JP2021169471A - 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】式（ａａ２）で表されるアニオンを有する塩［式（ａａ２）中、Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。環Ｗは、式（Ｗ−１）で表される複素環等を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよい。環Ｗ１は、式（ｗ１−１）で表される環等を表す。Ｌb1は、式（ｂ１−１）で表される基等を表す。Ｑ1及びＱ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］【選択図】なし

Description

本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

特許文献１には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

特開２０１１−３７８３７号公報

上記の塩を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む
［１］式（ａａ）で表される基を有する塩。

［式（ａａ）中、
Ｘ^a及びＸ^bは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
環Ｗは、エステル結合又はチオエステル結合を環の構成原子として有する炭素数３〜３６の複素環を表し、該複素環に含まれる−ＣＨ_２−基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよく、該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。
＊は、結合手を表す。］
［２］式（ａａ）で表される基を有する塩が、式（ａａ）で表される基を有するアニオンとカチオンとからなる［１］に記載の塩。
［３］式（ａａ）で表される基を有するアニオンが、式（ａａ）で表される基とスルホナートとを有するアニオンである［２］に記載の塩。
［４］式（ａａ）で表される基が、式（ａａ１）で表される基である［１］〜［３］に記載の塩。

［式（ａａ１）中、
Ｘ^a、Ｘ^b、Ｗ及び＊は、上記と同じ意味を表す。
環Ｗ１は、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。］
［５］式（ａａ）で表される基を有する塩が、式（ａａ２）で表されるアニオンを有する塩である［４］に記載の塩。

［式（ａａ２）中、
Ｘ^a、Ｘ^b、環Ｗ及び環Ｗ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｑ¹及びＱ²は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
［６］環Ｗ１が、式（ｗ１−１）で表される環、式（ｗ１−２）で表される環又は式（ｗ１−３）で表される環である［４］又は［５］に記載の塩。

［式（ｗ１−１）、式（ｗ１−２）及び式（ｗ１−３）中、
環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］
［７］Ｌ^b1が、＊１−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_t−（ｔは０〜６のいずれかの整数を表す。＊１は、−Ｃ（Ｑ¹）（Ｑ²）−との結合手を表す。）であ［５］又は［６］に記載の塩。
［８］環Ｗが、式（Ｗ−１）で表される複素環又は式（Ｗ−２）で表される複素環（該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。）である［１］〜［７］のいずれかに記載の塩。

［式中、＊１はＸ^ａとの結合手を表し、＊２はＸ^ｂとの結合手を表す。］
［９］［１］〜［８］のいずれかに記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。
［１０］［９］に記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。
［１１］さらに、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する［１０］に記載のレジスト組成物。
［１２］（１）［１０］又は［１１］に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造することができる塩を提供する。

本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。また、本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

＜塩（ａａ）＞
本発明の塩は、式（ａａ）で表される基を有する塩である（以下「塩（ａａ）」という場合がある）。塩（ａａ）は、光により酸を発生する塩である。

［式（ａａ）中、
Ｘ^a及びＸ^bは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
環Ｗは、エステル結合又はチオエステル結合を環の構成原子として有する炭素数３〜３６の複素環を表し、該複素環に含まれる−ＣＨ_２−基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよく、該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。
＊は、結合手を表す。］

Ｘ^a及びＸ^bは、同じ原子であることが好ましく、ともに酸素原子であることがより好ましい。
Ｘ^ａ及び環Ｗが結合する炭素原子と、Ｘ^ｂ及び環Ｗが結合する炭素原子とは異なることが好ましい。

環Ｗは、エステル結合又はチオエステル結合を環の構成原子として含む炭素数３〜３６の複素環を表す。環Ｗにおける複素環は、単環であってもよいし、多環であってもよい。
環Ｗは、例えば、ラクトン環、チオラクトン環、ラクトン環とその他の環との縮合環及びチオラクトン環とその他の環との縮合環等が挙げられ、具体的には、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−１２３）で表される複素環が挙げられる。但し、環Ｗ（例えば、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−２３）で表される複素環等）に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。

環Ｗの置換基である炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、ウンデシルオキシカルボニル基及びドデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基等が挙げられる。

環Ｗの置換基を組み合わせた基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基、ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数１〜１２のアルコキシ基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数２〜１３のアシル基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数２〜１３のアシルオキシ基とを組み合わせた基、炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基とを組み合わせた基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシメチル基等の炭素数２〜２４のアルコキシアルキル基等が挙げられる。
ヒドロキシ基と炭素数１〜１２のアルキル基とを組み合わせた基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数１〜１２のアルコキシ基とを組み合わせた基としては、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基等の炭素数２〜２４のアルコキシアルコキシ基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数２〜１３のアシル基とを組み合わせた基とを組み合わせた基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチル基、メトキシプロピオニル基、エトキシアセチル基、エトキシプロピオニル基等の炭素数３〜２５のアルコキシアシル基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルコキシ基と炭素数２〜１３のアシルオキシ基とを組み合わせた基とを組み合わせた基とを組み合わせた基としては、メトキシアセチルオキシ基、メトキシプロピオニルオキシ基、エトキシアセチルオキシ基、エトキシプロピオニルオキシ基等の炭素数２〜２４のアルコキシアシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキル基と炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、ベンジル基等の炭素数７〜２２のアラルキル基等が挙げられる。
環Ｗの置換基は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２アルコキシ基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数２〜２４のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２４のアルコキシアルコキシ基又はシアノ基であることが好ましい。

環Ｗは、炭素数３〜１８の複素環であることが好ましく、炭素数４若しくは５のラクトン環又は炭素数４若しくは５のラクトン環とその他の環との縮合環であることがより好ましく、式（Ｗ−１）で表される複素環、式（Ｗ−２）で表される複素環、式（Ｗ−１６）で表される複素環又は式（Ｗ−１７）で表される複素環であることがさらに好ましい。（但し、該複素環及び該ラクトン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。）

式（ａａ）で表される基は、式（ａａ１）で表される基であることが好ましい。

［式（ａａ１）中、
Ｘ^a、Ｘ^b、Ｗ及び＊は、上記と同じ意味を表す。
環Ｗ１は、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。］

環Ｗ１における脂環式炭化水素基としては、単環であってもよいし、多環であってもよい。具体的には、式（ｗ１−１）〜式（ｗ１−１１）で表される環に由来する基が挙げられ、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましく、なかでも、式（ｗ１−１）で表される環、式（ｗ１−２）で表される環又は式（ｗ１−３）で表される環が好ましく、式（ｗ１−１）で表される環、又は式（ｗ１−２）で表される環がより好ましい。

［式（ｗ１−１）〜式（ｗ１−１１）中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１３のアシル基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

