JP2021052294A - アンテナ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ミリ波帯域の信号を効率よく伝送可能なアンテナ装置を提供する。【解決手段】アンテナ装置は、互いに離して配置された複数のアンテナと、複数のアンテナにそれぞれ接続する第１バトラーマトリクス回路と、複数のアンテナにそれぞれ接続する第２バトラーマトリクス回路と、を備える。複数のアンテナの各々において、第１バトラーマトリクス回路に接続する第１給電点と、第２バトラーマトリクス回路に接続する第２給電点は、互いに離して配置されている。【選択図】図６

Description

本開示は、アンテナ装置に関する。

一平面上に構成されたバトラーマトリクス回路を有するアンテナ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平９−９３００８号公報

第５世代移動通信システム（５Ｇ）において、大幅な伝送レートの向上に対応するため、ミリ波帯の信号を用いることが計画されている。ミリ波帯域の信号は空間を移動する際の減衰が大きい。ミリ波帯域の信号を効率よく伝送可能なアンテナ装置が望まれている。

本開示はこのような事情に鑑みてなされたもので、ミリ波帯域の信号を効率よく伝送可能なアンテナ装置を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係るアンテナ装置は、互いに離して配置された複数のアンテナと、複数のアンテナにそれぞれ接続する第１バトラーマトリクス回路と、複数のアンテナにそれぞれ接続する第２バトラーマトリクス回路と、を備える。複数のアンテナの各々において、第１バトラーマトリクス回路に接続する第１給電点と、第２バトラーマトリクス回路に接続する第２給電点は、互いに離して配置されている。

これによれば、アンテナ装置は、第１給電点をミリ波帯域の第１電波用の給電点とし、第２給電点をミリ波帯域の第２電波用の給電点とすることができる。アンテナ装置は、ミリ波帯域の２つの電波に対応することができるので、ミリ波帯域の信号を効率よく伝送することができる。

図１は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置の構成例を示す図である。 図２は、本開示の実施形態１に係るバトラーマトリクス回路の構成例を示す図である。 図３は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図４は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板において、水平偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図５は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板において、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図６は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。 図７は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す断面図である。 図８は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置の第１の構成例を示す断面図である。 図９は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置の第２の構成例を示す断面図である。 図１０は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１１は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板において、水平偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図１２は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板において、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図１３は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。 図１４は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す断面図である。 図１５は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１６は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板において、水平偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図１７は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板において、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図１８は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。 図１９は、本開示の実施形態４に係るフェーズドアレイアンテナ装置の構成例を示す図である。 図２０は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図２１は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板において、低周波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図２２は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板において、高周波用のバトラーマトリクス回路の構成例を模式的に示す平面図である。 図２３は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す斜視図である。 図２４は、本開示の実施形態５に係るアンテナ回路基板の構成例を示す平面図である。 図２５は、本開示の実施形態５に係るアンテナ回路基板の構成例を模式的に示す断面図である。

以下において、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

また、以下の説明における上下等の方向の定義は、単に説明の便宜上の定義であって、本開示の技術的思想を限定するものではない。例えば、対象を９０°回転して観察すれば上下は左右に変換して読まれ、１８０°回転して観察すれば上下は反転して読まれることは勿論である。

また、以下の説明では、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の文言を用いて、方向を説明する場合がある。例えば、Ｚ軸方向は、後述するアンテナ回路基板１００の厚さ方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、Ｚ軸方向と直交する方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、互いに直交する。また、以下の説明において、「平面視」とは、Ｚ軸方向から見ることを意味する。

＜実施形態１＞
図１は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置２００の構成例を示す図である。図１に示すように、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、アンテナ回路基板１００と、アンテナ回路基板１００に信号を入力するための入力端子１１０と、アンテナ回路基板１００から信号を出力するための出力端子１２２、１３６と、を備える。また、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、入力端子１１０（又は、出力端子１２２）とアンテナ回路基板１００とを接続する伝送線路に配置された、パワーアンプ（ＰＡ）１１２と、単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ１１４と、バンドパスフィルタ１１６と、単極４投（ＳＰ４Ｔ）スイッチ１１８と、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）１２０とを備える。また、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、アンテナ回路基板１００と出力端子１３６とを接続する伝送線路に配置された、単極４投（ＳＰ４Ｔ）スイッチ１３０と、バンドパスフィルタ１３２と、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）１３４とを備える。

パワーアンプ１１２は、入力端子１１０に入力された信号を増幅して、単極双投スイッチ１１４に出力する。単極双投スイッチ１１４は、パワーアンプ１１２とバンドパスフィルタ１１６との接続と、バンドパスフィルタ１１６とローノイズアンプ１２０との接続を切り替える。バンドパスフィルタ１１６、１３２は、特定周波数の信号のみを通過させる。特定周波数の信号として、例えば、ミリ波帯の信号が挙げられる。ミリ波帯の信号の周波数は、例えば３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下である。

単極４投スイッチ１１８は、バンドパスフィルタ１１６と、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの４つの入力端子との接続を切り替える。単極４投スイッチ１３０は、バンドパスフィルタ１３２と、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの４つの入力端子との接続を切り替える。バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ、ＢＭ−Ｈについては、後述する。ローノイズアンプ１２０、１３４は、ノイズの付加を抑制しつつ、受信したミリ波帯の信号を増幅する。

アンテナ回路基板１００は、互いに離して配置された４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４と、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖと、を備える。バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ、ＢＭ−Ｈは、それぞれ４入力４出力型である。バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ、ＢＭ−Ｈは、例えば、互いに同一の共振周波数を有する。

バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖにおいて、４つの入力端子は単極４投スイッチ１１８の４つの端子にそれぞれ１つずつ接続されており、４つの出力端子はパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ１つずつ接続されている。同様に、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈにおいて、４つの入力端子は単極４投スイッチ１３０の４つの端子にそれぞれ１つずつ接続されており、４つの出力端子はパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ１つずつ接続されている。パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の各表面は、後述の図６等に示すように、互いに平行である。

図２は、本開示の実施形態１に係るバトラーマトリクス回路ＢＭの構成例を示す図である。図１に示したバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ、ＢＭ−Ｈは、例えば図２に示すバトラーマトリクス回路ＢＭと同じ構成を有する。図２に示すように、バトラーマトリクス回路ＢＭは、４入力４出力型であり、４つの入力端子ａ１、ａ２、ａ３、ａ４と、４つの出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４と、入力端子ａ１、ａ２、ａ３、ａ４と出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４とを接続する伝送線路ＴＬと、を備える。また、バトラーマトリクス回路ＢＭは、伝送線路ＴＬに配置された４つのハイブリッドカプラＨＣ１、ＨＣ２、ＨＣ３、ＨＣ４と、を備える。

バトラーマトリクス回路ＢＭは、入力端子ａ１、ａ２、ａ３、ａ４に選択的に信号を入力することによって、４方向に指向性ビームを発生させるように構成されている。ハイブリッドカプラＨＣ１、ＨＣ２、ＨＣ３、ＨＣ４は、それぞれ、入力電力を等分配して入力信号に９０°の位相差をつけて出力する。表１に、バトラーマトリクス回路ＢＭにおける入力信号と出力信号との関係の一例を示す。なお、表１の「アンテナビーム方向」の欄に記載された矢印は、パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の各表面の法線方向に対する、アンテナビームの傾斜方向を示している。具体的には、斜め左上方向を指している矢印は、アンテナビーム方向がパッチアンテナＰＡ１側に傾いていることを示している。斜め左下方向を指している矢印は、アンテナビームがパッチアンテナＰＡ２側に傾いていることを示している。斜め右上方向を指している矢印は、アンテナビーム方向がパッチアンテナＰＡ３側に傾いていることを示している。斜め右下方向を指している矢印は、アンテナビームがパッチアンテナＰＡ４側に傾いていることを示している。

表１に示すように、入力端子ａ１に信号を入力すると、入力された信号に対して位相が０°、−９０°、−９０°、−１８０°シフトした信号が、出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される。出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される信号波が合成されることによって、パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の各表面の法線方向（例えば、後述の図６等に示すＺ軸方向）に対してパッチアンテナＰＡ４側に約３０°傾いた方向に、アンテナビームが出力される。

同様に、入力端子ａ２に信号を入力すると、入力された信号に対して位相が−９０°、０°、−１８０°、−９０°シフトした信号が、出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される。出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される信号波が合成されることによって、Ｚ軸方向に対してパッチアンテナＰＡ３側に約３０°傾いた方向にアンテナビームが出力される。

入力端子ａ３に信号を入力すると、入力された信号に対して位相が−９０°、−１８０°、０°、−９０°シフトした信号が、出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される。出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される信号波が合成されることによって、Ｚ軸方向に対してパッチアンテナＰ２側に約３０°傾いた方向に、アンテナビームが出力される。

入力端子ａ４に信号を入力すると、入力された信号に対して位相が−１８０°、−９０°、−９０°、０°シフトした信号が、出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される。出力端子ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４からそれぞれ出力される信号波が合成されることによって、Ｚ軸方向に対してパッチアンテナＰＡ１側に約３０°傾いた方向に、アンテナビームが出力される。

図３は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板１００の構成例を模式的に示す平面図である。図４は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板１００において、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの構成例を模式的に示す平面図である。図５は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板１００において、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの構成例を模式的に示す平面図である。図６は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板１００の構成例を模式的に示す斜視図である。

アンテナ回路基板１００は、２行２列に配置されたパッチアンテナに、２系統のバトラーマトリクス回路が接続されたものである。水平偏波、垂直偏波の両偏波に対応するため、パッチアンテナの平面視による形状は矩形であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に等間隔で配置されている。例えば、図３から図６に示すように、４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の平面視による形状は、正方形である。パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４は、平面視で正方形の角部に１つずつ位置するように配置されている。

パッチアンテナＰＡ１には、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの出力端子Ｂ１−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの出力端子Ｂ１−Ｖとがそれぞれ接続されている。出力端子Ｂ１−Ｖは水平偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ１−Ｖは垂直偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ１−Ｖは、互いに離して配置されている。例えば、出力端子Ｂ１−Ｈは、パッチアンテナＰＡ１が有する４つの外周辺のうち、Ｘ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。これにより、出力端子Ｂ１−Ｈを給電点としてパッチアンテナＰＡ１から出力されるアンテナビームは、Ｙ軸方向に偏波する。また、出力端子Ｂ１−Ｖは、パッチアンテナＰＡ１が有する４つの外周辺のうち、Ｙ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。これにより、出力端子Ｂ１−Ｖを給電点としてパッチアンテナＰＡ１から出力されるアンテナビームは、Ｘ軸方向に偏波する。

同様に、パッチアンテナＰＡ２には、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの出力端子Ｂ２−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの出力端子Ｂ２−Ｖとがそれぞれ接続されている。出力端子Ｂ１−Ｈは水平偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ２−Ｖは垂直偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ２−Ｈ、Ｂ２−Ｖは、互いに離して配置されている。例えば、出力端子Ｂ２−Ｈは、パッチアンテナＰＡ２が有する４つの外周辺のうち、Ｘ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。出力端子Ｂ２−Ｖは、パッチアンテナＰＡ２が有する４つの外周辺のうち、Ｙ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。

パッチアンテナＰＡ３には、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの出力端子Ｂ３−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの出力端子Ｂ３−Ｖとがそれぞれ接続されている。出力端子Ｂ３−Ｈは水平偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ３−Ｖは垂直偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ３−Ｈ、Ｂ３−Ｖは、互いに離して配置されている。例えば、出力端子Ｂ３−Ｈは、パッチアンテナＰＡ３が有する４つの外周辺のうち、Ｘ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。出力端子Ｂ３−Ｖは、パッチアンテナＰＡ３が有する４つの外周辺のうち、Ｙ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。

パッチアンテナＰＡ４には、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの出力端子Ｂ４−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの出力端子Ｂ４−Ｖとがそれぞれ接続されている。出力端子Ｂ４−Ｈは水平偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ４−Ｖは垂直偏波用の給電点として機能する。出力端子Ｂ４−Ｈ、Ｂ４−Ｖは、互いに離して配置されている。例えば、出力端子Ｂ４−Ｈは、パッチアンテナＰＡ４が有する４つの外周辺のうち、Ｘ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。出力端子Ｂ４−Ｖは、パッチアンテナＰＡ４が有する４つの外周辺のうち、Ｙ軸方向に平行な外周辺と隣り合う位置に配置されている。

図４に示すように、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈは、４つのハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈ、ＨＣ３−Ｈ、ＨＣ４−Ｈ、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈは入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｈは入力端子Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈは出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈは出力端子Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈに接続している。入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈ、Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈに入力された信号は、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈによって分配、位相が変化され、４つの出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈ、Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈにそれぞれ出力される。

図５に示すように、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖは、４つのハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖ、ＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖ、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖは、ビアＶ１１、Ｖ１２を介して、入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖは、ビアＶ１３、Ｖ１４を介して、入力端子Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖは出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖに接続している。ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖは出力端子Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖに接続している。入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖ、Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖに入力された信号は、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖによって分配、位相が変化され、４つの出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖ、Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖにそれぞれ出力される。

図３から図５に示すように、アンテナ回路基板１００では、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの平面視による中心位置Ｃ１と、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの平面視による中心位置Ｃ２と、４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４を含むアンテナ群の平面視による中心位置Ｃ３とが互いに一致している。

図４及び図５に示すように、Ｘ軸方向に平行で、かつ中心位置Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を通る仮想線をＸＬとする。また、Ｙ軸方向に平行で、かつ中心位置Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を通る仮想線をＸＬとする。水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈを構成する各部と、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖを構成する各部と、パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４は、それぞれ、仮想線ＸＬを境界に平面視で上下対称に配置されており、仮想線ＹＬを境界に平面視で左右対称に配置されている。

例えば、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈにおいて、ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈは、仮想線ＸＬを境界に平面視で上下対称となっている。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈと入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈとを接続する線路Ｌ１１、Ｌ１２と、ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｈと入力端子Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈとを接続する線路Ｌ１３、Ｌ１４も、仮想線ＸＬを境界に平面視で上下対称となっている。線路Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

また、ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈと、ＨＣ４−Ｈは、仮想線ＹＬを境界に平面視で左右対称となっている。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈ、ＨＣ４−Ｈは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈと出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈとを接続する線路Ｌ１５、Ｌ１６と、ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈと出力端子Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈとを接続する線路Ｌ１７、Ｌ１８も、仮想線ＹＬを境界に平面視で左右対称となっている。線路Ｌ１５、Ｌ１６、Ｌ１７、Ｌ１８は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

同様に、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖにおいて、ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖは、仮想線ＹＬを境界に平面視で左右対称となっている。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖと入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖとを接続する線路Ｌ２１、Ｌ２２と、ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖと入力端子Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖとを接続する線路Ｌ２３、Ｌ２４も、仮想線ＹＬを境界に平面視で左右対称となっている。線路Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

また、ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖと、ＨＣ４−Ｖは、仮想線ＸＬを境界に平面視で上下対称となっている。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖと出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ３−Ｖとを接続する線路Ｌ２５、Ｌ２６と、ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖと出力端子Ｂ２−Ｖ、Ｂ４−Ｖとを接続する線路Ｌ２７、Ｌ２８も、仮想線ＸＬを境界に平面視で上下対称となっている。線路Ｌ２５、Ｌ２６、Ｌ２７、Ｌ２８は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

図７は、本開示の実施形態１に係るアンテナ回路基板１００の構成例を模式的に示す断面図である。アンテナ回路基板１００は、有機基板、ビルドアップ基板、セラミック基板など、配線の多層化が可能な任意の基板で構成されている。また、アンテナ回路基板１００には、２層ストリップラインで構成されていてもよいし、マイクロストリップライン又はストリップラインが積層された構造を有してもよい。例えば、図７に示すように、アンテナ回路基板１００は、第１有機基板１０と、第１ストリップライン２０と、第２ストリップライン３０と、第２有機基板４０とが、この順で積層された構造を有する。

図７に示すように、アンテナ回路基板１００は、おもて面１００ａと、おもて面１００ａの反対側に位置するうら面１００ｂとを有する。アンテナ回路基板１００は、おもて面１００ａとうら面１００ｂとの間に位置する第１導電層２と、第１導電層２とおもて面１００ａとの間に位置する第２導電層３と、第２導電層３を挟んで第１導電層２の反対側に位置する第３導電層４と、を有する。例えば、第３導電層４は、おもて面１００ａに設けられている。また、アンテナ回路基板１００は、うら面１００ｂに設けられた第４導電層５と、おもて面１００ａとうら面１００ｂとの間に設けられた接続配線９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄとを有する。

接続配線９Ａは、第１導電層２と第２導電層３とを接続する。接続配線９Ｂは、第２導電層３と第３導電層４とを接続する。接続配線９Ｃは、第１導電層２と第３導電層４とを接続する。接続配線９Ｄは、第１導電層２と第４導電層５とを接続する。

第１導電層２、第２導電層３及び第３導電層４は、例えば、銅（Ｃｕ）又はＣｕ合金などの金属で構成されている。接続配線９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄは、例えば、Ｚ軸方向に設けられたビアと、水平方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に設けられた中継配線との組み合わせで構成されている。中継配線は、例えば第１導電層２、第２導電層３と同一レイヤに形成された導電層で構成されていてもよい。

水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈは、第１導電層２を含んで構成されている。例えば、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈに含まれる４つのハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈ、ＨＣ３−Ｈ、ＨＣ４−Ｈと、これらに接続する配線は、第１導電層２で構成されている。

垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖは、第２導電層３を含んで構成されている。例えば、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖに含まれる４つのハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖ、ＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖと、これらを接続する配線は、第２導電層３で構成されている。パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４は、第３導電層４で構成されている。

水平偏波用の４つの出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈ、Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈは、例えば、接続配線９Ｃで構成されている。垂直偏波用の４つの出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖ、Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖは、例えば、接続配線９Ｂで構成されている。水平偏波用の４つの入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈ、Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈと、垂直偏波用の４つの入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖ、Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖは、例えば、第４導電層５で構成されている。ビアＶ１１、Ｖ１２、Ｖ１３、Ｖ１４は、例えば、接続配線９Ａ、９Ｄで構成されている。

図８は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置２００の第１の構成例を示す断面図である。図８に示すように、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、アンテナ回路基板１００と、アンテナ回路基板１００と向かい合う配線基板５０と、複数の接続部品６０と、複数個の電子部品６１から６７と、を備える。本開示の実施形態では、パッケージングされた電子部品を電子モジュールと呼んでもよい。

配線基板５０は、コアとなる絶縁基板（以下、コア基板）と、コア基板の少なくとも一方の面側に設けられた複数の配線パターンと、複数の絶縁層とを有する。コア基板の厚さ方向において、配線パターンと絶縁層とが交互に配置されている。また、絶縁層にはスルーホールが設けられている。スルーホールを通して、上側の配線パターンと下側の配線パターンとが接続されている。配線基板５０のおもて面５０ａには、電子部品と電気的に接続するためのランド等が設けられている。配線基板５０のうら面５０ｂには、配線基板５０を他の基板７０に実装するための端子部５１が設けられている。接続部品６０は、基板対基板コネクタ、又は、絶縁体の内部に配線を有する部品である。

電子部品６１、６２は、アンテナ回路基板１００の裏面１００ｂ側に実装されている。例えば、電子部品６１、６２は、図１に示した単極４投（ＳＰ４Ｔ）スイッチ１１８、１３０の機能を有する部品である。なお、本開示の実施形態において、電子部品６１、６２の種類は、上記に限定されるものではない。

電子部品６３から６７は、配線基板５０のおもて面５０ａ側に実装されている。例えば、電子部品６３は、図１に示した単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ１１４の機能を有する部品である。電子部品６４は、図１に示したパワーアンプ（ＰＡ）１１２の機能を有する部品である。電子部品６５は、図１に示したローノイズアンプ（ＬＮＡ）１２０、１３４の機能を有する部品である。電子部品６６、６７は、表面実装部品（ＳＭＤ：ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ ｄｅｖｉｃｅ）である。ＳＭＤの一例として、表面実装用のトランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサ又はインダクタが挙げられる。なお、本開示の実施形態において、電子部品６３から６７の種類は、上記に限定されるものではない。

図９は、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置２００の第２の構成例を示す断面図である。図９に示すように、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、アンテナ回路基板１００が設けられたアンテナ回路基板１００と、アンテナ回路基板１００のうら面１００ｂ側に実装された電子部品６８、６９と、を有する。電子部品６８は、例えば図１に示した単極４投（ＳＰ４Ｔ）スイッチ１１８、１３０の機能を有する部品である。電子部品６９は、ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：モノリシック・マイクロ波集積回路）である。なお、本開示の実施形態において、電子部品６８、６９の種類は、上記に限定されるものではない。

以上説明したように、本開示の実施形態１に係るフェーズドアレイアンテナ装置２００（本開示の「アンテナ装置」の一例）は、アンテナ回路基板１００（本開示の「基板」の一例）を備える。アンテナ回路基板１００は、互いに離して配置された４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４（本開示の「アンテナ」の一例）と、４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ接続する水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈ（本開示の「第１バトラーマトリクス回路」の一例）と、４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ接続する垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ（本開示の「第２バトラーマトリクス回路」の一例）と、を備える。４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の各々において、出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈ、Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈ（本開示の「第１給電点」の一例）と、出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖ、Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖ（本開示の「第２給電点」の一例）は、互いに離して配置されている。

これによれば、アンテナ回路基板１００は、出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈ、Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈをミリ波帯域の水平偏波の給電点とし、出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖ、Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖをミリ波帯域の垂直偏波の給電点とすることができる。アンテナ回路基板１００は、ミリ波帯域の２偏波に対応することができるので、ミリ波帯域の信号を効率よく伝送することができる。

また、バトラーマトリクス回路ＢＭは、入力端子Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４のいずれか１つに信号が入力されることによって、ある一定の間隔の位相差をもつ信号を出力端子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４に出力させるものであり、ディバイダーと、フェイズシフトの機能を併せ持つ回路である。例えば、アンテナ回路基板１００は、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖに単極双投スイッチ１１４を接続することで、垂直偏波用の移相回路を構成している。また、アンテナ回路基板１００は、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈに単極双投スイッチ１３０を接続することで、水平偏波用の移相回路を構成している。バトラーマトリクス回路ＢＭは、受動部品だけで構成されたパッシブ回路であり、回路構成は簡単である。

移相回路には、ディレイラインや容量を切り替えるフェイズシフタ（移相器）が使われることが一般的であるが、アンテナ毎にフェイズシフタやそれを制御する為のドライバが必要となるため、回路規模が大きくなる。しかしながら、アンテナ回路基板１００は、パッシブ回路であるバトラーマトリクス回路ＢＭにスイッチを接続して移相回路を実現しているため、位相回路の回路規模が小さくて済む。これにより、アンテナ回路基板１００は、小型化と低消費電力化が可能である。アンテナ回路基板１００と、アンテナ回路基板１００を備えるフェーズドアレイアンテナ装置２００は、小型化と低消費電力化が可能であるため、携帯端末の用途に適している。

また、アンテナ回路基板１００では、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨとがＺ軸方向で互いに重なるように配置されている。これにより、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈ、ＢＭ−Ｖの占有面積を低く抑えることができるので、アンテナ回路基板１００とフェーズドアレイアンテナ装置２００のさらなる小型化に寄与することができる。

また、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈは、４つの入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈ、Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈ（本開示の「第１端子」の一例）と、入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈと、入力端子Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−Ｈと、出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈと、出力端子Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈと、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈは、本開示の「第１ハイブリッドカプラ」の一例である。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈ、ＨＣ４−Ｈは、本開示の「第２ハイブリッドカプラ」の一例である。

同様に、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖは、４つの入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖ、Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖ（本開示の「第２端子」の一例）と、入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖと、入力端子Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖと、出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ３−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖと、出力端子Ｂ２−Ｖ、Ｂ４−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖと、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖは、本開示の「第３ハイブリッドカプラ」の一例である。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖは、本開示の「第４ハイブリッドカプラ」の一例である。

入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈと、入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。入力端子Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−Ｈと、入力端子Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

また、出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈと、出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ３−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。出力端子Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈと、出力端子Ｂ２−Ｖ、Ｂ４−Ｖに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

また、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの線路Ｌ１５、Ｌ１６、Ｌ１７、Ｌ１８（本開示の「第３線路」の一例）と、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの線路Ｌ２５、Ｌ２６、Ｌ２７、Ｌ２８（本開示の「第４線路」の一例）は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

これにより、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈ、Ａ３−Ｈ、Ａ４−Ｈから出力端子Ｂ１−Ｈ、Ｂ２−Ｈ、Ｂ３−Ｈ、Ｂ４−Ｈまでの線路長と、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖ、Ａ３−Ｖ、Ａ４−Ｖから出力端子Ｂ１−Ｖ、Ｂ２−Ｖ、Ｂ３−Ｖ、Ｂ４−Ｖまでの線路長とを、互いに同一の長さに近づけることができる。

なお、上記の実施形態１では、パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の平面視による形状が正方形であることを説明したが、本開示はこれに限定されない。パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４の平面視による形状は、長方形でもよいし、正方形又は長方形以外の多角形であってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。

＜実施形態２＞
本開示の実施形態では、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖと水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈとをそれぞれ複数の導電層で構成してもよい。

図１０は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａの構成例を模式的に示す平面図である。図１１は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａにおいて、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの構成例を模式的に示す平面図である。図１２は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａにおいて、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの構成例を模式的に示す平面図である。図１３は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａの構成例を模式的に示す斜視図である。図１４は、本開示の実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａの構成例を模式的に示す断面図である。

図１０から図１３に示すように、アンテナ回路基板１００Ａでは、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖのいずれにおいても、入力端子側のハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈ、ＨＣ２−Ｈ、ＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖは１層目の導電層で構成され、出力端子側のハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈ、ＨＣ４−Ｈ、ＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖは２層目の導電層で構成されている。１層目の導電層は、例えば図１４に示す第１導電層２である。２層目の導電層は、例えば図１４に示す第２導電層３である。パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４は、例えば図１４に示す第３導電層４で構成されている。

また、アンテナ回路基板１００Ａでは、中心位置Ｃ１、Ｃ２を中心に、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈに対してバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖを相対的に９０°回転させると、ビアＶ１−Ｈ、Ｖ２−Ｈ、Ｖ３−Ｈ、Ｖ４−Ｈとその周辺部と、ビアＶ１−Ｖ、Ｖ２−Ｖ、Ｖ３−Ｖ、Ｖ４−Ｖとその周辺部とを除いて、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈとバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖとが平面視で一致する。

アンテナ回路基板１００Ａにおいて、線路Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４（本開示の「第１線路」の一例）と、線路Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４（本開示の「第２線路」の一例）は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。また、線路Ｌ１５からＬ１８と、線路Ｌ２５からＬ２８も、互いに同一の形状で同一の線路長を有する。

また、ビアＶ１−Ｈを介してハイブリッドカプラＨＣ１−ＨとハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈとを接続する線路と、ビアＶ１−Ｖを介してハイブリッドカプラＨＣ１−ＶとハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖとを接続する線路は、互いに同一の線路長となっている。同様に、ビアＶ２−Ｈを介してハイブリッドカプラＨＣ１−ＨとハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈとを接続する線路と、ビアＶ２−Ｖを介してハイブリッドカプラＨＣ１−ＶとハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖとを接続する線路は、互いに同一の線路長となっている。ビアＶ３−Ｈを介してハイブリッドカプラＨＣ２−ＨとハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈとを接続する線路と、ビアＶ３−Ｖを介してハイブリッドカプラＨＣ２−ＶとハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖとを接続する線路は、互いに同一の線路長となっている。ビアＶ４−Ｈを介してハイブリッドカプラＨＣ２−ＨとハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈとを接続する線路と、ビアＶ４−Ｖを介してハイブリッドカプラＨＣ２−ＶとハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖとを接続する線路は、互いに同一の線路長となっている。

このように、アンテナ回路基板１００Ａでは、入力端子Ａ１−Ｈ、Ａ２−Ｈ、Ａ３−Ｈ、Ａ４−ＨとパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４との間の線路長と、入力端子Ａ１−Ｖ、Ａ２−Ｖ、Ａ３−Ｖ、Ａ４−ＶとパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４との間の線路長とが、互いに同一の長さとなっている。これにより、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈとバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖとの間で、特性差を低減することができる。

＜実施形態３＞
図１５は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板１００Ｂの構成例を模式的に示す平面図である。図１６は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板１００Ｂにおいて、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈの構成例を模式的に示す平面図である。図１７は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板１００Ｂにおいて、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖの構成例を模式的に示す平面図である。図１８は、本開示の実施形態３に係るアンテナ回路基板１００Ｂの構成例を模式的に示す斜視図である。

図１５から図１８に示すように、実施形態３に係るアンテナ回路基板１００Ｂは、実施形態２に係るアンテナ回路基板１００Ａと比べて、バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＶのハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖ、ＨＣ２−Ｖ、ＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖが中心位置Ｃ２に近づけて配置されている。

例えば、ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖは、ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｈに対して平面視で位置をずらして配置されている。ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｖの位置をずらす方向は、中心位置Ｃ２に近づく方向である。同様に、ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖは、ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｈに対して平面視で位置をずらして配置されている。ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｖの位置をずらす方向は、中心位置Ｃ２に近づく方向である。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖは、ハイブリッドカプラＨＣ１−Ｈに対して平面視で位置をずらして配置されている。ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖの位置をずらす方向は、中心位置Ｃ２に近づく方向である。ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖは、ハイブリッドカプラＨＣ２−Ｈに対して平面視で位置をずらして配置されている。ハイブリッドカプラＨＣ４−Ｖの位置をずらす方向は、中心位置Ｃ２に近づく方向である。

これにより、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖでは、ハイブリッドカプラＨＣ３−Ｖ、ＨＣ４−Ｖの外側（すなわち、パッチアンテナＰＡ１、ＰＡ３間と、パッチアンテナＰＡ２、ＰＡ４間）にそれぞれスペースＲ３、Ｒ４が得られる。アンテナ回路基板１００Ｂは、スペースＲ３、Ｒ４の分だけ、面積を小型化することができる。また、アンテナ回路基板１００Ｂでは、スペースＲ３、Ｒ４にハイブリッドカプラ以外の他の回路、配線等を配置してもよい。

＜実施形態４＞
上記の実施形態１から３では、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖ、ＢＭ−Ｈがそれぞれ同一の共振周波数を有し、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖが垂直偏波用に用いられ、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈが水平偏波用に用いられる場合を説明した。

しかしながら、本開示において、２つのバトラーマトリクス回路ＢＭは互いに異なる共振周波数を有してもよい。例えば、本開示の実施形態では、２つのバトラーマトリクス回路ＢＭのうち、一方を低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦ（本開示の「第１バトラーマトリクス回路」の一例）とし、他方を高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦ（本開示の「第２バトラーマトリクス回路」の一例）としてもよい。

図１９は、本開示の実施形態４に係るフェーズドアレイアンテナ装置２００Ｃの構成例を示す図である。フェーズドアレイアンテナ装置２００Ｃは、本開示のアンテナ装置の一例である。図１９に示すように、フェーズドアレイアンテナ装置２００Ｃは、アンテナ回路基板１００Ｃと、アンテナ回路基板１００Ｃに信号を入力するための入力端子２１０と、アンテナ回路基板１００Ｃから信号を出力するための出力端子２３０と、を備える。また、フェーズドアレイアンテナ装置２００は、入力端子２１０（又は、出力端子２３０）とアンテナ回路基板１００Ｃとを接続する伝送線路に配置された、パワーアンプ（ＰＡ）２１２と、フィルタ２１４、２２４と、単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ２１６、２１８と、単極４投（ＳＰ４Ｔ）スイッチ２２０、２２２と、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）２２６と、を備える。

パワーアンプ２１２は、入力端子２１０に入力された信号を増幅して、フィルタ２１４に出力する。フィルタ２１４、２２４は、特定周波数の信号のみを通過させる。特定周波数の信号として、例えば、ミリ波帯の信号が挙げられる。単極双投スイッチ２１６は、フィルタ２１４、２２４と、単極双投スイッチ２１８との接続を切り替える。単極双投スイッチ２１８は、単極双投スイッチ２１６と、単極４投スイッチ２２０、２２２との接続を切り替える。

単極４投スイッチ２２０は、単極双投スイッチ２１８と、バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦの４つの入力端子との接続を切り替える。単極４投スイッチ２２２は、単極双投スイッチ２１８と、バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦの４つの入力端子との接続を切り替える。ローノイズアンプ２２６は、ノイズの付加を抑制しつつ、受信したミリ波帯の信号を増幅する。

アンテナ回路基板１００Ｃは、互いに離して配置された４つのパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４と、２つのバトラーマトリクス回路と、を備える。アンテナ回路基板１００Ｃにおいて、２つのバトラーマトリクス回路は、互いに異なる共振周波数を有する。アンテナ回路基板１００Ｃは、２つのバトラーマトリクス回路として、高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦと、低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦとを備える。バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦ、ＢＭ−ＬＦは、それぞれ４入力４出力型である。

バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦにおいて、４つの入力端子は単極４投スイッチの４つの端子にそれぞれ１つずつ接続されており、４つの出力端子はパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ１つずつ接続されている。同様に、バトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦにおいて、４つの入力端子は単極４投スイッチ１３０の４つの端子にそれぞれ１つずつ接続されており、４つの出力端子はパッチアンテナＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４にそれぞれ１つずつ接続されている。

図２０は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板１００Ｃの構成例を模式的に示す平面図である。図２１は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板１００Ｃにおいて、低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦの構成例を模式的に示す平面図である。図２２は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板１００Ｃにおいて、高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦの構成例を模式的に示す平面図である。図２３は、本開示の実施形態４に係るアンテナ回路基板１００Ｃの構成例を模式的に示す斜視図である。

図２０、図２１、図２３に示すように、低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦは、４つの入力端子Ａ１−ＬＦ、Ａ２−ＬＦ、Ａ３−ＬＦ、Ａ４−ＬＦ（本開示の「第１端子」の一例）と、入力端子Ａ１−ＬＦ、Ａ２−ＬＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−ＬＦと、入力端子Ａ３−ＬＦ、Ａ４−ＬＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−ＬＦと、出力端子Ｂ１−ＬＦ、Ｂ２−ＬＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−ＬＦと、出力端子Ｂ３−ＬＦ、Ｂ４−ＬＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−ＬＦと、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−ＬＦ、ＨＣ２−ＬＦは、本開示の「第１ハイブリッドカプラ」の一例である。ハイブリッドカプラＨＣ３−ＬＦ、ＨＣ４−ＬＦは、本開示の「第２ハイブリッドカプラ」の一例である。

出力端子Ｂ１−ＬＦはパッチアンテナＰＡ１に接続している。出力端子Ｂ２−ＬＦはパッチアンテナＰＡ２に接続している。出力端子Ｂ３−ＬＦはパッチアンテナＰＡ３に接続している。出力端子Ｂ４−ＬＦはパッチアンテナＰＡ４に接続している。出力端子Ｂ１−ＬＦ、Ｂ２−ＬＦ、Ｂ３−ＬＦ、Ｂ４−ＬＦは、本開示の「第１給電点」の一例である。

図２０、図２２、図２３に示すように、高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦは、４つの入力端子Ａ１−ＨＦ、Ａ２−ＨＦ、Ａ３−ＨＦ、Ａ４−ＨＦ（本開示の「第２端子」の一例）と、入力端子Ａ１−ＨＦ、Ａ２−ＨＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ１−ＨＦと、入力端子Ａ３−ＨＦ、Ａ４−ＨＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ２−ＨＦと、出力端子Ｂ１−ＨＦ、Ｂ３−ＨＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ３−ＨＦと、出力端子Ｂ２−ＨＦ、Ｂ４−ＨＦに接続するハイブリッドカプラＨＣ４−ＨＦと、を有する。ハイブリッドカプラＨＣ１−ＨＦ、ＨＣ２−ＨＦは、本開示の「第３ハイブリッドカプラ」の一例である。ハイブリッドカプラＨＣ３−ＨＦ、ＨＣ４−ＨＦは、本開示の「第４ハイブリッドカプラ」の一例である。

出力端子Ｂ１−ＨＦはパッチアンテナＰＡ１に接続している。出力端子Ｂ２−ＨＦはパッチアンテナＰＡ２に接続している。出力端子Ｂ３−ＨＦはパッチアンテナＰＡ３に接続している。出力端子Ｂ４−ＨＦはパッチアンテナＰＡ４に接続している。出力端子Ｂ１−ＨＦ、Ｂ２−ＨＦ、Ｂ３−ＨＦ、Ｂ４−ＨＦは、本開示の「第２給電点」の一例である。

図２０から図２３に示すように、低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦと、高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦは、いずれも、入力端子側のハイブリッドカプラは１層目の導電層で構成され、出力端子側のハイブリッドカプラは２層目の導電層で構成されている。入力端子側のハイブリッドカプラＨＣ１−ＬＦ、ＨＣ２−ＬＦ、ＨＣ１−ＨＦ、ＨＣ２−ＨＦは１層目の導電層で構成され、出力端子側のハイブリッドカプラＨＣ３−ＬＦ、ＨＣ４−ＬＦ、ＨＣ３−ＨＦ、ＨＣ４−ＨＦは２層目の導電層で構成されている。

アンテナ回路基板１００Ｃは、例えば、図１４に示したアンテナ回路基板１００Ａと同じ層構造を有する。アンテナ回路基板１００Ｃにおいて、１層目の導電層は図１４に示した第１導電層２であり、２層目の導電層は図１４に示した第２導電層３である。

図２１に示すように、低周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＬＦにおいて、ハイブリッドカプラＨＣ１−ＬＦとハイブリッドカプラＨＣ３−ＬＦは、ビアＶ１−ＬＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ１−ＬＦとハイブリッドカプラＨＣ４−ＬＦは、ビアＶ３−ＬＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ２−ＬＦとハイブリッドカプラＨＣ３−ＬＦは、ビアＶ２−ＬＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ２−ＬＦとハイブリッドカプラＨＣ４−ＬＦは、ビアＶ４−ＬＦを介して互いに接続されている。

図２２に示すように、高周波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−ＨＦにおいて、ハイブリッドカプラＨＣ１−ＨＦとハイブリッドカプラＨＣ３−ＨＦは、ビアＶ１−ＨＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ１−ＨＦとハイブリッドカプラＨＣ４−ＨＦは、ビアＶ２−ＨＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ２−ＨＦとハイブリッドカプラＨＣ３−ＨＦは、ビアＶ３−ＨＦを介して互いに接続されている。ハイブリッドカプラＨＣ２−ＨＦとハイブリッドカプラＨＣ４−ＨＦは、ビアＶ３−ＨＦを介して互いに接続されている。

アンテナ回路基板１００Ｃは、出力端子Ｂ１−ＬＦ、Ｂ２−ＬＦ、Ｂ３−ＬＦ、Ｂ４−ＬＦをミリ波帯域の低周波用の給電点とし、出力端子Ｂ１−ＨＦ、Ｂ２−ＨＦ、Ｂ３−ＨＦ、Ｂ４−ＨＦをミリ波帯域の高周波用の給電点とすることができる。アンテナ回路基板１００Ｃは、ミリ波帯域の２つの周波数に対応することができるので、ミリ波帯域の信号を効率よく伝送することができる。

＜実施形態５＞
上記の実施形態１から５では、２層の導電層を用いて、２つのバトラーマトリクス回路を構成する場合を説明した。しかしながら、本開示の実施形態において、２つのバトラーマトリクス回路を構成する導電層は２層に限定されない。例えば、１層の導電層を用いて、２つのバトラーマトリクス回路を構成してもよい。

図２４は、本開示の実施形態５に係るアンテナ回路基板１００Ｄの構成例を示す平面図である。図２５は、本開示の実施形態５に係るアンテナ回路基板１００Ｄの構成例を模式的に示す断面図である。図２４に示すように、アンテナ回路基板１００Ｄにおいて、水平偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈと、垂直偏波用のバトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖは、平面視で並んで配置されている。バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈと、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖは、それぞれ同一レイヤ（例えば、１層目）の導電層で構成されている。

図２５は、本開示の実施形態５に係るアンテナ回路基板１００Ｄの構成例を模式的に示す断面図である。アンテナ回路基板１００Ｄは、有機基板、ビルドアップ基板、セラミック基板など、配線の多層化が可能な任意の基板で構成されている。また、アンテナ回路基板１００Ｄは、マイクロストリップラインで構成されていてもよい。

図２５に示すように、アンテナ回路基板１００Ｄは、おもて面１００ａと、おもて面１００ａの反対側に位置するうら面１００ｂとを有する。うら面１００ｂに導電層３１１が設けられ、おもて面１００ａに導電層３２１が設けられている。また、おもて面１００ａとうら面１００ｂとの間に絶縁層３１０、３２０が設けられている。導電層３１１、３２１は、接続配線３０９で接続されている。

導電層３１１、３２１は、例えば、Ｃｕ又はＣｕ合金などの金属で構成されている。接続配線３０９は、例えば、Ｚ軸方向に設けられたビアと、水平方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に設けられた中継配線との組み合わせで構成されている。中継配線は、絶縁層３１０、３２０間に設けられた導電層で構成されている。

アンテナ回路基板１００Ｄにおいて、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｈに含まれる４つのハイブリッドカプラと、バトラーマトリクス回路ＢＭ−Ｖに含まれる４つのハイブリッドカプラは、それぞれ導電層３１１で構成されている。

アンテナ回路基板１００Ｄは、実施形態１に係るアンテナ回路基板１００と比べて基板面積は増えてしまうが、ミリ波帯域の水平偏波及び垂直偏波に対応することができるので、ミリ波帯域の信号を効率よく伝送することができる。

＜その他の実施形態＞
上記のように、本開示は実施形態１から５によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本開示を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本技術はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。上述した実施形態１から５の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。実施形態１から５を任意に組み合わせてもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）互いに離して配置された複数のアンテナと、
前記複数のアンテナにそれぞれ接続する第１バトラーマトリクス回路と、
前記複数のアンテナにそれぞれ接続する第２バトラーマトリクス回路と、を備え、
前記複数のアンテナの各々において、
前記第１バトラーマトリクス回路に接続する第１給電点と、前記第２バトラーマトリクス回路に接続する第２給電点は、互いに離して配置されているアンテナ装置。
（２）前記第１バトラーマトリクス回路と、前記第２バトラーマトリクス回路は、平面視で互いに重なるように配置されている、
上記（１）に記載のアンテナ装置。
（３）前記第１バトラーマトリクス回路は、
複数の第１端子と、
前記複数の第１端子に接続する第１ハイブリッドカプラと、
前記第１ハイブリッドカプラと前記複数の第１給電点とに接続する第２ハイブリッドカプラと、を有し、
前記第２バトラーマトリクス回路は、
複数の第２端子と、
前記複数の第２端子に接続する第３ハイブリッドカプラと、
前記第３ハイブリッドカプラと前記複数の第２給電点とに接続する第４ハイブリッドカプラと、を有する、
上記（１）又は（２）に記載のアンテナ装置。
（４）第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板、をさらに備え、
前記基板は、
前記第１面と前記第２面との間に位置する第１導電層と、
前記第１導電層と前記第１面との間に位置する第２導電層と、
前記第２導電層を挟んで前記第１導電層の反対側に位置する第３導電層と、を有し、
前記第１ハイブリッドカプラ及び前記第２ハイブリッドカプラは第１導電層で構成され、
前記第３ハイブリッドカプラ及び前記第４ハイブリッドカプラは第２導電層で構成され、
前記複数のアンテナは前記第３導電層で構成されている、
上記（３）に記載のアンテナ装置。
（５）第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板、をさらに備え、
前記基板は、
前記第１面と前記第２面との間に位置する第１導電層と、
前記第１導電層と前記第１面との間に位置する第２導電層と、
前記第２導電層を挟んで前記第１導電層の反対側に位置する第３導電層と、を有し、
前記第１ハイブリッドカプラ及び前記第３ハイブリッドカプラは、前記第１導電層及び前記第２導電層の一方で構成され、
前記第２ハイブリッドカプラ及び前記第４ハイブリッドカプラは、前記第１導電層及び前記第２導電層の他方で構成され、
前記複数のアンテナは前記第３導電層で構成されている、
上記（３）に記載のアンテナ装置。
（６）前記第１ハイブリッドカプラと前記第３ハイブリッドカプラは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、
上記（４）又は（５）に記載のアンテナ装置。
（７）前記第２ハイブリッドカプラと前記第４ハイブリッドカプラは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、
上記（４）から（６）のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
（８）前記第１端子と前記第１ハイブリッドカプラとの間の第１線路と、前記第２端子と前記第３ハイブリッドカプラとの間の第２線路は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、
上記（４）から（７）のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
（９）前記第２ハイブリッドカプラと前記第１給電点との間の第３線路と、前記第４ハイブリッドカプラと前記第２給電点との間の第４線路は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、
上記（４）から（８）のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
（１０）前記複数のアンテナを含むアンテナ群の平面視による中心位置と、前記第１バトラーマトリクス回路の平面視による中心位置と、前記第２バトラーマトリクス回路の平面視による中心位置とが互いに一致する、
上記（１）から（９）のいずれか１項に記載のアンテナ装置。

２ 第１導電層
３ 第２導電層
４ 第３導電層
５ 第４導電層
９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄ、３０９ 接続配線
１０ 第１有機基板
２０ 第１ストリップライン
３０ 第２ストリップライン
４０ 第２有機基板
５０ 配線基板
５０ａ、１００ａ おもて面
５０ｂ、１００ｂ うら面
５１ 端子部
６０ 接続部品
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９ 電子部品
７０ 他の基板
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ アンテナ回路基板
１１０ 入力端子
１１２、２１２ パワーアンプ
１１４ 単極双投スイッチ
１１６、１３２ バンドパスフィルタ
１１８、１３０ 単極双投スイッチ
１２０、１３４、２２６ ローノイズアンプ
１２２、１３６、２３０ 出力端子
２００、２００Ｃ フェーズドアレイアンテナ装置
２１０ 入力端子
２１４、２２４ フィルタ
２１６、２１８ 単極双投スイッチ
２２０、２２２ 単極４投スイッチ
３１０、３２０ 絶縁層
３２０、３２１ 導電層
ａ１からａ４、Ａ１−ＨからＡ４−Ｈ、Ａ１−ＨＦからＡ４−ＨＦ、Ａ１−ＬＦからＡ４−ＬＦ、Ａ１−ＶからＡ４−Ｖ 入力端子
ｂ１からｂ４、Ｂ１−ＨからＢ４−Ｈ、Ｂ１−ＨＦからＢ４−ＨＦ、Ｂ１−ＬＦからＢ４−ＬＦ、Ｂ１−ＶからＢ４−Ｖ 入力端子
ＢＭ、ＢＭ−Ｈ、ＢＭ−ＨＦ、ＢＭ−ＬＦ、ＢＭ−Ｖ バトラーマトリクス回路
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ 中心位置
ＨＣ１からＨＣ４、ＨＣ１−ＨからＨＣ４−Ｈ、ＨＣ１−ＨＦからＨＣ４−ＨＦ、ＨＣ１−ＬＦからＨＣ４−ＬＦ、ＨＣ１−ＶからＨＣ４−Ｖ ハイブリッドカプラ
Ｌ１１からＬ１８、Ｌ２１からＬ２８ 線路
ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４ パッチアンテナ
ＰＳ１、ＰＳ２ 移相器
Ｒ３、Ｒ４ スペース
ＴＬ 伝送線路
Ｖ１−ＨからＶ４−Ｈ、Ｖ１−ＨＦからＶ４−ＨＦ、Ｖ１−ＬＦからＶ４−ＬＦ、Ｖ１−ＶからＶ４−Ｖ、Ｖ１１からＶ１４ ビア
ＸＬ、ＹＬ 仮想線

Claims (10)

1. 互いに離して配置された複数のアンテナと、
   前記複数のアンテナにそれぞれ接続する第１バトラーマトリクス回路と、
   前記複数のアンテナにそれぞれ接続する第２バトラーマトリクス回路と、を備え、
   前記複数のアンテナの各々において、
   前記第１バトラーマトリクス回路に接続する第１給電点と、前記第２バトラーマトリクス回路に接続する第２給電点は、互いに離して配置されているアンテナ装置。
2. 前記第１バトラーマトリクス回路と、前記第２バトラーマトリクス回路は、平面視で互いに重なるように配置されている、請求項１に記載のアンテナ装置。
3. 前記第１バトラーマトリクス回路は、
   複数の第１端子と、
   前記複数の第１端子に接続する第１ハイブリッドカプラと、
   前記第１ハイブリッドカプラと前記複数の第１給電点とに接続する第２ハイブリッドカプラと、を有し、
   前記第２バトラーマトリクス回路は、
   複数の第２端子と、
   前記複数の第２端子に接続する第３ハイブリッドカプラと、
   前記第３ハイブリッドカプラと前記複数の第２給電点とに接続する第４ハイブリッドカプラと、を有する、請求項１に記載のアンテナ装置。
4. 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板、をさらに備え、
   前記基板は、
   前記第１面と前記第２面との間に位置する第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第１面との間に位置する第２導電層と、
   前記第２導電層を挟んで前記第１導電層の反対側に位置する第３導電層と、を有し、
   前記第１ハイブリッドカプラ及び前記第２ハイブリッドカプラは第１導電層で構成され、
   前記第３ハイブリッドカプラ及び前記第４ハイブリッドカプラは第２導電層で構成され、
   前記複数のアンテナは前記第３導電層で構成されている、請求項３に記載のアンテナ装置。
5. 第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する基板、をさらに備え、
   前記基板は、
   前記第１面と前記第２面との間に位置する第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第１面との間に位置する第２導電層と、
   前記第２導電層を挟んで前記第１導電層の反対側に位置する第３導電層と、を有し、
   前記第１ハイブリッドカプラ及び前記第３ハイブリッドカプラは、前記第１導電層及び前記第２導電層の一方で構成され、
   前記第２ハイブリッドカプラ及び前記第４ハイブリッドカプラは、前記第１導電層及び前記第２導電層の他方で構成され、
   前記複数のアンテナは前記第３導電層で構成されている、請求項３に記載のアンテナ装置。
6. 前記第１ハイブリッドカプラと前記第３ハイブリッドカプラは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、請求項４に記載のアンテナ装置。
7. 前記第２ハイブリッドカプラと前記第４ハイブリッドカプラは、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、請求項４に記載のアンテナ装置。
8. 前記第１端子と前記第１ハイブリッドカプラとの間の第１線路と、前記第２端子と前記第３ハイブリッドカプラとの間の第２線路は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、請求項４に記載のアンテナ装置。
9. 前記第２ハイブリッドカプラと前記第１給電点との間の第３線路と、前記第４ハイブリッドカプラと前記第２給電点との間の第４線路は、互いに同一の形状で同一の線路長を有する、請求項４に記載のアンテナ装置。
10. 前記複数のアンテナを含むアンテナ群の平面視による中心位置と、前記第１バトラーマトリクス回路の平面視による中心位置と、前記第２バトラーマトリクス回路の平面視による中心位置とが互いに一致する、請求項１に記載のアンテナ装置。

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