JP2021098639A - Method of manufacturing silica glass - Google Patents

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Abstract

To provide a method of manufacturing silica glass that manufactures high-purity silica glass to be used for a semiconductor device and that reduces light element contamination of a surface layer region in the silica glass by segregating light elements such as alkali metal included in the silica glass and removing the surface layer region as an outer side part in the silica glass.SOLUTION: A method of manufacturing silica glass has a step 1 of coating a surface of the silica glass with aluminum nitrate of 40 ppm/m2 to 100 ppm/m2 per unit area, a step 2 of performing devitrification by heating the silica glass coated with the aluminum nitrate under a vacuum at 1,200 to 1,500°C for 10 to 30 hours, and a step 3 of removing a surface layer of the devitrified silica glass.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、半導体製造装置に用いられる高純度シリカガラスにおいて、アルカリ金属などの軽元素の不純物含量を低減したシリカガラスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing silica glass in which the impurity content of light elements such as alkali metals is reduced in high-purity silica glass used in a semiconductor manufacturing apparatus.

シリカガラスは、その耐熱性および高純度の点から、半導体製造の熱処理工程において、炉心管およびボートなどの治具やその他の熱処理部材に使用されている。 Silica glass is used for jigs such as core tubes and boats and other heat treatment members in the heat treatment process of semiconductor manufacturing because of its heat resistance and high purity.

しかしながら、従来の熱処理用治具には、水晶の粉末を酸水素炎または電気炉で融解して作製された溶融石英ガラスが使用されているため、熱処理される半導体ウエハに、該熱処理用治具に含まれるアルミニウム、アルカリ金属およびアルカリ土類金属などの微量不純物が1〜3ppm程度混入してしまうという問題があった。 However, since molten quartz glass produced by melting crystal powder in an acid hydrogen flame or an electric furnace is used in the conventional heat treatment jig, the heat treatment jig is applied to the semiconductor wafer to be heat-treated. There is a problem that trace impurities such as aluminum, alkali metal and alkaline earth metal contained in the above are mixed in about 1 to 3 ppm.

また、このような溶融石英ガラスで作製した、例えば、炉心管などの熱処理部材を高温下で使用した場合、粘性が低下して炉心管が変形したり、溶融石英ガラス部分の失透が促進されたりして、長時間の使用が困難という問題もあった。 Further, when a heat-treated member made of such fused silica glass, for example, such as a core tube, is used at a high temperature, the viscosity decreases, the core tube is deformed, and devitrification of the fused silica glass portion is promoted. There was also the problem that it was difficult to use for a long time.

このような変形や失透を起こす原因も、溶融石英ガラスに含まれる微量不純物にある。特に、リチウム、ナトリウムおよびカリウムなどのアルカリ金属がシリカガラスの網目構造の中に取り込まれると、シリカガラスの粘性を下げ、変形を引き起こすことがわかっている。そのため、例えば、特許文献1では、天然の水晶から得られた溶融石英ガラスに加熱下で10〜50kVの直流電圧を印加することによって、溶融石英ガラス中のリチウム、ナトリウムおよびカリウムなどのアルカリ金属と銅とを移動させて、アルカリ金属の含有量を0.5ppm以下、Cuの含有量を0.03ppmに低減するとともに、1200℃における粘性を1012ポアズ以上にすることにより、石英ガラスを純化する方法が開示されている。特許文献1では、天然の水晶に含まれる不純物のうち、高温において石英ガラス中を移動しやすい前記アルカリ金属と銅とに着目し、アルカリ金属および銅の含有量を低減している。 The cause of such deformation and devitrification is also the trace impurities contained in the fused silica glass. In particular, it has been found that when alkali metals such as lithium, sodium and potassium are incorporated into the network structure of silica glass, it reduces the viscosity of silica glass and causes deformation. Therefore, for example, in Patent Document 1, by applying a DC voltage of 10 to 50 kV to molten quartz glass obtained from natural quartz under heating, alkali metals such as lithium, sodium, and potassium in the fused silica glass can be used. Quartz glass is purified by moving it to copper to reduce the alkali metal content to 0.5 ppm or less, the Cu content to 0.03 ppm, and the viscosity at 1200 ° C to 10 12 pores or more. The method is disclosed. Patent Document 1 focuses on the alkali metal and copper, which easily move in quartz glass at high temperatures, among impurities contained in natural quartz, and reduces the contents of the alkali metal and copper.

また、石英ガラス中のリチウムは拡散移動が速く、加熱処理開始と同時に外方拡散することを利用して、特許文献2では、リチウム濃度が0.2ppm以下である石英ガラスを塩化水素ガス雰囲気で加熱処理することにより、塩素(Cl)と石英ガラス表面の金属元素とを反応させて、低沸点の塩化物を形成させ、表面より飛散させる方法が開示されている。この加熱処理方法によると、石英ガラス内部に拡散進入した塩化物イオン(Cl-)は表面から100μm以上の深さ部位まで到達して、内部にある拡散速度の小さい金属元素と反応して塩化物を形成して、該金属元素を外方拡散により除去することができる。よって、純化処理後の治具表面から100μm以上の深さ部位のナトリウムまたはカリウムの含量の増加も防止することができる。 Further, by utilizing the fact that lithium in quartz glass diffuses and moves quickly and diffuses outward at the same time as the start of heat treatment, in Patent Document 2, quartz glass having a lithium concentration of 0.2 ppm or less is subjected to a hydrogen chloride gas atmosphere. A method of reacting chlorine (Cl) with a metal element on the surface of quartz glass by heat treatment to form a chloride having a low boiling point and scattering it from the surface is disclosed. According to this heat treatment method, the quartz glass inside the diffusion enters the chloride ion (Cl -) is reached from the surface to a depth of at least part 100 [mu] m, chlorides react with a small metal element diffusion speed in the interior The metal element can be removed by outward diffusion. Therefore, it is possible to prevent an increase in the content of sodium or potassium at a depth of 100 μm or more from the surface of the jig after the purification treatment.

一方、使用後の熱処理用治具を再生する技術も報告されている。半導体製造工程で石英ガラス製治具に付着した不純物は、表面のみならず、表面に発生した微小クラックに浸透して、少なくとも表面から1μmの深さまで浸透している。特許文献3は、このような使用済み石英ガラス製治具を必要に応じてフッ酸などで洗浄した後、400〜1300℃で塩化水素ガス雰囲気にさらすことにより、表面付着不純物と内部拡散不純物とを除去する方法を開示している。 On the other hand, a technique for regenerating a heat treatment jig after use has also been reported. The impurities adhering to the quartz glass jig in the semiconductor manufacturing process permeate not only the surface but also the minute cracks generated on the surface, and permeate at least to a depth of 1 μm from the surface. In Patent Document 3, such a used quartz glass jig is washed with hydrofluoric acid or the like as necessary, and then exposed to a hydrogen chloride gas atmosphere at 400 to 1300 ° C. to obtain surface adhesion impurities and internal diffusion impurities. Discloses a method of removing.

また、石英ガラス製治具などの石英ガラス加工品の表層クリーン度を向上させる装置も開示されている(特許文献4)。特許文献4の技術では、900〜1300℃に加熱した純化処理容器内で、純化処理ガスとして塩化水素ガスや塩素原子を含むその他のガスに石英ガラス加工品をさらして、石英ガラス加工品の表層汚染を除去している。 Further, an apparatus for improving the surface cleanliness of a quartz glass processed product such as a quartz glass jig is also disclosed (Patent Document 4). In the technique of Patent Document 4, the surface layer of the quartz glass processed product is exposed to hydrogen chloride gas or other gas containing chlorine atoms as the purification treatment gas in the purified processing container heated to 900 to 1300 ° C. It is removing pollution.

特開平5−301731号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-301731 特開2006−315886号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-315886 特開2006−306675号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-306675 特開2011−6278号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-6278

しかしながら、前記したように、アルカリ金属などの軽元素は加熱されると石英ガラス内で拡散しやすく、従来技術によってはこれらの軽元素を充分に除去することができず、未だ被熱処理加工品の品質を低下させるなどの影響を及ぼしていた。
本発明では、シリカガラスの表層領域にあるアルカリ金属などの軽元素汚染を低減する、シリカガラスの製造方法を提供することを目的とする。
However, as described above, light elements such as alkali metals tend to diffuse in the quartz glass when heated, and these light elements cannot be sufficiently removed by the prior art, and the heat-treated product is still used. It had an effect such as deterioration of quality.
An object of the present invention is to provide a method for producing silica glass, which reduces contamination of light elements such as alkali metals in the surface layer region of silica glass.

