JP2021197482A - Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing - Google Patents
Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021197482A JP2021197482A JP2020103990A JP2020103990A JP2021197482A JP 2021197482 A JP2021197482 A JP 2021197482A JP 2020103990 A JP2020103990 A JP 2020103990A JP 2020103990 A JP2020103990 A JP 2020103990A JP 2021197482 A JP2021197482 A JP 2021197482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- workpiece
- laser
- absorbance
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 33
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 12
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 11
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-M (E)-Ferulic acid Natural products COC1=CC(\C=C\C([O-])=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-M 0.000 description 10
- 235000001785 ferulic acid Nutrition 0.000 description 10
- KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-N ferulic acid Chemical compound COC1=CC(\C=C\C(O)=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-N 0.000 description 10
- 229940114124 ferulic acid Drugs 0.000 description 10
- KSEBMYQBYZTDHS-UHFFFAOYSA-N ferulic acid Natural products COC1=CC(C=CC(O)=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 10
- QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N trans-isoferulic acid Natural products COC1=CC=C(C=CC(O)=O)C=C1O QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 alkylene glycol monoalkyl ethers Chemical class 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 7
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- SRUQARLMFOLRDN-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,5-Trihydroxyphenyl)-1-butanone Chemical compound CCCC(=O)C1=CC(O)=C(O)C=C1O SRUQARLMFOLRDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 102100039386 Ketimine reductase mu-crystallin Human genes 0.000 description 5
- 101000772180 Lithobates catesbeianus Transthyretin Proteins 0.000 description 5
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPEXFJVZFNYXGU-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 CPEXFJVZFNYXGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 2
- WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQTIAFFVNAYEGV-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1.OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 LQTIAFFVNAYEGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)methanone Chemical group OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1O NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWVRJTMFETXNAD-FWCWNIRPSA-N 3-O-Caffeoylquinic acid Natural products O[C@H]1[C@@H](O)C[C@@](O)(C(O)=O)C[C@H]1OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 CWVRJTMFETXNAD-FWCWNIRPSA-N 0.000 description 1
- PZIRUHCJZBGLDY-UHFFFAOYSA-N Caffeoylquinic acid Natural products CC(CCC(=O)C(C)C1C(=O)CC2C3CC(O)C4CC(O)CCC4(C)C3CCC12C)C(=O)O PZIRUHCJZBGLDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWVRJTMFETXNAD-KLZCAUPSSA-N Neochlorogenin-saeure Natural products O[C@H]1C[C@@](O)(C[C@@H](OC(=O)C=Cc2ccc(O)c(O)c2)[C@@H]1O)C(=O)O CWVRJTMFETXNAD-KLZCAUPSSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- DYZLRGBRJROJDZ-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C(=O)C2=C(C=C(C=C2)O)O)C=CC(=C1)O.OC1=C(C(=O)C2=C(C=C(C=C2)O)O)C=CC(=C1)O Chemical compound OC1=C(C(=O)C2=C(C=C(C=C2)O)O)C=CC(=C1)O.OC1=C(C(=O)C2=C(C=C(C=C2)O)O)C=CC(=C1)O DYZLRGBRJROJDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZMNSGAIGKXTPP-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=CC(=C1)O.OC1=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=CC(=C1)O Chemical compound OC1=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=CC(=C1)O.OC1=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=CC(=C1)O KZMNSGAIGKXTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEUILLWGHFUMBH-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC=C1.OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC(=C1O)O Chemical compound OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC=C1.OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC(=C1O)O YEUILLWGHFUMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFEKBAYUWFROAD-UHFFFAOYSA-N OC=1C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC1O.OC=1C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC1O Chemical compound OC=1C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC1O.OC=1C=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC1O HFEKBAYUWFROAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001145 Poly(N-vinylacetamide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)amino]methanol Chemical compound NC1=NC(N)=NC(NCO)=N1 MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDSSHDQVWZWHIC-UHFFFAOYSA-N bis(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=C1.OC1=CC=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=C1 KDSSHDQVWZWHIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- CWVRJTMFETXNAD-JUHZACGLSA-N chlorogenic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)C[C@@](O)(C(O)=O)C[C@H]1OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 CWVRJTMFETXNAD-JUHZACGLSA-N 0.000 description 1
- 235000001368 chlorogenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074393 chlorogenic acid Drugs 0.000 description 1
- FFQSDFBBSXGVKF-KHSQJDLVSA-N chlorogenic acid Natural products O[C@@H]1C[C@](O)(C[C@@H](CC(=O)C=Cc2ccc(O)c(O)c2)[C@@H]1O)C(=O)O FFQSDFBBSXGVKF-KHSQJDLVSA-N 0.000 description 1
- BMRSEYFENKXDIS-KLZCAUPSSA-N cis-3-O-p-coumaroylquinic acid Natural products O[C@H]1C[C@@](O)(C[C@@H](OC(=O)C=Cc2ccc(O)cc2)[C@@H]1O)C(=O)O BMRSEYFENKXDIS-KLZCAUPSSA-N 0.000 description 1
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 235000010944 ethyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003087 methylethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、レーザーダイシング用保護膜剤を被加工物の一面上に塗布した後、当該一面にレーザービームを照射してレーザー加工溝を形成する被加工物の加工方法、被加工物の一面側がレーザーダイシング用保護膜剤で被覆された保護膜付き被加工物の製造方法、及び、被加工物に塗布されるレーザーダイシング用保護膜剤に関する。 The present invention is a method for processing a workpiece in which a protective film agent for laser dicing is applied on one surface of the workpiece and then the one surface is irradiated with a laser beam to form a laser processing groove. The present invention relates to a method for manufacturing a work piece with a protective film coated with a protective film agent for laser dicing, and a protective film agent for laser dicing applied to the work piece.
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器には、電子回路等のデバイスを備えたデバイスチップが搭載されている。デバイスチップを製造するためには、例えば、デバイスが形成されたシリコンウェーハ等の被加工物を分割することで製造される。 Electronic devices such as mobile phones and personal computers are equipped with device chips equipped with devices such as electronic circuits. In order to manufacture a device chip, for example, it is manufactured by dividing a workpiece such as a silicon wafer on which a device is formed.
より具体的には、被加工物の表面には複数の分割予定ラインが設定されており、複数の分割予定ラインで区画された各領域にIC(Integrated Circuit)等のデバイスが形成されている。各分割予定ラインに沿って被加工物を分割することで、デバイスチップが製造される。 More specifically, a plurality of scheduled division lines are set on the surface of the workpiece, and devices such as ICs (Integrated Circuits) are formed in each region partitioned by the plurality of scheduled division lines. Device chips are manufactured by dividing the workpiece along each scheduled division line.
被加工物を分割するためには、例えば、レーザー加工装置が使用される。レーザー加工装置は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、チャックテーブルの上方に配置されたレーザービーム照射ユニットと、を備える。レーザー加工装置で、被加工物を加工する場合には、まず、チャックテーブルで被加工物の裏面側を吸引保持する。 For example, a laser processing device is used to divide the workpiece. The laser processing apparatus includes a chuck table that sucks and holds the workpiece, and a laser beam irradiation unit arranged above the chuck table. When processing a work piece with a laser processing device, first, the back surface side of the work piece is sucked and held by a chuck table.
次いで、レーザービーム照射ユニットから、被加工物に吸収される波長を有するレーザービームを、被加工物の表面側に照射する。レーザービームを分割予定ラインに沿って照射することにより、被加工物はアブレーションされる。しかし、レーザー加工時に被加工物の溶融物がデブリとなり飛散して被加工物の表面に付着し、分割後のデバイスチップの品質が低下することがある。 Next, the laser beam irradiation unit irradiates the surface side of the workpiece with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece. The work piece is ablated by irradiating the laser beam along the planned division line. However, during laser machining, the melt of the work piece may become debris and scatter and adhere to the surface of the work piece, degrading the quality of the device chip after division.
そこで、被加工物にレーザー加工を施す前に、水溶性樹脂及び光吸収剤等から成る保護膜を被加工物の表面に形成することにより、被加工物の表面にデブリが直接付着することを防止することが知られている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, by forming a protective film made of a water-soluble resin, a light absorber, etc. on the surface of the workpiece before laser processing the workpiece, debris directly adheres to the surface of the workpiece. It is known to prevent (see, for example, Patent Document 1).
しかし、レーザー加工で飛散したデブリ等によってレーザービームが散乱されることにより、被加工物の表面側に形成されているデバイスが焼けるという問題がある。特に、デバイスが、CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)イメージセンサー等の固体撮像素子である場合、デバイスに焼けが生じるとデバイスの性能に大きく影響する。 However, there is a problem that the device formed on the surface side of the workpiece is burnt due to the laser beam being scattered by the debris or the like scattered by the laser processing. In particular, when the device is a solid-state image sensor such as a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) image sensor, if the device is burnt, the performance of the device is greatly affected.
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、レーザー加工時のデバイスの焼けを低減することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce burning of the device during laser processing.
本発明の一態様によれば、レーザービームで被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、該光吸収剤が、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むレーザーダイシング用保護膜剤を、該被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で該一面側を被覆する保護膜被覆工程と、該被加工物に吸収される波長を有するレーザービームを該被加工物の上方から該保護膜を介して該一面に照射して、該被加工物にレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程と、を備える被加工物の加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, it is a method for processing a work piece by processing a work piece with a laser beam, which comprises a solution in which a water-soluble resin, an organic solvent, and a light absorber are at least dissolved. The light absorber contains a benzophenone derivative having two or more hydroxyl groups as a substituent and having no substituent other than the hydroxyl group, and a protective film agent for laser dicing is applied on one surface of the workpiece. A protective film coating step of coating the one side with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more, and a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece from above the workpiece. Provided is a method for processing a work piece, comprising a work groove forming step of irradiating the one surface through the protective film to form a laser machined groove on the work piece.
好ましくは、該保護膜被覆工程では、波長355nmにおける吸光度(200倍希釈溶液に換算した吸光度)が、光路長1cm当たり0.25以上である該レーザーダイシング用保護膜剤を、該被加工物の一面上に塗布する。 Preferably, in the protective film coating step, the protective film agent for laser dicing having an absorbance at a wavelength of 355 nm (absorbance converted into a 200-fold diluted solution) of 0.25 or more per 1 cm of optical path length is applied to the workpiece. Apply on one side.
本発明の他の態様によれば、保護膜付き被加工物の製造方法であって、水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、該光吸収剤が、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むレーザーダイシング用保護膜剤を準備する準備工程と、該レーザーダイシング用保護膜剤を被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で該一面側を被覆する保護膜被覆工程と、を備える保護膜付き被加工物の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the method for producing a workpiece with a protective film comprises a solution in which a water-soluble resin, an organic solvent, and a light absorber are at least dissolved, and the light absorber is composed of a solution. , A preparatory step for preparing a protective film agent for laser dying containing a benzophenone derivative having two or more hydroxyl groups as a substituent and having no substituent other than the hydroxyl group, and the protective film agent for laser dying. Provided is a method for producing a work piece with a protective film, comprising a protective film coating step of coating one side of the work piece with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more. To.
好ましくは、該保護膜被覆工程では、波長355nmにおける吸光度(200倍希釈溶液に換算した吸光度)が、光路長1cm当たり0.25以上である該レーザーダイシング用保護膜剤を、該被加工物の一面上に塗布する。 Preferably, in the protective film coating step, the protective film agent for laser dicing having an absorbance at a wavelength of 355 nm (absorbance converted into a 200-fold diluted solution) of 0.25 or more per 1 cm of optical path length is applied to the workpiece. Apply on one side.
本発明の更に他の態様によれば、レーザービームを照射して被加工物を加工するときに該被加工物に塗布されるレーザーダイシング用保護膜剤であって、水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、該光吸収剤は、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むレーザーダイシング用保護膜剤が提供される。 According to still another aspect of the present invention, it is a protective film agent for laser dicing applied to a work piece by irradiating it with a laser beam to process the work piece, and is a water-soluble resin and an organic solvent. And a solution in which the light absorber is at least dissolved, and the light absorber contains a benzophenone derivative having two or more hydroxyl groups as a substituent and having no substituent other than the hydroxyl group. A protective film agent for laser dying is provided.
好ましくは、波長355nmにおける吸光度(200倍希釈溶液に換算した吸光度)が、光路長1cm当たり0.25以上である。 Preferably, the absorbance at a wavelength of 355 nm (absorbance converted into a 200-fold diluted solution) is 0.25 or more per 1 cm of the optical path length.
本発明の一態様に係るレーザーダイシング用保護膜剤は、水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、光吸収剤は、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含む。この様な光吸収剤を用いることで、フェルラ酸等の従来の光吸収剤に比べてレーザーダイシング用保護膜剤の波長355nmにおける吸光度を高くできる。それゆえ、レーザー加工時のデバイスの焼けを低減できる。 The protective film agent for laser dying according to one aspect of the present invention is composed of a water-soluble resin, an organic solvent, and a solution in which at least a light absorber is dissolved, and the light absorber is composed of two or more hydroxyl groups as substituents. It contains a benzophenone derivative having a group and having no substituent other than a hydroxyl group. By using such a light absorber, the absorbance of the protective film agent for laser dicing at a wavelength of 355 nm can be increased as compared with a conventional light absorber such as ferulic acid. Therefore, it is possible to reduce the burning of the device during laser processing.
更に、当該光吸収剤を含むレーザーダイシング用保護膜剤を被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で一面側を被覆することで、保護膜が3.8μm未満の厚さを有する場合に比べて、レーザー加工時のデバイスの焼けを低減できる。 Further, a protective film for laser dicing containing the light absorber is applied on one surface of the workpiece, and the one surface is covered with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more, whereby the protective film is 3 It is possible to reduce the burning of the device during laser processing as compared with the case where the thickness is less than 8.8 μm.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るレーザーダイシング用保護膜剤(以下、保護膜剤と記載する)について説明する。保護膜剤は、水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤と、が少なくとも溶解した溶液から構成されている。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, a protective film agent for laser dicing (hereinafter referred to as a protective film agent) according to the present embodiment will be described. The protective film agent is composed of a solution in which a water-soluble resin, an organic solvent, and a light absorber are at least dissolved.
水溶性樹脂は、例えば、ポリビニルピロリドン(polyvinylpyrrolidone)、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol)、ポリエチレングリコール(polyethylene glycol)、ポリエチレンオキサイド(polyethylene oxide)、メチルセルロース(methyl cellulose)、エチルセルロース(ethyl cellulose)、ヒドロキシプロピルセルロース(hydroxypropyl cellulose)、ポリアクリル酸(polyacrylic acid)、ポリ−N−ビニルアセトアミド(poly-N-vinylacetamide)、ポリスチレンスルホン酸(polystyrene sulfonic acid)、特殊ナイロン、フェノール樹脂(phenolic resin)、メチロールメラミン樹脂(methylolmelamine resin)、ポリグリセリン(polyglycerin)、及び、これらのグラフトポリマー(例えば、ポリビニルアルコールにポリビニルピロリドンをグラフトさせたもの)である。上述した材料のうち1種類の材料を単独で用いてもよく、2種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the water-soluble resin include polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyethylene oxide, methyl cellulose, ethyl cellulose, and hydroxypropyl cellulose (ethyl cellulose). hydroxypropyl cellulose, polyacrylic acid, poly-N-vinylacetamide, polystyrene sulfonic acid, special nylon, phenolic resin, methylolmelamine Resin), polyglycerin, and their graft polymers (eg, polyvinyl alcohol grafted with polyvinylpyrrolidone). One of the above-mentioned materials may be used alone, or two or more kinds of materials may be used in combination.
また、外部刺激(例えば、温度など)に応答する水溶性樹脂を用いてよい。このような水溶性樹脂を用いると、温度が高い時には高粘度、温度が低い時には低粘度といった粘度制御が可能である。それゆえ、例えば、温度が高い状態で水溶性樹脂を含む保護膜を被加工物上に形成した後、保護膜及び被加工物に対してレーザー加工を行い、レーザー加工後に、保護膜の温度を低くし、保護膜に流動性を持たせることで、加工溝へ保護膜を流入させることもできる。 Further, a water-soluble resin that responds to an external stimulus (for example, temperature) may be used. By using such a water-soluble resin, it is possible to control the viscosity such that the viscosity is high when the temperature is high and the viscosity is low when the temperature is low. Therefore, for example, after forming a protective film containing a water-soluble resin on a work piece at a high temperature, laser processing is performed on the protective film and the work piece, and after laser processing, the temperature of the protective film is adjusted. By lowering the temperature and giving the protective film fluidity, the protective film can flow into the machined groove.
市販されているポリビニルピロリドン(PVP)は、分子量によって粘度が異なり、K−17、K−25、K−30、K−40、K−50、K−60、K−80、K−85、K−90、K−120、…K−300等のK値でグループ分けされている。K値は、分子量と相関する粘度特性値を有し、毛細管粘度計により測定される相対粘度値(25℃)をフィケンチャーの式に適用して計算される。 Commercially available polyvinylpyrrolidone (PVP) has different viscosities depending on the molecular weight, and is K-17, K-25, K-30, K-40, K-50, K-60, K-80, K-85, K. They are grouped by K values such as -90, K-120, ... K-300. The K value has a viscosity characteristic value that correlates with the molecular weight, and is calculated by applying the relative viscosity value (25 ° C.) measured by a capillary viscometer to the fikencher's formula.
PVPを用いて、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で被加工物の一面側を被覆できる保護膜剤を作製するには、単独使用の場合、K−40以上K−80以下のものを使用することが好ましく、K−50以上K−60以下がより好ましい。 In order to produce a protective film agent that can cover one side of the work piece with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more using PVP, when used alone, K-40 or more and K-80 or less. Is preferable, and K-50 or more and K-60 or less are more preferable.
K−17、K−25、K−30等のK値が小さいPVPを使用すると、比較的多量のPVPが必要となる。また、K−30を使用すると、保護膜剤の変色が起こることが、本件の出願人の実験により確認されている。 When PVPs having a small K value such as K-17, K-25, and K-30 are used, a relatively large amount of PVP is required. In addition, it has been confirmed by the applicant's experiment in this case that discoloration of the protective film agent occurs when K-30 is used.
一方で、K−80、K−85、K−90等のK値が大きいPVPを使用すると、保護膜剤の粘度が高くなり、送液が困難になる。保護膜剤のスムーズな送液を実現するためには、25℃における粘度(mPa・s)を、400以下とすることが好ましく、300以下とすることがより好ましい。 On the other hand, when PVP having a large K value such as K-80, K-85, K-90 is used, the viscosity of the protective film agent becomes high and it becomes difficult to feed the liquid. In order to realize smooth liquid feeding of the protective film agent, the viscosity (mPa · s) at 25 ° C. is preferably 400 or less, and more preferably 300 or less.
従って、使用量、変色、送液等の様々な点を考慮し、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で被加工物の一面側を被覆できる保護膜剤を作製するには、単独使用の場合、PVPは、K−40以上K−80以下のものを使用することが好ましく、K−50以上K−60以下がより好ましい。 Therefore, in consideration of various points such as the amount used, discoloration, liquid feeding, etc., it is used alone to prepare a protective film agent capable of covering one side of the work piece with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more. In the above case, it is preferable to use PVP of K-40 or more and K-80 or less, and more preferably K-50 or more and K-60 or less.
なお、使用量、変色、送液等に問題が無い限りにおいて、K値が異なる2種類以上のPVPを組み合わせて使用してもよい。例えば、多量のK−25と少量のK−90との組み合わせや、多量のK−50と少量のK−90との組み合わせを使用してもよい。 As long as there is no problem in the amount used, discoloration, liquid feeding, etc., two or more types of PVPs having different K values may be used in combination. For example, a combination of a large amount of K-25 and a small amount of K-90 or a combination of a large amount of K-50 and a small amount of K-90 may be used.
