JP2021053853A - Liquid discharge head, liquid discharge device, and piezoelectric device - Google Patents

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清夏 山▲崎▼
Seika Yamazaki
清夏 山▲崎▼
田村 博明
Hiroaki Tamura
博明 田村
伊藤 浩
Hiroshi Ito
浩 伊藤
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Abstract

To suppress crack at the position of an end of a second electrode in a piezoelectric element.SOLUTION: A liquid discharge head includes: a pressure chamber which is communicated with a nozzle for discharging liquid; a diaphragm which constitutes a part of a wall surface of the pressure chamber; a first electrode which is provided on a surface in a first direction in the diaphragm when a direction from the pressure chamber to the diaphragm is defined as the first direction; a piezoelectric layer which is provided on the surface in the first direction in the first electrode and includes a first region and a second region adjacent to the first region in plan view; a second electrode which is provided in the first region; a first layer which is provided in the second region and comes into contact with a side face of the second electrode; and a second layer which covers the first layer and overlaps the first region and the second region in plan view. A relative dielectric constant of the first layer is larger than that of the second layer. Young modulus of the second layer is smaller than that of the first layer.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置および圧電デバイスに関する。 The present invention relates to a liquid discharge head, a liquid discharge device and a piezoelectric device.

例えば、インク等の液体をノズルから吐出させる液体吐出ヘッドが従来から提案されている。特許文献1には、ノズルに連通する圧力室内の圧力を変動させる圧電素子を具備する液体吐出ヘッドが開示されている。圧電素子は、下部電極と圧電体層と上部電極との積層で構成される。 For example, a liquid ejection head that ejects a liquid such as ink from a nozzle has been conventionally proposed. Patent Document 1 discloses a liquid discharge head including a piezoelectric element that fluctuates the pressure in a pressure chamber communicating with a nozzle. The piezoelectric element is composed of a laminate of a lower electrode, a piezoelectric layer, and an upper electrode.

特開2017−74798号公報JP-A-2017-74798

特許文献1の構成では、圧電体層における上部電極の端部の位置に電界が集中して、圧電体層の応力が局所的に大きくなる。圧電体層の応力が局所的に大きくなると、クラックの発生が問題になる。 In the configuration of Patent Document 1, the electric field is concentrated at the position of the end of the upper electrode in the piezoelectric layer, and the stress of the piezoelectric layer is locally increased. When the stress of the piezoelectric layer increases locally, the occurrence of cracks becomes a problem.

以上の課題を解決するために、本発明の好適な態様に係る液体吐出ヘッドは、液体を吐出するノズルに連通する圧力室と、前記圧力室の壁面の一部を構成する振動板と、前記圧力室から前記振動板への方向を第1方向とした場合において、前記振動板における前記第1方向の面上に設けられる第1電極と、前記第1電極における前記第1方向の面上に設けられ、平面視において第1領域と当該第1領域に隣り合う第2領域とを含む圧電体層と、前記第1領域に設けられる第2電極と、前記第2領域に設けられ、前記第2電極の側面に接触する第1層と、前記第1層を覆い、前記平面視において前記第1領域と前記第2領域とに重なる第2層とを具備し、前記第1層の比誘電率は、前記第2層の比誘電率よりも大きく、前記第2層のヤング率は、前記第1層のヤング率よりもが小さい。また、当該液体吐出ヘッドと、当該液体吐出ヘッドを制御する制御部とを具備する液体吐出装置としても本発明は観念できる。 In order to solve the above problems, the liquid discharge head according to a preferred embodiment of the present invention includes a pressure chamber communicating with a nozzle for discharging liquid, a vibrating plate forming a part of a wall surface of the pressure chamber, and the above. When the direction from the pressure chamber to the vibrating plate is the first direction, the first electrode provided on the surface of the vibrating plate in the first direction and the surface of the first electrode in the first direction A piezoelectric layer provided and including a first region and a second region adjacent to the first region in a plan view, a second electrode provided in the first region, and a second region provided in the second region. A first layer that contacts the side surfaces of the two electrodes and a second layer that covers the first layer and overlaps the first region and the second region in the plan view are provided, and the relative permittivity of the first layer is provided. The ratio is larger than the relative permittivity of the second layer, and the Young ratio of the second layer is smaller than the Young ratio of the first layer. Further, the present invention can be conceived as a liquid discharge device including the liquid discharge head and a control unit for controlling the liquid discharge head.

本発明の好適な態様に係る圧電デバイスは、弾性変形可能な振動板と、前記振動板の面上に設けられる第1電極と、前記第1電極の面上に設けられ、第1領域と当該第1領域に隣り合う第2領域とを表面が含む圧電体層と、前記第1領域に設けられる第2電極と、前記第2電極の側面に接触し、前記第2領域に設けられる第1層と、前記第1層を覆い、平面視において前記第1領域と前記第2領域とに重なる第2層とを具備し、前記第2層の比誘電率は、前記第1層の比誘電率よりも大きく、前記第2層のヤング率は、前記第1層のヤング率よりもが小さい。 The piezoelectric device according to a preferred embodiment of the present invention is provided with an elastically deformable vibrating plate, a first electrode provided on the surface of the vibrating plate, and a first region and the said one provided on the surface of the first electrode. A first region provided in the second region, which is in contact with a piezoelectric layer whose surface includes a second region adjacent to the first region, a second electrode provided in the first region, and a side surface of the second electrode. A layer and a second layer that covers the first layer and overlaps the first region and the second region in a plan view are provided, and the relative permittivity of the second layer is the relative dielectric constant of the first layer. It is larger than the rate, and the young rate of the second layer is smaller than the young rate of the first layer.

第1実施形態に係る液体吐出装置の構成を例示するブロック図である。It is a block diagram which illustrates the structure of the liquid discharge device which concerns on 1st Embodiment. 液体吐出ヘッドの分解斜視図である。It is an exploded perspective view of the liquid discharge head. 液体吐出ヘッドの断面図である。It is sectional drawing of the liquid discharge head. 圧電素子およびその近傍の平面図である。It is a top view of the piezoelectric element and its vicinity. 図4におけるV−V線の断面図である。It is sectional drawing of the VV line in FIG. 図4におけるVI−VI線の断面図である。It is sectional drawing of the VI-VI line in FIG. 圧電体層の平面図である。It is a top view of the piezoelectric layer. 圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a part of a piezoelectric element. 第2実施形態に係る圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged sectional view of a part of the piezoelectric element which concerns on 2nd Embodiment. 変形例に係る圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a part of the piezoelectric element which concerns on a modification. 変形例に係る圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a part of the piezoelectric element which concerns on a modification. 変形例に係る圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a part of the piezoelectric element which concerns on a modification. 変形例に係る圧電素子の一部を拡大した断面図である。It is an enlarged cross-sectional view of a part of the piezoelectric element which concerns on a modification.

A.第1実施形態
図1は、第1実施形態に係る液体吐出装置100を例示する構成図である。液体吐出装置100は、液体の一例であるインクを媒体12に吐出するインクジェット方式の印刷装置である。媒体12は、典型的には印刷用紙であるが、樹脂フィルムまたは布帛等の任意の材質の印刷対象が媒体12として利用される。図1に例示される通り、液体吐出装置100には、インクを貯留する液体容器14が設置される。例えば液体吐出装置100に着脱可能なカートリッジ、可撓性のフィルムで形成された袋状のインクパック、またはインクを補充可能なインクタンクが、液体容器14として利用される。
A. 1st Embodiment FIG. 1 is a block diagram which illustrates the liquid discharge device 100 which concerns on 1st Embodiment. The liquid ejection device 100 is an inkjet printing apparatus that ejects ink, which is an example of a liquid, onto the medium 12. The medium 12 is typically printing paper, but a printing target of any material such as a resin film or cloth is used as the medium 12. As illustrated in FIG. 1, a liquid container 14 for storing ink is installed in the liquid ejection device 100. For example, a cartridge that can be attached to and detached from the liquid ejection device 100, a bag-shaped ink pack made of a flexible film, or an ink tank that can be refilled with ink is used as the liquid container 14.

図1に例示される通り、液体吐出装置100は、制御ユニット20と搬送機構22と移動機構24と液体吐出ヘッド26とを具備する。制御ユニット20は、例えばCPU(Central Processing Unit)またはFPGA(Field Programmable Gate Array)等の1または複数の処理回路と半導体メモリー等の1または複数の記憶回路とを含み、液体吐出装置100の各要素を統括的に制御する。制御ユニット20は「制御部」の例示である。搬送機構22は、制御ユニット20による制御のもとで媒体12をY軸の方向に搬送する。 As illustrated in FIG. 1, the liquid discharge device 100 includes a control unit 20, a transfer mechanism 22, a moving mechanism 24, and a liquid discharge head 26. The control unit 20 includes one or a plurality of processing circuits such as a CPU (Central Processing Unit) or an FPGA (Field Programmable Gate Array) and one or a plurality of storage circuits such as a semiconductor memory, and each element of the liquid discharge device 100. Is controlled comprehensively. The control unit 20 is an example of a “control unit”. The transport mechanism 22 transports the medium 12 in the Y-axis direction under the control of the control unit 20.

移動機構24は、制御ユニット20による制御のもとで液体吐出ヘッド26をX軸に沿って往復させる。X軸は、媒体12が搬送される方向に沿うY軸に交差する。典型的には、X軸とY軸とは直交する。第1実施形態の移動機構24は、液体吐出ヘッド26を収容する略箱型の搬送体242と、搬送体242が固定された搬送ベルト244とを具備する。なお、複数の液体吐出ヘッド26を搬送体242に搭載した構成、または、液体容器14を液体吐出ヘッド26とともに搬送体242に搭載した構成も採用され得る。 The moving mechanism 24 reciprocates the liquid discharge head 26 along the X axis under the control of the control unit 20. The X-axis intersects the Y-axis along the direction in which the medium 12 is conveyed. Typically, the X and Y axes are orthogonal. The moving mechanism 24 of the first embodiment includes a substantially box-shaped transport body 242 that accommodates the liquid discharge head 26, and a transport belt 244 to which the transport body 242 is fixed. A configuration in which a plurality of liquid discharge heads 26 are mounted on the transport body 242, or a configuration in which the liquid container 14 is mounted on the transport body 242 together with the liquid discharge head 26 can also be adopted.

液体吐出ヘッド26は、液体容器14から供給されるインクを制御ユニット20による制御のもとで複数のノズルから媒体12に吐出する。インクはZ軸に沿って吐出される。X-Y平面に垂直な軸がZ軸である。すなわち、X軸とY軸とはZ軸に直交する。搬送機構22による媒体12の搬送と搬送体242の反復的な往復とに並行して各液体吐出ヘッド26が媒体12にインクを吐出することで、媒体12の表面に画像が形成される。 The liquid ejection head 26 ejects the ink supplied from the liquid container 14 from a plurality of nozzles to the medium 12 under the control of the control unit 20. The ink is ejected along the Z axis. The axis perpendicular to the XY plane is the Z axis. That is, the X-axis and the Y-axis are orthogonal to the Z-axis. An image is formed on the surface of the medium 12 by each liquid ejection head 26 ejecting ink to the medium 12 in parallel with the conveying of the medium 12 by the conveying mechanism 22 and the repetitive reciprocation of the conveying body 242.

図2は、液体吐出ヘッド26の分解斜視図である。図3は、図2おけるIII−III線の断面図である。X−Z平面に平行な断面の断面図が図3である。図2に例示される通り、液体吐出ヘッド26は、Y軸に沿って配列された複数のノズルNを具備する。第1実施形態の複数のノズルNは、X軸に沿って相互に間隔をあけて並設された第1列Laと第2列Lbとに区分される。第1列Laおよび第2列Lbの各々は、Y軸に沿って直線状に配列された複数のノズルNの集合である。図3から理解される通り、第1実施形態の液体吐出ヘッド26は、第1列Laの各ノズルNに関連する要素と第2列Lbの各ノズルNに関連する要素とが略面対称に配置された構造である。以下の説明では、第1列Laに対応する要素を重点的に説明し、第2列Lbに対応する要素の説明は適宜に省略する。 FIG. 2 is an exploded perspective view of the liquid discharge head 26. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a cross section parallel to the XZ plane. As illustrated in FIG. 2, the liquid discharge head 26 includes a plurality of nozzles N arranged along the Y axis. The plurality of nozzles N of the first embodiment are divided into a first row La and a second row Lb arranged side by side at intervals along the X axis. Each of the first row La and the second row Lb is a set of a plurality of nozzles N linearly arranged along the Y axis. As can be understood from FIG. 3, in the liquid discharge head 26 of the first embodiment, the elements related to each nozzle N in the first row La and the elements related to each nozzle N in the second row Lb are substantially plane-symmetrical. It is an arranged structure. In the following description, the elements corresponding to the first column La will be mainly described, and the description of the elements corresponding to the second column Lb will be omitted as appropriate.

図2および図3に例示される通り、液体吐出ヘッド26は、流路構造体30と複数の圧電素子34と封止体35と筐体部36と配線基板51とを具備する。流路構造体30は、複数のノズルNの各々にインクを供給するための流路が内部に形成された構造体である。流路構造体30は、流路基板31と圧力室基板32と振動板33とノズル板41と吸振体42とで構成されZ軸の方向に沿って積層される。流路構造体30を構成する各部材は、Y軸に沿った長尺な板状部材である。流路基板31におけるZ軸の正方向の表面に圧力室基板32と筐体部36とが設置される。他方、流路基板31におけるZ軸の負方向の表面に、ノズル板41および吸振体42が設置される。例えば接着剤により各部材が固定される。 As illustrated in FIGS. 2 and 3, the liquid discharge head 26 includes a flow path structure 30, a plurality of piezoelectric elements 34, a sealing body 35, a housing portion 36, and a wiring board 51. The flow path structure 30 is a structure in which a flow path for supplying ink to each of the plurality of nozzles N is formed inside. The flow path structure 30 is composed of a flow path substrate 31, a pressure chamber substrate 32, a diaphragm 33, a nozzle plate 41, and a vibration absorbing body 42, and is laminated along the Z-axis direction. Each member constituting the flow path structure 30 is a long plate-shaped member along the Y axis. The pressure chamber substrate 32 and the housing portion 36 are installed on the surface of the flow path substrate 31 in the positive direction of the Z axis. On the other hand, the nozzle plate 41 and the vibration absorbing body 42 are installed on the surface of the flow path substrate 31 in the negative direction of the Z axis. For example, each member is fixed by an adhesive.

ノズル板41は、複数のノズルNが形成された板状部材である。複数のノズルNの各々は、インクを吐出する円形状の貫通孔である。例えばフォトリソグラフィおよびエッチング等の半導体製造技術を利用してシリコン(Si)の単結晶基板を加工することで、ノズル板41が製造される。ただし、ノズル板41の製造には公知の材料や製法が任意に採用され得る。 The nozzle plate 41 is a plate-shaped member in which a plurality of nozzles N are formed. Each of the plurality of nozzles N is a circular through hole for ejecting ink. For example, the nozzle plate 41 is manufactured by processing a silicon (Si) single crystal substrate using semiconductor manufacturing techniques such as photolithography and etching. However, a known material or manufacturing method can be arbitrarily adopted for manufacturing the nozzle plate 41.

図2および図3に例示される通り、流路基板31には、空間Raと複数の供給流路312と複数の連通流路314と中継液室316とが形成される。空間Raは、Y軸に沿う長尺状に形成された開口である。供給流路312および連通流路314の各々は、ノズルN毎に形成された貫通孔である。中継液室316は、複数のノズルNにわたりY軸に沿う長尺状に形成された空間であり、空間Raと複数の供給流路312とを相互に連通させる。Z軸の方向からの平面視において、連通流路314とノズルNとは重なる。 As illustrated in FIGS. 2 and 3, the flow path substrate 31 is formed with a space Ra, a plurality of supply flow paths 312, a plurality of communication flow paths 314, and a relay liquid chamber 316. The space Ra is an opening formed in a long shape along the Y axis. Each of the supply flow path 312 and the communication flow path 314 is a through hole formed for each nozzle N. The relay liquid chamber 316 is a space formed in a long shape along the Y axis over a plurality of nozzles N, and allows the space Ra and the plurality of supply flow paths 312 to communicate with each other. In a plan view from the Z-axis direction, the communication flow path 314 and the nozzle N overlap.

図2および図3に例示される通り、圧力室基板32には複数の圧力室Cが形成される。圧力室Cは、ノズル板41と振動板33の間に位置し、圧力室基板32の壁面320により形成される空間である。圧力室Cと振動板33はZ軸の方向に沿って配置される。圧力室CからみてZ軸の正方向に振動板33が配置される。Z軸の正方向は「第1方向」の例示である。圧力室Cから振動板33への方向が第1方向とも換言できる。圧力室Cは、ノズルN毎に形成される。圧力室Cは、平面視でX軸に沿う長尺状の空間である。複数の圧力室CはY軸に沿って配列される。流路基板31および圧力室基板32は、前述のノズル板41と同様に、例えば半導体製造技術を利用してシリコンの単結晶基板を加工することで製造される。ただし、流路基板31および圧力室基板32の製造には公知の材料や製法が任意に採用され得る。 As illustrated in FIGS. 2 and 3, a plurality of pressure chambers C are formed on the pressure chamber substrate 32. The pressure chamber C is located between the nozzle plate 41 and the diaphragm 33, and is a space formed by the wall surface 320 of the pressure chamber substrate 32. The pressure chamber C and the diaphragm 33 are arranged along the Z-axis direction. The diaphragm 33 is arranged in the positive direction of the Z axis when viewed from the pressure chamber C. The positive direction of the Z axis is an example of the "first direction". The direction from the pressure chamber C to the diaphragm 33 can be paraphrased as the first direction. The pressure chamber C is formed for each nozzle N. The pressure chamber C is a long space along the X axis in a plan view. The plurality of pressure chambers C are arranged along the Y axis. The flow path substrate 31 and the pressure chamber substrate 32 are manufactured by processing a single crystal substrate of silicon by using, for example, a semiconductor manufacturing technique, similarly to the nozzle plate 41 described above. However, known materials and manufacturing methods can be arbitrarily adopted for manufacturing the flow path substrate 31 and the pressure chamber substrate 32.

図3に例示される通り、圧力室Cの面上には、弾性的に変形可能な振動板33が配置される。振動板33は、圧力室基板32における流路基板31とは反対の表面に接触する。振動板33は、平面視でY軸に沿う長尺な矩形状に形成された板状部材である。圧力室Cの上面が振動板33により構成される。振動板33の厚さ方向は、Z軸と平行である。図2および図3に例示される通り、圧力室Cは、連通流路314および供給流路312に連通する。したがって、圧力室Cは、連通流路314を介してノズルNに連通し、かつ、供給流路312と中継液室316とを介して空間Raに連通する。 As illustrated in FIG. 3, an elastically deformable diaphragm 33 is arranged on the surface of the pressure chamber C. The diaphragm 33 comes into contact with the surface of the pressure chamber substrate 32 opposite to the flow path substrate 31. The diaphragm 33 is a plate-shaped member formed in a long rectangular shape along the Y-axis in a plan view. The upper surface of the pressure chamber C is composed of the diaphragm 33. The thickness direction of the diaphragm 33 is parallel to the Z axis. As illustrated in FIGS. 2 and 3, the pressure chamber C communicates with the communication flow path 314 and the supply flow path 312. Therefore, the pressure chamber C communicates with the nozzle N via the communication flow path 314 and communicates with the space Ra via the supply flow path 312 and the relay liquid chamber 316.

図3に例示される通り、振動板33のうち圧力室Cとは反対側の表面には圧力室C毎に圧電素子34が形成される。圧電素子34は、平面視でX軸に沿う長尺状の受動素子である。圧電素子34は、駆動信号が印加されることで駆動する駆動素子でもある。 As illustrated in FIG. 3, a piezoelectric element 34 is formed for each pressure chamber C on the surface of the diaphragm 33 opposite to the pressure chamber C. The piezoelectric element 34 is a long passive element along the X axis in a plan view. The piezoelectric element 34 is also a drive element that is driven by applying a drive signal.

図3の筐体部36は、複数の圧力室Cに供給されるインクを貯留するためのケースであり、例えば樹脂材料の射出成形で形成される。筐体部36には空間Rbと供給口361とが形成される。供給口361は、液体容器14からインクが供給される管路であり、空間Rbに連通する。筐体部36の空間Rbと流路基板31の空間Raとは相互に連通する。空間Raと空間Rbとで構成される空間は、複数の圧力室Cに供給されるインクを貯留する液体貯留室Rとして機能する。液体容器14から供給されて供給口361を通過したインクが液体貯留室Rに貯留される。液体貯留室Rに貯留されたインクは、中継液室316から各供給流路312に分岐して複数の圧力室Cに並列に供給および充填される。吸振体42は、液体貯留室Rの壁面を構成する可撓性のフィルムであり、液体貯留室R内のインクの圧力変動を吸収する。 The housing portion 36 of FIG. 3 is a case for storing ink supplied to a plurality of pressure chambers C, and is formed by, for example, injection molding of a resin material. A space Rb and a supply port 361 are formed in the housing portion 36. The supply port 361 is a conduit for ink to be supplied from the liquid container 14, and communicates with the space Rb. The space Rb of the housing portion 36 and the space Ra of the flow path substrate 31 communicate with each other. The space composed of the space Ra and the space Rb functions as a liquid storage chamber R for storing ink supplied to the plurality of pressure chambers C. The ink supplied from the liquid container 14 and passing through the supply port 361 is stored in the liquid storage chamber R. The ink stored in the liquid storage chamber R branches from the relay liquid chamber 316 to each supply flow path 312, and is supplied and filled in parallel to the plurality of pressure chambers C. The vibration absorber 42 is a flexible film that constitutes the wall surface of the liquid storage chamber R, and absorbs pressure fluctuations of ink in the liquid storage chamber R.

封止体35は、複数の圧電素子34を保護するとともに圧力室基板32および振動板33の機械的な強度を補強する構造体であり、振動板33の表面に例えば接着剤で固定される。封止体35のうち振動板33との対向面に形成された凹部の内側に複数の圧電素子34が収容される。また、振動板33の表面には配線基板51が接合される。配線基板51は、制御ユニット20と液体吐出ヘッド26とを電気的に接続するための複数の配線が形成された実装部品である。例えばFPC(Flexible Printed Circuit)やFFC(Flexible Flat Cable)等の可撓性の配線基板51が好適に採用される。圧電素子34を駆動するための駆動信号および基準電圧が配線基板51から各圧電素子34に供給される。 The sealing body 35 is a structure that protects a plurality of piezoelectric elements 34 and reinforces the mechanical strength of the pressure chamber substrate 32 and the diaphragm 33, and is fixed to the surface of the diaphragm 33 with, for example, an adhesive. A plurality of piezoelectric elements 34 are housed inside a recess formed in the sealing body 35 on a surface facing the diaphragm 33. Further, a wiring board 51 is joined to the surface of the diaphragm 33. The wiring board 51 is a mounting component on which a plurality of wirings for electrically connecting the control unit 20 and the liquid discharge head 26 are formed. For example, a flexible wiring board 51 such as an FPC (Flexible Printed Circuit) or an FFC (Flexible Flat Cable) is preferably adopted. A drive signal and a reference voltage for driving the piezoelectric element 34 are supplied from the wiring board 51 to each piezoelectric element 34.

図4は、圧電素子34およびその近傍の平面図である。なお、図4においては、後述の第2電極342には便宜的にドットが付されている。また、図5は、図4におけるV−V線の断面図である。X−Z平面に平行な断面の断面図が図5である。図6は、図4におけるVI−VI線の断面図である。Y−Z平面に平行な断面の断面図が図6である。 FIG. 4 is a plan view of the piezoelectric element 34 and its vicinity. In FIG. 4, dots are added to the second electrode 342, which will be described later, for convenience. Further, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of a cross section parallel to the XZ plane. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of a cross section parallel to the YY plane.

図4から図6に例示される振動板33は、前述のような圧電素子34の駆動により振動する。図5および図6に例示される通り、振動板33は、第1振動層331と第2振動層332とを含む積層体で構成される。第1振動層331は、圧力室基板32に接触する。第2振動層332は、第1振動層331に対して圧力室基板32とは反対に位置する。第1振動層331は、二酸化シリコン(SiO)等の弾性材料で形成される弾性膜である。第2振動層332は、二酸化ジルコニウム(ZrO)等の絶縁材料で形成される絶縁膜である。第1振動層331および第2振動層332の各々は、熱酸化またはスパッタリング等の公知の成膜技術により形成される。なお、所定の板厚の板状部材のうち圧力室Cに対応する領域について板厚方向の一部を選択的に除去することで、圧力室基板32と振動板33の一部または全部とを一体に形成することも可能である。 The diaphragm 33 illustrated in FIGS. 4 to 6 vibrates by driving the piezoelectric element 34 as described above. As illustrated in FIGS. 5 and 6, the diaphragm 33 is composed of a laminated body including the first vibrating layer 331 and the second vibrating layer 332. The first vibrating layer 331 comes into contact with the pressure chamber substrate 32. The second vibrating layer 332 is located opposite to the pressure chamber substrate 32 with respect to the first vibrating layer 331. The first vibrating layer 331 is an elastic film formed of an elastic material such as silicon dioxide (SiO 2). The second vibrating layer 332 is an insulating film formed of an insulating material such as zirconium dioxide (ZrO 2). Each of the first vibrating layer 331 and the second vibrating layer 332 is formed by a known film forming technique such as thermal oxidation or sputtering. By selectively removing a part of the plate-shaped member having a predetermined plate thickness in the plate thickness direction in the region corresponding to the pressure chamber C, the pressure chamber substrate 32 and a part or all of the diaphragm 33 can be removed. It is also possible to form them integrally.

図5および図6に例示される通り、圧電素子34は、概略的には、第1電極341と圧電体層343と第2電極342とを振動板33側から以上の順番で積層した構造体である。第1電極341と第2電極342とは絶縁される。第1電極341と第2電極342とは電位が異なる。Z軸の方向は、第1電極341と圧電体層343と第2電極342とが積層される方向に相当する。 As illustrated in FIGS. 5 and 6, the piezoelectric element 34 is roughly a structure in which the first electrode 341, the piezoelectric layer 343, and the second electrode 342 are laminated in the above order from the diaphragm 33 side. Is. The first electrode 341 and the second electrode 342 are insulated from each other. The potentials of the first electrode 341 and the second electrode 342 are different. The direction of the Z axis corresponds to the direction in which the first electrode 341, the piezoelectric layer 343, and the second electrode 342 are laminated.

第1電極341は、振動板33におけるZ軸の正方向の面上に設けられる。第1電極341は、圧電素子34毎に相互に離間して形成された個別電極である。第1電極341には、電圧が変動する駆動信号が印加される。第1電極341は、X軸に沿う長尺状をなす。複数の第1電極341は、相互に間隔をあけてY軸に沿って配列される。第1電極341は、例えば白金(Pt)またはイリジウム(Ir)等の導電材料で形成される。なお、「要素Aの面上に要素Bが設けられる」という表現は、要素Aの表面に直接的に要素Bが設けられることと、要素Aと要素Bとの間に他の要素が介在している状態で要素Aの面上に間接的に要素Bが設けられることの双方を包含する。 The first electrode 341 is provided on the surface of the diaphragm 33 in the positive direction of the Z axis. The first electrode 341 is an individual electrode formed so as to be separated from each other for each piezoelectric element 34. A drive signal whose voltage fluctuates is applied to the first electrode 341. The first electrode 341 has a long shape along the X axis. The plurality of first electrodes 341 are arranged along the Y axis at intervals from each other. The first electrode 341 is formed of a conductive material such as platinum (Pt) or iridium (Ir). The expression "element B is provided on the surface of element A" means that element B is provided directly on the surface of element A and that another element is interposed between element A and element B. It includes both that the element B is indirectly provided on the surface of the element A in the state of being in the state.

図5に例示される通り、圧電体層343は、第1電極341におけるZ軸の正方向の面上に設けられ、かつ、第1電極341に接触する。圧電体層343は、第1電極341に接触する第1面301と、第1面301とは反対の第2面302とを有する。図4に例示される通り、圧電体層343は、複数の圧電素子34にわたりY軸に沿って連続する帯状の誘電膜である。また、圧電体層343は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O)またはセラミック等の公知の圧電材料で形成される。図4に例示される通り、圧電体層343のうち相互に隣り合う各圧力室Cの間隙に対応する領域には、X軸に沿う切欠Gが形成される。切欠Gは、圧電体層343を貫通する開口である。切欠Gが形成されることで、各圧電素子34は圧力室C毎に個別に変形し、圧電素子34の相互間における振動の伝播が抑制される。なお、圧電体層343の厚さ方向の一部を除去した有底孔を切欠Gとして形成してもよい。 As illustrated in FIG. 5, the piezoelectric layer 343 is provided on the surface of the first electrode 341 in the positive direction of the Z axis and comes into contact with the first electrode 341. The piezoelectric layer 343 has a first surface 301 in contact with the first electrode 341 and a second surface 302 opposite to the first surface 301. As illustrated in FIG. 4, the piezoelectric layer 343 is a strip-shaped dielectric film continuous along the Y axis across a plurality of piezoelectric elements 34. Further, the piezoelectric layer 343 is formed of a known piezoelectric material such as lead zirconate titanate (Pb (Zr, Ti) O 3) or ceramic. As illustrated in FIG. 4, a notch G along the X axis is formed in the region of the piezoelectric layer 343 corresponding to the gap between the pressure chambers C adjacent to each other. The notch G is an opening that penetrates the piezoelectric layer 343. By forming the notch G, each piezoelectric element 34 is individually deformed for each pressure chamber C, and the propagation of vibration between the piezoelectric elements 34 is suppressed. A bottomed hole in which a part of the piezoelectric layer 343 in the thickness direction is removed may be formed as a notch G.

図5および図6に例示される通り、第2電極342は、圧電体層343の面上に設けられ、かつ、圧電体層343の第2面302に接触する。図4に例示される通り、第2電極342は、複数の圧電素子34にわたり連続するようにY軸に沿って延在する帯状の共通電極である。第2電極342には所定の基準電圧が印加される。基準電圧は一定の電圧であり、例えば接地電圧よりも高い電圧に設定される。すなわち、第2電極342には、例えば、電圧が一定である保持信号が印加される。第2電極342に印加される基準電圧と第1電極341に供給される駆動信号との差分に相当する電圧が圧電体層343に印加される。駆動信号は、吐出量に対応する。保持信号は、吐出量によらず一定であり、変動しない。なお、第2電極342には、接地電圧が印加されてもよい。また、第2電極342は、例えば白金(Pt)またはイリジウム(Ir)等の低抵抗な導電材料で形成される。 As illustrated in FIGS. 5 and 6, the second electrode 342 is provided on the surface of the piezoelectric layer 343 and comes into contact with the second surface 302 of the piezoelectric layer 343. As illustrated in FIG. 4, the second electrode 342 is a band-shaped common electrode extending along the Y axis so as to be continuous over the plurality of piezoelectric elements 34. A predetermined reference voltage is applied to the second electrode 342. The reference voltage is a constant voltage, for example set to a voltage higher than the ground voltage. That is, for example, a holding signal having a constant voltage is applied to the second electrode 342. A voltage corresponding to the difference between the reference voltage applied to the second electrode 342 and the drive signal supplied to the first electrode 341 is applied to the piezoelectric layer 343. The drive signal corresponds to the discharge amount. The holding signal is constant regardless of the discharge amount and does not fluctuate. A ground voltage may be applied to the second electrode 342. Further, the second electrode 342 is formed of a low resistance conductive material such as platinum (Pt) or iridium (Ir).

第1電極341と第2電極342との間に電圧が印加されることで圧電体層343が変形することにより、圧電素子34は、振動板33を撓み変形させるエネルギーを生成する。圧電素子34が生成したエネルギーにより振動板33が振動することにより圧力室Cの圧力が変化し、圧力室C内のインクが図3に示すノズルNから吐出される。 When a voltage is applied between the first electrode 341 and the second electrode 342, the piezoelectric layer 343 is deformed, so that the piezoelectric element 34 generates energy for bending and deforming the vibrating plate 33. The pressure in the pressure chamber C changes as the diaphragm 33 vibrates due to the energy generated by the piezoelectric element 34, and the ink in the pressure chamber C is ejected from the nozzle N shown in FIG.

図4および図5に例示される通り、第1電極341には第1配線37が電気的に接続される。1個の第1電極341には、1個の第1配線37が電気的に接続される。第1配線37は、図3に示す配線基板51に搭載された図示しない駆動回路から駆動信号が供給されるリード配線である。第1配線37は、第1電極341に駆動信号を印加する。図4に例示される通り、第1配線37の平面視形状は、X軸に沿って延在する長手形状である。また、図5に例示される通り、第1配線37の一部は、圧電体層343の面上に位置し、かつ、圧電体層343の第2面302に接触する。すなわち、第1配線37は、第2面302に配置される部分を有する。 As illustrated in FIGS. 4 and 5, the first wiring 37 is electrically connected to the first electrode 341. One first wiring 37 is electrically connected to one first electrode 341. The first wiring 37 is a lead wiring to which a drive signal is supplied from a drive circuit (not shown) mounted on the wiring board 51 shown in FIG. The first wiring 37 applies a drive signal to the first electrode 341. As illustrated in FIG. 4, the plan-view shape of the first wiring 37 is a longitudinal shape extending along the X-axis. Further, as illustrated in FIG. 5, a part of the first wiring 37 is located on the surface of the piezoelectric layer 343 and comes into contact with the second surface 302 of the piezoelectric layer 343. That is, the first wiring 37 has a portion arranged on the second surface 302.

図5に例示される通り、第1配線37は、第1密着層373と第1配線層374とを含む。第1密着層373は、第1電極341に接触する。第1密着層373は、第1電極341に対する第1配線37の密着性を高める。第1密着層373は、第1電極341よりも低抵抗な導電材料で形成される。例えば、第1密着層373は、ニクロム(NiCr)等の導電材料で形成される。第1配線層374は、第1密着層373を覆う。第1配線層374は、第1配線37の導電性を高める。第1配線層374は、第1電極341よりも低抵抗な導電材料で形成される。例えば、第1配線層374は、金(Au)等の導電材料で形成される。なお、第1密着層373と第1電極341との間には、電極層370が配置される。電極層370は、後述の第2電極342と同工程で形成される。電極層370は、第2電極342と同一の材料で形成される。なお、電極層370は、第1配線37の一部として捉えてもよい。 As illustrated in FIG. 5, the first wiring 37 includes a first adhesion layer 373 and a first wiring layer 374. The first adhesion layer 373 comes into contact with the first electrode 341. The first adhesion layer 373 enhances the adhesion of the first wiring 37 to the first electrode 341. The first adhesion layer 373 is formed of a conductive material having a lower resistance than that of the first electrode 341. For example, the first adhesion layer 373 is formed of a conductive material such as nichrome (NiCr). The first wiring layer 374 covers the first adhesion layer 373. The first wiring layer 374 enhances the conductivity of the first wiring 37. The first wiring layer 374 is formed of a conductive material having a lower resistance than that of the first electrode 341. For example, the first wiring layer 374 is formed of a conductive material such as gold (Au). An electrode layer 370 is arranged between the first adhesion layer 373 and the first electrode 341. The electrode layer 370 is formed in the same process as the second electrode 342 described later. The electrode layer 370 is made of the same material as the second electrode 342. The electrode layer 370 may be regarded as a part of the first wiring 37.

図4および図5に例示される通り、第2電極342の面上には、第2電極342に電気的に接続される第2配線38が形成される。第2配線38には、図3に示す配線基板51を介して図1に示す制御ユニット20から基準電圧が供給される。第2配線38は、第2電極342に基準電圧を印加する。図5に例示される通り、第2配線38は、圧電体層343の面上に位置し、かつ第2電極342の圧電体層343とは反対の面に接触する。 As illustrated in FIGS. 4 and 5, a second wiring 38 electrically connected to the second electrode 342 is formed on the surface of the second electrode 342. A reference voltage is supplied to the second wiring 38 from the control unit 20 shown in FIG. 1 via the wiring board 51 shown in FIG. The second wiring 38 applies a reference voltage to the second electrode 342. As illustrated in FIG. 5, the second wiring 38 is located on the surface of the piezoelectric layer 343 and comes into contact with the surface of the second electrode 342 opposite to the piezoelectric layer 343.

図4に例示される通り、第2配線38は、Y軸に沿って延在する帯状の第1導電層381と、Y軸に沿って延在する帯状の第2導電層382とを有する。第1導電層381および第2導電層382は、X軸に沿って所定の間隔をあけて並ぶ。平面視において第1配線37と第2導電層382との間に第1導電層381が位置する。第1導電層381および第2導電層382が設けられることで、第2電極342における基準電圧の電圧降下が抑制される。また、第1導電層381および第2導電層382は、振動板33の振動を抑制するための錘としても機能する。 As illustrated in FIG. 4, the second wiring 38 has a strip-shaped first conductive layer 381 extending along the Y-axis and a strip-shaped second conductive layer 382 extending along the Y-axis. The first conductive layer 381 and the second conductive layer 382 are arranged at predetermined intervals along the X axis. The first conductive layer 381 is located between the first wiring 37 and the second conductive layer 382 in a plan view. By providing the first conductive layer 381 and the second conductive layer 382, the voltage drop of the reference voltage in the second electrode 342 is suppressed. Further, the first conductive layer 381 and the second conductive layer 382 also function as weights for suppressing the vibration of the diaphragm 33.

図5に例示される通り、第2配線38は、第2密着層383と第2配線層384とを含む。第2密着層383は、第2電極342に接触する。第2密着層383は、第2電極342に対する第2配線38の密着性を高める。第2密着層383は、第2電極342よりも低抵抗な導電材料で形成される。例えば、第2密着層383は、ニクロム(NiCr)等の導電材料で形成される。第2配線層384は、第2密着層383を覆う。第2配線層384は、第2配線38の導電性を高める。第2配線層384は、第2電極342よりも低抵抗な導電材料で形成される。例えば、第2配線層384は、金(Au)等の導電材料で形成される。 As illustrated in FIG. 5, the second wiring 38 includes a second adhesion layer 383 and a second wiring layer 384. The second adhesion layer 383 comes into contact with the second electrode 342. The second adhesion layer 383 enhances the adhesion of the second wiring 38 to the second electrode 342. The second adhesion layer 383 is formed of a conductive material having a lower resistance than the second electrode 342. For example, the second adhesion layer 383 is formed of a conductive material such as nichrome (NiCr). The second wiring layer 384 covers the second adhesion layer 383. The second wiring layer 384 enhances the conductivity of the second wiring 38. The second wiring layer 384 is formed of a conductive material having a lower resistance than the second electrode 342. For example, the second wiring layer 384 is formed of a conductive material such as gold (Au).

前述の第1配線37と第2配線38とは、互いに異なる材料によって形成されてもよいが、同一の材料によって形成されることが好ましい。同一の材料によって形成されることで、第1配線37および第2配線38を同一工程で形成することができる。 The first wiring 37 and the second wiring 38 described above may be formed of different materials, but are preferably formed of the same material. By being formed of the same material, the first wiring 37 and the second wiring 38 can be formed in the same process.

図7は、圧電体層343の平面図である。図8は、図7のVIII−VIII線における断面図である。図7および図8に例示される通り、圧電体層343の第2面302は、第1領域E1と第2領域E2とを含む。第1領域E1と第2領域E2とは相互に隣り合う。第1領域E1は、第2面302のうち第2電極342が設けられる領域である。すなわち、平面視において第1領域E1と第2電極342とは重なる。他方、第2領域E2は、第2面302のうち第2電極342が形成されない領域である。具体的には、第2領域E2は、第1領域E1と、複数の第1配線37が形成される領域との間の領域である。第1領域E1の周縁と、各第1配線37において第2電極342側の端部を通る直線Mとの間の領域が、第2領域E2に相当する。 FIG. 7 is a plan view of the piezoelectric layer 343. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. As illustrated in FIGS. 7 and 8, the second surface 302 of the piezoelectric layer 343 includes a first region E1 and a second region E2. The first region E1 and the second region E2 are adjacent to each other. The first region E1 is a region of the second surface 302 where the second electrode 342 is provided. That is, the first region E1 and the second electrode 342 overlap in a plan view. On the other hand, the second region E2 is a region of the second surface 302 in which the second electrode 342 is not formed. Specifically, the second region E2 is a region between the first region E1 and a region in which a plurality of first wirings 37 are formed. The region between the peripheral edge of the first region E1 and the straight line M passing through the end on the second electrode 342 side in each first wiring 37 corresponds to the second region E2.

図7および図8に例示される通り、液体吐出ヘッド26は、保護層70を具備する。保護層70は、封止体35を接合するための接着剤として機能する。また、保護層70は、振動板33のうち第2電極342の端部の位置における過度な変位を抑制することで、第2電極342の剥離と圧電体層343に発生するクラックとを抑制する。第2面302と第2電極342と第1配線37と第2配線38とを覆うように保護層70が形成される。 As illustrated in FIGS. 7 and 8, the liquid discharge head 26 includes a protective layer 70. The protective layer 70 functions as an adhesive for joining the sealing bodies 35. Further, the protective layer 70 suppresses excessive displacement at the position of the end portion of the second electrode 342 of the diaphragm 33, thereby suppressing peeling of the second electrode 342 and cracks generated in the piezoelectric layer 343. .. A protective layer 70 is formed so as to cover the second surface 302, the second electrode 342, the first wiring 37, and the second wiring 38.

具体的には、保護層70は、第1層71と第2層72とを含む。第1層71は、第2電極342の端部を覆う。具体的には、第1層71は、第2領域E2に設けられ、第2電極342に接触する。第2電極342の側面Wに第1層71が接触する。第1実施形態では、第2領域E2の全体にわたり第1層71が形成される。例えば、第1層71の膜厚と第2電極342の膜厚とは略同等である。膜厚はZ軸の方向における長さである。第2電極342と第1配線37との間隔を埋めるように第1層71が形成される。 Specifically, the protective layer 70 includes a first layer 71 and a second layer 72. The first layer 71 covers the end portion of the second electrode 342. Specifically, the first layer 71 is provided in the second region E2 and comes into contact with the second electrode 342. The first layer 71 comes into contact with the side surface W of the second electrode 342. In the first embodiment, the first layer 71 is formed over the entire second region E2. For example, the film thickness of the first layer 71 and the film thickness of the second electrode 342 are substantially the same. The film thickness is the length in the Z-axis direction. The first layer 71 is formed so as to fill the gap between the second electrode 342 and the first wiring 37.

第2層72は、第1層71の面上に設けられる。具体的には、第2層72は、第1層71を覆い、平面視において第1領域E1と第2領域E2とに重なる。なお、第2層72は、第1領域E1の全体と第2領域E2の全体とに重なる必要はなく、第1領域E1の一部と第2領域E2の一部とに少なくとも重なればよい。第1実施形態では、第1層71と第2電極342と第1配線37と第2配線38とを覆うように第2層72が形成される。 The second layer 72 is provided on the surface of the first layer 71. Specifically, the second layer 72 covers the first layer 71 and overlaps the first region E1 and the second region E2 in a plan view. The second layer 72 does not have to overlap the entire first region E1 and the entire second region E2, and may at least overlap a part of the first region E1 and a part of the second region E2. .. In the first embodiment, the second layer 72 is formed so as to cover the first layer 71, the second electrode 342, the first wiring 37, and the second wiring 38.

図8には、第1層71の膜厚H1と第2層72の膜厚H2とが図示されている。第1層71の膜厚H1は、例えば第2領域E2上の第1層71の膜厚における最大値である。第2層72の膜厚H2は、例えば第2層72のうち第1層71に積層される部分の膜厚における最大値である。第2層72の膜厚H2は第1層71の膜厚H1よりも大きい。ただし、第2層72の膜厚H2が第1層71の膜厚H1よりも小さくでもよい。 FIG. 8 shows the film thickness H1 of the first layer 71 and the film thickness H2 of the second layer 72. The film thickness H1 of the first layer 71 is, for example, the maximum value in the film thickness of the first layer 71 on the second region E2. The film thickness H2 of the second layer 72 is, for example, the maximum value in the film thickness of the portion of the second layer 72 that is laminated on the first layer 71. The film thickness H2 of the second layer 72 is larger than the film thickness H1 of the first layer 71. However, the film thickness H2 of the second layer 72 may be smaller than the film thickness H1 of the first layer 71.

第1層71の比誘電率は、第2層72の比誘電率よりも大きい。また、第2層72のヤング率は、第1層71のヤング率よりも小さい。第1層71の線膨張率は、第2層72の線膨張率よりも大きい。ただし、第1層71の線膨張率が第2層72の線膨張率よりも小さくてもよい。 The relative permittivity of the first layer 71 is larger than the relative permittivity of the second layer 72. Further, the Young's modulus of the second layer 72 is smaller than the Young's modulus of the first layer 71. The coefficient of linear expansion of the first layer 71 is larger than the coefficient of linear expansion of the second layer 72. However, the coefficient of linear expansion of the first layer 71 may be smaller than the coefficient of linear expansion of the second layer 72.

第1層71と第2層72とは異なる材料で形成される。第1層71は材料Aにより形成され、第2層72は材料Bにより形成される。材料Aは、例えば、酸化タンタル(TaOx)、酸化ケイ素(SiOx)、窒化ケイ素(SiNx)、酸化アルミ(AlOx)、酸化ハフニウム(HfOx)、または、炭化ケイ素(SiCx)等の絶縁材料である。第1実施形態では、酸化タンタルが材料Aとして例示される。酸化タンタルの比誘電率は、20〜30程度である。第2層72は、例えば絶縁性の樹脂材料で形成される。例えばエポキシ樹脂等の接着剤が材料Bとして例示される。第2層72の表面に封止体35が接合される。 The first layer 71 and the second layer 72 are made of different materials. The first layer 71 is formed of the material A, and the second layer 72 is formed of the material B. Material A is, for example, an insulating material such as tantalum oxide (TaOx), silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), aluminum oxide (AlOx), hafnium oxide (HfOx), or silicon carbide (SiCx). In the first embodiment, tantalum oxide is exemplified as the material A. The relative permittivity of tantalum oxide is about 20 to 30. The second layer 72 is formed of, for example, an insulating resin material. For example, an adhesive such as an epoxy resin is exemplified as the material B. The sealing body 35 is bonded to the surface of the second layer 72.

例えば、液体吐出ヘッド26が保護層70を具備しない構成では、圧電体層343における第2電極342の端部の位置に電界が集中して応力が局所的に大きくなる。圧電体層343において応力が局所的に大きくなると、当該圧電体層343にクラックが発生する。クラックが発生すると、水分がクラックに進入することで第1電極341と第2電極342とが相互に導通し、両電極間に電流が流れることで焼損が発生する可能性がある。それに対して、第1実施形態の構成によれば、材料Aで形成される第1層71が第2電極342の側面Wに接触するように設けられるから、圧電体層343における第2電極342の端部の位置に発生する電界が第1層71にも分散される。したがって、圧電体層343における第2電極342の端部の位置に電界が集中することを抑制できる。すなわち、圧電体層343にクラックが発生することを抑制できる。 For example, in the configuration in which the liquid discharge head 26 does not include the protective layer 70, the electric field is concentrated at the position of the end portion of the second electrode 342 in the piezoelectric layer 343, and the stress is locally increased. When the stress locally increases in the piezoelectric layer 343, cracks occur in the piezoelectric layer 343. When a crack occurs, the first electrode 341 and the second electrode 342 become electrically conductive with each other due to the moisture entering the crack, and a current may flow between the two electrodes to cause burnout. On the other hand, according to the configuration of the first embodiment, since the first layer 71 formed of the material A is provided so as to be in contact with the side surface W of the second electrode 342, the second electrode 342 in the piezoelectric layer 343 is provided. The electric field generated at the end of the first layer 71 is also dispersed. Therefore, it is possible to suppress the concentration of the electric field at the position of the end portion of the second electrode 342 in the piezoelectric layer 343. That is, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the piezoelectric layer 343.

また、保護層70の全体が材料Aのみで形成される構成では、第2電極342の端部の位置に発生する電界が保護層70に分散されるものの、材料Aのヤング率が材料Bのヤング率よりも大きいから、振動板33の変位を過度に抑制して吐出量が確保できないという問題がある。一方で、保護層70の全体が材料Bのみで形成される構成では、振動板33の変位を過度に抑制されることはないものの、材料Bの比誘電率が材料Aの比誘電率よりも小さいから、第2電極342の端部の位置に発生する電界が保護層70に分散されにくいという問題がある。それに対して、第1実施形態では、材料Aで形成される第1層71と材料Bで形成される第2層72と保護層70が含むから、振動板33の変位を過度に抑制することなく、第2電極342の端部の位置に発生する電界を分散させることができる。 Further, in the configuration in which the entire protective layer 70 is formed only of the material A, the electric field generated at the position of the end of the second electrode 342 is dispersed in the protective layer 70, but the Young's modulus of the material A is that of the material B. Since it is larger than Young's modulus, there is a problem that the displacement of the diaphragm 33 cannot be excessively suppressed and the discharge amount cannot be secured. On the other hand, in the configuration in which the entire protective layer 70 is formed only of the material B, the displacement of the diaphragm 33 is not excessively suppressed, but the relative permittivity of the material B is higher than the relative permittivity of the material A. Since it is small, there is a problem that the electric field generated at the end of the second electrode 342 is difficult to be dispersed in the protective layer 70. On the other hand, in the first embodiment, since the first layer 71 formed of the material A, the second layer 72 formed of the material B, and the protective layer 70 are included, the displacement of the diaphragm 33 is excessively suppressed. Instead, the electric field generated at the position of the end of the second electrode 342 can be dispersed.

第2層72の膜厚H2が第1層71の膜厚H1よりも大きいから、振動板33の過度な変位を効率的に抑制できる。第1層71の線膨張率が第2層72の線膨張率よりも小さいから、線膨張率が小さい材料で圧電体層343が形成される場合でも、圧電体層343と第1層71との間における熱応力を低減することができる。したがって、圧電体層343と第1層71とが剥離することを抑制することができる。第1実施形態では、第1層71が酸化タンタルで形成されるから、他の材料で第1層71を形成するよりも、第1層71の比誘電率を大きくすることができる。 Since the film thickness H2 of the second layer 72 is larger than the film thickness H1 of the first layer 71, excessive displacement of the diaphragm 33 can be efficiently suppressed. Since the coefficient of linear expansion of the first layer 71 is smaller than the coefficient of linear expansion of the second layer 72, even when the piezoelectric layer 343 is formed of a material having a small coefficient of linear expansion, the piezoelectric layer 343 and the first layer 71 The thermal stress between can be reduced. Therefore, it is possible to prevent the piezoelectric layer 343 and the first layer 71 from peeling off. In the first embodiment, since the first layer 71 is formed of tantalum oxide, the relative permittivity of the first layer 71 can be increased as compared with the case where the first layer 71 is formed of another material.

B.第2実施形態
第2実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
B. Second Embodiment The second embodiment will be described. For the elements having the same functions as those of the first embodiment in each of the following examples, the reference numerals used in the description of the first embodiment will be diverted and detailed description of each will be omitted as appropriate.

図9は、第2実施形態に係る圧電体層343の断面図である。図9に例示される通り、第2実施形態の液体吐出ヘッド26は、Z軸の方向において、第1領域E1の位置と第2領域E2の位置とが異なる。Z軸の方向は、第1電極341と圧電体層343と第2電極342とが積層される方向に相当する。図9には、第1領域E1と第1電極341との間の距離D1、および、第2領域E2と第1電極341との間の距離D2が図示されている。距離D1は、例えば第1電極341の表面から第1領域E1までの最短距離である。距離D2は、例えば第1電極341の表面から第2領域E2までの最短距離である。第2実施形態では、Z軸の方向において、距離D2が距離D1よりも小さい。すなわち、圧電体層343のうち第2領域E2の部分に窪みが形成されるとも換言できる。圧電体層343のうち第2領域E2における位置の膜厚は、圧電体層343のうち第1領域E1における位置の膜厚よりも小さい。 FIG. 9 is a cross-sectional view of the piezoelectric layer 343 according to the second embodiment. As illustrated in FIG. 9, in the liquid discharge head 26 of the second embodiment, the position of the first region E1 and the position of the second region E2 are different in the direction of the Z axis. The direction of the Z axis corresponds to the direction in which the first electrode 341, the piezoelectric layer 343, and the second electrode 342 are laminated. FIG. 9 shows the distance D1 between the first region E1 and the first electrode 341 and the distance D2 between the second region E2 and the first electrode 341. The distance D1 is, for example, the shortest distance from the surface of the first electrode 341 to the first region E1. The distance D2 is, for example, the shortest distance from the surface of the first electrode 341 to the second region E2. In the second embodiment, the distance D2 is smaller than the distance D1 in the Z-axis direction. That is, it can be said that a depression is formed in the portion of the second region E2 of the piezoelectric layer 343. The film thickness at the position in the second region E2 of the piezoelectric layer 343 is smaller than the film thickness at the position in the first region E1 of the piezoelectric layer 343.

第1層71は、第1実施形態と同様に、第2領域E2に設けられ、第2電極342の側面Wに接触する。具体的には、第2電極342の側面Wに接触し、かつ、圧電体層343に形成された窪みを埋めるように第1層71が形成される。したがって、第1領域E1の位置と第2領域E2の位置とが同じである構成と比較して、圧電体層343のうち第2電極342の端部の位置において、当該圧電体層343と第1層71とが接触する領域が大きくなる。第2層72は、第1実施形態と同様に、第1層71を覆い、平面視において第1領域E1と第2領域E2とに重なる。第1実施形態と同様に、第1層71は材料Aにより形成され、第2層72は材料Bにより形成される。 The first layer 71 is provided in the second region E2 and comes into contact with the side surface W of the second electrode 342, as in the first embodiment. Specifically, the first layer 71 is formed so as to come into contact with the side surface W of the second electrode 342 and fill the recess formed in the piezoelectric layer 343. Therefore, as compared with the configuration in which the position of the first region E1 and the position of the second region E2 are the same, the piezoelectric layer 343 and the piezoelectric layer 343 are located at the position of the end portion of the second electrode 342 of the piezoelectric layer 343. The area in contact with the 1st layer 71 becomes large. The second layer 72 covers the first layer 71 and overlaps the first region E1 and the second region E2 in a plan view, as in the first embodiment. Similar to the first embodiment, the first layer 71 is formed of the material A and the second layer 72 is formed of the material B.

第2実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。第2実施形態では、Z軸の方向において、第2領域E2と第1電極341との間の距離D2が第1領域E1と第1電極341との間の距離D1よりも短いから、圧電体層343のうち第2電極342の端部の位置において、当該圧電体層343と第1層71とが接触する領域が大きくなる。したがって、圧電体層343における第2電極342の端部の位置に発生する電界を第1層71に分散できる、という効果が顕著である。 The same effect as that of the first embodiment is realized in the second embodiment. In the second embodiment, since the distance D2 between the second region E2 and the first electrode 341 is shorter than the distance D1 between the first region E1 and the first electrode 341 in the Z-axis direction, the piezoelectric material At the position of the end portion of the second electrode 342 of the layer 343, the region where the piezoelectric layer 343 and the first layer 71 come into contact with each other becomes large. Therefore, the effect that the electric field generated at the end of the second electrode 342 in the piezoelectric layer 343 can be dispersed in the first layer 71 is remarkable.

C.変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
C. Modifications The embodiments illustrated above can be variously modified. Specific embodiments that can be applied to the above-described embodiments are illustrated below. Two or more embodiments arbitrarily selected from the following examples can be appropriately merged to the extent that they do not contradict each other.

(1)前述の各形態において、例えば保護層70が第1層71と第2層72とは異なる層を含んでもよい。例えば、第1層71と第2層72との間に他の層が位置してもよい。 (1) In each of the above-mentioned forms, for example, the protective layer 70 may include a layer different from the first layer 71 and the second layer 72. For example, another layer may be located between the first layer 71 and the second layer 72.

(2)前述の各形態において、第2層72を形成する領域は任意である。図10に例示される通り、第2配線38を保護層70が覆うことは必須ではない。また、図11に例示される通り、第1層71の全体を第2層72により覆わなくてもよい。平面視において第1領域E1の一部と第2領域E2の一部とに少なくとも第2層72が重なれば、第2層72が形成される領域は任意である。 (2) In each of the above-mentioned forms, the region forming the second layer 72 is arbitrary. As illustrated in FIG. 10, it is not essential that the protective layer 70 covers the second wiring 38. Further, as illustrated in FIG. 11, the entire first layer 71 may not be covered with the second layer 72. As long as at least the second layer 72 overlaps a part of the first region E1 and a part of the second region E2 in a plan view, the region where the second layer 72 is formed is arbitrary.

(3)前述の各形態において、図12に例示される通り、平面視で第1領域E1に重なるように第1層71を形成してもよい。具体的には、第1領域E1における第2電極342の表面と、第2領域E2の表面とを覆うように第1層71が形成される。また、図13に例示される通り、第1層71が第2領域E2の全体に形成されなくてもよい。以上の説明から理解される通り、第2電極342の側面Wと、第2領域E2とに接触するように第1層71が形成されれば、第1層71が形成される領域は任意である。 (3) In each of the above-described modes, as illustrated in FIG. 12, the first layer 71 may be formed so as to overlap the first region E1 in a plan view. Specifically, the first layer 71 is formed so as to cover the surface of the second electrode 342 in the first region E1 and the surface of the second region E2. Further, as illustrated in FIG. 13, the first layer 71 may not be formed on the entire second region E2. As understood from the above description, if the first layer 71 is formed so as to come into contact with the side surface W of the second electrode 342 and the second region E2, the region where the first layer 71 is formed is arbitrary. is there.

(4)前述の各形態において、第2領域E2の表面に圧電体層343よりも導電率が大きい導電層を設けてもよい。すなわち、第1層71は当該導電層の表面に設けられる。例えばドライエッチングにより第2電極342を圧電体層343の面上に形成する際に、当該圧電体層343の第2領域E2の表面に導電層が形成される。以上の構成によれば、圧電体層343における第2電極342の端部の位置に発生する電界を第1層71に分散できる、という効果が顕著である。 (4) In each of the above-described embodiments, a conductive layer having a higher conductivity than the piezoelectric layer 343 may be provided on the surface of the second region E2. That is, the first layer 71 is provided on the surface of the conductive layer. For example, when the second electrode 342 is formed on the surface of the piezoelectric layer 343 by dry etching, a conductive layer is formed on the surface of the second region E2 of the piezoelectric layer 343. According to the above configuration, the effect that the electric field generated at the position of the end of the second electrode 342 in the piezoelectric layer 343 can be dispersed in the first layer 71 is remarkable.

(5)前述の各形態では、第2配線38の全てが圧電体層343の面上に位置するが、第2配線38の少なくとも一部が圧電体層343の面上に位置していればよい。各実施形態では、第1配線37の一部が圧電体層343の面上に位置するが、第2配線38の全てが圧電体層343の面上に位置していてもよい。 (5) In each of the above-described embodiments, all of the second wiring 38 is located on the surface of the piezoelectric layer 343, but if at least a part of the second wiring 38 is located on the surface of the piezoelectric layer 343. Good. In each embodiment, a part of the first wiring 37 is located on the surface of the piezoelectric layer 343, but all of the second wiring 38 may be located on the surface of the piezoelectric layer 343.

(6)前述の各形態では、第1配線37と第2配線38との間には、絶縁性の保護層70が配置されるが、第1配線37と第2配線38との間には、保護層70が配置されなくてもよい。例えば、第1配線37と第2配線38との間は、空間であってもよい。 (6) In each of the above-described embodiments, the insulating protective layer 70 is arranged between the first wiring 37 and the second wiring 38, but the insulating protective layer 70 is arranged between the first wiring 37 and the second wiring 38. , The protective layer 70 may not be arranged. For example, there may be a space between the first wiring 37 and the second wiring 38.

(7)前述の各形態では、振動板33は第1振動層331と第2振動層332とを備えるが、振動板33は例えば第2振動層332が省略されてもよい。 (7) In each of the above-described embodiments, the diaphragm 33 includes a first vibrating layer 331 and a second vibrating layer 332, but the vibrating plate 33 may omit, for example, the second vibrating layer 332.

(8)前述の各形態では、圧電素子34の第1電極341を個別電極として第2電極342を共通電極としたが、第1電極341を共通電極として第2電極342を個別電極としてもよい。また、第1電極341および第2電極342の双方を個別電極としてもよい。また、各実施形態では、第1電極341が圧電体層343の下部に位置し、第2電極342が圧電体層343の面上に位置するが、第2電極342が圧電体層343の下部に位置し、第1電極341が圧電体層343の面上に位置してもよい。 (8) In each of the above-described embodiments, the first electrode 341 of the piezoelectric element 34 is used as an individual electrode and the second electrode 342 is used as a common electrode. However, the first electrode 341 may be used as a common electrode and the second electrode 342 may be used as an individual electrode. .. Further, both the first electrode 341 and the second electrode 342 may be used as individual electrodes. Further, in each embodiment, the first electrode 341 is located below the piezoelectric layer 343, the second electrode 342 is located on the surface of the piezoelectric layer 343, but the second electrode 342 is located below the piezoelectric layer 343. The first electrode 341 may be located on the surface of the piezoelectric layer 343.

(9)前述の各形態では、圧電素子34は、第1電極341と圧電体層343と第2電極342とが積層した構造体であるが、第1電極341と圧電体層343との間には、圧電素子34としての機能を損なわない程度に他の要素が介在していてもよい。同様に、第2電極342と圧電体層343との間には、他の要素が介在していてもよい。 (9) In each of the above-described embodiments, the piezoelectric element 34 is a structure in which the first electrode 341, the piezoelectric layer 343, and the second electrode 342 are laminated, but between the first electrode 341 and the piezoelectric layer 343. May be intervened with other elements to the extent that the function as the piezoelectric element 34 is not impaired. Similarly, another element may be interposed between the second electrode 342 and the piezoelectric layer 343.

(10)前述の各形態において、振動板33と第1電極341と第2電極342と圧電体層343とは圧電デバイスに相当する。 (10) In each of the above-described embodiments, the diaphragm 33, the first electrode 341, the second electrode 342, and the piezoelectric layer 343 correspond to a piezoelectric device.

(11)前述の各形態では、液体吐出ヘッド26を搭載した搬送体242を往復させるシリアル方式の液体吐出装置100を例示したが、複数のノズルNが媒体12の全幅にわたり分布するライン方式の液体吐出装置にも本発明を適用することが可能である。 (11) In each of the above-described embodiments, the serial type liquid discharge device 100 for reciprocating the transport body 242 on which the liquid discharge head 26 is mounted is illustrated, but the line type liquid in which a plurality of nozzles N are distributed over the entire width of the medium 12 is illustrated. The present invention can also be applied to a discharge device.

(12)前述の各形態の液体吐出装置100は、印刷に専用される機器のほか、ファクシミリ装置やコピー機等の各種の機器に採用され得る。もっとも、本発明の液体吐出装置の用途は印刷に限定されない。例えば、色材の溶液を吐出する液体吐出装置は、液晶表示パネル等の表示装置のカラーフィルターを形成する製造装置として利用される。また、導電材料の溶液を吐出する液体吐出装置は、配線基板の配線や電極を形成する製造装置として利用される。また、生体に関する有機物の溶液を吐出する液体吐出装置は、例えばバイオチップを製造する製造装置として利用される。 (12) The liquid discharge device 100 of each form described above can be adopted in various devices such as a facsimile machine and a copier, in addition to a device dedicated to printing. However, the application of the liquid discharge device of the present invention is not limited to printing. For example, a liquid discharge device that discharges a solution of a coloring material is used as a manufacturing device for forming a color filter of a display device such as a liquid crystal display panel. Further, a liquid discharge device that discharges a solution of a conductive material is used as a manufacturing device for forming wiring and electrodes on a wiring board. Further, a liquid discharge device that discharges a solution of an organic substance related to a living body is used, for example, as a manufacturing device for manufacturing a biochip.

(13)本発明は圧電デバイスを対象としたものであり、液体吐出ヘッド以外の圧電デバイスにも適用することができる。電子デバイスの一例としては、超音波デバイス、モーター、圧力センサー、または、焦電素子などが挙げられる。また、これらの電子デバイスを利用した完成体、例えば、上記ヘッドを利用した液体等吐出装置、上記超音波デバイスを利用した超音波センサー、上記圧電センサを用いたジャイロセンサーや圧力センサーなども、圧電デバイスに含まれる。 (13) The present invention is intended for a piezoelectric device, and can be applied to a piezoelectric device other than a liquid discharge head. Examples of electronic devices include ultrasonic devices, motors, pressure sensors, pyroelectric elements and the like. In addition, finished products using these electronic devices, for example, a liquid discharge device using the head, an ultrasonic sensor using the ultrasonic device, a gyro sensor using the piezoelectric sensor, a pressure sensor, and the like are also piezoelectric. Included in the device.

100…液体吐出装置、12…媒体、14…液体容器、20…制御ユニット、22…搬送機構、24…移動機構、242…搬送体、244…搬送ベルト、26…液体吐出ヘッド、30…流路構造体、301…第1面、302…第2面、31…流路基板、312…供給流路、314…連通流路、316…中継液室、32…圧力室基板、320…壁面、33…振動板、331…第1振動層、332…第2振動層、34…圧電素子、341…第1電極、342…第2電極、343…圧電体層、35…封止体、36…筐体部、361…供給口、37…第1配線、370…電極層、373…第1密着層、374…第1配線層、38…第2配線、381…第1導電層、382…第2導電層、383…第2密着層、384…第2配線層、41…ノズル板、42…吸振体、51…配線基板、70…保護層、71…第1層、72…第2層、C…圧力室、E1…第1領域、E2…第2領域、G…切欠、La…第1列、Lb…第2列、N…ノズル、R…液体貯留室、Ra…空間、Rb…空間。 100 ... liquid discharge device, 12 ... medium, 14 ... liquid container, 20 ... control unit, 22 ... transfer mechanism, 24 ... movement mechanism, 242 ... transfer body, 244 ... transfer belt, 26 ... liquid discharge head, 30 ... flow path Structure, 301 ... 1st surface, 302 ... 2nd surface, 31 ... Flow path substrate, 312 ... Supply flow path, 314 ... Communication flow path, 316 ... Relay liquid chamber, 32 ... Pressure chamber substrate, 320 ... Wall surface, 33 ... Vibrating plate, 331 ... 1st vibrating layer, 332 ... 2nd vibrating layer, 34 ... piezoelectric element, 341 ... 1st electrode, 342 ... 2nd electrode, 343 ... piezoelectric layer, 35 ... encapsulant, 36 ... Body, 361 ... Supply port, 37 ... 1st wiring, 370 ... Electrode layer, 373 ... 1st adhesion layer, 374 ... 1st wiring layer, 38 ... 2nd wiring, 381 ... 1st conductive layer, 382 ... 2nd Conductive layer, 383 ... Second adhesion layer, 384 ... Second wiring layer, 41 ... Nozzle plate, 42 ... Vibration absorber, 51 ... Wiring substrate, 70 ... Protective layer, 71 ... First layer, 72 ... Second layer, C ... Pressure chamber, E1 ... 1st region, E2 ... 2nd region, G ... Notch, La ... 1st row, Lb ... 2nd row, N ... Nozzle, R ... Liquid storage chamber, Ra ... Space, Rb ... Space.

Claims (8)

液体を吐出するノズルに連通する圧力室と、
前記圧力室の壁面の一部を構成する振動板と、
前記圧力室から前記振動板への方向を第1方向とした場合において、
前記振動板における前記第1方向の面上に設けられる第1電極と、
前記第1電極における前記第1方向の面上に設けられ、平面視において第1領域と当該第1領域に隣り合う第2領域とを含む圧電体層と、
前記第1領域に設けられる第2電極と、
前記第2領域に設けられ、前記第2電極の側面に接触する第1層と、
前記第1層を覆い、前記平面視において前記第1領域と前記第2領域とに重なる第2層とを具備し、
前記第1層の比誘電率は、前記第2層の比誘電率よりも大きく、
前記第2層のヤング率は、前記第1層のヤング率よりもが小さい
液体吐出ヘッド。
A pressure chamber that communicates with the nozzle that discharges the liquid,
The diaphragm forming a part of the wall surface of the pressure chamber and
When the direction from the pressure chamber to the diaphragm is the first direction,
A first electrode provided on the surface of the diaphragm in the first direction and
A piezoelectric layer provided on the surface of the first electrode in the first direction and including a first region and a second region adjacent to the first region in a plan view.
The second electrode provided in the first region and
A first layer provided in the second region and in contact with the side surface of the second electrode, and
It covers the first layer and includes a second layer that overlaps the first region and the second region in the plan view.
The relative permittivity of the first layer is larger than the relative permittivity of the second layer.
A liquid discharge head in which the Young's modulus of the second layer is smaller than the Young's modulus of the first layer.
前記第2層の膜厚は、前記第1層の膜厚よりも大きい
請求項1の液体吐出ヘッド。
The liquid discharge head according to claim 1, wherein the film thickness of the second layer is larger than the film thickness of the first layer.
前記第1層の線膨張率は、前記第2層の線膨張率よりも小さい
請求項1または請求項2の液体吐出ヘッド。
The liquid discharge head according to claim 1 or 2, wherein the coefficient of linear expansion of the first layer is smaller than the coefficient of linear expansion of the second layer.
前記第1層は、酸化タンタルで形成される
請求項1から請求項3の何れかの液体吐出ヘッド。
The first layer is a liquid discharge head according to any one of claims 1 to 3, which is formed of tantalum oxide.
前記第1電極と前記圧電体層と前記第2電極とが積層される方向において、前記第2領域と前記第1電極との間の距離は、前記第1領域と前記第1電極との間の距離よりも小さい
請求項1から請求項4の何れかの液体吐出ヘッド。
In the direction in which the first electrode, the piezoelectric layer, and the second electrode are laminated, the distance between the second region and the first electrode is between the first region and the first electrode. The liquid discharge head according to any one of claims 1 to 4, which is smaller than the distance of.
前記第2領域の表面には前記圧電体層よりも導電率が大きい導電層が設けられる
請求項1から請求項5の何れかの液体吐出ヘッド。
The liquid discharge head according to any one of claims 1 to 5, wherein a conductive layer having a higher conductivity than the piezoelectric layer is provided on the surface of the second region.
請求項1から請求項6の何れかの液体吐出ヘッドと、
前記液体吐出ヘッドを制御する制御部と
を具備する液体吐出装置。
With the liquid discharge head according to any one of claims 1 to 6.
A liquid discharge device including a control unit that controls the liquid discharge head.
弾性変形可能な振動板と、
前記振動板の面上に設けられる第1電極と、
前記第1電極の面上に設けられ、平面視において第1領域と当該第1領域に隣り合う第2領域とを含む圧電体層と、
前記第1領域に設けられる第2電極と、
前記第2電極の側面に接触し、前記第2領域に設けられる第1層と、
前記第1層を覆い、平面視において前記第1領域と前記第2領域とに重なる第2層とを具備し、
前記第2層の比誘電率は、前記第1層の比誘電率よりも大きく、
前記第2層のヤング率は、前記第1層のヤング率よりもが小さい
圧電デバイス。
Elastically deformable diaphragm and
The first electrode provided on the surface of the diaphragm and
A piezoelectric layer provided on the surface of the first electrode and including a first region and a second region adjacent to the first region in a plan view,
The second electrode provided in the first region and
A first layer that comes into contact with the side surface of the second electrode and is provided in the second region,
It covers the first layer and includes a second layer that overlaps the first region and the second region in a plan view.
The relative permittivity of the second layer is larger than the relative permittivity of the first layer.
A piezoelectric device in which the Young's modulus of the second layer is smaller than the Young's modulus of the first layer.
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