JP2021057188A - Conductive particle, conductive material, connection structure and method for producing connection structure - Google Patents

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Abstract

To provide a conductive particle that can reduce connection resistance after conductive connection.SOLUTION: A conductive particle includes a base particle and a conductive part disposed on the surface of the base particle and has an amount of saturation magnetization of 10 emu/g or more.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電極間の電気的な接続等に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to conductive particles that can be used for electrical connection between electrodes and the like. The present invention also relates to a conductive material, a connecting structure, and a method for manufacturing the connecting structure using the conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in the binder resin. Further, as the conductive particles, conductive particles having a base material particles and a conductive portion arranged on the surface of the base material particles may be used.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等が挙げられる。 The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures. Connections using the anisotropic conductive material include a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), and a semiconductor chip. The connection between the glass substrate and the glass substrate (COG (Chip on Glass)), the connection between the flexible printed circuit board and the glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like can be mentioned.

また、上記導電性粒子として、磁性を有する導電性粒子が用いられることがある。下記の特許文献1には、局所的に磁界を付与して、導電性粒子を磁界に向かって引き寄せることにより、所定の位置に導電性粒子が配置された異方導電性シートが開示されている。また、特許文献1の実施例1では、磁性を有する導電性粒子として、全体がニッケルにより形成されたニッケル粒子が用いられている。 Further, as the conductive particles, magnetic conductive particles may be used. Patent Document 1 below discloses an anisotropic conductive sheet in which conductive particles are arranged at predetermined positions by locally applying a magnetic field to attract the conductive particles toward the magnetic field. .. Further, in Example 1 of Patent Document 1, nickel particles entirely formed of nickel are used as the conductive particles having magnetism.

特許文献2には、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面に形成された金属メッキ層と、該金属メッキ層の外表面に形成された絶縁層とを備える導電性粒子が開示されている。上記金属メッキ層は、Fe、Ni、及びCoの少なくともいずれかを含む磁性金属メッキ層であってもよい。 Patent Document 2 discloses conductive particles including resin particles, a metal plating layer formed on the surface of the resin particles, and an insulating layer formed on the outer surface of the metal plating layer. The metal plating layer may be a magnetic metal plating layer containing at least one of Fe, Ni, and Co.

特開2006−093020号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-093020 特開2013−045565号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-045565

特許文献1では、異方導電性シートを得る際に、磁界を付与し、シート中の所定の位置に導電性粒子を配置している。しかしながら、このような異方導電性シートでは、導電接続時に、導電性粒子の位置に対して、電極を精度よく位置合わせする必要がある。 In Patent Document 1, when an anisotropic conductive sheet is obtained, a magnetic field is applied and the conductive particles are arranged at predetermined positions in the sheet. However, in such an anisotropic conductive sheet, it is necessary to accurately align the electrodes with respect to the positions of the conductive particles at the time of conductive connection.

さらに、特許文献1に記載のような全体がニッケルにより形成されたニッケル粒子では、磁界をかけた際に、粒子の重さから導電性粒子の移動速度が遅いことがある。さらに、ニッケル粒子により導電接続した接続構造体において、電極が損傷することがある。例えば、ニッケル粒子の移動時や、ニッケル粒子を介した電極間の圧着時に、電極が損傷することがある。結果として、導電接続後の接続抵抗が高くなることがある。 Further, in the case of nickel particles entirely made of nickel as described in Patent Document 1, when a magnetic field is applied, the moving speed of the conductive particles may be slow due to the weight of the particles. In addition, the electrodes may be damaged in the connection structure conductively connected by nickel particles. For example, the electrodes may be damaged when the nickel particles move or when crimping between the electrodes via the nickel particles. As a result, the connection resistance after the conductive connection may increase.

また、特許文献2に記載のように、Fe、Ni、及びCoの少なくともいずれかを用いて、磁性金属メッキ層を形成し、着磁した場合、粒子同士が凝集してしまい、磁界をかけた際に、電極に精度よく位置合わせできないことがある。結果として、導電接続が十分に取れないことがある。 Further, as described in Patent Document 2, when a magnetic metal plating layer is formed by using at least one of Fe, Ni, and Co and magnetized, the particles aggregate with each other and a magnetic field is applied. In some cases, it may not be possible to accurately align the electrodes. As a result, the conductive connection may not be sufficiently established.

本発明の目的は、磁力を用いて電極部を形成する際に導電性粒子が容易に移動し位置合わせしやすく、また、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide conductive particles capable of easily moving and aligning conductive particles when forming an electrode portion using magnetic force, and reducing connection resistance after conductive connection. That is. Another object of the present invention is to provide a conductive material, a connecting structure, and a method for manufacturing the connecting structure using the conductive particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、飽和磁化量が、10emu/g以上である、導電性粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive particle having a base particle and a conductive portion arranged on the surface of the base particle and having a saturation magnetization amount of 10 emu / g or more. ..

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、金属粒子ではない。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the substrate particles are not metal particles.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、ニッケル、コバルト又は鉄を含む。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive portion comprises nickel, cobalt or iron.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部100重量%中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量が90重量%以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the total content of nickel, cobalt and iron in 100% by weight of the conductive portion is 90% by weight or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも2種を含み、前記導電部100重量%中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の1種の含有量が51重量%以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive portion contains at least two kinds of nickel, cobalt and iron, and the content of nickel and the content of cobalt in 100% by weight of the conductive portion. And the content of one of the iron contents is 51% by weight or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子を25℃で10%圧縮したときの圧縮弾性率が、1000N/mm以上30000N/mm以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the compression modulus when the base particle is compressed by 10% at 25 ° C. is at 1000 N / mm 2 or more 30000 N / mm 2 or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の粒子径が1μm以上10μm以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the particle size of the base particles is 1 μm or more and 10 μm or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の比重が、前記導電部の比重よりも低い。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the specific gravity of the base particles is lower than the specific gravity of the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、磁界又は磁力を適用する導電接続に用いられる。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles are used in a conductive connection to which a magnetic field or magnetic force is applied.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に突起を有する。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have protrusions on the outer surface of the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles include an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. It is provided with a connecting portion connecting the second connection target member, and the material of the connecting portion is the above-mentioned conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. Provided is a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上述した導電性粒子を配置するか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第1の配置工程と、前記導電性粒子又は前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を配置する第2の配置工程と、前記第2の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程とを備え、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, the above-mentioned conductive particles are arranged on the surface of the first connection target member having the first electrode on the surface, or the conductive particles and the conductive material containing the binder resin are contained. A second connection target member having a second electrode on the surface opposite to the first placement step of arranging the material and the conductive particles or the first connection target member side of the conductive material. The first electrode and the second electrode are formed by the conductive particles, comprising a second arrangement step of arranging the first electrode and a step of applying a magnetic field or a magnetic force before or after the second arrangement step. A method for manufacturing a connection structure is provided, which obtains a connection structure that is electrically connected.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、10emu/g以上である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる。 The conductive particles according to the present invention include base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. In the conductive particles according to the present invention, the saturation magnetization amount is 10 emu / g or more. Since the conductive particles according to the present invention have the above-mentioned structure, the connection resistance after the conductive connection can be lowered.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第4の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a fourth embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 5 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図6は、図5に示す接続構造体を製造する方法を説明するための正面断面図である。FIG. 6 is a front sectional view for explaining a method of manufacturing the connection structure shown in FIG. 図7は、図5に示す接続構造体を製造する他の方法を説明するための正面断面図である。FIG. 7 is a front sectional view for explaining another method for manufacturing the connection structure shown in FIG.

以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention will be described below.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、10emu/g以上である。
(Conductive particles)
The conductive particles according to the present invention include base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. In the conductive particles according to the present invention, the saturation magnetization amount is 10 emu / g or more.

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続抵抗を低くすることができる。 Since the conductive particles according to the present invention have the above-mentioned structure, the connection resistance after the conductive connection can be lowered.

本発明に係る導電性粒子では、飽和磁化量が、10emu/g以上であるので、磁界又は磁力を適用することで、導電性粒子を効果的に移動させることができる。例えば、電極部分にて磁界又は磁力を適用することで、電極上又は電極間に、導電性粒子を効果的に移動させることができる。この結果、本発明に係る導電性粒子では、接続されるべき上下の電極間に配置される導電性粒子の数が多くなり、接続抵抗が低くなる。また、接続されるべきではない横方向に隣接する電極間が、電気的に接続され難く、ショートの問題が生じ難くなる。 Since the saturated magnetization amount of the conductive particles according to the present invention is 10 emu / g or more, the conductive particles can be effectively moved by applying a magnetic field or a magnetic force. For example, by applying a magnetic field or magnetic force at the electrode portion, the conductive particles can be effectively moved on or between the electrodes. As a result, in the conductive particles according to the present invention, the number of conductive particles arranged between the upper and lower electrodes to be connected increases, and the connection resistance decreases. Further, it is difficult to electrically connect the electrodes adjacent to each other in the lateral direction, which should not be connected, and the problem of short circuit is less likely to occur.

また、単に飽和磁化量が高い導電性金属粒子を用いただけでは、接続抵抗が高くなることがある。本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子が備えられているので、上記導電性粒子の移動時に、電極が損傷し難くなる。さらに、本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子が備えられているので、上下の電極間で導電性粒子が圧縮されても、電極が損傷し難くなる。結果として、接続抵抗を低くすることができる。 Further, simply using conductive metal particles having a high saturation magnetization amount may increase the connection resistance. Since the conductive particles according to the present invention are provided with the base particles, the electrodes are less likely to be damaged when the conductive particles move. Further, since the conductive particles according to the present invention are provided with the above-mentioned base material particles, even if the conductive particles are compressed between the upper and lower electrodes, the electrodes are less likely to be damaged. As a result, the connection resistance can be lowered.

導電性粒子をより一層効果的に移動させる観点からは、上記導電性粒子の飽和磁化量は、好ましくは15emu/g以上、より好ましくは20emu/g以上である。上記飽和磁化量は高いほどよい。上記導電性粒子を容易に作製する観点からは、上記導電性粒子の上記飽和磁化量は300emu/g以下であってもよく、100emu/g以下であってもよい。 From the viewpoint of moving the conductive particles more effectively, the saturated magnetization amount of the conductive particles is preferably 15 emu / g or more, more preferably 20 emu / g or more. The higher the saturation magnetization amount, the better. From the viewpoint of easily producing the conductive particles, the saturated magnetization amount of the conductive particles may be 300 emu / g or less, or 100 emu / g or less.

上記飽和磁化量は、上記導電部に用いる金属の種類及びその含有量、及び導電部の厚み等によって、制御することができる。 The saturated magnetization amount can be controlled by the type and content of the metal used for the conductive portion, the thickness of the conductive portion, and the like.

上記飽和磁化量は、以下のようにして測定される。 The amount of saturation magnetization is measured as follows.

磁化量は、導電性粒子の磁気ヒステリシス曲線を測定することで算出することができる。装置としては、振動試料型磁力計(理研電子社製「BHV−50」)等が用いられる。また、乾燥した導電性粒子15mgを、サンプルホルダーに圧縮せずに密閉することで試料調整を行い、測定を実施することができる。 The amount of magnetization can be calculated by measuring the magnetic hysteresis curve of the conductive particles. As the apparatus, a vibration sample type magnetometer (“BHV-50” manufactured by RIKEN Electronics Co., Ltd.) or the like is used. Further, the sample can be prepared and the measurement can be carried out by sealing the dried conductive particles (15 mg) in the sample holder without compression.

上記基材粒子を25℃で10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は、好ましくは1000N/mm以上、より好ましくは3000N/mm以上であり、好ましくは30000N/mm以下、より好ましくは20000N/mm以下である。上記基材粒子の10%K値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の損傷をより一層抑えることができ、接続抵抗を効果的に低くすることができる。さらに、表面上に導電部を形成する際に、凝集をより一層効果的に抑制することができ、めっき割れやめっき剥がれの発生をより一層効果的に抑制することができる。 Compression modulus when the base particle is compressed by 10% at 25 ° C. (10% K value), preferably 1000 N / mm 2 or more, more preferably 3000N / mm 2 or more, preferably 30000 N / mm 2 Hereinafter, it is more preferably 20000 N / mm 2 or less. When the 10% K value of the base material particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, damage to the electrodes can be further suppressed, and the connection resistance can be effectively lowered. Further, when the conductive portion is formed on the surface, aggregation can be suppressed more effectively, and the occurrence of plating cracks and plating peeling can be suppressed even more effectively.

上記基材粒子における上記圧縮弾性率(10%K値)は、以下のようにして測定できる。 The compressive elastic modulus (10% K value) of the base particles can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径50μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で1個の基材粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記基材粒子の圧縮弾性率(10%K値)を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。上記基材粒子における上記圧縮弾性率(10%K値)は、任意に選択された50個の粒子の上記圧縮弾性率(10%K値)を算術平均することにより、算出することが好ましい。 A microcompression tester is used to compress a single substrate particle on a cylindrical (diameter 50 μm, diamond) smoothing indenter end face under conditions of 25 ° C., a compression rate of 0.3 mN / sec, and a maximum test load of 20 mN. To do. At this time, the load value (N) and the compressive displacement (mm) are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus (10% K value) of the base particles can be calculated by the following formula. As the microcompression tester, for example, "Fisherscope H-100" manufactured by Fisher Co., Ltd. is used. The compressive elastic modulus (10% K value) of the base particles is preferably calculated by arithmetically averaging the compressive elastic moduli (10% K value) of 50 arbitrarily selected particles.

10%K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:基材粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:基材粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:基材粒子の半径(mm)
10% K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) ・ F ・ S -3/2・ R- 1 / 2
F: Load value (N) when the base particle is compressed and deformed by 10%
S: Compressive displacement (mm) when the substrate particles are compressed and deformed by 10%
R: Radius of substrate particles (mm)

上記圧縮弾性率は、粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。 The compressive elastic modulus universally and quantitatively represents the hardness of particles. By using the compressive elastic modulus, the hardness of the base particle can be expressed quantitatively and uniquely.

磁界又は磁力により導電性粒子を効果的に移動させ、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも低いことが好ましい。上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも3g/cm以上低いことがより好ましい。上記基材粒子の比重が、上記導電部の比重よりも5g/cm以上低いことがさらに好ましい。一般的に、樹脂粒子又は有機ハイブリッド粒子の比重は、金属により形成された導電部の比重よりも低い。 From the viewpoint of effectively moving the conductive particles by a magnetic field or a magnetic force and further lowering the connection resistance, it is preferable that the specific gravity of the base material particles is lower than the specific gravity of the conductive portion. It is more preferable that the specific gravity of the base material particles is 3 g / cm 3 or more lower than the specific gravity of the conductive portion. It is more preferable that the specific gravity of the base particles is 5 g / cm 3 or more lower than the specific gravity of the conductive portion. Generally, the specific gravity of the resin particles or the organic hybrid particles is lower than the specific gravity of the conductive portion formed of the metal.

上記導電性粒子は、磁界又は磁力を適用する導電接続に好適に用いられる。導電接続時に磁界又は磁力を適用することで、上記導電性粒子を電極上又は電極間に効果的に移動させることができる。 The conductive particles are suitably used for a conductive connection to which a magnetic field or a magnetic force is applied. By applying a magnetic field or magnetic force at the time of conductive connection, the conductive particles can be effectively moved on or between electrodes.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは1000μm以下、より好ましくは100μm以下、さらに好ましくは10μm以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle size of the conductive particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 1000 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 10 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles. Moreover, it becomes difficult to form agglomerated conductive particles when forming the conductive portion. In addition, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive portion does not easily peel off from the surface of the substrate particles.

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。 The particle size of the conductive particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. For the particle size of the conductive particles, for example, 50 arbitrary conductive particles are observed with an electron microscope or an optical microscope, the average value of the particle size of each conductive particle is calculated, or a particle size distribution measuring device is used. It is required. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each conductive particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 conductive particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each conductive particle is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the conductive particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. From the viewpoint of high measurement accuracy, the particle size distribution measuring device is preferably a laser diffraction type particle size distribution measuring device.

上記導電性粒子の粒子径の変動係数(CV値)は、好ましくは10%以下、より好ましくは5%以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The coefficient of variation (CV value) of the particle size of the conductive particles is preferably 10% or less, more preferably 5% or less. When the coefficient of variation of the particle size of the conductive particles is not more than the above upper limit, the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively improved.

上記変動係数(CV値)は、以下のようにして測定できる。 The coefficient of variation (CV value) can be measured as follows.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:導電性粒子の粒子径の標準偏差
Dn:導電性粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle size of conductive particles Dn: Mean value of particle size of conductive particles

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。 The shape of the conductive particles is not particularly limited. The shape of the conductive particles may be spherical, non-spherical, flat or the like.

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。なお、図1及び後述する図において、異なる箇所は互いに置き換え可能である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings. In addition, in FIG. 1 and the figure described later, different parts can be replaced with each other.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3とを有する。導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。第1の実施形態では、導電部3は、基材粒子2の表面に接している。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。 The conductive particle 1 shown in FIG. 1 has a base particle 2 and a conductive portion 3. The conductive portion 3 is arranged on the surface of the base particle 2. In the first embodiment, the conductive portion 3 is in contact with the surface of the base particle 2. The conductive particles 1 are coated particles in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive portion 3.

導電性粒子1では、導電部3は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。 In the conductive particles 1, the conductive portion 3 is a single-layer conductive layer. In the conductive particles, the conductive portion may cover the entire surface of the base material particles, or the conductive portion may cover a part of the surface of the base material particles. In the conductive particles, the conductive portion may be a single-layer conductive layer or a multi-layer conductive layer composed of two or more layers.

導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子1は表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。導電部3は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子1は、導電部3の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。 The conductive particles 1 do not have a core substance, unlike the conductive particles 11 and 21 described later. The conductive particles 1 have no protrusions on the surface. The conductive particles 1 are spherical. The conductive portion 3 has no protrusion on the outer surface. As described above, the conductive particles according to the present invention do not have to have protrusions on the conductive surface, and may be spherical. Further, the conductive particles 1 do not have an insulating substance, unlike the conductive particles 11 and 21 described later. However, the conductive particles 1 may have an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion 3.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部12は、基材粒子2の表面上に基材粒子2に接するように配置されている。 The conductive particle 11 shown in FIG. 2 has a base particle 2, a conductive portion 12, a plurality of core substances 13, and a plurality of insulating substances 14. The conductive portion 12 is arranged on the surface of the base particle 2 so as to be in contact with the base particle 2.

導電性粒子11では、導電部12は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。 In the conductive particles 11, the conductive portion 12 is a single-layer conductive layer. In the conductive particles, the conductive portion may cover the entire surface of the base material particles, or the conductive portion may cover a part of the surface of the base material particles. In the conductive particles, the conductive portion may be a single-layer conductive layer or a multi-layer conductive layer composed of two or more layers.

導電性粒子11は導電性の表面に、複数の突起11aを有する。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。複数の芯物質13が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質13は、導電部12内に埋め込まれている。芯物質13は、突起11a,12aの内側に配置されている。導電部12は、複数の芯物質13を被覆している。複数の芯物質13により導電部12の外表面が隆起されており、突起11a,12aが形成されている。 The conductive particles 11 have a plurality of protrusions 11a on the conductive surface. The conductive portion 12 has a plurality of protrusions 12a on the outer surface. A plurality of core substances 13 are arranged on the surface of the base particle 2. The plurality of core substances 13 are embedded in the conductive portion 12. The core material 13 is arranged inside the protrusions 11a and 12a. The conductive portion 12 covers a plurality of core substances 13. The outer surface of the conductive portion 12 is raised by the plurality of core substances 13, and protrusions 11a and 12a are formed.

導電性粒子11は、導電部12の外表面上に配置された絶縁性物質14を有する。導電部12の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質14により被覆されている。絶縁性物質14は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。 The conductive particles 11 have an insulating substance 14 arranged on the outer surface of the conductive portion 12. At least a part of the outer surface of the conductive portion 12 is covered with the insulating substance 14. The insulating substance 14 is formed of an insulating material and is an insulating particle. As described above, the conductive particles according to the present invention may have an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. However, the conductive particles according to the present invention do not necessarily have an insulating substance.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部22と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部22は全体で、基材粒子2側に第1の導電部22Aと、基材粒子2側とは反対側に第2の導電部22Bとを有する。 The conductive particle 21 shown in FIG. 3 has a base particle 2, a conductive portion 22, a plurality of core substances 13, and a plurality of insulating substances 14. As a whole, the conductive portion 22 has a first conductive portion 22A on the base particle 2 side and a second conductive portion 22B on the side opposite to the base particle 2 side.

導電性粒子11と導電性粒子21とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子11では、1層構造の導電部12が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の第1の導電部22A及び第2の導電部22Bが形成されている。第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとは別の導電部として形成されている。 Only the conductive portion is different between the conductive particles 11 and the conductive particles 21. That is, in the conductive particles 11, the conductive portion 12 having a one-layer structure is formed, whereas in the conductive particles 21, the first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B having a two-layer structure are formed. ing. The first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B are formed as separate conductive portions.

第1の導電部22Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第1の導電部22Aは、基材粒子2に接している。第2の導電部22Bは、第1の導電部22Aに接している。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電部22Aが配置されており、第1の導電部22Aの表面上に第2の導電部22Bが配置されている。導電性粒子21は導電性の表面に、複数の突起21aを有する。導電部22は外表面に複数の突起22aを有する。第1の導電部22Aは外表面に、複数の突起22Aaを有する。第2の導電部22Bは外表面に、複数の突起22Baを有する。 The first conductive portion 22A is arranged on the surface of the base particle 2. The first conductive portion 22A is arranged between the base particle 2 and the second conductive portion 22B. The first conductive portion 22A is in contact with the base particle 2. The second conductive portion 22B is in contact with the first conductive portion 22A. Therefore, the first conductive portion 22A is arranged on the surface of the base particle 2, and the second conductive portion 22B is arranged on the surface of the first conductive portion 22A. The conductive particles 21 have a plurality of protrusions 21a on the conductive surface. The conductive portion 22 has a plurality of protrusions 22a on the outer surface. The first conductive portion 22A has a plurality of protrusions 22Aa on the outer surface. The second conductive portion 22B has a plurality of protrusions 22Ba on the outer surface.

図4は、本発明の第4の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a fourth embodiment of the present invention.

図4に示す導電性粒子31は、図3に示す導電性粒子21における絶縁性粒子14が備えられていない導電性粒子である。導電性粒子31は、絶縁性粒子が無いことを除いて、導電性粒子21と同様に構成されている。導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。 The conductive particles 31 shown in FIG. 4 are conductive particles that are not provided with the insulating particles 14 in the conductive particles 21 shown in FIG. The conductive particles 31 are configured in the same manner as the conductive particles 21 except that there are no insulating particles. The conductive particles do not necessarily have an insulating substance.

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。 Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.

(基材粒子)
上記基材粒子の材料は特に限定されない。上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。初期の接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。
(Base particles)
The material of the base particle is not particularly limited. The material of the base particle may be an organic material or an inorganic material. Examples of the base particle formed from the organic material alone include resin particles and the like. Examples of the base particle formed only of the above-mentioned inorganic material include inorganic particles excluding metal. Examples of the base particle formed by both the organic material and the inorganic material include organic-inorganic hybrid particles. From the viewpoint of further lowering the initial connection resistance and further increasing the conduction reliability, the base material particles are preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and more preferably resin particles.

電極の損傷をより一層抑え、接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、金属粒子ではないことが好ましい。 From the viewpoint of further suppressing electrode damage and effectively lowering the connection resistance, it is preferable that the base material particles are not metal particles.

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Examples of the organic material include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; polycarbonate, polyamide, phenolformaldehyde resin and melamine. Formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, Examples thereof include polyether ether ketone, polyether sulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene copolymer. Examples of the divinylbenzene copolymer and the like include a divinylbenzene-styrene copolymer and a divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymer. Since the compression characteristics of the base particle can be easily controlled within a suitable range, the material of the base particle is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Is preferable.

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the base material particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group is crosslinked with a non-crosslinkable monomer. Examples include sex monomers.

上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α−メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物;塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体;(メタ)アクリル化合物として、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート等のハロゲン含有(メタ)アクリレート化合物;α−オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物;共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene, and chlorostyrene; vinyl ether compounds such as methylvinyl ether, ethylvinyl ether, and propylvinyl ether; vinyl acetate, vinyl butyrate, and the like. Acid vinyl ester compounds such as vinyl laurate and vinyl stearate; halogen-containing monomers such as vinyl chloride and vinyl fluoride; as (meth) acrylic compounds, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) ) Acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and other alkyl ( Meta) acrylate compound; oxygen atom-containing (meth) acrylate compound such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomer; Halogen-containing (meth) acrylate compound such as trifluoromethyl (meth) acrylate and pentafluoroethyl (meth) acrylate; As α-olefin compound, olefin such as diisobutylene, isobutylene, linearene, ethylene and propylene Compound: Examples of the conjugated diene compound include isoprene and butadiene.

上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、1,4−ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体;(メタ)アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物;アリル化合物として、トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル;シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド;デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン;片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性(反応性)シリコーンオイル;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include vinyl monomers such as divinylbenzene, 1,4-dibinyloxybutane, and divinylsulfone as vinyl compounds; and tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate as (meth) acrylic compounds. , Polytetramethylene glycol diacrylate, Tetramethylolmethanetri (meth) acrylate, Tetramethylolmethanedi (meth) acrylate, Trimethylolpropanetri (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, Dipentaerythritol penta (meth) ) Acrylic, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as (meth) acrylate; as allyl compounds, triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, diallylphthalate, diallylacrylamide, diallyl ether; as silane compounds, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane , Methyltrimethoxysilane, Methyltriethoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, Ethyltriethoxysilane, Isopropyltrimethoxysilane, Isobutyltrimethoxysilane, Cyclohexyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, γ- (meth) acryloxipropyltrimethoxysilane, 1,3-divinyltetramethyldi Silane alkoxide compounds such as siloxane, methylphenyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane; vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsisilane, dimethoxyethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, ethylmethyldivinylsilane , Methylvinyldimethoxysilane, ethylvinyldimethoxysilane, methylvinyldiethoxysilane, ethylvinyldiethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethi Polymeric double bond-containing silane alkoxides such as rudimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxipropyltrimethoxysilane Cyclic siloxane such as decamethylcyclopentasiloxane; Modified (reactive) silicone oil such as one-terminal modified silicone oil, double-ended silicone oil, side chain type silicone oil; (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, etc. Examples thereof include a carboxyl group-containing monomer of.

上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合(縮合重合、縮重合)、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。 The base material particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group. The above polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include known methods such as radical polymerization, ionic polymerization, polycondensation (condensation polymerization, polycondensation polymerization), addition condensation, living polymerization, and living radical polymerization. Further, as another polymerization method, suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator can be mentioned.

上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。 Examples of the inorganic material include silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black, silicate glass, borosilicate glass, lead glass, soda-lime glass and alumina silicate glass.

上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 The base particle may be an organic-inorganic hybrid particle. The base material particles may be core-shell particles. When the base particle is an organic-inorganic hybrid particle, examples of the inorganic substance that is the material of the base particle include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic substance is not a metal. The base particle formed of the silica is not particularly limited, but after hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, firing is performed if necessary. Examples thereof include substrate particles obtained by carrying out the process. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell arranged on the surface of the core. It is preferable that the core is an organic core. It is preferable that the shell is an inorganic shell. The base material particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell arranged on the surface of the organic core.

上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。 Examples of the organic core material include the organic materials described above.

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。 Examples of the material of the inorganic shell include the above-mentioned inorganic substances as the material of the base particle. The material of the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of silane alkoxide.

上記基材粒子の粒子径は、上記導電性粒子の粒子径を考慮して、選択することができる。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは300μm以下、さらに好ましくは50μm以下、さらに一層好ましくは10μm以下、特に好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性をより一層高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に、凝集した導電性粒子を形成され難くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。 The particle size of the base material particles can be selected in consideration of the particle size of the conductive particles. The particle size of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more. The particle size of the base particles is preferably 1000 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 300 μm or less, still more preferably 50 μm or less, still more preferably 10 μm or less, and particularly preferably 3 μm or less. When the particle size of the base material particles is equal to or larger than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes large, so that the conduction reliability between the electrodes can be further improved, and the conductive particles are connected via the conductive particles. The connection resistance between the electrodes can be further reduced. Further, when the conductive portion is formed on the surface of the base material particles by electroless plating, it is possible to make it difficult for the agglomerated conductive particles to be formed. When the particle size of the base material particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily sufficiently compressed, the connection resistance between the electrodes can be further reduced, and the distance between the electrodes can be further reduced. it can.

上記基材粒子の粒子径は、1μm以上3μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、1μm以上3μm以下の範囲内であると、基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。 The particle size of the base particles is particularly preferably 1 μm or more and 3 μm or less. When the particle size of the base material particles is within the range of 1 μm or more and 3 μm or less, it becomes difficult to agglomerate when forming a conductive portion on the surface of the base material particles, and it becomes difficult to form agglomerated conductive particles.

上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置はレーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。 The particle size of the base particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. As for the particle size of the base particle, 50 arbitrary base particles are observed with an electron microscope or an optical microscope, the average value of the particle size of each base particle is calculated, or a particle size distribution measuring device is used. Is required. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each substrate particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 substrate particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each base particle is determined as the particle size in the equivalent sphere diameter. The average particle size of the base particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. From the viewpoint of high measurement accuracy, the particle size distribution measuring device is preferably a laser diffraction type particle size distribution measuring device. When measuring the particle size of the base material particles in the conductive particles, for example, the measurement can be performed as follows.

導電性粒子の含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率を25000倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。 An embedded resin for conducting a conductive particle inspection is prepared by adding and dispersing the conductive particles to "Technobit 4000" manufactured by Kulzer so that the content of the conductive particles is 30% by weight. A cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling device (“IM4000” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the conductive particles dispersed in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 25000 times, 50 conductive particles are randomly selected, and the base particles of each conductive particle are observed. To do. The particle size of the base material particles in each conductive particle is measured, and they are arithmetically averaged to obtain the particle size of the base material particles.

(導電部)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記飽和磁化量を好適な範囲に制御するために、上記導電部を構成する適宜の金属が用いられる。
(Conductive part)
The conductive particles according to the present invention include base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. The conductive portion preferably contains a metal. In order to control the amount of saturation magnetization in a suitable range, an appropriate metal constituting the conductive portion is used.

上記導電部を構成する金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記導電部を構成する金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。上記導電部を構成する金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The metals constituting the conductive portion include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, tarium, germanium, cadmium, and the like. Examples thereof include silicon, tungsten, molybdenum and alloys thereof. Examples of the metal constituting the conductive portion include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Only one kind of metal constituting the conductive portion may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部が、ニッケル、コバルト又は鉄を含むことが好ましい。この場合に、上記導電層は、ニッケル、コバルト及び鉄の内の1種のみを含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。上記導電部は、ニッケルを含んでいてもよく、ニッケルを含んでいなくてもよい。上記導電部は、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも2種を含むことが好ましい。上記導電部は、コバルトを含んでいてもよく、コバルトを含んでいなくてもよい。上記導電部は、鉄を含んでいてもよく、鉄を含んでいなくてもよい。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount within a suitable range, it is preferable that the conductive portion contains nickel, cobalt or iron. In this case, the conductive layer may contain only one of nickel, cobalt and iron, or may contain two or more. The conductive portion may or may not contain nickel. The conductive portion preferably contains at least two of nickel, cobalt and iron. The conductive portion may or may not contain cobalt. The conductive portion may or may not contain iron.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部100重量%中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量は好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上、さらに好ましくは98重量%以上であり、好ましくは100重量%以下である。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, the total content of nickel, cobalt and iron in 100% by weight of the conductive portion is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight. % Or more, more preferably 98% by weight or more, and preferably 100% by weight or less.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がニッケルを含む場合に、上記導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは5重量%以上、より好ましくは50重量%以上、さらに好ましくは98重量%以上であり、好ましくは100重量%以下である。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, when the conductive portion contains nickel, the nickel content is preferably 5% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, based on 100% by weight of the conductive portion. It is preferably 50% by weight or more, more preferably 98% by weight or more, and preferably 100% by weight or less.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がコバルトを含む場合に、上記導電部100重量%中、コバルトの含有量は好ましくは5重量%以上、より好ましくは50重量%以上、さらに好ましくは98重量%以上であり、好ましくは100重量%以下である。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, when the conductive portion contains cobalt, the cobalt content is preferably 5% by weight or more in 100% by weight of the conductive portion. It is preferably 50% by weight or more, more preferably 98% by weight or more, and preferably 100% by weight or less.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部が鉄を含む場合に、上記導電部100重量%中、鉄の含有量は好ましくは5重量%以上、より好ましくは50重量%以上、さらに好ましくは98重量%以上であり、好ましくは100重量%以下である。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, when the conductive portion contains iron, the iron content is preferably 5% by weight or more in 100% by weight of the conductive portion. It is preferably 50% by weight or more, more preferably 98% by weight or more, and preferably 100% by weight or less.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部がニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも2種を含む場合、上記導電部100重量%中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の1種の含有量を、含有量(A)とする。上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記含有量(A)は、好ましくは51重量%以上、より好ましくは55重量%以上、さらに好ましくは60重量%以上であり、好ましくは100重量%未満、より好ましくは99重量%以下である。含有量(A)には、上記導電部100重量%中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の最も多い含有量が当てはまる。 From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, when the conductive portion contains at least two of nickel, cobalt and iron, the content of nickel in 100% by weight of the conductive portion , The content of one of the cobalt content and the iron content is defined as the content (A). From the viewpoint of more easily controlling the saturated magnetization amount to a suitable range, the content (A) is preferably 51% by weight or more, more preferably 55% by weight or more, still more preferably 60% by weight or more. Yes, preferably less than 100% by weight, more preferably 99% by weight or less. The content (A) is the highest of the nickel content, the cobalt content, and the iron content in the 100% by weight of the conductive portion.

なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面(導電性粒子の表面)に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置できる。 In addition, hydroxyl groups are often present on the surface of the conductive portion due to oxidation. Generally, a hydroxyl group is present on the surface of a conductive portion formed of nickel due to oxidation. An insulating substance can be arranged on the surface of the conductive portion having such a hydroxyl group (the surface of the conductive particles) via a chemical bond.

上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電部は、2層以上の積層構造を有していてもよい。上記導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層を構成する金属が、ニッケル、コバルト又は鉄を含むことが好ましい。 The conductive portion may be formed by one layer. The conductive portion may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive portion may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive portion is formed of a plurality of layers, it is preferable that the metal constituting the outermost layer contains nickel, cobalt or iron.

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法としては、シーターコンポーザ(徳寿工作所社製)等が用いられる。 The method of forming the conductive portion on the surface of the base particle is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive portion include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, a method by physical vapor deposition or physical adsorption, and a metal powder or metal powder. Examples thereof include a method of coating the surface of the substrate particles with a paste containing the binder and the binder. The method for forming the conductive portion is preferably a method by electroless plating, electroplating or physical collision. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering. Further, as the method by the above physical collision, a sheeter composer (manufactured by Tokuju Kosakusho Co., Ltd.) or the like is used.

上記導電部の厚みは、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電部全体の厚みである。導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子を十分に変形させることができる。 The thickness of the conductive portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.3 μm or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive portion when the conductive portion has multiple layers. When the thickness of the conductive portion is at least the above lower limit and at least the above upper limit, sufficient conductivity can be obtained, and the conductive particles are not too hard and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes. Can be made to.

上記飽和磁化量をより一層容易に好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部の厚みは、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは5μm以下、より好ましくは1μm以下である。 From the viewpoint of more easily controlling the amount of saturation magnetization to a suitable range, the thickness of the conductive portion is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 5 μm or less, more preferably. Is 1 μm or less.

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くすることができる。 When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the thickness of the conductive portion of the outermost layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably. Is 0.1 μm or less. When the thickness of the conductive portion of the outermost layer is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the coating by the conductive portion of the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is sufficient. Can be lowered to.

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み5箇所の平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子10個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM). Regarding the thickness of the conductive portion, it is preferable to calculate the average value of the thickness of any of the conductive portions at five points as the thickness of the conductive portion of one conductive particle, and the average value of the thickness of the entire conductive portion is one. It is more preferable to calculate as the thickness of the conductive portion of the conductive particles. The thickness of the conductive portion is preferably obtained by calculating the average value of the thickness of the conductive portion of each conductive particle for 10 arbitrary conductive particles.

なお、上記ニッケル、コバルト、及び鉄の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。 The contents of nickel, cobalt, and iron are determined by a high-frequency inductively coupled plasma emission spectroscopic analyzer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu Corporation). ) Etc. can be used for measurement.

(芯物質及び突起)
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記突起は、複数であることが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電部の表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電部とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、導電性粒子が絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂をより一層効果的に排除できる。このため、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。
(Core material and protrusions)
The conductive particles preferably have protrusions on the outer surface of the conductive portion. It is preferable that the number of the protrusions is plurality. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. When conductive particles having protrusions on the surface of the conductive portion are used, the oxide film can be effectively removed by the protrusions by arranging the conductive particles between the electrodes and crimping them. Therefore, the electrodes and the conductive portion come into contact with each other more reliably, and the connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the conductive particles include an insulating substance, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles provide insulation between the conductive particles and the electrode. The sex substance or the binder resin can be eliminated more effectively. Therefore, the connection resistance between the electrodes can be further reduced.

上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部内において、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。 It is preferable that the conductive particles include a plurality of core substances in which the surface of the conductive portion is raised so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、上記突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。 As a method of forming the above-mentioned protrusions, a method of forming a conductive portion by electroless plating after adhering a core substance to the surface of the base material particles, and a method of forming a conductive portion by electroless plating on the surface of the base material particles. After that, a method of adhering a core substance and further forming a conductive portion by electroless plating can be mentioned. Further, the core material may not be used to form the protrusions.

上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。 Examples of other methods for forming the protrusions include a method of adding a core substance in the middle of forming a conductive portion on the surface of the base particle. Further, in order to form protrusions, a conductive portion is formed on the base material particles by electroless plating without using the above-mentioned core substance, and then plating is deposited in a protrusion shape on the surface of the conductive portion, and further electroless plating is performed. You may use a method of forming a conductive portion by the above method.

基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御する観点からは、基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法は、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法であることが好ましい。 As a method of adhering the core substance to the surface of the base particle, the core substance is added to the dispersion liquid of the base particle, and the core substance is accumulated and adhered to the surface of the base particle by van der Waals force. Examples thereof include a method in which a core substance is added to a container containing the base material particles, and the core substance is adhered to the surface of the base material particles by a mechanical action such as rotation of the container. From the viewpoint of controlling the amount of the core substance to be adhered, the method of adhering the core substance to the surface of the base material particles is a method of accumulating and adhering the core substance to the surface of the base material particles in the dispersion liquid. preferable.

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。酸化被膜をより一層効果的に排除する観点からは、上記芯物質は硬い方が好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質は、金属であることが好ましい。 Examples of the substance constituting the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina and zirconia. From the viewpoint of removing the oxide film more effectively, the core material is preferably hard. From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the core material is preferably a metal.

上記金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記金属は、ニッケル、銅、銀又は金であることが好ましい。上記金属は、上記導電部(導電層)を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。 The metal is not particularly limited. Examples of the metals include metals such as gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and tin-lead alloys. Examples thereof include alloys composed of two or more kinds of metals such as tin-copper alloy, tin-silver alloy, tin-lead-silver alloy and tungsten carbide. From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the metal is preferably nickel, copper, silver or gold. The metal may be the same as or different from the metal constituting the conductive portion (conductive layer).

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core substance is not particularly limited. The shape of the core material is preferably lumpy. Examples of the core material include particulate lumps, agglomerates in which a plurality of fine particles are agglomerated, and amorphous lumps.

上記芯物質の粒子径は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The particle size of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the particle size of the core substance is not less than the above lower limit and not more than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.

上記芯物質の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。芯物質の粒子径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各芯物質の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの芯物質の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の芯物質の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの芯物質の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。 The particle size of the core material is preferably an average particle size, and more preferably a number average particle size. The particle size of the core substance can be obtained by observing 50 arbitrary core substances with an electron microscope or an optical microscope, calculating the average value of the particle size of each core substance, or using a particle size distribution measuring device. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each core substance is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 core materials in the equivalent circle diameter is substantially equal to the average particle diameter in the equivalent diameter of the sphere. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each core substance is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the core material is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. From the viewpoint of high measurement accuracy, the particle size distribution measuring device is preferably a laser diffraction type particle size distribution measuring device.

初期の接続抵抗をより一層低くし、高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは25%以上、より好ましくは30%以上、さらに好ましくは50%以上である。上記突起がある部分の表面積は、95%以下であってもよく、90%以下であってもよく、80%以下であってもよい。 From the viewpoint of further lowering the initial connection resistance and further enhancing the conduction reliability under high temperature and high humidity, the surface area of the portion having the protrusion is preferably 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion. It is 25% or more, more preferably 30% or more, still more preferably 50% or more. The surface area of the portion having the protrusions may be 95% or less, 90% or less, or 80% or less.

上記導電性粒子1個当たりの上記突起の数は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。上記突起の数が、上記下限以上であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The number of the protrusions per one conductive particle is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle size of the conductive particles and the like. When the number of the protrusions is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.

上記突起の数は、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の数は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子における突起の数の平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The number of the protrusions can be calculated by observing arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope. The number of protrusions is preferably determined by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value of the number of protrusions in each conductive particle.

上記突起の高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The height of the protrusion is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the height of the protrusion is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively reduced.

上記突起の高さは、任意の導電性粒子における突起を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の高さは、導電性粒子1個当たりのすべての突起の高さの平均値を1個の導電性粒子の突起の高さとして算出することが好ましい。上記突起の高さは、任意の導電性粒子50個について、各導電性粒子の突起の高さの平均値を算出することにより求めることが好ましい。 The height of the protrusions can be calculated by observing the protrusions on any conductive particle with an electron microscope or an optical microscope. The height of the protrusions is preferably calculated by calculating the average value of the heights of all the protrusions per conductive particle as the height of the protrusions of one conductive particle. It is preferable that the height of the protrusions is obtained by calculating the average value of the heights of the protrusions of each conductive particle for 50 arbitrary conductive particles.

(絶縁性物質)
導通性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていなくてもよい。絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層効果的に防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。さらに、導電部の外表面に突起を有する導電性粒子である場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
(Insulating substance)
From the viewpoint of further enhancing the conductivity, the conductive particles do not have to include an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. From the viewpoint of further enhancing the insulation reliability, it is preferable that the conductive particles include an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. In this case, if the conductive particles are used for the connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented more effectively. Specifically, when a plurality of conductive particles come into contact with each other, an insulating substance exists between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the lateral direction rather than between the upper and lower electrodes. By pressurizing the conductive particles with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. Further, in the case of the conductive particles having protrusions on the outer surface of the conductive portion, the insulating substance between the conductive portion of the conductive portion and the electrode can be more easily removed.

上記絶縁性物質としては、絶縁層及び絶縁性粒子等が挙げられる。電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 Examples of the insulating substance include an insulating layer and insulating particles. The insulating substance is preferably insulating particles because the insulating substance can be more easily removed during crimping between the electrodes.

上記絶縁性物質の材料としては、上述した有機材料、上述した無機材料、及び上述した基材粒子の材料として挙げた無機物等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、上述した有機材料であることが好ましい。 Examples of the material of the insulating substance include the above-mentioned organic material, the above-mentioned inorganic material, and the above-mentioned inorganic substance as the material of the base particle. The material of the insulating substance is preferably the organic material described above.

上記絶縁性物質の他の材料としては、ポリオレフィン化合物、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Other materials of the insulating substance include polyolefin compounds, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins and water-soluble materials. Examples include resin. As the material of the insulating substance, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリドデシル(メタ)アクリレート及びポリステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋物としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。 Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polydodecyl (meth) acrylate, and polystearyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, melamine resin and the like. Examples of the crosslinked product of the thermoplastic resin include the introduction of polyethylene glycol methacrylate, alkoxylated trimethylolpropane methacrylate, alkoxylated pentaerythritol methacrylate and the like. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methyl cellulose and the like. Further, a chain transfer agent may be used to adjust the degree of polymerization. Examples of the chain transfer agent include thiols and carbon tetrachloride.

上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法は、物理的方法であることが好ましい。 Examples of the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive portion include a chemical method and a physical or mechanical method. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, and an emulsion polymerization method. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic adhesion method, spraying method, dipping and vacuum deposition method. From the viewpoint of further effectively enhancing the insulation reliability and the conduction reliability when the electrodes are electrically connected, the method of arranging the insulating substance on the surface of the conductive portion is a physical method. It is preferable to have.

上記導電部の外表面、及び上記絶縁性物質の外表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。上記導電部の外表面と上記絶縁性物質の外表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。上記導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の外表面の官能基と化学結合していても構わない。 The outer surface of the conductive portion and the outer surface of the insulating substance may each be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive portion and the outer surface of the insulating substance may not be directly chemically bonded, or may be indirectly chemically bonded by a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group into the outer surface of the conductive portion, the carboxyl group may be chemically bonded to a functional group on the outer surface of the insulating substance via a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.

上記絶縁性物質が絶縁性粒子である場合、上記絶縁性粒子の粒子径は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の粒子径は、好ましくは10nm以上、より好ましくは100nm以上、さらに好ましくは300nm以上、特に好ましくは500nm以上であり、好ましくは4000nm以下、より好ましくは2000nm以下、さらに好ましくは1500nm以下、特に好ましくは1000nm以下である。絶縁性粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の粒子径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 When the insulating substance is an insulating particle, the particle size of the insulating particle can be appropriately selected depending on the particle size of the conductive particle, the use of the conductive particle, and the like. The particle size of the insulating particles is preferably 10 nm or more, more preferably 100 nm or more, further preferably 300 nm or more, particularly preferably 500 nm or more, preferably 4000 nm or less, more preferably 2000 nm or less, still more preferably 1500 nm or less. , Especially preferably 1000 nm or less. When the particle size of the insulating particles is at least the above lower limit, it becomes difficult for the conductive portions of the plurality of conductive particles to come into contact with each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the particle size of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to increase the pressure too much in order to eliminate the insulating particles between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes, and the temperature is high. There is no need to heat it.

上記絶縁性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。絶縁性粒子の粒子径は、任意の絶縁性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各絶縁性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の絶縁性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。上記導電性粒子において、上記絶縁性粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。 The particle size of the insulating particles is preferably an average particle size, and preferably a number average particle size. For the particle size of the insulating particles, observe 50 arbitrary insulating particles with an electron microscope or an optical microscope, calculate the average value of the particle size of each insulating particle, or use a particle size distribution measuring device. Desired. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle size of each insulating particle is determined as the particle size in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 insulating particles in a circle-equivalent diameter is substantially equal to the average particle diameter in a sphere-equivalent diameter. In the particle size distribution measuring device, the particle size of each insulating particle is obtained as the particle size in the equivalent diameter of a sphere. The average particle size of the insulating particles is preferably calculated using a particle size distribution measuring device. When measuring the particle size of the insulating particles in the conductive particles, for example, the measurement can be performed as follows.

導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)を用いて、画像倍率5万倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性粒子を観察する。各導電性粒子における絶縁性粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して絶縁性粒子の粒子径とする。 Conductive particles are added to "Technobit 4000" manufactured by Kulzer so as to have a content of 30% by weight and dispersed to prepare an embedded resin for conducting conductive particle inspection. A cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling device (“IM4000” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the dispersed conductive particles in the embedded resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification was set to 50,000 times, 50 conductive particles were randomly selected, and the insulating particles of each conductive particle were observed. To do. The particle size of the insulating particles in each conductive particle is measured, and they are arithmetically averaged to obtain the particle size of the insulating particles.

上記導電性粒子の粒子径の、上記絶縁性粒子の粒子径に対する比(導電性粒子の粒子径/絶縁性粒子の粒子径)は、好ましくは4以上、より好ましくは8以上であり、好ましくは200以下、より好ましくは100以下である。上記比(導電性粒子の粒子径/絶縁性粒子の粒子径)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The ratio of the particle size of the conductive particles to the particle size of the insulating particles (particle size of the conductive particles / particle size of the insulating particles) is preferably 4 or more, more preferably 8 or more, and preferably 8. It is 200 or less, more preferably 100 or less. When the above ratio (particle size of conductive particles / particle size of insulating particles) is equal to or more than the above lower limit and less than or equal to the above upper limit, the insulation reliability and conduction reliability are further improved when the electrodes are electrically connected. It can be enhanced more effectively.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、導電性粒子同士の凝集の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the above-mentioned conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and used, and preferably dispersed in the binder resin and used as the conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between electrodes. The conductive material is preferably a conductive material for circuit connection. Since the above-mentioned conductive particles are used in the above-mentioned conductive material, the connection resistance between the electrodes can be lowered more effectively, and the occurrence of aggregation between the conductive particles can be further effectively suppressed. be able to. Since the above-mentioned conductive particles are used in the above-mentioned conductive material, the insulation reliability between the electrodes can be further effectively enhanced.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used. The binder resin preferably contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably contains a curable component. Examples of the curable component include a photocurable component and a thermosetting component. The photocurable component preferably contains a photocurable compound and a photopolymerization initiator. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

上記バインダー樹脂としては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. Only one kind of the binder resin may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, and unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated additive of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene-styrene. Examples include a hydrogenated additive of a block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

導電性粒子の配置精度を高め、接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記バインダー樹脂は、グリシジル基又は(メタ)アクリロイル基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、グリシジル基を有していてもよく、(メタ)アクリロイル基を有していてもよい。 From the viewpoint of improving the placement accuracy of the conductive particles and effectively lowering the connection resistance, the binder resin preferably contains a thermosetting compound having a glycidyl group or a (meth) acryloyl group. The thermosetting compound may have a glycidyl group or a (meth) acryloyl group.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, a bulking agent, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a photostabilizer. It may contain various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant.

上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。 As a method for dispersing the conductive particles in the binder resin, a conventionally known dispersion method can be used and is not particularly limited. Examples of the method for dispersing the conductive particles in the binder resin include the following methods. A method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like. A method in which the conductive particles are uniformly dispersed in water or an organic solvent using a homogenizer or the like, added to the binder resin, and kneaded and dispersed by a planetary mixer or the like. A method in which the binder resin is diluted with water or an organic solvent, the conductive particles are added, and the binder resin is kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like.

上記導電材料の25℃での粘度(η25)は、好ましくは30Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上であり、好ましくは400Pa・s以下、より好ましくは300Pa・s以下である。上記導電材料の25℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。 The viscosity (η25) of the conductive material at 25 ° C. is preferably 30 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, preferably 400 Pa · s or less, and more preferably 300 Pa · s or less. When the viscosity of the conductive material at 25 ° C. is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the insulation reliability between the electrodes can be further effectively enhanced, and the conduction reliability between the electrodes is further effective. Can be enhanced to. The viscosity (η25) can be appropriately adjusted depending on the type and amount of the compounding components.

上記粘度(η25)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定することができる。 The viscosity (η25) can be measured at 25 ° C. and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material according to the present invention can be used as a conductive paste, a conductive film, or the like. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film containing no conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。 The content of the binder resin in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 70% by weight or more. Is 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further enhanced. Can be done.

また、バインダー樹脂と粒子を混合する際に磁界又は磁力Xを適用することで任意の位置に導電性粒子を集めることで特定の箇所に導電性粒子を配置した導電材料を作製できる。 Further, a conductive material in which the conductive particles are arranged at a specific position can be produced by collecting the conductive particles at an arbitrary position by applying a magnetic field or a magnetic force X when mixing the binder resin and the particles.

上記磁界又は磁力を適用する工程は、バインダー樹脂と粒子を混合した後に行われてもよい。 The step of applying the magnetic field or the magnetic force may be performed after mixing the binder resin and the particles.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。 The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight. % Or less, more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes can be further effectively lowered. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability and the insulation reliability between the electrodes can be further improved.

(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。
(Connecting structure and manufacturing method of connecting structure)
The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the above. It includes a connecting portion that connects to the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the above-mentioned conductive particles or a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

上記接続構造体は、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材との間に、上記導電性粒子又は上記導電材料を配置する工程と、熱圧着することにより導電接続する工程とを経て、得ることができる。上記導電性粒子が上記絶縁性物質を有する場合には、上記熱圧着時に、上記絶縁性物質が上記導電性粒子から脱離することが好ましい。 The connection structure includes a step of arranging the conductive particles or the conductive material between the first connection target member and the second connection target member, and a step of conducting a conductive connection by thermocompression bonding. Can be obtained through. When the conductive particles have the insulating substance, it is preferable that the insulating substance is desorbed from the conductive particles at the time of thermocompression bonding.

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。即ち、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。 When the conductive particles are used alone, the connecting portion itself is the conductive particles. That is, the first connection target member and the second connection target member are connected by the conductive particles. The conductive material used to obtain the connection structure is preferably an anisotropic conductive material.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上述した導電性粒子を配置するか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第1の配置工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子又は上記導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を配置する第2の配置工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第2の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る。 In the method for producing a connection structure according to the present invention, the above-mentioned conductive particles are arranged on the surface of a first connection target member having a first electrode on the surface, or the above-mentioned conductive particles and a binder resin are used. The first placement step of arranging the conductive material containing the above is provided. The method for manufacturing a connection structure according to the present invention is a second connection target having a second electrode on the surface opposite to the first connection target member side of the conductive particles or the conductive material. A second placement step of arranging the members is provided. The method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes a step of applying a magnetic field or a magnetic force before or after the second arrangement step. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles is obtained.

図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。 FIG. 5 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図5に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図5では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1に代えて、導電性粒子11,21等の他の導電性粒子を用いてもよい。 The connection structure 51 shown in FIG. 5 connects a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 connecting the first and second connection target members 52 and 53. Be prepared. The connecting portion 54 is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 1. In FIG. 5, the conductive particles 1 are shown schematicly for convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, other conductive particles such as conductive particles 11 and 21 may be used.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。 The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

接続構造体51は、例えば、以下のようにして得ることができる。 The connection structure 51 can be obtained, for example, as follows.

第1の電極52aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材52を用意する。図6(a)に示すように、第1の接続対象部材52の第1の電極52aが設けられた表面上に、導電材料61を配置する(第1の配置工程)。導電材料61は導電性粒子1を含む。導電材料61の配置の後に、導電性粒子1は、第1の電極52a(ライン)上と、第1の電極52aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。 A first connection target member 52 having the first electrode 52a on the surface (upper surface) is prepared. As shown in FIG. 6A, the conductive material 61 is arranged on the surface provided with the first electrode 52a of the first connection target member 52 (first arrangement step). The conductive material 61 contains the conductive particles 1. After the arrangement of the conductive material 61, the conductive particles 1 are arranged both on the first electrode 52a (line) and on the region (space) where the first electrode 52a is not formed.

上記導電材料の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。 The method of arranging the conductive material is not particularly limited, and examples thereof include coating with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet device.

また、第2の電極53aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材53を用意する。次に、図6(b)に示すように、第1の接続対象部材52の表面上の導電材料61において、導電材料61(又は導電性粒子1)の第1の接続対象部材52側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材53を配置する(第2の配置工程)。導電材料61の表面上に、第2の電極53a側から、第2の接続対象部材53を配置する。このとき、第1の電極52aと第2の電極53aとを対向させる。 Further, a second connection target member 53 having the second electrode 53a on the front surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 6B, in the conductive material 61 on the surface of the first connection target member 52, what is the first connection target member 52 side of the conductive material 61 (or the conductive particles 1)? The second connection target member 53 is arranged on the surface on the opposite side (second arrangement step). The second connection target member 53 is arranged on the surface of the conductive material 61 from the second electrode 53a side. At this time, the first electrode 52a and the second electrode 53a are opposed to each other.

図6(c)に示すように、上記第2の配置工程に、磁界又は磁力Xを適用する。第1の電極52a部分にて、磁界又は磁力を適用することが好ましい。第2の電極53a部分にて、磁界又は磁力を適用することが好ましい。磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子1が、第1の電極52a上に集まる。また、磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子1が、第1の電極52aと第2の電極53aとの間に集まる。この結果、第1の電極52aと第2の電極53aとの間に配置される導電性粒子1の数が多くなる。 As shown in FIG. 6C, a magnetic field or a magnetic force X is applied to the second arrangement step. It is preferable to apply a magnetic field or a magnetic force to the first electrode 52a portion. It is preferable to apply a magnetic field or a magnetic force at the second electrode 53a portion. By applying a magnetic field or magnetic force, the conductive particles 1 are collected on the first electrode 52a. Further, by applying a magnetic field or a magnetic force, the conductive particles 1 are gathered between the first electrode 52a and the second electrode 53a. As a result, the number of conductive particles 1 arranged between the first electrode 52a and the second electrode 53a increases.

図6(c)に示す状態から、熱圧着工程を行うことにより、図5に示す接続構造体51を得ることができる。 The connection structure 51 shown in FIG. 5 can be obtained by performing the thermocompression bonding step from the state shown in FIG. 6 (c).

別法として、接続構造体51は、例えば、以下のようにして得ることができる。 Alternatively, the connection structure 51 can be obtained, for example, as follows.

第1の電極52aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材52を用意する。図7(a)に示すように、第1の接続対象部材52の第1の電極52aが設けられた表面上に、導電材料61を配置する(第1の配置工程)。導電材料61は導電性粒子1を含む。導電材料61の配置の後に、導電性粒子1は、第1の電極52a(ライン)上と、第1の電極52aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。 A first connection target member 52 having the first electrode 52a on the surface (upper surface) is prepared. As shown in FIG. 7A, the conductive material 61 is arranged on the surface provided with the first electrode 52a of the first connection target member 52 (first arrangement step). The conductive material 61 contains the conductive particles 1. After the arrangement of the conductive material 61, the conductive particles 1 are arranged both on the first electrode 52a (line) and on the region (space) where the first electrode 52a is not formed.

図7(b)に示すように、上記第1の配置工程に、磁界又は磁力Xを適用する。磁界又は磁力の適用によって、導電性粒子1が、第1の電極52a上に集まる。この結果、第1の電極52a上に配置される導電性粒子1の数が多くなる。 As shown in FIG. 7B, a magnetic field or a magnetic force X is applied to the first arrangement step. By applying a magnetic field or magnetic force, the conductive particles 1 are collected on the first electrode 52a. As a result, the number of conductive particles 1 arranged on the first electrode 52a increases.

また、第2の電極53aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材53を用意する。次に、図7(c)に示すように、第1の接続対象部材52の表面上の導電材料61において、導電材料61(又は導電性粒子1)の第1の接続対象部材52側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材53を配置する(第2の配置工程)。導電材料61の表面上に、第2の電極53a側から、第2の接続対象部材53を配置する。このとき、第1の電極52aと第2の電極53aとを対向させる。 Further, a second connection target member 53 having the second electrode 53a on the front surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 7C, in the conductive material 61 on the surface of the first connection target member 52, what is the first connection target member 52 side of the conductive material 61 (or the conductive particles 1)? The second connection target member 53 is arranged on the surface on the opposite side (second arrangement step). The second connection target member 53 is arranged on the surface of the conductive material 61 from the second electrode 53a side. At this time, the first electrode 52a and the second electrode 53a are opposed to each other.

図7(c)に示す状態から、熱圧着工程を行うことにより、図5に示す接続構造体51を得ることができる。 The connection structure 51 shown in FIG. 5 can be obtained by performing the thermocompression bonding step from the state shown in FIG. 7 (c).

上記磁界又は磁力を適用する工程は、上記第1の配置工程前又は上記第2の配置工程前に行われてもよく、上記第2の配置工程後に行われてもよい。導電性粒子の配置精度をより一層高める観点からは、上記磁界又は磁力を適用する工程は、上記第1の配置工程前又は上記第2の配置工程後に行われることが好ましい。 The step of applying the magnetic field or the magnetic force may be performed before the first placement step or before the second placement step, or after the second placement step. From the viewpoint of further improving the placement accuracy of the conductive particles, the step of applying the magnetic field or the magnetic force is preferably performed before the first placement step or after the second placement step.

上記第2の配置工程後、かつ、上記磁界又は磁力を適用する工程の後、熱圧着工程が行われることが好ましい。上記第1の接続対象部材と、導電性粒子又は導電材料と、上記第2の接続対象部材との積層体を熱圧着することにより、接続信頼性に優れた接続構造体を得ることができる。 It is preferable that the thermocompression bonding step is performed after the second arrangement step and after the step of applying the magnetic field or the magnetic force. By thermocompression bonding the laminate of the first connection target member, the conductive particles or the conductive material, and the second connection target member, a connection structure having excellent connection reliability can be obtained.

上記熱圧着の圧力は好ましくは40MPa以上、より好ましくは60MPa以上であり、好ましくは90MPa以下、より好ましくは70MPa以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上であり、好ましくは140℃以下、より好ましくは120℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、導電接続時に導電性粒子の表面から絶縁性粒子が容易に脱離できる。 The thermocompression bonding pressure is preferably 40 MPa or more, more preferably 60 MPa or more, preferably 90 MPa or less, and more preferably 70 MPa or less. The heating temperature of the thermocompression bonding is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or lower, and more preferably 120 ° C. or lower. When the pressure and temperature of the thermocompression bonding are at least the above lower limit and at least the above upper limit, the conduction reliability and insulation reliability between the electrodes can be further improved. Further, when the conductive particles have the insulating particles, the insulating particles can be easily separated from the surface of the conductive particles at the time of conductive connection.

上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、上記積層体を加熱及び加圧する際に、上記導電性粒子と、上記第1の電極及び上記第2の電極との間に存在している上記絶縁性粒子を排除することができる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子と、上記第1の電極及び上記第2の電極との間に存在している上記絶縁性粒子が、上記導電性粒子の表面から容易に脱離する。なお、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子の表面から一部の上記絶縁性粒子が脱離して、上記導電部の表面が部分的に露出することがある。上記導電部の表面が露出した部分が、上記第1の電極及び上記第2の電極に接触することにより、上記導電性粒子を介して第1の電極と第2の電極とを電気的に接続することができる。 When the conductive particles have the insulating particles, they are present between the conductive particles and the first electrode and the second electrode when the laminate is heated and pressurized. The above insulating particles can be eliminated. For example, during the heating and pressurization, the insulating particles existing between the conductive particles and the first electrode and the second electrode are released from the surface of the conductive particles. Easy to detach. During the heating and pressurization, some of the insulating particles may be separated from the surface of the conductive particles, and the surface of the conductive portion may be partially exposed. When the exposed surface of the conductive portion comes into contact with the first electrode and the second electrode, the first electrode and the second electrode are electrically connected via the conductive particles. can do.

上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。 The first connection target member and the second connection target member are not particularly limited. Specific examples of the first connection target member and the second connection target member include electronic components such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, capacitors and diodes, resin films, printed circuit boards, and flexible devices. Examples thereof include electronic components such as printed circuit boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and circuit boards such as glass boards. The first connection target member and the second connection target member are preferably electronic components.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a metal electrode such as a tungsten electrode. When the connection target member is a flexible printed substrate, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrodes are preferably aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes or tungsten electrodes. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
(1)導電性粒子の作製
基材粒子Aとして、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203、粒子径3μm」)を用意した。
(Example 1)
(1) Preparation of Conductive Particles Divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-203, particle size 3 μm” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) were prepared as base particle particles A.

パラジウム触媒液5重量%を含むアルカリ溶液100重量部に、基材粒子A10重量部を超音波分散器により分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液(1A)を得た。 10 parts by weight of the base particle A was dispersed in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of the palladium catalyst solution by an ultrasonic disperser, and then the base particle A was taken out by filtering the solution. Next, the base particle A was added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane to activate the surface of the base particle A. The surface-activated substrate particles A were thoroughly washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a suspension (1A).

金属ニッケルスラリー(平均粒子径150nm)1重量部を3分間かけて上記懸濁液(1A)に添加し、芯物質が付着された基材粒子Aを含む粒子混合懸濁液(1B)を得た。 1 part by weight of a metallic nickel slurry (average particle size 150 nm) is added to the suspension (1A) over 3 minutes to obtain a particle mixed suspension (1B) containing base particle A to which a core substance is attached. It was.

また、スルファミン酸ニッケル50g/L、グリシン70g/L、ホウ酸30g/L及び硫酸ヒドラジウム300g/Lを含むニッケルめっき液(2)(pH10)を用意した。 Further, a nickel plating solution (2) (pH 10) containing nickel sulfamate 50 g / L, glycine 70 g / L, boric acid 30 g / L and hydradium sulfate 300 g / L was prepared.

懸濁液(1B)を80℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液(2)を徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液(3)を得た。 While stirring the suspension (1B) at 80 ° C., the nickel plating solution (2) was gradually added dropwise to perform electroless pure nickel plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming of hydrogen stopped, and a suspension (3) after electroless pure nickel plating was obtained.

その後、懸濁液(3)をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥した。基材粒子の外表面に高純度Niの導電部(厚み51nm)が配置された導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、金属ニッケル粒子を備える。 Then, by filtering the suspension (3), the particles were taken out, washed with water, and dried. Conductive particles in which a conductive portion (thickness 51 nm) of high-purity Ni was arranged on the outer surface of the base particles were obtained. The conductive particles include metallic nickel particles as a core material.

(実施例2)
導電層の厚みを51nmから80nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 80 nm.

(実施例3)
実施例1と同様の懸濁液(1B)を、硫酸ニッケル25g/L、硝酸タリウム15ppm及び硝酸ビスマス10ppmを含む溶液中に入れ、粒子混合液(4)を得た。
(Example 3)
The same suspension (1B) as in Example 1 was placed in a solution containing 25 g / L of nickel sulfate, 15 ppm of thallium nitrate and 10 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (4).

また、硫酸ニッケル100g/L、ジメチルアミンボラン30g/L、クエン酸ナトリウム15g/L、硝酸タリウム25ppm、及び硝酸ビスマス10ppmを含むホウ素含有ニッケルめっき液(5)(pH8.0)を用意した。 Further, a boron-containing nickel plating solution (5) (pH 8.0) containing 100 g / L of nickel sulfate, 30 g / L of dimethylamine borane, 15 g / L of sodium citrate, 25 ppm of thallium nitrate, and 10 ppm of bismuth nitrate was prepared.

粒子混合液(4)を60℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケルめっき液(5)を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケルめっき後の懸濁液(6)を得た。 The boron-containing nickel plating solution (5) was gradually added dropwise while stirring the particle mixture (4) at 60 ° C. to perform electroless nickel plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (6) after electroless boron-containing nickel plating was obtained.

その後、懸濁液(6)をろ過し、水洗後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、ホウ素含有ニッケルめっき粒子の懸濁液(7)を得た。 Then, the suspension (6) was filtered, washed with water, added to 500 parts by weight of distilled water, and dispersed to obtain a suspension (7) of boron-containing nickel-plated particles.

さらに実施例1と同様にして、無電解純ニッケルめっきを行うことで、基材粒子の表面にホウ素含有Niの導電部(厚み19nm)が配置され、さらに外表面に高純度Niの導電部(厚み51nm)が配置された導電性粒子を得た。 Further, by performing electroless pure nickel plating in the same manner as in Example 1, a conductive portion of boron-containing Ni (thickness 19 nm) is arranged on the surface of the base particle, and a conductive portion of high-purity Ni (thickness 19 nm) is further arranged on the outer surface. Conductive particles having a thickness of 51 nm) were obtained.

(実施例4)
懸濁液(1A)を用いて無電解ニッケルめっきを行うことで芯物質を備えていない導電性粒子を得たこと、並びに導電層の厚みを51nmから55nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Example 4)
Example 1 except that electroless nickel plating was performed using the suspension (1A) to obtain conductive particles having no core material, and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 55 nm. In the same manner as above, conductive particles were obtained.

(実施例5)
上記金属ニッケル粒子スラリーを酸化チタン粒子スラリー(平均粒子径150nm)に変更したこと、並びに導電層の厚みを51nmから52nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、酸化チタン粒子を備える。
(Example 5)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metallic nickel particle slurry was changed to titanium oxide particle slurry (average particle size 150 nm) and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 52 nm. .. The conductive particles include titanium oxide particles as a core substance.

(実施例6)
上記金属ニッケル粒子スラリーをアルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。この導電性粒子は、芯物質として、アルミナ粒子を備える。
(Example 6)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the metal nickel particle slurry was changed to an alumina particle slurry (average particle size 150 nm). The conductive particles include alumina particles as a core material.

(実施例7)
実施例1と同様の懸濁液(1B)を、硫酸コバルト20g/L、クエン酸ナトリウム20g/Lを含む溶液中に入れ、粒子混合液(9)を得た。
(Example 7)
The same suspension (1B) as in Example 1 was placed in a solution containing 20 g / L of cobalt sulfate and 20 g / L of sodium citrate to obtain a particle mixture (9).

また、硫酸コバルト70g/L、ジメチルアミンボラン50g/L、クエン酸ナトリウム60g/Lを含むホウ素含有コバルトめっき液(10)(pH8.0)を用意した。 Further, a boron-containing cobalt plating solution (10) (pH 8.0) containing 70 g / L of cobalt sulfate, 50 g / L of dimethylamine borane, and 60 g / L of sodium citrate was prepared.

粒子混合液(9)を60℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有コバルトめっき液(10)を徐々に滴下し、無電解コバルトめっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有コバルトめっき後の懸濁液(11)を得た。 The boron-containing cobalt plating solution (10) was gradually added dropwise while stirring the particle mixture (9) at 60 ° C. to perform electroless cobalt plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (11) after electroless boron-containing cobalt plating was obtained.

その後、懸濁液(11)をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にCo−Bの導電部(厚み55nm)が配置された導電性粒子を得た。 Then, the suspension (11) was filtered, washed with water, and dried to obtain conductive particles in which a conductive portion of Co-B (thickness 55 nm) was arranged on the outer surface of the base particles.

(実施例8)
実施例1と同様の懸濁液(1B)を、硫酸ニッケル20g/L、クエン酸ナトリウム20g/Lを含む溶液中に入れ、粒子混合液(12)を得た。
(Example 8)
The same suspension (1B) as in Example 1 was placed in a solution containing 20 g / L of nickel sulfate and 20 g / L of sodium citrate to obtain a particle mixture (12).

また、硫酸ニッケル70g/L、硫酸コバルト70g/L、ジメチルアミンボラン70g/L、クエン酸ナトリウム10g/L、グルコン酸ナトリウム60g/Lを含むホウ素含有ニッケルコバルトめっき液(13)(pH9.0)を用意した。 A boron-containing nickel-cobalt plating solution (13) (pH 9.0) containing 70 g / L of nickel sulfate, 70 g / L of cobalt sulfate, 70 g / L of dimethylamine borane, 10 g / L of sodium citrate, and 60 g / L of sodium gluconate. I prepared.

粒子混合液(12)を60℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケルコバルトめっき液(13)を徐々に滴下し、無電解ニッケルコバルトめっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケルコバルトめっき後の懸濁液(14)を得た。 The boron-containing nickel-cobalt plating solution (13) was gradually added dropwise while stirring the particle mixture (12) at 60 ° C. to perform electroless nickel-cobalt plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (14) after electroless boron-containing nickel-cobalt plating was obtained.

その後、懸濁液(14)をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にNi−Co−Bの導電部(厚み62nm)が配置された導電性粒子を得た。 Then, the suspension (14) was filtered, washed with water, and dried to obtain conductive particles in which a conductive portion (thickness 62 nm) of Ni—Co-B was arranged on the outer surface of the base particles.

(実施例9)
実施例1と同様の懸濁液(1B)を、硫酸ニッケル20g/L、クエン酸ナトリウム20g/Lを含む溶液中に入れ、粒子混合液(15)を得た。
(Example 9)
The same suspension (1B) as in Example 1 was placed in a solution containing 20 g / L of nickel sulfate and 20 g / L of sodium citrate to obtain a particle mixture (15).

また、硫酸ニッケル70g/L、硫酸鉄40g/L、ジメチルアミンボラン70g/L、クエン酸ナトリウム10g/L、グルコン酸ナトリウム100g/Lを含むホウ素含有ニッケル鉄めっき液(16)(pH10.0)を用意した。 A boron-containing nickel iron plating solution (16) (pH 10.0) containing nickel sulfate 70 g / L, iron sulfate 40 g / L, dimethylamine borane 70 g / L, sodium citrate 10 g / L, and sodium gluconate 100 g / L. I prepared.

粒子混合液(15)を60℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有ニッケル鉄めっき液(16)を徐々に滴下し、無電解ホウ素含有ニッケル鉄めっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有ニッケル鉄めっき後の懸濁液(17)を得た。 The boron-containing nickel-iron plating solution (16) was gradually added dropwise while stirring the particle mixture (15) at 60 ° C. to perform electroless boron-containing nickel-iron plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (17) after electroless boron-containing nickel-iron plating was obtained.

その後、懸濁液(17)をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にNi−Fe−Bの導電部(厚み54nm)が配置された導電性粒子を得た。 Then, the suspension (17) was filtered, washed with water, and dried to obtain conductive particles in which a conductive portion (thickness 54 nm) of Ni-Fe-B was arranged on the outer surface of the base particles.

(実施例10)
実施例1と同様の懸濁液(1B)を、硫酸コバルト20g/L、クエン酸ナトリウム20g/Lを含む溶液中に入れ、粒子混合液(18)を得た。
(Example 10)
The same suspension (1B) as in Example 1 was placed in a solution containing 20 g / L of cobalt sulfate and 20 g / L of sodium citrate to obtain a particle mixture (18).

また、硫酸コバルト80g/L、硫酸鉄30g/L、ジメチルアミンボラン70g/L、クエン酸ナトリウム10g/L、グルコン酸ナトリウム100g/Lを含むホウ素含有コバルト鉄めっき液(19)(pH9.0)を用意した。 A boron-containing cobalt iron plating solution containing 80 g / L of cobalt sulfate, 30 g / L of iron sulfate, 70 g / L of dimethylamine borane, 10 g / L of sodium citrate, and 100 g / L of sodium gluconate (19) (pH 9.0). I prepared.

粒子混合液(18)を60℃にて攪拌しながら上記ホウ素含有コバルト鉄めっき液(19)を徐々に滴下し、無電解ホウ素含有コバルト鉄めっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ホウ素含有コバルト鉄めっき後の懸濁液(20)を得た。 The boron-containing cobalt iron plating solution (19) was gradually added dropwise while stirring the particle mixture (18) at 60 ° C. to perform electroless boron-containing cobalt iron plating. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (20) after electroless boron-containing cobalt iron plating was obtained.

その後、懸濁液(20)をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面にCo−Fe−Bの導電部(厚み51nm)が配置された導電性粒子を得た。 Then, the suspension (20) was filtered, washed with water, and dried to obtain conductive particles in which a conductive portion (thickness 51 nm) of Co-Fe-B was arranged on the outer surface of the substrate particles.

(実施例11)
(1)シリコーンオリゴマーの作製
温浴槽内に設置した100mlのセパラブルフラスコに、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン1重量部と、0.5重量%p−トルエンスルホン酸水溶液20重量部とを入れた。40℃で1時間撹拌した後、炭酸水素ナトリウム0.05重量部を添加した。その後、ジメトキシメチルフェニルシラン10重量部、ジメチルジメトキシシラン49重量部、トリメチルメトキシシラン0.6重量部、及びメチルトリメトキシシラン3.6重量部を添加し、1時間撹拌を行った。その後、10重量%水酸化カリウム水溶液1.9重量部を添加して、85℃まで昇温してアスピレーターで減圧しながら、10時間撹拌、反応を行った。反応終了後、常圧に戻し40℃まで冷却して、酢酸0.2重量部を添加し、12時間以上分液漏斗内で静置した。二層分離後の下層を取り出して、エバポレーターにて精製することでシリコーンオリゴマーを得た。
(Example 11)
(1) Preparation of Silicone Oligomer In a 100 ml separable flask placed in a warm bath, 1 part by weight of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane and 20 parts by weight of a 0.5% by weight p-toluenesulfonic acid aqueous solution were placed. I put it in. After stirring at 40 ° C. for 1 hour, 0.05 parts by weight of sodium hydrogen carbonate was added. Then, 10 parts by weight of dimethoxymethylphenylsilane, 49 parts by weight of dimethyldimethoxysilane, 0.6 parts by weight of trimethylmethoxysilane, and 3.6 parts by weight of methyltrimethoxysilane were added, and the mixture was stirred for 1 hour. Then, 1.9 parts by weight of a 10 wt% potassium hydroxide aqueous solution was added, the temperature was raised to 85 ° C., and the reaction was carried out with stirring for 10 hours while reducing the pressure with an aspirator. After completion of the reaction, the pressure was returned to normal pressure, the mixture was cooled to 40 ° C., 0.2 part by weight of acetic acid was added, and the mixture was allowed to stand in a separating funnel for 12 hours or more. The lower layer after the two-layer separation was taken out and purified by an evaporator to obtain a silicone oligomer.

(2)シリコーン粒子材料(有機ポリマーを含む)の作製
得られたシリコーンオリゴマー30重量部に、tert−ブチル−2−エチルペルオキシヘキサノアート(重合開始剤、日油社製「パーブチルO」)0.5重量部を溶解させた溶解液Aを用意した。また、イオン交換水150重量部に、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩40重量%水溶液(乳化剤)0.8重量部とポリビニルアルコール(重合度:約2000、けん化度:86.5〜89モル%、日本合成化学社製「ゴーセノールGH−20」)の5重量%水溶液80重量部とを混合して、水溶液Bを用意した。温浴槽中に設置したセパラブルフラスコに、上記溶解液Aを入れた後、上記水溶液Bを添加した。その後、Shirasu Porous Glass(SPG)膜(細孔平均径約1μm)を用いることで、乳化を行った。その後、85℃に昇温して、9時間重合を行った。重合後の粒子の全量を遠心分離により水洗浄し、凍結乾燥を行った。乾燥後、粒子の凝集体が目的の比(平均2次粒子径/平均1次粒子径)になるまでボールミルにて粉砕して、粒子径が3.0μmのシリコーン粒子(基材粒子B)を得た。
(2) Preparation of Silicone Particle Material (Including Organic Polymer) In 30 parts by weight of the obtained silicone oligomer, tert-butyl-2-ethylperoxyhexanoate (polymerization initiator, "Perbutyl O" manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) 0 A solution A in which 5.5 parts by weight was dissolved was prepared. In addition, in 150 parts by weight of ion-exchanged water, 0.8 parts by weight of a 40% by weight aqueous solution of triethanolamine lauryl sulfate (embroidery) and polyvinyl alcohol (degree of polymerization: about 2000, degree of saponification: 86.5-89 mol%, Japan An aqueous solution B was prepared by mixing with 80 parts by weight of a 5% by weight aqueous solution of "Gosenol GH-20" manufactured by Synthetic Chemical Co., Ltd. The solution A was placed in a separable flask placed in a warm bath, and then the aqueous solution B was added. Then, emulsification was carried out by using a Shirasu Porous Glass (SPG) membrane (pore average diameter of about 1 μm). Then, the temperature was raised to 85 ° C., and polymerization was carried out for 9 hours. The entire amount of the polymerized particles was washed with water by centrifugation and freeze-dried. After drying, the particles are pulverized with a ball mill until the agglomerates of the particles have the desired ratio (average secondary particle size / average primary particle size) to obtain silicone particles (base particle B) having a particle size of 3.0 μm. Obtained.

上記基材粒子Aを上記基材粒子Bに変更したこと、並びに導電層の厚みを51nmから52nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Niの導電部が配置された導電性粒子を得た。 High-purity Ni on the outer surface of the base particles in the same manner as in Example 1 except that the base particles A were changed to the base particles B and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 52 nm. Conductive particles in which the conductive parts of the above were arranged were obtained.

(実施例12)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が10.0μmである基材粒子Cを用意した。
(Example 12)
Base particle C having a particle size of 10.0 μm, which differs only from the base particle A in particle size, was prepared.

上記基材粒子Aを上記基材粒子Cに変更したこと、並びに導電層の厚みを51nmから90nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Niの導電部が配置された導電性粒子を得た。 High-purity Ni on the outer surface of the base particles in the same manner as in Example 1 except that the base particles A were changed to the base particles C and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 90 nm. Conductive particles in which the conductive parts of the above were arranged were obtained.

(実施例13)
基材粒子Aと粒子径のみが異なり、粒子径が1.5μmである基材粒子Dを用意した。
(Example 13)
A base particle D having a particle size of 1.5 μm, which differs only from the base particle A in the particle size, was prepared.

上記基材粒子Aを上記基材粒子Dに変更したこと、並びに導電層の厚みを51nmから32nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、基材粒子の外表面に高純度Niの導電部が配置された導電性粒子を得た。 High-purity Ni on the outer surface of the base particles in the same manner as in Example 1 except that the base particles A were changed to the base particles D and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 32 nm. Conductive particles in which the conductive parts of the above were arranged were obtained.

(実施例14)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコを用意した。上記セパラブルフラスコ内に、イオン交換水を入れ、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるように秤取した。その後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 14)
A 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, a stirring blade, a three-way cock, a cooling tube and a temperature probe was prepared. Ion-exchanged water was placed in the separable flask, and 100 mmol of methyl methacrylate, 1 mmol of N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethylammonium chloride, and 2,2'-azobis (2-amidinopropane) were added. ) The monomer composition containing 1 mmol of dihydrochloride was weighed so that the solid content was 5% by weight. Then, the mixture was stirred at 200 rpm and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, having an average particle size of 220 nm and a CV value of 10%.

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of the insulating particles.

実施例1で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。10μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 1 was dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtering with a 10 μm mesh filter, the mixture was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles to which insulating particles were attached.

走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. When the covering area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated with respect to the area 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis, the covering ratio was 30%.

(比較例1)
実施例1の懸濁液(1A)を、硫酸ニッケル25g/L、硝酸タリウム15ppm及び硝酸ビスマス10ppmを含む溶液中に入れ、粒子混合液(21)を得た。
(Comparative Example 1)
The suspension (1A) of Example 1 was placed in a solution containing 25 g / L of nickel sulfate, 15 ppm of thallium nitrate and 10 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (21).

また、硫酸ニッケル100g/L、次亜リン酸ナトリウム60g/L、クエン酸ナトリウム15g/L、硝酸タリウム25ppm、及び硝酸ビスマス10ppmを含むニッケル−リンめっき液(22)(pH5.5)を用意した。 Further, a nickel-phosphorus plating solution (22) (pH 5.5) containing 100 g / L of nickel sulfate, 60 g / L of sodium hypophosphite, 15 g / L of sodium citrate, 25 ppm of tarium nitrate, and 10 ppm of bismuth nitrate was prepared. ..

粒子が分散している50℃の粒子混合液(21)に、上記ニッケル−リンめっき液(22)を徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行った。その後、pHが安定するまで攪拌し、発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき液後の懸濁液(23)を得た。その後、懸濁液(23)をろ過し、水洗後、乾燥することで基材粒子の外表面に芯物質を含まないNi−Pの導電部(厚み59nm)が配置された導電性粒子を得た。 The nickel-phosphorus plating solution (22) was gradually added dropwise to the particle mixture (21) at 50 ° C. in which the particles were dispersed, and electroless nickel-phosphorus plating was performed. Then, the mixture was stirred until the pH became stable, and it was confirmed that the foaming stopped, and a suspension (23) after the electroless nickel-phosphorus plating solution was obtained. Then, the suspension (23) is filtered, washed with water, and dried to obtain conductive particles in which a conductive portion (thickness 59 nm) of Ni-P containing no core substance is arranged on the outer surface of the base particles. It was.

(比較例2)
上記基材粒子Aを金属ニッケル−リン粒子(日立金属ネオマテリアル社製、平均粒子径20μm)に変更したこと、並びに導電層の厚みを51nmから49nmに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。
(Comparative Example 2)
Same as in Example 1 except that the base particle A was changed to metallic nickel-phosphorus particles (manufactured by Hitachi Metals Neomaterial Co., Ltd., average particle diameter 20 μm) and the thickness of the conductive layer was changed from 51 nm to 49 nm. To obtain conductive particles.

(評価)
(1)基材粒子の10%K値
導電性粒子に用いた基材粒子(金属粒子を除く)について、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」を用いて、上述した方法により、10%K値を測定した。
(Evaluation)
(1) 10% K value of base particle The base particle (excluding metal particles) used for the conductive particle is 10% K by the above-mentioned method using "Fisherscope H-100" manufactured by Fisher. The value was measured.

(2)飽和磁化量
得られた導電性粒子を用いて、飽和磁化量を測定した。磁化量は導電性粒子の磁気ヒステリシス曲線を測定することで算出した。装置として、振動試料型磁力計(理研電子社製「BHV−50」)を用いた。また、乾燥した導電性粒子15mgを、サンプルホルダーに圧縮せずに密閉することで試料調整を行い、測定を実施した。
(2) Saturated Magnetization Amount The saturated magnetization amount was measured using the obtained conductive particles. The amount of magnetization was calculated by measuring the magnetic hysteresis curve of the conductive particles. A vibrating sample magnetometer (“BHV-50” manufactured by RIKEN Electronics Co., Ltd.) was used as an apparatus. Further, the sample was prepared by sealing 15 mg of the dried conductive particles in the sample holder without compression, and the measurement was carried out.

(3)沈降速度(導電性粒子の移動特性)
30mLのバイアル瓶の中に0.5gの導電性粒子を入れた。さらに、バイアル瓶の中に純水30mLを充填して、バイアル瓶を超音波で30秒処理して、導電性粒子を分散させた。バイアル瓶の底面より大きな表面積の磁石上に、導電性粒子が分散されたバイアル瓶を設置し、導電性粒子が完全に沈降するまで放置した。
(3) Sedimentation speed (movement characteristics of conductive particles)
0.5 g of conductive particles were placed in a 30 mL vial. Further, the vial was filled with 30 mL of pure water, and the vial was treated with ultrasonic waves for 30 seconds to disperse the conductive particles. A vial in which the conductive particles were dispersed was placed on a magnet having a surface area larger than the bottom surface of the vial, and left until the conductive particles completely settled.

沈降後、磁石とバイアル瓶を密着させた状態で180°回転させ逆さにし、磁石面に保持されずに沈降する粒子が底面に到達するまでの時間を測定した。 After settling, the magnet and the vial were rotated 180 ° in close contact with each other and turned upside down, and the time until the settling particles reached the bottom surface without being held on the magnet surface was measured.

[沈降速度の判定基準]
○○:粒子が10分以上経過しても沈降しない
○:沈降する粒子の底面到達時間が5分以上10分未満
×:沈降する粒子の底面到達時間が5分未満
[Criteria for sedimentation rate]
○○: Particles do not settle even after 10 minutes or more ○: Bottom arrival time of settling particles is 5 minutes or more and less than 10 minutes ×: Bottom arrival time of settled particles is less than 5 minutes

(4)電極の損傷
異方性導電フィルムの作製:
熱硬化性化合物であるフェノキシ化合物(Inchem社製「PKHC」)30重量部をPGMEA35重量部とメチルエチルケトン35重量部との混合溶媒に入れ、24時間常温で撹拌してフェノキシ化合物の30重量%分散液を得た。次に、上記分散液30重量部と熱硬化性化合物であるエポキシ化合物(DIC社製「EPICLON HP−4032D」)30重量部と、潜在型熱硬化剤であるイミダゾールのマイクロカプセル硬化剤(旭化成社製「ノバキュアHXA3922」)30重量部と、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−403」)1重量部とを配合した。得られた配合物に導電性粒子を得られる導電フィルム100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、固形分量が50重量%となるようにメチルエチルケトンをさらに添加し、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。
(4) Electrode damage Fabrication of anisotropic conductive film:
30 parts by weight of a phenoxy compound ("PKHC" manufactured by Inchem), which is a thermosetting compound, is placed in a mixed solvent of 35 parts by weight of PGMEA and 35 parts by weight of methyl ethyl ketone, and stirred at room temperature for 24 hours to obtain a 30% by weight dispersion of the phenoxy compound. Got Next, 30 parts by weight of the dispersion liquid, 30 parts by weight of an epoxy compound (“EPICLON HP-4032D” manufactured by DIC) which is a thermosetting compound, and a microcapsule curing agent (Asahi Kasei Co., Ltd.) of imidazole which is a latent thermosetting agent. 30 parts by weight of "Novacure HXA3922" manufactured by Novacure HXA3922 and 1 part by weight of a silane coupling agent ("KBM-403" manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.) were blended. After adding the conductive particles to the obtained formulation so that the content in 100% by weight of the conductive film capable of obtaining the conductive particles is 10% by weight, methyl ethyl ketone is further added so that the solid content is 50% by weight. A conductive paste was obtained by stirring at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer. The obtained conductive paste was applied onto the stripped polyethylene terephthalate, and the solvent was dried to obtain an anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm.

接続構造体の作製:
L/Sが20μm/20μmの電極パターン(厚み0.35μmのTiO電極部分と、厚み1.0μmのAlTi電極部分と、厚み0.1μmのIZO電極部分とがこの順で積層された複合電極)を上面に有するガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。
Fabrication of connection structure:
Electrode pattern with L / S of 20 μm / 20 μm (composite electrode in which a TiO electrode portion with a thickness of 0.35 μm, an AlTi electrode portion with a thickness of 1.0 μm, and an IZO electrode portion with a thickness of 0.1 μm are laminated in this order) Was prepared on the upper surface. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern (gold electrode thickness 20 μm) having an L / S of 20 μm / 20 μm on the lower surface was prepared.

上記ガラス基板の上面に、異方性導電フィルムを配置し、異方性導電フィルム層を形成した。次に、異方性導電フィルム層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電フィルム層の温度が130℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、バンプ電極の接続部分の総面積当たり70MPaの圧力をかけて、接続構造体を得た。 An anisotropic conductive film was placed on the upper surface of the glass substrate to form an anisotropic conductive film layer. Next, the semiconductor chips were laminated on the upper surface of the anisotropic conductive film layer so that the electrodes face each other. After that, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive film layer becomes 130 ° C., the pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and the pressure of 70 MPa per total area of the connecting portion of the bump electrode is applied. The connection structure was obtained.

得られた接続構造体を用いて、電極の損傷を以下の基準で判定した。なお、粒子の潰れの有無によって電極の損傷を比較したのは、粒子が潰れずに電極に接している場合には電極に食い込んでいる可能性が高く電極を傷つけている可能性が有るが、逆に粒子が潰れている場合には電極に食い込んでいる可能性が低く電極を傷つけている可能性が低いためである。 Using the obtained connection structure, electrode damage was determined according to the following criteria. In addition, the comparison of electrode damage based on the presence or absence of particle crushing is that if the particles are in contact with the electrode without being crushed, there is a high possibility that they are biting into the electrode and there is a possibility that the electrode is damaged. On the contrary, when the particles are crushed, it is unlikely that they are biting into the electrode and it is unlikely that the electrode is damaged.

[電極の損傷の判定基準]
○:粒子が潰れて電極に接触している
×:粒子が潰れずに電極に接触している
[Criteria for electrode damage]
◯: Particles are crushed and are in contact with the electrode ×: Particles are not crushed and are in contact with the electrode

(5)接続抵抗
上記の(4)の電極の損傷の評価で得られた接続構造体を用いて、電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。また、初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。接続抵抗は、10Ω以下が好ましく、5.0Ω以下がより好ましく、3.0Ω以下が更に好ましく、1.5Ω以下が特に好ましい。接続抵抗を以下の基準で判定した。
(5) Connection resistance Using the connection structure obtained in the evaluation of electrode damage in (4) above, the connection resistance between the electrodes was measured by the 4-terminal method. In addition, the initial connection resistance was determined according to the following criteria. The connection resistance is preferably 10 Ω or less, more preferably 5.0 Ω or less, further preferably 3.0 Ω or less, and particularly preferably 1.5 Ω or less. The connection resistance was judged according to the following criteria.

[接続抵抗の判定基準]
○○:接続抵抗が1.0Ω以下
○:接続抵抗が1.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Criteria for connection resistance]
○ ○: Connection resistance is 1.0Ω or less ○: Connection resistance is more than 1.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance is more than 5.0Ω

詳細及び結果を下記の表1,2に示す。 Details and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2021057188
Figure 2021057188

Figure 2021057188
Figure 2021057188

1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
14…絶縁性物質
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電部
22a…突起
22A…第1の導電部
22Aa…突起
22B…第2の導電部
22Ba…突起
31…導電性粒子
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
61…導電材料
X…磁界又は磁力
1 ... Conductive particles 2 ... Substrate particles 3 ... Conductive parts 11 ... Conductive particles 11a ... Protrusions 12 ... Conductive parts 12a ... Protrusions 13 ... Core material 14 ... Insulating material 21 ... Conductive particles 21a ... Protrusions 22 ... Conductive parts 22a ... Protrusion 22A ... First conductive part 22Aa ... Protrusion 22B ... Second conductive part 22Ba ... Protrusion 31 ... Conductive particles 51 ... Connection structure 52 ... First connection target member 52a ... First electrode 53 ... First 2 Connection target member 53a ... Second electrode 54 ... Connection part 61 ... Conductive material X ... Magnetic field or magnetic force

Claims (15)

基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
飽和磁化量が、10emu/g以上である、導電性粒子。
Base particles and
It is provided with a conductive portion arranged on the surface of the base particle.
Conductive particles having a saturation magnetization amount of 10 emu / g or more.
前記基材粒子が、金属粒子ではない、請求項1に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to claim 1, wherein the base particle is not a metal particle. 前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項1に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the base particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles. 前記導電部が、ニッケル、コバルト又は鉄を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive portion contains nickel, cobalt or iron. 前記導電部100重量%中、ニッケル、コバルト及び鉄の合計の含有量が90重量%以上である、請求項4に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 4, wherein the total content of nickel, cobalt and iron in 100% by weight of the conductive portion is 90% by weight or more. 前記導電部が、ニッケル、コバルト及び鉄の内の少なくとも2種を含み、
前記導電部100重量%中、ニッケルの含有量、コバルトの含有量及び鉄の含有量の内の1種の含有量が51重量%以上である、請求項4又は5に記載の導電性粒子。
The conductive portion contains at least two of nickel, cobalt and iron.
The conductive particles according to claim 4 or 5, wherein the content of one of the nickel content, the cobalt content and the iron content in 100% by weight of the conductive portion is 51% by weight or more.
前記基材粒子を25℃で10%圧縮したときの圧縮弾性率が、1000N/mm以上30000N/mm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子。 Compression modulus when the base particle is compressed by 10% at 25 ° C. is, 1000 N / mm 2 or more 30000 N / mm 2 or less, the conductive particles according to any one of claims 1-6. 前記基材粒子の粒子径が1μm以上10μm以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 7, wherein the base particle has a particle size of 1 μm or more and 10 μm or less. 前記基材粒子の比重が、前記導電部の比重よりも低い、請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 8, wherein the specific gravity of the base particle is lower than the specific gravity of the conductive portion. 磁界又は磁力を適用する導電接続に用いられる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 9, which is used for a conductive connection to which a magnetic field or a magnetic force is applied. 前記導電部の外表面に突起を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 10, which has a protrusion on the outer surface of the conductive portion. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項1〜11のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particle according to any one of claims 1 to 11, further comprising an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. 請求項1〜12のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。 A conductive material containing the conductive particles according to any one of claims 1 to 12 and a binder resin. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜12のいずれか1項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having a first electrode on its surface,
A second connection target member having a second electrode on the surface,
The first connection target member and the connection portion connecting the second connection target member are provided.
The material of the connecting portion is the conductive particles according to any one of claims 1 to 12, or is a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、請求項1〜12のいずれか1項に記載の導電性粒子を配置するか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を配置する第1の配置工程と、
前記導電性粒子又は前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を配置する第2の配置工程と、
前記第2の配置工程の前又は後に、磁界又は磁力を適用する工程とを備え、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
The conductive particles according to any one of claims 1 to 12 are arranged on the surface of the first connection target member having the first electrode on the surface, or the conductive particles and the binder resin are placed on the surface. The first placement step of arranging the conductive material to be included, and
A second arrangement step of arranging a second connection target member having a second electrode on the surface of the conductive particles or the conductive material opposite to the first connection target member side.
A step of applying a magnetic field or a magnetic force is provided before or after the second placement step.
A method for manufacturing a connection structure, which obtains a connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200340936A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Nabtesco Corporation Sensor
US20220178857A1 (en) * 2019-04-26 2022-06-09 Nabtesco Corporation Sensor
US12038400B2 (en) 2019-04-26 2024-07-16 Nabtesco Corporation Sensor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190014A (en) * 1992-01-09 1993-07-30 Sekisui Fine Chem Kk Conductive micro sphere for connecting electrode
JP2013258138A (en) * 2012-05-16 2013-12-26 Hitachi Chemical Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive adhesive film, and connection structure
WO2019132414A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 삼성에스디아이 주식회사 Anisotropic conductive film, display device including same and/or semiconductor device including same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190014A (en) * 1992-01-09 1993-07-30 Sekisui Fine Chem Kk Conductive micro sphere for connecting electrode
JP2013258138A (en) * 2012-05-16 2013-12-26 Hitachi Chemical Co Ltd Conductive particle, anisotropic conductive adhesive film, and connection structure
WO2019132414A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 삼성에스디아이 주식회사 Anisotropic conductive film, display device including same and/or semiconductor device including same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200340936A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Nabtesco Corporation Sensor
US20220178857A1 (en) * 2019-04-26 2022-06-09 Nabtesco Corporation Sensor
US11499931B2 (en) * 2019-04-26 2022-11-15 Nabtesco Corporation Sensor
US20230035518A1 (en) * 2019-04-26 2023-02-02 Nabtesco Corporation Sensor
US12038400B2 (en) 2019-04-26 2024-07-16 Nabtesco Corporation Sensor

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