JP2021073536A - Euv pellicle frame ventilation structure, euv pellicle, exposure original plate with euv pellicle, exposure method, method for producing semiconductor and method for producing liquid crystal display - Google Patents
Euv pellicle frame ventilation structure, euv pellicle, exposure original plate with euv pellicle, exposure method, method for producing semiconductor and method for producing liquid crystal display Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021073536A JP2021073536A JP2021016290A JP2021016290A JP2021073536A JP 2021073536 A JP2021073536 A JP 2021073536A JP 2021016290 A JP2021016290 A JP 2021016290A JP 2021016290 A JP2021016290 A JP 2021016290A JP 2021073536 A JP2021073536 A JP 2021073536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- pellicle frame
- frame
- peeling
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 title description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 30
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
本発明は、リソグラフィ用フォトマスクにゴミ除けとして装着されるペリクルフレーム、ペリクル及びペリクルの剥離方法に関する。 The present invention relates to a pellicle frame, a pellicle, and a method for peeling a pellicle, which is attached to a photomask for lithography as a dust shield.
近年、LSIのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴って、露光光源の短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)から、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などに移行しており、さらには主波長13.5nmのEUV(Extreme Ultra Violet)光を使用するEUV露光が検討されている。 In recent years, LSI design rules have been miniaturized to sub-quarter microns, and along with this, the wavelength of the exposure light source has been shortened. That is, the exposure light source has shifted from g-ray (436 nm) and i-line (365 nm) by a mercury lamp to KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), and EUV with a main wavelength of 13.5 nm. (Excimer Ultra Violet) EUV exposure using light is being studied.
LSI、超LSIなどの半導体製造又は液晶表示板の製造においては、半導体ウエハまたは液晶用原板に光を照射してパターンを作製するが、この場合に用いるリソグラフィ用フォトマスク及びレチクル(以下、総称して「露光原版」と記述する)にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジが粗雑なものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。 In the manufacture of semiconductors such as LSIs and superLSIs or the manufacture of liquid crystal display boards, patterns are manufactured by irradiating semiconductor wafers or original boards for liquid crystal with light. Photomasks and reticle for lithography used in this case (hereinafter collectively referred to as generic names). If dust adheres to the "exposure original plate"), the dust absorbs light or bends the light, resulting in deformation of the transferred pattern and rough edges. In addition, there is a problem that the base becomes black and dirty, and the dimensions, quality, appearance, etc. are impaired.
これらの作業は、通常クリーンルームで行われているが、それでも露光原版を常に清浄に保つことは難しい。そこで、露光原版表面にゴミよけとしてペリクルを貼り付けた後に露光をする方法が一般に採用されている。この場合、異物は露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上の異物は転写に無関係となる。 These operations are usually performed in a clean room, but it is still difficult to keep the exposed original plate clean at all times. Therefore, a method of exposing after attaching a pellicle as a dust repellent on the surface of an exposure original plate is generally adopted. In this case, the foreign matter does not directly adhere to the surface of the exposure original plate but adheres to the pellicle. Therefore, if the focus is on the pattern of the exposure original plate during lithography, the foreign matter on the pellicle becomes irrelevant to the transfer.
このペリクルの基本的な構成は、ペリクルフレームの上端面に露光に使われる光に対し透過率が高いペリクル膜が張設されるとともに、下端面に気密用ガスケットが形成されているものである。気密用ガスケットは一般的に粘着剤層が用いられる。ペリクル膜は、露光に用いる光(水銀ランプによるg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)等)を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなるが、EUV露光用では、ペリクル膜として極薄シリコン膜や炭素膜が検討されている。 The basic configuration of this pellicle is that a pellicle film having a high transmittance for light used for exposure is stretched on the upper end surface of the pellicle frame, and an airtight gasket is formed on the lower end surface. An adhesive layer is generally used for the airtight gasket. The pellicle film is a nitrocellulose, cellulose acetate, fluorine that allows light used for exposure (g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), etc.) to be transmitted well. Although it is composed of a polymer or the like, an ultrathin silicon film or a carbon film is being studied as a pellicle film for EUV exposure.
ペリクルはフォトマスクに装着して使用されるが、ペリクル膜の汚れがひどくなった場合や、ペリクル膜が破損した場合等には、ペリクルをフォトマスクから剥離する必要がある。このため、ペリクルフレームの外側面には、剥離治具を挿入するために直径1mm程度の窪み(治具穴)が設けられている。例えば、下記の特許文献1には、治具穴に剥離治具に設けられたピンを差し込んで、この原理を利用して剥離する方法が開示されている。
The pellicle is used by attaching it to a photomask, but when the pellicle film becomes extremely dirty or the pellicle film is damaged, it is necessary to peel off the pellicle from the photomask. Therefore, a recess (jig hole) having a diameter of about 1 mm is provided on the outer surface of the pellicle frame for inserting the peeling jig. For example,
ところで、EUV露光用のペリクルフレームには、露光装置の都合上、いくつかの制限がある。EUV露光装置内のペリクル配置スペースが小さいために、ペリクルの高さを2.5mm以下にする必要がある。また、ペリクルはEUV露光中に高温にさらされる可能性があるため、EUV用のペリクルフレームは、EUV用ペリクル膜と同等か、それ以下の線膨張係数を持つ材質が好ましい。 By the way, the pellicle frame for EUV exposure has some restrictions due to the convenience of the exposure apparatus. Since the pellicle placement space in the EUV exposure apparatus is small, the height of the pellicle needs to be 2.5 mm or less. Further, since the pellicle may be exposed to a high temperature during EUV exposure, the pellicle frame for EUV is preferably made of a material having a linear expansion coefficient equal to or less than that of the pellicle film for EUV.