環Ｗ１の置換基である炭素数１〜１２のアルキル基としては、環Ｗの置換基である炭素数１〜１２のアルキル基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基である炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、環Ｗの置換基である炭素数１〜１２のアルコキシ基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基である炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。＊は環との結合手である。

環Ｗ１の置換基である炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、Ｗの置換基である炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基である炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基としては、環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアルコキシカルボニル基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基である炭素数２〜１３のアシル基としては、環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアシル基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基である炭素数２〜１３のアシルオキシ基としては、環Ｗの置換基である炭素数２〜１３のアシルオキシ基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基を組み合わせた基としては、環Ｗの置換基を組み合わせた基と同じものが挙げられる。
環Ｗ１の置換基は、ヒドロキシ基、シアノ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又はシアノ基であることがより好ましく、ヒドロキシ基であることがさらに好ましい。

塩（ａａ）におけるカチオンが式（ａａ）で表される基を有していてもよいし、アニオンが式（ａａ）で表される基を有していてもよい。塩（ａａ）は、式（ａａ）で表される基を有するアニオンとカチオンとからなる塩であることが好ましく、式（ａａ）で表される基を有するアニオンと有機カチオンとからなる塩であることがより好ましい。

式（ａａ）で表される基を有するアニオンは、式（ａａ）で表される基とスルホナートとを有するアニオンであることが好ましく、式（ａａ１）で表される基とスルホナートとを有するアニオンであることがより好ましい。
式（ａａ）で表される基を有するアニオンは、式（ａａ２）で表されるアニオンであることがさらに好ましい。

［式（ａａ２）中、Ｘ^a、Ｘ^b、環Ｗ及び環Ｗ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｑ¹及びＱ²は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］

Ｑ¹及びＱ²で表されるペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましく、Ｑ¹及びＱ²はともにフッ素原子がより好ましい。

Ｌ^b1で表される２価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^b1で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）及び下記の具体例において、＊は環Ｗ１との結合手を表す。

式（ｂ１−１）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b2とＬ^b3との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−２）中、
Ｌ^b4は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b4とＬ^b5との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−３）中、
Ｌ^b6は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b6とＬ^b7との炭素数合計は、２３以下であり、式（ｂ１−３）には−Ｌ^b6Ｏ−ＣＯ−で表される構造を有する基を含まない。

なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）においては、飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^b1の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｌ^b2は、好ましくは単結合である。
Ｌ^b3は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b4は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
中でも、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基が好ましい。

式（ｂ１−１）としては、式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−８）でそれぞれ表される基が挙げられる。

式（ｂ１−４）中、
Ｌ^b8は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌ^b9は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b10は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b9及びＬ^b10の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b11は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b12は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b11及びＬ^b12の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌ^b13は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b14は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b15は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b13、Ｌ^b14及びＬ^b15の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌ^b16は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b17は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b18は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b16、Ｌ^b17及びＬ^b18の合計炭素数は１９以下である。

Ｌ^b8は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b9は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b10は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b11は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b12は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b13は、好ましくは、炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b14は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b15は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b16は、好ましくは、炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b17は、好ましくは、炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b18は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは、単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。

式（ｂ１−３）としては、式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）でそれぞれ表される基が挙げられる（＊は環Ｗ１との結合手を表す）。

式（ｂ１−９）中、
Ｌ^b19は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b20は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b19及びＬ^b20の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌ^b21は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b22は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b23は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b21、Ｌ^b22及びＬ^b23の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌ^b24は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b25は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b26は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b24、Ｌ^b25及びＬ^b26の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）において、２価の飽和炭化水素基には直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基、及びれらの基のうち２種以上を組み合わせたものが挙げられる。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^ｂ１で挙げた基と同様の基が挙げられる。
２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、アシルオキシ基、アルキルカルボニル基、及び水素原子がヒドロキシ基で置き換わった基が挙げられる。

なお、式（ｂ１−１０）及び式（ｂ１−１１）においては、飽和炭化水素基に含まれる水素原子がアシルオキシ基に置換されている場合、アシルオキシ基の炭素数、エステル結合中のＣＯ及びＯの数をも含めて、該飽和炭化水素基の炭素数とする。

アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
置換基を有するアシルオキシ基としては、オキソアダマンチルカルボニルオキシ基、ヒドロキシアダマンチルカルボニルオキシ基、オキソシクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヒドロキシシクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

Ｌ^b1としては、式（ｂ１−４）で表される基であることが好ましく、＊１−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_t−（ｔは０〜６のいずれかの整数を表す。＊１は、−Ｃ（Ｑ¹）（Ｑ²）−との結合手を表す。）であることがより好ましく、ｔが０、１又は２であることがさらに好ましく、０又は１であることが最も好ましい。

塩（ａａ）を構成するアニオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

塩（ａａ）におけるカチオンは、有機カチオンであることが好ましい。有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
中でも、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオン（以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２−１）」等という場合がある。）が好ましい。

［式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^ｂ４〜Ｒ^ｂ６は、互いに独立に、炭素数１〜３０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の１価の芳香族炭化水素基を表し、該１価の脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該１価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該１価の芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とは、それらが結合する硫黄原子とともに環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ７及びＲ^ｂ８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ７は同一であっても異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ８は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^ｂ９及びＲ^ｂ１０は、互いに独立に、炭素数１〜３６の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の１価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とは、それらが結合する硫黄原子とともに環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１１は、水素原子、炭素数１〜３６の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の１価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ１２は、炭素数１〜１２の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の１価の芳香族炭化水素基を表し、該１価の脂肪族炭化水素に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該１価の芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とは、一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含む環を形成していてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１３〜Ｒ^ｂ１８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^ｂ３１は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、互いに独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０〜４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は、０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１３は同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１４は同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１５は同一であっても異なってもよく、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１６は同一であっても異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１７は同一であっても異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１８は同一であっても異なってもよい。］

１価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１２の１価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
１価の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の１価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の１価の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

中でも、Ｒ^ｂ９〜Ｒ^ｂ１２の１価の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１８であり、より好ましくは４〜１２である。

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が１価の脂肪族炭化水素基で置換された１価の脂環式炭化水素基においては、１価の脂環式炭化水素基と１価の脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。

１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等のアリール基が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基に、１価の脂肪族炭化水素基又は１価の脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１８の１価の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された１価の芳香族炭化水素基としては、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された１価の脂肪族炭化水素基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とがそれらが結合している硫黄原子とともに形成してもよい環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環としては、炭素数３〜１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１８の環が挙げられる。また、硫黄原子を含む環としては、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環が挙げられ、具体的には下記の環が挙げられる。

Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とがそれらが結合している硫黄原子とともに形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環としては、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環が挙げられ、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環としては、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環が挙げられ、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中で、好ましくはカチオン（ｂ２−１）が挙げられる。好ましくはカチオン（ｂ２−１）において、１又は３つのフェニル基を有するカチオンである。カチオン（ｂ２−１）において、１つのフェニル基を有する場合には、さらにチオラン−１−イウム環又は１，４−オキサチアン−４−イウム環を有するのが好ましい。

カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−４）としては、以下のカチオンが挙げられる。

塩（ａａ）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せであることが好ましい。これらのアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができる。塩（ａａ）の具体例を表１〜表１４に示す。

表１〜表１４において、例えば塩（Ｉ−１）は以下に示す塩である。

なかでも、塩（ａａ）は、塩（Ｉ−１）、塩（Ｉ−２）、塩（Ｉ−３）、塩（Ｉ−４）、塩（Ｉ−５）、塩（Ｉ−２１）、塩（Ｉ−２２）、塩（Ｉ−２３）、塩（Ｉ−２４）、塩（Ｉ−２５）、塩（Ｉ−４１）、塩（Ｉ−４２）、塩（Ｉ−４３）、塩（Ｉ−４４）、塩（Ｉ−４５）、塩（Ｉ−６１）、塩（Ｉ−６２）、塩（Ｉ−６３）、塩（Ｉ−６４）、塩（Ｉ−６５）、塩（Ｉ−８１）、塩（Ｉ−８２）、塩（Ｉ−８３）、塩（Ｉ−８４）、塩（Ｉ−８５）、塩（Ｉ−１０１）、塩（Ｉ−１０２）、塩（Ｉ−１０３）、塩（Ｉ−１０４）、塩（Ｉ−１０５）、塩（Ｉ−１２１）、塩（Ｉ−１２２）、塩（Ｉ−１２３）、塩（Ｉ−１２４）、塩（Ｉ−１２５）、塩（Ｉ−１４１）、塩（Ｉ−１４３）、塩（Ｉ−１４５）、塩（Ｉ−１４７）、塩（Ｉ−１４９）、塩（Ｉ−１５１）、塩（Ｉ−１５３）、塩（Ｉ−１５５）、塩（Ｉ−１５７）、塩（Ｉ−１５９）、塩（Ｉ−１６１）、塩（Ｉ−１６３）、塩（Ｉ−１６５）、塩（Ｉ−１６７）、塩（Ｉ−１６９）、塩（Ｉ−１７１）、塩（Ｉ−１７３）、塩（Ｉ−１７５）、塩（Ｉ−１７７）、塩（Ｉ−１７９）、塩（Ｉ−１８１）、塩（Ｉ−１８３）、塩（Ｉ−１８５）、塩（Ｉ−１８７）、塩（Ｉ−１８９）、塩（Ｉ−１９１）、塩（Ｉ−１９３）、塩（Ｉ−１９５）、塩（Ｉ−１９７）、塩（Ｉ−１９９）、塩（Ｉ−２０１）、塩（Ｉ−２０３）、塩（Ｉ−２０５）、塩（Ｉ−２０５）、塩（Ｉ−２０９）、塩（Ｉ−２２１）、塩（Ｉ−２２３）、塩（Ｉ−２２５）、塩（Ｉ−２２７）、塩（Ｉ−２２９）、塩（Ｉ−２３１）、塩（Ｉ−２３３）、塩（Ｉ−２３５）、塩（Ｉ−２３７）、塩（Ｉ−２３９）、塩（Ｉ−２４１）、塩（Ｉ−２４３）、塩（Ｉ−２４５）、塩（Ｉ−２４７）、塩（Ｉ−２４９）、塩（Ｉ−２５１）、塩（Ｉ−２５３）、塩（Ｉ−２５４）、塩（Ｉ−２５５）、塩（Ｉ−２５６）、塩（Ｉ−２５７）、塩（Ｉ−２７３）、塩（Ｉ−２７４）、塩（Ｉ−２７５）、塩（Ｉ−２７６）、塩（Ｉ−２７７）、塩（Ｉ−２９３）、塩（Ｉ−２９４）、塩（Ｉ−２９５）、塩（Ｉ−２９６）、塩（Ｉ−２９７）、塩（Ｉ−３１３）、塩（Ｉ−３１４）、塩（Ｉ−３１５）、塩（Ｉ−３１６）、塩（Ｉ−３１７）、塩（Ｉ−３３３）、塩（Ｉ−３３４）、塩（Ｉ−３３５）、塩（Ｉ−３３６）、塩（Ｉ−３３７）、塩（Ｉ−３５３）、塩（Ｉ−３５４）、塩（Ｉ−３５５）、塩（Ｉ−３５６）、塩（Ｉ−３５７）、塩（Ｉ−３７３）、塩（Ｉ−３７４）、塩（Ｉ−３７５）、塩（Ｉ−３７６）、塩（Ｉ−３７７）、塩（Ｉ−３９３）、塩（Ｉ−３９５）、塩（Ｉ−３９７）、塩（Ｉ−３９９）、塩（Ｉ−４０１）、塩（Ｉ−４０３）、塩（Ｉ−４０５）、塩（Ｉ−４０７）、塩（Ｉ−４０９）、塩（Ｉ−４１１）、塩（Ｉ−４１３）、塩（Ｉ−４１５）、塩（Ｉ−４１７）、塩（Ｉ−４１９）、塩（Ｉ−４２１）、塩（Ｉ−４２３）、塩（Ｉ−４２５）、塩（Ｉ−４２７）、塩（Ｉ−４２９）、塩（Ｉ−４３１）、塩（Ｉ−４３３）、塩（Ｉ−４３５）、塩（Ｉ−４３７）、塩（Ｉ−４３９）、塩（Ｉ−４４１）、塩（Ｉ−４４３）、塩（Ｉ−４４５）、塩（Ｉ−４４７）、塩（Ｉ−４４９）、塩（Ｉ−４５１）、塩（Ｉ−４５３）、塩（Ｉ−４５５）、塩（Ｉ−４５７）、塩（Ｉ−４５９）、塩（Ｉ−４６１）、塩（Ｉ−４７３）、塩（Ｉ−４７５）、塩（Ｉ−４７７）、塩（Ｉ−４７９）、塩（Ｉ−４８１）、塩（Ｉ−４８３）、塩（Ｉ−４８５）、塩（Ｉ−４８７）、塩（Ｉ−４８９）、塩（Ｉ−４９１）、塩（Ｉ−４９３）、塩（Ｉ−４９５）、塩（Ｉ−４９７）、塩（Ｉ−４９９）、塩（Ｉ−５０１）及び塩（Ｉ−５０３）が好ましい。

＜塩（ａａ）の製造方法＞
式（ａａ２）で表されるアニオン、及び有機カチオン（Ｚ^＋）からなる塩（Ｉ１）は、式（Ｉ１−ａ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物とを、酸触媒下、溶媒中で反応させることにより製造することができる。

（式中、Ｘ^a、Ｘ^b、Ｌ^ｂ１、Ｑ¹、Ｑ²、環Ｗ^１及び環Ｗは上記と同じ意味を表し、Ｚ^＋は有機カチオンを表す。）
反応は通常、２０℃〜２００℃、好ましくは５０℃〜１５０℃で撹拌して実施される。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
酸触媒としては、硫酸などが挙げられる。
式（Ｉ１−ａ）で表される塩としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。これらの塩は、特開２００７−２２４００８号公報、特開２０１１−１１６７４７号公報、及び特開２０１２−２２４６１１号公報に記載の方法と同様の方法で得られる。

式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。これらの化合物は市販されている。

〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）と、塩（ａａ）とを含有する。ここで、「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構成単位が親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を有する構成単位に変換する基を意味する。
レジスト組成物は、さらに、公知の酸発生剤（以下、酸発生剤（Ｂ）という場合がある。）、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物の酸発生剤（Ｂ）においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が含まれる。イオン系酸発生剤は、公知のカチオンと公知のアニオンとの組合せからなるイオン性酸発生剤が挙げられ、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。

酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物、特開２０１３−６８９１４号公報、特開２０１３−３１５５号公報、特開２０１３−１１９０５号公報記載の酸発生剤等を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。

酸発生剤（Ｂ）としては、有機スルホン酸塩等が挙げられ、好ましくはフッ素含有酸発生剤が挙げられ、より好ましくはフッ素含有有機スルホン酸発生剤が挙げられる。酸発生剤（Ｂ）としては、式（Ｂ１）で表される酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある）が好ましい。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１１及びＱ^１２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^Ｂ１は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の１価の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^１１及びＱ^１２のペルフルオロアルキル基としては、Ｑ^１及びＱ^２で表されるペルフルオロアルキル基で挙げられたものと同様の基が挙げられる。
Ｑ^１１及びＱ^１２は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。Ｑ^１１及びＱ^１２が、ともにフッ素原子であることがさらに好ましい。

Ｌ^Ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｌ^Ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、Ｌ^ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基と同じものが挙げられる。具体的には、上述した式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基が挙げられる。なお、Ｌ^Ｂ１が式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基である場合、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基における＊はＹとの結合手を表す。
Ｌ^Ｂ１は、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基のいずれかであることが好ましく、＊２−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_t１−、＊２−（ＣＨ₂）_t２−Ｏ−ＣＯ−（ｔ１は０〜６のいずれかの整数を表す。ｔ２は１〜６のいずれかの整数を表す。＊２は、−Ｃ（Ｑ^１１）（Ｑ^１２）−との結合手を表す。）であることがより好ましい。

Ｙで表される１価の脂環式炭化水素基としては、単環であってもよいし、多環であってもよいし、スピロ環であってもよい。具体的には、式（Ｙ１）〜式（Ｙ３８）で表される基が挙げられる。
Ｙで表される１価の脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上の複数でもよい。

中でも、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ２０）、式（Ｙ３０）又は式（Ｙ３１）のいずれかで表される基が挙げられ、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１６）、式（Ｙ１９）、式（Ｙ３０）又は式（Ｙ３１）で表される基が挙げられ、さらに好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ３０）で表される基が挙げられる。

Ｙの脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ₂）_ja’−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1’基（式中、Ｒ^b1’は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊａ’は、０〜４のいずれかの整数を表す）等が挙げられる。

ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基；トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。

Ｙとしては、以下のものが挙げられる。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の１価の脂環式炭化水素基であり、より好ましく置換基を有していてもよいアダマンチル基であり（これらの基を構成する―ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は―ＣＯ−に置き換わっていてもよい。）、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基又は下記で表される基である。

式（Ｂ１）で表される塩のアニオンとしては、式（ＢＩ−Ａ−１）〜式（ＢＩ−Ａ−４６）で表されるアニオン〔以下、式番号に応じて「アニオン（ＢＩ−Ａ−１）」等という場合がある。〕が好ましく、式（ＢＩ−Ａ−１）〜式（ＢＩ−Ａ−４）、式（ＢＩ−Ａ−９）、式（ＢＩ−Ａ−１０）、式（ＢＩ−Ａ−２４）〜式（ＢＩ−Ａ−３３）、式（ＢＩ−Ａ−３６）〜式（Ｂ１−Ａ−４０）のいずれかで表されるアニオンがより好ましい。

ここでＲ^ｉ２〜Ｒ^ｉ７は、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^ｉ８は、例えば、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基であり、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数５〜１２の１価の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
Ｌ^４４は、単結合又は炭素数１〜４のアルカンジイル基である。
Ｑ^１１及びＱ^１２は、上記と同じである。

式（Ｂ１）で表される塩におけるアニオンとしては、式（ＢＩａ−１）〜式（ＢＩａ−２２）で表されるアニオンが挙げられ、中でも式（ＢＩａ−１）〜式（ＢＩａ−３）、及び式（ＢＩａ−７）〜式（ＢＩａ−１５）で表されるアニオンが好ましい。

Ｚ^＋の有機カチオンとしては、塩（ａａ）における有機カチオンで例示したものと同様のものが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、具体的には、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−４０）のいずれかで表される塩が挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−２０）、式（Ｂ１−２１）、式（Ｂ１−２２）、式（Ｂ１−２３）、式（Ｂ１−２４）、式（Ｂ１−２５）、式（Ｂ１−２６）、式（Ｂ１−２９）、式（Ｂ１−３１）、式（Ｂ１−３２）、式（Ｂ１−３３）、式（Ｂ１−３４）、式（Ｂ１−３５）、式（Ｂ１−３６）、式（Ｂ１−３７）、式（Ｂ１−３８）、式（Ｂ１−３９）又は式（Ｂ１−４０）のいずれかで表される塩がより好ましい。

塩（ａａ）は、レジスト組成物中において、酸発生剤として作用することができる。
塩（ａａ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、１〜４０質量部であることが好ましく、２〜３５質量部であることがより好ましい。
塩（ａａ）は、２種以上含有していてもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、１〜４０質量部であることが好ましく、３〜３５質量部であることがより好ましい。
酸発生剤（Ｂ）を含有する場合、塩（ａａ）と酸発生剤（Ｂ）との含有量比（質量）は、通常、１：９９〜９９：１、好ましくは２：９８〜９８：２、より好ましくは５：９５〜９５：５、さらに好ましくは１０：９０〜９０：１０である。
レジスト組成物においては、塩（ａａ）及び酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１．５質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは４０質量部以下（より好ましくは３５質量部以下）である。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を有する。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含んでいることが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外の構造単位（以下「構造単位（ｔ）」という場合がある）及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。

＜構造単位（ａ１）＞
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、式（１）で表される基及び／又は式（２）で表される基）が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の２価の脂環式炭化水素基を形成する。
ｎａは、０又は１を表す。
＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^a1’及びＲ^a2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a3’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2’及びＲ^a3’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３〜２０の２価の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該２価の複素環基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。
ｎａは、好ましくは０である。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の脂環式炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、下記の基が挙げられる。２価の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

式（１）で表される基としては、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中においてＲ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）等が挙げられる。

Ｒ^a1’〜Ｒ^a3’の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a3'が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに形成する２価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。＊は、結合手を表す。

Ｒ^a1’及びＲ^a2’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位又は式（ａ１−２）で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。本明細書では、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を、それぞれ構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）と、構造単位（ａ１−０）を誘導するモノマー、構造単位（ａ１−１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１−０）、モノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）という場合がある。

［式（ａ１−０）中、
Ｌ^a01は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k01−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ０１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a01は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。］

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基を表す。
ｍ１は０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０〜３のいずれかの整数を表す。］

Ｌ^a01は、好ましくは、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k01−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１〜４のいずれかの整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基としては、式（１）のＲ^a1〜Ｒ^a3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。このような基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、メチルアダマンチル基、シクロヘキシルメチル基、メチルシクロへキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルメチル基等が挙げられる。
Ｒ^a02及びＲ^a03は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a04は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1’−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ１’は、１〜４のいずれかの整数であり、好ましくは１である。）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基としては、式（１）のＲ^a1〜Ｒ^a3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは６以下の脂環式炭化水素基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−０）としては、例えば、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１２）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１０）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

上記の構造単位において、Ｒ^a01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ａ１−０）の具体例として挙げることができる。

モノマー（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、例えば、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロオクタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−９）及び式（ａ１−２−１０）で表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）及び式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−０）及び／又は構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

式（２）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。

式（ａ１−５）中、
Ｒ^a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−（ＣＨ₂）_h3−ＣＯ−Ｌ⁵⁴−を表し、ｈ３は１〜４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ⁵¹との結合手を表す。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³及びＬ⁵⁴は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１−５）においては、Ｒ^a8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ⁵¹は、酸素原子が好ましい。
Ｌ⁵²及びＬ⁵³のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０、１又は２が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

構造単位（ａ１−５）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−５−１）又は式（ａ１−５−２）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましい。

さらに、構造単位（ａ１）としては、以下の基も挙げられる。

樹脂（Ａ）が上記構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）中の酸不安定基を有する構造単位（ａ）としては、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１−５）からなる群から選ばれる少なくとも一種以上が好ましく、少なくとも二種以上がより好ましく、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組み合わせ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組み合わせがさらにより好ましい。構造単位（ａ１）は、好ましくは、構造単位（ａ１−１）を含む。

〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−０）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−０）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は互いに同一であっても異なってもよい。］

Ｒ^a30のハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。Ｒ^a30は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a31のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
ｍａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載されているモノマーが挙げられる。
中でも、構造単位（ａ２−０）としては、式（ａ２−０−１）、式（ａ２−０−２）、式（ａ２−０−３）及び式（ａ２−０−４）でそれぞれ表されるものが好ましく、式（ａ２−０−１）又は式（ａ２−０−２）で表される構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ２−０）を含む樹脂（Ａ）は、構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造単位（ａ１）が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２−０）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜８０モル％がより好ましく、１５〜８０モル％がさらに好ましい。

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」という場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７のいずれかの整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４のいずれかの整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２−１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）又は式（ａ３−４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

［式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０〜５のいずれかの整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は互いに同一又は相異なる。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a19は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｑ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は互いに同一又は相異なる。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｒ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は互いに同一又は相異なる。
式（ａ３−４）中、
Ｒ^a24は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｒ^ａ２５は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｌ^a7は、−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^a8−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^a8−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^a8−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^a9−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^a8−Ｏ−ＣＯ−Ｌ^a9−Ｏ−を表す。
＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｌ^a8及びＬ^a9は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
ｗ１は、０〜８のいずれかの整数を表す。ｗ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２５は互いに同一であってもよく、異なってもよい。］

Ｒ^a21、Ｒ^a22及びＲ^a23の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^a24のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^a24のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a24のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Ｒ^a2５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。

Ｌ^a8及びＬ^a9のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、好ましくは、−Ｏ−又は、ｋ３が１〜４のいずれかの整数である＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基、より好ましくは−Ｏ−及び、＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。

式（ａ３−４）において、
Ｒ^a24は、好ましくは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは、水素原子又はメチル基である。
Ｌ^a7は、好ましくは、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^a8−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−Ｃ₂Ｈ₄−ＣＯ−Ｏ−である。
Ｒ^ａ２５は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｗ１は、好ましくは０、１又は２であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３−４）は、式（ａ３−４）’が好ましい。

（式中、Ｒ^ａ２４及びＬ^ａ７は、上記と同じ意味を表す。）

構造単位（ａ３）を導くモノマーとしては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）、式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位がさらに好ましく、式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−６）のいずれかで表される構造単位がさらにより好ましい。

以下の式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）で表される構造単位においては、Ｒ^a24に相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、構造単位（ａ３−４）の具体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）及び構造単位（ａ３−４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜６０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましく、１０〜５０モル％がさらに好ましい。

＜その他の構造単位（ｔ）＞
構造単位（ｔ）としては、構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）以外にハロゲン原子を有する構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ４）」という。）及び非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）などが挙げられる。ここで「非脱離炭化水素基」とは、酸発生剤から発生する酸との接触により脱離する基をもたない構成単位を有する基を意味する。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−０）中、
Ｒ⁵は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁴は、単結合又は２価の炭素数１〜４の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ³は、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ⁶は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｌ⁴の表す２価の炭素数１〜４の脂肪族飽和炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルカンジイル基が挙げられ、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、メチル基、エチル基等）の側鎖を有したもの、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ³のペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロエチルフルオロメチレン基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。
Ｌ³のペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ｌ⁴は、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは、単結合、メチレン基である。
Ｌ³は、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。

構造単位（ａ４−０）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ^５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ａ^a41は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。

〔式（ａ−ｇ１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ａ^a42及びＡ^a44は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ^a43は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^a41及びＸ^a42は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａ^a42、Ａ^a43、Ａ^a44、Ｘ^a41及びＸ^a42の炭素数の合計は７以下である。〕
＊は結合手であり、右側の＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合手である。］

Ｒ^a42の炭化水素基としては、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、並びにこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルキル基及び単環又は多環の脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基及びｎ−オクタデシル基が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェナントリル基及びフルオレニル基が挙げられる。

Ｒ^a42は、置換基として、ハロゲン原子又は式（ａ−ｇ３）で表される基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^a43は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^a45は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
＊は結合手を表す。］

Ａ^a45の脂肪族炭化水素基としては、Ｒ^a42で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｒ^a42は、ハロゲン原子を有してもよい脂肪族炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を有するアルキル基及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基がより好ましい。
Ｒ^a42がハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、脂肪族炭化水素基の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。

Ｒ^a42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、Ｒ^a42は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。

［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^a46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^a44は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^a47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^a46、Ａ^a47及びＸ^a44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^a46及びＡ^a47のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合手を表す。］

Ａ^a46の脂肪族炭化水素基の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａ^a47の脂肪族炭化水素基の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましく、Ａ^a47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。

＊−Ａ^a46−Ｘ^a44−Ａ^a47で表される部分構造（＊はカルボニル基との結合手である）のより好ましい構造は、以下の構造である。

Ａ^a41のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^a41のアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^a41は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

基（ａ−ｇ１）におけるＡ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基並びにこれらを組合せることにより形成される基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルキル基及び単環又は多環の脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組合せることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の脂肪族炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。

Ｘ^a42が酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す基（ａ−ｇ１）としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合手を表わし、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合手である。

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、式（ａ４−２）及び式（ａ４−３）で表される構造単位が好ましい。

［式（ａ４−２）中、
Ｒ^f1は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^f2は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ａ^f1のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｒ^f2の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせることにより形成される基を含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式であってもよいし、多環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。

Ｒ^f2のフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。

式（ａ４−２）におけるＡ^f1としは、炭素数２〜４のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。
Ｒ^f2としては、炭素数１〜６のフッ化アルキル基が好ましい。

［式（ａ４−３）中、
Ｒ^f11は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f11は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^f13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^f12は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^f14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^f13及びＡ^f14の少なくとも１つは、フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基を表す。］

Ａ^f11のアルカンジイル基としては、Ａ^f1のアルカンジイル基と同様の基が挙げられる。

Ａ^f13の脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される２価の脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^f13のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれを含む基でもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の２価の脂肪族炭化水素基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ａ^f14の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組み合わせることにより形成される脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^f14のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基である。
フッ素原子を有していてもよい鎖式の脂肪族炭化水素基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が挙げられる。

式（ａ４−３）において、Ａ^f11は、エチレン基が好ましい。
Ａ^f13の脂肪族炭化水素基は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数２〜３の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。
Ａ^f14の脂肪族炭化水素基は、炭素数３〜１２の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１０の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。なかでも、Ａ^f14は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。

式（ａ４−２）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ^ｆ１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

式（ａ４−３）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ^f11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。

［式（ａ４−４）中、
Ｒ^f21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f21は、−（ＣＨ₂）_j1−、−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−（ＣＨ₂）_j3−又は−（ＣＨ₂）_j4−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_j5−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、それぞれ独立に、１〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ｒ^f22のフッ素原子を有する炭化水素基としては、式（ａ４−２）におけるＲ^f2の炭化水素基と同じものが挙げられる。Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式炭化水素基が好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）においては、Ａ^f21としては、−（ＣＨ₂）_ｊ1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び以下の式で表される構造単位においてはＲ^f21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜２０モル％が好ましく、２〜１５モル％がより好ましく、３〜１０モル％がさらに好ましい。

＜構造単位（ａ５）＞
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を含むものが好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ５−１）中、
Ｒ⁵¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁵²は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。但し、Ｌ⁵⁵との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されない。
Ｌ⁵⁵は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ⁵²の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有した脂環式炭化水素基としては、３−ヒドロキシアダマンチル基、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ⁵²は、好ましくは、無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ⁵⁵の２価の飽和炭化水素基としては、２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊は酸素原子との結合手を表す。

式（Ｌ１−１）中、
Ｘ^x1は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ｌ^x1は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x1及びＬ^x2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌ^x3は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x4は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x3及びＬ^x4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌ^x5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x6及びＬ^x7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x5、Ｌ^x6及びＬ^x7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌ^x8及びＬ^x9は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^x1は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x8、Ｌ^x9及びＷ^x1の合計炭素数は、１５以下である。

Ｌ^x1は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x2は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合である。
Ｌ^x3は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x4は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x5は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x8は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌ^x9は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗ^x1は、好ましくは、炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ⁵⁵は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。

構造単位（ａ５−１）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ⁵¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜３０モル％が好ましく、２〜２０モル％がより好ましく、３〜１５モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すなわち、モノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）の少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表される構造単位である。
構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位、式（ａ３−２）で表される構造単位及び式（ａ３−４）で表される構造単位から選ばれる少なくとも一種である。

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含んでもよい。このような樹脂としては、構造単位（ｓ）のみからなる樹脂、構造単位（ａ４）を含む樹脂（ただし、構造単位（ａ１）を含まない。以下「樹脂（Ｘ）」という場合がある）等が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ４）を含む樹脂が好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して、４０モル％以上が好ましく、４５モル％以上がより好ましく、５０モル％以上がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは、６，０００以上（より好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは２〜５０質量部であり、さらに好ましくは２〜４０質量部であり、特に好ましくは３〜３０質量部である。

樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましく、９０質量％以上９９質量％以下が好ましい。
レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

〈溶剤（Ｅ）〉
溶剤（Ｅ）の含有率は、通常レジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、通常９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等が挙げられる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

〈クエンチャー（Ｃ）〉
クエンチャー（Ｃ）は、塩（ａａ）及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩又は塩基性の含窒素有機化合物が挙げられる。

〈塩基性の含窒素有機化合物〉
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
具体的には、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

〈酸性度の弱い酸を発生する塩〉
塩（ａａ）及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、酸解離定数（ｐＫａ）で示される。塩（ａａ）及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。酸発生剤（Ｂ）から発生ずる酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩（以下、「弱酸分子内塩（Ｄ）」と記す場合がある）である。

［式（Ｄ）中、
Ｒ^D1及びＲ^D2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアシルオキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ’が２以上の場合、複数のＲ^D1は同一又は相異なり、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^D2は同一又は相異なる。］

弱酸分子内塩（Ｄ）においては、Ｒ^D1及びＲ^D2の炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
１価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。
１価の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、アントリル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらを組み合わせることにより形成される基としては、アルキル−シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、アラルキル基（例えば、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等）等が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、シクロヘキサンカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、上記アシル基にオキシ基（−Ｏ−）が結合した基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基にカルボニル基（−ＣＯ−）が結合した基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

式（Ｄ）においては、Ｒ^D1及びＲ^D2は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、炭素数２〜４のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子が好ましい。
ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、０、１又は２が好ましく、０がより好ましい。ｍ’が２以上の場合、複数のＲ^D1は同一又は相異なり、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^D2は同一又は相異なる。

弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の化合物が挙げられる。

クエンチャー（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、０．０１〜５質量％であり、より好ましく０．０１〜４質量％であり、特に好ましく０．０１〜３質量％である。

〈その他の成分〉
レジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）は、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
レジスト組成物は、樹脂（Ａ）及び塩（Ｉ）を含む酸発生剤、並びに、必要に応じて、樹脂（Ａ）以外の樹脂、酸発生剤（Ｂ）、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

〔レジストパターンの製造方法〕
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよいし、基板上に反射防止膜等を形成してもよい。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は５０〜２００℃が好ましく、加熱時間は１０〜１８０秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０⁵Ｐａ程度が好ましい。

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は５〜６０℃が好ましく、現像時間は５〜３００秒間が好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。

レジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

レジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特にＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ−１）で表される塩の合成

式（Ｉ−１−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−１−ａ）で表される塩１０部、式（Ｉ−１−ｂ）で表される化合物８．０５部、クロロホルム５０部及び硫酸０．１６７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１４５部を添加撹拌後、１０％炭酸カリウム水溶液７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、イオン交換水７０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に酢酸エチル５０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１）で表される塩６．１２部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４２３．１

実施例２：式（Ｉ−４）で表される塩の合成

式（Ｉ−１−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−１−ａ）で表される塩１０部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される化合物１２．０１部、クロロホルム５０部及び硫酸０．１６７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌したた。得られた混合物を６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１４５部を添加撹拌後、１０％炭酸カリウム水溶液７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、イオン交換水７０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に酢酸エチル５０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−４）で表される塩４．９１部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４８１．１

実施例３：式（Ｉ−８１）で表される塩の合成

式（Ｉ−８１−ａ）で表される塩を、特開２０１２−２２４６１１号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−８１−ａ）で表される塩９．５６部、式（Ｉ−１−ｂ）で表される化合物８．０５部、クロロホルム５０部及び硫酸０．１６７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１４５部を添加撹拌後、１０％炭酸カリウム水溶液７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、イオン交換水７０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−８１）で表される塩５．６８部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４２３．１

実施例４：式（Ｉ−８４）で表される塩の合成

式（Ｉ−８１−ａ）で表される塩を、特開２０１２−２２４６１１号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−８１−ａ）で表される塩９．５６部、式（Ｉ−４−ｂ）で表される化合物１２．０１部、クロロホルム５０部及び硫酸０．１６７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１４５部を添加撹拌後、１０％炭酸カリウム水溶液７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水７０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−８４）で表される塩５．５５部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４８１．１

実施例５：式（Ｉ−１４９）で表される塩の合成

式（Ｉ−４）で表される塩６部及びクロロホルム３０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、式（Ｉ−１４９−ａ）で表される化合物０．８７部及びｐ−トルエンスルホン酸０．２部を仕込み、１０℃で２時間攪拌した。得られた混合物にイオン交換水３０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水３０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。回収された有機層を濃縮し、濃縮マスをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００−２１０μｍ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１／１）分取することにより、式（Ｉ−１４９）で表される塩１．２４部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５５３．１

実施例６：式（Ｉ−１４１）で表される塩の合成

式（Ｉ−４）で表される塩５部、クロロホルム２５部及びピリジン１．５９部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、式（Ｉ−１４１−ａ）で表される化合物１．０３部を１時間かけて滴下し、さらに２３℃で３時間攪拌した後、濃縮した。得られた濃縮残にクロロホルム６０部及びイオン交換水２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に酢酸エチル３０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１４１）で表される塩３．０１部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５２３．１

実施例７：式（Ｉ−３３３）で表される塩の合成

式（Ｉ−３３３−ａ）で表される塩を、特開２０１１−１１６７４７号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−３３３−ａ）で表される塩６０部、式（Ｉ−３３３−ｂ）で表される化合物２５部、クロロホルム３００部及び硫酸０．２８部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、３時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、トリエチルアミン１．４３部を添加撹拌後、アセトニトリル７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌して、式（Ｉ−３３３−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。

得られた式（Ｉ−３３３−ｃ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−３３３−ｄ）で表される塩４９．１４部を混合し、２３℃で２時間攪拌した。得られた反応物に５％シュウ酸２水和物水溶液１０７部及びクロロホルム１５０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水１５０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル６３部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル６７４部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４１０部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−３３３）で表される塩８２．４３部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４２３．１

実施例８：式（Ｉ−２５３）で表される塩の合成

式（Ｉ−１−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載の方法で合成した。得られた式（Ｉ−１−ａ）で表される塩１０部、式（Ｉ−３３３−ｂ）で表される化合物８．１部、クロロホルム５０部及び硫酸０．１７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた混合物を２３℃まで冷却し、クロロホルム１４５部を添加撹拌後、１０％炭酸カリウム水溶液７１部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、イオン交換水７０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に酢酸エチル５０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−２５３）で表される塩５．８８部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４２３．１

実施例９：式（Ｉ−５）で表される塩の合成

式（Ｉ−５−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載の方法と同様の方法で合成した。得られた式（Ｉ−５−ａ）で表される塩９．７部、式（Ｉ−１−ｂ）で表される化合物３．２部、クロロホルム６０部及び硫酸０．０４部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム３０部を添加撹拌後、イオン交換水３０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、５％シュウ酸２水和物水溶液２３部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル８部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル８９部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にアセトニトリル１０部を加えて攪拌した後、濃縮することにより、式（Ｉ−５）で表される塩８．４３部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３７１．０

実施例１０：式（Ｉ−２５７）で表される塩の合成

式（Ｉ−５−ａ）で表される塩を、特開２００７−２２４００８号公報に記載の方法と同様の方法で合成した。得られた式（Ｉ−５−ａ）で表される塩９．７部、式（Ｉ−３３３−ｂ）で表される化合物３．２部、クロロホルム６０部及び硫酸０．０４部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム３０部を添加撹拌後、イオン交換水３０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、５％シュウ酸２水和物水溶液２３部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル８部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル８９部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にアセトニトリル１０部を加えて攪拌した後、濃縮することにより、式（Ｉ−２５７）で表される塩８．４３部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３７１．０

実施例１１：式（Ｉ−３３７）で表される塩の合成

式（Ｉ−３３７−ａ）で表される化合物２５部及びアセトニトリル１２５部を添加した後、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を５℃まで冷却した後、水素化ホウ素ナトリウム３．０３部及びイオン交換水４２．５２部の混合水溶液を１時間かけて滴下した後、さらに、５℃で１時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、濃縮残に、クロロホルム１２０部及びイオン交換水５０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−３３７−ｂ）で表される化合物２２．０６部を得た。

式（Ｉ−３３７−ｃ）で表される塩１８．８１部、アセトニトリル１００部及び式（Ｉ−３３７−ｄ）で表される化合物８．１４部を添加した後、５０℃で１時間攪拌することにより、式（Ｉ−３３７−ｅ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−３３７−ｅ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−３３７−ｂ）で表される化合物７．９４ぶを添加した後、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した後、濃縮残に、クロロホルム１５０部及びイオン交換水７０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水７０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル３０部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１２０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にアセトニトリル３０部を加えて攪拌した後、濃縮することにより、式（Ｉ−３３７−ｆ）で表される化合物１６．６６部を得た。

式（Ｉ−３３７−ｇ）で表される塩１１．４６部及びテトラヒドロフラン１２０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した後、５％塩酸２２．７１部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム１６０部及びイオン交換水８０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水８０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル１５部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にアセトニトリル３０部を加えて攪拌した後、濃縮することにより、式（Ｉ−３３７−ｆ）で表される化合物５．５２部を得た。

式（Ｉ−５−ａ）で表される塩４．６部、式（Ｉ−３３３−ｂ）で表される化合物１．６部、クロロホルム６０部及び硫酸０．０２部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、６０℃で、モレキュラーシーブ存在下、２時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム２０部を添加撹拌後、イオン交換水１０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物を、静置し、分液し、有機層を得た。回収された有機層に、５％シュウ酸２水和物水溶液１２部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残に、アセトニトリル４部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣にアセトニトリル１０部を加えて攪拌した後、濃縮することにより、式（Ｉ−３３７）で表される塩４．１２部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３７１．０

樹脂の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。

合成例１：樹脂Ａ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−９）、モノマー（ａ２−１−３）及びモノマー（ａ３−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−９）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）〕が４５：１４：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．６×１０^３の樹脂Ａ１を収率６８％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例２：樹脂Ｘ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ４−１−７）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．７×１０^４の樹脂Ｘ１を収率７７％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例３：樹脂Ｘ２の合成
モノマーとして、モノマー（ａ５−１−１）及びモノマー（ａ４−０−１２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ５−１−１）：モノマー（ａ４−０−１２）〕が５０：５０となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して３ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．０×１０^４の樹脂Ｘを収率９１％で得た。この樹脂Ｘ２は、以下の構造単位を有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
表１５〜表１６に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１、Ｘ１、Ｘ２：樹脂Ａ１、樹脂Ｘ１、樹脂Ｘ２
＜塩（ａａ）＞
Ｉ−１：式（Ｉ−１）で表される塩
Ｉ−４：式（Ｉ−４）で表される塩
Ｉ−５：式（Ｉ−５）で表される塩
Ｉ−８１：式（Ｉ−８１）で表される塩
Ｉ−８４：式（Ｉ−８４）で表される塩
Ｉ−２５３：式（Ｉ−２５３）で表される塩
Ｉ−２５７：式（Ｉ−２５７）で表される塩
Ｉ−３３３：式（Ｉ−３３３）で表される塩
Ｉ−３３７：式（Ｉ−３３７）で表される塩
＜酸発生剤＞
Ｂ１−２１：式（Ｂ１−２１）で表される塩（特開２０１２−２２４６１１号公報の実施例に従って合成）
Ｂ１−２２：式（Ｂ１−２２）で表される塩（特開２０１２−２２４６１１号公報の実施例に従って合成）
ＩＸ−１：特開２０１１−３７８３７号公報の実施例に従って合成

＜化合物（Ｄ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２−ヘプタノン ２０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジストパターンの製造及びその評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表１５〜表１６の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表１５〜表１６の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が４５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜マスクエラーファクター（ＭＥＦ）評価＞
実効感度において、マスクホール径（マスクが有する透光部のホール径）がそれぞれ５７ｎｍ、５６ｎｍ、５５ｎｍ、５４ｎｍ、５３ｎｍ（ホールピッチはいずれも９０ｎｍ）のマスクを用いて、レジストパターンを形成した。マスクホール径を横軸に、露光によって基板に形成（転写）されたレジストパターンのホール径を縦軸にプロットした時の回帰直線の傾きをＭＥＦ値として算出した。
ＭＥＦ値が、５．０以下のものを、ＭＥＦが良好であると評価して、○と、
ＭＥＦ値が、５．０を超えるものを、ＭＥＦが良好でないと評価して、×とした。
その結果を表１７に示す。括弧内の数値はＭＥＦ値を示す。

本発明の塩を含むレジスト組成物は、良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造することができため、半導体の微細加工に好適である。

Claims (8)

1. 式（ａａ２）で表されるアニオンを有する塩。
   

   

   ［式（ａａ２）中、
   Ｘ^a及びＸ^bは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
   環Ｗは、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−４）、式（Ｗ−７）、式（Ｗ−１６）〜式（Ｗ−１９）、式（Ｗ−２２）及び式（Ｗ−２３）のいずれかで表される複素環を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。
   

   

   環Ｗ１は、式（ｗ１−１）〜式（ｗ１−６）のいずれかで表される環を表す。
   

   

   Ｌ^b1は、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基を表す。
   Ｑ¹及びＱ²は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
   

   

   ［式（ｂ１−１）中、
   Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基を表す。
   Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基を表す。
   式（ｂ１−２）中、
   Ｌ^b4は、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基を表す。
   Ｌ^b5は、単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基を表す。
   式（ｂ１−３）中、
   Ｌ^b6は、単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基を表す。
   Ｌ^b7は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
   ただし、式（ｂ１−３）には−Ｌ^b6Ｏ−ＣＯ−で表される構造を有する基を含まない。
   ＊は、環Ｗ１との結合手を表す。］
2. 環Ｗ１が、式（ｗ１−１）で表される環、式（ｗ１−２）で表される環又は式（ｗ１−３）で表される環である請求項１に記載の塩。
   

   
3. Ｌ^b1が、＊１−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_t−（ｔは０〜４のいずれかの整数を表す。＊１は、−Ｃ（Ｑ¹）（Ｑ²）−との結合手を表す。）である請求項１又は２に記載の塩。
4. 環Ｗが、式（Ｗ−１）で表される複素環、式（Ｗ−２）で表される複素環、式（Ｗ−１６）で表される複素環又は式（Ｗ−１７）で表される複素環（該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１３のアシルオキシ基及びこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。）である請求項１〜３のいずれかに記載の塩。
   

   

   ［式中、＊１はＸ^aとの結合手を表し、＊２はＸ^bとの結合手を表す。］
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の塩を含有する酸発生剤。
6. 請求項５に記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。
7. さらに、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する請求項６に記載のレジスト組成物。
8. （１）請求項６又は７記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。