JP2021087975A - Laser machining device - Google Patents

Laser machining device Download PDF

Info

Publication number
JP2021087975A
JP2021087975A JP2019219669A JP2019219669A JP2021087975A JP 2021087975 A JP2021087975 A JP 2021087975A JP 2019219669 A JP2019219669 A JP 2019219669A JP 2019219669 A JP2019219669 A JP 2019219669A JP 2021087975 A JP2021087975 A JP 2021087975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis direction
laser beam
mask plate
laser
moving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019219669A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
翼 小幡
Tsubasa Obata
翼 小幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2019219669A priority Critical patent/JP2021087975A/en
Publication of JP2021087975A publication Critical patent/JP2021087975A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To finely match a center of slit width and a center of a laser beam.SOLUTION: A control portion 54 adjusts a position in a W-axis direction of a mask plate 70 so as to maximize the energy amount of a laser beam L. Therefore, a center So of a slit S2 and a center Lo of an optical axis of the laser beam L are matched, and an end portion of the laser beam L is symmetrically shielded by the slit S2. Consequently, an energy distribution of the laser beam L becomes symmetric in the W-axis direction. Therefore, a division groove having a proper shape can be formed in a wafer.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、レーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus.

特許文献1に開示のレーザー加工装置では、ウェーハにレーザービームを照射することによって、ウェーハをアブレーション加工して、X軸方向に延在する分割溝を形成する。形成された分割溝に沿ってウェーハを分割することによって、ウェーハを小片化したチップを製造している。 In the laser processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the wafer is ablated by irradiating the wafer with a laser beam to form a dividing groove extending in the X-axis direction. By dividing the wafer along the formed dividing groove, a chip in which the wafer is fragmented is manufactured.

分割溝の幅は、チップを多く生産するために、狭くされる。このために、形成される分割溝幅に対応した幅を有するスリットが用いられる。スリットを通過することによって幅が狭くなったレーザービームを、ウェーハに照射することによって、幅の狭い分割溝を形成することができる。 The width of the dividing groove is narrowed in order to produce a large number of chips. For this purpose, a slit having a width corresponding to the width of the divided groove to be formed is used. By irradiating the wafer with a laser beam whose width is narrowed by passing through the slit, a narrow dividing groove can be formed.

このようなスリットを用いるために、スリットが形成された板(マスク板)が採用されている。従来、マスク板には、特許文献1および特許文献2に開示のように、幅の異なる複数のスリットが並んで配置されている。マスク板を移動させることにより、使用されるスリットが切り換えられる。 In order to use such a slit, a plate (mask plate) in which the slit is formed is adopted. Conventionally, as disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, a plurality of slits having different widths are arranged side by side on the mask plate. By moving the mask plate, the slit used can be switched.

特開2010−158710号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-158710 特開2010−089094号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-089094

しかし、連続的なレーザー加工による加工熱の影響および時間経過によって、レーザー発振器から発振されるレーザービームの光軸がずれて、レーザービームの中心とスリットの中心とがずれる事がある。このような中心ズレが生じると、スリットを通過したレーザービームの出力が、スリットの幅方向で均一にならない。このため、形成された溝に、溝の幅方向において深さ差が生じる(溝の底面が凸凹に形成され溝が歪になる)など、加工不良が発生する可能性がある。 However, due to the influence of processing heat due to continuous laser processing and the passage of time, the optical axis of the laser beam oscillated from the laser oscillator may shift, and the center of the laser beam and the center of the slit may shift. When such a center shift occurs, the output of the laser beam that has passed through the slit is not uniform in the width direction of the slit. For this reason, there is a possibility that processing defects may occur in the formed groove, such as a depth difference in the width direction of the groove (the bottom surface of the groove is formed unevenly and the groove becomes distorted).

したがって、本発明の目的は、スリット幅の中心とレーザービームの中心とを良好に一致させることにある。 Therefore, an object of the present invention is to make the center of the slit width and the center of the laser beam match well.

本発明のレーザー加工装置(本レーザー加工装置)は、該保持面によって被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物をレーザービームの照射によって加工するレーザー加工手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して該保持面に平行なX軸方向に移動させるX軸移動手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して該保持面に平行で該X軸方向に直交するY軸方向に移動させるY軸移動手段と、を備えるレーザー加工装置であって、該レーザー加工手段は、該レーザービームを発振するレーザー発振器と、該レーザー発振器から発振されたレーザービームを集光する集光器と、該レーザー発振器と該集光器との間に配設され、該レーザービームの光軸方向に直交する方向であるW軸方向における該レーザービームのエネルギー分布を、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正するエネルギー分布修正手段と、を備え、該エネルギー分布修正手段は、該X軸方向の第1幅と該W軸方向における互いに異なる第2幅とによって画定される矩形に形成された複数のスリットが、該W軸方向に所定の間隔で配置されているマスク板と、該マスク板を該W軸方向に移動させるマスク板移動手段と、該集光器により集光されたレーザービームのエネルギー量を測定するパワーメータと、を備え、制御手段をさらに有しており、該制御手段は、該スリットと該マスク板に配置されている該スリットの位置とを示した配置表と、該マスク板に配置された複数の該スリットの内の1つを選択する選択部と、該選択部によって選択された該スリットを該レーザービームの光軸に進入させるように、該マスク板移動手段を用いて該マスク板を該W軸方向に移動させること、および、該マスク板を、該W軸方向において、−W方向および+W方向にそれぞれ連続的に移動させながら、該パワーメータによって該レーザービームのエネルギー量を測定し、該レーザービームのエネルギー量が最大となるように、該マスク板の該W軸方向における位置を調整すること、を実施する制御部と、を備える。 The laser processing apparatus of the present invention (the present laser processing apparatus) includes a chuck table that holds a work piece by the holding surface and a laser processing means that processes the work piece held by the chuck table by irradiating a laser beam. An X-axis moving means for moving the chuck table in the X-axis direction parallel to the holding surface with respect to the laser processing means, and an X-axis moving means for moving the chuck table parallel to the holding surface with respect to the laser processing means. A laser processing apparatus including a Y-axis moving means for moving in the Y-axis direction orthogonal to the direction, wherein the laser processing means includes a laser oscillator that oscillates the laser beam and a laser beam oscillated from the laser oscillator. The energy distribution of the laser beam in the W-axis direction, which is arranged between the laser oscillator and the concentrator and is orthogonal to the optical axis direction of the laser beam. An energy distribution correcting means for correcting a Gaussian distribution having a vertical base portion is provided, and the energy distribution correcting means is defined by a first width in the X-axis direction and a second width different from each other in the W-axis direction. A plurality of rectangular slits are collected by a mask plate arranged at predetermined intervals in the W-axis direction, a mask plate moving means for moving the mask plate in the W-axis direction, and a condenser. It is equipped with a power meter for measuring the amount of energy of the emitted laser beam, and further has a control means, and the control means indicates the slit and the position of the slit arranged on the mask plate. A selection table for selecting one of the plurality of slits arranged on the mask plate, and the slit selected by the selection unit so as to enter the optical axis of the laser beam. The mask plate is moved in the W-axis direction by using the mask plate moving means, and the mask plate is continuously moved in the −W direction and the + W direction in the W-axis direction. It is provided with a control unit that measures the energy amount of the laser beam with a power meter and adjusts the position of the mask plate in the W-axis direction so that the energy amount of the laser beam is maximized. ..

本レーザー加工装置では、制御部は、レーザービームのエネルギー量が最大となるように、マスク板のW軸方向における位置を調整する。これにより、選択されたスリットの中心と、レーザービームの光軸の中心とが一致し、レーザービームの端部が、スリットによって、対称的に遮られる。その結果、レーザービームのエネルギー分布が、W軸方向において対称となる。これにより、被加工物に、適切な形状を有する分割溝を形成することができる。 In this laser processing apparatus, the control unit adjusts the position of the mask plate in the W-axis direction so that the amount of energy of the laser beam is maximized. As a result, the center of the selected slit coincides with the center of the optical axis of the laser beam, and the end portion of the laser beam is symmetrically blocked by the slit. As a result, the energy distribution of the laser beam becomes symmetrical in the W-axis direction. As a result, a dividing groove having an appropriate shape can be formed on the workpiece.

また、本レーザー加工装置では、選択されたスリットをレーザービームの光軸に進入させるためにマスク板を移動させる方向が、X軸方向に直交するW軸方向である。このため、マスク板の移動に伴って、スリットの中心とレーザービームの光軸の中心とがX軸方向にずれることを、抑制することができる。 Further, in this laser processing apparatus, the direction in which the mask plate is moved in order to allow the selected slit to enter the optical axis of the laser beam is the W-axis direction orthogonal to the X-axis direction. Therefore, it is possible to prevent the center of the slit and the center of the optical axis of the laser beam from shifting in the X-axis direction as the mask plate moves.

また、本レーザー加工装置では、スリットの中心とレーザービームの光軸の中心とを一致させるためにマスク板の位置を調整する方向も、W軸方向である。このため、1つの移動手段であるマスク板移動手段によって、マスク板の移動および調整を実施することができる。これにより、装置を簡素化することが可能になる。また、移動手段を少なくしたことにより、レーザー加工手段への熱影響を小さくすることができる。その結果、高精度なレーザー加工を実現することができる。 Further, in this laser processing apparatus, the direction of adjusting the position of the mask plate in order to match the center of the slit with the center of the optical axis of the laser beam is also the W-axis direction. Therefore, the mask plate can be moved and adjusted by one moving means, the mask plate moving means. This makes it possible to simplify the device. Further, by reducing the number of transportation means, the heat effect on the laser processing means can be reduced. As a result, high-precision laser machining can be realized.

レーザー加工装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the laser processing apparatus. エネルギー分布修正手段の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the energy distribution correction means. マスク板におけるスリットの中心とレーザービームの中心とがずれている状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which the center of a slit in a mask plate is deviated from the center of a laser beam. 図3に示した状態におけるレーザービームのエネルギー分布を示すグラフである。It is a graph which shows the energy distribution of a laser beam in the state shown in FIG. マスク板におけるスリットの中心とレーザービームの中心とが一致している状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which the center of a slit in a mask plate and the center of a laser beam coincide with each other. 図5に示した状態におけるレーザービームのエネルギー分布を示すグラフである。It is a graph which shows the energy distribution of a laser beam in the state shown in FIG.

図1に示すレーザー加工装置10は、レーザービームによるアブレーション加工によって、ウェーハ1に分割溝を形成するものである。 The laser processing apparatus 10 shown in FIG. 1 forms a dividing groove in the wafer 1 by ablation processing with a laser beam.

レーザー加工装置10は、直方体状の基台11、基台11の一端に立設された立壁部13、および、レーザー加工装置10の各部材を制御する制御手段51を備えている。 The laser processing device 10 includes a rectangular parallelepiped base 11, a vertical wall portion 13 erected at one end of the base 11, and a control means 51 for controlling each member of the laser processing device 10.

基台11の上面には、チャックテーブル43を移動させるチャックテーブル移動機構14が設けられている。チャックテーブル移動機構14は、チャックテーブル43を、X軸方向に加工送りするとともに、X軸方向に直交するY軸方向にインデックス送りする。 A chuck table moving mechanism 14 for moving the chuck table 43 is provided on the upper surface of the base 11. The chuck table moving mechanism 14 processes and feeds the chuck table 43 in the X-axis direction and index feeds in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.

チャックテーブル移動機構14は、チャックテーブル43を備えたチャックテーブル部40、チャックテーブル43をインデックス送り方向であるY軸方向に移動させるY軸移動手段20、および、チャックテーブル43を加工送り方向であるX軸方向に移動させるX軸移動手段30を備えている。チャックテーブル43は、ウェーハ1を保持するための保持面44を備えている。 The chuck table moving mechanism 14 is a chuck table portion 40 provided with a chuck table 43, a Y-axis moving means 20 for moving the chuck table 43 in the Y-axis direction which is the index feed direction, and a chuck table 43 in the machining feed direction. The X-axis moving means 30 for moving in the X-axis direction is provided. The chuck table 43 includes a holding surface 44 for holding the wafer 1.

Y軸移動手段20は、チャックテーブル43を、レーザー加工手段12に対して、保持面44に平行でX軸方向に直交するY軸方向に移動させる。 The Y-axis moving means 20 moves the chuck table 43 with respect to the laser processing means 12 in the Y-axis direction parallel to the holding surface 44 and orthogonal to the X-axis direction.

Y軸移動手段20は、Y軸方向に延びる一対のガイドレール23、ガイドレール23に載置されたY軸テーブル24、ガイドレール23と平行に延びるボールネジ25、および、ボールネジ25を回転させる駆動モータ26を含んでいる。 The Y-axis moving means 20 includes a pair of guide rails 23 extending in the Y-axis direction, a Y-axis table 24 mounted on the guide rails 23, a ball screw 25 extending in parallel with the guide rail 23, and a drive motor for rotating the ball screw 25. 26 is included.

一対のガイドレール23は、Y軸方向に平行に、基台11の上面に配置されている。Y軸テーブル24は、一対のガイドレール23上に、これらのガイドレール23に沿ってスライド可能に設置されている。Y軸テーブル24上には、X軸移動手段30およびチャックテーブル部40が載置されている。 The pair of guide rails 23 are arranged on the upper surface of the base 11 in parallel with the Y-axis direction. The Y-axis table 24 is slidably installed on the pair of guide rails 23 along the guide rails 23. The X-axis moving means 30 and the chuck table portion 40 are placed on the Y-axis table 24.

ボールネジ25は、Y軸テーブル24の下面側に設けられたナット部(図示せず)に螺合されている。駆動モータ26は、ボールネジ25の一端部に連結されており、ボールネジ25を回転駆動する。ボールネジ25が回転駆動されることで、Y軸テーブル24、X軸移動手段30およびチャックテーブル部40が、ガイドレール23に沿って、インデックス送り方向(Y軸方向)に移動する。 The ball screw 25 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the lower surface side of the Y-axis table 24. The drive motor 26 is connected to one end of the ball screw 25 and rotationally drives the ball screw 25. When the ball screw 25 is rotationally driven, the Y-axis table 24, the X-axis moving means 30, and the chuck table portion 40 move along the guide rail 23 in the index feed direction (Y-axis direction).

X軸移動手段30は、チャックテーブル43を、レーザー加工手段12に対して、保持面44に平行なX軸方向に移動させる。 The X-axis moving means 30 moves the chuck table 43 with respect to the laser processing means 12 in the X-axis direction parallel to the holding surface 44.

X軸移動手段30は、X軸方向に延びる一対のガイドレール31、ガイドレール31上に載置されたX軸テーブル32、ガイドレール31と平行に延びるボールネジ33、および、ボールネジ33を回転させる駆動モータ35を備えている。 The X-axis moving means 30 is a drive for rotating a pair of guide rails 31 extending in the X-axis direction, an X-axis table 32 mounted on the guide rail 31, a ball screw 33 extending in parallel with the guide rail 31, and a ball screw 33. It includes a motor 35.

一対のガイドレール31は、X軸方向に平行に、Y軸テーブル24の上面に配置されている。X軸テーブル32は、一対のガイドレール31上に、これらのガイドレール31に沿ってスライド可能に設置されている。X軸テーブル32上には、チャックテーブル部40およびパワーメータ80が載置されている。 The pair of guide rails 31 are arranged on the upper surface of the Y-axis table 24 in parallel with the X-axis direction. The X-axis table 32 is slidably installed on the pair of guide rails 31 along the guide rails 31. A chuck table portion 40 and a power meter 80 are placed on the X-axis table 32.

ボールネジ33は、X軸テーブル32の下面側に設けられたナット部(図示せず)に螺合されている。駆動モータ35は、ボールネジ33の一端部に連結されており、ボールネジ33を回転駆動する。ボールネジ33が回転駆動されることで、X軸テーブル32およびチャックテーブル部40が、ガイドレール31に沿って、加工送り方向(X軸方向)に移動する。 The ball screw 33 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the lower surface side of the X-axis table 32. The drive motor 35 is connected to one end of the ball screw 33 and rotationally drives the ball screw 33. When the ball screw 33 is rotationally driven, the X-axis table 32 and the chuck table portion 40 move along the guide rail 31 in the machining feed direction (X-axis direction).

チャックテーブル部40は、被加工物の一例としてのウェーハ1を保持するために用いられる。図1に示すように、ウェーハ1は、リングフレームF、粘着テープTおよびウェーハ1を含むワークセットWSとして、チャックテーブル部40に保持される。 The chuck table portion 40 is used to hold the wafer 1 as an example of the workpiece. As shown in FIG. 1, the wafer 1 is held by the chuck table portion 40 as a work set WS including the ring frame F, the adhesive tape T, and the wafer 1.

チャックテーブル部40は、ウェーハ1を保持するチャックテーブル43、チャックテーブル43の周囲に設けられたクランプ部45、および、チャックテーブル43を支持するθテーブル47を有している。θテーブル47は、X軸テーブル32の上面に、XY平面内で回転可能に設けられている。
チャックテーブル43は、ウェーハ1を吸着保持するための部材である。チャックテーブル43は、円板状に形成されており、θテーブル47上に設けられている。
The chuck table portion 40 has a chuck table 43 for holding the wafer 1, a clamp portion 45 provided around the chuck table 43, and a θ table 47 for supporting the chuck table 43. The θ table 47 is rotatably provided on the upper surface of the X-axis table 32 in the XY plane.
The chuck table 43 is a member for sucking and holding the wafer 1. The chuck table 43 is formed in a disk shape and is provided on the θ table 47.

チャックテーブル43の上面には、ポーラスセラミックス材を含む保持面44が形成されている。この保持面44は、吸引源(図示せず)に連通されることが可能である。チャックテーブル43の周囲には、支持アームを含む4つのクランプ部45が設けられている。4つのクランプ部45は、エアアクチュエータ(図示せず)により駆動されることで、チャックテーブル43に保持されているウェーハ1の周囲のリングフレームFを、四方から挟持固定する。 A holding surface 44 containing a porous ceramic material is formed on the upper surface of the chuck table 43. The holding surface 44 can be communicated with a suction source (not shown). Four clamp portions 45 including a support arm are provided around the chuck table 43. The four clamp portions 45 are driven by an air actuator (not shown) to clamp and fix the ring frame F around the wafer 1 held on the chuck table 43 from all sides.

レーザー加工装置10の立壁部13は、チャックテーブル移動機構14の後方に立設されている。立壁部13の前面に、レーザー加工手段12が設けられている。 The vertical wall portion 13 of the laser processing device 10 is erected behind the chuck table moving mechanism 14. A laser processing means 12 is provided on the front surface of the vertical wall portion 13.

レーザー加工手段12は、チャックテーブル43に保持されたウェーハ1を、レーザービームを照射することによって加工する。本実施形態では、レーザー加工手段12は、ウェーハ1をレーザービームによってアブレーション加工することによって、ウェーハ1に分割溝を形成する。 The laser processing means 12 processes the wafer 1 held on the chuck table 43 by irradiating the wafer 1 with a laser beam. In the present embodiment, the laser processing means 12 forms a dividing groove in the wafer 1 by ablating the wafer 1 with a laser beam.

レーザー加工手段12は、ウェーハ1にレーザービームを照射する加工ヘッド18、および、加工ヘッド18を支持するアーム部17を有している。 The laser processing means 12 has a processing head 18 that irradiates the wafer 1 with a laser beam, and an arm portion 17 that supports the processing head 18.

アーム部17は、立壁部13から、チャックテーブル移動機構14の方向に突出している。加工ヘッド18は、チャックテーブル移動機構14におけるチャックテーブル部40のチャックテーブル43あるいはパワーメータ80に対向するように、アーム部17の先端に支持されている。 The arm portion 17 projects from the standing wall portion 13 in the direction of the chuck table moving mechanism 14. The processing head 18 is supported by the tip of the arm portion 17 so as to face the chuck table 43 or the power meter 80 of the chuck table portion 40 in the chuck table moving mechanism 14.

アーム部17および加工ヘッド18の内部には、レーザー加工手段12の光学系が設けられている。 The optical system of the laser processing means 12 is provided inside the arm portion 17 and the processing head 18.

図1および図2に示すように、レーザー加工手段12は、アーム部17内に、レーザービームLを発振するレーザー発振器61、レーザー発振器61から発振されたレーザービームを平行光に調整するためのビームエキスパンダ62、および、レーザービームLのエネルギー分布を修正するエネルギー分布修正器63を備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the laser processing means 12 has a laser oscillator 61 that oscillates the laser beam L and a beam for adjusting the laser beam oscillated from the laser oscillator 61 into parallel light in the arm portion 17. It includes an expander 62 and an energy distribution corrector 63 that corrects the energy distribution of the laser beam L.

また、図2に示すように、レーザー加工手段12は、加工ヘッド18内に、レーザービームLを反射する反射ミラー65、および、レーザービームLを集光して出力する集光器(集光レンズ)66を有している。 Further, as shown in FIG. 2, the laser processing means 12 includes a reflection mirror 65 that reflects the laser beam L and a condenser (condensing lens) that condenses and outputs the laser beam L in the processing head 18. ) 66.

レーザー発振器61は、たとえば固体レーザー光源である。レーザー発振器61は、アーム部17内において、−Y方向にレーザービームLを発振する。レーザービームLのエネルギー分布は、ガウシアン分布によって近似することができる。したがって、レーザービームLのエネルギーは、W軸方向の断面では、矢印Aに示すような分布を有する。 The laser oscillator 61 is, for example, a solid-state laser light source. The laser oscillator 61 oscillates the laser beam L in the −Y direction in the arm portion 17. The energy distribution of the laser beam L can be approximated by the Gaussian distribution. Therefore, the energy of the laser beam L has a distribution as shown by arrow A in the cross section in the W-axis direction.

ここで、W軸方向は、レーザービームLの光軸方向(進行方向)に直交するとともに、加工送り方向であるX軸方向(図2の紙面に垂直な方向)に直交する方向である。したがって、W軸方向は、アーム部17内ではZ軸方向と一致し、加工ヘッド18内ではY軸方向と一致する。 Here, the W-axis direction is orthogonal to the optical axis direction (traveling direction) of the laser beam L and is orthogonal to the X-axis direction (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2) which is the processing feed direction. Therefore, the W-axis direction coincides with the Z-axis direction in the arm portion 17, and coincides with the Y-axis direction in the processing head 18.

エネルギー分布修正器63は、レーザー発振器61と集光器66との間に配設されている。エネルギー分布修正器63は、レーザービームLの一部を遮光することが可能なように構成されており、レーザービームLにおけるW軸方向のエネルギー分布の修正に寄与する。 The energy distribution corrector 63 is arranged between the laser oscillator 61 and the condenser 66. The energy distribution corrector 63 is configured to be able to block a part of the laser beam L, and contributes to the correction of the energy distribution in the W-axis direction of the laser beam L.

エネルギー分布修正器63を経たレーザービームLは、加工ヘッド18内の反射ミラー65によって−Z方向に反射され、集光器66に導かれる。集光器66は、レーザービームLを集光して、加工ヘッド18の外部に向けて、−Z方向に照射する。 The laser beam L that has passed through the energy distribution corrector 63 is reflected in the −Z direction by the reflection mirror 65 in the processing head 18 and guided to the condenser 66. The condenser 66 collects the laser beam L and irradiates it toward the outside of the processing head 18 in the −Z direction.

集光器66によって集光されたレーザービームLは、図1に示したウェーハ1を加工する際には、チャックテーブル43上のウェーハ1に照射される。 The laser beam L focused by the condenser 66 irradiates the wafer 1 on the chuck table 43 when the wafer 1 shown in FIG. 1 is processed.

一方、レーザービームLにおけるエネルギー分布の修正時には、図2に示すように、レーザービームLは、パワーメータ80に照射される。 On the other hand, when the energy distribution in the laser beam L is corrected, the laser beam L irradiates the power meter 80 as shown in FIG.

以下に、レーザー加工装置10におけるエネルギー分布修正手段について説明する。エネルギー分布修正手段は、レーザービームLにおけるW軸方向のエネルギー分布を、矢印Bによって示すように、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正する。これにより、レーザービームLの幅(W軸方向の長さ)が設定される。 The energy distribution correction means in the laser processing apparatus 10 will be described below. The energy distribution correcting means corrects the energy distribution in the W-axis direction of the laser beam L to a Gaussian distribution having a vertical base portion as shown by an arrow B. As a result, the width (length in the W-axis direction) of the laser beam L is set.

レーザー加工装置10におけるエネルギー分布修正手段は、エネルギー分布修正器63に加えて、図2に示すパワーメータ80を含む。 The energy distribution correction means in the laser processing apparatus 10 includes the power meter 80 shown in FIG. 2 in addition to the energy distribution correction device 63.

図2に示すように、エネルギー分布修正器63は、レーザービームLの光軸上に配置されたマスク板70と、マスク板70をW軸方向に移動させるマスク板移動手段71と、を備えている。 As shown in FIG. 2, the energy distribution corrector 63 includes a mask plate 70 arranged on the optical axis of the laser beam L and a mask plate moving means 71 for moving the mask plate 70 in the W axis direction. There is.

図2および図3に示すように、マスク板70は、アーム部17内でのレーザービームLの光軸に垂直な面であるZX面に平行となるように、アーム部17内に配置されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the mask plate 70 is arranged in the arm portion 17 so as to be parallel to the ZX plane, which is a plane perpendicular to the optical axis of the laser beam L in the arm portion 17. There is.

また、マスク板70は、複数のスリットS1〜S3を備えている。スリットS1〜S3は、アーム部17内でのW軸方向(Z軸方向)に沿って、所定の間隔で配置されている。各スリットS1〜S3は、矩形形状を有しており、互いに共通するX軸方向の第1幅HXと、互いに異なるW軸方向の第2幅HW1〜HW3とによって画定されている。
なお、本実施形態では、スリットS1の第2幅HW1、スリットS2の第2幅HW2、および、スリットS3の第2幅HW3は、HW1<HW2<HW3の関係にある。
Further, the mask plate 70 includes a plurality of slits S1 to S3. The slits S1 to S3 are arranged at predetermined intervals along the W-axis direction (Z-axis direction) in the arm portion 17. Each slit S1 to S3 has a rectangular shape, and is defined by a first width HX in the X-axis direction common to each other and a second width HW1 to HW3 in the W-axis direction different from each other.
In the present embodiment, the second width HW1 of the slit S1, the second width HW2 of the slit S2, and the second width HW3 of the slit S3 have a relationship of HW1 <HW2 <HW3.

マスク板移動手段71は、マスク板70をW軸方向(Z軸方向)に移動させる。本実施形態では、マスク板移動手段71によってマスク板70をW軸方向に移動させることにより、レーザービームLが通過するスリットを選択することが可能となっている。 The mask plate moving means 71 moves the mask plate 70 in the W-axis direction (Z-axis direction). In the present embodiment, the slit through which the laser beam L passes can be selected by moving the mask plate 70 in the W-axis direction by the mask plate moving means 71.

図1および図2に示したパワーメータ80は、レーザービームLの進行方向における集光器66の下流に配置されている。パワーメータ80は、集光器66によって集光されたレーザービームLの照射を受ける。これにより、パワーメータ80は、集光器66によって集光されたレーザービームLのエネルギー量を測定する。 The power meter 80 shown in FIGS. 1 and 2 is arranged downstream of the condenser 66 in the traveling direction of the laser beam L. The power meter 80 is irradiated with the laser beam L focused by the condenser 66. As a result, the power meter 80 measures the amount of energy of the laser beam L focused by the condenser 66.

制御手段51は、レーザー加工装置10の各部材を制御して、ウェーハ1に対するアブレーション加工を実施する。 The control means 51 controls each member of the laser processing apparatus 10 to perform ablation processing on the wafer 1.

また、制御手段51は、図2に示したマスク板移動手段71を制御して、アブレーション加工によってウェーハ1に形成される分割溝の幅および形状を調整するために、レーザービームLのエネルギー分布修正を実施する。 Further, the control means 51 corrects the energy distribution of the laser beam L in order to control the mask plate moving means 71 shown in FIG. 2 and adjust the width and shape of the dividing groove formed in the wafer 1 by the ablation process. To carry out.

すなわち、制御手段51は、マスク板移動手段71を制御して、マスク板70をW軸方向(Z軸方向)に移動させることによって、マスク板70のスリットS1〜S3のなかから、レーザービームLを透過させるスリットを選択する。 That is, the control means 51 controls the mask plate moving means 71 to move the mask plate 70 in the W-axis direction (Z-axis direction), so that the laser beam L is inserted through the slits S1 to S3 of the mask plate 70. Select the slit that allows the light to pass through.

選択されたスリットを抜けたレーザービームLは、集光器66によって集光されて、外部に照射される。そして、外部に照射されるレーザービームLの幅(W軸方向の長さ)は、選択されたスリットの幅に応じた値となる。さらに、レーザービームLの幅は、ウェーハ1に形成される分割溝の幅(Y軸方向の長さ)に対応する。 The laser beam L passing through the selected slit is focused by the condenser 66 and irradiated to the outside. The width (length in the W-axis direction) of the laser beam L irradiated to the outside becomes a value corresponding to the width of the selected slit. Further, the width of the laser beam L corresponds to the width (length in the Y-axis direction) of the dividing groove formed in the wafer 1.

したがって、本実施形態にかかるエネルギー分布修正では、制御手段51は、作業者の望む適切な幅のスリットを選択するように、マスク板移動手段71を制御する。 Therefore, in the energy distribution correction according to the present embodiment, the control means 51 controls the mask plate moving means 71 so as to select a slit having an appropriate width desired by the operator.

さらに、制御手段51は、選択されたスリットの中心(幅の中心)がレーザービームLの光軸の中心と一致するように、マスク板移動手段71を制御する。 Further, the control means 51 controls the mask plate moving means 71 so that the center (center of the width) of the selected slit coincides with the center of the optical axis of the laser beam L.

選択されたスリットの中心がレーザービームLの光軸の中心と一致している場合、スリットを透過したレーザービームLのエネルギー分布は、垂直な裾野部分を有する適切なガウシアン分布となる。これにより、ウェーハ1に形成される分割溝の形状を、所望の形状とすることができる。 If the center of the selected slit coincides with the center of the optical axis of the laser beam L, the energy distribution of the laser beam L through the slit will be an appropriate Gaussian distribution with a vertical base. As a result, the shape of the dividing groove formed on the wafer 1 can be made into a desired shape.

以下に、エネルギー分布修正手段によるエネルギー分布修正の動作について説明する。
図2に示すように、制御手段51は、スリットの配置表52、スリットを選択する選択部53、および、マスク板移動手段71を制御する制御部54を備えている。
The operation of energy distribution correction by the energy distribution correction means will be described below.
As shown in FIG. 2, the control means 51 includes a slit arrangement table 52, a selection unit 53 for selecting slits, and a control unit 54 for controlling the mask plate moving means 71.

配置表52は、スリットS1〜S3と、マスク板70に配置されているスリットS1〜S3の位置とを示すものである。すなわち、配置表52は、各スリットS1〜S3におけるマスク板70上の位置を示す情報を含んでいる。 The arrangement table 52 shows the slits S1 to S3 and the positions of the slits S1 to S3 arranged on the mask plate 70. That is, the arrangement table 52 includes information indicating the positions on the mask plate 70 in each of the slits S1 to S3.

エネルギー分布修正では、まず、選択部53が、たとえば作業者からの指示に基づいて、マスク板70に配置された複数のスリットS1〜S3の内の1つを選択する。 In the energy distribution correction, first, the selection unit 53 selects one of the plurality of slits S1 to S3 arranged on the mask plate 70 based on, for example, an instruction from the operator.

次に、制御部54が、たとえば配置表52に基づいて、選択部53によって選択されたスリットを、レーザービームLの光軸に進入させるように、マスク板移動手段71を用いて、マスク板70をW軸方向に移動させる(マスク板移動工程)。 Next, the mask plate 70 is used by the mask plate moving means 71 so that the control unit 54 causes the slit selected by the selection unit 53 to enter the optical axis of the laser beam L, for example, based on the arrangement table 52. Is moved in the W-axis direction (mask plate moving step).

さらに、制御部54は、マスク板70を、W軸方向において、−W方向および+W方向にそれぞれ連続的に、たとえば僅かずつ移動させながら、パワーメータ80によってレーザービームLのエネルギー量を測定する。そして、制御部54は、パワーメータ80によって測定されるレーザービームLのエネルギー量が最大となるように、マスク板70のW軸方向における位置を調整する(マスク板調整工程)。 Further, the control unit 54 measures the energy amount of the laser beam L by the power meter 80 while continuously moving the mask plate 70 in the −W direction and the + W direction, for example, little by little in the W axis direction. Then, the control unit 54 adjusts the position of the mask plate 70 in the W axis direction so that the amount of energy of the laser beam L measured by the power meter 80 is maximized (mask plate adjusting step).

たとえば、図3に示すように、選択されたスリットであるスリットS2を、マスク板移動工程においてレーザービームLの光軸に進入させたとき、スリットS2の中心Soと、レーザービームLの光軸の中心Loとが、W軸方向(Z軸方向)において僅かにずれることがある。 For example, as shown in FIG. 3, when the selected slit S2 is brought into the optical axis of the laser beam L in the mask plate moving step, the center So of the slit S2 and the optical axis of the laser beam L The center Lo may be slightly deviated in the W-axis direction (Z-axis direction).

この場合、レーザービームLの端部が、スリットS2によって、非対称に(歪に)遮られる。その結果、図4に示すように、レーザービームLのエネルギー分布(密度)が、W軸方向において非対称となる。この状態でウェーハ1に分割溝を形成すると、形成された分割溝に、W軸方向(Y軸方向)において深さ差が生じ、溝の底面が凸凹になるなどの加工不良(形状不良)が発生する可能性がある。
また、分割予定ラインにLOW−K膜が形成されていて、レーザー加工でLOW−K膜を分断させる加工の場合には、LOW−K膜が分断されていなかったり、分断されたLOW−K膜の片側が捲れ上がったりする、という加工不良が発生する可能性がある。
In this case, the end of the laser beam L is asymmetrically (distorted) blocked by the slit S2. As a result, as shown in FIG. 4, the energy distribution (density) of the laser beam L becomes asymmetric in the W-axis direction. When a dividing groove is formed on the wafer 1 in this state, a depth difference occurs in the formed dividing groove in the W-axis direction (Y-axis direction), and processing defects (shape defects) such as unevenness of the bottom surface of the grooves occur. It can occur.
Further, in the case where the LOW-K film is formed on the scheduled division line and the LOW-K film is divided by laser processing, the LOW-K film is not divided or the LOW-K film is divided. There is a possibility that processing defects such as one side of the laser being rolled up may occur.

そこで、本実施形態では、制御部54は、マスク板移動工程の後、マスク板調整工程を実施する。このマスク板調整工程において、制御部54は、レーザービームLのエネルギー量が最大となるように、マスク板70のW軸方向における位置を調整する。この調整により、図3および図5に示す例では、マスク板70が、矢印Cによって示すように、−W方向に下げられる。 Therefore, in the present embodiment, the control unit 54 carries out the mask plate adjusting step after the mask plate moving step. In this mask plate adjusting step, the control unit 54 adjusts the position of the mask plate 70 in the W-axis direction so that the amount of energy of the laser beam L is maximized. By this adjustment, in the example shown in FIGS. 3 and 5, the mask plate 70 is lowered in the −W direction as indicated by the arrow C.

これにより、図5に示すように、スリットS2の中心Soと、レーザービームLの光軸の中心Loとが一致し、レーザービームLの端部が、スリットS2によって、対称的に遮られる。その結果、図6に示すように、レーザービームLのエネルギー分布(密度)が、W軸方向において対称となる。これにより、ウェーハ1に、適切な形状を有する分割溝を形成することができる。 As a result, as shown in FIG. 5, the center So of the slit S2 and the center Lo of the optical axis of the laser beam L coincide with each other, and the end portion of the laser beam L is symmetrically blocked by the slit S2. As a result, as shown in FIG. 6, the energy distribution (density) of the laser beam L becomes symmetrical in the W-axis direction. As a result, a dividing groove having an appropriate shape can be formed on the wafer 1.

また、本実施形態では、マスク板移動工程において、選択されたスリットをレーザービームLの光軸に進入させるためにマスク板70を移動させる方向が、X軸方向に直交するW軸方向(Z軸方向)である。このスリットの移動方向は、ウェーハ1に対してY軸方向であるため、マスク板70の移動に伴って、スリットの中心SoとレーザービームLの光軸の中心LoとがX軸方向にずれることを、抑制することができる。 Further, in the present embodiment, in the mask plate moving step, the direction in which the mask plate 70 is moved in order to allow the selected slit to enter the optical axis of the laser beam L is the W-axis direction (Z-axis) orthogonal to the X-axis direction. Direction). Since the moving direction of the slit is the Y-axis direction with respect to the wafer 1, the center So of the slit and the center Lo of the optical axis of the laser beam L deviate in the X-axis direction as the mask plate 70 moves. Can be suppressed.

また、本実施形態では、マスク板移動工程においてスリットを切換える為にマスク板70を移動させる方向と、スリットの中心SoとレーザービームLの光軸の中心Loとを一致させるためにマスク板70の位置を調整する方向とが、ともにW軸方向である。このため、1つの移動手段であるマスク板移動手段71によって、マスク板70の移動および調整を実施することができる。これにより、装置を簡素化することが可能になる。また、移動手段を少なくしたことにより、レーザー加工手段12(レーザー光学系)への熱影響を小さくすることができる。その結果、高精度なレーザー加工を実現することができる。 Further, in the present embodiment, the direction in which the mask plate 70 is moved to switch the slit in the mask plate moving step is aligned with the center So of the slit and the center Lo of the optical axis of the laser beam L. The direction for adjusting the position is both the W-axis direction. Therefore, the mask plate moving means 71, which is one moving means, can move and adjust the mask plate 70. This makes it possible to simplify the device. Further, by reducing the number of moving means, the thermal influence on the laser processing means 12 (laser optical system) can be reduced. As a result, high-precision laser machining can be realized.

1:ウェーハ、WS:ワークセット、
10:レーザー加工装置、11:基台、
14:チャックテーブル移動機構、20:Y軸移動手段、30:X軸移動手段、
40:チャックテーブル部、43:チャックテーブル、44:保持面、
12:レーザー加工手段、
17:アーム部、18:加工ヘッド、
61:レーザー発振器、62:ビームエキスパンダ、
65:反射ミラー、66:集光器、
L:レーザービーム、Lo:レーザービームの中心、
63:エネルギー分布修正器、
70:マスク板、71:マスク板移動手段、80:パワーメータ、
S1〜S3:スリット、So:スリットの中心
51:制御手段、52:配置表、53:選択部、54:制御部
1: Wafer, WS: Workset,
10: Laser processing equipment, 11: Base,
14: Chuck table moving mechanism, 20: Y-axis moving means, 30: X-axis moving means,
40: Chuck table part, 43: Chuck table, 44: Holding surface,
12: Laser processing means,
17: Arm part, 18: Processing head,
61: Laser oscillator, 62: Beam expander,
65: Reflective mirror, 66: Condenser,
L: Laser beam, Lo: Center of laser beam,
63: Energy distribution corrector,
70: Mask plate, 71: Mask plate moving means, 80: Power meter,
S1 to S3: Slit, So: Center of slit 51: Control means, 52: Arrangement table, 53: Selection unit, 54: Control unit

Claims (1)

保持面によって被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物をレーザービームの照射によって加工するレーザー加工手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して該保持面に平行なX軸方向に移動させるX軸移動手段と、該チャックテーブルを該レーザー加工手段に対して該保持面に平行で該X軸方向に直交するY軸方向に移動させるY軸移動手段と、を備えるレーザー加工装置であって、
該レーザー加工手段は、
該レーザービームを発振するレーザー発振器と、
該レーザー発振器から発振されたレーザービームを集光する集光器と、
該レーザー発振器と該集光器との間に配設され、該レーザービームの光軸方向に直交する方向であるW軸方向における該レーザービームのエネルギー分布を、裾野部分が垂直なガウシアン分布に修正するエネルギー分布修正手段と、を備え、
該エネルギー分布修正手段は、
該X軸方向の第1幅と該W軸方向における互いに異なる第2幅とによって画定される矩形に形成された複数のスリットが、該W軸方向に所定の間隔で配置されているマスク板と、
該マスク板を該W軸方向に移動させるマスク板移動手段と、
該集光器により集光されたレーザービームのエネルギー量を測定するパワーメータと、を備え、
制御手段をさらに有しており、
該制御手段は、
該スリットと該マスク板に配置されている該スリットの位置とを示した配置表と、
該マスク板に配置された複数の該スリットの内の1つを選択する選択部と、
該選択部によって選択された該スリットを該レーザービームの光軸に進入させるように、該マスク板移動手段を用いて該マスク板を該W軸方向に移動させること、および、該マスク板を、該W軸方向において、−W方向および+W方向にそれぞれ連続的に移動させながら、該パワーメータによって該レーザービームのエネルギー量を測定し、該レーザービームのエネルギー量が最大となるように、該マスク板の該W軸方向における位置を調整すること、を実施する制御部と、
を備えるレーザー加工装置。
A chuck table that holds the work piece by the holding surface, a laser processing means that processes the work piece held on the chuck table by irradiating a laser beam, and a holding surface that holds the chuck table with respect to the laser processing means. An X-axis moving means for moving the chuck table in the X-axis direction parallel to the laser processing means, and a Y-axis moving means for moving the chuck table in the Y-axis direction parallel to the holding surface and orthogonal to the X-axis direction with respect to the laser processing means. A laser processing device equipped with,
The laser processing means is
A laser oscillator that oscillates the laser beam and
A condenser that collects the laser beam oscillated from the laser oscillator, and
The energy distribution of the laser beam in the W-axis direction, which is arranged between the laser oscillator and the concentrator and is orthogonal to the optical axis direction of the laser beam, is corrected to a Gaussian distribution in which the base portion is vertical. With energy distribution correction means
The energy distribution correction means
A mask plate in which a plurality of rectangular slits defined by a first width in the X-axis direction and a second width different from each other in the W-axis direction are arranged at predetermined intervals in the W-axis direction. ,
A mask plate moving means for moving the mask plate in the W-axis direction,
A power meter for measuring the amount of energy of the laser beam focused by the condenser is provided.
It has more control means
The control means
An arrangement table showing the slits and the positions of the slits arranged on the mask plate, and
A selection unit that selects one of the plurality of slits arranged on the mask plate, and
The mask plate is moved in the W-axis direction by using the mask plate moving means so that the slit selected by the selection unit enters the optical axis of the laser beam, and the mask plate is moved. In the W-axis direction, the energy amount of the laser beam is measured by the power meter while continuously moving in the −W direction and the + W direction, respectively, and the mask is used so that the energy amount of the laser beam is maximized. A control unit that adjusts the position of the plate in the W-axis direction, and
Laser processing equipment equipped with.
JP2019219669A 2019-12-04 2019-12-04 Laser machining device Pending JP2021087975A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019219669A JP2021087975A (en) 2019-12-04 2019-12-04 Laser machining device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019219669A JP2021087975A (en) 2019-12-04 2019-12-04 Laser machining device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021087975A true JP2021087975A (en) 2021-06-10

Family

ID=76218908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019219669A Pending JP2021087975A (en) 2019-12-04 2019-12-04 Laser machining device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021087975A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI583475B (en) Laser processing method and laser processing device
KR101770840B1 (en) Laser beam irradiation device and laser machining apparatus
TWI609732B (en) Laser processing device
TWI597118B (en) Laser processing method and laser processing device
JP2011240349A (en) Method for cutting working object
TW201921546A (en) Height detecting device and laser processing device which can appropriately detect the height of the workpiece held on the chuck table
JP6757185B2 (en) Laser beam inspection method
JP7235563B2 (en) Laser processing method
JP7123652B2 (en) Laser processing equipment
JP2005334928A (en) Focus adjusting apparatus in laser beam machine
JP2005081715A (en) Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
TWI742272B (en) Laser processing method and laser processing device
JP7237432B2 (en) Comparison method and laser processing device
JP2021087975A (en) Laser machining device
JP7269088B2 (en) Laser processing equipment
JP2021089383A (en) Laser beam adjustment mechanism and laser processing apparatus
JP7216607B2 (en) Laser processing equipment
JP7417411B2 (en) Confirmation method
JP2023037219A (en) Laser processing device
JP2005014050A (en) Laser beam machining device
JP2015077622A (en) Laser processing device
JP2021087982A (en) Adjustment method for laser processing apparatus
JP7305271B2 (en) Confirmation method of processing performance of laser processing equipment
JP6099507B2 (en) Cutting method
KR102662458B1 (en) Laser machining apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230829

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230831

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240305