EUV用ペリクルの高さは2.5mm以下にする必要があることから、ペリクルフレームの厚みはそれよりも小さくなるが、このようなペリクルフレームの外側面に直径1mmの治具穴を設けようとした場合、ペリクルフレームの治具穴近傍が薄くなってしまう。そのため、治具穴の加工時やペリクルの剥離時には、ペリクルフレームが破損する懸念がある。この問題を回避するために、治具穴の直径を小さくすることも考えられるが、その場合は、確実に剥離を行うために治具穴の数を増やす必要がある。そうすると、加工時に破損する可能性が高まって、結局のところ歩留りが悪化してしまう。特に、ペリクルフレームの材質として、シリコン結晶等の脆い材料が用いられる場合は、この問題が顕著となる。 Since the height of the EUV pellicle must be 2.5 mm or less, the thickness of the pellicle frame is smaller than that, but in order to provide a jig hole with a diameter of 1 mm on the outer surface of such a pellicle frame. If this is the case, the vicinity of the jig hole of the pellicle frame will be thinned. Therefore, there is a concern that the pellicle frame may be damaged when the jig hole is machined or the pellicle is peeled off. In order to avoid this problem, it is conceivable to reduce the diameter of the jig holes, but in that case, it is necessary to increase the number of jig holes in order to surely perform peeling. Then, the possibility of damage during processing increases, and the yield deteriorates after all. In particular, when a brittle material such as silicon crystal is used as the material of the pellicle frame, this problem becomes remarkable.
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ペリクルフレームに形成される治具穴の加工時やペリクルをフォトマスクから剥離する剥離時に破損が生じ難いペリクルフレーム、及び該ペリクルフレームを用いたペリクル、更にはペリクルの剥離方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a pellicle frame that is unlikely to be damaged when processing a jig hole formed in a pellicle frame or when peeling a pellicle from a photomask, and a pellicle using the pellicle frame. Furthermore, it is an object of the present invention to provide a method for peeling a pellicle.
本発明者は、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームにおいて、下端面の外側面から内側面に向かって切り欠き部を設けることにより、従来から使用されているペリクルフレームに形成される治具穴の加工時やペリクルの剥離時にペリクルフレームが破損するおそれを確実に抑制し、且つ、ペリクルが装着されたフォトマスクからペリクルを剥離する際、上記切り欠き部に剥離治具を差し込んでペリクルフレームの上端面方向に移動させることによりペリクルを確実に剥離できることを見出し、本発明をなすに至ったものである。 The present inventor has conventionally provided a notch from the outer surface to the inner surface of the lower end surface in a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which the pellicle film is provided and an lower end surface facing the photomask. When the pellicle frame is surely suppressed from being damaged when the jig hole formed in the pellicle frame used or when the pellicle is peeled off, and when the pellicle is peeled off from the photomask on which the pellicle is attached, the above The present invention has been made by finding that the pellicle can be reliably peeled off by inserting a peeling jig into the notch and moving it toward the upper end surface of the pellicle frame.
従って、本発明は、以下のペリクルフレーム、ペリクル及びペリクルの剥離方法を提供する。
1.ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、下端面の外側面から内側面に向かって切り欠き部が設けられていることを特徴とするペリクルフレーム。
2.上記切り欠き部は、外側面から内側面まで形成されている1記載のペリクルフレーム。
3.厚みが2.5mm未満で、シリコン結晶からなる1又は2記載のペリクルフレーム。
4.1〜3のいずれかに記載のペリクルフレームを構成要素として含むことを特徴とするペリクル。
5.ペリクルフレームの切り欠き部以外の下端面上にはマスク粘着剤層が設けられる4記載のペリクル。
6.4又は5に記載のペリクルが装着されたフォトマスクからペリクルを剥離する方法であって、ペリクルフレームの側面から切り欠き部に剥離治具を差し込み、この状態で該剥離治具をペリクルフレームの上端面方向に移動させることによりペリクルをフォトマスから剥離するようにしたことを特徴とするペリクルの剥離方法。
7.上記剥離治具の差し込み部分が、切り欠き部に相応した平板形状である6記載のペリクルの剥離方法。
Therefore, the present invention provides the following pellicle frame, pellicle, and pellicle peeling method.
1. 1. A frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask, characterized in that a notch is provided from the outer surface to the inner surface of the lower end surface. Pellicle frame.
2. The pellicle frame according to 1 above, wherein the cutout portion is formed from an outer surface to an inner surface.
3. 3. The pellicle frame according to 1 or 2, which has a thickness of less than 2.5 mm and is made of silicon crystals.
A pellicle comprising the pellicle frame according to any one of 4.1 to 3 as a component.
5. 4. The pellicle according to 4 in which a mask adhesive layer is provided on the lower end surface other than the notch portion of the pellicle frame.
A method of peeling a pellicle from a photomask on which a pellicle is attached according to 6.4 or 5, wherein a peeling jig is inserted into a notch from a side surface of the pellicle frame, and the peeling jig is removed from the pellicle frame in this state. A method for peeling a pellicle, which comprises moving the pellicle from the photomask by moving it in the direction of the upper end surface of the pellicle.
