JP2021184439A - ホール素子、および電子部品 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 43
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
- G01R33/077—Vertical Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
- G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
- G01R33/075—Hall devices configured for spinning current measurements
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
本開示の別の局面に従うと、電子部品は、上述のいずれか1項に記載のホール素子と、ホール素子を制御する制御回路とを備える。
[磁気センサの構成]
図1は、本実施の形態に従うホール素子が適用される磁気センサ1000の構成例である。磁気センサ1000は、ホール素子100に加えて、制御回路500を備える。制御回路500は、検出部602と、電流源604と、制御部606と、スイッチ回路608とを有する。制御部606は、制御回路500の各構成部を制御する。検出部602は、磁界を検出する。スイッチ回路608は本実施の形態では用いられず、後述の実施の形態で説明する。したがって、本実施の形態の制御回路500は、スイッチ回路608を有さないようにしてもよい。本実施の形態のホール素子100は、いわゆる縦型のホール素子であり、ホール素子100が形成される半導体基板の表面に垂直な方向に流れる電流を用いて磁界を検出する。ホール素子100は、ホール素子に作用する磁界に応じたホール電圧を出力する。検出部602は、ホール素子100から出力されたホール電圧に基づいて、ホール素子100に作用する磁界を検出する。また、電流源604は、ホール素子100においてホール電圧を発生させるための駆動電流をホール素子100に制御部606の制御により供給する。なお、制御回路500は、電流源604の代わりに、電圧源を備えるようにしてもよい。電圧源は、ホール素子100においてホール電圧を発生させるための駆動電圧をホール素子100に供給するものである。
図2および図3は、ホール素子100の構成例を示す図である。図2および図3を参照して、この実施の形態に係るホール素子100の概略構造について説明する。本実施の形態の図面において、ホール素子100の厚さ方向の軸をZ軸とする。Z軸は、後述する半導体基板250の表面250Aの法線方向の軸でもある。また、Z軸に直交する軸をX軸およびY軸とする。X軸方向が、本開示の「第1方向」に対応する。Y軸方向が、本開示の「第2方向」に対応する。図2は、ホール素子100をZ軸方向から平面視したときの図である。図2の例では、ホール素子100は矩形状であり、より特定的には、正方形状である。また、図3(A)は、図2の直線P−P’における断面図であり、図3(B)は、図2の直線Q−Q’における断面図であり、図3(C)は、図2の直線R−R’における断面図であり、図3(D)は、図2の直線S−S’における断面図である。
第2の実施の形態の磁気センサ1000Aは、第1の実施の形態の磁気センサ1000における配線が簡素化されたものである。図5は、第2の実施の形態のホール素子100と、検出部602Aとの配線の接続関係を説明するための図である。検出部602Aは、アンプ502,506と、Y軸検出部514と、X軸検出部516とを有する。
第3の実施の形態の磁気センサ1000Bは、1方向の磁気の検出精度を従来の磁気センサよりも高めたものである。図6は、ホール素子100と、検出部602Bとの配線の接続関係を説明するための図である。検出部602Bは、アンプ502,504と、合算部510と、Y軸検出部514とを有する。
上述の実施の形態では、ホール素子100の4隅に形成された拡散層230は、ホール素子100をZ軸方向から平面視したときに、矩形状である構成を説明した。第4の実施の形態の拡散層は、ホール素子の外周方向に湾曲している。
上述の実施の形態においては、駆動電極に供給した電流の一部が、拡散層302の表面を伝達して検出電極に漏れる場合がある。この場合には、駆動電極から接地電極に流れる駆動電流の量が減少することから、検出精度が低下する場合がある。第5の実施の形態においては、拡散層302よりも浅い拡散層を備えることにより、このような検出精度の低下を防止するものである。図8は、第5の実施の形態のホール素子100Bの構成図である。また、図9は、図8の直線P−P’における断面図である。図8および図9に示すように、図8に示すように、第5の実施の形態のホール素子は、拡散層302とは別に、拡散層322を有する。拡散層322は、本開示の「第2絶縁層」に対応する。以下では、第1駆動電極101、第2駆動電極102と、第1接地電極151と、第2接地電極152とを、総括的に、「駆動用電極群」と称する場合がある。
駆動用電極群および検出電極群の各々の電極は重心C(図2参照)において、完全に対称となるように配置されることが好ましい。しかしながら、駆動用電極群および検出電極群の各々の電極の配置位置に関する誤差による位置ずれ(アライメントずれ)などがあるため、検出電極群で検出される電圧には、ホール電圧とともにオフセット電圧(不平衡電圧)が含まれる。オフセット電圧に起因して、磁界の検出精度が低下する場合がある。第6の実施の形態では、このオフセット電圧をキャンセルする磁気センサを説明する。
第6の実施の形態では、1つのホール素子を第1状態および第2状態のいずれかに切換えることによりオフセット電圧がキャンセルされた磁界を検出する構成を説明した。第7の実施の形態の磁気センサは、スイッチ回路を省略するとともに、第1状態であるホール素子と第2状態であるホール素子とを用いて、オフセット電圧がキャンセルされた磁界を検出する。図13および図14は、第7の実施の形態の磁気センサの構成例を示す図である。第7の実施の形態の磁気センサは、第1ホール素子801と、第2ホール素子802と、検出部602Gを含む制御回路とを有する。図13は、第1ホール素子801と、第2ホール素子802とを示した図であり、図14は、検出部602Gを示した図である。第1ホール素子801は、図2のホール素子100と同一の構成である。以下に、第2ホール素子802を説明する。
上述の実施の形態では、主に、検出される磁界の方向が2方向(X軸方向およびY軸方向)であるホール素子を説明した。第8の実施の形態では、検出可能な磁界の方向が3方向(X軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向)であるホール素子を説明する。図15は、第8の実施の形態のホール素子100Hの構成例を示す図である。ホール素子100Hは、ホール素子100(図2参照)に形成されている4隅の拡散層230が省略されるとともに、該4隅の各々に、コンタクト領域および電極が配置される(つまり、4つのコンタクト領域と、4つの電極が配置される)。該4つの電極は、第5駆動電極105、第5接地電極155、第20検出電極220、および第21検出電極221である。第20検出電極220、および第21検出電極221が、本開示の「第3電極群」に対応する。図15および後述の図16の例では、拡散層322が設けられている。
(1) 上述した電極の配置に限られず、電極を他の配置にした場合であっても、磁気センサは、磁界を検出できる。図18は、別の実施の形態のY軸の磁界を検出するモードを示す図である。図4の例では、内側の4つの電極が駆動電極および接地電極である構成が示されているが、図18の例では、外側の4つの電極が駆動電極および接地電極である構成が示されている。
510,512 合算部、514 Y軸検出部、516 X軸検出部、1000 磁気センサ。
Claims (10)
- 磁界を検出するためのホール素子であって、
半導体領域を有する基板と、
前記基板に配置された第1駆動電極と、
前記基板において前記第1駆動電極から第1方向に離間して配置された第1接地電極と、
前記基板において前記第1駆動電極から前記第1方向とは異なる第2方向に離間して配置された第2接地電極と、
前記第1駆動電極から前記第1接地電極および前記第2接地電極に向かって流れる、前記基板の表面に垂直な成分の電流によって発生するホール電圧を検出するための第1電極群を含む検出電極群とを備える、ホール素子。 - 前記基板において前記第1接地電極から前記第2方向に離間して配置され、かつ前記第2接地電極から前記第1方向に離間して配置された第2駆動電極をさらに備え、
前記検出電極群は、前記第2駆動電極から前記第1接地電極および前記第2接地電極に向かって流れる、前記基板の表面に垂直な成分の電流によって発生するホール電圧を検出するための第2電極群を含む、請求項1に記載のホール素子。 - 前記基板に配置された第3駆動電極と、
前記第3駆動電極から離間して配置された第3接地電極と、
前記検出電極群は、前記基板において前記第3駆動電極から前記第3接地電極に向かって、前記基板の表面に平行な成分の電流によって発生するホール電圧を検出するための第3電極群とをさらに備える、請求項1に記載のホール素子。 - 前記基板の前記第1駆動電極と前記第1接地電極との間、および、前記基板の前記第1駆動電極と前記第2接地電極との間において、前記基板の表面から垂直な方向に形成される第1絶縁層をさらに備える、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のホール素子。
- 前記基板の、前記第1駆動電極と前記検出電極群のうち前記第1駆動電極に隣接して配置される電極との間において、前記基板の表面から垂直な方向に形成される第2絶縁層をさらに備え、
前記基板の表面からの前記第2絶縁層の深さは、前記基板の表面からの前記第1絶縁層の深さよりも浅い、請求項4に記載のホール素子。 - 前記基板は、前記基板の法線方向から平面視したときに矩形状を有しており、
前記ホール素子は、前記基板の4隅において、前記基板の表面から垂直な方向に形成される第3絶縁層をさらに備える、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のホール素子。 - 前記第3絶縁層の各々は、前記ホール素子の外周方向に湾曲している、請求項6に記載のホール素子。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のホール素子と、
前記ホール素子を制御する制御回路とを備える電子部品。 - 半導体領域を有する基板に形成されたホール素子と、
前記ホール素子に作用する磁界を検出する制御回路とを備える電子部品であって、
前記ホール素子は、
第1電極と、
前記第1電極から第1方向に離間して配置される第2電極と、
前記第1電極から第1方向と直交する第2方向に離間して配置される第3電極と、
前記第2電極から前記第2方向に離間しかつ前記第3電極から前記第1方向に離間して配置される第4電極と、
検出電極群とを備え、
前記検出電極群は、
前記第1電極から前記第2電極および前記第3電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れており、かつ、前記第4電極から前記第2電極および前記第3電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れている第1状態において発生するホール電圧を検出し、
前記第2電極から前記第1電極および前記第4電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れており、かつ、前記第3電極から前記第1電極および前記第4電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れている第2状態において発生するホール電圧を検出し、
前記制御回路は、前記第1状態で検出されたホール電圧と、前記第2状態でホール電圧との差分に基づいて前記ホール素子に作用する磁界を検出する、電子部品。 - 半導体領域を有する基板に形成される第1ホール素子および第2ホール素子と、
前記第1ホール素子および前記第2ホール素子に作用する磁界を検出する制御回路とを備える電子部品であって、
前記第1ホール素子は、
第1駆動電極と、
第2駆動電極と、
前記第1駆動電極から第1方向に離間して配置され、かつ、前記第2駆動電極から前記第1方向とは異なる第2方向に離間して配置された第1接地電極と、
前記第1駆動電極から前記第2方向に離間して配置され、かつ、前記第2駆動電極から前記第1方向に離間して配置された第2接地電極と、
前記第1駆動電極から前記第1接地電極および前記第2接地電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れており、かつ、前記第2駆動電極から前記第1接地電極および前記第2接地電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れている状態において発生するホール電圧を検出するための第1検出電極群とを備え、
前記第2ホール素子は、
第3駆動電極と、
第4駆動電極と、
前記第3駆動電極から前記第2方向に離間して配置され、かつ、前記第3駆動電極から前記第1方向に離間して配置された第3接地電極と、
前記第3駆動電極から前記第1方向に離間して配置され、かつ、前記第4駆動電極から前記第2方向に離間して配置された第4接地電極と、
前記第3駆動電極から前記第3接地電極および前記第4接地電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れており、かつ、前記第4駆動電極から前記第3接地電極および前記第4接地電極に前記基板の表面に垂直な成分の電流が流れている状態において発生するホール電圧を検出するための第2検出電極群とを備え、
前記制御回路は、前記第1検出電極群で検出されたホール電圧と、前記第2検出電極群で検出されたホール電圧との差分に基づいて前記第1ホール素子および前記第2ホール素子に作用する磁界を検出する、電子部品。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020089885A JP7506526B2 (ja) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | ホール素子、および電子部品 |
US17/321,971 US11895929B2 (en) | 2020-05-22 | 2021-05-17 | Hall element and electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020089885A JP7506526B2 (ja) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | ホール素子、および電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021184439A true JP2021184439A (ja) | 2021-12-02 |
JP7506526B2 JP7506526B2 (ja) | 2024-06-26 |
Family
ID=78608417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020089885A Active JP7506526B2 (ja) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | ホール素子、および電子部品 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11895929B2 (ja) |
JP (1) | JP7506526B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7506526B2 (ja) | 2024-06-26 |
US20210367144A1 (en) | 2021-11-25 |
US11895929B2 (en) | 2024-02-06 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231205 |
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