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Abstract
Description
本発明は、ポスト壁導波路とコプレーナ線路とを電磁気的に結合する構造体に関する。 The present invention relates to a structure that electromagnetically couples a post-wall waveguide and a coplanar line.
準ミリ波帯(例えば28GHz帯)及びミリ波帯(例えば60GHz帯)に含まれる高周波に対してフィルタリング処理を施す場合、複数の共振器を電磁気的に結合することによって構成された共振器結合型のフィルタ装置が広く用いられている。 When filtering high frequencies contained in the quasi-millimeter wave band (for example, 28 GHz band) and the millimeter wave band (for example, 60 GHz band), a resonator coupling type configured by electromagnetically coupling a plurality of resonators. Filter device is widely used.
特許文献1には、複数の共振器を電磁気的に結合することにより構成された共振器結合型のフィルタ装置が図示されている。各共振器は、誘電体材料製のブロックと、ブロックの表面を覆う導体材料製の壁と、を備えている。壁により周囲を取り囲まれたブロックは、各共振器の共振領域として機能する。したがって、電磁気的に結合された複数の共振器は、誘電体導波路の一態様である。また、特許文献1に記載のフィルタ装置は、誘電体材料製の基板と、基板の一方の主面に形成されたコプレーナ線路と、を更に備え、基板上に複数の共振器を実装することによって、複数の共振器と、コプレーナ線路とを電磁気的に結合させている。
なお、特許文献1において、複数の共振器は、単一の層内に直線的(一次元的)に、又は、複数の層内に立体的(3次元的)に配置されている。
In
また、誘電体導波路の別の態様としては、ポスト壁導波路が知られている。ポスト壁導波路は、誘電体基板と、誘電体基板の一対の主面に形成された一対の導体層と、誘電体基板の内部に形成されたポスト壁とを備えている。ポスト壁は、誘電体基板を貫通することによって一対の導体層同士を短絡する複数の導体ポストを、柵状に配置することによって構成されている。誘電体基板のうち、一対の導体層と、ポスト壁とにより周囲を取り囲まれた領域は、ポスト壁導波路の導波領域として機能する。 Further, as another aspect of the dielectric waveguide, a post-wall waveguide is known. The post wall waveguide includes a dielectric substrate, a pair of conductor layers formed on a pair of main surfaces of the dielectric substrate, and a post wall formed inside the dielectric substrate. The post wall is formed by arranging a plurality of conductor posts that short-circuit a pair of conductor layers with each other by penetrating a dielectric substrate in a fence shape. The region of the dielectric substrate surrounded by the pair of conductor layers and the post wall functions as a waveguide region of the post wall waveguide.
特許文献1に記載されたフィルタ装置において、コプレーナ線路を構成する入出力パターンと、入出力パターン(本明細書におけるストリップ導体に読み替えられる)を挟み込むグランドパターン(本明細書におけるグランド導体に読み替えられる)とは、基板の一方の主面に形成されている。
In the filter device described in
このように構成されたコプレーナ線路は、共振器に結合されている先端部を除いて、その大部分が電磁気的に遮蔽されていないため、該コプレーナ線路を伝送する高周波は、ノイズの影響を受けやすい。 Since most of the coplanar line configured in this way is not electromagnetically shielded except for the tip connected to the resonator, the high frequency transmitted through the coplanar line is affected by noise. Cheap.
本発明の一態様は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ポスト壁導波路とマイクロストリップ線路とを電磁気的に結合する構造体において、外部からマイクロストリップ線路に侵入し得るノイズの影響を、従来よりも受けにくくすることである。 One aspect of the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to allow the microstrip line to be penetrated from the outside in a structure that electromagnetically couples a post-wall waveguide and a microstrip line. It is to make it less susceptible to noise than before.
上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る構造体は、少なくとも第1導体層、第1誘電体層、第2導体層、第2誘電体層、及び第3導体層がこの順に積層された構造体であって、前記第2誘電体層には、ポスト壁導波路を前記第2導体層及び前記第3導体層と共に構成する第1ポスト壁が形成されており、前記第2導体層には、平面視した場合に、前記ポスト壁導波路の導波領域内において終端するコプレーナ線路が形成されており、前記第1導体層及び前記第3導体層は、前記コプレーナ線路のストリップ導体を平面視において覆っている、構成を採用している。 In order to solve the above problems, the structure according to the first aspect of the present invention includes at least a first conductor layer, a first dielectric layer, a second conductor layer, a second dielectric layer, and a third conductor layer. Is a structure laminated in this order, and the second dielectric layer is formed with a first post wall that constitutes a post wall waveguide together with the second conductor layer and the third conductor layer. The second conductor layer is formed with a coplanar line that terminates within the waveguide region of the post-wall waveguide when viewed in a plan view, and the first conductor layer and the third conductor layer are the coplanar. A configuration is adopted in which the strip conductor of the line is covered in a plan view.
上記の構成によれば、ストリップ導体は、前記第1導体層及び前記第3導体層により、構造体の外部から遮蔽されている。したがって、第1の態様に係る構造体は、従来よりもノイズの影響を受けにくい。 According to the above configuration, the strip conductor is shielded from the outside of the structure by the first conductor layer and the third conductor layer. Therefore, the structure according to the first aspect is less susceptible to noise than in the past.
本発明の第2の態様に係る構造体は、上述した第1の態様において、前記第1誘電体層には、前記コプレーナ線路の終端点を含む領域と平面視において重なり合う終端ポスト壁を含む第2ポスト壁が形成されている、構成を採用している。 In the first aspect described above, the structure according to the second aspect of the present invention includes a terminal post wall in which the first dielectric layer overlaps a region including the end point of the coplanar line in a plan view. We have adopted a structure in which two post walls are formed.
従来のフィルタ装置では、コプレーナ線路のストリップ導体の近傍に設けられた導体が、ストリップ導体を挟み込むグランド導体のみである。そのため、コプレーナ線路を伝送してきた高周波は、ストリップ導体とグランド導体との間に電界を形成し、コプレーナ線路の後段においては、概ね共振器(本明細書におけるポスト壁導波路に読み替えられる)に結合される。 In the conventional filter device, the conductor provided in the vicinity of the strip conductor of the coplanar line is only the ground conductor that sandwiches the strip conductor. Therefore, the high frequency transmitted through the coplanar line forms an electric field between the strip conductor and the ground conductor, and in the latter stage of the coplanar line, it is generally coupled to a resonator (which can be read as a post-wall waveguide in the present specification). Will be done.