7. 6. The method for peeling a pellicle according to 6, wherein the insertion portion of the peeling jig has a flat plate shape corresponding to the notch portion.
本発明によれば、ペリクルフレームの加工時やペリクルの剥離時において破損し難いペリクルフレーム及びこれを用いたペリクルを提供することができる。また、本発明では、破損等の問題を生じることなく、確実にフォトマスクからペリクルを剥離することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a pellicle frame that is not easily damaged when the pellicle frame is processed or when the pellicle is peeled off, and a pellicle using the pellicle frame. Further, in the present invention, the pellicle can be reliably peeled off from the photomask without causing problems such as breakage.
本発明のペリクルフレームは、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームである。 The pellicle frame of the present invention is a frame-shaped pellicle frame having an upper end surface on which a pellicle film is provided and a lower end surface facing a photomask.
ペリクルフレームは枠状であれば、その形状はペリクルを装着するフォトマスクの形状に対応する。一般的には、四角形(長方形又は正方形)枠状である。 If the pellicle frame has a frame shape, its shape corresponds to the shape of the photomask on which the pellicle is attached. Generally, it has a quadrangular (rectangular or square) frame shape.
また、ペリクルフレームには、ペリクル膜を設けるための面(ここでは上端面とする)と、フォトマスク装着時にフォトマスクに面する面(ここでは下端面が)がある。 Further, the pellicle frame has a surface for providing the pellicle film (here, the upper end surface) and a surface facing the photomask when the photomask is attached (here, the lower end surface).
通常、上端面には、接着剤等を介してペリクル膜が設けられ、下端面には、ペリクルをフォトマスクに装着するための粘着剤等が設けられるが、この限りではない。 Usually, a pellicle film is provided on the upper end surface via an adhesive or the like, and an adhesive or the like for attaching the pellicle to the photomask is provided on the lower end surface, but this is not the case.
ペリクルフレームの材質に制限はなく、公知のものを使用することができる。EUV用のペリクルフレームでは、高温にさらされる可能性があるため、熱膨張係数の小さな材料が好ましい。例えば、Si、SiO2、SiN、石英、インバー、チタン、チタン合金等が挙げられる。EUV用ペリクル膜としては、極薄シリコン膜が有望視されており、ペリクル膜と同じ材質であるシリコン結晶が好ましい。シリコン結晶としては、単結晶でも多結晶でもよいが、入手しやすく安価なシリコン単結晶が好ましい。 The material of the pellicle frame is not limited, and known materials can be used. Since the pellicle frame for EUV may be exposed to high temperature, a material having a small coefficient of thermal expansion is preferable. For example, Si, SiO 2 , SiN, quartz, Invar, titanium, titanium alloy and the like can be mentioned. As the EUV pellicle film, an ultrathin silicon film is promising, and a silicon crystal made of the same material as the pellicle film is preferable. The silicon crystal may be a single crystal or a polycrystal, but a silicon single crystal that is easily available and inexpensive is preferable.
ペリクルフレームの寸法は特に限定されないが、EUV用ペリクルの高さが2.5mm以下に制限されることから、EUV用のペリクルフレームの厚みはそれよりも小さくなり2.5mm未満である。 The size of the pellicle frame is not particularly limited, but since the height of the EUV pellicle is limited to 2.5 mm or less, the thickness of the EUV pellicle frame is smaller than that and is less than 2.5 mm.
例えば、シリコン結晶から成るペリクルフレームに、穴を形成する場合には、穴の周囲に少なくとも0.5mmのマージンが必要である。したがって、直径1mmの穴を形成する場合は、少なくとも厚みが2.0mm必要となる。すなわち、本発明は、厚みが2.0mm未満で、シリコン結晶から成るペリクルフレームに特に有用である。 For example, when forming a hole in a pellicle frame made of silicon crystals, a margin of at least 0.5 mm is required around the hole. Therefore, when forming a hole having a diameter of 1 mm, a thickness of at least 2.0 mm is required. That is, the present invention is particularly useful for pellicle frames having a thickness of less than 2.0 mm and made of silicon crystals.
また、EUV用のペリクルフレームの厚みは、ペリクル膜やマスク粘着剤等の厚みを勘案すると、2.0mm以下であることが好ましく、1.6mm以下であることがより好ましい。 Further, the thickness of the EUV pellicle frame is preferably 2.0 mm or less, more preferably 1.6 mm or less, in consideration of the thickness of the pellicle film, the mask adhesive, and the like.
また、ペリクルとしての機能を十分に発揮するためには、高さが1.5mm以上必要である。そうすると、EUV用のペリクルフレームの厚みは、ペリクル膜やマスク粘着剤等の厚みを勘案すると、1.0mm以上であることが好ましい。 Further, in order to fully exert the function as a pellicle, a height of 1.5 mm or more is required. Then, the thickness of the EUV pellicle frame is preferably 1.0 mm or more in consideration of the thickness of the pellicle film, the mask adhesive, and the like.
本発明のペリクルフレームは、下端面の外側面から内側面に向かって切り欠き部が設けられる。切り欠き部の配置場所や個数に制限はないが、ペリクルを把持するために用いられることから、最低でも向い合う二辺に各1箇所ずつ、合計で2箇所以上設けられることが好ましい。 The pellicle frame of the present invention is provided with a notch from the outer surface to the inner surface of the lower end surface. There is no limit to the location and number of cutouts, but since they are used to grip the pellicle, it is preferable to provide at least one on each of the two opposite sides, for a total of two or more.
