JP2021117104A - Optical sensor device - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光センサ装置に関するものである。 The present invention relates to an optical sensor device.
グラフェンはバンドギャップがゼロの材料として、可視光域から赤外線及びテラヘルツ光を検出する光センサへの応用が期待されている。グラフェン内では光吸収によりエネルギーを得た電子は他の電子との間で分配を行い熱運動化する一方、原子格子との間のエネルギー授受には時間がかかるため、格子温度より電子温度が高いホットエレクトロン状態が生じる。電子温度が異なる領域を設定することで電子の拡散に起因する起電力をゼーベック効果として得られる。また、グラフェン層と並行に配置した電極(バックゲート:BG)に電位を印加することで、グラフェン内のフェルミ準位の変更が可能であり、これにより入射光による電子励起の効率を制御することができる。 Graphene is expected to be applied to an optical sensor that detects infrared rays and terahertz light from the visible light region as a material with a zero bandgap. In graphene, the electrons that gain energy by light absorption are distributed with other electrons and become thermally kinetic, but the electron temperature is higher than the lattice temperature because it takes time to transfer energy to and from the atomic lattice. A hot electron state occurs. By setting regions where the electron temperature is different, the electromotive force caused by the diffusion of electrons can be obtained as the Seebeck effect. Further, by applying an electric potential to an electrode (back gate: BG) arranged in parallel with the graphene layer, it is possible to change the Fermi level in the graphene, thereby controlling the efficiency of electronic excitation by incident light. Can be done.
しかしながら、グラフェンを用いた光センサでは、生じる起電力が極めて小さいため、実用化の観点からは、起電力の大きいものが求められている。 However, since the electromotive force generated by an optical sensor using graphene is extremely small, a sensor having a large electromotive force is required from the viewpoint of practical use.
本実施の形態の一観点によれば、第1のバックゲート電極及び第2のバックゲート電極と、前記第1のバックゲート電極及び前記第2のバックゲート電極の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された第1のグラフェン層及び第2のグラフェン層と、前記第1のグラフェン層と前記第2のグラフェン層とを接続する接続電極と、前記第1のグラフェン層に接続された第1の電極と、前記第2のグラフェン層に接続された第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極に接続された電圧増倍回路と、を有し、前記第1のバックゲート電極は前記第1のグラフェン層の直下に設けられており、前記第2のバックゲート電極は前記第2のグラフェン層の直下に設けられており、前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加されると、前記第1の電極と前記第2の電極との間で生じた交流電圧を前記電圧増倍回路において増幅することを特徴とする。 According to one aspect of the present embodiment, the first back gate electrode and the second back gate electrode, and the insulating film formed on the first back gate electrode and the second back gate electrode. , A connection electrode connecting the first graphene layer and the second graphene layer formed on the insulating film, the first graphene layer and the second graphene layer, and the first graphene layer. It has a first electrode connected to, a second electrode connected to the second graphene layer, and a voltage multiplying circuit connected to the first electrode and the second electrode. The first backgate electrode is provided directly below the first graphene layer, the second backgate electrode is provided directly below the second graphene layer, and the first back is provided. When a voltage is alternately applied to the gate electrode and the second back gate electrode, the AC voltage generated between the first electrode and the second electrode is amplified in the voltage multiplying circuit. It is characterized by.
開示の光センサ装置によれば、光センサにおいて生じた起電力を大きくすることができる。 According to the disclosed optical sensor device, the electromotive force generated in the optical sensor can be increased.