本発明は、前記した従来技術における課題を解決するものであり、以下の事項からなる。
本発明のシリカガラスの製造方法は、シリカガラスの表面に単位面積当たり50ppm/m2の硝酸アルミニウムを塗布する工程1と、硝酸アルミニウムを塗布したシリカガラスを、1200〜1500℃で10〜30時間、真空雰囲気下で加熱することにより、失透させる工程2と、失透シリカガラスの表層を除去する工程3とを有することを特徴とする。
すなわち、シリカガラスの外層部にAl−同形置換により形成されたゲッタリングサイトにアルカリ金属などの軽元素を偏析させ、その後に該外層部を除去することで、シリカガラスの表層領域の軽元素汚染を低減することができる。
The present invention solves the above-mentioned problems in the prior art, and includes the following items.
In the method for producing silica glass of the present invention, the step 1 of applying 50 ppm / m 2 of aluminum nitrate per unit area to the surface of the silica glass and the silica glass coated with aluminum nitrate are applied at 1200 to 1500 ° C. for 10 to 30 hours. It is characterized by having a step 2 of devitrifying by heating in a vacuum atmosphere and a step 3 of removing the surface layer of the devitrified silica glass.
That is, light elements such as alkali metals are segregated on the gettering sites formed by Al-isomorphic substitution on the outer layer portion of the silica glass, and then the outer layer portion is removed to contaminate the surface layer region of the silica glass with light elements. Can be reduced.

本発明によれば、アルカリ金属など、軽元素の偏析現象を利用して、シリカガラスに含まれる軽元素を偏析させ、該シリカガラス内の外側部である表層領域を除去することで、特別な装置を用いなくても、安価に、該シリカガラスの表層領域の軽元素汚染を低減することができる。
本発明では、工程1および2で汚染を受けた場合であっても、最終工程である工程3で汚染除去ができるので、高純度なシリカガラスを製造することができる。
かかる方法により得られるシリカガラスは、熱処理用治具などの半導体製造装置に好適に用いられる。
According to the present invention, the light element contained in the silica glass is segregated by utilizing the segregation phenomenon of the light element such as an alkali metal, and the surface layer region which is the outer part in the silica glass is removed, which is special. Light element contamination in the surface layer region of the silica glass can be reduced at low cost without using an apparatus.
In the present invention, even when contaminated in steps 1 and 2, the decontamination can be performed in step 3, which is the final step, so that high-purity silica glass can be produced.
The silica glass obtained by such a method is suitably used for a semiconductor manufacturing apparatus such as a heat treatment jig.

図1は、シリカガラスの内側部、中間部および外側部に含まれるアルミニウムの濃度差を示す散布図を示す。FIG. 1 shows a scatter plot showing the difference in concentration of aluminum contained in the inner part, the middle part and the outer part of the silica glass. 図2は、アルミニウムの使用前および使用後で、シリカガラスの中間部および外側部に含まれるカリウム、リチウムおよびナトリウムのそれぞれの濃度(ppb)の散布図を示す。図2中、(a1)および(a2)はカリウム濃度の散布図、(b1)および(b2)はリチウム濃度の散布図、(c1)および(c2)はナトリウム濃度の散布図である。FIG. 2 shows a scatter plot of the respective concentrations (ppb) of potassium, lithium and sodium contained in the middle and outer parts of the silica glass before and after the use of aluminum. In FIG. 2, (a1) and (a2) are scatter plots of potassium concentration, (b1) and (b2) are scatter plots of lithium concentration, and (c1) and (c2) are scatter plots of sodium concentration. 図3は、シリカガラスの表面に35ppm/m2、50ppm/m2、65ppm/m2、80ppm/m2、95ppm/m2の硝酸アルミニウムを均一に塗布したときの、熱処理時間(h)および外表面失透面積比率(%)の関係(a)と、熱処理時間(h)および失透層厚さ(mm)の関係(b)とを表す図である。3, 35 ppm / m 2 on the surface of the silica glass, 50ppm / m 2, 65ppm / m 2, 80ppm / m 2, 95ppm / m when uniformly coated with aluminum nitrate 2, heat treatment time (h) and It is a figure which shows the relationship (a) of the outer surface devitrified area ratio (%), and the relationship (b) of a heat treatment time (h) and a devitrified layer thickness (mm).

以下、本発明のシリカガラスの製造方法について詳細に説明する。
本発明のシリカガラスは、シリカガラスの表面に単位面積当たり40ppm/m2以上100ppm/m2以下の硝酸アルミニウムを塗布する工程1と、硝酸アルミニウムを塗布したシリカガラスを1200〜1500℃で10〜30時間、真空雰囲気下で加熱することにより、失透させる工程2と、失透シリカガラスの表層を除去する工程3とを経て製造される。かかる方法により得られる本発明のシリカガラスは、石英ガラスとも呼ばれる高純度のシリカガラスである。
Hereinafter, the method for producing silica glass of the present invention will be described in detail.
The silica glass of the present invention comprises the step 1 of applying aluminum nitrate of 40 ppm / m 2 or more and 100 ppm / m 2 or less per unit area to the surface of the silica glass, and the silica glass coated with aluminum nitrate at 1200 to 1500 ° C. for 10 to 10. It is produced through a step 2 of devitrifying by heating in a vacuum atmosphere for 30 hours and a step 3 of removing the surface layer of the devitrified silica glass. The silica glass of the present invention obtained by such a method is a high-purity silica glass also called quartz glass.

工程1では、シリカガラスの表面に単位面積当たり40ppm/m2以上100ppm/m2以下の硝酸アルミニウムを塗布する。シリカガラスには、水晶の粉末を溶解して作製される溶融石英ガラスと、化学的に合成した不純物の少ない材料を加水分解して作製する合成石英ガラスとがある。溶融石英ガラスは耐熱性に優れ、前記のとおり半導体製造用治具類に使用されるが、原料が水晶のため金属不純物を比較的多く含む。一方、合成石英ガラスは、金属不純物をほとんど含まないことから、光学的に高い均質性が必要なレンズやプリズムなどの光学部品などに使用される。本発明では、溶融石英ガラスおよび合成石英ガラスのいずれを用いてもよいが、治具などの半導体装置の用途においては、通常は溶融石英ガラスが用いられる。 In step 1, aluminum nitrate of 40 ppm / m 2 or more and 100 ppm / m 2 or less per unit area is applied to the surface of silica glass. Silica glass includes fused silica glass produced by melting crystal powder and synthetic quartz glass produced by hydrolyzing a chemically synthesized material with few impurities. Fused quartz glass has excellent heat resistance and is used for jigs for semiconductor manufacturing as described above, but since the raw material is crystal, it contains a relatively large amount of metal impurities. On the other hand, synthetic quartz glass contains almost no metal impurities, and is therefore used for optical components such as lenses and prisms that require high optical homogeneity. In the present invention, either fused silica glass or synthetic quartz glass may be used, but fused silica glass is usually used in applications of semiconductor devices such as jigs.

硝酸アルミニウムは、通常は9水和物であるAl(NO33・9H2Oとして存在する。硝酸アルミニウムは水や、エタノールなどの水溶性の有機溶媒に溶解させて、硝酸アルミニウム溶液をシリカガラスの表面に塗布する。硝酸アルミニウム溶液の濃度は、シリカガラスの表面に単位面積当たり40ppm/m2以上100ppm/m2以下の硝酸アルミニウムを均一に塗布することができる量、すなわち、0.04g/mL以上0.1g/mL以下が好ましい。 Aluminum nitrate is usually present as a nonahydrate Al (NO 3) 3 · 9H 2 O. Aluminum nitrate is dissolved in water or a water-soluble organic solvent such as ethanol, and the aluminum nitrate solution is applied to the surface of silica glass. The concentration of the aluminum nitrate solution is an amount that allows uniform application of aluminum nitrate of 40 ppm / m 2 or more and 100 ppm / m 2 or less per unit area on the surface of silica glass, that is, 0.04 g / mL or more and 0.1 g / m. It is preferably mL or less.

なお、硝酸アルミニウムに代えて、例えば、硫酸アルミニウムまたはその他のアルミニウムを含む水溶液などを使用しても、硝酸アルミニウムを使用する場合と同様に、シリカガラス表面にアルミニウム成分を塗布することができる。 Even if, for example, an aqueous solution containing aluminum sulfate or other aluminum is used instead of aluminum nitrate, the aluminum component can be applied to the surface of the silica glass in the same manner as when aluminum nitrate is used.

塗布方法は、バルク塗布およびスプレー塗布などの溶液塗布、ならびに、粉体塗布のいずれでもよい。溶液塗布のうち、バルク塗布には、はけ塗り、カーテンフローコーティング、電着塗装、ローラーブラシ塗り、浸漬塗装およびロールコーティングなどがあり、スプレー塗布には、エアスプレー、静電塗装、エアレススプレーおよびエアエアレススプレーなどがある。 The coating method may be either solution coating such as bulk coating or spray coating, or powder coating. Among the solution coatings, bulk coating includes brush coating, curtain flow coating, electrodeposition coating, roller brush coating, immersion coating and roll coating, and spray coating includes air spray, electrostatic coating, airless spray and There is air airless spray.

溶液塗布の場合、常温乾燥または加熱乾燥により、シリカガラス上に塗布した硝酸アルミニウム溶液を硝酸アルミニウムの塗膜に変化させる。常温乾燥には、自然乾燥および紫外線・電子線を照射する方法がある。一方、加熱乾燥は、焼付乾燥とも呼ばれ、熱風、赤外線または電磁誘導などで加熱して乾燥させる方法である。 In the case of solution application, the aluminum nitrate solution applied on the silica glass is changed to an aluminum nitrate coating film by normal temperature drying or heat drying. Room temperature drying includes natural drying and irradiation with ultraviolet rays and electron beams. On the other hand, heat drying is also called baking drying, and is a method of heating and drying with hot air, infrared rays, electromagnetic induction, or the like.

硝酸アルミニウムは水溶液の形態にせず、粉体のまま塗布してもよい。その場合の塗布方法には、流動浸漬法および静電粉体塗装などがある。 Aluminum nitrate may be applied as a powder without being in the form of an aqueous solution. The coating method in that case includes a fluid immersion method and electrostatic powder coating.

本発明では、硝酸アルミニウム膜の厚さや均一性の点から、溶液塗布が好ましく、さらに安全、簡便および低コストの点から、塗布後は自然乾燥させるのが好ましい。 In the present invention, solution coating is preferable from the viewpoint of thickness and uniformity of the aluminum nitrate film, and air drying is preferable after coating from the viewpoint of safety, convenience and low cost.

硝酸アルミニウムの塗布量は、単位面積当たり40ppm/m2以上100ppm/m2以下、より好ましくは50ppm/m2以上95ppm/m2以下である。硝酸アルミニウムの塗布量が、単位面積当たり40ppm/m2未満となると、失透面積比率は小さくなり、かつ失透層厚さも薄くなる。図3は、シリカガラスの表面に35ppm/m2、50ppm/m2、65ppm/m2、80ppm/m2および95ppm/m2の硝酸アルミニウムを均一に塗布したときの、熱処理時間(h)および外表面失透面積比率(%)の関係(a)と、熱処理時間(h)および失透層厚さ(mm)の関係(b)とを表す。熱処理時間が10時間までは、硝酸アルミニウムの塗布量が50ppm/m2〜95ppm/m2のほうが35ppm/m2の場合に比べて、外表面の失透面積比率が大きく、また失透層が厚くなることがわかる。なお、熱処理時間が10時間を超えると、硝酸アルミニウムの塗布量が35ppm/m2と少なくても、徐々に失透が進行する。 The coating amount of aluminum nitrate, 40 ppm / m 2 or more per unit area 100 ppm / m 2 or less, more preferably 50 ppm / m 2 or more 95 ppm / m 2 or less. When the coating amount of aluminum nitrate is less than 40 ppm / m 2 per unit area, the devitrification area ratio becomes small and the devitrification layer thickness becomes thin. 3, 35 ppm / m 2 on the surface of the silica glass, 50ppm / m 2, 65ppm / m 2, 80ppm / m 2 and 95 ppm / m when 2 of the aluminum nitrate was uniformly applied, heat treatment time (h) and It represents the relationship (a) of the outer surface devitrification area ratio (%) and the relationship (b) between the heat treatment time (h) and the devitrification layer thickness (mm). Until the heat treatment time is 10 hours, and more coating amount of aluminum nitrate is 50ppm / m 2 ~95ppm / m 2 as compared to the case of 35 ppm / m 2, a large devitrification area ratio of the outer surface and devitrified layer is You can see that it gets thicker. When the heat treatment time exceeds 10 hours, devitrification gradually progresses even if the coating amount of aluminum nitrate is as small as 35 ppm / m 2.

工程2では、工程1で硝酸アルミニウムを表面全体に均一に塗布したシリカガラスを真空炉に入れて、102〜105Paの減圧下、1200〜1500℃で10〜30時間加熱する。1200〜1500℃の高温にさらされると、本発明のシリカガラスは、失透と呼ばれる、ガラス状態(非晶質)から安定なクリストバライト(結晶質)への転移を起こす。熱処理温度が1200℃を下回る場合、または、熱処理時間が10時間を下回る場合、アルカリ金属をシリカガラス表面まで移動させることが困難となることがある。一方、熱処理時間が1500℃を上回り、さらにシリカガラスの軟化点を超える場合、シリカガラスの形状が歪みやすくなる。なお、熱処理温度がシリカガラスの軟化点を超え、かつ、熱処理時間が30時間を超えると、シリカガラスが溶融揮発し始めるため、重量が減少する。
熱処理温度は1400℃以上1470℃以下が好ましく、熱処理時間は10〜20時間が好ましい。
In step 2, silica glass having aluminum nitrate uniformly coated on the entire surface in step 1 is placed in a vacuum furnace and heated at 1200 to 1500 ° C. for 10 to 30 hours under a reduced pressure of 10 2 to 10 5 Pa. When exposed to a high temperature of 1200 to 1500 ° C., the silica glass of the present invention undergoes a transition from a glass state (amorphous) to a stable cristobalite (crystalline), which is called devitrification. If the heat treatment temperature is lower than 1200 ° C., or if the heat treatment time is less than 10 hours, it may be difficult to move the alkali metal to the surface of the silica glass. On the other hand, when the heat treatment time exceeds 1500 ° C. and further exceeds the softening point of the silica glass, the shape of the silica glass is easily distorted. When the heat treatment temperature exceeds the softening point of the silica glass and the heat treatment time exceeds 30 hours, the silica glass begins to melt and volatilize, so that the weight is reduced.
The heat treatment temperature is preferably 1400 ° C. or higher and 1470 ° C. or lower, and the heat treatment time is preferably 10 to 20 hours.

一般に、シリカガラスの失透は1000〜1710℃で起こる。室温におけるシリカガラスは、SiO4四面体同士がランダムに結合して、四面体の連結角(Si−O−Si結合角)が145±10°に縮小した構造を持っている。シリカガラスを加熱すると、1550℃を超えるあたりから、部分的なSi−O−Si結合の切断が開始され、約1600℃で結晶化が最大となる。 Generally, devitrification of silica glass occurs at 1000-1710 ° C. Silica glass at room temperature has a structure in which SiO 4 tetrahedrons are randomly bonded to each other and the connection angle (Si—O—Si bond angle) of the tetrahedrons is reduced to 145 ± 10 °. When the silica glass is heated, partial cleavage of the Si—O—Si bond is started from around 1550 ° C., and crystallization is maximized at about 1600 ° C.

本発明の場合、シリカガラスの表面に付着した硝酸アルミニウムが失透を促進するため、結晶化が最大となる温度は1600℃より低い1400〜1470℃である。硝酸アルミニウムが失透を促進するのは、硝酸アルミニウム中のアルミニウムがガラスの網目構造を切断し、結晶の再配列を促進するためである。つまり、加熱によってSi−O−Si結合が弱くなるとともに、アルミニウムがSi−O−Si結合に接近し、アルミニウムイオン(Al3+)がシリカ(SiO2)中のケイ素イオン(Si4+)と同形置換される。SiO4四面体でSi4+→Al3+の同形置換が起こると、本来+4の電荷があるべきところに+3の電荷しかないため、周囲のO2-やOH-の負電荷が完全に中和されず、その差−1の負電荷が発生する。こうして発生した電荷が、電気的中性を保つためにゲッタリングサイトとして機能し、1価のイオンであるアルカリ金属イオン(Li+、Na+およびK+など)などの軽元素のイオンを取り込むこととなる。 In the case of the present invention, since aluminum nitrate adhering to the surface of the silica glass promotes devitrification, the temperature at which crystallization is maximized is 1400 to 1470 ° C., which is lower than 1600 ° C. Aluminum nitrate promotes devitrification because the aluminum in aluminum nitrate cuts the network structure of the glass and promotes the rearrangement of crystals. That is, the Si—O—Si bond is weakened by heating, the aluminum approaches the Si—O—Si bond, and the aluminum ion (Al 3+ ) becomes the silicon ion (Si 4+ ) in the silica (SiO 2). It is replaced by the same shape. When the SiO 4 tetrahedra isomorphous substitution of Si 4+ → Al 3+ occurs in, because there is only a charge of +3 in place should have charge of the original +4, around the O 2- and OH - of the negative charge is medium completely It is not summed and a negative charge of the difference -1 is generated. The charge generated in this way functions as a gettering site to maintain electrical neutrality, and takes in light element ions such as alkali metal ions (Li + , Na +, K +, etc.), which are monovalent ions. It becomes.

図1に、硝酸アルミニウムを塗布したシリカガラスの熱処理後のシリカガラスの内側部、中間部および外側部に含まれるアルミニウムの濃度を示す。図1より、シリカガラスの外側から中間部および内側部に向かってアルミニウム濃度が漸減していることから、硝酸アルミニウムの塗布面に近い外側部では、Al−同形置換が最も進み、ゲッタリングサイトが多く形成されるため、アルカリ金属イオンが多く取り込まれるが、中間部から内側部に向かってAl−同形置換が少なくなるため、アルカリ金属イオンの取り込み量も少なくなることがわかる。 FIG. 1 shows the concentrations of aluminum contained in the inner portion, the middle portion, and the outer portion of the silica glass coated with aluminum nitrate after the heat treatment. From FIG. 1, since the aluminum concentration gradually decreases from the outer side to the middle part and the inner part of the silica glass, Al-isomorphic substitution proceeds most in the outer part near the coated surface of aluminum nitrate, and the gettering site is formed. Since a large amount is formed, a large amount of alkali metal ions are taken in, but it can be seen that the amount of alkali metal ions taken in is also small because Al-isomorphic substitution is reduced from the intermediate portion to the inner portion.

図2は、表面に硝酸アルミニウムを塗布して製造したシリカガラス(図2中、「使用後」と表示)と、塗布しないシリカガラス(図2中、「使用前」と表示)とにおいて、シリカガラス外側部および中間部におけるリチウム、ナトリウムおよびカリウムの含有量を示している。アルミニウムを使用しないシリカガラスでは、シリカガラス外側部および中間部のいずれにもリチウム、ナトリウムおよびカリウムが満遍なく散在するのに対して、アルミニウムを使用したシリカガラスでは、Al−同形置換によって形成されたゲッタリングサイトに、リチウム、ナトリウムおよびカリウムが引き寄せられて取り込まれる、いわゆる偏析現象を生じるため、中間部に比べて外側部に、リチウム、ナトリウムおよびカリウムが多く存在する傾向にある。つまり、本発明のシリカガラスでは、リチウム、ナトリウムおよびカリウムが中間部に少なく、外側部に多く存在している。 FIG. 2 shows silica in silica glass manufactured by coating aluminum nitrate on the surface (indicated as “after use” in FIG. 2) and silica glass not coated (indicated as “before use” in FIG. 2). It shows the contents of lithium, sodium and potassium in the outer and middle parts of the glass. In silica glass that does not use aluminum, lithium, sodium, and potassium are evenly scattered in both the outer and middle parts of the silica glass, whereas in silica glass that uses aluminum, getters formed by Al-isomorphic substitution. Since a so-called segregation phenomenon occurs in which lithium, sodium and potassium are attracted and incorporated into the ring site, a large amount of lithium, sodium and potassium tends to be present in the outer portion as compared with the intermediate portion. That is, in the silica glass of the present invention, lithium, sodium and potassium are abundant in the middle portion and abundant in the outer portion.

なお、前記失透化処理は真空炉内で行う。硝酸アルミニウムを表面全体に均一に塗布したシリカガラスを真空炉に入れることで、シリカガラス表面の酸化や浸炭といった雰囲気からのシリカガラスへの汚染がなく、清浄な表面をもつシリカガラスが得られるためである。 The devitrification treatment is performed in a vacuum furnace. By putting silica glass in which aluminum nitrate is uniformly applied to the entire surface in a vacuum furnace, silica glass with a clean surface can be obtained without contamination of the silica glass from the atmosphere such as oxidation and charcoalization of the silica glass surface. Is.

加熱後、真空炉内から失透シリカガラスを取り出して、その表層を除去する。工程3は、ゲッタリングによってアルカリ金属が多く取り込まれた失透シリカガラスの外側部を除去する工程である。工程3を行うために、本発明に係るシリカガラスは規格より多少肉厚なものであることが好ましい。具体的には、失透シリカガラスのうち、アルカリ金属が多く取り込まれた外側部をウォータージェットを用いて研削する。このようにして得られた本発明のシリカガラスは、その外側表面から内側までのナトリウム、リチウムおよびカリウムKなどのアルカリ金属の濃度が0.01ppm以下であり、かつ、外側表面から内側に向かって漸増する濃度分布を有する。アルカリ金属の濃度はレーザーアブレーションICP質量分析法(LA−ICP−MS)により測定する。 After heating, the devitrified silica glass is taken out from the vacuum furnace and the surface layer thereof is removed. Step 3 is a step of removing the outer portion of the devitrified silica glass in which a large amount of alkali metal is incorporated by gettering. In order to carry out step 3, it is preferable that the silica glass according to the present invention is slightly thicker than the standard. Specifically, of the devitrified silica glass, the outer portion in which a large amount of alkali metal is incorporated is ground by using a water jet. The silica glass of the present invention thus obtained has a concentration of alkali metals such as sodium, lithium and potassium K from the outer surface to the inner side of 0.01 ppm or less, and from the outer surface toward the inner side. It has an increasing concentration distribution. The concentration of alkali metal is measured by laser ablation ICP mass spectrometry (LA-ICP-MS).

前記のとおり、本発明のシリカガラスの製造方法では、シリカガラスに含まれるアルカリ金属を偏析させ、該シリカガラス内の表層領域である外側部を除去することで、特別な装置を用いることなく、安価に、該シリカガラス内の外側部のアルカリ金属による汚染を低減することができる。かかる方法により得られるシリカガラスは高純度であり、熱処理用治具などの半導体製造装置に好適に用いられる。 As described above, in the method for producing silica glass of the present invention, the alkali metal contained in the silica glass is segregated and the outer portion which is the surface layer region in the silica glass is removed without using a special device. At low cost, it is possible to reduce the contamination of the outer side of the silica glass by the alkali metal. Silica glass obtained by such a method has high purity and is suitably used for semiconductor manufacturing equipment such as heat treatment jigs.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。
[実施例1]
シリカガラスの表面に、硝酸アルミニウム・9水和物(Al(NO3)3・9H2O)5gを純水100mLに溶解させた0.05g/mL水溶液をスプレー噴射により塗布して乾燥させた後、真空炉内に入れて、10Pa下に1400℃で3時間加熱した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to the following examples.
[Example 1]
On the surface of the silica glass and aluminum nitrate nonahydrate (Al (NO 3) 3 · 9H 2 O) 0.05g / mL aqueous solution of 5g dissolved in pure water 100mL dried applied by spraying after, placed in a vacuum furnace, and heated 3 hours at 1400 ° C. under 10 5 Pa.

次いで、加熱後のシリカガラスで発生した失透について、失透発生部および失透未発生部にレーザーアブレーション(Laser Ablation)によるICP質量分析により評価した。
失透部はアルミニウムが付着しており、同失透部からはアルミニウム以外に、シリカガラス中の移動速度が速いアルカリ金属であるナトリウムおよびリチウムが失透前よりも増加していることが確認された。
Next, the devitrification generated in the silica glass after heating was evaluated by ICP mass analysis by laser ablation in the devitrified portion and the devitrified non-generated portion.
Aluminum is attached to the devitrified part, and it was confirmed from the devitrified part that sodium and lithium, which are alkali metals having a high moving speed in silica glass, are increased in addition to aluminum from the devitrified part. It was.

[実施例2〜4]
実施例1と同様に、シリカガラスの表面に硝酸アルミニウム濃度を0.065g/mL、0.08g/mL、0.095g/mLと変化させた水溶液をスプレー噴射により塗布して乾燥させた後、真空炉内に入れて、105Pa下に1400℃で3時間加熱した。
[Examples 2 to 4]
Similar to Example 1, an aqueous solution in which the aluminum nitrate concentration was changed to 0.065 g / mL, 0.08 g / mL, and 0.095 g / mL was applied to the surface of the silica glass by spray injection and dried, and then dried. placed in a vacuum oven, and heated for 3 hours at 1400 ° C. under 10 5 Pa.

実施例1と同様に評価したところ、失透部はアルミニウムが付着しており、同失透部からはアルミニウム以外に、シリカガラス中の移動速度が速いアルカリ金属であるナトリウムおよびリチウムが失透前よりも増加していることが確認された。 When evaluated in the same manner as in Example 1, aluminum was attached to the devitrified portion, and sodium and lithium, which are alkali metals having a high moving speed in silica glass, were not devitrified from the devitrified portion in addition to aluminum. It was confirmed that it increased more than.

[比較例1]
シリカガラスの表面に、硝酸アルミニウム濃度0.035g/mL水溶液をスプレー噴射により塗布して乾燥させた後、真空炉内に入れて、105Pa下に1400℃で3時間加熱した。
[Comparative Example 1]
On the surface of the silica glass, after the aluminum nitrate concentration 0.035 g / mL solution was applied and dried by spraying and placed in a vacuum furnace, and heated 3 hours at 1400 ° C. under 10 5 Pa.

実施例1と同様に評価したところ、失透部の厚さが薄く、同失透部からはアルミニウム、ナトリウムおよびリチウムは失透前と同程度の量しか検出されなかった。 When evaluated in the same manner as in Example 1, the thickness of the devitrified portion was thin, and aluminum, sodium, and lithium were detected in the devitrified portion in the same amounts as before devitrification.

[比較例2]
シリカガラスの表面に、硝酸アルミニウム濃度0.11g/mL水溶液をスプレー噴射により塗布して乾燥させた後、真空炉内に入れて、105Pa下に1400℃で3時間加熱した。
[Comparative Example 2]
On the surface of the silica glass, after the aluminum nitrate concentration 0.11 g / mL aqueous solution was applied and dried by spraying and placed in a vacuum furnace, and heated 3 hours at 1400 ° C. under 10 5 Pa.

実施例1と同様に評価したところ、失透部の厚さが厚くなり過ぎ、クラックが生じていた。 When the evaluation was carried out in the same manner as in Example 1, the thickness of the devitrified portion became too thick and cracks were generated.

Claims (1)

シリカガラスの表面に単位面積当たり40ppm/m2以上100ppm/m2以下の硝酸アルミニウムを塗布する工程1と、
硝酸アルミニウムを塗布したシリカガラスを、1200〜1500℃で10〜30時間、真空雰囲気下で加熱することにより、失透させる工程2と、
失透シリカガラスの表層を除去する工程3と、を有するシリカガラスの製造方法。
Step 1 of applying aluminum nitrate of 40 ppm / m 2 or more and 100 ppm / m 2 or less per unit area to the surface of silica glass,
Step 2 of devitrifying silica glass coated with aluminum nitrate by heating it at 1200 to 1500 ° C. for 10 to 30 hours in a vacuum atmosphere.
A method for producing silica glass, which comprises step 3 of removing the surface layer of devitrified silica glass.
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