また、市販されているポリビニルアルコール(PVA)には、300、500、1700、2000、…3000等の重合度が異なるものがある。重合度が高くなるほど保護膜剤の粘度が高くなる。従って、送液性を考慮し、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で被加工物の一面側を被覆できる保護膜剤を作製するには、PVAの重合度は、300以上500以下が好ましく、300程度が特に好ましい。 Further, some commercially available polyvinyl alcohols (PVA) have different degrees of polymerization, such as 300, 500, 1700, 2000, ... 3000. The higher the degree of polymerization, the higher the viscosity of the protective film agent. Therefore, in order to prepare a protective film agent capable of covering one side of the work piece with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more in consideration of liquid feedability, the degree of polymerization of PVA is 300 or more and 500 or less. It is preferable, and about 300 is particularly preferable.
また、市販されているPVAには、けん化度が、完全けん化(98mol%以上)、中間けん化(92mol%以上97mol%以下)、部分けん化(70mol%以上89mol%以下)等がある。PVAは、溶解性、保管時における保護膜剤の安定性等の観点から、けん化度89mol%以下のものが好ましく、けん化度82mol%以下のものがより好ましい。 In addition, commercially available PVA has a degree of saponification such as complete saponification (98 mol% or more), intermediate saponification (92 mol% or more and 97 mol% or less), and partial saponification (70 mol% or more and 89 mol% or less). The PVA preferably has a saponification degree of 89 mol% or less, and more preferably a saponification degree of 82 mol% or less, from the viewpoints of solubility, stability of the protective film agent during storage, and the like.
有機溶剤は、光吸収剤等の物質を溶解させる機能等を有する。有機溶剤としては、例えばアルコール、エステル、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(alkylene glycol monoalkyl ether)、アルキレングリコール(alkylene glycol)、又は、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート(alkylene glycol monoalkyl ether acetate)である。アルキレングリコールモノアルキルエーテル(alkylene glycol monoalkyl ether)としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(propyleneglycol monomethyl ether)が使用されるが、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい。有機溶剤としては、これらのうち、1種類のみを用いてもよく、2種類以上(例えば、PGME、イソプロピルアルコール等)を組み合わせて用いてもよい。 The organic solvent has a function of dissolving a substance such as a light absorber. Examples of the organic solvent include alcohols, esters, alkylene glycol monoalkyl ethers, alkylene glycols, and alkylene glycol monoalkyl ether acetates. As the alkylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monomethyl ether is used, but propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable. As the organic solvent, only one of these may be used, or two or more of these (for example, PGME, isopropyl alcohol, etc.) may be used in combination.
また、有機溶剤は、保護膜剤の表面張力を低減することが可能であり、保護膜剤を被加工物上にスピンコートした際に塗りムラを低減する機能、保護膜剤の防腐機能等を有する。使用量に関しては、特に制限はないが、安全性やダイシングテープの粘着層の耐性等を考慮すると、保護膜剤の重量の20wt%以下が好ましく、15wt%以下がより好ましい。 In addition, the organic solvent can reduce the surface tension of the protective film agent, and has a function of reducing coating unevenness when the protective film agent is spin-coated on a work piece, an antiseptic function of the protective film agent, and the like. Have. The amount used is not particularly limited, but in consideration of safety, resistance of the adhesive layer of the dicing tape, and the like, 20 wt% or less of the weight of the protective film agent is preferable, and 15 wt% or less is more preferable.
なお、保護膜剤は、純水を含む。水道水を使用しても特段の問題はないが、混合後のイオン交換処理を考慮すると、純水を使用するのが好ましい。 The protective film agent contains pure water. There is no particular problem even if tap water is used, but considering the ion exchange treatment after mixing, it is preferable to use pure water.
また、保護膜剤には、添加剤を混入してもよい。添加剤としては、例えば、アスコルビン酸(ascorbic acid)、トリメチロールプロパン(trimethylolpropane、TMP)等が用いられる。アスコルビン酸は、フェルラ酸の色安定性を向上させる機能を有する。 Further, an additive may be mixed in the protective film agent. As the additive, for example, ascorbic acid, trimethylolpropane (TMP) and the like are used. Ascorbic acid has a function of improving the color stability of ferulic acid.
TMPは、水に対する溶解度が比較的高く、多量に溶解させても保護膜剤の粘度等の物性値に影響を及ぼし難い。また、TMPは、保護膜の水洗性の向上、レーザーアブレーション時の保護膜の炭化抑制、保護膜の膜厚の向上等の機能を有する。 TMP has a relatively high solubility in water, and even if it is dissolved in a large amount, it does not easily affect the physical properties such as the viscosity of the protective film agent. Further, TMP has functions such as improvement of washability of the protective film, suppression of carbonization of the protective film during laser ablation, and improvement of the film thickness of the protective film.
固体の可塑剤であるTMPを用いることにより、液体の可塑剤であるグリセリンを用いる場合に比べて、保護膜剤を被加工物上にスピンコートして保護膜を形成する場合に、保護膜を厚く且つ硬くできる。なお、所定量のTMPが用いられていれば、添加剤としてグリセリン等を更に加えてもよい。 By using TMP, which is a solid plasticizer, the protective film can be formed by spin-coating the protective film on the work piece, as compared to the case where glycerin, which is a liquid plasticizer, is used. Can be thick and hard. If a predetermined amount of TMP is used, glycerin or the like may be further added as an additive.
次に、光吸収剤について説明する。光吸収剤は、ジヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン(2,2'-Dihydroxybenzophenone)、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(2,4-Dihydroxybenzophenone)、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン(2,4'-Dihydroxybenzophenone)、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(3,4-Dihydroxybenzophenone)、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン(4,4'-Dihydroxybenzophenone))、トリヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン(2,3,4-Trihydroxybenzophenone)、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン(2,4,4'-Trihydroxybenzophenone)、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン(2,4,6-Trihydroxybenzophenone))、テトラヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン(2,2',4,4'-Tetrahydroxybenzophenone)、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン(2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenone))、ペンタヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン(2,2',3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenone))、及び、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン(例えば、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン(2,3,3',4,4',5-Hexahydroxybenzophenone))等の、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体である。 Next, the light absorber will be described. The light absorbers are dihydroxybenzophenone (eg, 2,2'-dihydroxybenzophenone (2,2'-Dihydroxybenzophenone), 2,4-dihydroxybenzophenone (2,4-Dihydroxybenzophenone), 2,4'-dihydroxybenzophenone (2, 4'-Dihydroxybenzophenone), 3,4-dihydroxybenzophenone (3,4-Dihydroxybenzophenone), 4,4'-dihydroxybenzophenone (4,4'-Dihydroxybenzophenone), trihydroxybenzophenone (eg, 2,3,4-tri) Hydroxybenzophenone (2,3,4-Trihydroxybenzophenone), 2,4,4'-Trihydroxybenzophenone (2,4,4'-Trihydroxybenzophenone), 2,4,6-Trihydroxybenzophenone (2,4,6-Trihydroxybenzophenone) )), Tetrahydroxybenzophenone (eg, 2,2', 4,4'-Tetrahydroxybenzophenone (2,2', 4,4'-Tetrahydroxybenzophenone), 2,3,4'-Tetrahydroxybenzophenone (2) , 3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenone)), pentahydroxybenzophenone (eg, 2,2', 3,4,4'-pentahydroxybenzophenone (2,2', 3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenone)), And as a substituent such as hexahydroxybenzophenone (for example, 2,3,3', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone (2,3,3', 4,4', 5-Hexahydroxybenzophenone)). It is a benzophenone derivative having two or more hydroxyl groups and having no substituent other than the hydroxyl group.
純水に対する溶解度は、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンが9.1g/Lであり、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンが13.2g/Lであり、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノンが3.1g/Lであり、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンが8.8g/Lであり、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンが15.1g/Lである。一方、フェルラ酸は、0.7g/Lである。 The solubility in pure water is 9.1 g / L for 2,4-dihydroxybenzophenone, 13.2 g / L for 2,3,4-trihydroxybenzophenone, and 3 for 2,4,6-trihydroxybenzophenone. It is .1 g / L, 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone is 8.8 g / L, and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone is 15.1 g / L. On the other hand, ferulic acid is 0.7 g / L.
ベンゾフェノン誘導体の中には、ヒドロキシル基以外の置換基を有するものや、ヒドロキシル基とその他の置換基とを有するものもあるが、それらは、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないもの(即ち、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するもの)に比べ、吸収スペクトルが短波長側にシフトしたり、波長355nmにおいて保護膜剤が高い吸光度を得ることが困難であったり、高い吸光度を得るために保護膜剤に多量の光吸収剤を使用する必要があったり、また、水に対する溶解性が低くなったりするなどの問題がある。 Some benzophenone derivatives have a substituent other than a hydroxyl group, and some have a hydroxyl group and other substituents, but they have two or more hydroxyl groups as substituents and have a substituent. Compared to those having no substituent other than the hydroxyl group (that is, those having only two or more hydroxyl groups as substituents), the absorption spectrum shifts to the shorter wavelength side, and the protective film agent is used at a wavelength of 355 nm. There are problems such as difficulty in obtaining high absorbance, the need to use a large amount of light absorber as a protective film agent in order to obtain high absorbance, and low solubility in water. ..
光吸収剤として、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を単独で使用してもいいが、ベンゾフェノン誘導体単独では、保護膜の被覆状態を蛍光で検知するために必要な十分な蛍光強度を得ることが困難である。それゆえ、保護膜の被覆状態を蛍光で検知するために、紫外線照射で強い蛍光を発するカフェイン酸、クロロゲン酸などをベンゾフェノン誘導体と混合して使用してもよい。 As the light absorber, a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent may be used alone, but the benzophenone derivative alone is sufficient for detecting the coating state of the protective film by fluorescence. It is difficult to obtain fluorescence intensity. Therefore, in order to detect the coating state of the protective film by fluorescence, caffeic acid, chlorogenic acid, etc., which emit strong fluorescence by ultraviolet irradiation, may be mixed with a benzophenone derivative and used.