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。 The embodiment for carrying out will be described below. The same members and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
〔第1の実施の形態〕
最初に、グラフェンを用いた光センサについて説明する。グラフェンを光センサとして用いる場合には、グラフェンに接続されている複数の電極間で、ゼーベック係数の非対称性を作り出すことが一般に行われる。図1及び図2に基づき、グラフェンを用いた2種類の光センサについて説明する。
[First Embodiment]
First, an optical sensor using graphene will be described. When graphene is used as an optical sensor, it is common practice to create Seebeck coefficient asymmetry between a plurality of electrodes connected to graphene. Two types of optical sensors using graphene will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
図1に示される構造の光センサは、仕事関数の異なる2つの金属を電極に用いた構造のものである。具体的には、Si基板11の上に、SiO2により絶縁膜12が形成されており、絶縁膜12の上にはグラフェン層13が形成されており、グラフェン層13の上の両側には、第1の電極14と第2の電極15が形成されている。第1の電極14と第2の電極15は、異なる金属材料により形成されており、仕事関数が異なっている。例えば、第1の電極14はAu(金)により形成されており、第2の電極15はNi(ニッケル)により形成されている。グラフェン層13に光を照射すると、グラフェン層13において、ホットエレクトロンが生成されるが、第1の電極14と第2の電極15とが異なる仕事関数の材料により形成されているため、第1の電極14と第2の電極15との間で起電力が発生する。しかしながら、このように発生する起電力は、一般的なフォトダイオード等と比較すると極めて小さい。
The optical sensor having the structure shown in FIG. 1 has a structure in which two metals having different work functions are used for the electrodes. Specifically, the insulating film 12 is formed by SiO 2 on the
図2に示される構造の光センサは、バックゲート電極を設けた構造のものである。具体的には、Si基板11の上にSiO2により第1の絶縁膜22が形成されており、第1の絶縁膜22の上には、図示右側にバックゲート電極26が形成されており、更に、バックゲート電極26を覆うように、SiO2により第2の絶縁膜23が形成されている。第2の絶縁膜23の上にはグラフェン層13が形成されており、グラフェン層13の上の両側には、第1の電極24と第2の電極25が形成されている。第1の電極24と第2の電極25は、同じ金属材料により形成されている。バックゲート電極26は、第2の電極25が設けられている側の領域に形成されている。バックゲート電極26には電圧を印加することが可能であり、バックゲート電極26に電圧を印加することにより、グラフェン層13のフェルミレベルを変化させることができる。グラフェン層13に光を照射すると、グラフェン層13において、ホットエレクトロンが生成され、バックゲート電極26に電圧を印加することにより、第1の電極24と第2の電極25との間に起電力が発生する。しかしながら、このように発生する起電力も、一般的なフォトダイオード等と比較すると極めて小さい。
The optical sensor having the structure shown in FIG. 2 has a structure provided with a back gate electrode. Specifically, the first insulating film 22 is formed by SiO 2 on the
このため、グラフェンを用いた光センサを実用化するためには、光センサにおいて生じた小さな起電力を効率よく、増幅することが求められる。 Therefore, in order to put an optical sensor using graphene into practical use, it is required to efficiently amplify a small electromotive force generated in the optical sensor.
ところで、光センサにおいて生じた小さな起電力を増幅する方法としては、光センサと差動増幅回路とを組み合わせた光センサ装置が考えられるが、差動増幅回路は、回路規模が大きく、消費電力も大きい。このため、グラフェンを用いた光センサを2次元アレイ状に配置した場合、これに対応して画素の大きさまで差動増幅回路の大きさを小さくすることが求められるが、このような要求を満たすことは容易ではない。 By the way, as a method of amplifying a small electromotive force generated in an optical sensor, an optical sensor device combining an optical sensor and a differential amplifier circuit can be considered, but the differential amplifier circuit has a large circuit scale and consumes a large amount of power. big. Therefore, when the optical sensors using graphene are arranged in a two-dimensional array, it is required to reduce the size of the differential amplifier circuit to the size of the pixels correspondingly. However, such a requirement is satisfied. It's not easy.
また、消費電力の小さい昇圧回路としては、コンデンサとスイッチを組み合わせたチャージポンプ回路が知られている。しかしながら、図1や図2に示される構造のグラフェンを用いた光センサとチャージポンプ回路とを組み合わせた場合、グラフェンを用いた光センサの出力は直流であることから、スイッチの働きをするトランジスタ等を設ける必要がある。このため、回路が大きくなり、消費電力も大きくなるため好ましくない。 Further, as a booster circuit having low power consumption, a charge pump circuit in which a capacitor and a switch are combined is known. However, when the optical sensor using graphene having the structure shown in FIGS. 1 and 2 and the charge pump circuit are combined, the output of the optical sensor using graphene is direct current, so that a transistor or the like acting as a switch or the like. It is necessary to provide. Therefore, the circuit becomes large and the power consumption also becomes large, which is not preferable.
