JP2021517711A - 光陰極照射検査のためのシステム及び方法 - Google Patents
光陰極照射検査のためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021517711A JP2021517711A JP2020547397A JP2020547397A JP2021517711A JP 2021517711 A JP2021517711 A JP 2021517711A JP 2020547397 A JP2020547397 A JP 2020547397A JP 2020547397 A JP2020547397 A JP 2020547397A JP 2021517711 A JP2021517711 A JP 2021517711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocathode
- irradiation
- electron beam
- source
- electron beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 177
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 20
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 51
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/29—Reflection microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06325—Cold-cathode sources
- H01J2237/06333—Photo emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本願は、ギルダルド・R・デルガド、カテリーナ・アイオアケイミディ、フランシド・A・ヒル、ルディ・ガルシア、マイク・ロメロ、ゼフラム・D・マルクス、及びゲリー・V・ロペスを発明者として名前を挙げている「検査用途における光陰極照射のための広帯域且つチューナブル光源の効果」という名称の2018年3月20日付けで出願された米国仮特許出願第62/645,415号の35U.S.C.§119(e)に基づく優先権を主張しており、この仮特許出願は、参照により全体としてここに援用される。
Claims (34)
- 広帯域照射を生成するように構成された広帯域照射源と、
前記広帯域照射をフィルタリングして、励起スペクトルを有するフィルタリングされた照射を提供するように構成されたチューナブルスペクトルフィルタと、
前記フィルタリングされた照射に応答して一つ又はそれ以上の電子ビームを発するように構成された光陰極と、
を備えており、
前記光陰極からの放射が、前記チューナブルスペクトルフィルタからの前記フィルタリングされた照射の前記励起スペクトルに基づいて調整可能である、高輝度電子ビーム源。 - 前記光陰極がアルカリハライド光陰極を備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記アルカリハライド光陰極が、CsBr、CsI、及びCs2Teのうちの少なくとも1つを備えている、請求項2に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極の量子効率と前記一つ又はそれ以上の電子ビームのエネルギー広がりとの間の選択されたバランスを提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成されている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極からの放射を光電モードで提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成されている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極からの放射を光放出モードで提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成されている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極における電子を共鳴電子バンド又はトラップの少なくとも一つにポンピングするように選択された励起スペクトルを提供するように構成されており、前記光陰極が、電界を生成して前記ポンピングされた電子のトンネリングを促進して前記一つ又はそれ以上の電子ビームを生成する電圧源を含む、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、2つ又はそれ以上の波長帯を含む励起スペクトルを提供するように構成されており、前記2つ又はそれ以上の波長帯の少なくとも第1の波長帯が、前記光陰極における電子を少なくとも一つのバンド間エネルギー状態にポンピングし、前記2つ又はそれ以上の波長帯の少なくとも第2の波長帯が、前記電子を前記少なくとも一つのバンド間エネルギー状態から真空状態にポンピングする、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記光陰極がCsBr光陰極を備える、請求項8に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記2つ又はそれ以上の波長帯が、
約4.6eV〜約7.2eVの範囲の光子エネルギーに関連した第1の波長帯と、
約2.4eVよりも大きい光子エネルギーに関連した第2の波長帯と、
を備えている、請求項9に記載の高輝度電子ビーム源。 - 前記広帯域照射源が連続波照射源を備えており、前記フィルタリングされた照射に応答して発せられる前記一つ又はそれ以上の電子ビームが、一つ又はそれ以上の連続電子ビームを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記広帯域照射源がパルス化された照射源を備えており、前記フィルタリングされた照射に応答して発せられる前記一つ又はそれ以上の電子ビームが、一つ又はそれ以上のパルス化された電子ビームを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記広帯域照射源が、レーザ生成プラズマ源又はレーザ保持プラズマ源のうちの少なくとも一つを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記広帯域照射源が、スーパーコンチナムレーザ及び白色光レーザのうちの少なくとも一つを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記広帯域照射源が、光学的パラメトリック発振器及び光学的パラメトリック増幅器のうちの少なくとも一つを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記一つ又はそれ以上の電子ビームが単一の電子ビームを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記光陰極が、平坦な光陰極、及び単一の放射先端を含む光陰極のうちの少なくとも一つを備えている、請求項16に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記一つ又はそれ以上の電子ビームが2つ又はそれ以上の電子ビームを備えている、請求項1に記載の高輝度電子ビーム源。
- 前記光陰極が、2つ又はそれ以上の放射先端を含む光陰極、及び2つ又はそれ以上の放射構造を提供するパターン化された光陰極のうちの少なくとも一つを備えている、請求項18に記載の高輝度電子ビーム源。
- 高輝度電子ビーム源であって、
広帯域照射を生成するように構成された広帯域照射源と、
前記広帯域照射をフィルタリングして、励起スペクトルを有するフィルタリングされた照射を提供するように構成されたチューナブルスペクトルフィルタと、
