JP2022001010A - 絶縁バリアを横断してスイッチを制御すること - Google Patents

絶縁バリアを横断してスイッチを制御すること Download PDF

Info

Publication number
JP2022001010A
JP2022001010A JP2021066202A JP2021066202A JP2022001010A JP 2022001010 A JP2022001010 A JP 2022001010A JP 2021066202 A JP2021066202 A JP 2021066202A JP 2021066202 A JP2021066202 A JP 2021066202A JP 2022001010 A JP2022001010 A JP 2022001010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
voltage
input
energy
energy transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021066202A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022001010A5 (ja
Inventor
シモーネ ファブロ,
Fabbro Simone
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Austria AG
Original Assignee
Infineon Technologies Austria AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Austria AG filed Critical Infineon Technologies Austria AG
Publication of JP2022001010A publication Critical patent/JP2022001010A/ja
Publication of JP2022001010A5 publication Critical patent/JP2022001010A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33569Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
    • H02M3/33576Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33507Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
    • H02M3/33523Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K2017/066Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6875Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081Power supply means, e.g. to the switch driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

【課題】絶縁バリアを横断してスイッチを制御する方法及び機器を提供する。【解決手段】機器200は、スイッチを活性化するために、絶縁装置208を介して電気的絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するために電気的絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチ216を動作させるエネルギ伝達装置206と、エネルギ伝達が活性状態にある場合に、入力側202の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換する電圧変換装置210と、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化する受動ターンオフ装置214と、を含み、エネルギ伝達が活性状態にある場合は、受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することを無効にする。【選択図】図2

