JP2021086931A - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】高角度入射光による撮像性能の低下を抑制できるようにした撮像装置及び電子機器を提供する。【解決手段】撮像装置は、複数の光電変換素子を有する半導体基板と、半導体基板上に設けられ、複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、半導体基板上に設けられ、複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備える。隔壁は、第１金属層と、第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、第１金属層と第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有する。第２隔壁層の屈折率は第１隔壁層の屈折率よりも大きい。【選択図】図２

Description

本開示は、撮像装置及び電子機器に関する。
デジタルカメラなどに用いられる撮像装置は、複数の画素を有する。複数の画素の各々には、光を検出して電荷を発生させる光電変換素子が設けられている。また、複数の光電変換素子の上方には、特定の色の光のみを透過させるカラーフィルタが設けられている。この種の撮像装置において、隣り合う画素間で混色が起きることを防ぐために、一方の画素のカラーフィルタと他方の画素のカラーフィルタとの間に隔壁を配置することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１−７１４８３号公報
撮像装置において、カラーフィルタの表面に光が斜めに入射すると、斜めに入射した光の一部が隔壁で反射して、本本来入射すべきでない反射光が画素で光電変換される可能性がある。例えば、フレア光など、カラーフィルタ表面に光が高角度で入射すると、高角度で入射した光（以下、高角度入射光）の一部はカラーフィルタを透過して隔壁に到達し、隔壁で反射して画素に入射する。その結果、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じ、撮像装置の性能が低下する可能性がある。
本開示はこのような事情に鑑みてなされたもので、高角度入射光による撮像性能の低下を抑制できるようにした撮像装置及び電子機器を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る撮像装置は、複数の光電変換素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、前記複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、前記半導体基板上に設けられ、前記複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備える。前記隔壁は、第１金属層と、前記第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、前記第１金属層と前記第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有する。前記第２隔壁層の屈折率は前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい。
これによれば、例えばフレア光など、カラーフィルタ表面へ高角度に入射する高角度入射光は、カラーフィルタ、第１隔壁層、第２隔壁層を透過して第１金属層の側面へ到達する。第１隔壁層の屈折率よりも第２隔壁層の屈折率の方が大きいため、第１金属層の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層の側面と第１隔壁層との間で反射を繰り返しながら、減衰する。これにより、撮像装置は、光電変換素子に到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置は、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
図１は、本開示の実施形態１に係る撮像装置の構成例を示す模式図である。 図２は、本開示の実施形態１に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図３は、本開示の実施形態１に係る撮像装置の隔壁による導光例を示す断面図である。 図４Ａは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｂは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｃは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｄは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｅは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｆは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｇは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｈは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｉは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｊは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図４Ｋは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図５は、本開示の実施形態１に係る撮像装置と、比較例に係る撮像装置とにおいて、カラーフィルタ表面への入射角と、量子効率及び感度比率との関係を評価した結果を示すグラフである 図６は、本開示の実施形態２に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成を示す断面図である。 図７Ａは、本開示の実施形態２に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である． 図７Ｂは、本開示の実施形態２に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図８は、本開示の実施形態２に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図９は、本開示の実施形態２に係る撮像装置において、半導体基板側からカラーフィルタ側への光の反射防止を説明するための断面図である。 図１０Ａは、本開示の実施形態３に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１０Ｂは、本開示の実施形態３に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１０Ｃは、本開示の実施形態３に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１０Ｄは、本開示の実施形態３に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１０Ｅは、本開示の実施形態３に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１１は、本開示の実施形態４に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図１２は、本開示の実施形態４に係る撮像装置において、隔壁側から半導体基板側への遮光を説明するための断面図である。 図１３Ａは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｂは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｃは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｄは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｅは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｆは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｇは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１３Ｈは、本開示の実施形態４に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１４は、本開示の実施形態５に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図１５Ａは、本開示の実施形態５に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１５Ｂは、本開示の実施形態５に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図１６は、本開示の実施形態６に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図１７は、本開示の実施形態７に係る撮像装置において、複数のフォトダイオードで構成される撮像領域の中心領域と、周辺領域とを例示する図である。 図１８は、本開示の実施形態７に係る撮像装置であって、撮像領域の周辺領域における隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図１９は、本開示の実施形態８に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図２０Ａは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｂは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｃは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｄは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｅは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｆは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２０Ｇは、本開示の実施形態８に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２１は、本開示の実施形態９に係る撮像装置の隔壁とその周辺部の構成例を示す断面図である。 図２２Ａは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｂは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｃは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｄは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｅは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｆは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｇは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｈは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｉは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｊは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｋは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２２Ｌは、本開示の実施形態９に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図２３は、本開示に係る技術（本技術）を電子機器に適用した例を示す概念図である。 図２４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 図２５は、図２４に示すカメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 図２６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 図２７は、撮像部の設置位置の例を示す図である。