また、切り欠き部は形状や寸法にも制限はないが、切り欠き部の高さを大きくすれば、その分ペリクルフレームの切り欠き部上方の厚みが減り、破損する可能性がある。そのため、切り欠き部の高さは、ペリクルフレームの厚みの50%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましく、さらに好ましくは15%以下である。 Further, the shape and dimensions of the notch are not limited, but if the height of the notch is increased, the thickness above the notch of the pellicle frame is reduced by that amount, which may cause damage. Therefore, the height of the cutout portion is preferably 50% or less, more preferably 30% or less, and further preferably 15% or less of the thickness of the pellicle frame.
シリコン結晶からなるペリクルフレームの場合は、ペリクルフレームの切り欠き部上方の厚みが0.7mm以上となるようにすることが好ましい。 In the case of a pellicle frame made of silicon crystals, it is preferable that the thickness above the notch portion of the pellicle frame is 0.7 mm or more.
切り欠き部は、ペリクルフレームの途中まで形成されていてもよいし、外側面から内側面まで通じるように形成されていてもよい。切り欠き部は、外側面から内側面まで形成されていれば、切り欠き部を通気部としても使用することができる。 The notch may be formed halfway through the pellicle frame, or may be formed so as to communicate from the outer surface to the inner surface. If the notch is formed from the outer surface to the inner surface, the notch can also be used as a ventilation portion.
一般にペリクルフレームには、ペリクル内外の圧力差を緩和させるための通気部が設けられている。特に、EUVリソグラフィでは、露光装置内を真空にするため、EUV用ペリクルは大気圧から真空への圧力変化に耐える必要があり、EUV用ペリクルフレームには大面積の通気部が要求される。 Generally, the pellicle frame is provided with a ventilation portion for alleviating the pressure difference between the inside and outside of the pellicle. In particular, in EUV lithography, in order to create a vacuum inside the exposure apparatus, the EUV pellicle must withstand a pressure change from atmospheric pressure to vacuum, and the EUV pellicle frame is required to have a large-area ventilation portion.
従来、通気部は治具穴と同様に、ペリクルフレーム側面に貫通孔として設けられている。従って、治具穴と同様に加工時に破損する懸念がある。特に、EUV用ペリクルフレームでは、大面積の通気部が要求されるが、通気部を大きくしようとして貫通孔の直径を大きくすれば、破損する可能性がさらに高まってしまう。また、貫通孔の数を多くしようとしても、同様に破損の可能性が高まる。
しかしながら、本発明のように切り欠き部を設ける加工であれば、ペリクルフレームの薄くなる箇所でもある程度の厚みがあるため、容易に加工することができ、加工時に破損する可能性が低くなる。
Conventionally, the ventilation portion is provided as a through hole on the side surface of the pellicle frame, similarly to the jig hole. Therefore, like the jig hole, there is a concern that it will be damaged during machining. In particular, the EUV pellicle frame requires a large-area ventilation portion, but if the diameter of the through hole is increased in an attempt to increase the ventilation portion, the possibility of damage is further increased. Moreover, even if an attempt is made to increase the number of through holes, the possibility of breakage also increases.
However, in the case of processing in which the notch portion is provided as in the present invention, since the pellicle frame has a certain thickness even in the thin portion, it can be easily processed and the possibility of damage during processing is reduced.
さらに、この切り欠き部に剥離治具を挿入してペリクルを剥離する際も、最も力かかる(剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に移動させるときに、剥離治具と接触する)箇所に、側面中央付近に穴を設ける場合よりも厚みがあるため、剥離時の破損も起こり難い。 Further, when the peeling jig is inserted into the notch to peel the pellicle, the part where the force is most applied (when the peeling jig is moved toward the upper end surface of the pellicle frame, the peeling jig comes into contact with the peeling jig) is placed. Since it is thicker than when a hole is provided near the center of the side surface, damage during peeling is unlikely to occur.
また、切り欠き部を通気部として用いる場合に、切り欠き部の高さを小さくして、ペリクルフレームに厚みをもたせたとしても、幅を大きくすることによって、多量の通気を行うことが可能となる。 In addition, when the notch is used as a ventilation part, even if the height of the notch is reduced and the pellicle frame is made thicker, a large amount of ventilation can be performed by increasing the width. Become.
切り欠き部を通気部として用いる場合は、ペリクル使用時の圧力変化速度に応じて、サイズや個数を調整する。EUV用ペリクルフレームとする場合は、開口部の面積が合計で少なくとも5mm2以上とすることが好ましく、10mm2以上とすることがより好ましい。なお、従来のエキシマレーザー露光では、1mm2以下であっても十分であった。 When using the notch as a ventilation part, adjust the size and number according to the pressure change speed when using the pellicle. In the case of an EUV pellicle frame, the total area of the openings is preferably at least 5 mm 2 or more, and more preferably 10 mm 2 or more. In the conventional excimer laser exposure, 1 mm 2 or less was sufficient.
例えば、ペリクルフレームには、ペリクルフレームの途中まで形成されている切り欠き部と、外側面から内側面まで形成されている切り欠き部の両方の形態を設けてもよい。この場合、ペリクルフレームの途中まで形成されている切り欠き部は剥離用途、外側面から内側面まで形成されている切り欠き部は通気用途、というように用途を分けてもよい。 For example, the pellicle frame may be provided with both a notch formed in the middle of the pellicle frame and a notch formed from the outer surface to the inner side surface. In this case, the notch formed in the middle of the pellicle frame may be used for peeling, the notch formed from the outer surface to the inner surface may be used for ventilation, and so on.
さらに、ペリクルフレームに設けられる複数の切り欠き部は、それぞれ形状や寸法が異なっていてもよい。例えば、上記のように、切り欠き部の用途を区別する場合は、その用途に応じて最適な形状や寸法を選択できる。 Further, the plurality of notches provided in the pellicle frame may have different shapes and dimensions. For example, as described above, when distinguishing the use of the cutout portion, the optimum shape and dimensions can be selected according to the use.
また、外側面から内側面まで形成されている切り欠き部には、フィルタを設けてもよい。この切り欠き部を剥離に用いる場合は、ペリクルフレームの内側面に切り欠き部を覆うように設けること、或いは、切り欠き部の内部に設けることが好ましい。通気のみに用いる場合は、ペリクルフレームの外側面に切り欠き部を覆うように設けてもよい。
ペリクルフレーム下端面に粘着剤等を形成する場合は、粘着剤の厚みにフィルタ寸法を合わせることが好ましい。
Further, a filter may be provided in the notch portion formed from the outer surface to the inner surface. When this notch is used for peeling, it is preferable that the notch is provided on the inner side surface of the pellicle frame so as to cover the notch, or is provided inside the notch. When used only for ventilation, it may be provided on the outer surface of the pellicle frame so as to cover the notch.
When forming an adhesive or the like on the lower end surface of the pellicle frame, it is preferable to match the filter dimensions with the thickness of the adhesive.
切り欠き部は、剥離や通気のみならず、ハンドリング時の治具穴としても用いることができる。ハンドリング用の治具穴は、剥離用の治具穴に比べて大きな力がかからないため、従来通り、ペリクルフレーム外側面の中央付近に設けてもよい。また、そのほか必要に応じて、加工時に破損しない範囲内で、外側面や内側面に加工を施すことができる。 The notch can be used not only for peeling and ventilation, but also as a jig hole for handling. Since the handling jig hole does not apply a large force as compared with the peeling jig hole, it may be provided near the center of the outer surface of the pellicle frame as before. In addition, if necessary, the outer surface and the inner surface can be processed as long as they are not damaged during processing.
本発明のペリクルは、上記構成のペリクルフレーム上端面に、粘着剤あるいは接着剤を介して、ペリクル膜が設けられる。粘着剤や接着剤の材料に制限はなく、公知のものを使用することができる。一般的に、粘着剤や接着剤は、ペリクルフレーム端面の周方向全周に亘って、ペリクルフレーム幅と同じ又はそれ以下の幅に形成される。 In the pellicle of the present invention, a pellicle film is provided on the upper end surface of the pellicle frame having the above structure via an adhesive or an adhesive. The material of the pressure-sensitive adhesive and the adhesive is not limited, and known materials can be used. Generally, the pressure-sensitive adhesive or the adhesive is formed to have a width equal to or less than the width of the pellicle frame over the entire circumference of the end face of the pellicle frame in the circumferential direction.
また、ペリクル膜の材質に制限はないが、露光光源の波長における透過率が高く耐光性の高いものが好ましい。例えば、EUV露光に対しては極薄シリコン膜や炭素膜等が用いられる。 The material of the pellicle film is not limited, but a film having high transmittance at the wavelength of the exposure light source and high light resistance is preferable. For example, an ultrathin silicon film, a carbon film, or the like is used for EUV exposure.
さらに、ペリクルフレームの下端面には、フォトマスクに装着するための粘着剤が形成される。この粘着剤は、ペリクルフレームの切り欠き部以外の下端面上に設けられることが好ましい。 Further, an adhesive for attaching to the photomask is formed on the lower end surface of the pellicle frame. This adhesive is preferably provided on the lower end surface other than the notch portion of the pellicle frame.
上記粘着剤としては、公知のものを使用することができ、アクリル系粘着剤やシリコーン系粘着剤が好適に使用できる。耐熱性の観点からシリコーン系粘着剤が好ましい。粘着剤は必要に応じて、任意の形状に加工されてもよい。 As the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, known ones can be used, and acrylic-based pressure-sensitive adhesives and silicone-based pressure-sensitive adhesives can be preferably used. A silicone-based adhesive is preferable from the viewpoint of heat resistance. The pressure-sensitive adhesive may be processed into any shape, if necessary.
上記粘着剤の下端面には、粘着剤を保護するための離型層(セパレータ)が貼り付けられていてもよい。離型層の材質は、特に制限されないが、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、ポリエチレン(PE)、ポリカーボネート(PC)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリプロピレン(PP)等を使用することができる。また、必要に応じて、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等の離型剤を離型層の表面に塗布してもよい。 A release layer (separator) for protecting the adhesive may be attached to the lower end surface of the adhesive. The material of the release layer is not particularly limited, but is, for example, polyethylene terephthalate (PET), polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polyethylene (PE), polycarbonate (PC). ), Polyvinyl chloride (PVC), polypropylene (PP) and the like can be used. Further, if necessary, a release agent such as a silicone-based release agent or a fluorine-based release agent may be applied to the surface of the release layer.
本発明では、ペリクルフレーム側面から切り欠き部に剥離治具を差し込み、この状態で該剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に移動させることにより、ペリクルが装着されたフォトマスクからペリクルを剥離する。 In the present invention, the peeling jig is inserted into the notch from the side surface of the pellicle frame, and the peeling jig is moved toward the upper end surface of the pellicle frame in this state to peel the pellicle from the photomask on which the pellicle is attached.
このとき、剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に移動させるときに、ペリクルフレームの剥離治具と接触する箇所が平坦であれば、剥離治具は平板形状であることが好ましい。剥離治具は、ペリクルフレームの剥離治具と接触する箇所の形状に応じた形状にすることが好ましい。このようにすれば、剥離治具と切り欠き部上方との接触面積が大きくなり、ペリクルフレームの破損も起こりにくくなる。 At this time, when the peeling jig is moved toward the upper end surface of the pellicle frame, if the portion of the pellicle frame in contact with the peeling jig is flat, the peeling jig is preferably flat. The peeling jig is preferably shaped according to the shape of the portion of the pellicle frame that comes into contact with the peeling jig. In this way, the contact area between the peeling jig and the upper part of the notch portion becomes large, and the pellicle frame is less likely to be damaged.
ここで、図1〜3は、本発明のペリクルフレーム1の一例を示し、それぞれの図面において、符号11はペリクルフレームの内側面、符号12はペリクルフレームの外側面、符号13はペリクルフレームの上端面、符号14はペリクルフレームの下端面を示す。上記ペリクルフレーム1は切り欠き部2が設けられ、符号21は切り欠き部の幅、符号22は切り欠き部の奥行、符号23は切り欠き部の高さを示す。なお、図2では、長辺の切り欠き部は、外側面から内側面まで形成されており、短辺の切り欠き部は、ペリクルフレームの途中まで形成されているが、短辺の切り欠き部は、剥離治具を挿入しやすいように、長辺の切り欠き部よりも高さが大きくなっている。また、図5はペリクル3を示し、ペリクルフレーム1の上端面には接着剤6によりペリクル膜5が接着,張設されている。また、上記ペリクル3は、粘着剤4によりフォトマスク7に剥離可能に接着され、フォトマスク7上のパターン面を保護している。また、図6は、ペリクルをフォトマスから剥離する際、ペリクルフレーム1の切り欠き部2に剥離治具8を挿通した様子を示すものである。
Here, FIGS. 1 to 3 show an example of the
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
[実施例1]
Si単結晶製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、フレーム幅4mm)を作製した。
[Example 1]
A pellicle frame made of Si single crystal (outer dimensions 150 mm × 118 mm × 1.5 mm,
ペリクルフレーム各辺中央の下端面には、実施例1に示すように、幅70mm×高さ0.2mm×奥行4mmの切り欠き部を設けた。この切り欠き部は、外側面から内側面まで形成されている。また、切り欠き部上方の厚みは1.3mmであり、破損することなく加工することができた。 As shown in Example 1, a notch having a width of 70 mm, a height of 0.2 mm, and a depth of 4 mm was provided on the lower end surface at the center of each side of the pellicle frame. This notch is formed from the outer surface to the inner surface. Further, the thickness above the notch portion was 1.3 mm, and the processing could be performed without damage.
ペリクルフレームを洗浄し、フレーム上端面にはシリコーン粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)を全周に渡り塗布した。また、切り欠き部以外のフレーム下端面上にもマスク粘着剤として、シリコーン系粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)を塗布した。 The pellicle frame was washed, and a silicone adhesive (X-40-3264 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was applied to the upper end surface of the frame over the entire circumference. A silicone-based adhesive (X-40-3264, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was also applied as a mask adhesive on the lower end surface of the frame other than the notch.
その後、ペリクルフレームを90℃で12時間加熱して、上下端面の粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として極薄シリコン膜を、フレーム上端面に形成した粘着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。 Then, the pellicle frame was heated at 90 ° C. for 12 hours to cure the adhesive on the upper and lower end surfaces. Subsequently, an ultrathin silicon film as a pellicle film was pressure-bonded to an adhesive formed on the upper end surface of the frame to complete the pellicle.
このペリクルをフォトマスクの代用として150mm×150mmの石英マスクに貼り付けた後、切り欠き部に剥離治具の平板形状になっている部分を挿入して、剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に0.1mm/sの速度で移動させることによってフォトマスクからペリクルを剥離した。ペリクルを剥離してもペリクルフレームは破損しなかった。 After attaching this pellicle to a 150 mm × 150 mm quartz mask as a substitute for a photomask, insert the flat plate-shaped part of the peeling jig into the notch, and move the peeling jig toward the upper end surface of the pellicle frame. The pellicle was peeled off from the photomask by moving at a speed of 0.1 mm / s. The pellicle frame was not damaged even when the pellicle was peeled off.
[実施例2]
Si単結晶製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、フレーム幅4mm)を作製した。
[Example 2]
A pellicle frame made of Si single crystal (outer dimensions 150 mm × 118 mm × 1.5 mm,
ペリクルフレーム長辺の下端面には、実施例2に示すように、幅30mm×高さ0.2mm×奥行4mmの切り欠き部を30mmの間隔を開けて2箇所に設けた。短辺の下端面には、幅20mm×高さ0.2mm×奥行4mmの切り欠き部を20mmの間隔を開けて2箇所に設けた。この切り欠き部は、外側面から内側面まで形成されている。また、切り欠き部上方の厚みは1.3mmであり、破損することなく加工することができた。 As shown in Example 2, notches having a width of 30 mm, a height of 0.2 mm, and a depth of 4 mm were provided at two positions on the lower end surface of the long side of the pellicle frame at intervals of 30 mm. On the lower end surface of the short side, notches having a width of 20 mm, a height of 0.2 mm, and a depth of 4 mm were provided at two locations with an interval of 20 mm. This notch is formed from the outer surface to the inner surface. Further, the thickness above the notch portion was 1.3 mm, and the processing could be performed without damage.
ペリクルフレームを洗浄し、フレーム上端面にはシリコーン系粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)を全周に渡り塗布した。また、切り欠き部以外のフレーム下端面上にもマスク粘着剤として、アクリル粘着剤(綜研化学(株)製SKダイン1495)を塗布した。 The pellicle frame was washed, and a silicone-based adhesive (X-40-3264 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was applied to the upper end surface of the frame over the entire circumference. An acrylic adhesive (SK Dyne 1495 manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) was also applied as a mask adhesive on the lower end surface of the frame other than the notch.
その後、ペリクルフレームを90℃で12時間加熱して、上下端面の粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として極薄シリコン膜を、フレーム上端面に形成した粘着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。 Then, the pellicle frame was heated at 90 ° C. for 12 hours to cure the adhesive on the upper and lower end surfaces. Subsequently, an ultrathin silicon film as a pellicle film was pressure-bonded to an adhesive formed on the upper end surface of the frame to complete the pellicle.
このペリクルをフォトマスクの代用として150mm×150mmの石英マスクに貼り付けた後、切り欠き部に剥離治具の平板形状になっている部分を挿入して、剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に0.1mm/sの速度で移動させることによってフォトマスクからペリクルを剥離した。ペリクルを剥離してもペリクルフレームは破損しなかった。 After attaching this pellicle to a 150 mm × 150 mm quartz mask as a substitute for a photomask, insert the flat plate-shaped part of the peeling jig into the notch, and move the peeling jig toward the upper end surface of the pellicle frame. The pellicle was peeled off from the photomask by moving at a speed of 0.1 mm / s. The pellicle frame was not damaged even when the pellicle was peeled off.
[比較例1]
Si単結晶製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、フレーム幅4mm)を作製した。
[Comparative Example 1]
A pellicle frame made of Si single crystal (outer dimensions 150 mm × 118 mm × 1.5 mm,
ペリクルフレーム長辺の外側面に、辺中央からコーナー方向へ45mm離れた2箇所に、直径1mm×奥行1mmの治具穴を設けようとしたが、加工中に破損してしまった。 I tried to provide jig holes with a diameter of 1 mm and a depth of 1 mm on the outer surface of the long side of the pellicle frame at two locations 45 mm apart from the center of the side in the corner direction, but they were damaged during processing.
[比較例2]
Si単結晶製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、フレーム幅4mm)を作製した。
[Comparative Example 2]
A pellicle frame made of Si single crystal (outer dimensions 150 mm × 118 mm × 1.5 mm,
ペリクルフレーム長辺の外側面に、辺中央からコーナー方向へ45mm離れた2箇所に、直径0.5mm×奥行1mmの治具穴を設けた。治具穴上方の厚みは0.5mmであり、破損することなく加工することができた。 On the outer surface of the long side of the pellicle frame, jig holes having a diameter of 0.5 mm and a depth of 1 mm were provided at two locations 45 mm apart from the center of the side in the corner direction. The thickness above the jig hole was 0.5 mm, and it was possible to process without damage.
ペリクルフレームを洗浄し、フレーム上端面にはシリコーン粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)を全周に渡り塗布した。また、切り欠き部以外のフレーム下端面上にもマスク粘着剤として、シリコーン粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)を塗布した。 The pellicle frame was washed, and a silicone adhesive (X-40-3264 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was applied to the upper end surface of the frame over the entire circumference. A silicone adhesive (X-40-3264, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was also applied as a mask adhesive on the lower end surface of the frame other than the notch.
その後、ペリクルフレームを90℃で12時間加熱して、上下端面の粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として極薄シリコン膜を、フレーム上端面に形成した粘着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。 Then, the pellicle frame was heated at 90 ° C. for 12 hours to cure the adhesive on the upper and lower end surfaces. Subsequently, an ultrathin silicon film as a pellicle film was pressure-bonded to an adhesive formed on the upper end surface of the frame to complete the pellicle.
このペリクルをフォトマスクの代用として150mm×150mmの石英マスクに貼り付けた後、治具穴に剥離治具の円柱状になっている部分を挿入して、剥離治具をペリクルフレーム上端面方向に0.1mm/sの速度で移動させることによってフォトマスクからペリクルを剥離しようとした。しかしながら、治具穴周辺部が破損してしまい、ペリクルを剥離することはできなかった。 After attaching this pellicle to a 150 mm × 150 mm quartz mask as a substitute for a photomask, insert the cylindrical part of the peeling jig into the jig hole and move the peeling jig toward the upper end surface of the pellicle frame. An attempt was made to peel the pellicle from the photomask by moving it at a speed of 0.1 mm / s. However, the peripheral part of the jig hole was damaged, and the pellicle could not be peeled off.
1 ペリクルフレーム
11 ペリクルフレーム内側面
12 ペリクルフレーム外側面
13 ペリクルフレーム上端面
14 ペリクルフレーム下端面
2 切り欠き部
21 切り欠き部の幅
22 切り欠き部の奥行
23 切り欠き部の高さ
3 ペリクル
4 フォトマスク粘着剤
5 ペリクル膜
6 ペリクル膜接着剤
7 フォトマスク
8 剥離治具
9 通気孔
10 治具穴
1
Claims (7)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021016290A JP7451442B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-02-04 | Ventilation structure of EUV pellicle frame, EUV pellicle, exposure master plate with EUV pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
JP2023041896A JP7533659B2 (en) | 2021-02-04 | 2023-03-16 | Pellicle frame, pellicle, pellicle-attached exposure master, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017196982A JP7357432B2 (en) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | EUV pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
JP2021016290A JP7451442B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-02-04 | Ventilation structure of EUV pellicle frame, EUV pellicle, exposure master plate with EUV pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017196982A Division JP7357432B2 (en) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | EUV pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023041896A Division JP7533659B2 (en) | 2021-02-04 | 2023-03-16 | Pellicle frame, pellicle, pellicle-attached exposure master, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021073536A true JP2021073536A (en) | 2021-05-13 |
JP7451442B2 JP7451442B2 (en) | 2024-03-18 |
Family
ID=90273314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021016290A Active JP7451442B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-02-04 | Ventilation structure of EUV pellicle frame, EUV pellicle, exposure master plate with EUV pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7451442B2 (en) |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61173942U (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-29 | ||
JPH02287355A (en) * | 1989-04-27 | 1990-11-27 | Seiko Epson Corp | Glass mask structure with protective member |
US5814381A (en) * | 1997-04-04 | 1998-09-29 | Inko Industrial Corporation | Pellicle assembly having a vented frame |
JP2000292909A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle and its production |
JP2004354720A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Pellicle for mask |
JP2005241698A (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | Pellicle |
WO2007094197A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | Protection device, mask, and exposure device |
WO2008105531A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | Pellicle frame apparatus, mask, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
US20130089814A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Sung-Hyuck Kim | Pellicle having buffer zone and photomask structure having pellicle |
JP2015018228A (en) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | Pellicle film and pellicle |
WO2015174412A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 三井化学株式会社 | Pellicle frame, pellicle, frame member, exposure original plate, exposure device, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2015178250A1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | 三井化学株式会社 | Pellicle film, pellicle, exposure master, exposure device, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2016043292A1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三井化学株式会社 | Pellicle, production method thereof, exposure method |
JP2016539372A (en) * | 2013-12-05 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Apparatus and method for manufacturing pellicle and pellicle |
JP2017083791A (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | Pellicle, method for producing pellicle and exposure method using the pellicle |
JP2017083806A (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | Adhesive appropriate for pellicle for euv lithography, and pellicle using the same |
-
2021
- 2021-02-04 JP JP2021016290A patent/JP7451442B2/en active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61173942U (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-29 | ||
JPH02287355A (en) * | 1989-04-27 | 1990-11-27 | Seiko Epson Corp | Glass mask structure with protective member |
US5814381A (en) * | 1997-04-04 | 1998-09-29 | Inko Industrial Corporation | Pellicle assembly having a vented frame |
JP2000292909A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Pellicle and its production |
JP2004354720A (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Pellicle for mask |
JP2005241698A (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | Pellicle |
WO2007094197A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | Protection device, mask, and exposure device |
WO2008105531A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | Pellicle frame apparatus, mask, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
US20130089814A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Sung-Hyuck Kim | Pellicle having buffer zone and photomask structure having pellicle |
JP2015018228A (en) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | Pellicle film and pellicle |
JP2016539372A (en) * | 2013-12-05 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Apparatus and method for manufacturing pellicle and pellicle |
WO2015174412A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 三井化学株式会社 | Pellicle frame, pellicle, frame member, exposure original plate, exposure device, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2015178250A1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | 三井化学株式会社 | Pellicle film, pellicle, exposure master, exposure device, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2016043292A1 (en) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三井化学株式会社 | Pellicle, production method thereof, exposure method |
JP2017083806A (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | Adhesive appropriate for pellicle for euv lithography, and pellicle using the same |
JP2017083791A (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 三井化学株式会社 | Pellicle, method for producing pellicle and exposure method using the pellicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7451442B2 (en) | 2024-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11796908B2 (en) | Pellicle frame, pellicle, and method for peeling pellicle | |
TWI815825B (en) | Protective film frame and protective film components | |
TW202032284A (en) | Pellicle film for photolithography and pellicle provided with the same | |
JP7556378B2 (en) | Pellicle, exposure master with pellicle, exposure method, and semiconductor manufacturing method | |
JP2021073536A (en) | Euv pellicle frame ventilation structure, euv pellicle, exposure original plate with euv pellicle, exposure method, method for producing semiconductor and method for producing liquid crystal display | |
JP7533659B2 (en) | Pellicle frame, pellicle, pellicle-attached exposure master, exposure method, and semiconductor manufacturing method | |
JP7537494B2 (en) | Pellicle frame, pellicle, pellicle-attached exposure master, exposure method, semiconductor manufacturing method, and liquid crystal display panel manufacturing method | |
JP2024150755A (en) | Pellicle frame, pellicle, pellicle-attached exposure master, exposure method, and semiconductor manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210301 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220105 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230316 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20230316 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230324 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20230328 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20230414 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20230418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7451442 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |