JP2021527329A - 極低温原子の準備および統合された光導波路のエバネッセント場トラップへの充填のための原子チップ - Google Patents
極低温原子の準備および統合された光導波路のエバネッセント場トラップへの充填のための原子チップ Download PDFInfo
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Abstract
Description
本出願は、35 USC 119の下で2018年6月15日に出願された米国特許仮出願第62/685631号「Atom chip for ultracold atom preparation and loading into an integrated optical waveguide evanescent field trap」の恩恵およびこの米国特許仮出願に対する優先権を請求し、この米国特許仮出願の内容は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれている。
本特許出願の開示の一部は、著作権保護の対象になる題材(material)を含んでいる。著作権の所有者は、米国特許商標庁の特許ファイルおよび特許記録に現れるとき、ソフトウェアエンジンおよびそのモジュールのいずれかによる完全な複写に対して異議がないが、それ以外のいかなるものであっても、すべての著作権を留保する。
光導波路デバイスにおける原子トラッピングの分野に関する1つの極めて重要な、まだ進行中の課題は、エバネッセント場光学トラップの充填プロセスである。統合原子チップの方法は、原子チップによって生成された動的に再構成可能な非消散的な磁位を活用することによって、大幅に改善されたモード整合を実現する。
最適化されたトラップ形状:初期トラップおよび最終的トラップの体積が十分にモード整合されており、空間的に重複している場合に、効率的な充填が実現される。ここでチップは、βによってモード整合を定量化することができる。幾何学的比率
エバネッセント場光学トラップおよび磁気トラップがモード整合され、空間的に重複した後に、次の方法のうちの1つで、原子が最終的な磁気トラップからエバネッセント場光学トラップに転送される。(i)磁位(光学ポテンシャル)の断熱的な同時の減少(増加)、(ii)磁気的にトラッピングされた原子|F=1,mF=−1>からトラッピングされない状態|F=1,mF=0>への二光子光学ラマン遷移、(iii)二光子光学マイクロ波状態転送、および(iv)これら3つの任意の組み合わせ。トラップモード整合は、本質的に、充填効率において、おおよそ106倍の改善をもたらす。
EFOTにおいて、BECを物質波慣性感知測定に利用できる。線形慣性測定と回転慣性測定の両方を実現するための導波路パターンの実施形態が、図4に示されている。エバネッセント場光学トラップは、原子の堅牢な閉じ込め、および原子と光学場の間の強い結合を同時に提供する。光導波路は、干渉法シーケンスの間に利用できるトラッピングされた原子との強い光結合を可能にし、アトムトロニクスおよび量子情報科学(QIS:quantum information science)における将来の研究のための有益なツールを提供する。
図1Aを再び参照すると、統合原子チップ100は、熱酸化物層を含むシリコン基板上に製造することができ、したがって、ウエハーレベルのバッチ製造プロセスにつながる。標準的な電子ビーム蒸着手法に従って、高反射率被覆面が成膜され得る。パターン形成されたフォトレジストおよび電子ビーム蒸着手法または電気めっき手法を使用して、金属トレースが成膜される。光導波路は、Si設計上のSiO2の上のSi3N4であることができ、フォトレジスト、化学蒸着手法、および電子ビームリソグラフィ手法を使用して、標準的技法に従ってパターン形成され、成膜され得る。
統合原子チップ100の機能は、チップを含んでいる1つの専用「科学室」と、2次元MOT(2D−MOT:two− dimensional MOT)および固体アルカリ金属ディスペンサー用の第2の室との、2つの主室を備えるベンチトップ型超高真空(UHV:ultrahigh vacuum、約1e−10トール)システムにおいて特徴付けられ得る。真空システムは、平面状の統合チップの材料に適合する、シリコンおよびガラスのUHV室製造技術における実績のある小型化方針を使用することができる。
導波路チップは、EFOTの品質および原子の充填を制御する。適切な導波路の屈折率プロファイルおよび下層のシリコンへの最小限に抑えられた結合のために、低損失(約dB/cm以下)、高品質な光導波路を、μm厚の熱成長二酸化ケイ素(SiO2)の中間層を含むシリコンウエハー上の窒化ケイ素リブとして製造できる(図5を参照)。導波路材料の外部を伝搬する光の一部を最大化することによって、ポテンシャルの光強度損失および波形の両方が最小限に抑えられる。これは、単一モードTEまたはTMのような、最低次の導波モードを維持しながら、リブ型導波路の高さを減らすことによって実現される。導波路の面での反射および散乱光に起因する定常波パターンは、EFOTの粗さに寄与する。これらの影響は、チップの反射防止被覆面およびファイバー結合に加えて、コヒーレンス長が縮小されたトラッピング光源(
統合原子チップは、極低温原子を準備し、対象の形状を有する高品質の光導波路に充填することができる。統合原子チップは、周知の慣性感知方式から、新たに出現した量子情報科学およびアトムトロニクスの分野に及ぶ応用のために、小型デバイスの将来の統合を可能にする。
− 水中車両などの長時間GPSのないナビゲーションのための十分な精度を有するポインティング、ナビゲーション、およびタイミング(PNT:Pointing, navigation and timing)測定。
− 正確な光クロック時間管理および光学的時間同期。
− 加速度計およびジャイロスコープなどの、重量測定、磁気測定、および電位測定を含む、正確な計測。
Claims (20)
- 原子を測定するための統合原子チップであって、
前記原子を測定するために光導波路のエバネッセント場光学トラップへの前記原子の充填を促進するために、前記統合原子チップに刻み込まれた前記光導波路と統合された1又は2以上の磁気トラップと、
前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに充填されるときに、前記原子の初期温度から最終的な温度に、前記原子を徐々に冷却するように構成された、冷却の2以上の段階とを備える、統合原子チップ。 - 前記冷却の2以上の段階が、i)磁気光学トラップを使用して前記原子を冷却するように構成された冷却の第1の段階、ii)前記統合原子チップの1又は2以上の層に形成された電気トレースのパターンによって生成された磁場内にトラッピングされた原子に対して、高周波に基づく冷却を使用するように構成された冷却の第2の段階である、請求項1に記載の統合原子チップ。
- 前記統合原子チップの第2の層に刻み込まれた前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに原子を充填するために、第1の制御可能な磁気トラップを生成するように構成された前記統合原子チップの第1の層上の金属トレースのパターンをさらに備え、前記光導波路のパターンが、トラッピングされた原子の慣性感知のための形状を使用して設計される、請求項1に記載の統合原子チップ。
- 前記統合原子チップが、光学的構成要素および磁気構成要素を、前記統合原子チップの複数の層に統合するように構築され、前記複数の層が、
前記光導波路を、前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップへの前記原子の磁気充填に使用される第1の磁気トラップと同一平面上の構造に含む、最上層を含み、前記最上層が、前記光導波路と共に反射被覆光学面も含み、前記最上層が、前記エバネッセント場光学トラップと前記第1の磁気トラップの間をモード整合するためのモード整合ワイヤも含む、請求項1に記載の統合原子チップ。 - 前記原子の磁気トラップを作成するために使用されるパターン形成された導電金属トレースを含むベース層をさらに備え、前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに前記原子をトラッピングし、冷却し、充填するために、前記光導波路、前記第1の磁気トラップ、および前記パターン形成された導電金属トレースがすべて統合される、請求項4に記載の統合原子チップ。
- 熱酸化物層を含む半導体基板上に製造される、請求項1に記載の統合原子チップ。
- 前記原子を最初に捕捉して冷却するように構成された磁気光学トラップをさらに備え、次に前記原子が、磁気的にトラップ可能な状態に光学的に送られ、前記統合原子チップのベース層上のリソグラフィによってパターン形成された金属トレースを流れる電流によって形成された磁位に捕捉され、前記リソグラフィによってパターン形成された金属トレースを流れる前記電流によって形成された前記磁位が、前記磁気光学トラップに最初に捕捉された前記原子と比較して、トラッピングされている徐々に低温になる原子に対するより緊密な磁気閉じ込めである、請求項1に記載の統合原子チップ。
- 最終的な磁気トラップおよび前記エバネッセント場光学トラップをモード整合し、空間的に重複させることによって、前記原子を前記エバネッセント場光学トラップに充填するように構成された導波路充填構成要素をさらに備える、請求項1に記載の統合原子チップ。
- (i)前記磁位の断熱的な同時の減少または増加、(ii)磁気的にトラッピングされた前記原子からトラッピングされない状態への二光子光学ラマン遷移、(iii)二光子光学マイクロ波状態転送、およびiv)これら3つの任意の組み合わせのうちの1つの方法で、前記導波路充填構成要素によって、前記原子が前記最終的な磁気トラップから前記エバネッセント場光学トラップに転送される、請求項8に記載の統合原子チップ。
- 原子を測定するための統合原子チップを備えるセンサであって、