前記フィルタリングされた照射に応答して一つ又はそれ以上の電子ビームを発するように構成された光陰極と、
を備え、前記光陰極からの放射が、前記チューナブルスペクトルフィルタからの前記フィルタリングされた照射の前記励起スペクトルに基づいて調整可能である、高輝度電子ビーム源と、
前記高輝度電子ビーム源からの前記一つ又はそれ以上の電子ビームをサンプルに向けるように構成された一つ又はそれ以上の電子フォーカシング素子と、
前記一つ又はそれ以上の電子ビームに応答して生成された前記サンプルからの放射を検出する一つ又はそれ以上の検出器と、
を備える、検査システム。 - 前記一つ又はそれ以上の検出器が、前記サンプルによって発せられた二次電子又は後方散乱電子のうちの少なくとも一つを検出する一つ又はそれ以上の電子検出器を備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記一つ又はそれ以上の検出器が、前記サンプルによって発せられた光子を検出する一つ又はそれ以上の光検出器を備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記光陰極がアルカリハライド光陰極を備える、請求項20に記載の検査システム。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極の量子効率と前記一つ又はそれ以上の電子ビームのエネルギー広がりとの間の選択されたバランスを提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成される、請求項20に記載の検査システム。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極からの放射を光電モードで提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成されている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極からの放射を光放出モードで提供するように選択された励起スペクトルを提供するように構成されている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、前記光陰極における電子を共鳴電子バンド又はトラップの少なくとも一つにポンピングするように選択された励起スペクトルを提供するように構成されており、前記光陰極が、電界を生成して前記ポンピングされた電子のトンネリングを促進して前記一つ又はそれ以上の電子ビームを生成する電圧源を含む、請求項20に記載の検査システム。
- 前記チューナブルスペクトルフィルタが、2つ又はそれ以上の波長帯を含む励起スペクトルを提供するように構成されており、前記2つ又はそれ以上の波長帯の少なくとも第1の波長帯が、前記光陰極における電子を少なくとも一つのバンド間エネルギー状態にポンピングし、前記2つ又はそれ以上の波長帯の少なくとも第2の波長帯が、前記電子を前記少なくとも一つのバンド間エネルギー状態から真空状態にポンピングする、請求項20に記載の検査システム。
- 前記広帯域照射源が連続波照射源を備えており、前記フィルタリングされた照射に応答して発せられる前記一つ又はそれ以上の電子ビームが、一つ又はそれ以上の連続電子ビームを備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記広帯域照射源がパルス化された照射源を備えており、前記フィルタリングされた照射に応答して発せられる前記一つ又はそれ以上の電子ビームが、一つ又はそれ以上のパルス化された電子ビームを備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記広帯域照射源が、レーザ生成プラズマ源、レーザ保持プラズマ源、スーパーコンチナムレーザ、白色光レーザ、光学的パラメトリック発振器、及び光学的パラメトリック増幅器のうちの少なくとも一つを備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記一つ又はそれ以上の電子ビームが単一の電子ビームを備えており、前記光陰極が、平坦な光陰極、及び単一の放射先端を含む光陰極のうちの少なくとも一つを備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 前記一つ又はそれ以上の電子ビームが2つ又はそれ以上の電子ビームを備えており、前記光陰極が、2つ又はそれ以上の放射先端を含む光陰極、及び2つ又はそれ以上の放射構造を提供するパターン化された光陰極のうちの少なくとも一つを備えている、請求項20に記載の検査システム。
- 広帯域照射源で広帯域照射を生成するステップと、
チューナブルスペクトルフィルタで前記広帯域照射をフィルタリングして、励起スペクトルを有するフィルタリングされた照射を提供するステップと、
光陰極で、前記フィルタリングされた照射に応答して一つ又はそれ以上の電子ビームを発するステップと、
を含んでおり、前記光陰極からの放射が、前記チューナブルスペクトルフィルタからの前記フィルタリングされた照射の前記励起スペクトルに基づいて調整可能である、高輝度電子ビームを生成する方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862645415P | 2018-03-20 | 2018-03-20 | |
US62/645,415 | 2018-03-20 | ||
US16/249,069 | 2019-01-16 | ||
US16/249,069 US10840055B2 (en) | 2018-03-20 | 2019-01-16 | System and method for photocathode illumination inspection |
PCT/US2019/022832 WO2019183007A1 (en) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | System and method for photocathode illumination inspection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021517711A true JP2021517711A (ja) | 2021-07-26 |
JP7236451B2 JP7236451B2 (ja) | 2023-03-09 |
Family
ID=67984285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020547397A Active JP7236451B2 (ja) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 光陰極照射検査のためのシステム及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840055B2 (ja) |
EP (1) | EP3762956A4 (ja) |
JP (1) | JP7236451B2 (ja) |
KR (1) | KR20200123855A (ja) |
CN (1) | CN111801765B (ja) |
TW (2) | TWI827582B (ja) |
WO (1) | WO2019183007A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11844172B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-12-12 | Kla Corporation | System and method for vacuum ultraviolet lamp assisted ignition of oxygen-containing laser sustained plasma sources |
WO2023239382A2 (en) * | 2021-06-15 | 2023-12-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Devices and methods involving semiconducting material(s) for photocathodes |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5047562A (ja) * | 1974-01-17 | 1975-04-28 | ||
JPH11509360A (ja) * | 1995-07-10 | 1999-08-17 | インテバック・インコーポレイテッド | 超微小放出領域を有する負電子親和力フォトカソードを利用した電子ソース |
US20110031414A1 (en) * | 2008-04-11 | 2011-02-10 | Helmut Lippert | Device for microscopy having selective illumination of a plane |
JP2014512069A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-05-19 | エコール ポリテクニック フェデラル ドゥ ローザンヌ (ウペエフエル) | 電子ビーム装置 |
US20170350575A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-12-07 | Kla-Tencor Corporation | System and Method for Spectral Tuning of Broadband Light Sources |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4460831A (en) * | 1981-11-30 | 1984-07-17 | Thermo Electron Corporation | Laser stimulated high current density photoelectron generator and method of manufacture |
US5898269A (en) * | 1995-07-10 | 1999-04-27 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. University | Electron sources having shielded cathodes |
US5898296A (en) * | 1998-02-17 | 1999-04-27 | Lucent Technologies Inc. | Isolation regulator |
US6828574B1 (en) * | 2000-08-08 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Modulator driven photocathode electron beam generator |
US7015467B2 (en) * | 2002-10-10 | 2006-03-21 | Applied Materials, Inc. | Generating electrons with an activated photocathode |
US7098468B2 (en) * | 2002-11-07 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Raster frame beam system for electron beam lithography |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
US7495824B2 (en) * | 2005-05-02 | 2009-02-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Infrared waveguide optical parametric oscillator |
US7696498B2 (en) * | 2007-01-11 | 2010-04-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electron beam lithography method and apparatus using a dynamically controlled photocathode |
NL2005080C2 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-17 | Univ Delft Tech | Inspection apparatus and replaceable door for a vacuum chamber of such an inspection apparatus. |
US9076632B2 (en) * | 2012-02-12 | 2015-07-07 | El-Mul Technologies Ltd. | Position sensitive STEM detector |
US9291578B2 (en) * | 2012-08-03 | 2016-03-22 | David L. Adler | X-ray photoemission microscope for integrated devices |
US9520260B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-12-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Photo emitter X-ray source array (PeXSA) |
US9406488B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-08-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Enhanced photoelectron sources using electron bombardment |
US9558858B2 (en) * | 2013-08-14 | 2017-01-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with a laser sustained plasma illumination output |
US9842724B2 (en) * | 2015-02-03 | 2017-12-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for imaging of a photomask through a pellicle |
US10616987B2 (en) * | 2015-08-28 | 2020-04-07 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with an illumination source modified by a spatial selective wavelength filter |
US10371626B2 (en) * | 2016-08-17 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | System and method for generating multi-channel tunable illumination from a broadband source |
US10497536B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-12-03 | Rockwell Collins, Inc. | Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system |
US10381187B1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-08-13 | Triad National Security, Llc | Electron photoemission with tunable excitation and transport energetics |
-
2019
- 2019-01-16 US US16/249,069 patent/US10840055B2/en active Active
- 2019-02-22 TW TW108105995A patent/TWI827582B/zh active
- 2019-02-22 TW TW113100435A patent/TW202418332A/zh unknown
- 2019-03-19 WO PCT/US2019/022832 patent/WO2019183007A1/en unknown
- 2019-03-19 JP JP2020547397A patent/JP7236451B2/ja active Active
- 2019-03-19 KR KR1020207030103A patent/KR20200123855A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-19 CN CN201980016727.XA patent/CN111801765B/zh active Active
- 2019-03-19 EP EP19772102.0A patent/EP3762956A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5047562A (ja) * | 1974-01-17 | 1975-04-28 | ||
JPH11509360A (ja) * | 1995-07-10 | 1999-08-17 | インテバック・インコーポレイテッド | 超微小放出領域を有する負電子親和力フォトカソードを利用した電子ソース |
US20110031414A1 (en) * | 2008-04-11 | 2011-02-10 | Helmut Lippert | Device for microscopy having selective illumination of a plane |
JP2014512069A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-05-19 | エコール ポリテクニック フェデラル ドゥ ローザンヌ (ウペエフエル) | 電子ビーム装置 |
US20170350575A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-12-07 | Kla-Tencor Corporation | System and Method for Spectral Tuning of Broadband Light Sources |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ZHI LIU, ET AL.: ""CsBr photocathode at 257nm: A rugged high current density electron source"", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 89, JPN7023000336, 13 September 2006 (2006-09-13), pages 111114, XP012085657, ISSN: 0004977681, DOI: 10.1063/1.2354029 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3762956A4 (en) | 2021-12-08 |
WO2019183007A1 (en) | 2019-09-26 |
CN111801765B (zh) | 2024-07-26 |
CN111801765A (zh) | 2020-10-20 |
TWI827582B (zh) | 2024-01-01 |
KR20200123855A (ko) | 2020-10-30 |
TW201946083A (zh) | 2019-12-01 |
EP3762956A1 (en) | 2021-01-13 |
JP7236451B2 (ja) | 2023-03-09 |
US10840055B2 (en) | 2020-11-17 |
TW202418332A (zh) | 2024-05-01 |
US20190295804A1 (en) | 2019-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10890533B1 (en) | Spectroscopic chemical analysis methods and apparatus | |
US7590161B1 (en) | Electron beam pumped semiconductor laser | |
US8395770B1 (en) | Spectroscopic chemical analysis methods and apparatus | |
RU2539970C2 (ru) | Источник света с лазерной накачкой и способ генерации излучения | |
KR20190129031A (ko) | 합 주파수 진동 분광법을 통해 샘플의 스캐닝되는 표면을 이미지화하기 위한 표면 감지 시스템들 및 방법들 | |
US10753863B1 (en) | Spectroscopic chemical analysis methods and apparatus | |
JP7236451B2 (ja) | 光陰極照射検査のためのシステム及び方法 | |
JPH09292281A (ja) | 蛍光体の量子効率測定方法および測定装置 | |
US7177392B2 (en) | X-ray detector for feedback stabilization of an X-ray tube | |
US11424117B2 (en) | Broadband ultraviolet illumination sources | |
US11035727B2 (en) | Spectrometer for vacuum ultraviolet measurements in high-pressure environment | |
JP6640531B2 (ja) | 電子が持つエネルギーの計測装置と計測方法 | |
CN114073169A (zh) | 多镜激光维持等离子体光源 | |
US11361951B2 (en) | System and method for photomultiplier tube image correction | |
CN114689525B (zh) | 深紫外光调制反射光谱仪及其应用 | |
JP3968436B2 (ja) | オージェー光電子コインシデンス分光器、及びオージェー光電子コインシデンス分光法 | |
Hug et al. | Electron beam pumped semiconductor laser | |
JP2006339002A (ja) | 電子−電子−イオンコインシデンス分光器、電子−電子−イオンコインシデンス分光法、電子−電子コインシデンス分光法及び電子−イオンコインシデンス分光法 | |
JP2006019066A (ja) | バイオイメージング用ランプ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7236451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |