JP2021057189A - Conductive particle, conductive material and connection structure - Google Patents
Conductive particle, conductive material and connection structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021057189A JP2021057189A JP2019179256A JP2019179256A JP2021057189A JP 2021057189 A JP2021057189 A JP 2021057189A JP 2019179256 A JP2019179256 A JP 2019179256A JP 2019179256 A JP2019179256 A JP 2019179256A JP 2021057189 A JP2021057189 A JP 2021057189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- organic silicon
- particles
- group
- conductive particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 668
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 39
- 125000005371 silicon functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 125
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 25
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 25
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims description 16
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 90
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 75
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 61
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 45
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 41
- -1 3-chloropropyl group Chemical group 0.000 description 37
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 27
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 20
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 7
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 4
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000002521 alkyl halide group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 3
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 2
- VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N ammonium formate Chemical compound [NH4+].[O-]C=O VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1CCCCC1 MEWFSXFFGFDHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N hexyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCOP(O)(O)=O PHNWGDTYCJFUGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)C XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYSIAYNEXMRMET-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)methyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CC1=CC=C(Br)C=C1 UYSIAYNEXMRMET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCERCQQPFQFWSM-UHFFFAOYSA-N (4-chlorophenyl)methyl-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=C(Cl)C=C1 RCERCQQPFQFWSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDXCKOANSQIPGX-UHFFFAOYSA-N (acetyloxy-ethenyl-methylsilyl) acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C=C)OC(C)=O IDXCKOANSQIPGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGOUNPXIJSDIKV-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCC(CO)(CO)COC(=O)C(C)=C HGOUNPXIJSDIKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAGGOPQICSSNHR-UHFFFAOYSA-N 2,2-diphenylethoxy(ethyl)silane Chemical compound C(C)[SiH2]OCC(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 DAGGOPQICSSNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZNKGBPQWTSFN-UHFFFAOYSA-N 2,2-diphenylethoxy(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]OCC(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 RMZNKGBPQWTSFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXNDIJDIPNCZQJ-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpent-1-ene Chemical group CC(=C)CC(C)(C)C FXNDIJDIPNCZQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBEMUBNJBBFCGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC(C)C)(OCCC)OCCC RBEMUBNJBBFCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- FPEANFVVZUKNFU-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylbenzotriazole Chemical compound C1=CC=CC2=NN(S)N=C21 FPEANFVVZUKNFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNWJPOVPFGCGLE-UHFFFAOYSA-N 4,4-diethoxybut-1-enylsilane Chemical compound C(C)OC(CC=C[SiH3])OCC YNWJPOVPFGCGLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZZPECHJKDVTOI-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethoxybut-1-enylsilane Chemical compound COC(CC=C[SiH3])OC MZZPECHJKDVTOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006281 4-bromobenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1Br)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006283 4-chlorobenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1Cl)C([H])([H])* 0.000 description 1
- FEIQOMCWGDNMHM-UHFFFAOYSA-N 5-phenylpenta-2,4-dienoic acid Chemical compound OC(=O)C=CC=CC1=CC=CC=C1 FEIQOMCWGDNMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFCIRPRPWWLXQT-UHFFFAOYSA-N 6-chlorohexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCCCl RFCIRPRPWWLXQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXVVAUTXXDPHEF-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCCCC)[Si](OCCC)(OCCC)OCCC Chemical compound C(CCCCCCCCCCCCC)[Si](OCCC)(OCCC)OCCC WXVVAUTXXDPHEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULFUTCYGWMQVIO-PCVRPHSVSA-N [(6s,8r,9s,10r,13s,14s,17r)-17-acetyl-6,10,13-trimethyl-3-oxo-2,6,7,8,9,11,12,14,15,16-decahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl] acetate;[(8r,9s,13s,14s,17s)-3-hydroxy-13-methyl-6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-decahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl] pentano Chemical compound C1CC2=CC(O)=CC=C2[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H](OC(=O)CCCC)[C@@]1(C)CC2.C([C@@]12C)CC(=O)C=C1[C@@H](C)C[C@@H]1[C@@H]2CC[C@]2(C)[C@@](OC(C)=O)(C(C)=O)CC[C@H]21 ULFUTCYGWMQVIO-PCVRPHSVSA-N 0.000 description 1
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APZPSKFMSWZPKL-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CO)(CO)CO APZPSKFMSWZPKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Sn].[Ag] Chemical compound [Pb].[Sn].[Ag] OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N aldehydo-D-glucose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- FQARIBYWQSPYPZ-UHFFFAOYSA-N benzhydryloxy(ethyl)silane Chemical compound C(C)[SiH2]OC(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 FQARIBYWQSPYPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMBADDZNTSOLPP-UHFFFAOYSA-N benzhydryloxy(methyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O[SiH2]C)C1=CC=CC=C1 OMBADDZNTSOLPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BXLNNBFOYDZVGN-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-ethyl-methylsilane Chemical compound CC[Si](C)(C=C)C=C BXLNNBFOYDZVGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004067 bulking agent Substances 0.000 description 1
- ZXYULJCZWBKBCX-UHFFFAOYSA-N but-1-enyl(diethoxy)silane Chemical compound C(C)C=C[SiH](OCC)OCC ZXYULJCZWBKBCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKZYQDVVGTXQTR-UHFFFAOYSA-N but-1-enyl(dimethoxy)silane Chemical compound CCC=C[SiH](OC)OC LKZYQDVVGTXQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N butoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)C YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N butyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- XGLLBUISUZEUMW-UHFFFAOYSA-N chloromethyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(CCl)OCC XGLLBUISUZEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- ATGKAFZFOALBOF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1CCCCC1 ATGKAFZFOALBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWTZOBMYFOECIQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1CCCCC1 OWTZOBMYFOECIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N diacetyloxy(methyl)silicon Chemical compound CC(=O)O[Si](C)OC(C)=O AONDIGWFVXEZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)silicon Chemical compound CCO[Si](OCC)C1=CC=CC=C1 BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N diethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])OCC NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMDNKCCJBREJR-UHFFFAOYSA-N diethyl-methoxy-methylsilane Chemical compound CC[Si](C)(CC)OC XRMDNKCCJBREJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHZNYWZNKAGDV-UHFFFAOYSA-N diethyl-methoxy-phenylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)C1=CC=CC=C1 YXHZNYWZNKAGDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)C)C(C)C VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)OCCC ZIDTUTFKRRXWTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N divinyl sulfone Chemical compound C=CS(=O)(=O)C=C AFOSIXZFDONLBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N dodecyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC YGUFXEJWPRRAEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZUIJUSACWNGID-UHFFFAOYSA-N dodecyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC JZUIJUSACWNGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010556 emulsion polymerization method Methods 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N ethenyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC=C GLVVKKSPKXTQRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N ethenyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC=C AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C=C NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N ethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[SiH](CC)CC XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)CC DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSGHUXZYZUXUOC-UHFFFAOYSA-N ethoxy-diethyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)C1=CC=CC=C1 RSGHUXZYZUXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKDLBUPSJQZYFZ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-ethyl-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)CC FKDLBUPSJQZYFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N ethyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC)(OCCC)OCCC KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUHRFYWSDBWMFS-UHFFFAOYSA-N ethyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CC[Si](C)(C)OC SUHRFYWSDBWMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound O=C.NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- RSKGMYDENCAJEN-UHFFFAOYSA-N hexadecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC RSKGMYDENCAJEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOKBMMKKTAXPSV-UHFFFAOYSA-N hexadecyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC KOKBMMKKTAXPSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IAGREDBVCFAKQR-UHFFFAOYSA-N hexyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC IAGREDBVCFAKQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000012690 ionic polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000010550 living polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010303 mechanochemical reaction Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N methoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- BTRBCFCFHJQWPR-UHFFFAOYSA-N octadecyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC BTRBCFCFHJQWPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000196 poly(lauryl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001481 poly(stearyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010558 suspension polymerization method Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000597 tin-copper alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYGYKEULCAINCL-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC OYGYKEULCAINCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC SVKDNKCAGJVMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N triethyl(methoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)OC HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004950 trifluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=CC1=CC=CC=C1 JRSJRHKJPOJTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERVGQPARMTDQC-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(6,6,6-trifluorohexyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC(F)(F)F CERVGQPARMTDQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC AXNJHBYHBDPTQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYJYJTDXBIYRHH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[8-(oxiran-2-ylmethoxy)octyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC QYJYJTDXBIYRHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGZGBYCKAOEPQZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(C)C PGZGBYCKAOEPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUWVDNLZJXLQPT-UHFFFAOYSA-N tripropoxy(propyl)silane Chemical compound CCCO[Si](CCC)(OCCC)OCCC VUWVDNLZJXLQPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N tris(prop-2-enyl) benzene-1,2,4-tricarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC=C)C(C(=O)OCC=C)=C1 GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電極間の電気的な接続等に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles that can be used for electrical connection between electrodes and the like. The present invention also relates to a conductive material and a connecting structure using the above conductive particles.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in the binder resin. Further, as the conductive particles, conductive particles having a base material particles and a conductive portion arranged on the surface of the base material particles may be used.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等が挙げられる。 The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures. Connections using the anisotropic conductive material include a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), and a semiconductor chip. The connection between the glass substrate and the glass substrate (COG (Chip on Glass)), the connection between the flexible printed circuit board and the glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like can be mentioned.
上記異方性導電材料に用いることができる上記導電性粒子が、下記の特許文献1〜3に開示されている。
The conductive particles that can be used for the anisotropic conductive material are disclosed in
下記の特許文献1には、基材粒子と、該基材粒子の表面上に設けられた導電層とを備える導電性粒子が開示されている。上記導電層は、ニッケルを含有する金属層と、金又はパラジウムを含有する導電層とが順次積層されている構造を有する。上記導電層の厚さは10nm以下である。上記導電性粒子は、表面に炭素数6〜22のアルキル基を有する。上記導電性粒子が表面に炭素数が6〜22のアルキル基を有することにより、上記導電性粒子の表面が疎水性である。特許文献1では、上記ニッケルを含有する金属層が露出していても、金属層は腐食されにくくなり、導電性粒子の接続抵抗が高くなることが防止されることが記載されている。
下記の特許文献2には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に設けられた導電層とを有する導電性粒子本体と、上記導電性粒子本体の表面を被覆している被覆層とを備える導電性粒子が開示されている。上記被覆層は、有機珪素化合物を架橋させることにより形成されている。特許文献2では、上記導電性粒子の表面の親水性を高めることができること、エポキシ樹脂のような酸素含有の樹脂に対して、上記導電性粒子の分散性を高めることができることが記載されている。
下記の特許文献3には、少なくとも表面が導電部である粒子と、上記導電部の外表面上に配置された被膜とを備える導電性粒子が開示されている。上記被膜は、非極性基と、極性基とを有する。特許文献3では、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができること、及び、上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に良好に分散させることができることが記載されている。
特許文献1では、上記導電性粒子が表面に炭素数が6〜22のアルキル基を有することにより、導電性粒子の表面が疎水性であるので、導電接続後の初期の接続抵抗をある程度低くすることができ、更に長期使用後の導通信頼性をある程度高めることができる。また、特許文献2,3では、上記導電性粒子の分散性を高めることができるので、導電接続後の初期の接続抵抗をある程度低くすることができ、更に長期使用後の導通信頼性をある程度高めることができる。
In
しかしながら、近年、電子機器の高密度化及び高性能化が進行しており、接続抵抗の更なる低減、及び導通信頼性の更なる向上が求められている。 However, in recent years, the density and performance of electronic devices have been increasing, and further reduction of connection resistance and further improvement of conduction reliability are required.
特許文献1では、導電性粒子のバインダー樹脂中での分散性が低いため、導通信頼性をかなり高めることは困難である。この理由は、導電性粒子とバインダー樹脂との界面に、水分が浸入しやすいことなどが挙げられる。
In
特許文献2,3でも、初期の接続抵抗をかなり低くし、また、導通信頼性をかなり高めることとの双方を達成することは困難である。
Even in
本発明の目的は、長期使用後の導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。本発明の限定的な目的は、導電接続後に初期の接続抵抗を効果的に低くすることができ、更に、長期使用後の導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide conductive particles capable of enhancing conduction reliability after long-term use. A limited object of the present invention is to provide conductive particles capable of effectively lowering the initial connection resistance after conductive connection and further enhancing conduction reliability after long-term use. Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connecting structure using the above conductive particles.
本発明の広い局面によれば、導電部を有し、前記導電部の外表面に、少なくとも2種の有機珪素官能基を有する、導電性粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, conductive particles having a conductive portion and having at least two kinds of organic silicon functional groups on the outer surface of the conductive portion are provided.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基を有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、エポキシ基を有する有機珪素官能基を有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having an epoxy group.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、炭素数が1以上22以下であるアルキル基を有する有機珪素官能基を有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having an alkyl group having 1 or more and 22 or less carbon atoms.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、防錆効果を有する有機珪素官能基を有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having a rust preventive effect.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記防錆効果を有する有機珪素官能基が、ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the organic silicon functional group having a rust preventive effect is an organic silicon functional group having a benzotriazole group.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、防錆効果を有する有機珪素官能基と、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基及びエポキシ基を有する有機珪素官能基のうちの少なくとも一方の有機珪素官能基とを有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having a rust preventive effect, an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group, and an organic having an epoxy group. It has at least one organic silicon functional group among the silicon functional groups.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記防錆効果を有する有機珪素官能基の数の、前記(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基及び前記エポキシ基を有する有機珪素官能基の合計の数に対する比が、0.05以上0.95以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the organic silicon functional group having the (meth) acryloyl group and the organic silicon functional group having the epoxy group of the number of the organic silicon functional groups having the rust preventive effect. The ratio to the total number of is 0.05 or more and 0.95 or less.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面に、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基と、エポキシ基を有する有機珪素官能基とを有する。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the outer surface of the conductive portion has an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group and an organic silicon functional group having an epoxy group.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の表面積100%中、少なくとも2種の前記有機珪素官能基により覆われている表面積が、60%以上100%以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the surface area covered with at least two kinds of organic silicon functional groups is 60% or more and 100% or less in the surface area of the conductive portion.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles include a base material particle and a conductive portion arranged on the surface of the base material particle.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子が、前記導電部の外表面に突起を有する。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have protrusions on the outer surface of the conductive portion.
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子本体が、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particle body comprises an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin.
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. It is provided with a connecting portion connecting the second connection target member, and the material of the connecting portion is the above-mentioned conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. Provided is a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
本発明に係る導電性粒子は、導電部を有し、上記導電部の外表面に少なくとも2種の有機珪素官能基を有する。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、長期使用後の導通信頼性を高めることができる。 The conductive particles according to the present invention have a conductive portion and have at least two kinds of organic silicon functional groups on the outer surface of the conductive portion. Since the conductive particles according to the present invention have the above-mentioned structure, the conduction reliability after long-term use can be improved.
以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention will be described below.
(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、導電部を有し、上記導電部の外表面に、少なくとも2種の有機珪素官能基を有する。
(Conductive particles)
The conductive particles according to the present invention have a conductive portion, and have at least two kinds of organic silicon functional groups on the outer surface of the conductive portion.
本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後に初期の接続抵抗を効果的に低くすることができ、更に、長期使用後の導通信頼性を高めることができる。 Since the conductive particles according to the present invention have the above-mentioned structure, the initial connection resistance can be effectively lowered after the conductive connection, and the conduction reliability after long-term use can be improved. ..
「有機珪素官能基」は、炭素原子と珪素原子とを含む。有機珪素官能基は、例えば、下記式(1)で表される。 The "organic silicon functional group" includes a carbon atom and a silicon atom. The organic silicon functional group is represented by, for example, the following formula (1).
上記式(1)中、X1、X2及びX3はそれぞれ独立して、非加水分解性基、加水分解性基、他の有機珪素官能基又は水素原子を表す。また、X1、X2及びX3の少なくとも1つは非加水分解性基である。X1、X2又はX3が有機珪素官能基である場合とは、例えば、−O−を介して2つのSiが接続されたシロキサン結合や、−Si−Si−等の化学結合を介して2つの珪素原子を起点に異なる有機珪素官能基が接続されている状態を指す。X1、X2及びX3は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、Si原子のX1、X2及びX3のいずれとも結合していない残された結合は、導電部の外表面自体又は導電部の外表面に配置された物質(被膜等)に結合する。 In the above formula (1), X1, X2 and X3 independently represent a non-hydrolyzable group, a hydrolyzable group, another organic silicon functional group or a hydrogen atom. Also, at least one of X1, X2 and X3 is a non-hydrolyzable group. When X1, X2 or X3 is an organic silicon functional group, for example, two silicons are connected via a siloxane bond in which two Sis are connected via −O− or a chemical bond such as −Si−Si−. It refers to a state in which different organic silicon functional groups are connected starting from an atom. X1, X2 and X3 may be the same or different. Further, the remaining bonds that are not bonded to any of the Si atoms X1, X2, and X3 are bonded to the outer surface of the conductive portion itself or a substance (coating or the like) arranged on the outer surface of the conductive portion.
上記加水分解性基としては、アルコキシ基等が挙げられる。該アルコキシ基の具体例としては、炭素数1〜6のアルコキシ基等が挙げられる。該炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基等が挙げられる。 Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group and the like. Specific examples of the alkoxy group include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group and a propoxy group.
上記加水分解性基は、アルコキシ基以外の加水分解性基であってもよい。該アルコキシ基以外の加水分解性基の具体例としては、塩素もしくは臭素等のハロゲン基、アセチル基、ヒドロキシル基及びイソシアネート基等が挙げられる。 The hydrolyzable group may be a hydrolyzable group other than the alkoxy group. Specific examples of the hydrolyzable group other than the alkoxy group include a halogen group such as chlorine or bromine, an acetyl group, a hydroxyl group and an isocyanate group.
上記非加水分解性の有機基としては、加水分解され難く、安定な疎水基である炭素数1〜30の有機基が挙げられる。 Examples of the non-hydrolyzable organic group include an organic group having 1 to 30 carbon atoms, which is a stable hydrophobic group that is difficult to be hydrolyzed.
上記炭素数1〜30の有機基としては、炭素数1〜30のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、芳香族置換アルキル基、アリール基、ビニル基を含む有機基、エポキシ基を含む有機基、(メタ)アクリロイル基を含む有機基、ベンゾトリアゾール基を含む有機基、アミノ基を含む有機基、及びチオール基を含む有機基等が挙げられる。 Examples of the organic group having 1 to 30 carbon atoms include an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkyl halide group, an aromatic substituted alkyl group, an aryl group, an organic group containing a vinyl group, and an organic group containing an epoxy group. Meta) Examples thereof include an organic group containing an acryloyl group, an organic group containing a benzotriazole group, an organic group containing an amino group, and an organic group containing a thiol group.
上記炭素数1〜30のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ペンチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基及びエイコシル基等が挙げられる。上記ハロゲン化アルキル基としては、アルキル基のフッ素化物基、アルキル基の塩素化物基及びアルキル基の臭素化物基等が挙げられる。上記ハロゲン化アルキル基の具体例としては、例えば、3−クロロプロピル基、6−クロロプロピル基、6−クロロヘキシル基及び6,6,6−トリフルオロヘキシル基等が挙げられる。上記芳香族置換アルキル基としては、例えば、ベンジル基及びハロゲン置換ベンジル基等が挙げられる。上記ハロゲン置換ベンジル基としては、4−クロロベンジル基及び4−ブロモベンジル基等が挙げられる。上記アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、メシチル基及びナフチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, a pentyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tetradecyl group, a hexadecyl group and an octadecyl group. And an eikosyl group and the like. Examples of the alkyl halide group include a fluorinated group of an alkyl group, a chlorinated group of an alkyl group, and a brominated group of an alkyl group. Specific examples of the above alkyl halide group include, for example, 3-chloropropyl group, 6-chloropropyl group, 6-chlorohexyl group, 6,6,6-trifluorohexyl group and the like. Examples of the aromatic-substituted alkyl group include a benzyl group and a halogen-substituted benzyl group. Examples of the halogen-substituted benzyl group include a 4-chlorobenzyl group and a 4-bromobenzyl group. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a mesityl group, a naphthyl group and the like.
少なくとも2種の上記有機珪素官能基は、少なくとも2種の有機珪素化合物を用いて、導入することができる。少なくとも2種の上記有機珪素官能基は、少なくとも2種の有機珪素化合物がそれぞれ反応することにより、導入されていてもよい。第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物とを用いて、第1の有機珪素化合物に由来する第1の有機珪素官能基と、第2の有機珪素化合物に由来する第2の有機珪素官能基とが導入されてもよい。第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物と第3の有機珪素化合物とを用いて、第1の有機珪素化合物に由来する第1の有機珪素官能基と、第2の有機珪素化合物に由来する第2の有機珪素官能基と、第3の有機珪素化合物に由来する第3の有機珪素官能基とが導入されてもよい。第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物と第3の有機珪素化合物と第4の有機珪素化合物とを用いてもよい。この場合に、第1の有機珪素化合物に由来する第1の有機珪素官能基と、第2の有機珪素化合物に由来する第2の有機珪素官能基と、第3の有機珪素化合物に由来する第3の有機珪素官能基と、第4の有機珪素化合物に由来する第4の有機珪素官能基とが導入されてもよい。第1の有機珪素官能基と第2の有機珪素官能基とは、第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物との反応物であってもよい。第1の有機珪素官能基と第2の有機珪素官能基と第3の有機珪素官能基とは、第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物と第3の有機珪素化合物との反応物であってもよい。第1の有機珪素官能基と第2の有機珪素官能基と第3の有機珪素官能基と第4の有機珪素官能基は、第1の有機珪素化合物と第2の有機珪素化合物と第3の有機珪素化合物と第4の有機珪素化合物との反応物であってもよい。 At least two kinds of the organic silicon functional groups can be introduced by using at least two kinds of organic silicon compounds. At least two kinds of the above-mentioned organic silicon functional groups may be introduced by reacting at least two kinds of organic silicon compounds respectively. Using the first organic silicon compound and the second organic silicon compound, a first organic silicon functional group derived from the first organic silicon compound and a second organic silicon derived from the second organic silicon compound are used. A functional group may be introduced. The first organic silicon compound, the second organic silicon compound, and the third organic silicon compound are used to form a first organic silicon functional group derived from the first organic silicon compound and a second organic silicon compound. A second organic silicon functional group derived from the organic silicon functional group and a third organic silicon functional group derived from the third organic silicon compound may be introduced. A first organic silicon compound, a second organic silicon compound, a third organic silicon compound, and a fourth organic silicon compound may be used. In this case, the first organic silicon functional group derived from the first organic silicon compound, the second organic silicon functional group derived from the second organic silicon compound, and the second organic silicon functional group derived from the third organic silicon compound. The organic silicon functional group of 3 and the 4th organic silicon functional group derived from the 4th organic silicon compound may be introduced. The first organic silicon functional group and the second organic silicon functional group may be a reaction product of the first organic silicon compound and the second organic silicon compound. The first organic silicon functional group, the second organic silicon functional group, and the third organic silicon functional group are a reaction product of the first organic silicon compound, the second organic silicon compound, and the third organic silicon compound. It may be. The first organic silicon functional group, the second organic silicon functional group, the third organic silicon functional group, and the fourth organic silicon functional group are the first organic silicon compound, the second organic silicon compound, and the third organic silicon compound. It may be a reaction product of an organic silicon compound and a fourth organic silicon compound.
上記有機珪素化合物の具体例としては、例えば、トリフェニルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、エチルジメチルメトキシシラン、メチルジエチルメトキシシラン、エチルジメチルエトキシシラン、メチルジエチルエトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジエチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジエチルエトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン、エチルジフェニルメトキシシラン、メチルジフェニルエトキシシラン、エチルジフェニルエトキシシラン、tert−ブトキシトリメチルシラン、ブトキシトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、ジフェニルジエトキシラン、フェニルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、3−クロロプロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジエトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチル−トリ−n−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチル−トリ−n−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピル−トリ−n−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリプロポキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリプロポキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリプロポキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリプロポキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリプロポキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリプロポキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリプロポキシシラン、エイコシルデシルトリメトキシシラン、エイコシルトリエトキシシラン、エイコシルトリプロポキシシラン、6−クロロヘキシルトリメトキシシラン、6,6,6−トリフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、4−クロロベンジルトリメトキシシラン、4−ブロモベンジルトリ−n−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−n−プロポキシシラン、トリアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン及びテトラアセトキシシラン等が挙げられる。
Specific examples of the organic silicon compound include triphenylethoxysilane, trimethylethoxysilane, triethylethoxysilane, triphenylmethoxysilane, triethylmethoxysilane, ethyldimethylmethoxysilane, methyldiethylmethoxysilane, ethyldimethylethoxysilane, and methyl. Diethylethoxysilane, phenyldimethylmethoxysilane, phenyldiethylmethoxysilane, phenyldimethylethoxysilane, phenyldiethylethoxysilane, methyldiphenylmethoxysilane, ethyldiphenylmethoxysilane, methyldiphenylethoxysilane, ethyldiphenylethoxysilane, tert-butoxytrimethylsilane, Butoxytrimethylsilane, dimethylethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, ethoxydimethylvinylsilane, diphenyldiethoxylan, phenyldiethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, diacetoxymethylsilane, diethoxymethylsilane, 3-chloropropyldimethoxymethylsilane, chloromethyl Diethoxymethylsilane, diethoxydimethylsilane, diacetoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxydiethylsilane, dimethyldipropoxysilane, dimethoxymethylphenylsilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyl-tri-n -Propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyl-tri-n-propoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, propyl-tri-n-propoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxy Silane, butyltripropoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, isobutyltripropoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, n-hexyltripropoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltri Ethoxysilane, cyclohexyltripropoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, octyllipopoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, dodecyltripropoxysilane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, Tetradecyltripropoxysilane, hexa Decyltrimethoxysilane, hexadecyltriethoxysilane, hexadecyltripropoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, octadecyltriethoxysilane, octadecyltripropoxysilane, eicosyldecyltrimethoxysilane, eicosyltriethoxysilane, eicosyltripropoxysilane , 6-Chlorohexyltrimethoxysilane, 6,6,6-trifluorohexyltrimethoxysilane, benzyltrimethoxysilane, 4-chlorobenzyltrimethoxysilane, 4-bromobenzyltri-n-propoxysilane, phenyltrimethoxysilane , Phenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxy Silane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacry Loxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N -2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propyl Amin, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanabyl Triethoxysilane, triethoxysilane, trimethoxysilane, triisopropoxysilane, tri-n-propoxysilane, triacetoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane and tetraacetoxy Examples include silane.
少なくとも2種の上記有機珪素官能基は、互いに結合していてもよい。少なくとも2種の上記有機珪素官能基は、シロキサン結合により連なっていてもよい。 At least two kinds of the organic silicon functional groups may be bonded to each other. At least two kinds of the organic silicon functional groups may be linked by a siloxane bond.
