JP2022039603A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配光を容易に制御でき、且つ光取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光装置１００は、上面及び下面を有する半導体層１と、半導体層の上面に接して設けられた複数の光制御部材２と、光制御部材の周囲に設けられた透光部材３と、を備え、複数の光制御部材のそれぞれは、半導体層に接する第１面２１と、第１面の反対側の第２面２２と、第１面と第２面とを繋ぐ第３面２３と、を有し、複数の光制御部材の第３面のそれぞれは、断面視において、半導体層の上面に対して異なる角度で傾斜する第１部分２０１と第２部分２０２とを、半導体層の上面側から順に有し、複数の光制御部材のうち隣り合う２つの光制御部材において、第１部分間の距離は、第１面から第２面に向かって小さくなり、第２部分間の距離は、第１面から第２面に向かって大きくなっている。【選択図】図２
Description
本発明の実施形態は、発光装置及びその製造方法に関する。
近年、白色ＬＥＤ等の発光ダイオードを用いた発光装置は、高輝度化が進み、液晶バックライト、車載用途や照明等の光源として広く用いられている。用途が拡大されるにつれ、用途に応じた配光特性の制御やさらなる高輝度化が求められている。高輝度化させるために、例えば特許文献１には、半導体層成長基板の上下面を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔の側面に反射膜を備えた発光装置が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示された発光装置は、半導体層成長基板に形成した貫通孔を介して光を取り出すので、配光制御や光取り出し効率の観点で改善の余地がある。
本発明の実施形態は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、配光を容易に制御でき、且つ光取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る発光装置は、上面及び下面を有する半導体層と、前記半導体層の前記上面に接して設けられた複数の光制御部材と、前記光制御部材の周囲に設けられた透光部材と、を備え、複数の前記光制御部材のそれぞれは、前記半導体層に接する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、前記第１面と前記第２面とを繋ぐ第３面と、を有し、複数の前記光制御部材の前記第３面のそれぞれは、断面視において、前記半導体層の上面に対して異なる角度で傾斜する第１部分と第２部分とを、前記半導体層の上面側から順に有し、複数の前記光制御部材のうち隣り合う２つの前記光制御部材において、前記第１部分間の距離は、前記第１面から前記第２面に向かって小さくなり、前記第２部分間の距離は、前記第１面から前記第２面に向かって大きくなっている。
また、本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板の前記第１面に半導体層を形成する工程と、前記基板の一部を除去し前記半導体層の一部を露出させ、前記半導体層上に複数の光制御部材を形成する工程であって、複数の前記光制御部材の側面は、前記基板の前記第１面に対して異なる角度で傾斜する第１部分及び第２部分を有する、前記光制御部材を形成する工程と、前記光制御部材の周囲に透光部材を配置する工程と、を備え、前記光制御部材を形成する工程は、第１圧力で前記基板をエッチングし前記第２部分を形成する工程と、前記第１圧力よりも高い第２圧力で前記基板をエッチングし前記第１部分を形成する工程と、を有する。
本発明の一実施形態によれば、配光を容易に制御でき、且つ光取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照しながら実施形態の発光装置とその製造方法について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態の発光装置１００の模式的斜視図であり、図２は発光装置１００の模式的断面図である。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態の発光装置１００の模式的斜視図であり、図２は発光装置１００の模式的断面図である。
図１及び図２に示すように、本実施形態の発光装置１００は、配線基板４と、半導体層１と、光制御部材２と、透光部材３と、を備えている。半導体層１は、配線基板４の上に設けられている。光制御部材２は、半導体層１の上に設けられている。透光部材３は、光制御部材２を埋め込むように半導体層１の上に設けられている。透光部材３は、光制御部材２の周囲に設けられている。
半導体層１は、例えば、第１導電型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に積層された活性層１２と、活性層１２上に積層された第２導電型の第２半導体層１３と、を有する。ここで、第１導電型とは、ｎ型及びｐ型の一方の導電型のことをいい、第２導電型とは、他方の導電型のことをいう。本実施形態においては、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としている。
光制御部材２は、第２半導体層１３の上面に接して設けられている。光制御部材２は、１つのみでもよく、複数でもよい。例えば、光制御部材２は、後述するように、半導体層１を成長させるために用いた基板が加工されることで形成されていでもよい。光制御部材２は、第２半導体層１３の上面１５に接する第１面２１と、第１面２１と対向する第２面２２と、第１面２１と第２面２２とを繋ぐ第３面２３と、を有する。例えば、光制御部材２の第１面２１は上面であり、第２面は下面であり、第３面２３は側面である。
光制御部材２が１つのみ設けられる場合は、そのサイズ、形状、配置などを適宜制御することにより、発光装置１００から光を取り出す際に、所望の光学特性、例えば配光特性を得ることができる。複数の光制御部材２が設けられる場合は、個数や、それぞれの光制御部材２のサイズ、形状、配置などを適宜制御することにより、発光装置１００から光を取り出す際に、所望の光学特性、例えば配光特性を得ることができる。
図２に示すように、光制御部材２の第２面２２と、第３面２３と、第２半導体層１３の上面１５のうち光制御部材２が接触していない上面１６と、が透光部材３で覆われている。透光部材３は、光制御部材２の表面を覆い平坦な上面を有している。
光制御部材２の第３面２３は、第２半導体層１３の上面１５に対して傾斜している。本実施形態の光制御部材２の第３面２３は、断面視において、第２半導体層１３の上面１５に対して傾斜する第１部分２０１と第２部分２０２とを、第２半導体層１３の上面１５側から順に有する。第１部分２０１と第２部分２０２は、第２半導体層１３の上面１５に対して異なる角度で傾斜している。断面視において、隣り合う２つの光制御部材２の第１部分２０１間の距離は、光制御部材２の第１面２１から第２面２２に向かって小さくなる。断面視において、隣り合う２つの光制御部材２の第２部分２０２間の距離は、光制御部材２の第１面２１から第２面２２に向かって大きくなる。このような光制御部材２を半導体層１上に複数形成することで、半導体層１からの光を第１部分２０１により反射させ配光を制御することができる。また光制御部材２が第２部分２０２を有することで、光制御部材２の第２面２２側から半導体層１に向かう光を反射させ光取り出し効率を向上させることができる。なお、光制御部材２の第３面２３は、第２半導体層１３の上面１５に対して異なる角度で傾斜する３つ以上の面を有していてもよい。
第３面２３の第１部分２０１と第２部分２０２の表面積の比率は、任意に定めることができる。配光制御の観点から、第１部分２０１の表面積は、第２部分２０２の表面積より大きくすることが好ましい。例えば、第１部分２０１の表面積を第２部分２０２の表面積の１．５倍以上５倍以下とすることが好ましい。第１部分２０１の表面積を第２部分２０２の表面積より大きくすることで、第１部分２０１の表面積と第２部分２０２の表面積が同じである場合に比べて、第１部分２０１での反射面積を増加させ配光を制御しやすくすることができる。また、光制御部材２の第１面２１の面積は、光制御部材２の第２面２２の面積よりも小さいことが好ましい。これにより、半導体層１からの光が光制御部材２の第１面２１により遮光されることが抑制できる。
図３は、光制御部材２の模式的断面図である。
図３に示すように、光制御部材２の第２面２２及び第３面２３に反射膜２９が設けられている。反射膜２９は、光制御部材２に向かう光を反射させ、光取り出し効率をより向上させるために設けられる。反射膜２９には、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金を用いることができる。また、反射膜２９には、例えば、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３などの誘電体層の単層膜、又は複数の層が積層された積層膜を用いることができる。
図３に示すように、光制御部材２の第２面２２及び第３面２３に反射膜２９が設けられている。反射膜２９は、光制御部材２に向かう光を反射させ、光取り出し効率をより向上させるために設けられる。反射膜２９には、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金を用いることができる。また、反射膜２９には、例えば、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３などの誘電体層の単層膜、又は複数の層が積層された積層膜を用いることができる。
光制御部材２の高さは、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下とすることが好ましい。光制御部材２の高さとは、図３に高さ１７として示す、断面視における第１面２１と第２面２２との間の最短距離である。また、隣り合う２つの光制御部材２の間隔は、５μｍ以上１００μｍ以下程度とすることが好ましい。隣り合う２つの光制御部材２の間隔とは、図３に間隔１８として示す、断面視において隣り合う２つの光制御部材２の表面の間の最短距離である。
図４は、光制御部材２の第１面２１と第２面２２の平面視における形状を例示する模式図である。第１面２１や第２面２２は、例えば、図４Ａに示すように楕円形状でもよく、図４Ｂに示すように長方形状でもよく、図４Ｃに示すように円形状でもよく、図４Ｄに示すように六角形状でもよい。第１面２１や第２面２２の平面視における形状は、これらの他にも、多角形や、直線及び曲線を適宜組み合わせた任意の形状とすることができる。
光制御部材２の大きさは、図４に示す距離１９が５μｍ以上１００μｍ以下程度とすることが好ましい。距離１９とは、光制御部材２の第１面２１または第２面２２において、その面の端縁間を結ぶ線分のうち最も長い線分の長さである。
図５は、光制御部材２の配置を例示する模式平面図である。
本実施形態においては、第２半導体層１３の上面１５に設けられた複数の光制御部材２は、それぞれ同一形状である。これらの光制御部材２は、平面視において、隣り合う光制御部材２の中心間距離が同じとなるように規則的に配置される。例えば、図６に示すように、平面視において、複数の光制御部材２の中心が三角形格子の頂点に位置するように配置することができる。光制御部材２の配置は、例えば、四角形格子、六角形格子等のその他多角形格子状の頂点に位置するようにしてもよい。
本実施形態においては、第２半導体層１３の上面１５に設けられた複数の光制御部材２は、それぞれ同一形状である。これらの光制御部材２は、平面視において、隣り合う光制御部材２の中心間距離が同じとなるように規則的に配置される。例えば、図６に示すように、平面視において、複数の光制御部材２の中心が三角形格子の頂点に位置するように配置することができる。光制御部材２の配置は、例えば、四角形格子、六角形格子等のその他多角形格子状の頂点に位置するようにしてもよい。
図５に示すように、第２半導体層１３の上面１５の上面視形状が４つの辺２５で構成される四角形である場合、四角形の対角線３０の交点となる点を、中心２４とする。この中心２４を基準として光制御部材２を配置することができる。
第２半導体層１３の上面１５には、中心２４を含む第１領域２６と、第１領域２６の周囲に設けられた第２領域２７と、を有する。例えば、第１領域２６は、第２半導体層１３の上面１５の中心２４と第２半導体層１３の上面１５の各頂点とを結ぶ複数の線分の中点を結んだ仮想線２８によって囲まれる領域である。例えば、第２領域２７は、仮想線２８と辺２５によって囲まれる領域である。
第１領域２６に配置される光制御部材２の密度が、第２領域２７に配置される光制御部材２の密度よりも高くなるように配置することができる。このような光制御部材２の配置により、第１領域２６から取り出される光の量が第２領域２７よりも少なくなる。そして、半導体層１から第１領域２６に向かう光の一部は、第１領域２６に設けられた光制御部材２の第３面２３により第２領域２７に向かって反射される。例えば、半導体層１から光を取り出す際、第１領域２６から第２領域２７に拡がる方向への発光強度を高くしたい時に、このような配置を用いることができる。
なお、図５には、第２半導体層１３の上面１５が矩形（四角形）の場合を例示したが、本実施形態はこの具体例には限定されない。第２半導体層１３の上面１５の平面形状は、円形、楕円形、多角形、その他、直線と曲線を適宜組み合わせた任意の形状とすることができる。これらの形状においても、その中心と辺とに基づいて、仮想線２８を決定できる。中心は、幾何学的な重心と定義してもよい。そして、その中心（または重心）と辺とに基づいて、仮想線２８を決定し、その外側の第１領域２６及び内側の第２領域２７を決定することができる。このようにして決定された第１領域２６及び第２領域２７に基づいて、複数の光制御部材２の配置を決定することができる。
図７に示す例においては、第１領域２６における光制御部材２の間隔１８が、図５に示す例よりも狭くなるように配置している。このような光制御部材２の配置により、図５に示す例よりさらに、第１領域２６から取り出される光の量が第２領域２７よりも少なくなる。そして、半導体層１から第１領域２６に向かう光の一部は、第１領域２６に設けられた光制御部材２の第３面２３により第２領域２７に向かって反射される。例えば、半導体層１から光を取り出す際、第１領域２６から第２領域２７に拡がる方向への発光強度を高くしたい場合に、このような配置を用いることができる。
図８に示す例においては、第１領域２６の光制御部材２の密度が、第２領域２７の光制御部材２の密度よりも低くなるように配置されている。具体的には、第１領域２６には光制御部材２を配置せず、第２領域２７の周縁に沿って複数の光制御部材２を配置している。このような光制御部材２の配置により、第１領域２６から取り出される光の量が第２領域２７よりも多くなる。例えば、半導体層１から光を取り出す際、横方向となる図８の紙面に平行な方向（例えば、Ｘ方向またはＹ方向）の発光強度より、正面となる図８の紙面に垂直な方向（Ｚ方向）の発光強度を高くしたい時に、このような配置を用いることができる。
図９に示す具体例においては、第２領域２７における光制御部材２の配置密度を、図８の具体例の第２領域２７よりも高く配置している。これは、図８の具体例よりも、さらに横方向（例えば、Ｘ方向またはＹ方向）の発光強度を抑えて、正面（Ｚ方向）の発光強度を高くするためである。
以上説明した図５、図７、図８、及び図９の例における光制御部材２の配置は一例に過ぎず、所望の発光強度を得るために適宜変更することができる。例えば、光制御部材２の配置は、正面方向への発光強度と、横方向への発光強度と、のバランスを考慮して任意に変更することができる。
本願明細書において、光制御部材２の「密度」は、次のとおり定義する。例えば、平面視において、第１領域２６に配置した全ての光制御部材２の第２面２２、もしくは第１面２１のどちらか大きい方の面積を合計した総面積を、第１領域２６の総面積で割った値を第１領域２６における光制御部材２の密度とする。このように求めた値を比較して値の大きい方を密度が高いとする。第２領域２７においても同様である。なお、図５に示すように光制御部材２が第２領域２７に設けられていない場合は、第２領域２７における光制御部材２の密度が最も小さい場合の一例である。また、図８に示すように光制御部材２が第１領域２６に設けられていない場合は、第１領域２６における光制御部材２の密度が最も小さい場合の一例である。
以下、実施形態の発光装置の各構成部材について説明する。
＜半導体層＞
半導体層１は、例えば、発光ダイオードの構造を有する。半導体層１を構成する半導体材料としては、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮ、またはこれらの混晶であるＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１））等を用いることができる。半導体層は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等の公知の技術により形成することができる。
＜半導体層＞
半導体層１は、例えば、発光ダイオードの構造を有する。半導体層１を構成する半導体材料としては、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮ、またはこれらの混晶であるＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１））等を用いることができる。半導体層は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等の公知の技術により形成することができる。
第１半導体層１１、第２半導体層１３は、それぞれ単一の層で構成されていてもよいし、複数の層を含んで構成されていてもよい。例えば、第１半導体層１１は、第１導電型である。本実施形態では第１導電型はｎ型である。例えば、第２半導体層１３は、第２導電型である。本実施形態では第２導電型はｐ型である。また、第１半導体層１１は、例えば、アンドープの半導体層を含んでいてもよい。第２半導体層１３は、アンドープの半導体層を含んでいてもよい。ここで、アンドープの半導体層とは、成長させるときに第１導電型又は第２導電型の不純物を意図的に添加することなく成長させた層のことをいい、例えば、隣接する層から拡散等により混入する不可避的な不純物を含んでいてもよい。
活性層１２は、単一の層により構成されていてもよいし、複数の層により構成された単一又は多重量子井戸構造であってもよい。
＜光制御部材＞
光制御部材２は、例えば、シリコン、サファイア、窒化ガリウム等からなる。光制御部材２は、半導体層１を成長させるために用いた基板を加工して形成してもよい。基板は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。
光制御部材２は、例えば、シリコン、サファイア、窒化ガリウム等からなる。光制御部材２は、半導体層１を成長させるために用いた基板を加工して形成してもよい。基板は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。
光制御部材２の第２面２２及び第３面２３の表面には、反射膜２９が形成されている。反射膜の材料としては、活性層１２から発する光の発光ピーク波長において高い反射率を有する金属材料を用いることが好ましい。このような金属材料として、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金を用いることができる。反射膜２９の膜厚は、５０～１０００ｎｍ程度とすることができる。反射膜２９は、活性層１２から発する光の発光ピーク波長において６０％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上の反射率を有することが好ましい。
反射膜２９として、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層させたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を形成してもよい。誘電体膜の材料は、例えば、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３などを用いる。１つの誘電体膜の厚さは、例えば、１ｎｍ～５００ｎｍ程度である。
金属膜やＤＢＲ膜は、例えば、スパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などにより形成することができる。
金属膜やＤＢＲ膜は、例えば、スパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などにより形成することができる。
＜透光部材＞
本実施形態の発光装置は、光制御部材２の第２面２２及び第３面２３と、第２半導体層１３の上面１５のうち光制御部材２の第１面２１が接触していない上面１６とに、透光部材３が設けられている。
本実施形態の発光装置は、光制御部材２の第２面２２及び第３面２３と、第２半導体層１３の上面１５のうち光制御部材２の第１面２１が接触していない上面１６とに、透光部材３が設けられている。
透光部材３は、半導体層１の光取り出し面となる第２半導体層１３の上面１５を被覆し、半導体層１から出射される光を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材３は、光拡散材や、半導体層１から出射される光の一部を波長変換可能な蛍光体を含有していてもよい。上面視において、透光部材３の大きさは、半導体層１の大きさと同じとすることが好ましい。透光部材３の大きさは特に限定されず、半導体層１の大きさより大きく、あるいは小さくしてもよい。透光部材３の厚さは、例えば、５０μｍ～３００μｍとすることができる。
透光部材３は、例えば、樹脂、ガラス等により形成することができる。蛍光体を含有する透光部材３としては、蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。なお、透光部材３は、樹脂、ガラス等の成形体の表面に蛍光体が設けられた積層構造を有するものとしてもよい。透光部材３は、光制御部材２との界面において光を反射させ輝度を向上させる観点から、高い透光性を有することが好ましい。透光部材３が高い透光性を有するとは、例えば、透光部材３が半導体層１から出射される光の発光ピーク波長において、５０％以上、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上の透過率を有することを意味する。
透光部材３に含有させる蛍光体としては、例えば、発光素子として、青色発光素子又はは紫外線発光素子を用いる場合には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６-ｚＡｌｚＯｚＮ８-ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体等が挙げられる。これらの蛍光体と、発光素子と、の組み合わせにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色光を発する発光装置）を得ることができる。このような蛍光体が透光部材に含有される場合、蛍光体の濃度は、例えば５％～５０％程度とすることが好ましい。
＜配線基板＞
半導体層１の第１半導体層１１の上面１４にはｐ側電極が設けられ、第２半導体層１３にはｎ側電極が設けられている。半導体層１のｐ側電極とｎ側電極は、配線基板４上に形成されたｐ側接続部およびｎ側接続部に接合材料を介して接続される。配線基板４は、例えば、樹脂やセラミックなどの絶縁部材を基体とし、基体上にｐ側接続部およびｎ側接続部等の２以上の導電部と、外部から給電するための２以上の電極とが配置されている。
半導体層１の第１半導体層１１の上面１４にはｐ側電極が設けられ、第２半導体層１３にはｎ側電極が設けられている。半導体層１のｐ側電極とｎ側電極は、配線基板４上に形成されたｐ側接続部およびｎ側接続部に接合材料を介して接続される。配線基板４は、例えば、樹脂やセラミックなどの絶縁部材を基体とし、基体上にｐ側接続部およびｎ側接続部等の２以上の導電部と、外部から給電するための２以上の電極とが配置されている。
接合材料は、例えば、Ｓｎと、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉなどの材料を１つ、もしくはいずれか２つ以上組み合わせた、はんだ材を用いることができる。あるいは、接合材料として、導電性ペーストなどを用いてもよい。
