is two. The ratio Aa of the number NCa to the number NDa is 50%.

ここで、第1基準値R1が2であるとする。第2例では、数NCaは第1基準値R1以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Here, it is assumed that the first reference value R1 is 2. In the second example, the number NCa is equal to or greater than the first reference value R1. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

あるいは、第2基準値R2が50%であるとする。第2例では、比Aaは、第2基準値R2以上である。よって、制御部45は、リークが生じていると判定する。 Alternatively, it is assumed that the second reference value R2 is 50%. In the second example, the ratio Aa is equal to or greater than the second reference value R2. Therefore, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

上述した第2閾値K2は、予め設定されている。第2閾値K2は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned second threshold value K2 is set in advance. The second threshold value K2 is stored in, for example, the storage unit 47.

5-4.第4のリーク判定処理
第4のリーク判定処理は、判定期間Jにおける第1ピストン18の移動距離に基づいて、リークの有無を判定する。判定期間Jは、第1判定期間J1および第2判定期間J2の少なくともいずれかである。
5-4. Fourth leak determination process The fourth leak determination process determines the presence or absence of a leak based on the moving distance of the first piston 18 in the determination period J. The determination period J is at least one of the first determination period J1 and the second determination period J2.

第1判定期間J1における第1ピストン18の移動距離を、移動距離LJと呼ぶ。移動距離LJは、第1時刻TJsにおける第1ピストン18の位置と、時刻TJeにおける第1ピストン18の位置との差である。移動距離LJは、絶対値である。 The moving distance of the first piston 18 in the first determination period J1 is referred to as a moving distance LJ. The moving distance LJ is the difference between the position of the first piston 18 at the first time TJs and the position of the first piston 18 at the time TJe. The travel distance LJ is an absolute value.

制御部45は、第1時刻TJsにおける第1ピストン18の位置の検出結果と、時刻TJeにおける第1ピストン18の位置の検出結果とに基づいて、移動距離LJを算出する。第1時刻TJsにおける第1ピストン18の位置の検出結果は、図9に示す位置PJsに相当する。時刻TJeにおける第1ピストン18の位置の検出結果は、図9に示す位置PJeに相当する。 The control unit 45 calculates the moving distance LJ based on the detection result of the position of the first piston 18 at the first time TJs and the detection result of the position of the first piston 18 at the time TJe. The detection result of the position of the first piston 18 at the first time TJs corresponds to the position PJs shown in FIG. The detection result of the position of the first piston 18 at the time TJe corresponds to the position PJe shown in FIG.

制御部45は、移動距離LJに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the moving distance LJ.

例えば、制御部45は、移動距離LJと第3閾値K3と比較する。移動距離LJが第3閾値K3以上である場合、制御部45はリークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the moving distance LJ with the third threshold value K3. When the moving distance LJ is equal to or greater than the third threshold value K3, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離は、定圧工程CCにおける第1ピストン18の移動距離LCに相当する。以下では、適宜に、第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離を、移動距離LCと記載する。上述の通り、移動距離LCは、時刻TCsにおける第1ピストン18の位置と、時刻TCeにおける第1ピストン18の位置との差である。移動距離LCは、絶対値である。 The moving distance of the first piston 18 in the second determination period J2 corresponds to the moving distance LC of the first piston 18 in the constant pressure step CC. Hereinafter, the moving distance of the first piston 18 in the second determination period J2 is appropriately referred to as a moving distance LC. As described above, the moving distance LC is the difference between the position of the first piston 18 at the time TCs and the position of the first piston 18 at the time TCe. The travel distance LC is an absolute value.

制御部45は、時刻TCsにおける第1ピストン18の位置の検出結果と、時刻TCeにおける第1ピストン18の位置の検出結果とに基づいて、移動距離LCを算出する。時刻TCsにおける第1ピストン18の位置の検出結果は、図6に示す位置PCsに相当する。時刻TCeにおける第1ピストン18の位置の検出結果は、図6に示す位置PCeに相当する。 The control unit 45 calculates the moving distance LC based on the detection result of the position of the first piston 18 at the time TCs and the detection result of the position of the first piston 18 at the time TCe. The detection result of the position of the first piston 18 at the time TCs corresponds to the position PCs shown in FIG. The detection result of the position of the first piston 18 at the time TCe corresponds to the position PCe shown in FIG.

制御部45は、移動距離LCに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the moving distance LC.

例えば、制御部45は、移動距離LCと第4閾値K4と比較する。移動距離LCが第4閾値K4以上である場合、制御部45はリークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the moving distance LC with the fourth threshold value K4. When the moving distance LC is equal to or greater than the fourth threshold value K4, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

上述した第3閾値K3および第4閾値K4は、予め設定されている。第3閾値K3および第4閾値K4は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned third threshold value K3 and fourth threshold value K4 are preset. The third threshold value K3 and the fourth threshold value K4 are stored in, for example, the storage unit 47.

5-5.第5のリーク判定処理
第5のリーク判定処理は、判定期間Jにおける第1ピストン18の平均速度に基づいて、リークの有無を判定する。判定期間Jは、第1判定期間J1および第2判定期間J2の少なくともいずれかである。
5-5. Fifth leak determination process The fifth leak determination process determines the presence or absence of a leak based on the average speed of the first piston 18 in the determination period J. The determination period J is at least one of the first determination period J1 and the second determination period J2.

第1判定期間J1における第1ピストン18の速度を、平均速度VJと呼ぶ。平均速度VJは、移動距離LJを第1判定期間J1の時間長U1で除したものである。平均速度VJは、図9に示す仮想線ILの傾きに相当する。仮想線ILは、位置PJsと位置PJeを結ぶ仮想的な直線である。 The speed of the first piston 18 in the first determination period J1 is referred to as an average speed VJ. The average velocity VJ is obtained by dividing the moving distance LJ by the time length U1 of the first determination period J1. The average velocity VJ corresponds to the slope of the virtual line IL shown in FIG. The virtual line IL is a virtual straight line connecting the positions PJs and the positions PJe.

制御部45は、第1時刻TJsにおける第1ピストン18の位置の検出結果と、時刻TJeにおける第1ピストン18の位置の検出結果とに基づいて、移動距離LJを算出する。制御部45は、移動距離LJと時間長U1から、平均速度VJを取得する。 The control unit 45 calculates the moving distance LJ based on the detection result of the position of the first piston 18 at the first time TJs and the detection result of the position of the first piston 18 at the time TJe. The control unit 45 acquires the average speed VJ from the moving distance LJ and the time length U1.

制御部45は、平均速度VJに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the average speed VJ.

例えば、制御部45は、平均速度VJと第5閾値K5と比較する。平均速度VJが第5閾値K5以上である場合、制御部45はリークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the average velocity VJ with the fifth threshold value K5. When the average speed VJ is equal to or higher than the fifth threshold value K5, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

第2判定期間J2における第1ピストン18の平均速度を、平均速度VCと呼ぶ。平均速度VCは、移動距離LCを第2判定期間J2の時間長U2で除したものである。 The average speed of the first piston 18 in the second determination period J2 is referred to as an average speed VC. The average velocity VC is obtained by dividing the travel distance LC by the time length U2 of the second determination period J2.

制御部45は、時刻TCsにおける第1ピストン18の位置の検出結果と、時刻TCeにおける第1ピストン18の位置の検出結果とに基づいて、移動距離LCを算出する。制御部45は、移動距離LCと時間長U2から、平均速度VJを取得する。 The control unit 45 calculates the moving distance LC based on the detection result of the position of the first piston 18 at the time TCs and the detection result of the position of the first piston 18 at the time TCe. The control unit 45 acquires the average speed VJ from the moving distance LC and the time length U2.

制御部45は、平均速度VCに基づいて、リークの有無を判定する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the average speed VC.

例えば、制御部45は、平均速度VCと第6閾値K6と比較する。平均速度VCが第6閾値K6以上である場合、制御部45はリークが生じていると判定する。 For example, the control unit 45 compares the average velocity VC with the sixth threshold value K6. When the average speed VC is equal to or higher than the sixth threshold value K6, the control unit 45 determines that a leak has occurred.

上述した第5閾値K5および第6閾値K6は、予め設定されている。第5閾値K5および第6閾値K6は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned fifth threshold value K5 and sixth threshold value K6 are preset. The fifth threshold value K5 and the sixth threshold value K6 are stored in, for example, the storage unit 47.

5-6.第6のリーク判定処理
第6のリーク判定処理は、第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離LCを、推定する。
5-6. Sixth leak determination process The sixth leak determination process estimates the moving distance LC of the first piston 18 in the second determination period J2.

図3を参照する。上述した通り、サイクル動作Cは、以下の第1条件で実行される。
[第1条件]
供給工程CSは、第1ピストン18を、第1距離L1だけ、移動させる。
第1充填工程CAは、第1ピストン18を、第1原点位置P0まで移動させる。
See FIG. As described above, the cycle operation C is executed under the following first condition.
[First condition]
The supply process CS moves the first piston 18 by the first distance L1.
The first filling step CA moves the first piston 18 to the first origin position P0.

言い換えれば、移動距離LSは、第1距離L1と等しい。位置PAeは、第1原点位置P0と等しい。 In other words, the travel distance LS is equal to the first distance L1. The position PAe is equal to the first origin position P0.

第1条件の下では、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAはそれぞれ、移動距離LCに応じて変動する。すなわち、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAの各変動量は、移動距離LCと実質的に等しい。このため、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAの少なくともいずれかによって、移動距離LCを推定可能である。 Under the first condition, the position PCe, PSs, PSe, PAs and the travel distance LA each vary depending on the travel distance LC. That is, each fluctuation amount of the position PCe, PSs, PSe, PAs and the movement distance LA is substantially equal to the movement distance LC. Therefore, the travel distance LC can be estimated from at least one of the position PCe, PSs, PSe, PAs, and the travel distance LA.

例えば、制御部45は、位置PCeに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、定圧工程CCが終了する時の第1ピストン18の1つの位置の検出結果に基づいて、位置PCeを取得する。制御部45は、位置PCeと第1原点位置P0との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PCe. Specifically, the control unit 45 acquires the position PCe based on the detection result of one position of the first piston 18 when the constant pressure step CC ends. The control unit 45 estimates the difference between the position PCe and the first origin position P0 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、位置PSsに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、供給工程CSが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PSsを取得する。制御部45は、位置PSsと第1原点位置P0との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PSs. Specifically, the control unit 45 acquires the position PSs based on the detection result of the position of the first piston 18 when the supply process CS starts. The control unit 45 estimates the difference between the position PSs and the first origin position P0 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、位置PSeに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、供給工程CSが終了する時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PSeを取得する。制御部45は、位置PSeと第1基準位置RP1との差を、移動距離LCと推定する。ここで、第1基準位置RP1は、第1原点位置P0を正方向E1pに第1距離L1だけシフトした位置である。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PSe. Specifically, the control unit 45 acquires the position PSe based on the detection result of the position of the first piston 18 when the supply process CS ends. The control unit 45 estimates the difference between the position PSe and the first reference position RP1 as the moving distance LC. Here, the first reference position RP1 is a position in which the first origin position P0 is shifted to the positive direction E1p by the first distance L1.

例えば、制御部45は、位置PAsに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PAsを取得する。制御部45は、位置PAsと第1基準位置RP1との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PAs. Specifically, the control unit 45 acquires the position PAs based on the detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA starts. The control unit 45 estimates the difference between the position PAs and the first reference position RP1 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、移動距離LAに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果と、第1充填工程CAが終了する時の第1ピストン18の位置の検出結果とに基づいて、移動距離LAを取得する。制御部45は、移動距離LAと第1距離L1との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the travel distance LA. Specifically, the control unit 45 has a detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA starts and a detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA ends. The travel distance LA is acquired based on. The control unit 45 estimates the difference between the moving distance LA and the first distance L1 as the moving distance LC.

その後、制御部45は、推定された移動距離LCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第4のリーク判定処理と同様に、制御部45は、推定された移動距離LCを第4閾値K4と比較する。 After that, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the estimated movement distance LC. For example, as in the fourth leak determination process, the control unit 45 compares the estimated travel distance LC with the fourth threshold value K4.

あるいは、制御部45は、推定された移動距離LCを時間長U2で除することにより、平均速度VJを取得する。そして、制御部45は、平均速度VCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第5のリーク判定処理と同様に、制御部45は、平均速度VCを第6閾値K6と比較する。 Alternatively, the control unit 45 obtains the average velocity VJ by dividing the estimated travel distance LC by the time length U2. Then, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the average speed VC. For example, as in the fifth leak determination process, the control unit 45 compares the average speed VC with the sixth threshold value K6.

上述した第1基準位置RP1は、予め設定されている。第1基準位置RP1は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned first reference position RP1 is preset. The first reference position RP1 is stored in, for example, the storage unit 47.

6.効果
第1実施形態の基板処理方法は、供給工程CSを備える。このため、供給工程CSは、基板を適切に処理できる。
6. Effect The substrate processing method of the first embodiment includes a supply process CS. Therefore, the supply process CS can appropriately process the substrate.

基板処理方法は、検出工程とリーク判定工程と定圧工程CCを備える。検出工程は、第1ピストン18の位置を検出する。リーク判定工程は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得する。リーク判定工程は、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化に基づいてリークの有無を判定する。定圧工程CCは、第1弁32を閉じる。定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに保つように第1ピストン18の位置を調整する。このため、仮に定圧工程CCにおいてリークが発生する場合、定圧工程CCはリークの発生期間を長くすることができる。仮に定圧工程CCにおいてリークが発生する場合、定圧工程CCはリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間Jの全部は、定圧工程が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。 The substrate processing method includes a detection step, a leak determination step, and a constant pressure step CC. The detection step detects the position of the first piston 18. The leak determination step acquires a change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on the detection result obtained by the detection step. The leak determination step determines the presence or absence of a leak based on the change in the position of the first piston 18 in the determination period J. The constant pressure step CC closes the first valve 32. The constant pressure step CC adjusts the position of the first piston 18 so as to keep the pressure of the first pump chamber 12 at the target value F. Therefore, if a leak occurs in the constant pressure process CC, the constant pressure process CC can prolong the leak generation period. If a leak occurs in the constant pressure process CC, the constant pressure process CC can continuously generate the leak. Here, the entire determination period J is included in the period in which the constant pressure step is executed. Therefore, the leak determination step can suitably determine the presence or absence of a leak.

第1弁32は、入口ポート34と出口ポート35を備える。入口ポート34は、第1ポンプ室12に連通される。出口ポート35は、ノズル41に連通される。定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を、第1弁32の入口ポート34に付与する。このため、定圧工程CCは、第1弁32の入口ポート34が受ける圧力を、目標値Fに保つ。よって、仮に定圧工程CCにおいて第1弁32が処理液をリークする場合、定圧工程CCはリークの発生期間を好適に長くすることができる。 The first valve 32 includes an inlet port 34 and an outlet port 35. The inlet port 34 communicates with the first pump chamber 12. The exit port 35 communicates with the nozzle 41. The constant pressure step CC applies the pressure of the first pump chamber 12 to the inlet port 34 of the first valve 32. Therefore, the constant pressure step CC keeps the pressure received by the inlet port 34 of the first valve 32 at the target value F. Therefore, if the first valve 32 leaks the treatment liquid in the constant pressure process CC, the constant pressure process CC can suitably lengthen the leak generation period.

目標値Fは、大気圧よりも高い。このため、定圧工程CCは、リークを好適に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程CCは、リークの有無を好適に判定できる。 The target value F is higher than the atmospheric pressure. Therefore, in the constant pressure step CC, the leak can be suitably manifested. Therefore, the leak determination step CC can suitably determine the presence or absence of a leak.

高低差H1、および、高低差H2の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fは設定される。例えば、高低差H1が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fは設定される。この場合、高低差H1に関わらず、定圧工程CCは、リークを適切に顕在化させることができる。例えば、高低差H2が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fは設定される。この場合、高低差H2に関わらず、定圧工程CCは、リークを適切に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。 The target value F is set so that the target value F increases as at least one of the height difference H1 and the height difference H2 increases. For example, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H1 increases. In this case, the constant pressure step CC can appropriately reveal the leak regardless of the height difference H1. For example, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H2 increases. In this case, the constant pressure step CC can appropriately reveal the leak regardless of the height difference H2. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be suitably determined.

供給工程CSは、ノズル41を処理位置に配置させる。定圧工程CCは、ノズル41を待機位置に配置させる。定圧工程CCは、ノズル41を待機位置に配置させた状態で、リークを顕在化させる。このため、基板Wに対する処理の品質を好適に保つことができる。 In the supply process CS, the nozzle 41 is arranged at the processing position. In the constant pressure step CC, the nozzle 41 is arranged in the standby position. In the constant pressure step CC, the leak becomes apparent in the state where the nozzle 41 is arranged in the standby position. Therefore, the quality of processing for the substrate W can be preferably maintained.

リーク判定工程(例えば、第2のリーク判定処理)は、第1ポンプ室12の容積を減少させる第1ピストン18の位置の変化と、第1ポンプ室12の容積を増大させる第1ピストン18の位置の変化とを区別する。このため、リーク判定工程は、リークの向きを好適に特定できる。 In the leak determination step (for example, the second leak determination process), the change in the position of the first piston 18 that reduces the volume of the first pump chamber 12 and the change of the position of the first piston 18 that increases the volume of the first pump chamber 12 Distinguish from changes in position. Therefore, in the leak determination step, the direction of the leak can be suitably specified.

リーク判定工程(例えば、第1-第4、第6-第8の判定処理)は、判定期間Jにおける第1ピストン18の移動距離に基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 The leak determination step (for example, the first-fourth and sixth-eighth determination processes) determines the presence or absence of a leak based on the moving distance of the first piston 18 in the determination period J. Therefore, the leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

判定期間Jにおける第1ピストン18の移動距離は、絶対値である。このため、リークの向きに関わらず、リーク判定工程は、リークの有無を判定できる。 The moving distance of the first piston 18 in the determination period J is an absolute value. Therefore, regardless of the direction of the leak, the leak determination step can determine the presence or absence of the leak.

リーク判定工程(例えば、第5-第8のリーク判定処理)は、判定期間Jにおける第1ピストン18の平均速度に基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 The leak determination step (for example, the fifth to eighth leak determination processes) determines the presence or absence of a leak based on the average speed of the first piston 18 in the determination period J. Therefore, the leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

判定期間Jは、第1判定期間J1を含む。第1判定期間J1は、第1時刻TJsから始まる。第1時刻TJsは、定圧工程CCが始まった後、第1ポンプ室12の圧力が初めて目標値Fの許容範囲G内になる時刻である。第1判定期間J1は、第1時刻TJsの前の期間を含まない。第1時刻TJsの前の期間では、定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに近づけるために、第1ピストン18を移動させる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を精度良く判定できる。第1判定期間TJsは、第1時刻から始まる。すなわち、第1判定期間は、第1時刻TJsの直後の期間を含む。リークは、第1時刻TJsの直後の期間に、発生し易い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。 The determination period J includes the first determination period J1. The first determination period J1 starts from the first time TJs. The first time TJs is the time when the pressure in the first pump chamber 12 falls within the allowable range G of the target value F for the first time after the constant pressure step CC starts. The first determination period J1 does not include the period before the first time TJs. In the period before the first time TJs, the constant pressure step CC moves the first piston 18 in order to bring the pressure of the first pump chamber 12 closer to the target value F. Therefore, the leak determination step can accurately determine the presence or absence of a leak. The first determination period TJs starts from the first time. That is, the first determination period includes the period immediately after the first time TJs. Leaks are likely to occur in the period immediately following the first time TJs. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately.

第1判定期間J1の時間長U1は、例えば、8秒以下である。このように、第1判定期間J1は、比較的に短い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を速やかに判定できる。 The time length U1 of the first determination period J1 is, for example, 8 seconds or less. As described above, the first determination period J1 is relatively short. Therefore, the leak determination step can quickly determine the presence or absence of a leak.

リーク判定工程(例えば、第1のリーク判定処理)は、第1判定期間J1を、複数の分割期間Dに区分する。リーク判定工程は、各分割期間Dにおける第1ピストン18の移動距離LDを算出する。リーク判定工程は、第1ピストン18の移動距離LDが第1閾値K1以上である分割期間Dを、変化期間DCとして特定する。リーク判定処理は、変化期間DCの数NCに基づいて、リークの有無を判定する。変化期間DCの数NCを用いることにより、リーク判定工程は、第1ピストン18の位置の変化が継続的に発生しているか否かを好適に判別できる。例えば、数NCを用いることにより、リーク判定工程は、リークに起因する第1ピストン18の継続的な位置の変化と、リークに起因しない第1ピストン18の突発的な位置の変化とを好適に判別できる。上述の通り、定圧工程CCは、リークの発生期間を長くすることができる。よって、定圧工程CCとリーク判定工程との組み合わせにより、リークの有無を精度良く判定できる。 The leak determination step (for example, the first leak determination process) divides the first determination period J1 into a plurality of division periods D. The leak determination step calculates the moving distance LD of the first piston 18 in each division period D. In the leak determination step, the division period D in which the moving distance LD of the first piston 18 is equal to or greater than the first threshold value K1 is specified as the change period DC. The leak determination process determines the presence or absence of a leak based on the number NC of the change period DC. By using the number NC of the change period DC, the leak determination step can suitably determine whether or not the change in the position of the first piston 18 is continuously occurring. For example, by using the number NC, the leak determination step preferably obtains a continuous change in the position of the first piston 18 due to the leak and a sudden change in the position of the first piston 18 not caused by the leak. Can be determined. As described above, the constant pressure step CC can prolong the leak generation period. Therefore, the presence or absence of a leak can be accurately determined by the combination of the constant pressure process CC and the leak determination process.

分割期間Dの数NDは、例えば、8つ以下である。このように、数NDは、比較的に少ない。よって、リーク判定工程は、リークの有無を容易に判定できる。 The number ND of the division period D is, for example, 8 or less. As described above, the number ND is relatively small. Therefore, the leak determination step can easily determine the presence or absence of a leak.

分割期間Dの数NDは、例えば、4つ以上である。このため、リーク判定工程は、リークに起因する第1ピストン18の継続的な位置の変化を好適に判別できる。 The number ND of the division period D is, for example, four or more. Therefore, the leak determination step can suitably determine the continuous change in the position of the first piston 18 due to the leak.

リーク判定工程(例えば、第1の判定処理)は、分割期間Dの数NDに対する変化期間DCの数NCの比Aに基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。 The leak determination step (for example, the first determination process) determines the presence or absence of a leak based on the ratio A of the number NC of the change period DC to the number ND of the division period D. Therefore, the leak determination step can appropriately determine the presence or absence of a leak.

リーク判定工程(例えば、第3のリーク判定処理)は、第1ピストン18の移動距離LDが第1閾値K1よりも大きな第2閾値K2以上である変化期間DCを、異常期間DAとして特定する。リーク判定工程は、異常期間DAを除く変化期間DCの数NCaに基づいて、リークの有無を判定する。ここで、異常期間DAでは、第1ピストン18は過度に移動する。第1ピストンの過度の移動は、リークに起因しない可能性が高い。リーク判定工程は、変化期間DCの数NCから異常期間DAの数NAを除く。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。 In the leak determination step (for example, the third leak determination process), the change period DC in which the movement distance LD of the first piston 18 is greater than or equal to the second threshold value K2 larger than the first threshold value K1 is specified as the abnormal period DA. The leak determination step determines the presence or absence of a leak based on the number NCa of the change period DC excluding the abnormal period DA. Here, in the abnormal period DA, the first piston 18 moves excessively. Excessive movement of the first piston is unlikely to be due to a leak. In the leak determination step, the number NA of the abnormal period DA is removed from the number NC of the change period DC. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately.

リーク判定工程(例えば、第2のリーク判定処理)は、変化期間DCを正変化期間DCpと負変化期間DCnに分類する。リーク判定工程は、正変化期間DCpの数NCp、および、負変化期間DCnの数NCnに基づいて、リークの有無を判定する。このように、リーク判定工程は、リークの向きを考慮して、リークの有無を判定する。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。例えば、リーク判定工程は、順方向リークの有無を好適に判定できる。リーク判定工程は、逆方向リークの有無を好適に判定できる。 The leak determination step (for example, the second leak determination process) classifies the change period DC into a positive change period DCp and a negative change period DCn. The leak determination step determines the presence or absence of a leak based on the number NCp of the positive change period DCp and the number NCn of the negative change period DCn. In this way, the leak determination step determines the presence or absence of a leak in consideration of the direction of the leak. Therefore, in the leak determination step, the presence or absence of a leak can be determined more accurately. For example, the leak determination step can suitably determine the presence or absence of a forward leak. In the leak determination step, the presence or absence of a reverse leak can be suitably determined.

基板処理方法は、第1充填工程CAを備える。よって、第1ポンプ室12に処理液を好適に充填できる。 The substrate processing method includes a first filling step CA. Therefore, the treatment liquid can be suitably filled in the first pump chamber 12.

供給工程CSは、第2弁37を閉じる。よって、供給工程CSは、処理液を基板Wに好適に供給できる。定圧工程CCは、第2弁37を閉じる。よって、定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに好適に保つことができる。 The supply process CS closes the second valve 37. Therefore, the supply process CS can suitably supply the treatment liquid to the substrate W. The constant pressure step CC closes the second valve 37. Therefore, in the constant pressure step CC, the pressure of the first pump chamber 12 can be suitably maintained at the target value F.

基板処理方法は、上述した第1条件で、実行される。このため、リーク判定工程(例えば、第6のリーク判定処理)は、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAの少なくともいずれかの検出結果に基づいて、移動距離LCを好適に推定できる。 The substrate processing method is executed under the first condition described above. Therefore, in the leak determination step (for example, the sixth leak determination process), the travel distance LC can be suitably estimated based on the detection result of at least one of the position PCe, PSs, PSe, PAs and the travel distance LA.

基板処理装置1は、第1ポンプ室12と、第1ピストン18と、第1圧力センサ21と、第1位置センサ22と、第1弁32と、ノズル41と、制御部45を備える。制御部45は、リーク判定処理と定圧制御を行う。リーク判定処理では、制御部45は、第1位置センサ22の検出結果に基づいて、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部45は、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化に基づいて、リークの有無を判定する。定圧制御では、制御部45は、第1弁32を閉じる。定圧制御では、制御部45は、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに保つように、第1圧力センサ21の検出結果に基づいて第1ピストン18の位置を調整する。このため、仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークの発生期間を長くすることができる。仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間Jの全部は、定圧制御が実行される期間に含まれる。したがって、制御部45は、リーク判定処理によって、リークの有無を好適に判定できる。 The substrate processing device 1 includes a first pump chamber 12, a first piston 18, a first pressure sensor 21, a first position sensor 22, a first valve 32, a nozzle 41, and a control unit 45. The control unit 45 performs leak determination processing and constant pressure control. In the leak determination process, the control unit 45 acquires the change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on the detection result of the first position sensor 22. In the leak determination process, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the change in the position of the first piston 18 in the determination period J. In constant pressure control, the control unit 45 closes the first valve 32. In the constant pressure control, the control unit 45 adjusts the position of the first piston 18 based on the detection result of the first pressure sensor 21 so as to keep the pressure of the first pump chamber 12 at the target value F. Therefore, if a leak occurs when the constant pressure control is executed, the constant pressure control can prolong the leak generation period. If a leak occurs when the constant pressure control is executed, the constant pressure control can continuously generate the leak. Here, the entire determination period J is included in the period during which the constant pressure control is executed. Therefore, the control unit 45 can suitably determine the presence or absence of a leak by the leak determination process.

第2実施形態
以下、図面を参照して本発明の第2実施形態を説明する。なお、第1実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
Second Embodiment Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図11は、第2実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す図である。第2実施形態に係る基板処理装置1は、処理液供給装置10以外の構成に関して、第1実施形態と略同じである。第2実施形態に係る基板処理装置1は、処理液供給装置10の構成の点で、第1実施形態と異なる。 FIG. 11 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment. The substrate processing device 1 according to the second embodiment is substantially the same as the first embodiment in terms of the configuration other than the treatment liquid supply device 10. The substrate processing device 1 according to the second embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the processing liquid supply device 10.

1.処理液供給装置10の構成
第1ポンプ11は、開口15、16に加えて、開口17を備える。開口17は、筐体13に形成される。開口17は、第1ポンプ室12に連通する。
1. 1. Configuration of Treatment Liquid Supply Device 10 The first pump 11 includes openings 17 in addition to openings 15 and 16. The opening 17 is formed in the housing 13. The opening 17 communicates with the first pump chamber 12.

処理液供給装置10は、第2ポンプ51を備える。第2ポンプ51は、第1ポンプ11と略同じ構成を備える。 The treatment liquid supply device 10 includes a second pump 51. The second pump 51 has substantially the same configuration as the first pump 11.

第2ポンプ51は、第2ポンプ室52と筐体53とダイヤフラム54と開口55、56、57と第2ピストン58と第2駆動部59を備える。第2ポンプ室52と筐体53とダイヤフラム54と開口55、56、57と第2ピストン58と第2駆動部59はそれぞれ、第1ポンプ室12と筐体13とダイヤフラム14と開口15、16、17と第1ピストン18と第1駆動部19に対応する。 The second pump 51 includes a second pump chamber 52, a housing 53, a diaphragm 54, openings 55, 56, 57, a second piston 58, and a second drive unit 59. The second pump chamber 52, the housing 53, the diaphragm 54, the openings 55, 56, 57, the second piston 58, and the second drive unit 59 are the first pump chamber 12, the housing 13, the diaphragm 14, and the openings 15, 16, respectively. , 17, the first piston 18, and the first drive unit 19.

図11は、正方向E2pおよび負方向E2nを示す。負方向E2nは、正方向E2pの反対方向である。第2ピストン58は、正方向E2pおよび負方向E2nに移動する。第2ピストン58が正方向E2pおよび負方向E2nに移動するとき、第2ピストン58は第2ポンプ室52に対して移動する。第2ピストン58が正方向E2pに移動するとき、第2ポンプ室52の容積は減少する。第2ピストン58が負方向E2nに移動するとき、第2ポンプ室52の容積は増大する。 FIG. 11 shows the positive direction E2p and the negative direction E2n. The negative direction E2n is the opposite direction of the positive direction E2p. The second piston 58 moves in the positive direction E2p and the negative direction E2n. When the second piston 58 moves in the positive direction E2p and the negative direction E2n, the second piston 58 moves with respect to the second pump chamber 52. When the second piston 58 moves in the positive direction E2p, the volume of the second pump chamber 52 decreases. When the second piston 58 moves in the negative direction E2n, the volume of the second pump chamber 52 increases.

処理液供給装置10は、第2位置センサ62を備える。第2位置センサ62は、第2ピストン58の位置を検出する。第2位置センサ62は、例えば、第2駆動部59に取り付けられる。第2位置センサ62は、第1位置センサ22と略同じ構造を有する。 The processing liquid supply device 10 includes a second position sensor 62. The second position sensor 62 detects the position of the second piston 58. The second position sensor 62 is attached to, for example, the second drive unit 59. The second position sensor 62 has substantially the same structure as the first position sensor 22.

処理液供給装置10は、配管71を備える。配管71は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52とを連通する。配管71は、第1端と第2端を有する。配管71の第1端は、開口16に接続される。配管71の第2端は、開口55に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 71. The pipe 71 communicates the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52. The pipe 71 has a first end and a second end. The first end of the pipe 71 is connected to the opening 16. The second end of the pipe 71 is connected to the opening 55.

処理液供給装置10は、フィルタ81を備える。フィルタ81は、配管71に設けられる。フィルタ81は、処理液を濾過する。 The treatment liquid supply device 10 includes a filter 81. The filter 81 is provided in the pipe 71. The filter 81 filters the treatment liquid.

フィルタ81は、フィルタ本体82と複数(例えば3つ)の接続ポート83、84、85を備えている。フィルタ本体82は、濾過材と一次側流路と二次側流路(いずれも不図示)を含む。濾過材は、例えば多孔性の膜である。一次側流路は、濾過材の一次側に形成される処理液の流路である。二次側流路は、濾過材の二次側に形成される処理液の流路である。接続ポート83は、一次側流路に連通する。接続ポート84は、二次側流路に連通する。接続ポート83、84はそれぞれ、配管71に接続される。接続ポート83は、第2ポンプ室52に連通される。接続ポート84は、第1ポンプ室12に連通される。接続ポート85は、フィルタ本体82内の気体を排出するためのポートである。接続ポート85は、フィルタ本体82内の処理液も排出可能である。 The filter 81 includes a filter main body 82 and a plurality (for example, three) connection ports 83, 84, 85. The filter main body 82 includes a filter medium, a primary side flow path, and a secondary side flow path (all not shown). The filter medium is, for example, a porous membrane. The primary side flow path is a flow path of the treatment liquid formed on the primary side of the filter medium. The secondary side flow path is a flow path of the treatment liquid formed on the secondary side of the filter medium. The connection port 83 communicates with the primary flow path. The connection port 84 communicates with the secondary flow path. The connection ports 83 and 84 are connected to the pipe 71, respectively. The connection port 83 communicates with the second pump chamber 52. The connection port 84 communicates with the first pump chamber 12. The connection port 85 is a port for discharging the gas in the filter main body 82. The connection port 85 can also discharge the processing liquid in the filter main body 82.

処理液供給装置10は、2つの弁72a、72bを備える。弁72a、72bはそれぞれ、配管71に設けられる。弁72aは、第1ポンプ室12とフィルタ81との間に配置される。弁72bは、第2ポンプ室52とフィルタ81との間に配置される。弁72a、72bはそれぞれ、配管71内における流路を開閉する。配管71内における流路は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52との間の第1流路に相当する。 The treatment liquid supply device 10 includes two valves 72a and 72b. The valves 72a and 72b are provided in the pipe 71, respectively. The valve 72a is arranged between the first pump chamber 12 and the filter 81. The valve 72b is arranged between the second pump chamber 52 and the filter 81. The valves 72a and 72b each open and close the flow path in the pipe 71. The flow path in the pipe 71 corresponds to the first flow path between the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52.

弁72a、72bを区別しない場合には、単に「第2弁72」と総称する。第2弁72は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52とに連通される。第2弁72は、ノズル41に連通されない。 When the valves 72a and 72b are not distinguished, they are simply collectively referred to as "second valve 72". The second valve 72 communicates with the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52. The second valve 72 does not communicate with the nozzle 41.

処理液供給装置10は、配管73を備える。配管73は、処理液供給源9と第2ポンプ室52とを連通接続する。配管73は、第1端と第2端を有する。配管73の第1端は、処理液供給源9に接続される。配管73の第2端は、開口56に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 73. The pipe 73 communicates and connects the treatment liquid supply source 9 and the second pump chamber 52. The pipe 73 has a first end and a second end. The first end of the pipe 73 is connected to the treatment liquid supply source 9. The second end of the pipe 73 is connected to the opening 56.

処理液供給装置10は、第3弁74を備える。第3弁74は、配管73に設けられる。第3弁74は、配管73内における流路を開閉する。配管73内における流路は、第2ポンプ室52と処理液供給源9との間の流路に相当する。第3弁74は、第2ポンプ室52に連通される。第3弁74は、第1ポンプ室12に連通されない。第3弁74は、ノズル41に連通されない。 The treatment liquid supply device 10 includes a third valve 74. The third valve 74 is provided in the pipe 73. The third valve 74 opens and closes the flow path in the pipe 73. The flow path in the pipe 73 corresponds to the flow path between the second pump chamber 52 and the processing liquid supply source 9. The third valve 74 communicates with the second pump chamber 52. The third valve 74 does not communicate with the first pump chamber 12. The third valve 74 does not communicate with the nozzle 41.

処理液供給装置10は、配管75を備える。配管75は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52とを連通接続する。配管75は、配管71と並列に設けられる。配管75は、第1端と第2端を有する。配管75の第1端は、開口17に接続される。配管75の第2端は、開口57に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 75. The pipe 75 communicates and connects the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52. The pipe 75 is provided in parallel with the pipe 71. The pipe 75 has a first end and a second end. The first end of the pipe 75 is connected to the opening 17. The second end of the pipe 75 is connected to the opening 57.

処理液供給装置10は、第4弁76を備える。第4弁76は、配管75に設けられる。第4弁76は、配管75内における流路を開閉する。配管75内における流路は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52との間の第2流路に相当する。第4弁76は、第1ポンプ室12と第2ポンプ室52とに連通される。第4弁76は、ノズル41に連通されない。 The treatment liquid supply device 10 includes a fourth valve 76. The fourth valve 76 is provided in the pipe 75. The fourth valve 76 opens and closes the flow path in the pipe 75. The flow path in the pipe 75 corresponds to a second flow path between the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52. The fourth valve 76 communicates with the first pump chamber 12 and the second pump chamber 52. The fourth valve 76 does not communicate with the nozzle 41.

処理液供給装置10は、配管77を備える。配管77は、フィルタ81に連通接続される。配管77は、第1端と第2端を有する。配管77の第1端は、接続ポート85に接続される。配管77の第2端は、不図示の処理液回収部に接続される。 The treatment liquid supply device 10 includes a pipe 77. The pipe 77 is connected to the filter 81 in communication. The pipe 77 has a first end and a second end. The first end of the pipe 77 is connected to the connection port 85. The second end of the pipe 77 is connected to a processing liquid recovery unit (not shown).

処理液供給装置10は、第5弁78を備える。第5弁78は、配管77に設けられる。第5弁78は、配管77内における流路を開閉する。配管77内における流路は、第1流路から分岐された流路に相当する。 The treatment liquid supply device 10 includes a fifth valve 78. The fifth valve 78 is provided in the pipe 77. The fifth valve 78 opens and closes the flow path in the pipe 77. The flow path in the pipe 77 corresponds to a flow path branched from the first flow path.

制御部45は、第2駆動部59、第2位置センサ62、第2弁72、第3弁74、第4弁76、および、第5弁78に、通信可能に接続される。制御部45は、第2位置センサ62によって検出された検出結果を取得する。制御部45は、第2駆動部59を作動させる。制御部45は、第2弁72、第3弁74、第4弁76、および、第5弁78を開閉する。 The control unit 45 is communicably connected to the second drive unit 59, the second position sensor 62, the second valve 72, the third valve 74, the fourth valve 76, and the fifth valve 78. The control unit 45 acquires the detection result detected by the second position sensor 62. The control unit 45 operates the second drive unit 59. The control unit 45 opens and closes the second valve 72, the third valve 74, the fourth valve 76, and the fifth valve 78.

2.動作
第2実施形態の基板処理装置1の基本的な動作例を説明する。図12は、基板処理装置1の動作の手順を示すフローチャートである。
2. 2. Operation A basic operation example of the substrate processing apparatus 1 of the second embodiment will be described. FIG. 12 is a flowchart showing the operation procedure of the substrate processing apparatus 1.

基板処理装置1は、サイクル動作Cを繰り返し行う。各サイクル動作Cは、第1充填工程CAと戻し工程CRと定圧工程CCと供給工程CSと第2充填工程CBを含む。第1充填工程CAと戻し工程CRと定圧工程CCと供給工程CSは、この順に実行される。第2充填工程CBは、戻し工程CRの後であって、第1充填工程CAの前に、実行される。 The substrate processing apparatus 1 repeatedly performs the cycle operation C. Each cycle operation C includes a first filling step CA, a return step CR, a constant pressure step CC, a supply step CS, and a second filling step CB. The first filling step CA, the return step CR, the constant pressure step CC, and the supply step CS are executed in this order. The second filling step CB is performed after the return step CR and before the first filling step CA.

[ステップS11:第1充填工程CA]
図13は、第1充填工程CAにおける基板処理装置1を示す図である。図13は、便宜上、基板処理装置1を簡略に示す。第1充填工程CAは、第1流路を通じて第2ポンプ室52から第1ポンプ室12に処理液を送る。
[Step S11: First Filling Step CA]
FIG. 13 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1 in the first filling step CA. FIG. 13 briefly shows the substrate processing apparatus 1 for convenience. The first filling step CA sends the processing liquid from the second pump chamber 52 to the first pump chamber 12 through the first flow path.

制御部45は、ノズル41を待機位置に配置させる。ノズル41は、ノズル待機部43に配置される。 The control unit 45 arranges the nozzle 41 in the standby position. The nozzle 41 is arranged in the nozzle standby unit 43.

制御部51は、第1弁32を閉じる。制御部51は、第2弁72を開く。制御部51は、第3弁74を閉じる。制御部51は、第4弁76を閉じる。制御部51は、第5弁78を閉じる。制御部51は、第2ピストン58を正方向E2pに移動させる。第2ポンプ室52の容積は減少する。制御部51は、第1ピストン18を負方向E1nに移動させる。第1ポンプ室12の容積は増大する。第2ポンプ室52は、開口55を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、第2ポンプ室52から、配管71、第2弁72およびフィルタ81を通じて、第1ポンプ室12に流れる。第1ポンプ室12は、開口16を通じて、処理液を吸い込む。これにより、第1ポンプ室12に処理液を充填する。 The control unit 51 closes the first valve 32. The control unit 51 opens the second valve 72. The control unit 51 closes the third valve 74. The control unit 51 closes the fourth valve 76. The control unit 51 closes the fifth valve 78. The control unit 51 moves the second piston 58 in the forward direction E2p. The volume of the second pump chamber 52 is reduced. The control unit 51 moves the first piston 18 in the negative direction E1n. The volume of the first pump chamber 12 increases. The second pump chamber 52 discharges the treatment liquid through the opening 55. The treatment liquid flows from the second pump chamber 52 to the first pump chamber 12 through the pipe 71, the second valve 72, and the filter 81. The first pump chamber 12 sucks the treatment liquid through the opening 16. As a result, the first pump chamber 12 is filled with the treatment liquid.

図13は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18および第2ピストン58を実線で示す。図13は、第1充填工程CAが終了する時の第1ピストン18および第2ピストン58を破線で示す。第1充填工程CAが始まる時の第2ピストン58の位置を、位置QAsと呼ぶ。第1充填工程CAが終了する時の第2ピストン58の位置を、位置QAeと呼ぶ。第1充填工程CAにおける第2ピストン58の移動距離を、移動距離MAと呼ぶ。移動距離MAは、位置QAsと位置QAeとの差である。移動距離MAは、絶対値である。 FIG. 13 shows the first piston 18 and the second piston 58 when the first filling step CA starts with a solid line. FIG. 13 shows the first piston 18 and the second piston 58 at the end of the first filling step CA with broken lines. The position of the second piston 58 when the first filling step CA starts is called the position QAs. The position of the second piston 58 when the first filling step CA is completed is called the position QAe. The moving distance of the second piston 58 in the first filling step CA is referred to as a moving distance MA. The moving distance MA is the difference between the position QAs and the position QAe. The travel distance MA is an absolute value.

[ステップS12:戻し工程CR]
図14は、戻し工程CRにおける基板処理装置1を示す図である。戻し工程CRは、第2流路を通じて第1ポンプ室12から第2ポンプ室52に処理液を戻す。戻し工程CRは、パージ工程とも呼ばれる。
[Step S12: Return step CR]
FIG. 14 is a diagram showing a substrate processing device 1 in the return step CR. In the return step CR, the processing liquid is returned from the first pump chamber 12 to the second pump chamber 52 through the second flow path. The return step CR is also referred to as a purge step.

戻し工程CRにおいても、ノズル41は待機位置に配置される。 Also in the return step CR, the nozzle 41 is arranged in the standby position.

制御部51は、第1弁32を閉じる。制御部51は、第2弁72を閉じる。制御部51は、第3弁74を開く。制御部51は、第4弁76を開く。制御部51は、第1ピストン18を正方向E1pに移動させる。第1ポンプ室12の容積は減少する。制御部51は、第2ピストン58を第2ポンプ室52に対して静止させる。第2ポンプ室52の容積は変わらない。第1ポンプ室12は、開口15を通じて、処理液を吐き出す。仮に第1ポンプ室12が気泡またはエアを含む場合、第1ポンプ室12は、気泡または空気を、処理液とともに吐き出す。処理液は、第1ポンプ室12から、配管75および第4弁76を通じて、第2ポンプ室52に流れる。さらに、処理液は、第2ポンプ室52から開口56を通じて、配管73に出る。 The control unit 51 closes the first valve 32. The control unit 51 closes the second valve 72. The control unit 51 opens the third valve 74. The control unit 51 opens the fourth valve 76. The control unit 51 moves the first piston 18 in the positive direction E1p. The volume of the first pump chamber 12 is reduced. The control unit 51 makes the second piston 58 stationary with respect to the second pump chamber 52. The volume of the second pump chamber 52 does not change. The first pump chamber 12 discharges the treatment liquid through the opening 15. If the first pump chamber 12 contains air bubbles or air, the first pump chamber 12 discharges air bubbles or air together with the treatment liquid. The treatment liquid flows from the first pump chamber 12 to the second pump chamber 52 through the pipe 75 and the fourth valve 76. Further, the treatment liquid flows out from the second pump chamber 52 to the pipe 73 through the opening 56.

図14は、戻し工程CRが始まる時の第1ピストン18および第2ピストン58を実線で示す。図14は、戻し工程CRが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。戻し工程CRが始まる時の第1ピストン18の位置を、位置PRsと呼ぶ。戻し工程CRが終了する時の第1ピストン18の位置を、位置PReと呼ぶ。戻し工程CRにおける第1ピストン18の移動距離を、移動距離LRと呼ぶ。移動距離LRは、位置PRsと位置PReとの差である。移動距離LRは、絶対値である。移動距離LRは、移動距離LAよりも小さい。 FIG. 14 shows the first piston 18 and the second piston 58 when the return step CR starts with a solid line. FIG. 14 shows the first piston 18 at the end of the return step CR with a broken line. The position of the first piston 18 when the return step CR starts is called the position PRs. The position of the first piston 18 when the return step CR is completed is called the position PRE. The moving distance of the first piston 18 in the return step CR is called a moving distance LR. The moving distance LR is the difference between the position PRs and the position PRE. The travel distance LR is an absolute value. The travel distance LR is smaller than the travel distance LA.

[ステップS13:定圧工程CC]
図15は、定圧工程CCにおける基板処理装置1を示す図である。定圧工程CCは、第1ポンプ室12の圧力を一定に保つ。
[Step S13: Constant pressure step CC]
FIG. 15 is a diagram showing a substrate processing device 1 in the constant pressure process CC. The constant pressure step CC keeps the pressure of the first pump chamber 12 constant.

定圧工程CCにおいても、ノズル41は待機位置に配置される。 Also in the constant pressure step CC, the nozzle 41 is arranged in the standby position.

制御部45は、定圧制御を行う。定圧制御では、制御部45は、第1弁32と第2弁72と第4弁76を閉じる。第1ポンプ室12は閉塞される。定圧制御では、制御部45は、第1ポンプ室12の圧力を目標値Fに保つように、第1ピストン18の位置を調整する。定圧制御では、制御部45は、第1圧力センサ21の検出結果に基づいて、第1ピストン18の位置を調整する。定圧工程CCでは、第1ポンプ室12の圧力は、第1弁32の入口ポート34に付与される。 The control unit 45 performs constant pressure control. In the constant pressure control, the control unit 45 closes the first valve 32, the second valve 72, and the fourth valve 76. The first pump chamber 12 is closed. In the constant pressure control, the control unit 45 adjusts the position of the first piston 18 so as to keep the pressure of the first pump chamber 12 at the target value F. In the constant pressure control, the control unit 45 adjusts the position of the first piston 18 based on the detection result of the first pressure sensor 21. In the constant pressure step CC, the pressure of the first pump chamber 12 is applied to the inlet port 34 of the first valve 32.

図15は、定圧工程CCが始まる時の第1ピストン18を実線で示す。図15は、定圧工程CCが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。 FIG. 15 shows a solid line of the first piston 18 when the constant pressure process CC starts. FIG. 15 shows the first piston 18 at the end of the constant pressure step CC by a broken line.

[ステップS13:供給工程CS]
図16は、供給工程CSにおける基板処理装置1を示す図である。供給工程CSは、基板Wに処理液を供給する。
[Step S13: Supply process CS]
FIG. 16 is a diagram showing a substrate processing device 1 in the supply process CS. The supply process CS supplies the processing liquid to the substrate W.

制御部45は、ノズル41を処理位置に配置させる。基板保持部5は、基板Wを保持する。制御部45は、基板保持部5に保持される基板Wを回転させる。 The control unit 45 arranges the nozzle 41 at the processing position. The substrate holding portion 5 holds the substrate W. The control unit 45 rotates the substrate W held by the substrate holding unit 5.

制御部45は、第1弁32を開く。制御部45は、第2弁72を閉じる。制御部45は、第4弁76を閉じる。制御部45は、第1ピストン18を正方向E1pに移動させる。第1ポンプ室12の容積は、減少する。第1ポンプ室12は、開口15を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、配管31および第1弁32を介して、ノズル41に流れる。ノズル41は、処理液を基板Wに吐出する。カップ7は、基板Wから飛散された処理液を受ける。 The control unit 45 opens the first valve 32. The control unit 45 closes the second valve 72. The control unit 45 closes the fourth valve 76. The control unit 45 moves the first piston 18 in the positive direction E1p. The volume of the first pump chamber 12 is reduced. The first pump chamber 12 discharges the treatment liquid through the opening 15. The treatment liquid flows to the nozzle 41 via the pipe 31 and the first valve 32. The nozzle 41 discharges the processing liquid onto the substrate W. The cup 7 receives the processing liquid scattered from the substrate W.

図16は、供給工程CSが始まる時の第1ピストン18を実線で示す。図16は、供給工程CSが終了する時の第1ピストン18を破線で示す。 FIG. 16 shows the first piston 18 at the start of the supply process CS with a solid line. FIG. 16 shows the first piston 18 at the end of the supply process CS with a broken line.

[ステップS15:第2充填工程CB]
図15を参照する。図15は、便宜上、定圧工程CCに加えて、第2充填工程CBも示す。第2充填工程CBは、第2ポンプ室52に処理液を充填する。
[Step S15: Second filling step CB]
See FIG. FIG. 15 shows the second filling step CB in addition to the constant pressure step CC for convenience. In the second filling step CB, the processing liquid is filled in the second pump chamber 52.

制御部45は、第2弁72を閉じる。制御部45は、第3弁74を開く。制御部45は、第4弁76を閉じる。制御部45は、第2ピストン58を負方向E2nに移動させる。第2ポンプ室52の容積は増大する。処理液は、処理液供給源9から、配管73および第3弁74を通じて、第2ポンプ室52に流れる。第2ポンプ室52は、開口56を通じて、処理液を吸い込む。これにより、第2ポンプ室52に処理液を充填する。 The control unit 45 closes the second valve 72. The control unit 45 opens the third valve 74. The control unit 45 closes the fourth valve 76. The control unit 45 moves the second piston 58 in the negative direction E2n. The volume of the second pump chamber 52 increases. The treatment liquid flows from the treatment liquid supply source 9 to the second pump chamber 52 through the pipe 73 and the third valve 74. The second pump chamber 52 sucks the treatment liquid through the opening 56. As a result, the second pump chamber 52 is filled with the treatment liquid.

図15は、第2充填工程CBが始まる時の第2ピストン58を実線で示す。図15は、第2充填工程CBが終了する時の第2ピストン58を破線で示す。第2充填工程CBが始まる時の第2ピストン58の位置を、位置QBsと呼ぶ。第2充填工程CBが終了する時の第2ピストン58の位置を、位置QBeと呼ぶ。第2充填工程CBにおける第2ピストン58の移動距離を、移動距離MBと呼ぶ。移動距離MBは、位置QBsと位置QBeとの差である。移動距離MBは、絶対値である。 In FIG. 15, the second piston 58 at the start of the second filling step CB is shown by a solid line. FIG. 15 shows the second piston 58 at the end of the second filling step CB by a broken line. The position of the second piston 58 when the second filling step CB starts is called the position QBs. The position of the second piston 58 when the second filling step CB is completed is called the position QBe. The moving distance of the second piston 58 in the second filling step CB is referred to as a moving distance MB. The moving distance MB is the difference between the position QBs and the position QBe. The travel distance MB is an absolute value.

供給工程CSおよび第2充填工程CBの両方が終了することによって、1つのサイクル動作Cが終了する。1つのサイクル動作Cが終了した後、新たなサイクル動作Cが始まる。すなわち、第1充填工程CAが始まる。 When both the supply step CS and the second filling step CB are completed, one cycle operation C is completed. After the end of one cycle operation C, a new cycle operation C starts. That is, the first filling step CA starts.

図17(a)は、第1ピストン18の位置の時間的な変化を示すグラフである。図17(b)は、第2ピストン58の位置の時間的な変化を示すグラフである。 FIG. 17A is a graph showing the temporal change of the position of the first piston 18. FIG. 17B is a graph showing the temporal change of the position of the second piston 58.

図17(a)を参照する。戻し工程CRが始まる時は、例えば、第1充填工程CAが終了する時と同時である。定圧工程CCが始まる時は、例えば、戻し工程CRが終了する時と同時である。第1充填工程CAが始まる時は、例えば、供給工程CSが終了する時と同時である。 See FIG. 17 (a). The time when the return step CR starts is, for example, the same as when the first filling step CA ends. The time when the constant pressure step CC starts is, for example, the same as when the return step CR ends. The time when the first filling step CA starts is, for example, the same as when the supply step CS ends.

第1充填工程CAでは、制御部45は、第1ピストン18を、第1原点位置P0まで移動させる。すなわち、位置PAeは、常に、第1原点位置P0である。 In the first filling step CA, the control unit 45 moves the first piston 18 to the first origin position P0. That is, the position PAe is always the first origin position P0.

戻し工程CRでは、位置PRsは、位置PAeと実質的に等しい。このため、位置PRsは、第1原点位置P0と実質的に等しい。戻し工程CRでは、制御部45は、第1ピストン18を、第2距離L2だけ、移動させる。すなわち、移動距離LRは、常に、第2距離L2である。位置PReは、第1原点位置P0を正方向E1pに第2距離L2だけシフトした位置である。 In the return step CR, the position PRs are substantially equal to the position PAe. Therefore, the position PRs are substantially equal to the first origin position P0. In the return step CR, the control unit 45 moves the first piston 18 by the second distance L2. That is, the moving distance LR is always the second distance L2. The position PRE is a position where the first origin position P0 is shifted to the positive direction E1p by the second distance L2.

定圧工程では、位置PCsは、位置PReと実質的に等しい。複数のサイクル動作Cの間で、移動距離LCは、ばらつくことがある。位置PCeは、移動距離LCに応じて変動する。 In the constant pressure process, the position PCs are substantially equal to the position PRE. The travel distance LC may vary among the plurality of cycle operations C. The position PCe varies depending on the moving distance LC.

供給工程では、位置PSsは、位置PCeと実質的に等しい。このため、位置PSsは、移動距離LCに応じて変動する。供給工程CSでは、制御部45は、第1ピストン18を、第1距離L1だけ、移動させる。位置PSeは、位置PSsを正方向E1pに第1距離L1だけ、シフトした位置である。位置PSeは、移動距離LCに応じて変動する。 In the feeding process, the position PSs are substantially equal to the position PCe. Therefore, the position PSs fluctuates according to the moving distance LC. In the supply process CS, the control unit 45 moves the first piston 18 by the first distance L1. The position PSe is a position where the position PSs is shifted to the positive direction E1p by the first distance L1. The position PSe varies depending on the travel distance LC.

第1充填工程CAでは、位置PAsは、位置PSeと実質的に等しい。このため、位置PAsは、移動距離LCに応じて変動する。位置PAeは、上述の通り、第1原点位置P0である。このため、移動距離LAも、移動距離LCに応じて変動する。 In the first filling step CA, the position PAs are substantially equal to the position PSe. Therefore, the position PAs fluctuate according to the moving distance LC. The position PAe is the first origin position P0 as described above. Therefore, the moving distance LA also fluctuates according to the moving distance LC.

図17(b)を参照する。第2充填工程CBが始まる時は、例えば、戻し工程CRが終了する時と同時である。第2充填工程CBが始まる時は、例えば、定圧工程CCが始まる時と同時である。 See FIG. 17 (b). The time when the second filling step CB starts is, for example, the same as when the return step CR ends. The time when the second filling step CB starts is, for example, the same as when the constant pressure step CC starts.

第1充填工程CAが始まる時、位置QAsは、常に、第2原点位置Q0である。第1充填工程CAでは、制御部45は、第1ピストン18が第1原点位置P0に到達するまで、第2ピストン58を移動させる。移動距離MAは、移動距離LAによって決まる。移動距離MAは、移動距離LAに比例する。例えば、移動距離MAは、移動距離LAと同じである。上述の通り、移動距離LAは、移動距離LCに応じて変動する。よって、移動距離MAは、移動距離LCに応じて変動する。位置QAeも、移動距離LCに応じて変動する。 When the first filling step CA starts, the position QAs is always the second origin position Q0. In the first filling step CA, the control unit 45 moves the second piston 58 until the first piston 18 reaches the first origin position P0. The travel distance MA is determined by the travel distance LA. The travel distance MA is proportional to the travel distance LA. For example, the travel distance MA is the same as the travel distance LA. As described above, the travel distance LA varies depending on the travel distance LC. Therefore, the travel distance MA fluctuates according to the travel distance LC. The position QAe also fluctuates according to the moving distance LC.

戻し工程CRでは、第2ピストン58は、実質的に位置QAeに保たれる。 In the return step CR, the second piston 58 is substantially kept at position QAe.

第2充填工程CBでは、位置QBsは、位置QAeと実質的に等しい。このため、位置QBsは、移動距離LCに応じて変動する。第2充填工程CBでは、制御部45は、第2ピストン58を、第2原点位置Q0まで移動させる。すなわち、位置QBeは、常に、第2原点位置Q0である。移動距離MBは、移動距離MAと実質的に等しい。よって、移動距離MBも、移動距離LCに応じて変動する。 In the second filling step CB, the position QBs are substantially equal to the position QAe. Therefore, the position QBs fluctuate according to the moving distance LC. In the second filling step CB, the control unit 45 moves the second piston 58 to the second origin position Q0. That is, the position QBe is always the second origin position Q0. The travel distance MB is substantially equal to the travel distance MA. Therefore, the travel distance MB also fluctuates according to the travel distance LC.

上述した第2原点位置Q0および第2距離L2は、予め設定されている。第2原点位置Q0および第2距離L2は、例えば、記憶部47に記憶されている。第2原点位置Q0および第2距離L2はそれぞれ、既知である。 The above-mentioned second origin position Q0 and the second distance L2 are preset. The second origin position Q0 and the second distance L2 are stored in, for example, the storage unit 47. The second origin position Q0 and the second distance L2 are known, respectively.

[ステップS16:検出工程]
図12を参照する。基板処理装置1は、サイクル動作Cと並行して、検出工程を行う。検出工程は、例えば、第1充填工程CA、戻し工程CR、定圧工程CC、供給工程CSおよび第2充填工程CBが実行される期間にわたって、行われる。検出工程では、第1圧力センサ21は、第1ポンプ室12の圧力を検出する。検出工程では、第1位置センサ22は、第1ピストン18の位置を検出する。検出工程では、第2位置センサ62は、第2ピストン58の位置を検出する。第1圧力センサ21は、第1圧力センサ21の検出結果を、制御部45に出力する。第1位置センサ22は、第1位置センサ22の検出結果を、制御部45に出力する。第2位置センサ62は、第2位置センサ62の検出結果を、制御部45に出力する。
[Step S16: Detection step]
See FIG. The substrate processing apparatus 1 performs a detection step in parallel with the cycle operation C. The detection step is performed, for example, over a period in which the first filling step CA, the return step CR, the constant pressure step CC, the supply step CS, and the second filling step CB are executed. In the detection step, the first pressure sensor 21 detects the pressure in the first pump chamber 12. In the detection step, the first position sensor 22 detects the position of the first piston 18. In the detection step, the second position sensor 62 detects the position of the second piston 58. The first pressure sensor 21 outputs the detection result of the first pressure sensor 21 to the control unit 45. The first position sensor 22 outputs the detection result of the first position sensor 22 to the control unit 45. The second position sensor 62 outputs the detection result of the second position sensor 62 to the control unit 45.

[ステップS17:リーク判定工程]
基板処理装置1は、サイクル動作Cおよび検出工程と並行して、リーク判定工程を行う。リーク判定工程では、制御部45は、リーク判定処理を行う。リーク判定処理では、制御部45は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部45は、判定期間Jにおける第1ピストン18の位置の変化に基づいて、リークの有無を判定する。
[Step S17: Leak determination step]
The substrate processing apparatus 1 performs a leak determination step in parallel with the cycle operation C and the detection step. In the leak determination step, the control unit 45 performs a leak determination process. In the leak determination process, the control unit 45 acquires a change in the position of the first piston 18 in the determination period J based on the detection result obtained by the detection step. In the leak determination process, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the change in the position of the first piston 18 in the determination period J.

図17(a)を参照する。図17(a)は、判定期間Jを例示する。判定期間Jの全部は、定圧工程CCが実行される期間に含まれる。すなわち、判定期間Jは、定圧工程CCが実行されない期間を含まない。判定期間Jは、定圧工程CCが実行される期間の少なくとも一部である。判定期間Jは、第1判定期間J1および第2判定期間J2の少なくともいずれかを含む。 See FIG. 17 (a). FIG. 17A exemplifies the determination period J. The entire determination period J is included in the period during which the constant pressure step CC is executed. That is, the determination period J does not include the period during which the constant pressure step CC is not executed. The determination period J is at least a part of the period during which the constant pressure step CC is executed. The determination period J includes at least one of the first determination period J1 and the second determination period J2.

3.リーク判定工程(リーク判定処理)の詳細
第2実施形態では、第1実施形態で説明した第1-第5のリーク判定処理を、適用できる。第2実施形態では、第1実施形態で説明した第6のリーク判定処理を、若干変更した上で、適用できる。さらに、第2実施形態では、第2ピストン58の位置の検出結果に基づいて、第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離を推定できる。第7、第8のリーク判定処理を例示する。
3. 3. Details of the leak determination step (leak determination process) In the second embodiment, the first to fifth leak determination processes described in the first embodiment can be applied. In the second embodiment, the sixth leak determination process described in the first embodiment can be applied after being slightly modified. Further, in the second embodiment, the moving distance of the first piston 18 in the second determination period J2 can be estimated based on the detection result of the position of the second piston 58. The seventh and eighth leak determination processes are exemplified.

3-1.第7のリーク判定処理
第7のリーク判定処理は、第6のリーク判定処理を、第2実施形態のために変更したものである。第7のリーク判定処理は、第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離LCを推定する。
3-1. Seventh Leak Determination Process The seventh leak determination process is a modification of the sixth leak determination process for the second embodiment. The seventh leak determination process estimates the moving distance LC of the first piston 18 in the second determination period J2.

上述した通り、サイクル動作Cは、以下の第2条件で実行される。
[第2条件]
供給工程CSは、第1ピストン18を、第1距離L1だけ、移動させる。
第1充填工程CAは、第1ピストン18を、第1原点位置P0まで移動させる。
第1充填工程CAは、第1ピストン18が第1原点位置P0に到達するまで、第2ピストン58を移動させる。
第2充填工程CBは、第2ピストン58を、第2原点位置Q0まで移動させる。
戻し工程CRは、第1ピストン18を、第2距離L2だけ、移動させる。
As described above, the cycle operation C is executed under the following second condition.
[Second condition]
The supply process CS moves the first piston 18 by the first distance L1.
The first filling step CA moves the first piston 18 to the first origin position P0.
The first filling step CA moves the second piston 58 until the first piston 18 reaches the first origin position P0.
The second filling step CB moves the second piston 58 to the second origin position Q0.
The return step CR moves the first piston 18 by the second distance L2.

言い換えれば、移動距離LSは、第1距離L1と等しい。位置PAeは、第1原点位置P0と等しい。移動距離MAは、移動距離LAによって決まる。位置QBeは、第2原点位置Q0と等しい。移動距離LRは、第2距離L2と等しい。 In other words, the travel distance LS is equal to the first distance L1. The position PAe is equal to the first origin position P0. The travel distance MA is determined by the travel distance LA. The position QBe is equal to the second origin position Q0. The travel distance LR is equal to the second distance L2.

第2条件の下でも、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAはそれぞれ、移動距離LCに応じて変動する。このため、位置PCe、PSs、PSe、PAsおよび移動距離LAの少なくともいずれかによって、移動距離LCを推定可能である。 Even under the second condition, the position PCe, PSs, PSe, PAs and the travel distance LA each vary depending on the travel distance LC. Therefore, the travel distance LC can be estimated from at least one of the position PCe, PSs, PSe, PAs, and the travel distance LA.

例えば、制御部45は、位置PCeに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、定圧工程CCが終了する時の第1ピストン18の1つの位置の検出結果に基づいて、位置PCeを取得する。制御部45は、位置PCeと第2基準位置RP2との差を、移動距離LCと推定する。ここで、第2基準位置RP2は、第1原点位置P0を正方向E1pに第2距離L2だけシフトした位置である。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PCe. Specifically, the control unit 45 acquires the position PCe based on the detection result of one position of the first piston 18 when the constant pressure step CC ends. The control unit 45 estimates the difference between the position PCe and the second reference position RP2 as the moving distance LC. Here, the second reference position RP2 is a position where the first origin position P0 is shifted to the positive direction E1p by the second distance L2.

例えば、制御部45は、位置PSsに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、供給工程CSが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PSsを取得する。制御部45は、位置PSsと第2基準位置RP2との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PSs. Specifically, the control unit 45 acquires the position PSs based on the detection result of the position of the first piston 18 when the supply process CS starts. The control unit 45 estimates the difference between the position PSs and the second reference position RP2 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、位置PSeに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、供給工程CSが終了する時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PSeを取得する。制御部45は、位置PSeと第3基準位置RP3との差を、移動距離LCと推定する。ここで、第3基準位置RP3は、正方向E1pに第3距離L3だけ、第1原点位置P0をシフトした位置である。第3距離L3は、第1距離L1と第2距離L2の合計である。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PSe. Specifically, the control unit 45 acquires the position PSe based on the detection result of the position of the first piston 18 when the supply process CS ends. The control unit 45 estimates the difference between the position PSe and the third reference position RP3 as the moving distance LC. Here, the third reference position RP3 is a position where the first origin position P0 is shifted to the positive direction E1p by the third distance L3. The third distance L3 is the sum of the first distance L1 and the second distance L2.

例えば、制御部45は、位置PAsに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果に基づいて、位置PAsを取得する。制御部45は、位置PAsと第3基準位置RP3との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the position PAs. Specifically, the control unit 45 acquires the position PAs based on the detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA starts. The control unit 45 estimates the difference between the position PAs and the third reference position RP3 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、移動距離LAに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが始まる時の第1ピストン18の位置の検出結果と、第1充填工程CAが終了する時の第1ピストン18の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離LAを取得する。制御部45は、移動距離LAと第3距離L3との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the travel distance LA. Specifically, the control unit 45 has a detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA starts and a detection result of the position of the first piston 18 when the first filling step CA ends. , The travel distance LA is acquired. The control unit 45 estimates the difference between the moving distance LA and the third distance L3 as the moving distance LC.

制御部45は、推定された移動距離LCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第4のリーク判定処理と同様に、制御部45は、推定された移動距離LCを第4閾値K4と比較する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the estimated travel distance LC. For example, as in the fourth leak determination process, the control unit 45 compares the estimated travel distance LC with the fourth threshold value K4.

あるいは、制御部45は、推定された移動距離LCを時間長U2で除することにより
、平均速度VCを取得する。そして、制御部45は、平均速度VCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第5のリーク判定処理と同様に、制御部45は、平均速度VCを第6閾値K6と比較する。
Alternatively, the control unit 45 obtains the average velocity VC by dividing the estimated travel distance LC by the time length U2. Then, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the average speed VC. For example, as in the fifth leak determination process, the control unit 45 compares the average speed VC with the sixth threshold value K6.

上述した第2基準位置RP2、第3基準位置RP3および第3距離L3は、予め設定されている。第2基準位置RP2、第3基準位置RP3および第3距離L3は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The second reference position RP2, the third reference position RP3, and the third distance L3 described above are preset. The second reference position RP2, the third reference position RP3, and the third distance L3 are stored in, for example, the storage unit 47.

3-2.第8のリーク判定処理
第8のリーク判定処理は、第2ピストン58の位置の検出結果に基づいて、第2判定期間J2における第1ピストン18の移動距離LCを推定する。
3-2. Eighth leak determination process The eighth leak determination process estimates the moving distance LC of the first piston 18 in the second determination period J2 based on the detection result of the position of the second piston 58.

第2条件の下では、位置QAe、QBsおよび移動距離MA、MBはそれぞれ、移動距離LCに応じて変動する。このため、位置QAe、QBsおよび移動距離MA、MBの少なくともいずれかによって、移動距離LCを推定可能である。 Under the second condition, the positions QAe and QBs and the travel distances MA and MB each vary according to the travel distance LC. Therefore, the travel distance LC can be estimated from at least one of the position QAe, QBs, and the travel distance MA, MB.

例えば、制御部45は、位置QAeに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが終了する時の第2ピストン58の位置の検出結果に基づいて、位置QAeを取得する。制御部45は、位置QSeと基準位置RQ1との差を、移動距離LCと推定する。ここで、基準位置RQ1は、正方向E2pに距離M3だけ、第2原点位置Q0をシフトした位置である。距離M3と第3距離L3との間には、以下の関係が成立する。第2ピストン58が距離M3だけ移動するときの第2ポンプ室52の容積の変化量は、第1ピストン18が第3距離L3だけ移動するときの第1ポンプ室12の容積の変化量と等しい。距離M3は、例えば、第3距離L3に比例定数を乗じたものである。距離M3は、例えば、第3距離L3と等しい。 For example, the control unit 45 estimates the movement distance LC based on the position QAe. Specifically, the control unit 45 acquires the position QAe based on the detection result of the position of the second piston 58 when the first filling step CA ends. The control unit 45 estimates the difference between the position QSe and the reference position RQ1 as the moving distance LC. Here, the reference position RQ1 is a position where the second origin position Q0 is shifted to the positive direction E2p by a distance M3. The following relationship is established between the distance M3 and the third distance L3. The amount of change in the volume of the second pump chamber 52 when the second piston 58 moves by the distance M3 is equal to the amount of change in the volume of the first pump chamber 12 when the first piston 18 moves by the third distance L3. .. The distance M3 is, for example, the third distance L3 multiplied by a proportionality constant. The distance M3 is, for example, equal to the third distance L3.

例えば、制御部45は、位置QBsに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第2充填工程CBが始まる時の第2ピストン58の位置の検出結果に基づいて、位置QBsを取得する。制御部45は、位置QBsと基準位置RQ1との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the movement distance LC based on the position QBs. Specifically, the control unit 45 acquires the position QBs based on the detection result of the position of the second piston 58 when the second filling step CB starts. The control unit 45 estimates the difference between the position QBs and the reference position RQ1 as the moving distance LC.

例えば、制御部45は、移動距離MAに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第1充填工程CAが始まる時の第2ピストン58の位置の検出結果と、第1充填工程CAが終了する時の第2ピストン58の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離MAを取得する。制御部45は、移動距離MAと距離M3との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the travel distance MA. Specifically, the control unit 45 has a detection result of the position of the second piston 58 when the first filling step CA starts and a detection result of the position of the second piston 58 when the first filling step CA ends. , To obtain the travel distance MA. The control unit 45 estimates the difference between the travel distance MA and the distance M3 as the travel distance LC.

例えば、制御部45は、移動距離MBに基づいて、移動距離LCを推定する。具体的には、制御部45は、第2充填工程CBが始まる時の第2ピストン58の位置の検出結果と、第2充填工程CBが終了する時の第2ピストン58の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離MBを取得する。制御部45は、移動距離MBと距離M3との差を、移動距離LCと推定する。 For example, the control unit 45 estimates the travel distance LC based on the travel distance MB. Specifically, the control unit 45 has a detection result of the position of the second piston 58 when the second filling step CB starts and a detection result of the position of the second piston 58 when the second filling step CB ends. , To obtain the travel distance MB. The control unit 45 estimates the difference between the travel distance MB and the distance M3 as the travel distance LC.

制御部45は、推定された移動距離LCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第4のリーク判定処理と同様に、制御部45は、推定された移動距離LCを第4閾値K4と比較する。 The control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the estimated travel distance LC. For example, as in the fourth leak determination process, the control unit 45 compares the estimated travel distance LC with the fourth threshold value K4.

あるいは、制御部45は、推定された移動距離LCと時間長U2から、平均速度VCを取得する。そして、制御部45は、平均速度VCに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第5のリーク判定処理と同様に、制御部45は、平均速度VCを第6閾値K6と比較する。 Alternatively, the control unit 45 acquires the average velocity VC from the estimated travel distance LC and the time length U2. Then, the control unit 45 determines the presence or absence of a leak based on the average speed VC. For example, as in the fifth leak determination process, the control unit 45 compares the average speed VC with the sixth threshold value K6.

上述した基準位置RQ1および距離M3は、予め設定されている。基準位置RQ1および距離M3は、例えば、記憶部47に記憶されている。 The above-mentioned reference position RQ1 and distance M3 are preset. The reference position RQ1 and the distance M3 are stored in, for example, the storage unit 47.

4.効果
第2実施形態によれば、実施形態1と同様の効果を奏する。さらに、第2実施形態によれば、以下の効果を奏する。
4. Effect According to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained. Further, according to the second embodiment, the following effects are obtained.

第2実施形態の基板処理方法は、第2充填工程CBを備える。よって、第2充填工程CBは、第2ポンプ室52に処理液を好適に充填できる。 The substrate processing method of the second embodiment includes a second filling step CB. Therefore, in the second filling step CB, the treatment liquid can be suitably filled in the second pump chamber 52.

第1充填工程CAは、第2ポンプ室52から第2弁72を介して第1ポンプ室12に処理液を送る。よって、第1充填工程CAは、第2ポンプ室52を用いて、第1ポンプ室12に処理液を好適に充填できる。 The first filling step CA sends the processing liquid from the second pump chamber 52 to the first pump chamber 12 via the second valve 72. Therefore, in the first filling step CA, the first pump chamber 12 can be suitably filled with the treatment liquid by using the second pump chamber 52.

供給工程CSは、第2弁72を閉じる。定圧工程CCは、第2弁72を閉じる。よって、供給工程CSおよび定圧工程CCを適切に実行できる。 The supply process CS closes the second valve 72. The constant pressure step CC closes the second valve 72. Therefore, the supply process CS and the constant pressure process CC can be appropriately executed.

基板処理方法は、戻し工程CRを備える。よって、基板Wに対する処理の品質を好適に保つことができる。 The substrate processing method includes a return step CR. Therefore, the quality of processing for the substrate W can be preferably maintained.

供給工程CS、定圧工程CC、第1充填工程CA、および、第2充填工程CBは、第4弁76を閉じる。よって、供給工程CS、定圧工程CC、第1充填工程CA、および、第2充填工程CBを好適に実行できる。 The supply step CS, the constant pressure step CC, the first filling step CA, and the second filling step CB close the fourth valve 76. Therefore, the supply step CS, the constant pressure step CC, the first filling step CA, and the second filling step CB can be suitably executed.

第2実施形態の基板処理方法は、上述した第2条件で、実行される。このため、リーク判定工程(例えば、第7-第8リーク判定処理)は、位置PCe、PSs、PSe、PAs、移動距離LA、位置QAe、QBsおよび移動距離MA、MBの少なくともいずれかの検出結果に基づいて、移動距離LCを好適に推定できる。 The substrate processing method of the second embodiment is executed under the second condition described above. Therefore, in the leak determination step (for example, the 7th-8th leak determination process), the detection result of at least one of the position PCe, PSs, PSe, PAs, the moving distance LA, the position QAe, QBs and the moving distance MA, MB. The travel distance LC can be suitably estimated based on the above.

第2条件に規定される通り、戻し工程CRは、第1ピストン18を、第2距離L2だけ移動させる。このため、基板処理方法が戻り工程CRを含む場合であっても、第1実施形態と同様に、位置PCe、PSs、PSe、PAs、および、移動距離LAは、移動距離LCに応じて、変動する。よって、リーク判定工程は、第1実施形態で説明した第6のリーク判定処理と類似する第7のリーク判定処理を、好適に使用できる。 As specified in the second condition, the return step CR moves the first piston 18 by the second distance L2. Therefore, even when the substrate processing method includes the return step CR, the position PCe, PSs, PSe, PAs, and the moving distance LA vary depending on the moving distance LC, as in the first embodiment. do. Therefore, in the leak determination step, a seventh leak determination process similar to the sixth leak determination process described in the first embodiment can be preferably used.

本発明は、第1、第2実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the first and second embodiments, and can be modified as follows.

(1)第2の判定処理と第3の判定処理を組み合わせてもよい。例えば、リーク判定工程は、異常期間DAを除く正変化期間DCpの数NCpa、および、異常期間DAを除く負変化期間DCnの数NCpnを計数してもよい。そして、リーク判定工程は、数NCpa、および、数NCpnに基づいて、リークの有無を判定してもよい。 (1) The second determination process and the third determination process may be combined. For example, in the leak determination step, the number NCpa of the positive change period DCp excluding the abnormal period DA and the number NCpn of the negative change period DCn excluding the abnormal period DA may be counted. Then, in the leak determination step, the presence or absence of a leak may be determined based on the number NCpa and the number NCpn.

(2)第2の判定処理では、リーク判定工程は、変化期間DCを正変化期間DCpと負変化期間DCnに分類した。すなわち、正変化期間DCpにおける移動距離LDも、負変化期間DCnにおける移動距離LDも、第1閾値K1以上である。但し、これに限られない。例えば、リーク判定工程は、第1ピストン18の移動距離LDが正方向E1pに第7閾値K7以上である分割期間Dを、正変化期間DCpとして特定してもよい。例えば、リーク判定工程は、第1ピストン18の移動距離LDが負方向E1nに第8閾値K8以上である分割期間Dを、負変化期間DCnとして特定してもよい。ここで、第8閾値K8は、第7閾値K7とは異なる。これによれば、リーク判定工程は、順方向リークの有無、および、逆方向リークの有無を一層精度良く判定できる。 (2) In the second determination process, the leak determination step classified the change period DC into a positive change period DCp and a negative change period DCn. That is, both the moving distance LD in the positive change period DCp and the moving distance LD in the negative change period DCn are equal to or higher than the first threshold value K1. However, it is not limited to this. For example, in the leak determination step, the division period D in which the moving distance LD of the first piston 18 is equal to or greater than the seventh threshold value K7 in the positive direction E1p may be specified as the positive change period DCp. For example, in the leak determination step, the division period D in which the moving distance LD of the first piston 18 is equal to or greater than the eighth threshold value K8 in the negative direction E1n may be specified as the negative change period DCn. Here, the eighth threshold value K8 is different from the seventh threshold value K7. According to this, the leak determination step can determine the presence / absence of a forward leak and the presence / absence of a reverse leak with higher accuracy.

(3)第1の判定処理では、数NCを1つの第1基準値R1と比較した。但し、これに限られない。例えば、数NCを複数の基準値と比較してもよい。例えば、リーク判定工程は、数NCを第7基準値R7および第8基準値R8と比較してもよい。ここで、第8基準値R8は、第7基準値R7よりも大きい。そして、数NCが第7基準値R7未満である場合は、リーク判定工程は、リークが生じていない(レベル1)と判定する。数NCが第7基準値R7以上で第8基準値R8未満である場合は、リーク判定工程は、リークが生じている可能性がある(レベル2)と判定する。数NCが第8基準値R8以上である場合は、リーク判定工程は、リークが生じている可能性が高い(レベル3)と判定する。このように、リーク判定工程は、3つ以上のレベルを用いて、リークの有無を判定してもよい。 (3) In the first determination process, the number NC was compared with one first reference value R1. However, it is not limited to this. For example, the number NC may be compared with a plurality of reference values. For example, in the leak determination step, the number NC may be compared with the seventh reference value R7 and the eighth reference value R8. Here, the eighth reference value R8 is larger than the seventh reference value R7. Then, when the number NC is less than the seventh reference value R7, the leak determination step determines that no leak has occurred (level 1). When the number NC is the 7th reference value R7 or more and less than the 8th reference value R8, the leak determination step determines that a leak may have occurred (level 2). When the number NC is 8th reference value R8 or more, the leak determination step determines that there is a high possibility that a leak has occurred (level 3). As described above, in the leak determination step, the presence or absence of a leak may be determined using three or more levels.

(4)第1の判定処理では、比Aを第2基準値R2と比較した。但し、これに限られない。例えば、比Aを第2基準値R2と比較しなくてもよい。例えば、リーク判定工程は、比Aに基づいてリークの発生確率を特定してもよい。例えば、リーク判定工程は、リークの発生確率を用いて、リークの有無を判定してもよい。 (4) In the first determination process, the ratio A was compared with the second reference value R2. However, it is not limited to this. For example, it is not necessary to compare the ratio A with the second reference value R2. For example, the leak determination step may specify the probability of occurrence of a leak based on the ratio A. For example, in the leak determination step, the presence or absence of a leak may be determined using the probability of occurrence of a leak.

(5)第1実施形態において、サイクル動作Cに含まれる各工程の順序を適宜に変更してもよい。第1実施形態では、第1充填工程CAと定圧工程CCと供給工程CSを、この順に実行した。但し、これに限られない。例えば、第1充填工程CAと供給工程CSと定圧工程CCとを、この順に実行してもよい。同様に、第2実施形態において、サイクル動作Cに含まれる各工程の順序を適宜に変更してもよい。 (5) In the first embodiment, the order of each step included in the cycle operation C may be appropriately changed. In the first embodiment, the first filling step CA, the constant pressure step CC, and the supply step CS were executed in this order. However, it is not limited to this. For example, the first filling step CA, the supply step CS, and the constant pressure step CC may be executed in this order. Similarly, in the second embodiment, the order of each step included in the cycle operation C may be appropriately changed.

(6)第2実施形態の基板処理方法は、戻し工程CRを備えた。但し、これに限られない。例えば、戻し工程CRを省いてもよい。この場合、第7―第8の判定処理では、第2距離L2を零とみなす。 (6) The substrate processing method of the second embodiment includes a return step CR. However, it is not limited to this. For example, the return step CR may be omitted. In this case, in the 7th to 8th determination processes, the second distance L2 is regarded as zero.

(7)第1実施形態において、リークが生じているとリーク判定工程が判定した場合、その後のサイクル動作C(供給工程CS)を中止してもよい。これにより、基板Wに対する処理の品質が低下することを未然に防止できる。あるいは、リークが生じているとリーク判定工程が判定した場合、ノズル待機部43においてノズル41からダミーディスペンスを実行してもよい。これにより、ノズル41内の処理液の液位を適切に修正できる。他方、リークが生じていないとリーク判定工程が判定した場合、ダミーディスペンスを省略してもよい。これにより、基板Wに対する処理の品質を保ちつつ、処理液の消費量を効果的に低減できる。 (7) In the first embodiment, when the leak determination step determines that a leak has occurred, the subsequent cycle operation C (supply step CS) may be stopped. As a result, it is possible to prevent the quality of processing for the substrate W from deteriorating. Alternatively, if the leak determination step determines that a leak has occurred, the nozzle standby unit 43 may execute dummy discharge from the nozzle 41. Thereby, the liquid level of the processing liquid in the nozzle 41 can be appropriately corrected. On the other hand, if the leak determination step determines that no leak has occurred, the dummy dispense may be omitted. As a result, the consumption of the processing liquid can be effectively reduced while maintaining the processing quality for the substrate W.

(8)第1実施形態では、第1ピストン18の位置をパルス数で表記した。但し、これに限られない。例えば、第1ピストン18の位置を、第1原点位置P0からの距離で表記してもよい。 (8) In the first embodiment, the position of the first piston 18 is represented by the number of pulses. However, it is not limited to this. For example, the position of the first piston 18 may be expressed by the distance from the first origin position P0.

(9)高低差H1、H2と目標値Fとの関係について、説明する。図18は、変形実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す図である。図18は、基板処理装置1を簡略に示す。なお、第1実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 (9) The relationship between the height differences H1 and H2 and the target value F will be described. FIG. 18 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the modified embodiment. FIG. 18 briefly shows the substrate processing apparatus 1. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

基板処理装置1は、2つの処理ユニット3a、3bを備える。処理ユニット3aの要素の符号には、適宜に「a」を付す。処理ユニット3bの要素の符号には、適宜に「b」を付す。 The substrate processing apparatus 1 includes two processing units 3a and 3b. "A" is appropriately added to the code of the element of the processing unit 3a. "B" is appropriately added to the code of the element of the processing unit 3b.

処理ユニット3aは、チャンバ4aを備える。チャンバ4aは、ノズル41a等を収容する。処理ユニット3bは、チャンバ4bを備える。チャンバ4bは、ノズル41b等を収容する。チャンバ4a、4bは、鉛直方向Zに積層される。チャンバ4bは、チャンバ4aの下方に配置される。 The processing unit 3a includes a chamber 4a. The chamber 4a accommodates the nozzle 41a and the like. The processing unit 3b includes a chamber 4b. The chamber 4b accommodates the nozzle 41b and the like. The chambers 4a and 4b are laminated in the vertical direction Z. The chamber 4b is located below the chamber 4a.

処理ユニット3aは、処理液供給装置10aを備える。処理液供給装置10aは、第1ポンプ室12aを備える。処理ユニット3bは、処理液供給装置10bを備える。処理液供給装置10bは、第1ポンプ室12bを備える。第1ポンプ室12a、12bはそれぞれ、チャンバ4a、4bの外部に配置される。第1ポンプ室12a、12bはそれぞれ、チャンバ4a、4bよりも下方に配置される。第1ポンプ室12bは、第1ポンプ室12aと略同じ高さ位置に配置される。 The processing unit 3a includes a processing liquid supply device 10a. The treatment liquid supply device 10a includes a first pump chamber 12a. The processing unit 3b includes a processing liquid supply device 10b. The treatment liquid supply device 10b includes a first pump chamber 12b. The first pump chambers 12a and 12b are arranged outside the chambers 4a and 4b, respectively. The first pump chambers 12a and 12b are arranged below the chambers 4a and 4b, respectively. The first pump chamber 12b is arranged at substantially the same height as the first pump chamber 12a.

第1弁32aは、チャンバ4aと略同じ高さ位置に配置される。第1弁32bは、チャンバ4bと略同じ高さ位置に配置される。 The first valve 32a is arranged at substantially the same height as the chamber 4a. The first valve 32b is arranged at substantially the same height as the chamber 4b.

第1ポンプ室12aと第1弁32aとの間の高低差H1aは、第1ポンプ室12bと第1弁32bとの間の高低差H1bよりも大きい。第1ポンプ室12aとノズル41aとの間の高低差H2aは、第1ポンプ室12bとノズル41bとの間の高低差H2bよりも大きい。 The height difference H1a between the first pump chamber 12a and the first valve 32a is larger than the height difference H1b between the first pump chamber 12b and the first valve 32b. The height difference H2a between the first pump chamber 12a and the nozzle 41a is larger than the height difference H2b between the first pump chamber 12b and the nozzle 41b.

定圧工程CCは、第1ポンプ室12aの圧力を目標値Faに保つように、第1ピストン18aの位置を調整する。定圧工程CCは、第1ポンプ室12bの圧力を目標値Fbに保つように、第1ピストン18bの位置を調整する。ここで、目標値Fbは、目標値Faよりも小さい。例えば、目標値Faは、20kPaである。例えば、目標値Faは、10kPaである。 The constant pressure step CC adjusts the position of the first piston 18a so as to keep the pressure of the first pump chamber 12a at the target value Fa. The constant pressure step CC adjusts the position of the first piston 18b so as to keep the pressure of the first pump chamber 12b at the target value Fb. Here, the target value Fb is smaller than the target value Fa. For example, the target value Fa is 20 kPa. For example, the target value Fa is 10 kPa.

このように、高低差H1が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fが設定される。よって、高低差H1が大きい場合であっても、小さい場合であっても、定圧工程CCは、リークを適切に顕在化させることができる。さらに、高低差H2が大きくなるにしたがって目標値Fが高くなるように、目標値Fが設定される。よって、高低差H2が大きい場合であっても、小さい場合であっても、定圧工程CCは、リークを適切に顕在化させることができる。 In this way, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H1 increases. Therefore, regardless of whether the height difference H1 is large or small, the constant pressure step CC can appropriately reveal the leak. Further, the target value F is set so that the target value F increases as the height difference H2 increases. Therefore, regardless of whether the height difference H2 is large or small, the constant pressure step CC can appropriately reveal the leak.

(10)第1、第2実施形態では、処理液として、塗膜材料を例示した。但し、これに限られない。処理液は、例えば、薬液、溶剤および純水の少なくともいずれかでもよい。 (10) In the first and second embodiments, a coating film material is exemplified as the treatment liquid. However, it is not limited to this. The treatment liquid may be, for example, at least one of a chemical liquid, a solvent and pure water.

(11)上述した第1、第2実施形態および上記(1)から(10)で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。 (11) For each of the first and second embodiments described above and the modified embodiments described in (1) to (10) above, each configuration may be further replaced or combined with the configuration of another modified embodiment as appropriate. May be changed to.

1 … 基板処理装置
12 … 第1ポンプ室
18 … 第1ピストン
21 … 第1圧力センサ
22 … 第1位置センサ
32 … 第1弁
33 … 弁本体
34 … 入口ポート
35 … 出口ポート
37 … 第2弁
41 … ノズル
44 … ノズル待機部
45 … 制御部
47 … 記憶部
52 … 第2ポンプ室
58 … 第2ピストン
62 … 第2位置センサ
72 … 第2弁
74 … 第3弁
76 … 第4弁
78 … 第6弁
A … 分割期間に対する変化期間の比
CA … 第1充填工程
CB … 第2充填工程
CC … 定圧工程
CR … 戻し工程
CS … 供給工程
D、D1-D5 … 分割期間
DA … 異常期間
DC … 変化期間
DCp … 正変化期間
DCn … 負変化期間
E1n … 第1ピストンの正方向
E1p … 第1ピストンの負方向
E2n … 第2ピストンの正方向
E2p … 第2ピストンの負方向
F、Fa、Fb … 目標値
G … 許容範囲
H1、H1a、H1b … 第1ポンプ室と第1弁との間の高低差
H2、H2a、H2b … 第1ポンプ室とノズルとの間の高低差
J … 判定期間
J1 … 第1判定期間
J2 … 第2判定期間(定圧工程が実行される期間)
K1―K8 … 第1-第8閾値
LC … 定圧工程における第1ピストンの移動距離(第2判定期間における第1ピストンの移動距離)
LD、LD1-LD5 … 分割期間における第1ピストンの移動距離
LA … 第1充填工程における第1ピストンの移動距離
LJ … 第1判定期間における第1ピストンの移動距離
LR … 戻し工程における第1ピストンの移動距離
LS … 供給工程における第1ピストンの移動距離
L1 … 第1距離
L2 … 第2距離
MA … 第1充填工程における第2ピストンの移動距離
MB … 第2充填工程における第2ピストンの移動距離
NA … 異常期間の数
NC … 変化期間の数
NCa … 異常期間を除く変化期間の数
NCp … 正変化期間の数
NCn … 負変化期間の数
ND … 分割期間の数
NDa … 異常期間を除く分割期間の数
PAs … 第1充填工程が始まる時の第1ピストンの位置
PAe … 第1充填工程が終了する時の第1ピストンの位置
PCs … 定圧工程が始まる時の第1ピストンの位置
PCe … 定圧工程が終了する時の第1ピストンの位置
PRs … 戻し工程が始まる時の第1ピストンの位置
PRe … 戻し工程が終了する時の第1ピストンの位置
PSs … 供給工程が始まる時の第1ピストンの位置
PSe … 供給工程が終了する時の第1ピストンの位置
P0 … 第1原点位置
QAs … 第1充填工程が始まる時の第2ピストンの位置
QAe … 第1充填工程が終了する時の第2ピストンの位置
QBs … 第2充填工程が始まる時の第2ピストンの位置
QBe … 第2充填工程が終了する時の第2ピストンの位置
Q0 … 第2原点位置
R1-R6 … 第1-第6基準値
RP1-RP3 … 第1-第3基準位置
RQ1 … 基準位置
TJs … 第1時刻
U1 … 第1判定期間の時間長
U2 … 第2判定期間の時間長
VJ … 第1判定期間における第1ピストンの平均速度
VC … 第2判定期間における第1ピストンの平均速度
1 ... Board processing device 12 ... 1st pump chamber 18 ... 1st piston 21 ... 1st pressure sensor 22 ... 1st position sensor 32 ... 1st valve 33 ... Valve body 34 ... Inlet port 35 ... Outlet port 37 ... 2nd valve 41… Nozzle 44… Nozzle standby unit 45… Control unit 47… Storage unit 52… 2nd pump chamber 58… 2nd piston 62… 2nd position sensor 72… 2nd valve 74… 3rd valve 76… 4th valve 78… 6th valve A ... Ratio of change period to division period CA ... 1st filling process CB ... 2nd filling process CC ... Constant pressure process CR ... Return process CS ... Supply process D, D1-D5 ... Division period DA ... Abnormal period DC ... Change period DCp ... Positive change period DCn ... Negative change period E1n ... Positive direction of the first piston E1p ... Negative direction of the first piston E2n ... Positive direction of the second piston E2p ... Negative direction of the second piston F, Fa, Fb ... Target value G ... Allowable range H1, H1a, H1b ... Height difference between the first pump chamber and the first valve H2, H2a, H2b ... Height difference between the first pump chamber and the nozzle J ... Judgment period J1 ... 1st judgment period J2 ... 2nd judgment period (period during which the constant pressure process is executed)
K1-K8 ... 1st to 8th threshold LC ... Movement distance of the first piston in the constant pressure process (movement distance of the first piston in the second determination period)
LD, LD1-LD5 ... Movement distance of the first piston in the division period LA ... Movement distance of the first piston in the first filling process LJ ... Movement distance of the first piston in the first determination period LR ... Movement distance LS ... Movement distance of the first piston in the supply process L1 ... First distance L2 ... Second distance MA ... Movement distance of the second piston in the first filling process MB ... Movement distance of the second piston in the second filling process NA … Number of abnormal periods NC… Number of change periods NCa… Number of change periods excluding abnormal periods NCp… Number of positive change periods NCn… Number of negative change periods ND… Number of division periods NDa… Number of division periods excluding abnormal periods Number PAs… Position of the first piston when the first filling process starts PAe… Position of the first piston when the first filling process ends PCs… Position of the first piston when the constant pressure process starts PCe… The constant pressure process Position of the first piston at the end PRs ... Position of the first piston when the return process starts PRE ... Position of the first piston when the return process ends PSs ... Position of the first piston when the supply process starts PSe … Position of the first piston when the supply process ends P0… First origin position QAs… Position of the second piston when the first filling process starts QAe… Position of the second piston when the first filling process ends QBs ... Position of the second piston when the second filling process starts QBe ... Position of the second piston when the second filling process ends Q0 ... Second origin position R1-R6 ... 1st-6th reference value RP1- RP3 ... 1st-1st reference position RQ1 ... Reference position TJs ... 1st time U1 ... Time length of 1st judgment period U2 ... Time length of 2nd judgment period VJ ... Average speed VC of 1st piston in 1st judgment period … Average speed of the first piston in the second judgment period

Claims (20)

基板処理方法であって、
第1ポンプ室に対して第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を減少させ、前記第1ポンプ室に連通される第1弁を開き、前記第1ポンプ室から前記第1弁を介してノズルに処理液を送り、前記ノズルから基板に処理液を吐出する供給工程と、
前記第1ピストンの位置を検出する検出工程と、
前記検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間における前記第1ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第1ピストンの位置の変化に基づいて前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定するリーク判定工程と、
前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第1ピストンの位置を調整する定圧工程と、
を備え、
前記判定期間の全部は、前記定圧工程が実行される期間に含まれる
基板処理方法。
It is a board processing method
By moving the first piston with respect to the first pump chamber, the volume of the first pump chamber is reduced, the first valve communicating with the first pump chamber is opened, and the first pump chamber is used as the first valve. A supply process in which the processing liquid is sent to the nozzle via a valve and the processing liquid is discharged from the nozzle to the substrate.
The detection step of detecting the position of the first piston and
The change in the position of the first piston in the determination period is acquired based on the detection result obtained by the detection step, and the treatment liquid from the first valve is obtained based on the change in the position of the first piston in the determination period. Leak determination process to determine the presence or absence of leaks and
A constant pressure step of closing the first valve and adjusting the position of the first piston so as to keep the pressure of the first pump chamber at a target value.
Equipped with
The entire determination period is a substrate processing method included in the period in which the constant pressure step is executed.
請求項1に記載の基板処理方法において、
前記第1弁は、
前記第1ポンプ室に連通される入口ポートと、
前記ノズルに連通される出口ポートと、
を備え、
前記定圧工程は、前記第1ポンプ室の圧力を、前記第1弁の前記入口ポートに付与する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 1,
The first valve is
An inlet port communicating with the first pump chamber and
The outlet port that communicates with the nozzle and
Equipped with
The constant pressure step is a substrate processing method in which the pressure of the first pump chamber is applied to the inlet port of the first valve.
請求項1または2に記載の基板処理方法において、
前記目標値は、大気圧よりも高い
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 1 or 2,
The target value is a substrate processing method higher than atmospheric pressure.
請求項1から3のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記第1ポンプ室と前記第1弁との間の高低差、および、前記第1ポンプ室と前記ノズルとの間の高低差の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって前記目標値が高くなるように、前記目標値は設定される
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 3,
The target value increases as at least one of the height difference between the first pump chamber and the first valve and the height difference between the first pump chamber and the nozzle increases. , The target value is set by the substrate processing method.
請求項1から4のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記供給工程は、前記ノズルを処理位置に配置させ、
前記定圧工程は、前記ノズルを待機位置に配置させる
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 4,
In the supply step, the nozzle is placed at the processing position.
The constant pressure step is a substrate processing method in which the nozzle is arranged in a standby position.
請求項1から5のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記第1ポンプ室の容積を減少させる前記第1ピストンの位置の変化と、前記第1ポンプ室の容積を増大させる前記第1ピストンの位置の変化とを区別する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 5,
The leak determination step distinguishes between a change in the position of the first piston that reduces the volume of the first pump chamber and a change in the position of the first piston that increases the volume of the first pump chamber. Method.
請求項1から6のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第1ピストンの移動距離に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 6,
The leak determination step is a substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the processing liquid from the first valve based on the moving distance of the first piston in the determination period.
請求項1から7のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第1ピストンの平均速度に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 7,
The leak determination step is a substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the processing liquid from the first valve based on the average speed of the first piston during the determination period.
請求項1から8のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記判定期間は、第1判定期間を含み、
前記定圧工程が始まった後、前記第1ポンプ室の圧力が初めて前記目標値の許容範囲内になる第1時刻から、前記第1判定期間は始まる
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 8,
The determination period includes the first determination period.
A substrate processing method in which the first determination period starts from the first time when the pressure in the first pump chamber becomes within the allowable range of the target value for the first time after the constant pressure step starts.
請求項9に記載の基板処理方法において、
前記第1判定期間の時間長は、4秒以上、かつ、8秒以下である
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 9,
The substrate processing method in which the time length of the first determination period is 4 seconds or more and 8 seconds or less.
請求項9または10に記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記第1判定期間を、複数の分割期間に区分し、
各分割期間における前記第1ピストンの移動距離を算出し、
前記第1ピストンの移動距離が第1閾値以上である前記分割期間を、変化期間として特定し、
前記変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 9 or 10.
The leak determination step is
The first determination period is divided into a plurality of division periods.
The moving distance of the first piston in each division period is calculated.
The division period in which the movement distance of the first piston is equal to or greater than the first threshold value is specified as a change period.
A substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve based on the number of change periods.
請求項11に記載の基板処理方法において、
前記分割期間の数は、8つ以下である
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 11,
The substrate processing method in which the number of division periods is 8 or less.
請求項11または12に記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記分割期間の数に対する前記変化期間の数の比に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 11 or 12,
The leak determination step is a substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve based on the ratio of the number of change periods to the number of division periods.
請求項11から13のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記第1ピストンの移動距離が前記第1閾値よりも大きな第2閾値以上である前記変化期間を、異常期間として特定し、
前記異常期間を除く前記変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 11 to 13,
The leak determination step is
The change period in which the moving distance of the first piston is equal to or greater than the second threshold value larger than the first threshold value is specified as an abnormal period.
A substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve based on the number of change periods excluding the abnormal period.
請求項11から14のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記変化期間を、前記第1ピストンが前記第1ポンプ室の容積を減少させる正変化期間、および、前記第1ピストンが前記第1ポンプ室の容積を増大させる負変化期間のいずれかに分類し、
前記正変化期間の数、および、前記負変化期間の数に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 11 to 14,
The leak determination step is
The change period is classified into either a positive change period in which the first piston decreases the volume of the first pump chamber and a negative change period in which the first piston increases the volume of the first pump chamber. ,
A substrate processing method for determining the presence or absence of leakage of the processing liquid from the first valve based on the number of positive change periods and the number of negative change periods.
請求項1から15のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室に連通される第2弁を開き、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を増大させ、前記第2弁を介して前記第1ポンプ室に処理液を充填する第1充填工程と、
を備え、
前記供給工程は、前記第2弁を閉じ、
前記定圧工程は、前記第2弁を閉じ、
前記供給工程は、前記第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させ、
前記第1充填工程は、前記第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させ、
前記判定期間は、第2判定期間を含み、
前記第2判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、
前記リーク判定工程は、
前記定圧工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、
前記供給工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、
前記供給工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、
前記第1充填工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、および、
前記第1充填工程における前記第1ピストンの移動距離
の少なくともいずれかに基づいて、前記第2判定期間における前記第1ピストンの移動距離を推定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 15,
The volume of the first pump chamber is increased by closing the first valve, opening the second valve communicating with the first pump chamber, and moving the first piston with respect to the first pump chamber. The first filling step of filling the first pump chamber with the treatment liquid via the second valve, and
Equipped with
In the supply step, the second valve is closed.
In the constant pressure step, the second valve is closed.
In the supply step, the first piston is moved by a predetermined first distance.
In the first filling step, the first piston is moved to a predetermined first origin position.
The determination period includes the second determination period.
The second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed.
The leak determination step is
The position of the first piston at the end of the constant pressure step,
The position of the first piston at the start of the supply process,
The position of the first piston at the end of the supply process,
The position of the first piston at the start of the first filling step, and
A substrate processing method for estimating the moving distance of the first piston in the second determination period based on at least one of the moving distances of the first piston in the first filling step.
請求項1から15のいずれかに記載の基板処理方法において、
第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを移動させることにより前記第2ポンプ室の容積を増大させ、前記第1ポンプ室および前記第2ポンプ室に連通される第2弁を閉じ、前記第1ポンプ室に連通されずに前記第2ポンプ室に連通される第3弁を開き、前記第3弁を介して前記第2ポンプ室に処理液を充填する第2充填工程と、
を備え、
前記第1充填工程は、前記第1弁を閉じ、前記第2弁を開き、前記第3弁を閉じ、前記第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを移動させることにより前記第2ポンプ室の容積を減少させ、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を増大させ、前記第2ポンプ室から前記第2弁を介して前記第1ポンプ室に処理液を送り、
前記供給工程は、第2弁を閉じ、
前記定圧工程は、第2弁を閉じる
基板処理方法。
In the substrate processing method according to any one of claims 1 to 15,
By moving the second piston with respect to the second pump chamber, the volume of the second pump chamber is increased, the second valve communicating with the first pump chamber and the second pump chamber is closed, and the second pump chamber is closed. A second filling step of opening a third valve that communicates with the second pump chamber without communicating with the pump chamber and filling the second pump chamber with the processing liquid via the third valve.
Equipped with
In the first filling step, the second pump chamber is closed by closing the first valve, opening the second valve, closing the third valve, and moving the second piston with respect to the second pump chamber. The volume of the first pump chamber is increased by reducing the volume of the first pump chamber and moving the first piston with respect to the first pump chamber, and the first pump chamber is connected to the first pump chamber via the second valve. Send the processing liquid to the pump room and
In the supply step, the second valve is closed.
The constant pressure step is a substrate processing method for closing the second valve.
請求項17に記載の基板処理方法において、
前記供給工程は、前記第1ピストンを、所定の第1距離だけ移動させ、
前記第1充填工程は、前記第1ピストンを、所定の第1原点位置まで移動させ、
前記第1充填工程は、前記第1ピストンが前記第1原点位置に到達するまで、前記第2ピストンを移動させ、
前記第2充填工程は、前記第2ピストンを、所定の第2原点位置まで移動させ、
前記検出工程は、前記第2ピストンの位置を検出し、
前記判定期間は、第2判定期間を含み、
前記第2判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、
前記リーク判定工程は、
前記定圧工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、
前記供給工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、
前記供給工程が終了する時の前記第1ピストンの位置、
前記第1充填工程が始まる時の前記第1ピストンの位置、
前記第1充填工程における前記第1ピストンの移動距離、
前記第1充填工程における前記第2ピストンの移動距離、
前記第1充填工程が終了する時の前記第2ピストンの位置、
前記第2充填工程が始まる時の前記第2ピストンの位置、および、
前記第2充填工程における前記第2ピストンの移動距離、
の少なくともいずれかに基づいて、前記第2判定期間における前記第1ピストンの移動距離を推定する
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 17,
In the supply step, the first piston is moved by a predetermined first distance.
In the first filling step, the first piston is moved to a predetermined first origin position.
In the first filling step, the second piston is moved until the first piston reaches the first origin position.
In the second filling step, the second piston is moved to a predetermined second origin position.
The detection step detects the position of the second piston and
The determination period includes the second determination period.
The second determination period is the entire period during which the constant pressure step is executed.
The leak determination step is
The position of the first piston at the end of the constant pressure step,
The position of the first piston at the start of the supply process,
The position of the first piston at the end of the supply process,
The position of the first piston at the start of the first filling step,
The moving distance of the first piston in the first filling step,
The moving distance of the second piston in the first filling step,
The position of the second piston at the end of the first filling step,
The position of the second piston at the start of the second filling step, and
The moving distance of the second piston in the second filling step,
A substrate processing method for estimating the moving distance of the first piston in the second determination period based on at least one of the above.
請求項18に記載の基板処理方法において、
前記第1弁を閉じ、前記第2弁を閉じ、前記第3弁を開き、前記第1ポンプ室と前記第2ポンプ室とに連通される第4弁を開き、前記第1ポンプ室に対して前記第1ピストンを移動させることにより前記第1ポンプ室の容積を減少させ、前記第2ポンプ室に対して前記第2ピストンを静止させ、前記第1ポンプ室から前記第2ポンプ室に処理液を戻す戻し工程と、
を備え、
前記供給工程は、前記第4弁を閉じ、
前記定圧工程は、前記第4弁を閉じ、
前記第1充填工程は、前記第4弁を閉じ、
前記第2充填工程は、前記第4弁を閉じ、
前記戻し工程は、前記第1ピストンを、所定の第2距離だけ移動させる
基板処理方法。
In the substrate processing method according to claim 18,
The first valve is closed, the second valve is closed, the third valve is opened, the fourth valve communicating with the first pump chamber and the second pump chamber is opened, and the first pump chamber is opened. By moving the first piston, the volume of the first pump chamber is reduced, the second piston is made stationary with respect to the second pump chamber, and the first pump chamber is processed into the second pump chamber. The return process to return the liquid and
Equipped with
In the supply step, the fourth valve is closed.
In the constant pressure step, the fourth valve is closed.
In the first filling step, the fourth valve is closed.
In the second filling step, the fourth valve is closed.
The return step is a substrate processing method for moving the first piston by a predetermined second distance.
基板処理装置であって、
第1ポンプ室と、
前記第1ポンプ室に対して移動し、前記第1ポンプ室の容積を変える第1ピストンと、
前記第1ピストンの位置を検出する第1位置センサと、
前記第1ポンプ室の圧力を検出する第1圧力センサと、
前記第1ポンプ室に連通される第1弁と、
前記第1弁に連通されるノズルと、
前記第1位置センサの検出結果および前記第1圧力センサの検出結果を取得し、前記第1ピストンを移動させ、前記第1弁を開閉させる制御部と、
を備え、
制御部は、
リーク判定処理と、
定圧制御と
を行い、
前記リーク判定処理では、前記制御部は、前記第1位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における前記第1ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第1ピストンの位置の変化に基づいて、前記第1弁からの処理液のリークの有無を判定し、
前記定圧制御では、前記制御部は、前記第1弁を閉じ、前記第1ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第1圧力センサの検出結果に基づいて前記第1ピストンの位置を調整し、
前記判定期間の全部は、前記定圧制御が実行される期間に含まれる
基板処理装置。
It is a board processing device
The first pump room and
A first piston that moves relative to the first pump chamber and changes the volume of the first pump chamber,
The first position sensor that detects the position of the first piston and
A first pressure sensor that detects the pressure in the first pump chamber,
The first valve communicating with the first pump chamber and
A nozzle communicating with the first valve and
A control unit that acquires the detection result of the first position sensor and the detection result of the first pressure sensor, moves the first piston, and opens and closes the first valve.
Equipped with
The control unit
Leak judgment processing and
Perform constant pressure control and
In the leak determination process, the control unit acquires a change in the position of the first piston during the determination period based on the detection result of the first position sensor, and changes in the position of the first piston during the determination period. Based on the above, the presence or absence of leakage of the treatment liquid from the first valve is determined.
In the constant pressure control, the control unit closes the first valve and adjusts the position of the first piston based on the detection result of the first pressure sensor so as to keep the pressure in the first pump chamber at the target value. death,
The entire determination period is included in the period during which the constant pressure control is executed.
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