JP2021535596A - 量子ビット・アニーリング用のアンテナ・チップの構造 - Google Patents
量子ビット・アニーリング用のアンテナ・チップの構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021535596A JP2021535596A JP2021509180A JP2021509180A JP2021535596A JP 2021535596 A JP2021535596 A JP 2021535596A JP 2021509180 A JP2021509180 A JP 2021509180A JP 2021509180 A JP2021509180 A JP 2021509180A JP 2021535596 A JP2021535596 A JP 2021535596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- qubit
- signal
- annealing
- josephson junction
- microcontroller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 210
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 152
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 79
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 29
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 101150116940 AGPS gene Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012885 constant function Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0884—Treatment of superconductor layers by irradiation, e.g. ion-beam, electron-beam, laser beam or X-rays
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B15/00—Systems controlled by a computer
- G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
- G06N10/40—Physical realisations or architectures of quantum processors or components for manipulating qubits, e.g. qubit coupling or qubit control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/805—Constructional details for Josephson-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N69/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one superconducting element covered by group H10N60/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computational Mathematics (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 第1のジョセフソン接合および1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第1のセットと共に第1の量子ビットを含んでいる超伝導量子ビット・チップと、
前記超伝導量子ビット・チップの上に配置された半導体チップと、
第1の電圧制御発振器および
前記第1の電圧制御発振器によって駆動される第1のアンテナを備えている、前記半導体チップ上の第1の高周波(RF)エミッタと、
第1の電磁波を生成するための信号を前記第1の電圧制御発振器に送信する、前記半導体チップ上のマイクロコントローラであって、前記第1のアンテナが、前記第1の電磁波を前記第1の量子ビットの前記1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第1のセットに向かって方向付け、それによって、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合をアニールする、前記マイクロコントローラとを備える、システム。 - 第2の電圧制御発振器および第2のアンテナを備えている、前記半導体チップ上の第2のRFエミッタをさらに備え、前記マイクロコントローラが、第2の電磁波を生成して前記超伝導量子ビット・チップ上の第2の量子ビットの1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第2のセットに向かって方向付け、それによって前記第2の量子ビットの第2のジョセフソン接合をアニールするための信号を、前記第2のRFエミッタに送信する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の電圧制御発振器および前記第2の電圧制御発振器が個別に電圧および周波数を調整可能である、請求項2に記載のシステム。
- 前記半導体チップがバイポーラ接合および相補型金属酸化膜半導体スタック構造を採用する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の電圧制御発振器が前記半導体チップのバイポーラ接合トランジスタ部分において製造され、前記マイクロコントローラが前記半導体チップの相補型金属酸化膜半導体部分において製造され、前記第1のアンテナが前記半導体チップの上部の遠後工程部分において製造される、請求項4に記載のシステム。
- 前記マイクロコントローラからデジタル信号を受信して変換し、アナログ信号を生成するデジタル/アナログ・コンバータと、
前記アナログ信号を前記第1の電圧制御発振器に供給する電圧レギュレータとをさらに備え、前記アナログ信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項1に記載のシステム。 - 前記マイクロコントローラからデジタル信号を受信して変換し、変換済みDC信号を生成する直流/直流(DC/DC)コンバータと、
前記変換済みDC信号を前記第1の電圧制御発振器に供給する電圧レギュレータとをさらに備え、前記変換済みDC信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項1に記載のシステム。 - 前記マイクロコントローラからのパルス幅変調信号を前記第1の電圧制御発振器に供給する電圧レギュレータをさらに備え、前記パルス幅変調信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の電圧制御発振器と前記第1のアンテナの間に直列に電気的に結合された低ノイズ増幅器またはRFフィルタのうちの少なくとも1つをさらに備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の電磁波の波長が、前記第1の量子ビットの前記1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第1のセットのうちのコンデンサ・パッドの長さの約4倍である、請求項1に記載のシステム。
- プロセッサに動作可能なように結合されたマイクロコントローラによって、第1の電源投入信号を第1の電圧制御発振器に送信することと、
前記第1の電圧制御発振器によって、前記第1の電源投入信号に基づいて第1の電磁波を生成することと、
第1のアンテナを介して、前記第1の電磁波を第1の量子ビットの1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第1のセットに向かって方向付け、それによって前記第1の量子ビットの第1のジョセフソン接合を加熱することによって、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合をアニールすることであって、前記第1の量子ビットが超伝導量子ビット・チップ上に存在する、前記アニールすることとを含む、コンピュータ実装方法。 - 前記マイクロコントローラによって、第2の電源投入信号を第2の電圧制御発振器に送信することと、
前記第2の電圧制御発振器によって、前記第2の電源投入信号に基づいて第2の電磁波を生成することと、
第2のアンテナを介して、前記第2の電磁波を第2の量子ビットの1つまたは複数のコンデンサ・パッドの第2のセットに向かって方向付け、それによって前記第2の量子ビットの第2のジョセフソン接合を加熱することによって、前記第2の量子ビットの前記第2のジョセフソン接合をアニールすることであって、前記第2の量子ビットが前記超伝導量子ビット・チップ上に存在する、前記アニールすることとをさらに含む、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。 - 前記第1の電圧制御発振器および前記第2の電圧制御発振器が個別に電圧および周波数を調整可能である、請求項12に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記第1の電圧制御発振器、前記第1のアンテナ、および前記マイクロコントローラが、バイポーラ接合および相補型金属酸化膜半導体スタック構造を採用する半導体チップ上に存在する、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記第1の電圧制御発振器が前記半導体チップのバイポーラ接合トランジスタ部分において製造され、前記マイクロコントローラが前記半導体チップの相補型金属酸化膜半導体部分において製造され、前記第1のアンテナが前記半導体チップの上部の遠後工程部分において製造される、請求項14に記載のコンピュータ実装方法。
- デジタル/アナログ・コンバータによって、前記マイクロコントローラからのデジタル信号を変換して、アナログ信号を生成することと、
電圧レギュレータによって、前記アナログ信号を前記第1の電圧制御発振器に供給することとをさらに含み、前記アナログ信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。 - 直流/直流(DC/DC)コンバータによって、前記マイクロコントローラからのデジタル信号を変換して、変換済みDC信号を生成することと、
電圧レギュレータによって、前記変換済みDC信号を前記第1の電圧制御発振器に供給することとをさらに含み、前記変換済みDC信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。 - 電圧レギュレータによって、前記マイクロコントローラからのパルス幅変調信号を前記第1の電圧制御発振器に供給することをさらに含み、前記パルス幅変調信号が、前記第1の量子ビットの前記第1のジョセフソン接合の前記アニーリングの定義されたレベルを実現するように、前記第1の電磁波の期間、周波数、または大きさのうちの少なくとも1つを制御する、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/115,039 US10510943B1 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | Structure for an antenna chip for qubit annealing |
US16/115,039 | 2018-08-28 | ||
PCT/EP2019/072498 WO2020043594A1 (en) | 2018-08-28 | 2019-08-22 | Structure for an antenna chip for qubit annealing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021535596A true JP2021535596A (ja) | 2021-12-16 |
JPWO2020043594A5 JPWO2020043594A5 (ja) | 2022-01-26 |
JP7324272B2 JP7324272B2 (ja) | 2023-08-09 |
Family
ID=67734673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021509180A Active JP7324272B2 (ja) | 2018-08-28 | 2019-08-22 | 量子ビット・アニーリング用のアンテナ・チップの構造 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10510943B1 (ja) |
EP (1) | EP3844686B1 (ja) |
JP (1) | JP7324272B2 (ja) |
CN (1) | CN112513890B (ja) |
ES (1) | ES2962120T3 (ja) |
WO (1) | WO2020043594A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10475983B1 (en) * | 2018-08-28 | 2019-11-12 | International Business Machines Corporation | Antenna-based qubit annealing method |
US10510943B1 (en) | 2018-08-28 | 2019-12-17 | International Business Machines Corporation | Structure for an antenna chip for qubit annealing |
US11050009B2 (en) * | 2018-08-28 | 2021-06-29 | International Business Machines Corporation | Methods for annealing qubits with an antenna chip |
US11501196B2 (en) * | 2018-11-26 | 2022-11-15 | International Business Machines Corporation | Qubit tuning by magnetic fields in superconductors |
US12026584B2 (en) * | 2020-11-17 | 2024-07-02 | International Business Machines Corporation | Optically multiplexed quantum control interface |
US20220335319A1 (en) * | 2021-04-20 | 2022-10-20 | Alibaba Singapore Holding Private Limited | Vectorized quantum controller |
CN116419659B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-07-16 | 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 | 用于超导量子芯片的激光退火装置以及方法 |
CN115169569B (zh) * | 2022-07-22 | 2024-07-12 | 北京百度网讯科技有限公司 | 超导量子芯片设计方法及装置、电子设备和介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05211355A (ja) * | 1990-08-27 | 1993-08-20 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン集積回路の製造方法 |
JP2007109717A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 超電導素子および超電導素子の製造方法 |
US20150241481A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Yale University | Wireless josephson bifurcation amplifier |
WO2016168642A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Yale University | Wireless josephson parametric converter |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532592A (en) | 1993-02-02 | 1996-07-02 | Conductus, Inc. | Squid control apparatus with non-cryogenic flux-locked loop disposed in close proximity to the squid |
US5625327A (en) * | 1995-07-13 | 1997-04-29 | Gnuco Technology Corporation | Modified Colpitts oscillator for driving an antenna coil and generating a clock signal |
US6900454B2 (en) | 2002-04-20 | 2005-05-31 | D-Wave Systems, Inc. | Resonant controlled qubit system |
CN100585629C (zh) * | 2004-12-23 | 2010-01-27 | D-波系统公司 | 包括量子装置的模拟处理器 |
WO2008067664A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods and apparatus for local programming of quantum processor elements |
US7893708B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-02-22 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantum gate operations with a common coupled resonator |
CN101349712A (zh) * | 2008-07-31 | 2009-01-21 | 南京大学 | 一种利用超导约瑟夫森结检测太赫兹信号频谱的装置 |
CN102187489B (zh) | 2008-09-03 | 2014-02-26 | D-波系统公司 | 用于量子处理器元件的有效补偿的系统、方法及装置 |
WO2010140427A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社 村田製作所 | アンテナモジュール |
US8193808B2 (en) | 2009-09-11 | 2012-06-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optically integrated biosensor based on optically detected magnetic resonance |
US8633472B2 (en) | 2009-09-14 | 2014-01-21 | Los Alamos National Security, Llc | Tunable terahertz radiation source |
US8111083B1 (en) | 2010-12-01 | 2012-02-07 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantum processor |
EP3025278B1 (en) | 2013-07-23 | 2018-09-05 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for achieving orthogonal control of non-orthogonal qubit parameters |
CA3158858A1 (en) | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Google Llc | Constructing and programming quantum hardware for robust quantum annealing processes |
JP6570187B2 (ja) | 2014-05-08 | 2019-09-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 周波数可変テラヘルツ発振器及びその製造方法 |
US9685935B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-06-20 | Northrop Grumman Systems Corporation | Tunable transmon circuit assembly |
US10650319B2 (en) | 2015-02-06 | 2020-05-12 | Northrop Grumman Systems Corporation | Flux control of qubit under resonant excitation |
EP3259844B1 (en) | 2015-02-19 | 2019-04-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Qubit circuit state change control system |
US10381542B2 (en) | 2015-04-30 | 2019-08-13 | International Business Machines Corporation | Trilayer Josephson junction structure with small air bridge and no interlevel dielectric for superconducting qubits |
KR102333559B1 (ko) * | 2015-05-11 | 2021-12-01 | 삼성전자 주식회사 | 안테나 장치 및 그를 포함하는 전자 장치 |
US9799817B2 (en) | 2015-06-18 | 2017-10-24 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Josephson junction readout for graphene-based single photon detector |
US10074793B2 (en) | 2015-06-29 | 2018-09-11 | International Business Machines Corporation | Incorporating arrays of Josephson junctions in a Josephson junction ring modulator in a Josephson parametric converter |
US10134972B2 (en) * | 2015-07-23 | 2018-11-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Qubit and coupler circuit structures and coupling techniques |
JP2017059995A (ja) | 2015-09-16 | 2017-03-23 | Ntn株式会社 | チップアンテナおよびその製造方法 |
US10170680B2 (en) | 2015-09-16 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Qubits by selective laser-modulated deposition |
US10250271B2 (en) * | 2015-10-07 | 2019-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Quantum computation apparatus and quantum computation method |
EP3371753B1 (en) | 2015-11-06 | 2021-05-19 | Google LLC | Individual qubit excitation control |
US10187065B2 (en) | 2015-11-17 | 2019-01-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Four spin couplers for quantum information processing |
CA3008796C (en) | 2015-12-16 | 2022-01-18 | Google Llc | Programmable universal quantum annealing with co-planar waveguide flux qubits |
US9614532B1 (en) | 2015-12-17 | 2017-04-04 | International Business Machines Corporation | Single-flux-quantum probabilistic digitizer |
WO2017139683A1 (en) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Yale University | Techniques for control of quantum systems and related systems and methods |
US10050630B2 (en) | 2016-08-19 | 2018-08-14 | Rigetti & Co, Inc. | Flux-tunable qubit device with multiple Josephson junctions |
CN109643710A (zh) | 2016-09-29 | 2019-04-16 | 英特尔公司 | 用于量子比特的片上控制逻辑 |
US10380494B2 (en) | 2017-08-04 | 2019-08-13 | International Business Machines Corporation | Josephson junctions for improved qubits |
WO2019084286A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | The Administrators Of The Tulane Educational Fund | QUANTUM RECOVERY WITH OSCILLATING FIELDS |
US11895931B2 (en) * | 2017-11-28 | 2024-02-06 | International Business Machines Corporation | Frequency tuning of multi-qubit systems |
US10170681B1 (en) | 2017-11-28 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Laser annealing of qubits with structured illumination |
US10340438B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-07-02 | International Business Machines Corporation | Laser annealing qubits for optimized frequency allocation |
US10418540B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-09-17 | International Business Machines Corporation | Adjustment of qubit frequency through annealing |
US10256392B1 (en) | 2018-03-23 | 2019-04-09 | International Business Machines Corporation | Vertical transmon qubit device |
US10320331B1 (en) | 2018-07-30 | 2019-06-11 | International Business Machines Corporation | Applications of a superconducting device that mixes surface acoustic waves and microwave signals |
US11050009B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-06-29 | International Business Machines Corporation | Methods for annealing qubits with an antenna chip |
US10510943B1 (en) | 2018-08-28 | 2019-12-17 | International Business Machines Corporation | Structure for an antenna chip for qubit annealing |
-
2018
- 2018-08-28 US US16/115,039 patent/US10510943B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-08-22 JP JP2021509180A patent/JP7324272B2/ja active Active
- 2019-08-22 CN CN201980050461.0A patent/CN112513890B/zh active Active
- 2019-08-22 EP EP19758402.2A patent/EP3844686B1/en active Active
- 2019-08-22 ES ES19758402T patent/ES2962120T3/es active Active
- 2019-08-22 WO PCT/EP2019/072498 patent/WO2020043594A1/en unknown
- 2019-11-07 US US16/676,598 patent/US11482657B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05211355A (ja) * | 1990-08-27 | 1993-08-20 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン集積回路の製造方法 |
JP2007109717A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 超電導素子および超電導素子の製造方法 |
US20150241481A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Yale University | Wireless josephson bifurcation amplifier |
WO2016168642A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Yale University | Wireless josephson parametric converter |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MIGACZ, JUSTIN V. ET AL.: "Thermal Annealing of Nb/Al-AlOx/Nb Josephson Junctions", IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, vol. 13, no. 2, JPN6023000520, June 2003 (2003-06-01), pages 123 - 126, ISSN: 0004966084 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3844686B1 (en) | 2023-09-20 |
JP7324272B2 (ja) | 2023-08-09 |
EP3844686A1 (en) | 2021-07-07 |
US20200075834A1 (en) | 2020-03-05 |
CN112513890B (zh) | 2024-05-28 |
ES2962120T3 (es) | 2024-03-15 |
WO2020043594A1 (en) | 2020-03-05 |
US11482657B2 (en) | 2022-10-25 |
CN112513890A (zh) | 2021-03-16 |
US10510943B1 (en) | 2019-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021535596A (ja) | 量子ビット・アニーリング用のアンテナ・チップの構造 | |
US10491221B1 (en) | Tunable microwave resonator for qubit circuits | |
Kaushal et al. | Shuttling-based trapped-ion quantum information processing | |
JP2021535592A (ja) | アンテナに基づく量子ビット・アニーリング法 | |
US11765986B2 (en) | Methods for annealing qubits with an antenna chip | |
Wang et al. | 28 GHz MMIC resonant tunnelling diode oscillator of around 1mW output power | |
CN103238252A (zh) | 电压可调谐移相器和相关方法 | |
Li et al. | Recent advances in new materials for 6G communications | |
Pantoli et al. | Enhancing performance of a InGaP/GaAs VCO by means of a switching architecture | |
Mukherjee et al. | Prospects of 4H‐SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo‐Sensitive High‐Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime | |
Ohlsson et al. | Picosecond dynamics in a millimetre‐wave RTD–MOSFET wavelet generator | |
Song et al. | Demonstration of KIOSK data downloading system at 300 GHz based on InP MMICs | |
Storozhenko et al. | AlGaInAs graded-gap Gunn diode | |
Lee | Characteristics of Series‐Connected Resonant Tunneling Diode‐Pair Configuration for High Output Power Operation | |
JP5778633B2 (ja) | 発振装置および送信アンテナ装置 | |
Takei et al. | Computer assisted design to develop functional device and modules for wireless systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220114 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220125 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20220512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7324272 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |