JP2021043315A - Exposure apparatus - Google Patents

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Hidehiro Sonoda
英博 園田
幸一 井桁
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幸一 井桁
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Ayaka Higuchi
絢香 樋口
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Noboru Kunimatsu
登 國松
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Abstract

To provide an exposure apparatus that can perform exposure without a photomask.SOLUTION: An exposure apparatus comprises: a light source panel LP that has a substrate SUB, and a plurality of pixels PX arranged two-dimensionally above the substrate and each including a light emitting device; a driving unit that individually drives the plurality of light emitting devices; a polarizer PO that is opposite to the plurality of light emitting devices; and a fixing member that fixes the relative positions of the polarizer and the light source panel. Each of the light emitting devices emits ultraviolet light and has a length of the longest one side of 500 μm or less in plan view.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明の実施形態は、露光装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to an exposure apparatus.

表示パネルとして液晶表示パネルが開発されている。一般に、液晶表示パネルは、アレイ基板と、このアレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板と、アレイ基板及び対向基板を接合したシール材と、アレイ基板、対向基板及びシール材で囲まれた領域に形成された液晶層とを有している。アレイ基板及び対向基板は、それぞれ液晶層に接した配向膜を有している。配向膜には、配向処理が施される場合がある。 A liquid crystal display panel has been developed as a display panel. Generally, a liquid crystal display panel is composed of an array substrate, a facing substrate arranged to face each other with a predetermined gap, a sealing material obtained by joining the array substrate and the facing substrate, and an array substrate, a facing substrate, and a sealing material. It has a liquid crystal layer formed in an enclosed area. The array substrate and the facing substrate each have an alignment film in contact with the liquid crystal layer. The alignment film may be subjected to an alignment treatment.

配向処理法としては、ラビングレス配向法として、光配向処理法が知られている。光配向処理法は、露光装置を用い、配向膜に直線偏光を照射することにより行うことができる。これにより、光配向処理が施された配向膜は、液晶分子の初期配向を制御することができる。
シール材の硬化にも、露光装置が使用されている。その場合、露光装置を用い、シール材に光を照射することにより行うことができる。
上記のように、露光装置は、液晶表示パネルの製造工程などの様々な場面で使用されている。
As an orientation treatment method, a photo-alignment treatment method is known as a rubbingless orientation method. The photo-alignment treatment method can be performed by irradiating the alignment film with linearly polarized light using an exposure apparatus. Thereby, the alignment film subjected to the photo-alignment treatment can control the initial orientation of the liquid crystal molecules.
An exposure device is also used to cure the sealing material. In that case, it can be performed by irradiating the sealing material with light using an exposure device.
As described above, the exposure apparatus is used in various situations such as a manufacturing process of a liquid crystal display panel.

特開2007−219191号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-219191 特開2015−148748号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-148748

本実施形態は、フォトマスク無しに露光することが可能な露光装置を提供する。 The present embodiment provides an exposure apparatus capable of exposing without a photomask.

一実施形態に係る露光装置は、
基板と、前記基板の上方に2次元的に配置されそれぞれ発光素子を含む複数の画素と、を有する光源パネルと、前記複数の発光素子を独立して駆動する駆動部と、前記複数の発光素子と対向した偏光子と、前記偏光子と前記光源パネルとの相対的な位置を固定する固定部材と、を備え、各々の前記発光素子は、紫外光を出射し、平面視にて最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている。
The exposure apparatus according to one embodiment is
A light source panel having a substrate, a plurality of pixels two-dimensionally arranged above the substrate and each including a light emitting element, a drive unit for independently driving the plurality of light emitting elements, and the plurality of light emitting elements. Each of the light emitting elements emits ultraviolet light and is the longest in a plan view. The length of the side is configured to be 500 μm or less.

また、一実施形態に係る露光装置は、
基板と、前記基板の上方に2次元的に配置されそれぞれ発光素子を含む複数の画素と、を有する光源パネルと、前記複数の発光素子を独立して駆動する駆動部と、を備え、各々の前記発光素子は、紫外光を出射し、平面視にて最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている。
Further, the exposure apparatus according to the embodiment is
Each includes a light source panel having a substrate, a plurality of pixels two-dimensionally arranged above the substrate and each including a light emitting element, and a drive unit for independently driving the plurality of light emitting elements. The light emitting element emits ultraviolet light and has the longest side length of 500 μm or less in a plan view.

図1は、第1の実施形態に係る第1露光装置及び第2露光装置を使用して形成される液晶表示パネルの一部を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a part of a liquid crystal display panel formed by using the first exposure apparatus and the second exposure apparatus according to the first embodiment. 図2は、上記液晶表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of the liquid crystal display panel. 図3は、上記液晶表示パネルを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the liquid crystal display panel. 図4は、図1乃至図3に示したアレイ基板の一部を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a part of the array substrate shown in FIGS. 1 to 3. 図5は、上記アレイ基板の一部を示す拡大平面図であり、アレイ基板の配線構造を示す図である。FIG. 5 is an enlarged plan view showing a part of the array substrate, and is a diagram showing a wiring structure of the array substrate. 図6は、上記液晶表示パネルの一部を示す拡大断面図であり、液晶表示パネルの構造を示す図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the liquid crystal display panel, and is a diagram showing the structure of the liquid crystal display panel. 図7は、図3の線VII−VIIに沿った上記液晶表示パネルの周縁部を示す拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral edge of the liquid crystal display panel along the line VII-VII of FIG. 図8は、上記第1露光装置を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing the first exposure apparatus. 図9は、上記第1露光装置を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first exposure apparatus. 図10は、上記第1露光装置の光源パネル、第1回路基板、第2回路基板、及びパネルドライバを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a light source panel, a first circuit board, a second circuit board, and a panel driver of the first exposure apparatus. 図11は、上記光源パネル及びパネルドライバを示す平面図であり、上記光源パネルの回路構成を示す図である。FIG. 11 is a plan view showing the light source panel and the panel driver, and is a diagram showing a circuit configuration of the light source panel. 図12は、上記光源パネルの画素の一例を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of the pixels of the light source panel. 図13は、上記光源パネルの構造の一例を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the light source panel. 図14は、上記第2露光装置を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing the second exposure apparatus. 図15は、上記第1露光装置および第2露光装置を用いた液晶表示パネルの製造工程を説明する図であり、マザーガラス上にアレイパターンを形成している状態を示す平面図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display panel using the first exposure apparatus and the second exposure apparatus, and is a plan view showing a state in which an array pattern is formed on the mother glass. 図16は、図15に続く、上記液晶表示パネルの製造工程において、上記マザーガラス上の配向膜に光配向処理を施している状態を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a state in which the alignment film on the mother glass is subjected to photoalignment treatment in the manufacturing process of the liquid crystal display panel following FIG. 図17は、図16に示したマザーガラス、アレイパターン、及び配向膜を含む被処理基板と、ステージと、上記第1露光装置と、を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a substrate to be processed including the mother glass, the array pattern, and the alignment film shown in FIG. 16, a stage, and the first exposure apparatus. 図18は、上記液晶表示パネルの製造工程において、マザーガラス上に対向パターンを形成した状態を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing a state in which a facing pattern is formed on the mother glass in the manufacturing process of the liquid crystal display panel. 図19は、図16及び図18に続く、上記液晶表示パネルの製造工程において、6枚のアレイ基板を形成したマザーガラスと6枚の対向基板を形成したマザーガラスとが、シール剤を介して張り合わせられている状態を示す平面図である。FIG. 19 shows that in the manufacturing process of the liquid crystal display panel following FIGS. 16 and 18, the mother glass on which the six array substrates are formed and the mother glass on which the six opposing substrates are formed are interposed via a sealant. It is a top view which shows the state which is pasted together. 図20は、図19に続く、上記液晶表示パネルの製造工程において、シール剤に紫外光を照射している状態と、を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing a state in which the sealant is irradiated with ultraviolet light in the manufacturing process of the liquid crystal display panel following FIG. 図21は、図20に示したステージと、上記第2露光装置と、被処理基板とを示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing the stage shown in FIG. 20, the second exposure apparatus, and the substrate to be processed. 図22は、上記第1の実施形態に係る第1露光装置の複数の発光素子のオン/オフと、光の照射範囲と、の関係を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the on / off of the plurality of light emitting elements of the first exposure apparatus according to the first embodiment and the irradiation range of light. 図23は、比較例1に係る第1露光装置の複数の発光素子のオン/オフと、光の照射範囲と、の関係を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing the relationship between the on / off of the plurality of light emitting elements of the first exposure apparatus according to Comparative Example 1 and the irradiation range of light. 図24は、第2の実施形態に係る第1露光装置を示す平面図である。FIG. 24 is a plan view showing the first exposure apparatus according to the second embodiment. 図25は、第3の実施形態に係る第1露光装置を示す平面図である。FIG. 25 is a plan view showing the first exposure apparatus according to the third embodiment. 図26は、比較例2に係る第1露光装置を示す平面図である。FIG. 26 is a plan view showing the first exposure apparatus according to Comparative Example 2. 図27は、比較例3に係る第1露光装置を示す平面図である。FIG. 27 is a plan view showing the first exposure apparatus according to Comparative Example 3. 図28は、比較例4に係る第1露光装置を示す平面図である。FIG. 28 is a plan view showing the first exposure apparatus according to Comparative Example 4. 図29は、図26の例を用いた場合の第1露光装置の複数の発光素子のオン/オフと、光の照射範囲と、の関係を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing the relationship between the on / off of a plurality of light emitting elements of the first exposure apparatus and the irradiation range of light when the example of FIG. 26 is used.

以下に、本発明の一実施形態、変形例、及び比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, an embodiment, a modification, and a comparative example of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. Further, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is just an example, and the interpretation of the present invention is used. It is not limited. Further, in the present specification and each figure, the same elements as those described above with respect to the above-mentioned figures may be designated by the same reference numerals, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.

(第1の実施形態)
第1の実施形態について説明する。まず、露光装置を使用して形成される液晶表示パネルの構成について説明する。図1は、本実施形態に係る液晶表示パネルDPの一部を示す斜視図である。
図1に示すように、液晶表示パネルDPは、アレイ基板1と、アレイ基板に所定の隙間を置いて対向配置された対向基板2と、シール材51と、を備えている。図中、シール材51には斜線を付している。液晶表示パネルDPは、アレイ基板1と対向基板2が重なった表示領域DAと、表示領域DAの外側の非表示領域NDAと、を有している。シール材51は、非表示領域NDAに位置している。
(First Embodiment)
The first embodiment will be described. First, the configuration of the liquid crystal display panel formed by using the exposure apparatus will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a part of the liquid crystal display panel DP according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel DP includes an array substrate 1, an opposed substrate 2 arranged to face the array substrate with a predetermined gap, and a sealing material 51. In the figure, the sealing material 51 is shaded. The liquid crystal display panel DP has a display area DA in which the array substrate 1 and the facing substrate 2 overlap, and a non-display area NDA outside the display area DA. The sealing material 51 is located in the non-display area NDA.

図2は、液晶表示パネルDPの一部を示す断面図である。図2に示すように、アレイ基板1の外面側には、図示しないバックライトユニットが配置される。液晶表示装置は、液晶表示パネル、上記バックライトユニット等で形成されている。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of the liquid crystal display panel DP. As shown in FIG. 2, a backlight unit (not shown) is arranged on the outer surface side of the array substrate 1. The liquid crystal display device is formed of a liquid crystal display panel, the backlight unit, and the like.

アレイ基板1は、透明な絶縁基板としてのガラス基板11、アレイパターン1p、及び配向膜28を有している。アレイパターン1pは、ガラス基板11上に形成されている。配向膜28は、アレイパターン1p状に形成されている。アレイパターン1p及び配向膜28は、表示領域DAだけではなく非表示領域NDAにも形成されている。 The array substrate 1 has a glass substrate 11 as a transparent insulating substrate, an array pattern 1p, and an alignment film 28. The array pattern 1p is formed on the glass substrate 11. The alignment film 28 is formed in an array pattern 1p shape. The array pattern 1p and the alignment film 28 are formed not only in the display region DA but also in the non-display region NDA.

対向基板2は、透明な絶縁基板としてのガラス基板41、対向パターン2p、複数の柱状スペーサ8、及び配向膜43を備えている。対向パターン2pは、ガラス基板41上に形成されている。複数のスペーサとしての複数の柱状スペーサ8及び配向膜43は、対向パターン2p上に形成されている。対向パターン2p、複数の柱状スペーサ8、及び配向膜43は、表示領域DAだけではなく非表示領域NDAにも形成されている。 The facing substrate 2 includes a glass substrate 41 as a transparent insulating substrate, a facing pattern 2p, a plurality of columnar spacers 8, and an alignment film 43. The facing pattern 2p is formed on the glass substrate 41. The plurality of columnar spacers 8 and the alignment film 43 as the plurality of spacers are formed on the facing pattern 2p. The facing pattern 2p, the plurality of columnar spacers 8, and the alignment film 43 are formed not only in the display region DA but also in the non-display region NDA.

配向膜43は、配向膜28と対向している。配向膜28及び配向膜43は、光分解型の配向膜材料を用いて形成されている。配向膜28及び配向膜43は、例えば光分解型のポリイミド樹脂で形成されている。配向膜28及び配向膜43には、光配向処理が施されている。 The alignment film 43 faces the alignment film 28. The alignment film 28 and the alignment film 43 are formed by using a photodegradable alignment film material. The alignment film 28 and the alignment film 43 are formed of, for example, a photodegradable polyimide resin. The alignment film 28 and the alignment film 43 are subjected to a photo-alignment treatment.

柱状スペーサ8は、アレイ基板1及び対向基板2の隙間を保持している。液晶層3は、アレイ基板1と対向基板2との間に位置し、アレイ基板1、対向基板2、及びシール材51で囲まれた空間に形成されている。アレイ基板1及び対向基板2の外面には、それぞれ、偏光板を含む光学部材が配置されている。 The columnar spacer 8 holds a gap between the array substrate 1 and the opposing substrate 2. The liquid crystal layer 3 is located between the array substrate 1 and the opposing substrate 2, and is formed in a space surrounded by the array substrate 1, the opposing substrate 2, and the sealing material 51. Optical members including a polarizing plate are arranged on the outer surfaces of the array substrate 1 and the facing substrate 2, respectively.

図3は、液晶表示パネルDPを示す平面図である。図3に示すように、表示領域DAは、矩形状の形状を有している。非表示領域NDAは、矩形枠状の形状を有している。シール材51は、非表示領域NDA内に位置し、アレイ基板1(配向膜28)及び対向基板2(配向膜43)間に設けられ、矩形枠状に連続して形成されている。シール材51は、アクリルやエポキシ等の光硬化型の樹脂を利用して形成することができる。液晶表示パネルDPは、ドライバ9を備えている。ドライバ9は、アレイ基板1のうち対向基板2と対向していない領域に設けられている。 FIG. 3 is a plan view showing the liquid crystal display panel DP. As shown in FIG. 3, the display area DA has a rectangular shape. The non-display area NDA has a rectangular frame shape. The sealing material 51 is located in the non-display region NDA, is provided between the array substrate 1 (alignment film 28) and the facing substrate 2 (alignment film 43), and is continuously formed in a rectangular frame shape. The sealing material 51 can be formed by using a photocurable resin such as acrylic or epoxy. The liquid crystal display panel DP includes a driver 9. The driver 9 is provided in a region of the array substrate 1 that does not face the opposite substrate 2.

図4は、アレイ基板1の一部を示す平面図である。図4に示すように、表示領域DAにおいて、ガラス基板11上には、複数の走査線15と、複数の信号線21と、複数の補助容量線17と、が配置されている。複数の走査線15は、第1方向d1に延在し、第1方向d1と直交した第2方向d2に間隔を置いて並んでいる。複数の信号線21は、複数の走査線15と交差し、第2方向d2に延在し、第1方向d1に間隔を置いて並んでいる。複数の補助容量線17は、複数の信号線21と交差し、第1方向d1に延在し、第2方向d2に間隔を置いて並んでいる。 FIG. 4 is a plan view showing a part of the array substrate 1. As shown in FIG. 4, in the display area DA, a plurality of scanning lines 15, a plurality of signal lines 21, and a plurality of auxiliary capacitance lines 17 are arranged on the glass substrate 11. The plurality of scanning lines 15 extend in the first direction d1 and are arranged at intervals in the second direction d2 orthogonal to the first direction d1. The plurality of signal lines 21 intersect with the plurality of scanning lines 15, extend in the second direction d2, and are arranged at intervals in the first direction d1. The plurality of auxiliary capacitance lines 17 intersect with the plurality of signal lines 21, extend in the first direction d1, and are arranged at intervals in the second direction d2.

ここで、アレイ基板1及び対向基板2は、表示領域DAにおいて、マトリクス状に配置された複数の画素20を有している。各々の画素20は、隣合う2本の信号線21及び隣合う2本の補助容量線17で囲まれた領域に設けられている。 Here, the array substrate 1 and the opposing substrate 2 have a plurality of pixels 20 arranged in a matrix in the display area DA. Each pixel 20 is provided in an area surrounded by two adjacent signal lines 21 and two adjacent auxiliary capacitance lines 17.

図5は、アレイ基板1の一部を示す拡大平面図であり、アレイ基板1の配線構造を示す図である。図5に示すように、各々の画素20は、スイッチング素子としてのTFT(薄膜トランジスタ)19、画素電極26、補助容量電極13等を備えている。
TFT19は、走査線15と信号線21との交差部近傍に設けられている。TFT19は、半導体層12と、走査線15の一部を延出してなるゲート電極16とを有している。半導体層12は、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどの半導体で形成されている。ゲート電極16は、半導体層12と交差している。
FIG. 5 is an enlarged plan view showing a part of the array substrate 1, and is a diagram showing a wiring structure of the array substrate 1. As shown in FIG. 5, each pixel 20 includes a TFT (thin film transistor) 19, a pixel electrode 26, an auxiliary capacitance electrode 13, and the like as switching elements.
The TFT 19 is provided near the intersection of the scanning line 15 and the signal line 21. The TFT 19 has a semiconductor layer 12 and a gate electrode 16 formed by extending a part of scanning lines 15. The semiconductor layer 12 is formed of a semiconductor such as amorphous silicon or polycrystalline silicon. The gate electrode 16 intersects the semiconductor layer 12.

信号線21は、半導体層12のソース領域と接続されている。コンタクト電極22は、半導体層12のドレイン領域と、画素電極26と、にそれぞれ接続されている。各画素電極26の周縁部は、補助容量線17及び信号線21に重なっている。補助容量電極13は、補助容量線17に重なり、補助容量線17とともに補助容量素子24を構成している。 The signal line 21 is connected to the source region of the semiconductor layer 12. The contact electrode 22 is connected to the drain region of the semiconductor layer 12 and the pixel electrode 26, respectively. The peripheral edge of each pixel electrode 26 overlaps the auxiliary capacitance line 17 and the signal line 21. The auxiliary capacitance electrode 13 overlaps with the auxiliary capacitance line 17, and constitutes the auxiliary capacitance element 24 together with the auxiliary capacitance line 17.

図6は、液晶表示パネルDPの一部を示す拡大断面図であり、液晶表示パネルDPの構造を示す図である。図6に示すように、表示領域DAにおいて、ガラス基板11上には、補助容量電極13が形成されている。なお、ガラス基板11上には、上記半導体層12も形成されている。 FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the liquid crystal display panel DP, and is a diagram showing the structure of the liquid crystal display panel DP. As shown in FIG. 6, in the display region DA, the auxiliary capacitance electrode 13 is formed on the glass substrate 11. The semiconductor layer 12 is also formed on the glass substrate 11.

補助容量電極13が形成されたガラス基板11上に、ゲート絶縁膜14が設けられている。ゲート絶縁膜14上に、補助容量線17が形成されている。なお、ゲート絶縁膜14上には、走査線15及びゲート電極16も形成されている。補助容量線17及び補助容量電極13はゲート絶縁膜14を挟み、対向配置されている。ゲート絶縁膜14、補助容量線17などの上に、層間絶縁膜18が成膜されている。
コンタクト電極22は、ゲート絶縁膜14及び層間絶縁膜18に形成されたコンタクトホールを通って補助容量電極13に接続されている。ここで、補助容量線17は、補助容量電極13とコンタクト電極22との接続部を除いて形成されている。
A gate insulating film 14 is provided on the glass substrate 11 on which the auxiliary capacitance electrode 13 is formed. An auxiliary capacitance line 17 is formed on the gate insulating film 14. A scanning line 15 and a gate electrode 16 are also formed on the gate insulating film 14. The auxiliary capacitance wire 17 and the auxiliary capacitance electrode 13 are arranged so as to face each other with the gate insulating film 14 interposed therebetween. An interlayer insulating film 18 is formed on the gate insulating film 14, the auxiliary capacitance line 17, and the like.
The contact electrode 22 is connected to the auxiliary capacitance electrode 13 through a contact hole formed in the gate insulating film 14 and the interlayer insulating film 18. Here, the auxiliary capacitance line 17 is formed except for the connection portion between the auxiliary capacitance electrode 13 and the contact electrode 22.

層間絶縁膜18、信号線21、及びコンタクト電極22の上に、保護絶縁膜23が形成されている。保護絶縁膜23は、基板上の配線等から生じる凹凸を平坦化する平坦化膜としての役割も果たす。保護絶縁膜23は、表示領域DAだけでなく、非表示領域NDAも覆っている。 A protective insulating film 23 is formed on the interlayer insulating film 18, the signal line 21, and the contact electrode 22. The protective insulating film 23 also serves as a flattening film for flattening irregularities generated by wiring or the like on the substrate. The protective insulating film 23 covers not only the display area DA but also the non-display area NDA.

保護絶縁膜23上には、ITO(インジウム・すず酸化物)等の透明な導電材料により画素電極26がそれぞれ形成されている。コンタクト電極22に重なった保護絶縁膜23にはコンタクトホール25が形成されている。各画素電極26は、コンタクトホール25を通ってコンタクト電極22に接続されている。 Pixel electrodes 26 are formed on the protective insulating film 23 with a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide). A contact hole 25 is formed in the protective insulating film 23 that overlaps the contact electrode 22. Each pixel electrode 26 is connected to the contact electrode 22 through the contact hole 25.

表示領域DAにおいて、アレイパターン1pは、ガラス基板11と画素電極26との間に積層されたものである。配向膜28は、保護絶縁膜23及び画素電極26を覆っている。 In the display region DA, the array pattern 1p is laminated between the glass substrate 11 and the pixel electrode 26. The alignment film 28 covers the protective insulating film 23 and the pixel electrode 26.

一方、対向基板2において、ガラス基板41上には、カラーフィルタ4が設けられている。カラーフィルタ4は、遮光部31と、周辺遮光部と、複数の着色層とを有している。複数の着色層は、例えば赤色の着色層30R、緑色の着色層30G、青色の着色層30Bを有している。 On the other hand, in the facing substrate 2, the color filter 4 is provided on the glass substrate 41. The color filter 4 has a light-shielding portion 31, a peripheral light-shielding portion, and a plurality of colored layers. The plurality of colored layers include, for example, a red colored layer 30R, a green colored layer 30G, and a blue colored layer 30B.

遮光部31は、格子状に形成されている。遮光部31は、補助容量線17及び信号線21に対向して形成されている。周辺遮光部32は、矩形枠状に形成され、非表示領域NDAの全体に形成されている。 The light-shielding portions 31 are formed in a grid pattern. The light-shielding portion 31 is formed so as to face the auxiliary capacitance line 17 and the signal line 21. The peripheral light-shielding portion 32 is formed in a rectangular frame shape, and is formed in the entire non-display region NDA.

着色層30R、30G、30Bは、ガラス基板41及び遮光部31上に形成されている。着色層30R、30G、30Bは、第2方向d2に沿って帯状に延在している。着色層30R、30G、30Bは、第1方向d1に互いに隣接し、交互に並べられている。着色層30R、30G、30Bの周縁部は、遮光部31に重なっている。
なお、カラーフィルタ4上には、図示しないオーバーコート層を配置してもよい。これにより、遮光部31及びカラーフィルタ4の表面の凹凸の影響を緩和することができる。カラーフィルタ4(オーバーコート層)上に、ITO等の透明な導電膜により対向電極42が形成されている。表示領域DAにおいて、対向パターン2pは、ガラス基板41と対向電極42との間に積層されている。配向膜43は、対向電極42を覆っている。
The colored layers 30R, 30G, and 30B are formed on the glass substrate 41 and the light-shielding portion 31. The colored layers 30R, 30G, and 30B extend in a band shape along the second direction d2. The colored layers 30R, 30G, and 30B are adjacent to each other in the first direction d1 and are arranged alternately. The peripheral edges of the colored layers 30R, 30G, and 30B overlap the light-shielding portion 31.
An overcoat layer (not shown) may be arranged on the color filter 4. Thereby, the influence of the unevenness on the surface of the light-shielding portion 31 and the color filter 4 can be alleviated. A counter electrode 42 is formed on the color filter 4 (overcoat layer) by a transparent conductive film such as ITO. In the display region DA, the facing pattern 2p is laminated between the glass substrate 41 and the facing electrode 42. The alignment film 43 covers the counter electrode 42.

図7は、図3の線VII−VIIに沿った液晶表示パネルDPの周縁部を示す拡大断面図である。図7に示すように、シール材51は、配向膜28と配向膜43とに接着されている。
上記のように液晶表示パネルDPが形成されている。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral portion of the liquid crystal display panel DP along the line VII-VII of FIG. As shown in FIG. 7, the sealing material 51 is adhered to the alignment film 28 and the alignment film 43.
The liquid crystal display panel DP is formed as described above.

次に、上記液晶表示パネルDPを製造する際に使用する露光装置として、第1露光装置EX1及び第2露光装置EX2について説明する。
まず、第1露光装置EX1について説明する。図8は、第1露光装置EX1を示す平面図である。第1露光装置EX1は、直線偏光を放出する偏光露光装置である。
Next, the first exposure device EX1 and the second exposure device EX2 will be described as exposure devices used when manufacturing the liquid crystal display panel DP.
First, the first exposure apparatus EX1 will be described. FIG. 8 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1. The first exposure device EX1 is a polarized light exposure device that emits linearly polarized light.

図8に示すように、第1露光装置EX1は、光源パネルLPと、偏光子POと、を備えている。光源パネルLPは、基板SUBと、複数の画素PXと、を有している。複数の画素PXは、基板SUBの上方にて2次元的に配置されている。各々の画素PXは、後述する発光素子を含んでいる。偏光子POは、複数の発光素子(複数の画素PX)と対向している。 As shown in FIG. 8, the first exposure apparatus EX1 includes a light source panel LP and a polarizer PO. The light source panel LP has a substrate SUB and a plurality of pixels PX. The plurality of pixels PX are two-dimensionally arranged above the substrate SUB. Each pixel PX includes a light emitting element described later. The polarizer PO faces a plurality of light emitting elements (a plurality of pixels PX).

光源パネルLPは、複数の画素群PXGを備えている。複数の画素群PXGは、それぞれ行方向Xに延在し、行方向に直交する列方向Yに並べられている。各々の画素群PXGは、複数の画素PXのうち、行方向Xに並べられた複数の画素PXで構成されている。各々の画素群PXGにおいて、複数の画素PXは、行方向Xに隙間g1を置いて並べられている。本実施形態において、光源パネルLPは、4個の画素群PXGを備えているが、2個、3個、又は5個以上の画素群PXGを備えていてもよい。 The light source panel LP includes a plurality of pixel groups PXG. The plurality of pixel groups PXG extend in the row direction X and are arranged in the column direction Y orthogonal to the row direction. Each pixel group PXG is composed of a plurality of pixel PXs arranged in the row direction X among the plurality of pixel PXs. In each pixel group PXG, the plurality of pixel PXs are arranged with a gap g1 in the row direction X. In the present embodiment, the light source panel LP includes four pixel groups PXG, but may include two, three, or five or more pixel groups PXG.

列方向Yに隣合う一対の画素群PXGに注目した場合、一方の画素群PXGの各々の隙間g1は、他方の画素群PXGの画素PXと列方向Yに対向し、他方の画素群PXGの各々の隙間g1は、一方の画素群PXGの画素PXと列方向Yに対向している。例えば、1行目の画素群PXG1と、2行目の画素群PXG2とに注目した場合、画素群PXG1の隙間g1は、画素群PXG2の画素PXと列方向Yに対向し、画素群PXG2の隙間g1は、画素群PXG1の画素PXと列方向Yに対向している。 When paying attention to a pair of pixel groups PXG adjacent to each other in the column direction Y, each gap g1 of one pixel group PXG faces the pixel PX of the other pixel group PXG in the column direction Y, and the other pixel group PXG has a gap g1. Each gap g1 faces the pixel PX of one pixel group PXG in the column direction Y. For example, when paying attention to the pixel group PXG1 in the first row and the pixel group PXG2 in the second row, the gap g1 of the pixel group PXG1 faces the pixel PX of the pixel group PXG2 in the column direction Y, and the pixel group PXG2 The gap g1 faces the pixel PX of the pixel group PXG1 in the column direction Y.

本実施形態において、他方の画素群PXGの画素PXは、一方の画素群PXGの隙間g1とだけではなく、一方の画素群PXGの複数の画素PXのうち上記隙間g1の両隣りの一対の画素PXとも列方向Yに対向している。そして、一方の画素群PXGの画素PXは、他方の画素群PXGの隙間g1とだけではなく、他方の画素群PXGの複数の画素PXのうち上記隙間g1の両隣りの一対の画素PXとも列方向Yに対向している。
例えば、1行目の画素群PXG1と、2行目の画素群PXG2とに注目した場合、画素群PXG2の画素PXは、画素群PXG1の隙間g1と、上記隙間g1の両隣りの一対の画素PXと、列方向Yに対向している。画素群PXG1の画素PXは、画素群PXG2の隙間g1と、上記隙間g1の両隣りの一対の画素PXと、列方向Yに対向している。
上述したように、複数の画素PXは、行方向Xに揃っているが、列方向Yに揃っていない。複数の画素PXは、列方向Yに対し、千鳥状に配置されている。
In the present embodiment, the pixel PX of the other pixel group PXG is not only the gap g1 of the one pixel group PXG, but also a pair of pixels on both sides of the gap g1 among the plurality of pixel PXs of the one pixel group PXG. Both PX and PX face each other in the row direction Y. Then, the pixel PX of one pixel group PXG is aligned not only with the gap g1 of the other pixel group PXG but also with the pair of pixels PX on both sides of the gap g1 among the plurality of pixel PXs of the other pixel group PXG. It faces the direction Y.
For example, when paying attention to the pixel group PXG1 in the first row and the pixel group PXG2 in the second row, the pixel PX of the pixel group PXG2 is the gap g1 of the pixel group PXG1 and a pair of pixels on both sides of the gap g1. It faces the PX in the row direction Y. The pixel PX of the pixel group PXG1 faces the gap g1 of the pixel group PXG2 and the pair of pixels PX on both sides of the gap g1 in the column direction Y.
As described above, the plurality of pixels PX are aligned in the row direction X, but are not aligned in the column direction Y. The plurality of pixels PX are arranged in a staggered pattern with respect to the column direction Y.

一方の画素群PXGの複数の画素PXと、他方の画素群PXGの複数の画素PXとは、列方向Yに隙間g2を置いて位置している。例えば、列方向Yに隣合う画素群PXG1と、画素群PXG2とに注目した場合、画素群PXG1の複数の画素PXと、画素群PXG2の複数の画素PXとは、列方向Yに隙間g2を置いて位置している。 The plurality of pixel PXs of one pixel group PXG and the plurality of pixel PXs of the other pixel group PXG are located with a gap g2 in the column direction Y. For example, when paying attention to the pixel group PXG1 and the pixel group PXG2 adjacent to each other in the column direction Y, the plurality of pixel PXs of the pixel group PXG1 and the plurality of pixel PXs of the pixel group PXG2 have a gap g2 in the column direction Y. It is located.

図9は、第1露光装置EX1を示す断面図である。図9に示すように、第1露光装置EX1は、固定部材ALをさらに備えている。固定部材ALは、偏光子POと光源パネルLPとの相対的な位置を固定するように構成されている。本実施形態において、固定部材ALは、接着層で構成され、偏光子POと光源パネルLPとの間に位置し、偏光子POを光源パネルLPに接着している。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first exposure apparatus EX1. As shown in FIG. 9, the first exposure apparatus EX1 further includes a fixing member AL. The fixing member AL is configured to fix the relative positions of the polarizer PO and the light source panel LP. In the present embodiment, the fixing member AL is composed of an adhesive layer, is located between the polarizer PO and the light source panel LP, and adheres the polarizer PO to the light source panel LP.

偏光子POは、発光素子の発光面と対向している。偏光子POは、光源パネルLP(発光素子)から出射された光を直線偏光とするように構成されている。偏光子POは、行方向Xと平行な吸収軸と、列方向Yと平行な透過容易軸と、を有している。偏光子POを透過した直線偏光の偏光面は、Y−Z平面と平行である。ここで、方向Zは、行方向X及び列方向Yのそれぞれに直交している。 The polarizer PO faces the light emitting surface of the light emitting element. The polarizer PO is configured to linearly polarize the light emitted from the light source panel LP (light emitting element). The polarizer PO has an absorption axis parallel to the row direction X and an easy transmission axis parallel to the column direction Y. The plane of polarization of linearly polarized light transmitted through the polarizer PO is parallel to the YY plane. Here, the direction Z is orthogonal to each of the row direction X and the column direction Y.

図10は、第1露光装置EX1の光源パネルLP、第1回路基板6、第2回路基板7、及びパネルドライバ5を示す斜視図である。なお、図10において、上記偏光子PO及び固定部材ALの図示を省略している。
図10に示すように、第1露光装置EX1は、光源パネルLPの他、第1回路基板6、第2回路基板7、及びパネルドライバ5をさらに備えている。光源パネルLPは、一例では矩形状である。図示した例では、光源パネルLPの第1辺SXは、行方向Xと平行であり、光源パネルLPの第2辺SYは、列方向Yと平行である。方向Zは、光源パネルLPの厚さ方向に相当する。光源パネルLPの主面は、行方向Xと列方向Yとにより規定されるX−Y平面に平行である。
FIG. 10 is a perspective view showing a light source panel LP, a first circuit board 6, a second circuit board 7, and a panel driver 5 of the first exposure apparatus EX1. In addition, in FIG. 10, the illustration of the polarizer PO and the fixing member AL is omitted.
As shown in FIG. 10, the first exposure apparatus EX1 further includes a first circuit board 6, a second circuit board 7, and a panel driver 5 in addition to the light source panel LP. The light source panel LP has a rectangular shape in one example. In the illustrated example, the first side SX of the light source panel LP is parallel to the row direction X, and the second side SY of the light source panel LP is parallel to the column direction Y. The direction Z corresponds to the thickness direction of the light source panel LP. The main surface of the light source panel LP is parallel to the XY plane defined by the row direction X and the column direction Y.

光源パネルLPは、発光領域LA、及び発光領域LAの外側の非発光領域NLAを有している。非発光領域NLAは、端子領域MTを有している。図示した例では、非発光領域NLAは、発光領域LAを囲んでいる。発光領域LAは、選択的に光を出射する領域であり、複数の画素PXが配置された領域である。端子領域MTは、光源パネルLPの第1辺SXに沿って設けられ、光源パネルLPを外部装置等と電気的に接続するための端子を含んでいる。 The light source panel LP has a light emitting region LA and a non-light emitting region NLA outside the light emitting region LA. The non-light emitting region NLA has a terminal region MT. In the illustrated example, the non-light emitting region NLA surrounds the light emitting region LA. The light emitting region LA is a region that selectively emits light, and is a region in which a plurality of pixels PX are arranged. The terminal area MT is provided along the first side SX of the light source panel LP, and includes a terminal for electrically connecting the light source panel LP to an external device or the like.

第1回路基板6は、端子領域MTの上に実装され、光源パネルLPと連結されている。第1回路基板6は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第1回路基板6は、光源パネルLPを駆動するパネルドライバ5(駆動ICチップ)等を備えている。第2回路基板7は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第2回路基板7は、第1回路基板6の例えば下方において第1回路基板6と接続されている。なお、図示した例において、パネルドライバ5は、第1回路基板6の上に配置されているが、第1回路基板6の下に配置されていてもよい。また、パネルドライバ5は、第1回路基板6以外に実装されていてもよく、例えば第2回路基板7に実装されていてもよい。 The first circuit board 6 is mounted on the terminal region MT and is connected to the light source panel LP. The first circuit board 6 is, for example, a flexible printed circuit board. The first circuit board 6 includes a panel driver 5 (drive IC chip) for driving the light source panel LP and the like. The second circuit board 7 is, for example, a flexible printed circuit board. The second circuit board 7 is connected to the first circuit board 6 at, for example, below the first circuit board 6. In the illustrated example, the panel driver 5 is arranged on the first circuit board 6, but may be arranged below the first circuit board 6. Further, the panel driver 5 may be mounted on a circuit board other than the first circuit board 6, for example, the panel driver 5 may be mounted on the second circuit board 7.

上記したパネルドライバ5は、例えば第2回路基板7を介して制御基板(図示せず)と接続されている。パネルドライバ5は、例えば制御基板から出力される駆動信号に基づいて複数の画素PXを駆動することによって光源パネルLPに選択的に光を出射させる制御を実行する。 The panel driver 5 described above is connected to a control board (not shown) via, for example, a second circuit board 7. The panel driver 5 executes control for selectively emitting light to the light source panel LP by driving a plurality of pixels PX based on, for example, a drive signal output from the control board.

図11は、光源パネルLP及びパネルドライバ5を示す平面図であり、光源パネルLPの回路構成を示す図である。図11に示すように、光源パネルLPは、電気絶縁性の基板SUBを有している。この基板SUB上には、複数の画素PXと、各種配線と、ゲートドライバGD1及びGD2と、選択回路SDとが配置されている。 FIG. 11 is a plan view showing the light source panel LP and the panel driver 5, and is a diagram showing a circuit configuration of the light source panel LP. As shown in FIG. 11, the light source panel LP has an electrically insulating substrate SUB. A plurality of pixels PX, various wirings, gate drivers GD1 and GD2, and a selection circuit SD are arranged on the substrate SUB.

上記した各種配線は、発光領域LAにおいて延在し、非発光領域NLAに引き出されている。図11においては、各種配線の一部として、複数本の制御配線SSGと、複数本の信号線VLとが例示されている。発光領域LAにおいて、制御配線SSG及び信号線VLは、画素PXに接続されている。制御配線SSGは、非発光領域NLAにおいてゲートドライバGD1及びGD2に接続されている。信号線VLは、非発光領域NLAにおいて選択回路SDに接続されている。 The various wirings described above extend in the light emitting region LA and are drawn out to the non-light emitting region NLA. In FIG. 11, a plurality of control wiring SSGs and a plurality of signal lines VL are exemplified as a part of various wirings. In the light emitting region LA, the control wiring SSG and the signal line VL are connected to the pixel PX. The control wiring SSG is connected to the gate drivers GD1 and GD2 in the non-emission region NLA. The signal line VL is connected to the selection circuit SD in the non-emission region NLA.

ゲートドライバGD1及びGD2と、選択回路SDとは、非発光領域NLAに位置している。ゲートドライバGD1,GD2、及び選択回路SDには、パネルドライバ5から各種の信号や電圧が与えられる。パネルドライバ5は、ゲートドライバGD1,GD2、及び選択回路SDとともに駆動部DRを構成している。上記駆動部DRは、複数の画素PXの複数の発光素子を独立して駆動するように構成されている。 The gate drivers GD1 and GD2 and the selection circuit SD are located in the non-emission region NLA. Various signals and voltages are given to the gate drivers GD1 and GD2 and the selection circuit SD from the panel driver 5. The panel driver 5 constitutes a drive unit DR together with the gate drivers GD1 and GD2 and the selection circuit SD. The drive unit DR is configured to independently drive a plurality of light emitting elements of a plurality of pixels PX.

次に、図12を参照して、光源パネルLPにおける画素PXの回路構成(画素回路)の一例について説明する。図12は、光源パネルLPの画素PXの一例を示す回路図である。本実施形態において、複数の画素PXは同様に構成されている。このため、ここでは便宜的に、複数の画素PXのうち、一画素PXを代表して説明する。 Next, an example of the circuit configuration (pixel circuit) of the pixel PX in the light source panel LP will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of the pixel PX of the light source panel LP. In this embodiment, the plurality of pixels PX are similarly configured. Therefore, for the sake of convenience, one pixel PX will be described as a representative of the plurality of pixel PXs.

図12に示すように、画素PXは、発光素子LEDと、発光素子LEDに駆動電流を供給し、当該発光素子を駆動するための画素回路と、を備えている。上記画素回路は、駆動トランジスタDRT、出力トランジスタBCT、画素トランジスタSST、初期化トランジスタIST、リセットトランジスタRST、保持容量Cs、及び補助容量Cadを有している。本実施形態において、発光素子LED及び上記画素回路は、画素PX毎に配置されている。 As shown in FIG. 12, the pixel PX includes a light emitting element LED and a pixel circuit for supplying a driving current to the light emitting element LED to drive the light emitting element. The pixel circuit has a drive transistor DRT, an output transistor BCT, a pixel transistor SST, an initialization transistor IST, a reset transistor RST, a holding capacitance Cs, and an auxiliary capacitance Cad. In the present embodiment, the light emitting element LED and the pixel circuit are arranged for each pixel PX.

図12に示す各トランジスタは、nチャネル型トランジスタである。なお、出力トランジスタBCT、画素トランジスタSST、初期化トランジスタIST、及びリセットトランジスタRSTは、それぞれトランジスタで構成されていなくてもよい。出力トランジスタBCT、画素トランジスタSST、初期化トランジスタIST及びリセットトランジスタRSTは、それぞれ、出力スイッチ、画素スイッチ、初期化スイッチ、リセットスイッチとして機能するものであればよい。 Each transistor shown in FIG. 12 is an n-channel transistor. The output transistor BCT, the pixel transistor SST, the initialization transistor IST, and the reset transistor RST do not have to be composed of transistors. The output transistor BCT, the pixel transistor SST, the initialization transistor IST, and the reset transistor RST may function as an output switch, a pixel switch, an initialization switch, and a reset switch, respectively.

以下の説明においては、トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方を第1電極、他方を第2電極とする。また、容量素子の一方の電極を第1電極、他方の電極を第2電極とする。 In the following description, one of the source electrode and the drain electrode of the transistor is referred to as a first electrode, and the other is referred to as a second electrode. Further, one electrode of the capacitive element is used as a first electrode, and the other electrode is used as a second electrode.

駆動トランジスタDRT、後述する画素電極及び発光素子LEDは、第1電源線PVHと第2電源線PVLとの間で直列に接続されている。第1電源線PVHは定電位に保持され、第2電源線PVLは第1電源線PVHの電位とは異なる定電位に保持されている。本実施形態において、第1電源線PVHの電位PVDDは、第2電源線PVLの電位PVSSより高い。具体的には、第1電源線PVHの電位PVDDは例えば9Vであり、第2電源線PVLの電位PVSSは例えば0Vである。 The drive transistor DRT, the pixel electrode described later, and the light emitting element LED are connected in series between the first power supply line PVH and the second power supply line PVL. The first power supply line PVH is held at a constant potential, and the second power supply line PVL is held at a constant potential different from the potential of the first power supply line PVH. In the present embodiment, the potential PVDD of the first power supply line PVH is higher than the potential PVSS of the second power supply line PVL. Specifically, the potential P VDD of the first power supply line PVH is, for example, 9 V, and the potential PVSS of the second power supply line PVL is, for example, 0 V.

駆動トランジスタDRTの第1電極は、発光素子LEDの第1電極(陽極)、保持容量Csの第1電極、及び補助容量Cadの第1電極に接続されている。駆動トランジスタDRTの第2電極は、出力トランジスタBCTの第1電極に接続されている。駆動トランジスタDRTは、発光素子LEDに対して供給される電流(電流値)を制御することも可能である。 The first electrode of the drive transistor DRT is connected to the first electrode (anode) of the light emitting element LED, the first electrode of the holding capacity Cs, and the first electrode of the auxiliary capacity CAD. The second electrode of the drive transistor DRT is connected to the first electrode of the output transistor BCT. The drive transistor DRT can also control the current (current value) supplied to the light emitting element LED.

出力トランジスタBCTの第2電極は、第1電源線PVHに接続されている。また発光素子LEDの第2電極(陰極)は、第2電源線PVLに接続されている。
画素トランジスタSSTの第1電極は、駆動トランジスタDRTのゲート電極、初期化トランジスタISTの第1電極、及び保持容量Csの第2電極に接続されている。画素トランジスタSSTの第2電極は、信号線VLに接続されている。初期化トランジスタISTの第2電極は初期化電源線BLに接続されている。
The second electrode of the output transistor BCT is connected to the first power supply line PVH. Further, the second electrode (cathode) of the light emitting element LED is connected to the second power supply line PVL.
The first electrode of the pixel transistor SST is connected to the gate electrode of the drive transistor DRT, the first electrode of the initialization transistor IST, and the second electrode of the holding capacity Cs. The second electrode of the pixel transistor SST is connected to the signal line VL. The second electrode of the initialization transistor IST is connected to the initialization power line BL.

保持容量Csは、駆動トランジスタDRTのゲート電極と第1電極(ソース電極)との間に電気的に接続されている。
補助容量Cadの第2電極は、定電位に保持されている。本実施形態において、補助容量Cadの第2電極は、例えば第1電源線PVHに接続され、第1電源線PVHの電位と同一の定電位(PVDD)に保持されている。なお、補助容量Cadの第2電極は、第2電源線PVLの電位と同一の定電位(PVSS)に保持されていてもよいし、第1電源線PVH及び第2電源線PVLとは異なる電源線(第3電源線)と同一の定電位に保持されていてもよい。第3電源線としては、定電位に保持される配線として、初期化電源線BLまたはリセット電源線RLを挙げることができる。
The holding capacitance Cs is electrically connected between the gate electrode of the drive transistor DRT and the first electrode (source electrode).
The second electrode of the auxiliary capacitance CAD is held at a constant potential. In the present embodiment, the second electrode of the auxiliary capacitance CAD is connected to, for example, the first power supply line PVH and is held at the same constant potential (P VDD) as the potential of the first power supply line PVH. The second electrode of the auxiliary capacitance Cad may be held at the same constant potential (PVSS) as the potential of the second power supply line PVL, or a power source different from the first power supply line PVH and the second power supply line PVL. It may be held at the same constant potential as the line (third power line). As the third power supply line, as the wiring held at a constant potential, the initialization power supply line BL or the reset power supply line RL can be mentioned.

リセットトランジスタRSTの第1電極は、駆動トランジスタDRTの第1電極に接続されている。リセットトランジスタRSTの第2電極は、リセット電源線RLに接続されている。 The first electrode of the reset transistor RST is connected to the first electrode of the drive transistor DRT. The second electrode of the reset transistor RST is connected to the reset power line RL.

信号線VLには、駆動信号Vsigが供給される。駆動信号Vsigは画素PXに書き込まれる信号であり、当該駆動信号Vsigの最小値は例えば0Vであり、当該駆動信号Vsigの最大値は例えば3Vである。
初期化電源線BLには、初期化電位Viniが供給される。初期化電位Viniは、例えば1.2Vである。
A drive signal Vsig is supplied to the signal line VL. The drive signal Vsig is a signal written in the pixel PX, the minimum value of the drive signal Vsig is, for example, 0V, and the maximum value of the drive signal Vsig is, for example, 3V.
The initialization potential Vini is supplied to the initialization power line BL. The initialization potential Vini is, for example, 1.2V.

リセット電源線RLは、リセット電源電位Vrstに設定される。リセット電源電位Vrstは、PVSSに対して発光素子LEDが発光しないような電位差を有する電位が与えられ、例えば−2Vである。
出力トランジスタBCTのゲート電極は、制御配線SBGに接続されている。この制御配線SBGには、出力制御信号BGが供給される。
画素トランジスタSSTのゲート電極は、制御配線SSGに接続されている。この制御配線SSGには、駆動制御信号SGが供給される。
The reset power line RL is set to the reset power potential Vrst. The reset power supply potential Vrst is given a potential having a potential difference with respect to PVSS so that the light emitting element LED does not emit light, and is, for example, -2V.
The gate electrode of the output transistor BCT is connected to the control wiring SBG. An output control signal BG is supplied to this control wiring SBG.
The gate electrode of the pixel transistor SST is connected to the control wiring SSG. A drive control signal SG is supplied to this control wiring SSG.

初期化トランジスタISTのゲート電極は、制御配線SIGに接続されている。この制御配線SIGには、初期化制御信号IGが供給される。
リセットトランジスタRSTのゲート電極は、制御配線SRGに接続されている。この制御配線SRGには、リセット制御信号RGが供給される。
なお、図12に示す素子容量Cledは、発光素子LEDの第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間の容量である。
The gate electrode of the initialization transistor IST is connected to the control wiring SIG. An initialization control signal IG is supplied to this control wiring SIG.
The gate electrode of the reset transistor RST is connected to the control wiring SRG. A reset control signal RG is supplied to this control wiring SRG.
The element capacitance Cled shown in FIG. 12 is the capacitance between the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) of the light emitting element LED.

図12においては、上記の全てのトランジスタがNchTFTであるものとして説明したが、例えば駆動トランジスタDRT以外のトランジスタは、全てがPchTFTであってもよいし、NchTFT及びPchTFTが混在していてもよい。 In FIG. 12, it has been described that all the above transistors are Nch TFTs, but for example, all the transistors other than the drive transistor DRT may be Pch TFTs, or Nch TFTs and Pch TFTs may be mixed.

また、駆動トランジスタDRTがPchTFTであってもよい。その場合、本実施形態とは逆向きに、発光素子LEDに電流が流れるように構成されていればよい。いずれの場合においても、補助容量Cadは、発光素子LEDの電極のうち駆動トランジスタDRT側の電極に結合されていればよい。 Further, the drive transistor DRT may be a Pch TFT. In that case, it is sufficient that the light emitting element LED is configured so that a current flows in the opposite direction to the present embodiment. In any case, the auxiliary capacitance CAD may be coupled to the electrode on the drive transistor DRT side of the electrodes of the light emitting element LED.

また、図11において説明したように、光源パネルLPは、2つのゲートドライバGD1及びGD2を備えているため、1つの画素PXに両側のゲートドライバGD1及びGD2から給電することが可能である。ここでは、上記した制御配線SSGについては両側給電方式が採用されており、他の制御配線については片側給電方式が採用されているものとする。ただし、光源パネルLPは、2つのゲートドライバGD1及びGD2を備えていなくてもよく、少なくとも1つのゲートドライバを備えていればよい。 Further, as described with reference to FIG. 11, since the light source panel LP includes two gate drivers GD1 and GD2, it is possible to supply power to one pixel PX from the gate drivers GD1 and GD2 on both sides. Here, it is assumed that the two-sided power supply method is adopted for the above-mentioned control wiring SSG, and the one-sided power supply method is adopted for the other control wiring. However, the light source panel LP does not have to include two gate drivers GD1 and GD2, and may include at least one gate driver.

なお、図12において説明した回路構成は一例であり、上記した駆動トランジスタDRT、保持容量Cs、及び補助容量Cadを含むものであれば、光源パネルLPの回路構成は他の構成であっても構わない。例えば図12において説明した回路構成のうちの一部が省略されていてもよいし、他の構成が追加されても構わない。 The circuit configuration described in FIG. 12 is an example, and the circuit configuration of the light source panel LP may be another configuration as long as it includes the drive transistor DRT, the holding capacitance Cs, and the auxiliary capacitance CAD described above. Absent. For example, a part of the circuit configurations described with reference to FIG. 12 may be omitted, or other configurations may be added.

次に、図13を参照して、光源パネルLPの断面構造について説明する。図13は、光源パネルLPの構造の一例を示す断面図である。図13においては、光源パネルLPの3つの画素PX及び非発光領域NLAの断面構造について主に説明する。
図13に示すように、光源パネルLPのアレイ基板ARは、基板SUBを備えている。基板SUBとしては、主に、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、またはポリイミド等の樹脂基板を用いることができる。なお、樹脂基板としては、ポリイミドに限らず、他の樹脂材料を用いてもよい。これにより、基板SUBは、有機絶縁層、樹脂層等と称してもよい。
Next, the cross-sectional structure of the light source panel LP will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the structure of the light source panel LP. In FIG. 13, the cross-sectional structure of the three pixels PX of the light source panel LP and the non-light emitting region NLA will be mainly described.
As shown in FIG. 13, the array substrate AR of the light source panel LP includes a substrate SUB. As the substrate SUB, a glass substrate such as quartz or non-alkali glass, or a resin substrate such as polyimide can be mainly used. The resin substrate is not limited to polyimide, and other resin materials may be used. As a result, the substrate SUB may be referred to as an organic insulating layer, a resin layer, or the like.

基板SUB上には、三層積層構造のアンダーコート層62が設けられている。アンダーコート層62は、シリコン酸化物(SiO)で形成された第1層62a、シリコン窒化物(SiN)で形成された第2層62b、及びシリコン酸化物(SiO)で形成された第3層62cを有している。最下層の第1層62aは基材である基板SUBとの密着性向上のため、中層の第2層62bは外部からの水分及び不純物のブロック膜として設けられている。また、最上層の第3層62cは、第2層62b中に含有する水素原子が後述する半導体層SC側に拡散しないようにするブロック膜として設けられている。 An undercoat layer 62 having a three-layer laminated structure is provided on the substrate SUB. The undercoat layer 62 is first formed in silicon oxide second layer 62b is formed in the first layer 62a formed of (SiO 2), silicon nitride (SiN), and silicon oxide (SiO 2) It has three layers 62c. The first layer 62a of the lowermost layer is provided as a blocking film of moisture and impurities from the outside in order to improve the adhesion to the substrate SUB which is the base material. Further, the third layer 62c of the uppermost layer is provided as a block film for preventing hydrogen atoms contained in the second layer 62b from diffusing toward the semiconductor layer SC side described later.

なお、アンダーコート層62は、この構造に限定されるものではない。アンダーコート層62は、更に積層があってもよいし、単層構造または二層構造であってもよい。例えば、基板SUBがガラスである場合、シリコン窒化膜は比較的密着性がよいため、当該基板SUB上に直接シリコン窒化膜を形成しても構わない。 The undercoat layer 62 is not limited to this structure. The undercoat layer 62 may be further laminated, or may have a single-layer structure or a two-layer structure. For example, when the substrate SUB is glass, the silicon nitride film has relatively good adhesion, so that the silicon nitride film may be formed directly on the substrate SUB.

遮光層63は、基板SUBの上に配置されている。遮光層63の位置は、後にTFTを形成する箇所に合わせられている。本実施形態において、遮光層63は、例えば金属で形成されているが、黒色層等の遮光性を有する材料で形成されていればよい。
また、本実施形態において、遮光層63は、第1層62aの上に設けられ、第2層62bで覆われている。なお、遮光層63は、基板SUBの上に設けられ、第1層62aで覆われていてもよい。
The light-shielding layer 63 is arranged on the substrate SUB. The position of the light-shielding layer 63 is adjusted to the position where the TFT is formed later. In the present embodiment, the light-shielding layer 63 is made of, for example, metal, but may be made of a material having a light-shielding property such as a black layer.
Further, in the present embodiment, the light-shielding layer 63 is provided on the first layer 62a and is covered with the second layer 62b. The light-shielding layer 63 may be provided on the substrate SUB and covered with the first layer 62a.

このような遮光層63によれば、TFTチャネル裏面への光の侵入を抑制することができるため、基板SUB側から入射され得る光に起因したTFT特性の変化を抑制することが可能である。また、遮光層63を導電層で形成した場合には、当該遮光層63に所定の電位を与えることで、TFTにバックゲート効果を付与することも可能である。 According to such a light-shielding layer 63, it is possible to suppress the intrusion of light into the back surface of the TFT channel, so that it is possible to suppress the change in TFT characteristics due to the light that can be incident from the substrate SUB side. Further, when the light-shielding layer 63 is formed of a conductive layer, it is possible to impart a back gate effect to the TFT by applying a predetermined potential to the light-shielding layer 63.

上記したアンダーコート層62上には、駆動トランジスタDRT等のTFTが形成される。TFTとしては半導体層SCにポリシリコンを利用するポリシリコンTFTを例としている。本実施形態においては、低温ポリシリコンを利用して半導体層SCが形成されている。ここでは、駆動トランジスタDRTは、Nチャネル型のTFT(NchTFT)である。 A TFT such as a drive transistor DRT is formed on the undercoat layer 62 described above. As an example of the TFT, a polysilicon TFT that uses polysilicon for the semiconductor layer SC is taken as an example. In this embodiment, the semiconductor layer SC is formed using low-temperature polysilicon. Here, the drive transistor DRT is an N-channel type TFT (Nch TFT).

NchTFTの半導体層SCは、第1領域と、第2領域と、第1領域及び第2領域の間のチャネル領域と、チャネル領域及び第1領域の間並びにチャネル領域及び第2領域の間にそれぞれ設けられた低濃度不純物領域とを有する。第1及び第2領域の一方がソース領域として機能し、第1及び第2領域の他方がドレイン領域として機能している。 The semiconductor layer SC of the Nch TFT has a channel region between a first region, a second region, a first region and a second region, a channel region and a first region, and a channel region and a second region, respectively. It has a low-concentration impurity region provided. One of the first and second regions functions as a source region, and the other of the first and second regions functions as a drain region.

ゲート絶縁膜GIとしては、シリコン酸化膜が用いられる。ゲート電極GEは、MoW(モリブデン・タングステン)で形成されている。なお、ゲート電極GE等のゲート絶縁膜GIの上に形成される配線や電極は、1st配線または1stメタルと称される。ゲート電極GEは、TFTのゲート電極としての機能に加え、後述する保持容量電極としての機能を有している。ここではトップゲート型のTFTを例として説明しているが、TFTはボトムゲート型のTFTであってもよい。 A silicon oxide film is used as the gate insulating film GI. The gate electrode GE is made of MoW (molybdenum / tungsten). The wiring and electrodes formed on the gate insulating film GI such as the gate electrode GE are referred to as 1st wiring or 1st metal. The gate electrode GE has a function as a holding capacitance electrode, which will be described later, in addition to a function as a gate electrode of the TFT. Although the top gate type TFT is described here as an example, the TFT may be a bottom gate type TFT.

ゲート絶縁膜GI及びゲート電極GEの上には、層間絶縁膜64が設けられている。層間絶縁膜64は、ゲート絶縁膜GI及びゲート電極GEの上に、例えばシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順に積層して構成されている。 An interlayer insulating film 64 is provided on the gate insulating film GI and the gate electrode GE. The interlayer insulating film 64 is formed by laminating, for example, a silicon nitride film and a silicon oxide film in this order on the gate insulating film GI and the gate electrode GE.

層間絶縁膜64の上には、第1電極E1、第2電極E2、及び引き回し配線LLが設けられている。第1電極E1、第2電極E2、及び引き回し配線LLにおいては、それぞれ三層積層構造(Ti系/Al系/Ti系)が採用される。この三層積層構造において、下層は、Ti(チタン)、Tiを含む合金等のTiを主成分とする金属材料からなる。中間層は、Al(アルミニウム)、Alを含む合金等のAlを主成分とする金属材料からなる。上層は、Ti、Tiを含む合金等のTiを主成分とする金属材料からなる。なお、第1電極E1等の層間絶縁膜64の上に形成される配線や電極は、2nd配線または2ndメタルと称される。 A first electrode E1, a second electrode E2, and a routing wiring LL are provided on the interlayer insulating film 64. A three-layer laminated structure (Ti system / Al system / Ti system) is adopted for each of the first electrode E1, the second electrode E2, and the routing wiring LL. In this three-layer laminated structure, the lower layer is made of a metal material containing Ti as a main component, such as Ti (titanium) and an alloy containing Ti. The intermediate layer is made of a metal material containing Al as a main component, such as Al (aluminum) and an alloy containing Al. The upper layer is made of a metal material containing Ti as a main component, such as Ti and an alloy containing Ti. The wiring and electrodes formed on the interlayer insulating film 64 such as the first electrode E1 are referred to as 2nd wiring or 2nd metal.

第1電極E1は、半導体層SCの第1領域に接続されている。第2電極E2は、半導体層SCの第2領域に接続されている。例えば、半導体層SCの第1領域がソース領域として機能する場合、第1電極E1はソース電極であり、第2電極E2はドレイン電極である。この場合、第1電極E1は、層間絶縁膜64及びTFTのゲート電極(保持容量電極)GEとともに保持容量Csを形成する。 The first electrode E1 is connected to the first region of the semiconductor layer SC. The second electrode E2 is connected to the second region of the semiconductor layer SC. For example, when the first region of the semiconductor layer SC functions as a source region, the first electrode E1 is a source electrode and the second electrode E2 is a drain electrode. In this case, the first electrode E1 forms a holding capacitance Cs together with the interlayer insulating film 64 and the gate electrode (holding capacitance electrode) GE of the TFT.

引き回し配線LLは、基板SUBの周縁の端部まで延在され、第1回路基板6やパネルドライバ5を接続する端子を形成する。
平坦化膜65は、TFT及び引き回し配線LLを覆うように、層間絶縁膜64、第1電極E1、第2電極E2、及び引き回し配線LLの上に形成されている。平坦化膜65としては、感光性アクリル等の有機絶縁材料が多く用いられる。CVD等により形成される無機絶縁材料に比べ、配線段差のカバレッジ性や表面の平坦性に優れる。平坦化膜65は、画素コンタクト部及び周辺領域では除去される。
The routing wiring LL extends to the end of the peripheral edge of the substrate SUB and forms a terminal for connecting the first circuit board 6 and the panel driver 5.
The flattening film 65 is formed on the interlayer insulating film 64, the first electrode E1, the second electrode E2, and the routing wiring LL so as to cover the TFT and the routing wiring LL. As the flattening film 65, an organic insulating material such as photosensitive acrylic is often used. Compared to the inorganic insulating material formed by CVD or the like, it is excellent in coverage of wiring steps and flatness of the surface. The flattening film 65 is removed at the pixel contact portion and the peripheral region.

平坦化膜65の上には、導電層66a及び66bを含む導電層が設けられている。この導電層は、酸化物導電層として、例えばITO(インジウム・ティン・オキサイド)で形成されている。
導電層66aは、例えば平坦化膜65の除去により第1電極E1が露出した箇所を被覆する。導電層66aは、製造工程で第1電極E1や引き回し配線LLの露出部がダメージを負わないようにするためのバリア膜となることを目的の一つとしている。
なお、導電層66b等の平坦化膜65上に形成される配線や電極は、3rd配線または3rdメタルと称される。また、端子部の表面を形成する導電層として、図4に示す導電層66cが形成されていてもよい。
A conductive layer including the conductive layers 66a and 66b is provided on the flattening film 65. This conductive layer is formed of, for example, ITO (indium tin oxide) as the oxide conductive layer.
The conductive layer 66a covers the portion where the first electrode E1 is exposed due to, for example, the removal of the flattening film 65. One of the purposes of the conductive layer 66a is to serve as a barrier film for preventing damage to the first electrode E1 and the exposed portion of the routing wiring LL in the manufacturing process.
The wiring and electrodes formed on the flattening film 65 such as the conductive layer 66b are referred to as 3rd wiring or 3rd metal. Further, the conductive layer 66c shown in FIG. 4 may be formed as the conductive layer forming the surface of the terminal portion.

平坦化膜65及び導電層(導電層66a及び66b)は、絶縁層67で被覆されている。絶縁層67は、例えばシリコン窒化膜で形成されている。絶縁層67の上に、画素電極68が形成されている。画素電極68は、絶縁層67の開口を介して導電層66aにコンタクトし、第1電極E1に電気的に接続されている。ここでは、画素電極68は、発光素子LEDを実装するための接続端子となる。画素電極68は、単一の導電層、二層以上の導電層を含む積層体で形成されている。画素電極68においては、例えば二層積層構造(Al系/Mo系)が採用される。この二層積層構造において、下層は、Mo、Moを含む合金等のMoを主成分とする金属材料からなる。上層は、Al、Alを含む合金等のAlを主成分とする金属材料からなる。
導電層66b、絶縁層67、及び画素電極68は、上記した補助容量Cadを形成している。
The flattening film 65 and the conductive layers (conductive layers 66a and 66b) are covered with an insulating layer 67. The insulating layer 67 is formed of, for example, a silicon nitride film. A pixel electrode 68 is formed on the insulating layer 67. The pixel electrode 68 contacts the conductive layer 66a through the opening of the insulating layer 67 and is electrically connected to the first electrode E1. Here, the pixel electrode 68 serves as a connection terminal for mounting the light emitting element LED. The pixel electrode 68 is formed of a laminated body including a single conductive layer and two or more conductive layers. In the pixel electrode 68, for example, a two-layer laminated structure (Al system / Mo system) is adopted. In this two-layer laminated structure, the lower layer is made of Mo, a metal material containing Mo as a main component, such as an alloy containing Mo. The upper layer is made of a metal material containing Al as a main component, such as Al and an alloy containing Al.
The conductive layer 66b, the insulating layer 67, and the pixel electrode 68 form the auxiliary capacitance CAD described above.

絶縁層67及び画素電極68の上には、絶縁層69が設けられている。絶縁層69は、例えばシリコン窒化物で形成されている。絶縁層69は、画素電極68の端部等を絶縁するとともに、画素電極68の表面の一部に発光素子LEDを実装するための開口を有している。絶縁層69の開口の大きさは、発光素子LEDの実装工程における実装ずれ量等を考慮し、発光素子LEDよりも一回り大きめの開口とする。 An insulating layer 69 is provided on the insulating layer 67 and the pixel electrode 68. The insulating layer 69 is made of, for example, silicon nitride. The insulating layer 69 insulates the end portion of the pixel electrode 68 and the like, and has an opening for mounting the light emitting element LED on a part of the surface of the pixel electrode 68. The size of the opening of the insulating layer 69 is set to be one size larger than that of the light emitting element LED in consideration of the amount of mounting deviation in the mounting process of the light emitting element LED.

発光領域LAにおいては、アレイ基板AR(画素電極68)の上に、発光素子LEDが実装される。発光素子LEDは、陽極ANと、陰極CAと、光を放出する発光層LIとを有している。陽極AN及び陰極CAは、発光層LIを介して対向する位置に配置されている。 In the light emitting region LA, the light emitting element LED is mounted on the array substrate AR (pixel electrode 68). The light emitting element LED has an anode AN, a cathode CA, and a light emitting layer LI that emits light. The anode AN and the cathode CA are arranged at positions facing each other via the light emitting layer LI.

発光素子LEDは、対応する画素電極68に陽極側端子が接触し固定されている。発光素子LEDの陽極ANと画素電極68との間の接合は、両者の間で良好な導通が確保でき、かつ、アレイ基板ARの形成物を破損しないものであれば特に限定されない。例えば低温溶融のはんだ材料を用いたリフロー工程や、導電ペーストを介して発光素子LEDをアレイ基板AR上に載せた後に焼成結合する等の手法、或いは画素電極68の表面と、発光素子LEDの陽極ANとに同系材料を用い、超音波接合等の固層接合の手法を採用することができる。 In the light emitting element LED, the anode side terminal is in contact with and fixed to the corresponding pixel electrode 68. The bonding between the anode AN of the light emitting element LED and the pixel electrode 68 is not particularly limited as long as good conduction can be ensured between them and the formation of the array substrate AR is not damaged. For example, a reflow process using a low-temperature molten solder material, a method such as placing a light emitting element LED on an array substrate AR via a conductive paste and then bonding by firing, or a method of bonding the light emitting element LED to the surface of the pixel electrode 68 and the anode of the light emitting element LED. A material similar to AN can be used, and a solid-layer bonding method such as ultrasonic bonding can be adopted.

各々の発光素子LEDは、紫外光を出射するように構成されている。本実施形態において、第1露光装置EX1は、配向膜に光配向処理を施すための偏光露光装置である。そのため、発光素子LEDが出射する紫外光は、280nm以下の波長範囲内(200−280nm)に主ピークを有している方が望ましい。なお、上記紫外光は、上記以外の波長範囲内に主ピークを有していてもよい。 Each light emitting element LED is configured to emit ultraviolet light. In the present embodiment, the first exposure apparatus EX1 is a polarization exposure apparatus for performing a photo-alignment treatment on an alignment film. Therefore, it is desirable that the ultraviolet light emitted by the light emitting element LED has a main peak within the wavelength range of 280 nm or less (200-280 nm). The ultraviolet light may have a main peak in a wavelength range other than the above.

各々の発光素子LEDは、発光ダイオード(LED)で構成されている。各々の発光素子LEDは、平面視にて、最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている。本実施形態の発光素子LEDは、平面視にて、1辺の長さが500μmである正方形の形状を有している。 Each light emitting element LED is composed of a light emitting diode (LED). Each light emitting element LED has a longest side length of 500 μm or less in a plan view. The light emitting element LED of the present embodiment has a square shape having a side length of 500 μm in a plan view.

但し、発光素子LEDのサイズは、本実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。発光素子LEDは、平面視にて、最長の1辺の長さが100μmを超え300μm未満であるミニLEDであってもよい。又は、発光素子LEDは、平面視にて、最長の1辺の長さが100μm以下であるマイクロLEDであってもよい。又は、発光素子LEDは、平面視にて、最長の1辺の長さが300μm以上であり500μm以下であるLEDであってもよい。 However, the size of the light emitting element LED is not limited to this embodiment and can be variously modified. The light emitting element LED may be a mini LED having the longest side length of more than 100 μm and less than 300 μm in a plan view. Alternatively, the light emitting element LED may be a micro LED having the longest side length of 100 μm or less in a plan view. Alternatively, the light emitting element LED may be an LED having the longest side length of 300 μm or more and 500 μm or less in a plan view.

発光素子LEDが実装されたアレイ基板ARの上には、素子絶縁層70が設けられている。素子絶縁層70は、アレイ基板ARの上で、発光素子LEDの間の空隙部に充填された樹脂材料で形成されている。なお、素子絶縁層70は、発光素子LEDのうち陰極CAの表面を露出させる。 An element insulating layer 70 is provided on the array substrate AR on which the light emitting element LED is mounted. The element insulating layer 70 is formed of a resin material filled in the gaps between the light emitting element LEDs on the array substrate AR. The element insulating layer 70 exposes the surface of the cathode CA of the light emitting element LEDs.

対向電極71は、発光素子LEDを介して画素電極68と対向する位置に配置される。対向電極71は、対向電極71の陰極CAの表面と素子絶縁層70の上に形成され、陰極CAに接触することによって、当該陰極CAと電気的に接続される。対向電極71は、発光素子LEDからの出射光を取り出すために、透明電極として形成される必要がある。対向電極71は、透明導電材料として例えばITOを用いて形成される。対向電極71は、発光領域LAに実装された複数の発光素子LEDの陰極CAを共通に接続する。図示されていないが、対向電極71は、例えば発光領域LAの外側に設けられた陰極コンタクト部でアレイ基板AR側に設けられた配線と接続される。 The counter electrode 71 is arranged at a position facing the pixel electrode 68 via the light emitting element LED. The counter electrode 71 is formed on the surface of the cathode CA of the counter electrode 71 and on the element insulating layer 70, and is electrically connected to the cathode CA by coming into contact with the cathode CA. The counter electrode 71 needs to be formed as a transparent electrode in order to take out the emitted light from the light emitting element LED. The counter electrode 71 is formed by using, for example, ITO as the transparent conductive material. The counter electrode 71 commonly connects the cathode CAs of the plurality of light emitting element LEDs mounted in the light emitting region LA. Although not shown, the counter electrode 71 is connected to, for example, a wiring provided on the AR side of the array substrate by a cathode contact portion provided outside the light emitting region LA.

対向電極71は、発光領域LAを平面視で覆うように形成されると共に、非発光領域NLAまで延在して、導電層66dと電気的に接続される。導電層66dは、第2電源線PVLに通じている。 The counter electrode 71 is formed so as to cover the light emitting region LA in a plan view, extends to the non-light emitting region NLA, and is electrically connected to the conductive layer 66d. The conductive layer 66d is connected to the second power supply line PVL.

一方、発光素子LEDの側壁部分が保護膜等で絶縁されている場合は、必ずしも樹脂材料等で間隙を充填する必要はなく、樹脂材料は、陽極ANと、陽極ANから露出した画素電極68の表面とを少なくとも絶縁することができればよい。この場合、対向電極71は、段切れすることなく複数の発光素子LEDを連続的に覆うことができればよい。 On the other hand, when the side wall portion of the light emitting element LED is insulated by a protective film or the like, it is not always necessary to fill the gap with a resin material or the like, and the resin material is the anode AN and the pixel electrode 68 exposed from the anode AN. It suffices if it can at least insulate the surface. In this case, it is sufficient that the counter electrode 71 can continuously cover the plurality of light emitting element LEDs without breaking the step.

上記したようにアレイ基板ARは、基板SUBから対向電極71までの構造を有している。なお、上記偏光子POは、複数の発光素子LEDと対向し、対向電極71の上方に位置している。 As described above, the array substrate AR has a structure from the substrate SUB to the counter electrode 71. The polarizer PO faces the plurality of light emitting element LEDs and is located above the counter electrode 71.

次に、第2露光装置EX2について説明する。図14は、上記第2露光装置を示す平面図である。第2露光装置EX2は、第1露光装置EX1と異なり、無偏光を放出する露光装置である。
図14に示すように、第2露光装置EX2は、偏光子PO及び固定部材AL無しに構成されている点で、上記第1露光装置EX1と相違している。
Next, the second exposure apparatus EX2 will be described. FIG. 14 is a plan view showing the second exposure apparatus. The second exposure device EX2 is an exposure device that emits unpolarized light, unlike the first exposure device EX1.
As shown in FIG. 14, the second exposure device EX2 is different from the first exposure device EX1 in that it is configured without the polarizer PO and the fixing member AL.

本実施形態の第2露光装置EX2の光源パネルLPは、発光素子LED以外、上記第1露光装置EX1の光源パネルLPと同様に構成されている。光源パネルLPは、基板SUBと、基板SUBの上方に2次元的に配置されそれぞれ発光素子を含む複数の画素PXと、を有している。駆動部DRは、複数の発光素子LEDを独立して駆動するように構成されている(図11乃至13)。各々の発光素子LEDは、紫外光を出射し、平面視にて最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている。 The light source panel LP of the second exposure device EX2 of the present embodiment is configured in the same manner as the light source panel LP of the first exposure device EX1 except for the light emitting element LED. The light source panel LP has a substrate SUB and a plurality of pixels PX two-dimensionally arranged above the substrate SUB and each including a light emitting element. The drive unit DR is configured to independently drive a plurality of light emitting element LEDs (FIGS. 11 to 13). Each light emitting element LED emits ultraviolet light, and the length of one side, which is the longest in a plan view, is 500 μm or less.

本実施形態において、第2露光装置EX2は、シール材51を無偏光で露光するための露光装置である。シール材51は、紫外線領域の無偏光により、硬化される。そのため、発光素子LEDが出射する紫外光は、315nm以上の波長範囲内(315−400nm)に主ピークを有している方が望ましい。なお、上記紫外光は、上記以外の波長範囲内に主ピークを有していてもよい。 In the present embodiment, the second exposure apparatus EX2 is an exposure apparatus for exposing the sealing material 51 without polarization. The sealing material 51 is cured by non-polarization in the ultraviolet region. Therefore, it is desirable that the ultraviolet light emitted by the light emitting element LED has a main peak in the wavelength range of 315 nm or more (315-400 nm). The ultraviolet light may have a main peak in a wavelength range other than the above.

次に、第1露光装置EX1および第2露光装置EX2を使用した液晶表示パネルDPの製造方法を説明する。図15は、液晶表示パネルDPの製造工程を説明する図であり、マザーガラス101上にアレイパターンを形成している状態を示す平面図である。 Next, a method of manufacturing the liquid crystal display panel DP using the first exposure apparatus EX1 and the second exposure apparatus EX2 will be described. FIG. 15 is a diagram illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display panel DP, and is a plan view showing a state in which an array pattern is formed on the mother glass 101.

図1乃至図7、及び図15に示すように、まず、透明な絶縁基板としてアレイ基板1よりも寸法の大きい第1マザー基板としてのマザーガラス101を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス101は、アレイ基板1を形成するため6つの矩形状のアレイ基板形成領域R6と、アレイ基板形成領域R6から外れた非有効領域R7とを有している。マザーガラス101は、アレイ基板形成領域R6の周縁に重なった第1分断予定線e1を有している。 As shown in FIGS. 1 to 7 and 15, first, a mother glass 101 as a first mother substrate having a size larger than that of the array substrate 1 is prepared as a transparent insulating substrate. According to this embodiment, the mother glass 101 has six rectangular array substrate forming regions R6 for forming the array substrate 1 and an ineffective region R7 deviating from the array substrate forming region R6. The mother glass 101 has a first planned division line e1 that overlaps the peripheral edge of the array substrate forming region R6.

用意したマザーガラス101上には、成膜およびパターニングを繰り返す等、通常の製造工程により、TFT19、補助容量素子24、画素電極26等を含むアレイパターン1pを形成する。 An array pattern 1p including a TFT 19, an auxiliary capacitance element 24, a pixel electrode 26, and the like is formed on the prepared mother glass 101 by a normal manufacturing process such as repeating film formation and patterning.

次いで、マザーガラス101の配向膜材料塗布領域上に光分解型の配向膜材料を塗布し、マザーガラス101上に配向膜材料からなる配向膜28を形成する。例えば、アレイパターン1pが形成されたマザーガラス101上に、スピンコート法を用いて配向膜材料を塗布し、配向膜28を形成することができる。スピンコート法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、マザーガラス101上全体である。
なお、上記スピンコート法に替えてインクジェット工法を用いて配向膜材料を塗布することも可能である。インクジェット工法を利用する場合、配向膜材料塗布領域は、アレイ基板形成領域R6に限定してもよい。
Next, a photodegradable alignment film material is applied onto the alignment film material coating region of the mother glass 101 to form an alignment film 28 made of the alignment film material on the mother glass 101. For example, the alignment film material can be applied to the mother glass 101 on which the array pattern 1p is formed by using the spin coating method to form the alignment film 28. When the spin coating method is used, the alignment film material coating area is the entire area on the mother glass 101.
It is also possible to apply the alignment film material by using an inkjet method instead of the spin coating method. When the inkjet method is used, the alignment film material coating region may be limited to the array substrate forming region R6.

図16は、図15に続く、液晶表示パネルDPの製造工程において、上記マザーガラス101上の配向膜28に光配向処理を施している状態を示す図である。図17は、図16に示したマザーガラス101、アレイパターン1p、及び配向膜28を含む被処理基板110と、ステージSTと、第1露光装置EX1とを示す断面図である。
図16及び図17に示すように、次いで、配向膜28が第1露光装置EX1側を向くように、ステージSTの上に被処理基板110を載置する。その際、被処理基板110の第1方向d1と、第1露光装置EX1の行方向Xとを平行にし、被処理基板110の第2方向d2と、第1露光装置EX1の列方向Yとを平行にしている。第1露光装置EX1の偏光子POは、配向膜28と対向している。
FIG. 16 is a diagram showing a state in which the alignment film 28 on the mother glass 101 is photoaligned in the manufacturing process of the liquid crystal display panel DP following FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view showing a substrate 110 to be processed including the mother glass 101 shown in FIG. 16, an array pattern 1p, and an alignment film 28, a stage ST, and a first exposure apparatus EX1.
As shown in FIGS. 16 and 17, the substrate 110 to be processed is then placed on the stage ST so that the alignment film 28 faces the first exposure apparatus EX1 side. At that time, the first direction d1 of the substrate 110 to be processed and the row direction X of the first exposure device EX1 are made parallel to each other, and the second direction d2 of the substrate 110 to be processed and the column direction Y of the first exposure device EX1 are aligned. It is parallel. The polarizer PO of the first exposure apparatus EX1 faces the alignment film 28.

ここで、方向Zにおいて、偏光子POの光源パネルLPと対向する側の面から、被処理基板110の偏光子POと対向する側の面までの距離をDI1とする。偏光子POの厚みをTとする。偏光子POの被処理基板110と対向する側の面から、被処理基板110の偏光子POと対向する側の面までの距離をDI2とする。距離DI1は2mm以下に設定している。厚みTは0.5mm以下である。距離DI2は1.0mm以下に設定している。これにより、第1露光装置EX1から被処理基板110に照射される光の拡散を抑制することができる。
本実施形態において、厚みTは0.5mmであり、距離DI2は1.0mmである。そのため、距離DI1は1.5mmに設定されている。
Here, in the direction Z, the distance from the surface of the polarizer PO facing the light source panel LP to the surface of the substrate 110 to be processed facing the polarizer PO is defined as DI1. Let T be the thickness of the polarizer PO. DI2 is the distance from the surface of the polarizing element PO facing the substrate 110 to be processed to the surface of the substrate 110 to be processed facing the polarizer PO. The distance DI1 is set to 2 mm or less. The thickness T is 0.5 mm or less. The distance DI2 is set to 1.0 mm or less. As a result, it is possible to suppress the diffusion of light emitted from the first exposure apparatus EX1 to the substrate 110 to be processed.
In this embodiment, the thickness T is 0.5 mm and the distance DI2 is 1.0 mm. Therefore, the distance DI1 is set to 1.5 mm.

