JP2021183873A

JP2021183873A - Heat treatment furnace

Info

Publication number: JP2021183873A
Application number: JP2020088584A
Authority: JP
Inventors: 隆司井津; Takashi Izu
Original assignee: Koyo Thermo Systems Co Ltd
Current assignee: JTEKT Thermo Systems Corp
Priority date: 2020-05-21
Filing date: 2020-05-21
Publication date: 2021-12-02

Abstract

To provide a heat treatment furnace capable of uniformly heat-treating even a relatively large substrate.SOLUTION: A heat treatment furnace 10 has a housing 11 having a treatment chamber 12 therein and a reflux generation mechanisms 15 provided to generate refluxing of gas in each of a right area AR and a left area AL of the treatment chamber 12. Each of the right and left reflux generation mechanisms 15 has: a duct 21L (21R) for guiding gas from a rear side to a front side; a fan 22L (22R) for generating the reflux by passing the gas in the duct 21L (21R) from the rear side to the front side; a heater 23L (23R) for heating the gas; a filter 24L (24R) discharging the cleaned gas by passing the gas therethrough; and a nozzle 25L (25R) for guiding a part of the gas passing through the filter 24L (24R) to center sides in the right and left directions of the treatment chamber 12, and discharging a part of the gas toward the rear side.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、熱処理炉に関する。 The present invention relates to a heat treatment furnace.

工業製品の製造において、その中間品（処理品）に熱処理が施されることがある。特許文献１に、処理品が基板である場合の熱処理用の装置が開示されている。特許文献１に開示されている装置は、筐体と、筐体内に加熱ガスを供給する機構とを備える。筐体に、基板を出し入れするための開口が設けられていて、その開口は扉（シャッタ）によって閉塞及び開放される。 In the manufacture of industrial products, heat treatment may be applied to the intermediate products (processed products). Patent Document 1 discloses an apparatus for heat treatment when the processed product is a substrate. The device disclosed in Patent Document 1 includes a housing and a mechanism for supplying heating gas into the housing. The housing is provided with an opening for inserting and removing the substrate, and the opening is closed and opened by a door (shutter).

特開２００５−１８３６３８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-183638

近年、熱処理の対象となる基板は大型化しており、大型の基板を全体にわたって均等に熱処理するための取り組みが様々行われている。 In recent years, the size of the substrate to be heat-treated has increased, and various efforts have been made to evenly heat-treat the large-sized substrate as a whole.

特許文献１に開示の装置の場合、筐体内を加熱ガスが一方向に流れる。この場合、基板が大型であると、例えば基板の左右方向の中央部と両側部とで加熱ガスの流速が異なることがあり、均等に熱処理されない可能性がある。また、筐体内の温度に関して、扉が設けられている筐体の開口側は、他の領域と比較して低温となりやすい。このため、基板が均等に熱処理されない可能性がある。 In the case of the apparatus disclosed in Patent Document 1, the heating gas flows in one direction in the housing. In this case, if the substrate is large, the flow velocity of the heating gas may differ between the central portion and both side portions in the left-right direction of the substrate, and the heat treatment may not be uniform. Further, regarding the temperature inside the housing, the temperature on the opening side of the housing provided with the door tends to be lower than that in other regions. Therefore, the substrate may not be heat-treated evenly.

そこで、本開示は、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる熱処理炉を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present disclosure to provide a heat treatment furnace capable of uniformly heat-treating even a relatively large substrate as a whole.

（１）本開示の熱処理炉は、前後及び左右に広がる処理室を内部に有すると共に、当該処理室に対する基板の出し入れのために前側に設けられている開口を閉塞及び開放する扉を有する筐体と、前記処理室の右領域及び左領域それぞれにおいてガスの還流を発生させるために左右それぞれに設けられている還流発生機構と、を備え、左右の前記還流発生機構それぞれは、前記筐体に沿って後側から前側にガスを誘導するためのダクトと、前記ダクト内のガスを後側から前側に流すことで前記還流を発生させるためのファンと、ガスを加熱するヒータと、前記ダクトの前寄りに設けられガスを通過させて清浄化したガスを放出するフィルタと、前記フィルタを通過したガスの一部を前記処理室の左右方向の中央側に誘導すると共に当該ガスの一部を後側に向かって放出するノズルと、を備える。 (1) The heat treatment furnace of the present disclosure has a processing chamber that extends back and forth and left and right inside, and a housing having a door that closes and opens an opening provided on the front side for inserting and removing a substrate from the processing chamber. A recirculation generation mechanism provided on each of the left and right sides for generating a recirculation of gas in each of the right region and the left region of the processing chamber, and the left and right recirculation generation mechanisms are provided along the housing. A duct for inducing gas from the rear side to the front side, a fan for generating the recirculation by flowing the gas in the duct from the rear side to the front side, a heater for heating the gas, and a heater in front of the duct. A filter provided near the filter to allow the gas to pass through and release the purified gas, and a part of the gas that has passed through the filter is guided to the center side in the left-right direction of the processing chamber, and a part of the gas is to the rear side. It is equipped with a nozzle that emits toward.

前記熱処理炉によれば、筐体内の処理室の右領域及び左領域それぞれで、ヒータにより加熱されたガスの還流が生じることから、比較的大きな基板であっても、前記ガスによって、全体として熱処理することが可能となる。
処理室の右領域及び左領域それぞれで還流が生じると、処理室の前側であって左右方向の中央で温度が上昇し難いことがある。更に、処理室の前側が開口しているため、扉が開かれると、処理室の前側で温度が低下し易い。このため、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲に位置する基板の一部は、他部と比較して低温となる可能性がある。
しかし、前記熱処理炉によれば、前記範囲に対して、ノズルからガスを放出することが可能となり、前記範囲の温度を高めることが可能となる。このため、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。 According to the heat treatment furnace, since the reflux of the gas heated by the heater occurs in each of the right region and the left region of the processing chamber in the housing, even if the substrate is relatively large, the heat treatment is performed by the gas as a whole. It becomes possible to do.
When reflux occurs in each of the right region and the left region of the treatment chamber, it may be difficult for the temperature to rise in the center in the left-right direction on the front side of the treatment chamber. Further, since the front side of the processing chamber is open, the temperature tends to drop on the front side of the processing chamber when the door is opened. Therefore, a part of the substrate located in the central range in the left-right direction on the front side of the processing chamber may have a lower temperature than the other parts.
However, according to the heat treatment furnace, it is possible to discharge gas from the nozzle with respect to the range, and it is possible to raise the temperature in the range. Therefore, even a relatively large substrate can be uniformly heat-treated as a whole.

（２）また、好ましくは、前記ノズルは、前記処理室の左右方向の端側に位置する前記フィルタから左右方向の中央に向かって延びる形状を有し、前記ノズルは、ガスを放出する放出口を左右方向の中央側に片寄って複数有する。この構成により、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲に対して、効率よく、ノズルからガスが放出される。 (2) Further, preferably, the nozzle has a shape extending from the filter located on the left-right end side of the processing chamber toward the center in the left-right direction, and the nozzle is a discharge port for discharging gas. Is offset to the center side in the left-right direction. With this configuration, gas is efficiently discharged from the nozzle in the central range in the left-right direction on the front side of the processing chamber.

（３）また、前記ノズルから放出されるガスによって、処理室の前側であって左右方向の中央の範囲の温度を、他の範囲と同等に高める機能が、より一層上手く活用されるために、前記左領域で発生するガスの還流と、前記右領域で発生するガスの還流とが、左右で対称となるように、左右の前記還流発生機構は左右で対称となって設けられている。 (3) Further, in order to further effectively utilize the function of raising the temperature in the central range in the left-right direction on the front side of the treatment chamber to the same level as the other ranges by the gas discharged from the nozzle. The left and right recirculation generation mechanisms are provided symmetrically so that the recirculation of the gas generated in the left region and the recirculation of the gas generated in the right region are symmetrical on the left and right.

（４）また、好ましくは、前記筐体は、前部に、左右方向に長い梁状である仕切り部を上下方向に間隔をあけて複数有していて、上下で隣り合う前記仕切り部の間が、前記開口であり、前記仕切り部に、前記ノズルは取り付けられている。この構成によれば、開口を構成するための仕切り部が、ノズルを設置するための部材としても活用される。 (4) Further, preferably, the housing has a plurality of partition portions having a long beam shape in the left-right direction at an interval in the vertical direction in the front portion, and is between the partition portions adjacent to each other in the vertical direction. However, it is the opening, and the nozzle is attached to the partition portion. According to this configuration, the partition portion for forming the opening is also utilized as a member for installing the nozzle.

（５）また、前記（４）に記載の熱処理炉において、好ましくは、前記開口を挟む上下の前記仕切り部それぞれに、前記ノズルが設けられている。この構成によれば、一つの開口を通じて複数枚の基板が処理室に投入され、これら基板が熱処理される場合であっても、複数枚の基板の上側及び下側それぞれに対して、ノズルからガスが放出される。 (5) Further, in the heat treatment furnace according to the above (4), the nozzles are preferably provided in each of the upper and lower partition portions sandwiching the opening. According to this configuration, even when a plurality of substrates are charged into the processing chamber through one opening and these substrates are heat-treated, gas is supplied from the nozzle to the upper side and the lower side of the plurality of substrates, respectively. Is released.

（６）また、前記（４）又は（５）に記載の熱処理炉において、好ましくは、前記ノズルの上下方向の寸法は、前記仕切り部の上下方向の寸法以下である。この構成によれば、ノズルによって前記開口が狭くならない。 (6) Further, in the heat treatment furnace according to (4) or (5), the vertical dimension of the nozzle is preferably equal to or less than the vertical dimension of the partition portion. According to this configuration, the nozzle does not narrow the opening.

（７）また、前記（６）に記載の熱処理炉の場合、ノズルの上下方向の寸法に制限があって小さくなる。そこで、更に好ましくは、前記ノズルの前後方向の寸法は、前記ノズルの上下方向の寸法よりも大きい。この場合、ノズルの前後方向の寸法が大きいため、ノズルのガス通過断面積をある程度大きく確保することが可能となる。このため、ノズルにおいて十分な量のガスを通過させ、左右方向の中央の範囲に放出することができる。 (7) Further, in the case of the heat treatment furnace according to (6) above, the vertical dimension of the nozzle is limited and becomes smaller. Therefore, more preferably, the dimension in the front-rear direction of the nozzle is larger than the dimension in the vertical direction of the nozzle. In this case, since the size of the nozzle in the front-rear direction is large, it is possible to secure a certain large gas passage cross-sectional area of the nozzle. Therefore, a sufficient amount of gas can be passed through the nozzle and discharged to the central range in the left-right direction.

本開示によれば、比較的大きな基板であっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。 According to the present disclosure, even a relatively large substrate can be uniformly heat-treated as a whole.

熱処理炉の正面図である。It is a front view of a heat treatment furnace. 図１に示す矢印ＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。It is sectional drawing of the heat treatment furnace seen from the direction of arrow II shown in FIG. 図１に示す矢印ＩＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。It is sectional drawing of the heat treatment furnace seen from the direction of arrow III shown in FIG. 筐体の前側の一部を右側から見た断面図である。It is sectional drawing which looked at the part of the front side of a housing from the right side. ノズルを処理室側から見た場合の斜視図である。It is a perspective view when the nozzle is seen from the processing chamber side.

〔熱処理炉の全体構成について〕
図１は、熱処理炉の正面図である。図２は、図１に示す矢印ＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。図３は、図１に示す矢印ＩＩＩ方向から見た熱処理炉の断面図である。図１〜図３に示す熱処理炉１０は、複数枚の基板Ｗを熱処理するための装置である。基板Ｗは、大型であり、例えば矩形であって、前後方向及び左右方向にそれぞれ３メートル程度の寸法を有する。基板Ｗの広い面（上面）が水平面に沿うようにして、基板Ｗは、熱処理１０に投入され、加熱されたガスにより熱処理される。熱処理を終えると基板Ｗは取り出される。基板Ｗの投入及び取り出しは、図外のロボットアームによって行われる。 [Overall configuration of heat treatment furnace]
FIG. 1 is a front view of the heat treatment furnace. FIG. 2 is a cross-sectional view of the heat treatment furnace seen from the direction of arrow II shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the heat treatment furnace seen from the direction of arrow III shown in FIG. The heat treatment furnace 10 shown in FIGS. 1 to 3 is an apparatus for heat-treating a plurality of substrates W. The substrate W is large, for example, rectangular, and has dimensions of about 3 meters in each of the front-rear direction and the left-right direction. The substrate W is put into the heat treatment 10 and heat-treated by the heated gas so that the wide surface (upper surface) of the substrate W is along the horizontal plane. When the heat treatment is completed, the substrate W is taken out. The loading and unloading of the substrate W is performed by a robot arm (not shown).

基板Ｗを筐体１１内に投入するため、及び、基板Ｗを筐体１１から取り出すため、筐体１１に開口１３が設けられている。筐体１１は、開口１３を閉塞及び開放する扉（シャッタ）１４を有する。図２では、一つの扉１４が開口１３を開放している状態が示されている。本開示の熱処理炉１０において、開口１３が設けられている部分が「前」であり、その反対側が「後」である。熱処理炉１０を前から見て右手側が「右」であり、左手側が「左」である。前後（前後方向）及び左右（上下方向）の双方に直交する方向、つまり鉛直方向が、上下（上下方向）となる。図１に示すように、筐体１１の前部の左右両側に、扉１４を開閉動作させるアクチュエータ１９が設けられている。本実施形態では、アクチュエータ１９はエアシリンダであるが、その他の形式であってもよい。 An opening 13 is provided in the housing 11 in order to put the substrate W into the housing 11 and to take out the board W from the housing 11. The housing 11 has a door (shutter) 14 that closes and opens the opening 13. FIG. 2 shows a state in which one door 14 opens the opening 13. In the heat treatment furnace 10 of the present disclosure, the portion where the opening 13 is provided is the "front", and the opposite side thereof is the "rear". When the heat treatment furnace 10 is viewed from the front, the right-hand side is "right" and the left-hand side is "left". The direction orthogonal to both the front-back (front-back direction) and the left-right (up-down direction), that is, the vertical direction is the up-down (up-down direction). As shown in FIG. 1, actuators 19 for opening and closing the door 14 are provided on both left and right sides of the front portion of the housing 11. In this embodiment, the actuator 19 is an air cylinder, but it may be in another form.

熱処理炉１０は、一つの筐体１１と、左側の還流発生機構１５と、右側の還流発生機構１５とを備える。 The heat treatment furnace 10 includes one housing 11, a reflux generation mechanism 15 on the left side, and a reflux generation mechanism 15 on the right side.

筐体１１は、その内部に、前後及び左右に広がる処理室１２を有する。処理室１２は、上下方向にも広がって設けられている。処理室１２に、複数枚の基板Ｗが上下方向に間隔をあけて設けられる。このために、筐体１１は、基板Ｗを載せるラック部２７（図３参照）を上下方向に複数段備える。開口１３は、上下に複数設けられている。一つの開口１３を通じて、二枚の基板Ｗ，Ｗの出し入れが可能となる（図４参照）。図４は、筐体１１の前側の一部を右側から見た断面図である。 The housing 11 has a processing chamber 12 that extends back and forth and left and right inside the housing 11. The processing chamber 12 is provided so as to extend in the vertical direction. A plurality of substrates W are provided in the processing chamber 12 at intervals in the vertical direction. For this purpose, the housing 11 is provided with a plurality of rack portions 27 (see FIG. 3) on which the substrate W is mounted in the vertical direction. A plurality of openings 13 are provided at the top and bottom. Two substrates W and W can be taken in and out through one opening 13 (see FIG. 4). FIG. 4 is a cross-sectional view of a part of the front side of the housing 11 as viewed from the right side.

図４に示すように、筐体１１は、その前部に、複数の仕切り部２６を有する。仕切り部２６は、左右方向に長い梁状の部材である。仕切り部２６は上下方向に間隔をあけて設けられている。上下で隣り合う仕切り部２６，２６の間が、開口１３である。 As shown in FIG. 4, the housing 11 has a plurality of partition portions 26 in the front portion thereof. The partition portion 26 is a beam-shaped member long in the left-right direction. The partition portions 26 are provided at intervals in the vertical direction. The opening 13 is between the vertically adjacent partition portions 26, 26.

扉１４と仕切り部２６との間にはパッキン１８が設けられていて、パッキン１８によって、処理室１２のガスの開口１３から漏れが抑制される。扉１４が開口１３を閉じた状態で、パッキン１８が仕切り部２６に接触することで、ガスの漏れが抑制される。本実施形態では、扉１４の外周縁に沿ってパッキン１８が取り付けられている。 A packing 18 is provided between the door 14 and the partition portion 26, and the packing 18 suppresses leakage from the gas opening 13 of the processing chamber 12. When the packing 18 comes into contact with the partition portion 26 with the door 14 closing the opening 13, gas leakage is suppressed. In this embodiment, the packing 18 is attached along the outer peripheral edge of the door 14.

筐体１１は、上下前後左右に壁を有する。これら壁は、断熱性を有する。これら壁に囲まれた領域が、処理室１２である。図３に示すように、筐体１１の前壁２８Ｆに、仕切り部２６、開口１３、及び扉１４が設けられている。筐体１１の後壁２８Ｂの更に後方に、点検室２９が設けられている。点検室２９と処理室１２とが、後壁２８Ｂによって区画されている。 The housing 11 has walls on the top, bottom, front, back, left, and right. These walls have thermal insulation. The area surrounded by these walls is the processing chamber 12. As shown in FIG. 3, a partition portion 26, an opening 13 and a door 14 are provided on the front wall 28F of the housing 11. An inspection room 29 is provided further behind the rear wall 28B of the housing 11. The inspection room 29 and the processing room 12 are separated by a rear wall 28B.

還流発生機構１５は、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれに設けられている。右領域ＡＲは、処理室１２の右側半分の空間であり、左領域ＡＬは、処理室１２の左側半分の空間である。還流発生機構１５は、右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれにおいてガスの還流を発生させるために左右それぞれに設けられている。還流発生機構１５によって発生するガスの還流は、上下方向の仮想線を中心とする還流である。図３では、ガスの流れの様子が白抜きの矢印で示されている。 The reflux generation mechanism 15 is provided in each of the right region AR and the left region AL of the treatment chamber 12. The right region AR is the space on the right half of the processing chamber 12, and the left region AL is the space on the left half of the processing chamber 12. The reflux generation mechanism 15 is provided on each of the left and right sides to generate the reflux of gas in each of the right region AR and the left region AL. The recirculation of the gas generated by the recirculation generation mechanism 15 is a recirculation centered on a virtual line in the vertical direction. In FIG. 3, the state of the gas flow is indicated by a white arrow.

〔還流発生機構１５について〕
本実施形態では、図３に示すように、左領域ＡＬで発生するガスの還流と、右領域ＡＲで発生するガスの還流とが左右で対称となるように、構成を同じとする左右の還流発生機構１５，１５が左右で対称となって設けられている。第一の還流発生機構１５が、筐体１１の左側に設けられていて、第二の還流発生機構１５が、筐体１１の右側に設けられている。第一の還流発生機構１５と第二の還流発生機構１５とは、処理室１２の中心線Ｃを基準として左右対称の構成を備える。中心線Ｃは、処理室１２を左領域ＡＬと右領域ＡＲとに左右均等に二分割する線である。 [About the reflux generation mechanism 15]
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, left and right reflux having the same configuration so that the reflux of the gas generated in the left region AL and the reflux of the gas generated in the right region AR are symmetrical on the left and right. The generation mechanisms 15 and 15 are provided symmetrically on the left and right sides. The first reflux generation mechanism 15 is provided on the left side of the housing 11, and the second reflux generation mechanism 15 is provided on the right side of the housing 11. The first reflux generation mechanism 15 and the second reflux generation mechanism 15 have a symmetrical configuration with respect to the center line C of the processing chamber 12. The center line C is a line that evenly divides the processing chamber 12 into a left region AL and a right region AR.

左側の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｌと、ファン２２Ｌと、ヒータ２３Ｌと、フィルタ２４Ｌと、ノズル２５Ｌとを備える。 The reflux generation mechanism 15 on the left side includes a duct 21L, a fan 22L, a heater 23L, a filter 24L, and a nozzle 25L.

ダクト２１Ｌは、筐体１１の内壁面に沿って後側から前側にガスを誘導する。ダクト２１Ｌは、処理室１２の左側の後部に設けられていて左右方向に延びる左後ろ仕切壁３１Ｌと、この左後ろ仕切壁３１Ｌの左端から前に延びて設けられている左仕切壁３２Ｌとを有する。左後ろ仕切壁３１Ｌと筐体１１の後壁２８Ｂとの間に空間が設けられていて、左仕切壁３２Ｌと筐体１１の左壁２８Ｌとの間に空間が設けられていて、これら空間が、ガスの通る流路となる。左後ろ仕切壁３１Ｌの右端と後壁２８Ｂとの間に開口が設けられていて、この開口がガスの導入口３３Ｌとなる。左仕切壁３２Ｌの前側には開口が設けられていて、その開口をフィルタ２４Ｌが覆っている。この開口がガスの放出窓３４Ｌとなる。左後ろ仕切壁３１Ｌよりも前方側であって、左仕切壁３２Ｌよりも右側の領域が、基板Ｗが存在する領域となる。 The duct 21L guides gas from the rear side to the front side along the inner wall surface of the housing 11. The duct 21L comprises a left rear partition wall 31L provided at the rear left side of the processing chamber 12 and extending in the left-right direction, and a left partition wall 32L extending forward from the left end of the left rear partition wall 31L. Have. A space is provided between the left rear partition wall 31L and the rear wall 28B of the housing 11, and a space is provided between the left partition wall 32L and the left wall 28L of the housing 11, and these spaces are provided. , It becomes a flow path through which gas passes. An opening is provided between the right end of the left rear partition wall 31L and the rear wall 28B, and this opening serves as a gas introduction port 33L. An opening is provided on the front side of the left partition wall 32L, and the filter 24L covers the opening. This opening becomes the gas discharge window 34L. The area on the front side of the left rear partition wall 31L and on the right side of the left partition wall 32L is the area where the substrate W exists.

ファン２２Ｌは、例えばシロッコファンである。ファン２２Ｌは、ダクト２１Ｌのガスの流路において、導入口３３Ｌ側の途中に設けられている。ファン２２Ｌの作動により、基板Ｗが存在する領域のガスが導入口３３Ｌから吸い込まれる。ファン２２Ｌは、ダクト２１Ｌ内のガスを後側から前側に流す。そのガスは、放出窓３４Ｌからフィルタ２４Ｌを通じて、基板Ｗが存在する領域に放出される。これにより、左領域ＡＬにおいてガスの還流を発生させることができる。 The fan 22L is, for example, a sirocco fan. The fan 22L is provided in the middle of the gas flow path of the duct 21L on the introduction port 33L side. By the operation of the fan 22L, the gas in the region where the substrate W exists is sucked from the introduction port 33L. The fan 22L allows the gas in the duct 21L to flow from the rear side to the front side. The gas is discharged from the discharge window 34L through the filter 24L to the region where the substrate W exists. Thereby, the reflux of gas can be generated in the left region AL.

ヒータ２３Ｌは、ダクト２１Ｌの前記導入口３３Ｌから導入されたガスを加熱する。ヒータ２３Ｌは、ダクト２１Ｌ内に設置されていて、ダクト２１Ｌを通過するガスを加熱する。ヒータ２３Ｌは、ファン２２Ｌと導入口３３Ｌとの間に設けられている。 The heater 23L heats the gas introduced from the introduction port 33L of the duct 21L. The heater 23L is installed in the duct 21L and heats the gas passing through the duct 21L. The heater 23L is provided between the fan 22L and the introduction port 33L.

フィルタ２４Ｌは、例えばＨＥＰＡフィルタであり、耐熱性を有する。フィルタ２４Ｌは、ダクト２１Ｌの前寄りに設けられている。本実施形態では、ダクト２１Ｌの放出窓３４Ｌは、前後方向に並んで三つ設けられている。フィルタ２４Ｌは、放出窓３４Ｌそれぞれを覆うようにして設けられている。フィルタ２４Ｌは、ダクト２１Ｌを流れて放出窓３４Ｌから放出されるガスを通過させる。これにより、清浄化したガスが、フィルタ２４Ｌから基板Ｗが存在する領域に放出される。 The filter 24L is, for example, a HEPA filter and has heat resistance. The filter 24L is provided near the front of the duct 21L. In the present embodiment, three discharge windows 34L of the duct 21L are provided side by side in the front-rear direction. The filter 24L is provided so as to cover each of the emission windows 34L. The filter 24L passes through the duct 21L and the gas discharged from the discharge window 34L. As a result, the purified gas is discharged from the filter 24L to the region where the substrate W exists.

ノズル２５Ｌは、フィルタ２４Ｌを通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、誘導したガスの一部を後側に向かって放出する。ノズル２５Ｌの具体的な構成については、後に説明する。ノズル２５Ｌから放出されたガスは、処理室１２の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに向かう。 The nozzle 25L guides a part of the gas that has passed through the filter 24L to the center side in the left-right direction of the processing chamber 12, and discharges a part of the guided gas toward the rear side. The specific configuration of the nozzle 25L will be described later. The gas discharged from the nozzle 25L is on the front side of the processing chamber 12 and heads toward the central range Q in the left-right direction.

右側の還流発生機構１５について説明する。
右側の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｒと、ファン２２Ｒと、ヒータ２３Ｒと、フィルタ２４Ｒと、ノズル２５Ｒとを備える。 The reflux generation mechanism 15 on the right side will be described.
The reflux generation mechanism 15 on the right side includes a duct 21R, a fan 22R, a heater 23R, a filter 24R, and a nozzle 25R.

ダクト２１Ｒは、筐体１１の内壁面に沿って後側から前側にガスを誘導する。ダクト２１Ｒは、処理室１２の右側の後部に設けられていて左右方向に延びる右後ろ仕切壁３１Ｒと、この右後ろ仕切壁３１Ｒの右端から前に延びて設けられている右仕切壁３２Ｒとを有する。右後ろ仕切壁３１Ｒと筐体１１の後壁２８Ｂとの間に空間が設けられていて、右仕切壁３２Ｒと筐体１１の右壁２８Ｒとの間に空間が設けられていて、これら空間が、ガスの通る流路となる。右後ろ仕切壁３１Ｒの左端と後壁２８Ｂとの間に開口が設けられていて、この開口がガスの導入口３３Ｒとなる。右仕切壁３２Ｒの前側には開口が設けられていて、その開口をフィルタ２４Ｒが覆っている。この開口がガスの放出窓３４Ｒとなる。右後ろ仕切壁３１Ｒよりも前方側であって、右仕切壁３２Ｒよりも左側の領域が、基板Ｗが存在する領域となる。 The duct 21R guides gas from the rear side to the front side along the inner wall surface of the housing 11. The duct 21R has a right rear partition wall 31R provided at the rear right side of the processing chamber 12 and extending in the left-right direction, and a right partition wall 32R extending forward from the right end of the right rear partition wall 31R. Have. A space is provided between the right rear partition wall 31R and the rear wall 28B of the housing 11, and a space is provided between the right partition wall 32R and the right wall 28R of the housing 11, and these spaces are provided. , It becomes a flow path through which gas passes. An opening is provided between the left end of the right rear partition wall 31R and the rear wall 28B, and this opening serves as a gas introduction port 33R. An opening is provided on the front side of the right partition wall 32R, and the filter 24R covers the opening. This opening becomes the gas discharge window 34R. The region on the front side of the right rear partition wall 31R and on the left side of the right partition wall 32R is the region where the substrate W exists.

ファン２２Ｒは、例えばシロッコファンである。ファン２２Ｒは、ダクト２１Ｒのガスの流路において、導入口３３Ｒ側の途中に設けられている。ファン２２Ｒの作動により、基板Ｗが存在する領域のガスが導入口３３Ｒから吸い込まれる。ファン２２Ｒは、ダクト２１Ｒ内のガスを後側から前側に流す。そのガスは、放出窓３４Ｒからフィルタ２４Ｒを通じて、基板Ｗが存在する領域に放出される。これにより、右領域ＡＲにおいてガスの還流を発生させることができる。 The fan 22R is, for example, a sirocco fan. The fan 22R is provided in the middle of the gas flow path of the duct 21R on the introduction port 33R side. By the operation of the fan 22R, the gas in the region where the substrate W exists is sucked from the introduction port 33R. The fan 22R allows the gas in the duct 21R to flow from the rear side to the front side. The gas is discharged from the discharge window 34R through the filter 24R to the region where the substrate W exists. Thereby, the reflux of gas can be generated in the right region AR.

ヒータ２３Ｒは、ダクト２１Ｒの前記導入口３３Ｒから導入されたガスを加熱する。ヒータ２３Ｒは、ダクト２１Ｒ内に設置されていて、ダクト２１Ｒを通過するガスを加熱する。ヒータ２３Ｒは、ファン２２Ｒと導入口３３Ｒとの間に設けられている。 The heater 23R heats the gas introduced from the introduction port 33R of the duct 21R. The heater 23R is installed in the duct 21R and heats the gas passing through the duct 21R. The heater 23R is provided between the fan 22R and the introduction port 33R.

フィルタ２４Ｒは、例えばＨＥＰＡフィルタであり、耐熱性を有する。フィルタ２４Ｒは、ダクト２１Ｒの前寄りに設けられている。本実施形態では、ダクト２１Ｒの放出窓３４Ｒは、前後方向に並んで三つ設けられている。フィルタ２４Ｒは、放出窓３４Ｒそれぞれを覆うようにして設けられている。フィルタ２４Ｒは、ダクト２１Ｒを流れて放出窓３４Ｒから放出されるガスを通過させる。これにより、清浄化したガスが、フィルタ２４Ｒから基板Ｗが存在する領域に放出される。 The filter 24R is, for example, a HEPA filter and has heat resistance. The filter 24R is provided near the front of the duct 21R. In the present embodiment, three discharge windows 34R of the duct 21R are provided side by side in the front-rear direction. The filter 24R is provided so as to cover each of the emission windows 34R. The filter 24R passes through the duct 21R and the gas discharged from the discharge window 34R. As a result, the purified gas is discharged from the filter 24R to the region where the substrate W exists.

ノズル２５Ｒは、フィルタ２４Ｒを通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、誘導したガスの一部を後側に向かって放出する。ノズル２５Ｒから放出されたガスは、処理室１２の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに向かう。右側のノズル２５Ｒは、左側のノズル２５Ｌと左右対称であるが同じ構成を有する。このため、左側のノズル２５Ｌを例としてノズルの具体的構成を後に説明する。 The nozzle 25R guides a part of the gas that has passed through the filter 24R to the center side in the left-right direction of the processing chamber 12, and discharges a part of the guided gas toward the rear side. The gas discharged from the nozzle 25R is on the front side of the processing chamber 12 and heads toward the central range Q in the left-right direction. The nozzle 25R on the right side is symmetrical with the nozzle 25L on the left side, but has the same configuration. Therefore, a specific configuration of the nozzle will be described later by taking the nozzle 25L on the left side as an example.

〔本実施形態の熱処理炉１０について〕
以上より、本実施形態の熱処理炉１０は、前後及び左右に広がる処理室１２を内部に有する筐体１１と、左右の還流発生機構１５とを備える。筐体１１は、扉１４を有していて、その扉１４は、処理室１２に対する基板Ｗの出し入れのために前側に設けられている開口１３を閉塞及び開放する。還流発生機構１５は、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれにおいてガスの還流を発生させるために、左右それぞれに設けられている。左（右）の還流発生機構１５は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）、ファン２２Ｌ（２２Ｒ）、ヒータ２３Ｌ（２３Ｒ）、フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）、及び、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）を備える。 [About the heat treatment furnace 10 of this embodiment]
From the above, the heat treatment furnace 10 of the present embodiment includes a housing 11 having a processing chamber 12 that expands back and forth and left and right inside, and a reflux generation mechanism 15 on the left and right. The housing 11 has a door 14, which closes and opens an opening 13 provided on the front side for the substrate W to be taken in and out of the processing chamber 12. The reflux generation mechanism 15 is provided on each of the left and right sides in order to generate the reflux of gas in each of the right region AR and the left region AL of the treatment chamber 12. The left (right) reflux generation mechanism 15 includes a duct 21L (21R), a fan 22L (22R), a heater 23L (23R), a filter 24L (24R), and a nozzle 25L (25R).

ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）は、筐体１１の内壁に沿って後側から前側にガスを誘導する。ファン２２Ｌ（２２Ｒ）は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）内のガスを後側から前側に流すことでガスの還流を発生させる。図３において、左右のガスの還流が白抜きの矢印で示されている。ヒータ２３Ｌ（２３Ｒ）は、筐体１１内でガスを加熱する。フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）は、ダクト２１Ｌ（２１Ｒ）の前寄りに設けられていて、ガスを通過させて清浄化したガスを放出する。ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）は、フィルタ２４Ｌ（２４Ｒ）を通過したガスの一部を処理室１２の左右方向の中央側に誘導すると共に、そのガスの一部を後側に向かって放出する。 The duct 21L (21R) guides gas from the rear side to the front side along the inner wall of the housing 11. The fan 22L (22R) causes the gas in the duct 21L (21R) to flow from the rear side to the front side to generate reflux of the gas. In FIG. 3, the reflux of the left and right gases is indicated by white arrows. The heater 23L (23R) heats the gas in the housing 11. The filter 24L (24R) is provided near the front of the duct 21L (21R), and allows the gas to pass through to release the purified gas. The nozzle 25L (25R) guides a part of the gas that has passed through the filter 24L (24R) to the center side in the left-right direction of the processing chamber 12, and discharges a part of the gas toward the rear side.

この熱処理炉１０によれば（図３参照）、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれで、ヒータ２３Ｌにより加熱されたガスの還流が生じることから、比較的大きな基板Ｗであっても、前記ガスによって、全体として熱処理することが可能となる。 According to this heat treatment furnace 10 (see FIG. 3), the gas heated by the heater 23L is refluxed in each of the right region AR and the left region AL of the processing chamber 12, so that even a relatively large substrate W can be used. , The gas makes it possible to heat-treat as a whole.

ここで、処理室１２の右領域ＡＲ及び左領域ＡＬそれぞれで還流が生じると、処理室１２の前側であって左右方向の中央（範囲Ｑ）で温度（雰囲気温度）が上昇し難いことがある。これは、左のフィルタ２４Ｌの前寄りの一部から流れるガスと、右のフィルタ２４Ｒの前寄りの一部から流れるガスとが衝突して、範囲Ｑではガスの流れが悪くなるためである。本実施形態では、特に左領域ＡＬで発生するガスの還流と、右領域ＡＲで発生するガスの還流とが、左右で対称となる。このため、前記範囲Ｑでは、ガスの流れが悪くなる。 Here, if reflux occurs in each of the right region AR and the left region AL of the processing chamber 12, it may be difficult for the temperature (atmospheric temperature) to rise in the center (range Q) in the left-right direction on the front side of the processing chamber 12. .. This is because the gas flowing from a part of the front side of the filter 24L on the left collides with the gas flowing from a part of the front side of the filter 24R on the right side, and the gas flow becomes poor in the range Q. In the present embodiment, the recirculation of the gas generated in the left region AL and the recirculation of the gas generated in the right region AR are symmetrical on the left and right. Therefore, in the range Q, the gas flow becomes poor.

更に、処理室１２の前側が開口しているため、扉１４が開かれると、処理室１２の前側で温度（雰囲気温度）が低下し易い。このため、前記範囲Ｑに位置する基板Ｗの一部は、他部と比較して低温となる可能性がある。
しかし、本実施形態の熱処理炉１０によれば、前記範囲Ｑに対して、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）からガスを放出することが可能となり、その範囲Ｑの温度（雰囲気温度）を高めることが可能となる。このため、大きな基板Ｗであっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。 Further, since the front side of the processing chamber 12 is open, when the door 14 is opened, the temperature (atmospheric temperature) tends to decrease on the front side of the processing chamber 12. Therefore, a part of the substrate W located in the range Q may have a lower temperature than the other part.
However, according to the heat treatment furnace 10 of the present embodiment, it is possible to discharge gas from the nozzle 25L (25R) with respect to the range Q, and it is possible to raise the temperature (atmospheric temperature) in the range Q. Become. Therefore, even if the substrate W is large, the heat treatment can be uniformly performed as a whole.

また、基板Ｗの熱処理によって昇華物が発生しても、ノズル２５Ｌ（２５Ｒ）から放出されるガスによって、その昇華物が筐体１１内の後側へ送られる。このため、昇華物が筐体１１の外部に流出するのを抑えることが可能となる。
更に、本実施形態の熱処理炉１０では、処理室１２が筐体１１の外部（外気）よりも負圧となるように、処理室１２の圧力が調整されている。このため、開口１３の扉１４が開状態となっても、昇華物が、筐体１１内から筐体１１外へ流出するのを抑えることが可能となる。 Further, even if a sublimated product is generated by the heat treatment of the substrate W, the sublimated product is sent to the rear side in the housing 11 by the gas released from the nozzle 25L (25R). Therefore, it is possible to prevent the sublimated material from flowing out to the outside of the housing 11.
Further, in the heat treatment furnace 10 of the present embodiment, the pressure of the processing chamber 12 is adjusted so that the processing chamber 12 has a negative pressure than the outside (outside air) of the housing 11. Therefore, even if the door 14 of the opening 13 is opened, it is possible to prevent the sublimated material from flowing out from the inside of the housing 11 to the outside of the housing 11.

〔ノズル２５Ｌ，２５Ｒについて〕
ノズルの構成について更に説明する。
左側のノズル２５Ｌと右側のノズル２５Ｌとは、中心線Ｃを基準として左右対称に配置されているが、構成は同じである。そこで、その構成を左側のノズル２５Ｌについて説明する。 [About nozzles 25L and 25R]
The configuration of the nozzle will be further described.
The nozzle 25L on the left side and the nozzle 25L on the right side are arranged symmetrically with respect to the center line C, but have the same configuration. Therefore, the configuration will be described with respect to the nozzle 25L on the left side.

図５は、ノズル２５Ｌを処理室１２側から見た場合の斜視図である。ノズル２５Ｌは、処理室１２の左端側に位置するフィルタ２４Ｌの一部から左右方向の中央に向かって延びる形状を有する。ノズル２５Ｌの端部は、フィルタ２４Ｌの一部に取り付けられている。フィルタ２４Ｌに対するノズル２５Ｌの取付部４５は、フィルタ２４Ｌ側に向かって拡大する形状を有する。取付部４５の一部がフィルタ２４Ｌに固定されている。フィルタ２４Ｌを通過したガスが、取付部４５を通じて、ノズル２５Ｌの左右方向の中央側へ導入される。取付部４５は、フィルタ２４Ｌの一部のみを覆っていて、フィルタ２４Ｌの他部は、基板Ｗが存在する領域に露出する。つまり、フィルタ２４Ｌを通過した一部のガスがノズル２５Ｌに導入され、残りは基板Ｗが存在する領域に放出される。 FIG. 5 is a perspective view of the nozzle 25L as viewed from the processing chamber 12 side. The nozzle 25L has a shape extending from a part of the filter 24L located on the left end side of the processing chamber 12 toward the center in the left-right direction. The end of the nozzle 25L is attached to a part of the filter 24L. The mounting portion 45 of the nozzle 25L with respect to the filter 24L has a shape that expands toward the filter 24L side. A part of the mounting portion 45 is fixed to the filter 24L. The gas that has passed through the filter 24L is introduced to the center side of the nozzle 25L in the left-right direction through the mounting portion 45. The mounting portion 45 covers only a part of the filter 24L, and the other portion of the filter 24L is exposed in the region where the substrate W exists. That is, a part of the gas that has passed through the filter 24L is introduced into the nozzle 25L, and the rest is discharged to the region where the substrate W exists.

ノズル２５Ｌに、ガスを放出する放出口４０が複数設けられている。フィルタ２４Ｌを通過してノズル２５Ｌに導入されたガスが、放出口４０から、基板Ｗが存在する領域に放出される。放出口４０は、後ろ向きに向かって開口する孔により構成されている。複数の放出口４０は、左右方向の中央側に片寄って配置されている。本実施形態では、放出口４０は、ノズル２５Ｌの後面において、左右方向の中央側に複数設けられていて、左右方向の端側には設けられていない。このように、放出口４０が左右方向の中央側に片寄って設けられていることで、処理室１２（図３参照）の前側であって左右方向の中央の範囲Ｑに対して、効率よく、ノズル２５Ｌからガスが放出される。 The nozzle 25L is provided with a plurality of discharge ports 40 for discharging gas. The gas that has passed through the filter 24L and is introduced into the nozzle 25L is discharged from the discharge port 40 to the region where the substrate W exists. The discharge port 40 is composed of a hole that opens toward the rear. The plurality of discharge ports 40 are arranged on the central side in the left-right direction. In the present embodiment, a plurality of discharge ports 40 are provided on the rear surface of the nozzle 25L on the center side in the left-right direction, and are not provided on the end side in the left-right direction. In this way, since the discharge port 40 is provided offset to the center side in the left-right direction, it is efficient with respect to the central range Q in the left-right direction on the front side of the processing chamber 12 (see FIG. 3). Gas is discharged from the nozzle 25L.

ノズル２５Ｌは、梁状の部材である仕切り部２６に取り付けられている。前記のとおり（図２参照）、筐体１１は、複数の仕切り部２６を有する。ノズル２５Ｌは、全ての仕切り部２６に取り付けられていてもよいが、一部の仕切り部２６に取り付けられていなくてもよい。つまり、一部又は全部の仕切り部２６に、ノズル２５Ｌは取り付けられている。仕切り部２６にノズル２５Ｌが取り付けられていることで、開口１３を構成するための仕切り部２６が、ノズル２５Ｌを設置するための部材としても活用される。 The nozzle 25L is attached to a partition portion 26 which is a beam-shaped member. As described above (see FIG. 2), the housing 11 has a plurality of partition portions 26. The nozzle 25L may be attached to all the partition portions 26, but may not be attached to some of the partition portions 26. That is, the nozzle 25L is attached to a part or all of the partition portions 26. Since the nozzle 25L is attached to the partition portion 26, the partition portion 26 for forming the opening 13 is also utilized as a member for installing the nozzle 25L.

本実施形態の熱処理炉１０では、筐体１１に複数の開口１３が設けられている。これら開口１３のうちのほとんどに関して、その開口１３を挟む上下の仕切り部２６，２６それぞれに、ノズル２５Ｌが設けられている。一つの開口１３を通じて二枚の基板Ｗが処理室１２に投入され（図４参照）、これら基板Ｗが熱処理される。一つの開口１３を挟む上下の仕切り部２６，２６それぞれに、ノズル２５Ｌが設けられていることで、これら二枚の基板Ｗの上側及び下側それぞれに対して、ノズル２５Ｌからガスが放出される。 In the heat treatment furnace 10 of the present embodiment, the housing 11 is provided with a plurality of openings 13. For most of these openings 13, nozzles 25L are provided in each of the upper and lower partition portions 26, 26 that sandwich the opening 13. Two substrates W are put into the processing chamber 12 through one opening 13 (see FIG. 4), and these substrates W are heat-treated. By providing nozzles 25L in each of the upper and lower partition portions 26, 26 sandwiching one opening 13, gas is discharged from the nozzles 25L to the upper side and the lower side of each of these two substrates W. ..

図４及び図５に示すように、ノズル２５Ｌは、横断面が矩形となるパイプにより構成される。ノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１は、仕切り部２６の上下方向の寸法Ｈ２以下である（Ｈ１≦Ｈ２）。本実施形態では、ノズル２５Ｌの前記寸法Ｈ１と、仕切り部２６の前記寸法Ｈ２とは同じである。この構成により、ノズル２５Ｌによって開口１３が狭くならない。 As shown in FIGS. 4 and 5, the nozzle 25L is composed of a pipe having a rectangular cross section. The vertical dimension H1 of the nozzle 25L is equal to or less than the vertical dimension H2 of the partition portion 26 (H1 ≦ H2). In the present embodiment, the dimension H1 of the nozzle 25L and the dimension H2 of the partition portion 26 are the same. With this configuration, the nozzle 25L does not narrow the opening 13.

ノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１が、仕切り部２６の上下方向の寸法Ｈ２以下であることから、そのノズル２５Ｌの前記寸法Ｈ１に制限があって小さくなる。そこで、ノズル２５Ｌの前後方向の寸法Ｗ１は、そのノズル２５Ｌの上下方向の寸法Ｈ１よりも大きく設定されている（Ｗ１＞Ｈ１）。このように設定されることで、ノズル２５Ｌの前後方向の寸法Ｗ１が大きく、ノズル２５Ｌのガス通過断面積をある程度大きく確保することが可能となる。このため、ノズル２５Ｌにおいて十分な量のガスを通過させ、前記中央の範囲Ｑに放出することができる。 Since the vertical dimension H1 of the nozzle 25L is equal to or smaller than the vertical dimension H2 of the partition portion 26, the dimension H1 of the nozzle 25L is limited and becomes smaller. Therefore, the dimension W1 in the front-rear direction of the nozzle 25L is set to be larger than the dimension H1 in the vertical direction of the nozzle 25L (W1> H1). By setting in this way, the dimension W1 in the front-rear direction of the nozzle 25L is large, and it is possible to secure a certain large gas passage cross-sectional area of the nozzle 25L. Therefore, a sufficient amount of gas can be passed through the nozzle 25L and discharged into the central range Q.

以上より、本実施形態の熱処理炉１０によれば、処理室１２において、前記中央の範囲Ｑの温度を、他の範囲と同等に、高めることが可能となる。このため、比較的大きな基板Ｗであっても、全体として均等に熱処理することが可能となる。 From the above, according to the heat treatment furnace 10 of the present embodiment, it is possible to raise the temperature of the central range Q in the processing chamber 12 to the same level as the other ranges. Therefore, even if the substrate W is relatively large, the heat treatment can be uniformly performed as a whole.

〔その他〕
今回開示した実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の権利範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲に記載された構成と均等の範囲内でのすべての変更が含まれる。〔others〕
The embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and are not restrictive. The scope of rights of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes all modifications within the scope equivalent to the configurations described in the scope of claims.

１０：熱処理炉１１：筐体１２：処理室
１３：開口１４：扉１５：還流発生機構
２１Ｌ，２１Ｒ：ダクト２２Ｌ，２２Ｒ：ファン
２３Ｌ，２３Ｒ：ヒータ２４Ｌ，２４Ｒ：フィルタ
２５Ｌ，２５Ｒ：ノズル２６Ｌ，２６Ｒ：仕切り部
ＡＲ：右領域ＡＬ：左領域Ｗ：基板 10: Heat treatment furnace 11: Housing 12: Processing room 13: Opening 14: Door 15: Reflux generation mechanism 21L, 21R: Duct 22L, 22R: Fan 23L, 23R: Heater 24L, 24R: Filter 25L, 25R: Nozzle 26L, 26R: Partition AR: Right area AL: Left area W: Substrate

Claims

A housing having a processing chamber that extends back and forth and left and right inside, and a door that closes and opens an opening provided on the front side for loading and unloading a substrate to and from the processing chamber.
A reflux generation mechanism provided on each of the left and right sides for generating reflux of gas in each of the right region and the left region of the treatment chamber,
Equipped with
Each of the left and right reflux generation mechanisms
A duct for guiding gas from the rear side to the front side along the housing,
A fan for generating the reflux by flowing the gas in the duct from the rear side to the front side, and
A heater that heats the gas and
A filter provided near the front of the duct to allow gas to pass through and release the purified gas,
A nozzle that guides a part of the gas that has passed through the filter to the center side in the left-right direction of the processing chamber and discharges a part of the gas toward the rear side.
Equipped with a heat treatment furnace.

The nozzle has a shape extending toward the center in the left-right direction from the filter located on the end side in the left-right direction of the processing chamber.
The nozzle has a plurality of outlets for discharging gas, which are offset to the center side in the left-right direction.
The heat treatment furnace according to claim 1.

The left and right recirculation generation mechanisms are provided symmetrically so that the recirculation of the gas generated in the left region and the recirculation of the gas generated in the right region are symmetrical on the left and right. Item 2. The heat treatment furnace according to Item 1 or 2.

The housing has a plurality of beam-shaped partition portions long in the left-right direction at intervals in the vertical direction in the front portion, and the opening is between the partition portions adjacent to each other in the vertical direction.
The heat treatment furnace according to any one of claims 1 to 3, wherein the nozzle is attached to the partition portion.

The heat treatment furnace according to claim 4, wherein the nozzle is provided in each of the upper and lower partition portions sandwiching the opening.

The heat treatment furnace according to claim 4 or 5, wherein the vertical dimension of the nozzle is equal to or less than the vertical dimension of the partition portion.

The heat treatment furnace according to claim 6, wherein the dimension in the front-rear direction of the nozzle is larger than the dimension in the vertical direction of the nozzle.