JP2021112036A - 電力変換装置 - Google Patents

電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021112036A
JP2021112036A JP2020002425A JP2020002425A JP2021112036A JP 2021112036 A JP2021112036 A JP 2021112036A JP 2020002425 A JP2020002425 A JP 2020002425A JP 2020002425 A JP2020002425 A JP 2020002425A JP 2021112036 A JP2021112036 A JP 2021112036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
case
semiconductor module
fixed
power conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020002425A
Other languages
English (en)
Inventor
邦宏 鈴木
Kunihiro Suzuki
邦宏 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2020002425A priority Critical patent/JP2021112036A/ja
Publication of JP2021112036A publication Critical patent/JP2021112036A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

【課題】電力変換装置の回路基板に過大な応力を招くことなく、回路基板の共振を抑制し得る技術を提供する。【解決手段】電力変換装置10は、第1方向へ延びる信号端子16を有する半導体モジュール20と、半導体モジュール20を収容するケース22と、第1方向に対して垂直に配置されており、その周縁部分の複数個所がケース22に固定されているとともに、半導体モジュール20の信号端子16が接続された回路基板26と、を備える。信号端子16は、回路基板26がケース22にのみ固定された状態で共振したときに、回路基板26に現れる定在波の腹となる位置に接続されている。【選択図】図1

Description

本明細書が開示する技術は、電力変換装置に関する。
特許文献1に、電力変換装置が開示されている。この電力変換装置は、ケースと回路基板とを備えており、回路基板の周縁部分の複数個所が、ケースに対して固定されている。ケースには、回路基板に向けて延びる配線端子が設けられており、その配線端子の先端部分が回路基板に対して固定されている。
特開2007−149747号公報
上記した電力変換装置は、比較的に振動条件が厳しい場所に配置されることも多く、比較的に弾性変形しやすい回路基板に、共振が生じることがある。この場合、ケースに固定された周縁部分を節として、回路基板には定在波が出現し、その腹となる一又は複数の箇所において、回路基板が大きく振動(即ち、変形)してしまう。そして、このような回路基板の振動は、回路基板及びその部品や、それらの接合箇所を破損させるおそれがある。これを避けるためには、回路基板の周縁部分に加えて、回路基板の中央部分についてもケースに対して固定することが考えられる。しかしながら、ケースと回路基板との間では、線膨張係数が互いに異なることから、電力変換装置の温度が上昇したときに、ケースと回路基板とのそれぞれには、互いに異なる熱変形が生じる。このとき、回路基板がケースに対して多数の箇所で固定されていると、回路基板に過大な応力が作用することによって、回路基板の破損といった前述の問題を再び招いてしまう。本明細書では、回路基板に過大な応力を招くことなく、回路基板の共振を抑制し得る技術を提供する。
本明細書が開示する電力変換装置は、第1方向へ延びる端子を有する半導体モジュールと、半導体モジュールを収容するケースと、第1方向に対して垂直に配置されており、その周縁部分の複数個所がケースに固定されているとともに、半導体モジュールの端子が接続された回路基板とを備える。端子は、回路基板がケースにのみ固定された状態で共振したときに、当該回路基板に現れる定在波の腹となる位置に接続されている。
上記した電力変換装置では、回路基板が、ケースだけでなく、半導体モジュールの端子によっても支持されている。半導体モジュールの端子は、回路基板に対して垂直に延びており、かつ、回路基板がケースにのみ固定された状態で共振したときに、当該回路基板に現れる定在波の腹となる位置に接続されている。このような構成によると、一般的に細長い部材である端子によっても、回路基板に共振が生じることを効果的に抑制することができる。加えて、端子が比較的に細長い部材であることから、ケースと回路基板との間で異なる熱変形が生じたときでも、それらの間で端子が柔軟に変形することによって、回路基板に過大な応力が生じることを避けることもできる。
なお、回路基板がケースにのみ固定された状態で共振したときに、当該回路基板に現れる定在波の腹となる位置は、回路基板等の具体的な構造によって定まるものであり、実験やシミュレーションによって一義的に求めることができる。また、半導体モジュールの端子は、電気的な機能を有する端子に限られず、電気的な機能を特に有さないダミーな端子であって、回路基板及び/又は半導体モジュールにおいて電気的に絶縁されたものでもよい。
実施例1の電力変換装置10の内部構造を模式的に示す断面図。 実施例2の電力変換装置100の内部構造を模式的に示す断面図。
(実施例1)図1を参照して、実施例1の電力変換装置10について説明する。電力変換装置10は、電気自動車、ハイブリッド自動車、燃料電池車等の電動自動車に搭載され、電源とモータジェネレータとの間で電力の変換を行う。図1に示すように、電力変換装置10は、半導体モジュール20と、ケース22と、回路基板26と、複数のボルト28を備える。半導体モジュール20は、ケース22の内部に収容されている。回路基板26は、複数のボルト28によってケース22の上方に固定される。特に限定されないが、本実施例の電力変換装置10では、ケース22内に複数の半導体モジュール20が収容されている。
電力変換装置10は、複数の冷却器(不図示)をさらに備える。半導体モジュール20と冷却器とは、図1の紙面に垂直な方向に沿って交互に積層配置されており、それらの積層体は、図示省略するばね部材によって圧縮された状態で、ケース22に対して固定されている。但し、他の実施形態として、電力変換装置10は、冷却器を必ずしも備える必要はない。また、半導体モジュール20は、冷却器とは異なる部材を介して、あるいは、他の部材を介することなく、ケース22に対して固定されてもよい。
半導体モジュール20は、半導体素子14と、複数の信号端子16と、封止体18とを備える。半導体素子14は、封止体18の内部に封止されている。封止体18は、二つの主表面18aと、端面18bを有する。二つの主表面18aは、互いに反対側に位置しており、冷却器に対向して取り付けられる。端面18bは、二つの主表面18aの間に延びている。封止体18は、絶縁材料を用いて構成されている。一例ではあるが、封止体18を構成する材料は、エポキシ樹脂といった熱硬化性の樹脂材料を用いて構成されている。
半導体素子14は、半導体基板と、二つの主電極とを有する。半導体素子14は、スイッチング素子であって、半導体基板を介して、二つの主電極間を導通及び遮断することができる。半導体素子14は、例えばMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)又はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。
複数の信号端子16は、封止体18の端面18bから突出している。また、複数の信号端子16の各々は、回路基板26に対して垂直に延びているとともに、回路基板26に接続される。複数の信号端子16の各々は、封止体18の内部において、半導体素子14の信号電極にそれぞれ電気的に接続されている。これにより、複数の信号端子16は、電力変換装置10の信号回路の一部を構成する。各々の信号端子16は、細長い板形状を有しており、自身に垂直な外力に対して、即ち、回路基板26と平行な外力に対して、比較的に低い曲げ剛性を有する。言い換えると、信号端子16は、回路基板26と平行な方向において、柔軟に変形可能な形状を有している。なお、回路基板26に対して垂直な方向は、本明細書が開示する技術における第1方向の一例である。
ケース22は、半導体モジュール20を収納する。ケース22には、上方に向けて開口22bが設けられており、その開口22bを画定する上縁22aには、複数のボルト穴22cが設けられている。複数のボルト穴22cは、後述する複数のボルト28をそれぞれ受け入れる。ここで、ケース22は、例えば鉄又は他の金属を用いて構成されている。
回路基板26は、概して板形状を有し、例えばガラスエポキシやセラミック等といった絶縁材料を用いて構成されている。回路基板26は、CPUやメモリを内蔵するコントローラ等の部品を有し、各々の半導体モジュール20に内蔵された半導体素子14の動作を制御する。回路基板26の周縁部分26eは、複数のボルト28によって、ケース22の上縁22aに固定されている。回路基板26の中央部分26cには、複数の信号端子16を受け入れる複数の貫通孔26aが設けられている。ここでいう中央部分26cとは、周縁部分26eの内側に位置する部分であって、ケース22によって直接的に支持されていない部分を意味する。半導体モジュール20の信号端子16は、貫通孔26aに挿入されて、回路基板26に接続されている。これにより、各々の半導体モジュール20は、回路基板26へ電気的に接続されている。
