JP2021505886A - トロイダルフラックスゲート電流変換器 - Google Patents

Abstract

閉ループ電流変換器（１）が、フラックスゲート感知ユニット（３）と、フラックスゲート感知ユニットに巻き付けられた補償コイル（７）と、補償コイルの周りに装着された変換器ハウジング（９）と、を備え、フラックスゲート感知ユニットは、フラックスゲートハウジング（２）と、フラックスゲートハウジング内に装着されたリング状のフラックスゲート磁界検出器（４）と、フラックスゲートハウジング内に取り付けられた磁気シールド（６）と、を備え、磁気シールドは、フラックスゲート磁界検出器を囲む。フラックスゲートハウジングは、第１および第２の中央部分（２ａ、２ｂ）を備え、各中央部分は、半径方向内側壁（１４）と、半径方向外側壁（１６）と、内側壁を外側壁に接合するベース壁（１８）と、を備え、センサハウジング部分（２２）が、ベース壁の一方の側に形成され、フラックスゲート磁界検出器を中に受容する。中央磁気シールドは、内側環状シールド要素（６ａ）と、外側環状シールド要素（６ｂ）と、第１の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、第２の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、を備え、内側および外側環状シールド要素は、センサハウジング部分（２２）内に装着され、軸方向端部シールド要素は、ベース壁の、第１の側とは反対側の第２の側でフラックスゲートハウジング内に形成されたシールド収容部分（２８）内に装着される。

Description

開示の内容

本発明は、閉ループ適用のための二次コイルを有するトロイダルフラックスゲート電流変換器に関する。

フラックスゲート変換器は、励磁コイルによって囲まれた可飽和磁気コアを有し、励磁コイルは、磁気コアを交互に飽和させる交番磁界を印加する。外部磁界の存在下では、励磁信号の対称性に影響を及ぼす可飽和磁気コアの飽和にバイアスが印加される。この非対称性は外部磁界の振幅と相関しており、よって、外部磁界の振幅を読み取るために使用することができる。磁力計では、励磁電流が、フラックスゲート変換器に巻き付けられた二次コイル（補償コイルとも呼ばれる）への、またはフラックスゲート変換器に連結された磁気回路への、フィードバック信号を生成する電子回路によって処理される。補償電流は外部磁界の影響を打ち消そうとし、これによって、二次（または補償）電流は磁界の大きさを表す。電流変換器において、磁界は、一次導体に流れる一次電流（測定される電流）によって生成される。一次導体は、典型的には、磁界変換器によって形成されるか、または磁界変換器に連結された磁気回路を通過して、配置される。

特定の既知のフラックスゲート変換器は、一次導体が通過する中央開口を囲む環状形状を有する。フラックスゲート変換器は、高い感度を有し、したがって、微小電流または小振幅差動電流を測定するのに十分に適合されるが、ホール効果磁界検出器に基づく開ループ電流変換器または閉ループ電流変換器と比較して、それらは製造および実装するのに比較的コストがかかる。フラックスゲート原理に基づく電流変換器のコストに影響する要因は、励磁コイルおよび二次コイルの提供、可飽和磁気コアの提供、ならびに電子回路へのコイルの相互接続である。前述の要因のいくつかは、ＥＰ２６０９４３４に記載されているフラックスゲート変換器によって対処されている。しかし、変換器の信頼性および精度を低下させることなく、製造コストをさらに低減させる必要性が引き続き存在する。また、電流測定範囲を狭めることなく、電流変換器の小型化を図る上で利点もある。