Description

本開示は、絶縁バリアを介してスイッチを動作させる分野に関する。
様々な種類の装置が固体スイッチ等のスイッチを利用し得る。スイッチは装置のパワードメインから制御され得る。パワードメインは、スイッチが位置する装置の領域に対して絶縁され得る。絶縁は光絶縁バリアを使用することによって達成される。光絶縁バリアは、パワードメインを含む装置の第1の側とスイッチを含む装置の第2の側との間の装置内に配置される。光絶縁バリアを介してスイッチを制御するために、光絶縁バリアを横断して情報及び/又はエネルギを送る必要がある。不都合なことに、光絶縁スイッチを製造することに関連する非常に高い製造コストがある。
どちらも統合機能を必要とする容量結合又は変圧器結合に基づくガルバニック絶縁を使用する光絶縁の代替策等、既存の多くの解決策は様々な欠点を有する。そのような1つの欠点は、絶縁バリアの1つ又は複数の側に追加の決まった電源ピンが必要なことである。別の欠点は、絶縁バリアと固体スイッチとを同じパッケージ内に統合できないことである。更に別の欠点は、光学式カプラ又は固体リレー等の固体スイッチを駆動するために作られた他の絶縁装置とのピン互換を提供できないことである。更に既存の絶縁ソリューションは、絶縁バリアの入力側(例えばパワードメインが位置する第1の側)における電圧よりも高い電圧を絶縁バリアの出力側(例えばスイッチが位置する第2の側)の上で常に生成できるわけではない。このことは利用可能なスイッチの種類を大幅に制約し限定し、その理由はかかるスイッチが、スイッチを動作させるために使用される電圧に対して極めて低い場合がある入力電圧範囲に適合する閾値電圧を有さなければならないからである。容量性絶縁に関する1つの欠点は、絶縁バリアの2つの側の電位を反対方向に素早く動かし得る絶縁バリアの2つの側の間の同相過渡電圧耐性である。一部の製品はこれらの絶縁ソリューション及び/又はその機能の1つ又は複数を組み合わせる場合があるが、上記で述べた欠点の全てに同時に対処する現行製品はない。
この概要は、以下の詳細な説明の中で更に説明する一連の概念を単純化した形で紹介するために示す。この概要は、特許請求の範囲に記載の内容の主要な要素又は必須の特徴を識別することを意図せず、特許請求の範囲に記載の内容の範囲を限定するために使用されることも意図しない。
本明細書で示す技法の一実施形態では方法が提供される。この方法は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるステップを含む。電圧変換装置が、入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換する。エネルギ伝達が活性状態にある場合、受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することが無効にされる。受動ターンオフ装置は、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化する。
本明細書で示す技法の一実施形態では機器が提供される。この機器は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるための手段を含む。この機器は、入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換するための手段を含む。この機器は、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化するための手段を含む。この機器は、エネルギ伝達が活性状態にある場合にスイッチの非活性化を無効にするための手段を含む。
本明細書で示す技法の一実施形態では機器が提供される。この機器は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置を含む。この機器は、エネルギ伝達が活性状態にある場合に入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換するように構成される電圧変換装置を含む。この機器は、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置を含む。この機器は、エネルギ伝達が活性状態にある場合に受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することを無効にするように構成される負電荷ポンプを含む。
本明細書で示す技法の一実施形態では機器が提供される。この機器は、スイッチを活性化するために、絶縁装置を介して電気的絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するために電気的絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置を含む。この機器は、エネルギ伝達が活性状態にある場合に入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換するように構成される電圧変換装置を含む。この機器は、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置を含み、エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することが無効にされる。
上記の及び関係する目的を達成するために、以下の説明及び添付図面は特定の例示的な態様及び実装を記載する。これらは1つ又は複数の態様を使用することができる様々なやり方のほんの幾つかを示すに過ぎない。添付図面と組み合わせて検討したとき、本開示の他の態様、利点、及び新規の特徴が以下の詳細な説明から明らかになる。
本明細書で示す技法による、絶縁装置を介してスイッチを動作させる方法の一例の説明図である。 本明細書で示す技法による、絶縁装置を介してスイッチを動作させるための機器を示すコンポーネントブロック図である。 本明細書で示す技法による、フライバックコンバータと、絶縁装置を介してスイッチを動作させるための変圧器であって、スイッチは機器によって制御される、変圧器と、負電荷ポンプと、受動ターンオフ装置としてのデプレッションNMOSとを有する機器を示すコンポーネントブロック図である。 本明細書で示す技法による、電圧増倍器と、絶縁装置を介してスイッチを動作させるための変圧器であって、スイッチは機器によって制御される、変圧器と、負電荷ポンプと、受動ターンオフ装置としてのデプレッションNMOSとを有する機器を示すコンポーネントブロック図である。 本明細書で示す技法による、電圧増倍器と、絶縁装置を介してスイッチを動作させるための容量結合であって、スイッチは機器によって制御される、容量結合と、負電荷ポンプと、受動ターンオフ装置としてのデプレッションNMOSとを有する機器を示すコンポーネントブロック図である。
次に特許請求の範囲に記載する内容を図面に関して説明し、全体を通して同様の要素を指すために同様の参照番号を使用する。以下の説明では、特許請求の範囲に記載する内容の完全な理解を与えるために数多くの具体的詳細を説明目的で記載する。但し、特許請求の範囲に記載する内容はそれらの具体的詳細なしに実践できることが明らかであり得る。他の例では、特許請求の範囲に記載する内容の説明を容易にするために、よく知られている構造及び装置をブロック図形式で示す。
電子機器の分野では、装置は装置のパワードメイン領域等、スイッチから絶縁されるべき装置の領域から制御されるスイッチを含む。スイッチを動作させる能力は、容量結合、コア変圧器若しくはコアレス変圧器等の変圧器又は他の任意の種類の変圧器、又は他の電気的絶縁バリアを利用することによって等、電気的絶縁を使用することによって改善される。電気的絶縁バリアは装置内にトポロジの差異又はペナルティを生じさせないやり方で使用することができ、従って装置のサイズ、パッケージ、又はピン配列等における顕著な違いを生じさせることなしに本装置を他の既存の装置と容易に交換することができる。例えば電気的絶縁バリアの何れかの側で特定の電源を設けるためにさもなければ使用される追加のピンが不要なのでピン互換が提供される。
本明細書で提供する技法及び機器は、装置の第1の側(例えばパワードメイン領域が位置する側)からスイッチが位置する装置の第2の側に電気的絶縁バリアを介して十分なエネルギ量を伝えることができる。エネルギは一連のスイッチングサイクル中に伝達され、そのため固体スイッチ等のスイッチを十分な速度で及び第2の側からの追加のエネルギを必要とせずに適切且つ確実にオンにすることができる。更にスイッチへの電力は、電気的絶縁バリアを横断してエネルギを伝達する必要なしに及び外部コンポーネントを必要とすることなしに十分な速度で安全にオフにされる。
一実施形態では、電気的絶縁バリア等の絶縁バリアを横断する統合エネルギ伝達プロセスが提供される。出力側に位置する固体スイッチ等のスイッチを適切に、完全に、及び安全にオンにすることを保証するために、エネルギが絶縁バリアの入力側から絶縁バリアの出力側に伝えられる。エネルギ伝達が活性状態にある又は非活性状態にある一連のスイッチングサイクル中にエネルギが伝達される。スイッチは十分な速度で及び出力側からの追加のエネルギを必要とせずにオンにされる。スイッチをこのようにオンにすることは、絶縁バリアによって認められるエネルギ損失に適合するやり方で出力側に伝達するために絶縁バリアの両端間で電磁エネルギを貯蔵及び放出するために使用されるオンオフキーイング技法を実行することによって達成される。オンオフキーイングは入力側における高周波パルス駆動で構成され、入力電源と入力グランドとの間の駆動がスイッチングパターンと共に絶縁バリアの入力端子に適用される。エネルギ伝達プロセスを中断するために、絶縁バリア内で電流の流れが生じないようにスイッチングパターンが停止される。この統合エネルギ伝達プロセスを実行するために様々な種類のエネルギ伝達装置を利用することができる。
一実施形態では、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、又は他の種類のスイッチ等、様々な種類のスイッチが使用可能であることを保証するのに十分高い出力電圧を出力側で生成することができる。出力電圧は、入力側で使用される入力電圧よりも相対的に高くあり得る。出力電圧を相対的に高くすることは、フライバックコンバータ、電圧増倍器(例えばコックロフトウォルトン電圧増倍器)、又は他の種類の電圧変換装置等、出力側に結合され得る様々な電圧ブースト整流トポロジを利用することによって達成することができる。電圧変換装置はスイッチのゲートを駆動することができる出力電圧に到達するために使用することができ、かかる出力電圧は入力側で使用されるよりも高い電圧であり得る。電圧変換装置のパワー変換プロセスを活性化することは、一次側におけるオンオフキーイングに従って活性化され制御される。一実施形態では、スイッチのための電流検出又は温度検出等の一部の補助機能が、電圧変換装置によって提供される出力電圧によって出力側で給電され得る。
一実施形態では、高信頼の受動ターンオフ経路がスイッチのゲート用に設けられる。この受動ターンオフ経路は、能動的に駆動されていなくても(例えば能動的に給電されていなくても)導電チャネルを有するデプレッションMOSFET(例えばnチャネルデプレッションMOSFET又はpチャネルデプレッションMOSFET)又は他の種類の受動ターンオフ装置等の様々な集積技術の選択肢を利用することによって達成され得る。受動ターンオフ装置は、入力側から出力側にエネルギ伝達が行われていない間、スイッチを確実に受動ターンオフすることが可能であり得る。
一実施形態では、エネルギ伝達プロセスが開始するや否や受動ターンオフ装置を素早く且つ確実に非活性化することができる。受動ターンオフ装置の活性化及び非活性化は、入力側又は出力側からの追加のエネルギを必要とすることなしに行われる。受動ターンオフ装置の非活性化は、絶縁バリアに結合される(例えば絶縁バリアとして使用される変圧器の二次巻線に結合される)負電荷ポンプによって出力側において負電圧を発生させるオンオフキーイングプロセスによって達成され得る。一実施形態では、負電荷ポンプにより、オンオフキーイングプロセスが開始するや否やデプレッションMOSFET(例えばデプレッションnチャネルMOSFET)等の受動ターンオフ装置のゲートをそのソース未満に能動的に駆動してデプレッションMOSFETの導電を防ぐことができる。このようにしてデプレッションMOSFETが非活性化される。このことはスイッチを駆動する立ち上がり電圧がスイッチをオンにすることを可能にする。オンオフキーイングプロセスが停止すると、負電荷ポンプの負荷が出力において負電圧を放電し、デプレッションMOSFETの導電を再び可能にする。具体的には、受動放電素子(例えばデプレッションMOSFETのソースとゲートとを接続する抵抗器)がデプレッションMOSFETのソース及びゲートを同じ電圧にし、それによりデプレッションMOSFETを活性化する。エネルギ伝達が停止すると、負電荷ポンプによって前に生成された電圧を受動放電素子が適切な時定数でゼロにする。一実施形態では、デプレッションnチャネルMOSFETとは対照的にデプレッションpチャネルMOSFETを制御するための正電圧を生成するために、電荷ポンプを利用することができる。
このようにして、トポロジの差異又はペナルティを生じさせることなしに固体スイッチ等のスイッチの確実、安全、且つ素早い制御を可能にするやり方で電気的絶縁が装置に与えられる。
絶縁バリアを横断してスイッチを制御する一実施形態を図1の例示的方法100によって示し、図2〜図4Bに関して更に説明する。図2の装置200等の機器は、装置200の入力側202を装置200の出力側216と絶縁する絶縁装置208を含む。絶縁装置208は、装置200の入力側202と出力側216との間の電気的絶縁を与える電気的絶縁装置を含み得る。一実施形態では、絶縁装置208がコアレス変圧器又はコア変圧器等の変圧器(例えば図3の変圧器310及び図4の変圧器404)を含む。一実施形態では、絶縁装置208が容量結合(例えば図4Bの容量結合456)を含む。絶縁装置208は、入力側202と出力側216との間のガルバニック絶縁をもたらす。
入力側202は入力ソース204を含む。入力ソース204は、入力側202のための入力電圧を供給する入力パワードメインに関連し得る。入力側202は、1つ又は複数の入力スイッチ218(例えば図3の単一の入力スイッチSWin 304、又は図4A及び図4Bの第1の入力スイッチSW1A 418、第2の入力スイッチSW1B 422、第3の入力スイッチSW2A 420、及び第4の入力スイッチSW2B 424)を含み得る。入力側202は、装置200の出力側216に位置するスイッチ212を制御するために、1つ又は複数の入力スイッチ218を動作させて、絶縁装置208を介して出力側216にエネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するように構成されるエネルギ伝達装置206を含む。複数のスイッチングサイクルは、エネルギ伝達が活性状態にある又は非活性状態にある一連のスイッチングサイクルに対応する。エネルギ伝達装置206は、スイッチ212を活性化するために、スイッチングサイクル中に絶縁装置208を介してエネルギを伝達するための周波数(例えばスイッチング周波数)及びデューティサイクルに従って1つ又は複数のスイッチ218を動作させることができる。一実施形態では、スイッチ212を動作させるために絶縁装置208を介してエネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するために、エネルギ伝達装置206によってオンオフキーイング技法が利用される。
従って102で、スイッチ212を活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置208を介してエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って1つ又は複数の入力スイッチ218を動作させる。一実施形態では、決定された周波数及びデューティサイクルに従って1つ又は複数の入力スイッチ218を動作させることによってオンオフキーイングが適用される。スイッチングサイクル内で絶縁装置208(例えば変圧器)の一次巻線を通る電流の流れを限定するために、周波数は十分高い値に設定することができる。出力側216の電圧変換装置210としてフライバックコンバータ(例えば図3)が利用されるのか又は電圧増倍器(例えば図4A及び図4B)が利用されるのかにもよるが、様々なデューティサイクルが利用され得る。例えば電圧増倍器ではデューティサイクルを50%に設定することができ、エネルギはプッシュ/プル方式に従ってエネルギ伝達装置206によって駆動される。この例では、絶縁装置208の上部端子から絶縁装置208の下部端子に入力電流が流れる第1のフェーズをスイッチングサイクルが含む。スイッチングサイクルは、下部端子から上部端子に入力電流が流れる第2のフェーズを含む。フライバックコンバータでは、絶縁装置208の両端間のインダクタンスが飽和点に達しないように又は信頼性問題が発生しないように、デューティサイクルをスイッチング周波数に基づいて設定することができる。
1つ又は複数の入力スイッチ218がエネルギ伝達装置206によってオフに保たれる場合、エネルギの伝達は行われない。1つ又は複数のスイッチ218がエネルギ伝達装置206によってオンにされる場合、スイッチ212をオンにするためにエネルギが絶縁装置208を介して出力側216に伝達される。このようにして、エネルギ伝達が活性状態にある又は非活性状態にある一連のスイッチングサイクルが実行される。
装置200は、装置200の出力側216に位置する電圧変換装置210を含む。電圧変換装置210は、フライバックコンバータ(例えば図3)、コックロフトウォルトン電圧増倍器等の電圧増倍器(例えば図4A及び図4B)、又は他の電圧変換装置を含む。電圧変換装置210は、入力ソース204に関連する入力電圧からスイッチ212をオンにする等、スイッチ212を制御することができる出力電圧にエネルギ伝達装置206によって伝達されるエネルギを変換するように構成され得る。一実施形態では、電圧変換装置210は、スイッチ212をオンにする(例えば固体スイッチのゲートをオンにする)ことができる出力電圧として入力電圧を相対的に高い電圧に変換することができる。このようにして、入力ソース204に関連する相対的に低い入力電圧ではさもなければ動作できない/かかる入力電圧にさもなければ適合しない可能性がある様々な種類のスイッチ212を使用することができる。エネルギ伝達装置206によるエネルギ伝達が活性状態にある場合に電圧変換装置210は出力電圧を出力する。従って104で、エネルギ伝達が活性状態にある場合、入力側202の入力電圧からスイッチ212を制御するための出力電圧へとエネルギを変換する。
装置200は、装置200の出力側216において受動ターンオフ装置214(例えば図3の受動ターンオフ装置318並びに図4A及び図4Bの受動ターンオフ装置428)を含む。一実施形態では、受動ターンオフ装置214がデプレッションMOSFET(例えばデプレッションnチャネルMOSFET又はデプレッションpチャネルMOSFET)を含む。スイッチ212をさもなければ活性化するためにエネルギ伝達装置206によってエネルギ伝達が行われていない場合、受動ターンオフ装置214がスイッチ212を受動的に(例えば受動ターンオフ装置214が給電される必要なしに)非活性化してスイッチ212をオフにする。例えばエネルギ伝達がない場合、出力側216のコンデンサが放電され、従って受動ターンオフ装置214のソース及びゲートが同じ/同様の電位にあり、そのことは受動ターンオフ装置214のソースとドレインとの間に導電チャネルを作り出す。導電チャネルは、(例えばスイッチ212のゲートをスイッチ212のソースに短絡させることによって)スイッチ212をオフにするためにスイッチ212のゲートとソースとの間にターンオフ強度を適用する受動ターンオフ装置214のディメンションに応じてサイズが決まる抵抗器のように機能する。このようにして、受動ターンオフ装置214は、エネルギ伝達が行われていない場合にパワーで能動的に駆動されることなしにスイッチ212を受動的に非活性化する。
エネルギ伝達が活性状態にある場合、受動ターンオフ装置214はスイッチ212を受動的に非活性化することを無効にされ得る。一実施形態では、エネルギ伝達が活性状態にある場合に受動ターンオフ装置214がスイッチ212を受動的に非活性化することを無効にするために、電荷ポンプ220(例えばデプレッションpチャネルMOSFETのための正電荷ポンプ、又は図3の負電荷ポンプ324等のデプレッションnチャネルMOSFETのための負電荷ポンプ)を利用することができる。デプレッションnチャネルMOSFETでは、エネルギ伝達が活性状態にある場合にデプレッションnチャネルMOSFETがスイッチ212を受動的に非活性化することを無効にするように、負電圧を使用してデプレッションnチャネルMOSFETのゲートを能動的に下方に駆動するために負電荷ポンプを利用する。このようにして106で、エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置214がスイッチ212を受動的に非活性化することを無効にする。エネルギ伝達が非活性状態にある場合、負電荷ポンプの出力における負荷が負電圧を放電して、デプレッションnチャネルMOSFETがスイッチ212を受動的に非活性化することを可能にする。スイッチング活動がない場合、負電荷ポンプは非活性状態にある。このようにして108で、エネルギ伝達が非活性状態にある場合は受動ターンオフ装置214がスイッチ212を受動的に非活性化することを可能にする。
図3は、絶縁バリアを介してスイッチ320を動作させるための機器300の一実施形態を示す。機器300は、機器300の入力側312を機器300の出力側314と電気的に絶縁すること等の絶縁するための絶縁バリアとして動作する変圧器310を含む。スイッチ320は機器300の出力側314に位置する。入力ソース302及び入力スイッチ304は機器300の入力側312に位置する。スイッチ320、受動ターンオフ装置318(例えばデプレッションpチャネルMOSFET)、電圧変換装置(例えばエネルギ伝達が行われているかどうかに応じて順方向に又は逆方向にバイアスされるダイオードD1 316を利用するフライバックコンバータ)、及び負電荷ポンプ324は機器300の出力側314に位置する。負電荷ポンプ324は、抵抗R1(抵抗器R1)、等価静電容量Cg1、及び/又はダイオードD2を含み得る。
スイッチ320を動作させるために入力側312から出力側314にエネルギ(例えば入力ソース302によって生成されるエネルギ)を伝達するための一連のスイッチングサイクルを実行するために、オンオフキーイングを入力側312で実行して入力スイッチ304を動作させる。一実施形態では、変圧器310の一次側306の下部端子を駆動するために入力スイッチ304がスイッチングサイクルの開始時にオンにされる。このことは、変圧器310の等価磁化インダクタンスLm内に流れる磁化電流Im326を作り出す。入力スイッチ304がオンである限り変圧器310の磁化電流Im326は増加し続ける。変圧器310に関して磁化電流Im326が変圧器の飽和に達しないように又は変圧器の信頼性問題を招かないように、入力スイッチ304をオンオフ切り替えるためのデューティサイクルがスイッチング周波数に基づいて設定される。入力スイッチ304がオンにされ磁化電流Im326が変圧器310の一次巻線内に流れ続ける間、一次巻線に印加される電圧に対して逆の電圧を与える変圧器310の二次巻線がダイオードD1 316を逆バイアスに保ち、そのためスイッチ320のゲートに向けて電流は流れていない。デューティサイクルのこのフェーズの後、入力スイッチ304がオフにされ、変圧器310の一次側306の下部端子がフロートされたままになる。
変圧器310内に貯蔵される(例えば入力スイッチ304がオンにされた前のフェーズで達したピーク磁化電流Imに対応する)磁気エネルギが変圧器310の二次側308によって出力され、減磁電流を引き起こす。従って、貯蔵磁気エネルギは変圧器310の二次側308に現れる減少Idm(例えば変圧器310内に貯蔵される磁気エネルギ)によって放出される一方、二次側308における電圧は一次側における一次電圧に反映される。ダイオードD1 316は順方向にバイアスされ、Idmが消滅するまで又は次のスイッチングサイクルの始まりが生じるまでスイッチ322のゲートに等価静電容量Cg2 322(例えばスイッチ320のゲート静電容量の表現)が充電される。変圧器310の一次側306から二次側308への各電荷パケットは、等価静電容量Cg2 322にわたる電圧閾値に達するまでCg2の両端間の電圧を上げ、かかる閾値に達することはダイオードD1 316のそれ以上の順方向バイアスを可能にしない。
一実施形態では、より高い出力電圧を得るために変圧器310の巻数比を変えることができる。このようにして、エネルギ伝達が開始すると、等価静電容量Cg2 322のトッププレートの電圧(例えば出力電圧)を引き上げ、等価静電容量Cg1(例えばデプレッションnチャネルMOSFETにおけるゲート静電容量)のボトムプレートの電圧を引き下げるダイオードD1 316を通るエネルギ及びダイオードD2を通るシンク電流があり、それにより等価静電容量Cg2 322の両端間の電圧がダイオードD1 316によるエネルギ伝達によって高まる間、受動ターンオフ装置318がスイッチ320を非活性化することが無効にされる(例えば受動ターンオフ装置318がエネルギ伝達中は無効にされる)。等価静電容量Cg1は、受動ターンオフ装置318のゲート静電容量を表す。一次側のスイッチングが活性状態にある(例えばオンオフキーイングが活性状態にある)場合、受動ターンオフ装置318の等化ゲート静電容量Cg1を十分にポンプする負電荷ポンプ324の能力に悪影響を及ぼさない特定の量の負荷(例えば閾値負荷未満の負荷)として抵抗R1(抵抗器R1)を使用し、そのため受動ターンオフ装置318のゲート電圧は受動ターンオフ装置318のソース電圧よりも負である。つまり、負電荷ポンプ324に負荷をかけ過ぎないように負荷閾値未満の負荷として使用されるよう抵抗R1を設定することができるので、負電荷ポンプ324に負荷をかける間、抵抗R1は負電荷ポンプ324が受動ターンオフ装置318を無効にすることを妨げない。一次側のスイッチングが停止する(例えばオンオフキーイングが非活性状態にある)や否や、負電荷ポンプ324は受動ターンオフ装置318のゲート電圧をソース電圧よりも負にそれ以上ポンプすることができない。従って、抵抗R1は等価静電容量Cg1を放電し始めることができ、それにより等価静電容量Cg1のゲート及びソースを再び同じ電圧にする。
抵抗R1は少なくとも閾値抵抗を有するべきなので、抵抗R1は設計パラメータに対応し、それにより一次側のスイッチングが活性状態にある(例えばオンオフキーイングが活性状態にある)間、負電荷ポンプ324にさもなければ負荷がかかり過ぎることによって受動ターンオフ装置318のゲートをソースに対して引き下げることが邪魔される及び/又は妨げられる不所望の結果を伴って負電荷ポンプ324に負荷がかかり過ぎることがなくなる。同時に、一次側のスイッチングが停止する(例えばオンオフキーイングが非活性状態にある)場合、抵抗R1は等価静電容量Cg1を妥当な時間で放電するのに十分低いものとする。抵抗R1によって決定される等価静電容量Cg1の放電時間はスイッチ320のオフ速度を決定する。従って抵抗R1のサイズは、受動ターンオフ装置318の非活性化効率とスイッチ320のターンオフ速度との間の得失評価によって得られる。
変圧器310の飽和を回避するためにフライバックコンバータを不連続導通モード(DCM)で動作させ、それによりスイッチングサイクル間でエネルギを蓄積することなしにIdm(例えば変圧器310内に貯蔵される磁気エネルギ)が各スイッチングサイクル後に0まで放電される。従って、入力スイッチ304がオンにされている間Imが高くなり過ぎず、入力スイッチ304がオフの場合にIdmが完全に放電されるように入力スイッチ304のデューティサイクルが設定される。ダイオードD1 316が逆バイアスされるとき順方向バイアスダイオードD1 316内に流れる全ての電流が消滅するので、かかる設定はダイオードD1 316の逆回復損失を防ぐ。
フライバックコンバータは電圧変換装置として利用される。フライバックコンバータは、入力電圧からスイッチ320を制御するための出力電圧へとエネルギを変換する。このようにして、等価静電容量Cg2 322の両端間の電圧(例えば出力電圧)は入力ソース302の入力電圧よりも相対的に大きくあり得る。
スイッチ320の受動ターンオフを確実にするために、受動ターンオフ装置318(例えばデプレッションnチャネルMOSFET)を等価静電容量Cg2 322と並列に使用する。エネルギ伝達が活性状態になく入力スイッチ304がオフである静かな定常状態の間、コンデンサ(例えば等価静電容量)が放電される。従ってデプレッションnチャネルMOSFETにおけるソース及びゲートが同じ電位にあり、ソースとドレインとの間に導電チャネルがある。この導電チャネルは、デプレッションnチャネルMOSFETのディメンションに基づいてサイズが決まる抵抗器のように機能し、スイッチ320を非活性化する(例えばスイッチ320のゲートとソースとの間にターンオフ強度が適用される)。オンオフキーイングが入力スイッチ304をオンにし始めてエネルギ伝達を開始するときデプレッションnチャネルMOSFETは非活性化され、それにより等価静電容量Cg2 322における電圧を0からスイッチ320を確実にオンにするための所要電圧まで上げることができる。
入力スイッチ304がオンの間、ダイオードD1 316が逆バイアスされダイオードD2が順方向にバイアスされ、等価静電容量Cg1(例えばデプレッションnチャネルMOSFETにおけるゲート静電容量)の負電荷をもたらす。入力スイッチ304がオフの間、ダイオードD1 316が順方向にバイアスされダイオードD2が逆バイアスされる一方、等価静電容量Cg1は抵抗R1等の受動放電素子に起因する放電率に適合して電荷及び電圧を保ち続け/保持し続ける。従って、スイッチングサイクルごとにデプレッションnチャネルMOSFET(受動ターンオフ装置318)のゲートを抵抗R1の負荷に適合してソース電位未満に負のポンピングをし、デプレッションnチャネルMOSFET(受動ターンオフ装置318)を非活性化すること及びその後オンにされるスイッチ320の駆動電圧を上げることをもたらすことができる。入力スイッチ304をオフにするためにオンオフキーイングによるスイッチング活動が停止されると、抵抗R1がデプレッションnチャネルMOSFET(受動ターンオフ装置318)を放電し、それによりスイッチ320をオフにするためにデプレッションnチャネルMOSFET(受動ターンオフ装置318)が導電性を有するようになる。
図4Aは、絶縁バリアとして使用される変圧器404を介してスイッチ432を動作させるための機器400の一実施形態を示し、図4Bは、絶縁バリアとして使用される容量結合456を介してスイッチ432を動作させるための機器400の一実施形態を示す。図4Aの変圧器404は、機器400の入力側402に接続される一次側412及び機器400の出力側406に接続される二次側410を含む。図4Bの容量結合456は、機器400の入力側402と出力側406との間に配置される第1のコンデンサ452及び第2のコンデンサ454等の1つ又は複数のコンデンサを含む。これらの絶縁バリアは、機器400の入力側402と出力側406との間の電気的絶縁を与える。
機器400は、入力側402の入力電圧からスイッチ432を制御するための出力電圧へとエネルギ(例えば入力ソース416から絶縁バリアを介して出力側406に伝送されるエネルギ)を変換するための電圧変換装置として電圧増倍器414(例えばコックロフトウォルトン増倍器)を利用する。電圧増倍器414は1つ又は複数の段を含む。各段はダイオード及びコンデンサ/静電容量(例えば第1段としてのコンデンサCP1及びダイオードD2、第2段としてのコンデンサCP2及びダイオードD3、第3段としてのコンデンサCP3及びダイオードD4等)を含む。電圧増倍器414は入力電圧を出力電圧に変換し、出力電圧はスイッチ432をオンにするために入力電圧よりも高い電圧であり得る。
機器400は、出力側406においてスイッチ432をオンにする等、スイッチ432を制御するために、一連のスイッチングサイクルを実行して入力側402から出力側406にエネルギを伝達するためのオンオフキーイングによって制御される第1の入力スイッチSW1A 418、第2の入力スイッチSW1B 422、第3の入力スイッチSW2A 420、及び第4の入力スイッチSW2B 424等、入力側402に位置する1つ又は複数の入力スイッチを含み得る。
1つ又は複数の入力スイッチは、絶縁バリアの入力側402(例えば図4Aの変圧器404の一次側412、又は図4Bの容量結合456の第1のコンデンサ452及び第2のコンデンサ454の入力側)をプッシュ/プル方式で駆動するように動作させられる。スイッチングサイクルの第1のフェーズ中、絶縁バリアの上部端子(例えば変圧器404の一次側412の上部端子への入力側402上の接続、又は容量結合456の第1のコンデンサ452への入力側402上の接続)から絶縁バリアの下部端子(例えば変圧器404の一次側412の下部端子への入力側402上の接続、又は容量結合456の第2のコンデンサ454への入力側402上の接続)に入力電流が流れる。具体的には、上部端子が引き上げられ下部端子が引き下げられる。コンデンサCP1、コンデンサCP3、及びコンデンサCP5はダイオードD2、ダイオードD4、及びダイオードD6によって充電される一方、ダイオードD3及びダイオードD5は逆バイアスされる。スイッチングサイクルの第2のフェーズ中、絶縁バリアの下部端子から上部端子に電流が流れる。具体的には、上部端子が引き下げられ下部端子が引き上げられる。コンデンサCP2及びコンデンサCP4はダイオードD3及びダイオードD5によって充電される一方、ダイオードD2、ダイオードD4、及びダイオードD6は逆バイアスされる。対称性を得るために50%のデューティサイクルを設定することができる。絶縁バリアが飽和に達すること/飽和を上回ることを引き起こさない周波数値、及び/又は信頼性問題を生じさせない周波数値へとスイッチング周波数を各フェーズ中に設定することができる。
図3の機器300と同様に、図4A及び図4Bの機器400はスイッチ432と、受動ターンオフ装置428(例えばデプレッションnチャネルMOSFET)と、等価静電容量Cg2 430(例えばスイッチ432のゲート静電容量の表現)と、デプレッションnチャネルMOSFETにおけるゲート静電容量等の等価静電容量Cg1、抵抗R1等の受動放電素子、及び図3のダイオードD2と同様のダイオードD1を含む機器400の出力側406に位置する電荷ポンプ408とを含む。機器400のこれらのコンポーネント/要素は、スイッチ432をオンオフするために機器300の対応するコンポーネント/要素と同様に動作することができる。
本明細書で示した方法及び機器は、絶縁バリアを横断して固体スイッチ又は他の種類のスイッチ等のスイッチを制御することができる。スイッチは、スイッチが位置する絶縁バリアの出力側において追加のエネルギを消費することなしにオンオフすることができる。絶縁バリアは、絶縁バリアの入力側と絶縁バリアの出力側との間の電気的絶縁を与える。電気的絶縁は、トポロジの差異又はペナルティを生じさせることなしに与えられる。機器が同様の/同じサイズ、パッケージ、及び/又はピン配列を有するので、このことは電気的絶縁を伴う機器を他の装置と簡単に交換することを可能にする。この方法及び機器は、コンピュータ、モバイル装置、電子装置、スイッチを利用する装置等の任意の種類の装置に対して実装できることが理解され得る。
本明細書で開示した技法の一実施形態は方法を含む。この方法は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるステップを含み、電圧変換装置は入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換し、エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することが無効にされ、受動ターンオフ装置はエネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化する。
一部の実施形態によれば、この方法は、エネルギ伝達が活性状態にある場合に受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することを無効にするように、負電圧を使用して受動ターンオフ装置のゲートを能動的に下方に駆動するために出力側において負電荷ポンプを利用するステップを含む。
一部の実施形態によれば、負電荷ポンプが受動ターンオフ装置を非活性化するために受動ターンオフ装置のソース未満に受動ターンオフ装置のゲートをポンプし、ソースとゲートとを同じ電圧にするために受動放電素子が負電荷ポンプに負荷をかける。
一部の実施形態によれば、1つ又は複数の入力スイッチを動作させるステップが、スイッチを動作させるために絶縁装置を介してエネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するためにオンオフキーイング技法を利用するステップを含む。
一部の実施形態によれば、受動ターンオフ装置がデプレッションMOSFETを含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が電圧増倍器を含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置がフライバックコンバータを含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が入力電圧よりも高いように出力電圧を生成する。
一部の実施形態によれば、絶縁装置が変圧器を含む。
一部の実施形態によれば、絶縁装置が容量結合を含む。
本明細書で開示した技法の一実施形態は機器を含み、この機器は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるための手段を含み、電圧変換装置は入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換し、エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することが無効にされ、受動ターンオフ装置はエネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化する。
本明細書で開示した技法の一実施形態は機器を含む。この機器は、スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置と、エネルギ伝達が活性状態にある場合に入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換するように構成される電圧変換装置と、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置と、エネルギ伝達が活性状態にある場合に受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することを無効にするように構成される負電荷ポンプとを含む。
一部の実施形態によれば、エネルギ伝達装置が絶縁装置の入力側に位置し、受動ターンオフ装置、負電荷ポンプ、及びスイッチが絶縁装置の出力側に位置する。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が電圧増倍器を含み、絶縁装置が変圧器を含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が電圧増倍器を含み、絶縁装置が容量結合を含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置がフライバックコンバータを含み、絶縁装置が変圧器を含む。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が電圧増倍器を含み、エネルギ伝達装置がプッシュ/プル方式で絶縁装置にエネルギを駆動するように構成され、スイッチングサイクルが絶縁装置の上部端子から絶縁装置の下部端子に入力電流が流れる第1のフェーズ、及び下部端子から上部端子に入力電流が流れる第2のフェーズを含む。
本明細書で開示した技法の一実施形態は機器を含む。この機器は、スイッチを活性化するために、絶縁装置を介して電気的絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するために電気的絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置と、エネルギ伝達が活性状態にある場合に入力側の入力電圧からスイッチを制御するための出力電圧へとエネルギを変換するように構成される電圧変換装置と、エネルギ伝達が非活性状態にある場合にスイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置であって、エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置がスイッチを非活性化することが無効にされる、受動ターンオフ装置とを含む。
一部の実施形態によれば、電気的絶縁装置が入力側と出力側との間のガルバニック絶縁を与える。
一部の実施形態によれば、絶縁装置を介してエネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するために、エネルギ伝達装置が第1のスイッチ、第2のスイッチ、第3のスイッチ、及び第4のスイッチを動作させるように構成される。
一部の実施形態によれば、電圧変換装置が1つ又は複数の段を含み、1つ又は複数の段のうちの或る段がダイオード及びコンデンサを含む。
構造上の特徴及び/又は方法論的な行為に固有の言語によって本内容を説明してきたが、添付の特許請求の範囲の中で定める内容は上記に記載した特定の特徴又は行為に必ずしも限定されないことを理解すべきである。むしろ上記で説明した特定の特徴及び行為は特許請求の範囲を実装する形態の例として開示した。
本願で使用するとき、「コンポーネント」、「モジュール」、「システム」、「インタフェース」等の用語は、概してハードウェア、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせ、ソフトウェア、又は実行中のソフトウェアというコンピュータに関係するエンティティを指すことを意図する。1つ又は複数のコンポーネントを1つのコンピュータ上に局所化することができ、及び/又は複数のコンピュータにわたって分散させることができる。
更に、特許請求の範囲に記載の内容は、コンピュータを制御して開示した内容を実装するためのソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はその任意の組み合わせをもたらすための標準的なプログラミング技法及び/又はエンジニアリング技法を使用する方法、機器、又は製品として実装することができる。本明細書で使用するとき、「製品」という用語は任意のコンピュータ可読装置、キャリア、又は媒体からアクセス可能なコンピュータプログラムを包含することを意図する。当然ながら、特許請求の範囲に記載の内容の範囲又は趣旨から逸脱することなしに多くの修正をこの構成に加えることができることを当業者なら理解されよう。
実施形態の様々な操作を本明細書に示してきた。一実施形態では、記載した操作の1つ又は複数が1つ又は複数のコンピュータ可読媒体上に記憶されるコンピュータ可読命令を構成することができ、かかる命令は計算装置によって実行される場合、記載した操作を計算装置に実行させる。操作の一部又は全てを記載した順序は、それらの操作が必ず順序に依存することを含意するように解釈すべきではない。本明細書の利益を得る当業者によって代替的な順序が理解されよう。更に、本明細書で示した各実施形態に全ての操作が必ずしもあるわけではないことが理解されよう。
本明細書で「例」として記載した如何なる態様又は設計も、他の態様又は設計よりも有利だと必ずしも解釈すべきではない。むしろ「例」という用語の使用は、本明細書で示した技法に関係し得る1つの可能な態様及び/又は実装を示すことを意図する。かかる例はそのような技法に必須ではなく、又は限定的であることも意図しない。かかる技法の様々な実施形態は、そのような例を単独で又は他の特徴と組み合わせて含むことができ、及び/又は示した例を変更すること及び/又は省略する場合がある。
本願で使用するとき、「又は」という用語は排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意味することを意図する。つまり別段の定めがない限り、又は文脈から明らかでない限り「XはA又はBを使用する」は自然で包含的な順序交換の何れかを意味することを意図する。つまり、XがAを使用する場合、XはBを使用し、又はXはA及びBの両方を使用し、「XはA又はBを使用する」は上記の例の何れの下でも満たされる。加えて、本願及び添付の特許請求の範囲で使用するとき「a」及び「an」の冠詞は、別段の定めがない限り又は単数形を指すことが文脈から明らかでない限り「1つ又は複数」を意味すると広く解釈することができる。更に、別段の定めがない限り「第1の」、「第2の」等は時間的側面、空間的側面、順序等を暗示することは意図していない。むしろかかる用語は特徴、要素、アイテム等のための識別語、名前等として使用するに過ぎない。例えば第1の要素及び第2の要素は、要素A及び要素B、又は2つの異なる要素若しくは2つの同一の要素、又は同じ要素に広く対応する。
更に、本開示を1つ又は複数の実装に関して図示し説明してきたが、本明細書及び添付図面を読むこと及び理解することに基づいて当業者なら等価の改変形態及び修正を思いつく。本開示はそのような全ての修正及び変更を含み、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。上記のコンポーネント(例えば要素、資源等)によって行われる様々な機能に特に関して、かかるコンポーネントを記載するために使用した用語は、別段の定めがない限り、開示した構造と構造上は等価でなくても、記載したコンポーネントの指定の機能を実行する(例えば機能的に等価である)本明細書で示した本開示の実装例の機能を実行する任意のコンポーネントに対応することを意図する。加えて、本開示の特定の特徴が幾つかある実装の1つだけに関して開示されている可能性があるが、かかる特徴は任意の所与の用途又は特定の用途にとって望ましく有利であり得るように、他の実装の1つ又は複数の他の特徴と組み合わせることができる。更に、「含む(includes)」、「有している(having)」、「有する(has)」、「と共に(with)」という用語又はその異形が詳細な説明又は特許請求の範囲の中で使用される限り、それらの用語は「含んでいる(comprising)」という用語と同様に包含的であることを意図する。
200 装置
202 入力側
204 入力ソース
206 エネルギ伝達装置
208 絶縁装置
210 電圧変換装置
212 スイッチ
214 受動ターンオフ装置
216 出力側
218 入力スイッチ
220 電荷ポンプ
300 機器
302 入力ソース
304 入力スイッチ
306 一次側
308 二次側
310 変圧器
312 入力側
314 出力側
316 ダイオード
318 受動ターンオフ装置
320 スイッチ
322 スイッチ
324 負電荷ポンプ
326 磁化電流Im
400 機器
402 入力側
404 変圧器
406 出力側
408 電荷ポンプ
410 二次側
412 一次側
414 電圧増倍器
416 入力ソース
418 第1の入力スイッチSW1A
420 第3の入力スイッチSW2A
422 第2の入力スイッチSW1B
424 第4の入力スイッチSW2B
428 受動ターンオフ装置
430 等価静電容量Cg2
432 スイッチ
452 第1のコンデンサ
454 第2のコンデンサ
456 容量結合

Claims (20)

  1. スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して前記絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って前記絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるステップを含む方法であって、電圧変換装置は前記入力側の入力電圧から前記スイッチを制御するための出力電圧へと前記エネルギを変換し、前記エネルギ伝達が活性状態にある場合は受動ターンオフ装置が前記スイッチを非活性化することが無効にされ、前記受動ターンオフ装置は前記エネルギ伝達が非活性状態にある場合に前記スイッチを受動的に非活性化する、
    方法。
  2. 前記エネルギ伝達が活性状態にある場合に前記受動ターンオフ装置が前記スイッチを非活性化することを無効にするように、負電圧を使用して前記受動ターンオフ装置のゲートを能動的に下方に駆動するために前記出力側において負電荷ポンプを利用するステップ
    を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記負電荷ポンプは前記受動ターンオフ装置を非活性化するために前記受動ターンオフ装置のソース未満に前記受動ターンオフ装置のゲートをポンプし、前記ソースと前記ゲートとを同じ電圧にするために受動放電素子が前記負電荷ポンプに負荷をかける、請求項2に記載の方法。
  4. 前記1つ又は複数の入力スイッチを動作させるステップが、
    前記スイッチを動作させるために前記絶縁装置を介して前記エネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するためにオンオフキーイング技法を利用するステップ
    を含む、請求項1に記載の方法。
  5. 前記受動ターンオフ装置がデプレッションMOSFETを含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記電圧変換装置が電圧増倍器を含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記電圧変換装置がフライバックコンバータを含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記電圧変換装置が前記入力電圧よりも高い前記出力電圧を生成する、請求項1に記載の方法。
  9. 前記絶縁装置が変圧器を含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記絶縁装置が容量結合を含む、請求項1に記載の方法。
  11. スイッチを活性化するために、一連のスイッチングサイクル中に絶縁装置を介して前記絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するための周波数及びデューティサイクルに従って前記絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置と、
    前記エネルギ伝達が活性状態にある場合に前記入力側の入力電圧から前記スイッチを制御するための出力電圧へと前記エネルギを変換するように構成される電圧変換装置と、
    前記エネルギ伝達が非活性状態にある場合に前記スイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置と、
    前記エネルギ伝達が活性状態にある場合に前記受動ターンオフ装置が前記スイッチを非活性化することを無効にするように構成される負電荷ポンプと
    を含む、機器。
  12. 前記エネルギ伝達装置が前記絶縁装置の前記入力側に位置し、前記受動ターンオフ装置、前記負電荷ポンプ、及び前記スイッチが前記絶縁装置の前記出力側に位置する、請求項11に記載の機器。
  13. 前記電圧変換装置が電圧増倍器を含み、前記絶縁装置が変圧器を含む、請求項11に記載の機器。
  14. 前記電圧変換装置が電圧増倍器を含み、前記絶縁装置が容量結合を含む、請求項11に記載の機器。
  15. 前記電圧変換装置がフライバックコンバータを含み、前記絶縁装置が変圧器を含む、請求項11に記載の機器。
  16. 前記電圧変換装置が電圧増倍器を含み、前記エネルギ伝達装置が
    プッシュ/プル方式で前記絶縁装置に前記エネルギを駆動するように構成され、前記スイッチングサイクルが前記絶縁装置の上部端子から前記絶縁装置の下部端子に入力電流が流れる第1のフェーズ、及び前記下部端子から前記上部端子に前記入力電流が流れる第2のフェーズを含む、請求項11に記載の機器。
  17. スイッチを活性化するために、絶縁装置を介して電気的絶縁装置の出力側にエネルギを伝達するために前記電気的絶縁装置の入力側の1つ又は複数の入力スイッチを動作させるように構成されるエネルギ伝達装置と、
    前記エネルギ伝達が活性状態にある場合に前記入力側の入力電圧から前記スイッチを制御するための出力電圧へと前記エネルギを変換するように構成される電圧変換装置と、
    前記エネルギ伝達が非活性状態にある場合に前記スイッチを受動的に非活性化するように構成される受動ターンオフ装置であって、前記エネルギ伝達が活性状態にある場合は前記受動ターンオフ装置が前記スイッチを非活性化することが無効にされる、受動ターンオフ装置と
    を含む、機器。
  18. 前記電気的絶縁装置が前記入力側と前記出力側との間のガルバニック絶縁を与える、請求項17に記載の機器。
  19. 前記絶縁装置を介して前記エネルギを伝達するための複数のスイッチングサイクルを実行するために、前記エネルギ伝達装置が第1のスイッチ、第2のスイッチ、第3のスイッチ、及び第4のスイッチを動作させるように構成される、請求項17に記載の機器。
  20. 前記電圧変換装置が1つ又は複数の段を含み、前記1つ又は複数の段のうちの或る段がダイオード及びコンデンサを含む、請求項17に記載の機器。
JP2021066202A 2020-04-17 2021-04-09 絶縁バリアを横断してスイッチを制御すること Pending JP2022001010A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/852,114 2020-04-17
US16/852,114 US11342855B2 (en) 2020-04-17 2020-04-17 Controlling a switch across an isolation barrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022001010A true JP2022001010A (ja) 2022-01-04
JP2022001010A5 JP2022001010A5 (ja) 2024-03-22

Family

ID=75562515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021066202A Pending JP2022001010A (ja) 2020-04-17 2021-04-09 絶縁バリアを横断してスイッチを制御すること

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11342855B2 (ja)
EP (1) EP3896856A1 (ja)
JP (1) JP2022001010A (ja)
CN (1) CN113541497A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855610B1 (en) * 2020-08-27 2023-12-26 Rockwell Collins, Inc. Broadband data multiplexer
US11811396B2 (en) 2021-09-30 2023-11-07 Infineon Technologies Austria Ag Power transfer, gate drive, and/or protection functions across an isolation barrier

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748351A (en) 1986-08-26 1988-05-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Power MOSFET gate driver circuit
US4970420A (en) 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit
JPH11195972A (ja) 1997-12-26 1999-07-21 Matsushita Electric Works Ltd 半導体スイッチ
US8816653B2 (en) 2008-09-25 2014-08-26 Infineon Technologies Austria Ag Circuit including a transformer for driving a semiconductor switching element
US9071169B2 (en) * 2011-02-18 2015-06-30 Ge Hybrid Technologies, Llc Programmable gate controller system and method
JP2013187488A (ja) 2012-03-09 2013-09-19 Panasonic Corp 半導体リレー装置
US9667264B2 (en) * 2014-06-13 2017-05-30 Linear Technology Corporation Transition timing control for switching DC/DC converter
US9537382B2 (en) 2014-07-03 2017-01-03 CT-Concept Technologie GmbH Switch controller with validation circuit for improved noise immunity
US9966837B1 (en) * 2016-07-08 2018-05-08 Vpt, Inc. Power converter with circuits for providing gate driving
US11451126B2 (en) * 2019-08-27 2022-09-20 California Institute Of Technology Flying capacitor multilevel converters for anode supplies in hall effect thrusters

Also Published As

Publication number Publication date
CN113541497A (zh) 2021-10-22
US20210328519A1 (en) 2021-10-21
EP3896856A1 (en) 2021-10-20
US11342855B2 (en) 2022-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150085534A1 (en) Regenerative and ramping acceleration (rara) snubbers for isolated and tapped-inductor converters
US7835163B2 (en) Switching power converter with a secondary-side control
CN104410252A (zh) 源极驱动电路及其控制方法
JP2013516955A (ja) オペレーション・モード・スイッチングによるllcソフトスタート
JP2022001010A (ja) 絶縁バリアを横断してスイッチを制御すること
CN103580493A (zh) 新式高功率变换器架构
CN110176812B (zh) 混合控制设备和方法
CN113113974B (zh) 无线电能传输系统、无线电能传输装置及方法
KR102650677B1 (ko) 액티브 클램프를 갖는 전력 변환기
KR20160074424A (ko) 전류 연속 모드(ccm) 플라이백 컨버터의 0 전압 스위칭을 위한 시스템 및 방법
WO2023197661A1 (zh) 非对称半桥变换电路的控制器、电源模组及电子设备
US20170310226A1 (en) Control Module with Active Snubber and Related Flyback Power Converting Device
US11239746B2 (en) Two-stage converter and method for starting the same, LLC converter, and application system
KR20070121827A (ko) 1차측 표유 에너지의 복귀를 갖는 스위칭된 모드 전원을동작시키는 방법
CN109450418B (zh) 一种带开关控制单元的igbt隔离驱动电路及其控制方法
Bhatt et al. Design and development of isolated snubber based bidirectional DC–DC converter for electric vehicle applications
JP2022001010A5 (ja)
CN110518789B (zh) 一种软开关电路及电力电子设备
Lin et al. Design and implementation of zero-voltage-switching flyback converter with synchronous rectifier
CN108347174B (zh) 一种Boost全桥隔离型变换器及其复合有源箝位电路
JP6803993B2 (ja) 直流電圧変換器、および直流電圧変換器の作動方法
Kasiran et al. Evaluation of high power density achievement of optimum 4‐level capacitor‐clamped DC–DC boost converter with passive lossless snubber circuit by using Pareto‐Front method
WO2019177685A1 (en) Coupled-inductor cascaded buck convertor with fast transient response
Amler et al. Improved capacitive power transfer with non-resonant power transfer link using radio frequency push-pull inverter
JP2011244559A (ja) 電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240313

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240313