JP2021086050A - Optical waveguide module - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、光導波路モジュールに関する。 The present disclosure relates to an optical waveguide module.
従来技術の光導波路モジュールは、たとえば特許文献1に記載されている。この従来技術では、複数のレンズユニットのそれぞれがレーザ光源から出力されるレーザ光を集光するレンズ部と、レンズユニットを支持する凸状のガイドが設けられた支持部とを有する。光導波路としてのキャリア基板は、複数のレーザ光源が搭載される第1主面と、複数のレンズユニットを支持する段差面と、光合波器が搭載される第2主面とを有する。段差面および第2主面の少なくとも一方には、凹状のガイドが設けられ、各レンズユニットは凸状のガイドが凹状のガイドに案内され、レーザ光源の光軸とレンズ部の光軸とが一致するように位置決めされて、接着剤によってキャリア基板に固定され、このキャリア基板がパッケージ基板に固定されている。
The optical waveguide module of the prior art is described in, for example,
上記特許文献1に記載される従来技術では、レンズユニットの支持部がキャリア基板の段差面に接着剤によって固定され、レンズユニットのレンズ部およびレンズ部を保持する保持部は、キャリア基板の上面から上方に位置している。そのため、レンズユニットのパッケージ基板からの突出高さが大きく、低背化を図ることができる光導波路モジュールが求められている。
In the prior art described in
本開示の光導波路モジュールは、基板と、前記基板の上面に位置するとともに、クラッド層および前記クラッド層内に位置するコア層を有し、前記コア層の出射端面が前記クラッド層の外方に露出する光導波路と、前記出射端面および前記基板の前記出射端面側の側面に対向して位置する光学部材と、前記光学部材と前記基板の前記側面とを接合する接合層と、を備えていることを特徴とする。 The optical waveguide module of the present disclosure has a substrate, a clad layer located on the upper surface of the substrate, and a core layer located in the clad layer, and the exit end surface of the core layer is outside the clad layer. It includes an exposed optical waveguide, an optical member located facing the exit end surface and the side surface of the substrate on the exit end surface side, and a bonding layer for joining the optical member and the side surface of the substrate. It is characterized by that.
本開示の光導波路モジュールによれば、出射端面および基板の出射端面側の側面に対向して光学部材が位置し、光学部材と基板の側面とを接合層によって接合する。これによって、光学部材の基板からの突出高さが基板の厚み分だけ少なくすることができ、低背化された光導波モジュールを提供することができる。 According to the optical waveguide module of the present disclosure, the optical member is located so as to face the emission end surface and the side surface of the substrate on the emission end surface side, and the optical member and the side surface of the substrate are joined by a bonding layer. As a result, the height of the optical member protruding from the substrate can be reduced by the thickness of the substrate, and a low-profile optical waveguide module can be provided.
(実施形態1)
図1は本開示の実施形態1の光導波路モジュールを示す分解斜視図であり、図2は図1に示される光導波路パッケージの側面図である。図3は集光レンズ付近の拡大断面図である。なお、以下の各実施形態において、図2に示される光導波路パッケージが水平に配置させているものとし、図2の上下方向が光導波路パッケージの厚み方向、図2の左右方向が光導波路パッケージの長手方向、図2の紙面に垂直な方向が光導波路パッケージの幅方向にそれぞれ対応するものとして説明する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an exploded perspective view showing the optical waveguide module of the first embodiment of the present disclosure, and FIG. 2 is a side view of the optical waveguide package shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the condenser lens. In each of the following embodiments, it is assumed that the optical waveguide packages shown in FIG. 2 are arranged horizontally, the vertical direction of FIG. 2 is the thickness direction of the optical waveguide package, and the horizontal direction of FIG. 2 is the optical waveguide package. It will be described as assuming that the longitudinal direction and the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2 correspond to the width direction of the optical waveguide package, respectively.
本実施形態の光導波路パッケージは、基板1と、基板1の上面2に位置するとともに、クラッド層3およびクラッド層3内に位置するコア層4を有する光導波路5と、を備える。クラッド層3は、底面6と該底面6を囲むように位置した、複数の凹部8を有している。複数の凹部8のそれぞれによって、素子搭載部が構成される。これらの凹部8を覆うように、封止蓋体11が積層される。なお、複数の凹部8は、下辺よりも上辺が外側に位置するように傾斜している内壁面7を有していてもよい。
The optical waveguide package of the present embodiment includes a
本実施形態に光導波路パッケージでは、発光素子10をそれぞれ収容する複数(本実施形態では3)の凹部8を有し、各発光素子10を含んで発光装置20が構成される。発光素子10としては、レーザーダイオードなどが適用される。光導波路5は、コア層4とクラッド層3とが一体に結合されて構成される。基板1は、複数の誘電体層が積層されて形成されていてもよい。
In the present embodiment, the optical waveguide package has a plurality of recesses 8 (3 in the present embodiment) accommodating each of the
基板1は、誘電体層がセラミック材料から成るセラミック配線基板であってもよい。セラミック配線基板で用いられるセラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化ケイ素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体等が挙げられる。基板1がセラミック配線基板である場合、誘電体層には、発光素子および受光素子と外部回路との電気的接続のための接続パッド、内部配線導体、外部接続端子等の各導体が配設される。
The
基板1の材料としては、例えば誘電体層が有機材料から成る有機配線基板であってもよい。有機配線基板は、例えば、プリント配線基板、ビルドアップ配線基板、フレキシブル配線基板等である。有機配線基板に用いられる有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
The material of the
光導波路5は、例えば、石英などのガラス、樹脂等であってもよい。光導波路5は、コア層4と、クラッド層3を構成する材料としては、いずれもガラスあるいは樹脂であってもよく、一方がガラスで一方が樹脂であってもよい。この場合には、コア層4とクラッド層3との屈折率が異なっており、コア層4はクラッド層3よりも屈折率が高い。この屈折率の違いを利用して、光の全反射をさせる。つまり、屈折率の高い材料で路を作り、周りを屈折率の低い材料で囲んでおくと、光は屈折率の高いコア層4内に閉じ込めることができる。
The
コア層4は、複数の入射端面4a,4b,4cと1つの出射端面42との間を、入射端面4a〜4cを一端とする複数の分割路41a,41b,41cと、複数の分割路41a,41b,41cが会合する合波部43と、出射端面42を一端とする統合路44とを介して繋ぐ合波路を構成する。
The core layer 4 has a plurality of dividing
光学部材である集光レンズ45は、コア層4の出射端面42および基板1の出射端面42側の側面に対向して配置される。出射端面42の中心軸上に集光レンズ45の光軸が位置している。なお、このとき、光学部材である集光レンズ45は、コア層4の出射端面42および基板1の出射端面42側の側面の少なくとも一部が対向していればよい。
The
各発光素子10から出射された赤色(R)光、緑色(G)光、青色(B)光の各光は、入射端面4a,4b,4cから分割路41a,41b,41cに入射し、合波部43および統合路44を経て、集光レンズ45によって集光し、出射する。
The red (R) light, green (G) light, and blue (B) light emitted from each
集光レンズ45は、例えば、入射面が平面に形成され、出射面が凸面の平凸レンズである。各分割路41a,41b,41cの各光軸と、各発光素子10の発光部の中心とが一致するように、光導波層と発光素子10と集光レンズ45とが組み立てられ、光導波路モジュールを構成する。
The
本実施形態の光導波路モジュールは、基板1と、基板1の上面2に位置するとともに、クラッド層およびクラッド層3内に位置するコア層4を有し、コア層4の出射端面42がクラッド層3の外方に露出する光導波路5と、出射端面42および基板1の出射端面42側の側面に対向して位置する集光レンズ45と、集光レンズ45と基板1の側面とを接合する接合層17と、を備えている。接合層17の下端部は、基板1の下面よりも上方に位置している。
The optical waveguide module of the present embodiment has a
このような構成を採用することによって、集光レンズ45を支持するための基板1の厚み分を省略して、上下方向の厚みを抑制し、光導波路モジュールの低背化を図ることができる。
By adopting such a configuration, the thickness of the
接合層17としては、例えばエポキシ系接着剤を集光レンズ45のレンズ領域の下部側面に塗布した後、集光レンズ45をその光軸がコア層4の光軸に一致するように位置決めして基板1の側面に貼付け、接着剤を硬化させることに実現されてもよい。
As the
このような接着剤としては、エポキシ系接着剤に限らず、例えば紫外線硬化型接着剤を用いるようにしてもよい。紫外線硬化型接着剤としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エステル系、シリコン系等を用いることができる。このような接合層17の厚さは、例えば0.01μm〜1000μm程度であってもよい。
The adhesive is not limited to the epoxy adhesive, and for example, an ultraviolet curable adhesive may be used. As the ultraviolet curable adhesive, an epoxy-based adhesive, an acrylic-based adhesive, a urethane-based adhesive, an ester-based adhesive, a silicon-based adhesive, or the like can be used. The thickness of such a
接合層17が形成される領域としては、基板1の側面1aと集光レンズ45とが対向する領域全面であってよく、あるいは一部である幅方向両側部だけに形成されてもよく、あるいは幅方向中央部だけに形成されてもよい。
The region where the
(実施形態2)
図4は本開示の実施形態2の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、基板1の側面1aが、光導波路5の出射端面42が露出する表面を含む一平面mよりも集光レンズ45に近接して位置している。近接しているとは、所望の光軸の調整に合わせて突出していることであり、接合層17の厚み0.01μm〜1000μmと同程度であってもよい。
(Embodiment 2)
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the second embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the
このような構成を採用することによって、基板1の側面が光導波路5の端面よりも集光レンズ45側に突出させ、接合層17によって光軸調整することができる。このような光軸調整においても、基板1の側面に集光レンズ45が接合層17によって接合されているので、光の通過領域に干渉することはない。
By adopting such a configuration, the side surface of the
(実施形態3)
図5本開示の実施形態3の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ45は、接合層17と接する表面の少なくとも一部が粗面化されている。粗面化される領域としては、前述の接合層17が形成される領域と同様に、基板1の側面1aと集光レンズ45とが対向する領域全面であってよく、あるいは一部である幅方向両側部だけに形成されてもよく、あるいは幅方向中央部だけに形成されてもよい。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the third embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, at least a part of the surface of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μm程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
このような構成を採用することによって、集光レンズ45の下部側面45aが粗面化されることによって、接合層17による接合力が増大し、集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。
By adopting such a configuration, the
(実施形態4)
図6は本開示の実施形態4の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層17は、集光レンズ45の下面に接する支持部17aを有している。
(Embodiment 4)
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the fourth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the
このような構成を採用することによって、接合層17による接合領域が集光レンズ45の下面まで延在し、これによって集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ45の下面に接する接合層17が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region formed by the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μm程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
(実施形態5)
図7は本開示の実施形態5の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ45は、接合層17の支持部17aに接する表面の少なくとも一部が粗面化されている。
(Embodiment 5)
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module according to the fifth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, at least a part of the surface of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μm程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
このような構成を採用することによって、集光レンズ45の接合層17による接合をより強固にすることができ、支持安定性が向上される。この場合においても、集光レンズ45の下面に接する接合層17が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding by the
(実施形態6)
図8本開示の実施形態6の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層17の上端部は、基板1の上面2に接している。
(Embodiment 6)
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the sixth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the upper end portion of the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ45の下面に接する接合層17が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μm程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
(実施形態7)
図9は本開示の実施形態7の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層17の上端部が光導波路5の出射端面42に臨んでいる。この臨むとは、接合層17の上端部が基板1の上面よりも上方にまで位置していることをいう。
(Embodiment 7)
FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module according to the seventh embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the upper end portion of the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ45の下面に接する接合層17が粗面化されてもよく、前述の上端部を含む残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μm程度であってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
(実施形態8)
図10は本開示の実施形態8の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層17のレンズ下部側面が集光レンズ45の出射端面42側の表面に接している。
(Embodiment 8)
FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the eighth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the lower side surface of the lens of the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
(実施形態9)
図11は本開示の実施形態9の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ45は、接合層17のレンズ下部側面に対向する表面45bの少なくとも一部が粗面化されている。
(Embodiment 9)
FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the ninth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, in the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面1aと集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表表面粗さRaが0.05μm〜10μmであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
このような構成を採用することによって、接合層17による集光レンズ45と基板1との接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。この場合においても、集光レンズ45の下面に接する接合層17が粗面化されてもよく、残余の接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding strength between the condensing
(実施形態10)
図12は本開示の実施形態10の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、接合層17は、光導波路5の出射端面42と光導波路5の上面とにわたる上部領域と、集光レンズ45とを接合する上接合部17cを、含んでいる。
(Embodiment 10)
FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the tenth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ45の上接合部17cを含む接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μmであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
(実施形態11)
図13は本開示の実施形態11の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、上接合部17cは、光導波路5の上面に延在している。なお、延在しているとは、上接合部17cがコア層4と重ならないように集光レンズ45の上端側にも位置していることを指す。つまり、接合層17は、コア層4と重ならないようにするとともに、光軸上にないところに位置していてもよい。
(Embodiment 11)
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module according to the eleventh embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the upper
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ45と基板1との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μmであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
(実施形態12)
図14は本開示の実施形態12の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズ45は、上接合部17cに対向する表面が粗面化されている。
(Embodiment 12)
FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module according to the twelfth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the surface of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μmであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する接合領域が増加し、接合強度を高くし、集光レンズ45の支持安定性を向上することができるとともに、出射光の拡散を抑制することができる。この場合においても、集光レンズ45と基板1との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
(実施形態13)
図15は本開示の実施形態13の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、光導波路5の上面は、粗面化されている。
(Embodiment 13)
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module according to the thirteenth embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the optical waveguide module of the present embodiment, the upper surface of the
本実施形態では、集光レンズ45が粗面化される領域として、少なくとも光通過経路の外側で、基板1の側面1aに対向する領域であってもよい。また、基板1の側面と集光レンズ45との間で十分な接合強度が得られる場合には、前記対向する領域の一部、例えば10%〜60%程度であってもよい。
In the present embodiment, the region where the
また集光レンズ45の粗面化は、例えば表面粗さRaが0.05μm〜10μmであってもよい。このとき、粗面化の処理は、ブラスト、エッチング、インプリント等にて行うことができる。ここでいう表面粗さとは算術平均粗さRaのことであり、平均表面粗さは触針式表面粗さ計により測定することができる。
Further, the surface roughness Ra of the
このような構成を採用することによって、接合層17の基板1に対する上接合部17cによる接合領域が増加し、集光レンズ45の支持安定性を向上することができる。
By adopting such a configuration, the bonding region of the
(実施形態14)
図16は本開示の実施形態14の光導波路モジュールを示す拡大断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の光導波路モジュールは、集光レンズとして、回折格子145を含んでいる。
(Embodiment 14)
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view showing the optical waveguide module of the 14th embodiment of the present disclosure. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. The optical waveguide module of the present embodiment includes a
このような構成を採用することによって、光導波路モジュールの光軸方向の長さを短くすることが可能となる。この場合においても、前述の各実施形態と同様に、集光レンズ45と基板1との接合領域全体または一部が粗面化されてもよい。これによって、より一層高い接合強度を得ることができる。
By adopting such a configuration, it is possible to shorten the length of the optical waveguide module in the optical axis direction. In this case as well, as in each of the above-described embodiments, the entire or a part of the joint region between the
図17は本開示の実施形態15の光導波路モジュールを備える光導波路パッケージを示す分解斜視図であり、図18は図17に示される光導波路パッケージの側面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。前述の実施形態では、各凹部8から発光素子10の上部が突出し、これが覆われるように箱状の封止蓋体11を用いる構成について述べたが、他の実施形態では、発光素子10の全体が凹部8に収容される構成とし、この凹部8を板状の封止蓋体11aによって覆い、封止する構成であってもよい。このような構成を採用することによって、封止蓋体11aの構成が簡素化することができる。
FIG. 17 is an exploded perspective view showing an optical waveguide package including the optical waveguide module according to the fifteenth embodiment of the present disclosure, and FIG. 18 is a side view of the optical waveguide package shown in FIG. The same reference numerals are given to the parts corresponding to the above-described embodiments, and duplicate description will be omitted. In the above-described embodiment, the configuration in which the upper portion of the
本開示のさらに他の実施形態では、発光素子10は、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)に限るものではなく、例えば、LD(Laser Diode)、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)などであってもよい。また、光学部品は、前述の集光レンズ、回折格子に代えて、例えばセルフォックレンズ、ロッドレンズなどの各種のレンズなどの光学素子であってもよい。
In still another embodiment of the present disclosure, the
以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。 Although the embodiments of the present disclosure have been described in detail above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes, improvements, etc. may be made without departing from the gist of the present disclosure. It is possible. Needless to say, all or a part of each of the above embodiments can be combined as appropriate and within a consistent range.
1 基板
2 上面
3 クラッド層
4 コア層
4a,4b,4c 入射端面
5 光導波路
6 底面
7 内壁面
7a,7b,7c,7d 壁面
8 凹部
9ab,9bc,9cd,9ad 角部支持面
10 発光素子
17 接合層
20 発光装置
41a,41b,41c 分割路
42 出射端面
43 合波部
44 統合路
45 集光レンズ
1
Claims (15)
前記基板の上面に位置するとともに、クラッド層および前記クラッド層内に位置するコア層を有し、前記コア層の出射端面が前記クラッド層の外方に露出する光導波路と、
前記出射端面および前記基板の前記出射端面側の側面に対向して位置する光学部材と、
前記光学部材と前記基板の前記側面とを接合する接合層と、を備えている光導波路モジュール。 With the board
An optical waveguide located on the upper surface of the substrate, having a clad layer and a core layer located in the clad layer, and having an exit end surface of the core layer exposed to the outside of the clad layer.
An optical member located so as to face the emission end surface and the side surface of the substrate on the emission end surface side.
An optical waveguide module including a bonding layer that joins the optical member and the side surface of the substrate.
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