アクリル樹脂を主成分とするバインダー樹脂において、導電性粒子とバインダー樹脂との界面の密着性を向上させ、接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基を有することが好ましい。この場合に、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基以外の有機珪素官能基をさらに有する。(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基は、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素化合物により導入されていることが好ましい。(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基は、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素化合物に由来する有機珪素官能基であることが好ましい。(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基は、珪素原子に結合した(メタアクリロイル基を有することが好ましい。 In a binder resin containing an acrylic resin as a main component, from the viewpoint of improving the adhesion at the interface between the conductive particles and the binder resin and further enhancing the connection reliability, the conductive particles are the outer surface of the conductive portion. It is preferable to have an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group. In this case, the conductive particles further have an organic silicon functional group other than the organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group on the outer surface of the conductive portion. The organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group is preferably introduced by an organic silicon compound having a (meth) acryloyl group. The organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group is preferably an organic silicon functional group derived from an organic silicon compound having a (meth) acryloyl group. The organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group preferably has a (meth acryloyl group) bonded to a silicon atom.
上記(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素化合物としては、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシトリメトキシシラン及び8−メタクリロキシトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the organic silicon compound having a (meth) acryloyl group include 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxytrimethoxysilane, and 8-methacryloxytrimethoxysilane.
エポキシ樹脂を主成分とするバインダー樹脂において、導電性粒子とバインダー樹脂との界面の密着性を向上させ、接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、エポキシ基を有する有機珪素官能基を有することが好ましい。この場合に、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、エポキシ基を有する有機珪素官能基以外の有機珪素官能基をさらに有する。エポキシ基を有する有機珪素官能基は、エポキシ基を有する有機珪素化合物により導入されていることが好ましい。エポキシ基を有する有機珪素官能基は、エポキシ基を有する有機珪素化合物に由来する有機珪素官能基であることが好ましい。エポキシ基を有する有機珪素官能基は、珪素原子に結合したエポキシ基を有することが好ましい。 In a binder resin containing an epoxy resin as a main component, from the viewpoint of improving the adhesion at the interface between the conductive particles and the binder resin and further enhancing the connection reliability, the conductive particles are the outer surface of the conductive portion. It is preferable to have an organic silicon functional group having an epoxy group. In this case, the conductive particles further have an organic silicon functional group other than the organic silicon functional group having an epoxy group on the outer surface of the conductive portion. The organic silicon functional group having an epoxy group is preferably introduced by an organic silicon compound having an epoxy group. The organic silicon functional group having an epoxy group is preferably an organic silicon functional group derived from an organic silicon compound having an epoxy group. The organic silicon functional group having an epoxy group preferably has an epoxy group bonded to a silicon atom.
上記エポキシ基を有する有機珪素化合物としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン及び8−グリシドキシオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the organic silicon compound having an epoxy group include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxidecyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and 8-glycidoxyoctyltrimethoxysilane.
アクリル樹脂とエポキシ樹脂とを含むバインダー樹脂において、導電性粒子とバインダー樹脂との界面の密着性を向上させ、接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基と、エポキシ基を有する有機珪素官能基とを有することが好ましい。 In a binder resin containing an acrylic resin and an epoxy resin, the conductive particles are outside the conductive portion from the viewpoint of improving the adhesion at the interface between the conductive particles and the binder resin and further enhancing the connection reliability. It is preferable to have an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group and an organic silicon functional group having an epoxy group on the surface.
導電性粒子の表面における耐食性の向上と劣化防止とによる接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、炭素数が1以上22以下であるアルキル基を有する有機珪素官能基を有することが好ましい。この場合に、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、炭素数が1〜22以下であるアルキル基を有する有機珪素官能基以外の有機珪素官能基をさらに有する。上記炭素数が1以上22以下であるアルキル基を有する有機珪素官能基では、アルキル基の炭素数が1以上22以下である。導電性粒子表面における耐食性の向上と劣化防止による長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記アルキル基の炭素数は好ましくは3以上、好ましくは18以下である。 From the viewpoint of further improving the connection reliability by improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and preventing deterioration, the conductive particles have an alkyl group having 1 or more and 22 or less carbon atoms on the outer surface of the conductive portion. It is preferable to have an organic silicon functional group having. In this case, the conductive particles further have an organic silicon functional group other than the organic silicon functional group having an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms or less on the outer surface of the conductive portion. In the organic silicon functional group having an alkyl group having 1 or more and 22 or less carbon atoms, the alkyl group has 1 or more and 22 or less carbon atoms. From the viewpoint of further improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and further enhancing the conduction reliability after long-term use by preventing deterioration, the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 3 or more, preferably 18 or less.
導電性粒子の表面における耐食性の向上と劣化防止とによる長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、防錆効果を有する有機珪素官能基を有することが好ましい。この場合に、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、防錆効果を有する有機珪素官能基以外の有機珪素官能基をさらに有する。防錆効果を有する有機珪素官能基は、防錆効果を有する基を有する有機珪素化合物により導入されていることが好ましい。防錆効果を有する有機珪素官能基は、防錆効果を有する基を有する有機珪素化合物に由来する有機珪素官能基であることが好ましい。防錆効果を有する有機珪素官能基は、珪素原子に結合した防錆効果を有する基を有することが好ましい。 From the viewpoint of further improving the conductivity reliability after long-term use by improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and preventing deterioration, the conductive particles are organic silicon having a rust preventive effect on the outer surface of the conductive portion. It preferably has a functional group. In this case, the conductive particles further have an organic silicon functional group other than the organic silicon functional group having a rust preventive effect on the outer surface of the conductive portion. The organic silicon functional group having a rust preventive effect is preferably introduced by an organic silicon compound having a group having a rust preventive effect. The organic silicon functional group having a rust preventive effect is preferably an organic silicon functional group derived from an organic silicon compound having a group having a rust preventive effect. The organic silicon functional group having a rust preventive effect preferably has a group having a rust preventive effect bonded to a silicon atom.
上記防錆効果を有する基を有する有機珪素化合物としては、ベンゾトリアゾールメチルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン及びトリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the organic silicon compound having a group having a rust preventive effect include benzotriazolemethyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, and trifluoropropyltrimethoxysilane.
防錆効果を有する基としては、ベンゾトリアゾール基、メルカプト基及びトリフルオロアルキル基等が挙げられる。 Examples of the group having a rust preventive effect include a benzotriazole group, a mercapto group, a trifluoroalkyl group and the like.
長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記防錆効果を有する有機珪素官能基が、ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基であることが好ましい。ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基は、ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素化合物により導入されていることが好ましい。ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基は、ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素化合物に由来する有機珪素官能基であることが好ましい。ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基は、珪素原子に結合したベンゾトリアゾール基を有することが好ましい。 From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability after long-term use, the organic silicon functional group having a rust preventive effect is preferably an organic silicon functional group having a benzotriazole group. The organic silicon functional group having a benzotriazole group is preferably introduced by an organic silicon compound having a benzotriazole group. The organic silicon functional group having a benzotriazole group is preferably an organic silicon functional group derived from an organic silicon compound having a benzotriazole group. The organic silicon functional group having a benzotriazole group preferably has a benzotriazole group bonded to a silicon atom.
導電性粒子とバインダー樹脂との界面の密着性を向上させ、かつ導電性粒子表面における耐食性の向上と劣化防止による長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、防錆効果を有する有機珪素官能基と、(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基及びエポキシ基を有する有機珪素官能基のうちの少なくとも一方の有機珪素官能基とを有することが好ましい。 From the viewpoint of improving the adhesion of the interface between the conductive particles and the binder resin, improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and further improving the conduction reliability after long-term use by preventing deterioration, the conductive particles are used. On the outer surface of the conductive portion, an organic silicon functional group having a rust preventive effect, and at least one of an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group and an organic silicon functional group having an epoxy group are used. It is preferable to have.
上記防錆効果を有する有機珪素官能基の数の、上記(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基及び上記エポキシ基を有する有機珪素官能基の合計の数に対する比を、比(X)とする。導電性粒子の表面における耐食性の向上と劣化防止による長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記比(X)は、好ましくは0.05以上、より好ましくは0.10以上、好ましくは0.95以下、より好ましくは0.90以下である。 The ratio of the number of organic silicon functional groups having a rust preventive effect to the total number of the organic silicon functional groups having the (meth) acryloyl group and the organic silicon functional groups having the epoxy group is defined as the ratio (X). .. The ratio (X) is preferably 0.05 or more, more preferably 0.10 or more, from the viewpoint of further improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and further improving the conduction reliability after long-term use by preventing deterioration. It is preferably 0.95 or less, more preferably 0.90 or less.
上記ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基の数の、上記(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基及び上記エポキシ基を有する有機珪素官能基の合計の数に対する比を、比(X1)とする。導電性粒子の表面における耐食性の向上と劣化防止とによる接続信頼性をより一層高める観点からは、上記比(X1)は、好ましくは0.05以上、より好ましくは0.10以上、好ましくは0.95以下、より好ましくは0.90以下である。 The ratio of the number of the organic silicon functional groups having the benzotriazole group to the total number of the organic silicon functional groups having the (meth) acryloyl group and the organic silicon functional groups having the epoxy group is defined as the ratio (X1). .. From the viewpoint of further improving the connection reliability by improving the corrosion resistance on the surface of the conductive particles and preventing deterioration, the above ratio (X1) is preferably 0.05 or more, more preferably 0.10 or more, preferably 0. It is .95 or less, more preferably 0.90 or less.
上記した有機珪素官能基のうち、ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基は、主に、導電性粒子の表面における耐食性の向上と劣化防止との役割を果たし、長期使用後の導通信頼性を高める。 Among the above-mentioned organic silicon functional groups, the organic silicon functional group having a benzotriazole group mainly plays a role of improving corrosion resistance and preventing deterioration on the surface of conductive particles, and enhances conduction reliability after long-term use. ..
上記した有機珪素官能基のうち、(メタ)アクリロイル基又はエポキシ基を有する有機珪素官能基は、主に、導電性粒子の表面とバインダー樹脂の界面との密着性を向上させる役割を果たし、接続信頼性を高める。 Among the above-mentioned organic silicon functional groups, the organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group or an epoxy group mainly plays a role of improving the adhesion between the surface of the conductive particles and the interface of the binder resin, and connects them. Increase reliability.
役割が異なる有機珪素官能基を導入することで、導電接続後に初期の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、更に、長期使用後の導通信頼性をより一層高めることができる。 By introducing an organic silicon functional group having a different role, the initial connection resistance can be further effectively lowered after the conductive connection, and the conduction reliability after long-term use can be further improved.
導電接続後に初期の接続抵抗をより一層低くし、長期使用後の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の表面積100%中、少なくとも2種の上記有機珪素官能基により覆われている表面積は、好ましくは60%以上、より好ましくは80%以上、好ましくは100%以下である。上記導電部の表面積100%中、少なくとも2種の上記有機珪素官能基により覆われている表面積は、97.5%以下であってもよく、95%以下であってもよい。 From the viewpoint of further lowering the initial connection resistance after the conductive connection and further enhancing the conduction reliability after long-term use, the surface area of the conductive portion is 100% covered with at least two kinds of the organic silicon functional groups. The surface area is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, and preferably 100% or less. Of the 100% surface area of the conductive portion, the surface area covered with at least two kinds of organic silicon functional groups may be 97.5% or less, or 95% or less.
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは1000μm以下、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは10μm以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle size of the conductive particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 1000 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 10 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles. Moreover, it becomes difficult to form agglomerated conductive particles when forming the conductive portion. In addition, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive portion does not easily peel off from the surface of the substrate particles.
上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。 The particle size of the conductive particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. For the particle size of the conductive particles, for example, 50 arbitrary conductive particles are observed with an electron microscope or an optical microscope, the average value of the particle size of each conductive particle is calculated, or a particle size distribution measuring device is used. Obtained using. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each conductive particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 conductive particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each conductive particle is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the conductive particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device.
上記導電性粒子の粒子径の変動係数(CV値)は、好ましくは10%以下、より好ましくは5%以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The coefficient of variation (CV value) of the particle size of the conductive particles is preferably 10% or less, more preferably 5% or less. When the coefficient of variation of the particle size of the conductive particles is not more than the above upper limit, the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively improved.
上記変動係数(CV値)は、以下のようにして測定できる。 The coefficient of variation (CV value) can be measured as follows.
CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:導電性粒子の粒子径の標準偏差
Dn:導電性粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle size of conductive particles Dn: Mean value of particle size of conductive particles
上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。 The shape of the conductive particles is not particularly limited. The shape of the conductive particles may be spherical, non-spherical, flat or the like.
以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。なお、図1及び後述する図において、異なる箇所は互いに置き換え可能である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings. In addition, in FIG. 1 and the figure described later, different parts can be replaced with each other.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.
図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3とを有する。導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。第1の実施形態では、導電部3は、基材粒子2の表面に接している。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。
The
導電性粒子1では、導電部3は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。
In the
導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子1は表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。導電部3は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子1は、導電部3の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。
The
図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部12は、基材粒子2の表面上に基材粒子2に接するように配置されている。
The conductive particle 11 shown in FIG. 2 has a
導電性粒子11では、導電部12は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。
In the conductive particles 11, the
導電性粒子11は導電性の表面に、複数の突起11aを有する。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。複数の芯物質13が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質13は、導電部12内に埋め込まれている。芯物質13は、突起11a,12aの内側に配置されている。導電部12は、複数の芯物質13を被覆している。複数の芯物質13により導電部12の外表面が隆起されており、突起11a,12aが形成されている。
The conductive particles 11 have a plurality of protrusions 11a on the conductive surface. The
導電性粒子11は、導電部12の外表面上に配置された絶縁性物質14を有する。導電部12の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質14により被覆されている。絶縁性物質14は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。
The conductive particles 11 have an insulating
図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.