続いて、被処理基板110の配向膜28に、列方向Yと平行な方向に走査しつつ、列方向Yの直線偏光を照射し、露光する。その際、ステージSTを列方向Yと平行な方向に定速移動させつつ、駆動部DRが発光素子LEDのオン/オフを切り替える。上記のように、フォトマスク無しに、配向膜28に光配向処理(偏光UVの照射)を施すことができる。 Subsequently, the alignment film 28 of the substrate 110 to be processed is irradiated with linearly polarized light in the row direction Y and exposed while scanning in a direction parallel to the row direction Y. At that time, the drive unit DR switches the light emitting element LED on / off while moving the stage ST in a direction parallel to the column direction Y at a constant speed. As described above, the alignment film 28 can be subjected to photoalignment treatment (irradiation with polarized UV) without a photomask.

光配向処理の対象は、少なくとも、配向膜28のうち表示領域DAの全域である。配向膜28のうちシール材51と接する領域に関しては、光配向処理の対象外としている。これにより、シール材51を介して接着されるアレイ基板1と対向基板2との接着強度の低下を抑制することができる。
複数の画素PXは、列方向Yに対し、千鳥状に配置されている。そのため、光の照射量のムラを抑制することができる。
これにより、1枚のマザーガラス101にて6個のアレイ基板1が完成する。
The target of the photo-alignment treatment is at least the entire display region DA of the alignment film 28. The region of the alignment film 28 in contact with the sealing material 51 is excluded from the photo-alignment treatment. As a result, it is possible to suppress a decrease in the adhesive strength between the array substrate 1 and the opposing substrate 2 that are bonded via the sealing material 51.
The plurality of pixels PX are arranged in a staggered pattern with respect to the column direction Y. Therefore, unevenness in the amount of light irradiation can be suppressed.
As a result, six array substrates 1 are completed with one mother glass 101.

図18は、液晶表示パネルDPの製造工程において、マザーガラス102上に対向パターン2pを形成した状態を示す平面図である。
図1、図2、図3、図6及び図7、並びに図18に示すように、一方、対向基板2の製造方法においては、まず、透明な絶縁基板として対向基板2よりも寸法の大きい第2マザー基板としてのマザーガラス102を用意する。この実施形態によれば、マザーガラス102は、対向基板2を形成するため6つの矩形状の対向基板形成領域R8と、対向基板形成領域R8から外れた非有効領域R9とを有している。マザーガラス102は、対向基板形成領域R8の周縁に重なった第2分断予定線e2を有している。
FIG. 18 is a plan view showing a state in which the facing pattern 2p is formed on the mother glass 102 in the manufacturing process of the liquid crystal display panel DP.
As shown in FIGS. 1, 2, 3, 6, 7, and 18, on the other hand, in the method for manufacturing the opposed substrate 2, first, as a transparent insulating substrate, the size is larger than that of the opposed substrate 2. 2 A mother glass 102 as a mother substrate is prepared. According to this embodiment, the mother glass 102 has six rectangular facing substrate forming regions R8 and an ineffective region R9 deviating from the facing substrate forming region R8 in order to form the facing substrate 2. The mother glass 102 has a second scheduled division line e2 that overlaps the peripheral edge of the facing substrate forming region R8.

用意したマザーガラス102上には、通常の製造工程により、対向パターン2pを形成する。次いで、スピンナを用い、例えば感光性アクリル性の透明樹脂をマザーガラス102上全面に塗布する。続いて、透明樹脂を乾燥させる。その後、所定のフォトマスクを用い、透明樹脂にパターニングを露光する。次に、露光された透明樹脂を現像した後、焼成し硬化させる。これにより、柱状スペーサ8が形成される。 An opposed pattern 2p is formed on the prepared mother glass 102 by a normal manufacturing process. Next, using a spinner, for example, a photosensitive acrylic transparent resin is applied to the entire surface of the mother glass 102. Subsequently, the transparent resin is dried. Then, the patterning is exposed on the transparent resin using a predetermined photomask. Next, the exposed transparent resin is developed and then fired and cured. As a result, the columnar spacer 8 is formed.

その後、対向パターン2pが形成されたマザーガラス102上に配向膜43を形成し、配向膜43に光配向処理を施す。その際、第1露光装置EX1等を使用し、配向膜28に施した光配向処理と同様の光配向処理を配向膜43に施した。光配向処理の対象は、少なくとも、配向膜43のうち表示領域DAの全域である。配向膜43においても、シール材51と接する領域に関しては、光配向処理の対象外としている。これにより、シール材51を介して接着されるアレイ基板1と対向基板2との接着強度の低下を抑制することができる。
これにより、1枚のマザーガラス102にて6個の対向基板2が完成する。
After that, the alignment film 43 is formed on the mother glass 102 on which the facing pattern 2p is formed, and the alignment film 43 is subjected to photoalignment treatment. At that time, using the first exposure apparatus EX1 or the like, the alignment film 43 was subjected to the same photo-alignment treatment as the photo-alignment treatment applied to the alignment film 28. The target of the photo-alignment treatment is at least the entire display region DA of the alignment film 43. Also in the alignment film 43, the region in contact with the sealing material 51 is excluded from the photo-alignment treatment. As a result, it is possible to suppress a decrease in the adhesive strength between the array substrate 1 and the opposing substrate 2 that are bonded via the sealing material 51.
As a result, six opposed substrates 2 are completed with one mother glass 102.

図19は、液晶表示パネルDPの製造工程において、6枚のアレイ基板1を形成したマザーガラス101と6枚の対向基板2を形成したマザーガラス102とが、シール剤を介して張り合わせられている状態を示す平面図である。
次いで、図7及び図19に示すように、マザーガラス101及びマザーガラス102の何れか一方の配向膜(28、43)の非表示領域NDA上にシール剤51aを設ける。ここでは、アレイ基板1の配向膜28の非表示領域NDA上に全周に亘って、シール剤51aを印刷法により塗布する。シール剤51aには、紫外線硬化型のシール剤を利用している。これにより、枠状にシール剤51aが形成される。
In FIG. 19, in the manufacturing process of the liquid crystal display panel DP, the mother glass 101 on which the six array substrates 1 are formed and the mother glass 102 on which the six opposing substrates 2 are formed are laminated with each other via a sealant. It is a top view which shows the state.
Next, as shown in FIGS. 7 and 19, the sealant 51a is provided on the non-display region NDA of the alignment film (28, 43) of either the mother glass 101 or the mother glass 102. Here, the sealant 51a is applied over the entire circumference on the non-display region NDA of the alignment film 28 of the array substrate 1 by a printing method. An ultraviolet curable sealant is used as the sealant 51a. As a result, the sealing agent 51a is formed in a frame shape.

その後、シール剤51aで囲まれた領域に液晶材料を滴下する。続いて、配向膜28及び配向膜43が対向するよう、マザーガラス101及びマザーガラス102を対向配置し、アレイ基板1及び対向基板2を複数の柱状スペーサ8により所定の隙間を保持して対向配置し、アレイ基板1及び対向基板2の周縁部同士をシール剤51aにより張り合わせる。 Then, the liquid crystal material is dropped into the region surrounded by the sealant 51a. Subsequently, the mother glass 101 and the mother glass 102 are arranged to face each other so that the alignment film 28 and the alignment film 43 face each other, and the array substrate 1 and the facing substrate 2 are arranged to face each other while holding a predetermined gap by a plurality of columnar spacers 8. Then, the peripheral edges of the array substrate 1 and the facing substrate 2 are bonded to each other with the sealing agent 51a.

図20は、図19に続く、液晶表示パネルDPの製造工程において、シール剤51aに紫外光を照射している状態を示す図である。図21は、図20に示したステージSTと、第2露光装置EX2と、被処理基板120と、を示す断面図である。被処理基板120は、マザーガラス101,102、アレイパターン1p、対向パターン2p、配向膜28,43、シール剤51a、及び液晶層3を含んでいる。 FIG. 20 is a diagram showing a state in which the sealant 51a is irradiated with ultraviolet light in the manufacturing process of the liquid crystal display panel DP following FIG. FIG. 21 is a cross-sectional view showing the stage ST shown in FIG. 20, the second exposure apparatus EX2, and the substrate to be processed 120. The substrate 120 to be processed includes mother glass 101, 102, an array pattern 1p, an opposing pattern 2p, an alignment film 28, 43, a sealing agent 51a, and a liquid crystal layer 3.

図20及び図21に示すように、次いで、ステージSTの上に被処理基板120を載置する。第2露光装置EX2は、被処理基板120に向けて無偏光を照射できるように配置されている。 As shown in FIGS. 20 and 21, the substrate 120 to be processed is then placed on the stage ST. The second exposure apparatus EX2 is arranged so that unpolarized light can be irradiated toward the substrate 120 to be processed.

ここで、方向Zにおいて、光源パネルLPの被処理基板120と対向する側の面から、被処理基板120の光源パネルLPと対向する側の面までの距離をDI3とする。距離DI3は1.0mm以下に設定している。これにより、第2露光装置EX2から被処理基板120に照射される光の拡散を抑制することができる。
本実施形態において、距離DI3は1.0mmである。
Here, in the direction Z, the distance from the surface of the light source panel LP facing the light source panel 120 to the surface of the light source panel 120 facing the light source panel LP is defined as DI3. The distance DI3 is set to 1.0 mm or less. As a result, it is possible to suppress the diffusion of light emitted from the second exposure apparatus EX2 to the substrate 120 to be processed.
In this embodiment, the distance DI3 is 1.0 mm.

続いて、被処理基板120のシール剤51aに、列方向Yと平行な方向に走査しつつ、無偏光を照射し、露光する。その際、ステージSTを列方向Yと平行な方向に定速移動させつつ、駆動部DRが発光素子LEDのオン/オフを切り替える。上記のように、フォトマスク無しに、シール剤51aにパターニングを露光することができる。露光の対象は、少なくとも、シール剤51aの全域である。液晶材料に関しては、露光の対象外としている。これにより、液晶層3の品位の低下を抑制することができる。
上記のように、外部よりシール剤51aに紫外光を照射してシール剤51aを硬化させることができる。必要に応じて、シール剤51aに、さらに、熱硬化処理を施し、一層、硬化させてもよい。シール剤51aを硬化してなるシール材51を形成することにより、シール材51を介してマザーガラス101及びマザーガラス102が接合される。
Subsequently, the sealant 51a of the substrate 120 to be processed is irradiated with unpolarized light and exposed while scanning in a direction parallel to the column direction Y. At that time, the drive unit DR switches the light emitting element LED on / off while moving the stage ST in a direction parallel to the column direction Y at a constant speed. As described above, the patterning can be exposed to the sealant 51a without a photomask. The object of exposure is at least the entire area of the sealant 51a. Liquid crystal materials are not subject to exposure. As a result, deterioration of the quality of the liquid crystal layer 3 can be suppressed.
As described above, the sealant 51a can be cured by irradiating the sealant 51a with ultraviolet light from the outside. If necessary, the sealant 51a may be further subjected to a thermosetting treatment to further cure it. By forming the sealing material 51 formed by curing the sealing agent 51a, the mother glass 101 and the mother glass 102 are joined via the sealing material 51.

また、マザーガラス101及びマザーガラス102を貼り合わせることにより、マザーガラス101、マザーガラス102及びシール材51で囲まれた空間に液晶層3を形成することができる。 Further, by laminating the mother glass 101 and the mother glass 102, the liquid crystal layer 3 can be formed in the space surrounded by the mother glass 101, the mother glass 102 and the sealing material 51.

続いて、マザーガラス101を第1分断予定線e1に沿って分割するとともに、マザーガラス102を第2分断予定線e2に沿って分割する。分割する際、例えば、第1分断予定線e1及び第2分断予定線e2に沿ってスクライブラインを引いて分割する。これにより、マザーガラス101からアレイ基板1が、マザーガラス102から対向基板2がそれぞれ切出される。
これにより、図3に示すように、分断されたマザーガラス101及びマザーガラス102から、液晶表示パネルDPが6組取出される。そして、6つの液晶表示パネルDPがそれぞれ完成する。
Subsequently, the mother glass 101 is divided along the first planned division line e1, and the mother glass 102 is divided along the second planned division line e2. At the time of division, for example, a scribe line is drawn along the first scheduled division line e1 and the second scheduled division line e2 to divide. As a result, the array substrate 1 is cut out from the mother glass 101, and the facing substrate 2 is cut out from the mother glass 102.
As a result, as shown in FIG. 3, six liquid crystal display panel DPs are taken out from the divided mother glass 101 and mother glass 102. Then, each of the six liquid crystal display panel DPs is completed.

上記のように構成された実施形態に係る第1露光装置EX1及び第2露光装置EX2によれば、第1露光装置EX1は、フォトマスク無しに、配向膜28,43に光配向処理を施すことができる。第2露光装置EX2は、フォトマスク無しに、シール剤51aに露光することができる。そのため、フォトマスク無しに露光することが可能な第1露光装置EX1及び第2露光装置EX2を得ることができる。 According to the first exposure apparatus EX1 and the second exposure apparatus EX2 according to the embodiment configured as described above, the first exposure apparatus EX1 performs photoalignment treatment on the alignment films 28 and 43 without a photomask. Can be done. The second exposure apparatus EX2 can expose the sealant 51a without a photomask. Therefore, it is possible to obtain the first exposure device EX1 and the second exposure device EX2 that can be exposed without a photomask.

次に、上記第1の実施形態において、詳細なサイズについて検討する。図22は、本実施形態に係る第1露光装置EX1の複数の発光素子LEDのオン/オフと、光の照射範囲IAと、の関係を示す図である。 Next, in the first embodiment, the detailed size will be examined. FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the on / off of the plurality of light emitting element LEDs of the first exposure apparatus EX1 according to the present embodiment and the light irradiation range IA.

図22に示すように、第1露光装置EX1において、光源パネルLPの複数の画素PXは、行方向Xに100個並び、列方向Yに100個並んでいる。図中、100行及び100列の画素PXのうち、複数の画素PXを抜粋して記載している。図22では、複数の画素PXは、行方向X及び列方向Yにマトリクス状に配置されているが、実際には、図8で示すように、列方向で半ピッチずつ、ずれて配置されている。各々の画素PXは正方形の形状を有し、行方向X及び列方向Yに500μmの長さを有している。発光領域LAにおいて、行方向X及び列方向Yの長さは、それぞれ50mmである。 As shown in FIG. 22, in the first exposure apparatus EX1, 100 of the plurality of pixels PX of the light source panel LP are arranged in the row direction X and 100 in the column direction Y. In the figure, a plurality of pixel PXs are extracted from the pixel PXs having 100 rows and 100 columns. In FIG. 22, the plurality of pixels PX are arranged in a matrix in the row direction X and the column direction Y, but in reality, as shown in FIG. 8, they are arranged so as to be offset by half a pitch in the column direction. There is. Each pixel PX has a square shape and has a length of 500 μm in the row direction X and the column direction Y. In the light emitting region LA, the lengths of the row direction X and the column direction Y are 50 mm, respectively.

第1露光装置EX1の発光素子LEDが出射する紫外光は、365nmに主ピークを有している。偏光子POは、石英板で形成され、偏光子POの厚みTは0.2mmである。被処理基板110と偏光子PO間の距離DI2は、0.5mmである。配向膜28及び配向膜43を形成する際、365nmに主ピークを有する紫外光で光分解するポリイミドを塗布した。 The ultraviolet light emitted by the light emitting element LED of the first exposure apparatus EX1 has a main peak at 365 nm. The polarizer PO is formed of a quartz plate, and the thickness T of the polarizer PO is 0.2 mm. The distance DI2 between the substrate 110 to be processed and the polarizer PO is 0.5 mm. When forming the alignment film 28 and the alignment film 43, a polyimide that photodecomposes with ultraviolet light having a main peak at 365 nm was applied.

全点灯(全ての画素PXの発光素子LEDを発光)させたときの照度は、0.5mW/cmであった。上記のような第1露光装置EX1の下方を、0.5mm/sの定速で、ステージST(被処理基板110)を移動させた。この走査を、合計30回(片道30回)実施し、照射量は1.5J/cmであった。 The illuminance when all the lights were turned on (the light emitting element LEDs of all the pixels PX were made to emit light) was 0.5 mW / cm 2. The stage ST (substrate 110) was moved below the first exposure apparatus EX1 as described above at a constant speed of 0.5 mm / s. This scanning was performed 30 times in total (30 times one way), and the irradiation dose was 1.5 J / cm 2 .

上記の第1露光装置EX1で、図示したような照射範囲IAを得るために、ある期間においては図示したように複数の発光素子LEDのオン/オフを切り替え、配向膜にパターンを付与した。複数の発光素子LEDのオン/オフは、搬送する被処理基板110と第1露光装置EX1との相対位置に応じて行った。配向膜上の照射範囲IAは、所望の範囲より1画素PX分、拡大したが、所望の範囲より2画素PX以上拡大することは無かった。そして、配向膜のうち、照射範囲IA以外の領域に、光配向処理が施されていないことが確認された。言い換えると、シール材51を介して接着されるアレイ基板1と対向基板2との接着強度の低下を回避することができた。 In the above-mentioned first exposure apparatus EX1, in order to obtain the irradiation range IA as shown in the figure, a plurality of light emitting element LEDs were switched on / off as shown in the figure during a certain period, and a pattern was given to the alignment film. The plurality of light emitting element LEDs were turned on / off according to the relative positions of the substrate 110 to be transported and the first exposure device EX1. The irradiation range IA on the alignment film was expanded by 1 pixel PX from the desired range, but was not expanded by 2 pixels PX or more from the desired range. Then, it was confirmed that the photo-alignment treatment was not applied to the region of the alignment film other than the irradiation range IA. In other words, it was possible to avoid a decrease in the adhesive strength between the array substrate 1 and the opposing substrate 2 which are adhered via the sealing material 51.

本実施形態において、複数の発光素子LEDは独立して駆動され、距離DI2は0.5mmである。そのため、フォトマスク無しに配向膜に直線偏光を照射することができ、第1露光装置EX1から被処理基板110に照射される光の拡散を抑制することができる。 In this embodiment, the plurality of light emitting element LEDs are independently driven, and the distance DI2 is 0.5 mm. Therefore, the alignment film can be irradiated with linearly polarized light without a photomask, and the diffusion of light emitted from the first exposure apparatus EX1 to the substrate 110 to be processed can be suppressed.

(比較例1)
次に、比較例1について説明する。図23は、本比較例1に係る第1露光装置EX1の複数の発光素子LEDのオン/オフと、光の照射範囲IAと、の関係を示す図である。
本比較例1の第1露光装置EX1において、光源パネルLPの構成は、第1の実施形態と同じである。
また、第1露光装置EX1の発光素子LEDが出射する紫外光や、偏光子POも、第1の実施形態と同じである。第1の実施形態との違いは、被処理基板110と偏光子PO間の距離DI2が、1.5mmと設定されていることである。
(Comparative Example 1)
Next, Comparative Example 1 will be described. FIG. 23 is a diagram showing the relationship between the on / off of the plurality of light emitting element LEDs of the first exposure device EX1 according to the first comparative example 1 and the light irradiation range IA.
In the first exposure apparatus EX1 of Comparative Example 1, the configuration of the light source panel LP is the same as that of the first embodiment.
Further, the ultraviolet light emitted by the light emitting element LED of the first exposure apparatus EX1 and the polarizer PO are also the same as those in the first embodiment. The difference from the first embodiment is that the distance DI2 between the substrate 110 to be processed and the polarizer PO is set to 1.5 mm.

第1露光装置EX1から被処理基板110への直線偏光の照射は、上記第1の実施形態と同一の条件下において行った。
上記の第1露光装置EX1で、図示したような照射範囲IAを得るために、ある期間においては図示したように複数の発光素子LEDのオン/オフを切り替え、配向膜にパターンを付与した。配向膜上の照射範囲IAは、所望の範囲より3画素PX分、拡大する結果となった。
The irradiation of the substrate 110 to be processed with linearly polarized light from the first exposure apparatus EX1 was performed under the same conditions as in the first embodiment.
In the above-mentioned first exposure apparatus EX1, in order to obtain the irradiation range IA as shown in the figure, a plurality of light emitting element LEDs were switched on / off as shown in the figure during a certain period to give a pattern to the alignment film. The irradiation range IA on the alignment film was expanded by 3 pixels PX from the desired range.

これにより、表示領域DAの周縁にて、配向不足による画像の焼き付きが発生する結果となった。
また、配向膜のうちシール材51と接する領域にも、光が照射される結果となった。液晶表示パネルDPに引っ張り強度試験を行ったところ、容易にアレイ基板1と対向基板2とが剥離することが確認できた。また、上記試験を行わなくとも、液晶表示パネルDPの完成後にアセトンで液晶表示パネルDPを洗浄したところ、光照射された配向膜が溶解し、シール材51が剥離することが確認できた。
上記の第1の実施形態と比較例1において、被処理基板110と偏光子PO間の間隔DI2の設定により、光配向がうまくいった例とうまくいかなかった例を示すが、本発明者らのさらなる検討の結果、偏光子POの厚みTが0.5mm以下である場合、距離DI2は1.0mm以下に設定されている方が望ましいことが分かった。
As a result, image burn-in occurs at the periphery of the display area DA due to insufficient orientation.
In addition, the region of the alignment film in contact with the sealing material 51 was also irradiated with light. When the tensile strength test was performed on the liquid crystal display panel DP, it was confirmed that the array substrate 1 and the opposing substrate 2 were easily peeled off. Further, even if the above test was not performed, when the liquid crystal display panel DP was washed with acetone after the completion of the liquid crystal display panel DP, it was confirmed that the alignment film irradiated with light was dissolved and the sealing material 51 was peeled off.
In the first embodiment and Comparative Example 1 described above, examples of successful and unsuccessful photo-alignment due to the setting of the distance DI2 between the substrate 110 to be processed and the polarizer PO are shown. As a result of further examination, it was found that when the thickness T of the polarizer PO is 0.5 mm or less, it is desirable that the distance DI2 is set to 1.0 mm or less.

(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。サイズの大きなマザーガラスの露光を行う場合には、第1露光装置EX1及び第2露光装置EX2は、複数の光源パネルLPを並べて構成されてもよい。ここでは、第1露光装置EX1及び第2露光装置EX2を代表して第1露光装置EX1について説明する。図22は、本実施形態に係る第1露光装置EX1を示す平面図である。
(Second embodiment)
Next, the second embodiment will be described. When exposing a large-sized mother glass, the first exposure device EX1 and the second exposure device EX2 may be configured by arranging a plurality of light source panel LPs side by side. Here, the first exposure apparatus EX1 will be described on behalf of the first exposure apparatus EX1 and the second exposure apparatus EX2. FIG. 22 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1 according to the present embodiment.

図22に示すように、第1露光装置EX1は、第1露光ユニットEU1及び第2露光ユニットEU2をさらに備えている。第1露光ユニットEU1及び第2露光ユニットEU2は、それぞれ、光源パネルLP、偏光子PO、及び上記固定部材(AL)の集合体で構成されている。なお、第2露光装置EX2の場合、第1露光ユニットEU1及び第2露光ユニットEU2は、それぞれ、光源パネルLPで構成されていればよい。
上記駆動部(DR)は、第1露光ユニットEU1の複数の発光素子(LED)と、第2露光ユニットEU2の複数の発光素子(LED)と、を独立して駆動するように構成されている。
As shown in FIG. 22, the first exposure apparatus EX1 further includes a first exposure unit EU1 and a second exposure unit EU2. The first exposure unit EU1 and the second exposure unit EU2 are each composed of a light source panel LP, a polarizer PO, and an aggregate of the fixing member (AL). In the case of the second exposure device EX2, the first exposure unit EU1 and the second exposure unit EU2 may each be composed of the light source panel LP.
The drive unit (DR) is configured to independently drive a plurality of light emitting elements (LEDs) of the first exposure unit EU1 and a plurality of light emitting elements (LEDs) of the second exposure unit EU2. ..

本実施形態の例では、第1露光ユニットEU1と第2露光ユニットEU2は、列方向Yにおいてずれて配置され、行方向Xにおいて、第1露光ユニットEU1の光源パネルLPの右側の端部と、第2露光ユニットEU2の光源パネルLPの左側の端部とは、重複するように配置される。 In the example of the present embodiment, the first exposure unit EU1 and the second exposure unit EU2 are arranged so as to be offset in the column direction Y, and in the row direction X, the right end portion of the light source panel LP of the first exposure unit EU1 and the right end portion of the light source panel LP of the first exposure unit EU1. The second exposure unit EU2 is arranged so as to overlap with the left end of the light source panel LP.

このような配置において、第1露光ユニットEU1における画素PX間の隙間g1と、第2露光ユニットEU2における画素PX間の隙間g1と、行方向Xにおける、第1露光ユニットEU1の右端の画素PXと第2露光ユニットEU2の左端の画素PXとの隙間g3とは、同一の間隔となるように配置される。 In such an arrangement, the gap g1 between the pixels PX in the first exposure unit EU1, the gap g1 between the pixels PX in the second exposure unit EU2, and the rightmost pixel PX of the first exposure unit EU1 in the row direction X. The gap g3 with the leftmost pixel PX of the second exposure unit EU2 is arranged so as to have the same spacing.

例えば、第1露光ユニットEU1の1行目の画素群PXG1と、第2露光ユニットEU2の1行目の画素群PXG1と、に注目する。第1露光ユニットEU1における隙間g1と、第2露光ユニットEU2における隙間g1と、第1露光ユニットEU1の画素群PXG1の右端の画素PXと第2露光ユニットEU2の画素群PXG1の左端の画素PXとの隙間g3とは、同一である。 For example, pay attention to the pixel group PXG1 in the first row of the first exposure unit EU1 and the pixel group PXG1 in the first row of the second exposure unit EU2. The gap g1 in the first exposure unit EU1, the gap g1 in the second exposure unit EU2, the rightmost pixel PX of the pixel group PXG1 of the first exposure unit EU1, and the leftmost pixel PX of the pixel group PXG1 of the second exposure unit EU2. Is the same as the gap g3 of.

このような隙間に調整することで、スキャン処理において被処理基板110の積算照射量は露光ユニットEUのつなぎ部であっても変化することがなく、均一な照射が可能である。また、異なる露光ユニット間に偏光軸差があった場合でも、スキャン時の積算照射量としては異なる露光ユニットそれぞれの末端画素PX由来の照射量が混合されて積算されるので、液晶表示パネルを中間調表示させたときにつなぎ部の偏光軸角度ズレによる輝度むらを抑制できる。 By adjusting to such a gap, the integrated irradiation amount of the substrate 110 to be processed does not change even at the connecting portion of the exposure unit EU in the scanning process, and uniform irradiation is possible. Further, even if there is a polarization axis difference between different exposure units, the integrated irradiation amount at the time of scanning is the integrated irradiation amount derived from the terminal pixel PX of each different exposure unit, so that the liquid crystal display panel is intermediate. It is possible to suppress uneven brightness due to the deviation of the polarization axis angle of the connecting portion when the display is adjusted.

上記のように、被処理基板110の第1方向d1の長さに応じて、複数の露光ユニットEUを行方向Xに並べて第1露光装置EX1を構成してもよい。なお、第1露光装置EX1は、行方向Xに、3個以上の露光ユニットEUを並べて構成されていてもよい。これにより、第1露光装置EX1による照射期間を短くすることができる。
又は、第1露光装置EX1は、列方向Yに3個以上の露光ユニットEUを並べて構成されていてもよい。その場合も、第1露光装置EX1による照射期間を短くすることができる。
上記のように構成された第2の実施形態に係る露光装置EXにおいても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, a plurality of exposure units EU may be arranged in the row direction X to form the first exposure apparatus EX1 according to the length of the first direction d1 of the substrate 110 to be processed. The first exposure apparatus EX1 may be configured by arranging three or more exposure units EU in the row direction X. As a result, the irradiation period by the first exposure apparatus EX1 can be shortened.
Alternatively, the first exposure apparatus EX1 may be configured by arranging three or more exposure units EU in the column direction Y. In that case as well, the irradiation period by the first exposure apparatus EX1 can be shortened.
The same effect as that of the above-described embodiment can be obtained in the exposure apparatus EX according to the second embodiment configured as described above.

(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。図25は、本実施形態に係る第1露光装置EX1を示す平面図である。
(Third Embodiment)
Next, a third embodiment will be described. FIG. 25 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1 according to the present embodiment.

図25に示すように、第1露光装置EX1において、偏光子POは、複数の偏光板PPで構成されている。複数の偏光板PPは、それぞれ物理的に独立し、行方向X及び列方向Yに互いに重なること無しに行方向Xに並べられている。本実施形態において、偏光子POは、2枚の偏光板PPを備えているが、これに限らず、行方向Xに3枚以上の偏光板PPを並べて構成されていてもよい。 As shown in FIG. 25, in the first exposure apparatus EX1, the polarizing element PO is composed of a plurality of polarizing plate PPs. The plurality of polarizing plates PP are physically independent of each other and are arranged in the row direction X without overlapping each other in the row direction X and the column direction Y. In the present embodiment, the polarizing element PO includes two polarizing plate PPs, but the present invention is not limited to this, and three or more polarizing plate PPs may be arranged side by side in the row direction X.

複数の偏光板PPは、複数の画素PXのうち、互いに異なる複数の画素PXと対向している。このため、一方の偏光板PPに重なった画素PXは、他方の偏光板PPに重なっていない。 The plurality of polarizing plates PP face each other of a plurality of pixel PXs that are different from each other. Therefore, the pixel PX that overlaps the one polarizing plate PP does not overlap the other polarizing plate PP.

ここで、複数の偏光板PPのうち、行方向Xに隣合う一対の偏光板PPの境界部Bに注目する。画素群PXG1〜PXG4は、列方向Yの並びにおいて、一つの画素PXの半ピッチ分ずつ行方向Xにずれて配置されている。本変形例2の偏光板PPの行方向Xの端部は、この画素群PXG1〜PXG4のずれに応じて段差状に形成されている。このため、境界部Bは、行方向Xにおける隙間g1と、列方向Yにおける隙間g2と、に重なり、画素PXに重なっていない。そのため、第1露光装置EX1を被処理基板110に近接させ、距離DI2を1.0mm以下に設定しても、光の照射量のムラ及び偏光軸のムラを抑制することができる。
上記のように構成された第3の実施形態に係る露光装置EXにおいても、上記第1及び第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
Here, attention is paid to the boundary portion B of the pair of polarizing plates PP adjacent to each other in the row direction X among the plurality of polarizing plates PP. The pixel groups PXG1 to PXG4 are arranged in the column direction Y so as to be offset in the row direction X by half a pitch of one pixel PX. The end portion of the polarizing plate PP of the present modification 2 in the row direction X is formed in a stepped shape according to the deviation of the pixel groups PXG1 to PXG4. Therefore, the boundary portion B overlaps the gap g1 in the row direction X and the gap g2 in the column direction Y, and does not overlap the pixel PX. Therefore, even if the first exposure apparatus EX1 is brought close to the substrate 110 to be processed and the distance DI2 is set to 1.0 mm or less, unevenness in the amount of light irradiation and unevenness in the polarization axis can be suppressed.
The exposure apparatus EX according to the third embodiment configured as described above can also obtain the same effects as those of the first and second embodiments.

(比較例2、比較例3、及び比較例4)
次に、第2及び第3の実施形態の比較例について説明する。図26は、比較例2に係る第1露光装置EX1を示す平面図である。図27は、比較例3に係る第1露光装置EX1を示す平面図である。図28は、比較例4に係る第1露光装置EX1を示す平面図である。
(Comparative Example 2, Comparative Example 3, and Comparative Example 4)
Next, a comparative example of the second and third embodiments will be described. FIG. 26 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1 according to Comparative Example 2. FIG. 27 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1 according to Comparative Example 3. FIG. 28 is a plan view showing the first exposure apparatus EX1 according to Comparative Example 4.

図26の比較例2では、偏光板PPの行方向Xの端部は、画素群PXG1〜4のずれた配置とは関係なく、列方向Yにおいて直線状に形成されている。このため、偏光板PPの境界部Bの一部は画素PXと交差している。そのため、比較例2の第1露光装置EX1を用いた場合、境界部Bにて、偏光軸のムラが生じることとなる。 In Comparative Example 2 of FIG. 26, the end portion of the polarizing plate PP in the row direction X is formed linearly in the column direction Y regardless of the displaced arrangement of the pixel groups PXG1 to 4. Therefore, a part of the boundary portion B of the polarizing plate PP intersects with the pixel PX. Therefore, when the first exposure device EX1 of Comparative Example 2 is used, the polarization axis becomes uneven at the boundary portion B.

ここで、図29に、図26の例を用いた場合の第1露光装置EX1の複数の発光素子LEDのオン/オフと、光の照射範囲IAと、の関係を示す。
図29の第1露光装置EX1において、光源パネルLPには、図26に示すように複数の偏光子PPが使用されており、図26のBに示した偏光子の境界が、図29におけるx座標51の場所に該当する。
Here, FIG. 29 shows the relationship between the on / off of the plurality of light emitting element LEDs of the first exposure apparatus EX1 and the light irradiation range IA when the example of FIG. 26 is used.
In the first exposure apparatus EX1 of FIG. 29, a plurality of polarizer PPs are used in the light source panel LP as shown in FIG. 26, and the boundary of the polarizer shown in B of FIG. 26 is x in FIG. 29. Corresponds to the location of coordinates 51.

しかしながら、図29におけるx座標51の位置は、図24の偏光子の境界Bの左右で配向軸が異なる画素に該当するため、液晶表示パネルDPを中間調にて表示したところ、製造時に境界部Bと対向していた位置にて、第2方向d2(列方向Y)の直線状の表示ムラが発生することとなった。 However, since the position of the x-coordinate 51 in FIG. 29 corresponds to pixels having different orientation axes on the left and right of the boundary B of the polarizer in FIG. 24, when the liquid crystal display panel DP is displayed in halftone, the boundary portion at the time of manufacturing At the position facing B, linear display unevenness in the second direction d2 (row direction Y) was generated.

図27の比較例3では、偏光板PPの間に隙間が形成されている。境界部Bは幅を有している。比較例3においても、境界部Bの一部は画素PXと交差している。そのため、比較例3の第1露光装置EX1を用いた場合、境界部Bにて、光の照射量のムラが生じることとなる。 In Comparative Example 3 of FIG. 27, a gap is formed between the polarizing plates PP. The boundary portion B has a width. Also in Comparative Example 3, a part of the boundary portion B intersects with the pixel PX. Therefore, when the first exposure device EX1 of Comparative Example 3 is used, unevenness in the amount of light irradiation occurs at the boundary portion B.

図28の比較例4では、複数の画素PX間の隙間g1のうち、境界部Bを挟んだ隙間g1は、他の隙間g1より大きい。上述した実施形態、並びに比較例2及び3と異なり、比較例4において、偏光板PPの端部に重複する画素PXはないものの、画素PX間の隙間g1は一定ではない。そのため、比較例4の第1露光装置EX1を用いた場合、境界部Bの近傍にて、光の照射量のムラが生じることとなる。 In Comparative Example 4 of FIG. 28, among the gaps g1 between the plurality of pixels PX, the gap g1 sandwiching the boundary portion B is larger than the other gaps g1. Unlike the above-described embodiment and Comparative Examples 2 and 3, in Comparative Example 4, although there is no overlapping pixel PX at the end of the polarizing plate PP, the gap g1 between the pixels PX is not constant. Therefore, when the first exposure device EX1 of Comparative Example 4 is used, unevenness in the amount of light irradiation occurs in the vicinity of the boundary portion B.

本発明の実施形態及び変形例を説明したが、これらの実施形態及び変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記の新規な実施形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記の実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although the embodiments and modifications of the present invention have been described, these embodiments and modifications are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. The above-mentioned novel embodiments and modifications can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. The above-described embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

EX,EX1,EX2…露光装置、EU…露光ユニット、EU1…第1露光ユニット、
EU2…第2露光ユニット、LP…光源パネル、PX…画素、PXG…画素群、
LED…発光素子、PO…偏光子、PP…偏光板、AL…固定部材、DR…駆動部、
LA…発光領域、NLA…非発光領域、B…境界部、g1,g2,g3…隙間、
X…行方向、Y…列方向、ST…ステージ、DP…液晶表示パネル、
28,43…配向膜、51…シール材、51a…シール剤、DA…表示領域、
NDA…非表示領域、d1…第1方向、d2…第2方向、
DI1,DI2,DI3…距離。
EX, EX1, EX2 ... exposure device, EU ... exposure unit, EU1 ... first exposure unit,
EU2 ... 2nd exposure unit, LP ... Light source panel, PX ... Pixel, PXG ... Pixel group,
LED ... light emitting element, PO ... polarizer, PP ... polarizing plate, AL ... fixing member, DR ... drive unit,
LA ... light emitting region, NLA ... non-light emitting region, B ... boundary portion, g1, g2, g3 ... gap,
X ... row direction, Y ... column direction, ST ... stage, DP ... liquid crystal display panel,
28, 43 ... Alignment film, 51 ... Sealing material, 51a ... Sealing agent, DA ... Display area,
NDA ... non-display area, d1 ... first direction, d2 ... second direction,
DI1, DI2, DI3 ... Distance.

Claims (13)

基板と、前記基板の上方に2次元的に配置されそれぞれ発光素子を含む複数の画素と、を有する光源パネルと、
前記複数の発光素子を独立して駆動する駆動部と、
前記複数の発光素子と対向した偏光子と、
前記偏光子と前記光源パネルとの相対的な位置を固定する固定部材と、を備え、
各々の前記発光素子は、紫外光を出射し、平面視にて最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている、
露光装置。
A light source panel having a substrate and a plurality of pixels two-dimensionally arranged above the substrate, each including a light emitting element.
A drive unit that independently drives the plurality of light emitting elements,
With the polarizer facing the plurality of light emitting elements,
A fixing member for fixing the relative positions of the polarizer and the light source panel is provided.
Each of the light emitting elements emits ultraviolet light and has the longest side length of 500 μm or less in a plan view.
Exposure device.
前記紫外光は、280nm以下の波長範囲内に主ピークを有する、
請求項1に記載の露光装置。
The ultraviolet light has a main peak in the wavelength range of 280 nm or less.
The exposure apparatus according to claim 1.
それぞれ行方向に延在し前記行方向に直交する列方向に並べられた複数の画素群をさらに備え、
各々の前記画素群は、前記複数の画素のうち、前記行方向に並べられた複数の画素で構成されている、
請求項1に記載の露光装置。
Further, a plurality of pixel groups extending in the row direction and arranged in the column direction orthogonal to the row direction are further provided.
Each of the pixel groups is composed of a plurality of pixels arranged in the row direction among the plurality of pixels.
The exposure apparatus according to claim 1.
各々の前記画素群の前記複数の画素は、前記行方向に隙間を置いて並べられ、
前記列方向に隣合う一対の前記画素群に注目した場合、
一方の前記画素群の各々の前記隙間は、他方の前記画素群の前記画素と前記列方向に対向し、
前記他方の前記画素群の各々の前記隙間は、前記一方の前記画素群の前記画素と前記列方向に対向している、
請求項3に記載の露光装置。
The plurality of pixels of each of the pixel groups are arranged with a gap in the row direction.
When focusing on the pair of pixels adjacent to each other in the column direction,
Each of the gaps in one of the pixel groups faces the pixel in the other pixel group in the column direction.
Each of the gaps in the other pixel group faces the pixel in the one pixel group in the column direction.
The exposure apparatus according to claim 3.
前記他方の前記画素群の前記画素は、前記一方の前記画素群の前記隙間とだけではなく、前記一方の前記画素群の前記複数の画素のうち前記隙間の両隣りの一対の画素とも前記列方向に対向し、
前記一方の前記画素群の前記画素は、前記他方の前記画素群の前記隙間とだけではなく、前記他方の前記画素群の前記複数の画素のうち前記隙間の両隣りの一対の画素とも前記列方向に対向している、
請求項4に記載の露光装置。
The pixels of the other pixel group are not only in the gap of the one pixel group, but also in the row of a pair of pixels on both sides of the gap among the plurality of pixels of the one pixel group. Facing the direction,
The pixel of the one pixel group is not only with the gap of the other pixel group, but also with a pair of pixels on both sides of the gap among the plurality of pixels of the other pixel group. Opposing in the direction,
The exposure apparatus according to claim 4.
第1露光ユニット及び第2露光ユニットをさらに備え、
前記第1露光ユニット及び前記第2露光ユニットは、それぞれ、前記光源パネル、前記偏光子、及び前記固定部材の集合体で構成され、
前記駆動部は、前記第1露光ユニットの前記複数の発光素子と、前記第2露光ユニットの前記複数の発光素子と、を独立して駆動し、
前記行方向を左右方向と平行とした場合、前記第1露光ユニットの前記光源パネルの右側の端部と、前記第2露光ユニットの前記光源パネルの左側の端部とは、前記列方向に対向し、
前記第1露光ユニットの複数の画素群のうちn行目の画素群と、前記第2露光ユニットの複数の画素群のうち前記n行目の画素群と、に注目した場合、
前記第1露光ユニットにおける前記隙間と、
前記第2露光ユニットにおける前記隙間と、
前記行方向における、前記第1露光ユニットの右端の画素と前記第2露光ユニットの左端の画素との隙間とは、同一である、
請求項4又は5に記載の露光装置。
Further equipped with a first exposure unit and a second exposure unit,
The first exposure unit and the second exposure unit are each composed of an assembly of the light source panel, the polarizer, and the fixing member.
The driving unit independently drives the plurality of light emitting elements of the first exposure unit and the plurality of light emitting elements of the second exposure unit.
When the row direction is parallel to the left-right direction, the right end of the light source panel of the first exposure unit and the left end of the light source panel of the second exposure unit face each other in the column direction. And
When paying attention to the nth row pixel group among the plurality of pixel groups of the first exposure unit and the nth row pixel group among the plurality of pixel groups of the second exposure unit,
With the gap in the first exposure unit,
With the gap in the second exposure unit,
The gap between the rightmost pixel of the first exposure unit and the leftmost pixel of the second exposure unit in the row direction is the same.
The exposure apparatus according to claim 4 or 5.
前記偏光子は、それぞれ物理的に独立し互いに重なること無しに前記行方向に並べられた複数の偏光板で構成され、
前記複数の偏光板は、前記複数の画素のうち、互いに異なる複数の画素と対向し、
前記列方向に隣合う一対の前記画素群に注目した場合、
前記一方の前記画素群の前記複数の画素と、前記他方の前記画素群の前記複数の画素とは、前記列方向に隙間を置いて位置し、
前記複数の偏光板のうち、前記行方向に隣合う一対の偏光板の境界部に注目した場合、
前記境界部は、前記行方向における前記隙間と、前記列方向における前記隙間と、に重なり、前記画素に重なっていない、
請求項4又は5に記載の露光装置。
The polarizers are composed of a plurality of polarizing plates that are physically independent of each other and are arranged in the row direction without overlapping each other.
The plurality of polarizing plates face each other of the plurality of pixels, which are different from each other.
When focusing on the pair of pixels adjacent to each other in the column direction,
The plurality of pixels of the one pixel group and the plurality of pixels of the other pixel group are located with a gap in the column direction.
When paying attention to the boundary portion of a pair of polarizing plates adjacent to each other in the row direction among the plurality of polarizing plates,
The boundary portion overlaps the gap in the row direction and the gap in the column direction, and does not overlap the pixel.
The exposure apparatus according to claim 4 or 5.
基板と、前記基板の上方に2次元的に配置されそれぞれ発光素子を含む複数の画素と、を有する光源パネルと、
前記複数の発光素子を独立して駆動する駆動部と、を備え、
各々の前記発光素子は、紫外光を出射し、平面視にて最長の1辺の長さが500μm以下に構成されている、
露光装置。
A light source panel having a substrate and a plurality of pixels two-dimensionally arranged above the substrate, each including a light emitting element.
A drive unit that independently drives the plurality of light emitting elements is provided.
Each of the light emitting elements emits ultraviolet light and has the longest side length of 500 μm or less in a plan view.
Exposure device.
前記紫外光は、315nm以上の波長範囲内に主ピークを有する、
請求項8に記載の露光装置。
The ultraviolet light has a main peak in the wavelength range of 315 nm or more.
The exposure apparatus according to claim 8.
それぞれ行方向に延在し前記行方向に直交する列方向に並べられた複数の画素群をさらに備え、
各々の前記画素群は、前記複数の画素のうち、前記行方向に並べられた複数の画素で構成されている、
請求項8に記載の露光装置。
Further, a plurality of pixel groups extending in the row direction and arranged in the column direction orthogonal to the row direction are further provided.
Each of the pixel groups is composed of a plurality of pixels arranged in the row direction among the plurality of pixels.
The exposure apparatus according to claim 8.
各々の前記画素群の前記複数の画素は、前記行方向に隙間を置いて並べられ、
前記列方向に隣合う一対の前記画素群に注目した場合、
一方の前記画素群の各々の前記隙間は、他方の前記画素群の前記画素と前記列方向に対向し、
前記他方の前記画素群の各々の前記隙間は、前記一方の前記画素群の前記画素と前記列方向に対向している、
請求項10に記載の露光装置。
The plurality of pixels of each of the pixel groups are arranged with a gap in the row direction.
When focusing on the pair of pixels adjacent to each other in the column direction,
Each of the gaps in one of the pixel groups faces the pixel in the other pixel group in the column direction.
Each of the gaps in the other pixel group faces the pixel in the one pixel group in the column direction.
The exposure apparatus according to claim 10.
前記他方の前記画素群の前記画素は、前記一方の前記画素群の前記隙間とだけではなく、前記一方の前記画素群の前記複数の画素のうち前記隙間の両隣りの一対の発光素子とも前記列方向に対向し、
前記一方の前記画素群の前記画素は、前記他方の前記画素群の前記隙間とだけではなく、前記他方の前記画素群の前記複数の画素のうち前記隙間の両隣りの一対の画素とも前記列方向に対向している、
請求項11に記載の露光装置。
The pixel of the other pixel group is not only the gap of the one pixel group, but also a pair of light emitting elements on both sides of the gap among the plurality of pixels of the one pixel group. Facing in the row direction,
The pixel of the one pixel group is not only with the gap of the other pixel group, but also with a pair of pixels on both sides of the gap among the plurality of pixels of the other pixel group. Opposing in the direction,
The exposure apparatus according to claim 11.
第1露光ユニット及び第2露光ユニットをさらに備え、
前記第1露光ユニット及び前記第2露光ユニットは、それぞれ、前記光源パネルで構成され、
前記駆動部は、前記第1露光ユニットの前記複数の発光素子と、前記第2露光ユニットの前記複数の発光素子と、を独立して駆動し、
前記行方向を左右方向と平行とした場合、前記第1露光ユニットの前記光源パネルの右側の端部と、前記第2露光ユニットの前記光源パネルの左側の端部とは、前記列方向に対向し、
前記第1露光ユニットの複数の画素群のうちn行目の画素群と、前記第2露光ユニットの複数の画素群のうち前記n行目の画素群と、に注目した場合、
前記第1露光ユニットにおける前記隙間と、
前記第2露光ユニットにおける前記隙間と、
前記行方向における、前記第1露光ユニットの右端の画素と前記第2露光ユニットの左端の画素との隙間とは、同一である、
請求項11又は12に記載の露光装置。
Further equipped with a first exposure unit and a second exposure unit,
The first exposure unit and the second exposure unit are each composed of the light source panel.
The driving unit independently drives the plurality of light emitting elements of the first exposure unit and the plurality of light emitting elements of the second exposure unit.
When the row direction is parallel to the left-right direction, the right end of the light source panel of the first exposure unit and the left end of the light source panel of the second exposure unit face each other in the column direction. And
When paying attention to the nth row pixel group among the plurality of pixel groups of the first exposure unit and the nth row pixel group among the plurality of pixel groups of the second exposure unit,
With the gap in the first exposure unit,
With the gap in the second exposure unit,
The gap between the rightmost pixel of the first exposure unit and the leftmost pixel of the second exposure unit in the row direction is the same.
The exposure apparatus according to claim 11 or 12.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005028656A (en) * 2003-07-09 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd Exposure head and exposure device
US20090002669A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Optical Associates, Inc. Ultraviolet light-emitting diode exposure apparatus for microfabrication
US8492072B2 (en) * 2009-04-30 2013-07-23 Infineon Technologies Ag Method for marking objects
CN104808396A (en) * 2015-05-13 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 Liquid crystal box, preparation method thereof and display device
JP2018014200A (en) * 2016-07-20 2018-01-25 キヤノン株式会社 Method for manufacturing organic electronics device
JP2018017952A (en) * 2016-07-29 2018-02-01 ウシオ電機株式会社 Light projection apparatus and light projection method
JP7172598B2 (en) * 2017-11-21 2022-11-16 東レ株式会社 Siloxane resin composition, cured film and display device
WO2019146027A1 (en) * 2018-01-25 2019-08-01 株式会社ニコン Electron beam device, device production method, and photoelectric element unit

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