一方、上述した第1の態様のように構造体が第1導体層及び第3導体層を備えている場合、ストリップ導体の近傍には、第2導体層に加えて第1導体層及び第3導体層が設けられていることになる。そのため、コプレーナ線路を伝送してきた高周波は、ストリップ導体と第3導体層との間、及び、ストリップ導体と第1導体層との間にも電界を形成するため、コプレーナ線路の後段において、第2誘電体層に形成されたポスト壁導波路の導波領域に結合するとともに、第1誘電体層の内部にも漏洩する。 On the other hand, when the structure includes the first conductor layer and the third conductor layer as in the first aspect described above, the first conductor layer and the third conductor layer and the third conductor layer are placed in the vicinity of the strip conductor in addition to the second conductor layer. A conductor layer will be provided. Therefore, the high frequency transmitted through the coplanar line forms an electric field between the strip conductor and the third conductor layer and also between the strip conductor and the first conductor layer. It is coupled to the waveguide region of the post-wall waveguide formed in the dielectric layer and also leaks into the inside of the first dielectric layer.
上記の構成によれば、第1誘電体層の内部に終端ポスト壁を含む第2ポスト壁が形成されているため、コプレーナ線路を伝送してきた高周波が第1誘電体層に漏洩することを抑制することができる。 According to the above configuration, since the second post wall including the terminal post wall is formed inside the first dielectric layer, it is possible to prevent the high frequency transmitted through the coplanar line from leaking to the first dielectric layer. can do.
本発明の第3の態様に係る構造体は、上述した第1の態様又は第2の態様において、前記第1ポスト壁は、前記ポスト壁導波路が、電磁気的に結合された複数の共振器からなる共振器群を含むように配置されている、構成を採用している。 The structure according to the third aspect of the present invention is the structure according to the first aspect or the second aspect described above, wherein the first post wall is a plurality of resonators in which the post wall waveguide is electromagnetically coupled. The configuration is adopted so as to include a resonator group consisting of.
上記の構成によれば、ポスト壁導波路は、共振器結合型のバンドパスフィルタとして機能する。したがって、第3の態様に係る構造体は、コプレーナ線路からポスト壁導波路に結合された高周波に対してフィルタリング処理を施したり、ポスト壁導波路を通過することによってフィルタリング処理を施した高周波をコプレーナ線路に結合させたりすることができる。 According to the above configuration, the post-wall waveguide functions as a resonator-coupled bandpass filter. Therefore, in the structure according to the third aspect, the high frequency coupled to the post-wall waveguide from the coplanar line is filtered, or the high frequency filtered by passing through the post-wall waveguide is applied to the coplanar. It can be connected to a line.
本発明の第4の態様に係る構造体は、上述した第1の態様又は第2の態様において、第3誘電体層、第4導体層、・・・、第n導体層、第n誘電体層、及び第n+1導体層と、上記第3誘電体層〜上記第n誘電体層の何れかである第i誘電体層(iは、3≦i≦nを満たす整数)に形成された第iポスト壁であって、共振器を第i導体層及び第i+1導体層と共に構成する第iポスト壁と、を更に備え、前記第1ポスト壁は、前記ポスト壁導波路が、1又は複数の共振器を含むように配置されており、上記第2誘電体層〜上記第n誘電体層に設けられた複数の共振器のうち積層方向において隣接する共振器同士は、平面視において重なり合っている、構成を採用している。 The structure according to the fourth aspect of the present invention is the third dielectric layer, the fourth conductor layer, ..., The nth conductor layer, the nth dielectric material in the first aspect or the second aspect described above. A third layer formed of the layer, the n + 1 conductor layer, and the i-th dielectric layer (i is an integer satisfying 3 ≦ i ≦ n), which is any of the third dielectric layer to the n-th dielectric layer. The i-post wall further includes an i-post wall that comprises a resonator together with an i-th conductor layer and an i + 1 conductor layer, and the first post wall has one or more post-wall waveguides. The resonators are arranged so as to include the resonators, and among the plurality of resonators provided in the second dielectric layer to the nth dielectric layer, the resonators adjacent to each other in the stacking direction overlap each other in a plan view. , Adopts the configuration.
上記の構成によれば、積層方向において隣接する共振器同士を容易に電磁気的に結合させることができる。したがって、第4の態様に係る構造体は、共振器結合型のバンドパスフィルタとして機能する。そのうえで、上記の構成によれば、複数の共振器の各々を単一の層内に配置した場合と比較して、構造体を平面視した場合における最大長を短くすることができる。 According to the above configuration, the resonators adjacent to each other in the stacking direction can be easily and electromagnetically coupled to each other. Therefore, the structure according to the fourth aspect functions as a resonator-coupled bandpass filter. On top of that, according to the above configuration, the maximum length when the structure is viewed in a plan view can be shortened as compared with the case where each of the plurality of resonators is arranged in a single layer.
本発明の第5の態様に係る構造体は、上述した第4の態様において、上記第2導体層〜上記第n導体層の各々うち、上記積層方向において隣接する共振器同士が平面視において重なり合っている領域には、開口が形成されている、構成を採用している。 In the structure according to the fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect described above, among the second conductor layer to the nth conductor layer, adjacent resonators in the stacking direction overlap each other in a plan view. A structure is adopted in which an opening is formed in the area.
上記の構成によれば、積層方向に沿って隣接している共振器同士を、容易且つ確実に、電磁気的に結合させることができる。 According to the above configuration, the resonators adjacent to each other along the stacking direction can be easily and surely electromagnetically coupled to each other.
本発明の第6の態様に係る構造体は、上述した第1の態様〜第5の態様の何れかにおいて、前記ストリップ導体と前記コプレーナ線路のグランド導体との間の静電容量は、前記ストリップ導体と前記第1導体層との間の静電容量、及び、前記ストリップ導体と前記第3導体層との間の静電容量よりも大きい、という構成を採用している。 In the structure according to the sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects described above, the capacitance between the strip conductor and the ground conductor of the coplanar line is the strip. A configuration is adopted in which the capacitance between the conductor and the first conductor layer is larger than the capacitance between the strip conductor and the third conductor layer.
上記の構成によれば、ストリップ導体を、第1導体層及び第3導体層の少なくとも何れか一方と共に実現されるマイクロストリップ線路の信号線としてではなく、グランド導体と共に実現されるコプレーナ線路の信号線として機能させることができる。また、上記の構成によれば、第2導体層と第1導体層との間隔、及び、第2導体層と第3導体層との間隔を広く設定することができるので、ポスト壁導波路の伝送特性を向上させることができる。 According to the above configuration, the strip conductor is not as a signal line of a microstrip line realized with at least one of the first conductor layer and the third conductor layer, but as a signal line of a coplanar line realized with a ground conductor. Can function as. Further, according to the above configuration, the distance between the second conductor layer and the first conductor layer and the distance between the second conductor layer and the third conductor layer can be set wide, so that the post-wall waveguide can be used. The transmission characteristics can be improved.