次に、実施形態の発光装置の製造方法について図面を参照して説明する。
図１０に示すように、本実施形態における発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程（Ｓ１０）と、サポート基板貼り付け工程（Ｓ１１）と、基板研磨工程（Ｓ１２）と、第１レジスト形成工程（Ｓ１３）と、基板エッチング工程（Ｓ１４）と、第１レジスト除去工程（Ｓ１５）と、第２レジスト形成工程（Ｓ１６）と、反射膜形成工程（Ｓ１７）と、第２レジスト除去工程（Ｓ１８）と、透光部材形成工程Ａ（Ｓ１９Ａ）と、サポート基板除去工程（Ｓ２０）と、チップ化工程（Ｓ２１）と、電極面形成工程（Ｓ２２）と、配線基板実装工程（Ｓ２３）と、を備えている。
図１０に示すように、本実施形態における発光装置の製造方法は、発光素子構造形成工程（Ｓ１０）と、サポート基板貼り付け工程（Ｓ１１）と、基板研磨工程（Ｓ１２）と、第１レジスト形成工程（Ｓ１３）と、基板エッチング工程（Ｓ１４）と、第１レジスト除去工程（Ｓ１５）と、第２レジスト形成工程（Ｓ１６）と、反射膜形成工程（Ｓ１７）と、第２レジスト除去工程（Ｓ１８）と、透光部材形成工程Ａ（Ｓ１９Ａ）と、サポート基板除去工程（Ｓ２０）と、チップ化工程（Ｓ２１）と、電極面形成工程（Ｓ２２）と、配線基板実装工程（Ｓ２３）と、を備えている。
以下、図２及び図１１～図２４を参照しつつ、各工程について詳細に説明する。
（発光素子構造形成工程：Ｓ１０）
まず、図１１に示すように、基板２１０上に、発光素子構造６を形成する。基板２１０には、例えば、シリコンやサファイアからなる基板を用いる。発光素子構造６は、公知の製造方法により形成することができる。基板２１０は、第１面２１０ａと、第１面２１０ａの反対側の第２面２１０ｂと、を有する。
（発光素子構造形成工程：Ｓ１０）
まず、図１１に示すように、基板２１０上に、発光素子構造６を形成する。基板２１０には、例えば、シリコンやサファイアからなる基板を用いる。発光素子構造６は、公知の製造方法により形成することができる。基板２１０は、第１面２１０ａと、第１面２１０ａの反対側の第２面２１０ｂと、を有する。
まず、基板２１０の第１面２１０ａ上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、第２半導体層１３と、活性層１２と、第１半導体層１１と、をこの順に形成し、窒化物半導体層が積層された半導体層１を形成する。
次に、ｎ側電極を接続するためのｎ側電極接続面６５として、第２半導体層１３の一部を露出させる。例えば、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３の一部を除去して、第２半導体層１３の一部を露出させる。本実施形態では、この第２半導体層１３の露出面がｎ側電極接続面６５となる。
次に、ウェーハの全面に、全面電極６１として、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、及びＰｔを順次積層してなる積層構造を有する電極を形成する。その後、カバー電極６２として、例えば、ＡｌＣｕを形成する。本実施形態では、このカバー電極６２の上面の一部がｐ側電極接続面６６となる。その後、ウェーハの表面全体に、例えば、絶縁性のＳｉＯ２などを積層して保護膜６３を形成する。そして、保護膜６３に、パッド電極６４と接続させるための開口部を形成する。この保護膜６３の開口部から露出する第２半導体層１３の表面は、第２半導体層１３とパッド電極６４を接続するためのｎ側電極接続面６５となる。保護膜６３には、さらにカバー電極６２とパッド電極６４を接続するための開口部が形成され、その開口部から露出するカバー電極６２がｐ側電極接続面６６となる。
その後、ｎ側電極接続面６５及びｐ側電極接続面６６に接続されるパッド電極６４をそれぞれ形成する。パッド電極６４として、例えば、ＡｌＣｕＳｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが順次積層されてなる多層構造の電極を形成する。以上の工程により、半導体層１を含む発光素子構造６が形成される。
基板２１０上には、複数の発光素子構造６がマトリクス状に配列して形成される。なお、図１１に示す例では、ｎ側電極接続面６５が２つ設けられているが、１つのｎ側電極接続面６５は隣接する発光素子構造６に属するものである。
（サポート基板貼り付け工程：Ｓ１１）
サポート基板貼り付け工程では、図１２に示すように、まず発光素子構造６が形成されたウェーハ全面に樹脂を塗布する。その後、加熱することで樹脂を硬化して樹脂層４２を形成し、樹脂層４２上に接着層４３となる粘性材料を塗布する。そして、接着層４３上に基板２１０と略同じサイズのサポート基板４１を配置した後、加熱し接着層４３を硬化させることで、サポート基板４１と発光素子構造６とを貼り付ける。このような工程により、サポート基板４１と発光素子構造６とを強固に保持できる。サポート基板４１としては、例えば、シリコンやガラスやサファイアなどからなる基板を用いる。
サポート基板貼り付け工程では、図１２に示すように、まず発光素子構造６が形成されたウェーハ全面に樹脂を塗布する。その後、加熱することで樹脂を硬化して樹脂層４２を形成し、樹脂層４２上に接着層４３となる粘性材料を塗布する。そして、接着層４３上に基板２１０と略同じサイズのサポート基板４１を配置した後、加熱し接着層４３を硬化させることで、サポート基板４１と発光素子構造６とを貼り付ける。このような工程により、サポート基板４１と発光素子構造６とを強固に保持できる。サポート基板４１としては、例えば、シリコンやガラスやサファイアなどからなる基板を用いる。
（基板研磨工程：Ｓ１２）
基板研磨工程では、図１３に示すように、基板２１０を所望の厚みに研磨する。研磨する量は、研磨前の基板２１０の厚みが例えば１０００μｍの場合、基板２１０が５０ｎｍ～２０００ｎｍ程度になるように研磨する。基板２１０の発光素子構造６と反対側の面を研磨し研磨面２１１を露出させる。
基板研磨工程では、図１３に示すように、基板２１０を所望の厚みに研磨する。研磨する量は、研磨前の基板２１０の厚みが例えば１０００μｍの場合、基板２１０が５０ｎｍ～２０００ｎｍ程度になるように研磨する。基板２１０の発光素子構造６と反対側の面を研磨し研磨面２１１を露出させる。
（第１レジスト形成工程：Ｓ１３）
第１レジスト形成工程では、フォトリソグラフィ法により、図１４に示すように、研磨面２１１のうち光制御部材２を形成する領域に開口部７ａを有する第１レジスト７を形成する。
第１レジスト形成工程では、フォトリソグラフィ法により、図１４に示すように、研磨面２１１のうち光制御部材２を形成する領域に開口部７ａを有する第１レジスト７を形成する。
（基板エッチング工程：Ｓ１４）
基板エッチング工程では、図１５Ａに示すように、第１レジスト７をマスクとして、開口部７ａに位置する基板２１０を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、第２半導体層１３の上面１５を露出させる。このような工程により、第２半導体層１３の上面１５に基板２１０の一部からなる光制御部材２を形成する。光制御部材２の側面は、基板２１０の第１面に対して異なる角度で傾斜する第１部分２０１及び第２部分２０２を有する。
基板エッチング工程では、図１５Ａに示すように、第１レジスト７をマスクとして、開口部７ａに位置する基板２１０を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、第２半導体層１３の上面１５を露出させる。このような工程により、第２半導体層１３の上面１５に基板２１０の一部からなる光制御部材２を形成する。光制御部材２の側面は、基板２１０の第１面に対して異なる角度で傾斜する第１部分２０１及び第２部分２０２を有する。
図１５Ｂに示す基板２１０の形状を得るために、まず切り替えライン２０３に達するまで第１圧力を０．１Ｐａ～３．０Ｐａ程度としてエッチング処理を行うことで第２部分２０２を形成する。次に、切り替えライン２０３から、第１圧力よりも高い第２圧力を１０Ｐａ～２００Ｐａ程度として、第２半導体層１３の上面１５が露出するまでエッチング処理を行うことで第１部分２０１を形成する。その際、切り替えライン２０３は適宜位置変更可能で、０．１Ｐａ～３．０Ｐａ程度で処理する時間と、１０Ｐａ～２００Ｐａ程度で処理する時間をそれぞれ所望の時間に変更すれば良い。
図１５Ｂに例示するように、エッチング時の圧力を０．１Ｐａ～３．０Ｐａ程度とした第１圧力で処理した場合の光制御部材２の第３面２３の第２部分２０２は、第１レジスト７側を上面とした時に、順テーパ形状となる。その後、エッチング時の圧力を１０Ｐａ～２００Ｐａ程度とした第２圧力で処理した場合の光制御部材２の第３面２３の第１部分２０１は、第１レジスト７側を上面とした時に、逆テーパ形状となる。
（第１レジスト除去工程：Ｓ１５）
第１レジスト除去工程では、図１６に示すように、第１レジスト７を除去する。これらの第１レジスト形成工程、基板エッチング工程、第１レジスト除去工程を行うことにより、基板２１０からなる複数の光制御部材２が第２半導体層１３の上面１５に形成される。
第１レジスト除去工程では、図１６に示すように、第１レジスト７を除去する。これらの第１レジスト形成工程、基板エッチング工程、第１レジスト除去工程を行うことにより、基板２１０からなる複数の光制御部材２が第２半導体層１３の上面１５に形成される。
（第２レジスト形成工程：Ｓ１６）
第２レジスト形成工程では、図１７に示すように、フォトリソグラフィ法により、エッチングされた基板２１０に反射膜を形成する領域に開口部８ａを有する第２レジスト８を形成する。
第２レジスト形成工程では、図１７に示すように、フォトリソグラフィ法により、エッチングされた基板２１０に反射膜を形成する領域に開口部８ａを有する第２レジスト８を形成する。
（反射膜形成工程：Ｓ１７）
反射膜形成工程では図１８に示すように、反射膜２９を第２レジスト８の表面と基板２１０の表面とに連続して形成する。反射膜形成工程は、光制御部材２を形成する工程の後であって、後述する透光部材形成工程Ａの前に行う。反射膜２９は、例えば、スパッタリングなどにより形成する。反射膜２９としては、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金、Ａｇ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｎなどの単層膜または多層膜、または、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、などの単層膜、または、２種類以上を組み合わせた積層膜を用いることができる。
反射膜形成工程では図１８に示すように、反射膜２９を第２レジスト８の表面と基板２１０の表面とに連続して形成する。反射膜形成工程は、光制御部材２を形成する工程の後であって、後述する透光部材形成工程Ａの前に行う。反射膜２９は、例えば、スパッタリングなどにより形成する。反射膜２９としては、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金、Ａｇ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｎなどの単層膜または多層膜、または、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、などの単層膜、または、２種類以上を組み合わせた積層膜を用いることができる。
（第２レジスト除去工程：Ｓ１８）
第２レジスト除去工程では、図１９に示すように、第２レジスト８を除去することで、表面に反射膜２９が形成された光制御部材２が形成される。
第２レジスト除去工程では、図１９に示すように、第２レジスト８を除去することで、表面に反射膜２９が形成された光制御部材２が形成される。
（透光部材形成工程Ａ：Ｓ１９Ａ）
透光部材形成工程Ａでは、図２０に示すように、光制御部材２の第２面２２と、光制御部材２の第３面２３と、を覆う透光部材３を形成する。透光部材３は、光制御部材２が埋まる程度の厚みで形成する。透光部材３は、例えば、蛍光体を含有する樹脂を塗布した後、加熱し硬化することで形成する。
透光部材形成工程Ａでは、図２０に示すように、光制御部材２の第２面２２と、光制御部材２の第３面２３と、を覆う透光部材３を形成する。透光部材３は、光制御部材２が埋まる程度の厚みで形成する。透光部材３は、例えば、蛍光体を含有する樹脂を塗布した後、加熱し硬化することで形成する。
（サポート基板除去工程：Ｓ２０）
サポート基板除去工程では、図２１に示すように、サポート基板４１を樹脂層４２からせん断負荷、紫外線照射、沸騰水浸漬などで除去する。その後、樹脂層４２上に残存する接着層４３を、剥離液や有機溶剤などを用いて除去し、樹脂層４２の全面を完全に露出させることが好ましい。
サポート基板除去工程では、図２１に示すように、サポート基板４１を樹脂層４２からせん断負荷、紫外線照射、沸騰水浸漬などで除去する。その後、樹脂層４２上に残存する接着層４３を、剥離液や有機溶剤などを用いて除去し、樹脂層４２の全面を完全に露出させることが好ましい。
（電極面形成工程：Ｓ２１）
電極面形成工程では、図２２に示すように、樹脂層４２の一部を除去し、パッド電極６４を樹脂層４２から露出させる。樹脂層４２を除去する際、パッド電極６４の表面を完全に露出する必要がある為、パッド電極６４の一部を樹脂層４２と同時に除去する。樹脂層４２およびパッド電極６４の除去は、例えば、研磨や研削により行う。
電極面形成工程では、図２２に示すように、樹脂層４２の一部を除去し、パッド電極６４を樹脂層４２から露出させる。樹脂層４２を除去する際、パッド電極６４の表面を完全に露出する必要がある為、パッド電極６４の一部を樹脂層４２と同時に除去する。樹脂層４２およびパッド電極６４の除去は、例えば、研磨や研削により行う。
（チップ化工程：Ｓ２２）
チップ化工程では、図２３に示すように、図２２の工程まで形成されたウェーハを、所望の大きさを有する複数の発光装置に分割する。この分割は、例えば、図２２に示す切断線（一点鎖線）に沿って行う。
チップ化工程では、図２３に示すように、図２２の工程まで形成されたウェーハを、所望の大きさを有する複数の発光装置に分割する。この分割は、例えば、図２２に示す切断線（一点鎖線）に沿って行う。
（配線基板実装工程：Ｓ２３）
配線基板実装工程では、図２４に示すように、図２３の工程で個片化された状態のものを配線基板４に接合する。なお、チップ化工程前にウェーハと配線基板４とを接合し、その後、図２２に示す切断線（一点鎖線）に沿って配線基板４と同時に分割してもよい。
配線基板実装工程では、図２４に示すように、図２３の工程で個片化された状態のものを配線基板４に接合する。なお、チップ化工程前にウェーハと配線基板４とを接合し、その後、図２２に示す切断線（一点鎖線）に沿って配線基板４と同時に分割してもよい。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態における発光装置の構造を、図２５を参照して説明する。
図２５は、本実施形態の発光装置を例示する模式部分断面図である。
第２実施形態においては、図２５に示すように、透光部材３は、透光部３ａと波長変換部３ｂとを有する。透光部３ａは、光制御部材２の第２面２２と、第３面２３と、第２半導体層１３の上面１５のうち、光制御部材２の第１面２１が接触していない上面１６と、を覆うように設けられている。透光部３ａは、光制御部材２が埋まる程度の厚さで形成され、透光部３ａの表面は平坦な面を有している。透光部３ａの表面に、波長変換部３ｂが設けられている。
本発明の第２実施形態における発光装置の構造を、図２５を参照して説明する。
図２５は、本実施形態の発光装置を例示する模式部分断面図である。
第２実施形態においては、図２５に示すように、透光部材３は、透光部３ａと波長変換部３ｂとを有する。透光部３ａは、光制御部材２の第２面２２と、第３面２３と、第２半導体層１３の上面１５のうち、光制御部材２の第１面２１が接触していない上面１６と、を覆うように設けられている。透光部３ａは、光制御部材２が埋まる程度の厚さで形成され、透光部３ａの表面は平坦な面を有している。透光部３ａの表面に、波長変換部３ｂが設けられている。
本発明の第２実施形態における発光装置の製造方法について説明する。
図２６は、本実施形態の発光装置の製造方法のフローチャートである。
図１０に例示した第１実施形態のフローチャートにおける透光部材形成工程Ａ（Ｓ１９Ａ）を透光部材形成工程Ｂ（Ｓ１９Ｂ）とすることが、第１実施形態との主な相違点であり、それ以外の工程第１実施形態と同様とすることができる。
図２６は、本実施形態の発光装置の製造方法のフローチャートである。
図１０に例示した第１実施形態のフローチャートにおける透光部材形成工程Ａ（Ｓ１９Ａ）を透光部材形成工程Ｂ（Ｓ１９Ｂ）とすることが、第１実施形態との主な相違点であり、それ以外の工程第１実施形態と同様とすることができる。
第２実施形態における透光部材形成工程Ｂにおいては、光制御部材２の全体が埋まるように透光部３ａとなる透光性樹脂を塗布する。その後、波長変換部３ｂとなる板状の波長変換部材を透光性樹脂の表面に設け、加熱する。加熱することで、図２５に例示したように、透光性樹脂が硬化するとともに、透光部３ａの透光性樹脂と、波長変換部３ｂの波長変換部材とを、接合することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、発光装置やその製造方法が備える各要素・工程の内容、条件、形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
以上説明した本実施形態の窒化物半導体素子は、バックライト光源、ディスプレイ、照明、車両用ランプ等の各種光源を構成する半導体発光素子、さらには半導体受光素子など、その他の半導体デバイスに好適に利用することができる。
１ 半導体層
２ 光制御部材
３ 透光部材
３ａ 透光部
３ｂ 波長変換部
４ 配線基板
６ 発光素子構造
７ 第１レジスト
８ 第２レジスト
９ 発光素子
１１ 第１半導体層
１２ 活性層
１３ 第２半導体層
１４ 第１半導体層の上面
１５ 第２半導体層の上面
１６ 光制御部材が接していない第２半導体層の上面
１７ 高さ
１８ 間隔
１９ 距離
２１ 光制御部材の第１面
２２ 光制御部材の第２面
２３ 光制御部材の第３面
２４ 中心
２５ 辺
２６ 第１領域
２７ 第２領域
２８ 仮想線
２９ 反射膜
３０ 対角線
４１ サポート基板
４２ 樹脂層
４３ 接着層
６１ 全面電極
６２ カバー電極
６３ 保護膜
６４ パッド電極
６５ ｎ側電極接続面
６６ ｐ側電極接続面
１００ 発光装置
２０１ 第１部分
２０２ 第２部分
２０３ 切り替えライン
２１０ 基板
２１１ 研磨面
２ 光制御部材
３ 透光部材
３ａ 透光部
３ｂ 波長変換部
４ 配線基板
６ 発光素子構造
７ 第１レジスト
８ 第２レジスト
９ 発光素子
１１ 第１半導体層
１２ 活性層
１３ 第２半導体層
１４ 第１半導体層の上面
１５ 第２半導体層の上面
１６ 光制御部材が接していない第２半導体層の上面
１７ 高さ
１８ 間隔
１９ 距離
２１ 光制御部材の第１面
２２ 光制御部材の第２面
２３ 光制御部材の第３面
２４ 中心
２５ 辺
２６ 第１領域
２７ 第２領域
２８ 仮想線
２９ 反射膜
３０ 対角線
４１ サポート基板
４２ 樹脂層
４３ 接着層
６１ 全面電極
６２ カバー電極
６３ 保護膜
６４ パッド電極
６５ ｎ側電極接続面
６６ ｐ側電極接続面
１００ 発光装置
２０１ 第１部分
２０２ 第２部分
２０３ 切り替えライン
２１０ 基板
２１１ 研磨面
Claims (8)
- 上面及び下面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記上面に接して設けられた複数の光制御部材と、
前記光制御部材の周囲に設けられた透光部材と、
を備え、
複数の前記光制御部材のそれぞれは、前記半導体層に接する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、前記第１面と前記第２面とを繋ぐ第３面と、を有し、
複数の前記光制御部材の前記第３面のそれぞれは、断面視において、前記半導体層の上面に対して異なる角度で傾斜する第１部分と第２部分とを、前記半導体層の上面側から順に有し、
複数の前記光制御部材のうち隣り合う２つの前記光制御部材において、前記第１部分間の距離は、前記第１面から前記第２面に向かって小さくなり、前記第２部分間の距離は、前記第１面から前記第２面に向かって大きくなっている発光装置。 - 前記光制御部材の少なくとも前記第３面に、反射膜が設けられている請求項１記載の発光装置。
- 前記光制御部材の前記第２面及び前記第３面は、前記透光部材に覆われている請求項１または２に記載の発光装置。
- 前記半導体層の前記上面は、前記上面の中心を含む第１領域と、前記第１領域の周囲に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域に設けられた前記光制御部材の密度は、前記第２領域に設けられた前記光制御部材の密度よりも高い請求項１から３のいずれか１つに記載の発光装置。 - 前記半導体層の前記上面は、前記上面の中心を含む第１領域と、前記第１領域の周囲に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域に設けられた前記光制御部材の密度は、前記第２領域に設けられた前記光制御部材の密度よりも低い請求項１から３のいずれか１つに記載の発光装置。 - 第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板の前記第１面に半導体層を形成する工程と、
前記基板の一部を除去し前記半導体層の一部を露出させ、前記半導体層上に複数の光制御部材を形成する工程であって、複数の前記光制御部材の側面は、前記基板の前記第１面に対して異なる角度で傾斜する第１部分及び第２部分を有する、前記光制御部材を形成する工程と、
前記光制御部材の周囲に透光部材を配置する工程と、
を備え、
前記光制御部材を形成する工程は、第１圧力で前記基板をエッチングし前記第２部分を形成する工程と、前記第１圧力よりも高い第２圧力で前記基板をエッチングし前記第１部分を形成する工程と、を有する発光装置の製造方法。 - 前記光制御部材を形成する工程は、前記基板の前記第２面に第１レジストを形成する工程と、前記第１レジストを用いて前記基板をエッチングする工程と、を有する請求項６記載の発光装置の製造方法。
- 前記光制御部材を形成する工程の後であって、前記透光部材を配置する工程の前に、前記光制御部材の前記側面に反射膜を形成する工程をさらに備えた請求項６または７に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020144721A JP7483197B2 (ja) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020144721A JP7483197B2 (ja) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022039603A true JP2022039603A (ja) | 2022-03-10 |
| JP7483197B2 JP7483197B2 (ja) | 2024-05-15 |
Family
ID=80498550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020144721A Active JP7483197B2 (ja) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7483197B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159650A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Kyocera Corp | 発光素子 |
| KR20180015848A (ko) | 2016-08-04 | 2018-02-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-08-28 JP JP2020144721A patent/JP7483197B2/ja active Active
Also Published As
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|---|---|
| JP7483197B2 (ja) | 2024-05-15 |
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