本発明の目的は、精度が高く、信頼性が高く、製造が経済的なトロイダルフラックスゲート磁界検出器に基づく閉ループ電流変換器を提供することである。

大きなシリーズで製造するのが経済的な閉ループトロイダルフラックスゲート電流変換器を提供することは有利であろう。

小型な閉ループトロイダルフラックスゲート電流変換器を提供することは有利であろう。

堅牢な閉ループトロイダルフラックスゲート電流変換器を提供することは有利であろう。

本発明の目的は、請求項１に記載の閉ループトロイダルフラックスゲート電流変換器を提供することによって達成されている。

閉ループ電流変換器が本明細書に開示され、これは、フラックスゲート感知ユニットと、フラックスゲート感知ユニットに巻き付けられた補償コイルと、補償コイルの周りに装着された変換器ハウジングと、を備え、フラックスゲート感知ユニットは、フラックスゲートハウジングと、フラックスゲートハウジング内に装着されたリング状のフラックスゲート磁界検出器と、フラックスゲートハウジング内に装着された磁気シールドと、を備える。磁気シールドは、フラックスゲート磁界検出器を囲む。フラックスゲートハウジングは、第１および第２の中央部分を備え、各中央部分は、半径方向内側壁と、半径方向外側壁と、内側壁を外側壁に接合するベース壁と、を備え、センサハウジング部分が、ベース壁の第１の側に形成され、フラックスゲート磁界検出器を中に受容する。磁気シールドは、内側環状シールド要素と、外側環状シールド要素と、第１の軸方向端部シールド要素と、第２の軸方向端部シールド要素と、を備え、内側および外側環状シールド要素は、センサハウジング部分内に装着され、軸方向端部シールド要素は、ベース壁の、第１の側とは反対側の第２の側でフラックスゲートハウジング内に形成されたシールド収容部分内に装着される。

有利な実施形態では、フラックスゲートハウジングの第１および第２の中央部分は同一である。

有利な実施形態では、外側環状シールド要素および内側環状シールド要素は、本質的に円筒形の管状部分である。

有利な実施形態では、軸方向端部シールド要素は、中央通路を有する実質的に平面のディスク状部分である。

有利な実施形態では、フラックスゲートハウジングの各中央部分は、ベース壁から直立した、円周方向に分布した複数の半径方向ガイドタブを備えることができ、前記半径方向ガイドタブは、フラックスゲート磁界検出器の対向する半径方向内側面および半径方向外側面に係合するように構成される。

有利な実施形態では、半径方向ガイドタブは、弾性片持ち梁の形態である。

有利な実施形態では、リブが、フラックスゲートハウジングの半径方向外側壁の内側に設けられ、外側環状シールド要素と締まり嵌めで係合するように構成される。

有利な実施形態では、フラックスゲートハウジングの中央部分の半径方向内側壁は、内側環状シールド要素と締まり嵌めで係合するように構成されたリブを備える。

有利な実施形態では、フラックスゲートハウジングは、軸方向端部シールドを覆うために、フラックスゲートハウジングの対向する軸方向端部において、フラックスゲートハウジングの中央部分の半径方向内側壁と半径方向外側壁との間で組み立てられるように構成された、中央通路を有する実質的に環状のディスクの形態の第１および第２のカバー部分をさらに備える。

有利な実施形態では、スペーサタブが、ベース壁から直立してセンサハウジング部分内に設けられ、外側環状シールド要素および内側環状シールド要素と締まり嵌めで係合するように構成される。

有利な実施形態では、フラックスゲートハウジングの軸方向端部シールド収容部分は、端部シールドを位置付けてベース壁に固定するように構成された、軸方向端部シールドの固定オリフィスを通って延びる複数の固定スタッドを備える。

有利な実施形態では、フラックスゲート磁界検出器は、リング状の誘電体支持体上に装着された可飽和磁気コアと、リング状の誘電体支持体および可飽和磁気コアに巻き付けられた励磁コイルと、を備える。

本明細書で使用される用語「トロイダル」および「リング」は、円形に限定されるものではなく、１つ以上の一次導体を通過させる開口を囲む、正方形、長方形、多角形、楕円形、または任意の規則的もしくは不規則な閉じた形状を包含する。

本発明のさらなる目的および有利な特徴は、特許請求の範囲、および添付図面に関連する本発明の実施形態に関する以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。

本発明の一実施形態によるトロイダル電流変換器のフラックスゲート感知ユニットの斜視図である。 図１の実施形態の分解組立斜視図である。 図１の実施形態の断面図である。 図１の実施形態の断面図である。 本発明の一実施形態によるフラックスゲート感知ユニットのフラックスゲートハウジングの中央部分の斜視図である。 本発明の一実施形態による変換器の分解組立斜視図である。 図５の実施形態による変換器の断面図である。

図面を参照すると、本発明の一実施形態による閉ループ電流変換器１は、変換器ハウジング９と、トロイダルフラックスゲート感知ユニット３と、トロイダルフラックスゲート感知ユニット３に巻き付けられた補償コイルと、例えば回路基板上に設けられ、トロイダルフラックスゲート感知ユニット３および補償コイル７に接続された、一次電流を測定するための信号処理回路１１と、を備える。補償コイル７が巻き付けられたトロイダルフラックスゲート感知ユニット３と、信号処理回路１１とは、変換器ハウジング９内に装着されており、変換器ハウジング内の種々の手段によって保持され得る。図示の実施形態では、補償コイル７が巻き付けられたトロイダルフラックスゲート感知ユニット３は、電流変換器の分野ではそれ自体周知であるように、補償コイルと変換器ハウジングの内壁との間の空間を部分的にまたは完全に満たす注封材料１３によって、変換器ハウジング内に保持される。変換器ハウジング９は、例えば、ハウジング内に上述の構成要素を受容するベース９ａと、ベースの開放側を閉じるカバー９ｂと、を備えることができる。しかしながら、本発明の範囲内には、他の変換器ハウジングの配列もあり、例えば、構成要素の周りの注入ポリマーハウジング、またはカバーのないベースであり、注封材料が完全に充填され、補償コイルおよび回路基板の上で成型される。図示された実施形態では、ハウジングは、中央通路５を囲み、中央通路の形状および寸法を定める中央部分９ｃをさらに備える。

変換器１は中央通路５を備え、一般に一次電流と呼ばれる、測定される電流を搬送する１つまたは複数の一次導体（不図示）が中央通路５を通って延びる。

変換器ハウジング９は、例えば、金属ハウジング部分９ａ、９ｂを有することによって、またはハウジング上もしくはその周囲に装着された別個のシールド層（不図示）を提供することによって、ハウジングの一部として、電気的および／または磁気的シールドをさらに含むことができる。

トロイダルフラックスゲート感知ユニット３は、図示されるような閉じた円形の形状を有してもよく、あるいは、１つ以上の一次導体を通過させる開口を囲む、正方形、長方形、多角形、楕円形、または任意の規則的もしくは不規則な形状などの他の閉じた形状を有してもよい。

本発明による変換器１は、複数の一次導体に流れる電流の和である、いわゆる差動電流を測定するために有利に使用され得る。これは、例えば、回路内の漏れを判定するために使用することができる。例えば、中央通路１６を通過する閉じた電気回路の一対の導体は、通常動作の場合には反対方向の、等しい振幅の電流を有し、それぞれ反対の方向の電流によって生成される磁界は互いに打ち消し合う。回路内に漏れがある場合、供給電流およびリターン電流は等しい振幅を有さず、結果として生じる差は、差動電流に相関する非ヌル磁界（non null magnetic field）を生成する。

トロイダルフラックスゲート感知ユニット３は、誘電体フラックスゲートハウジング２と、フラックスゲート磁界検出器４と、シールド６と、を備える。トロイダルフラックスゲート感知ユニットは、補償コイル７によってさらに囲まれる。補償コイルは、誘電体フラックスゲートハウジング２に巻き付けられた絶縁コーティングを有する薄い導線から作られる。閉ループ変換器においてそれ自体が周知のように、補償コイルは、フィードバックループにおいて磁界検出器４に接続された電子回路によって駆動され、それによって補償コイルは、一次電流によって生成される磁界の影響を打ち消す磁界を生成するように駆動される。二次電流の振幅および方向は、一次電流の表示を形成し、したがって、一次電流の尺度として使用することができ、これは上述のように差動電流であってもよい。

トロイダルフラックスゲート感知ユニット３は可飽和磁気コア１０を備え、これは、有利には、例えば注入プラスチック材料で作られたリング状の誘電体支持リング１２上に装着された、Ｍｅｔｇｌａｓ ２７１４Ａのような非晶質磁性材料のストリップまたはバンドの形態とすることができる。誘電体支持リング１２は、図示のように単一の部品で作られることが好ましいが、変換器の組み立て中に互いに固定される２つ以上の部品で作ることもできる。可飽和磁気コアを形成する非晶質磁性材料のストリップは、ストリップの片側にコーティングされた接着剤で装着されるか、または、誘電体支持リング１２上にコーティングされるか、もしくは、絶縁テープ上に提供されてもよく、非晶質ストリップが誘電体支持体の外側表面に接着され得る。非晶質磁性材料のストリップは、オプションとして対向する自由端部にある一定のオーバーラップを有して、支持体上に単一の層を形成するか、または支持体上に２つ以上の層を、支持体に巻き付けられた単一のストリップとして、もしくは複数の別個の積層ストリップとして、形成することができる。

誘電体支持リング１２には、励磁コイル８が巻き付けられている。励磁コイルは、薄い銅線または他の導電材料から作ることができる。変形例では、トロイダルフラックスゲート感知ユニットは、線形ユニットとして製造されてもよく、それにより、非晶質磁性材料の線形ストリップまたはバンドが、線形絶縁支持体およびそれに巻き付けられた励磁コイル上に装着され、線形ユニットは次に最終的なリング形状へと曲げられる。

シールド６は、透磁率の高い磁性材料で作られ、主にフラックスゲート磁界検出器４の周囲に磁気シールドを提供するのに役立つ。

フラックスゲートハウジング２は、第１の中央部分２ａおよび第２の中央部分２ｂと、第１および第２のカバー部分２ｃと、を備え、感知ユニットの製造中に中央部分とカバー部分とが一緒に組み立てられて、フラックスゲート磁界検出器４およびシールド６が装着されたフラックスゲートハウジング２が形成される。中央部分２ａ、２ｂは、一実施形態では、同一部品であることが有利となり得る。中央部分２ａ、２ｂは、例えば、フラックスゲートハウジングの他方の中央部分２ｂ上の軸方向に延びる凹部２０ｂ内に受容される軸方向に延びる突起２０ａの形態の、配向要素２０ａ、２０ｂを備えることができる。フラックスゲートハウジングの部分２ａ、２ｂが同一部品である実施形態では、フラックスゲートハウジングの部分は、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂの半径方向外側および／または半径方向内側で直径方向に対向する凹部２０ｂおよび突起２０ａの両方を備えることができる。

フラックスゲートハウジング２の軸方向外側縁部３０は、有利には、フラックスゲート感知ユニット３に巻き付けられた補償コイル７の第１の層を位置付ける働きをする窪みを備え得る。これは、巻線の第１の層のワイヤ間のスリップを防止し、それに巻き付けられた後続のコイル層の均等な分布を確保するのに役立つ。

フラックスゲートハウジングの２つのカバー部分２ｃは、有利には、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂの対向する軸方向端部に軸方向Ａにおいて装着可能な、実質的に平面のリング形状を有する同一部品とすることができる。図示された実施形態では、カバー部分２ｃは、半径方向外側縁部３７から半径方向外向きに延び、追加的にまたは代替的に半径方向内側縁部３９から延びる、固定突起３２を備えている。固定突起３２は、中央部分２ａ、２ｂの内側表面２３、２５と締まり嵌めするように構成されている。これにより、フラックスゲートハウジングのカバー部分２ｃを、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂの対応する対向する軸方向端部に、圧入により、組み付けて固定することができる。オプションとして、フラックスゲートハウジングの部分２ａ、２ｂ、２ｃは、例えば超音波溶接によって、さらに一緒に接着または溶接されてもよいが、このような動作は、圧入された機械的組立体と、後続の、それに巻き付けられた補償コイルの巻線とからなる組立体では回避され得る。

フラックスゲートハウジングの各中央部分２ａ、２ｂは、ベース壁１８によってつながれた、半径方向内側壁１４および半径方向外側壁１６を備える。中央部分２ａ、２ｂは、ベース壁の一方の側にセンサハウジング部分２２を備え、ベース壁１８の他方の側にシールド収容部分２８を備える。シールド収容部分２８は、軸方向外側縁部３０に隣接して、実質的に平面の軸方向端部シールド６ｃおよびフラックスゲートハウジングのカバー部分２ｃを受容するように構成された軸方向凹部を提供する。シールド収容部分２２には、固定スタッド４０がベース壁１８から直立して設けられ得、軸方向端部シールド６ｃの対応するオリフィス４６内に受容されるように構成され、オプションとしてフラックスゲートハウジングのカバー部分２ｃの固定オリフィス３４内に受容される。フラックスゲートハウジングのカバー部分の固定オリフィス３４は、フラックスゲートハウジングのカバー部分２ｃを対応するフラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂにさらに確実に固定するために、固定スタッド４０と締まり嵌めするように構成されたフックまたは突起を備えることができる。変形例では、ベース壁１８から直立している固定スタッド４０は、軸方向端部シールド６ｃの対応する固定オリフィス４６の周りにホットリベット留めされてもよい。これにより、フラックスゲートハウジング２内での軸方向端部シールドの安定した強固で確実な固定が確保される。

フラックスゲートハウジングのベース壁は、ワイヤ貫通チャネル４２をさらに備えることができ、これは、軸方向端部シールド６ｃ内のワイヤオリフィス４４と整列されて、励磁コイル６の接続端部８ａがフラックスゲート感知ユニット３の外部の電子回路に接続されるようにワイヤ貫通チャネルを通って延びることを可能にする。

磁気シールド６は、外側環状シールド６ｂと、内側環状シールド６ａと、内側環状シールド要素６ａおよび外側環状シールド要素６ｂの対向する軸方向端部にわたって延びる第１および第２の軸方向端部シールド６ｃと、を備える。これにより、シールド要素６ａ、６ｂ、６ｃは、フラックスゲート磁界検出器４を囲み、シールド内に位置するフラックスゲート磁界検出器上のシールドの外側の磁界の振幅を減衰させる。

磁気的に遮蔽されたフラックスゲート検出器の一般的な機能原理は、当技術分野でそれ自体既知であり、本明細書で詳細に説明する必要はない。

有利には、本発明の一態様によれば、外側環状シールド要素６ｂおよび内側環状シールド要素６ａは、製造が容易で安価な円筒形チューブの一部に対応する単純なリング状要素である。実質的に中央オリフィスを有する平面のディスクの形態の、軸方向端部シールドもまた、製造が容易で安価である。さらに、外側環状シールド要素６ｂおよび内側環状シールド要素６ａは、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂ内のフラックスゲート磁界検出器４の装着方向、およびフラックスゲートハウジングの中央部分に対する軸方向端部シールド６ｃおよびフラックスゲートハウジングのカバー部分２ｃの装着方向に対応する軸方向Ａにおいてフラックスゲートハウジング内に装着されてもよい。

図２を参照して最もよく理解されるように、上記の種々の構成要素は、組み立てプロセスを単純化する軸方向に積み重ねた関係で一緒に組み立てられてもよい。さらに、外側環状要素６ｂおよび内側環状要素６ａを備えたシールドは、従来の装置と比較して特に小型である。

特に図３ａ、図３ｂおよび図４を参照すると、フラックスゲートハウジングの各中央部分２ａ、２ｂは、センサハウジング部分２２内に、ベース壁１８から直立した半径方向ガイドタブ２４を備え、半径方向ガイドタブ２４は、リング状のフラックスゲート磁気検出器４の半径方向内側および半径方向外側のコーナーまたは側面と係合するように構成され、したがって、フラックスゲート磁界検出器４をフラックスゲートハウジング内で、シールド６の外側環状シールド要素６ｂと内側環状シールド要素６ａとの間に確実に位置付ける。半径方向ガイドタブ２４は、有利には、フラックスゲート磁界検出器４に対して弾性付勢力を及ぼす弾性舌状部の形態とすることができる。半径方向ガイドタブ２４は、有利には、セルフセンタリング効果のある、フラックスゲート磁界検出器４のタブ間への進入および位置付けを容易にするために、わずかにテーパ状または面取りされた進入部分を備え得る。

フラックスゲートハウジングの部分２ａ、２ｂ、２ｃは、有利には、注入または成型プラスチックで作られ得る。したがって、半径方向ガイドタブ２４は、磁界検出器４を外側シールド要素６ｂおよび内側シールド要素６ａから誘電的に分離する。外側シールド要素６ｂおよび内側シールド要素６ａは、直立した半径方向ガイドタブ２４と、それぞれの半径方向内側壁１４および半径方向外側壁１６との間に位置付けられてもよい。

半径方向内側壁１４および半径方向外側壁１６は、有利には、半径方向に延びるリブ２７を備えることができ、これは、対応する内側環状シールド要素６ａまたは外側環状シールド要素６ｂの対応する半径方向内側表面および半径方向外側表面と締まり嵌めするように構成される。これにより、固定リブ２７は、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂ内で、またフラックスゲート磁界検出器４に対して、内側環状シールド要素６ａおよび外側環状シールド要素６ｂを確実に固定し、それにより、リブ２７は、外側環状シールド要素６ｂおよび内側環状シールド要素６ａの対向する軸方向側面から、またフラックスゲート磁界検出器４の対向する軸方向端部からフラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂを軸方向に組み立てることを可能にする。

フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂは、ベース壁１８から直立したスペーサタブ２６をさらに備えることができ、これらは、本質的に半径方向に向けられ、外側環状シールド要素６ｂの半径方向内側表面と内側環状シールド要素６ａの半径方向外側表面との間に挿入されるように構成され、よって、フラックスゲートハウジングの中央部分２ａ、２ｂ内での外側環状シールド要素６ｂおよび内側環状シールド要素６ａの位置を安定させるための、さらに堅牢で正確な位置付け手段を提供する。

〔図面で使用される参照符号のリスト〕
電流変換器１
変換器ハウジング９
ベース９ａ
カバー９ｂ
中央部分９ｃ
中央通路５
信号処理回路（回路基板）１１
補償コイル７
フラックスゲート感知ユニット３
フラックスゲートハウジング２
中央部分２ａ、２ｂ
半径方向内側壁１４
半径方向外側壁１６
フラックスゲートハウジングの位置付け要素２０ａ、２０ｂ
リブ２７
ベース壁１８
センサハウジング部分２２
半径方向ガイドタブ２４
スペーサタブ２６
軸方向端部シールド収容部分２８
軸方向外側縁部３０
固定スタッド４０
ワイヤ貫通チャネル４２
カバー部分２ｃ
環状ディスク
固定突起３２
固定オリフィス３４
ワイヤオリフィス３６
半径方向外側縁部３７
半径方向内側縁部３９
フラックスゲート磁界検出器４
励磁コイル８
接続端部８ａ
可飽和磁気コア１０
支持リング１２
シールド６
外側環状シールド要素６ｂ
内側環状シールド６ａ
軸方向端部シールド６ｃ
ワイヤオリフィス４４
固定オリフィス４６

〔実施の態様〕
（１） フラックスゲート感知ユニット（３）と、前記フラックスゲート感知ユニットに巻き付けられた補償コイル（７）と、前記補償コイルの周りに装着された変換器ハウジング（９）と、を備える、閉ループ電流変換器（１）において、前記フラックスゲート感知ユニットは、フラックスゲートハウジング（２）と、前記フラックスゲートハウジング内に装着されたリング状のフラックスゲート磁界検出器（４）と、前記フラックスゲートハウジング内に装着された磁気シールド（６）と、を備え、前記磁気シールドは、前記フラックスゲート磁界検出器を囲み、前記フラックスゲートハウジングは、第１および第２の中央部分（２ａ、２ｂ）を備え、各中央部分は、半径方向内側壁（１４）と、半径方向外側壁（１６）と、内側壁を外側壁に接合するベース壁（１８）と、を備え、センサハウジング部分（２２）が、前記ベース壁の第１の側に形成され、前記フラックスゲート磁界検出器を中に受容し、前記磁気シールドは、内側環状シールド要素（６ａ）と、外側環状シールド要素（６ｂ）と、第１の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、第２の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、を備え、前記内側および外側環状シールド要素は、前記センサハウジング部分（２２）内に装着され、前記軸方向端部シールド要素は、前記ベース壁の、前記第１の側とは反対の第２の側で前記フラックスゲートハウジング内に形成されたシールド収容部分（２８）内に装着されていることを特徴とする、閉ループ電流変換器。
（２） 前記フラックスゲートハウジングの前記第１および第２の中央部分は同一である、実施態様１に記載の閉ループ電流変換器。
（３） 前記外側環状シールド要素および前記内側環状シールド要素は、本質的に円筒形の管状部分である、実施態様１または２に記載の閉ループ電流変換器。
（４） 前記軸方向端部シールド要素は、中央通路を有する実質的に平面のディスク状部分である、実施態様１から３のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。
（５） 前記フラックスゲートハウジングの各前記中央部分は、前記ベース壁（１８）から直立した、円周方向に分布した複数の半径方向ガイドタブ（２４）を備え、前記半径方向ガイドタブは、前記フラックスゲート磁界検出器（４）の対向する半径方向内側面および半径方向外側面に係合するように構成されている、実施態様１から４のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。

（６） 前記半径方向ガイドタブは、弾性片持ち梁の形態である、実施態様５に記載の閉ループ電流変換器。
（７） リブ（２７）が、前記フラックスゲートハウジングの前記半径方向外側壁（１６）の内側に設けられ、前記外側環状シールド要素（６ｂ）と締まり嵌めで係合するように構成されている、実施態様１から６のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。
（８） 前記フラックスゲートハウジングの前記中央部分の前記半径方向内側壁（１４）は、前記内側環状シールド要素（６ａ）と締まり嵌めで係合するように構成されたリブ（２７）を備える、実施態様１から７のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。
（９） 前記フラックスゲートハウジング（２）は、前記軸方向端部シールド（６ｃ）を覆うために、前記フラックスゲートハウジングの対向する軸方向端部において、前記フラックスゲートハウジングの前記中央部分の前記半径方向内側壁と前記半径方向外側壁との間で組み立てられるように構成された、中央通路を有する実質的に環状のディスクの形態の第１および第２のカバー部分（２ｃ）をさらに備える、実施態様１から８のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。
（１０） スペーサタブ（２６）が、前記ベース壁（１８）から直立して前記センサハウジング部分（２２）内に設けられ、前記外側環状シールド要素（６ｂ）および前記内側環状シールド要素（６ａ）と締まり嵌めで係合するように構成されている、実施態様１から９のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。

（１１） 前記フラックスゲートハウジング（２）の前記軸方向端部シールド収容部分（２８）は、前記端部シールドを位置付けて前記ベース壁（１８）に固定するように構成された、前記軸方向端部シールド（６ｃ）の固定オリフィス（４６）を通って延びる複数の固定スタッド（４）を備える、実施態様１から１０のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。
（１２） 前記フラックスゲート磁界検出器は、リング状の誘電体支持体（１２）上に装着された可飽和磁気コア（１０）と、前記リング状の誘電体支持体および前記可飽和磁気コアに巻き付けられた励磁コイル（８）と、を備える、実施態様１から１１のいずれかに記載の閉ループ電流変換器。

Claims (12)

1. フラックスゲート感知ユニット（３）と、前記フラックスゲート感知ユニットに巻き付けられた補償コイル（７）と、前記補償コイルの周りに装着された変換器ハウジング（９）と、を備える、閉ループ電流変換器（１）において、前記フラックスゲート感知ユニットは、フラックスゲートハウジング（２）と、前記フラックスゲートハウジング内に装着されたリング状のフラックスゲート磁界検出器（４）と、前記フラックスゲートハウジング内に装着された磁気シールド（６）と、を備え、前記磁気シールドは、前記フラックスゲート磁界検出器を囲み、前記フラックスゲートハウジングは、第１および第２の中央部分（２ａ、２ｂ）を備え、各中央部分は、半径方向内側壁（１４）と、半径方向外側壁（１６）と、内側壁を外側壁に接合するベース壁（１８）と、を備え、センサハウジング部分（２２）が、前記ベース壁の第１の側に形成され、前記フラックスゲート磁界検出器を中に受容し、前記磁気シールドは、内側環状シールド要素（６ａ）と、外側環状シールド要素（６ｂ）と、第１の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、第２の軸方向端部シールド要素（６ｃ）と、を備え、前記内側および外側環状シールド要素は、前記センサハウジング部分（２２）内に装着され、前記軸方向端部シールド要素は、前記ベース壁の、前記第１の側とは反対の第２の側で前記フラックスゲートハウジング内に形成されたシールド収容部分（２８）内に装着されていることを特徴とする、閉ループ電流変換器。
2. 前記フラックスゲートハウジングの前記第１および第２の中央部分は同一である、請求項１に記載の閉ループ電流変換器。
3. 前記外側環状シールド要素および前記内側環状シールド要素は、本質的に円筒形の管状部分である、請求項１または２に記載の閉ループ電流変換器。
4. 前記軸方向端部シールド要素は、中央通路を有する実質的に平面のディスク状部分である、請求項１から３のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
5. 前記フラックスゲートハウジングの各前記中央部分は、前記ベース壁（１８）から直立した、円周方向に分布した複数の半径方向ガイドタブ（２４）を備え、前記半径方向ガイドタブは、前記フラックスゲート磁界検出器（４）の対向する半径方向内側面および半径方向外側面に係合するように構成されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
6. 前記半径方向ガイドタブは、弾性片持ち梁の形態である、請求項５に記載の閉ループ電流変換器。
7. リブ（２７）が、前記フラックスゲートハウジングの前記半径方向外側壁（１６）の内側に設けられ、前記外側環状シールド要素（６ｂ）と締まり嵌めで係合するように構成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
8. 前記フラックスゲートハウジングの前記中央部分の前記半径方向内側壁（１４）は、前記内側環状シールド要素（６ａ）と締まり嵌めで係合するように構成されたリブ（２７）を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
9. 前記フラックスゲートハウジング（２）は、前記軸方向端部シールド（６ｃ）を覆うために、前記フラックスゲートハウジングの対向する軸方向端部において、前記フラックスゲートハウジングの前記中央部分の前記半径方向内側壁と前記半径方向外側壁との間で組み立てられるように構成された、中央通路を有する実質的に環状のディスクの形態の第１および第２のカバー部分（２ｃ）をさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
10. スペーサタブ（２６）が、前記ベース壁（１８）から直立して前記センサハウジング部分（２２）内に設けられ、前記外側環状シールド要素（６ｂ）および前記内側環状シールド要素（６ａ）と締まり嵌めで係合するように構成されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
11. 前記フラックスゲートハウジング（２）の前記軸方向端部シールド収容部分（２８）は、前記端部シールドを位置付けて前記ベース壁（１８）に固定するように構成された、前記軸方向端部シールド（６ｃ）の固定オリフィス（４６）を通って延びる複数の固定スタッド（４）を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。
12. 前記フラックスゲート磁界検出器は、リング状の誘電体支持体（１２）上に装着された可飽和磁気コア（１０）と、前記リング状の誘電体支持体および前記可飽和磁気コアに巻き付けられた励磁コイル（８）と、を備える、請求項１から１１のいずれか一項に記載の閉ループ電流変換器。

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