(光センサ装置)
次に、本実施の形態における光センサ装置について説明する。本実施の形態における光センサ装置は、図3に示されるように、光センサ110、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130、バックゲート電極駆動回路160とを有している。尚、本実施の形態における光センサは、テラヘルツ光から、可視光及び紫外光を含む波長領域の光を検出することができる。
(Optical sensor device)
Next, the optical sensor device according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 3, the optical sensor device according to the present embodiment includes an
光センサ110は、第1の領域110Aと第2の領域110Bとを有している。光センサ110は、基板111の上に、第1の絶縁膜112が形成されており、第1の絶縁膜112の上には、第1の領域110Aに第1のバックゲート電極113が形成されており、第2の領域110Bに第2のバックゲート電極123が形成されている。第1のバックゲート電極113及び第2のバックゲート電極123の上には、これらを覆う第2の絶縁膜114が形成されている。第2の絶縁膜114の上には、第1の領域110Aに第1のグラフェン層115が形成されており、第2の領域110Bに、第2のグラフェン層125が形成されている。
The
第1のグラフェン層115と第2のグラフェン層125は、中央部分に設けられた接続電極116により、直列に接続されている。また、第1のグラフェン層115の上の図示左側には、第1の電極117が形成されており、第2のグラフェン層125の上の図示右側には、第2の電極127が形成されている。光センサ110の第1の電極117及び第2の電極127は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に接続されている。
The
基板111は、Si等により形成されており、第1の絶縁膜112及び第2の絶縁膜114は、SiO2等により形成されている。第1のバックゲート電極113及び第2のバックゲート電極123は、Au等により形成されており、第2の絶縁膜114の膜厚は、5nm以上、20nm以下である。接続電極116と、第1の電極117及び第2の電極127とは、仕事関数の異なる金属材料により形成されており、接続電極116は、Au等により形成されており、第1の電極117及び第2の電極127は、Ni等により形成されている。第1のグラフェン層115及び第2のグラフェン層125は、CVD(chemical vapor deposition:化学気相成長)等の成膜方法や転写により形成した後、所望の形状にパターンニングして形成する。尚、第1のグラフェン層115及び第2のグラフェン層125には、同じ不純物元素がドープされており、同じ導電型となっている。
The
本実施の形態における光センサ110では、第1のバックゲート電極113は、接続電極116と第1の電極117との間の直下に設けられており、第2のバックゲート電極123は、接続電極116と第2の電極127との間の直下に設けられている。
In the
第1のグラフェン層115は、第1のバックゲート電極113に電圧が印加されると、接続電極116と第1の電極117との間の光起電力が大きくなり、電圧が印加されないと、接続電極116と第1の電極117との間で光起電力が生じないように調整されている。第2のグラフェン層125は、第2のバックゲート電極123に電圧が印加されると、接続電極116と第2の電極127との間の光起電力が大きくなり、電圧が印加されないと、接続電極116と第2の電極127との間で光起電力が生じないように調整されている。
The
次に、図4に基づき、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130について説明する。図4に示されるコッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130は、2段型コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路であり、4つのダイオードと4つのコンデンサとを有している。具体的には、第1のダイオード131、第2のダイオード132、第3のダイオード133、第4のダイオード134、第1のコンデンサ141、第2のコンデンサ142、第3のコンデンサ143、第4のコンデンサ144を有している。
Next, the Cockcroft-Wolt
コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130では、第1のダイオード131のカソードと第2のダイオード132のアノードとが接続されており、第2のダイオード132のカソードと第3のダイオード133のアノードとが接続されている。また、第3のダイオード133のカソードと第4のダイオード134のアノードとが接続されており、第4のダイオード134のカソードは一方の出力端子151と接続されている。尚、他方の出力端子152は、接地電位に接続されている。
In the Cockcroft-Wolt
また、第1のダイオード131のアノードと第2のダイオード132のカソードとの間には第2のコンデンサ142が設けられている。第2のダイオード132のアノードと第3のダイオード133のカソードとの間には第3のコンデンサ143が設けられている。第3のダイオード133のアノードと第4のダイオード134のカソードとの間には第4のコンデンサ144が設けられている。
Further, a
コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の一方の入力端子153は、第1のコンデンサ141の一方の電極と接続されており、他方の入力端子154は、第1のダイオード131のアノード及び第2のコンデンサ142の一方の電極と接続されている。尚、第1のコンデンサ141の他方の電極は、第1のダイオード131のカソード、第2のダイオード132のアノード、第3のコンデンサ143の一方の電極と接続されている。
One input terminal 153 of the Cockcroft-Walt
本実施の形態においては、光センサ110の第1の電極117は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の一方の入力端子153と接続されており、内部の第1のコンデンサ141の一方の電極と接続される。また、光センサ110の第2の電極127は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の他方の入力端子154と接続されており、内部の第1のダイオード131のアノード及び第2のコンデンサ142の一方の電極と接続される。
In the present embodiment, the
バックゲート電極駆動回路160は、第1のバックゲート電極113と、第2のバックゲート電極123とに交互に電圧を印加する。印加する電圧は、例えば、10Vであり、周波数が1kHz以上、10MHz以下の交流電圧である。周波数は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に用いられているダイオードのスイッチグ速度よりも遅くする必要がある。また、本実施の形態における光センサ装置をイメージセンサに用いる場合には、イメージセンサのフレームレートよりも十分に早くする必要がある。このため、周波数は上記の範囲が好ましい。
The back gate
(光センサ装置の光検出方法)
次に、本実施の形態における光センサ装置の光検出方法について、図5に基づき説明する。本実施の形態における光センサ装置において、光検出をする際には、バックゲート電極駆動回路160を用いて、第1のバックゲート電極113と、第2のバックゲート電極123とに交互に、逆位相の電圧を印加する。
(Light detection method of optical sensor device)
Next, the light detection method of the optical sensor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the optical sensor device of the present embodiment, when performing photodetection, the back gate
具体的には、光センサ110の第1のグラフェン層115及び第2のグラフェン層125に光が照射されている状態で、第1のバックゲート電極113に、例えば、約10Vの電圧を印加すると、第1のグラフェン層115に光起電力が生じる。第2のグラフェン層125は、第2のバックゲート電極123には電圧が印加されていないため、単なる導体として機能する。よって、第1のグラフェン層115において発生した光起電力は、第1の電極117と、第2の電極127との間において生じた光起電力として、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に入力される。
Specifically, when light is applied to the
また、光センサ110の第1のグラフェン層115及び第2のグラフェン層125に光が照射されている状態で、第2のバックゲート電極123に、例えば、約10Vの電圧を印加すると、第2のグラフェン層125に光起電力が生じる。第1のグラフェン層115は、第1のバックゲート電極113には電圧が印加されていないため、単なる導体として機能する。よって、第2のグラフェン層125において発生した光起電力は、第2の電極127と、第1の電極117との間において生じた光起電力として、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に入力される。
Further, when a voltage of, for example, about 10 V is applied to the second
従って、光センサ110の第1の電極117と第2の電極127との間では、第1のバックゲート電極113に電圧を印加することにより生じる光起電力と、第2のバックゲート電極123に電圧を印加することにより生じる光起電力とは、逆極性となる。
Therefore, between the
よって、第1のバックゲート電極113及び第2のバックゲート電極123に交互に電圧を印加することにより生じた逆極性の光起電力を、図4に示されるコッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の一方の入力端子153及び他方の入力端子154に入力する。これにより、入力された光起電力は、4倍に増幅され、一方の出力端子151と他方の出力端子152の間より出力される。
Therefore, the photovoltaic power of the opposite polarity generated by alternately applying the voltage to the first
従って、本実施の形態における光センサ装置では、光センサ110の光起電力を4倍に増幅することができるため、グラフェンを用いた光センサの実用化が可能となる。また、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130は、複数のダイオードとコンデンサを用いた簡単な回路であるため、小型化が容易である。
Therefore, in the optical sensor device of the present embodiment, the photovoltaic power of the
〔第2の実施の形態〕
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における光センサ装置は、図6に示されるように、光センサ210、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130、バックゲート電極駆動回路160とを有している。
[Second Embodiment]
Next, the second embodiment will be described. As shown in FIG. 6, the optical sensor device according to the present embodiment includes an
光センサ210は、図示左側の第1の領域210Aと、図示右側の第2の領域210Bとを有している。光センサ210は、基板111の上に、第1の絶縁膜112が形成されており、第1の絶縁膜112の上の第1の領域210Aには、第1のバックゲート電極213が形成されており、第2の領域210Bには第2のバックゲート電極223が形成されている。第1のバックゲート電極213及び第2のバックゲート電極223の上には、これらを覆う第2の絶縁膜214が形成されており、第2の絶縁膜214の上には、グラフェン層215が形成されている。尚、グラフェン層215には、n型またはp型となる不純物元素がドープされている。
The
グラフェン層215の上の図示左側には、第1の電極217が形成されており、図示右側には、第2の電極227が形成されている。光センサ210の第1の電極217及び第2の電極227は、図4に示すコッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に接続されている。
A
第1のバックゲート電極213及び第2のバックゲート電極223は、同じ材料により形成されており、例えば、Au等により形成されている。また、第2の絶縁膜214の膜厚は、5nm以上、20nm以下である。グラフェン層215は、CVD等の成膜方法や転写により形成した後、所望の形状にパターンニングして形成する。
The first
第1のバックゲート電極213は、光センサ210の中央よりも第1の電極217の側の第1の領域210Aに設けられており、第2のバックゲート電極123は、光センサ210の中央よりも第2の電極227の側の第2の領域210Bに設けられている。
The first
グラフェン層215は、第1のバックゲート電極213や、第2のバックゲート電極223に電圧が印加されると、印加された部分の光起電力が大きくなるが、電圧が印加されないと、印加されない部分では光起電力が生じないように調整されている。
When a voltage is applied to the first
本実施の形態においては、光センサ210の第1の電極217は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の一方の入力端子153と接続されており、内部の第1のコンデンサ141の一方の電極と接続される。また、光センサ210の第2の電極227は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の他方の入力端子154と接続されており、内部の第1のダイオード131のアノード及び第2のコンデンサ142の一方の電極と接続される。
In this embodiment, the
(光センサ装置の光検出方法)
次に、本実施の形態における光センサ装置の光検出方法について、図7に基づき説明する。本実施の形態における光センサ装置において、光検出をする際には、バックゲート電極駆動回路160を用いて、第1のバックゲート電極213と、第2のバックゲート電極223に交互に、逆位相の電圧を印加する。
(Light detection method of optical sensor device)
Next, the light detection method of the optical sensor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 7. In the optical sensor device of the present embodiment, when performing photodetection, the back gate
具体的には、光センサ210のグラフェン層215に光が照射されている状態で、第1のバックゲート電極213に、例えば、約10Vの電圧を印加すると、グラフェン層215の第1の領域210Aにおいて光起電力が生じる。第2のバックゲート電極223には電圧が印加されていないため、グラフェン層215の第2の領域210B等は、単なる導体として機能する。よって、グラフェン層215の第1の領域210Aにおいて発生した光起電力は、第1の電極217と、グラフェン層215を介して接続される第2の電極227との間の光起電力として、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に入力される。
Specifically, when the
また、光センサ210のグラフェン層215に光が照射されている状態で、第2のバックゲート電極223に、例えば、約10Vの電圧を印加すると、グラフェン層215の第2の領域210Bにおいて光起電力が生じる。第1のバックゲート電極213には電圧が印加されていないため、グラフェン層215の第1の領域210A等は、単なる導体として機能する。よって、グラフェン層215の第2の領域210Bにおいて発生した光起電力は、第2の電極227と、グラフェン層215を介して接続される第1の電極217との間の光起電力として、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130に入力される。
Further, when a voltage of, for example, about 10 V is applied to the second
従って、光センサ210の第1の電極217と第2の電極227との間では、第1のバックゲート電極213に電圧を印加することにより生じる光起電力と、第2のバックゲート電極223に電圧を印加することにより生じる光起電力とは、逆極性となる。
Therefore, between the
よって、第1のバックゲート電極213及び第2のバックゲート電極223に交互に電圧を印加することにより生じた逆極性の光起電力を、図4に示されるコッククロフト・ウォルト電圧増倍回路130の一方の入力端子153及び他方の入力端子154に入力する。これにより、入力された光起電力は、4倍に増幅され、一方の出力端子151と他方の出力端子152の間より出力される。
Therefore, the photovoltaic power of the opposite polarity generated by alternately applying the voltage to the first
尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。 The contents other than the above are the same as those in the first embodiment.
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。 Although the embodiments have been described in detail above, the embodiments are not limited to the specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims.
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
第1のバックゲート電極及び第2のバックゲート電極と、
前記第1のバックゲート電極及び前記第2のバックゲート電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された第1のグラフェン層及び第2のグラフェン層と、
前記第1のグラフェン層と前記第2のグラフェン層とを接続する接続電極と、
前記第1のグラフェン層に接続された第1の電極と、
前記第2のグラフェン層に接続された第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に接続された電圧増倍回路と、
を有し、
前記第1のバックゲート電極は前記第1のグラフェン層の直下に設けられており、
前記第2のバックゲート電極は前記第2のグラフェン層の直下に設けられており、
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加されると、前記第1の電極と前記第2の電極との間で生じた交流電圧を前記電圧増倍回路において増幅することを特徴とする光センサ装置。
(付記2)
前記接続電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極とは、異なる仕事関数の金属により形成されていることを特徴とする付記1に記載の光センサ装置。
(付記3)
前記第1のグラフェン層と前記第2のグラフェン層には、同じ不純物元素がドープされていることを特徴とする付記1または2に記載の光センサ装置。
(付記4)
前記光は、前記接続電極と前記第1の電極との間の前記第1のグラフェン層、及び、前記接続電極と前記第2の電極との間の前記第2のグラフェン層に照射されることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の光センサ装置。
(付記5)
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加するバックゲート電極駆動回路をさらに有することを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の光センサ装置。
(付記6)
第1のバックゲート電極及び第2のバックゲート電極と、
前記第1のバックゲート電極及び前記第2のバックゲート電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成されたグラフェン層と、
前記グラフェン層の一方の側の第1の領域に接続されている第1の電極と、
前記グラフェン層の他方の側の第2の領域に接続されている第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に接続された電圧増倍回路と、
を有し、
前記第1のバックゲート電極は、前記第1の領域の前記グラフェン層の直下に設けられており、
前記第2のバックゲート電極は、前記第2の領域の前記グラフェン層の直下に設けられており、
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加されると、前記第1の電極と前記第2の電極との間で生じた交流電圧を前記電圧増倍回路において増幅することを特徴とする光センサ装置。
(付記7)
前記光は、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記グラフェン層に照射されることを特徴とする付記6に記載の光センサ装置。
(付記8)
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加するバックゲート電極駆動回路をさらに有することを特徴とする付記6または7に記載の光センサ装置。
(付記9)
前記電圧増倍回路は、コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路であることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の光センサ装置。
(付記10)
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極には、逆位相の電圧を印加することを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の光センサ装置。
(付記11)
前記第1のバックゲート電極と及び前記第2のバックゲート電極に接続されており、
前記第1のバックゲート電極と、前記第2のバックゲート電極とに、交互に電圧を印加するバックゲート電極駆動回路を有することを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の光センサ装置。
(付記12)
バックゲート電極駆動回路は、周波数が1kHz以上、10MHz以下の交流電圧を発生させることを特徴とする付記11に記載の光センサ装置。
(付記13)
前記絶縁膜の膜厚は、5nm以上、20nm以下であることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の光センサ装置。
Regarding the above explanation, the following additional notes will be further disclosed.
(Appendix 1)
With the first back gate electrode and the second back gate electrode,
An insulating film formed on the first back gate electrode and the second back gate electrode,
A first graphene layer and a second graphene layer formed on the insulating film,
A connection electrode connecting the first graphene layer and the second graphene layer,
With the first electrode connected to the first graphene layer,
With the second electrode connected to the second graphene layer,
A voltage multiplying circuit connected to the first electrode and the second electrode,
Have,
The first backgate electrode is provided directly below the first graphene layer.
The second backgate electrode is provided directly below the second graphene layer.
When a voltage is alternately applied to the first back gate electrode and the second back gate electrode, the AC voltage generated between the first electrode and the second electrode is multiplied by the voltage. An optical sensor device characterized by amplifying in a circuit.
(Appendix 2)
The optical sensor device according to Appendix 1, wherein the connection electrode, the first electrode, and the second electrode are made of metals having different work functions.
(Appendix 3)
The optical sensor device according to Appendix 1 or 2, wherein the first graphene layer and the second graphene layer are doped with the same impurity element.
(Appendix 4)
The light is applied to the first graphene layer between the connecting electrode and the first electrode, and the second graphene layer between the connecting electrode and the second electrode. The optical sensor device according to any one of Supplementary note 1 to 3, wherein the optical sensor device is characterized.
(Appendix 5)
The optical sensor device according to any one of Supplementary note 1 to 4, further comprising a back gate electrode drive circuit for alternately applying a voltage to the first back gate electrode and the second back gate electrode.
(Appendix 6)
With the first back gate electrode and the second back gate electrode,
An insulating film formed on the first back gate electrode and the second back gate electrode,
The graphene layer formed on the insulating film and
With the first electrode connected to the first region on one side of the graphene layer,
With a second electrode connected to the second region on the other side of the graphene layer,
A voltage multiplying circuit connected to the first electrode and the second electrode,
Have,
The first backgate electrode is provided directly below the graphene layer in the first region.
The second backgate electrode is provided directly below the graphene layer in the second region.
When a voltage is alternately applied to the first back gate electrode and the second back gate electrode, the AC voltage generated between the first electrode and the second electrode is multiplied by the voltage. An optical sensor device characterized by amplifying in a circuit.
(Appendix 7)
The optical sensor device according to Appendix 6, wherein the light irradiates the graphene layer between the first electrode and the second electrode.
(Appendix 8)
The optical sensor device according to Appendix 6 or 7, further comprising a back gate electrode drive circuit for alternately applying a voltage to the first back gate electrode and the second back gate electrode.
(Appendix 9)
The optical sensor device according to any one of Supplementary note 1 to 8, wherein the voltage multiplying circuit is a Cockcroft-Wolt voltage multiplying circuit.
(Appendix 10)
The optical sensor device according to any one of Supplementary Provisions 1 to 9, wherein voltages having opposite phases are applied to the first back gate electrode and the second back gate electrode.
(Appendix 11)
It is connected to the first back gate electrode and the second back gate electrode.
The optical sensor device according to any one of Supplementary note 1 to 10, further comprising a back gate electrode drive circuit for alternately applying a voltage to the first back gate electrode and the second back gate electrode. ..
(Appendix 12)
The optical sensor device according to
(Appendix 13)
The optical sensor device according to any one of Supplementary note 1 to 12, wherein the insulating film has a film thickness of 5 nm or more and 20 nm or less.
110 光センサ
110A 第1の領域
110B 第2の領域
111 基板
112 第1の絶縁膜
113 第1のバックゲート電極
114 第2の絶縁膜
115 第1のグラフェン層
116 接続電極
117 第1の電極
123 第2のバックゲート電極
125 第2のグラフェン層
127 第2の電極
130 コッククロフト・ウォルト電圧増倍回路
131 第1のダイオード
132 第2のダイオード
133 第3のダイオード
134 第4のダイオード
141 第1のコンデンサ
142 第2のコンデンサ
143 第3のコンデンサ
144 第4のコンデンサ
151 一方の出力端子
152 他方の出力端子
153 一方の入力端子
154 他方の入力端子
160 バックゲート電極駆動回路
110
Claims (9)
前記第1のバックゲート電極及び前記第2のバックゲート電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された第1のグラフェン層及び第2のグラフェン層と、
前記第1のグラフェン層と前記第2のグラフェン層とを接続する接続電極と、
前記第1のグラフェン層に接続された第1の電極と、
前記第2のグラフェン層に接続された第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に接続された電圧増倍回路と、
を有し、
前記第1のバックゲート電極は前記第1のグラフェン層の直下に設けられており、
前記第2のバックゲート電極は前記第2のグラフェン層の直下に設けられており、
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加されると、前記第1の電極と前記第2の電極との間で生じた交流電圧を前記電圧増倍回路において増幅することを特徴とする光センサ装置。 With the first back gate electrode and the second back gate electrode,
An insulating film formed on the first back gate electrode and the second back gate electrode,
A first graphene layer and a second graphene layer formed on the insulating film,
A connection electrode connecting the first graphene layer and the second graphene layer,
With the first electrode connected to the first graphene layer,
With the second electrode connected to the second graphene layer,
A voltage multiplying circuit connected to the first electrode and the second electrode,
Have,
The first backgate electrode is provided directly below the first graphene layer.
The second backgate electrode is provided directly below the second graphene layer.
When a voltage is alternately applied to the first back gate electrode and the second back gate electrode, the AC voltage generated between the first electrode and the second electrode is multiplied by the voltage. An optical sensor device characterized by amplifying in a circuit.
前記第1のバックゲート電極及び前記第2のバックゲート電極の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成されたグラフェン層と、
前記グラフェン層の一方の側の第1の領域に接続されている第1の電極と、
前記グラフェン層の他方の側の第2の領域に接続されている第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に接続された電圧増倍回路と、
を有し、
前記第1のバックゲート電極は、前記第1の領域の前記グラフェン層の直下に設けられており、
前記第2のバックゲート電極は、前記第2の領域の前記グラフェン層の直下に設けられており、
前記第1のバックゲート電極と前記第2のバックゲート電極とに交互に電圧を印加されると、前記第1の電極と前記第2の電極との間で生じた交流電圧を前記電圧増倍回路において増幅することを特徴とする光センサ装置。 With the first back gate electrode and the second back gate electrode,
An insulating film formed on the first back gate electrode and the second back gate electrode,
The graphene layer formed on the insulating film and
With the first electrode connected to the first region on one side of the graphene layer,
With a second electrode connected to the second region on the other side of the graphene layer,
A voltage multiplying circuit connected to the first electrode and the second electrode,
Have,
The first backgate electrode is provided directly below the graphene layer in the first region.
The second backgate electrode is provided directly below the graphene layer in the second region.
When a voltage is alternately applied to the first back gate electrode and the second back gate electrode, the AC voltage generated between the first electrode and the second electrode is multiplied by the voltage. An optical sensor device characterized by amplifying in a circuit.
前記第1のバックゲート電極と、前記第2のバックゲート電極とに、交互に電圧を印加するバックゲート電極駆動回路を有することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の光センサ装置。 It is connected to the first back gate electrode and the second back gate electrode.
The optical sensor according to any one of claims 1 to 7, further comprising a back gate electrode drive circuit for alternately applying a voltage to the first back gate electrode and the second back gate electrode. Device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JP7338491B2 JP7338491B2 (en) | 2023-09-05 |
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Country Status (1)
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