前記統合原子チップは、前記原子を測定するために光導波路のエバネッセント場光学トラップへの前記原子の充填を促進するために、前記統合原子チップに刻み込まれた前記光導波路と統合された2以上の磁気トラップを含み、前記統合原子チップの層に刻み込まれた前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに原子を充填するために、第1の制御可能な磁気トラップが前記統合原子チップ上に生成され、前記光導波路のパターンが、トラッピングされた原子の測定のための形状を使用して設計される、センサ。 - 前記センサが、i)慣性センサ、ii)重力定数センサ、iii)ジオイドセンサ、iv)電磁場センサ、およびv)これらのセンサの任意の組み合わせから成る群から選択される、請求項10に記載のセンサ。
- 原子を測定するために使用される統合原子チップのための方法であって、前記原子を測定するために光導波路のエバネッセント場光学トラップへの前記原子の充填を促進するために、前記統合原子チップに刻み込まれた前記光導波路と統合された1又は2以上の磁気トラップを製造することと、
前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに充填されるときに、前記原子の初期温度から最終的な温度に、前記原子を徐々に冷却するために使用される冷却の2以上の段階を製造することとを含む、統合原子チップのための方法。 - 前記冷却の2以上の段階が、i)磁気光学トラップを使用して前記原子を冷却するように構成された冷却の第1の段階、ii)前記統合原子チップの1つまたは複数の層に形成された電気トレースのパターンによって生成された磁場内にトラッピングされた原子に対して、高周波に基づく冷却を使用するように構成された冷却の第2の段階である、請求項12に記載の統合原子チップのための方法。
- 前記統合原子チップの第2の層に刻み込まれた前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに原子を充填するために、第1の制御可能な磁気トラップを生成する前記統合原子チップの第1の層上の金属トレースのパターンを製造することをさらに含み、前記光導波路のパターンが、トラッピングされた原子の慣性感知のための形状を使用して設計される、請求項12に記載の統合原子チップのための方法。
- 光学的構成要素および磁気構成要素を、前記統合原子チップの複数の層に統合するための前記統合原子チップを製造することをさらに含み、前記複数の層が、
前記光導波路を、前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップへの前記原子の磁気充填に使用される第1の磁気トラップと同一平面上の構造に含む、最上層を含み、前記最上層が、前記光導波路と共に反射被覆光学面も含み、前記最上層が、前記エバネッセント場光学トラップと前記第1の磁気トラップの間をモード整合するためのモード整合ワイヤも含む、請求項12に記載の統合原子チップのための方法。 - 前記原子の磁気トラップを作成するために使用されるパターン形成された導電金属トレースを含むベース層を製造することさらに含み、前記光導波路の前記エバネッセント場光学トラップに前記原子をトラッピングし、冷却し、充填するために、前記光導波路、前記第1の磁気トラップ、および前記パターン形成された導電金属トレースがすべて統合される、請求項15に記載の統合原子チップのための方法。
- ウエハー製造プロセスを使用して、熱酸化物層を含む半導体基板上に前記統合原子チップを製造する、請求項16に記載の統合原子チップのための方法。
- 前記原子を最初に捕捉して冷却するための磁気光学トラップを製造することをさらに含み、次に前記原子が、磁気的にトラップ可能な状態に光学的に送られ、前記統合原子チップのベース層上のリソグラフィによってパターン形成された金属トレースを流れる電流によって形成された磁位に捕捉され、前記リソグラフィによってパターン形成された金属トレースを流れる前記電流によって形成された前記磁位が、前記磁気光学トラップに最初に捕捉された前記原子と比較して、トラッピングされている徐々に低温になる原子に対するより緊密な磁気閉じ込めである、請求項12に記載の統合原子チップのための方法。
- 最終的な磁気トラップおよび前記エバネッセント場光学トラップをモード整合し、空間的に重複させることによって、前記原子を前記エバネッセント場光学トラップに充填するように構成された導波路充填構成要素を製造することをさらに含む、請求項12に記載の統合原子チップのための方法。
- 前記エバネッセント場光学トラップおよび最終的な磁気トラップがモード整合され、空間的に重複した後に、(i)磁位の断熱的な同時の減少または増加、(ii)磁気的にトラッピングされた前記原子からトラッピングされない状態への二光子光学ラマン遷移、(iii)二光子光学マイクロ波状態転送、およびiv)これら3つの任意の組み合わせのうちの1つの方法で、前記原子が前記磁気トラップから前記エバネッセント場光学トラップに転送される、請求項18に記載の統合原子チップのための方法。
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