JP2021535275A - High Density Plasma Chemical Vapor Deposition Chamber - Google Patents

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Abstract

本開示は、堆積チャンバのシャワーヘッドのための方法及び装置に関する。１つの実施形態では、複数の支持部材のうちの１つ又は複数に各々が連結された複数の穿孔タイルと、シャワーヘッド内の複数の誘導性連結器を含み、複数の誘導性連結器の１つの誘導性連結器が、複数の穿孔タイルの１つに対応し、支持部材が、誘導性連結器と穿孔タイルとの間に形成される空間に前駆体ガスを供給する、プラズマ堆積チャンバのためのシャワーヘッドが提供される。【選択図】図２ＡThe present disclosure relates to methods and devices for shower heads of deposition chambers. In one embodiment, one of a plurality of inductive couplers comprises a plurality of perforated tiles, each coupled to one or more of a plurality of support members, and a plurality of inductive couplers in a shower head. For a plasma deposition chamber where one inductive coupler corresponds to one of multiple perforated tiles and a support member supplies precursor gas to the space formed between the inductive coupler and the perforated tile. Shower heads are provided. [Selection diagram] FIG. 2A

Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、大面積基板を処理するための装置に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、デバイス製造のための化学気相堆積システムに関する。 [0001] The embodiments of the present disclosure generally relate to an apparatus for processing a large area substrate. More specifically, embodiments of the present disclosure relate to chemical vapor deposition systems for device fabrication.

［０００１］ソーラーパネル又はフラットパネルのディスプレイ製造において、基板（半導体基板、ソーラーパネル基板、並びに液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及び／又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の基板など）に薄膜を堆積させ、その基板上に電子デバイスを形成するために、多くのプロセスが採用される。概して、堆積は、温度制御された基板支持体の上に配置された基板を有する真空チャンバ内に前駆体ガスを導入することによって、実現される。前駆体ガスは、通常、真空チャンバの上部付近に位置するガス供給プレートを通して方向付けられる。真空チャンバ内の前駆体ガスは、チャンバに連結された１つ又は複数のＲＦ源からチャンバ内に配置された導電性シャワーヘッドに高周波（ＲＦ）を印加することによって、プラズマ内にエネルギー供給（例えば、励起）されうる。励起されたガスは反応して、温度制御された基板支持体の上に配置された基板の表面に材料の層を形成する。 [0001] In the manufacture of a solar panel or flat panel display, a thin film is deposited on a substrate (semiconductor substrate, solar panel substrate, liquid crystal display (LCD) and / or organic light emitting diode (OLED) substrate, etc.), and the thin film is deposited on the substrate. Many processes are employed to form electronic devices. Generally, deposition is achieved by introducing precursor gas into a vacuum chamber having a substrate placed on a temperature controlled substrate support. The precursor gas is usually directed through a gas supply plate located near the top of the vacuum chamber. The precursor gas in the vacuum chamber provides energy into the plasma (eg, by applying radio frequency (RF)) from one or more RF sources coupled to the chamber to the conductive showerheads located in the chamber. , Excited). The excited gas reacts to form a layer of material on the surface of the substrate placed on the temperature controlled substrate support.

［０００２］電子デバイスを形成するための基板のサイズは、現在、常に表面積が１平方メートルを超えている。これらの基板全域で膜の厚さの均一性を実現することは困難である。膜の厚さの均一性は、基板サイズが大きくなるにつれて更に困難になる。従来、プラズマは、ガス原子をイオン化し、堆積ガスのラジカルを形成するための従来のチャンバ内で形成され、堆積ガスのラジカルは、容量性連結電極構成を使用して、このサイズの基板上に膜層を堆積させるのに有用である。最近、円形の基板又はウエハの上への堆積でこれまで利用されてきた誘導結合のプラズマ構造への関心が、これらの大型基板のための堆積プロセスで使用するために研究されている。しかしながら、誘導結合は、構造的支持構成要素として誘電体材料を利用し、これらの材料は、大気側のチャンバの大面積構造部分の片側に対する大気圧の存在によって生じる構造的負荷に耐え、これらのより大きな基板のための従来のチャンバで使用される、その他の側の真空圧条件に対する構造的強度を有していない。したがって、誘導結合のプラズマシステムは、大面積基板プラズマプロセスのために開発されつつある。しかしながら、プロセスの均一性、例えば、大型基板にわたる堆積厚さの均一性は、望ましくない。 The size of the substrate for forming an electronic device is currently always over 1 square meter in surface area. It is difficult to achieve film thickness uniformity across these substrates. The uniformity of film thickness becomes more difficult as the substrate size increases. Traditionally, plasmas are formed in conventional chambers for ionizing gas atoms and forming radicals of deposited gas, which radicals of deposited gas are placed on a substrate of this size using a capacitively connected electrode configuration. Useful for depositing membrane layers. Recently, interest in inductively coupled plasma structures that have been previously utilized in deposition on circular substrates or wafers has been studied for use in the deposition process for these large substrates. However, inductive coupling utilizes dielectric materials as structural support components, which withstand the structural loads created by the presence of atmospheric pressure on one side of the large area structural portion of the chamber on the atmospheric side, these. It does not have the structural strength to the other side vacuum pressure conditions used in conventional chambers for larger substrates. Therefore, inductively coupled plasma systems are being developed for large area substrate plasma processes. However, process uniformity, eg, deposition thickness uniformity across large substrates, is not desirable.

［０００３］したがって、基板の堆積表面全体にわたって膜の厚さの均一性を改善するように構成された大面積基板上で使用するための誘導結合のプラズマ源が必要とされる。 Therefore, there is a need for an inductively coupled plasma source for use on large area substrates configured to improve film thickness uniformity over the entire deposited surface of the substrate.

［０００４］本開示の実施形態は、シャワーヘッド、及び大面積基板上に膜の１つ又は複数の層を形成することができる、シャワーヘッドを有するプラズマ堆積チャンバための方法及び装置を含む。 Embodiments of the present disclosure include shower heads and methods and devices for plasma deposition chambers with shower heads capable of forming one or more layers of membrane on a large area substrate.

［０００５］１つの実施形態では、複数の支持部材のうちの１つ又は複数に各々が連結された複数の穿孔タイルと、シャワーヘッド内の複数の誘導性連結器を含み、複数の誘導性連結器の１つの誘導性連結器が、複数の穿孔タイルの１つに対応し、支持部材が、誘導性連結器と穿孔タイルとの間に形成される空間（ｖｏｌｕｍｅ）に前駆体ガスを供給する、プラズマ堆積チャンバのためのシャワーヘッドが提供される。 [0005] In one embodiment, a plurality of perforated tiles, each of which is coupled to one or more of a plurality of support members, and a plurality of inductive couplers in a shower head are included, and a plurality of inductive couplings are included. One inductive coupler of the vessel corresponds to one of the multiple perforated tiles and the support member supplies the precursor gas to the space formed between the inductive coupler and the perforated tile. , Shower heads for plasma deposition chambers are provided.

［０００６］別の実施形態では、複数の穿孔タイルを有するシャワーヘッドと、複数の穿孔タイルの１つ又は複数に対応する誘導性連結器と、穿孔タイルの各々を支持するための複数の支持部材とを含み、支持部材の１つ又は複数が、誘導性連結器と穿孔タイルとの間に形成される空間に前駆体ガスを供給する、プラズマ堆積チャンバが提供される。 In another embodiment, a shower head having a plurality of perforated tiles, an inductive coupler corresponding to one or more of the plurality of perforated tiles, and a plurality of support members for supporting each of the perforated tiles. Provided is a plasma deposition chamber in which one or more of the support members supplies precursor gas to the space formed between the inductive coupler and the perforated tile.

［０００７］別の実施形態では、複数の支持部材のうちの１つ又は複数に各々が連結された複数の穿孔タイルを有するシャワーヘッドと、複数の誘電体プレートであって、複数の誘電体プレートの１つが、複数の穿孔タイルの１つに対応する、複数の誘電体プレートと、複数の誘導性連結器であって、複数の誘導性連結器の１つの誘導性連結器が、複数の誘電体プレートの１つに対応し、支持部材が、誘導性連結器と穿孔タイルとの間に形成される空間に前駆体ガスを供給する複数の誘導性連結器とを含む、プラズマ堆積チャンバが提供される。 In another embodiment, a shower head having a plurality of perforated tiles, each of which is connected to one or a plurality of support members, and a plurality of dielectric plates, the plurality of dielectric plates. One is a plurality of dielectric plates and a plurality of inductive couplers corresponding to one of a plurality of perforated tiles, and one inductive coupler of the plurality of inductive couplers is a plurality of dielectrics. Provided by a plasma deposition chamber, corresponding to one of the body plates, the support member comprises a plurality of inductive couplers that supply precursor gas to the space formed between the inductive coupler and the perforated tile. Will be done.

［０００８］別の実施形態では、基板の上に膜を堆積させるための方法であって、シャワーヘッドの複数のガス空間に前駆体ガスを流すことであって、ガス空間の各々が、それぞれのガス空間に電気的に連通する穿孔タイル及び誘導性連結器を含む、前駆体ガスを流すことと、ガス空間の各々への前駆体ガス流を変化させることとを含む方法が、提供される。 Another embodiment is a method for depositing a film on a substrate, in which precursor gas is flowed through a plurality of gas spaces of a shower head, each of which has its own gas space. Methods are provided that include the flow of precursor gas, including perforated tiles and inductive couplers that electrically communicate with the gas space, and varying the flow of precursor gas to each of the gas spaces.

［０００９］本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、それらの実施形態の一部が添付図面に示される。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面が本開示の典型的な実施形態を例示しているにすぎず、よって本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。 A more detailed description of the present disclosure briefly summarized above is obtained by reference to embodiments and is one of those embodiments so that the above-mentioned features of the present disclosure can be understood in detail. The section is shown in the attached drawing. However, the accompanying drawings merely illustrate exemplary embodiments of the present disclosure and are therefore considered to limit the scope of the present disclosure, as the present disclosure may tolerate other equally valid embodiments. Note that it should not be.

［００１０］本発明の１つの実施形態による例示的な処理チャンバを示す側断面図である。It is a side sectional view showing an exemplary processing chamber according to one embodiment of the present invention. ［００１１］図１のリッドアセンブリの一部の拡大図である。It is an enlarged view of a part of the lid assembly of FIG. ［００１２］コイルの１つの実施形態の上面図である。It is a top view of one embodiment of the coil. ［００１３］シャワーヘッドのフェースプレートの１つの実施形態の底面図である。It is a bottom view of one embodiment of the face plate of a shower head. ［００１４］シャワーヘッドのフェースプレートの別の実施形態の部分底面図である。It is a partial bottom view of another embodiment of the face plate of a shower head. ［００１５］シャワーヘッドの流量制御の別の実施形態を示す概略底面図である。It is a schematic bottom view which shows another embodiment of the flow rate control of a shower head. ［００１６］シャワーヘッドの支持フレームの断面図である。It is sectional drawing of the support frame of a shower head.

［００１７］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。具体的な記述がなくとも、１つの実施形態で開示される要素は、他の実施形態で有益に利用されうると考えられる。 For ease of understanding, the same reference numbers were used to point to the same elements common to the figures, where possible. It is believed that the elements disclosed in one embodiment can be beneficially utilized in other embodiments without specific description.

［００１８］本開示の実施形態は、大面積基板上に複数の層を堆積させるように動作可能な処理システムを含む。本明細書で使用される大面積基板は、通常、約１平方メートル以上の表面積を有する基板などの大面積基板である。しかしながら、基板は、いかなる特定のサイズ又は形状にも限定されない。１つの態様では、「基板」という用語は、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に使用されるガラス又はポリマー基板などの、任意の多角形、正方形、長方形、湾曲、又は他の非円形の被加工物を指す。 The embodiments of the present disclosure include a processing system capable of operating to deposit a plurality of layers on a large area substrate. The large area substrate used in the present specification is usually a large area substrate such as a substrate having a surface area of about 1 square meter or more. However, the substrate is not limited to any particular size or shape. In one embodiment, the term "substrate" refers to any polygonal, square, rectangular, curved, or other non-circular workpiece, such as a glass or polymer substrate used in the manufacture of flat panel displays. Point to.

［００１９］本明細書では、シャワーヘッドは、処理ゾーン内のガスに曝露される基板の表面の処理の均一性を改善するために、複数の独立して制御されるゾーン内のチャンバの処理空間内に、シャワーヘッドを通ってガスを流すよう構成される。加えて、各ゾーンは、プレナムと、プレナムとチャンバの処理空間との間の１つ又は複数の穿孔プレートと、ゾーン又は個々の穿孔プレート専用のコイル又はコイルの一部とを備えて構成される。プレナムは、誘電体窓、穿孔プレートと周囲の構造との間に形成される。各プレナムは、処理ガス（複数可）をそこに流入させ、分散させ、穿孔プレートを通って処理空間にガスの比較的均一な流量、又は場合によっては調整された流量をもたらすように構成される。プレナムは、好ましくは、プレナム内の処理ガスの圧力で処理ガスから形成されるプラズマの暗黒空間の厚さの２倍未満の厚さを有している。誘導性連結器は、好ましくはコイルの形状で、誘電体窓の後方に配置され、誘電体窓、プレナム及び穿孔プレートを通してエネルギーを誘導結合し、処理空間内のプラズマに衝突し、それを支持する。加えて、隣接する穿孔プレートの間の領域において、追加の処理ガス流が供給される。各ゾーン内及び穿孔プレート間の領域を通る処理ガス（複数可）の流れは、基板上に所望のプロセス結果を達成するために、均一な又は調整されたガス流をもたらすように制御される。 In the present specification, the shower head is a processing space of a chamber in a plurality of independently controlled zones in order to improve the treatment uniformity of the surface of the substrate exposed to the gas in the processing zone. Inside, it is configured to allow gas to flow through the shower head. In addition, each zone comprises a plenum and one or more perforated plates between the plenum and the processing space of the chamber and a coil or part of a coil dedicated to the zone or individual perforated plates. .. The plenum is formed between the dielectric window, the perforated plate and the surrounding structure. Each plenum is configured to allow the treatment gas (s) to flow into it, disperse it, and provide a relatively uniform or possibly regulated flow rate of gas through the perforation plate into the treatment space. .. The plenum is preferably less than twice the thickness of the dark space of the plasma formed from the treated gas at the pressure of the treated gas in the plenum. The inductive coupler, preferably in the form of a coil, is located behind the dielectric window, inductively coupled energy through the dielectric window, plenum and perforated plate, colliding with and supporting the plasma in the processing space. .. In addition, an additional treatment gas stream is supplied in the area between adjacent perforated plates. The flow of processing gas (s) through each zone and the region between the perforated plates is controlled to provide a uniform or regulated gas flow on the substrate to achieve the desired process results.

［００２０］本開示の実施形態は、基板上に１つ又は複数の層又は膜を形成するように動作可能な高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ ＣＶＤ）処理チャンバを含む。本明細書に開示される処理チャンバは、プラズマ中で生成される前駆体ガスのエネルギー供給された種を供給するように適合される。プラズマは、真空下でエネルギーをガスに誘導結合することによって生成されうる。本明細書に開示される実施形態は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社の子会社であるＡＫＴアメリカ社から入手可能なチャンバでの使用に適合されうる。本明細書で検討される実施形態は、他の製造会社から入手可能なチャンバでも実行されうると理解すべきである。 Embodiments of the present disclosure include a high density plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) processing chamber capable of operating to form one or more layers or membranes on a substrate. The processing chambers disclosed herein are adapted to supply the energy-supplied species of precursor gas produced in the plasma. Plasma can be generated by inductively coupling energy to a gas under vacuum. The embodiments disclosed herein may be adapted for use in chambers available from AKT America, a subsidiary of Applied Materials, Santa Clara, California. It should be understood that the embodiments discussed herein can also be performed in chambers available from other manufacturers.

［００２１］図１は、本開示の１つの実施形態による、例示的な処理チャンバ１００を示す側断面図である。例示的な基板１０２は、チャンバ本体１０４内に示される。処理チャンバ１００はまた、リッドアセンブリ１０６、及びペデスタル又は基板支持アセンブリ１０８も含む。リッドアセンブリ１０６は、チャンバ本体１０４の上端に配置され、基板支持アセンブリ１０８は、チャンバ本体１０４内に少なくとも部分的に配置される。基板支持アセンブリ１０８は、シャフト１１０に連結されている。シャフト１１０は、チャンバ本体１０４内で基板支持アセンブリ１０８を垂直に（Ｚ方向に）移動させるドライバ１１２に連結されている。図１に示す処理チャンバ１００の基板支持アセンブリ１０８は、処理位置にある。しかしながら、基板支持アセンブリ１０８は、移送ポート１１４に隣接する位置までＺ方向に下降されてもよい。下降されると、基板支持アセンブリ１０８内に移動可能に配置されたリフトピン１１６は、チャンバ本体１０４の底部１１８に接触する。リフトピン１１６が底部１１８に接触すると、リフトピン１１６は、基板支持アセンブリ１０８と共に下方に移動することができなくなり、基板支持アセンブリ１０８の基板受容面１２０がそこから下方に移動する際に、基板１０２を固定位置に維持する。その後、エンドエフェクタ又はロボットブレード（図示せず）が、移送ポート１１４を通って、基板１０２と基板受容面１２０との間に挿入され、基板１０２をチャンバ本体１０４から移送する。 FIG. 1 is a side sectional view showing an exemplary processing chamber 100 according to one embodiment of the present disclosure. An exemplary substrate 102 is shown within the chamber body 104. The processing chamber 100 also includes a lid assembly 106 and a pedestal or substrate support assembly 108. The lid assembly 106 is located at the top of the chamber body 104 and the substrate support assembly 108 is at least partially located within the chamber body 104. The board support assembly 108 is connected to the shaft 110. The shaft 110 is connected to a driver 112 that moves the substrate support assembly 108 vertically (in the Z direction) within the chamber body 104. The substrate support assembly 108 of the processing chamber 100 shown in FIG. 1 is in the processing position. However, the substrate support assembly 108 may be lowered in the Z direction to a position adjacent to the transfer port 114. When lowered, the lift pins 116 movably disposed within the board support assembly 108 come into contact with the bottom 118 of the chamber body 104. When the lift pin 116 comes into contact with the bottom 118, the lift pin 116 cannot move downward with the board support assembly 108 and secures the board 102 as the board receiving surface 120 of the board support assembly 108 moves downward from there. Keep in position. An end effector or robot blade (not shown) is then inserted between the substrate 102 and the substrate receiving surface 120 through the transfer port 114 to transfer the substrate 102 from the chamber body 104.

［００２２］リッドアセンブリ１０６は、チャンバ本体１０４上に載置されるバッキング板１２２を含みうる。リッドアセンブリ１０６はまた、ガス分配アセンブリ又はシャワーヘッド１２４も含む。シャワーヘッド１２４は、ガス源からの処理ガスをシャワーヘッド１２４と基板１０２との間の処理領域１２６に供給する。シャワーヘッド１２４はまた、フッ素含有ガスなどの洗浄ガスを処理領域１２６に供給する洗浄ガス源にも連結される。 The lid assembly 106 may include a backing plate 122 mounted on the chamber body 104. The lid assembly 106 also includes a gas distribution assembly or shower head 124. The shower head 124 supplies the processing gas from the gas source to the processing region 126 between the shower head 124 and the substrate 102. The shower head 124 is also connected to a cleaning gas source that supplies a cleaning gas such as a fluorine-containing gas to the processing region 126.

［００２３］シャワーヘッド１２４はまた、プラズマ源１２８としても機能する。プラズマ源１２８として機能するために、シャワーヘッド１２４は、１つ又は複数の誘導結合のプラズマ発生構成要素、すなわちコイル１３０を含む。１つ又は複数のコイル１３０の各々は、単一のコイル１３０、２つのコイル１３０、又は３つ以上のコイル１３０とすることができ、以下では単にコイル１３０と記載する。１つ又は複数のコイル１３０の各々は、電源及び接地１３３にわたって連結されている。シャワーヘッド１２４はまた、複数の別個の穿孔タイル１３４を含むフェースプレート１３２を含む。電源は、コイル１３０の電気的特性を調整するための整合回路又は同調能力を含む。 The shower head 124 also functions as a plasma source 128. To function as the plasma source 128, the shower head 124 includes one or more inductively coupled plasma generation components, i.e. the coil 130. Each of the one or more coils 130 can be a single coil 130, two coils 130, or three or more coils 130, and will be referred to herein simply as coil 130. Each of the one or more coils 130 is coupled over the power supply and ground 133. The shower head 124 also includes a face plate 132 containing a plurality of separate perforated tiles 134. The power supply includes a matching circuit or tuning capability for adjusting the electrical characteristics of the coil 130.

［００２４］穿孔タイル１３４の各々は、複数の支持部材１３６によって支持されている。１つ又は複数のコイル１３０の各々、又は１つ又は複数のコイル１３０の部分は、それぞれの誘電体プレート１３８上又はその上方に位置付けられる。リッドアセンブリ１０６内の誘電体プレート１３８の上方に配置されるコイル１３０の一例が、図２Ａに更に明確に示されている。複数のガス空間（ｇａｓ ｖｏｌｕｍｅ）１４０は、誘電体プレート１３８、穿孔タイル１３４及び支持部材１３６の表面によって画定される。１つ又は複数のコイル１３０の各々は、ガスがガス空間１４０に流入し、隣接する穿孔タイルを通ってチャンバ空間（ｃｈａｍｂｅｒ ｖｏｌｕｍｅ）内に流入すると、ガス空間１４０の下方の処理領域１２６内のプラズマ内に、処理ガスにエネルギー供給する電磁場を生成するように構成され、ガス源からの処理ガスは、支持部材１３６内の導管を介してガス空間１４０の各々に供給される。シャワーヘッドに出入りするガスの体積又は流量は、シャワーヘッド１２４の異なるゾーンで制御される。処理ガスのゾーン制御は、図１に示される質量流量コントローラ１４２、１４３及び１４４のような複数の流量コントローラによって提供される。例えば、シャワーヘッド１２４の周辺ゾーン又は外側ゾーンへのガスの流量は、流量コントローラ１４２、１４３によって制御され、一方、シャワーヘッド１２４の中央ゾーンへのガスの流量は、流量コントローラ１４４によって制御される。チャンバ洗浄が必要な場合、洗浄ガス源からの洗浄ガスが、ガス空間１４０の各々に流れ、次いで、処理空間１４０に流れ、そこで洗浄ガスは、イオン、ラジカル、又はその両方に励起される。エネルギー供給された洗浄ガスは、チャンバ部品を洗浄するために、穿孔タイル１３４を通って処理領域１２６に流入する。 Each of the perforated tiles 134 is supported by a plurality of support members 136. Each of the one or more coils 130, or a portion of the one or more coils 130, is located on or above the respective dielectric plate 138. An example of the coil 130 located above the dielectric plate 138 in the lid assembly 106 is shown more clearly in FIG. 2A. The gas volume 140 is defined by the surfaces of the dielectric plate 138, the perforated tile 134 and the support member 136. Each of the one or more coils 130 will have plasma in the processing area 126 below the gas space 140 as the gas flows into the gas space 140 and into the chamber volume through adjacent perforated tiles. It is configured to generate an electromagnetic field that supplies energy to the processing gas, and the processing gas from the gas source is supplied to each of the gas spaces 140 via a conduit in the support member 136. The volume or flow rate of gas in and out of the shower head is controlled in different zones of the shower head 124. Zone control of the processing gas is provided by a plurality of flow controllers such as the mass flow controllers 142, 143 and 144 shown in FIG. For example, the flow rate of gas to the peripheral zone or the outer zone of the shower head 124 is controlled by the flow controller 142, 143, while the flow rate of gas to the central zone of the shower head 124 is controlled by the flow controller 144. When chamber cleaning is required, cleaning gas from the cleaning gas source flows into each of the gas spaces 140 and then into the processing space 140, where the cleaning gas is excited by ions, radicals, or both. The energy-supplied cleaning gas flows into the processing area 126 through the perforated tiles 134 to clean the chamber components.

［００２５］図２Ａは、図１のリッドアセンブリ１０６の一部の拡大図である。先ほど説明したように、ガス源からの前駆体ガスは、バッキング板１２２を通って形成される第１の導管２００を通り、ガス空間１４０に至る。第１の導管２００の各々は、支持部材１３６に形成された第２の導管２０５に連結される。第２の導管２０５は、開口部２１０において前駆体ガスをガス空間１４０に供給する。第２の導管２０５の一部は、２つの隣接するガス空間１４０にガスを供給する（第２の導管２０５のうちの１つが、図２Ａに破線で示される）。代表的なガス空間１４０へのガス流は、図４により明確に示される。第２の導管２０５は、ガス空間１４０への流れを制御するための流量絞り機構２１５を含みうる。流量絞り機構２１５のサイズは、そこを通るガス流を制御するために変化させてもよい。例えば、流量絞り機構２１５の各々は、流量を制御するために利用される特定のサイズ（例えば、直径）のオリフィスを含む。更に、流量絞り機構２１５の各々は、それを通る流量を制御するために、必要に応じて、より大きなオリフィス寸法、又はより小さなオリフィス寸法を提供するよう、必要に応じて、変化させてもよい。 FIG. 2A is an enlarged view of a part of the lid assembly 106 of FIG. As described above, the precursor gas from the gas source passes through the first conduit 200 formed through the backing plate 122 and reaches the gas space 140. Each of the first conduits 200 is connected to a second conduit 205 formed in the support member 136. The second conduit 205 supplies the precursor gas to the gas space 140 at the opening 210. A portion of the second conduit 205 supplies gas to two adjacent gas spaces 140 (one of the second conduit 205 is shown by the dashed line in FIG. 2A). The gas flow into a typical gas space 140 is clearly shown by FIG. The second conduit 205 may include a flow throttle mechanism 215 for controlling the flow to the gas space 140. The size of the flow rate throttle mechanism 215 may be varied to control the gas flow through it. For example, each of the flow throttle mechanisms 215 includes an orifice of a particular size (eg, diameter) used to control the flow rate. Further, each of the flow rate throttle mechanisms 215 may be varied as needed to provide a larger or smaller orifice size to control the flow rate through it. ..

［００２６］図２Ａに示されるように、穿孔タイル１３４は、それを通って延びる複数の開口部２２０を含む。複数の開口部２２０の各々は、ガスが、ガス空間１４０と処理領域１２６との間を延びる開口部２２０の直径に起因する所望の流量で、ガス空間１４０から処理領域１２６に流入できるようにする。開口部２２０、及び／又は開口部２２０の行及び列は、穿孔タイル１３４の１つ又は複数内の開口部２２０の各々を通るガス流を均等にするために、異なる大きさ及び／又は異なる間隔にしてもよい。代替的には、開口部２２０の各々からのガス流は、所望のガス流特性に応じて、不均一であってもよい。 As shown in FIG. 2A, the perforated tile 134 includes a plurality of openings 220 extending through it. Each of the plurality of openings 220 allows gas to flow from the gas space 140 into the processing area 126 at a desired flow rate due to the diameter of the opening 220 extending between the gas space 140 and the processing area 126. .. The rows and columns of the openings 220 and / or the openings 220 are of different sizes and / or different intervals to equalize the gas flow through each of the openings 220 within one or more of the perforated tiles 134. You may do it. Alternatively, the gas flow from each of the openings 220 may be non-uniform, depending on the desired gas flow characteristics.

［００２７］穿孔タイル１３４に加えて、フェースプレート１３２は、穿孔タイル１３４の側面に沿って延びる複数の穿孔ストリップ２２５を含む。複数の穿孔ストリップ２２５の各々は、ガスが、第２の導管２０５から二次プレナム２３５に流入し、次いで処理領域１２６に流入し、エネルギーが供給されプラズマ内に流入できるようにする複数の開口部２３０を含む。 [0027] In addition to the perforated tile 134, the face plate 132 includes a plurality of perforated strips 225 extending along the sides of the perforated tile 134. Each of the plurality of perforated strips 225 has a plurality of openings that allow gas to flow from the second conduit 205 into the secondary plenum 235 and then into the treatment area 126 to supply energy and flow into the plasma. Includes 230.

［００２８］支持部材１３６は、ボルト又はねじのような締め具２４０によってバッキング板１２２に連結される。支持部材１３６の各々は、界面部分２４５で穿孔タイル１３４を支持する。界面部分２４５の各々は、穿孔タイル１３４の周辺又はエッジの一部を支持するレッジ又は棚でありうる。いくつかの実施形態では、界面部分２４５は、取り外し可能なストリップ２５０を含む。取り外し可能なストリップ２５０は、ボルト又はねじのような締め具（図示せず）によって支持部材１３６に締結される。界面部分２４５の一部はＬ字形であり、一方、界面部分２４５の別の部分はＴ字形である。界面部分２４５の各々はまた、穿孔ストリップ２２５の周辺又はエッジを支持する。１つ又は複数のシール２６５が、ガス空間１４０を密閉するために利用される。例えば、シール２６５は、Ｏリングシール又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）ジョイントシーラント材料などのエラストマ材料である。１つ又は複数のシール２６５は、支持部材１３６と、穿孔タイル１３４及び穿孔ストリップ２２５との間に設けられうる。取り外し可能なストリップ２５０は、穿孔ストリップ２２５及び穿孔タイル１３４の一方又は両方を支持部材１３６上に支持するために利用される。取り外し可能なストリップ２５０は、必要に応じて、取り外し、穿孔ストリップ２２５及び穿孔タイル１３４の一方又は両方を交換することができる。 The support member 136 is connected to the backing plate 122 by fasteners 240 such as bolts or screws. Each of the support members 136 supports the perforated tile 134 at the interface portion 245. Each of the interface portions 245 can be a ledge or shelf that supports the perimeter or part of the edge of the perforated tile 134. In some embodiments, the interface portion 245 comprises a removable strip 250. The removable strip 250 is fastened to the support member 136 by fasteners (not shown) such as bolts or screws. One portion of the interface portion 245 is L-shaped, while another portion of the interface portion 245 is T-shaped. Each of the interface portions 245 also supports the perimeter or edge of the perforated strip 225. One or more seals 265 are utilized to seal the gas space 140. For example, the seal 265 is an elastomeric material such as an O-ring seal or a polytetrafluoroethylene (PTFE) joint sealant material. One or more seals 265 may be provided between the support member 136 and the perforated tile 134 and the perforated strip 225. The removable strip 250 is utilized to support one or both of the perforated strip 225 and the perforated tile 134 on the support member 136. The removable strip 250 can be removed and one or both of the perforated strip 225 and perforated tile 134 can be replaced, if desired.

［００２９］加えて、支持部材１３６の各々は、そこから延びる棚２７０（図２Ａに示される）を利用して、誘電体プレート１３８を支持する。シャワーヘッド１２４／プラズマ源１２８の実施形態では、誘電体プレート１３８は、シャワーヘッド１２４／プラズマ源１２８全体の表面積と比較して、横方向の表面積（Ｘ−Ｙ平面）が小さい。誘電体プレート１３８を支持するために、棚２７０が利用される。複数の誘電体プレート１３８の低減された横方向の表面積により、大気圧負荷を支持する大面積に基づき、その内部に大きな応力を加えることなく、ガス空間１４０及び処理領域１２６内の真空環境及びプラズマと、隣接するコイル１３０が通常配置される大気環境との間の物理的バリアとして、誘電体材料が使用できるようになる。 In addition, each of the support members 136 utilizes a shelf 270 (shown in FIG. 2A) extending from the support member 136 to support the dielectric plate 138. In the embodiment of the shower head 124 / plasma source 128, the dielectric plate 138 has a smaller lateral surface area (XY plane) than the surface area of the entire shower head 124 / plasma source 128. A shelf 270 is utilized to support the dielectric plate 138. Due to the reduced lateral surface area of the plurality of dielectric plates 138, the vacuum environment and plasma in the gas space 140 and the processing area 126 are based on the large area supporting the atmospheric load and without applying large stress inside. The dielectric material can be used as a physical barrier between the and the atmospheric environment in which the adjacent coil 130 is normally located.

［００３０］シール２６５は、（大気圧又はほぼ大気圧で）空間２７５を、ガス空間１４０（処理中にミリトール以下の範囲より低いの大気圧にある）から密閉するために使用される。界面部材２８０は、支持部材１３６から延びるように示されており、締め具２８５は、シール２６５及び棚２７０に対して誘電体プレート１３８を固定する、すなわち押圧するために利用される。また、シール２６５は、穿孔タイル１３４の外周と支持部材１３６との間の空間を密閉するために利用されてもよい。 The seal 265 is used to seal the space 275 (at atmospheric pressure or near atmospheric pressure) from the gas space 140 (at atmospheric pressure below the millitorm range during processing). The interface member 280 is shown to extend from the support member 136, and the fastener 285 is utilized to secure, or press, the dielectric plate 138 to the seal 265 and the shelf 270. Further, the seal 265 may be used to seal the space between the outer circumference of the perforated tile 134 and the support member 136.

［００３１］シャワーヘッド１２４／プラズマ源１２８の材料は、電気的特性、強度及び化学的安定性のうちの１つ又は複数に基づいて選択される。コイル１３０は、導電性材料で作られる。バッキング板１２２及び支持部材１３６は、支持される構成要素の重量及び大気圧負荷を支持することができる材料で作られ、この材料は、金属又は他の類似の材料を含みうる。バッキング板１２２及び支持部材１３６は、アルミニウム材料のような非磁気材料（例えば、非常磁気又は非強磁気材料）で作ることができる。取り外し可能なストリップ２５０はまた、アルミニウムといった金属材料、又はセラミック材料（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）若しくはサファイア（Ａｌ２Ｏ３））などの非磁気材料で形成される。穿孔ストリップ２２５及び穿孔タイル１３４は、石英、アルミナ又は他の類似の材料のようなセラミック材料で作られる。誘電体プレート１３８は、石英、アルミナ又はサファイア材料で作られる。 The material of the shower head 124 / plasma source 128 is selected based on one or more of electrical properties, strength and chemical stability. The coil 130 is made of a conductive material. The backing plate 122 and the support member 136 are made of a material capable of supporting the weight of the supported components and the atmospheric pressure load, which material may include metal or other similar material. The backing plate 122 and the support member 136 can be made of a non-magnetic material such as an aluminum material (eg, a non-magnetic or non-strong magnetic material). The removable strip 250 is also made of a metallic material such as aluminum or a non-magnetic material such as a ceramic material (eg, alumina (Al 2 O 3 ) or sapphire (Al 2 O 3)). The perforated strip 225 and perforated tile 134 are made of a ceramic material such as quartz, alumina or other similar material. The dielectric plate 138 is made of quartz, alumina or sapphire material.

［００３２］いくつかの実施形態では、支持部材１３６は、内部に１つ又は複数の冷却剤チャネル２５５を含む。１つ又は複数の冷却剤チャネル２５５は、冷却剤チャネル２５５に冷却剤媒体を供給するように構成された流体源２６０に流体連結される。 [0032] In some embodiments, the support member 136 comprises one or more coolant channels 255 internally. One or more coolant channels 255 are fluid coupled to a fluid source 260 configured to supply the coolant medium to the coolant channel 255.

［００３３］図２Ｂは、リッドアセンブリ１０６内に見られる誘電体プレート１３８上に位置決めされたコイル１３０の１つの実施形態の上面図である。１つの実施形態では、図示されたコイル構成が誘電体プレート１３８の各々の上に個々に形成され、よって、各平面コイルがシャワーヘッド１２４にわたって所望のパターンで隣接して配置されたコイル１３０と直列に接続されるように、図２Ｂに示すコイル１３０の構成が使用されうる。コイル１３０は、長方形の螺旋形状である導体パターン２９０を含む。電気的接続は、電気入力端子２９５Ａ及び電気出力端子２９５Ｂを含む。シャワーヘッド１２４の１つ又は複数のコイル１３０の各々は、直列及び／又は並列に接続される。 FIG. 2B is a top view of one embodiment of the coil 130 positioned on the dielectric plate 138 found in the lid assembly 106. In one embodiment, the illustrated coil configurations are individually formed on each of the dielectric plates 138 so that each planar coil is in series with the coil 130 placed adjacently in a desired pattern across the shower head 124. The configuration of the coil 130 shown in FIG. 2B can be used so as to be connected to. The coil 130 includes a conductor pattern 290 which is a rectangular spiral shape. The electrical connection includes an electrical input terminal 295A and an electrical output terminal 295B. Each of one or more coils 130 of the shower head 124 is connected in series and / or in parallel.

［００３４］図３Ａは、シャワーヘッド１２４のフェースプレート１３２の１つの実施形態の底面図である。上述のように、シャワーヘッド１２４は、１つ又は複数のゾーンを含むように構成され、各々に独立して制御されたガス流が含まれる。例えば、フェースプレート１３２は、中央ゾーン３００Ａと、中間ゾーン３００Ｂと、１つ又は複数の外側ゾーン３００Ｃ及び３００Ｄとを含む。ゾーンへのガス流は、フローコントローラ１４２、１４３及び１４４（図１に示される）によって制御される。 FIG. 3A is a bottom view of one embodiment of the face plate 132 of the shower head 124. As mentioned above, the shower head 124 is configured to include one or more zones, each containing an independently controlled gas flow. For example, the face plate 132 includes a central zone 300A, an intermediate zone 300B, and one or more outer zones 300C and 300D. The gas flow to the zone is controlled by flow controllers 142, 143 and 144 (shown in FIG. 1).

［００３５］図３Ｂは、シャワーヘッド１２４のフェースプレート１３２の別の実施形態の部分的な底面図である。この実施形態では、穿孔タイル１３４は、穿孔ストリップ２２５によって支持される。締め具３０５は、穿孔ストリップ２２５及び取り外し可能なストリップ２５０を支持部材１３６に固定するために利用されるが、これらは、穿孔ストリップ２２５及び取り外し可能なストリップ２５０の背後にあるので、この図には示されていない。 FIG. 3B is a partial bottom view of another embodiment of the face plate 132 of the shower head 124. In this embodiment, the perforated tile 134 is supported by a perforated strip 225. Fasteners 305 are used to secure the perforated strip 225 and the removable strip 250 to the support member 136, as they are behind the perforated strip 225 and the removable strip 250, so they are not shown in this figure. Not shown.

［００３６］図４は、シャワーヘッド１２４の別の実施形態を示す概略底面図であり、シャワーヘッド１２４内に形成されたガス空間１４０へのガス流注入パターンを示す。基板の長さ４００及び幅４０５は、シャワーヘッド１２４の側面に示されている。ガス空間１４０への前駆体の流れは、矢印４１０によって示されるように一方向に、又は矢印４１５によって示されるように双方向に提供されうる。前駆体フロー制御は、フローコントローラ１４２、１４３及び１４４（図１に示される）によって提供されうる。加えて、エッジゾーン４２０、コーナーゾーン４２５、及び中央ゾーン４３０などのガス流ゾーンが、流量コントローラ１４２、１４３、及び１４４（図１に示される）によって提供されうる。ガス空間１４０及び／又はゾーンの各々への前駆体の流量は、開口部２２０、開口部２３０、及び流量絞り機構２１５（すべて図２Ａに示される）のうちの１つ又は組み合わせのサイズを変化させることによって調節されうる。 FIG. 4 is a schematic bottom view showing another embodiment of the shower head 124, showing a gas flow injection pattern into the gas space 140 formed in the shower head 124. The length 400 and width 405 of the substrate are shown on the sides of the shower head 124. The flow of precursors to the gas space 140 can be provided in one direction as indicated by arrow 410 or in both directions as indicated by arrow 415. Precursor flow control can be provided by flow controllers 142, 143 and 144 (shown in FIG. 1). In addition, gas flow zones such as edge zone 420, corner zone 425, and central zone 430 may be provided by flow controllers 142, 143, and 144 (shown in FIG. 1). The flow rate of the precursor to each of the gas space 140 and / or the zone varies in size of one or a combination of openings 220, openings 230, and flow rate throttle mechanism 215 (all shown in FIG. 2A). Can be adjusted by

［００３７］ガス空間１４０の各々への流量は、同じであっても異なっていてもよい。ガス空間１４０への流量は、図１に示す質量流量コントローラ１４２、１４３及び１４４によって制御されうる。ガス空間１４０への流量は、上述のように流量絞り機構２１５のサイジングによって更に制御されうる。処理領域１２６への流量は、穿孔タイル１３４の開口部２２０のサイズ、並びに穿孔ストリップ２２５の開口部２３０のサイズによって制御されうる。必要に応じて、処理領域１２６への十分なガス流を提供するために、ガス空間１４０への双方向流又は一方向流が利用される。 The flow rates to each of the gas spaces 140 may be the same or different. The flow rate to the gas space 140 can be controlled by the mass flow rate controllers 142, 143 and 144 shown in FIG. The flow rate to the gas space 140 can be further controlled by the sizing of the flow rate throttle mechanism 215 as described above. The flow rate to the processing area 126 can be controlled by the size of the opening 220 of the perforated tile 134 as well as the size of the opening 230 of the perforated strip 225. If necessary, a bidirectional or unidirectional flow to the gas space 140 is utilized to provide sufficient gas flow to the treatment area 126.

［００３８］ガス流を制御する方法は、１）質量流量コントローラ１４２、１４３及び１４４からの異なる流量を使用するマルチゾーン（中心／エッジ／コーナー／任意の他のゾーン）制御、２）異なるオリフィスサイズ（流量絞り機構２１５のサイズ）による流量制御、３）ガス空間１４０への流れ方向制御（一方向又は双方向）、並びに、４）穿孔タイル１３４の開口部２２０のサイズ、穿孔タイル１３４の開口部２２０の数及び／又は穿孔タイル１３４の開口部２２０の位置による流量制御を含む。 Methods of controlling the gas flow are 1) multi-zone (center / edge / corner / any other zone) control using different flow rates from the mass flow controllers 142, 143 and 144, and 2) different orifice sizes. Flow rate control by (size of flow rate throttle mechanism 215), 3) control of flow direction to gas space 140 (one-way or bidirectional), and 4) size of opening 220 of drilling tile 134, opening of drilling tile 134. Includes flow control by number of 220 and / or location of opening 220 of perforated tile 134.

［００３９］図５は、図１に示す断面線から見た支持フレーム５００の底部断面図である。支持フレーム５００は、複数の支持部材１３６からなる。図５の図における支持フレーム５００は、流量絞り機構２１５の様々な直径（オリフィスサイズ）を明らかにする第２の導管２０５の一部に沿って切断される。１つの実施形態では、流量絞り機構２１５の各々の様々なオリフィスは、所望のガス流特性に基づいて、変更又は構成されうる。 FIG. 5 is a cross-sectional view of the bottom of the support frame 500 as seen from the cross-sectional line shown in FIG. The support frame 500 is composed of a plurality of support members 136. The support frame 500 in the figure of FIG. 5 is cut along a portion of a second conduit 205 that reveals various diameters (orifice sizes) of the flow throttle mechanism 215. In one embodiment, each of the various orifices of the flow throttle mechanism 215 can be modified or configured based on the desired gas flow characteristics.

［００４０］この実施形態では、流量絞り機構２１５の各々は、第１の直径部分５０５と、第２の直径部分５１０と、第３の直径部分５１５とを含む。第１の直径部分５０５、第２の直径部分５１０、及び第３の直径部分５１５の直径の各々は、異なるか、又は同じである。直径の各々は、シャワーヘッド１２４の所望の流れ特性に基づいて選択されうる。１つの実施形態では、ここでの第１の直径部分５０５は、最小の直径を有し、ここでの第３の直径部分５１５は、最大の直径を有し、第２の直径部分５１０は、第１の直径部分５０５と第３の直径部分５１５との間の直径を有する。図示された実施形態では、第１の直径部分５０５を有する複数の流量絞り機構２１５が、支持フレーム５００の中央部分に示される一方、第３の直径部分５１５を有する複数の流量絞り機構２１５が、支持フレーム５００の外側部分に示される。 In this embodiment, each of the flow throttle mechanisms 215 includes a first diameter portion 505, a second diameter portion 510, and a third diameter portion 515. Each of the diameters of the first diameter portion 505, the second diameter portion 510, and the third diameter portion 515 is different or the same. Each of the diameters can be selected based on the desired flow characteristics of the shower head 124. In one embodiment, the first diameter portion 505 here has the smallest diameter, the third diameter portion 515 here has the largest diameter, and the second diameter portion 510 has a second diameter portion 510. It has a diameter between the first diameter portion 505 and the third diameter portion 515. In the illustrated embodiment, a plurality of flow rate throttle mechanisms 215 having a first diameter portion 505 are shown in the central portion of the support frame 500, while a plurality of flow rate throttle mechanisms 215 having a third diameter portion 515. Shown on the outer portion of the support frame 500.

［００４１］加えて、第２の直径部分５１０を有する複数の流量絞り機構２１５が、中央部分と外側部分との間の中間ゾーンに示されている。他の実施形態において、第１の直径部分５０５、第２の直径部分５１０、及び第３の直径部分５１５を有する流量絞り機構２１５の位置は、図５に示されるように、支持フレーム５００の部分において逆になりうる。代替的には、第１の直径部分５０５、第２の直径部分５１０、及び第３の直径部分５１５を有する流量絞り機構２１５は、ガス空間１４０を通した所望の特性及び制御に応じて、支持フレーム５００の様々な部分に配置されうる。いくつかの実施例では、シャワーヘッド１２４にわたる均一なガス流が望ましいことがある。しかしながら、他の実施形態では、シャワーヘッド１２４のガス空間１４０の各々へのガス流は、均一でなくてもよい。不均一なガス流は、処理チャンバ１００の何らかの物理的構造及び／又は形状寸法に起因しうる。例えば、シャワーヘッド１２４の他の部分におけるガス流と比較して、移送ポート１１４（図１に示す）に隣接するシャワーヘッド１２４の部分において、より多くのガス流を有することが望ましいことがある。 In addition, a plurality of flow throttle mechanisms 215 with a second diameter portion 510 are shown in the intermediate zone between the central portion and the outer portion. In another embodiment, the location of the flow throttle mechanism 215 with the first diameter portion 505, the second diameter portion 510, and the third diameter portion 515 is the portion of the support frame 500, as shown in FIG. Can be reversed in. Alternatively, the flow throttle mechanism 215 with a first diameter portion 505, a second diameter portion 510, and a third diameter portion 515 supports, depending on the desired properties and control through the gas space 140. It can be placed in various parts of the frame 500. In some embodiments, a uniform gas flow over the shower head 124 may be desirable. However, in other embodiments, the gas flow into each of the gas spaces 140 of the shower head 124 may not be uniform. The non-uniform gas flow may be due to some physical structure and / or shape dimensions of the processing chamber 100. For example, it may be desirable to have more gas flow in the portion of the shower head 124 adjacent to the transfer port 114 (shown in FIG. 1) as compared to the gas flow in other portions of the shower head 124.

［００４２］本開示の実施形態は、シャワーヘッド、及び大面積基板上に膜の１つ又は複数の層を形成することができる、シャワーヘッドを有するプラズマ堆積チャンバのための方法及び装置を含む。プラズマ均一性並びにガス（又は前駆体）流は、個々の穿孔タイル１３４、穿孔タイル１３４のうちのコイル１３０専用の特定のもの、及び／又は流量コントローラ１４２、１４３、及び１４４、並びに流量絞り機構２１５の様々なサイズ及び／又は位置の構成の組み合わせによって制御される。 Embodiments of the present disclosure include shower heads and methods and devices for plasma deposition chambers with shower heads capable of forming one or more layers of membrane on a large area substrate. Plasma uniformity and gas (or precursor) flow are individual perforated tiles 134, specific perforated tiles 134 dedicated to coil 130, and / or flow controllers 142, 143, and 144, and flow throttle mechanism 215. It is controlled by a combination of various size and / or position configurations of.

［００４３］上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が、その基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよく、その範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。 [0043] Although the above is intended for embodiments of the present disclosure, other embodiments and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from their basic scope, the scope of which is as follows: Determined by the scope of claims.

Claims (15)

複数の支持部材のうちの１つ又は複数に各々が連結された複数の穿孔タイルを有するシャワーヘッドと、
複数の誘電体プレートであって、前記複数の誘電体プレートの１つが、前記複数の穿孔タイルの１つに対応する、複数の誘電体プレートと、
複数の誘導性連結器であって、前記複数の誘導性連結器の１つの誘導性連結器が、前記複数の誘電体プレートの１つに対応し、前記支持部材が、前記誘導性連結器と前記穿孔タイルとの間に形成される空間に前駆体ガスを供給する、複数の誘導性連結器と
を備える、プラズマ堆積チャンバ。 A shower head with a plurality of perforated tiles, each connected to one or more of the support members.
A plurality of dielectric plates, wherein one of the plurality of dielectric plates corresponds to one of the plurality of perforated tiles.
A plurality of inductive couplers, wherein one inductive coupler of the plurality of inductive couplers corresponds to one of the plurality of dielectric plates, and the support member is the inductive coupler. A plasma deposition chamber comprising a plurality of inductive couplers that supply precursor gas to the space formed between the perforated tiles. 前記複数の支持部材の各々が、前記前駆体ガスを流すための、内部に形成された導管を含む、請求項１に記載のチャンバ。 The chamber according to claim 1, wherein each of the plurality of support members includes an internally formed conduit for flowing the precursor gas. 前記複数の支持部材の各々が、冷却剤を流すための、内部に形成された冷却剤チャネルを含む、請求項１に記載のチャンバ。 The chamber according to claim 1, wherein each of the plurality of support members includes an internally formed coolant channel for flowing the coolant. 前記誘導性連結器の各々に関連する誘電体プレートを更に備え、前記誘電体プレートが、前記空間の片側と境を接する、請求項１に記載のチャンバ。 The chamber of claim 1, further comprising a dielectric plate associated with each of the inductive couplers, wherein the dielectric plate borders one side of the space. 前記複数の穿孔タイル及び前記複数の支持部材の各々が、界面部分を含む、請求項１に記載のチャンバ。 The chamber according to claim 1, wherein each of the plurality of perforated tiles and the plurality of support members includes an interface portion. 各界面部分が、取り外し可能なストリップを含む、請求項５に記載のチャンバ。 5. The chamber of claim 5, wherein each interface comprises a removable strip. 前記複数の穿孔タイルの一部が、穿孔ストリップによって分離される、請求項１に記載のチャンバ。 The chamber according to claim 1, wherein a part of the plurality of perforated tiles is separated by a perforated strip. 各穿孔ストリップが、界面部分によって前記複数の支持部材の１つの支持部材に連結される、請求項７に記載のチャンバ。 The chamber according to claim 7, wherein each perforated strip is connected to one of the support members of the plurality of support members by an interface portion. 各界面部分が、取り外し可能なストリップを含む、請求項８に記載のチャンバ。 8. The chamber of claim 8, wherein each interface comprises a removable strip. プラズマ堆積チャンバのためのシャワーヘッドであって、
複数の第１の支持面と複数の第２の支持面とを備える支持部材であって、前記複数の第１の支持面が、第１の方向に、前記複数の第２の支持面から第１の距離に配置される、支持部材と、
複数の穿孔タイルと複数の誘電体プレートとを備える複数のガス供給アセンブリであって、前記複数のガス供給アセンブリの各々が、
前記複数の第１の支持面の１つの第１の支持面上に配置された穿孔タイルと、
前記複数の第２の支持面の１つの第２の支持面上に配置された誘電体プレートと
を備え、
ガス空間が、前記誘電体プレートの表面と前記穿孔タイルの表面との間に画定される、複数のガス供給アセンブリと、
複数のガス供給ポートであって、各ガス供給ポートが、前記複数のガス供給アセンブリのガス空間にガスを供給するように構成される、複数のガス供給ポートと、
前記シャワーヘッド内の前記複数のガス供給アセンブリの１つ又は複数の上に配置されたコイルと
を備える、シャワーヘッド。 Shower head for plasma deposition chamber,
A support member including a plurality of first support surfaces and a plurality of second support surfaces, wherein the plurality of first support surfaces are first from the plurality of second support surfaces in a first direction. Support members arranged at a distance of 1 and
A plurality of gas supply assemblies comprising a plurality of perforated tiles and a plurality of dielectric plates, each of the plurality of gas supply assemblies.
A perforated tile arranged on one of the first support surfaces of the plurality of first support surfaces, and
It comprises a dielectric plate disposed on one of the second support surfaces of the plurality of second support surfaces.
A plurality of gas supply assemblies in which a gas space is defined between the surface of the dielectric plate and the surface of the perforated tile.
A plurality of gas supply ports, wherein each gas supply port is configured to supply gas to the gas space of the plurality of gas supply assemblies.
A shower head comprising a coil disposed on one or more of the plurality of gas supply assemblies within the shower head. 前記支持部材が、前駆体ガスを流すための、内部に形成された導管を含む、請求項１０に記載のシャワーヘッド。 The shower head according to claim 10, wherein the support member includes a conduit formed inside for flowing a precursor gas. 前記支持部材が、冷却剤を流すための、内部に形成された冷却剤チャネルを含む、請求項１０に記載のシャワーヘッド。 The shower head according to claim 10, wherein the support member includes a cooling agent channel formed inside for flowing a cooling agent. 前記誘電体プレートが、前記ガス空間の片側と境を接する、請求項１０に記載のシャワーヘッド。 The shower head according to claim 10, wherein the dielectric plate borders one side of the gas space. 前記複数の穿孔タイル及び前記支持部材の各々が、界面部分を含む、請求項１０に記載のシャワーヘッド。 The shower head according to claim 10, wherein each of the plurality of perforated tiles and the support member includes an interface portion. 各界面部分が、取り外し可能なストリップを含み、前記複数の穿孔タイルの一部が、穿孔ストリップによって分離される、請求項１４に記載のシャワーヘッド。 14. The shower head of claim 14, wherein each interface portion comprises a removable strip and a portion of the plurality of perforated tiles is separated by a perforated strip.
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