以下において、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚さや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下の説明における上下等の方向の定義は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。例えば、対象を９０°回転して観察すれば上下は左右に変換して読まれ、１８０°回転して観察すれば上下は反転して読まれることは勿論である。
＜実施形態１＞
（全体構造）
図１は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１００の構成例を示す図である。
図１に示す撮像装置１００は、例えば、ＣＭＯＳ固体撮像装置である。図１に示すように、撮像装置１００は、半導体基板１１１（例えば、シリコン基板）に、複数の光電変換素子を含む画素１０２が規則的に２次元的に配列された画素領域（いわゆる、撮像領域）３と、周辺回路部とを有して構成される。画素１０２は、光電変換素子となるフォトダイオードと、複数の画素トランジスタ（いわゆる、ＭＯＳトランジスタ）を有して成る。複数の画素トランジスタは、転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。複数の画素トランジスタは、上記３つのトランジスタに選択トランジスタ追加して、４つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので、詳細説明は省略する。画素１０２は、共有画素構造とすることもできる。共有画素構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有する１つのフローティングディフージョンと、共有する１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。
周辺回路部は、垂直駆動回路１０４と、カラム信号処理回路１０５と、水平駆動回路１０６と、出力回路１０７と、制御回路１０８などを有して構成される。
制御回路１０８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路１０８は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基いて、垂直駆動回路１０４、カラム信号処理回路１０５及び水平駆動回路１０６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路１０８は、これらの信号を垂直駆動回路１０４、カラム信号処理回路１０５及び水平駆動回路１０６等に入力する。
垂直駆動回路１０４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素を駆動する。すなわち、垂直駆動回路１０４は、画素領域１０３の各画素１０２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線１０９を通して、各画素１０２の光電変換素子において受光量に応じて生成した信号電荷に基く画素信号をカラム信号処理回路１０５に供給する。
カラム信号処理回路１０５は、画素１０２の例えば列ごとに配置されており、１行分の画素１０２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路１０５は、画素１０２固有の固定パターンノイズを除去するためのＣＤＳや、信号増幅、ＡＤ変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路１０５の出力段には水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１１０との間に接続されて設けられる。
水平駆動回路１０６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路１０５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路１０５の各々から画素信号を水平信号線１１０に出力させる。
出力回路１０７は、カラム信号処理回路１０５の各々から水平信号線１１０を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。例えば、出力回路１０７は、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などを行う場合もある。入出力端子１１２は、外部と信号のやりとりをする。
（隔壁とその周辺部の構造）
図２は、本開示の実施形態１に係る撮像装置１００の隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。撮像装置１００は、例えば、半導体基板１１１の裏面側から入射光を取り込む裏面受光型の画素構造を有する。図２に示すように、半導体基板１１１の裏面（以下、受光面）１１１ａ側に複数のフォトダイオードＰＤが設けられている。また、半導体基板１１１の受光面１１１ａ上に、透光性の絶縁膜１１が設けられている。絶縁膜１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。
半導体基板１１１は、シリコンウェハーをＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって研磨することにより形成された、シリコン層である。半導体基板１１１の厚さは、受光する光の波長に応じて任意に設定してよい。一例を挙げると、半導体基板１１１の厚さは、可視光を受光する場合は５μｍ以上１５μｍ以下、赤外光を受光する場合は１５μｍ以上５０μｍ以下、紫外光を受光する場合は３μｍ以上７μｍ以下である。
半導体基板１１１の受光面１１１ａ上には、絶縁膜１１を介して複数のカラーフィルタＣＦが設けられている。複数のカラーフィルタＣＦは、例えば、カラーフィルタＣＦ１からＣＦ３を含む。カラーフィルタＣＦ１からＣＦ３は、それぞれ、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）又は赤色（Ｒ）に着色されている。カラーフィルタＣＦ１からＣＦ３は、絶縁膜１１を介して、フォトダイオードＰＤ１からＰＤ３とそれぞれ向かい合う位置に配置されている。
図示しないが、複数のカラーフィルタＣＦは、カラーフィルタＣＦ１からＣＦ３の少なくとも１つ以上と隣り合う位置に配置された、カラーフィルタＣＦ４を含む。カラーフィルタＣＦ４は、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）のいずれか１色に着色されていてもよいし、これら以外の他の色に着色されていてもよい。カラーフィルタＣＦ４は、絶縁膜１１を介して、フォトダイオードＰＤ４と向かい合う位置に配置されている。以下では、カラーフィルタＣＦ１からＣＦ４を互いに区別する必要のない場合には、符号であるＣＦの末尾の識別番号を省略するものとする。
また、半導体基板１１１の受光面１１１ａ上には、絶縁膜１１を介して隔壁２が設けられている。隔壁２によって、複数のカラーフィルタＣＦは互いに隔離されている。また、複数のカラーフィルタＣＦを挟んで半導体基板１１１の反対側に複数のマイクロレンズＭＬ（本開示の「レンズ」の一例）が設けられている。１つのカラーフィルタＣＦ上に１つのマイクロレンズＭＬが配置されている。複数のマイクロレンズＭＬは、その端部ＭＬＥ同士が互いに接続している。マイクロレンズＭＬの端部ＭＬＥは隔壁２上に配置されている。
隔壁２は、隔壁２の中心部に位置する第１金属層２０と、第１金属層２０を外側から覆う透光性の第１隔壁層２１と、第１金属層２０と第１隔壁層２１との間に位置する透光性の第２隔壁層２２とを有する。例えば、第１金属層２０は、半導体基板１１１の受光面１１１ａに平行な水平方向においてカラーフィルタＣＦと向かい合う第１側面２０ａ及び第２側面２０ｂと、水平方向と直交する方向においてマイクロレンズＭＬの端部と向かい合う上端面２０ｃ（本開示の「端面」の一例）と、を有する。第１側面２０ａの反対側に第２側面２０ｂが位置する。上端面２０ｃは、マイクロレンズ側に位置する。
第２隔壁層２２は、第１金属層２０の第１側面２０ａ及び第２側面２０ｂと上端面２０ｃとを覆っている。第１隔壁層２１は、第２隔壁層２２を介して、第１金属層２０の第１側面２０ａ及び第２側面２０ｂと上端面２０ｃとを覆っている。
第１金属層２０は、例えば銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）で構成されている。第１隔壁層２１及び第２隔壁層２２は、画素１０２が受光する光（例えば、可視光、赤外光及び紫外光のうちの少なくとも一種以上の光）をそれぞれ透過可能な透光性の膜で構成されている。例えば、第１隔壁層２１は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で構成されている。第２隔壁層２２は、結晶構造がアモルファス（非晶質）である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）で構成されている。
本実施形態において、第２隔壁層２２の屈折率ｎ２２は、第１隔壁層２１の屈折率ｎ２１よりも大きい（ｎ２２＞ｎ２１）。また、カラーフィルタＣＦの屈折率ｎｃｆは、第１隔壁層２１の屈折率ｎ２１よりも大きい（ｎｃｆ＞ｎ２１）。例えば、第２隔壁層２２として用いられるａ−ＳｉＣの屈折率は２．６である。第１隔壁層２１として用いられるＳｉＯ２の屈折率は１．４６である。カラーフィルタＣＦの屈折率は１．６８である。
（隔壁による導光例）
図３は、本開示の実施形態１に係る撮像装置の隔壁による導光例を示す断面図である。図３に示すように、マイクロレンズＭＬを通してカラーフィルタＣＦの表面に光Ｌ１が斜めに入射し、入射した光Ｌ１が隔壁２の第１隔壁層２１の表面に到達する場合を想定する。
カラーフィルタＣＦの表面に対する入射角をθ１とし、第１隔壁層２１の表面に対する入射角をθ２とする。入射角θ１、θ２は、例えば、θ１＝９０°−θ２の関係にある。
上述したように、第１隔壁層２１の屈折率ｎ２１よりもカラーフィルタＣＦの屈折率ｎｃｆの方が大きい（ｎｃｆ＞ｎ２１）。このため、光Ｌ１のカラーフィルタＣＦ表面に対する入射角θ１が低角度であり、第１隔壁層２１表面に対する入射角θ２が臨界角以上の場合、光Ｌ１は第１隔壁層２１の表面で全反射する。臨界角とは、屈折率が大きい媒質から屈折率が小さい媒質へ光が進むとき、全反射が生じる最も小さな入射角のことである。第１隔壁層２１で全反射した光Ｌ２は、フォトダイオードＰＤが設けられている半導体基板１１１の受光面１１１ａ側へ進む。
一方、光Ｌ１のカラーフィルタＣＦ表面に対する入射角θ１が高角度（すなわち、光Ｌ１が高角度入射光）であり、第１隔壁層２１表面に対する入射角θ２が臨界角未満の場合、光Ｌ１は、一部を除いて第１隔壁層２１に入射する。第１隔壁層２１に入射した光Ｌ３は、一部を除いて第１隔壁層２１、第２隔壁層２２を透過して第１金属層２０の側面（例えば、第１側面２０ａ）に到達して、第１金属層２０の側面で反射する。第１金属層２０の側面で反射した光Ｌ３は、第２隔壁層２２を透過して、第１隔壁層２１に到達する。
上述したように、第１隔壁層２１の屈折率ｎ２１よりも第２隔壁層２２の屈折率ｎ２２の方が大きい（ｎ２１＜ｎ２２）。また、光Ｌ３は、第１隔壁層２１に斜めに入射する。このため、第１隔壁層２１に到達した光Ｌ３は、一部を除いて第２隔壁層２２側へ再び反射する。例えば、光Ｌ３の第１隔壁層２１に対する入射角θ３が臨界角以上の場合、光Ｌ３は第１隔壁層２１で全反射する。光Ｌ３は、第１金属層２０と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返して、第２隔壁層２２内に閉じ込められる。第２隔壁層２２内に閉じ込められる光Ｌ３の強度は、光Ｌ３が第１金属層２０の側面で反射するたびに減衰する。
このように、光Ｌ３は、第１金属層２０と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。これにより、撮像装置１００は、高角度入射光（例えば、フレア光）が半導体基板１１１の受光面１１１ａへ到達することを抑制することができる。撮像装置１００は、フォトダイオードＰＤへ到達するフレア光を低減することができる。
また、図３に示すように、光Ｌ１、Ｌ２の各々はフォトダイオードＰＤに到達して光電変換されるが、一部はフォトダイオードＰＤに到達する前に絶縁膜１１の表面や、受光面１１１ａで反射する。これら反射した光Ｌ４の少なくとも一部は、上記の光Ｌ３と同様に隔壁２に入射し、第１金属層２０の側面（例えば、第２側面２０ｂ）と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。これにより、撮像装置１００は、一の画素１０２内で反射した光Ｌ４が、隔壁２を通して他の画素１０２へ漏れ出ることを抑制することができる。
次に、図２に示した撮像装置１００の製造方法を説明する。撮像装置１００は、成膜装置（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、スパッタ装置、熱酸化装置を含む）、露光装置、エッチング装置、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置、貼り合わせ装置など、各種の装置を用いて製造される。以下、これらの装置を、製造装置と総称する。撮像装置１００の隔壁２とその周辺部は、次に説明する製造方法によって製造することができる。
図４Ａから図４Ｋは、本開示の実施形態１に係る撮像装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図４Ａに示すように、製造装置は、フォトダイオードＰＤが形成された半導体基板１１１の受光面１１１ａ上に絶縁膜１１を形成する。例えば、絶縁膜１１はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法は半導体基板１１１の熱酸化又はＣＶＤ法である。次に、製造装置は、絶縁膜１１上に金属層２０’を形成する。例えば、金属層２０’は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）の薄膜であり、その形成方法は蒸着又はスパッタ法である。
次に、図４Ｂに示すように、製造装置は、金属層２０’上にレジストパターンＲＰ１を形成する。レジストパターンＲＰ１は、隔壁２の第１金属層２０（図２参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ１をマスクに用いて、金属層２０’をドライエッチングする。これにより、図４Ｃに示すように、第１金属層２０が形成される。次に、図４Ｄに示すように、製造装置は、レジストパターンＲＰ１を除去する。
次に、図４Ｅに示すように、製造装置は、受光面１１１ａの上方に透光性の絶縁層２２’を形成する。例えば、絶縁層２２’は、結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。絶縁層２２’により、絶縁膜１１と、第１金属層２０の第１側面２０ａ、第２側面２０ｂ及び上端面２０ｃはそれぞれ覆われる。
次に、図４Ｆに示すように、製造装置は、絶縁層２２’上にレジストパターンＲＰ２を形成する。レジストパターンＲＰ２は、隔壁２の第１金属層２０と第２隔壁層２２（図２参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ２をマスクに用いて、絶縁層２２’をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）である。これにより、図４Ｇに示すように、第２隔壁層２２が形成される。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ２を除去する。
次に、図４Ｈに示すように、製造装置は、受光面１１１ａの上方に透光性の絶縁層２１’を形成する。例えば、絶縁層２１’はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。絶縁層２１’により、絶縁膜１１と第２隔壁層２２はそれぞれ覆われる。
次に、製造装置は、絶縁層２１’上にレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンは、隔壁２の第１隔壁層２１（図２参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンをマスクに用いて、絶縁層２１’をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えばＲＩＥである。これにより、図４Ｉに示すように、第２隔壁層２２が形成される。第１金属層２０と、第１隔壁層２１と、第２隔壁層２２とを有する隔壁２が完成する。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ２を除去する。
次に、図４Ｊに示すように、製造装置は、隣り合う隔壁２０間の領域（すなわち、フォトダイオードＰＤの上方）にカラーフィルタＣＦを形成する。製造装置は、リソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタＣＦを色ごとに作り分ける。例えば、製造装置は、フォトダイオードＰＤ１の上方に青色（Ｂ）のカラーフィルタＣＦ１を形成する。次に、製造装置は、フォトダイオードＰＤ２の上方に緑色（Ｇ）のカラーフィルタＣＦ２を形成する。次に、製造装置は、フォトダイオードＰＤ３の上方に赤色（Ｒ）のカラーフィルタＣＦ３を形成する。カラーフィルタＣＦ１からＣＦ３の各々は、底面が絶縁膜１１の上面に接し、側面は隔壁２に接し、上面は隔壁２と同じ高さとなるように形成される。
次に、図４Ｋに示すように、製造装置は、複数のカラーフィルタＣＦの上方に、マイクロレンズＭＬをそれぞれ形成する。マイクロレンズＭＬは上面が湾曲した凸レンズであり、光が透過する膜からなる。製造装置は、カラーフィルタＣＦ上に樹脂膜を形成し、形成した樹脂膜を加熱して溶融させ、溶融した樹脂膜の上面の形状を丸めることで、マイクロレンズＭＬを形成する。このような工程を経て、図２に示した撮像装置１００が完成する。
（評価結果）
図５は、本開示の実施形態１に係る撮像装置と、比較例に係る撮像装置とにおいて、カラーフィルタＣＦ表面への入射角θ１（図３参照）と、量子効率及び感度比率との関係を評価した結果を示すグラフである。図５の横軸は、入射角θ１を示す。図５の左側の縦軸は、緑色の光についての量子効率（ＱＥ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ））を示す。また、図５の右側の縦軸は、緑色の光についての感度比率を示す。感度比率は、比較例の量子効率に対する、実施形態１の量子効率の比で示される。なお、実施形態１と比較例との違いは、隔壁の構造にある。比較例の隔壁は、実施形態１の隔壁から第２隔壁層２２を除いた構成を有する。
図５に示すように、例えばθ１≦２０°など、入射角θ１が小さい範囲では、実施形態１と従来例との間で、量子効率（ＱＥ）に大きな差はない。一方、例えばθ１≧６０°など、入射角θ１が大きい範囲では、実施形態１の量子効率は比較例の量子効率よりも低く、感度比率は低下する。実施形態１に係る撮像装置は、低角度入射光に対しては比較例に係る撮像装置と同等の感度を有しつつ、高角度入射光に対しては比較例に係る撮像装置よりも感度を落とすことができる、ということが確認された。
以上説明したように、本開示の一態様に係る撮像装置１００は、複数のフォトダイオードＰＤを有する半導体基板１１１と、半導体基板１１１上に設けられ、複数のフォトダイオードＰＤとそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタＣＦと、半導体基板１１１上に設けられ、複数のカラーフィルタＣＦのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタＣＦと他方のカラーフィルタＣＦとの間を隔てる隔壁２と、を備える。隔壁２は、第１金属層２０と、第１金属層２０の側面を覆う透光性の第１隔壁層２１と、第１金属層２０と第１隔壁層２１との間に位置する透光性の第２隔壁層２２と、を有する。第２隔壁層２２の屈折率は第１隔壁層２１の屈折率よりも大きい。
これによれば、例えばフレア光など、カラーフィルタＣＦ表面へ高角度に入射する高角度入射光は、カラーフィルタＣＦ、第１隔壁層２１、第２隔壁層２２を透過して第１金属層２０の側面へ到達する。第１隔壁層２１の屈折率よりも第２隔壁層２２の屈折率の方が大きいため、第１金属層２０の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層２０の側面と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。これにより、撮像装置１００は、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置１００は、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
＜実施形態２＞
上記の実施形態１では、第１金属層２０の上端面２０ｃが、第２隔壁層２２と第１隔壁層２１とで覆われている態様を示した。しかしながら、本開示の実施形態において、隔壁の構成はこれに限定されない。第１金属層２０の上端面２０ｃ上には、第２隔壁層２２及び第１隔壁層２１の少なくとも一方が無くてもよい。
図６は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１００Ａの隔壁２とその周辺部の構成を示す断面図である。図６に示すように、撮像装置１００Ａの隔壁２において、第１金属層２０の上端面２０ｃは、第１隔壁層２１及び第２隔壁層２２からそれぞれ露出している。また、第１金属層２０の上端面２０ｃは、マイクロレンズＭＬと接触している。
撮像装置１００Ａにおいても、第１金属層２０の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層２０の側面と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。したがって、撮像装置１００Ａは、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置１００Ａは、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
次に、図６に示した撮像装置１００Ａの製造方法を説明する。図７Ａ及び図７Ｂは、本開示の実施形態２に係る撮像装置１００Ａの製造方法を工程順に示す断面図である。図７Ａにおいて、絶縁層２１’を形成する工程までは、上述した撮像装置１００の製造方法と同じである。絶縁層２１’が形成された後、図７Ｂに示すように、製造装置は、絶縁層２１’の表面にＣＭＰ処理を施して、第１金属層２０の上端面２０ｃを露出させる。ＣＭＰ処理により、第１金属層２０の上端面２０ｃは、絶縁層２１’の上面と面一又はほぼ面一となる。
これ以降の工程は、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。製造装置は、レジストパターンをマスクに用いて、絶縁層２１’をドライエッチングして第１隔壁層２１（図４Ｉ参照）を形成する。次に、製造装置は、カラーフィルタＣＦ（図４Ｊ参照）を形成し、マイクロレンズＭＬ（図４Ｋ参照）を形成する。このような工程を経て、図６に示した撮像装置１００Ａが完成する。
＜実施形態３＞
上記の実施形態１では、半導体基板１１１とカラーフィルタＣＦとの間に絶縁膜１１のみが配置されている態様を示した。しかしながら、本開示の実施形態において、半導体基板１１１とカラーフィルタＣＦとの間の構造はこれに限定されない。半導体基板１１１とカラーフィルタＣＦとの間には反射防止膜が配置されていてもよい。また、この反射防止膜には、第１隔壁層２１及び第２隔壁層２２の少なくとも一方を用いてもよい。
図８は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１００Ｂの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図８に示すように、撮像装置１００Ｂでは、半導体基板１１１とカラーフィルタＣＦとの間に、第１隔壁層２１と第２隔壁層２２とが設けられている。例えば、フォトダイオードＰＤの上方に、絶縁膜１１と、第２隔壁層２２と、第１隔壁層２１と、カラーフィルタＣＦとがこの順で積層されている。半導体基板１１１とカラーフィルタＣＦとの間に配置された第２隔壁層２２及び第１隔壁層２１は、半導体基板１１１側からカラーフィルタＣＦ側への光の反射を防ぐための、反射防止膜として機能する。
図９は、本開示の実施形態２に係る撮像装置１００Ｂにおいて、半導体基板１１１側からカラーフィルタＣＦ側への光の反射防止を説明するための断面図である。図９において、第１隔壁層２１上には図示しないカラーフィルタが配置されている。カラーフィルタを透過した光Ｌ１１が、フォトダイオードＰＤの上方に位置する第１隔壁層２１の表面に略垂直に入射する場合を想定する。
第１隔壁層２１を透過した光Ｌ１１は、第１隔壁層２１よりも屈折率が大きい第２隔壁層２２と、絶縁膜１１とを透過して、半導体基板１１１の裏面（受光面）１１１ａに到達する。受光面１１１ａに到達した光Ｌ１１はフォトダイオードＰＤで光電変換される。また、光Ｌ１１の一部はフォトダイオードＰＤに到達する前に、絶縁膜１１の表面や、受光面１１１ａで反射する。これら反射した光Ｌ１２は、第２隔壁層２２を透過して、第１隔壁層２１に到達する。上述したように、第１隔壁層２１の屈折率ｎ２１よりも第２隔壁層２２の屈折率ｎ２２の方が大きい（ｎ２１＜ｎ２２）。このため、第１隔壁層２１に到達した光Ｌ１２の少なくとも一部は、第２隔壁層２２側へ再び反射する。反射した光Ｌ１３は、第２隔壁層２２と絶縁膜１１とを透過して、半導体基板１１１の裏面（受光面）１１１ａに到達し、フォトダイオードＰＤで光電変換される。
撮像装置１００Ｂにおいても、第１金属層２０の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層２０の側面と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。したがって、撮像装置１００Ｂは、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置１００Ｂは、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
また、第１隔壁層２１及び第２隔壁層２２は、フォトダイオードＰＤ側からカラーフィルタＣＦ側への光の反射を防ぐ、反射防止膜としても機能する。第１隔壁層２１及び第２隔壁層２２は、半導体基板１１１の受光面１１１ａで反射した光を受光面１１１ａ側へ再反射する。これにより、撮像装置１００Ｂは、量子効率を高めることができる。
次に、図８に示した撮像装置１００Ｂの製造方法を説明する。図１０Ａから図１０Ｅは、本開示の実施形態３に係る撮像装置１００Ｂの製造方法を工程順に示す断面図である。図１０Ａにおいて、第１金属層２０を形成する工程までは、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。
第１金属層２０が形成された後、図１０Ｂに示すように、製造装置は、半導体基板１１１の上方に第２隔壁層２２を形成する。例えば、第２隔壁層２２は、結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。製造装置は、第２隔壁層２２を絶縁層２２’（図４Ｅ参照）よりも薄膜に形成する。
次に、図１０Ｃに示すように、製造装置は、第２隔壁層２２上に第１隔壁層２１を形成する。例えば、第１隔壁層２１は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。製造装置は、第１隔壁層２１を絶縁層２１’（図４Ｈ参照）よりも薄膜に形成する。これにより、第１金属層２０と、第１隔壁層２１と、第２隔壁層２２とを有する隔壁２が完成する。また、フォトダイオードＰＤの上方に、第２隔壁層２２と第１隔壁層２１とを有する積層構造が完成する。
これ以降の工程は、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。図１０Ｄに示すように、製造装置は、隣り合う隔壁２０間の領域（すなわち、フォトダイオードＰＤの上方）にカラーフィルタＣＦを形成する。次に、図１０Ｅに示すように、製造装置は、複数のカラーフィルタＣＦの上方に、マイクロレンズＭＬをそれぞれ形成する。このような工程を経て、図８に示した撮像装置１００Ｂが完成する。
＜実施形態４＞
上記の実施形態１では、半導体基板１１１と隔壁２との間に絶縁膜１１のみが配置されている態様を示した。しかしながら、本開示の実施形態において、半導体基板１１１と隔壁２との間の構造はこれに限定されない。半導体基板１１１と隔壁２との間には遮光膜が配置されていてもよい。また、この遮光膜は金属で構成されていてもよい。
図１１は、本開示の実施形態４に係る撮像装置１００Ｃの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図８に示すように、撮像装置１００Ｃでは、半導体基板１１１と隔壁２との間に、金属遮光膜３０（本開示の「遮光膜」の一例）と、金属遮光膜３０の上面及び側面を覆う絶縁膜３１とが設けられている。例えば、半導体基板１１１側から隔壁２側へ、絶縁膜１１と、金属遮光膜３０と、絶縁膜３１とがこの順で積層されている。金属遮光膜３０は、隔壁２の第２隔壁層２２内に閉じ込められた光が半導体基板１１１に入射することを防ぐ。金属遮光膜３０は、フォトダイオードＰＤの上方を露出し、それ以外の領域を覆う形状を有する。
例えば、金属遮光膜３０の幅Ｗ３０は、隔壁２が有する第１金属層２０の幅Ｗ２０よりも大きい（Ｗ３０＞Ｗ２０）。また、金属遮光膜３０の幅Ｗ３０は、隔壁２が有する第１金属層２０の幅Ｗ２０と、第２隔壁層２２において第１金属層２０の第１側面２０ａを覆う部位の厚さＷ２２と、第２隔壁層２２において第１金属層２０の第２側面２０ｂを覆う部位の厚さＷ２２とを足した値以上の大きさであることが好ましい（Ｗ３０≧Ｗ２０＋Ｗ２２×２）。これにより、金属遮光膜３０は、第２隔壁層２２と半導体基板１１１との間に介在することができ、第２隔壁層２２から半導体基板１１１への光の入射を妨げることができる。
図１２は、本開示の実施形態４に係る撮像装置１００Ｃにおいて、隔壁２側から半導体基板１１１側への遮光を説明するための断面図である。なお、図１２は、図１１に示した絶縁膜３１が省略された態様を示している。図１２に示すように、カラーフィルタＣＦの表面に高角度で入射し、第１隔壁層２１を透過して、第２隔壁層２２に入射した光Ｌ２１は、第１金属層２０と第１隔壁層２１との間で反射しながら、半導体基板１１１側（図１２では、下側）へ進む。光Ｌ２１は、金属遮光膜３０の表面に到達すると、第１金属層２０の表面で反射して半導体基板１１１の反対側（図１２では、上側）へ進む。
これにより、金属遮光膜３０は、第２隔壁層２２から半導体基板１１１へ光Ｌ２１が入射することを防ぐことができる。撮像装置１００Ｃは、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光をさらに低減することができる。撮像装置１００Ｃは、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することをさらに抑制することができる。
次に、図１２に示した撮像装置１００Ｃの製造方法を説明する。図１３Ａから図１３Ｈは、本開示の実施形態４に係る撮像装置１００Ｃの製造方法を工程順に示す断面図である。図１３Ａにおいて、絶縁膜１１を形成する工程までは、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。絶縁膜１１が形成された後、製造装置は、絶縁膜１１上に金属膜３０’を形成する。例えば、金属膜３０’は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）であり、その形成方法はＣＶＤ法、又は蒸着法若しくはスパッタ法である。
次に、図１３Ｂに示すように、製造装置は、金属膜３０’上にレジストパターンＲＰ３を形成する。レジストパターンＲＰ３は、フォトダイオードＰＤの上方を露出し、それ以外の領域を覆う形状を有する。レジストパターンＲＰ３は、金属遮光膜３０（図１２参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ３をマスクに用いて、金属膜３０’をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えばＲＩＥである。これにより、図１３Ｃに示すように、金属遮光膜３０が形成される。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ３を除去する。
次に、製造装置は、絶縁膜１１上に絶縁膜を形成する。絶縁膜は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。次に、製造装置は、絶縁膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクに絶縁膜をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えばＲＩＥである。これにより、図１３Ｄに示すように、金属遮光膜３０の上面と側面とを覆う絶縁膜３１が形成される。なお、本実施形態では、絶縁膜のドライエッチングを省略することも可能である。その場合、フォトダイオードＰＤの上方も絶縁膜３１で覆われる。
次に、製造装置は、半導体基板１１１の上方に金属層（図示せず）を形成する。例えば、金属層は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）の薄膜であり、その形成方法はＣＶＤ法、又は蒸着若しくはスパッタ法である。次に、製造装置は、絶縁膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクに金属膜をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えばＲＩＥである。これにより、図１３Ｅに示すように、金属遮光膜３０上に絶縁膜３１を介して第１金属層２０が形成される。
これ以降の工程は、実施形態３で説明した撮像装置１００Ｂの製造方法と同じである。図１３Ｆに示すように、製造装置は、半導体基板１１１の上方に第２隔壁層２２を形成する。次に、図１３Ｇに示すように、製造装置は、第２隔壁層２２上に第１隔壁層２１を形成する。これにより、第１金属層２０と、第１隔壁層２１と、第２隔壁層２２とを有する隔壁２が完成する。また、フォトダイオードＰＤの上方に、第２隔壁層２２と第１隔壁層２１とを有する積層構造が完成する。次に、図１３Ｈに示すように、製造装置は、隣り合う隔壁２０間の領域（すなわち、フォトダイオードＰＤの上方）にカラーフィルタＣＦを形成する。次に、製造装置は、複数のカラーフィルタＣＦの上方に、マイクロレンズ（図示せず）をそれぞれ形成する。このような工程を経て、図１２に示した撮像装置１００Ｃが完成する。
＜実施形態５＞
上記の実施形態では、複数の画素１０２間で、第２隔壁層２２の厚さＷ２２（図１１参照）が互いに同じである場合を示した。しかしながら、本開示の実施形態はこれに限定されない。本開示の実施形態では、第２隔壁層２２において、第１金属層２０の第１側面２０ａを覆う部位の厚さと、第２側面２０ｂを覆う部位の厚さは互いに異なっていてもよい。
図１４は、本開示の実施形態５に係る撮像装置１００Ｄの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図１４に示すように、撮像装置１００Ｄにおいて、青色（Ｂ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さＷ２２Ｂと、緑色（Ｇ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さをＷ２２Ｇと、赤色（Ｒ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さをＷ２２Ｒとが、互いに異なる。例えば、各厚さＷ２２Ｂ、Ｗ２２Ｇ、Ｗ２２Ｂのうち、Ｗ２２Ｂが最も小さく、Ｗ２２Ｒがもっとも大きい。青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各波長と同じように、Ｗ２２Ｂ＜Ｗ２２Ｇ＜Ｗ２２Ｒの関係が成立している。撮像装置１００Ｄは、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の色ごとに第２隔壁層２２の厚さを異ならせることで、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の色ごとに画素１０２の幅や画素面積を異ならせることができる。
撮像装置１００Ｄにおいても、第１金属層２０の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層２０の側面と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。したがって、撮像装置１００Ｄは、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置１００Ｄは、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
次に、図１４に示した撮像装置１００Ｄの製造方法を説明する。図１５Ａ及び図１５Ｂは、本開示の実施形態５に係る撮像装置１００Ｄの製造方法を工程順に示す断面図である。図１５Ａにおいて、絶縁層２２’を形成する工程までは、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。絶縁層２２’が形成された後、図１５Ａに示すように、製造装置は、絶縁層２２’上にレジストパターンＲＰ５を形成する。レジストパターンＲＰ５は、隔壁２の第１金属層２０と第２隔壁層２２（図１４参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。
撮像装置１００では、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２間で、第２隔壁層２２の厚さが互いに異なる。例えば、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２の境界部は第１金属層２０であり、第１金属層２０の第１側面２０ａ側に形成される第２隔壁層２２の厚さと、第２側面２０ｂ側に形成される第２隔壁層２２の厚さは、互いに異なる。このため、レジストパターンＲＰ５の幅方向における中心位置ＣＲＰ５は、第１金属層２０の幅方向における中心位置Ｃ２０に対して、幅方向に位置ずれしている。
また、複数のレジストパターンＲＰ５は、その配置位置によって互いに異なる幅を有する。例えば、青色（Ｂ）の画素１０２と緑色（Ｇ）の画素１０２とに跨るよう位置に配置されるレジストパターンＲＰ５の幅ＷＲＰ５よりも、緑色（Ｇ）の画素１０２と赤色（Ｒ）の画素１０２とに跨るように形成されるレジストパターンＲＰ５の幅ＷＲＰ５の方が大きい。
次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ５をマスクに用いて、絶縁層２２’をドライエッチングする。ドライエッチングは、例えば、ＲＩＥである。これにより、図１５Ｂに示すように、第２隔壁層２２が形成される。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ５を除去する。
これ以降の工程は、実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。製造装置は、第１隔壁層２１（図１４参照）を形成し、カラーフィルタＣＦ（図１４参照）を形成し、マイクロレンズＭＬ（図１４参照）を形成する。このような工程を経て、図１４に示した撮像装置１００Ｄが完成する。
＜実施形態６＞
本開示の実施形態では、複数の画素１０２間で、カラーフィルタＣＦの幅は互いに同じ長さであってもよいし、互いに異なる長さであってもよい。図１６は、本開示の実施形態６に係る撮像装置１００Ｅの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図１６に示すように、撮像装置１００Ｅにおいて、青色（Ｂ）のカラーフィルタＣＦの幅ＷＣＦＢと、緑色（Ｇ）のカラーフィルタＣＦの幅ＷＣＦＧと、赤色（Ｒ）のカラーフィルタＣＦの幅ＷＣＦＲは、互いに異なる。
例えば、各幅ＷＣＦＢ、ＷＣＦＧ、ＷＣＦＲのうち、ＷＣＦＢが最も大きく、ＷＣＦＲが最も小さい。青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２うち、赤色（Ｒ）の画素１０２の感度が最も高く、青色（Ｂ）の画素１０２の感度が最も低い。このため、撮像装置１００Ｄでは、カラーフィルタＣＦの幅ＷＣＦＥを小さくして、赤色（Ｒ）の感度を緑色（Ｇ）の感度に近づけている。また、青色（Ｂ）のカラーフィルタＣＦの幅ＷＣＦＥを大きくして、青色（Ｂ）の感度を緑色（Ｇ）の感度に近づけている。青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各感度とは逆に、ＷＣＦＢ＞ＷＣＦＧ＞ＷＣＦＲの関係が成立している。
また、撮像装置１００Ｅにおいても、実施形態５で説明した撮像装置１００Ｄと同様に、青色（Ｂ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さＷ２２Ｂと、緑色（Ｇ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さをＷ２２Ｇと、赤色（Ｒ）の画素１０２の第２隔壁層２２の厚さをＷ２２Ｒとが、互いに異なっていてもよい。
例えば、Ｗ２２Ｂ＜Ｗ２２Ｇ＜Ｗ２２Ｒの関係が成立していてもよい。撮像装置１００Ｅでは、第２隔壁層２２の厚さを青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）ごとに異ならせることで、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２が互いに同じ幅となっている。具体的には、ＷＣＦＢ＋Ｗ２２Ｂ×２＝ＷＣＦＧ＋Ｗ２２Ｇ×２＝ＷＣＦＲ＋Ｗ２２Ｒ×２、の関係が成立している。これにより、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２が互いに同じ幅となっており、カラーフィルタＣＦ上に配置されるマイクロレンズＭＬも互いに同じ幅（径）となっている。青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の各画素１０２において、画素面積の均一化が図られている。
撮像装置１００Ｅにおいても、第１金属層２０の側面に到達した高角度入射光は、第１金属層２０の側面と第１隔壁層２１との間で反射を繰り返しながら、減衰する。したがって、撮像装置１００Ｅは、フォトダイオードＰＤに到達する高角度入射光を低減することができる。撮像装置１００Ｅは、高角度入射光が光電変換されて画素信号に混色等が生じることにより撮像性能が低下することを抑制することができる。
＜実施形態７＞
本開示の実施形態に係る撮像装置の半導体基板には、互いに隣り合うフォトダイオードＰＤ同士を分離するトレンチアイソレーションが設けられていてもよい。また、本開示の実施形態に係る撮像装置には、いわゆる「瞳補正」が施されていてもよい。
図１７は、本開示の実施形態７に係る撮像装置１００Ｆにおいて、複数のフォトダイオードで構成される撮像領域の中心領域ＡＲ１と、周辺領域ＡＲ２とを例示する図である。図１８は、本開示の実施形態７に係る撮像装置１００Ｆであって、図１７に示す撮像領域の周辺領域ＡＲ２における隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。
図１８に示すように、撮像装置１００Ｆの半導体基板１１１には、互いに隣り合う一方のフォトダイオードＰＤと他方のフォトダイオードＰＤとの間を分離するトレンチアイソレーション５（本開示の「素子分離層」の一例）が設けられていてもよい。トレンチアイソレーション５は、半導体基板１１１に設けられたトレンチと、トレンチに埋め込まれた絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２）とで構成されている。トレンチアイソレーション５上に隔壁２が位置する。なお、本開示の実施形態では、半導体基板１１１に深く形成されたトレンチアイソレーション５を、ディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）と呼んでもよい。
また、撮像装置１００Ｆには、いわゆる「瞳補正」が施されている。例えば、互いに隣り合うカラーフィルタＣＦ同士を分離する隔壁２は、互いに隣り合うフォトダイオードＰＤ同士を分離するトレンチアイソレーション５に対して、撮像装置の中心領域ＡＲ１側へ所定の距離Ｗｇａｐだけシフトしている。この距離（シフト量）Ｗｇａｐは、中心領域ＡＲ１から遠ざかるにしたがって大きくなっている。これにより、撮像装置１００Ｆは、周辺領域ＡＲ２における入射可能な角度範囲を中心領域ＡＲ１の上方へ偏らせることができ、周辺領域ＡＲ２における集光効率を高めることができる。
＜実施形態８＞
本開示の実施形態において、互いに隣り合うフォトダイオードＰＤ同士を分離するトレンチアイソレーション５は、金属層（以下、第２金属層）を備えてもよい。トレンチアイソレーション５が備える第２金属層は、隔壁２が有する第１金属層２０と接合又は一体に形成されて一体化していてもよいし、離れていてもよい。
図１９は、本開示の実施形態８に係る撮像装置１００Ｇの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図１９に示すように、撮像装置１００Ｇの半導体基板１１１には、互いに隣り合うフォトダイオードＰＤ同士を分離するトレンチアイソレーション５が設けられている。撮像装置１００Ｇにおいて、トレンチアイソレーション５は、トレンチアイソレーション５の中心部に位置する第２金属層５０と、第２金属層５０を外側から覆う透光性の第１絶縁層５１と、第２金属層５０と第１絶縁層５１との間に位置する第２絶縁層５２とを有する。第１絶縁層５１と、第２絶縁層は、本開示の「絶縁層」に対応している。
例えば、撮像装置１００Ｇの厚さ方向（すなわち、受光面１１１ａの法線方向）において、トレンチアイソレーション５が有する第２金属層５０と、隔壁２が有する第１金属層２０は互いに重なっている。同様に、第１絶縁層５１と第１隔壁層２１は互いに重なり、第２絶縁層５２と第２隔壁層２２も互いに重なっている。第１金属層２０の幅Ｗ５０は、第１金属層２０の幅Ｗ２０と同じ大きさでもよいし、異なる大きさであってもよい。図１９では、Ｗ５０＝Ｗ２０である場合を示しているが、これはあくまで一例である。Ｗ５０＜Ｗ２０であってもよいし、Ｗ５０＞Ｗ２０であってもよい。
第２金属層５０、第１絶縁層５１、第２絶縁層５２を構成する各材料は特に限定されないが、一例を挙げると、第２金属層５０は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）で構成され、第１絶縁層５１はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で構成され、第２絶縁層５２は結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）で構成されている。
第１金属層２０と第２金属層５０とが互いに同じ材料で構成される場合、第１金属層２０と第２金属層５０は互いに接合し易い。また、第１金属層２０と第２金属層５０とが互いに同じ材料で構成される場合、第１金属層２０と第２金属層５０は一体に形成されてもよい。第１金属層２０と第２金属層５０とが、接合又は一体に形成されて一体化することにより、半導体基板１１１に対する隔壁２の接合強度の向上が可能である。
第１絶縁層５１と、第１隔壁層２１とが互いに同じ材料で構成される場合、第１絶縁層５１と第１隔壁層２１とは互いに接合し易いので、半導体基板１１１に対する隔壁２の接合強度の向上が可能である。同様に、第２絶縁層５２と、第２隔壁層２２とが互いに同じ材料で構成される場合、第２絶縁層５２と第２隔壁層２２とは互いに接合し易いので、半導体基板１１１に対する隔壁２の接合強度の向上が可能である。
次に、図１９に示した撮像装置１００Ｇの製造方法を説明する。図２０Ａから図２０Ｇは、本開示の実施形態８に係る撮像装置１００Ｇの製造方法を工程順に示す断面図である。図２０Ａに示すように、製造装置は、フォトダイオードＰＤが形成された半導体基板１１１の受光面１１１ａ上に絶縁膜１１を形成する。次に、製造装置は、絶縁膜１１及び半導体基板１１１をエッチングして、トレンチＨ１を形成する。トレンチＨ１は、互いに隣り合う一方のフォトダイオードＰＤ１と他方のフォトダイオードＰＤとの間に形成される。次に、図２０Ｂに示すように、製造装置は、半導体基板１１１の受光面１１１ａ側に絶縁層５１’を形成して、トレンチＨ１を埋め込む。例えば、絶縁層５１’はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。次に、製造装置は、絶縁層５１’の表面にＣＭＰ処理を施して、絶縁層５１’の表面を平坦化する。
次に、図２０Ｃに示すように、製造装置は、絶縁層５１’上にレジストパターンＲＰ６を形成する。レジストパターンＲＰ６は、トレンチアイソレーション５のうち、第２金属層５０（図１９参照）が形成される領域と、第２絶縁層５２（図１９参照）が形成される領域とを開口し、それ以外の領域を覆う形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ６をマスクに用いて、絶縁層５１’をドライエッチングする。これにより、図２０Ｃに示すように、トレンチＨ１内に配置された第１絶縁層５１が形成される。第１絶縁層５１の形成後、製造装置は、レジストパターンＲＰ６を除去する。
次に、図２０Ｄに示すように、製造装置は、受光面１１１ａの上方に絶縁層５２’を形成する。例えば、絶縁層５２’は結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。次に、製造装置は、絶縁層５２’を部分的にドライエッチングして、トレンチＨ１以外の領域から絶縁層５２’を除去する。トレンチＨ１内に残された絶縁層５２’は、第２絶縁層５２となる。なお、本実施形態では、絶縁層５２’のドライエッチングを省いてもよい。この場合、半導体基板１１１の受光面１１１ａ側の全体が、絶縁層５２’（すなわち、第２絶縁層５２）で覆われた構造となる。
次に、図２０Ｅに示すように、製造装置は、受光面１１１ａ側に金属層５０’を形成する。例えば、金属層５０’は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）の薄膜であり、その形成方法は蒸着又はスパッタ法である。トレンチＨ１は、第１絶縁層５１と第２絶縁層５２と金属層５０’とで埋め込まれた構造となる。
次に、図２０Ｆに示すように、製造装置は、金属層５０’上にレジストパターンＲＰ７を形成する。レジストパターンＲＰ７は、第１金属層２０（図２参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ７をマスクに用いて、金属層５０’をドライエッチングする。これにより、図２０Ｇに示すように、金属層５０’から、第１金属層２０と第２金属層５０とが形成される。第２金属層５０が形成されることによって、トレンチアイソレーション５が完成する。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ７を除去する。
これ以降の工程は、例えば実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。図４Ｅから図４Ｋに示した工程を経て、図１９に示した撮像装置１００Ｇが完成する。
＜実施形態９＞
本開示の実施形態では、トレンチアイソレーション５の第２金属層５０と隔壁２の第１金属層２０との間に、遮光膜が配置されていてもよい。また、この遮光膜は金属で構成されていてもよい。
図２１は、本開示の実施形態９に係る撮像装置１００Ｈの隔壁２とその周辺部の構成例を示す断面図である。図２１に示すように、撮像装置１００Ｈでは、トレンチアイソレーション５の第２金属層５０と隔壁２の第１金属層２０との間に、金属遮光膜３０と、金属遮光膜３０の上面及び側面を覆う絶縁膜３１とが設けられている。トレンチアイソレーション５側から隔壁２側へ、金属遮光膜３０と、絶縁膜３１とがこの順で積層されている。金属遮光膜３０は、隔壁２の第２隔壁層２２内に閉じ込められた光が、トレンチアイソレーション５に入射することを防ぐ。
例えば、金属遮光膜３０の幅Ｗ３０は、第２金属層５０の幅Ｗ５０よりも大きい（Ｗ３０＞Ｗ５０）。また、金属遮光膜３０の幅Ｗ３０は、第２金属層５０の幅Ｗ５０と、第２絶縁層５２において第２金属層５０の一方の側面を覆う部位の厚さＷ５２と、第２絶縁層５２において第２金属層５０の他方の側面を覆う部位の厚さＷ５２とを足した値以上の大きさであることが好ましい（Ｗ３０≧Ｗ５０＋Ｗ５２×２）。これにより、金属遮光膜３０は、第２金属層５０と第２絶縁層５２とを覆うことができる。金属遮光膜３０は、第２隔壁層２２から第２金属層５０や第２絶縁層５２への光の入射を妨げることができる。
次に、図２１に示した撮像装置１００Ｈの製造方法を説明する。図２２Ａから図２２Ｌは、本開示の実施形態９に係る撮像装置１００Ｈの製造方法を工程順に示す断面図である。図２２Ａにおいて、トレンチＨ１を形成する工程までは、実施形態８で説明した撮像装置１００Ｇの製造方法と同じである。トレンチＨ１が形成された後、図２２Ｂに示すように、製造装置は、絶縁膜１１上に絶縁層５１’を形成する。例えば、絶縁層５１’はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。
次に、図２２Ｃに示すように、製造装置は、絶縁層５１’上に絶縁層５２’を形成して、トレンチＨ１を埋め込む。例えば、絶縁層５２’は結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。次に、図２２Ｄに示すように、製造装置は、絶縁層５２’の表面にＣＭＰ処理を施して、トレンチＨ１以外の領域から絶縁層５２’を除去する。また、製造装置は、絶縁層５２’下から露出した絶縁層５１’の表面にもＣＭＰ処理を施して、トレンチＨ１以外の領域から絶縁層５１’を除去する。これにより、トレンチＨ１内に配置された第１絶縁層５１が形成される。なお、本実施形態では、絶縁層５１’に対するＣＭＰ処理は省いてもよい。この場合、半導体基板１１１の受光面１１１ａ側の全体が、絶縁層５１’（すなわち、第１絶縁層５１）で覆われた構造となる。
次に、図２２Ｅに示すように、製造装置は、半導体基板１１１の受光面１１１ａ側にレジストパターンＲＰ８を形成する。レジストパターンＲＰ８は、トレンチアイソレーション５のうち、第２金属層５０（図２１参照）が形成される領域を開口し、それ以外の領域を覆う形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ８をマスクに用いて、絶縁層５２’をドライエッチングする。これにより、トレンチＨ１内に配置された第２絶縁層５２が形成される。第２絶縁層５２の形成後、製造装置は、レジストパターンＲＰ８を除去する
次に、図２２Ｆに示すように、製造装置は、受光面１１１ａ側に金属層５０’を形成する。例えば、金属層５０’は銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）の薄膜であり、その形成方法は蒸着又はスパッタ法である。トレンチＨ１は、第１絶縁層５１と第２絶縁層５２と金属層５０’とで埋め込まれた構造となる。
次に、図２０Ｇに示すように、製造装置は、金属層５０’上にレジストパターンＲＰ９を形成する。レジストパターンＲＰ９は、金属遮光膜３０（図２１参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ８をマスクに用いて、金属層５０’をドライエッチングする。これにより、金属層５０’から、トレンチアイソレーション５の第２金属層５０と、金属遮光膜３０とが形成される。第２金属層５０が形成されることによって、トレンチアイソレーション５が完成する。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ９を除去する。
次に、図２２Ｈに示すように、製造装置は、半導体基板１１１の受光面１１１ａ側に絶縁膜３１を形成して、金属遮光膜３０を覆う。絶縁膜３１の形成方法は、例えばＣＶＤ法である。次に、図２２Ｉに示すように、製造装置は、受光面１１１ａ側に金属層２０’を形成する。金属層２０’の形成方法は、例えば蒸着又はスパッタ法である。次に、図２２Ｊに示すように、製造装置は、金属層２０’上にレジストパターンＲＰ１０を形成する。レジストパターンＲＰ１０は、第１金属層２０（図２１参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ１０をマスクに用いて、金属層２０’をドライエッチングする。これにより、金属層２０’から、第１金属層２０が形成される。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ１０を除去する。
次に、図２２Ｋに示すように、製造装置は、受光面１１１ａの上方に絶縁層２２’を形成する。例えば、絶縁層２２’は、結晶構造がアモルファス構造である炭化シリコン膜（ａ−ＳｉＣ）であり、その形成方法はＣＶＤ法である。次に、図２２Ｌに示すように、製造装置は、絶縁層２２’上にレジストパターンＲＰ１１を形成する。レジストパターンＲＰ１１は、第１金属層２０と第２隔壁層２２（図２１参照）となる領域を覆い、それ以外の領域を露出する形状を有する。次に、製造装置は、レジストパターンＲＰ１０をマスクに用いて、絶縁層２２’をドライエッチングする。これにより、絶縁層２２’から第２隔壁層２２が形成される。その後、製造装置は、レジストパターンＲＰ１０を除去する。
これ以降の工程は、例えば実施形態１で説明した撮像装置１００の製造方法と同じである。図４Ｈから図４Ｋに示した工程を経て、図２１に示した撮像装置１００Ｈが完成する。
＜その他の実施形態＞
上記のように、本開示は実施形態及び変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本開示に係る技術（本技術）はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。上述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
＜電子機器への適用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなど（以下、カメラと総称する。）の撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機等のモバイル機器、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図２３は、本開示に係る技術（本技術）を電子機器３００に適用した例を示す概念図である。図２３に示すように、電子機器３００は、例えばカメラであり、固体撮像装置２０１、光学レンズ２１０、シャッタ装置２１１、駆動回路２１２、及び、信号処理回路２１３を有する。光学レンズ２１０は、本開示の「光学部品」の一例である。
光学レンズ２１０を透過した光が固体撮像装置２０１に入射する。例えば、光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置２０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置２０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路２１２は、固体撮像装置２０１の転送動作等及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０１の信号転送を行う。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。例えば、信号処理回路２１３は、固体撮像装置２０１から出力される信号を処理する。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。
なお、電子機器３００におけるシャッタ動作は、機械式シャッタではなく、固体撮像装置２０１による電子式シャッタ（例えば、グローバルシャッタ）で実現されてもよい。電子機器３００におけるシャッタ動作が電子式シャッタで実現される場合、図２３のシャッタ装置２１１は省略されてもよい。
電子機器３００では、上述した撮像装置１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈのいずれか１つ以上が固体撮像装置２０１に適用される。これにより、性能の向上が図られた電子機器３００を得ることができる。なお、電子機器３００は、カメラに限られるものではない。電子機器３００は、撮像機能を備えた携帯電話機等のモバイル機器、または、撮像機能を備えた他の機器であってもよい。
＜内視鏡手術システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図２４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図２４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ： Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
図２５は、図２４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２、ＣＣＵ１１２０１の画像処理部１１４１２等に適用され得る。具体的には、上述した撮像装置１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈのいずれか１つ以上を撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２、ＣＣＵ１１２０１の画像処理部１１４１２等に本開示に係る技術を適用することにより、より鮮明な術部画像を得ることができるため、術者が術部を確実に確認することが可能になる。また、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２、ＣＣＵ１１２０１の画像処理部１１４１２等に本開示に係る技術を適用することにより、より低レイテンシで術部画像を得ることができるため、術者が術部を触接観察している場合と同様の感覚で処置を行うことが可能になる。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図２６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図２７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図２７では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図２７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、上述した撮像装置１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈのいずれか１つ以上を撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、
前記半導体基板上に設けられ、前記複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備え、
前記隔壁は、
第１金属層と、
前記第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、
前記第１金属層と前記第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有し、
前記第２隔壁層の屈折率は前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、撮像装置。
（２）前記カラーフィルタの屈折率は、前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、
前記（１）に記載の撮像装置。
（３）前記カラーフィルタを挟んで前記半導体基板の反対側に配置されるレンズ、をさらに備え、
前記第１金属層は、前記レンズ側に位置する端面を有し、
前記第２隔壁層は、前記第１金属層の前記端面を覆い、
前記第１隔壁層は、前記第２隔壁層を介して前記端面を覆う、
前記（１）又は（２）に記載の撮像装置。
（４）前記光電変換素子の上方に前記第２隔壁層、前記第１隔壁層及び前記カラーフィルタがこの順で積層されている、
前記（１）から（３）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（５）前記隔壁と前記半導体基板との間に配置される遮光膜をさらに備える、
前記（１）から（４）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（６）前記遮光膜は金属で構成されている、前記（５）に記載の撮像装置。
（７）前記第１金属層の側面は、
第１側面と、
前記第１側面の反対側に位置する第２側面と、を含み、
前記第２隔壁層において、
前記第１側面を覆う部位の厚さと、前記第２側面を覆う部位の厚さは互いに異なる、
前記（１）から（６）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（８）前記一方のカラーフィルタの幅と前記他方のカラーフィルタの幅は互いに異なる、
前記（１）から（７）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（９）前記半導体基板は、前記複数の光電変換素子のうち互いに隣り合う一方の光電変換素子と他方の光電変換素子との間を分離する素子分離層をさらに有し、
前記素子分離層上に前記隔壁が位置し、
前記複数の光電変換素子で構成される撮像領域の中心領域から遠ざかるにしたがって、前記素子分離層に対する前記隔壁の前記中心領域側へのシフト量が大きくなる、
前記（１）から（８）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（１０）前記半導体基板は、前記複数の光電変換素子のうち互いに隣り合う一方の光電変換素子と他方の光電変換素子との間を分離する素子分離層をさらに有し、
前記素子分離層上に前記隔壁が位置し、
前記素子分離層は、
第２金属層と、
前記第２金属層の側面を覆う絶縁層と、を有する、
前記（１）から（８）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（１１）前記第１金属層と前記第２金属層とが一体化している、
前記（１０）に記載の撮像装置。
（１２）前記第１金属層と前記第２金属層との間に配置された金属遮光膜、をさらに備え、
前記第２金属層と前記金属遮光膜とが一体化している、
前記（１０）に記載の撮像装置。
（１３）前記第２隔壁層は、結晶構造がアモルファスである炭化シリコン膜で構成されており、
前記第１隔壁層は、シリコン酸化膜で構成されている、
前記（１）から（１２）のいずれか１項に記載の撮像装置。
（１４）光学部品と、
前記光学部品を透過した光が入射する撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記撮像装置は、
複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、
前記半導体基板上に設けられ、前記複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備え、
前記隔壁は、
第１金属層と、
前記第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、
前記第１金属層と前記第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有し、
前記第２隔壁層の屈折率は前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、電子機器。
２ 隔壁
１１、３１ 絶縁膜
２０ 第１金属層
２０’、５０’ 金属層
２０ａ 第１側面
２０ｂ 第２側面
２０ｃ 上端面
２１ 第１隔壁層
２１’、２２’、５１’、５２’ 絶縁層
２２ 第２隔壁層
３０ 金属遮光膜
３０’ 金属膜
５０ 第２金属層
５１ 第１絶縁層
５２ 第２絶縁層
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ 撮像装置
１０２ 画素
１０３ 画素領域
１０４ 垂直駆動回路
１０５ カラム信号処理回路
１０６ 水平駆動回路
１０７ 出力回路
１０８ 制御回路
１０９ 垂直信号線
１１０ 水平信号線
１１１ 半導体基板
２０１ 固体撮像装置
２１０ 光学レンズ
２１１ シャッタ装置
２１２ 駆動回路
２１３ 信号処理回路
３００ 電子機器
１０４０２ 撮像部
１１０００ 内視鏡手術システム
１１１００ 内視鏡
１１１０１ 鏡筒
１１１０２ カメラヘッド
１１１１０ 術具
１１１１１ 気腹チューブ
１１１１２ エネルギー処置具
１１１２０ 支持アーム装置
１１１３１ 術者（医師）
１１１３１ 術者
１１１３２ 患者
１１１３３ 患者ベッド
１１２００ カート
１１２０１ カメラコントロールユニット
１１２０２ 表示装置
１１２０３ 光源装置
１１２０４ 入力装置
１１２０５ 処置具制御装置
１１２０６ 気腹装置
１１２０７ レコーダ
１１２０８ プリンタ
１１４００ 伝送ケーブル
１１４０１ レンズユニット
１１４０２ 撮像部
１１４０３ 駆動部
１１４０４ 通信部
１１４０５ カメラヘッド制御部
１１４１１ 通信部
１１４１２ 画像処理部
１１４１３ 制御部
１２０００ 車両制御システム
１２００１ 通信ネットワーク
１２０１０ 駆動系制御ユニット
１２０２０ ボディ系制御ユニット
１２０３０ 車外情報検出ユニット
１２０３１ 撮像部
１２０４０ 車内情報検出ユニット
１２０４１ 運転者状態検出部
１２０５０ 統合制御ユニット
１２０５１ マイクロコンピュータ
１２０５２ 音声画像出力部
１２０６１ オーディオスピーカ
１２０６２ 表示部
１２０６３ インストルメントパネル
１２１００ 車両
１２１０１から１２１０５ 撮像部
１２１１１から１２１１４ 撮像範囲
ＡＭＰ 増幅トランジスタ
ＡＲ１ 中心領域
ＡＲ２ 周辺領域
Ｃ２０ 中心位置
ＣＣＵ１１２０１ 撮像部
ＣＦ、ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＦ４ カラーフィルタ
ＣＲＰ５ 中心位置
ＦＤ フローティングディフュージョン
Ｈ トレンチ
Ｉ 車載ネットワーク
ＩＣＧ インドシアニングリーン
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３ 光
Ｌ２１ 光
ＭＬ マイクロレンズ
ＭＬＥ 端部
ｎ２１、ｎ２２、ｎｃｆ 屈折率
ＰＤ、ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４ フォトダイオード
ＰＵ 画素ユニット
ＱＥ 量子効率
ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５、ＲＰ６、ＲＰ７、ＲＰ８、ＲＰ９、ＲＰ１０、ＲＰ１１ レジストパターン
ＲＳＴ リセットトランジスタ
ＳＥＬ 選択トランジスタ
ＳｉＯ２ シリコン酸化膜
ＴＲ 転送トランジスタ
ＶＤＤ 電源線
Ｗ２０、Ｗ３０、ＷＣＦＢ、ＷＣＦＥ、ＷＣＦＧ、ＷＣＦＲ、ＷＲＰ５ 幅
Ｗｇａｐ 距離（シフト量）
θ１、θ２、θ３ 入射角

Claims (14)

  1. 複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
    前記半導体基板上に設けられ、前記複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、
    前記半導体基板上に設けられ、前記複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備え、
    前記隔壁は、
    第１金属層と、
    前記第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、
    前記第１金属層と前記第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有し、
    前記第２隔壁層の屈折率は前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、撮像装置。
  2. 前記カラーフィルタの屈折率は、前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、請求項１に記載の撮像装置。
  3. 前記カラーフィルタを挟んで前記半導体基板の反対側に配置されるレンズ、をさらに備え、
    前記第１金属層は、前記レンズ側に位置する端面を有し、
    前記第２隔壁層は、前記第１金属層の前記端面を覆い、
    前記第１隔壁層は、前記第２隔壁層を介して前記端面を覆う、請求項１に記載の撮像装置。
  4. 前記光電変換素子の上方に前記第２隔壁層、前記第１隔壁層及び前記カラーフィルタがこの順で積層されている、請求項１に記載の撮像装置。
  5. 前記隔壁と前記半導体基板との間に配置される遮光膜をさらに備える、請求項１に記載の撮像装置。
  6. 前記遮光膜は金属で構成されている、請求項５に記載の撮像装置。
  7. 前記第１金属層の側面は、
    第１側面と、
    前記第１側面の反対側に位置する第２側面と、を含み、
    前記第２隔壁層において、
    前記第１側面を覆う部位の厚さと、前記第２側面を覆う部位の厚さは互いに異なる、請求項１に記載の撮像装置。
  8. 前記一方のカラーフィルタの幅と前記他方のカラーフィルタの幅は互いに異なる、請求項１に記載の撮像装置。
  9. 前記半導体基板は、前記複数の光電変換素子のうち互いに隣り合う一方の光電変換素子と他方の光電変換素子との間を分離する素子分離層をさらに有し、
    前記素子分離層上に前記隔壁が位置し、
    前記複数の光電変換素子で構成される撮像領域の中心領域から遠ざかるにしたがって、前記素子分離層に対する前記隔壁の前記中心領域側へのシフト量が大きくなる、請求項１に記載の撮像装置。
  10. 前記半導体基板は、前記複数の光電変換素子のうち互いに隣り合う一方の光電変換素子と他方の光電変換素子との間を分離する素子分離層をさらに有し、
    前記素子分離層上に前記隔壁が位置し、
    前記素子分離層は、
    第２金属層と、
    前記第２金属層の側面を覆う絶縁層と、を有する、請求項１に記載の撮像装置。
  11. 前記第１金属層と前記第２金属層とが一体化している、請求項１０に記載の撮像装置。
  12. 前記第１金属層と前記第２金属層との間に配置された金属遮光膜、をさらに備え、
    前記第２金属層と前記金属遮光膜とが一体化している、請求項１０に記載の撮像装置。
  13. 前記第２隔壁層は、結晶構造がアモルファスである炭化シリコン膜で構成されており、
    前記第１隔壁層は、シリコン酸化膜で構成されている、請求項１に記載の撮像装置。
  14. 光学部品と、
    前記光学部品を透過した光が入射する撮像装置と、
    前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を備え、
    前記撮像装置は、
    複数の光電変換素子を有する半導体基板と、
    前記半導体基板上に設けられ、前記複数の光電変換素子とそれぞれ向かい合う複数のカラーフィルタと、
    前記半導体基板上に設けられ、前記複数のカラーフィルタのうち互いに隣り合う一方のカラーフィルタと他方のカラーフィルタとの間を隔てる隔壁と、を備え、
    前記隔壁は、
    第１金属層と、
    前記第１金属層の側面を覆う透光性の第１隔壁層と、
    前記第１金属層と前記第１隔壁層との間に位置する透光性の第２隔壁層と、を有し、
    前記第２隔壁層の屈折率は前記第１隔壁層の屈折率よりも大きい、電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7185753B1 (ja) 2021-07-19 2022-12-07 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 固体撮像素子
WO2022270371A1 (ja) * 2021-06-23 2022-12-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5364989B2 (ja) * 2007-10-02 2013-12-11 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
WO2012073402A1 (ja) * 2010-12-01 2012-06-07 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP6060851B2 (ja) * 2013-08-09 2017-01-18 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP6262496B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10319760B2 (en) * 2015-07-20 2019-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
CN109155325A (zh) * 2017-03-22 2019-01-04 索尼半导体解决方案公司 摄像装置和信号处理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270371A1 (ja) * 2021-06-23 2022-12-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
JP7185753B1 (ja) 2021-07-19 2022-12-07 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 固体撮像素子
JP2023014965A (ja) * 2021-07-19 2023-01-31 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 固体撮像素子

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