本件の出願人は、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を、保護膜剤の光吸収剤として用いた場合、保護膜剤中の光吸収剤として従来知られているフェルラ酸(ferulic acid)を用いた場合に比べて、波長355nmにおける吸光度を高くできることを見い出した。 The applicant of this case uses ferulic acid, which is conventionally known as a light absorber in a protective film agent, when a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is used as a light absorber of the protective film agent. It has been found that the absorbance at a wavelength of 355 nm can be increased as compared with the case of using (ferulic acid).
これは、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体がフェルラ酸に比べて、吸収スペクトルが長波長側に存在し、且つ、水に対する溶解度が高いため、多量に使用することが可能であるためである。この様に、本件の出願人は、波長355nmにおける吸光度を高くすることできるため、デバイスの焼けの低減に有効であることを見い出した。 This is because the benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent has an absorption spectrum on the long wavelength side and has high solubility in water as compared with ferulic acid, so that it can be used in a large amount. Because it is. As described above, the applicant of the present case has found that the absorbance at a wavelength of 355 nm can be increased, which is effective in reducing the burning of the device.
(保護膜剤の製造方法)
保護膜剤の製造方法は、特に限定されないが、例えば、有機溶剤中に光吸収剤を溶解させた溶液を作製してから、これを別途作製した水溶性樹脂及び添加剤が溶解した水溶液と混合する。混合は、常温で行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。溶解及び混合は、攪拌しながら行うのがよい。
(Manufacturing method of protective film agent)
The method for producing the protective film agent is not particularly limited, but for example, after preparing a solution in which a light absorber is dissolved in an organic solvent, the solution is mixed with a separately prepared water-soluble resin and an aqueous solution in which an additive is dissolved. do. The mixing may be carried out at room temperature or while heating. Dissolution and mixing should be performed with stirring.
(保護膜剤の処理)
混合後に、イオン交換処理をするのが好ましい。理由は不明であるが、イオン交換処理した方が、6ヶ月後における液の色安定性が優れていることが、本件の出願人の実験により確認されている。また、イオン交換処理後に、ろ過フィルターを通過させるのが好ましい。
(Treatment of protective film agent)
After mixing, it is preferable to carry out an ion exchange treatment. Although the reason is unknown, it has been confirmed by the experiment of the applicant of this case that the ion exchange treatment is superior in the color stability of the liquid after 6 months. Further, it is preferable to pass through a filtration filter after the ion exchange treatment.
(保護膜剤のpH)
イオン交換処理によって、保護膜剤のpHは、4以下になる。防腐の観点から、pHを4以下にするのが好ましいが、トリエタノールアミンなどのpH調製剤を用いて、pHを4以上にしてもよい。
(PH of protective film agent)
By the ion exchange treatment, the pH of the protective film agent becomes 4 or less. From the viewpoint of antiseptic, the pH is preferably 4 or less, but the pH may be 4 or more by using a pH adjusting agent such as triethanolamine.
下記の表1では、100gの保護膜剤の構成と、25℃での粘度と、保護膜剤を被加工物に塗布する条件と、被加工物に形成された保護膜の厚さと、を示す(実験例1から実験例3)。同様に、表2では、100gの保護膜剤の構成と、25℃での粘度と、保護膜剤と、保護膜剤の塗布条件と、保護膜の厚さと、を示す(実験例4から実験例7)。 Table 1 below shows the composition of 100 g of the protective film, the viscosity at 25 ° C., the conditions for applying the protective film to the workpiece, and the thickness of the protective film formed on the workpiece. (Experimental Example 1 to Experimental Example 3). Similarly, Table 2 shows the composition of 100 g of the protective film agent, the viscosity at 25 ° C., the protective film agent, the application conditions of the protective film agent, and the thickness of the protective film (experiment from Experimental Example 4). Example 7).
表1及び表2において、FAはフェルラ酸であり、DHBPは2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンであり、THBPは2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンである。また、AAはアスコルビン酸である。PVAとしては、重合度300で、けん化度78.5mol%以上81.5mol%以下のものを使用した。 In Tables 1 and 2, FA is ferulic acid, DHBP is 2,4-dihydroxybenzophenone, and THBP is 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone. Also, AA is ascorbic acid. As the PVA, one having a degree of polymerization of 300 and a degree of saponification of 78.5 mol% or more and 81.5 mol% or less was used.
(実験手順)各実験例では、まず、環状のフレームに装着されたダイシングテープに、縦23mm、横35mmの矩形板状の被加工物の裏面側を貼り付けることでフレームユニットを形成した。次いで、ダイシングテープの被加工物とは反対側をスピンナテーブルで保持し、塗布条件の欄に示す回転数でスピンナテーブルを回転させた。そして、回転状態の被加工物の表面上に1.0ml/秒以上2.0ml/秒以下の所定値で液状の保護膜剤を供給した後、遠心力を利用して表面側全体に保護膜剤を塗布し、被加工物の表面に、膜厚の欄に示す厚さの保護膜を形成した。 (Experimental Procedure) In each experimental example, a frame unit was first formed by attaching the back surface side of a rectangular plate-shaped workpiece having a length of 23 mm and a width of 35 mm to a dicing tape attached to an annular frame. Next, the side of the dicing tape opposite to the workpiece was held by the spinner table, and the spinner table was rotated at the rotation speed shown in the column of application conditions. Then, after supplying a liquid protective film agent at a predetermined value of 1.0 ml / sec or more and 2.0 ml / sec or less on the surface of the rotating workpiece, the protective film is applied to the entire surface side by using centrifugal force. The agent was applied, and a protective film having the thickness shown in the column of film thickness was formed on the surface of the workpiece.
保護膜の形成後に、被加工物の表面側にレーザービームを照射した(縦方向に略等間隔に5ライン及び横方向に略等間隔に4ライン)。被加工物の表面には格子状に複数の分割予定ラインが設定されており、分割予定ラインで囲まれる矩形状の領域の各々には、固体撮像素子(デバイス)が形成されている。 After the protective film was formed, the surface side of the workpiece was irradiated with a laser beam (5 lines at approximately equal intervals in the vertical direction and 4 lines at approximately equal intervals in the horizontal direction). A plurality of scheduled division lines are set on the surface of the workpiece in a grid pattern, and a solid-state image sensor (device) is formed in each of the rectangular regions surrounded by the scheduled division lines.
各分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することで、レーザー加工溝を形成した。レーザービームとしては、波長が355nm、繰り返し周波数が200kHzから1000kHzの範囲の所定値、パルス幅が3psから30psの範囲の所定値であるパルスレーザービームを用いた(なお、psは、picosecondを意味する)。 A laser machined groove was formed by irradiating a laser beam along each scheduled division line. As the laser beam, a pulsed laser beam having a wavelength of 355 nm, a repetition frequency of a predetermined value in the range of 200 kHz to 1000 kHz, and a pulse width of a predetermined value in the range of 3 ps to 30 ps was used (ps means picosecond). ).
被加工物の表面でのレーザービームの集光スポットのスポット径は、2μmから5μmの所定長さとした。また、レーザービームのピーク出力を1.0Wから5.0Wの所定値とし、加工送り速度を200mm/秒から600mm/秒の範囲の所定値とした。 The spot diameter of the focused spot of the laser beam on the surface of the workpiece was set to a predetermined length of 2 μm to 5 μm. Further, the peak output of the laser beam was set to a predetermined value of 1.0 W to 5.0 W, and the machining feed rate was set to a predetermined value in the range of 200 mm / sec to 600 mm / sec.
全ての分割予定ラインに沿って加工溝を形成した後、顕微鏡を用いて、被加工物の表面側全体に生じた焼けの個数をカウントした。図1は、吸光度及び膜厚に対して、焼けが生じた箇所の数を示す第1のグラフである。縦軸は吸光度であり、横軸は膜厚(μm)である。 After forming the machined grooves along all the planned division lines, the number of burns generated on the entire surface side of the work piece was counted using a microscope. FIG. 1 is a first graph showing the number of burned areas with respect to absorbance and film thickness. The vertical axis is the absorbance and the horizontal axis is the film thickness (μm).
(355nmにおける吸光度)355nmにおける吸光度の測定には、紫外可視分光光度計(株式会社島津製作所製 UV−2700)を用いた。測定では、まず、各実験例に示す保護膜剤をそれぞれ純水で200倍に希釈し、希釈した溶液をそれぞれ石英製の角柱型のセルに封入し、吸収スペクトルを測定した。なお、光路長は、1cmとした。この様にして、各保護膜剤の200倍希釈溶液の光路長1cm当たりにおける、波長355nmの吸光度を測定した。 (Absorbance at 355 nm) An ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-2700, manufactured by Shimadzu Corporation) was used for the measurement of the absorbance at 355 nm. In the measurement, first, the protective film agent shown in each experimental example was diluted 200-fold with pure water, and the diluted solutions were enclosed in quartz prismatic cells, and the absorption spectrum was measured. The optical path length was 1 cm. In this way, the absorbance at a wavelength of 355 nm per 1 cm of optical path length of a 200-fold diluted solution of each protective film agent was measured.
(膜厚)実験例1から実験例3では、保護膜の膜厚が1.0μmから2.0μmになった。これに対して、実験例4に示す様に、PVAの量を増やすことで、実験例2と同じ条件で塗布しても、実験例2に比べて膜厚を約2倍にできた。また、重合度が300のPVAと、TMPと、を組み合わせることにより、PVAの量を増やしても、25℃における粘度が400mPa・s以下であり、スムーズな送液が可能であった。 (Film thickness) In Experimental Examples 1 to 3, the film thickness of the protective film changed from 1.0 μm to 2.0 μm. On the other hand, as shown in Experimental Example 4, by increasing the amount of PVA, the film thickness could be doubled as compared with Experimental Example 2 even when applied under the same conditions as in Experimental Example 2. Further, by combining PVA having a degree of polymerization of 300 and TMP, the viscosity at 25 ° C. was 400 mPa · s or less even if the amount of PVA was increased, and smooth liquid feeding was possible.
ところで、実験例5、実験例6及び実験例7では、スピンナテーブルの単位時間当たりの回転数を徐々に増加させて、3段階に分けて連続的に保護膜剤を塗布した。つまり、第1の回転数で第1の時間だけ塗布した後、第1の回転数よりも大きい第2の回転数で第2の時間だけ塗布し、更に、第2の回転数よりも大きい第3の回転数で第3の時間だけ塗布した。これにより、実験例1から実験例4に比べて、膜厚を厚くできた。 By the way, in Experimental Example 5, Experimental Example 6 and Experimental Example 7, the number of rotations of the spinner table per unit time was gradually increased, and the protective film agent was continuously applied in three stages. That is, after applying for the first time at the first rotation speed, applying for the second time at the second rotation speed larger than the first rotation speed, and further applying for the second time at the second rotation speed, the second rotation speed is larger than the second rotation speed. It was applied only for the third time at a rotation speed of 3. As a result, the film thickness could be increased as compared with Experimental Example 1 to Experimental Example 4.
図1に示す様に、保護膜の膜厚1.0μm、保護膜剤の吸光度0.19である実験例1において、焼けの個数(即ち、全てのデバイスに生じた焼け跡の総数)は50個以上となった。また、膜厚2.0μm、吸光度0.25である実験例2において、焼けの個数は50個以上となった。 As shown in FIG. 1, in Experimental Example 1 in which the film thickness of the protective film is 1.0 μm and the absorbance of the protective film agent is 0.19, the number of burns (that is, the total number of burn marks generated on all devices) is 50. That's all. Further, in Experimental Example 2 having a film thickness of 2.0 μm and an absorbance of 0.25, the number of burns was 50 or more.
なお、実験例2及び5に示す様に、FAは100gの保護膜剤の構成において1.0g程度まで溶解可能であるが、FAが0.4gを超えると、色安定性などが悪くなるため、0.4gを超えるのは好ましくない。従って、FAの溶解性及び保護膜剤の色安定性を考慮すると、光吸収剤としてFAを用いる場合、200倍希釈溶液の光路長1cm当たりにおける波長355nmの吸光度を0.25以上にするのは困難である。 As shown in Experimental Examples 2 and 5, FA can be dissolved up to about 1.0 g in the configuration of 100 g of the protective film agent, but if FA exceeds 0.4 g, color stability and the like deteriorate. , 0.4 g or more is not preferable. Therefore, considering the solubility of FA and the color stability of the protective film agent, when FA is used as the light absorber, the absorbance at a wavelength of 355 nm per 1 cm of the optical path length of the 200-fold diluted solution should be 0.25 or more. Have difficulty.
膜厚2.0μm、吸光度0.19である実験例3において、焼けの個数は30個以上となった。これに対して、膜厚3.8μm、吸光度0.82である実験例4において、焼けの個数は7個となった。 In Experimental Example 3 having a film thickness of 2.0 μm and an absorbance of 0.19, the number of burns was 30 or more. On the other hand, in Experimental Example 4 having a film thickness of 3.8 μm and an absorbance of 0.82, the number of burns was 7.
膜厚6.8μm、吸光度0.25である実験例5において、焼けの個数は10個となった。膜厚6.8μm、吸光度0.82である実験例6において、焼けの個数は0個から1個となった。 In Experimental Example 5 having a film thickness of 6.8 μm and an absorbance of 0.25, the number of burns was 10. In Experimental Example 6 having a film thickness of 6.8 μm and an absorbance of 0.82, the number of burns was changed from 0 to 1.
また、膜厚6.8μm、吸光度0.91である実験例7において、焼けの個数は0個から1個となった。なお、焼けの個数が0個から1個であるとは、焼けとは言えるかどうか微妙な痕跡が1個だけ存在している状況であり、この場合、被加工物の焼けは略無いと言える。 Further, in Experimental Example 7 having a film thickness of 6.8 μm and an absorbance of 0.91, the number of burns was changed from 0 to 1. It should be noted that the fact that the number of burns is 0 to 1 means that there is only one delicate trace of whether or not it can be said to be burnt, and in this case, it can be said that the work piece is not burnt. ..
実験例1、2、3及び5(光吸収剤はFA)と、実験例4、6及び7(光吸収剤はDHBP又はTHBP)と、の比較から分かるように、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む光吸収剤を用いることで、フェルラ酸等の従来の光吸収剤に比べて、保護膜剤の波長355nmにおける吸光度を高くできる。 As can be seen from the comparison between Experimental Examples 1, 2, 3 and 5 (light absorber is FA) and Experimental Examples 4, 6 and 7 (light absorber is DHBP or THBP), two or more substituents are used. By using a light absorber containing a benzophenone derivative having only a hydroxyl group, the absorbance of the protective film agent at a wavelength of 355 nm can be increased as compared with a conventional light absorber such as ferulic acid.
なお、DHBP又はTHBPを含む保護膜剤を用いて光路長1cm当たりの吸光度を0.25とした実験結果は無い。しかし、濃度と吸光度とに相関関係があることを考慮すれば、DHBP又はTHBPの濃度を調整することにより、同吸光度を0.25、膜厚6.8μmとした場合には、実験例5と同等以上の結果が得られることが推定できる。 There is no experimental result in which the absorbance per 1 cm of the optical path length is 0.25 using a protective film agent containing DHBP or THBP. However, considering that there is a correlation between the concentration and the absorbance, when the absorbance is 0.25 and the film thickness is 6.8 μm by adjusting the concentration of DHBP or THBP, it is the same as Experimental Example 5. It can be estimated that equivalent or better results can be obtained.
つまり、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む光吸収剤を用いて、保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.25以上にした場合には、デバイスに生じる焼けの個数を低減できる。また、保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.82以上又は0.91以上にした場合には、更に焼けの個数を低減できる。 That is, when a light absorber containing a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is used and the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent is set to 0.25 or more, the burn that occurs in the device The number of can be reduced. Further, when the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent is 0.82 or more or 0.91 or more, the number of burns can be further reduced.
実験例1から3と、実験例4から7と、を比較すると、保護膜の厚さを3.8μm以上とすることにより、焼けの個数を低減できると言える。特に、実験例5と、実験例4、6及び7と、を比較すると、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む光吸収剤を用い、且つ、保護膜の厚さを3.8μm以上とすることがより有効である。 Comparing Experimental Examples 1 to 3 with Experimental Examples 4 to 7, it can be said that the number of burns can be reduced by setting the thickness of the protective film to 3.8 μm or more. In particular, when Experimental Example 5 and Experimental Examples 4, 6 and 7 are compared, a light absorber containing a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is used, and the thickness of the protective film is determined. It is more effective to make it 3.8 μm or more.
この様に、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む保護膜剤を被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で一面側を被覆することで、保護膜が3.8μm未満の場合に比べて、レーザー加工時のデバイスの焼けを低減できる。 As described above, a protective film agent containing a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is applied on one surface of the workpiece, and the one side is covered with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more. By coating, it is possible to reduce the burning of the device during laser processing as compared with the case where the protective film is less than 3.8 μm.
また、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を光吸収剤として用いて、保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.82以上、且つ、保護膜の厚さを6.8μm以上とすることにより、デバイスの焼けをほぼ無くすことができる(実験例6及び7参照)。なお、保護膜が厚過ぎるとレーザー加工自体が難しくなるので、保護膜の厚さは15μm以下とすることが好ましい。 Further, using a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent as a light absorber, the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent is 0.82 or more, and the thickness of the protective film is 6. By setting the thickness to 8 μm or more, the burning of the device can be almost eliminated (see Experimental Examples 6 and 7). If the protective film is too thick, laser processing itself becomes difficult, so the thickness of the protective film is preferably 15 μm or less.
下記の表3では、100gの保護膜剤の構成と、25℃での粘度と、保護膜剤を被加工物に塗布する条件と、被加工物に形成された保護膜の厚さと、を示す(実験例8から実験例10)。同様に、表4では、100gの保護膜剤の構成と、25℃での粘度と、保護膜剤の塗布条件と、保護膜の厚さと、を示す(実験例11から実験例13)。 Table 3 below shows the composition of 100 g of the protective film, the viscosity at 25 ° C., the conditions for applying the protective film to the workpiece, and the thickness of the protective film formed on the workpiece. (Experimental Examples 8 to 10). Similarly, Table 4 shows the composition of 100 g of the protective film agent, the viscosity at 25 ° C., the application conditions of the protective film agent, and the thickness of the protective film (Experimental Examples 11 to 13).
(実験手順)表3及び表4に示す各実験例では、まず、縦22mm、横32mmの矩形板状の被加工物を用いて、表1及び表2の実験手順と同様に、保護膜を形成し、次いで、レーザー加工を施した(縦方向に略等間隔に7ライン及び横方向に略等間隔に4ライン)。なお、当該被加工物においても、分割予定ラインで囲まれる矩形状の領域の各々には、固体撮像素子(デバイス)が形成されている。 (Experimental Procedure) In each of the experimental examples shown in Tables 3 and 4, first, a rectangular plate-shaped workpiece having a length of 22 mm and a width of 32 mm was used to form a protective film in the same manner as in the experimental procedures of Tables 1 and 2. It was formed and then laser machined (7 lines at approximately equal intervals in the vertical direction and 4 lines at approximately equal intervals in the horizontal direction). Also in the work piece, a solid-state image sensor (device) is formed in each of the rectangular regions surrounded by the planned division lines.
全ての分割予定ラインに沿って加工溝を形成した後、顕微鏡を用いて、被加工物の表面側全体に生じた焼けの個数をカウントした。図2は、吸光度及び膜厚に対して、焼けが生じた箇所の数を示す第2のグラフである。縦軸は吸光度であり、横軸は膜厚(μm)である。 After forming the machined grooves along all the planned division lines, the number of burns generated on the entire surface side of the work piece was counted using a microscope. FIG. 2 is a second graph showing the number of burned areas with respect to absorbance and film thickness. The vertical axis is the absorbance and the horizontal axis is the film thickness (μm).
(吸光度)吸光度は、実験例1から7と同様の条件で、測定した。(膜厚)実験例8から実験例10では、保護膜の膜厚が1.0μmになった。これに対して、実験例11に示す様に、PVP K−50を保護膜剤に溶解させることで、PVP K−90を用いる場合に比べて、粘度が大幅に向上することなく、同じ条件で塗布した実験例8に比べて膜厚を4倍にできた。 (Asorbance) The absorbance was measured under the same conditions as in Experimental Examples 1 to 7. (Film thickness) In Experimental Examples 8 to 10, the film thickness of the protective film was 1.0 μm. On the other hand, as shown in Experimental Example 11, by dissolving PVP K-50 in the protective film agent, the viscosity is not significantly improved as compared with the case of using PVP K-90, and the conditions are the same. The film thickness could be quadrupled as compared with the coated Experimental Example 8.
ところで、実験例12及び実験例13では、スピンナテーブルの単位時間当たりの回転数を徐々に増加させて、3段階に分けて連続的に保護膜剤を塗布することで、実験例11に比べて、膜厚を更に厚くできた。 By the way, in Experimental Example 12 and Experimental Example 13, the number of revolutions per unit time of the spinner table is gradually increased, and the protective film agent is continuously applied in three stages as compared with Experimental Example 11. , The film thickness could be further increased.
図2に示す様に、保護膜の膜厚1.0μm、保護膜剤の吸光度0.19である実験例8において、焼けの個数(即ち、被加工物に生じた焼け跡の総数)は252個となった。また、膜厚1.0μm、吸光度0.43である実験例9において、焼けの個数は213個となった。 As shown in FIG. 2, in Experimental Example 8 in which the film thickness of the protective film is 1.0 μm and the absorbance of the protective film agent is 0.19, the number of burns (that is, the total number of burn marks on the workpiece) is 252. It became. Further, in Experimental Example 9 having a film thickness of 1.0 μm and an absorbance of 0.43, the number of burns was 213.
膜厚1.0μm、吸光度0.85である実験例10において、焼けの個数は152個となった。これに対して、膜厚4.0μm、吸光度0.98である実験例11において、焼けの個数は67個となった。 In Experimental Example 10 having a film thickness of 1.0 μm and an absorbance of 0.85, the number of burns was 152. On the other hand, in Experimental Example 11 having a film thickness of 4.0 μm and an absorbance of 0.98, the number of burns was 67.
膜厚5.5μm、吸光度0.98である実験例12において、焼けの個数は40個となり、膜厚7.0μm、吸光度0.98である実験例13において、焼けの個数は0個から1個となった。 In Experimental Example 12 having a film thickness of 5.5 μm and an absorbance of 0.98, the number of burns was 40, and in Experimental Example 13 having a film thickness of 7.0 μm and an absorbance of 0.98, the number of burns was 0 to 1. It became an individual.
実験例8(光吸収剤はFA)と、実験例9から13(光吸収剤はTHBP)と、の比較から分かるように、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む光吸収剤を用いることで、フェルラ酸等の従来の光吸収剤に比べて、保護膜剤の波長355nmにおける吸光度を高くできると言える。 As can be seen from the comparison between Experimental Example 8 (light absorber is FA) and Experimental Examples 9 to 13 (light absorber is THBP), light containing a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent. It can be said that by using an absorbent, the absorbance of the protective film agent at a wavelength of 355 nm can be increased as compared with a conventional light absorber such as ferulic acid.
この様に、実験例8から13では、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含む光吸収剤を用いて、保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.43以上にした場合には、デバイスに生じる焼けの個数を低減できることが確認された。また、保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.85以上又は0.98以上にした場合には、更に焼けの個数を低減できる。 As described above, in Experimental Examples 8 to 13, the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent was set to 0.43 or more by using a light absorber containing a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent. In that case, it was confirmed that the number of burns generated in the device could be reduced. Further, when the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent is 0.85 or more or 0.98 or more, the number of burns can be further reduced.
実験例8から10と、実験例11から13と、を比較すると、保護膜の厚さを4.0μm以上、より好ましくは5.5μm以上、更に好ましくは7.0μm以上、とすることにより、焼けの個数を低減できると言える。 Comparing Experimental Examples 8 to 10 with Experimental Examples 11 to 13, the thickness of the protective film is set to 4.0 μm or more, more preferably 5.5 μm or more, and further preferably 7.0 μm or more. It can be said that the number of burns can be reduced.
また、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を光吸収剤として用いて保護膜剤の光路長1cm当たりの吸光度を0.98以上、且つ、保護膜の厚さを7.0μm以上とすることにより、デバイスの焼けをほぼ無くすことができる(実験例13参照)。 Further, using a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent as a light absorber, the absorbance per 1 cm of the optical path length of the protective film agent is 0.98 or more, and the thickness of the protective film is 7.0 μm. By doing so, it is possible to almost eliminate the burning of the device (see Experimental Example 13).
次に、保護膜剤を用いた被加工物11の加工方法について説明する。まず、被加工物11の形状について説明する。図3(A)は、被加工物11の斜視図である。被加工物11は、概略円盤状である。
Next, a method of processing the
被加工物11の表面(一面)11a側は、各々直交する様に交差する複数の分割予定ライン(ストリート)13によって区画されており、この区画された各領域には、固体撮像素子等のデバイス15が設けられている。図3(B)は、被加工物11の一部を拡大した断面図である。
The surface (one surface) 11a side of the
被加工物11は、主としてシリコン(Si)で形成されたウェーハ21を有する。ウェーハ21の一面側(被加工物11の表面11a側に対応する)には、機能素子の一部である機能領域が形成されている。
The
機能領域上には、無機化合物等で形成された積層体23が形成されている。積層体23とウェーハ21の機能領域とは、機能素子を構成しており、複数の機能素子により上述のデバイス15が構成されている。図3(B)に示す様に、デバイス15の部分は、分割予定ライン13の部分よりも上方に突出する凸部となっている。
A laminate 23 made of an inorganic compound or the like is formed on the functional region. The functional region of the laminate 23 and the
次に、レーザービームで被加工物11を加工する被加工物11の加工方法の一例について説明する。なお、図8は、被加工物11の加工方法のフロー図である。まず、保護膜剤25(図5(A)参照)を準備する(準備工程S10)。
Next, an example of a processing method of the
上述の様に、保護膜剤25は、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を含み、波長355nmにおける吸光度(200倍希釈溶液に換算した吸光度)が光路長1cm当たり0.25以上である。なお、同吸光度は、光路長1cm当たり0.82以上、0.91以上、又は、0.98以上であるとより好ましい。
As described above, the
準備工程S10の後、フレームユニット31を形成する(フレームユニット形成工程S20)。なお、フレームユニット形成工程S20を準備工程S10より先に行ってもよい。図4、フレームユニット31の斜視図である。
After the preparation step S10, the
フレームユニット31は、金属製の環状フレーム17を有する。環状フレーム17は、被加工物11よりも大きな径の開口を有する。被加工物11は、環状フレーム17の開口の内側に配置されており、ダイシングテープ19を介して環状フレーム17と一体化されている。
The
ダイシングテープ19は、例えば、基材層と粘着層とから成る積層体である。基材層は、例えば、5μm以上200μm以下の厚さを有するポリオレフィン系樹脂で形成されている。また、粘着層は、例えば、紫外線硬化型樹脂で形成されている。
The dicing
フレームユニット形成工程S20では、例えば、平坦な台上に、被加工物11の表面11a側と環状フレーム17の一面とを載置し、被加工物11の裏面11b側と、環状フレーム17の他面と、に矩形のダイシングテープ19を貼り付ける。
In the frame unit forming step S20, for example, the
その後、環状フレーム17の内径以上且つ外径以下の所定の径で、ダイシングテープ19を円形に切り取る。これにより、フレームユニット31を形成する。フレームユニット形成工程S20の後、保護膜被覆工程S30を行う。
Then, the dicing
図5(A)は、保護膜被覆工程S30を示す図である。なお、図5(A)では、環状フレーム17及びダイシングテープ19を省略している。保護膜被覆工程S30では、例えば、保護膜形成装置30を用いる。
FIG. 5A is a diagram showing a protective film coating step S30. In FIG. 5A, the
保護膜形成装置30は、ダイシングテープ19を介して裏面11b側を吸引して保持するスピンナテーブル32を有する。スピンナテーブル32は、モータ等の回転駆動源(不図示)と接続されており、鉛直方向に概ね平行な直線を回転軸として回転する。
The protective
スピンナテーブル32の上面側には、円盤状のポーラス板(不図示)が設けられている。ポーラス板は、多孔質部材で形成されており、エジェクタ等の吸引源(不図示)と接続されている。吸引源を作動させるとポーラス板の表面は、被加工物11を保持する保持面として機能する。
A disk-shaped porous plate (not shown) is provided on the upper surface side of the spinner table 32. The porous plate is made of a porous member and is connected to a suction source (not shown) such as an ejector. When the suction source is operated, the surface of the porous plate functions as a holding surface for holding the
スピンナテーブル32の上方には、保持面に向けて液状の保護膜剤25を噴射するノズル34が配置されている。ノズル34は、不図示の流路を介して保護膜剤25の供給源(不図示)に接続されている。
Above the spinner table 32, a
保護膜被覆工程S30では、まず、裏面11b側が下向きとなる様に、被加工物11をスピンナテーブル32に載置する。次いで、裏面11b側をスピンナテーブル32で吸引して保持する。その後、回転駆動源を動作させて、スピンナテーブル32を所定の回転数で回転させる。
In the protective film coating step S30, first, the
この状態で、ノズル34から液状の保護膜剤25を被加工物11の表面11aに塗布する。保護膜剤25は、遠心力により表面11a上に一様に広がる。その後、保護膜剤25の供給を止めて、保護膜剤25を乾燥させる。これにより、表面11a側を被覆する保護膜27(図5(B)、図6等参照)が形成される。
In this state, the liquid
保護膜被覆工程S30では、例えば、所定の回転数で、所定時間だけ保護膜剤25を塗布する。但し、上述の様に時間が経つにつれて段階的に回転数を増加させることにより、複数の段階に分けて連続的に保護膜剤25を塗布してもよい。複数の段階に分けて保護膜剤25を塗布することにより、所定の回転数で保護膜剤25を塗布する場合に比べて、保護膜27を厚く形成できる。
In the protective film coating step S30, for example, the
図5(B)は、保護膜27付き被加工物11の一部を拡大した断面図である。なお、図5(B)では、2つのデバイス15間の凹部の段差を吸収する様に、保護膜27の上面が平坦に形成されている場合を示す。但し、保護膜27は、表面11aの凹凸に倣う様に一定の厚さで形成されてもよい。
FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of a part of the
デバイス15の焼けを低減するためには、保護膜27の厚さを3.8μm以上とすることが好ましく、4.0μm以上又は5.5μm以上とすることがより好ましく、6.8μm以上又は7.0μm以上とすることが更に好ましい。しかし、保護膜27が厚過ぎるとレーザー加工自体が難しくなるので、保護膜27の厚さは15μm以下とすることが好ましい。
In order to reduce the burning of the
図6は、準備工程S10、フレームユニット形成工程S20及び保護膜被覆工程S30を経て製造された保護膜27付き被加工物11の斜視図である。なお、S10、S20及びS30は、保護膜27付き被加工物11の製造方法を構成する。
FIG. 6 is a perspective view of the
保護膜被覆工程S30の後、被加工物11をレーザー加工装置40で加工して、レーザー加工溝を形成する(加工溝形成工程S40)。図7は、レーザー加工溝33を形成する加工溝形成工程S40を示す図である。なお、図7では、環状フレーム17及びダイシングテープ19を省略している。
After the protective film coating step S30, the
加工溝形成工程S40では、レーザー加工装置40を用いる。レーザー加工装置40は、被加工物11の裏面11b側を吸引して保持するチャックテーブル42を有する。チャックテーブル42は、スピンナテーブル32と同様のポーラス板、吸引源等を有するので、詳細な説明は省略する。
In the machined groove forming step S40, the laser machined
なお、チャックテーブル42の下方には、チャックテーブル42を回転駆動させる駆動部(不図示)が設けられている。また、駆動部の下方には、チャックテーブル42をX軸方向に沿って移動させるX軸移動機構(不図示)と、チャックテーブル42をY軸方向に沿って移動させるY軸移動機構(不図示)と、が設けられている。 A drive unit (not shown) for rotationally driving the chuck table 42 is provided below the chuck table 42. Further, below the drive unit, an X-axis moving mechanism (not shown) for moving the chuck table 42 along the X-axis direction and a Y-axis moving mechanism (not shown) for moving the chuck table 42 along the Y-axis direction. ) And are provided.
チャックテーブル42の上方には、パルス状のレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット50が設けられている。レーザービーム照射ユニット50は、被加工物11に吸収される波長を有するレーザービームを照射する。なお、被加工物11がシリコンの場合、被加工物11に吸収される光の波長は、例えば、355nmである。
Above the chuck table 42, a laser
レーザービーム照射ユニット50は、略円筒形状のケーシング52を有する。ケーシング52の先端部には、ヘッド部54が固定されている。YAGレーザー発振器、YVO4レーザー発振器等のレーザー発振器(不図示)から出射されたパルス状のレーザービームは、ヘッド部54からチャックテーブル42の保持面に向けて出射される。
The laser
ヘッド部54から出射されるレーザービームは、波長が355nm以上1064nm以下の所定値であり、繰り返し周波数が100kHzから50000kHzの範囲の所定値である。なお、上述の実験例の様に、繰り返し周波数を200kHzから1000kHzの範囲の所定値としてもよい。
The laser beam emitted from the
レーザービームのパルス幅は、10fs以上500ps以下の範囲の所定値とする(なお、fsは、femtosecondを意味する)。発振器の安定性と高出力とを考慮すれば、上述の実験例の様に、パルス幅を3ps以上30ps以下の範囲の所定値とすることが好ましい。 The pulse width of the laser beam is set to a predetermined value in the range of 10 fs or more and 500 ps or less (note that fs means femtosecond). Considering the stability of the oscillator and the high output, it is preferable to set the pulse width to a predetermined value in the range of 3 ps or more and 30 ps or less as in the above experimental example.
ところで、レーザービームのパルス幅がナノ秒オーダーである場合、パルス幅がピコ秒オーダーである場合に比べて、加工時に発生する熱によって、レーザー加工溝33の形状が歪になる問題や、熱影響領域が形成されて抗折強度が低下するという問題や、加工後のデブリが被加工物11に付着し、時間経過と共に成長するという成長デブリの問題がある。
By the way, when the pulse width of the laser beam is on the nanosecond order, the shape of the
これに対して、レーザービームのパルス幅をピコ秒オーダーとすることにより、パルス幅がナノ秒オーダーである場合に比べて、短時間で尖頭出力が高いレーザービームを照射できるので、レーザー加工溝33の形状や熱影響領域の問題や成長デブリの問題を解消できる。 On the other hand, by setting the pulse width of the laser beam to the picosecond order, it is possible to irradiate the laser beam with a high peak output in a short time as compared with the case where the pulse width is on the nanosecond order. It is possible to solve the problems of the shape of 33, the area affected by heat, and the problem of growth debris.
しかしながら、レーザービームの尖頭出力が高い場合、レーザー加工中に舞い上がったデブリにより散乱されるレーザービームのエネルギーも高いので、レーザービームの散乱光によりデバイス15に生じる焼けが問題となる。 However, when the peak output of the laser beam is high, the energy of the laser beam scattered by the debris soared during the laser processing is also high, so that the burn caused by the scattered light of the laser beam becomes a problem.
これに対して、保護膜剤25を用いることにより、デバイス15の焼けを低減できることは上述の通りである。つまり、保護膜剤25は、ピコ秒(又はフェムト秒)オーダーのパルス幅を有するレーザービームで被加工物11を加工する場合に、特に有効であると言える。
On the other hand, as described above, the use of the
但し、パルス幅がナノ秒オーダーのレーザービームで被加工物11をレーザー加工する場合であっても、保護膜剤25を用いることでデバイス15の焼けを低減する効果があることは勿論である。
However, even when the
レーザービームの出力は、0.3W以上100.0W以下の範囲の所定値とする。なお、上述の実験例の様に、1.0W以上5.0W以下の範囲の所定値としてもよい。集光スポットのスポット径は、1μm以上100μm以下の所定長さとするが、上述の実験例の様に、2μm以上5μm以下の所定長さとしてもよい。 The output of the laser beam shall be a predetermined value in the range of 0.3 W or more and 100.0 W or less. As in the above experimental example, the predetermined value may be set in the range of 1.0 W or more and 5.0 W or less. The spot diameter of the light-collecting spot has a predetermined length of 1 μm or more and 100 μm or less, but may be a predetermined length of 2 μm or more and 5 μm or less as in the above-mentioned experimental example.
ヘッド部54に隣接する位置には、保持面に対向する撮像ユニット56が設けられている。撮像ユニット56は、可視光線を照射する光源部(不図示)と、被加工物11からの反射光等を撮像する撮像素子(不図示)と、反射光を撮像素子に集光するための集光レンズと、を有する。
An
加工溝形成工程S40では、まず、表面11aが上になる様に、被加工物11をチャックテーブル42上に載置する。次いで、裏面11b側をチャックテーブル42で吸引して保持する。このとき、ヘッド部54及び撮像ユニット56は、被加工物11の上方に位置する。
In the machined groove forming step S40, first, the
その後、撮像ユニット56を用いて、分割予定ライン13を撮像する。そして、撮像結果に基づいて、分割予定ライン13がX軸方向と平行になる様に、チャックテーブル42を所定角度だけ回転させる。
After that, the
次いで、ヘッド部54から保護膜27を介して表面11aにレーザービームを照射しながら、ヘッド部54とチャックテーブル42とをX軸方向に相対的に移動させる。例えば、X軸移動機構を用いて20mm/秒以上2000mm/秒以下の範囲の所定の加工送り速度で、チャックテーブル42をX軸方向に移動させる。
Next, the
加工送り速度は、上述の実験例の様に、200mm/秒以上600mm/秒以下の範囲の所定値としてもよい。また、ポリゴンミラ―を用いて加工する場合、加工送り速度を500mm/秒以上5000mm/秒以下の範囲の所定値としてもよい。 The machining feed rate may be a predetermined value in the range of 200 mm / sec or more and 600 mm / sec or less as in the above experimental example. Further, when machining using a polygon mirror, the machining feed rate may be set to a predetermined value in the range of 500 mm / sec or more and 5000 mm / sec or less.
保護膜27及び被加工物11は、分割予定ライン13に沿ってアブレーション加工されて、レーザー加工溝33が形成される。本実施形態のレーザー加工溝33は、所謂ハーフカット溝であり、表面11aから裏面11bに達しない所定の深さまで形成されている。
The
一の方向に沿う全ての分割予定ライン13に沿ってレーザー加工溝33を形成した後、チャックテーブル42を90度回転させて、一の方向と直交する他の方向に沿う全ての分割予定ライン13に沿ってレーザー加工溝33を形成する。
After forming the
全ての分割予定ライン13に沿ってレーザー加工溝33を形成した後、プラズマエッチング装置(不図示)を用いて、レーザー加工溝33をエッチングして、被加工物11を複数のデバイスチップに分割する。なお、プラズマエッチングにおいては、保護膜27により表面11a側は保護される。
After forming the laser machined
本例では、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を光吸収剤として、用いる。これにより、フェルラ酸等の従来の光吸収剤に比べて保護膜剤25の355nmにおける吸光度を高くできる。それゆえ、加工溝形成工程S40でのデバイス15の焼けを低減できる。波長355nmの以外にも、例えば波長532nmの場合であっても、高い吸光度と3.8μm以上の厚さを有することで、デバイス15の焼けを低減する効果があることは勿論である。
In this example, a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is used as a light absorber. As a result, the absorbance of the
更に、当該光吸収剤を含む保護膜剤25を被加工物11の表面11a上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜27で表面11a側を被覆することで、保護膜27が3.8μm未満の厚さを有する場合に比べて、加工溝形成工程S40でのデバイス15の焼けを低減できる(上述の実験例4、6、7、11、12及び13参照)。
Further, the
また、置換基として2個以上のヒドロキシル基のみを有するベンゾフェノン誘導体を光吸収剤として用いて、保護膜剤25の光路長1cm当たりの吸光度を0.82以上とし、且つ、保護膜27の厚さを6.8μm以上とすることにより、デバイス15の焼けをほぼ無くすことができる(上述の実験例6参照)。
Further, a benzophenone derivative having only two or more hydroxyl groups as a substituent is used as a light absorber, the absorbance per 1 cm of the optical path length of the
同吸光度を0.96以上且つ同厚さを6.8μm以上とした場合(上述の実験例7参照)や、同吸光度を0.98以上且つ同厚さを7.0μm以上とした場合(上述の実験例13参照)も、デバイス15の焼けをほぼ無くすことができる。
When the absorbance is 0.96 or more and the thickness is 6.8 μm or more (see Experimental Example 7 above), or when the absorbance is 0.98 or more and the thickness is 7.0 μm or more (see above). (See Experimental Example 13) can also almost eliminate the burning of the
加工溝形成工程S40の後、不図示の搬送アームにより、フレームユニット31を洗浄装置(不図示)に搬送して、洗浄装置で被加工物11の表面11a側を洗浄する(洗浄工程S50)。洗浄工程S50では、被加工物11に洗浄水(例えば、純水)が噴射され、デブリと共に保護膜27が除去される(水洗除去)。
After the machined groove forming step S40, the
洗浄方法は、2流体洗浄、高圧洗浄等を用いるのが好ましい。水は常温でもよいし、加温してもよい。また、水洗のみで保護膜27の除去が困難な場合、プラズマ等の処理によって、保護膜27を除去してもよい。これにより、被加工物11のレーザー加工は終了する。
As the cleaning method, it is preferable to use two-fluid cleaning, high-pressure cleaning and the like. The water may be at room temperature or may be heated. If it is difficult to remove the
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、全ての分割予定ライン13に沿ってレーザー加工溝33を形成した後、洗浄装置で保護膜27を除去して、次いで、切削装置を用いて、レーザー加工溝33を切削することにより、被加工物11を複数のデバイスチップに分割してもよい。
In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented as long as they do not deviate from the scope of the object of the present invention. For example, after forming the laser machined
ところで、レーザー加工溝33を形成する加工溝形成工程S40において、表面11aから裏面11bに達する所定の深さまでレーザー加工溝33(所謂、フルカット溝)を形成することにより、被加工物11を複数のデバイスチップに分割してもよい。
By the way, in the machined groove forming step S40 for forming the laser machined
その他、上記では、スピンコート法について説明したが、スピンコート法以外にも、スプレー(超音波、静電スプレー)コーティング法、浸漬コーティング法、インクジェット法などを用いてもよい。また、表面11aに塗布された保護膜剤25に対してキセノンフラッシュランプから光を照射して、保護膜剤25を乾燥させて固化させてもよい(キセノンフラッシュ法)。
In addition, although the spin coating method has been described above, a spray (ultrasonic wave, electrostatic spray) coating method, a dip coating method, an inkjet method, or the like may be used in addition to the spin coating method. Further, the
なお、デバイス15は、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)であってもよい。この場合も、デバイス15が形成された表面11a側を保護膜27で保護することにより、レーザー加工時におけるデバイス15へのダメージを低減できる。
The
11 :被加工物
11a :表面
11b :裏面
13 :分割予定ライン
15 :デバイス
17 :環状フレーム
19 :ダイシングテープ
21 :ウェーハ
23 :積層体
25 :保護膜剤
27 :保護膜
30 :保護膜形成装置
31 :フレームユニット
32 :スピンナテーブル
33 :レーザー加工溝
34 :ノズル
40 :レーザー加工装置
42 :チャックテーブル
50 :レーザービーム照射ユニット
52 :ケーシング
54 :ヘッド部
56 :撮像ユニット
11:
Claims (6)
水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、該光吸収剤が、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むレーザーダイシング用保護膜剤を、該被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で該一面側を被覆する保護膜被覆工程と、
該被加工物に吸収される波長を有するレーザービームを該被加工物の上方から該保護膜を介して該一面に照射して、該被加工物にレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程と、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 It is a processing method of the workpiece that processes the workpiece with a laser beam.
It is composed of a water-soluble resin, an organic solvent, and a solution in which at least a light absorber is dissolved, and the light absorber has two or more hydroxyl groups as a substituent and has a substituent other than the hydroxyl group. A protective film coating step of applying a protective film agent for laser dicing containing a benzophenone derivative that does not exist on one surface of the workpiece and covering the one surface side with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more. ,
A processing groove forming step of irradiating one surface of the workpiece with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece from above the workpiece through the protective film to form a laser-machined groove in the workpiece. A method for processing a workpiece, which comprises.
水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、該光吸収剤が、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むレーザーダイシング用保護膜剤を準備する準備工程と、
該レーザーダイシング用保護膜剤を被加工物の一面上に塗布して、3.8μm以上の厚さを有する保護膜で該一面側を被覆する保護膜被覆工程と、を備えることを特徴とする保護膜付き被加工物の製造方法。 It is a method of manufacturing a workpiece with a protective film.
It is composed of a water-soluble resin, an organic solvent, and a solution in which at least a light absorber is dissolved, and the light absorber has two or more hydroxyl groups as a substituent and has a substituent other than the hydroxyl group. A preparatory step for preparing a protective film agent for laser dicing containing a benzophenone derivative that does not exist,
It is characterized by comprising a protective film coating step of applying the protective film agent for laser dicing on one surface of a work piece and covering the one surface side with a protective film having a thickness of 3.8 μm or more. A method for manufacturing a workpiece with a protective film.
水溶性樹脂と、有機溶剤と、光吸収剤とが少なくとも溶解した溶液から構成され、
該光吸収剤は、置換基として2個以上のヒドロキシル基を有し、且つ、ヒドロキシル基以外の置換基を有さないベンゾフェノン誘導体を含むことを特徴とするレーザーダイシング用保護膜剤。 A protective film for laser dicing that is applied to a work piece by irradiating it with a laser beam.
It is composed of a solution in which a water-soluble resin, an organic solvent, and a light absorber are at least dissolved.
The light absorber is a protective film agent for laser dicing, which comprises a benzophenone derivative having two or more hydroxyl groups as a substituent and having no substituent other than the hydroxyl group.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020103990A JP2021197482A (en) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020103990A JP2021197482A (en) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021197482A true JP2021197482A (en) | 2021-12-27 |
Family
ID=79196047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020103990A Pending JP2021197482A (en) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021197482A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117506703A (en) * | 2023-12-01 | 2024-02-06 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Measuring device and polishing system |
CN117506703B (en) * | 2023-12-01 | 2024-05-10 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Measuring device and polishing system |
-
2020
- 2020-06-16 JP JP2020103990A patent/JP2021197482A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117506703A (en) * | 2023-12-01 | 2024-02-06 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Measuring device and polishing system |
CN117506703B (en) * | 2023-12-01 | 2024-05-10 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Measuring device and polishing system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4571850B2 (en) | Protective film agent for laser dicing and wafer processing method using the protective film agent | |
JP6624919B2 (en) | Protective film detection method for laser processing | |
TWI673764B (en) | Sacrificial layer for post-laser debris removal systems and methods | |
JP2014124646A (en) | Laser machining method and fine particle layer former | |
JP7017648B2 (en) | Protective film forming agent for plasma dicing and method for manufacturing semiconductor chips | |
JP2016157892A (en) | Wafer processing method | |
JP5839390B2 (en) | Ablation processing method | |
JP2018174310A (en) | Protective film agent for dicing | |
TW201630116A (en) | Multi-layer laser debonding structure with tunable absorption | |
JPS6239539B2 (en) | ||
JP6614696B2 (en) | Protective film forming resin agent and laser processing method | |
JP2021197482A (en) | Processing method of workpiece, method for manufacturing workpiece with protective film, and protective film agent for laser dicing | |
JP6341666B2 (en) | Laser processing method | |
CN115466547A (en) | Protective film agent for laser processing and processing method of processed object | |
JP7258416B2 (en) | Workpiece processing method, device chip manufacturing method | |
US20160215159A1 (en) | Protective film composition for laser dicing and use thereof | |
JP2016162769A (en) | Wafer processing method | |
JP7258420B2 (en) | Protective film agent for laser dicing, method for producing protective film agent for laser dicing, and method for processing workpiece using protective film agent for laser dicing | |
TWI833850B (en) | Processing method of workpiece, manufacturing method of device wafer | |
US10858524B2 (en) | Protective film forming resin agent and laser processing method | |
TWI729017B (en) | Resin agent for forming protective film and laser processing method | |
KR102541722B1 (en) | Protective film forming resin and laser machining method | |
TW202239514A (en) | Method for manufacturing semiconductor chip and protective film forming agent which can form a processing groove on the semiconductor wafer and the protective film by irradiating a laser beam with high processing accuracy | |
TW202408710A (en) | Wafer processing methods | |
JP2020109815A (en) | Wafer processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240329 |