前述したように、回路基板26は、複数のボルト28によってケース22に固定されている。詳しくは、回路基板26は、その周縁部分26eに、回路基板26の上面から下面に亘って貫通する複数の取付穴26bを有している。複数の取付穴26bは、ケース22に設けられた複数のボルト穴22cにそれぞれ対応して設けられている。そして、複数のボルト28の各々は、回路基板26の取付穴26bを通過して、ケース22のボルト穴22cに締結されている。これにより、回路基板26は、ケース22の上縁22a上に強固に固定されている。
本実施例のような電力変換装置10は、搭載スペースの関係により、電動自動車内、特に上下に振動が発生し易い場所(例えば、車輪の周辺等)に多く配置される。そのため、比較的に弾性変形しやすい回路基板26に、共振が生じることがある。この場合、ケース22に固定された周縁部分26eを節SW1として、回路基板26には定在波SWが出現し、その腹SW2となる一又は複数の箇所において、回路基板26が大きく振動(即ち、変形)してしまう。そして、このような回路基板26の振動は、回路基板26及びその部品や、それらの接合箇所を破損させるおそれがある。これを避けるためには、回路基板26の周縁部分26eに加えて、回路基板26の中央部分26cについてもケース22に対して固定することが考えられる。しかしながら、ケース22と回路基板26との間では、線膨張係数が互いに異なることから、電力変換装置10の温度が上昇したときに、ケース22と回路基板26とのそれぞれには、互いに異なる熱変形が生じる。このとき、回路基板26がケース22に対して多数の箇所で固定されていると、回路基板26に過大な応力が作用することによって、回路基板26の破損といった前述の問題を再び招くことになる。
本実施例の電力変換装置10では、回路基板26が、ケース22だけでなく、半導体モジュール20の信号端子16によっても支持されている。半導体モジュール20の信号端子16は、回路基板26に対して垂直に延びており、かつ、回路基板26がケース22にのみ固定された状態で共振したときに、回路基板26に現れる定在波SWの腹SW2となる位置に接続されている。このような構成によると、一般的に細長い部材である信号端子16等によっても、回路基板26に共振が生じることを効果的に抑制することができる。加えて、信号端子16が比較的に細長い部材であることから、ケース22と回路基板26との間で異なる熱変形が生じたときでも、それらの間で信号端子16が柔軟に変形することによって、回路基板26に過大な応力が生じることを避けることもできる。
なお、回路基板26がケース22にのみ固定された状態で共振したときに、回路基板26に現れる定在波SWの腹SW2となる位置は、回路基板26等の具体的な構造によって定まるものであり、実験やシミュレーションによって一義的に求めることができる。また、信号端子16は、本明細書が開示する半導体モジュールの端子の一例である。半導体モジュール20の端子は、電気的な機能を有する信号端子16に限られず、電気的な機能を特に有さないダミーな端子であって、回路基板26及び/又は半導体モジュール20において電気的に絶縁されたものでもよい。
(実施例2)図2を参照して、実施例2の電力変換装置100について説明する。図2に示すように、実施例2の電力変換装置100では、半導体モジュール20が複数のダミー端子117をさらに備えている。この点においてのみ、実施例2の電力変換装置100は、実施例1の電力変換装置10と比較して異なっている。実施例2の電力変換装置100の他の部分については、実施例1の電力変換装置10と同様に構成することができるため、重複する説明を省略する。
上述したように、実施例2の電力変換装置100において、半導体モジュール20は、複数(ここでは二つ)のダミー端子117をさらに備える。ダミー端子117は、信号端子16と同様に形成することができ、ダミー端子117は、封止体18の端面18bから突出し、回路基板26に対して垂直に延びている。但し、信号端子16が半導体素子14と電気的に接続されているのに対し、ダミー端子117は、半導体素子14と電気的に絶縁されている。
実施例2の電力変換装置100においても、回路基板26が、ケース22だけでなく、半導体モジュール20の信号端子16によっても支持されている。半導体モジュール20の信号端子16は、回路基板26に対して垂直に延びており、かつ、回路基板26がケース22にのみ固定された状態で共振したときに、回路基板26に現れる定在波SWの腹SW2となる位置に接続されている。なお、この場合の定在波SWは、ケース22に固定された周縁部分26eと、信号端子16に接続された部分を節SW1として形成されている。このような構成によると、細長い部材であるダミー端子117によっても、回路基板26に共振が生じることを効果的に抑制することができる。加えて、ダミー端子117も、信号端子16と同様に、比較的に細長い部材である。従って、ケース22と回路基板26との間で異なる熱変形が生じたときでも、それらの間で信号端子16及びダミー端子117が柔軟に変形することによって、回路基板26に過大な応力が生じることを避けることもできる。
本実施例の電力変換装置10、100における信号端子16及びダミー端子117と回路基板26との間は、例えばはんだを用いて、容易に接続することができる。従って、回路基板26との接続のために、接続用のスペースを大きく設ける必要がなく、回路基板26における実効面積を比較的に広く設けることができる。また、例えば、はんだ付けといった簡易な手法で接続可能なため、専用の工具等を準備する必要もない。特に実施例1では、信号回路を構成する信号端子16を活用して回路基板26の固定をするため、工数が増大することもない。これにより、単に回路基板26の中央部分26cを固定する方法に対して、電力変換装置10、100の製造方法は、比較的に簡素化される。
本実施例の電力変換装置10、100において、半導体モジュール20は、一つの半導体素子14を備える。この半導体素子14の数は特に限定されず、半導体モジュール20は、二以上の半導体素子14を備えていてもよい。また、他の実施形態として、例えば回路基板26において横方向の振動が問題となる場合は、回路基板26の中央部分26cを、信号端子16及びダミー端子117だけでなく、それらよりも剛性の高い部材で追加的に支持してもよい。また、電力変換装置100におけるダミー端子117は、半導体モジュール20に限られず、ケース22に対して固定されていればよい。即ち、ダミー端子117は、ケース22に対して直接的に設けられたものでもよいし、ケース22に対して固定された部材(半導体モジュール20を含む)に設けられたものでもよい。
以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書、又は、図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。本明細書又は図面に例示した技術は、複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10、100:電力変換装置
14:半導体素子
16:信号端子
18:封止体
20:半導体モジュール
22:ケース
26:回路基板
26c:中央部分
26e:周縁部分
28:ボルト
117:ダミー端子
SW:定在波
SW1:節
SW2:腹

Claims (1)

  1. 第1方向へ延びる端子を有する半導体モジュールと、
    前記半導体モジュールを収容するケースと、
    前記第1方向に対して垂直に配置されており、その周縁部分の複数個所が前記ケースに固定されているとともに、前記半導体モジュールの前記端子が接続された回路基板と、
    を備え、
    前記端子は、前記回路基板が前記ケースにのみ固定された状態で共振したときに、当該回路基板に現れる定在波の腹となる位置に接続されている、
    電力変換装置。
JP2020002425A 2020-01-09 2020-01-09 電力変換装置 Pending JP2021112036A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020002425A JP2021112036A (ja) 2020-01-09 2020-01-09 電力変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020002425A JP2021112036A (ja) 2020-01-09 2020-01-09 電力変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021112036A true JP2021112036A (ja) 2021-08-02

Family

ID=77060394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020002425A Pending JP2021112036A (ja) 2020-01-09 2020-01-09 電力変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021112036A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015119536A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
JP2015126640A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
WO2016006361A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 日産自動車株式会社 電子部品の収容構造体
JP6143980B1 (ja) * 2016-03-02 2017-06-07 三菱電機株式会社 電力変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015119536A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
JP2015126640A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
WO2016006361A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 日産自動車株式会社 電子部品の収容構造体
JP6143980B1 (ja) * 2016-03-02 2017-06-07 三菱電機株式会社 電力変換装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9379083B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP7457812B2 (ja) 半導体モジュール
US8929097B2 (en) Power conversion apparatus
US8582291B2 (en) Power conversion apparatus
JP4120876B2 (ja) 半導体装置
EP2833404A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2001186778A (ja) 電力変換装置
CN110828405A (zh) 功率半导体模块以及车辆
JP5885773B2 (ja) 電力変換装置
US10600717B2 (en) Semiconductor device
JPWO2012143964A1 (ja) 半導体装置及びこれを備えたインバータ装置、並びにこれらを備えた車両用回転電機
US11495527B2 (en) Semiconductor module
US9478477B2 (en) Semiconductor device
CN110663110A (zh) 半导体功率模块
JP2020136516A (ja) 半導体モジュールとそれを用いた電力変換装置
JP2013089784A (ja) 半導体装置
US20100208438A1 (en) Method for the Production and Contacting of Electronic Components by Means of a Substrate Plate, Particularly a DCB Ceramic Substrate Plate
WO2019189450A1 (ja) 電力変換装置
US10373919B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN112509993A (zh) 半导体模块及车辆
JP4715283B2 (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JP2021112036A (ja) 電力変換装置
CN103930986A (zh) 功率转换装置
US20220165712A1 (en) Power module
JP3856799B2 (ja) 電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200720

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221011

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230404