JP2021084934A - 低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法、粉末 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＰＦＯＡの含有量が低く、かつ、溶媒への分散性に優れた低分子量ＰＴＦＥを製造できる、低分子量ＰＴＦＥの製造方法を提供。【解決手段】ポリテトラフルオロエチレンに放射線を照射して、低分子量ポリテトラフルオロエチレンを得る工程１と、工程１の後に、低分子量ポリテトラフルオロエチレンに熱処理を施す工程２と、を有し、放射線の照射線量が、２０〜１００ｋＧｙである、低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。【選択図】なし
Description
本発明は、低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法、および、粉末に関する。
分子量が数千から数十万の低分子量ポリテトラフルオロエチレン（「ポリテトラフルオロエチレンワックス」や「ポリテトラフルオロエチレンマイクロパウダー」とも呼ばれる。以下、単に「低分子量ＰＴＦＥ」ともいう。）は、化学的安定性に優れ、表面エネルギーが極めて低いことに加え、フィブリル化が生じにくい。そのため、滑り性や塗膜表面の質感を向上させる添加剤として、プラスチックス、インク、化粧品、塗料、グリース等の製造に用いられている。
低分子量ＰＴＦＥの製造方法としては、特許文献１には、放射線を照射する方法が開示されている。特許文献１では、放射線の照射により副生するパーフルオロオクタン酸またはその塩（以下、単に「ＰＦＯＡ」ともいう。）を除去するために、低分子量ＰＴＦＥに対して熱処理を施す旨が開示されている。
低分子量ＰＴＦＥの製造方法としては、特許文献１には、放射線を照射する方法が開示されている。特許文献１では、放射線の照射により副生するパーフルオロオクタン酸またはその塩（以下、単に「ＰＦＯＡ」ともいう。）を除去するために、低分子量ＰＴＦＥに対して熱処理を施す旨が開示されている。
一方で、近年、環境保全の点から、材料中におけるＰＦＯＡのより一層の低減が求められている。
また、低分子量ＰＴＦＥに関しては、溶媒への分散性にも優れることが求められている。
本発明者らは、特許文献１で具体的に開示されている条件（放射線の照射線量：１５０ｋＧｙ、熱処理条件：１００℃／３０分）にて低分子量ＰＴＦＥを作製して、その特性を評価したところ、副生するＰＦＯＡの含有量が昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であることを知見した。
また、低分子量ＰＴＦＥに関しては、溶媒への分散性にも優れることが求められている。
本発明者らは、特許文献１で具体的に開示されている条件（放射線の照射線量：１５０ｋＧｙ、熱処理条件：１００℃／３０分）にて低分子量ＰＴＦＥを作製して、その特性を評価したところ、副生するＰＦＯＡの含有量が昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であることを知見した。
本発明は、ＰＦＯＡの含有量が低く、かつ、溶媒への分散性に優れた低分子量ＰＴＦＥを製造できる、低分子量ＰＴＦＥの製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末を提供することも課題とする。
また、本発明は、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末を提供することも課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１） ポリテトラフルオロエチレンに放射線を照射して、低分子量ポリテトラフルオロエチレンを得る工程１と、
工程１の後に、低分子量ポリテトラフルオロエチレンに熱処理を施す工程２と、を有し、
放射線の照射線量が、２０〜１００ｋＧｙである、低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（２） 工程１と工程２との間、および、工程２の後、の少なくとも一方において、
さらに、低分子量ポリテトラフルオロエチレンを粉砕する工程３を有する、（１）に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（３） 熱処理の温度が、５０〜２００℃である、（１）または（２）に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（４） 低分子量ポリテトラフルオロエチレンを含む粉末であって、
低分子量ポリテトラフルオロエチレンは分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有し、
パーフルオロオクタン酸またはその塩の含有量が２５質量ｐｐｂ未満である、粉末。
工程１の後に、低分子量ポリテトラフルオロエチレンに熱処理を施す工程２と、を有し、
放射線の照射線量が、２０〜１００ｋＧｙである、低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（２） 工程１と工程２との間、および、工程２の後、の少なくとも一方において、
さらに、低分子量ポリテトラフルオロエチレンを粉砕する工程３を有する、（１）に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（３） 熱処理の温度が、５０〜２００℃である、（１）または（２）に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
（４） 低分子量ポリテトラフルオロエチレンを含む粉末であって、
低分子量ポリテトラフルオロエチレンは分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有し、
パーフルオロオクタン酸またはその塩の含有量が２５質量ｐｐｂ未満である、粉末。
本発明によれば、ＰＦＯＡの含有量が低く、かつ、溶媒への分散性に優れた低分子量ＰＴＦＥを製造できる、低分子量ＰＴＦＥの製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末を提供できる。
また、本発明によれば、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末を提供できる。
本発明における用語の意味は以下の通りである。
「単位」とは、単量体が重合して直接形成された、単量体１分子に由来する原子団の総称である。
「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
「単位」とは、単量体が重合して直接形成された、単量体１分子に由来する原子団の総称である。
「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の低分子量ＰＴＦＥの製造方法の特徴点としては、放射線の照射線量が２０〜１００ｋＧｙである点が挙げられる。放射線の照射線量が２０ｋＧｙ未満の場合、ＰＴＦＥの低分子化が十分に進行せず、放射線を照射されたＰＴＦＥの溶媒への分散性に劣る。また、放射線を照射線量が１００ｋＧｙ超の場合、副生するＰＦＯＡの含有量が多くなり、好ましくない。また、副生するＰＦＯＡの含有量を減らすために、熱処理の温度を高くすると、低分子量ＰＴＦＥ同士が融着し、溶媒への分散性が劣る。
本発明の低分子量ＰＴＦＥの製造方法は、以下の２つ工程を少なくとも有する。
工程１：ＰＴＦＥに放射線を照射して、低分子量ＰＴＦＥを得る工程
工程２：工程１の後に、低分子量ＰＴＦＥに熱処理を施す工程
以下、各工程について詳述する。
工程１：ＰＴＦＥに放射線を照射して、低分子量ＰＴＦＥを得る工程
工程２：工程１の後に、低分子量ＰＴＦＥに熱処理を施す工程
以下、各工程について詳述する。
（工程１）
工程１は、ＰＴＦＥに放射線を照射して、低分子量ＰＴＦＥを得る工程である。本工程を実施することにより、原料であるＰＴＦＥがより低分子化され、低分子量ＰＴＦＥが得られる。
以下では、まず、原料であるＰＴＦＥについて詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
工程１は、ＰＴＦＥに放射線を照射して、低分子量ＰＴＦＥを得る工程である。本工程を実施することにより、原料であるＰＴＦＥがより低分子化され、低分子量ＰＴＦＥが得られる。
以下では、まず、原料であるＰＴＦＥについて詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
ＰＴＦＥは、テトラフルオロエチレン（以下、単に「ＴＦＥ」ともいう。）単位のみからなるホモＰＴＦＥであってもよいし、ＴＦＥ単位およびＴＦＥと共重合可能な変性モノマーに基づく変性モノマー単位を含む変性ＰＴＦＥであってもよい。
変性ＰＴＦＥにおいて、変性モノマー単位の含有量は、変性ＰＴＦＥの全単位に対して、０．００１〜１質量％が好ましく、０．０１〜０．５質量％がより好ましく、０．０１〜０．１質量％がさらに好ましい。
変性モノマー単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造の一部分であって変性モノマーに由来する部分を意味し、変性ＰＴＦＥの全単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造における全ての単量体に由来する部分を意味する。
上記変性モノマー単位の含有量は、フーリエ変換型赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）等の公知の方法により求めることができる。
変性ＰＴＦＥにおいて、変性モノマー単位の含有量は、変性ＰＴＦＥの全単位に対して、０．００１〜１質量％が好ましく、０．０１〜０．５質量％がより好ましく、０．０１〜０．１質量％がさらに好ましい。
変性モノマー単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造の一部分であって変性モノマーに由来する部分を意味し、変性ＰＴＦＥの全単位とは、変性ＰＴＦＥの分子構造における全ての単量体に由来する部分を意味する。
上記変性モノマー単位の含有量は、フーリエ変換型赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）等の公知の方法により求めることができる。
変性モノマーとしては、ＴＦＥと共重合が可能なモノマーであればよく、例えば、ヘキサフルオロプロピレン等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン等の水素含有フルオロオレフィン；パーフルオロビニルエーテル；パーフルオロアルキルエチレン；エチレンが挙げられる。
用いる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。
用いる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、式（１）で表されるパーフルオロ不飽和化合物が挙げられる。
式（１） ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ
式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。
なお、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
式（１） ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ
式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。
なお、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、式（１）において、Ｒｆが炭素数１〜１０（好ましくは、１〜５）のパーフルオロアルキル基を表すものであるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）が挙げられる。
上記パーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基が挙げられる。
なかでも、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であるパープルオロ（プロピルビニルエーテル）が好ましい。
上記パーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基が挙げられる。
なかでも、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であるパープルオロ（プロピルビニルエーテル）が好ましい。
また、パーフルオロビニルエーテルとしては、さらに、式（１）において、Ｒｆが炭素数４〜９のパーフルオロ（アルコキシアルキル）基である化合物、Ｒｆが式（２）で表される基である化合物、Ｒｆが式（３）で表される基である化合物が挙げられる。
式中、ｍは、０〜４の整数を表す。
式中、ｎは１〜４の整数を表す。
パーフルオロアルキルエチレンとしては、例えば、（パーフルオロブチル）エチレン（ＰＦＢＥ）、（パーフルオロヘキシル）エチレン、（パーフルオロオクチル）エチレンが挙げられる。
使用されるＰＴＦＥは、ＰＴＦＥの粉末であってもよいし、ＰＴＦＥの成形品であってもよいし、ＰＴＦＥの成形品を切削加工した場合に生じる切削屑であってもよい。
ＰＴＦＥの標準比重（ＳＳＧ）は、２．１３０〜２．２３０であることが好ましい。上記標準比重（ＳＳＧ）はＡＳＴＭ Ｄ ４８９５に準拠し、測定した値である。
次に、工程１の手順について詳述する。
放射線としては、電離性放射線であればよく、例えば、電子線、紫外線、ガンマ線、Ｘ線、中性子線、高エネルギーイオンが挙げられ、電子線またはガンマ線が好ましい。
放射線の照射線量としては、２０〜１００ｋＧｙであり、３０〜１００ｋＧｙが好ましく、５０〜７５ｋＧｙがより好ましい。
放射線としては、電離性放射線であればよく、例えば、電子線、紫外線、ガンマ線、Ｘ線、中性子線、高エネルギーイオンが挙げられ、電子線またはガンマ線が好ましい。
放射線の照射線量としては、２０〜１００ｋＧｙであり、３０〜１００ｋＧｙが好ましく、５０〜７５ｋＧｙがより好ましい。
放射線の照射温度としては、５℃以上、ＰＴＦＥの融点以下が好ましい。なかでも、上限としては、３２０℃以下がより好ましく、３００℃以下がさらに好ましく、２６０℃以下が特に好ましい。経済的には、常温で照射することが好ましい。
上記放射線の照射は、いかなる雰囲気中で実施してもよく、空気中、不活性ガス中、真空中が挙げられる。低コストで実施できる点からは、空気中での照射が好ましく、ＰＦＯＡを生成させにくい点からは、実質的に酸素不存在下での照射が好ましい。
（工程２）
工程２は、工程１の後に、低分子量ＰＴＦＥに熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、工程１の際に副生するＰＦＯＡを除去できる。
熱処理の温度としては、５０℃以上が好ましく、７０℃以上がより好ましく、９０℃以上がさらに好ましく、１００℃以上が特に好ましい。また、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましく、２００℃以下がさらに好ましい。
熱処理の温度が上記範囲内である場合、ＰＦＯＡの除去がより進行しやすく、かつ、工程１で得られた低分子量ＰＴＦＥ同士の融着をより抑制でき、溶媒への分散性により優れた低分子量ＰＴＦＥが得られやすい。
工程２は、工程１の後に、低分子量ＰＴＦＥに熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、工程１の際に副生するＰＦＯＡを除去できる。
熱処理の温度としては、５０℃以上が好ましく、７０℃以上がより好ましく、９０℃以上がさらに好ましく、１００℃以上が特に好ましい。また、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましく、２００℃以下がさらに好ましい。
熱処理の温度が上記範囲内である場合、ＰＦＯＡの除去がより進行しやすく、かつ、工程１で得られた低分子量ＰＴＦＥ同士の融着をより抑制でき、溶媒への分散性により優れた低分子量ＰＴＦＥが得られやすい。
熱処理の時間としては、１０秒以上が好ましく、５分以上がより好ましく、１０分以上がさらに好ましい。また、５時間以下が好ましく、４時間以下がより好ましく、３時間以下がさらに好ましい。
熱処理の時間が上記範囲内である場合、ＰＦＯＡの除去がより進行しやすく、かつ、工程１で得られた低分子量ＰＴＦＥ同士の融着を抑制でき、溶媒への分散性により優れた低分子量ＰＴＦＥが得られやすい。
熱処理の時間が上記範囲内である場合、ＰＦＯＡの除去がより進行しやすく、かつ、工程１で得られた低分子量ＰＴＦＥ同士の融着を抑制でき、溶媒への分散性により優れた低分子量ＰＴＦＥが得られやすい。
熱処理の際には、箱形乾燥器、バンド乾燥器、トンネル乾燥器、噴出流乾燥器、移動層乾燥器、回転乾燥器、流動層乾燥器、気流乾燥器、箱型乾燥器、円盤乾燥器、円筒型撹拌乾燥器、逆円錐型撹拌乾燥器、マイクロウェーブ装置、真空熱処理装置、箱型電気炉、熱風循環装置、フラッシュ乾燥機、振動乾燥器、ベルト乾燥器、押出乾燥器、スプレードライヤー等の熱処理装置を用いてもよい。
熱処理は、いかなる雰囲気中で実施してもよいが、安全面、経済面の点から、空気中で実施することが好ましい。
熱処理は工程１で得られた低分子量ＰＴＦＥを加熱炉内に設置して、加熱炉内を所望の温度まで上昇させた後、所望の時間放置することにより行うことができる。
（その他工程）
本発明の製造方法は、工程１と工程２との間、および、工程２の後の少なくとも一方において、さらに、低分子量ＰＴＦＥを粉砕する工程３を有することが好ましい。つまり、本発明の製造方法は、工程１と工程２との間にのみ工程３を有していてもよいし、工程２の後のみに工程３を有していてもよいし、工程１と工程２との間および工程２の後の両方に工程３を有していてもよい。
本発明の製造方法は、工程１と工程２との間、および、工程２の後の少なくとも一方において、さらに、低分子量ＰＴＦＥを粉砕する工程３を有することが好ましい。つまり、本発明の製造方法は、工程１と工程２との間にのみ工程３を有していてもよいし、工程２の後のみに工程３を有していてもよいし、工程１と工程２との間および工程２の後の両方に工程３を有していてもよい。
粉砕の方法としては、例えば、粉砕機で粉砕する方法が挙げられる。
粉砕機としては、ハンマーミル、ピンミル、ジェットミル等の衝撃式や、回転刃と外周ステーターが凹凸による剪断力で粉砕するカッターミル等の摩砕式がある。
粉砕機としては、ハンマーミル、ピンミル、ジェットミル等の衝撃式や、回転刃と外周ステーターが凹凸による剪断力で粉砕するカッターミル等の摩砕式がある。
粉砕温度は、−２００℃以上５０℃未満が好ましい。
冷凍粉砕では通常−２００〜−１００℃であるが、室温付近の温度（１０〜３０℃）で粉砕してもよい。
なかでも、粉砕コストを抑えることができる点で、１０℃以上５０℃未満で粉砕することがより好ましく、１０〜４０℃で粉砕することがさらに好ましく、１０〜３０℃で粉砕することが特に好ましい。
冷凍粉砕では通常−２００〜−１００℃であるが、室温付近の温度（１０〜３０℃）で粉砕してもよい。
なかでも、粉砕コストを抑えることができる点で、１０℃以上５０℃未満で粉砕することがより好ましく、１０〜４０℃で粉砕することがさらに好ましく、１０〜３０℃で粉砕することが特に好ましい。
粉砕の後、必要に応じて、気流分級を実施してもよい。
気流分級においては、粉砕物が減圧空気により円柱状の分級室に送られ、室内の旋回気流により分散され、遠心力によって粉砕物が分級される。分級室内には、粉砕物と空気が均一に旋回運動を行うために円錐状のコーン、ローター等の回転体が設置されている。
分級コーンを使用する場合には、分級点の調節は二次エアーの風量と分級コーン間の隙間を調節することにより行う。ローターを使用する場合には、ローターの回転数により分級室内の風量を調節する。
気流分級においては、粉砕物が減圧空気により円柱状の分級室に送られ、室内の旋回気流により分散され、遠心力によって粉砕物が分級される。分級室内には、粉砕物と空気が均一に旋回運動を行うために円錐状のコーン、ローター等の回転体が設置されている。
分級コーンを使用する場合には、分級点の調節は二次エアーの風量と分級コーン間の隙間を調節することにより行う。ローターを使用する場合には、ローターの回転数により分級室内の風量を調節する。
また、気流分級の後、必要に応じて、分級により粗粒子を除去してもよい。
粗粒子の除去方法としては、例えば、気流分級、メッシュによる振動篩、メッシュによる超音波篩が挙げられ、気流分級が好ましい。
粗粒子の除去方法としては、例えば、気流分級、メッシュによる振動篩、メッシュによる超音波篩が挙げられ、気流分級が好ましい。
（低分子量ＰＴＦＥ）
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥは、３８０℃における溶融粘度が１×１０２〜７×１０５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
上記溶融粘度は、ＡＳＴＭ Ｄ １２３８に準拠し、フローテスター（島津製作所社製）および２φ−８Ｌのダイを用い、予め３８０℃で５分間加熱しておいた２ｇの試料を０．７ＭＰａの荷重にて上記温度に保って測定した値である。
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥは、３８０℃における溶融粘度が１×１０２〜７×１０５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
上記溶融粘度は、ＡＳＴＭ Ｄ １２３８に準拠し、フローテスター（島津製作所社製）および２φ−８Ｌのダイを用い、予め３８０℃で５分間加熱しておいた２ｇの試料を０．７ＭＰａの荷重にて上記温度に保って測定した値である。
低分子量ＰＴＦＥの融点は、３２４〜３３６℃であることが好ましい。
上記融点は、示差走査熱量計を用い、事前に標準サンプルとして、インジウム、鉛を用いて温度校正した上で、低分子量ＰＴＦＥ約３ｍｇをアルミ製パン（クリンプ容器）に入れ、２００ｍｌ／分のエアー気流下で、２５０〜３８０℃の温度領域を１０℃／分で昇温させて行い、上記領域における融解熱量の極小点を融点とする。
上記融点は、示差走査熱量計を用い、事前に標準サンプルとして、インジウム、鉛を用いて温度校正した上で、低分子量ＰＴＦＥ約３ｍｇをアルミ製パン（クリンプ容器）に入れ、２００ｍｌ／分のエアー気流下で、２５０〜３８０℃の温度領域を１０℃／分で昇温させて行い、上記領域における融解熱量の極小点を融点とする。
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥは、ＰＦＯＡをほとんど含まない。
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥにおける、ＰＦＯＡの含有量は２５質量ｐｐｂ未満が好ましく、１５質量ｐｐｂ以下がより好ましく、５質量ｐｐｂ以下がさらに好ましく、５質量ｐｐｂ未満が特に好ましい。下限は特に限定されず、検出限界未満の量であってよい。
上記ＰＦＯＡの含有量は、低分子量ＰＴＦＥにメタノールを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した後、抽出されたＰＦＯＡを液体クロマトグラフィーにより測定できる。
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥにおける、ＰＦＯＡの含有量は２５質量ｐｐｂ未満が好ましく、１５質量ｐｐｂ以下がより好ましく、５質量ｐｐｂ以下がさらに好ましく、５質量ｐｐｂ未満が特に好ましい。下限は特に限定されず、検出限界未満の量であってよい。
上記ＰＦＯＡの含有量は、低分子量ＰＴＦＥにメタノールを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した後、抽出されたＰＦＯＡを液体クロマトグラフィーにより測定できる。
低分子量ＰＴＦＥは、分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有していることが好ましい。
本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥの形状は、粉末であることが好ましい。つまり、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末（以下、単に「低分子量ＰＴＦＥ粉末」ともいう。）が得られることが好ましい。
低分子量ＰＴＦＥが粉末である場合、平均粒子径は１．０μｍ以上が好ましい。また、２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
平均粒子径は、分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とする。
低分子量ＰＴＦＥが粉末である場合、平均粒子径は１．０μｍ以上が好ましい。また、２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
平均粒子径は、分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とする。
上記低分子量ＰＴＦＥの分子鎖末端には、ＰＴＦＥの重合反応において使用された重合開始剤または連鎖移動剤の化学構造に由来する不安定末端基が生じていてもよい。
不安定末端基としては、例えば、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ３が挙げられる。
不安定末端基としては、例えば、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ３が挙げられる。
低分子量ＰＴＦＥには、不安定末端基の安定化を行ってもよい。不安定末端基の安定化の方法としては、例えば、フッ素含有ガスに曝露することにより末端をトリフルオロメチル基に変化させる方法が挙げられる。
低分子量ＰＴＦＥには、末端アミド化を行ってもよい。上記末端アミド化の方法としては、例えば、特開平４−０２０５０７号公報に開示されているように、フッ素含有ガスに曝露する等して得られたフルオロカルボニル基をアンモニアガスと接触させる方法が挙げられる。
上述の不安定末端基の安定化または末端アミド化が行われた低分子量ＰＴＦＥは、塗料、グリース、化粧品、メッキ液、トナー、プラスチックス等の相手材への添加剤として用いる場合に、相手材となじみやすく、分散性を向上させることができる。
（粉末）
本発明は、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末であって、低分子量ＰＴＦＥは分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有しており、ＰＦＯＡの含有量が２５質量ｐｐｂ未満である、粉末でもある。
本発明は、低分子量ＰＴＦＥを含む粉末であって、低分子量ＰＴＦＥは分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有しており、ＰＦＯＡの含有量が２５質量ｐｐｂ未満である、粉末でもある。
本発明の粉末は、ＰＦＯＡの含有量が２５質量ｐｐｂ未満であり、１５質量ｐｐｂ以下が好ましく、５質量ｐｐｂ以下がより好ましく、５質量ｐｐｂ未満がさらに好ましい。下限は特に限定されず、検出限界未満の量であってよい。
上記ＰＦＯＡの含有量は、本発明の粉末にメタノールを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した後、抽出されたＰＦＯＡを液体クロマトグラフィーにより測定できる。
上記ＰＦＯＡの含有量は、本発明の粉末にメタノールを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した後、抽出されたＰＦＯＡを液体クロマトグラフィーにより測定できる。
本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥは、分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有している。
本発明の粉の比表面積は０．５〜２０ｍ２／ｇが好ましい。上記比表面積は、７．０ｍ２／ｇ以上がより好ましい。
比表面積は、表面分析計（商品名：ＢＥＬＳＯＲＰ−ｍｉｎｉＩＩ、マイクロトラック・ベル株式会社製）を用い、キャリアガスとして窒素３０％、ヘリウム７０％の混合ガスを用い、冷却に液体窒素を用いて、ＢＥＴ法により測定する。
比表面積は、表面分析計（商品名：ＢＥＬＳＯＲＰ−ｍｉｎｉＩＩ、マイクロトラック・ベル株式会社製）を用い、キャリアガスとして窒素３０％、ヘリウム７０％の混合ガスを用い、冷却に液体窒素を用いて、ＢＥＴ法により測定する。
本発明の粉末の平均粒子径は、１．０μｍ以上が好ましい。また、粉末の平均粒子径は、２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
平均粒子径は、分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とする。
平均粒子径は、分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とする。
本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥの組成、および、溶融粘度については、本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥについて述べたのと同様である。
また、本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥは、分子鎖末端に不安定末端基を有してもよい。また、本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥには、不安定末端基の安定化を行ってもよく、末端アミド化を行ってもよく、末端フッ素化を行ってもよい。これらの態様についても、本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥについて述べたのと同様である。
本発明の粉末は、例えば、上述した本発明の製造方法により、粉末形状の低分子量ＰＴＦＥを製造することによって得ることができる。
また、本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥは、分子鎖末端に不安定末端基を有してもよい。また、本発明の粉末に含まれる低分子量ＰＴＦＥには、不安定末端基の安定化を行ってもよく、末端アミド化を行ってもよく、末端フッ素化を行ってもよい。これらの態様についても、本発明の製造方法により得られる低分子量ＰＴＦＥについて述べたのと同様である。
本発明の粉末は、例えば、上述した本発明の製造方法により、粉末形状の低分子量ＰＴＦＥを製造することによって得ることができる。
（用途）
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、例えば、成形材料、インク、化粧品、塗料、グリース、オフィスオートメーション機器用部材、トナーを改質する添加剤、めっき液への添加剤として好適に使用できる。
上記成形材料としては、例えば、ポリオキシベンゾイルポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド等のエンジニアリングプラスチックが挙げられる。
上記低分子量ＰＴＦＥは、特に、グリース用粘稠剤として好適である。
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、例えば、成形材料、インク、化粧品、塗料、グリース、オフィスオートメーション機器用部材、トナーを改質する添加剤、めっき液への添加剤として好適に使用できる。
上記成形材料としては、例えば、ポリオキシベンゾイルポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド等のエンジニアリングプラスチックが挙げられる。
上記低分子量ＰＴＦＥは、特に、グリース用粘稠剤として好適である。
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、成形材料の添加剤として、例えば、コピーロールの非粘着性・摺動特性の向上、家具の表層シート、自動車のダッシュボード、家電製品のカバー等のエンジニアリングプラスチック成形品の質感を向上させる用途、軽荷重軸受、歯車、カム、プッシュホンのボタン、映写機、カメラ部品、摺動材等の機械的摩擦を生じる機械部品の滑り性や耐摩耗性を向上させる用途に用いることができる。
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、塗料の添加剤として、ニスやペンキの滑り性向上の目的に用いることができる。上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、化粧品の添加剤として、ファンデーション等の化粧品の滑り性向上等の目的に用いることができる。
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、さらに、ワックス等の撥油性または撥水性を向上させる用途や、グリースやトナーの滑り性を向上させる用途にも好適である。
上記低分子量ＰＴＦＥおよび上記粉末は、二次電池や燃料電池の電極バインダー、電極バインダーの硬度調整剤、電極表面の撥水処理剤としても使用できる。
上記低分子量ＰＴＦＥまたは上記粉末と潤滑油とを使用してグリースを調製することもできる。上記グリースは、上記低分子量ＰＴＦＥまたは上記粉末と潤滑油とを含むことを特徴とすることから、潤滑油中に上記低分子量ＰＴＦＥまたは上記粉末が均一かつ安定に分散しており、耐荷重性、電気絶縁性、低吸湿性等の特性に優れている。
上記潤滑油（基油）は、鉱物油であっても、合成油であってもよい。上記潤滑油（基油）としては、例えば、パラフィン系やナフテン系の鉱物油、合成炭化水素油、エステル油、フッ素オイル、シリコーンオイルのような合成油等が挙げられる。耐熱性の点からは、フッ素オイルが好ましい。フッ素オイルとしては、例えば、パーフルオロポリエーテルオイル、三フッ化塩化エチレンの低重合物が挙げられる。三フッ化塩化エチレンの低重合物は、重量平均分子量が５００〜１２００であってよい。
上記グリースは、さらに、増稠剤を含むものであってもよい。上記増稠剤としては、例えば、金属石けん、複合金属石けん、ベントナイト、フタロシアニン、シリカゲル、ウレア化合物、ウレア・ウレタン化合物、ウレタン化合物、イミド化合物が挙げられる。上記金属石けんとしては、例えば、ナトリウム石けん、カルシウム石けん、アルミニウム石けん、リチウム石けんが挙げられる。また上記ウレア化合物、ウレア・ウレタン化合物およびウレタン化合物としては、例えば、ジウレア化合物、トリウレア化合物、テトラウレア化合物、その他のポリウレア化合物、ウレア・ウレタン化合物、ジウレタン化合物またはこれらの混合物が挙げられる。
上記グリースは、上記低分子量ＰＴＦＥまたは上記粉末を０．１〜５０質量％含むことが好ましく、０．５〜３０質量％含むことがより好ましい。
上記グリースは、例えば、固体潤滑剤、極圧剤、酸化防止剤、油性剤、さび止め剤、粘度指数向上剤、清浄分散剤を含むこともできる。
以下に、後述する例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、後述する例１、５、７、９〜１４は比較例に該当し、例２〜４、６、８、１５〜１６は実施例に該当する。
各種測定方法および評価方法は下記のとおりである。
（平均粒子径）
分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とした。
（平均粒子径）
分散溶媒にイソプロピルアルコールを使用し、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置（堀場製作所社製、ＬＡ−９２０）を用いて測定を行い、粒度分布積算の中位径（粒度分布積算の５０％に対応する粒子径）を平均粒子径とした。
（末端カルボキシル基数）
特開平４−０２０５０７号公報に記載の末端基の分析方法に準拠し、以下の測定を行った。
測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）をハンドプレスにて予備成形し、およそ０．１ｍｍ厚みのフィルムを作製した。作製したフィルムについて赤外吸収スペクトル分析した。低分子量ＰＴＦＥにフッ素ガスを接触させて作製した、末端を完全フッ素化した低分子量ＰＴＦＥの赤外吸収スペクトル分析も行い、両者の差スペクトルから次式により末端カルボキシル基の個数を算出した。
末端カルボキシル基の個数（炭素数１０６個あたり）＝（Ｉ×Ｋ）／ｔ
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚み（ｍｍ）
カルボキシル基の吸収周波数は３５６０ｃｍ−１、補正係数は４４０とする。
特開平４−０２０５０７号公報に記載の末端基の分析方法に準拠し、以下の測定を行った。
測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）をハンドプレスにて予備成形し、およそ０．１ｍｍ厚みのフィルムを作製した。作製したフィルムについて赤外吸収スペクトル分析した。低分子量ＰＴＦＥにフッ素ガスを接触させて作製した、末端を完全フッ素化した低分子量ＰＴＦＥの赤外吸収スペクトル分析も行い、両者の差スペクトルから次式により末端カルボキシル基の個数を算出した。
末端カルボキシル基の個数（炭素数１０６個あたり）＝（Ｉ×Ｋ）／ｔ
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚み（ｍｍ）
カルボキシル基の吸収周波数は３５６０ｃｍ−１、補正係数は４４０とする。
（ＰＦＯＡの含有量）
測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）２ｇにメタノール５ｍｌを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した。得られた液相について、英国規格（ＢＳＩ） ＣＥＮ／ＴＳ １５９６８（２０１０）に準拠し、液体クロマトグラフ質量分析計（Ａｇｉｌｅｎｔ社、１２６０ＨＰＬＣ／６４６０ＭＳ）を用い、ＰＦＯＡの含有量の測定を行った。この測定における検出限界は５質量ｐｐｂである。
測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）２ｇにメタノール５ｍｌを加え、６０℃にて１２０分間の超音波処理を行い、ＰＦＯＡを抽出した。得られた液相について、英国規格（ＢＳＩ） ＣＥＮ／ＴＳ １５９６８（２０１０）に準拠し、液体クロマトグラフ質量分析計（Ａｇｉｌｅｎｔ社、１２６０ＨＰＬＣ／６４６０ＭＳ）を用い、ＰＦＯＡの含有量の測定を行った。この測定における検出限界は５質量ｐｐｂである。
（分散性）
内容積１００ｍＬのスクリュー型ガラス瓶に測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）２ｇ、分散媒体としてイソプロピルアルコール８０ｇを加えて、２０℃で１０分間振とう後、５分間静置した。その後、容器底部に蓄積したＰＴＦＥの分散状態を目視で確認し、以下の基準により評価した。
◎：分散媒体中に綺麗に分散し、目視で確認できるダマ、０．１ｍｍ以上のブツ等が全く観測されない。
○：分散媒体中に綺麗に分散し、目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが僅かに観測される。
△：分散媒体中に目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが少し観測される。
×：分散媒体中に目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが容器底面一面に観測される。
内容積１００ｍＬのスクリュー型ガラス瓶に測定サンプル（低分子量ＰＴＦＥ）２ｇ、分散媒体としてイソプロピルアルコール８０ｇを加えて、２０℃で１０分間振とう後、５分間静置した。その後、容器底部に蓄積したＰＴＦＥの分散状態を目視で確認し、以下の基準により評価した。
◎：分散媒体中に綺麗に分散し、目視で確認できるダマ、０．１ｍｍ以上のブツ等が全く観測されない。
○：分散媒体中に綺麗に分散し、目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが僅かに観測される。
△：分散媒体中に目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが少し観測される。
×：分散媒体中に目視で確認できる０．１ｍｍ以上のブツが容器底面一面に観測される。
（例１）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１００ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が１２μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｂを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１００ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が１２μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｂを得た。
（例２）
例１で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを、高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間にわたって熱処理した。その後、熱処理が施された低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が１２μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｃを得た。
例１で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを、高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間にわたって熱処理した。その後、熱処理が施された低分子量ＰＴＦＥ粉末Ａを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が１２μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｃを得た。
（例３）
例１で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｂを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｄを得た。
例１で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｂを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｄを得た。
（例４）
例３で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｄを、さらに粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が５μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｅを得た。
例３で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｄを、さらに粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、平均粒子径が５μｍの低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｅを得た。
（例５）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を７５ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｆを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｆを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｇを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を７５ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｆを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｆを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｇを得た。
（例６）
例５で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｇを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｈを得た。
例５で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｇを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｈを得た。
（例７）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を５０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｉを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｉを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｊを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を５０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｉを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｉを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｊを得た。
（例８）
例７で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｊを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｋを得た。
例７で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｊを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｋを得た。
（例９）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１５０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｌを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｌを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｍを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１５０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｌを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｌを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｍを得た。
（例１０）
例９で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｍを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、１００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｎを得た。
例９で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｍを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、１００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｎを得た。
（例１１）
温度を１００℃から２５０℃に変更した以外は、例１０と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｏを得た。
温度を１００℃から２５０℃に変更した以外は、例１０と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｏを得た。
（例１２）
温度を１００℃から３００℃に変更した以外は、例１０と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｐを得た。
温度を１００℃から３００℃に変更した以外は、例１０と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｐを得た。
（例１３）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｑを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｑを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｒを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３（平均粒子径２５μｍ）（ＡＧＣ社製）を用いた。
室温下、空気中において、原料ＰＴＦＥに対して、コバルト−６０γ線を１０ｋＧｙ照射し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｑを得た。その後、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｑを粉砕機（セイシン企業社製、ＳＫジェット・オー・ミル０２０２型）で粉砕し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｒを得た。
（例１４）
例１３で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｒを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｓを得た。
例１３で得られた低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｒを高温恒温器（エスペック社製、スーパーテンプオーブンＳＴＰＨ−２００）を使用して、２００℃で３時間、熱処理し、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｓを得た。
（例１５）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３のかわりにＰＴＦＥファインパウダーＣＤ１２３Ｅ（ＡＧＣ社製）を用いた以外は、例８と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｔを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３のかわりにＰＴＦＥファインパウダーＣＤ１２３Ｅ（ＡＧＣ社製）を用いた以外は、例８と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｔを得た。
（例１６）
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３のかわりにＰＴＦＥ成形品の切削屑を用いた以外は、例８と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｕを得た。
原料ＰＴＦＥとして、ＰＴＦＥモールディングパウダーＧ１６３のかわりにＰＴＦＥ成形品の切削屑を用いた以外は、例８と同様の手順に従って、低分子量ＰＴＦＥ粉末Ｕを得た。
表１中、「工程２」欄は熱処理の有無を表し、「無」は熱処理を実施していないことを表し、熱処理を実施した場合は加熱条件（温度×時間）を表す。
表１中、「工程３」欄は粉砕処理（工程３）の有無を表し、「有」は工程１の後に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理後）」は熱処理後に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理前）」は工程１（放射線の照射処理）の後で、かつ、熱処理前に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理前、熱処理後）」は工程１（放射線の照射処理）の後で、かつ、熱処理前、および、熱処理後の両方で粉砕処理（工程３）を実施したことを意味する。
表１中、「個数」は、得られた低分子量ＰＴＦＥの分子鎖末端が主鎖炭素数１０６個あたり何個のカルボキシル基を有するかを表す。
表１中、「＜５」は、５未満を意味する。
表１中、「工程３」欄は粉砕処理（工程３）の有無を表し、「有」は工程１の後に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理後）」は熱処理後に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理前）」は工程１（放射線の照射処理）の後で、かつ、熱処理前に粉砕処理（工程３）を実施したことを意味し、「有（熱処理前、熱処理後）」は工程１（放射線の照射処理）の後で、かつ、熱処理前、および、熱処理後の両方で粉砕処理（工程３）を実施したことを意味する。
表１中、「個数」は、得られた低分子量ＰＴＦＥの分子鎖末端が主鎖炭素数１０６個あたり何個のカルボキシル基を有するかを表す。
表１中、「＜５」は、５未満を意味する。
本発明の製造方法により得られた低分子量ＰＴＦＥおよび粉末は、所望の効果を示した。
Claims (4)
- ポリテトラフルオロエチレンに放射線を照射して、低分子量ポリテトラフルオロエチレンを得る工程１と、
前記工程１の後に、前記低分子量ポリテトラフルオロエチレンに熱処理を施す工程２と、を有し、
前記放射線の照射線量が、２０〜１００ｋＧｙである、低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。 - 前記工程１と前記工程２との間、および、前記工程２の後、の少なくとも一方において、
さらに、前記低分子量ポリテトラフルオロエチレンを粉砕する工程３を有する、請求項１に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。 - 前記熱処理の温度が、５０〜２００℃である、請求項１または２に記載の低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
- 低分子量ポリテトラフルオロエチレンを含む粉末であって、
前記低分子量ポリテトラフルオロエチレンは分子鎖末端に主鎖炭素数１０６個あたり５個超３０個未満のカルボキシル基を有し、
パーフルオロオクタン酸またはその塩の含有量が２５質量ｐｐｂ未満である、粉末。
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-
2019
- 2019-11-26 JP JP2019213100A patent/JP2021084934A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023139838A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 株式会社アドマテックス | フッ素樹脂粒子材料及びその製造方法、複合粒子材料及びその製造方法、並びに球状フッ素樹脂粒子材料の製造方法 |
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