JP2022032829A - Chip manufacturing method - Google Patents

Chip manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2022032829A
JP2022032829A JP2020137064A JP2020137064A JP2022032829A JP 2022032829 A JP2022032829 A JP 2022032829A JP 2020137064 A JP2020137064 A JP 2020137064A JP 2020137064 A JP2020137064 A JP 2020137064A JP 2022032829 A JP2022032829 A JP 2022032829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
teg
laser beam
street
adhesive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020137064A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7479243B2 (en
Inventor
ヒョンジン バン
Hyungjin Bang
ギソク バン
Kisuk Bang
ジョンミン ソ
Jeong Min Seo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2020137064A priority Critical patent/JP7479243B2/en
Priority to KR1020210096912A priority patent/KR20220021860A/en
Publication of JP2022032829A publication Critical patent/JP2022032829A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7479243B2 publication Critical patent/JP7479243B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

To provide a chip manufacturing method that can split a wafer in which a street has a TEG while maintaining quality.SOLUTION: The chip manufacturing method includes a step of forming devices in a plurality of areas divided by streets on a grid on the surface side of the semiconductor substrate, a step of forming chips by dividing along the streets a wafer with TEGs partially formed on the streets, a step 3 of irradiating a laser beam of a wavelength that is absorptive to the TEGs along the streets containing the TEGs, a step 4 of pasting an adhesive film on the surface side of the wafer after the laser beam irradiation step 3, and a step 5 of dicing the wafer and the adhesive film along the streets after the adhesive film pasting step 4.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、チップの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a chip.

近年、半導体装置の小型化、高集積化に対応するために、ハンダ等からなる接続端子（バンプ）を有する半導体チップを用いたフリップチップ実装が多用されている。フリップチップ実装においては、一般的に、基板上に半導体チップを接合した後、封止樹脂を注入する方法や、基板または半導体チップに予め貼り付けた接着フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Adhesive Film）を介して半導体チップを接合する方法等が用いられる（特許文献１、２参照）。中でも、基板に接着フィルムを貼る工程において、予めウェーハの配線面（配線、バンプ等が形成された面）に接着フィルムを貼り付けた後、接着フィルム側からダイシングすることで、簡便に接着フィルム付きの半導体チップを得る方法が注目されている。 In recent years, flip-chip mounting using a semiconductor chip having a connection terminal (bump) made of solder or the like has been widely used in order to cope with miniaturization and high integration of semiconductor devices. In flip-chip mounting, generally, a method of injecting a sealing resin after bonding a semiconductor chip on a substrate or an adhesive film (NCF: Non Conductive Adhesive Film) previously attached to the substrate or the semiconductor chip is used. A method of joining semiconductor chips or the like is used (see Patent Documents 1 and 2). Above all, in the process of attaching the adhesive film to the substrate, the adhesive film is easily attached by attaching the adhesive film to the wiring surface (the surface on which the wiring, bumps, etc. are formed) of the wafer in advance and then dicing from the adhesive film side. Attention is being paid to a method for obtaining a semiconductor chip of the above.

特開２０１４－４９５３３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-49533 特開２０１６－９２１８８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-92188 特開２００３－３２０４６６号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-320466

ところで、半導体ウェーハには、チップの特性を検査するために、ＴＥＧ（Test Element Group）と称されるアルミニウムまたは銅等の金属によって形成されたパターンが分割予定ラインの表面に形成されているものがある。このようなウェーハを切削ブレードで切削すると、金属の柔らかく変形しやすい性質により切削溝の両側にバリが発生してしまい、接着フィルムの剥がれやボンディング間の短絡の原因になる可能性がある。また、特許文献３の装置を用いて、ウェーハ表面に集光照射してフルカットする方法では、熱影響によりチップの強度が落ちてしまうという問題がある。 By the way, in a semiconductor wafer, in order to inspect the characteristics of a chip, a pattern called TEG (Test Element Group) formed of a metal such as aluminum or copper is formed on the surface of a planned division line. be. When such a wafer is cut with a cutting blade, burrs are generated on both sides of the cutting groove due to the soft and easily deformable nature of the metal, which may cause peeling of the adhesive film and a short circuit between bonds. Further, in the method of condensing and irradiating the wafer surface with the apparatus of Patent Document 3 for full cutting, there is a problem that the strength of the chip is lowered due to the influence of heat.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ストリート（分割予定ライン）にＴＥＧを有するウェーハを、品質を維持しつつ分割することができるチップの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a chip capable of dividing a wafer having a TEG on a street (planned division line) while maintaining the quality. That is.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップの製造方法は、半導体基板の表面側を格子上のストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートに部分的にＴＥＧが形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割しチップを形成するチップの製造方法であって、該ＴＥＧを含むストリートに沿って該ＴＥＧに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、該レーザービーム照射ステップの後、該ウェーハの表面側に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、該接着フィルム貼着ステップの後、該ストリートに沿って該接着フィルムおよび該ウェーハをダイシングするダイシングステップと、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, in the method for manufacturing a chip of the present invention, a device is formed in a plurality of regions in which the surface side of a semiconductor substrate is divided by streets on a lattice, and the device is partially formed in the streets. A method for manufacturing a chip in which a wafer on which a TEG is formed is divided along the street to form a chip, and a laser beam having a wavelength capable of absorbing the TEG is irradiated along the street containing the TEG. After the laser beam irradiation step, the adhesive film attaching step of attaching the adhesive film to the surface side of the wafer, and the adhesive film attaching step, the adhesion is performed along the street. It comprises a dicing step for dicing a film and the wafer.

また、本発明のチップの製造方法は、該ウェーハの表面側からストリートに沿って検出光を照射し、該ストリートで反射された光の光量に基づいて、該ストリートに形成されたＴＥＧの座標位置を検出するＴＥＧ位置検出ステップを更に含み、該レーザービーム照射ステップでは、該ＴＥＧ位置検出ステップで検出したＴＥＧの存在する領域のみにレーザービームを照射してもよい。 Further, in the method for manufacturing a chip of the present invention, the detection light is irradiated from the surface side of the wafer along the street, and the coordinate position of the TEG formed on the street is based on the amount of light reflected on the street. In the laser beam irradiation step, the laser beam may be irradiated only to the region where the TEG detected in the TEG position detection step is present.

また、本発明のチップの製造方法において、該ウェーハに伸縮性を有するエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップを更に含み、該ダイシングステップは、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを、該ウェーハの内部に集光点を位置付けて照射することで改質層を形成する改質層形成ステップと、該エキスパンドシートを拡張することで、該接着フィルムおよび該改質層が形成されたウェーハをストリートに沿って分割する分割ステップと、を更に含んでもよい。 Further, the method for manufacturing a chip of the present invention further includes an expand sheet attachment step for attaching an expandable sheet to the wafer, and the dicing step is a laser having a wavelength that is transparent to the wafer. A modified layer forming step of forming a modified layer by irradiating the beam with a condensing point located inside the wafer, and expanding the expand sheet to form the adhesive film and the modified layer. It may further include a split step of splitting the wafer along the street.

また、本発明のチップの製造方法において、該ダイシングステップは、該ウェーハの表面側から切削ブレードで切削する切削ステップであってもよい。 Further, in the method for manufacturing a chip of the present invention, the dicing step may be a cutting step of cutting from the surface side of the wafer with a cutting blade.

本願発明は、ストリートにＴＥＧを有するウェーハを、品質を維持しつつ分割することができる。 According to the present invention, a wafer having a TEG on the street can be divided while maintaining the quality.

図１は、実施形態に係るチップの製造方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the chip manufacturing method according to the embodiment. 図２は、実施形態に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a flow of a chip manufacturing method according to an embodiment. 図３は、図２に示すダイシングテープ貼着ステップの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of the dicing tape attaching step shown in FIG. 図４は、図２に示すＴＥＧ位置検出ステップの一例を一部断面で示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing an example of the TEG position detection step shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図５は、図２に示すレーザービーム照射ステップの一例を一部断面で示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing an example of the laser beam irradiation step shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図６は、図２に示すレーザービーム照射ステップ後の状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing a state after the laser beam irradiation step shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図７は、図２に示す接着フィルム貼着ステップの一例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing an example of the adhesive film attaching step shown in FIG. 図８は、図２に示すダイシングステップの一例を一部断面で示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing an example of the dicing step shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図９は、変形例に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a flow of a chip manufacturing method according to a modified example. 図１０は、図９に示す改質層形成ステップの一例を一部断面で示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing an example of the modified layer forming step shown in FIG. 9 in a partial cross section. 図１１は、図９に示す改質層形成ステップの別の一例を一部断面で示す側面図である。FIG. 11 is a side view showing another example of the modified layer forming step shown in FIG. 9 in a partial cross section. 図１２は、図９に示す分割ステップの一状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 12 is a side view showing a state of the division step shown in FIG. 9 in a partial cross section. 図１３は、図９に示す分割ステップの図１２の後の一状態を一部断面で示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a state of the division step shown in FIG. 9 after FIG. 12 in a partial cross section.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. Further, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るチップの製造方法について、図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象であるウェーハ１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係るチップの製造方法の加工対象のウェーハ１０の一例を示す斜視図である。 [Embodiment]
A method for manufacturing a chip according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the wafer 10 to be processed according to the embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer 10 to be processed in the chip manufacturing method according to the embodiment.

図１に示すように、ウェーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１１とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。ウェーハ１０は、基板１１の表面１２に格子状に設定された複数のストリート１３（分割予定ライン）と、ストリート１３によって区画された領域に形成されたデバイス１４と、を有している。 As shown in FIG. 1, the wafer 10 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device having silicon (Si), sapphire (Al 2 O 3 ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC) or the like as a substrate 11. It is a wafer such as a wafer. The wafer 10 has a plurality of streets 13 (planned division lines) set in a grid pattern on the surface 12 of the substrate 11, and a device 14 formed in a region partitioned by the streets 13.

デバイス１４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。デバイス１４が形成された表面１２と反対側に位置するウェーハ１０の面を裏面１５とする。 The device 14 is, for example, an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). The surface of the wafer 10 located on the opposite side of the front surface 12 on which the device 14 is formed is referred to as the back surface 15.

また、ウェーハ１０は、基板１１の表面１２に機能層１６が積層されている。機能層１６は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（以下、Ｌｏｗ－ｋ膜と呼ぶ）と、導電性の金属により構成された導電体膜とを備えている。Ｌｏｗ－ｋ膜は、導電体膜と積層されて、デバイス１４を形成する。導電体膜は、デバイス１４の回路を構成する。このために、デバイス１４は、互いに積層されたＬｏｗ－ｋ膜と、Ｌｏｗ－ｋ膜間に積層された導電体膜とにより構成される。 Further, in the wafer 10, the functional layer 16 is laminated on the surface 12 of the substrate 11. The functional layer 16 is a low-dielectric-constant insulator film (hereinafter referred to as Low-k film) composed of an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB) or an organic film which is a polymer film such as polyimide or parylene. ) And a conductor film made of a conductive metal. The Low-k film is laminated with the conductor film to form the device 14. The conductor film constitutes the circuit of the device 14. For this purpose, the device 14 is composed of a Low-k film laminated to each other and a conductor film laminated between the Low-k films.

なお、ストリート１３の機能層１６は、Ｌｏｗ－ｋ膜により構成され、ＴＥＧ（Test Element Group）１７を除いて導電体膜を備えていない。ＴＥＧ１７は、金属等で形成され、デバイス１４に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。ＴＥＧ１７は、ウェーハ１０のストリート１３の予め定められた所定位置に配置されている。ウェーハ１０は、ストリート１３に沿って個々のデバイス１４に分割されて、チップ１９（図８参照）に製造される。なお、チップ１９は、実施形態において、正方形状であるが、長方形状であってもよい。 The functional layer 16 of the street 13 is composed of a Low-k film and does not have a conductor film except for the TEG (Test Element Group) 17. The TEG 17 is made of metal or the like, and is an evaluation element for finding out design or manufacturing problems that occur in the device 14. The TEG 17 is arranged at a predetermined predetermined position on the street 13 of the wafer 10. The wafer 10 is divided into individual devices 14 along the street 13 and manufactured into a chip 19 (see FIG. 8). Although the chip 19 has a square shape in the embodiment, it may have a rectangular shape.

次に、実施形態に係るチップの製造方法を説明する。図２は、実施形態に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。実施形態のチップの製造方法は、図２に示すように、ダイシングテープ貼着ステップ１と、ＴＥＧ位置検出ステップ２と、レーザービーム照射ステップ３と、接着フィルム貼着ステップ４と、ダイシングステップ５と、を含む。 Next, a method for manufacturing a chip according to an embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart showing a flow of a chip manufacturing method according to an embodiment. As shown in FIG. 2, the chip manufacturing method of the embodiment includes a dicing tape sticking step 1, a TEG position detection step 2, a laser beam irradiation step 3, an adhesive film sticking step 4, and a dicing step 5. ,including.

（ダイシングテープ貼着ステップ１）
図３は、図２に示すダイシングテープ貼着ステップ１の一例を示す斜視図である。ダイシングテープ貼着ステップ１は、ウェーハ１０にダイシングテープ２１を貼着するステップである。 (Dicing tape application step 1)
FIG. 3 is a perspective view showing an example of the dicing tape attaching step 1 shown in FIG. The dicing tape sticking step 1 is a step of sticking the dicing tape 21 to the wafer 10.

ダイシングテープ２１は、ダイシングにおいてウェーハ１０を環状フレーム２０に固定するための粘着テープである。ダイシングテープ２１は、例えば、合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。 The dicing tape 21 is an adhesive tape for fixing the wafer 10 to the annular frame 20 in dicing. The dicing tape 21 includes, for example, a base material layer made of a synthetic resin and a glue layer made of a synthetic resin laminated on the base material layer and having adhesiveness.

ダイシングテープ貼着ステップ１では、図３に示すように、まず、ダイシングテープ２１を、環状フレーム２０の裏面側に貼着する。環状フレーム２０は、ウェーハ１０の外径より大きな開口を有し、金属や樹脂等の材質で構成される。ダイシングテープ貼着ステップ１では、次に、ウェーハ１０を環状フレーム２０の開口の所定の位置に位置決めし、裏面１５側をダイシングテープ２１に貼着させる。これにより、ウェーハ１０を環状フレーム２０およびダイシングテープ２１に固定させる。 In the dicing tape attaching step 1, as shown in FIG. 3, the dicing tape 21 is first attached to the back surface side of the annular frame 20. The annular frame 20 has an opening larger than the outer diameter of the wafer 10, and is made of a material such as metal or resin. In the dicing tape attaching step 1, the wafer 10 is then positioned at a predetermined position in the opening of the annular frame 20, and the back surface 15 side is attached to the dicing tape 21. As a result, the wafer 10 is fixed to the annular frame 20 and the dicing tape 21.

（ＴＥＧ位置検出ステップ２）
図４は、図２に示すＴＥＧ位置検出ステップ２の一例を一部断面で示す側面図である。
ＴＥＧ位置検出ステップ２は、ストリート１３に形成されたＴＥＧ１７の座標位置を検出するステップである。 (TEG position detection step 2)
FIG. 4 is a side view showing an example of the TEG position detection step 2 shown in FIG. 2 in a partial cross section.
The TEG position detection step 2 is a step of detecting the coordinate position of the TEG 17 formed on the street 13.

図４に示すように、実施形態のＴＥＧ位置検出ステップ２では、ＴＥＧ検出ユニット３０を用いて、ストリート１３に形成されたＴＥＧ１７の座標位置を検出する。ＴＥＧ検出ユニット３０は、例えば、検出光３１を用いる反射型の変位センサを含む非接触式厚み測定器である。非接触厚み測定器は、例えば、検出光３１を照射する投光部と、検出光３１を平行光に変換する投光レンズと、ウェーハ１０で反射された反射光を捉える受光レンズと、反射光を検出する受光部と、を備える。ＴＥＧ検出ユニット３０は、検出光３１を照射するとともに、反射された光を検出する。 As shown in FIG. 4, in the TEG position detection step 2 of the embodiment, the TEG detection unit 30 is used to detect the coordinate position of the TEG 17 formed on the street 13. The TEG detection unit 30 is, for example, a non-contact thickness measuring instrument including a reflection type displacement sensor using the detection light 31. The non-contact thickness measuring device includes, for example, a light projecting unit that irradiates the detection light 31, a light projecting lens that converts the detected light 31 into parallel light, a light receiving lens that captures the reflected light reflected by the wafer 10, and reflected light. It is provided with a light receiving unit for detecting. The TEG detection unit 30 irradiates the detection light 31 and detects the reflected light.

ＴＥＧ検出ユニット３０は、例えば、後述のレーザー加工装置４０に設けられていてもよい。ＴＥＧ検出ユニット３０は、実施形態において、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４１に保持されたウェーハ１０に対して検出光３１を照射する。検出光３１は、一部が基板１１を透過してウェーハ１０の裏面１５で反射し、一部がストリート１３の表面１２で反射する。ＴＥＧ１７は、検出光３１を反射する。 The TEG detection unit 30 may be provided in, for example, the laser processing apparatus 40 described later. In the embodiment, the TEG detection unit 30 irradiates the wafer 10 held on the chuck table 41 of the laser processing apparatus 40 with the detection light 31. A part of the detection light 31 passes through the substrate 11 and is reflected by the back surface 15 of the wafer 10, and a part of the detection light 31 is reflected by the front surface 12 of the street 13. The TEG 17 reflects the detection light 31.

ＴＥＧ位置検出ステップ２では、まず、ダイシングテープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持する。次に、環状フレーム２０の外周縁をクランプ部４３で固定する。次に、不図示の移動手段によってチャックテーブル４１を所定位置に移動させて、ＴＥＧ検出ユニット３０の投光部とウェーハ１０のストリート１３との位置合わせを行う。 In the TEG position detection step 2, first, the back surface 15 side of the wafer 10 is sucked and held on the holding surface 42 of the chuck table 41 via the dicing tape 21. Next, the outer peripheral edge of the annular frame 20 is fixed by the clamp portion 43. Next, the chuck table 41 is moved to a predetermined position by a moving means (not shown) to align the light projecting portion of the TEG detection unit 30 with the street 13 of the wafer 10.

ＴＥＧ位置検出ステップ２では、ＴＥＧ検出ユニット３０とチャックテーブル４１とを相対的に移動させながら、ウェーハ１０の表面１２側からストリート１３に沿って検出光３１を照射する。検出光３１は、ＴＥＧ１７が形成されていない部分のストリート１３に照射された場合、一部がウェーハ１０の基板１１を透過して裏面１５側で反射し、一部がストリート１３の表面１２で反射して、それぞれ受光部に検出される。この場合、裏面１５側で反射した光と、表面１２で反射した光とでは、投光から受光までに時間差が生じる。 In the TEG position detection step 2, the detection light 31 is irradiated from the surface 12 side of the wafer 10 along the street 13 while the TEG detection unit 30 and the chuck table 41 are relatively moved. When the street 13 in the portion where the TEG 17 is not formed is irradiated with the detection light 31, a part thereof passes through the substrate 11 of the wafer 10 and is reflected on the back surface 15 side, and a part is reflected on the front surface 12 of the street 13. Then, each is detected by the light receiving unit. In this case, there is a time difference between the light reflected on the back surface 15 side and the light reflected on the front surface 12 from the projection to the light reception.

一方で、検出光３１は、ＴＥＧ１７が形成されている部分のストリート１３に照射された場合、ＴＥＧ１７に反射されて受光部に検出される。すなわち、ＴＥＧ検出ユニット３０の受光部では、ＴＥＧ１７に反射された光が、ストリート１３の裏面１５側および表面１２で時間差を有して反射した光より大きい光量として検出される。ＴＥＧ位置検出ステップ２では、ストリート１３で反射された検出光３１の光量に基づいて、ＴＥＧ１７の座標位置を検出する。 On the other hand, when the street 13 in the portion where the TEG 17 is formed is irradiated with the detection light 31, the detection light 31 is reflected by the TEG 17 and detected by the light receiving portion. That is, in the light receiving unit of the TEG detection unit 30, the light reflected by the TEG 17 is detected as a larger amount of light than the light reflected by the back surface 15 side and the front surface 12 of the street 13 with a time difference. In the TEG position detection step 2, the coordinate position of the TEG 17 is detected based on the amount of light of the detection light 31 reflected by the street 13.

（レーザービーム照射ステップ３）
図５は、図２に示すレーザービーム照射ステップ３の一例を一部断面で示す側面図である。図６は、図２に示すレーザービーム照射ステップ３後の状態を一部断面で示す側面図である。レーザービーム照射ステップ３は、ＴＥＧ１７を含むストリート１３に沿ってＴＥＧ１７に対して吸収性を有する波長のレーザービーム４５を照射するステップである。 (Laser beam irradiation step 3)
FIG. 5 is a side view showing an example of the laser beam irradiation step 3 shown in FIG. 2 in a partial cross section. FIG. 6 is a side view showing a state after the laser beam irradiation step 3 shown in FIG. 2 in a partial cross section. The laser beam irradiation step 3 is a step of irradiating the laser beam 45 having a wavelength that is absorbent to the TEG 17 along the street 13 including the TEG 17.

図５および図６に示すように、実施形態のレーザービーム照射ステップ３では、レーザー加工装置４０を用いて、ＴＥＧ１７を除去する。レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４１と、レーザー発振器および集光レンズを備えるレーザービーム照射ユニット４６と、撮像ユニットと、チャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４６とを相対的に移動させる移動手段と、を備える。レーザービーム照射ユニット４６は、例えば、ＹＡＧレーザーまたはＹＹ０４レーザーを光源とする発振器を含む。 As shown in FIGS. 5 and 6, in the laser beam irradiation step 3 of the embodiment, the TEG 17 is removed by using the laser processing device 40. The laser processing apparatus 40 includes a chuck table 41, a laser beam irradiation unit 46 including a laser oscillator and a condenser lens, an image pickup unit, and a moving means for relatively moving the chuck table 41 and the laser beam irradiation unit 46. To prepare for. The laser beam irradiation unit 46 includes, for example, an oscillator whose light source is a YAG laser or a YY04 laser.

レーザービーム照射ステップ３では、まず、ダイシングテープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持する。次に、環状フレーム２０の外周縁をクランプ部４３で固定する。なお、ＴＥＧ位置検出ステップ２で用いたＴＥＧ検出ユニット３０がレーザー加工装置４０に搭載されているものである場合、ＴＥＧ位置検出ステップ２において既にウェーハ１０をチャックテーブル４１に固定しているので、これまでの手順は省略してよい。次に、不図示の移動手段によってチャックテーブル４１を加工位置まで移動させる。次に、不図示の撮像ユニットでウェーハ１０を撮像することによって、ストリート１３を検出する。ストリート１３が検出されたら、ウェーハ１０のストリート１３と、レーザービーム照射ユニット４６の照射部との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 In the laser beam irradiation step 3, first, the back surface 15 side of the wafer 10 is sucked and held on the holding surface 42 of the chuck table 41 via the dicing tape 21. Next, the outer peripheral edge of the annular frame 20 is fixed by the clamp portion 43. When the TEG detection unit 30 used in the TEG position detection step 2 is mounted on the laser processing apparatus 40, the wafer 10 is already fixed to the chuck table 41 in the TEG position detection step 2, so that this is the case. The procedure up to is omitted. Next, the chuck table 41 is moved to the machining position by a moving means (not shown). Next, the street 13 is detected by imaging the wafer 10 with an imaging unit (not shown). When the street 13 is detected, the alignment for aligning the street 13 of the wafer 10 with the irradiation unit of the laser beam irradiation unit 46 is performed.

レーザービーム照射ステップ３では、レーザービーム照射ユニット４６に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させながら、ウェーハ１０の表面１２側からストリート１３に沿って、パルス状のレーザービーム４５を、ウェーハ１０の表面１２に集光点を位置付けて照射する。レーザービーム４５は、ＴＥＧ１７に対して吸収性を有する波長のレーザービームである。レーザービーム照射ユニット４６がＴＥＧ１７に対して吸収性を有する波長のレーザービーム４５を照射することにより、ストリート１３上に形成されたＴＥＧ１７が除去される。なお、レーザービーム照射ステップ３において照射するレーザービーム４５は、例えば、波長が３５５ｎｍ、出力が１．０Ｗ、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ、送り速度が１００ｍｍ／ｓに設定される。 In the laser beam irradiation step 3, the pulsed laser beam 45 is transferred from the surface 12 side of the wafer 10 along the street 13 while moving the chuck table 41 relative to the laser beam irradiation unit 46. The condensing point is positioned on the surface 12 and irradiated. The laser beam 45 is a laser beam having a wavelength that is absorbent to the TEG 17. By irradiating the laser beam irradiation unit 46 with the laser beam 45 having a wavelength that is absorbent to the TEG 17, the TEG 17 formed on the street 13 is removed. The laser beam 45 to be irradiated in the laser beam irradiation step 3 is set to, for example, a wavelength of 355 nm, an output of 1.0 W, a repetition frequency of 50 kHz, and a feed rate of 100 mm / s.

なお、レーザービーム照射ステップ３では、ＴＥＧ位置検出ステップ２で検出したＴＥＧ１７の存在する領域のみにレーザービーム４５を照射してもよい。ＴＥＧ１７の存在しない領域のストリート１３にレーザービーム４５を照射しないことにより、レーザービーム４５照射によるウェーハ１０の熱ダメージを抑制できる。 In the laser beam irradiation step 3, the laser beam 45 may be irradiated only to the region where the TEG 17 detected in the TEG position detection step 2 exists. By not irradiating the street 13 in the region where the TEG 17 does not exist with the laser beam 45, the thermal damage of the wafer 10 due to the irradiation of the laser beam 45 can be suppressed.

（接着フィルム貼着ステップ４）
図７は、図２に示す接着フィルム貼着ステップ４の一例を示す斜視図である。接着フィルム貼着ステップ４は、ウェーハ１０の表面１２側に接着フィルム５０を貼着するステップである。接着フィルム貼着ステップ４はレーザービーム照射ステップ３の後に実施される。 (Adhesive film sticking step 4)
FIG. 7 is a perspective view showing an example of the adhesive film attaching step 4 shown in FIG. The adhesive film attaching step 4 is a step of attaching the adhesive film 50 to the surface 12 side of the wafer 10. The adhesive film attaching step 4 is performed after the laser beam irradiation step 3.

接着フィルム５０は、粘着性および熱硬化性を有する樹脂で構成された絶縁性の接着フィルムであり、例えば、ＮＣＦである。接着フィルム５０の外径は、ウェーハ１０の外径とほぼ同等である。 The adhesive film 50 is an insulating adhesive film made of a resin having adhesiveness and thermosetting property, and is, for example, NCF. The outer diameter of the adhesive film 50 is substantially the same as the outer diameter of the wafer 10.

接着フィルム貼着ステップ４では、図７に示すように、環状フレーム２０およびダイシングテープ２１に固定されたウェーハ１０の表面１２側から、ウェーハ１０の表面１２全体を覆うように接着フィルム５０を貼着する。接着フィルム５０は、ストリート１３とデバイス１４との凹凸を吸収するようにウェーハ１０の表面１２全体を覆った状態で密着される。 In the adhesive film attaching step 4, as shown in FIG. 7, the adhesive film 50 is attached so as to cover the entire surface 12 of the wafer 10 from the surface 12 side of the wafer 10 fixed to the annular frame 20 and the dicing tape 21. do. The adhesive film 50 is brought into close contact with the street 13 in a state of covering the entire surface 12 of the wafer 10 so as to absorb the unevenness between the street 13 and the device 14.

（ダイシングステップ５）
図８は、図２に示すダイシングステップ５の一例を一部断面で示す側面図である。ダイシングステップ５は、ストリート１３に沿って接着フィルム５０およびウェーハ１０をダイシングするステップである。ダイシングステップ５は、接着フィルム貼着ステップ４の後に実施される。ダイシングステップ５は、実施形態において、ウェーハ１０の表面１２側から切削ブレード６６で切削する切削ステップである。 (Dicing step 5)
FIG. 8 is a side view showing an example of the dicing step 5 shown in FIG. 2 in a partial cross section. The dicing step 5 is a step of dicing the adhesive film 50 and the wafer 10 along the street 13. The dicing step 5 is performed after the adhesive film attaching step 4. In the embodiment, the dicing step 5 is a cutting step of cutting from the surface 12 side of the wafer 10 with the cutting blade 66.

図８に示すように、実施形態のダイシングステップ５では、切削装置６０を用いて、ウェーハ１０をダイシングする。切削装置６０は、チャックテーブル６１と、切削ユニット６５と、撮像ユニットと、チャックテーブル６１と切削ユニット６５とを相対的に移動させる移動手段と、を備える。 As shown in FIG. 8, in the dicing step 5 of the embodiment, the dicing device 60 is used to dice the wafer 10. The cutting device 60 includes a chuck table 61, a cutting unit 65, an image pickup unit, and a moving means for relatively moving the chuck table 61 and the cutting unit 65.

切削ユニット６５は、円板形状の切削ブレード６６と、切削ブレード６６の回転軸となるスピンドル６７と、スピンドル６７に装着され切削ブレード６６が固定されるマウントフランジ６８と、を備える。切削ブレード６６は、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。切削ブレード６６およびスピンドル６７は、切削対象のウェーハ１０を保持するチャックテーブル４１の保持面４２に対して平行な回転軸を備える。切削ブレード６６は、スピンドル６７の先端に装着される。 The cutting unit 65 includes a disk-shaped cutting blade 66, a spindle 67 that serves as a rotation axis of the cutting blade 66, and a mount flange 68 that is mounted on the spindle 67 and to which the cutting blade 66 is fixed. The cutting blade 66 is an ultra-thin cutting wheel having a substantially ring shape. The cutting blade 66 and the spindle 67 include a rotation axis parallel to the holding surface 42 of the chuck table 41 that holds the wafer 10 to be cut. The cutting blade 66 is attached to the tip of the spindle 67.

ダイシングステップ５では、まず、ダイシングテープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル６１の保持面６２に吸引保持する。次に、環状フレーム２０の外周縁をクランプ部６３で固定する。次に、不図示の移動手段によってチャックテーブル６１を加工位置まで移動させる。次に、不図示の撮像ユニットでウェーハ１０を撮像することによって、ストリート１３を検出する。ストリート１３が検出されたら、ウェーハ１０のストリート１３と、切削ユニット６５の切削ブレード６６との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 In the dicing step 5, first, the back surface 15 side of the wafer 10 is sucked and held on the holding surface 62 of the chuck table 61 via the dicing tape 21. Next, the outer peripheral edge of the annular frame 20 is fixed by the clamp portion 63. Next, the chuck table 61 is moved to the machining position by a moving means (not shown). Next, the street 13 is detected by imaging the wafer 10 with an imaging unit (not shown). When the street 13 is detected, the alignment for aligning the street 13 of the wafer 10 with the cutting blade 66 of the cutting unit 65 is performed.

ダイシングステップ５では、次に、スピンドル６７を介して切削ブレード６６を軸心回りに回転させる。次に、ウェーハ１０の表面１２および切削ブレード６６に切削水を供給しつつ、スピンドル６７を下降させて、回転する切削ブレード６６を、チャックテーブル６１上に保持されるウェーハ１０の表面１２側から切り込ませて切削させる。その後、切削ユニット６５に対してチャックテーブル６１を相対的に加工送り方向に移動させながら、ストリート１３に沿ってウェーハ１０を切削する。全てのストリート１３に沿って切削ブレード６６で切削すると、個々のデバイス１４毎に分割されて、チップ１９毎に個片化される。チップ１９は、接着フィルム５０が表面１２側に貼着された接着フィルム付きチップである。 In the dicing step 5, the cutting blade 66 is then rotated about the axis via the spindle 67. Next, while supplying cutting water to the surface 12 of the wafer 10 and the cutting blade 66, the spindle 67 is lowered to cut the rotating cutting blade 66 from the surface 12 side of the wafer 10 held on the chuck table 61. Let it squeeze and cut. After that, the wafer 10 is cut along the street 13 while the chuck table 61 is relatively moved in the machining feed direction with respect to the cutting unit 65. When cutting with the cutting blade 66 along all the streets 13, it is divided into individual devices 14 and individualized into chips 19. The chip 19 is a chip with an adhesive film to which the adhesive film 50 is attached to the surface 12 side.

次に、変形例に係るチップの製造方法について、図面に基づいて説明する。まず、変形例に係るチップの製造方法を説明する。図９は、変形例に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。変形例のチップの製造方法は、図９に示すように、エキスパンドシート貼着ステップ１－２と、ＴＥＧ位置検出ステップ２と、レーザービーム照射ステップ３と、接着フィルム貼着ステップ４と、改質層形成ステップ５－２１と、分割ステップ５－２２と、を含む。すなわち、変形例のチップの製造方法では、実施形態の切削ステップであるダイシングステップ５の代わりに、改質層形成ステップ５－２１および分割ステップ５－２２によってダイシングを実施する。即ち、特許請求の範囲に記載されたダイシングステップは、変形例において、改質層形成ステップ５－２１および分割ステップ５－２２である。 Next, a method for manufacturing a chip according to a modified example will be described with reference to the drawings. First, a method for manufacturing a chip according to a modified example will be described. FIG. 9 is a flowchart showing a flow of a chip manufacturing method according to a modified example. As shown in FIG. 9, the method of manufacturing the chip of the modified example is modified by expanding sheet sticking step 1-2, TEG position detection step 2, laser beam irradiation step 3, adhesive film sticking step 4, and so on. The layer forming step 5-21 and the dividing step 5-22 are included. That is, in the chip manufacturing method of the modified example, dicing is carried out by the modified layer forming step 5-21 and the dividing step 5-22 instead of the dicing step 5 which is the cutting step of the embodiment. That is, the dicing steps described in the claims are the modified layer forming step 5-21 and the dividing layer 5-22 in the modified example.

（エキスパンドシート貼着ステップ１－２）
変形例に係るチップの製造方法においては、後述の分割ステップ５－２２を実施するために、実施形態におけるダイシングテープ２１として、エキスパンドシート２２を用いる。エキスパンドシート２２は、面方向に伸縮性を有する。エキスパンドシート２２は、例えば、伸縮性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ伸縮性および粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。エキスパンドシート２２の貼着手順は、実施形態のダイシングテープ貼着ステップ１におけるダイシングテープ２１の貼着手順と同様のため、説明を省略する。 (Expanded sheet attachment step 1-2)
In the chip manufacturing method according to the modified example, the expanded sheet 22 is used as the dicing tape 21 in the embodiment in order to carry out the division step 5-22 described later. The expand sheet 22 has elasticity in the surface direction. The expand sheet 22 includes, for example, a base material layer made of a synthetic resin having elasticity and a glue layer made of a synthetic resin laminated on the base material layer and having elasticity and adhesiveness. Since the procedure for attaching the expanded sheet 22 is the same as the procedure for attaching the dicing tape 21 in the dicing tape attaching step 1 of the embodiment, the description thereof will be omitted.

（改質層形成ステップ５－２１）
図１０は、図９に示す改質層形成ステップ５－２１の一例を一部断面で示す側面図である。改質層形成ステップ５－２１は、ウェーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザービーム４５を、ウェーハ１０の内部に集光点を位置付けて照射することで改質層１８を形成するステップである。改質層形成ステップ５－２１は、接着フィルム貼着ステップ４の後に実施される。 (Modified layer formation step 5-21)
FIG. 10 is a side view showing an example of the modified layer forming step 5-21 shown in FIG. 9 in a partial cross section. The modified layer forming step 5-21 is a step of forming the modified layer 18 by irradiating the wafer 10 with a laser beam 45 having a wavelength that is transparent to the wafer 10 by positioning a condensing point inside the wafer 10. be. The modified layer forming step 5-21 is carried out after the adhesive film attaching step 4.

改質層１８とは、密度、屈折率、機械的強度またはその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味する。改質層１８は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、およびこれらの領域が混在した領域等である。改質層１８は、ウェーハ１０の他の部分よりも機械的な強度等が低い。 The modified layer 18 means a region where the density, refractive index, mechanical strength or other physical properties are different from those of the surroundings. The modified layer 18 is, for example, a melt processing region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, a region in which these regions coexist, and the like. The modified layer 18 has lower mechanical strength and the like than the other parts of the wafer 10.

図１０に示すように、変形例の改質層形成ステップ５－２１では、レーザービーム照射ユニット４６によるステルスダイシング加工によって、ウェーハ１０の表面１２側からストリート１３に沿ってレーザービーム４５を内部に照射して改質層１８を形成する。改質層形成ステップ５－２１におけるレーザービーム４５は、ウェーハ１０およびエキスパンドシート２２に対して透過性を有する波長のレーザービームである。 As shown in FIG. 10, in the modified layer forming step 5-21 of the modified example, the laser beam 45 is internally irradiated from the surface 12 side of the wafer 10 along the street 13 by the stealth dicing process by the laser beam irradiation unit 46. To form the modified layer 18. The laser beam 45 in the modified layer forming step 5-21 is a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer 10 and the expanded sheet 22.

改質層形成ステップ５－２１では、まず、接着フィルム５０を介してウェーハ１０の表面１２側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持する。次に、環状フレーム２０の外周縁をクランプ部４３で固定する。次に、不図示の移動手段によってチャックテーブル４１を加工位置まで移動させる。次に、不図示の撮像ユニットでウェーハ１０を撮像することによって、ストリート１３を検出する。ストリート１３が検出されたら、ウェーハ１０のストリート１３と、レーザービーム照射ユニット４６の照射部との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 In the modified layer forming step 5-21, first, the surface 12 side of the wafer 10 is sucked and held on the holding surface 42 of the chuck table 41 via the adhesive film 50. Next, the outer peripheral edge of the annular frame 20 is fixed by the clamp portion 43. Next, the chuck table 41 is moved to the machining position by a moving means (not shown). Next, the street 13 is detected by imaging the wafer 10 with an imaging unit (not shown). When the street 13 is detected, the alignment for aligning the street 13 of the wafer 10 with the irradiation unit of the laser beam irradiation unit 46 is performed.

改質層形成ステップ５－２１では、レーザービーム照射ユニット４６に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させながら、エキスパンドシート２２を介してウェーハ１０の裏面１５側からパルス状のレーザービーム４５を、ウェーハ１０の内部に集光点を位置付けて照射する。レーザービーム照射ユニット４６がウェーハ１０およびエキスパンドシート２２に対して透過性を有する波長のレーザービーム４５を照射することにより、基板１１の内部にストリート１３に沿った改質層１８が形成される。なお、改質層形成ステップ５－２１において照射するレーザービーム４５は、例えば、波長が１０３０ｎｍ、出力が１．０Ｗ、繰り返し周波数が６０ｋＨｚ、送り速度が５００ｍｍ／ｓに設定される。 In the modified layer forming step 5-21, the pulsed laser beam 45 is emitted from the back surface 15 side of the wafer 10 via the expand sheet 22 while the chuck table 41 is relatively moved with respect to the laser beam irradiation unit 46. A condensing point is positioned inside the wafer 10 to irradiate the wafer 10. When the laser beam irradiation unit 46 irradiates the wafer 10 and the expand sheet 22 with the laser beam 45 having a wavelength having a transmittance, the modified layer 18 along the street 13 is formed inside the substrate 11. The laser beam 45 to be irradiated in the modified layer forming step 5-21 is set to, for example, a wavelength of 1030 nm, an output of 1.0 W, a repetition frequency of 60 kHz, and a feed rate of 500 mm / s.

なお、改質層形成ステップ５－２１では、ウェーハ１０の表面１２側からレーザービーム４５を照射してもよい。図１１は、図９に示す改質層形成ステップ５－２１の別の一例を一部断面で示す側面図である。 In the modified layer forming step 5-21, the laser beam 45 may be irradiated from the surface 12 side of the wafer 10. FIG. 11 is a side view showing another example of the modified layer forming step 5-21 shown in FIG. 9 in a partial cross section.

図１１に示す別の一例では、まず、エキスパンドシート２２を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持する。次に、環状フレーム２０の外周縁をクランプ部４３で固定する。次に、不図示の移動手段によってチャックテーブル４１を加工位置まで移動させる。次に、不図示の撮像ユニットでウェーハ１０を撮像することによって、ストリート１３を検出する。ストリート１３が検出されたら、ウェーハ１０のストリート１３と、レーザービーム照射ユニット４６の照射部との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 In another example shown in FIG. 11, first, the back surface 15 side of the wafer 10 is sucked and held on the holding surface 42 of the chuck table 41 via the expand sheet 22. Next, the outer peripheral edge of the annular frame 20 is fixed by the clamp portion 43. Next, the chuck table 41 is moved to the machining position by a moving means (not shown). Next, the street 13 is detected by imaging the wafer 10 with an imaging unit (not shown). When the street 13 is detected, the alignment for aligning the street 13 of the wafer 10 with the irradiation unit of the laser beam irradiation unit 46 is performed.

図１１に示す別の一例では、レーザービーム照射ユニット４６に対してチャックテーブル４１を相対的に移動させながら、接着フィルム５０を介してウェーハ１０の表面１２側からパルス状のレーザービーム４５を、ウェーハ１０の内部に集光点を位置付けて照射する。レーザービーム照射ユニット４６がウェーハ１０および接着フィルム５０に対して透過性を有する波長のレーザービーム４５を照射することにより、基板１１の内部にストリート１３に沿った改質層１８が形成される。 In another example shown in FIG. 11, while the chuck table 41 is relatively moved with respect to the laser beam irradiation unit 46, the pulsed laser beam 45 is transmitted from the surface 12 side of the wafer 10 through the adhesive film 50 to the wafer. The focusing point is positioned inside the 10 and irradiated. When the laser beam irradiation unit 46 irradiates the wafer 10 and the adhesive film 50 with a laser beam 45 having a wavelength having a transmittance, the modified layer 18 along the street 13 is formed inside the substrate 11.

（分割ステップ５－２２）
図１２は、図９に示す分割ステップ５－２２の一状態を一部断面で示す側面図である。図１３は、図９に示す分割ステップ５－２２の図１２の後の一状態を一部断面で示す側面図である。分割ステップ５－２２は、エキスパンドシート２２を拡張することで、接着フィルム５０および改質層１８が形成されたウェーハ１０をストリート１３に沿って分割するステップである。 (Split step 5-22)
FIG. 12 is a side view showing a state of the division step 5-22 shown in FIG. 9 in a partial cross section. FIG. 13 is a side view showing a state of the division step 5-22 shown in FIG. 9 after FIG. 12 in a partial cross section. The division step 5-22 is a step of dividing the wafer 10 on which the adhesive film 50 and the modified layer 18 are formed along the street 13 by expanding the expand sheet 22.

図１２および図１３に示すように、実施形態の分割ステップ５－２２では、拡張装置７０がエキスパンドシート２２に放射方向に外力を与えることによってウェーハ１０を分割する。拡張装置７０は、チャックテーブル７１と、クランプ部７２と、昇降ユニット７３と、突き上げ部材７４と、コロ部材７５と、を備える。突き上げ部材７４は、チャックテーブル７１の外周かつ同軸に設けられる円筒形状である。コロ部材７５は、チャックテーブル７１の保持面と同一平面上または僅かに上方、かつ突き上げ部材７４の上端に、回転自在に設けられる。 As shown in FIGS. 12 and 13, in the dividing step 5-22 of the embodiment, the expansion device 70 divides the wafer 10 by applying an external force in the radial direction to the expanding sheet 22. The expansion device 70 includes a chuck table 71, a clamp portion 72, an elevating unit 73, a push-up member 74, and a roller member 75. The push-up member 74 has a cylindrical shape provided on the outer circumference and coaxially with the chuck table 71. The roller member 75 is rotatably provided on the same plane as or slightly above the holding surface of the chuck table 71, and at the upper end of the push-up member 74.

図１２に示すように、分割ステップ５－２２では、まず、エキスパンドシート２２を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル７１の保持面に載置し、環状フレーム２０の外周部をクランプ部７２で固定する。この際、コロ部材７５は、環状フレーム２０の内縁とウェーハ１０の外縁との間のエキスパンドシート２２に当接する。 As shown in FIG. 12, in the division step 5-22, first, the back surface 15 side of the wafer 10 is placed on the holding surface of the chuck table 71 via the expand sheet 22, and the outer peripheral portion of the annular frame 20 is clamped to the clamp portion 72. Fix with. At this time, the roller member 75 comes into contact with the expanding sheet 22 between the inner edge of the annular frame 20 and the outer edge of the wafer 10.

図１３に示すように、分割ステップ５－２２では、次に、昇降ユニット７３によって、チャックテーブル７１および突き上げ部材７４を一体的に上昇させる。この際、エキスパンドシート２２は、外周部が環状フレーム２０を介してクランプ部７２で固定されているため、環状フレーム２０の内縁とウェーハ１０の外縁との間の部分が面方向に拡張される。更に、突き上げ部材７４の上端に設けられたコロ部材７５がエキスパンドシート２２との摩擦を緩和する。 As shown in FIG. 13, in the division step 5-22, the chuck table 71 and the push-up member 74 are integrally raised by the elevating unit 73. At this time, since the outer peripheral portion of the expanded sheet 22 is fixed by the clamp portion 72 via the annular frame 20, the portion between the inner edge of the annular frame 20 and the outer edge of the wafer 10 is expanded in the surface direction. Further, the roller member 75 provided at the upper end of the push-up member 74 reduces the friction with the expand sheet 22.

分割ステップ５－２２では、エキスパンドシート２２の拡張の結果、エキスパンドシート２２に放射状に引張力が作用する。エキスパンドシート２２に放射状の引張力が作用すると、図１３に示すように、エキスパンドシート２２が貼着されたウェーハ１０が、ストリート１３に沿った改質層１８を破断基点にして、個々のデバイス１４毎に分割されて、チップ１９毎に個片化される。チップ１９は、接着フィルム５０が表面１２側に貼着された接着フィルム付きチップである。ウェーハ１０がチップ１９に分割された後は、例えば、ピックアップ工程において、周知のピッカーでエキスパンドシート２２からチップ１９がピックアップされる。 In the division step 5-22, as a result of the expansion of the expand sheet 22, a tensile force acts radially on the expand sheet 22. When a radial tensile force acts on the expanding sheet 22, as shown in FIG. 13, the wafer 10 to which the expanding sheet 22 is attached has the modified layer 18 along the street 13 as a breaking base point, and the individual devices 14 are attached. It is divided into each and individualized into each chip 19. The chip 19 is a chip with an adhesive film to which the adhesive film 50 is attached to the surface 12 side. After the wafer 10 is divided into chips 19, for example, in the pickup process, the chips 19 are picked up from the expand sheet 22 by a well-known picker.

以上説明したように、実施形態および変形例のチップの製造方法は、レーザービーム４５の照射によりストリート１３上のＴＥＧ１７を除去した後、ウェーハ１０の表面１２側に接着フィルム５０を貼着してダイシングする。これにより、デバイス１４が、例えばレーザービーム４５でフルカットする場合のような熱影響を受けることはない。また、ダイシング時にストリート１３上にＴＥＧ１７が存在しないため、ＴＥＧ１７が切削されることによって生じるバリ等に起因する品質不良の発生を抑制できる。したがって、実施形態および変形例のチップの製造方法は、ストリート１３にＴＥＧ１７を有するウェーハ１０であっても、品質を維持しつつ分割することができる。 As described above, in the chip manufacturing method of the embodiment and the modified example, the TEG 17 on the street 13 is removed by irradiation with the laser beam 45, and then the adhesive film 50 is attached to the surface 12 side of the wafer 10 for dicing. do. As a result, the device 14 is not affected by heat as in the case of full cutting with the laser beam 45, for example. Further, since the TEG 17 does not exist on the street 13 during dicing, it is possible to suppress the occurrence of quality defects due to burrs and the like caused by cutting the TEG 17. Therefore, in the chip manufacturing method of the embodiment and the modification, even the wafer 10 having the TEG 17 on the street 13 can be divided while maintaining the quality.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、ＴＥＧ１７の厚みは多様であるので、これに対応して、レーザービーム照射ステップ３を実施する前に、ＴＥＧの厚み毎に予めレーザー加工条件を設定してもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention. For example, since the thickness of the TEG 17 is various, the laser processing conditions may be set in advance for each thickness of the TEG before the laser beam irradiation step 3 is performed.

１ ダイシングテープ貼着ステップ
１－２ エキスパンドシート貼着ステップ
２ ＴＥＧ位置検出ステップ
３ レーザービーム照射ステップ
４ 接着フィルム貼着ステップ
５ ダイシングステップ
５－２１ 改質層形成ステップ
５－２２ 分割ステップ
１０ ウェーハ
１１ 基板
１２ 表面
１３ ストリート
１４ デバイス
１５ 裏面
１６ 機能層
１７ ＴＥＧ
１８ 改質層
１９ チップ
２０ 環状フレーム
２１ ダイシングテープ
２２ エキスパンドシート
３１ 検出光
４５ レーザービーム
５０ 接着フィルム
６６ 切削ブレード 1 Dicing tape sticking step 1-2 Expanded sheet sticking step 2 TEG position detection step 3 Laser beam irradiation step 4 Adhesive film sticking step 5 Dicing step 5-21 Modified layer forming step 5-22 Dividing step 10 Wafer 11 Substrate 12 Front side 13 Street 14 Device 15 Back side 16 Functional layer 17 TEG
18 Modified layer 19 Chip 20 Circular frame 21 Dicing tape 22 Expanded sheet 31 Detection light 45 Laser beam 50 Adhesive film 66 Cutting blade

Claims (4)

半導体基板の表面側を格子上のストリートで区画した複数の領域にデバイスが形成され、該ストリートに部分的にＴＥＧが形成されたウェーハを該ストリートに沿って分割しチップを形成するチップの製造方法であって、
該ＴＥＧを含むストリートに沿って該ＴＥＧに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射するレーザービーム照射ステップと、
該レーザービーム照射ステップの後、該ウェーハの表面側に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着ステップと、
該接着フィルム貼着ステップの後、該ストリートに沿って該接着フィルムおよび該ウェーハをダイシングするダイシングステップと、
を含むことを特徴とする、チップの製造方法。 A method for manufacturing a chip in which a device is formed in a plurality of regions in which the surface side of a semiconductor substrate is divided by streets on a grid, and a wafer in which TEG is partially formed in the streets is divided along the streets to form chips. And
A laser beam irradiation step of irradiating a laser beam having a wavelength capable of absorbing the TEG along the street containing the TEG.
After the laser beam irradiation step, an adhesive film attaching step of attaching an adhesive film to the surface side of the wafer, and an adhesive film attaching step.
After the adhesive film attaching step, a dicing step for dicing the adhesive film and the wafer along the street, and a dicing step.
A method for manufacturing a chip, which comprises. 該ウェーハの表面側からストリートに沿って検出光を照射し、該ストリートで反射された光の光量に基づいて、該ストリートに形成されたＴＥＧの座標位置を検出するＴＥＧ位置検出ステップを更に含み、
該レーザービーム照射ステップでは、該ＴＥＧ位置検出ステップで検出したＴＥＧの存在する領域のみにレーザービームを照射することを特徴とする、
請求項１に記載のチップの製造方法。 Further including a TEG position detection step of irradiating the detection light along the street from the surface side of the wafer and detecting the coordinate position of the TEG formed on the street based on the amount of light reflected on the street.
The laser beam irradiation step is characterized in that the laser beam is irradiated only to the region where the TEG detected in the TEG position detection step exists.
The method for manufacturing a chip according to claim 1. 該ウェーハに伸縮性を有するエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップを更に含み、
該ダイシングステップは、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを、該ウェーハの内部に集光点を位置付けて照射することで改質層を形成する改質層形成ステップと、
該エキスパンドシートを拡張することで、該接着フィルムおよび該改質層が形成されたウェーハをストリートに沿って分割する分割ステップと、
を更に含むことを特徴とする、
請求項１または２に記載のチップの製造方法。 Further including an expand sheet attaching step of attaching an expandable sheet to the wafer is included.
The dicing step is
A modified layer forming step of forming a modified layer by irradiating a wafer with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer by positioning a condensing point inside the wafer.
A division step of dividing the wafer on which the adhesive film and the modified layer are formed along the street by expanding the expand sheet, and
It is characterized by further containing,
The method for manufacturing a chip according to claim 1 or 2. 該ダイシングステップは、該ウェーハの表面側から切削ブレードで切削する切削ステップであることを特徴とする、
請求項１または２に記載のチップの製造方法。 The dicing step is a cutting step of cutting from the surface side of the wafer with a cutting blade.
The method for manufacturing a chip according to claim 1 or 2.
JP2020137064A 2020-08-14 2020-08-14 How the chip is manufactured Active JP7479243B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020137064A JP7479243B2 (en) 2020-08-14 2020-08-14 How the chip is manufactured
KR1020210096912A KR20220021860A (en) 2020-08-14 2021-07-23 Manufacturing method of chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020137064A JP7479243B2 (en) 2020-08-14 2020-08-14 How the chip is manufactured

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022032829A true JP2022032829A (en) 2022-02-25
JP7479243B2 JP7479243B2 (en) 2024-05-08

Family

ID=80350144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020137064A Active JP7479243B2 (en) 2020-08-14 2020-08-14 How the chip is manufactured

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7479243B2 (en)
KR (1) KR20220021860A (en)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003320466A (en) 2002-05-07 2003-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd Processing machine using laser beam
JP2011129606A (en) 2009-12-16 2011-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Method of processing semiconductor wafer
US8652940B2 (en) 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
JP6069960B2 (en) 2012-08-30 2017-02-01 凸版印刷株式会社 Manufacturing method of semiconductor package
WO2015076236A1 (en) 2013-11-19 2015-05-28 積水化学工業株式会社 Adhesive film for semiconductor bonding
JP2016092188A (en) 2014-11-04 2016-05-23 積水化学工業株式会社 Adhesive film for semiconductor wafer
JP2018152530A (en) 2017-03-15 2018-09-27 アズビル株式会社 Method of manufacturing semiconductor chip

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220021860A (en) 2022-02-22
JP7479243B2 (en) 2024-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI598950B (en) Wafer processing methods
JP4471632B2 (en) Wafer processing method
JP4890746B2 (en) Wafer processing method
US9779993B2 (en) Wafer processing method including attaching a protective tape to a front side of a functional layer to prevent debris adhesion
JP4694845B2 (en) Wafer division method
TWI606502B (en) Wafer processing method
JP5608521B2 (en) Semiconductor wafer dividing method, semiconductor chip and semiconductor device
US9209085B2 (en) Wafer processing method
TW201133716A (en) Processing method of wafer
TW201724243A (en) Wafer processing method
JP5992731B2 (en) Wafer processing method
KR20140095424A (en) Wafer machining method
KR20160088808A (en) Wafer processing method
JP6257365B2 (en) Wafer processing method
KR20180048376A (en) Method for processing wafer
JP7479243B2 (en) How the chip is manufactured
US9455149B2 (en) Plate-like object processing method
JP7149077B2 (en) Wafer division method
JP7208062B2 (en) Device chip forming method
CN114256146A (en) Method for manufacturing device chip
JP2021019136A (en) Processing method of wafer
JP2024031485A (en) Device chip manufacturing method
JP7344695B2 (en) Chip manufacturing method
JP2022054894A (en) Wafer processing method
TW201503253A (en) Processing method of wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240423

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7479243

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150