図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部22と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部22は全体で、基材粒子2側に第1の導電部22Aと、基材粒子2側とは反対側に第2の導電部22Bとを有する。
The
導電性粒子11と導電性粒子21とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子11では、1層構造の導電部12が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の第1の導電部22A及び第2の導電部22Bが形成されている。第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとは別の導電部として形成されている。
Only the conductive portion is different between the conductive particles 11 and the
第1の導電部22Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第1の導電部22Aは、基材粒子2に接している。第2の導電部22Bは、第1の導電部22Aに接している。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電部22Aが配置されており、第1の導電部22Aの表面上に第2の導電部22Bが配置されている。導電性粒子21は導電性の表面に、複数の突起21aを有する。導電部22は外表面に複数の突起22aを有する。第1の導電部22Aは外表面に、複数の突起22Aaを有する。第2の導電部22Bは外表面に、複数の突起22Baを有する。
The first conductive portion 22A is arranged on the surface of the
図4は、本発明の第4の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a fourth embodiment of the present invention.
図4に示す導電性粒子31は、全体が導電部である。導電性粒子31は、中心部分及び表面部分の双方が、導電部により形成されている。導電性粒子31は、基材粒子を有さない。
The
導電性粒子1,11,21は、導電部3,12,22の外表面に、少なくとも2種の有機珪素官能基を有する。導電部である導電性粒子31は外表面に、少なくとも2種の有機珪素官能基を有する。少なくとも2種の有機珪素官能基は、導電部の外表面上に配置された被膜として形成されていてもよい。
The
以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。 Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.
(基材粒子)
上記基材粒子の材料は特に限定されない。上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。初期の接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。
(Base particles)
The material of the base particle is not particularly limited. The material of the base particle may be an organic material or an inorganic material. Examples of the base particle formed from the organic material alone include resin particles and the like. Examples of the base particle formed only of the above-mentioned inorganic material include inorganic particles excluding metal. Examples of the base particle formed by both the organic material and the inorganic material include organic-inorganic hybrid particles. From the viewpoint of further lowering the initial connection resistance and further increasing the conduction reliability, the base material particles are preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and more preferably resin particles.
上記基材粒子は、金属粒子でなくてもよい。 The base material particles do not have to be metal particles.
上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Examples of the organic material include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; polycarbonate, polyamide, phenolformaldehyde resin and melamine. Formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, Examples thereof include polyether ether ketone, polyether sulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene copolymer. Examples of the divinylbenzene copolymer and the like include a divinylbenzene-styrene copolymer and a divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymer. Since the compression characteristics of the base particle can be easily controlled within a suitable range, the material of the base particle is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Is preferable.
上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the base material particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is crosslinked with a non-crosslinkable monomer. Examples include sex monomers.
上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α−メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物;塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体;(メタ)アクリル化合物として、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート等のハロゲン含有(メタ)アクリレート化合物;α−オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物;共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene, and chlorostyrene; vinyl ether compounds such as methylvinyl ether, ethylvinyl ether, and propylvinyl ether; vinyl acetate, vinyl butyrate, and the like. Acid vinyl ester compounds such as vinyl laurate and vinyl stearate; halogen-containing monomers such as vinyl chloride and vinyl fluoride; as (meth) acrylic compounds, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) ) Acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and other alkyl ( Meta) acrylate compound; oxygen atom-containing (meth) acrylate compound such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomer; Halogen-containing (meth) acrylate compound such as trifluoromethyl (meth) acrylate and pentafluoroethyl (meth) acrylate; As α-olefin compound, olefin such as diisobutylene, isobutylene, linearene, ethylene and propylene Compound: Examples of the conjugated diene compound include isoprene and butadiene.
上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、1,4−ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体;(メタ)アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物;アリル化合物として、トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル;シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド;デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン;片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性(反応性)シリコーンオイル;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include vinyl monomers such as divinylbenzene, 1,4-dibinyloxybutane, and divinylsulfone as vinyl compounds; and tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate as (meth) acrylic compounds. , Polytetramethylene glycol diacrylate, Tetramethylolmethanetri (meth) acrylate, Tetramethylolmethanedi (meth) acrylate, Trimethylolpropanetri (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, Dipentaerythritol penta (meth) ) Acrylic, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as (meth) acrylate; as allyl compounds, triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, diallylphthalate, diallylacrylamide, diallyl ether; as silane compounds, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane , Methyltrimethoxysilane, Methyltriethoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, Ethyltriethoxysilane, Isopropyltrimethoxysilane, Isobutyltrimethoxysilane, Cyclohexyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, γ- (meth) acryloxipropyltrimethoxysilane, 1,3-divinyltetramethyldi Silane alkoxide compounds such as siloxane, methylphenyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane; vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsisilane, dimethoxyethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, ethylmethyldivinylsilane , Methylvinyldimethoxysilane, ethylvinyldimethoxysilane, methylvinyldiethoxysilane, ethylvinyldiethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethi Polymeric double bond-containing silane alkoxides such as rudimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxipropyltrimethoxysilane Cyclic siloxane such as decamethylcyclopentasiloxane; Modified (reactive) silicone oil such as one-terminal modified silicone oil, double-ended silicone oil, side chain type silicone oil; (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, etc. Examples thereof include a carboxyl group-containing monomer of.
上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合(縮合重合、縮重合)、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。 The base material particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group. The above polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include known methods such as radical polymerization, ionic polymerization, polycondensation (condensation polymerization, polycondensation polymerization), addition condensation, living polymerization, and living radical polymerization. Further, as another polymerization method, suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator can be mentioned.
上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。 Examples of the inorganic material include silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black, silicate glass, borosilicate glass, lead glass, soda-lime glass and alumina silicate glass.
上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 The base particle may be an organic-inorganic hybrid particle. The base material particles may be core-shell particles. When the base particle is an organic-inorganic hybrid particle, examples of the inorganic substance that is the material of the base particle include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic substance is not a metal. The base particle formed of the silica is not particularly limited, but after hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, firing is performed if necessary. Examples thereof include substrate particles obtained by carrying out the process. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell arranged on the surface of the core. It is preferable that the core is an organic core. It is preferable that the shell is an inorganic shell. The base material particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell arranged on the surface of the organic core.
上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。 Examples of the organic core material include the organic materials described above.
上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。 Examples of the material of the inorganic shell include the above-mentioned inorganic substances as the material of the base particle. The material of the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of silane alkoxide.
上記基材粒子の粒子径は、上記導電性粒子の粒子径を考慮して、選択することができる。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは300μm以下、さらに好ましくは50μm以下、さらに一層好ましくは10μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性をより一層高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に、凝集した導電性粒子を形成され難くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。 The particle size of the base material particles can be selected in consideration of the particle size of the conductive particles. The particle size of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more. The particle size of the base particles is preferably 1000 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 300 μm or less, still more preferably 50 μm or less, and even more preferably 10 μm or less. When the particle size of the base material particles is equal to or larger than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes large, so that the conduction reliability between the electrodes can be further improved, and the conductive particles are connected via the conductive particles. The connection resistance between the electrodes can be further reduced. Further, when the conductive portion is formed on the surface of the base material particles by electroless plating, it is possible to make it difficult for the agglomerated conductive particles to be formed. When the particle size of the base material particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily sufficiently compressed, the connection resistance between the electrodes can be further reduced, and the distance between the electrodes can be further reduced. it can.
上記基材粒子の粒子径は、1μm以上3μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、1μm以上3μm以下の範囲内であると、基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。 The particle size of the base particles is particularly preferably 1 μm or more and 3 μm or less. When the particle size of the base material particles is within the range of 1 μm or more and 3 μm or less, it becomes difficult to agglomerate when forming a conductive portion on the surface of the base material particles, and it becomes difficult to form agglomerated conductive particles.
上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。 The particle size of the base particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. As for the particle size of the base particle, 50 arbitrary base particles are observed with an electron microscope or an optical microscope, the average value of the particle size of each base particle is calculated, or a particle size distribution measuring device is used. Is required. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each substrate particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 substrate particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each base particle is determined as the particle size in the equivalent sphere diameter. The average particle size of the base particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. When measuring the particle size of the base material particles in the conductive particles, for example, the measurement can be performed as follows.
導電性粒子の含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率を25000倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。 An embedded resin for conducting a conductive particle inspection is prepared by adding and dispersing the conductive particles to "Technobit 4000" manufactured by Kulzer so that the content of the conductive particles is 30% by weight. A cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling device (“IM4000” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the conductive particles dispersed in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 25000 times, 50 conductive particles are randomly selected, and the base particles of each conductive particle are observed. To do. The particle size of the base material particles in each conductive particle is measured, and they are arithmetically averaged to obtain the particle size of the base material particles.
(導電部)
本発明に係る導電性粒子は、導電部を有する。本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備えていてもよい。上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部を構成する金属は特に限定されない。
(Conductive part)
The conductive particles according to the present invention have a conductive portion. The conductive particles according to the present invention may include base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. The conductive portion preferably contains a metal. The metal constituting the conductive portion is not particularly limited.
上記導電部を構成する金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記導電部を構成する金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。上記導電部を構成する金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The metals constituting the conductive portion include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, tarium, germanium, cadmium, and the like. Examples thereof include silicon, tungsten, molybdenum and alloys thereof. Examples of the metal constituting the conductive portion include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Only one kind of metal constituting the conductive portion may be used, or two or more kinds may be used in combination.
電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記導電部は、ニッケル、金、パラジウム、銀、又は銅を含むことが好ましく、ニッケル、金又はパラジウムを含むことがより好ましく、ニッケルを含むことが特に好ましい。 From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the conductive portion preferably contains nickel, gold, palladium, silver, or copper, and more preferably nickel, gold, or palladium. It is particularly preferable to contain nickel.
ニッケルを含む導電部100重量%中のニッケルの含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは50重量%以上、より一層好ましくは60重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記ニッケルを含む導電部100重量%中のニッケルの含有量は、97重量%以上であってもよく、97.5重量%以上であってもよく、98重量%以上であってもよく、100重量%であってもよい。 The content of nickel in 100% by weight of the conductive portion containing nickel is preferably 10% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, still more preferably 60% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably. Is 90% by weight or more. The content of nickel in 100% by weight of the conductive portion containing nickel may be 97% by weight or more, 97.5% by weight or more, 98% by weight or more, 100% by weight. It may be% by weight.
なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面(導電性粒子の表面)に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置できる。 In addition, hydroxyl groups are often present on the surface of the conductive portion due to oxidation. Generally, a hydroxyl group is present on the surface of a conductive portion formed of nickel due to oxidation. An insulating substance can be arranged on the surface of the conductive portion having such a hydroxyl group (the surface of the conductive particles) via a chemical bond.
上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電部は、2層以上の積層構造を有していてもよい。上記導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層を構成する金属は、金、ニッケル、パラジウム、銅又は錫と銀とを含む合金であることが好ましく、金であることがより好ましい。最外層を構成する金属がこれらの好ましい金属である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層を構成する金属が金である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。最外層を構成する金属は、ニッケルであってもよい。 The conductive portion may be formed by one layer. The conductive portion may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive portion may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the metal constituting the outermost layer is preferably gold, nickel, palladium, copper or an alloy containing tin and silver, and is preferably gold. More preferred. When the metal constituting the outermost layer is these preferred metals, the connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the metal constituting the outermost layer is gold, the corrosion resistance is further enhanced. The metal constituting the outermost layer may be nickel.
上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法としては、シーターコンポーザ(徳寿工作所社製)等が用いられる。 The method of forming the conductive portion on the surface of the base particle is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive portion include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, a method by physical vapor deposition or physical adsorption, and a metal powder or metal powder. Examples thereof include a method of coating the surface of the substrate particles with a paste containing the binder and the binder. The method for forming the conductive portion is preferably a method by electroless plating, electroplating or physical collision. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering. Further, as the method by the above physical collision, a sheeter composer (manufactured by Tokuju Kosakusho Co., Ltd.) or the like is used.
上記導電部の厚みは、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電部全体の厚みである。導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子を十分に変形させることができる。 The thickness of the conductive portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.3 μm or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive portion when the conductive portion has multiple layers. When the thickness of the conductive portion is at least the above lower limit and at least the above upper limit, sufficient conductivity can be obtained, and the conductive particles are not too hard and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes. Can be made to.
上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くすることができる。また、上記最外層を構成する金属が金である場合には、最外層の厚みが薄いほど、コストを低くすることができる。 When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the thickness of the conductive portion of the outermost layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably. Is 0.1 μm or less. When the thickness of the conductive portion of the outermost layer is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the coating by the conductive portion of the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is sufficient. Can be lowered to. Further, when the metal constituting the outermost layer is gold, the thinner the outermost layer, the lower the cost.
上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み5箇所の平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子10個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM). Regarding the thickness of the conductive portion, it is preferable to calculate the average value of the thickness of any of the conductive portions at five points as the thickness of the conductive portion of one conductive particle, and the average value of the thickness of the entire conductive portion is one. It is more preferable to calculate as the thickness of the conductive portion of the conductive particles. The thickness of the conductive portion is preferably obtained by calculating the average value of the thickness of the conductive portion of each conductive particle for 10 arbitrary conductive particles.
(芯物質及び突起)
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記突起は、複数であることが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電部の表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電部とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、導電性粒子が絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂をより一層効果的に排除できる。このため、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。
(Core material and protrusions)
The conductive particles preferably have protrusions on the outer surface of the conductive portion. It is preferable that the number of the protrusions is plurality. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. When conductive particles having protrusions on the surface of the conductive portion are used, the oxide film can be effectively removed by the protrusions by arranging the conductive particles between the electrodes and crimping them. Therefore, the electrodes and the conductive portion come into contact with each other more reliably, and the connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the conductive particles include an insulating substance, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles provide insulation between the conductive particles and the electrode. The sex substance or the binder resin can be eliminated more effectively. Therefore, the connection resistance between the electrodes can be further reduced.
上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部内において、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。 It is preferable that the conductive particles include a plurality of core substances in which the surface of the conductive portion is raised so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion.
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、上記突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。 As a method of forming the above-mentioned protrusions, a method of forming a conductive portion by electroless plating after adhering a core substance to the surface of the base material particles, and a method of forming a conductive portion by electroless plating on the surface of the base material particles. After that, a method of adhering a core substance and further forming a conductive portion by electroless plating can be mentioned. Further, the core material may not be used to form the protrusions.
上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。 Examples of other methods for forming the protrusions include a method of adding a core substance in the middle of forming a conductive portion on the surface of the base particle. Further, in order to form protrusions, a conductive portion is formed on the base material particles by electroless plating without using the above-mentioned core substance, and then plating is deposited in a protrusion shape on the surface of the conductive portion, and further electroless plating is performed. You may use a method of forming a conductive portion by the above method.
基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御する観点からは、基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法は、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法であることが好ましい。 As a method of adhering the core substance to the surface of the base particle, the core substance is added to the dispersion liquid of the base particle, and the core substance is accumulated and adhered to the surface of the base particle by van der Waals force. Examples thereof include a method in which a core substance is added to a container containing the base material particles, and the core substance is adhered to the surface of the base material particles by a mechanical action such as rotation of the container. From the viewpoint of controlling the amount of the core substance to be adhered, the method of adhering the core substance to the surface of the base material particles is a method of accumulating and adhering the core substance to the surface of the base material particles in the dispersion liquid. preferable.
上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。酸化被膜をより一層効果的に排除する観点からは、上記芯物質は硬い方が好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質は、金属であることが好ましい。 Examples of the substance constituting the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina and zirconia. From the viewpoint of removing the oxide film more effectively, the core material is preferably hard. From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the core material is preferably a metal.
上記金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記金属は、ニッケル、銅、銀又は金であることが好ましい。上記金属は、上記導電部(導電層)を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。 The metal is not particularly limited. Examples of the metals include metals such as gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead alloys. Examples thereof include alloys composed of two or more kinds of metals such as tin-copper alloy, tin-silver alloy, tin-lead-silver alloy and tungsten carbide. From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the metal is preferably nickel, copper, silver or gold. The metal may be the same as or different from the metal constituting the conductive portion (conductive layer).
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core substance is not particularly limited. The shape of the core material is preferably lumpy. Examples of the core material include particulate lumps, agglomerates in which a plurality of fine particles are agglomerated, and amorphous lumps.
上記芯物質の粒子径は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The particle size of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the particle size of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.
上記芯物質の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。芯物質の粒子径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各芯物質の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの芯物質の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の芯物質の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの芯物質の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。 The particle size of the core material is preferably an average particle size, and more preferably a number average particle size. The particle size of the core substance can be obtained by observing 50 arbitrary core substances with an electron microscope or an optical microscope, calculating the average value of the particle size of each core substance, or using a particle size distribution measuring device. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each core substance is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 core materials in the equivalent circle diameter is substantially equal to the average particle diameter in the equivalent diameter of the sphere. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each core substance is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the core material is preferably calculated using a particle size distribution measuring device.
初期の接続抵抗をより一層低くし、高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上、さらに好ましくは50%以上である。上記突起がある部分の表面積は、95%以下であってもよく、90%以下であってもよく、80%以下であってもよい。 From the viewpoint of further lowering the initial connection resistance and further enhancing the conduction reliability under high temperature and high humidity, the surface area of the portion having the protrusion is preferably 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion. It is 25% or more, more preferably 30% or more, still more preferably 50% or more. The surface area of the portion having the protrusions may be 95% or less, 90% or less, or 80% or less.
上記導電性粒子1個当たりの上記突起の数は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。上記突起の数が、上記下限以上であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The number of the protrusions per one conductive particle is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle size of the conductive particles and the like. When the number of the protrusions is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.
上記突起の数は、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の数は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子における突起の数の平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The number of the protrusions can be calculated by observing arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope. The number of protrusions is preferably determined by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value of the number of protrusions in each conductive particle.
上記突起の高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The height of the protrusion is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the height of the protrusion is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.
上記突起の高さは、任意の導電性粒子における突起を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の高さは、導電性粒子1個当たりのすべての突起の高さの平均値を1個の導電性粒子の突起の高さとして算出することが好ましい。上記突起の高さは、任意の導電性粒子50個について、各導電性粒子の突起の高さの平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The height of the protrusions can be calculated by observing the protrusions on any conductive particle with an electron microscope or an optical microscope. The height of the protrusions is preferably calculated by calculating the average value of the heights of all the protrusions per conductive particle as the height of the protrusions of one conductive particle. It is preferable that the height of the protrusions is obtained by calculating the average value of the heights of the protrusions of each conductive particle for 50 arbitrary conductive particles.
(絶縁性物質)
導通性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていなくてもよい。絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層効果的に防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。さらに、導電部の外表面に突起を有する導電性粒子である場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
(Insulating substance)
From the viewpoint of further enhancing the conductivity, the conductive particles do not have to include an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. From the viewpoint of further enhancing the insulation reliability, it is preferable that the conductive particles include an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. In this case, if the conductive particles are used for the connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented more effectively. Specifically, when a plurality of conductive particles come into contact with each other, an insulating substance exists between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the lateral direction rather than between the upper and lower electrodes. By pressurizing the conductive particles with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. Further, in the case of the conductive particles having protrusions on the outer surface of the conductive portion, the insulating substance between the conductive portion of the conductive portion and the electrode can be more easily removed.
上記絶縁性物質としては、絶縁層及び絶縁性粒子等が挙げられる。電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 Examples of the insulating substance include an insulating layer and insulating particles. The insulating substance is preferably insulating particles because the insulating substance can be more easily removed during crimping between the electrodes.
上記絶縁性物質の材料としては、上述した有機材料、上述した無機材料、及び上述した基材粒子の材料として挙げた無機物等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、上述した有機材料であることが好ましい。 Examples of the material of the insulating substance include the above-mentioned organic material, the above-mentioned inorganic material, and the above-mentioned inorganic substance as the material of the base particle. The material of the insulating substance is preferably the organic material described above.
上記絶縁性物質の他の材料としては、ポリオレフィン化合物、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Other materials of the insulating substance include polyolefin compounds, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins and water-soluble materials. Examples include resin. As the material of the insulating substance, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリドデシル(メタ)アクリレート及びポリステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋物としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。 Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polydodecyl (meth) acrylate, and polystearyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, melamine resin and the like. Examples of the crosslinked product of the thermoplastic resin include the introduction of polyethylene glycol methacrylate, alkoxylated trimethylolpropane methacrylate, alkoxylated pentaerythritol methacrylate and the like. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methyl cellulose and the like. Further, a chain transfer agent may be used to adjust the degree of polymerization. Examples of the chain transfer agent include thiols and carbon tetrachloride.
上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法は、物理的方法であることが好ましい。 Examples of the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive portion include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion method, spraying method, dipping and vacuum deposition method. From the viewpoint of further effectively enhancing the insulation reliability and the conduction reliability when the electrodes are electrically connected, the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive portion is a physical method. It is preferable to have.
上記導電部の外表面、及び上記絶縁性物質の外表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。上記導電部の外表面と上記絶縁性物質の外表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。上記導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の外表面の官能基と化学結合していても構わない。 The outer surface of the conductive portion and the outer surface of the insulating substance may each be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive portion and the outer surface of the insulating substance may not be directly chemically bonded, or may be indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group into the outer surface of the conductive portion, the carboxyl group may be chemically bonded to a functional group on the outer surface of the insulating substance via a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.
上記絶縁性物質が絶縁性粒子である場合、上記絶縁性粒子の粒子径は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の粒子径は、好ましくは10nm以上、より好ましくは100nm以上、さらに好ましくは300nm以上、特に好ましくは500nm以上であり、好ましくは4000nm以下、より好ましくは2000nm以下、さらに好ましくは1500nm以下、特に好ましくは1000nm以下である。絶縁性粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の粒子径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 When the insulating substance is an insulating particle, the particle size of the insulating particle can be appropriately selected depending on the particle size of the conductive particle, the use of the conductive particle, and the like. The particle size of the insulating particles is preferably 10 nm or more, more preferably 100 nm or more, further preferably 300 nm or more, particularly preferably 500 nm or more, preferably 4000 nm or less, more preferably 2000 nm or less, still more preferably 1500 nm or less. , Especially preferably 1000 nm or less. When the particle size of the insulating particles is at least the above lower limit, it becomes difficult for the conductive portions of the plurality of conductive particles to come into contact with each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the particle size of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to increase the pressure too much in order to eliminate the insulating particles between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes, and the temperature is high. There is no need to heat it.
上記絶縁性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。絶縁性粒子の粒子径は、任意の絶縁性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各絶縁性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の絶縁性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。上記導電性粒子において、上記絶縁性粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。 The particle size of the insulating particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. For the particle size of the insulating particles, observe 50 arbitrary insulating particles with an electron microscope or an optical microscope, calculate the average value of the particle size of each insulating particle, or use a particle size distribution measuring device. Desired. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each insulating particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 insulating particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each insulating particle is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the insulating particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. When measuring the particle size of the insulating particles in the conductive particles, for example, the measurement can be performed as follows.
導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率5万倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性粒子を観察する。各導電性粒子における絶縁性粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して絶縁性粒子の粒子径とする。 Conductive particles are added to "Technobit 4000" manufactured by Kulzer so as to have a content of 30% by weight and dispersed to prepare an embedded resin for conducting conductive particle inspection. A cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling device (“IM4000” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the dispersed conductive particles in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification was set to 50,000 times, 50 conductive particles were randomly selected, and the insulating particles of each conductive particle were observed. To do. The particle size of the insulating particles in each conductive particle is measured, and they are arithmetically averaged to obtain the particle size of the insulating particles.
上記導電性粒子の粒子径の、上記絶縁性粒子の粒子径に対する比(導電性粒子の粒子径/絶縁性粒子の粒子径)は、好ましくは4以上、より好ましくは8以上であり、好ましくは200以下、より好ましくは100以下である。上記比(導電性粒子の粒子径/絶縁性粒子の粒子径)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The ratio of the particle size of the conductive particles to the particle size of the insulating particles (particle size of the conductive particles / particle size of the insulating particles) is preferably 4 or more, more preferably 8 or more, and preferably 8. It is 200 or less, more preferably 100 or less. When the above ratio (particle size of conductive particles / particle size of insulating particles) is equal to or more than the above lower limit and less than or equal to the above upper limit, the insulation reliability and conduction reliability are further improved when the electrodes are electrically connected. It can be enhanced more effectively.
(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、導電性粒子同士の凝集の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the above-mentioned conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and used, and preferably dispersed in the binder resin and used as the conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between electrodes. The conductive material is preferably a conductive material for circuit connection. Since the above-mentioned conductive particles are used in the above-mentioned conductive material, the connection resistance between the electrodes can be lowered more effectively, and the occurrence of aggregation between the conductive particles can be further effectively suppressed. be able to. Since the above-mentioned conductive particles are used in the above-mentioned conductive material, the insulation reliability between the electrodes can be further effectively enhanced.
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used. The binder resin preferably contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably contains a curable component. Examples of the curable component include a photocurable component and a thermosetting component. The photocurable component preferably contains a photocurable compound and a photopolymerization initiator. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.
上記バインダー樹脂としては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. Only one kind of the binder resin may be used, or two or more kinds may be used in combination.
上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, and unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated additive of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene-styrene. Examples include a hydrogenated additive of a block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, a bulking agent, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a photostabilizer. It may contain various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant.
上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。 As a method for dispersing the conductive particles in the binder resin, a conventionally known dispersion method can be used and is not particularly limited. Examples of the method for dispersing the conductive particles in the binder resin include the following methods. A method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like. A method in which the conductive particles are uniformly dispersed in water or an organic solvent using a homogenizer or the like, added to the binder resin, and kneaded and dispersed by a planetary mixer or the like. A method in which the binder resin is diluted with water or an organic solvent, the conductive particles are added, and the binder resin is kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like.
上記導電材料の25℃での粘度(η25)は、好ましくは30Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上であり、好ましくは400Pa・s以下、より好ましくは300Pa・s以下である。上記導電材料の25℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。 The viscosity (η25) of the conductive material at 25 ° C. is preferably 30 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, preferably 400 Pa · s or less, and more preferably 300 Pa · s or less. When the viscosity of the conductive material at 25 ° C. is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the insulation reliability between the electrodes can be further effectively enhanced, and the conduction reliability between the electrodes is further effective. Can be enhanced to. The viscosity (η25) can be appropriately adjusted depending on the type and amount of the compounding components.
上記粘度(η25)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定することができる。 The viscosity (η25) can be measured at 25 ° C. and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste, a conductive film, or the like. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film containing no conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.
上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。 The content of the binder resin in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 70% by weight or more. Is 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further enhanced. Can be done.
上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。 The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight. % Or less, more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively lowered. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes can be further improved.
(接続構造体)
本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。
(Connection structure)
The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. It includes a connecting portion that connects to the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the above-mentioned conductive particles or a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
上記接続構造体は、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材との間に、上記導電性粒子又は上記導電材料を配置する工程と、熱圧着することにより導電接続する工程とを経て、得ることができる。上記導電性粒子が上記絶縁性物質を有する場合には、上記熱圧着時に、上記絶縁性物質が上記導電性粒子から脱離することが好ましい。 The connection structure includes a step of arranging the conductive particles or the conductive material between the first connection target member and the second connection target member, and a step of conducting a conductive connection by thermocompression bonding. Can be obtained through. When the conductive particles have the insulating substance, it is preferable that the insulating substance is desorbed from the conductive particles at the time of thermocompression bonding.
上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。即ち、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。 When the conductive particles are used alone, the connecting portion itself is the conductive particles. That is, the first connection target member and the second connection target member are connected by the conductive particles. The conductive material used to obtain the connection structure is preferably an anisotropic conductive material.
図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。 FIG. 5 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.
図5に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図5では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1に代えて、導電性粒子11,21等の他の導電性粒子を用いてもよい。
The
第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。
The first
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記熱圧着の圧力は好ましくは40MPa以上、より好ましくは60MPa以上であり、好ましくは90MPa以下、より好ましくは70MPa以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上であり、好ましくは140℃以下、より好ましくは120℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、導電接続時に導電性粒子の表面から絶縁性粒子が容易に脱離できる。 The method for manufacturing the connection structure is not particularly limited. As an example of a method for manufacturing a connection structure, the conductive material is arranged between a first connection target member and a second connection target member, and after obtaining a laminate, the laminate is heated and pressurized. The method and the like can be mentioned. The thermocompression bonding pressure is preferably 40 MPa or more, more preferably 60 MPa or more, preferably 90 MPa or less, and more preferably 70 MPa or less. The heating temperature of the thermocompression bonding is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or lower, and more preferably 120 ° C. or lower. When the pressure and temperature of the thermocompression bonding are at least the above lower limit and at least the above upper limit, the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes can be further improved. Further, when the conductive particles have the insulating particles, the insulating particles can be easily separated from the surface of the conductive particles at the time of conductive connection.
上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、上記積層体を加熱及び加圧する際に、上記導電性粒子と、上記第1の電極及び上記第2の電極との間に存在している上記絶縁性粒子を排除することができる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子と、上記第1の電極及び上記第2の電極との間に存在している上記絶縁性粒子が、上記導電性粒子の表面から容易に脱離する。なお、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子の表面から一部の上記絶縁性粒子が脱離して、上記導電部の表面が部分的に露出することがある。上記導電部の表面が露出した部分が、上記第1の電極及び上記第2の電極に接触することにより、上記導電性粒子を介して第1の電極と第2の電極とを電気的に接続することができる。 When the conductive particles have the insulating particles, they are present between the conductive particles and the first electrode and the second electrode when the laminate is heated and pressurized. The above insulating particles can be eliminated. For example, during the heating and pressurization, the insulating particles existing between the conductive particles and the first electrode and the second electrode are released from the surface of the conductive particles. Easy to detach. During the heating and pressurization, some of the insulating particles may be separated from the surface of the conductive particles, and the surface of the conductive portion may be partially exposed. When the exposed surface of the conductive portion comes into contact with the first electrode and the second electrode, the first electrode and the second electrode are electrically connected via the conductive particles. can do.
上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。 The first connection target member and the second connection target member are not particularly limited. Specific examples of the first connection target member and the second connection target member include electronic components such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, capacitors and diodes, resin films, printed circuit boards, and flexible devices. Examples thereof include electronic components such as printed circuit boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and circuit boards such as glass boards. The first connection target member and the second connection target member are preferably electronic components.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a metal electrode such as a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed substrate, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrodes are preferably aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes or tungsten electrodes. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.
得られる導電性粒子において、以下の有機珪素官能基を導入するために、以下の有機珪素化合物を用いた。 In order to introduce the following organic silicon functional groups into the obtained conductive particles, the following organic silicon compounds were used.
A:炭素数10のアルキル基を有する有機珪素官能基を導入するための有機珪素化合物
デシルトリメトキシシラン(有機珪素化合物A)
B:ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基を導入するための有機珪素化合物
ベンゾトリアゾールメチルトリメトキシシラン(メチルトリメトキシシランのメチル基にベンゾトリアゾール基が付与された化合物)(有機珪素化合物B)
C:(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基を導入するための有機珪素化合物
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(有機珪素化合物C)
D:エポキシ基を有する有機珪素官能基を導入するための有機珪素化合物
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(有機珪素化合物D)
A: Organic silicon compound for introducing an organic silicon functional group having an alkyl group having 10 carbon atoms Decyltrimethoxysilane (organic silicon compound A)
B: Organic silicon compound for introducing an organic silicon functional group having a benzotriazole group Bentriazole methyltrimethoxysilane (a compound in which a benzotriazole group is added to the methyl group of methyltrimethoxysilane) (organic silicon compound B)
C: Organic silicon compound for introducing an organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (organic silicon compound C)
D: Organic silicon compound for introducing an organic silicon functional group having an epoxy group 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (organic silicon compound D)
得られる導電性粒子において、導電部を表面処理するために、以下の化合物を用いた。 In the obtained conductive particles, the following compounds were used for surface treatment of the conductive portion.
リン酸化合物:リン酸モノヘキシルエステル
ベンゾトリアゾール化合物:1,2,3−ベンゾトリアゾール
チアゾール化合物:2−メルカプトベンゾチアゾール
Phosphoric acid compound: Phosphoric acid monohexyl ester Benzotriazole compound: 1,2,3-benzotriazole Thiazol compound: 2-Mercaptobenzotriazole
(実施例1)
(1)導電性粒子の作製
基材粒子Aとして、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(基材粒子A、積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」、粒子径3μm)を用意した。パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。
(Example 1)
(1) Preparation of Conductive Particles Divinylbenzene copolymer resin particles (base particle A, “Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
次に、アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)1重量部を3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む懸濁液を得た。 Next, 1 part by weight of an alumina particle slurry (average particle size 150 nm) was added to the dispersion liquid over 3 minutes to obtain a suspension containing the base particle A to which the core substance was attached.
また、ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル0.14mol/L、ジメチルアミンボラン0.46mol/L、及びクエン酸ナトリウム0.2mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。 Further, as the nickel plating solution, a nickel plating solution (pH 8.5) containing nickel sulfate 0.14 mol / L, dimethylamine borane 0.46 mol / L, and sodium citrate 0.2 mol / L was prepared.
得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に、滴下速度30mL/分の条件で10分間滴下した。その後、滴下速度10mL/分の条件で40分間滴下し、さらにその後、滴下速度4mL/分の条件で80分間滴下することで、めっき膜中に取り込まれるボロンの含有量を制御しながら、無電解ニッケル−ボロン合金めっきを行った。 While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution was added dropwise to the suspension at a dropping rate of 30 mL / min for 10 minutes. Then, the mixture was added dropwise at a dropping rate of 10 mL / min for 40 minutes, and then dropped at a dropping rate of 4 mL / min for 80 minutes to control the content of boron incorporated in the plating film without electrolessing. Nickel-boron alloy plating was performed.
その後、上記懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を得た。 Then, by filtering the suspension, the particles are taken out, washed with water, and dried to form a first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) on the surface of the base particle A. Placed particles were obtained.
エタノール100重量部に、得られた粒子5重量部を分散させて、粒子分散液を得た。 5 parts by weight of the obtained particles were dispersed in 100 parts by weight of ethanol to obtain a particle dispersion liquid.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物A1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Aを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物D1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Dを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound A were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution A. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound D were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution D.
上記溶液Aと上記溶液Dとを上記粒子分散液に入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物A及びDにより修飾された導電性粒子を得た。 The solution A and the solution D were placed in the particle dispersion, heated to 50 ° C. and stirred to obtain conductive particles whose surface was modified with the organic silicon compounds A and D.
(2)導電材料の作製
フェノキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「YP−50」)60重量部と、エポキシ樹脂(三菱化学社製「jER828」)40重量部と、カチオン系硬化剤(三新化学工業社製「SI−60L」)2重量部とを配合して絶縁接着剤を得た。該絶縁接着剤に、得られた導電性粒子を、得られる導電フィルム100重量%中での含有量が5重量%となるように添加して、第1の混合物を得た。その後、第1の混合物に、固形分量が50重量%となるようにメチルエチルケトンを添加し、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、第2の混合物を得た。得られた第2の混合物を剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。
(2) Preparation of conductive material 60 parts by weight of phenoxy resin (Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd. "YP-50"), 40 parts by weight of epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "jER828"), and cationic curing agent (3) 2 parts by weight of "SI-60L" manufactured by Shin Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was blended to obtain an insulating adhesive. The obtained conductive particles were added to the insulating adhesive so that the content in 100% by weight of the obtained conductive film was 5% by weight to obtain a first mixture. Then, methyl ethyl ketone was added to the first mixture so that the solid content was 50% by weight, and the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a second mixture. The obtained second mixture was applied onto the stripped polyethylene terephthalate, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.
(3)接続構造体の作製
L/Sが20μm/20μmのAl−Ti4%電極パターン(Al−Ti4%電極厚み1μm)を上面に有するポリイミド基板(フレキシブルプリント基板)を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。上記ポリイミド基板の上面に、作成した異方性導電フィルムを80℃、0.98MPa(10kgf/cm2)で貼り付けた後、セパレータを剥離し、金バンプ付きチップのバンプとAl―Ti回路との位置合わせを行った。次いで、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、圧着面積から算出される1MPaの低圧力を付与しつつ、異方性導電材料層を180℃で硬化させ、接続構造体を得た。
(3) Preparation of Connection Structure A polyimide substrate (flexible printed circuit board) having an Al—Ti 4% electrode pattern (Al—Ti 4
(実施例2)
基材粒子Aとして、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(基材粒子A、積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」、粒子径3μm)を用意した。パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、芯物質が付着されていない基材粒子Aを含む懸濁液を得た。得られた懸濁液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 2)
As the base particle A, divinylbenzene copolymer resin particles (base particle A, “Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例3)
アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)の代わりに、ニッケル粒子スラリー(平均粒子径150nm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that a nickel particle slurry (average particle size 150 nm) was used instead of the alumina particle slurry (average particle size 150 nm).
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例4)
アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)の代わりに、チタニア粒子スラリー(平均粒子径150nm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 4)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that a titania particle slurry (average particle size 150 nm) was used instead of the alumina particle slurry (average particle size 150 nm).
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例5)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が1.5μmである基材粒子Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 5)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles B, which differed only in particle size from the base particles A and had a particle size of 1.5 μm, were used.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例6)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が20μmである基材粒子Cを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 6)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles C, which differed only in particle size from the base particles A and had a particle size of 20 μm, were used.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例7)
4つ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、以下のモノマー組成物を入れ、モノマー組成物の固形分率が5重量%となるようにイオン交換水を秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。上記モノマー組成物は、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含む。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 7)
The following monomer composition is placed in a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirring blade, a three-way cock, a cooling tube and a temperature probe, and the solid content of the monomer composition becomes 5% by weight. After weighing the ion-exchanged water as described above, the mixture was stirred at 200 rpm and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. The above-mentioned monomer composition contains 100 mmol of methyl methacrylate, 1 mmol of N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethylammonium chloride, and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride. Including. After completion of the reaction, the reaction was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, having an average particle size of 220 nm and a CV value of 10%.
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of the insulating particles.
実施例1で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子(絶縁性粒子付き導電性粒子)を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 1 was dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtering with a 3 μm mesh filter, the mixture was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles to which insulating particles were attached (conductive particles with insulating particles).
走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は40%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. When the covering area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated for an area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis, the covering ratio was 40%.
得られた導電性粒子(絶縁性粒子付き導電性粒子)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles (conductive particles with insulating particles) were used.
(実施例8)
攪拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン1.9gと、ビニルトリメトキシシラン12.7gと、シリコーンアルコキシオリゴマーA(信越化学工業社製「KR−517」)0.4gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液1.6mL添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−10atm、380℃(焼成温度)で2時間(焼成時間)焼成して、有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子D)を得た。得られた有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子D)の粒子径は3μmであった。
(Example 8)
300 g of a 0.13 wt% ammonia aqueous solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer. Next, in the aqueous ammonia solution in the reaction vessel, 1.9 g of methyltrimethoxysilane, 12.7 g of vinyltrimethoxysilane, and 0.4 g of silicone alkoxy oligomer A (“KR-517” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were added. The mixture of was added slowly. After advancing the hydrolysis and condensation reaction with stirring, 1.6 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution was added, and then the particles were isolated from the aqueous ammonia solution, and the obtained particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10-10 atm. Organic-inorganic hybrid particles (base particle D) were obtained by firing at 380 ° C. (baking temperature) for 2 hours (baking time). The particle size of the obtained organic-inorganic hybrid particles (base particle D) was 3 μm.
基材粒子Aの代わりに、基材粒子Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base particles D were used instead of the base particles A.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例9)
実施例1と同様の懸濁液を用意した。
(Example 9)
A suspension similar to that of Example 1 was prepared.
ニッケルめっき液(1)として、硫酸ニッケル0.14mol/L、ジメチルアミンボラン0.46mol/L、及びクエン酸ナトリウム0.2mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。 As the nickel plating solution (1), a nickel plating solution (pH 8.5) containing nickel sulfate 0.14 mol / L, dimethylamine borane 0.46 mol / L, and sodium citrate 0.2 mol / L was prepared.
また、ニッケルめっき液(2)として、硫酸ニッケル0.14mol/L、及び塩化チタン(III)0.60mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.0)を用意した。 Further, as the nickel plating solution (2), a nickel plating solution (pH 8.0) containing nickel sulfate 0.14 mol / L and titanium chloride (III) 0.60 mol / L was prepared.
得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液(1)を懸濁液に、滴下速度6mL/分の条件で5分間滴下した。その後、滴下速度2mL/分の条件で20分間滴下し、さらにその後、滴下速度0.8mL/分の条件で40分間滴下することで、めっき膜中に取り込まれるボロンの含有量を制御しながら、基材粒子Aの表面に無電解ニッケル−ボロン合金めっきを行った(厚み0.05μm)。続いて、液温を70℃に設定して、上記ニッケルめっき液(2)を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、懸濁液(2)を得た。 While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution (1) was added dropwise to the suspension at a dropping rate of 6 mL / min for 5 minutes. Then, the particles were added dropwise at a dropping rate of 2 mL / min for 20 minutes, and then dropped at a dropping rate of 0.8 mL / min for 40 minutes to control the content of boron incorporated in the plating film. The surface of the base particle A was plated with an electroless nickel-boron alloy (thickness: 0.05 μm). Subsequently, the liquid temperature was set to 70 ° C., the nickel plating liquid (2) was gradually added dropwise, electroless nickel plating was performed, and a suspension (2) was obtained.
その後、懸濁液(2)をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面上に、ニッケル−ボロン合金の導電層(厚み0.05μm)と純ニッケル導電層(厚み0.05μm)とを含む第1の導電部(主金属:ニッケル、厚み0.1μm)が配置された粒子を得た。 Then, by filtering the suspension (2), the particles are taken out, washed with water, and dried to form a nickel-boron alloy conductive layer (thickness: 0.05 μm) and pure on the surface of the base particle A. Particles were obtained in which a first conductive portion (main metal: nickel, thickness 0.1 μm) including a nickel conductive layer (thickness 0.05 μm) was arranged.
得られた粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained particles were used.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例10)
実施例1と同様の粒子分散液を用意した。
(Example 10)
A particle dispersion similar to that of Example 1 was prepared.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物A1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Aを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物B1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Bを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物D1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Dを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound A were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution A. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of organic silicon compound B were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution B. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound D were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution D.
上記溶液Aと上記溶液Bと上記溶液Dとを上記粒子分散液に入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物A及びB及びDにより修飾された導電性粒子を得た。 The solution A, the solution B, and the solution D are placed in the particle dispersion, heated to 50 ° C., and stirred to obtain conductive particles whose surface is modified with the organic silicon compounds A, B, and D. Obtained.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例11)
実施例1と同様の粒子分散液を用意した。
(Example 11)
A particle dispersion similar to that of Example 1 was prepared.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物A1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Aを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物C1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Cを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物D1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Dを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound A were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution A. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of organic silicon compound C were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution C. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound D were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution D.
上記溶液Aと上記溶液Cと上記溶液Dとを上記粒子分散液に入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物A及びC及びDにより修飾された導電性粒子を得た。 The solution A, the solution C, and the solution D are placed in the particle dispersion, heated to 50 ° C., and stirred to obtain conductive particles whose surface is modified with the organic silicon compounds A, C, and D. Obtained.
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド社製「PKHC」)と、アクリルゴム(ブチルアクリレート40重量部、エチルアクリレート30重量部、アクリロニトリル30重量部、及びグリシジルメタクリレート3重量部の共重合体、重量平均分子量:85万)とを用意した。上記フェノキシ樹脂30gと、上記アクリルゴム15gとを酢酸エチル20gに溶解して、フェノキシ樹脂とアクリルゴムとの合計濃度が30重量%の溶液を得た。この溶液に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂(エポキシ当量185、旭化成エポキシ社製「ノバキュアHX−3941」)30gを加えて撹拌し、絶縁接着剤溶液を作製した。該絶縁接着剤溶液に、得られた導電性粒子を、得られる導電フィルム100重量%中での含有量が5重量%となるように添加して、第1の混合物を得た。その後、第1の混合物に、固形分量が50%となるようにメチルエチルケトンを添加し、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、第2の混合物を得た。得られた第2の混合物を、剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。 Copolymer of phenoxy resin (“PKHC” manufactured by Union Carbide) and acrylic rubber (40 parts by weight of butyl acrylate, 30 parts by weight of ethyl acrylate, 30 parts by weight of acrylonitrile, and 3 parts by weight of glycidyl methacrylate, weight average molecular weight: 850,000 ) And prepared. 30 g of the phenoxy resin and 15 g of the acrylic rubber were dissolved in 20 g of ethyl acetate to obtain a solution having a total concentration of the phenoxy resin and the acrylic rubber of 30% by weight. To this solution, 30 g of a liquid epoxy resin containing a microcapsule type latent curing agent (epoxy equivalent 185, "Novacure HX-3941" manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd.) was added and stirred to prepare an insulating adhesive solution. The obtained conductive particles were added to the insulating adhesive solution so that the content in 100% by weight of the obtained conductive film was 5% by weight to obtain a first mixture. Then, methyl ethyl ketone was added to the first mixture so that the solid content was 50%, and the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a second mixture. The obtained second mixture was applied onto the stripped polyethylene terephthalate, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.
得られた導電フィルムを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、接続構造体を得た。 A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive film was used.
(実施例12)
実施例1と同様の粒子分散液を用意した。
(Example 12)
A particle dispersion similar to that of Example 1 was prepared.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物A1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Aを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物B1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Bを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物C1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Cを得た。エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物D1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Dを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound A were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution A. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of organic silicon compound B were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution B. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of organic silicon compound C were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution C. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound D were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution D.
上記溶液Aと上記溶液Bと上記溶液Cと上記溶液Dとを上記粒子分散液に入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物A及びB及びC及びDにより修飾された導電性粒子を得た。 The surface of the particles is modified with the organic silicon compounds A and B and C and D by putting the solution A, the solution B, the solution C and the solution D in the particle dispersion, heating the particles to 50 ° C. and stirring them. The obtained conductive particles were obtained.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド社製「PKHC」)と、アクリルゴム(ブチルアクリレート40重量部、エチルアクリレート30重量部、アクリロニトリル30重量部、及びグリシジルメタクリレート3重量部の共重合体、重量平均分子量:85万)とを用意した。上記フェノキシ樹脂30gと、上記アクリルゴム15gとを酢酸エチル20gに溶解して、フェノキシ樹脂とアクリルゴムとの合計濃度が30重量%の溶液を得た。この溶液に、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂(エポキシ当量185、旭化成エポキシ社製「ノバキュアHX−3941」)30gを加えて撹拌し、絶縁接着剤溶液を作製した。該絶縁接着剤溶液に、得られた導電性粒子を、得られる導電フィルム100重量%中での含有量が5重量%となるように添加して、第1の混合物を得た。その後、第1の混合物に、固形分量が50%となるようにメチルエチルケトンを添加し、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、第2の混合物を得た。得られた第2の混合物を、剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。 Copolymer of phenoxy resin (“PKHC” manufactured by Union Carbide) and acrylic rubber (40 parts by weight of butyl acrylate, 30 parts by weight of ethyl acrylate, 30 parts by weight of acrylonitrile, and 3 parts by weight of glycidyl methacrylate, weight average molecular weight: 850,000 ) And prepared. 30 g of the phenoxy resin and 15 g of the acrylic rubber were dissolved in 20 g of ethyl acetate to obtain a solution having a total concentration of the phenoxy resin and the acrylic rubber of 30% by weight. To this solution, 30 g of a liquid epoxy resin containing a microcapsule type latent curing agent (epoxy equivalent 185, "Novacure HX-3941" manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd.) was added and stirred to prepare an insulating adhesive solution. The obtained conductive particles were added to the insulating adhesive solution so that the content in 100% by weight of the obtained conductive film was 5% by weight to obtain a first mixture. Then, methyl ethyl ketone was added to the first mixture so that the solid content was 50%, and the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer to obtain a second mixture. The obtained second mixture was applied onto the stripped polyethylene terephthalate, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.
得られた導電フィルムを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、接続構造体を得た。 A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive film was used.
(実施例13)
実施例1と同様の粒子分散液を用意した。
(Example 13)
A particle dispersion similar to that of Example 1 was prepared.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物B1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Bを得た。エタノール50重量部に水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物D1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Dを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of organic silicon compound B were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution B. To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound D were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution D.
上記溶液Bと上記溶液Dとを上記粒子分散液に入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物B及びDにより修飾された導電性粒子を得た。 The solution B and the solution D were placed in the particle dispersion, heated to 50 ° C. and stirred to obtain conductive particles whose surface was modified with the organic silicon compounds B and D.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例14)
実施例1と同様の粒子、即ち基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を用意した。
(Example 14)
The same particles as in Example 1, that is, particles in which the first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) was arranged on the surface of the base particle A was prepared.
得られた粒子10重量部を、超音波処理機により、イオン交換水500重量部に分散させて、懸濁液を得た。 10 parts by weight of the obtained particles were dispersed in 500 parts by weight of ion-exchanged water by an ultrasonic treatment machine to obtain a suspension.
硫酸パラジウム0.02mol/L、錯化剤としてエチレンジアミン0.04mol/L、還元剤として蟻酸アンモニウム0.06mol/L、及び結晶調整剤を含むパラジウムめっき液(pH10.0)を用意した。 A palladium plating solution (pH 10.0) containing 0.02 mol / L of palladium sulfate, 0.04 mol / L of ethylenediamine as a complexing agent, 0.06 mol / L of ammonium formic acid as a reducing agent, and a crystal modifier was prepared.
得られた懸濁液を50℃で攪拌しながら、上記パラジウムめっき液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行い、第2の導電部を形成した。第2の導電部の厚みが20nmになった時点で無電解パラジウムめっきを終了した。上記第1の導電部の表面上に第2の導電部(パラジウム層、厚み0.02μm)が配置された導電性粒子(粒子径3.24μm)を得た。 While stirring the obtained suspension at 50 ° C., the palladium plating solution was gradually added to perform electroless palladium plating to form a second conductive portion. Electroless palladium plating was completed when the thickness of the second conductive portion reached 20 nm. Conductive particles (particle diameter 3.24 μm) in which the second conductive portion (palladium layer, thickness 0.02 μm) was arranged on the surface of the first conductive portion were obtained.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例15)
第2の導電部を形成する際に、無電解パラジウムめっきの代わりに、無電解金めっきを施したこと以外は、実施例14と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 15)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 14 except that electroless gold plating was performed instead of electroless palladium plating when forming the second conductive portion.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例16)
第2の導電部を形成する際に、無電解パラジウムめっきの代わりに、無電解銀めっきを施したこと以外は、実施例14と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 16)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 14 except that electroless silver plating was applied instead of electroless palladium plating when forming the second conductive portion.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例17)
第2の導電部を形成する際に、無電解パラジウムめっきの代わりに、無電解ルテニウムめっきを施したこと以外は、実施例14と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 17)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 14 except that electroless ruthenium plating was applied instead of electroless palladium plating when forming the second conductive portion.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(実施例18)
実施例1と同様の懸濁液を用意した。
(Example 18)
A suspension similar to that of Example 1 was prepared.
ニッケルめっき液(1)として、硫酸ニッケル0.14mol/L、ジメチルアミンボラン0.46mol/L、及びクエン酸ナトリウム0.2mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。 As the nickel plating solution (1), a nickel plating solution (pH 8.5) containing nickel sulfate 0.14 mol / L, dimethylamine borane 0.46 mol / L, and sodium citrate 0.2 mol / L was prepared.
また、ニッケルめっき液(2)として、硫酸ニッケル0.14mol/L、及び塩化チタン(III)0.60mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.0)を用意した。 Further, as the nickel plating solution (2), a nickel plating solution (pH 8.0) containing nickel sulfate 0.14 mol / L and titanium chloride (III) 0.60 mol / L was prepared.
得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液(1)を懸濁液に、滴下速度6mL/分の条件で10分間滴下した。その後、滴下速度2mL/分の条件で40分間滴下し、さらにその後、滴下速度0.8mL/分の条件で80分間滴下することで、めっき膜中に取り込まれるボロンの含有量を制御しながら、基材粒子Aの表面に無電解ニッケル−ボロン合金めっきを行った(厚み0.02μm)。続いて、液温を70℃に設定して、上記ニッケルめっき液(2)を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、懸濁液(2)を得た。 While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution (1) was added dropwise to the suspension at a dropping rate of 6 mL / min for 10 minutes. Then, the particles were added dropwise at a dropping rate of 2 mL / min for 40 minutes, and then dropped at a dropping rate of 0.8 mL / min for 80 minutes to control the content of boron incorporated in the plating film. The surface of the base particle A was plated with an electroless nickel-boron alloy (thickness 0.02 μm). Subsequently, the liquid temperature was set to 70 ° C., the nickel plating liquid (2) was gradually added dropwise, electroless nickel plating was performed, and a suspension (2) was obtained.
その後、懸濁液(2)をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面上に、ニッケル−ボロン合金の導電層(厚み0.02μm)と純ニッケル導電層(厚み0.08μm)とを含む第1の導電部(主金属:ニッケル、厚み0.1μm)が配置された粒子を得た。 Then, by filtering the suspension (2), the particles are taken out, washed with water, and dried to form a nickel-boron alloy conductive layer (thickness 0.02 μm) and pure on the surface of the base particle A. Particles were obtained in which a first conductive portion (main metal: nickel, thickness 0.1 μm) including a nickel conductive layer (thickness 0.08 μm) was arranged.
得られた粒子10重量部を、超音波処理機により、イオン交換水500重量部に分散させて、懸濁液を得た。 10 parts by weight of the obtained particles were dispersed in 500 parts by weight of ion-exchanged water by an ultrasonic treatment machine to obtain a suspension.
硫酸パラジウム0.02mol/L、錯化剤としてエチレンジアミン0.04mol/L、還元剤として蟻酸アンモニウム0.06mol/L、及び結晶調整剤を含むめっき液(pH10.0)を用意した。 A plating solution (pH 10.0) containing 0.02 mol / L of palladium sulfate, 0.04 mol / L of ethylenediamine as a complexing agent, 0.06 mol / L of ammonium formic acid as a reducing agent, and a crystal modifier was prepared.
得られた懸濁液を50℃で攪拌しながら、上記パラジウムめっき液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行い、第2の導電部を形成した。第2の導電部の厚みが20nmになった時点で無電解パラジウムめっきを終了した。上記第1の導電部の表面上に第2の導電部(パラジウム層、厚み0.02μm)が配置された導電性粒子(粒子径3.24μm)を得た。 While stirring the obtained suspension at 50 ° C., the palladium plating solution was gradually added to perform electroless palladium plating to form a second conductive portion. Electroless palladium plating was completed when the thickness of the second conductive portion reached 20 nm. Conductive particles (particle diameter 3.24 μm) in which the second conductive portion (palladium layer, thickness 0.02 μm) was arranged on the surface of the first conductive portion were obtained.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(比較例1)
実施例1と同様の基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を、比較例1の導電性粒子して用意した。なお、実施例1とは異なり、有機珪素化合物による表面処理は行わなかった。
(Comparative Example 1)
Particles in which the first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) was arranged on the surface of the base particle A similar to that in Example 1 were prepared as the conductive particles of Comparative Example 1. In addition, unlike Example 1, the surface treatment with the organic silicon compound was not performed.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(比較例2)
実施例1と同様の基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を用意した。
(Comparative Example 2)
Particles in which the first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) was arranged on the surface of the base particle A similar to that in Example 1 were prepared.
純水25重量部とエタノール25重量部との混合液中に、上記粒子10重量部とリン酸モノヘキシルエステル0.5重量部とを入れ、50℃で1時間攪拌した。その後、ろ過し、真空乾燥機により100℃で8時間乾燥させ、導電層の外表面上に、リン酸モノヘキシルエステルにより形成された被膜を有する導電性粒子を得た。 10 parts by weight of the particles and 0.5 part by weight of phosphoric acid monohexyl ester were placed in a mixed solution of 25 parts by weight of pure water and 25 parts by weight of ethanol, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour. Then, it was filtered and dried at 100 ° C. for 8 hours by a vacuum dryer to obtain conductive particles having a film formed of a phosphoric acid monohexyl ester on the outer surface of the conductive layer.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(比較例3)
実施例1と同様の基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を用意した。
(Comparative Example 3)
Particles in which the first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) was arranged on the surface of the base particle A similar to that in Example 1 were prepared.
純水25重量部とエタノール25重量部との混合液中に、上記粒子10重量部と1,2,3−ベンゾトリアゾール0.5重量部とを入れ、50℃で1時間攪拌した。その後、ろ過し、真空乾燥機により100℃で8時間乾燥させ、導電層の外表面上に、1,2,3−ベンゾトリアゾールにより形成された被膜を有する導電性粒子を得た。 10 parts by weight of the particles and 0.5 part by weight of 1,2,3-benzotriazole were placed in a mixed solution of 25 parts by weight of pure water and 25 parts by weight of ethanol, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour. Then, it was filtered and dried at 100 ° C. for 8 hours by a vacuum dryer to obtain conductive particles having a film formed of 1,2,3-benzotriazole on the outer surface of the conductive layer.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(比較例4)
実施例1と同様の基材粒子Aの表面上に第1の導電部(ニッケルを含む導電層、厚み0.1μm)が配置された粒子を用意した。
(Comparative Example 4)
Particles in which the first conductive portion (conductive layer containing nickel, thickness 0.1 μm) was arranged on the surface of the base particle A similar to that in Example 1 were prepared.
純水25重量部とエタノール25重量部との混合液中に、上記粒子10重量部と2−メルカプトベンゾチアゾール0.5重量部とを入れ、50℃で1時間攪拌した。その後、ろ過し、真空乾燥機により100℃で8時間乾燥させ、導電層の外表面上に、2−メルカプトベンゾチアゾールにより形成された被膜を有する導電性粒子を得た。 10 parts by weight of the particles and 0.5 part by weight of 2-mercaptobenzothiazole were placed in a mixed solution of 25 parts by weight of pure water and 25 parts by weight of ethanol, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour. Then, it was filtered and dried at 100 ° C. for 8 hours by a vacuum dryer to obtain conductive particles having a film formed by 2-mercaptobenzothiazole on the outer surface of the conductive layer.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(比較例5)
実施例1と同様の粒子分散液を用意した。
(Comparative Example 5)
A particle dispersion similar to that of Example 1 was prepared.
エタノール50重量部に、水10重量部と、酢酸0.8重量部と、有機珪素化合物A1.5重量部とを添加し、室温で200分攪拌して溶液Aを得た。 To 50 parts by weight of ethanol, 10 parts by weight of water, 0.8 parts by weight of acetic acid, and 1.5 parts by weight of the organic silicon compound A were added, and the mixture was stirred at room temperature for 200 minutes to obtain a solution A.
上記溶液Aに上記粒子分散液を入れ、50℃に加熱し攪拌することで、粒子の表面が有機珪素化合物Aにより修飾された導電性粒子を得た。 The particle dispersion was added to the solution A, heated to 50 ° C. and stirred to obtain conductive particles whose surface was modified with the organic silicon compound A.
得られた導電性粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、導電フィルム及び接続構造体を得た。 A conductive film and a connecting structure were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive particles were used.
(評価)
(1)初期の接続抵抗A
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗Aを4端子法により測定した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。また、接続抵抗Aを下記の基準で判定した。
(Evaluation)
(1) Initial connection resistance A
The connection resistance A between the opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by the 4-terminal method. From the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Further, the connection resistance A was determined according to the following criteria.
[接続抵抗Aの評価基準]
○○○:接続抵抗Aが2.0Ω以下
○○:接続抵抗Aが2.0Ωを超え3.0Ω以下
○:接続抵抗Aが3.0Ωを超え5.0Ω以下
△:接続抵抗Aが5.0Ωを超え10Ω以下
×:接続抵抗Aが10Ωを超える
[Evaluation criteria for connection resistance A]
○ ○ ○: Connection resistance A is 2.0Ω or less ○○: Connection resistance A is more than 2.0Ω and 3.0Ω or less ○: Connection resistance A is more than 3.0Ω and 5.0Ω or less △: Connection resistance A is 5 More than 0.0Ω and less than 10Ω ×: Connection resistance A exceeds 10Ω
(2)信頼性試験後の接続抵抗B
上記(1)初期の接続抵抗の評価で得られた接続構造体を、85℃及び相対湿度85%の条件で放置した。放置開始から1000時間後に、上記(3)接続抵抗Aの評価と同様に電極間の接続抵抗Bを4端子法により測定した。また、接続抵抗Bを下記の基準で判定した。
(2) Connection resistance B after reliability test
The connection structure obtained in the above (1) initial evaluation of connection resistance was left to stand under the conditions of 85 ° C. and 85% relative humidity. After 1000 hours from the start of leaving, the connection resistance B between the electrodes was measured by the 4-terminal method in the same manner as in the evaluation of the connection resistance A in (3) above. Further, the connection resistance B was determined according to the following criteria.
[接続抵抗Bの判定基準]
○○○:接続抵抗Bが、接続抵抗Aの1.25倍未満
○○:接続抵抗Bが、接続抵抗Aの1.25倍以上1.5倍未満
○:接続抵抗Bが、接続抵抗Aの1.5倍以上2倍未満
△:接続抵抗Bが、接続抵抗Aの2倍以上3倍未満
×:接続抵抗Bが、接続抵抗Aの3倍以上
[Criteria for connection resistance B]
○ ○ ○: Connection resistance B is less than 1.25 times the connection resistance A ○ ○: Connection resistance B is 1.25 times or more and less than 1.5 times the connection resistance A ○: Connection resistance B is the connection resistance A 1.5 times or more and less than 2 times Δ: Connection resistance B is 2 times or more and less than 3 times of connection resistance A ×: Connection resistance B is 3 times or more of connection resistance A
(3)ショート発生率
ショート発生率の評価用ICとして、以下のIC(導電性粒子の粒子径の2.5倍のスペースを有する櫛歯TEG(test element group))を用意した。
(3) Short-circuit occurrence rate As an IC for evaluating the short-circuit occurrence rate, the following IC (comb tooth TEG (test element group) having a space 2.5 times the particle size of the conductive particles) was prepared.
外径:1.5×13mm
厚み:0.5mm
Outer diameter: 1.5 x 13 mm
Thickness: 0.5 mm
バンプ仕様:金メッキ、高さ15μm、サイズ25×140μm、バンプ間スペース導電性粒子の粒子径の2.5倍(導電性粒子が3.2μmの場合、8.0μm)
得られた異方性導電フィルムを、ショート発生率の評価用ICと、該評価用ICに対応したパターンのガラス基板との間に挟み、接続構造体の作製と同様の接続条件で加熱加圧して接続物を得た。得られた接続物でのショート発生率を求めた。ショート発生率は、「ショートの発生数/スペース総数」で算出される。実用上の接続構造体を製造する観点から、ショート発生率が1ppm未満であることが好ましい。
Bump specifications: Gold plating, height 15 μm, size 25 × 140 μm, space between bumps 2.5 times the particle size of conductive particles (8.0 μm when the conductive particles are 3.2 μm)
The obtained anisotropic conductive film is sandwiched between an IC for evaluating the short circuit occurrence rate and a glass substrate having a pattern corresponding to the evaluation IC, and heated and pressed under the same connection conditions as for producing a connection structure. I got a connection. The short circuit occurrence rate in the obtained connection was calculated. The short circuit occurrence rate is calculated by "the number of short circuits / total number of spaces". From the viewpoint of manufacturing a practical connection structure, the short circuit occurrence rate is preferably less than 1 ppm.
詳細及び結果を下記の表1〜3に示す。 Details and results are shown in Tables 1 to 3 below.
上記の表1,2において、有機珪素官能基の種類は、以下の通りである。 In Tables 1 and 2 above, the types of organic silicon functional groups are as follows.
A:炭素数10のアルキル基を有する有機珪素官能基
B:ベンゾトリアゾール基を有する有機珪素官能基
C:(メタ)アクリロイル基を有する有機珪素官能基
D:エポキシ基を有する有機珪素官能基
A: Organic silicon functional group having an alkyl group having 10 carbon atoms B: Organic silicon functional group having a benzotriazole group C: Organic silicon functional group having a (meth) acryloyl group D: Organic silicon functional group having an epoxy group
1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
14…絶縁性物質
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電部
22a…突起
22A…第1の導電部
22Aa…突起
22B…第2の導電部
22Ba…突起
31…導電性粒子
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
1 ...
Claims (15)
前記導電部の外表面に、少なくとも2種の有機珪素官能基を有する、導電性粒子。 Has a conductive part
Conductive particles having at least two kinds of organic silicon functional groups on the outer surface of the conductive portion.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜13のいずれか1項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection target member having a first electrode on its surface,
A second connection target member having a second electrode on the surface,
The first connection target member and the connection portion connecting the second connection target member are provided.
The material of the connecting portion is the conductive particles according to any one of claims 1 to 13, or is a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019179256A JP7328858B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | Conductive particles, conductive materials and connecting structures |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019179256A JP7328858B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | Conductive particles, conductive materials and connecting structures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057189A true JP2021057189A (en) | 2021-04-08 |
JP7328858B2 JP7328858B2 (en) | 2023-08-17 |
Family
ID=75272688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019179256A Active JP7328858B2 (en) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | Conductive particles, conductive materials and connecting structures |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7328858B2 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992031A (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Conductive composition and soldered structure using the same |
JP2013175453A (en) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Conductive particle with insulative particles, manufacturing method of conductive particle with insulative particles, conductor material, and connection structure |
-
2019
- 2019-09-30 JP JP2019179256A patent/JP7328858B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992031A (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Conductive composition and soldered structure using the same |
JP2013175453A (en) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Conductive particle with insulative particles, manufacturing method of conductive particle with insulative particles, conductor material, and connection structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7328858B2 (en) | 2023-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7284703B2 (en) | Conductive particles with insulating particles, conductive materials and connection structures | |
JP2022022293A (en) | Conductive particle, conductive material, and connection structure | |
JPWO2020175691A1 (en) | Conductive particles, conductive materials and connecting structures | |
JP7463069B2 (en) | Conductive particles, conductive material, connection structure, and method for producing connection structure | |
JP5996806B2 (en) | Conductive particles, conductive materials, and connection structures | |
WO2022092188A1 (en) | Electroconductive particles, electroconductive material, and connection structure | |
JP6588938B2 (en) | Conductive particles, conductive materials, and connection structures | |
JP7328858B2 (en) | Conductive particles, conductive materials and connecting structures | |
JP7328856B2 (en) | Conductive particles, conductive materials and connecting structures | |
JP7180981B2 (en) | Conductive particles, conductive materials and connecting structures | |
JP7530523B2 (en) | Conductive particles, conductive materials and connection structures | |
JP7277331B2 (en) | Conductive particles, conductive materials and connecting structures | |
JP7288487B2 (en) | Conductive particles, method for producing conductive particles, conductive material and connection structure | |
WO2021182617A1 (en) | Conductive particles, conductive material and connection structure | |
KR102674579B1 (en) | Conductive particles having insulating particles, method for producing conductive particles having insulating particles, electrically conductive material, and bonded structure | |
WO2022260159A1 (en) | Coated particles, coated particle production method, resin composition, and connection structure | |
JP2012003917A (en) | Conductive particle, anisotropic conductive material and connection structure | |
WO2022260158A1 (en) | Coated particles, resin composition, and connection structure | |
JP2020200458A (en) | Particle, conductive particle, conductive material and connection structure | |
JPWO2019194133A1 (en) | Conductive particles with insulating particles, methods for producing conductive particles with insulating particles, conductive materials and connecting structures | |
JP6364220B2 (en) | Conductive particle, method for producing conductive particle, conductive material, and connection structure | |
JP2024035972A (en) | Coated particle, resin composition and connection structure | |
KR20210029143A (en) | Conductive particles, conductive materials, and connection structures with insulating particles | |
JPWO2019221278A1 (en) | Base particles, conductive particles, conductive materials and connecting structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230804 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7328858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |