JP2022062802A - 半導体部品 - Google Patents

半導体部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2022062802A
JP2022062802A JP2020170934A JP2020170934A JP2022062802A JP 2022062802 A JP2022062802 A JP 2022062802A JP 2020170934 A JP2020170934 A JP 2020170934A JP 2020170934 A JP2020170934 A JP 2020170934A JP 2022062802 A JP2022062802 A JP 2022062802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
resin
semiconductor
insulating substrate
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020170934A
Other languages
English (en)
Inventor
昂太郎 前田
Kotaro Maeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sansha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2020170934A priority Critical patent/JP2022062802A/ja
Priority to US17/487,674 priority patent/US11923261B2/en
Priority to CN202111174536.1A priority patent/CN114334894A/zh
Publication of JP2022062802A publication Critical patent/JP2022062802A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】 半導体部品の絶縁を維持する。【解決手段】 絶縁基板４の一面に形成された半導体用回路板８上に半導体チップ１０が設けられている。絶縁基板４の一面に、半導体用回路板８と間隔をあけて回路板２６が形成されている。絶縁基板４と、半導体用回路板８と、半導体チップ１０と、回路板２６とが樹脂モールド製の封止体２内部に封止されている。封止体２には、樹脂非付着部３４が形成されている。【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体部品に関し、特に樹脂モールド製の封止体を有するものに関する。
従来の半導体部品の一例が、特許文献１に開示されている。特許文献１の技術では、リードフレームの一部であるダイパッド部に半導体素子を搭載し、リード端子を接続し、リードフレームを概略直方体状の樹脂体が樹脂封止している。樹脂封止は、リード端子を金型から突出させ、樹脂成形用の金型内にリードフレームを配置し、金型内に樹脂を注入することによって行われ、封止後の外観は、特許文献１の図９に示すように、リードフレームのダイパッド部の一部は外部に露出している。
特開２０１７－９２３８９号公報
ダイパットの一部が露出する要因として、このように金型内に樹脂を注入する際に、リードフレームを金型内に形成した突起等で押さえることにある。この場合、突起が存在していた部分には樹脂が付着せず、樹脂体からリードフレームの一部であるダイパッドが押さえられていた箇所が露出することになる。このような半導体部品を導通させると、ダイパッドの露出した箇所にも電流が流れ、手で触れると感電する場合がある。絶縁を維持するため、金型から取り出した後、樹脂が付着していない部分に、樹脂を注入して露出部を覆う場合には、樹脂注入を複数回にわたって行う必要がある。
本発明は、樹脂の注入が一度であっても絶縁を維持することができる半導体部品を提供することを目的とする。
本発明の一態様の半導体部品では、絶縁基板の一面に半導体用回路板が形成されている。前記半導体用回路板上に半導体チップが設けられている。半導体用回路板には、半導体チップから電流が流れるものを使用することができる。前記絶縁基板の前記一面に、前記半導体用回路板と間隔をあけて回路板が形成されている。回路板は、例えば半導体部品をヒートシンクに固定する際に使用するボルト等を通過させるために使用することができる。絶縁基板と、半導体用回路板と、回路板とで基材を構成している。例えば絶縁基板の一面に金属膜が形成された基材を用い、金属膜をエッチングすることによって、絶縁基板の一面に半導体用回路板及び回路板を形成することができる。基材とはして、ＤＣＢ基板を使用することもできる。前記絶縁基板と、前記半導体用回路板と、前記半導体チップと、前記回路板とを、樹脂モールド製の封止体がその内部に封止している。前記封止体には、樹脂非付着部が形成されている。樹脂モールドとしては、例えばトランスファモールドを使用することができる。樹脂非付着部は、例えばトランスファモールド用の金型内に、半導体チップが半導体用基板に取り付けられた絶縁基板を配置した際に、絶縁基板を押さえるために金型内に絶縁基板に接触するように押さえ具を配置したことによって形成することができる。
このような半導体部品では、通常には、一体に形成される半導体用回路板と回路板とは、封止体内において距離をおいて配置されているので、互いに絶縁されており、封止体に樹脂非付着部が存在していても、絶縁を保つことができ、樹脂非付着部を樹脂で埋める必要が無い。
上記の態様の半導体部品において、前記樹脂非付着部を、前記回路板に対応する位置に形成することができる。このように構成すると、もし半導体用回路板と回路板とが絶縁されずに形成されていたなら、回路板に対応する位置に樹脂非付着部が形成されていると、絶縁を維持するために樹脂非付着部を樹脂によって新たに埋める必要があるが、回路板と半導体回路基板とが絶縁されているので、回路板側の樹脂封止体に樹脂非付着部が存在していても、感電の恐れがなく、その樹脂非付着部を樹脂で埋める必要も無い。
また、前記回路板は、前記半導体チップに接続されるリードの突出方向と反対側の前記絶縁基板上に形成され、前記封止体が樹脂モールドによって形成される際に前記基板の押さえ具が接触する位置に、前記樹脂非接触部が形成されている。リードは半導体用回路板上に設けられるので、樹脂封止体の一方の面から突出する。その場合、リードの反対側にある回路板上に押さえ具を接触させることが、樹脂注入中に絶縁基板の移動やそりを防ぐ観点から望ましい。従って、樹脂非付着部が回路板に相当する位置に形成されるが、回路板と半導体基板とが一体に形成されていると、回路板の絶縁を維持するために、樹脂非付着部に樹脂を注入する必要があるが、半導体用回路板と回路板とを絶縁しているので、樹脂非付着部が形成されても、樹脂を注入する必要は無い。
以上のように、本発明による半導体部品では、樹脂非付着部が樹脂封止体に形成されても、その樹脂非付着部に樹脂を注入する必要が無く、樹脂の注入が一度であっても絶縁を維持することができる。
本発明の１実施形態の半導体部品の中央縦断側面図である。 図１の半導体部品の側面図である。 図１の半導体部品の正面図である。 図１の半導体部品の内部構造の正面図である。
本発明の１実施形態の半導体部品は、ディスクリート半導体、例えばＭＯＳＦＥＴで、図１乃至図３に示すように樹脂製の封止体２を有している。封止体２は、概略、扁平な直方体状に形成されている。
封止体２の内部に、図１に示すように長方形状の絶縁基板４が封止されている。絶縁基板４の一方の面全域に金属、例えば銅製の放熱板６が形成され、放熱板６は、封止体２の一方の面に露出している。この放熱板６が、ヒートシンクに接触した状態で取り付けられる。
絶縁基板４における放熱板６と反対側の面には、図１及び図４に示すように、半導体用回路板８が形成されている。半導体用回路板８も例えば銅からなる金属製で、絶縁基板４の一方の端側から絶縁基板４の中央を幾分超えた付近までの位置に位置し、概略長方形状に形成されている。この半導体用回路板８上には、ＭＯＳＦＥＴの半導体チップ１０が取り付けられている。半導体チップ１０の一方の面にドレイン領域が形成され、このドレイン領域が半導体用回路板８に電気的に接続されている。半導体チップ１０の他方の面にはゲートパッド１２、ソースパッド１４、１４、ソースセンスパッド１６が形成され、パッド１２にはゲートリード１８が接続され、ソースパッド１４、１４には、先端が２又部であるソースリード２０が接続され、ソースセンスパッド１６には、ソースセンスリード２２が接続されている。また、ソース領域が接続されている半導体用回路板８には、ドレインリード２４が接続されている。
絶縁基板４の他方の橋側からその中央付近までの位置に、回路板２６が形成されている。回路板２６と半導体用回路板８とは離れて位置しており、互いに絶縁されている。回路板２６は、一部が欠除された長方形状に形成されている。この欠除部分の絶縁基板４には、挿通孔２８が形成されている。この挿通孔２８には、この半導体部品をヒートシンク等に取り付けるためのボルトが挿通される。なお、図１に示すように、挿通孔２８に対応して樹脂封止体２にも挿通孔３０が形成され、また、放熱板６にも挿通孔２８に対応して挿通孔３２が形成されている。
なお、放熱用回路板６、半導体用回路板８及び回路板２６は、絶縁基板４の両面に銅を直接に焼結もしくはロウ付けしたＤＣＢ基板を、例えばエッチングすることによって形成されている。
樹脂封止体２の形成は、例えば次のようにして行われる。図４に示すように絶縁基板４上の半導体用回路板８に半導体チップ１０が接続され、半導体チップ１０のパッド１２、１４、１４、１６及び半導体用回路板８にリード１８、２０、２２、２４が接続される。これらをトランスファーモールド用の上下２つの金型によって形成される空洞内に配置する。この金型の空洞は、樹脂製封止体２の外形と相補の内部形状を持っている。挿入孔２８、３０、３２に対応する部分に樹脂が侵入するのを防止するための突部（図示せず）が空洞内に形成されている。また、この突部の両側には、それぞれ押さえ具となる突部が空洞内に形成されている（図４に破線で示す）。少なくとも絶縁基板４に接触するように、押さえ具となる突部が、空洞の壁に配置されている。これら突部は、各リード１８、２０、２２、２４が上下２つの金型の合わせ面によって押さえられているので、絶縁基板４が樹脂の注入時に移動したり、反ったりすることを防止するために、これらリード１８、２０、２２、２４と反対側の位置に形成されている。これら突部は充分な接触面積を確保するために、図４に示すように、一部が絶縁基板４の回路板２６にも接触している。樹脂を金型に注入したとき、押さえ具としての突部に対応する部分にも樹脂が侵入しない。そのため、空洞への樹脂の注入終了後に型から取りだしたとき、図２及び図３に示すように、挿入孔３０の両側には樹脂非付着部３４が形成されている。
この樹脂非付着部３４では、図３に示すように回路板２６の一部が露出している。もし半導体用回路板８と回路板２６とが一体に形成されていると、樹脂非付着部３４に露出している回路板２６にもドレイン電流が流れる。この状態で絶縁を保つためには、この樹脂非付着部３４に再度樹脂を注入して、樹脂非付着部３４を樹脂によって埋める必要がある。しかし、この実施形態では、回路板２６と半導体基板８とが絶縁されているので、回路板２６には電流が流れない。従って、感電する恐れがないことから樹脂非付着部３４を樹脂で埋める必要が無く、製造工程を簡略化することができる。
回路板２６を形成しないことも考えられるが、回路板２６がない場合には樹脂封止する際に突部で押さえられる強度が不足し、完成後の半導体部品の強度も低下してしまう。また、絶縁基板４の一面の銅箔を、回路板２６に相当する面積だけエッチング等によって除去すると、金属部分の面積が一部分だけ除去されることとなり、重量や放熱量及び反り量などの観点から、絶縁基板を挟んだ両面のバランス、及び絶縁基板の一面の半導体用回路が形成された下側（リード端子側）と上側とのバランスが崩れてしまい、半導体部品全体とし、反りが大きくなる恐れがある。これに対し、回路板２６を残した場合、回路板２６と半導体用回路板８とを分離できるようにエッチングすればよいので、絶縁基板を挟んだ両面及び上下左右のいずれにおいても、金属部分の面積のバランスが取れるため、反りが大きくなることが防止できる。
上記の実施形態では、本発明をＭＯＳＦＥＴに実施したが、これに限ったものではなく、半導体用回路板に電流が流れる半導体素子であれば、どのようなものにも使用することができる。上記の実施形態では、ＤＣＢ基板から絶縁基板４、放熱用回路板６、半導体用回路板８、回路板２６を形成したが、ＤＣＢ基板ではなく、通常の印刷回路基板から絶縁基板４、放熱用回路板６、半導体用回路板８、回路板２６を形成することもできる。
２ 樹脂封止体
４ 絶縁基板
８ 半導体用回路板
１０ 半導体チップ
１８ ２０、２２ ２４ リード
３４ 樹脂非付着部

Claims (3)

  1. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一面に形成された半導体用回路板と、
    前記半導体用回路板上に設けられた半導体チップと、
    前記絶縁基板の前記一面に、前記半導体用回路板と間隔をあけて形成された回路板と、
    前記絶縁基板と、前記半導体用回路板と、前記半導体チップと、前記回路板とを内部に封止した樹脂モールド製の封止体とを、
    有し、前記封止体に、樹脂非付着部が形成されている半導体部品。
  2. 請求項１記載の半導体部品において、前記樹脂非付着部は、前記回路板に対応する位置に形成されている半導体部品。
  3. 請求項１記載の半導体部品において、前記回路板は、前記半導体チップに接続されるリードの突出方向と反対側の前記絶縁基板上に形成され、前記封止体が樹脂モールドによって形成される際に前記基板の押さえ具が接触する位置に、前記樹脂非接触部が形成されている半導体部品。
JP2020170934A 2020-10-09 2020-10-09 半導体部品 Pending JP2022062802A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020170934A JP2022062802A (ja) 2020-10-09 2020-10-09 半導体部品
US17/487,674 US11923261B2 (en) 2020-10-09 2021-09-28 Semiconductor device
CN202111174536.1A CN114334894A (zh) 2020-10-09 2021-10-09 半导体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020170934A JP2022062802A (ja) 2020-10-09 2020-10-09 半導体部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022062802A true JP2022062802A (ja) 2022-04-21

Family

ID=81044936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020170934A Pending JP2022062802A (ja) 2020-10-09 2020-10-09 半導体部品

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11923261B2 (ja)
JP (1) JP2022062802A (ja)
CN (1) CN114334894A (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013258321A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2015065339A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2017092389A (ja) 2015-11-16 2017-05-25 シャープ株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114334894A (zh) 2022-04-12
US20220115286A1 (en) 2022-04-14
US11923261B2 (en) 2024-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5252819B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US8952520B2 (en) Power semiconductor device
US10903130B2 (en) Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus
CN105612613B (zh) 半导体装置
JP4254527B2 (ja) 半導体装置
US10854524B2 (en) Power semiconductor module
KR100283299B1 (ko) 플라스틱캡슐화반도체장치및그의제조방법
US9620438B2 (en) Electronic device with heat dissipater
CN111341731A (zh) 半导体装置
EP3649671B1 (en) Power semiconductor module with a housing connected onto a mould compound and corresponding manufacturing method
JP4967701B2 (ja) 電力半導体装置
US9911628B2 (en) Semiconductor device leadframe
US11430707B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN104600038A (zh) 半导体装置
JP2022062802A (ja) 半導体部品
CN115516622A (zh) 电子封装件和包括电子封装件的电子设备
CN110998832B (zh) 半导体装置以及半导体模块
US9190350B2 (en) Semiconductor device leadframe
JP7494521B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010010568A (ja) 回路装置
CN109104878B (zh) 半导体装置
CN112805814A (zh) 电力用半导体装置及其制造方法
JP5408039B2 (ja) 電子装置
JPS61125138A (ja) 封止電子部品の製法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230928