本発明の第7の態様に係る構造体は、上述した第1の態様〜第6の態様の何れかにおいて、前記ストリップ導体と前記コプレーナ線路のグランド導体との間の一対の空隙の一方は、前記コプレーナ線路の終端点において前記コプレーナ線路の延伸方向に直交する第1方向に折れ曲がっており、前記一対の空隙の他方は、前記終端点において前記第1方向の反対方向である第2方向に折れ曲がっている、という構成を採用している。 In the structure according to the seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects described above, one of the pair of voids between the strip conductor and the ground conductor of the coplanar line is At the end point of the coplanar line, it is bent in the first direction orthogonal to the extending direction of the coplanar line, and the other of the pair of voids is bent in the second direction opposite to the first direction at the end point. The configuration is adopted.
上記の構成によれば、前記コプレーナ線路を導波される導波モードから前記ポスト壁導波路を導波される導波モードへの変換効率を向上させることができる。 According to the above configuration, it is possible to improve the conversion efficiency from the waveguide mode in which the coplanar line is waveguideed to the waveguide mode in which the post-wall waveguide is guided.
本発明の第8の態様に係る構造体は、上述した第7の態様において、前記一対の空隙の一方のうち、折れ曲がった箇所から前記第1方向に延伸する部分の長さは、前記一対の空隙の他方のうち、折れ曲がった箇所から前記第2方向に延伸する部分の長さに等しい、という構成を採用している。 In the structure according to the eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect described above, the length of the portion extending in the first direction from the bent portion of one of the pair of voids is the pair. A configuration is adopted in which the length of the other side of the void is equal to the length of the portion extending in the second direction from the bent portion.
上記の構成によれば、前記コプレーナ線路を導波される導波モードから前記ポスト壁導波路を導波される導波モードへの変換効率を更に向上させることができる。 According to the above configuration, it is possible to further improve the conversion efficiency from the waveguide mode in which the coplanar line is waveguideed to the waveguide mode in which the post-wall waveguide is guided.
本発明の第8の態様に係る構造体は、上述した第7の態様又は第8の態様において、前記一対の空隙の一方の先端近傍は、前記第1方向から前記延伸方向に沿う方向に折れ曲がっており、前記一対の空隙の他方の先端近傍は、前記第2方向から前記延伸方向に沿う方向に折れ曲がっている、構成を採用している。 In the structure according to the eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect or the eighth aspect described above, the vicinity of one tip of the pair of voids is bent from the first direction to the direction along the extending direction. The vicinity of the other tip of the pair of voids is bent in a direction along the stretching direction from the second direction.
上記の構成によれば、前記一対の空隙における、一方の空隙の先端近傍の長さ及び他方の空隙の先端近傍の長さを設計変更することにより、コプレーナ線路と、ポスト壁導波路との結合量を変化させることができる。 According to the above configuration, the coplanar line and the post-wall waveguide can be coupled by changing the design of the length near the tip of one gap and the length near the tip of the other gap in the pair of gaps. The amount can be varied.
本発明の一態様によれば、その目的は、ポスト壁導波路とコプレーナ線路とを電磁気的に結合する構造体において、外部からコプレーナ線路に侵入し得るノイズの影響を、従来よりも受けにくくすることができる。 According to one aspect of the present invention, an object of the present invention is to make a structure that electromagnetically couples a post-wall waveguide and a coplanar line less susceptible to noise that may enter the coplanar line from the outside. be able to.
〔第1の実施形態〕
本発明の第1の実施形態に係る構造体1について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、構造体1の分解斜視図である。図2は、構造体1の平面図であって、コプレーナ線路130の終端点Ptの近傍を拡大した平面図である。図3は、構造体1の断面図であって、図2に示したA−A’線に沿った断面における断面図である。
[First Embodiment]
The
〔構造体1の構成〕
図1に示すように、構造体1は、第1導体層11と、第1誘電体層12と、第2導体層13と、第2誘電体層14と、第3導体層15と、第1ポスト壁121と、第2ポスト壁141とを備えている。なお、第1ポスト壁121及び第2ポスト壁141の各々は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の第2ポスト壁及び第1ポスト壁の一態様である。特許請求の範囲においては、定義される順番に応じて、第2誘電体層に形成されたポスト壁を第1ポスト壁と称し、第1誘電体層に形成されたポスト壁を第2ポスト壁と称している。
[Structure of structure 1]
As shown in FIG. 1, the
構造体1において、第1導体層11、第1誘電体層12、第2導体層13、第2誘電体層14、及び第3導体層15の各々は、この順に積層されている。
In the
第1導体層11、第2導体層13、及び第3導体層15の各々を構成する導体は、限定されないが、銅や、アルミニウムや、アルミニウム合金など、導電率が高い金属であることが好ましい。本実施形態において、第1導体層11、第2導体層13、及び第3導体層15は、銅製である。また、第1導体層11、第2導体層13、及び第3導体層15の厚さは、限定されず、適宜定めることができる。
The conductor constituting each of the
第1誘電体層12及び第2誘電体層14の各々を構成する誘電体は、限定されないが、石英ガラスや、液晶ポリマーなど、高周波損失が小さい誘電体であることが好ましい。本実施形態において、第1誘電体層12及び第2誘電体層14は、石英ガラス製である。また、第1誘電体層12及び第2誘電体層14の厚さは、限定されず、適宜定めることができる。
The dielectric constituting each of the
<終端領域120>
図1及び図2に示すように、第1ポスト壁121は、第1誘電体層12の内部に形成された複数本の導体ポストからなる導体ポスト群である。第1ポスト壁121は、終端ポスト壁1211と、第1の補助ポスト壁1212と、第2の補助ポスト壁1213とにより構成されている。
<
As shown in FIGS. 1 and 2, the
第1ポスト壁121の終端ポスト壁1211、第1の補助ポスト壁1212、及び第2の補助ポスト壁1213を構成する各導体ポストは、第1誘電体層12を平面視した場合に予め定められた形状になるように、柵状に配置されている。本実施形態において、この予め定められた形状は、アルファベットのT字形状を縁取りした形状である。なお、アルファベットのT字は、第1の線分及び第2の線分からなり、第1の線分の中央部に第2の線分の一方の端部が接続されている形状である。
Each conductor post constituting the
第1ポスト壁121の各導体ポストは、第1誘電体層12の一方の主面から他方の主面に貫通する。したがって、第1導体層11と第2導体層13とは、第1ポスト壁121により短絡されている。
Each conductor post of the
本実施形態において、第1ポスト壁121の各導体ポストは、第1誘電体層12の予め定められた位置に複数個の貫通孔を形成したうえで、その貫通孔の各々の内壁に導体膜を形成することによって得られる(図3参照)。ただし、第1ポスト壁121の各導体ポストは、このように形成された導体膜に限定されず、貫通孔の各々の内部に充填された導体により構成されていてもよい。
In the present embodiment, each conductor post of the
互いに隣接する第1ポスト壁121の導体ポスト同士の間隔は、予め定められた帯域(例えば62.5GHz近傍を中心周波数とする62.5GHz帯)に含まれる周波数を有する導波モードに対して、第1ポスト壁121が仮想的な導体壁として機能する範囲内において、適宜定めることができる。また、第1ポスト壁121の各導体ポストの直径は、適宜定めることができる。
The distance between the conductor posts of the
第1ポスト壁121は、仮想的な導体壁として機能する。第1ポスト壁121のうち終端ポスト壁1211及び第2の補助ポスト壁1213は、第1導体層11及び第2導体層13と共に、平面視した場合に、コプレーナ線路130の終端点Pt近傍を取り囲む終端領域120を構成する。
The
第1ポスト壁121により実現される狭壁のうち終端ポスト壁1211は、第1誘電体層12を平面視した場合に直線状に配置されている。終端ポスト壁1211は、後述するコプレーナ線路130のストリップ導体131の延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路130の終端点Ptよりも奥に位置する狭壁である。換言すれば、終端ポスト壁1211は、T字形状の第1線分と平行に、且つ、該第1線分の第1の補助ポスト壁1212と反対側に配置されている。
Of the narrow walls realized by the
第1ポスト壁121により実現される狭壁のうち第1の補助ポスト壁1212は、第1誘電体層12を平面視した場合に、直線状に配置された2つのポスト壁により構成されている。第1の補助ポスト壁1212の2つのポスト壁の各々は、第1誘電体層12を平面視した場合に、互いに平行に、且つ、後述するコプレーナ線路130のストリップ導体131を挟み込むように配置されている。換言すれば、第1の補助ポスト壁1212の2つのポスト壁の各々は、T字形状の第2線分と平行に、且つ、該第2線分の両側に配置されている。
Of the narrow walls realized by the
第1ポスト壁121により実現される狭壁のうち第2の補助ポスト壁1213は、第1誘電体層12を平面視した場合に、直線状に配置された2つのポスト壁により構成されている。第2の補助ポスト壁1213の2つのポスト壁の各々は、第1誘電体層12を平面視した場合に、終端ポスト壁1211と平行な直線状且つ第1の補助ポスト壁1212を挟み込むように配置されている。第2の補助ポスト壁1213の2つのポスト壁の各々は、後述するコプレーナ線路130のストリップ導体131の延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路130の終端点Ptよりも手前に位置する狭壁である。換言すれば、終端ポスト壁1211は、T字形状の第1線分と平行に、且つ、該第1線分の第1の補助ポスト壁1212側に配置されている。
Of the narrow walls realized by the
なお、図2に示したA−A’線は、第2の補助ポスト壁1213を構成する各導体ポストの中心を通る直線である。なお、本発明の一態様において、第2の補助ポスト壁1213は、省略されていてもよい。
The AA'line shown in FIG. 2 is a straight line passing through the center of each conductor post constituting the second
<ポスト壁導波路140>
第2ポスト壁141は、第2誘電体層14の内部に形成された複数本の導体ポストからなる導体ポスト群である。第2ポスト壁141の各導体ポストは、第2誘電体層14を平面視した場合に予め定められた形状になるように、柵状に配置されている。本実施形態において、この予め定められた形状は、長方形状をベースにし、後述するコプレーナ線路130のストリップ導体131に対応する部分を突出させた形状である。第2ポスト壁141の各導体ポストは、第2誘電体層14の一方の主面から他方の主面に貫通する。したがって、第2導体層13と第3導体層15とは、第2ポスト壁141により短絡されている。
<
The
本実施形態において、第2ポスト壁141の各導体ポストは、第1ポスト壁121の各導体ポストと同様に、第2誘電体層14の予め定められた位置に複数個の貫通孔を形成したうえで、その貫通孔の各々の内壁に導体膜を形成することによって得られる。ただし、第2ポスト壁141の各導体ポストは、このように形成された導体膜に限定されず、貫通孔の各々の内部に充填された導体により構成されていてもよい。
In the present embodiment, each conductor post of the
第2ポスト壁141は、仮想的な導体壁として機能し、第2導体層13及び第3導体層15と共にポスト壁導波路140を構成する。すなわち、第2ポスト壁141は、ポスト壁導波路140の狭壁及び後述する結合窓を形成するための隔壁を構成する。第2ポスト壁141により実現される狭壁のうち、ベースの長方形状の短辺に対応する部分の仮想的な導体壁をショート壁と称する。第2導体層13及び第3導体層15は、ポスト壁導波路140の一対の広壁を構成する。また、第2導体層13は、終端領域120及びポスト壁導波路140に共通する広壁である。
The
ポスト壁導波路140の導波領域は、第3導体層15を平面視した場合に、第2ポスト壁141により取り囲まれた領域である。
The waveguide region of the
ポスト壁導波路140は、M個の共振器からなる共振器群を含み、隣接する共振器同士は、結合窓を介して電磁気的に結合している。Mは、2以上の整数であれば限定されないが、本実施形態では、M=5である。図1には、5個の共振器1401〜1405のうち、1段目の共振器である共振器1401及び2段目の共振器である共振器1402のみを示しており、3段目〜5段目の共振器1403〜1405は、図示を省略している。このように構成されたポスト壁導波路140は、単層構造を有するバンドパスフィルタであって、共振器結合型のバンドパスフィルタとして機能する。したがって、構造体1は、第2の実施形態において後述する構造体2と比較して、積層方向における長さ(すなわち構造体1の厚さ)を薄くしたい場合に好適である。
The
なお、本実施形態においては、ポスト壁導波路140の通過帯域は、62.5GHz近傍を中心周波数とする62.5GHz帯である。
In the present embodiment, the pass band of the
<コプレーナ線路130>
図1に示すように、第2導体層13には、一対の空隙である空隙134及び空隙135が形成されている。空隙134及び空隙135の各々は、第2導体層13の一方の主面から他方の主面に至る溝とも言える。
<
As shown in FIG. 1, the
第2導体層13に空隙134,135が形成されていることによって、第2導体層13の一部は、3つの領域に分断される。以下において、第2導体層13のうち、空隙134と空隙135とに挟まれた領域をストリップ導体131と称し、ストリップ導体131を挟み込む領域の各々を、それぞれ、グランド導体132及びグランド導体133と称する。
Since the
このように構成されたストリップ導体131、グランド導体132、及びグランド導体133は、コプレーナ線路130を構成する。コプレーナ線路130は、終端領域120とポスト壁導波路140とに挟まれた領域に形成されている。
The
なお、コプレーナ線路130は、ポスト壁導波路140の一方の端部である共振器1401に設けられた一方の入出力ポートとして機能する。なお、図1には図示していないものの、ポスト壁導波路140の他方の端部である共振器1405には、コプレーナ線路130と同一の構成を有するコプレーナ線路が設けられている。このコプレーナ線路は、ポスト壁導波路140の他方の入出力ポートとして機能する。
The
<構造体1の効果>
構造体1において、コプレーナ線路130は、第2導体層13を平面視した場合に、ストリップ導体131が第1導体層11及び第3導体層15により覆われている。
<Effect of
In the
この構成によれば、ストリップ導体131は、第1導体層11及び第3導体層15により、構造体1の外部から遮蔽されている。したがって、構造体1は、従来よりもノイズの影響を受けにくい。
According to this configuration, the
また、図2に示すように、コプレーナ線路130は、第3導体層15を平面視した場合に、ポスト壁導波路140の各々のショート壁を横切るように延伸されている。以下において、ストリップ導体131が延伸されている方向を延伸方向と称する(図2参照)。したがって、コプレーナ線路130の終端点Ptは、平面視において、ポスト壁導波路140の導波領域の内部に位置する。すなわち、コプレーナ線路130は、終端領域120とポスト壁導波路140とに挟まれた領域において終端されている。
Further, as shown in FIG. 2, the
この構成によれば、コプレーナ線路130により伝送された電磁波を、ポスト壁導波路140に入力することができる。或いは、ポスト壁導波路140を伝送された電磁波を、コプレーナ線路130に入力することができる。
According to this configuration, the electromagnetic wave transmitted by the
なお、構造体1が第1導体層11及び第3導体層15を備えているため、ストリップ導体131の近傍には、第2導体層13を用いて形成されたグランド導体132,133に加えて第1導体層11及び第3導体層15が設けられていることになる。そのため、コプレーナ線路130を伝送してきた高周波は、ストリップ導体131と第3導体層15との間、及び、ストリップ導体と第1導体層との間にも電界を形成するため、コプレーナ線路130の後段において、ポスト壁導波路140の導波領域に結合するとともに、第1誘電体層12の内部に形成された終端領域120にも漏洩する。
Since the
上述したように、終端領域120の狭壁を構成する第1ポスト壁121の終端ポスト壁1211は、ストリップ導体131の延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路130の終端点Ptよりも奥に位置する終端ポスト壁である。したがって、構造体1は、コプレーナ線路130を伝送してきた高周波が第1誘電体層22に漏洩することを抑制することができる。
As described above, the
図1に示すように、空隙134及び空隙135の各々の幅(延伸方向に直交する方向の長さ)は、何れも、第1誘電体層12及び第2誘電体層14の各々の厚さを有意に下回る。したがって、ストリップ導体131と、グランド導体132,133の各々との間に生じる静電容量は、ストリップ導体131と、第1導体層11との間に生じる静電容量、及び、ストリップ導体131と、第3導体層15との間に生じる静電容量よりも大きい。
As shown in FIG. 1, the widths of the
この構成によれば、ストリップ導体131を、第1導体層11及び第3導体層15の少なくとも何れか一方と共に実現されるマイクロストリップ線路の信号線としてではなく、グランド導体132,133と共に実現されるコプレーナ線路の信号線として機能させることができる。また、この構成によれば、第2導体層13と第3導体層15との間隔(すなわち第2誘電体層14の厚さ)を広く設定することができるので、ポスト壁導波路140の伝送特性を向上させることができる。
According to this configuration, the
空隙134は、終端点Ptにおいて、延伸方向に直交する第1方向に折れ曲がっている。空隙135は、終端点Ptにおいて、延伸方向に直交する第2方向であって、第1方向の反対方向である第2方向に折れ曲がっている。
The
この構成によれば、コプレーナ線路130を導波される導波モードからポスト壁導波路140を導波される導波モードへの変換効率を向上させることができる。
According to this configuration, it is possible to improve the conversion efficiency from the waveguide mode in which the
そのうえで、空隙134のうち折れ曲がった箇所である終端点Ptから第1方向に延伸する部分の長さL1は、空隙135のうち折れ曲がった箇所である終端点Ptから第2方向に延伸する部分の長さL2に等しい。すなわち、空隙134及び135の各々は、延伸方向と平行且つ各々の中間を通る直線を対称軸として、線対称となるように形成されている。
In addition, the length L1 of the portion of the
この構成によれば、コプレーナ線路130を導波される導波モードからポスト壁導波路140を導波される導波モードへの変換効率を更に向上させることができる。
According to this configuration, the conversion efficiency from the waveguide mode in which the
また、空隙134の先端近傍は、第1方向から延伸方向に沿う方向に折れ曲がっており、空隙135の先端近傍は、第2方向から延伸方向に沿う方向に折れ曲がっている。
Further, the vicinity of the tip of the
上記の構成によれば、空隙134の先端近傍の長さL3及び空隙135の先端近傍の長さL4を設計変更することにより、コプレーナ線路130と、ポスト壁導波路140との結合量を変化させることができる。なお、本実施形態において、長さL3と長さL4とは、等しい。しかし、本発明の一態様において、長さL3と長さL4とは、異なっていてもよい。
According to the above configuration, the coupling amount between the
〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係る構造体2について、図4〜図6を参照して説明する。図4は、構造体2の一部である入出力部2aを示す分解斜視図である。図5は、構造体2の残りの一部であるフィルタ部2bを示す分解斜視図である。図6は、図4及び図5に示した構造体2における反射特性及び透過特性を示すグラフである。
[Second Embodiment]
The
〔構造体2の構成〕
本実施形態では、図4及び図5に示すように、構造体2を入出力部2aと、フィルタ部2bとに分割して図示するとともに説明する。しかし、実際の構造体2において、入出力部2aと、フィルタ部2bとは、積層された状態で接合されている。なお、図4及び図5の各々に示された第3導体層25は、単一の部材であり、説明の便宜上、図4及び図5に図示しているにすぎない。
[Structure of structure 2]
In the present embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the
図4及び図5に示すように、構造体2は、第1導体層21と、第1誘電体層22と、第2導体層23と、第2誘電体層24と、第3導体層25と、第3誘電体層26と、第4導体層27と、第4誘電体層28と、第5導体層29と、第1ポスト壁221a,221bと、第2ポスト壁241a,241bと、第3ポスト壁261a,261bと、第4ポスト壁281と、を備えている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
図1に示した構造体1において、ポスト壁導波路140は、第2誘電体層に形成され、且つ、電磁気的に結合された5個の共振器1401〜1405により構成された共振器群を含んでいる。この共振器群は、バンドパスフィルタとして機能する。すなわち、構造体1のポスト壁導波路140は、単層構造のバンドパスフィルタとして機能する。
In the
一方、構造体2において、コプレーナ線路230a,230bに直接又は間接的に結合されたポスト壁導波路は、第2誘電体層24、第3誘電体層26、及び第4誘電体層28に形成され、且つ、電磁気的に結合された5個の共振器240a,260a,280,260b、240bにより構成された共振器群を含んでいる。この共振器群は、バンドパスフィルタとして機能する。すなわち、構造体2のポスト壁導波路は、多層構造のバンドパスフィルタとして機能する。本実施形態では、これらの構成について説明する。
On the other hand, in the
なお、構造体2のポスト壁導波路の通過帯域は、62.5GHz近傍を中心周波数とする62.5GHz帯である。
The pass band of the post-wall waveguide of the
また、構造体2において、コプレーナ線路230a,230bの各々は、配置されている向きが180°反転していることを除いて同一の構成を採用しており、終端領域220a,220bの各々は、配置されている向きが180°反転していることを除いて同一の構成を採用しており、共振器240a,240bの各々は、配置されている向きが180°反転していることを除いて同一の構成を採用している。これらの構成については、符号の末尾に「a」及び「b」を付すことによって区別しているものの、以下では、まとめて説明する。
Further, in the
<終端領域220a,220b>
終端領域220a,220bの各々は、第1誘電体層22の内部に形成され、構造体1の終端領域120と同一の構成を採用している。
<
Each of the
すなわち、終端領域220aの狭壁として機能する第1ポスト壁221aは、第1ポスト壁121と同一に構成されており、終端ポスト壁2211と、第1の補助ポスト壁2212と、第2の補助ポスト壁2213とにより構成されている。また、第1ポスト壁221aの終端ポスト壁2211、第1の補助ポスト壁2212、及び第2の補助ポスト壁2213を構成する各導体ポストは、アルファベットのT字形状を縁取りした形状に、柵状に配置されている。
That is, the
終端ポスト壁2211は、後述するコプレーナ線路230aのストリップ導体231aの延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路230aの終端点よりも奥に位置する狭壁である。
The
第1の補助ポスト壁2212は、第1誘電体層22を平面視した場合に、直線状に配置された2つのポスト壁により構成されている。第1の補助ポスト壁2212の2つのポスト壁の各々は、第1誘電体層22を平面視した場合に、互いに平行に、且つ、後述するコプレーナ線路230aのストリップ導体231aを挟み込むように配置されている。
The first
第2の補助ポスト壁2213は、第1誘電体層12を平面視した場合に、直線状に配置された2つのポスト壁により構成されている。第2の補助ポスト壁1213の2つのポスト壁の各々は、後述するコプレーナ線路130のストリップ導体131の延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路130の終端点Ptよりも手前に位置する狭壁である。
The second
また、終端領域220bの狭壁として機能する第1ポスト壁221bは、第1ポスト壁121を180°回転された状態で配置されている。換言すれば、第1ポスト壁221bは、第1ポスト壁221aを180°回転された状態で配置されている。したがって、ストリップ導体231aの延伸方向と、ストリップ導体231bの延伸方向とは、平行であるものの、互いに反対方向を向いている。したがって、本実施形態では、終端領域220bの詳しい説明を省略する。
Further, the
<共振器240a,240b>
第2ポスト壁241a,241bの各々は、第2誘電体層24の内部に形成され、構造体1の第2ポスト壁141と同様に、複数本の導体ポストからなる導体ポスト群である。第2ポスト壁241a,241bの各々の各導体ポストは、第2誘電体層24を平面視した場合に予め定められた形状になるように、柵状に配置されている。本実施形態において、この予め定められた形状は、長方形状をベースにし、後述するコプレーナ線路230a,230bのストリップ導体231a,231bに対応する部分を突出させた形状である。なお、第2ポスト壁241aと第2ポスト壁241bとでは、後述する共振器240a,240bの境界となる部分のポスト壁を共有している。
<
Each of the
第2ポスト壁241a,241bの各々は、それぞれ、第2ポスト壁141と同様に、仮想的な導体壁として機能し、第2導体層23及び第3導体層25と共に共振器240a,240bを構成する。
Each of the
共振器240a,240bの各々は、上述した第2ポスト壁241a,241bの共有部分により隔てられているため、直接的には、電磁気的に結合していない。なお、後述するコプレーナ線路230aを入力ポートとした場合、共振器240a,240bの各々は、バンドパスフィルタとして機能する5段の共振器のうちの最初段の共振器及び最後段の共振器である。
Since each of the
<共振器260a,260b>
第3ポスト壁261a,261bの各々は、第3誘電体層26の内部に形成され、構造体1の第2ポスト壁141と同様に、複数本の導体ポストからなる導体ポスト群である。第3ポスト壁261a,261bの各々の各導体ポストは、第3誘電体層26を平面視した場合に予め定められた形状になるように、柵状に配置されている。本実施形態において、この予め定められた形状は、長方形状である。なお、第3ポスト壁261aと第3ポスト壁261bとでは、後述する共振器260a,260bの境界となる部分のポスト壁を共有している。
<
Each of the
第3ポスト壁261a,261bの各々は、それぞれ、第2ポスト壁141と同様に、仮想的な導体壁として機能し、第3導体層25及び第4導体層27と共に共振器260a,260bを構成する。
Each of the
第3ポスト壁261a,261bの各々は、第3誘電体層26を平面視した場合に、共振器260a,260bの各々の少なくとも一部が、共振器240a,240bの少なくとも一部に重なり合うように、配置されている。
Each of the
共振器260a,260bの各々は、上述した第3ポスト壁261a,261bの共有部分により隔てられているため、直接的には、電磁気的に結合していない。なお、後述するコプレーナ線路230aを入力ポートとした場合、共振器260a,260bの各々は、バンドパスフィルタとして機能する5段の共振器のうちの2段目の共振器及び4段目の共振器である。
Since each of the
<共振器280>
第4ポスト壁281は、第4誘電体層28の内部に形成され、構造体1の第2ポスト壁141と同様に、複数本の導体ポストからなる導体ポスト群である。第4ポスト壁281の各導体ポストは、第4誘電体層28を平面視した場合に予め定められた形状になるように、柵状に配置されている。本実施形態において、この予め定められた形状は、長方形状である。
<
The
第4ポスト壁281は、第2ポスト壁141と同様に、仮想的な導体壁として機能し、第4導体層27及び第5導体層29と共に共振器280を構成する。
The
第4ポスト壁281は、第4誘電体層28を平面視した場合に、共振器280の少なくとも一部が、共振器260aの少なくとも一部に重なり合うように、且つ、共振器280の少なくとも一部が、共振器260bの少なくとも一部に重なり合うように、配置されている。
The
後述するコプレーナ線路230aを入力ポートとした場合、共振器280は、バンドパスフィルタとして機能する5段の共振器のうちの3段目の共振器である。
When the
<第3導体層25及び第4導体層27>
第3導体層25のうち、積層方向において隣接する共振器240aと共振器260aとが平面視において重なり合っている領域には、開口251aが形成されている。同様に、第3導体層25のうち、積層方向において隣接する共振器240bと共振器260bとが平面視において重なり合っている領域には、開口251bが形成されている。
<
An opening 251a is formed in a region of the
第4導体層27のうち、積層方向において隣接する共振器260aと共振器280とが平面視において重なり合っている領域には、開口271aが形成されている。同様に、第4導体層27のうち、積層方向において隣接する共振器260bと共振器280とが平面視において重なり合っている領域には、開口271bが形成されている。
An
このように、第3導体層25に開口251a,251bが形成されており、第4導体層27に開口271a,271bが形成されていることによって、共振器240aと共振器260aとは、開口251aを介して電磁気的に結合し、共振器260aと共振器280とは、開口271aを介して電磁気的に結合し、共振器280と共振器260bとは、開口271bを介して電磁気的に結合し、共振器260bと共振器240bとは、開口251bを介して電磁気的に結合している。したがって、第2誘電体層24、第3誘電体層26、及び第4誘電体層28の内部に形成されたポスト壁導波路は、多層構造(本実施形態では3層構造)の共振器結合型のバンドパスフィルタとして機能する。
As described above, the
<コプレーナ線路230a,230b>
コプレーナ線路230a,230bの各々は、構造体1のコプレーナ線路130と同一の構成を採用している。すなわち、第2導体層23には、一対の空隙である空隙234a,235aと、空隙234b,235bとが形成されている。
<
Each of the
第2導体層23に空隙234a,235aが形成されていることによって、第2導体層23の一部は、ストリップ導体231aと、ストリップ導体231aを挟み込むグランド導体232a,233aに分断される。また、第2導体層23に空隙234b,235bが形成されることによって、第2導体層23の一部は、ストリップ導体231bと、ストリップ導体231bを挟み込むグランド導体232b,233bに分断される。
By forming the
ストリップ導体231a、グランド導体232a、及びグランド導体233aは、コプレーナ線路230aを構成し、ストリップ導体231b、グランド導体232b、及びグランド導体233bは、コプレーナ線路230bを構成する。コプレーナ線路230a,230bの各々は、それぞれ、終端領域220a,220bと共振器240a,240bとに挟まれた領域に形成されている。
The
なお、コプレーナ線路230a,230bの各々は、それぞれ、構造体2のポスト壁導波路の一方の入出力ポート及び他方の入出力ポートとして機能する。
Each of the
また、構造体2において、コプレーナ線路230a,230b(すなわち一方の入出力ポート及び他方の入出力ポート)の各々は、何れも、第2導体層23に形成されている。しかし、本発明の一態様において、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートは、異なる導体層に形成されていてもよい。
Further, in the
<構造体2の効果>
構造体2において、コプレーナ線路230a,230bは、第2導体層23を平面視した場合に、ストリップ導体231a,231bが第1導体層21及び第3導体層25により覆われて(換言すれば重なり合って)いる。
<Effect of
In the
この構成によれば、ストリップ導体231a,231bは、第1導体層21及び第3導体層25により、構造体2の外部から遮蔽されている。したがって、構造体2は、従来よりもノイズの影響を受けにくい。
According to this configuration, the
なお、構造体2が第1導体層21及び第3導体層25を備えているため、ストリップ導体231a,231bの近傍には、第2導体層23を用いて形成されたグランド導体232a,233a,232b,233bに加えて第1導体層21及び第3導体層25が設けられていることになる。そのため、コプレーナ線路230a,230bを伝送してきた高周波は、ストリップ導体231a,231bと第3導体層25との間、及び、ストリップ導体231a,231bと第1導体層21との間にも電界を形成するため、コプレーナ線路230a,230bの後段において、共振器240a,240bの共振領域に結合するとともに、第1導体層21の内部に形成された終端領域220a,220bの共振領域にも漏洩する。
Since the
上述したように、終端領域220a,220bの狭壁を構成する第1ポスト壁221a,221bは、コプレーナ線路230a,230bのストリップ導体231a,231bの延伸方向に直交し、且つ、該延伸方向に沿ってみた場合に、コプレーナ線路230a,230bの終端点Ptよりも奥に位置する終端ポスト壁を含んでいる。したがって、構造体2は、コプレーナ線路230a,230bを伝送してきた高周波が第1誘電体層22に漏洩することを抑制することができる。
As described above, the
図4に示した空隙234a,235a、及び、空隙234b,235bの各々は、それぞれ、図1に示した空隙134,135と同様に構成されている。したがって、構造体2のコプレーナ線路230a,230bの各々は、何れも、構造体1のコプレーナ線路130と同様の効果を奏する。
The
上述したように、構造体2は、第3誘電体層26、第4導体層27、第4誘電体層28、及び第5導体層29と、第3誘電体層26に形成された第3ポスト壁261a,261bであって、共振器260a,260bを第3導体層25及び第4導体層27と共に構成する第3ポスト壁261a,261bと、第4誘電体層28に形成された第4ポスト壁281であって、共振器280を第4導体層27及び第5導体層29と共に構成する第4ポスト壁281と、を更に備えている。なお、本実施形態において、n=4である。
As described above, the
構造体2において、第2ポスト壁241a,241bは、自身が形成するポスト壁導波路が、共振器240a,240bを含むように配置されており、上記第2誘電体層〜上記第4誘電体層に設けられた複数の共振器240a,260a,280,260b,240bのうち積層方向において隣接する共振器同士は、平面視において重なり合っている。すなわち、(1)共振器240aと共振器260aとは、平面視において重なり合っており、(2)共振器260aと共振器280とは、平面視において重なり合っており、(3)共振器280と共振器260bとは、平面視において重なり合っており、(4)共振器260bと共振器240bとは、平面視において重なり合っている。
In the
この構成によれば、積層方向において隣接する共振器同士(上述した(1)〜(4)の共振器同士)を容易に電磁気的に結合させることができる。したがって、構造体2は、共振器結合型のバンドパスフィルタとして機能する。そのうえで、構造体2は、複数の共振器の各々を単一の層内に配置した構造体1と比較して、平面視した場合における最大長を短くすることができる。
According to this configuration, the resonators adjacent to each other in the stacking direction (the resonators (1) to (4) described above) can be easily and electromagnetically coupled to each other. Therefore, the
構造体2において、第2導体層23〜第4導体層27の各々うち、積層方向において隣接する共振器同士が平面視において重なり合っている領域には、開口251a,271a,271b,251bが形成されている。具体的には、(5)共振器240aと共振器260aとが平面視において重なり合っている領域には、第3導体層25に開口251aが形成されており、(6)共振器260aと共振器280とが平面視において重なり合っている領域には、第4導体層27に開口271aが形成されており、(7)共振器280と共振器260bとが平面視において重なり合っている領域には、第4導体層27に開口271bが形成されており、(8)共振器260bと共振器240bとが平面視において重なり合っている領域には、第3導体層25に開口251bが形成されている。
In the
この構成によれば、積層方向に沿って隣接している共振器同士(上述した(1)〜(4)の共振器同士)を、上述した(5)〜(8)に記載の開口を介して、容易且つ確実に、電磁気的に結合させることができる。 According to this configuration, the resonators adjacent to each other along the stacking direction (the resonators (1) to (4) described above) are connected to each other through the openings described in (5) to (8) described above. Therefore, it can be easily and surely coupled electromagnetically.
なお、構造体2のコプレーナ線路230a,230bの各々は、構造体1のコプレーナ線路130と同一の構成を採用している。したがって、コプレーナ線路230a,230bの各々は、第1の実施形態に記載したコプレーナ線路130と同じ効果を奏する。そのため、本実施形態では、コプレーナ線路230a,230bの効果について記載を省略する。
Each of the
〔反射特性及び透過特性〕
図4及び図5に示した構造体2の反射特性及び透過特性について、図6を参照して説明する。図6は、構造体2における反射特性及び透過特性のシミュレーション結果を示すグラフである。なお、構造体2において、コプレーナ線路230aのストリップ導体231aの端部を第1ポートと定め、コプレーナ線路230bのストリップ導体231bの端部を第2ポートと定めた。このようなポート配置において、SパラメータS11の周波数依存性のことを反射特性と称し、SパラメータS21の周波数依存性のことを透過特性と称する。なお、構造体2のポスト壁導波路の通過帯域は、62.5GHz帯である。
[Reflection and transmission characteristics]
The reflection characteristics and transmission characteristics of the
図6を参照すれば、62.5GHz帯において、S11が−10dB以下であり、S21が2dB程度であるため、構造体2がバンドパスフィルタとして良好に機能していることが分かった。
With reference to FIG. 6, in the 62.5 GHz band, S11 is -10 dB or less and S21 is about 2 dB, so that it was found that the
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
[Additional notes]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
1,2 構造体
11,21 第1導体層
12,22 第1誘電体層
120,220a,220b 終端領域
121,221a,221b 第1ポスト壁(特許請求の範囲に記載の第2ポスト壁の一態様)
1211,2211 終端ポスト壁
13,23 第2導体層
130,230a,230b コプレーナ線路
131,231a,231b ストリップ導体
132,133,232a,233a,232b,233b グランド導体
134,135,234a,235a,234b,235b 空隙(一対の空隙)
14,24 第2誘電体層
140 ポスト壁導波路
240a,240b 共振器
141,241a,241b 第2ポスト壁(特許請求の範囲に記載の第1ポスト壁の一態様)
1401,1402,・・・ 共振器
15,25 第3導体層
251a,251b 開口
26 第3誘電体層
261a,261b 第3ポスト壁
260a,260b 共振器
27 第4導体層
271a,271b 開口
28 第4誘電体層(特許請求の範囲に記載の第n誘電体層の一態様)
280 共振器
281 第4ポスト壁
29 第5導体層(特許請求の範囲に記載の第n+1導体層の一態様)
1,2
1211,22111
14,24
1401,1402 ...
Claims (9)
前記第2誘電体層には、ポスト壁導波路を前記第2導体層及び前記第3導体層と共に構成する第1ポスト壁が形成されており、
前記第2導体層には、平面視した場合に、前記ポスト壁導波路の導波領域内において終端するコプレーナ線路が形成されており、
前記第1導体層及び前記第3導体層は、前記コプレーナ線路のストリップ導体を平面視において覆っている、
ことを特徴とする構造体。 A structure in which at least the first conductor layer, the first dielectric layer, the second conductor layer, the second dielectric layer, and the third conductor layer are laminated in this order.
The second dielectric layer is formed with a first post wall that constitutes a post wall waveguide together with the second conductor layer and the third conductor layer.
The second conductor layer is formed with a coplanar line that terminates within the waveguide region of the post-wall waveguide when viewed in a plan view.
The first conductor layer and the third conductor layer cover the strip conductor of the coplanar line in a plan view.
A structure characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載の構造体。 The first dielectric layer is formed with a second post wall including a terminal post wall that overlaps in a plan view with a region including the terminal point of the coplanar line.
The structure according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の構造体。 The first post wall is arranged such that the post wall waveguide includes a resonator group consisting of a plurality of electromagnetically coupled resonators.
The structure according to claim 1 or 2.
上記第3誘電体層〜上記第n誘電体層の何れかである第i誘電体層(iは、3≦i≦nを満たす整数)に形成された第iポスト壁であって、共振器を第i導体層及び第i+1導体層と共に構成する第iポスト壁と、を更に備え、
前記第1ポスト壁は、前記ポスト壁導波路が、1又は複数の共振器を含むように配置されており、
上記第2誘電体層〜上記第n誘電体層に設けられた複数の共振器のうち積層方向において隣接する共振器同士は、平面視において重なり合っている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の構造体。 The third dielectric layer, the fourth conductor layer, ..., The nth conductor layer, the nth dielectric layer, and the n + 1th conductor layer,
The i-th post wall formed in the i-th dielectric layer (i is an integer satisfying 3 ≦ i ≦ n) which is any of the third dielectric layer to the n-th dielectric layer, and is a resonator. Further comprises an i-post wall, which comprises the i-th conductor layer and the i + 1-th conductor layer.
The first post wall is arranged such that the post wall waveguide contains one or more resonators.
Of the plurality of resonators provided in the second dielectric layer to the nth dielectric layer, the resonators adjacent to each other in the stacking direction overlap each other in a plan view.
The structure according to claim 1 or 2.
ことを特徴とする請求項4に記載の構造体。 An opening is formed in each of the second conductor layer to the nth conductor layer in a region where adjacent resonators in the stacking direction overlap each other in a plan view.
The structure according to claim 4.
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の構造体。 The capacitance between the strip conductor and the ground conductor of the coplanar line is the capacitance between the strip conductor and the first conductor layer, and between the strip conductor and the third conductor layer. Greater than the capacitance of
The structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the structure is characterized by the above.
ことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の構造体。 One of the pair of voids between the strip conductor and the ground conductor of the coplanar line is bent in the first direction orthogonal to the extending direction of the coplanar line at the end point of the coplanar line, and the pair of voids The other is bent in the second direction, which is the opposite direction of the first direction, at the end point.
The structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the structure is characterized by the above.
ことを特徴とする請求項7に記載の構造体。 The length of the portion of one of the pair of voids extending in the first direction from the bent portion is the length of the portion of the other of the pair of voids extending in the second direction from the bent portion. be equivalent to,
The structure according to claim 7.
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の構造体。 The vicinity of one tip of the pair of voids is bent from the first direction in the direction along the stretching direction, and the vicinity of the other tip of the pair of voids is in the direction from the second direction along the stretching direction. Bent,
The structure according to claim 7 or 8.
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